JP4679340B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の第1の実施形態にしたがった、N/P+ 基板を用いたCMOSイメージセンサー(増幅型の固体撮像装置)の基本構成を示すものである。なお、ここでは、1チップ化されたCMOSイメージセンサーを例に説明する。
図7は、この発明の第2の実施形態にしたがった、N/P+ 基板を用いたCMOSイメージセンサー(増幅型の固体撮像装置)の基本構成を示すものである。ここでは、1チップ化されたCMOSイメージセンサーを例に説明する。また、周辺回路アナログ領域13に対応する、N/P+ 基板21の表層部(N型エピタキシャル層23)には深いPウェル13’を、周辺回路ロジック領域14に対応する、N/P+ 基板21の表層部にはそれよりも浅いPウェル14’’を、それぞれ形成するようにした場合について説明する。すなわち、周辺回路アナログ領域13および周辺回路ロジック領域14のうち、周辺回路アナログ領域13のPウェル13’だけが、Pウェル25を介して、P型半導体基板22に接続されるように構成した場合について説明する。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、ここでの詳しい説明は割愛する。
Claims (5)
- P型の不純物を含む基板本体、および、前記基板本体上に設けられた第1のN型半導体層からなる半導体基板と、
前記第1のN型半導体層の表層部に形成された、互いに独立して設けられた第2のN型半導体層からなる複数の光電変換部を含む撮像領域と、
前記第1のN型半導体層に形成された、ロジック系の周辺回路が設けられる第1のP型半導体層からなる第1の周辺回路領域と、
前記第1のN型半導体層に、その表層部から前記基板本体に達する深さを有して連続的に形成された、アナログ系の周辺回路が設けられる第2のP型半導体層からなる第2の周辺回路領域と
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1のN型半導体層における前記基板本体側には、さらに、第3のP型半導体層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記撮像領域には、さらに、前記複数の光電変換部の相互を分離するようにして、それぞれ、第4のP型半導体層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の周辺回路領域を構成する前記第1のP型半導体層は、前記第1のN型半導体層の表層部から前記基板本体に達する深さを有して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の周辺回路領域を構成する前記第1のP型半導体層は、前記第1のN型半導体層の表層部から前記基板本体に達しない深さを有して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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