JP4654639B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4654639B2 JP4654639B2 JP2004261838A JP2004261838A JP4654639B2 JP 4654639 B2 JP4654639 B2 JP 4654639B2 JP 2004261838 A JP2004261838 A JP 2004261838A JP 2004261838 A JP2004261838 A JP 2004261838A JP 4654639 B2 JP4654639 B2 JP 4654639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- lens
- package
- opening
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N P.OB(O)O Chemical compound P.OB(O)O PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-BKFZFHPZSA-N lead-212 Chemical compound [212Pb] WABPQHHGFIMREM-BKFZFHPZSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
<発光装置>
第1の実施の形態に係る発光装置について図面を用いて説明する。図1は、第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略斜視図である。図2は、その発光装置を示す概略断面斜視図である。図3は、その発光装置を示す概略平面図である。その発光装置を示す概略断面図である。図5は、その発光装置を示す概略側面図である。図6は、その発光装置を示す概略側面図である。図2は、図1のA−A線における概略断面斜視図である。図4は、図3のB−B線における概略断面図である。
発光素子10は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としても良い。
パッケージ20は、底面と側面を持つ開口部を有しており、開口部底面から外側に延びるリード30が一体成型されている。この露出部分には発光素子10が載置される。パッケージ20の開口部底面は、リード30の一部が露出して配設されている。また、パッケージ20の外側底面若しくは外側側面もリード30の一部が露出している。パッケージ20の内部から外側にリード30が延びているため、レンズ40を係止する際の強度を向上させることができる。特に、パッケージ20の外側底面若しくは外側側面にリード30が配設されていることから実装しやすい。ただし、平板のように、底面と側面を持つ開口部を持たないパッケージ20を使用することもできる。この場合は、平板のパッケージ20の上面に発光素子10を載置しているため、中空のドーム型のレンズ40を使用することもできる。この時リード30は少なくとも二枚の平板で挟み込む形状を採る。
リード30は、鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成することができる。また、発光素子10からの光の反射率を向上させるため、リード30の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。また、リード30の表面の反射率を向上させるため、平滑にすることが好ましい。また、放熱性を高めるためリード30の面積は大きくすることができる。これにより発光素子10の温度上昇を効果的に抑えることができ、発光素子10に比較的多くの電気を流すことができる。
レンズ40は、パッケージ20に載置された発光素子10からの光を透過するように配置されている。レンズ40は、所定のレンズ効果を持つ半球状のものや、中空のドーム型のものや、フレネルレンズなどを用いることができる。レンズ40は、凸レンズ、フレネルレンズであることが特に好ましい。凸レンズにすることにより集光性を高めること等ができるからである。また、フレネルレンズにすることにより発光装置自体を薄型にすることができるからである。このレンズ40には、塵や埃の侵入を防止するためのレンズ機能を持たない平板ガラスも含む。レンズ40は、集光、拡散などの機能を持つものを用途に合わせて適宜使用することができる。レンズ40は、パッケージ20の開口部に嵌合する大きさを有していることが好ましいが、わずかにレンズ40の方が小さいものも使用することができる。レンズ40は、凸部分と外周部分とを持ち、この外周部分がパッケージ20の開口部に嵌合する。また、この外周部分は、リード30によって押さえ込まれる。
樹脂50は、パッケージ20の底面及び側壁の開口部内に配されるものであり外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子10を保護するものである。また、発光素子10からの光を効率よく外部に放出させるためのものである。このような、樹脂50を構成する具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ポリアミドなどの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。高密度に発光素子10を配置させた場合は、熱衝撃による導電性ワイヤーの断線などを考慮してエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やそれらを組み合わせたものなどを使用することがより好ましい。また、樹脂50中には、視野角をさらに増やすために拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、発光素子10からの光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光物質60を含有させることもできる。
蛍光物質60は、発光素子10からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
発光装置には、さらに保護素子としてツェナーダイオード11を設けることもできる。ツェナーダイオード11は、発光素子10と離れて開口部の底面のリード30に載置することができる。また、ツェナーダイオード11は、開口部の底面のリード30に載置され、その上に発光素子10を載置する構成を採ることもできる。□280μmサイズの他、□300μmサイズ等も使用することができる。パッケージ20のリード30の配線パターンとツェナーダイオード11とは銀ペーストで接着させている。
第1の実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図7は、本発明に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
第1の実施の形態の他に、種々の形状、大きさ、製造方法によっても本発明を実現することができる。図8乃至図10は、本発明に係る発光装置の概略断面図である。図8乃至図10は、レンズの形状が主として異なるものである。
実施例1に係る発光装置として、第1の実施の形態に係る発光装置を提供する。図1乃至図6は実施例1に係る発光装置を示す。
11 保護素子
20、21、120、121 パッケージ
30、31、32、33、34、35、36、130、131 リード
40、41、42、43、44、140、141 レンズ
50、150 樹脂
60、160 蛍光物質
Claims (17)
- 発光素子と、該発光素子を載置するパッケージと、該パッケージに配設されているリードと、該発光素子からの光を透過するように配置されるレンズと、を有する発光装置であって、前記レンズは、前記リードと前記パッケージとにより挟み込まれ係止されている発光装置。
- 発光素子と、該発光素子を載置するパッケージと、該パッケージに配設されているリードと、該発光素子からの光を透過するように配置されるレンズと、を有する発光装置であって、前記発光装置は、正負の電極となる一対の前記リードと、レンズをパッケージと挟み込むための少なくとも1つのレンズ押さえのリードとを備えている発光装置。
- 前記発光装置は、前記レンズと前記パッケージとの接触部分に緩衝部材を設けている請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記底面は前記リードが配設され前記発光素子が載置されており、前記リードは前記パッケージの外側底面若しくは外側側面から外側に配設されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記側面は開口方向に拡がる傾斜を有しており、前記レンズは、該傾斜から外側に延びる直線よりも外側に前記レンズ機能を有する部分が設けられている請求項1に記載の発光装置。
- 前記リードは、一対の正負の電極である請求項1に記載の発光装置。
- 前記リードは、前記パッケージの外側底面若しくは外側側面から外側に向かって配設され、折り曲げられて前記レンズが係止されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記レンズは前記開口部に嵌合する大きさを有している請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、該開口部は、開口径が異なる第1の開口部と第2の開口部とを有しており、第2の開口部の開口径は第1の開口部の開口径よりも大きく、第1の開口部と第2の開口部との間に段差部が設けられている請求項1に記載の発光装置。
- 前記レンズは凸レンズである請求項1に記載の発光装置。
- 前記レンズはフレネルレンズである請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記開口部内は、蛍光物質が含有されている樹脂により前記発光素子が被覆されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記開口部内は、蛍光物質が含有されている樹脂により前記発光素子が被覆されており、前記樹脂と、前記レンズとの間には隙間が設けられている請求項1に記載の発光装置。
- リードが配設され一体形成されているパッケージであって、該リードは該パッケージの側面若しくは底面から外側に延びており、かつ、該リードの長さは、該リードと該パッケージとでレンズを挟み込むことで該レンズを係止し得る長さであるパッケージ。
- 底面と側面を持つ開口部を上面に有するパッケージであって、該開口部上部には発光素子からの光を透過するようにレンズが配置され、該パッケージはリードが配設され一体形成されており、該リードは該パッケージの外側側面若しくは外側底面から外側に延びており、かつ、該リードの長さは、上面の開口部付近まで延びることで開口部付近において、該レンズを該パッケージと該リードとにより挟みこむことで係止し得る長さであるパッケージ。
- 側面若しくは底面から外側に延びるリードが配設され一体成型されているパッケージに、発光素子が載置される工程と、
該発光素子からの光を透過するように配置されるレンズをパッケージに配置する工程と、
該リードを折り曲げることにより、前記レンズを前記パッケージと前記リードとにより挟み込んで係止する工程と、
を有する発光装置の製造方法。 - 側面若しくは底面から外側に延びるリードが配設され一体成型されているパッケージに、発光素子が載置される工程と、
該発光素子からの光を透過するように配置されるレンズを係止し得るように該リードを折り曲げる工程と、
該リードと該パッケージとの間に該レンズを配置して係止する工程と、
を有する発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004261838A JP4654639B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004261838A JP4654639B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080251A JP2006080251A (ja) | 2006-03-23 |
JP4654639B2 true JP4654639B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=36159471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004261838A Expired - Fee Related JP4654639B2 (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4654639B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11762256B2 (en) | 2020-11-26 | 2023-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and electronic device including the same |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006032416A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102006032428A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
JP5057707B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP1959505B1 (en) * | 2007-02-14 | 2015-09-09 | Tridonic Jennersdorf GmbH | LED module with lens and its manufacturing |
JP4976167B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-07-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
KR101353579B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2014-01-22 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 램프 및 발광 장치 |
KR101635650B1 (ko) * | 2008-02-08 | 2016-07-01 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP5236406B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-07-17 | ローム株式会社 | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 |
US8258526B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-09-04 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting diode package including a lead frame with a cavity |
EP2312660B1 (en) | 2008-07-03 | 2018-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An led package and a backlight unit comprising said led package |
JP2010129284A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Ichikoh Ind Ltd | 車両用灯具 |
JP5040899B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2012-10-03 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具 |
US9240523B2 (en) | 2009-04-03 | 2016-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic component, optoelectronic component, and component arrangement having a plurality of optoelectronic components |
JP5306949B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-10-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置 |
US8258722B2 (en) | 2009-09-24 | 2012-09-04 | Cree, Inc. | Lighting device with defined spectral power distribution |
CN102444860B (zh) | 2010-09-30 | 2016-12-07 | 欧司朗股份有限公司 | 透镜、具有透镜的照明装置以及照明装置的制造方法 |
US9935247B2 (en) * | 2014-07-23 | 2018-04-03 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from ultraviolet light-emitting devices |
JP6374723B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-08-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5952880B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-07-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品の製造方法、オプトエレクトロニクス部品、および複数のオプトエレクトロニクス部品を有する部品レイアウト |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03191580A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Dialight Corp | サーフェスマウントledパッケージ |
JPH05102528A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Omron Corp | 光半導体素子 |
JP2000058925A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | Ledランプ |
JP2000353828A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Stanley Electric Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2002089222A1 (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-07 | Moriyama Sangyo Kabushiki Kaisha | Light source coupler, illuminant device, patterned conductor, and method for manufcturing light source coupler |
JP2003318448A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
-
2004
- 2004-09-09 JP JP2004261838A patent/JP4654639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03191580A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Dialight Corp | サーフェスマウントledパッケージ |
JPH05102528A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Omron Corp | 光半導体素子 |
JP2000058925A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | Ledランプ |
JP2000353828A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Stanley Electric Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2002089222A1 (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-07 | Moriyama Sangyo Kabushiki Kaisha | Light source coupler, illuminant device, patterned conductor, and method for manufcturing light source coupler |
JP2003318448A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11762256B2 (en) | 2020-11-26 | 2023-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and electronic device including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006080251A (ja) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11631790B2 (en) | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same | |
JP4654639B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP4608294B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP4611937B2 (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
US7586128B2 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP2007329219A (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP5262374B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
KR20060103196A (ko) | 발광 장치 및 화상 판독 장치 | |
KR102578085B1 (ko) | 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 | |
JP4670251B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5294741B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP5628475B2 (ja) | 表面実装型発光装置の製造方法 | |
JP2013138262A (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP7054019B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP6809518B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP6628752B2 (ja) | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP6149886B2 (ja) | 表面実装型発光装置 | |
JP2008252148A (ja) | 発光装置用のパッケージ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4654639 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |