JP4641299B2 - Insulating film, magnetic core powder and powder magnetic core, and method for forming or manufacturing the same - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 99
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 56
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 40
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 29
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 28
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 10
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 9
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 9
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 8
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 8
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- WBUSESIMOZDSHU-UHFFFAOYSA-N 3-(4,5-dihydroimidazol-1-yl)propyl-triethoxysilane Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN1CCN=C1 WBUSESIMOZDSHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 5
- WOZZOSDBXABUFO-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)alumane Chemical group [Al+3].CCC(C)[O-].CCC(C)[O-].CCC(C)[O-] WOZZOSDBXABUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbamic acid group Chemical group C(N)(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical class NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 166
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- -1 TEOS and TMOS Chemical class 0.000 description 14
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- HGPXWXLYXNVULB-UHFFFAOYSA-M lithium stearate Chemical compound [Li+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HGPXWXLYXNVULB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- RLWYADMMONCFSN-UHFFFAOYSA-N (4-methyl-2-oxochromen-7-yl) N-(3-triethoxysilylpropyl)carbamate Chemical compound CCO[Si](CCCNC(=O)Oc1ccc2c(C)cc(=O)oc2c1)(OCC)OCC RLWYADMMONCFSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JEBKVIMEQBQNPT-UHFFFAOYSA-N 1-(5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonylpiperidine Chemical compound COC1=CC=C(Br)C=C1S(=O)(=O)N1CCCCC1 JEBKVIMEQBQNPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJJMMZVIBLQHLI-UHFFFAOYSA-N 11-triethoxysilylundecanal Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCCCCCCCC=O SJJMMZVIBLQHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-triethoxysilylpropyl)oxolane-2,5-dione Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC1CC(=O)OC1=O GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWGTUBDCLHXASR-UHFFFAOYSA-N 5-(dimethylamino)-n-(3-triethoxysilylpropyl)naphthalene-1-sulfonamide Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)=CC=CC2=C1N(C)C AWGTUBDCLHXASR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- BCZMKSMVRLGRFS-UHFFFAOYSA-N [amino(3-trimethoxysilylpropylsulfanyl)methylidene]azanium;chloride Chemical compound Cl.CO[Si](OC)(OC)CCCSC(N)=N BCZMKSMVRLGRFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJLTZAGUXSAJCZ-UHFFFAOYSA-N methyl 3-trimethoxysilylpropanoate Chemical compound COC(=O)CC[Si](OC)(OC)OC XJLTZAGUXSAJCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N phenyl-[2,3,4,5-tetrakis(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]methanediamine Chemical compound C=1C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N phenylacetonitrile Chemical compound N#CCC1=CC=CC=C1 SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGFDUEXNZLUZGH-YIYPIFLZSA-N (2r,3s,4r,5r)-2,3,4,5,6-pentahydroxy-n-(3-triethoxysilylpropyl)hexanamide Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO RGFDUEXNZLUZGH-YIYPIFLZSA-N 0.000 description 1
- JCZPMGDSEAFWDY-SQOUGZDYSA-N (2r,3s,4r,5r)-2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanamide Chemical compound NC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO JCZPMGDSEAFWDY-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 1
- JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N (methylsulfinyl)benzene Chemical compound CS(=O)C1=CC=CC=C1 JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKDOTCFNLHHKOF-FGRDZWBJSA-N (z)-1-chloroprop-1-ene;(z)-1,2-dichloroethene Chemical group C\C=C/Cl.Cl\C=C/Cl UKDOTCFNLHHKOF-FGRDZWBJSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSOBJOKPIUCQHQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxysilyl-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound CCO[SiH2]CN(C)C WSOBJOKPIUCQHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNGMPYRLKXUQKY-UHFFFAOYSA-N 10-(1,3-dioxolan-2-yl)decyl-triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCCCCCCCC1OCCO1 DNGMPYRLKXUQKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPWZCJFZJCOBHO-UHFFFAOYSA-N 11-triethoxysilylundecan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCCCCCCCCN LPWZCJFZJCOBHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- YVUOHPRAYMNJMF-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitro-N-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound [N+](=O)([O-])C1=C(C=CC(=C1)[N+](=O)[O-])NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC.[N+](=O)([O-])C1=C(C=CC(=C1)[N+](=O)[O-])NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC YVUOHPRAYMNJMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 2-[1,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(OCC1OC1)COCC1CO1 SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRHKGHXDYTVYNW-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[bis[2-(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]methyl]phenyl]methyl]oxirane Chemical compound C=1C=CC=C(C(C=2C(=CC=CC=2)CC2OC2)C=2C(=CC=CC=2)CC2OC2)C=1CC1CO1 RRHKGHXDYTVYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUODQIKUTGWMPT-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-5-(trifluoromethyl)pyridine Chemical compound FC1=CC=C(C(F)(F)F)C=N1 UUODQIKUTGWMPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUPGCAGBHBJUJC-UHFFFAOYSA-N 3-(3-trimethoxysilylpropoxy)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC1=CC=CC(N)=C1 HUPGCAGBHBJUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPXYFSCMLIIFK-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)-2,2-bis(oxiran-2-ylmethoxymethyl)propan-1-ol Chemical compound C1OC1COCC(COCC1OC1)(CO)COCC1CO1 VTPXYFSCMLIIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(dimethyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCN GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUGGFUSCPLPUFY-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN.CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN TUGGFUSCPLPUFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTTNDYQVJLFCHW-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl n-tert-butylcarbamate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)NC(C)(C)C CTTNDYQVJLFCHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPIUYFCVBUEHY-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylaniline Chemical compound NC=1C=C(C=CC1)[Si](OC)(OC)OC.NC=1C=C(C=CC1)[Si](OC)(OC)OC JTPIUYFCVBUEHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFYBXKBLFFEPRJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN.CO[Si](OC)(OC)CCCN PFYBXKBLFFEPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPZOAVGMSDSWSW-UHFFFAOYSA-N 4,6-dichloropyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC(Cl)=CC(Cl)=N1 JPZOAVGMSDSWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXIHNRCDSGDNCC-UHFFFAOYSA-N 4-[dimethoxy(phenyl)silyl]butanenitrile Chemical compound C(#N)CCC[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1.C(#N)CCC[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AXIHNRCDSGDNCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMWDYCNYWCIATE-UHFFFAOYSA-N 4-nitro-n-(3-triethoxysilylpropyl)benzamide Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NMWDYCNYWCIATE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCN SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUNDWZCDAOTGDQ-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutanal Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC=O AUNDWZCDAOTGDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGIURMCNTDVGJM-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC#N VGIURMCNTDVGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFPQHXWIKTYQDL-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)NCC(=O)CO[Si](OC)(OC)CCCN.C(C)(=O)NCCC[Si](OCCC1CO1)(OC)OC Chemical compound C(C)(=O)NCC(=O)CO[Si](OC)(OC)CCCN.C(C)(=O)NCCC[Si](OCCC1CO1)(OC)OC SFPQHXWIKTYQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRBVCEGZYKSNCE-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Si](CCCN1C(C1)C(=O)OC)(OCC)OCC.C(C)O[Si](CCCN1C(C1)C(=O)OC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)O[Si](CCCN1C(C1)C(=O)OC)(OCC)OCC.C(C)O[Si](CCCN1C(C1)C(=O)OC)(OCC)OCC CRBVCEGZYKSNCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUAAWWMVIILSDQ-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](CCCNCCCCO)(OCC)OCC.CCO[Si](CCCNC(CCCO)=O)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Si](CCCNCCCCO)(OCC)OCC.CCO[Si](CCCNC(CCCO)=O)(OCC)OCC IUAAWWMVIILSDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPPKQSYHESGIDD-UHFFFAOYSA-N CNCCC[Si](OC)(OC)C.CNCCC[Si](OC)(OC)C Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)C.CNCCC[Si](OC)(OC)C YPPKQSYHESGIDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZVIOKRWQNWXKZ-UHFFFAOYSA-N CO[Si](CCCC1C(=O)OC(C1)=O)(OC)OC.CO[Si](CCCC1C(=O)OC(C1)=O)(OC)OC Chemical compound CO[Si](CCCC1C(=O)OC(C1)=O)(OC)OC.CO[Si](CCCC1C(=O)OC(C1)=O)(OC)OC DZVIOKRWQNWXKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRLZOAASTROPQY-UHFFFAOYSA-N CO[Si](OC)(OC)CCCCC(C(=O)O)(C)Br.CO[Si](OC)(OC)CCCCC(C(=O)O)(C)Br Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCC(C(=O)O)(C)Br.CO[Si](OC)(OC)CCCCC(C(=O)O)(C)Br ZRLZOAASTROPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIFZWVWBWAAQCN-UHFFFAOYSA-N N'-(3-trimethoxysilylpropyl)hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCNCCC[Si](OC)(OC)OC.NCCCCCCNCCC[Si](OC)(OC)OC AIFZWVWBWAAQCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBHPRRHWEGWOJQ-UHFFFAOYSA-N NC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC.NC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC Chemical compound NC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC.NC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC HBHPRRHWEGWOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNXUPZCLOUTHHS-UHFFFAOYSA-N NCC(C)[Si](OCC)(C)C.NCC(C)[Si](OCC)(C)C Chemical compound NCC(C)[Si](OCC)(C)C.NCC(C)[Si](OCC)(C)C CNXUPZCLOUTHHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJAYJXCGXDRVGU-UHFFFAOYSA-N NCCCCCCNC[Si](OC)(OC)OC.NCCCCCCNC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound NCCCCCCNC[Si](OC)(OC)OC.NCCCCCCNC[Si](OC)(OC)OC GJAYJXCGXDRVGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWMJUXFVBOMGQW-UHFFFAOYSA-N NCCC[Si](OCC)(C(C)C)C(C)C.[SiH4].NCCC[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C Chemical compound NCCC[Si](OCC)(C(C)C)C(C)C.[SiH4].NCCC[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C RWMJUXFVBOMGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRUPJQWLVQFBTJ-UHFFFAOYSA-N NCCNCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC.NCCNCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound NCCNCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC.NCCNCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC ZRUPJQWLVQFBTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAAUIHBSWLBOQR-UHFFFAOYSA-N NCCNCCC[Si](OCC)(OCC)OCC.NCCNCCC[Si](OC)(OC)OC.NCCNCCC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound NCCNCCC[Si](OCC)(OCC)OCC.NCCNCCC[Si](OC)(OC)OC.NCCNCCC[Si](OC)(OC)OC MAAUIHBSWLBOQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYMWBTJFOSVJCD-UHFFFAOYSA-N OCCC(C)(O[Si](OCC)(OCC)CCCN)CCO.OCCC(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCN Chemical compound OCCC(C)(O[Si](OCC)(OCC)CCCN)CCO.OCCC(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCN OYMWBTJFOSVJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYONUGIASZQZOG-UHFFFAOYSA-N OCCN(C)CCC[Si](OC)(OC)OC.OCCN(C)CCC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound OCCN(C)CCC[Si](OC)(OC)OC.OCCN(C)CCC[Si](OC)(OC)OC XYONUGIASZQZOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHQSZLQUGAUVPT-UHFFFAOYSA-L [Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C.[Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C Chemical compound [Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C.[Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C LHQSZLQUGAUVPT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XILWAVLTWRBVSQ-UHFFFAOYSA-N [SiH4].NCCCCCCNC[Si](OCC)(OCC)OCC.NCCCCCCNC[Si](OCC)(OCC)OCC Chemical compound [SiH4].NCCCCCCNC[Si](OCC)(OCC)OCC.NCCCCCCNC[Si](OCC)(OCC)OCC XILWAVLTWRBVSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L barium(2+);octadecanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC2OC2)C=1C(=O)OCC1CO1 JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXOATMQSUNJNNG-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,3-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC(C(=O)OCC2OC2)=CC=1C(=O)OCC1CO1 ZXOATMQSUNJNNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEPKLUNSRVEBIX-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound C=1C=C(C(=O)OCC2OC2)C=CC=1C(=O)OCC1CO1 NEPKLUNSRVEBIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQDCYGOHLMJDNA-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) butanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCC(=O)OCC1CO1 JQDCYGOHLMJDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTPIWUHKYIJBCR-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohex-4-ene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1C=CCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 KTPIWUHKYIJBCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CCCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFVGWOSADNLNHZ-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) decanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCC1CO1 NFVGWOSADNLNHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CO1 KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N butan-2-olate Chemical compound CCC(C)[O-] WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 1
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 1
- HRBZRZSCMANEHQ-UHFFFAOYSA-L calcium;hexadecanoate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HRBZRZSCMANEHQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZCZLQYAECBEUBH-UHFFFAOYSA-L calcium;octadec-9-enoate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCC=CCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCC=CCCCCCCCC([O-])=O ZCZLQYAECBEUBH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- AXPYABZPAWSUMG-UHFFFAOYSA-M didecyl-methyl-(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCC[N+](C)(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCCCCCCCCC AXPYABZPAWSUMG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNVOLHCXAMIQJU-UHFFFAOYSA-M dimethyl-(2-phenylethyl)-(2-trimethoxysilylethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CO[Si](OC)(OC)CC[N+](C)(C)CCC1=CC=CC=C1 LNVOLHCXAMIQJU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WSFMFXQNYPNYGG-UHFFFAOYSA-M dimethyl-octadecyl-(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCC[Si](OC)(OC)OC WSFMFXQNYPNYGG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PHDAZHGCTGTQAS-UHFFFAOYSA-M dimethyl-tetradecyl-(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCC[Si](OC)(OC)OC PHDAZHGCTGTQAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- MVUXVDIFQSGECB-UHFFFAOYSA-N ethyl n-(3-triethoxysilylpropyl)carbamate Chemical compound CCOC(=O)NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MVUXVDIFQSGECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- AVOVSJYQRZMDQJ-KVVVOXFISA-M lithium;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Li+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O AVOVSJYQRZMDQJ-KVVVOXFISA-M 0.000 description 1
- BZMIKKVSCNHEFL-UHFFFAOYSA-M lithium;hexadecanoate Chemical compound [Li+].CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O BZMIKKVSCNHEFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N methyl monoether Natural products COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCCN NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDMXWXYZHDHLS-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]-2-methylpropyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC(C)CNCCN HXDMXWXYZHDHLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URMCFMOUMIWRAH-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine;n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN.CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN URMCFMOUMIWRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N n'-[[4-(2-trimethoxysilylethyl)phenyl]methyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=C(CNCCN)C=C1 HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C)C QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAUOPRZOGIRSMI-UHFFFAOYSA-N n-(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CNC1=CC=CC=C1 VAUOPRZOGIRSMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLWPNHLKWWXOBM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(2-ethoxy-1,1-dioxothiolan-2-yl)oxypropan-2-yl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)COC1(OCC)CCCS1(=O)=O JLWPNHLKWWXOBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPEPIADELDNCED-UHFFFAOYSA-N triethoxysilylmethanol Chemical compound CCO[Si](CO)(OCC)OCC HPEPIADELDNCED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVZMLSWFBPLMEA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-pyridin-2-ylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=N1 XVZMLSWFBPLMEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTDRQHXSYGDMNJ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3-pyrrol-1-ylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN1C=CC=C1 FTDRQHXSYGDMNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEALAANSRUPKOC-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3-thiophen-2-ylsulfanylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCSC1=CC=CS1 IEALAANSRUPKOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N trimethoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYVNONOFOLAZJK-UHFFFAOYSA-M trimethyl(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C SYVNONOFOLAZJK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QZUXAWPCJGVPLB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-(1-phenyl-3-trimethoxysilylpropyl)azanium chloride Chemical compound [Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC([N+](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 QZUXAWPCJGVPLB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
本発明は、金属材料を被覆する絶縁皮膜、その絶縁皮膜で被覆された磁心用粉末、及びその磁心用粉末からなる圧粉磁心、並びにそれらの形成方法又は製造方法に関する。 The present invention relates to an insulating film covering a metal material, a magnetic core powder coated with the insulating film, a dust core made of the magnetic core powder, and a method of forming or manufacturing the same.
従来から、粉末状、板状、線状等の様々な形状の金属材料を電気的に絶縁するために、その表面に絶縁皮膜を形成して被覆することが行われている。
このような絶縁皮膜としては、例えば、目的とする電気絶縁性(以下、単に絶縁性という)に優れ、さらには耐熱性に優れたシリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)等の酸化物からなる絶縁皮膜が広く知られている(特許文献1〜11参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to electrically insulate metal materials having various shapes such as powder, plate, and wire, an insulating film is formed on the surface and covered.
As such an insulating film, for example, oxidation of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), etc. excellent in target electrical insulation (hereinafter simply referred to as insulation) and excellent in heat resistance. Insulating films made of materials are widely known (see Patent Documents 1 to 11).
上記絶縁皮膜の形成には様々な方法が用いられるが、化学的手法としては、金属アルコキシドを用いたシリカ、アルミナ皮膜の形成方法が報告されている。
例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)、TMOS(テトラメトキシシラン)等のSiアルコキシドを用いたシリカ皮膜の形成方法がある。しかしながら、TEOS、TMOS等のSiアルコキシドは、化学的に安定であり、加水分解を促進するための酸などが必要である。そのため、金属材料の表面に形成する場合には、加水分解のために添加した酸などによる金属の腐食が問題となる。また、腐食を防ぐために酸などの添加量を減らすと、加水分解が充分に起こらず、所望の皮膜が得られない。
Various methods are used for forming the insulating film. As chemical methods, methods for forming silica and alumina films using metal alkoxides have been reported.
For example, there is a method for forming a silica film using Si alkoxide such as TEOS (tetraethoxysilane) and TMOS (tetramethoxysilane). However, Si alkoxides such as TEOS and TMOS are chemically stable and require an acid or the like for promoting hydrolysis. Therefore, when forming on the surface of a metal material, the corrosion of the metal by the acid etc. which were added for hydrolysis becomes a problem. In addition, if the amount of acid or the like is reduced in order to prevent corrosion, hydrolysis does not occur sufficiently and a desired film cannot be obtained.
一方、Alアルコキシドを用いたアルミナ皮膜の形成方法も報告されているが、均一な皮膜を形成することが困難であるという問題がある。すなわち、Alアルコキシドは、化学的に不安定で加水分解し易いため、皮膜を形成せず、溶液中で均一核生成を生じて粉末になってしまう。また、Alアルコキシドを安定化させるためにジエタノールアミン等の安定化剤を添加する方法もあるが、この場合には加水分解が生じ難くなり、所望の皮膜が得られない。 On the other hand, although a method for forming an alumina film using Al alkoxide has been reported, there is a problem that it is difficult to form a uniform film. That is, since the Al alkoxide is chemically unstable and easily hydrolyzed, a film is not formed, and uniform nucleation occurs in the solution, resulting in a powder. In addition, there is a method of adding a stabilizer such as diethanolamine in order to stabilize the Al alkoxide, but in this case, hydrolysis hardly occurs and a desired film cannot be obtained.
また、Si及びAlアルコキシドの両方を用いてシリカ及びアルミナの複合皮膜(Si−Al−O系皮膜)を形成することもできるが、両者の問題を併発し、所望の皮膜が得られない。
また、従来から報告されている化学的手法により形成したシリカ及びアルミナ皮膜は、そのほとんどが数μmの厚膜であり、数十〜1000nmレベルの薄膜についての報告はほとんどない。そのため、対象物が粉末等のように小さく、より薄膜の絶縁皮膜が必要となる場合には適用することができない。
Moreover, although the composite film (Si-Al-O type | system | group film | membrane) of a silica and an alumina can also be formed using both Si and Al alkoxide, both problems arise and a desired film | membrane cannot be obtained.
Further, most of the silica and alumina films formed by chemical methods that have been conventionally reported are thick films of several μm, and there are few reports on thin films of several tens to 1000 nm level. Therefore, it cannot be applied when the object is as small as powder and a thinner insulating film is required.
また、化学的手法以外の方法としては、スパッタ法等を用いた物理的手法が報告されている。しかしながら、金属材料(特に金属粉末)の表面に形成する場合には、コストが高く、工業的に利用することは難しい。
また、その他にもシリコーン樹脂を用いたシリカ皮膜の形成方法が知られているが、この場合には、均一な皮膜を形成することが困難であるという問題がある。
As a method other than the chemical method, a physical method using a sputtering method or the like has been reported. However, when forming on the surface of a metal material (especially metal powder), cost is high and it is difficult to utilize industrially.
In addition, a method for forming a silica film using a silicone resin is known, but in this case, there is a problem that it is difficult to form a uniform film.
このようなことから、金属材料の表面に、絶縁性・耐熱性に優れた絶縁皮膜を均一かつ薄膜に形成することができる絶縁皮膜の形成方法、及びそれによって得られる高性能の絶縁皮膜が望まれている。さらには、この絶縁皮膜及びその形成方法が圧粉磁心用の磁性粉末に応用できることが望まれている。
なお、磁性粉末に絶縁皮膜を施し、その磁性粉末を用いて作製した圧粉磁心については、例えば非特許文献1等に開示されている。
Therefore, a method for forming an insulating film capable of uniformly and thinly forming an insulating film excellent in insulation and heat resistance on the surface of a metal material, and a high-performance insulating film obtained thereby are desired. It is rare. Furthermore, it is desired that this insulating film and the forming method thereof can be applied to magnetic powder for dust cores.
Note that a dust core produced by applying an insulating film to magnetic powder and using the magnetic powder is disclosed in Non-Patent Document 1, for example.
本発明では、かかる従来の問題点を鑑みてなされたもので、金属材料の表面に、絶縁性・耐熱性に優れた絶縁皮膜を均一かつ薄膜に形成することができる絶縁皮膜の形成方法、及びそれによって得られる絶縁皮膜を提供しようとするものである。また、その絶縁皮膜で被覆された磁性粉末からなる磁心用粉末及びその製造方法、さらにその磁心用粉末を用いて得られる圧粉磁心及びその製造方法を提供しようとするものである。 The present invention was made in view of such conventional problems, and a method for forming an insulating film capable of uniformly and thinly forming an insulating film excellent in insulation and heat resistance on the surface of a metal material, and It is an object to provide an insulating film obtained thereby. It is another object of the present invention to provide a magnetic core powder comprising a magnetic powder coated with the insulating film, a method for producing the magnetic core powder, a dust core obtained by using the magnetic core powder, and a method for producing the powder magnetic core.
第1の発明は、金属材料の表面を被覆する絶縁皮膜を形成する方法において、
N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するSiアルコキシドとAlアルコキシドとを脱水有機溶媒に混合してアルコキシド含有溶液を作製するアルコキシド含有溶液作製工程と、
上記金属材料を上記アルコキシド含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記脱水有機溶媒を除去し、上記金属材料の表面にSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜により構成された上記絶縁皮膜を形成する無機系皮膜形成工程とを有することを特徴とする絶縁皮膜の形成方法にある(請求項1)。
A first invention is a method of forming an insulating film covering a surface of a metal material,
An alkoxide-containing solution preparation step of preparing an alkoxide-containing solution by mixing an Si alkoxide having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms and an Al alkoxide in a dehydrated organic solvent; ,
The metal material is immersed in the alkoxide-containing solution, and then dried to remove the dehydrated organic solvent, and the insulating material is composed of an inorganic film made of Si—Al—O oxide on the surface of the metal material. And an inorganic film forming step for forming a film. (Claim 1)
本発明の絶縁皮膜の形成方法は、上記アルコキシド含有溶液作製工程において、上記一般式で表されるSiアルコキシドとAlアルコキシドとを脱水有機溶媒に混合する。これにより、Si及びAlの両金属アルコキシドが分子レベルで均一に分散した上記アルコキシド含有溶液を得ることができる。そして、上記無機系皮膜形成工程を行うことにより、金属材料の表面に絶縁皮膜を均一かつ薄膜に形成することができる。
この詳細なメカニズムについては未だ明らかとなっていないが、以下のように考えられる。
In the method for forming an insulating film of the present invention, in the alkoxide-containing solution preparation step, Si alkoxide represented by the above general formula and Al alkoxide are mixed in a dehydrated organic solvent. Thereby, the alkoxide-containing solution in which both metal alkoxides of Si and Al are uniformly dispersed at the molecular level can be obtained. And by performing the said inorganic type film formation process, an insulating film can be uniformly formed in the thin film on the surface of a metal material.
Although this detailed mechanism has not yet been clarified, it can be considered as follows.
通常、Alアルコキシドは、溶媒中で2〜5量体のオリゴマーを形成している。そのため、一般的なSiアルコキシドとAlアルコキシドとを例えば有機溶媒に混合して溶液を作製しても、その溶液中においてSi及びAlの両金属アルコキシドは均一に分散しない。その結果、溶液中のわずかな水分により、化学的に不安定なAlアルコキシドのみが最初に加水分解を生じ、溶液中で均一核生成を生じて粉末となってしまう。これにより、金属材料の表面にSi−Al−O系の絶縁皮膜を均一に形成することができない。 In general, Al alkoxide forms a dimer to pentamer oligomer in a solvent. Therefore, even when a general Si alkoxide and Al alkoxide are mixed in an organic solvent to prepare a solution, both Si and Al metal alkoxides are not uniformly dispersed in the solution. As a result, due to the slight moisture in the solution, only the chemically unstable Al alkoxide initially undergoes hydrolysis, causing uniform nucleation in the solution and becoming a powder. As a result, a Si—Al—O insulating film cannot be uniformly formed on the surface of the metal material.
一方、本発明では、Siアルコキシドとして、N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するものを用いている。このようなSiアルコキシドとAlアルコキシドとを溶媒に混合して溶液を作製した場合、Alアルコキシドのオリゴマーが解離してモノマー化したり、SiアルコキシドがAlアルコキシドに配位して混合オリゴマーを形成したりする等して、Si及びAlの両金属アルコキシドが分子レベルで均一に分散した溶液を得ることができる。 On the other hand, in the present invention, as the Si alkoxide, one having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms is used. When a solution is prepared by mixing such Si alkoxide and Al alkoxide in a solvent, the oligomer of Al alkoxide dissociates and becomes a monomer, or Si alkoxide coordinates to Al alkoxide to form a mixed oligomer. For example, a solution in which both metal alkoxides of Si and Al are uniformly dispersed at the molecular level can be obtained.
また、本発明では、反応溶液の溶媒として、水をなるべく排した脱水有機溶媒を用いている。すなわち、アルコキシドの反応に必要な水・水酸基として、絶縁皮膜を被覆すべき金属材料表面の吸着水や水酸基を利用することに本発明の特徴がある。
一般的に、Alアルコキシドは、TEOS、TMOS等のSiアルコキシドと比べて反応性が高く、水による加水分解・脱水縮合といった過程を経ずとも、水酸基(−OH)に対して脱アルコール反応により結合(−O−Al−)を生じることが知られている。そのため、いわゆるゾルゲル反応が、金属材料表面においてその表面に存在する吸着水や水酸基によって引き起こされる。
Moreover, in this invention, the dehydrated organic solvent which drained water as much as possible was used as a solvent of a reaction solution. That is, the present invention is characterized in that as the water / hydroxyl group necessary for the alkoxide reaction, adsorbed water or hydroxyl group on the surface of the metal material to be coated with the insulating film is used.
In general, Al alkoxides are more reactive than SiOS alkoxides such as TEOS and TMOS, and are bonded to hydroxyl groups (-OH) by dealcoholization without passing through water hydrolysis and dehydration condensation processes. It is known to produce (—O—Al—). Therefore, a so-called sol-gel reaction is caused by adsorbed water and hydroxyl groups present on the surface of the metal material.
また、Siアルコキシドは、溶液中においてAlアルコキシドと混合オリゴマーを形成している。そのため、Alアルコキシドと共にSiアルコキシドも上記反応に加わることになる。
これにより、金属材料の表面において、Si及びAlの両金属アルコキシドが反応し、Si−Al−O系の絶縁皮膜を形成することができる。そして、この絶縁皮膜は、従来の方法で得られるものに比べて、膜厚のばらつきが小さい均一な皮膜となる。また、その膜厚は薄い(3000nm以下程度)ものとなる。
Si alkoxide forms a mixed oligomer with Al alkoxide in the solution. Therefore, Si alkoxide is added to the reaction together with Al alkoxide.
Thereby, both metal alkoxides of Si and Al react on the surface of the metal material, and an Si—Al—O-based insulating film can be formed. And this insulating film turns into a uniform film with a small dispersion | variation in film thickness compared with what is obtained by the conventional method. Moreover, the film thickness is thin (about 3000 nm or less).
また、上記絶縁皮膜は、Si−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜で構成されたものとなる。一般的に、Si及びAlの酸化物(SiO2、Al2O3等)を含有する皮膜は、優れた絶縁性・耐熱性を有する。それ故、本発明のように均一に形成された上記絶縁皮膜は、より絶縁性に優れたものとなる。また、耐熱性にも優れ、高温下でもその優れた絶縁性を維持することができる。 Moreover, the said insulating film will be comprised with the inorganic type film | membrane which consists of Si-Al-O type oxides. In general, a film containing Si and Al oxides (SiO 2 , Al 2 O 3, etc.) has excellent insulation and heat resistance. Therefore, the insulating film formed uniformly as in the present invention is more excellent in insulation. Moreover, it is excellent in heat resistance and can maintain its excellent insulating property even at high temperatures.
このように、本発明の絶縁皮膜の形成方法によれば、金属材料の表面に、絶縁性・耐熱性に優れた絶縁皮膜を均一かつ薄膜に形成することができる。 As described above, according to the method for forming an insulating film of the present invention, an insulating film excellent in insulation and heat resistance can be uniformly and thinly formed on the surface of the metal material.
第2の発明は、上記第1の発明の絶縁皮膜の形成方法により形成されてなることを特徴とする絶縁皮膜にある(請求項8)。
本発明の絶縁皮膜は、上記第1の発明の絶縁皮膜の形成方法により形成されたものである。よって、上記絶縁皮膜は、上述したように、均一かつ薄膜であり、絶縁性・耐熱性に優れている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an insulating film formed by the method for forming an insulating film according to the first aspect of the present invention.
The insulating film of the present invention is formed by the method for forming an insulating film of the first invention. Therefore, as described above, the insulating film is uniform and thin, and is excellent in insulation and heat resistance.
第3の発明は、Feを主成分とする磁性粉末と、該磁性粉末の表面を被覆する絶縁皮膜とからなる磁心用粉末を製造する方法において、
N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するSiアルコキシドとAlアルコキシドとを脱水有機溶媒に混合してアルコキシド含有溶液を作製するアルコキシド含有溶液作製工程と、
上記磁性粉末を上記アルコキシド含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記脱水有機溶媒を除去し、上記磁性粉末の表面にSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜により構成された上記絶縁皮膜を形成する無機系皮膜形成工程とを有することを特徴とする磁心用粉末の製造方法にある(請求項10)。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for producing a magnetic core powder comprising a magnetic powder mainly composed of Fe and an insulating film covering a surface of the magnetic powder.
An alkoxide-containing solution preparation step of preparing an alkoxide-containing solution by mixing an Si alkoxide having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms and an Al alkoxide in a dehydrated organic solvent; ,
The magnetic powder is immersed in the alkoxide-containing solution, and then dried to remove the dehydrated organic solvent, and the insulating material is composed of an inorganic film made of Si—Al—O oxide on the surface of the magnetic powder. And a method for producing a powder for a magnetic core, comprising an inorganic film forming step of forming a film.
本発明の磁心用粉末の形成方法は、上記第1の発明と同様に、N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するSiアルコキシドとAlアルコキシドとを用いることにより、磁性粉末の表面にSi−Al−O系の絶縁皮膜を均一かつ薄膜に形成することができる。そして、上記絶縁皮膜で被覆された磁心用粉末を得ることができる。なお、上記絶縁皮膜の形成のメカニズムについては、上述したとおりである。 The method for forming a magnetic core powder according to the present invention is similar to the first invention, in that an Si alkoxide having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms and an Al alkoxide By using this, a Si—Al—O-based insulating film can be formed uniformly and in a thin film on the surface of the magnetic powder. And the powder for magnetic cores coat | covered with the said insulating film can be obtained. The formation mechanism of the insulating film is as described above.
よって、本発明の製造方法によって得られる磁心用粉末は、磁性粉末の表面に均一かつ薄膜(3000nm以下程度)の絶縁皮膜を被覆したものとなる。
また、該絶縁皮膜は、Si−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜で構成されたものとなる。一般的に、Si及びAlの酸化物(SiO2、Al2O3等)を含有する皮膜は、優れた絶縁性・耐熱性を有する。それ故、本発明のように均一な上記絶縁皮膜によって被覆された上記磁心用粉末は、より絶縁性に優れたものとなる。また、耐熱性にも優れ、高温下でもその優れた絶縁性を維持することができる。
Therefore, the magnetic core powder obtained by the production method of the present invention is obtained by coating the surface of the magnetic powder with a uniform and thin insulating film (about 3000 nm or less).
The insulating film is composed of an inorganic film made of a Si—Al—O-based oxide. In general, a film containing Si and Al oxides (SiO 2 , Al 2 O 3, etc.) has excellent insulation and heat resistance. Therefore, the magnetic core powder coated with the uniform insulating film as in the present invention is more excellent in insulation. Moreover, it is excellent in heat resistance and can maintain its excellent insulating property even at high temperatures.
このように、本発明の磁心用粉末の製造方法によれば、磁性粉末の表面に、絶縁性・耐熱性に優れ、均一かつ薄膜の絶縁皮膜を被覆した磁心用粉末を得ることができる。 As described above, according to the method for producing a magnetic core powder of the present invention, it is possible to obtain a magnetic core powder that is excellent in insulation and heat resistance and coated with a uniform and thin insulating film on the surface of the magnetic powder.
第4の発明は、上記第3の発明の磁心用粉末の製造方法により製造されてなることを特徴とする磁心用粉末にある(請求項17)。
本発明の磁心用粉末は、上記第3の発明の磁心用粉末の製造方法により製造されたものである。よって、上記磁心用粉末は、上述したように、均一かつ薄膜の上記絶縁皮膜で被覆されたものであり、絶縁性・耐熱性に優れている。
A fourth invention is a magnetic core powder produced by the method for producing a magnetic core powder of the third invention (claim 17).
The magnetic core powder of the present invention is produced by the method for producing a magnetic core powder of the third invention. Therefore, the magnetic core powder is coated with the uniform and thin insulating film as described above, and is excellent in insulation and heat resistance.
第5の発明は、上記第3の発明の磁心用粉末の製造方法により製造されてなる上記磁心用粉末を成形用金型に充填する充填工程と、
上記成形用金型内の上記磁心用粉末を加圧成形することにより圧粉磁心を得る成形工程とを有することを特徴とする圧粉磁心の製造方法にある(請求項22)。
A fifth invention is a filling step of filling a molding die with the magnetic core powder produced by the method for producing a magnetic core powder of the third invention,
And a molding step of obtaining a dust core by press-molding the magnetic core powder in the molding die (claim 22).
本発明の圧粉磁心の製造方法は、上記第3の発明の磁心用粉末の製造方法により製造された上記磁心用粉末を用いる。この磁心用粉末は、上述したように、均一かつ薄膜の上記絶縁皮膜で被覆されたものであり、絶縁性・耐熱性に優れている。このような特性を有する上記磁心用粉末を加圧成形することによって得られる圧粉磁心は、絶縁性を充分に確保した比抵抗の高いものとなる。また、耐熱性にも優れ、高温下でもその高い比抵抗を維持することができる。 The method for manufacturing a powder magnetic core according to the present invention uses the above-described magnetic core powder manufactured by the method for manufacturing a magnetic core powder according to the third aspect of the present invention. As described above, this magnetic core powder is coated with the above-mentioned uniform and thin insulating film, and is excellent in insulation and heat resistance. The powder magnetic core obtained by pressure-molding the above magnetic core powder having such characteristics has a high specific resistance with sufficient insulation. Moreover, it is excellent in heat resistance and can maintain its high specific resistance even at high temperatures.
第6の発明は、上記第5の発明の圧粉磁心の製造方法により製造されてなることを特徴とする圧粉磁心にある(請求項26)。
本発明の圧粉磁心は、上記第5の発明の圧粉磁心の製造方法により製造されたものである。よって、上記圧粉磁心は、上述したとおり、比抵抗が高く、耐熱性に優れている。
A sixth invention is a dust core produced by the method for producing a dust core of the fifth invention (claim 26).
The dust core of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a dust core of the fifth invention. Therefore, as described above, the dust core has a high specific resistance and excellent heat resistance.
上記第1及び第3の発明においては、上記Siアルコキシドにおける上記N、P、S、O原子を含む極性基を有する有機基は、アミノ基、アミン、アミド、カルバミン酸基、ニトロ基、含窒素複素環、アンモニウム塩、シアノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、エステル基、アルデヒド類、ケトン類、水酸基、イソチオウロニウム塩、酸無水物、スルフォニル基、及び含硫黄複素環のうちのいずれかであることが好ましい(請求項2、11)。
この場合には、上記アルコキシド含有溶液中のSi及びAlの両金属アルコキシドをより均一に分散させることができる。
In the first and third inventions, the organic group having a polar group containing the N, P, S, and O atoms in the Si alkoxide is an amino group, an amine, an amide, a carbamic acid group, a nitro group, or a nitrogen-containing group. Heterocycle, ammonium salt, cyano group, isocyanate group, carboxyl group, ester group, aldehydes, ketones, hydroxyl group, isothiouronium salt, acid anhydride, sulfonyl group, and sulfur-containing heterocycle (Claims 2 and 11).
In this case, both Si and Al metal alkoxides in the alkoxide-containing solution can be more uniformly dispersed.
また、上記Siアルコキシドは、一般式R1Si(OR’)3、R1R2Si(OR’)2、又はR1R2R3SiOR’のいずれかで表すことができる。
ここで、上記R1は、N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基である。また、上記R2及びR3としては、上記R1と同様のN、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基又はその他の種々の有機基を用いることができる。
また、上記OR’は、アルコキシ基である。上記OR’としては、例えばメトキシ基(−OCH3)、エトキシ基(−OC2H5−)、イソプロポキシ基(−OC3H7)等が挙げられる。
The Si alkoxide can be represented by any of the general formulas R 1 Si (OR ′) 3 , R 1 R 2 Si (OR ′) 2 , or R 1 R 2 R 3 SiOR ′.
Here, R 1 is an organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms. Moreover, as said R < 2 > and R < 3 >, the organic group which has the polar group which contains 1 or more N, P, S, and O atoms similar to said R < 1 >, or other various organic groups can be used.
The OR ′ is an alkoxy group. Examples of OR ′ include a methoxy group (—OCH 3 ), an ethoxy group (—OC 2 H 5 —), and an isopropoxy group (—OC 3 H 7 ).
また、上記Siアルコキシドとしては、具体的に以下のものを用いることができる。
アミノ基(−NH2)、アミン(−NHCH3、−N(CH3)2)を有するものとしては、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(3-Aminopropyltriethoxysilane)、3−アミノプロピルトリメトキシシラン(3-Aminopropyltrimethoxysilane)、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン(3-Aminopropyldimethylethoxysilane)、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン(3-Aminopropylmethyldiethoxysilane)、4−アミノブチルトリエトキシシラン(4-Aminobutyltriethoxysilane)、3−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン(3-Aminopropyldiisopropylethoxysilane)、1−アミノ−2−(ジメチルエトキシシリル)プロパン(1-Amino-2-(dimethylethoxysilyl)propane)、(アミノエチルアミノ)−3−イソブチルジメチルメトキシシラン、((Aminoethylamino)-3-isobutyldimethylmethoxysilane)、N−(2−アミノエチル)−3−アミノイソブチルメチルジメトキシシラン(N-(2-Aminoethyl)-3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane)、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン((Aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane)、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン(N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane)、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン(N-(2-Aminoehyl)-3-aminopropyltriethoxysilane)、N−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリメトキシシラン(N-(6-Aminohexyl)aminomethyltrimethoxysilane)、N−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシラン(N-(6-Aminohexyl)aminomethyltriethoxysilane)、N−(6−アミノヘキシル)アミノプロピルトリメトキシシラン(N-(6-Aminohexyl)aminopropyltrimethoxysilane)、N−(2−アミノエチル)−11−アミノウンデシルトリメトキシシラン(N-(2-Aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane)、11−アミノウンデシルトリエトキシシラン(11-Aminoundecyltriethoxysilane)、3−(m−アミノフェノキシ)プロピルトリメトキシシラン(3-(m-Aminophenoxy)propyltrimethoxysilane)、m−アミノフェニルトリメトキシシラン(m-Aminophenyltrimethoxysilane)、p−アミノフェニルトリメトキシシラン(p-Aminophenyltrimethoxysilane)、(3−トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン((3-Trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine)、N−メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン(N-Methylaminopropylmethyldimethoxysilane)、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン(N-Methylaminopropyltrimethoxysilane)、ジメチルアミノメチルエトキシシラン(Dimethylaminomethylethoxysilane)、(N,N−ジメチルアミノプロピル)トリメトキシシラン((N,N-Dimethylaminopropyl)trimethoxysilane)、(N−アセチルグリシジル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン((N-Acetylglycyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)等を用いることができる。
As the Si alkoxide, the following can be specifically used.
Examples of those having an amino group (—NH 2 ) and an amine (—NHCH 3 , —N (CH 3 ) 2 ) include 3-aminopropyltriethoxysilane (3-Aminopropyltriethoxysilane), 3-aminopropyltrimethoxysilane (3 -Aminopropyltrimethoxysilane), 3-Aminopropyldimethylethoxysilane, 3-Aminopropylmethyldiethoxysilane, 4-Aminobutyltriethoxysilane, 3-Aminopropyltriisopropylsilane Silane (3-Aminopropyldiisopropylethoxysilane), 1-amino-2- (dimethylethoxysilyl) propane (1-Amino-2- (dimethylethoxysilyl) propane), (aminoethylamino) -3-isobutyldimethylmethoxysilane, ((Aminoethylamino)- 3-isobutyldimethylmethoxysilane), N- (2- Minoethyl) -3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane (N- (2-Aminoethyl) -3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane), (Aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl)- 3-aminopropylmethyldimethoxysilane (N- (2-Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane), N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane (N- (2-Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane) N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane (N- (2-Aminoehyl) -3-aminopropyltriethoxysilane), N- (6-aminohexyl) aminomethyltrimethoxysilane (N- (6- Aminohexyl) aminomethyltrimethoxysilane), N- (6-Aminohexyl) aminomethyltriethoxysilane (N- (6-Aminohexyl) aminomethyltriethoxysilane) silane), N- (6-aminohexyl) aminopropyltrimethoxysilane (N- (6-aminohexyl) aminopropyltrimethoxysilane), N- (2-aminoethyl) -11-aminoundecyltrimethoxysilane (N- (2- Aminoethyl) -11-aminoundecyltrimethoxysilane), 11-aminoundecyltriethoxysilane, 3- (m-aminophenoxy) propyltrimethoxysilane, m-aminophenyltri Methoxysilane (m-Aminophenyltrimethoxysilane), p-Aminophenyltrimethoxysilane (p-Aminophenyltrimethoxysilane), (3-Trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, N-methylaminopropylmethyldimethoxysilane (N- Methylaminopropylmethyldimethoxysilane), N-methylaminop Pyrtrimethoxysilane (N-Methylaminopropyltrimethoxysilane), Dimethylaminomethylethoxysilane, (N, N-dimethylaminopropyl) trimethoxysilane, (N-acetylglycidyl) -3 -Aminopropyltrimethoxysilane ((N-Acetylglycyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane) etc. can be used.
また、アミド(−NH−COR)を有するものとしては、N−(トリエトキシシリルプロピル)ダンシルアミド(N-(Triethoxysilylpropyl)dansylamide)等を用いることができる。 Moreover, as what has amide | amido (-NH-COR), N- (triethoxysilylpropyl) dansylamide (N- (Triethoxysilylpropyl) dansylamide) etc. can be used.
また、カルバミン酸基(−NH−COOR)を有するものとしては、(O−4−メチルクマリニル−N−[3−(トリエトキシシリル)プロピル]カルバメート)(O-4-Methylcoumarinyl-N-[3-(triethoxysilyl)propyl]carbamate)、(3−トリエトキシシリルプロピル)−t−ブチルカルバメート((3-Triethoxysilylpropyl)-t-butylcarbamate)、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート(Triethoxysilylpropylethylcarbamate)、(S)−N−トリエトキシシリルプロピル−O−メンソカルバメート((S)-N-Triethoxysilylpropyl-O-menthocarbamate)等を用いることができる。 As those having a carbamic acid group (—NH—COOR), (O-4-methylcoumarinyl-N- [3- (triethoxysilyl) propyl] carbamate) (O-4-Methylcoumarinyl-N— [ 3- (triethoxysilyl) propyl] carbamate), (3-triethoxysilylpropyl) -t-butylcarbamate, (Triethoxysilylpropylethylcarbamate), (S) -N -Triethoxysilylpropyl-O-menthocarbamate ((S) -N-Triethoxysilylpropyl-O-menthocarbamate) and the like can be used.
また、ニトロ基(−NO2)を有するものとしては、3−(2,4−ジニトロフェニルアミノ)プロピルトリエトキシシラン(3-(2,4-Dinitrophenylamino)propyltriethoxysilane)、3−(トリエトキシシリルプロピル)−p−ニトロベンズアミド(3-(Triethoxysilylpropyl)-p-nitrobenzamide)等を用いることができる。 Examples of those having a nitro group (—NO 2 ) include 3- (2,4-dinitrophenylamino) propyltriethoxysilane (3- (2,4-Dinitrophenylamino) propyltriethoxysilane) and 3- (triethoxysilylpropyl). ) -P-nitrobenzamide (3- (Triethoxysilylpropyl) -p-nitrobenzamide) and the like can be used.
また、含窒素複素環(イミダゾール、イミダゾリン、ピリジン、ピロール、アジリジン、トリアゾール)を有するものとしては、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)−4,5−ジヒドロイミダゾール(別名:3−(2−イミダゾリン−1−イル)プロピルトリエトキシシラン)(N-(3-Triethoxysilylpropyl)-4,5-dihydroimidazole)、2−(トリメトキシシリルエチル)ピリジン(2-(Trimethoxysilylethyl)pyridine)、N−(3−トリメトキシシリルプロピル)ピロール(N-(3-Trimethoxysilylpropyl)pyrrole)、N−[3−(トリエトキシシリル)プロピル]−2−カルボメトキシアジリジン(N-[3-(Triethoxysilyl)propyl]-2-carbomethoxyaziridine)等を用いることができる。 Moreover, as what has a nitrogen-containing heterocyclic ring (imidazole, imidazoline, pyridine, pyrrole, aziridine, triazole), N- (3-triethoxysilylpropyl) -4,5-dihydroimidazole (alias: 3- (2- Imidazolin-1-yl) propyltriethoxysilane) (N- (3-Triethoxysilylpropyl) -4,5-dihydroimidazole), 2- (trimethoxysilylethyl) pyridine, N- (3- Trimethoxysilylpropyl) pyrrole, N- [3- (Triethoxysilyl) propyl] -2-carbomethoxyaziridine (N- [3- (Triethoxysilyl) propyl] -2-carbomethoxyaziridine ) Etc. can be used.
また、アンモニウム塩(−[N(CnH2n+1)3]+Ha-、Ha:ハロゲン元素)を有するものとしては、N,N−デシル−N−メチル−N−(3−トリメトキシシリルプロピル)アンモニウム クロライド(N,N-Didecyl-N-methyl-N-(3-trimethoxysilylpropyl)ammonium chloride)、オクタデシルジメチル(3−トリメトキシシリルプロピル)アンモニウム クロライド(Octadecyldimethyl(3-trimethoxysilylpropyl)ammonium chloride)、テトラデシルジメチル(3−トリメトキシシリルプロピル)アンモニウム クロライド(Tetradecyldimethyl(3-trimethoxysilylpropyl)ammonium chloride)、N−(トリメトキシシリルエチル)ベンジル−N,N,N−トリメチルアンモニウム クロライド(N-(Trimethoxysilylethyl)benzyl-N,N,N-trimethylammonium chloride)、N−トリメトキシシリルプロピル−N,N,N−トリ−n−ブチルアンモニウム ブロミド(N-Trimethoxysilylpropyl-N,N,N-tri-n-butylammonium bromide)、N−トリメトキシシリルプロピル−N,N,N−トリメチルアンモニウム クロライド(N-Trimethoxysilylpropyl-N,N,N-trimethylammonium chloride)等を用いることができる。 Further, an ammonium salt (- [N (C n H 2n + 1) 3] + Ha -, Ha: halogen element) as those having, N, N-decyl -N- methyl -N- (3- trimethoxy Silylpropyl) ammonium chloride (N, N-Didecyl-N-methyl-N- (3-trimethoxysilylpropyl) ammonium chloride), Octadecyldimethyl (3-trimethoxysilylpropyl) ammonium chloride, Tetradecyldimethyl (3-trimethoxysilylpropyl) ammonium chloride, N- (trimethoxysilylethyl) benzyl-N, N, N-trimethylammonium chloride (N- (Trimethoxysilylethyl) benzyl) -N, N, N-trimethylammonium chloride), N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N-tri-n-butyl Ru-ammonium bromide (N-Trimethoxysilylpropyl-N, N, N-trimethylammonium bromide), N-Trimethoxysilylpropyl-N, N, N-trimethylammonium chloride (N-Trimethoxysilylpropyl-N, N, N-trimethylammonium) chloride) and the like can be used.
また、シアノ基(−NC)、イソシアネート基(−N=C=O)を有するものとしては、3−シアノプロピルフェニルジメトキシシラン(3-Cyanopropylphenyldimethoxysilane)、11−シアノデシルトリメトキシシラン(11-Cyanoundecyltrimethoxysilane)、3−シアノプロピルトリメトキシシラン(3-Cyanopropyltrimethoxysilane)、3−シアノプロピルトリエトキシシラン(3-Cyanopropyltriethoxysilane)、3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン(3-isocyanotopropyltrimethoxysilane)等を用いることができる。 Moreover, as what has a cyano group (-NC) and an isocyanate group (-N = C = O), 3-cyanopropylphenyldimethoxysilane (3-Cyanopropylphenyldimethoxysilane), 11-cyanodecyltrimethoxysilane (11-Cyanoundecyltrimethoxysilane) 3-Cyanopropyltrimethoxysilane, 3-cyanopropyltriethoxysilane, 3-isocyanotopropyltrimethoxysilane, and the like can be used.
また、カルボキシル基(−COOH)、エステル基(−COO−)を有するものとしては、3−(トリメトキシシリルプロピル)−2−ブロモ−2−メチルプロピオン酸(3-(Trimethoxysilylpropyl)-2-bromo-2-methylpropionate)、トリエトキシシリルプロピルマレアミン酸(Triethoxysilylpropylmaleamic acid)、2−(カルボメトキシ)エチルトリメトキシシラン、(2-(Carbomethoxy)ethyltrimethoxysilane)等を用いることができる。 Examples of compounds having a carboxyl group (—COOH) and an ester group (—COO—) include 3- (trimethoxysilylpropyl) -2-bromo-2-methylpropionic acid (3- (Trimethoxysilylpropyl) -2-bromo -2-methylpropionate), triethoxysilylpropylmaleamic acid, 2- (carbomethoxy) ethyltrimethoxysilane, (2- (Carbomethoxy) ethyltrimethoxysilane) and the like can be used.
また、アルデヒド類(−CH=O)を有するものとしては、トリエトキシシリルブチルアルデヒド(Triethoxysilylbutyraldehyde)等を用いることができる。 Further, as one having an aldehyde (—CH═O), triethoxysilylbutyraldehyde or the like can be used.
また、ケトン類(−(C=O)−R)を有するものとしては、2−ヒドロキシ−4−(3−メチルジエトキシシリルプロポキシ)ジフェニルケトン(2-Hydroxy-4-(3-methyldiethoxysilylpropoxy)diphenylketone)等を用いることができる。 Further, those having ketones (— (C═O) —R) include 2-hydroxy-4- (3-methyldiethoxysilylpropoxy) diphenylketone (2-Hydroxy-4- (3-methyldiethoxysilylpropoxy) diphenylketone ) Etc. can be used.
また、水酸基(−OH)を有するものとしては、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン(Hydroxymethyltriethoxysilane)、N−(ヒドロキシエチル)−N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン(N-(Hydroxyethyl)-N-methylaminopropyltrimethoxysilane)、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン(Bis(2-hydroxyethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)−4−ヒドロキシブチルアミド(N-(3-Triethoxysilylpropyl)-4-hydroxybutylamide)、11−(トリエトキシシリル)ウンデカナール(11-(Triethoxysilyl)undecanal)、トリエトキシシリルウンデカナール,エチレングリコールアセタール(Triethoxysilylundecanal, ethylene glycol acetal)、N−(3−エトキシシリルプロピル)グルコンアミド(N-(3-Triethoxysilylpropyl)gluconamide)等を用いることができる。 Examples of those having a hydroxyl group (—OH) include hydroxymethyltriethoxysilane, N- (hydroxyethyl) -N-methylaminopropyltrimethoxysilane (N- (Hydroxyethyl) -N-methylaminopropyltrimethoxysilane), bis. (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane (Bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane), N- (3-triethoxysilylpropyl) -4-hydroxybutyramide (N- (3-Triethoxysilylpropyl) ) -4-hydroxybutylamide), 11- (Triethoxysilyl) undecanal, 11- (Triethoxysilyl) undecanal, Triethoxysilylundecanal, Ethylene glycol acetal, N- (3-Ethoxysilylpropyl) ) Gluconamide (N- (3-Triethoxysilylpropyl) gluconamide) Can be used.
また、イソチオウロニウム塩を有するものとしては、N−(トリメトキシシリルプロピル)イソチオウロニウム クロライド(N-(Trimethoxysilylpropyl)isothiouronium chloride)等を用いることができる。 Moreover, as what has an isothiouronium salt, N- (trimethoxysilylpropyl) isothiouronium chloride (N- (Trimethoxysilylpropyl) isothiouronium chloride) etc. can be used.
また、酸無水物を有するものとしては、3−(トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物(3-(Triethoxysilyl)propylsuccinic anhydride)、3−(トリメトキシシリル)プロピルコハク酸無水物(3-(Trimethoxysilyl)propylsuccinic anhydride)等を用いることができる。 Examples of acid anhydrides include 3- (triethoxysilyl) propyl succinic anhydride (3- (Triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride), 3- (trimethoxysilyl) propyl succinic anhydride (3- (Trimethoxysilyl) ) propylsuccinic anhydride) and the like can be used.
また、スルフォニル基(−S(=O)2−)を有するものとしては、(2−トリエトキシシリルプロポキシ)エトキシスルホラン((2-Triethoxysilylpropoxy)ethoxysulfolane)等を用いることができる。 In addition, as the compound having a sulfonyl group (—S (═O) 2 —), (2-triethoxysilylpropoxy) ethoxysulfolane or the like can be used.
また、含硫黄複素環を有するものとしては、2−(3−トリメトキシシリルプロピルチオ)チオフェン(2-(3-Trimethoxylsilylpropylthio)thiophene)等を用いることができる。 In addition, as the compound having a sulfur-containing heterocycle, 2- (3-trimethoxysilylpropylthio) thiophene) or the like can be used.
また、上記Alアルコキシドとしては、アルミニウムトリメトキシド(Aluminium ttimethoxide)、アルミニウムトリエトキシド(Aluminium triethoxide)、アルミニウムトリイソプロポキシド(Aluminium tri-iso-propoxide)、アルミニウムトリ−sec−ブトキシド(Aluminium tri-sec-butoxide)等を用いることができる。 Examples of the Al alkoxide include aluminum trimethoxide, aluminum triethoxide, aluminum tri-iso-propoxide, aluminum tri-sec-butoxide (Aluminum tri-oxide). sec-butoxide) and the like can be used.
また、上記Siアルコキシドは、3−(2−イミダゾリン−1−イル)プロピルトリエトキシシラン又は3−アミノプロピルトリエトキシシランであり、上記Alアルコキシドは、アルミニウムトリ−sec−ブトキシドであることが好ましい(請求項3、12)。
この場合には、上記金属材料又は磁性粉末の表面に、絶縁性・耐熱性に優れた絶縁皮膜をより均一かつ薄膜に形成することができる。
The Si alkoxide is 3- (2-imidazolin-1-yl) propyltriethoxysilane or 3-aminopropyltriethoxysilane, and the Al alkoxide is preferably aluminum tri-sec-butoxide ( Claims 3 and 12).
In this case, an insulating film excellent in insulation and heat resistance can be formed more uniformly and in a thin film on the surface of the metal material or magnetic powder.
また、上記Siアルコキシドと上記Alアルコキシドとの混合割合は、モル比で0.3:1〜1:0.3の範囲内にあることが好ましい(請求項4、13)。
この場合には、上記アルコキシド含有溶液作製工程において、Si及びAlの両アルコキシドがより一層均一に分散した上記アルコキシド含有溶液を得ることができる。これにより、上記絶縁皮膜をさらに均一に形成することができる。
The mixing ratio of the Si alkoxide and the Al alkoxide is preferably in the range of 0.3: 1 to 1: 0.3 in terms of molar ratio (Claims 4 and 13).
In this case, in the alkoxide-containing solution preparation step, it is possible to obtain the alkoxide-containing solution in which both Si and Al alkoxides are more uniformly dispersed. Thereby, the said insulating film can be formed more uniformly.
また、上記脱水有機溶媒としては、Siアルコキシド及びAlアルコキシドを均一に溶解でき、また加熱、減圧等により乾燥時に容易に除去可能なものを用いることができる。具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン類、エチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジメチルエーテル等のエーテル類、フラン、ジベンゾフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソペンチル、酢酸ペンチル等のエステル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、メチルアセトアミド、メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類、ピリジン、ピペリジン、ピリミジン、キノリン等の環式アミン類、アセトニトリル、プロピオニトリル、イソブチロニトリル、フェニルアセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシド、メチル=フェニル=スルホキシド等のスルキホシド類のうちの1つを単独で、または2つ以上を混合して用いることができる。 As the dehydrated organic solvent, a solvent that can uniformly dissolve Si alkoxide and Al alkoxide and can be easily removed by drying by heating, reduced pressure, or the like can be used. Specifically, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, ethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, dimethyl ether Ethers such as furan, dibenzofuran, tetrahydrofuran, tetrahydrofuran, dioxane, etc., esters such as methyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isopentyl acetate, pentyl acetate, N, N-dimethyl Formamide, dimethylacetamide, methylacetamide, methylformamide, dimethylformamide, N-methyl-2- Amides such as loridone, cyclic amines such as pyridine, piperidine, pyrimidine, quinoline, nitriles such as acetonitrile, propionitrile, isobutyronitrile, phenylacetonitrile, benzonitrile, dimethyl sulfoxide, methyl phenyl sulfoxide, etc. One of these sulfifusides can be used alone or in admixture of two or more.
また、上記脱水有機溶媒は、水の含有量が0.1重量%以下であること好ましい(請求項5、14)。
水の含有量が0.1重量%を超える場合には、金属材料の表面以外でゾルゲル反応が起き、沈殿物等が生じるおそれがある。そのため、この沈殿物等を分離する工程が必要となってしまう。
The dehydrated organic solvent preferably has a water content of 0.1% by weight or less (claims 5 and 14).
When the water content exceeds 0.1% by weight, a sol-gel reaction occurs on the surface other than the surface of the metal material, and there is a possibility that a precipitate or the like is generated. Therefore, the process of isolate | separating this deposit etc. will be needed.
また、上記脱水有機溶媒として、アルコール等の水酸基(−OH)を構造中に有するものを用いた場合、Siアルコキシド及びAlアルコキシド中のアルコキシ基とアルコール交換反応が生じる可能性がある。この際、アルコキシドの溶解度が変化し沈殿を生ずる等の副作用が起きることがある。そのため、上記脱水有機溶媒としては、非アルコール系であることが望ましい。
また、上記脱水有機溶媒としては、親水性の極性溶媒を用いることがより好ましい。これは、吸着水を持った金属材料表面へのなじみが良く、より表面反応に適しているからである。
Moreover, when the thing which has hydroxyl groups (-OH), such as alcohol, in the structure as said dehydration organic solvent, alcohol exchange reaction with the alkoxy group in Si alkoxide and Al alkoxide may arise. At this time, side effects such as changes in solubility of alkoxide and precipitation may occur. Therefore, it is desirable that the dehydrated organic solvent is non-alcoholic.
Further, it is more preferable to use a hydrophilic polar solvent as the dehydrated organic solvent. This is because it is well adapted to the surface of a metal material having adsorbed water and is more suitable for surface reaction.
また、上記脱水有機溶媒に対して、非極性溶媒であるクロロホルム、トリクロルメタン、四塩化炭素、1,2−ジクロルエタン、1,2−ジクロルエチレン、1,1,2,2−テトラクロルエタン、トリクロルエチレン等のハロゲン系、ベンゼン、トルエン、オルソキシレン、メタキシレン、パラキシレン、エチルベンゼン、クレゾール等の芳香族溶媒を混合して用いてもよい。 Also, with respect to the dehydrated organic solvent, nonpolar solvents such as chloroform, trichloromethane, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, 1,2-dichloroethylene, 1,1,2,2-tetrachloroethane, Mixtures of halogen solvents such as trichloroethylene, and aromatic solvents such as benzene, toluene, orthoxylene, metaxylene, paraxylene, ethylbenzene, and cresol may be used.
また、上記金属材料としては、金属からなる粉末、板、治具、金型等を用いることができる。また、金属の組成としては、Fe、Fe−Si、Fe−Al、Fe−N、Fe−Co等のFe系が好ましい。
さらに好ましくは、純度99%以上のFe粉、Fe−xSi粉(0<x(mass%)≦7)、Fe−xAl粉(0<x≦7)、Fe−xN粉(0<x≦70)、Fe−xCo粉(0<x≦50)である。
Moreover, as said metal material, the powder, plate, jig | tool, metal mold | die, etc. which consist of metals can be used. In addition, the metal composition is preferably an Fe-based material such as Fe, Fe-Si, Fe-Al, Fe-N, or Fe-Co.
More preferably, Fe powder with a purity of 99% or more, Fe—xSi powder (0 <x (mass%) ≦ 7), Fe—xAl powder (0 <x ≦ 7), Fe—xN powder (0 <x ≦ 70) ), Fe-xCo powder (0 <x ≦ 50).
上記第1の発明においては、樹脂を有機溶媒に混合して樹脂含有溶液を作製する樹脂含有溶液作製工程と、
上記無機系皮膜を施した上記金属材料を上記樹脂含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記有機溶媒を除去し、上記無機系皮膜上に上記樹脂からなる有機系皮膜を形成する有機系皮膜形成工程とを行い、
上記金属材料の表面に、第1層としての上記無機系皮膜と第2層としての上記有機系皮膜とにより構成された上記絶縁皮膜を形成することが好ましい(請求項6)。
In the first invention, a resin-containing solution preparation step of preparing a resin-containing solution by mixing a resin with an organic solvent;
An organic coating that forms the organic coating composed of the resin on the inorganic coating by immersing the metal material with the inorganic coating in the resin-containing solution and then drying to remove the organic solvent. The forming process,
It is preferable to form the insulating film composed of the inorganic film as the first layer and the organic film as the second layer on the surface of the metal material.
すなわち、上記第1層としての無機系皮膜は、上述のごとく、金属材料表面の吸着水や水酸基(−OH)とアルコキシドとが直接的に反応し、化学結合して形成される。そして、上記第2層としての有機系皮膜は、上記第1層のアルコキシドの官能基部分に樹脂が化学結合して形成される。その結果、上記第1層及び第2層が化学結合によって強固に結合された絶縁皮膜が形成される。
なお、ここでいう2層により構成された絶縁皮膜とは、第1層の無機系皮膜と第2層の有機系皮膜とが明確に層別されていることを必ずしも意味しない。したがって、両者が渾然一体等となって、全体として1層の絶縁皮膜が形成されている場合をも含む。
That is, as described above, the inorganic coating as the first layer is formed by the chemical bonding between the adsorbed water or hydroxyl group (—OH) on the surface of the metal material and the alkoxide. The organic film as the second layer is formed by chemically bonding a resin to the functional group portion of the alkoxide of the first layer. As a result, an insulating film in which the first layer and the second layer are firmly bonded by chemical bonding is formed.
In addition, the insulating film comprised by two layers here does not necessarily mean that the inorganic type coating of the 1st layer and the organic type coating of the 2nd layer are clearly separated. Therefore, it includes the case where the two layers are integrally formed and a single insulating film is formed as a whole.
また、上記樹脂含有溶液の作製に用いる有機溶媒としては、上記樹脂を溶解するものであれば何を用いてもよい。また、すでに上記第1層中のアルコキシ基の反応は終結しており、新たに水が作用しても上記第1層に対して悪影響はないため、上記有機溶媒中の水分量も特に制限はない。 Moreover, as an organic solvent used for preparation of the resin-containing solution, any solvent may be used as long as it dissolves the resin. In addition, the reaction of the alkoxy group in the first layer has already ended, and even if water acts newly, there is no adverse effect on the first layer. Therefore, the amount of water in the organic solvent is not particularly limited. Absent.
また、上記樹脂は、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかであることが好ましい(請求項7)。
この場合には、上記絶縁皮膜の密着性及び皮膜自体の強度をさらに向上させることができる。
The resin is preferably an epoxy resin, a polyamide resin, or a polyimide resin.
In this case, the adhesion of the insulating film and the strength of the film itself can be further improved.
また、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン、トリス(グリシジルフェニル)メタン、トリグリシジルパラアミノフェノール、トリグリシジルメタアミノフェノール、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、N,N−グリシジルアニリン、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ビスレゾルシノールテトラグリシジルエーテル、テトラグリシジルベンゾフェノン)、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂(オルトフタル酸ジグリシジルエステル、イソフタル酸ジグリシジルエステル、テレフタルジグリシジルエステル、p−オキシ安息香酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、コハク酸ジグリシジルエステル、アジピン酸ジグリシジルエステル、セバシン酸ジグリシジルエステル、ジグリシジルパラオキシ安息香酸、ダイマー酸グリシジルエステル、トリメリット酸トリグリシジルエステル)、グリシジルエーテル系エポキシ樹脂(グリセロールトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールトリグリシジルエーテル、グリセロールアルキレンオキシサイド付加物)、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、DPPノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等を用いることができる。 Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin (tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, triglycidyldiaminodiphenylmethane, tetraglycidylmetaxylylenediamine, tris ( Glycidylphenyl) methane, triglycidylparaaminophenol, triglycidylmetaaminophenol, tetraglycidyl bisaminomethylcyclohexane, N, N-glycidylaniline, resorcinol diglycidyl ether, bisresorcinol tetraglycidyl ether, tetraglycidyl benzophenone), cyclic aliphatic Epoxy resin, glycidyl ester epoxy resin (diglycidyl orthophthalate) , Isophthalic acid diglycidyl ester, terephthalic diglycidyl ester, p-oxybenzoic acid diglycidyl ester, tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, succinic acid diglycidyl ester, adipic acid diglycidyl ester, sebacic acid Diglycidyl ester, diglycidyl paraoxybenzoic acid, dimer acid glycidyl ester, trimellitic acid triglycidyl ester), glycidyl ether epoxy resin (glycerol triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol triglycidyl ether, glycerol alkyleneoxy Side adduct), phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, Phenyl novolac type epoxy resin, DPP novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, cyclopentadienyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, dicyclopentadiene phenol type epoxy resin, naphthalene A type epoxy resin or the like can be used.
上記第2の発明においては、上記絶縁皮膜は、厚みが10〜3000nmであることが好ましい(請求項9)。
上記絶縁皮膜の厚みが10nm未満の場合には、該絶縁皮膜によって絶縁性を充分に確保することができないおそれがある。また、3000nmを超える場合には、上記絶縁樹脂で被覆された上記金属材料を加圧成形して得られる圧粉体の成形体密度が低下するおそれがある。
In the second invention, the insulating film preferably has a thickness of 10 to 3000 nm.
When the thickness of the insulating film is less than 10 nm, the insulating film may not be able to ensure sufficient insulation. Moreover, when exceeding 3000 nm, there exists a possibility that the molded object density of the green compact obtained by pressure-molding the said metal material coat | covered with the said insulating resin may fall.
上記第3の発明においては、樹脂を有機溶媒に混合して樹脂含有溶液を作製する樹脂含有溶液作製工程と、
上記無機系皮膜を施した上記磁性粉末を上記樹脂含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記有機溶媒を除去し、上記無機系皮膜上に上記樹脂からなる有機系皮膜を形成する有機系皮膜形成工程とを行い、
上記磁性粉末の表面に、第1層としての上記無機系皮膜と第2層としての上記有機系皮膜とにより構成された上記絶縁皮膜を形成することが好ましい(請求項15)。
In the third invention, a resin-containing solution preparation step of preparing a resin-containing solution by mixing a resin with an organic solvent;
An organic coating that forms the organic coating made of the resin on the inorganic coating by immersing the magnetic powder coated with the inorganic coating in the resin-containing solution and then drying to remove the organic solvent. The forming process,
It is preferable to form the insulating film composed of the inorganic film as the first layer and the organic film as the second layer on the surface of the magnetic powder.
すなわち、磁性粉末の表面に形成した無機系皮膜上に、さらに樹脂からなる有機系皮膜を形成する。そして、無機系皮膜と有機系皮膜との2層により構成された絶縁皮膜で被覆された磁心用粉末が得られる。この磁心用粉末を被覆している絶縁皮膜は、上記第1層及び第2層が化学結合によって強固に結合されたものである。この理由は、上述のとおりである。 That is, an organic film made of a resin is further formed on the inorganic film formed on the surface of the magnetic powder. And the powder for magnetic cores coat | covered with the insulating film comprised by two layers of an inorganic type film | membrane and an organic type film | membrane is obtained. The insulating film covering the magnetic core powder is obtained by firmly bonding the first layer and the second layer by chemical bonding. The reason for this is as described above.
また、上記絶縁皮膜を備えた磁心用粉末を加圧成形して圧粉磁心を作製した場合には、磁心用粉末間に主として樹脂からなる上記第2層が存在し、この樹脂の存在によって上記第2層同士が強固に結合する。結果として、磁心用粉末間は、粉末表面−第1層−第2層−第2層−第1層−粉末表面の間がすべて化学結合で強固に結合している状態となる。それ故に、この磁心用粉末を加圧成形して得られた圧粉磁心は、機械的強度が非常に高くなる。 In addition, when a powder magnetic core is produced by pressure-molding the magnetic core powder provided with the insulating film, the second layer mainly composed of a resin exists between the magnetic core powders. The second layers are firmly bonded to each other. As a result, between the magnetic core powders, the powder surface, the first layer, the second layer, the second layer, the first layer, and the powder surface are all firmly bonded by chemical bonds. Therefore, the powder magnetic core obtained by pressure molding this magnetic core powder has a very high mechanical strength.
また、上記樹脂は、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかであることが好ましい(請求項16)。
この場合には、上記絶縁皮膜の密着性及び強度をさらに向上させることができる。
また、上記磁心用粉末を加圧成形して圧粉磁心を作製する際には、上記磁心用粉末同士の結合をさらに強固にすることができる。そして、得られる圧粉磁心の機械的強度をより一層向上させることができる。
The resin is preferably an epoxy resin, a polyamide resin, or a polyimide resin.
In this case, the adhesion and strength of the insulating film can be further improved.
Moreover, when the powder for magnetic core is pressure-molded to produce a powder magnetic core, the bond between the powder for magnetic core can be further strengthened. And the mechanical strength of the powder magnetic core obtained can be improved further.
上記第4の発明においては、上記磁性粉末は、粒径が10〜300μmであることが好ましい(請求項18)。
上記磁性粉末の粒径が10μm未満の場合には、上記磁心用粉末を加圧成形して得られる圧粉磁心のヒステリシス損が増加するおそれがある。また、300μmを超える場合には、上記磁心用粉末を加圧成形して得られる圧粉磁心の渦電流損が増加するおそれがある。
In the fourth invention, the magnetic powder preferably has a particle size of 10 to 300 μm.
When the particle size of the magnetic powder is less than 10 μm, the hysteresis loss of the powder magnetic core obtained by pressure molding the magnetic core powder may increase. Moreover, when exceeding 300 micrometers, there exists a possibility that the eddy current loss of the powder magnetic core obtained by press-molding the said powder for magnetic cores may increase.
また、上記磁性粉末は、Feと不可避不純物とからなる純鉄粉であることが好ましい(請求項19)。
純鉄粉は、比較的柔らかく、圧縮性に優れる。よって、上記磁心用粉末を加圧成形してなる圧粉磁心の製造に適している。
The magnetic powder is preferably pure iron powder comprising Fe and inevitable impurities (claim 19).
Pure iron powder is relatively soft and excellent in compressibility. Therefore, it is suitable for the production of a dust core formed by pressure-molding the magnetic core powder.
また、上記磁性粉末は、水アトマイズ粉又はガスアトマイズ粉であることが好ましい(請求項20)。
水アトマイズ粉は、現状、最も入手性が良く低コストである。また、水アトマイズ粉は、その粒子形状がいびつである。よって、上記磁心用粉末を加圧成形して得られる圧粉磁心の機械的強度を向上させることができる。
ガスアトマイズ粉は、略球状粒子からなる。そのため、上記磁心用粉末を加圧成形する際に、上記絶縁被膜の損傷等を抑制することができ、比抵抗の高い圧粉磁心を得ることができる。
The magnetic powder is preferably water atomized powder or gas atomized powder (claim 20).
At present, water atomized powder has the highest availability and low cost. Moreover, the particle shape of water atomized powder is irregular. Therefore, it is possible to improve the mechanical strength of the powder magnetic core obtained by pressure-molding the magnetic core powder.
Gas atomized powder consists of substantially spherical particles. Therefore, when the magnetic core powder is pressure-molded, damage to the insulating coating or the like can be suppressed, and a powder magnetic core having a high specific resistance can be obtained.
また、上記絶縁皮膜は、厚みが10〜3000nmであることが好ましい(請求項21)。
上記絶縁皮膜の厚みが10nm未満の場合には、該絶縁皮膜によって絶縁性を充分に確保することができないおそれがある。さらには、上記磁心用粉末を加圧成形して得られる圧粉磁心の比抵抗が低下するおそれがある。また、3000nmを超える場合には、上記磁心用粉末を加圧成形して得られる圧粉磁心の成形体密度が低下し、その結果、磁束密度が低下するおそれがある。
The insulating film preferably has a thickness of 10 to 3000 nm.
When the thickness of the insulating film is less than 10 nm, the insulating film may not be able to ensure sufficient insulation. Furthermore, there is a possibility that the specific resistance of the powder magnetic core obtained by pressure-molding the magnetic core powder will be reduced. Moreover, when it exceeds 3000 nm, the molded object density of the powder magnetic core obtained by pressure-molding the said powder for magnetic cores falls, As a result, there exists a possibility that magnetic flux density may fall.
上記第5の発明においては、上記充填工程では、上記成形用金型の内面に高級脂肪酸系潤滑剤を塗布した後、上記磁心用粉末を上記成形用金型に充填し、上記成形工程では、上記磁心用粉末及び上記成形用金型を加熱した状態で上記磁心用粉末を加圧成形することにより上記圧粉磁心を得るという金型潤滑温間成形法を用いることが好ましい(請求項23)。 In the fifth invention, in the filling step, after applying a higher fatty acid-based lubricant to the inner surface of the molding die, the magnetic core powder is filled in the molding die, and in the molding step, It is preferable to use a mold lubrication warm molding method in which the powder magnetic core is obtained by press molding the magnetic core powder in a state where the magnetic core powder and the molding die are heated. .
この場合には、上記充填工程において、上記成形用金型の内面に高級脂肪酸系潤滑剤を塗布しておくことにより、上記成形工程において、Feを含有する上記磁心用粉末と上記成形用金型の内面との間に潤滑性に優れた高級脂肪酸の金属塩皮膜(金属石鹸皮膜)が生成される。この金属石鹸皮膜の存在により、かじり等が生じず、より高圧での成形が可能となる。よって、得られる圧粉磁心の機械的強度を向上させることができる。さらには、非常に低い抜圧で上記圧粉磁心を上記成形用金型から取り出すことができるため、上記成形用金型の長寿命化も図ることができる。 In this case, in the filling step, by applying a higher fatty acid-based lubricant to the inner surface of the molding die, the magnetic core powder containing Fe and the molding die are contained in the molding step. A metal salt film (metal soap film) of a higher fatty acid excellent in lubricity is formed between the inner surface and the inner surface of the metal. Due to the presence of this metal soap film, galling or the like does not occur and molding at a higher pressure becomes possible. Therefore, the mechanical strength of the obtained dust core can be improved. Furthermore, since the dust core can be taken out from the molding die with a very low extraction pressure, the life of the molding die can be extended.
なお、塗布する高級脂肪酸系潤滑剤としては、高級脂肪酸自体の他、高級脂肪酸の金属塩であると好ましい。高級脂肪酸の金属塩には、リチウム塩、カルシウム塩、亜鉛塩等がある。特に、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛が好ましい。この他、ステアリン酸バリウム、パルミチン酸リチウム、オレイン酸リチウム、パルミチン酸カルシウム、オレイン酸カルシウム等を用いることもできる。 The higher fatty acid lubricant to be applied is preferably a metal salt of a higher fatty acid in addition to the higher fatty acid itself. Examples of higher fatty acid metal salts include lithium salts, calcium salts, and zinc salts. In particular, lithium stearate, calcium stearate, and zinc stearate are preferable. In addition, barium stearate, lithium palmitate, lithium oleate, calcium palmitate, calcium oleate, and the like can also be used.
また、上記成形工程の後、上記圧粉磁心を焼鈍する焼鈍工程を行うことが好ましい(請求項24)。
上記焼鈍工程は、上記圧粉磁心の残留応力や残留歪みを除去するために行う。これにより、上記圧粉磁心の保磁力・ヒステリシス損失が低減され、磁気的特性が向上する。
Moreover, it is preferable to perform the annealing process which anneals the said powder magnetic core after the said formation process (Claim 24).
The annealing step is performed to remove residual stress and residual strain of the dust core. Thereby, the coercive force / hysteresis loss of the dust core is reduced, and the magnetic characteristics are improved.
また、上記焼鈍工程では、焼鈍温度が400℃以上であることが好ましい(請求項25)。
上記焼鈍温度が400℃未満の場合には、焼鈍を行ったことによる残留応力や残留歪みの除去効果が充分に得られないおそれがある。また、900℃を超える場合には、上記絶縁皮膜の損傷等が進行し易くなるおそれがある。
Moreover, in the said annealing process, it is preferable that annealing temperature is 400 degreeC or more (Claim 25).
When the annealing temperature is less than 400 ° C., there is a possibility that the effect of removing residual stress and residual strain due to annealing is not sufficiently obtained. Moreover, when it exceeds 900 degreeC, there exists a possibility that the damage etc. of the said insulating film may advance easily.
また、上記焼鈍工程における加熱時間は、1〜180分であることが好ましい。
上記加熱時間が1分未満の場合には、焼鈍を行ったことによる残留応力や残留歪みの除去効果が充分に得られないおそれがある。また、180分を超える場合には、加熱してもそれ以上の効果を期待することができず、逆に生産性の低下を招く。
Moreover, it is preferable that the heating time in the said annealing process is 1-180 minutes.
When the heating time is less than 1 minute, there is a possibility that the effect of removing residual stress and residual strain due to annealing is not sufficiently obtained. On the other hand, if it exceeds 180 minutes, even if it is heated, no further effect can be expected, and conversely, productivity is lowered.
(実施例1)
本発明において、具体的な実施例を挙げて説明する。
本例では、表1に示すごとく、本発明の実施例としての複数種類の圧粉磁心(試料E11〜E14、試料E21〜E28)と、比較例としての複数種類の圧粉磁心(試料C11〜C15、試料C21〜C23)を作製した。そして、これらの圧粉磁心の性能を評価することにより、磁性粉末に被覆された絶縁皮膜の性能を評価した。
Example 1
In the present invention, specific examples will be described.
In this example, as shown in Table 1, a plurality of types of dust cores (samples E11 to E14 and samples E21 to E28) as examples of the present invention and a plurality of types of dust cores (samples C11 to C11) as comparative examples. C15 and samples C21 to C23) were produced. Then, by evaluating the performance of these powder magnetic cores, the performance of the insulating film coated with the magnetic powder was evaluated.
(1)磁心用粉末の製造(絶縁皮膜の形成)
磁性粉末としては、市販されている2種類の鉄粉を用意した。1つはSomaloy(登録商標)500(ヘガネス社製)であり、もう1つは水アトマイズ粉(JFE社製、KIP−304AS)にSr−B−P−O系絶縁皮膜を施したものである。なお、Sr−B−P−O系絶縁皮膜は、上記非特許文献1に開示されている方法と同様の方法を用いて形成した。
(1) Manufacture of magnetic core powder (formation of insulation film)
As magnetic powder, two types of commercially available iron powders were prepared. One is Somaloy (registered trademark) 500 (manufactured by Höganäs), and the other is water atomized powder (manufactured by JFE, KIP-304AS) with a Sr-B-P-O insulating film. . Note that the Sr—B—P—O-based insulating film was formed using a method similar to the method disclosed in Non-Patent Document 1.
<アルコキシド含有溶液作製工程>
まず、水分を除去した窒素雰囲気グローブボックス内において、500mlのフラスコに磁性粉末を100g、有機溶媒としての脱水テトラヒドロフラン(以下、THFと略す)を100ml、そして所定量のSiアルコキシド(Si−(1)又はSi−(2))及びAlアルコキシド(Al−(1))を投入し、アルコキシド含有溶液を作製した。なお、Alアルコキシド及びSiアルコキシドの種類は、以下に示す。また、それぞれの添加量は、表1に示す。
Si−(1):3−(2−イミダゾリン−1−イル)プロピルトリエトキシシラン(3-(2-imidazolin-1-yl) propyltriethoxysilane)
Si−(2):3−アミノプロピルトリエトキシシラン(3-inopropyltriethoxysilane)
Al−(1):アルミニウムトリ−sec−ブトキシド(aluminium tri-sec-butoxide)
<Alkoxide-containing solution preparation process>
First, in a nitrogen atmosphere glove box from which moisture has been removed, 100 g of magnetic powder, 100 ml of dehydrated tetrahydrofuran (hereinafter referred to as THF) as an organic solvent, and a predetermined amount of Si alkoxide (Si- (1)) are placed in a 500 ml flask. Alternatively, Si- (2)) and Al alkoxide (Al- (1)) were added to prepare an alkoxide-containing solution. In addition, the kind of Al alkoxide and Si alkoxide is shown below. Moreover, each addition amount is shown in Table 1.
Si- (1): 3- (2-imidazolin-1-yl) propyltriethoxysilane
Si- (2): 3-aminopropyltriethoxysilane
Al- (1): aluminum tri-sec-butoxide
<無機系皮膜形成工程>
次いで、フラスコをロータリーエバポレータにセットして、1時間還流を行った。還流後、減圧蒸留によりTHFを除去し、さらに100Torr、80℃の条件で乾燥した。その後、磁性粉末を大気中に取り出し、大気乾燥炉で100℃、1時間の条件で乾燥した。
こうして、磁性粉末の表面に、Si−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜で構成された絶縁皮膜を形成し、磁性粉末に絶縁皮膜を被覆した磁心用粉末を得た。
<Inorganic coating formation process>
The flask was then set on a rotary evaporator and refluxed for 1 hour. After refluxing, THF was removed by distillation under reduced pressure, and further dried under conditions of 100 Torr and 80 ° C. Thereafter, the magnetic powder was taken out into the atmosphere and dried in an air drying furnace at 100 ° C. for 1 hour.
Thus, an insulating film composed of an inorganic film made of Si—Al—O-based oxide was formed on the surface of the magnetic powder, and a magnetic core powder obtained by coating the magnetic powder with the insulating film was obtained.
(2)圧粉磁心の製造
得られた各種の磁心用粉末に対して、金型潤滑温間高圧成形法を用いて圧粉磁心を作製した。この金型潤滑温間高圧成形法を用いた圧粉磁心の製造は、具体的には次のようにして行った。
(2) Manufacture of a dust core For each of the various powders for a magnetic core, a dust core was prepared using a mold lubrication warm high pressure molding method. The production of the powder magnetic core using this mold lubrication warm high-pressure molding method was specifically performed as follows.
<充填工程>
まず、所望の形状のキャビティを有する超硬製の成形用金型を用意した。この成形用金型をヒータで予め150℃に加熱しておいた。加熱した成形用金型の内周面に、水溶液に分散させたステアリン酸リチウムをスプレーガンにて、1cm3/秒程度の割合で均一に塗布した。ここで用いた水溶液は、水に界面活性剤と消泡剤とを添加したものである。
そして、ステアリン酸リチウムが内面に塗布されたその成形用金型へ各種磁心用粉末を充填した。
<Filling process>
First, a cemented carbide molding die having a cavity having a desired shape was prepared. This molding die was preheated to 150 ° C. with a heater. Lithium stearate dispersed in an aqueous solution was uniformly applied at a rate of about 1 cm 3 / sec on the inner peripheral surface of the heated molding die with a spray gun. The aqueous solution used here is obtained by adding a surfactant and an antifoaming agent to water.
Then, various magnetic core powders were filled in the molding die in which lithium stearate was coated on the inner surface.
なお、ステアリン酸リチウムとしては、融点が約225℃で、粒径が20μmのものを用い、水溶液に分散させる際には、これをさらにボールミル式粉砕装置で微細化処理(テフロン(登録商標)コート鋼球:100時間)したものを用いた。
また、界面活性剤としては、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(EO)6、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(EO)10、及びホウ酸エステルエマルボンT−80を用い、消泡剤としては、FSアンチフォーム80を用いた。
Note that lithium stearate having a melting point of about 225 ° C. and a particle size of 20 μm is used, and when dispersed in an aqueous solution, this is further refined with a ball mill pulverizer (Teflon (registered trademark) coating). Steel balls: 100 hours) were used.
Further, polyoxyethylene nonyl phenyl ether (EO) 6, polyoxyethylene nonyl phenyl ether (EO) 10 and borate ester Emulbon T-80 are used as the surfactant, and FS anti-foaming agent is used as the antifoaming agent. Form 80 was used.
<成形工程>
次いで、成形用金型を150℃に保持したまま、1200MPaの成形圧力で、充填された各種磁心用粉末を温間加圧成形した。こうして、圧粉磁心を得た。
なお、この金型潤滑温間高圧成形法を用いた成形に当たって、いずれの磁心用粉末も成形用金型とかじり等を生じることがなく、5MPa程度の低い抜圧で圧粉磁心を成形用金型から取出すことができた。
<Molding process>
Next, while filling the molding die at 150 ° C., various filled magnetic core powders were subjected to warm pressure molding at a molding pressure of 1200 MPa. Thus, a dust core was obtained.
In molding using this mold lubrication warm high pressure molding method, any magnetic core powder does not cause galling or the like with the molding die, and the powder magnetic core is molded with a low pressure of about 5 MPa. I was able to remove it from the mold.
<焼鈍工程>
さらに、得られた各種圧粉磁心に対して、大気中、焼鈍温度400又は500℃、焼鈍時間30分の条件で焼鈍を施した。
<Annealing process>
Furthermore, the various powder magnetic cores thus obtained were annealed in the air at an annealing temperature of 400 or 500 ° C. and an annealing time of 30 minutes.
なお、本例では、比較例として、有機溶媒にアルコキシドを混合しなかったもの(試料C11、C21)、Alアルコキシドのみを混合したもの(試料C12〜C15、試料C22、C23)を作製し、磁心用粉末を得た。そして、この磁心用粉末を用いて、本例と同様に金型潤滑温間高圧成形法によって圧粉磁心を得た。さらに、得られた圧粉磁心に焼鈍を施した。各種材料の添加量は、表1に示す。 In this example, as a comparative example, a sample in which an alkoxide was not mixed in an organic solvent (samples C11 and C21) and a sample in which only an Al alkoxide was mixed (samples C12 to C15, samples C22 and C23) were prepared, and a magnetic core was prepared. A powder was obtained. And using this powder for magnetic cores, the powder magnetic core was obtained by the mold lubrication warm high pressure molding method similarly to this example. Furthermore, the obtained powder magnetic core was annealed. Table 1 shows the amount of each material added.
(3)絶縁皮膜の評価
得られた圧粉磁心を用いて、それらの絶縁皮膜の絶縁性・耐熱性を評価した。評価方法としては、焼鈍前後の試料について比抵抗を測定した。なお、比抵抗の測定は、マイクロオームメータ(ヒューレットパカード(HP)社製、34420A)を用いて4端子法により測定した。
この測定結果を表1に示す。
(3) Evaluation of insulating film Using the obtained powder magnetic core, the insulating property and heat resistance of these insulating films were evaluated. As an evaluation method, specific resistance was measured for samples before and after annealing. The specific resistance was measured by a four-terminal method using a micro ohm meter (manufactured by Hewlett-Packard (HP), 34420A).
The measurement results are shown in Table 1.
表1から知られるように、実施例にかかる試料E11〜E14は、焼鈍前の比抵抗が350μΩmを超えていた。これに対して、比較例にかかる試料C11〜C15は、焼鈍前の比抵抗が70μΩm以下であった。また、実施例にかかる試料E21〜E28は、焼鈍前の比抵抗が5900μΩmを超えていた。これに対して、比較例にかかる試料C21〜C23は、焼鈍前の比抵抗が600μΩm以下であった。
よって、実施例は、比較例に比べて比抵抗が焼鈍前で約5〜10倍以上にも向上することが確認された。このことから、本発明の絶縁皮膜は、優れた絶縁性を有するものであることが明らかとなった。
As known from Table 1, the samples E11 to E14 according to the examples had a specific resistance before annealing exceeding 350 μΩm. On the other hand, samples C11 to C15 according to the comparative example had a specific resistance before annealing of 70 μΩm or less. Moreover, as for the samples E21-E28 concerning an Example, the specific resistance before annealing exceeded 5900 microhm. In contrast, samples C21 to C23 according to the comparative example had a specific resistance of 600 μΩm or less before annealing.
Therefore, it was confirmed that the specific resistance of the example was improved by about 5 to 10 times or more before annealing as compared with the comparative example. From this, it became clear that the insulating film of the present invention has excellent insulating properties.
一方、400℃、500℃で焼鈍を行った場合、試料E11〜E14の比抵抗は、400℃焼鈍後で120μΩm、500℃焼鈍後で25μΩmを超えていた。これに対して、試料C11〜C15の比抵抗は、400℃焼鈍後で12μΩm以下、500℃焼鈍後で4μΩmであった。また、試料E21〜E28の比抵抗は、400℃焼鈍後で1500μΩm、500℃焼鈍後で570μΩmを超えていた。これに対して、試料C21〜C23の比抵抗は、400℃焼鈍後で200μΩm以下、500℃焼鈍後で60μΩmであった。
よって、実施例は、比較例に比べて比抵抗が焼鈍後においても充分高いことが確認された。さらに、実施例は、比較例に比べて焼鈍前後における比抵抗の低減が小さいことがわかった。このことから、本発明の絶縁皮膜は、400℃焼鈍のみならず、500℃焼鈍に対しても充分な耐熱性を有していることが明らかとなった。
On the other hand, when annealing was performed at 400 ° C. and 500 ° C., the specific resistances of Samples E11 to E14 were 120 μΩm after 400 ° C. annealing and 25 μΩm after 500 ° C. annealing. On the other hand, the specific resistances of Samples C11 to C15 were 12 μΩm or less after 400 ° C. annealing and 4 μΩm after 500 ° C. annealing. Moreover, the specific resistances of Samples E21 to E28 exceeded 1500 μΩm after 400 ° C. annealing and exceeded 570 μΩm after 500 ° C. annealing. On the other hand, the specific resistances of Samples C21 to C23 were 200 μΩm or less after annealing at 400 ° C. and 60 μΩm after annealing at 500 ° C.
Therefore, it was confirmed that the specific resistance of the example was sufficiently high even after annealing as compared with the comparative example. Furthermore, it turned out that the Example has a small reduction of the specific resistance before and behind annealing compared with a comparative example. From this, it became clear that the insulating film of the present invention has sufficient heat resistance not only for 400 ° C. annealing but also for 500 ° C. annealing.
以上のように、本発明の絶縁皮膜は、優れた耐熱性・絶縁性を有している。また、このような特性を有する高性能の絶縁皮膜を備えた磁心用粉末からなる圧粉磁心は、従来に比べて比抵抗が向上し、焼鈍後においても充分な比抵抗を有するものとなる。 As described above, the insulating film of the present invention has excellent heat resistance and insulating properties. In addition, a powder magnetic core made of a magnetic core powder having a high-performance insulating film having such characteristics has improved specific resistance as compared with the prior art and has sufficient specific resistance even after annealing.
(実施例2)
本例は、実施例1の絶縁皮膜において、無機系皮膜上に有機系皮膜を形成し、2層で構成した例である。
本例では、表2に示すごとく、絶縁皮膜を2層で構成した実施例としての複数種類の圧粉磁心(試料E31、E32、試料E41〜E45)と、絶縁皮膜を2層で構成しない比較例としての複数種類の圧粉磁心(試料C31、C32、試料C41〜C43)を作製した。そして、絶縁皮膜の性能を評価した。
(Example 2)
This example is an example in which, in the insulating film of Example 1, an organic film is formed on an inorganic film and is formed of two layers.
In this example, as shown in Table 2, a plurality of types of dust cores (samples E31, E32, samples E41 to E45) as an example in which the insulating film is configured by two layers and a comparison in which the insulating film is not configured by two layers A plurality of types of dust cores (samples C31 and C32, samples C41 to C43) as examples were produced. And the performance of the insulating film was evaluated.
(1)磁心用粉末の製造(絶縁皮膜の形成)
磁性粉末としては、市販されている2種類の鉄粉を用意した。1つはSomaloy(登録商標)500(ヘガネス社製)であり、もう1つはガスアトマイズ粉(山陽特殊鋼社製、粒度:106〜212μm)にSr−B−P−O系絶縁皮膜を施したものである。なお、Sr−B−P−O系絶縁皮膜は、上記非特許文献1に開示されている方法と同様の方法を用いて形成した。
(1) Manufacture of magnetic core powder (formation of insulation film)
As magnetic powder, two types of commercially available iron powders were prepared. One is Somaloy (registered trademark) 500 (manufactured by Höganäs), and the other is a gas atomized powder (manufactured by Sanyo Special Steel Co., Ltd., particle size: 106-212 μm) coated with an Sr—B—P—O-based insulating film. Is. Note that the Sr—B—P—O-based insulating film was formed using a method similar to the method disclosed in Non-Patent Document 1.
<アルコキシド含有溶液作製工程・無機系皮膜形成工程>
上記工程は、実施例1と同様に行う。なお、Siアルコキシドとしては、上記Si−(2)を用いた。また、Alアルコキシドとしては、上記Al−(1)を用いた。また、それぞれの添加量は、表2に示す。
こうして、磁性粉末の表面に、第1層としてのSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜を形成した。
<Alkoxide-containing solution preparation process / inorganic film formation process>
The above steps are performed in the same manner as in Example 1. The Si- (2) was used as the Si alkoxide. The Al- (1) was used as the Al alkoxide. Moreover, each addition amount is shown in Table 2.
Thus, an inorganic film made of Si—Al—O-based oxide as the first layer was formed on the surface of the magnetic powder.
<樹脂含有溶液作製工程>
次いで、さきほどのフラスコに第1層が形成された磁性粉末を戻し、有機溶媒としてのTHF、さらにエポキシ樹脂(テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン(TGDDM))を所定量加え、場合によっては硬化剤(ジアミノジフェニルメタン(DDM)又はジアミノジフェニルスルホン(DDS))を添加し、樹脂含有溶液を作製した。なお、エポキシ樹脂及び硬化剤の添加量は、表2に示した。
<Resin-containing solution preparation process>
Next, the magnetic powder having the first layer formed thereon is returned to the previous flask, and a predetermined amount of THF as an organic solvent and an epoxy resin (tetraglycidyldiaminodiphenylmethane (TGDDM)) are added. In some cases, a curing agent (diaminodiphenylmethane ( DDM) or diaminodiphenylsulfone (DDS)) was added to make a resin-containing solution. The addition amounts of the epoxy resin and the curing agent are shown in Table 2.
<有機系皮膜形成工程>
次いで、樹脂含有溶液を60℃に調整して30分間撹拌した後、減圧蒸留によりTHFを除去した。その後、磁性粉末を大気中に取り出し、真空乾燥機で室温、12時間の条件で乾燥した。
こうして、第1層としてのSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜上に、第2層としてのエポキシ樹脂からなる有機系皮膜を形成し、磁性粉末に第1層及び第2層よりなる絶縁皮膜を被覆した磁心用粉末を得た。
<Organic film formation process>
Next, the resin-containing solution was adjusted to 60 ° C. and stirred for 30 minutes, and then THF was removed by distillation under reduced pressure. Thereafter, the magnetic powder was taken out into the atmosphere and dried in a vacuum dryer at room temperature for 12 hours.
Thus, an organic film made of an epoxy resin as the second layer is formed on the inorganic film made of the Si—Al—O-based oxide as the first layer, and the magnetic powder is formed from the first layer and the second layer. A magnetic core powder coated with an insulating film was obtained.
(2)圧粉磁心の製造
得られた各種の磁心用粉末に対して、実施例1と同様に、金型潤滑温間高圧成形法を用いて圧粉磁心を作製した。
さらに、得られた各種圧粉磁心に対して、エポキシ樹脂を硬化させるために、大気中、200℃、180分の条件で熱処理を施した。
(2) Production of Dust Core A dust core was produced for each of the obtained powders for magnetic core in the same manner as in Example 1 using a mold lubrication warm high pressure molding method.
Furthermore, in order to cure the epoxy resin, the various powder magnetic cores obtained were subjected to heat treatment in the atmosphere at 200 ° C. for 180 minutes.
なお、本例では、比較例として、磁性粉末に絶縁皮膜を形成しなかったもの(試料C41)、無機系皮膜のみを形成したもの(試料C32、C43)、有機系皮膜のみを形成したもの(試料C31、42)を作製し、磁心用粉末を得た。そして、この磁心用粉末を用いて、同様に金型潤滑温間高圧成形法によって圧粉磁心を得た。さらに、本実施例と同一条件で比較するため、皮膜の形成にかかわらず本実施例と同様の条件で熱処理を施した。各種材料の添加量は、表2に示す。 In this example, as a comparative example, an insulating film was not formed on the magnetic powder (sample C41), only an inorganic film was formed (samples C32 and C43), and only an organic film was formed ( Samples C31 and 42) were prepared to obtain magnetic core powder. And using this powder for magnetic cores, the powder magnetic core was similarly obtained by the mold lubrication warm high pressure molding method. Further, in order to compare under the same conditions as in this example, heat treatment was performed under the same conditions as in this example regardless of the formation of the film. The amounts of various materials added are shown in Table 2.
(3)絶縁皮膜の評価
得られた圧粉磁心を用いて、それらの絶縁皮膜の絶縁性・耐熱性を評価した。評価方法としては、熱処理前後の試料について比抵抗を測定した。なお、比抵抗の測定は、実施例1と同様である。
また、本例では、絶縁皮膜の皮膜自体の強度及び皮膜同士の結合力を評価するため、熱処理後の圧環強度を測定した。なお、圧環強度の測定は、焼結含油軸受の圧環強さ試験方法(JIS Z 2507−1979)に準じて行った。
この測定結果を表2に示す。
(3) Evaluation of insulating film Using the obtained powder magnetic core, the insulating property and heat resistance of these insulating films were evaluated. As an evaluation method, the specific resistance was measured for the samples before and after the heat treatment. The measurement of specific resistance is the same as in Example 1.
Further, in this example, the crushing strength after the heat treatment was measured in order to evaluate the strength of the insulating coating itself and the bonding strength between the coatings. The crushing strength was measured according to the crushing strength test method (JIS Z 2507-1979) of the sintered oil-impregnated bearing.
The measurement results are shown in Table 2.
表2から知られるように、実施例にかかる試料E31、E32は、熱処理前の比抵抗が比較例にかかる試料C31、C32の熱処理前と同等以上であった。また、実施例にかかる試料E41〜E45は、熱処理前の比抵抗が測定レンジを超えており、比較例にかかる試料C41〜C43の熱処理前よりも大きい値を示した。
よって、本実施例は、樹脂からなる第2層を形成した効果により、比抵抗が向上することが確認された。このことから、本実施例の絶縁皮膜は、より一層優れた絶縁性を有するものであることが明らかとなった。
As is known from Table 2, the samples E31 and E32 according to the example had a specific resistance before the heat treatment equal to or higher than that before the heat treatment of the samples C31 and C32 according to the comparative example. Moreover, the specific resistance before heat processing of the samples E41-E45 concerning an Example exceeded the measurement range, and showed the larger value than before heat processing of the samples C41-C43 concerning a comparative example.
Therefore, it was confirmed that the specific resistance of this example was improved by the effect of forming the second layer made of resin. From this, it was clarified that the insulating film of the present example has much better insulating properties.
一方、200℃で熱処理を行った場合、試料E31、E32は、熱処理後の比抵抗が試料C31、C32の熱処理後と同等以上であった。また、試料E41〜E45は、熱処理後の比抵抗が測定レンジを超えており、試料C41〜C43の熱処理後よりも大きい値を示した。
よって、本実施例は、樹脂からなる有機系皮膜を形成したことにより、熱処理後においても充分に高い比抵抗を示すことが確認された。
On the other hand, when heat treatment was performed at 200 ° C., the samples E31 and E32 had a specific resistance after the heat treatment equal to or higher than that after the heat treatment of the samples C31 and C32. Moreover, the specific resistance after heat processing of Samples E41 to E45 exceeded the measurement range, and showed a larger value than that after heat treatment of Samples C41 to C43.
Therefore, it was confirmed that the present example showed a sufficiently high specific resistance even after the heat treatment by forming an organic film made of resin.
また、同表から知られるように、試料E31、E32の圧環強度は、試料C31、C32に比べて大きな値を示した。また、試料E41〜E45の圧環強度も、試料C41〜C43に比べて大きい値を示した。
よって、本実施例は、樹脂からなる有機系皮膜を形成したことにより、圧環強度が向上することが確認された。このことから、本実施例の絶縁皮膜は、皮膜自体の強度及び皮膜同士の結合力が高いことが明らかとなった。
Further, as known from the table, the crushing strength of the samples E31 and E32 showed a larger value than that of the samples C31 and C32. Moreover, the crushing strength of the samples E41 to E45 also showed a larger value than the samples C41 to C43.
Therefore, in this example, it was confirmed that the crushing strength was improved by forming an organic film made of resin. From this, it was clarified that the insulating film of this example has high strength of the film itself and high bonding strength between the films.
(実施例3)
本例は、実施例1の絶縁皮膜において、無機系皮膜上に有機系皮膜を形成し、2層で構成した例である。
本例では、表3に示すごとく、絶縁皮膜を2層で構成した実施例としての圧粉磁心(試料E51)と、絶縁皮膜を2層で構成しない比較例としての圧粉磁心(試料C51)を作製した。そして、絶縁皮膜の性能を評価した。
(Example 3)
This example is an example in which, in the insulating film of Example 1, an organic film is formed on an inorganic film and is formed of two layers.
In this example, as shown in Table 3, the dust core (sample E51) as an example in which the insulating film is composed of two layers, and the dust core (sample C51) as a comparative example in which the insulating film is not composed of two layers. Was made. And the performance of the insulating film was evaluated.
(1)磁心用粉末の製造(絶縁皮膜の形成)
磁性粉末としては、市販されている鉄粉を用意した。本例では、Fe−1Siガスアトマイズ粉(大同特殊鋼社製、粒度:106〜212μm)を用いた。
(1) Manufacture of magnetic core powder (formation of insulation film)
A commercially available iron powder was prepared as the magnetic powder. In this example, Fe-1Si gas atomized powder (manufactured by Daido Steel Co., Ltd., particle size: 106 to 212 μm) was used.
<アルコキシド含有溶液作製工程・無機系皮膜形成工程>
上記工程は、実施例1と同様に行う。なお、Siアルコキシドとしては、上記Si−(2)を用いた。また、Alアルコキシドとしては、上記Al−(1)を用いた。また、それぞれの添加量は、表3に示す。
こうして、磁性粉末の表面に、第1層としてのSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜を形成した。
<Alkoxide-containing solution preparation process / inorganic film formation process>
The above steps are performed in the same manner as in Example 1. The Si- (2) was used as the Si alkoxide. The Al- (1) was used as the Al alkoxide. Moreover, each addition amount is shown in Table 3.
Thus, an inorganic film made of Si—Al—O-based oxide as the first layer was formed on the surface of the magnetic powder.
<樹脂含有溶液作製工程・有機系皮膜形成工程>
上記工程は、実施例1と同様に行う。なお、エポキシ樹脂の添加量は、表3に示した。
こうして、第1層としてのSi−Al−O系酸化物からなる無機系皮膜が形成された磁性粉末上に、第2層としてのエポキシ樹脂からなる有機系皮膜を形成し、磁性粉末に第1層及び第2層からなる絶縁皮膜を被覆した磁心用粉末を得た。
<Resin-containing solution preparation process / organic film formation process>
The above steps are performed in the same manner as in Example 1. The amount of epoxy resin added is shown in Table 3.
Thus, an organic film made of an epoxy resin as the second layer is formed on the magnetic powder on which the inorganic film made of the Si—Al—O-based oxide as the first layer is formed. A magnetic core powder coated with an insulating film comprising a layer and a second layer was obtained.
(2)圧粉磁心の製造
得られた各種の磁心用粉末に対して、実施例1と同様に、金型潤滑温間高圧成形法を用いて圧粉磁心を作製した。なお、成形圧力は、1600MPaとした。
さらに、得られた各種圧粉磁心に対して、エポキシ樹脂を硬化させるために、大気中、200℃、180分の条件で熱処理を施した。
(2) Production of Dust Core A dust core was produced for each of the obtained powders for magnetic core in the same manner as in Example 1 using a mold lubrication warm high pressure molding method. The molding pressure was 1600 MPa.
Furthermore, in order to cure the epoxy resin, the various powder magnetic cores obtained were subjected to heat treatment in the atmosphere at 200 ° C. for 180 minutes.
なお、本例では、比較例として、磁性粉末に無機系皮膜のみを形成したもの(試料C51)を作製し、磁心用粉末を得た。そして、この磁心用粉末を用いて、同様に金型潤滑温間高圧成形法によって圧粉磁心を得た。さらに、本実施例と同一条件で比較するため、本実施例と同様の条件で熱処理を施した。各種材料の添加量は、表3に示す。 In this example, as a comparative example, a magnetic powder in which only an inorganic film was formed (sample C51) was produced, and a magnetic core powder was obtained. And using this powder for magnetic cores, the powder magnetic core was similarly obtained by the mold lubrication warm high pressure molding method. Furthermore, in order to make a comparison under the same conditions as in this example, heat treatment was performed under the same conditions as in this example. Table 3 shows the amounts of various materials added.
(3)絶縁皮膜の評価
得られた圧粉磁心を用いて、それらの絶縁皮膜の絶縁性・耐熱性を評価した。評価方法としては、熱処理前後の試料について比抵抗を測定した。なお、比抵抗の測定は、実施例1と同様である。
また、本例では、絶縁皮膜の皮膜自体の強度及び皮膜同士の結合力を評価するため、熱処理後の圧環強度を測定した。なお、圧環強度の測定は、実施例2と同様である。
この測定結果を表3に示す。
(3) Evaluation of insulating film Using the obtained powder magnetic core, the insulating property and heat resistance of these insulating films were evaluated. As an evaluation method, the specific resistance was measured for the samples before and after the heat treatment. The measurement of specific resistance is the same as in Example 1.
Further, in this example, the crushing strength after the heat treatment was measured in order to evaluate the strength of the insulating coating itself and the bonding strength between the coatings. The measurement of the crushing strength is the same as in Example 2.
The measurement results are shown in Table 3.
表3から知られるように、実施例にかかる試料E51は、熱処理前の比抵抗が比較例にかかる試料C51と同等以上であった。
よって、本実施例は、樹脂からなる有機系皮膜を形成したことにより、比抵抗が向上することが確認された。このことから、本実施例の絶縁皮膜は、より一層優れた絶縁性を有するものであることが明らかとなった。
As can be seen from Table 3, the sample E51 according to the example had a specific resistance before the heat treatment equal to or higher than that of the sample C51 according to the comparative example.
Therefore, in this example, it was confirmed that the specific resistance was improved by forming the organic film made of resin. From this, it was clarified that the insulating film of the present example has much better insulating properties.
一方、200℃で熱処理を行った場合、試料E51は、熱処理後の比抵抗が試料C51の熱処理後と同等以上であった。
よって、本実施例は、樹脂からなる有機系皮膜を形成したことにより、熱処理後においても充分高い比抵抗を示すことが確認された。
On the other hand, when heat treatment was performed at 200 ° C., Sample E51 had a specific resistance after heat treatment equal to or greater than that after heat treatment of Sample C51.
Therefore, it was confirmed that the present example showed a sufficiently high specific resistance even after the heat treatment by forming an organic film made of resin.
また、同表から知られるように、試料E51の圧環強度は、試料C51に比べて同等以上であった。
よって、本実施例は、樹脂からなる有機系皮膜を形成したことにより、圧環強度が向上することが確認された。このことから、本実施例の絶縁皮膜は、皮膜自体の強度及び皮膜同士の結合力が高いことが明らかとなった。
Further, as known from the table, the crushing strength of the sample E51 was equal to or higher than that of the sample C51.
Therefore, in this example, it was confirmed that the crushing strength was improved by forming an organic film made of resin. From this, it was clarified that the insulating film of this example has high strength of the film itself and high bonding strength between the films.
Claims (26)
N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するSiアルコキシドとAlアルコキシドとを脱水有機溶媒に混合してアルコキシド含有溶液を作製するアルコキシド含有溶液作製工程と、
上記金属材料を上記アルコキシド含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記脱水有機溶媒を除去し、上記金属材料の表面にAl−Si−O系酸化物からなる無機系皮膜により構成された上記絶縁皮膜を形成する無機系皮膜形成工程とを有することを特徴とする絶縁皮膜の形成方法。 In a method of forming an insulating film covering the surface of a metal material,
An alkoxide-containing solution preparation step of preparing an alkoxide-containing solution by mixing an Si alkoxide having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms and an Al alkoxide in a dehydrated organic solvent; ,
The metal material is immersed in the alkoxide-containing solution, and then dried to remove the dehydrated organic solvent, and the insulating material is composed of an inorganic film made of an Al-Si-O-based oxide on the surface of the metal material. A method for forming an insulating film, comprising: an inorganic film forming step for forming a film.
上記無機系皮膜を施した上記金属材料を上記樹脂含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記有機溶媒を除去し、上記無機系皮膜上に上記樹脂からなる有機系皮膜を形成する有機系皮膜形成工程とを行い、
上記金属材料の表面に、第1層としての上記無機系皮膜と第2層としての上記有機系皮膜とにより構成された上記絶縁皮膜を形成することを特徴とする絶縁皮膜の形成方法。 In any one of Claims 1-5, the resin containing solution preparation process which mixes resin with an organic solvent and produces a resin containing solution,
An organic coating that forms the organic coating composed of the resin on the inorganic coating by immersing the metal material with the inorganic coating in the resin-containing solution and then drying to remove the organic solvent. The forming process,
A method for forming an insulating film, comprising: forming the insulating film composed of the inorganic film as a first layer and the organic film as a second layer on a surface of the metal material.
N、P、S、O原子を1又は複数含む極性基を有する有機基を少なくとも1つ有するSiアルコキシドとAlアルコキシドとを脱水有機溶媒に混合してアルコキシド含有溶液を作製するアルコキシド含有溶液作製工程と、
上記磁性粉末を上記アルコキシド含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記脱水有機溶媒を除去し、上記磁性粉末の表面にAl−Si−O系酸化物からなる無機系皮膜により構成された上記絶縁皮膜を形成する無機系皮膜形成工程とを有することを特徴とする磁心用粉末の製造方法。 In a method for producing a magnetic core powder comprising a magnetic powder mainly comprising Fe and an insulating film covering the surface of the magnetic powder,
An alkoxide-containing solution preparation step of preparing an alkoxide-containing solution by mixing an Si alkoxide having at least one organic group having a polar group containing one or more N, P, S, and O atoms and an Al alkoxide in a dehydrated organic solvent; ,
The magnetic powder is immersed in the alkoxide-containing solution, and then dried to remove the dehydrated organic solvent, and the insulating material is composed of an inorganic film made of an Al-Si-O-based oxide on the surface of the magnetic powder. A method for producing a powder for a magnetic core, comprising: an inorganic film forming step for forming a film.
上記無機系皮膜を施した上記磁性粉末を上記樹脂含有溶液に浸漬させた後、乾燥させて上記有機溶媒を除去し、上記無機系皮膜上に上記樹脂からなる有機系皮膜を形成する有機系皮膜形成工程とを行い、
上記磁性粉末の表面に、第1層としての上記無機系皮膜と第2層としての上記有機系皮膜とにより構成された上記絶縁皮膜を形成することを特徴とする磁心用粉末の製造方法。 The resin-containing solution preparation step according to any one of claims 10 to 14, wherein a resin is mixed with an organic solvent to prepare a resin-containing solution;
An organic coating that forms the organic coating made of the resin on the inorganic coating by immersing the magnetic powder coated with the inorganic coating in the resin-containing solution and then drying to remove the organic solvent. The forming process,
A method for producing a magnetic core powder, comprising: forming the insulating coating composed of the inorganic coating as the first layer and the organic coating as the second layer on the surface of the magnetic powder.
上記成形用金型内の上記磁心用粉末を加圧成形することにより圧粉磁心を得る成形工程とを有することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。 A filling step of filling a molding die with the magnetic core powder produced by the method for producing a magnetic core powder according to any one of claims 10 to 16,
And a molding step of obtaining a dust core by press-molding the magnetic core powder in the molding die.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271103A JP4641299B2 (en) | 2006-10-02 | 2006-10-02 | Insulating film, magnetic core powder and powder magnetic core, and method for forming or manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271103A JP4641299B2 (en) | 2006-10-02 | 2006-10-02 | Insulating film, magnetic core powder and powder magnetic core, and method for forming or manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008088505A JP2008088505A (en) | 2008-04-17 |
JP4641299B2 true JP4641299B2 (en) | 2011-03-02 |
Family
ID=39372963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006271103A Expired - Fee Related JP4641299B2 (en) | 2006-10-02 | 2006-10-02 | Insulating film, magnetic core powder and powder magnetic core, and method for forming or manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4641299B2 (en) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059787A (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Soft magnetic material and dust core |
JP5405728B2 (en) * | 2007-08-30 | 2014-02-05 | 住友電気工業株式会社 | Method for producing soft magnetic material and method for producing dust core |
JP4589374B2 (en) * | 2007-11-02 | 2010-12-01 | 株式会社豊田中央研究所 | Powder for magnetic core, dust core and method for producing the same |
JP5071671B2 (en) * | 2008-04-23 | 2012-11-14 | 戸田工業株式会社 | SOFT MAGNETIC PARTICLE POWDER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, DUST MAGNETIC CORE CONTAINING THE SOFT MAGNETIC PARTICLE POWDER |
US8911866B2 (en) | 2008-09-02 | 2014-12-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Powder for powder magnetic core, powder magnetic core, and methods for producing those products |
JP4969556B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-07-04 | 株式会社日立製作所 | High magnetic flux density powder core |
JP5119196B2 (en) * | 2009-04-17 | 2013-01-16 | トヨタ自動車株式会社 | Powder for dust core, dust core, and method for producing the same |
JP5482097B2 (en) * | 2009-10-26 | 2014-04-23 | Tdk株式会社 | Soft magnetic material, dust core and method for manufacturing the same |
CN101996723B (en) * | 2010-09-29 | 2012-07-25 | 清华大学 | Composite soft magnetic powder core and preparation method thereof |
JP6559930B2 (en) * | 2014-04-21 | 2019-08-14 | 株式会社神戸製鋼所 | Simple evaluation method for dust cores |
JP6891638B2 (en) * | 2017-05-31 | 2021-06-18 | Tdk株式会社 | Powder magnetic core |
US11794244B2 (en) * | 2017-09-04 | 2023-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing dust core and raw material powder for dust core |
JP2021036577A (en) * | 2019-08-21 | 2021-03-04 | Tdk株式会社 | Dust core |
CN114887559B (en) * | 2022-05-12 | 2023-07-25 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | Preparation method of magnetic microspheres coated with polycarboxylate poly(urethane) |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3032927B2 (en) * | 1993-02-05 | 2000-04-17 | 日鉄鉱業株式会社 | Metal or metal compound powder having a metal oxide film on the surface |
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WO2006077890A1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Kyoto University | Process for producing monodispersed fine spherical metal oxide particles and fine metal oxide particles |
-
2006
- 2006-10-02 JP JP2006271103A patent/JP4641299B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008088505A (en) | 2008-04-17 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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