JP4637815B2

JP4637815B2 - 液晶表示装置及び電子機器

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Publication number: JP4637815B2
Application number: JP2006324089A
Authority: JP
Inventors: 肇木村; 秀貴魚地
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-12-05
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2011-02-23
Anticipated expiration: 2026-11-30
Also published as: JP2007183585A

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に基板に対して概ね横方向の電界によって液晶分子の配向を変化させて駆動する液晶表示装置に関する。

表示装置には、自発光の表示装置と非発光の表示装置とがあり、液晶表示装置は、非発光の表示装置の最も代表的なものである。そして、液晶表示装置には、液晶の駆動方法に関して、基板に対して垂直に電圧を印加する縦電界方式と、基板に対して概ね平行に電圧を印加する横電界方式がある。

近年、横方向（基板と平行な方向）の電界が生じるように電圧を印加し、基板平面と平行な方向に液晶分子を回転させることによりバックライトからの光を透過状態または非透過状態にする動作によって画像表示を行う液晶表示装置への注目が高まっている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。

縦電界方式と、横電界方式は、互いに利点、及び欠点を有する。例えば、ＴＮ方式に代表される縦電界方式に比べて、横電界方式は、広視野角、高コントラスト、高中間調表示といった特性を有し、モニターやテレビ用途として使用されている。このような各液晶表示装置は、液晶分野において共存しており、製品開発が行われている。また横電界方式用の液晶材料、縦電界方式用の液晶材料はそれぞれ開発が行われ、電圧の印加方向によって異なる材料特性を有する。

さらに横電界方式の液晶表示装置には、ＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式と、ＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式がある。ＩＰＳ方式は、櫛歯状やスリットの入った画素電極と、櫛歯状やスリットの入った共通電極とが互い違いに配置されており、画素電極と共通電極との間で、基板に概ね平行な方向の電界を発生させて駆動する方式である。一方、ＦＦＳ方式は、画素部一面に形成された平面状の共通電極の上に、櫛歯状やスリットの入った画素電極が配置されている。そして、画素電極と共通電極との間で、基板に概ね平行な方向の電界を発生させて駆動する方式である。

このようなタイプの液晶表示装置は、広視野角であり、また表示画面を見る角度に依存した色味の変化が少ないという利点を有する為、テレビ受像機の表示部に用いるのに有効である。

ところで、バックライトからの光を利用した透過型の液晶表示装置には、暗室では表示画像を見易いが、太陽光の下では表示画像を見辛いという問題がある。特に、カメラ及び携帯情報端末、携帯電話機等の屋外で頻繁に活用される電子機器においては、この問題による影響は大きい。

従って、室内でも屋外でも良好な画像を表示でき、さらに広視野角な液晶表示装置を開発することが求められている。
特開平９−１０５９１８号公報Ｕｌｔｒａ−ＦＦＳＴＦＴ−ＬＣＤｗｉｔｈＳｕｐｅｒＩｍａｇｅＱｕａｌｉｔｙａｎｄＦａｓｔＲｅｓｐｏｎｓｅＴｉｍｅ２００１ＳＩＤＰ．４８４−４８７

広視野角であり、また表示画面を見る角度に依存した色味の変化が少なく、さらに室内でも屋外でも良好に視認される画像表示をすることのできる液晶表示装置を提供することを課題とする。

本発明の液晶表示装置は、光の透過によって表示を行う第１の部分と、光の反射によって表示を行う第２の部分とを有することを特徴としている。さらに、液晶層には、液晶層よりも下方に設けられた二つの液晶素子の電極の間に電位差が生じたときに電極面と平行な方向、つまり基板と平行な面内において、回転する液晶分子を含んでいることを特徴としている。

なお、本発明において「電極面と平行な方向に回転」とは、人間の目で視認できない程度のずれを有していても良い程度に平行な回転も含む。言い換えると、面方向のベクトル成分を主とするが面方向のベクトル成分以外に法線方向のベクトル成分を僅かに有する回転も「電極面と平行な方向に回転」に含まれる。

図１８に、液晶層において、電極面と平行な方向に回転する液晶分子の様子を示す。液晶層８０１に含まれた液晶分子８０２は、液晶層の下方に設けられた電極８０３と電極８０４との間に電位差が生じたときに、横方向の電界の影響により、図１８（Ａ）のような状態から図１８（Ｂ）のような状態へ、または、図１８（Ｂ）のような状態から図１８（Ａ）のような状態へと回転する。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は、断面図を示している。この回転を平面上からみると図１８（Ｃ）の矢印で表される。

同様に、図９３に、液晶層において、電極面と平行な方向に回転する液晶分子の様子を示す。液晶層９８０１に含まれた液晶分子９８０２は、液晶層の下方に設けられた電極９８０３と電極９８０５との間、および、電極９８０４と電極９８０５との間に電位差が生じたときに、横方向の電界の影響により、図９３（Ａ）のような状態から図９３（Ｂ）のような状態へ、または、図９３（Ｂ）のような状態から図９３（Ａ）のような状態へと回転する。図９３（Ａ）、図９３（Ｂ）は、断面図を示している。この回転を平面上からみると図９３（Ｃ）の矢印で表される。

なお、電極８０３と電極８０４の位置関係などは、図１８に限定されない。

同様に、電極９８０３と電極９８０４と電極９８０５の位置関係などは、図９３に限定されない。

光の透過によって表示を行う第１の部分では、液晶層の下方に同じ層に設けられた一対の電極を有する。又は、第１の部分において、液晶層の下方には液晶素子の電極が二つ設けられており、これらの電極は、それぞれ、異なる層に設けられている。そして、これらの電極のうちいずれか一方を反射体として機能させることによって、若しくはこれらの電極と重なるように反射体を設けることによって、光を反射させる。また、第２の部分において、液晶層の下方には液晶素子の電極が二つ設けられており、これらの電極は、いずれも透光性を有し、同じ層上に、若しくは絶縁層を介して異なる層上に設けられている。

本発明の一形態は、透光性を有する第１の電極と、透光性を有する第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の上方に設けられた液晶層とを含む液晶素子を有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが絶縁層を間に挟んで異なる層に設けられた第１の部分と、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記絶縁層の上に設けられた第２の部分とを有し、前記第１の部分において、前記液晶層は反射体（第３の電極ともいう）と重なっていることを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の構成において、前記第２の電極と前記反射体とは電気的に接続することができる。

本発明の別形態は、透光性を有する第１の電極と、光を反射する第１の導電層と透光性を有する第２の導電層とを含む第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の上方に設けられると共に前記第１の電極の電極面と平行な方向に回転する液晶分子を含む液晶層とを含む液晶素子を有し、前記第１の電極と前記第１の導電層とが絶縁層を間に挟んで異なる層に設けられた第１の部分と、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記絶縁層の上に設けられた第２の部分とを有することを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の別形態は、第１の基板と第２の基板との間に、液晶素子と、反射体を有し、前記液晶素子は、液晶層と、前記液晶層と前記第１の基板との間に設けられた第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記液晶層の一部は、前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくとも一方と前記第１の基板との間に設けられた前記反射体と重なっていることを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の構成において、前記液晶層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差が生じたときに基板面と平行な方向に回転する液晶分子を含むことができる。

本発明を実施することによって、広視野角であり、また表示画面を見る角度に依存した色味の変化が少なく、さらに太陽光が照らされた外界においても暗い室内（若しくは夜の屋外）においても良好に視認される画像を得ることができる。

以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、本発明において、適用可能なトランジスタの種類に限定はなく、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されている基板の種類に限定はなく、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板などに配置することが出来る。

なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、別の素子やスイッチやトランジスタや容量素子や抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。

なお、本発明において示すスイッチは、電気的スイッチでも機械的なスイッチでも良い。電流の流れを制御できるものなら良い。トランジスタでもよいし、ダイオードでもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして機能するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものや、マルチゲート構造にしたもの等がある。また、スイッチとして機能させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源の電位（Ｖｓｓ、Ｖｇｎｄ、０Ｖなど）に近い状態で機能する場合はｎチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源の電位（Ｖｄｄなど）に近い状態で機能する場合はｐチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲート・ソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、機能しやすくなるからである。なお、ｎチャネル型とｐチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。

すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、画素を駆動する回路が、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、画素を駆動する回路の一部が、ある基板に形成されており、画素を駆動する回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、画素を駆動する回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、画素配列とゲート線駆動回路とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、信号線駆動回路（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

（実施の形態１）
本発明の液晶表示装置の一態様について図２０を参照して説明する。液晶表示装置にはマトリクス状に配列された複数の画素が設けられおり、図２０には、一画素の断面構造の一態様が表されている。

図２０に示すように、光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１と光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２とを有している。各々の領域において、画素電極として機能する電極と、共通電極として機能する電極とがある。

画素電極として機能する電極は、櫛歯状やスリット状などになっている。一方、共通電極として機能する電極は、平面状や画素部一面に形成されている。ただし、これに限定されない。

画素電極として機能する櫛歯状やスリット状の電極と電極の間隔は、２μｍから８μｍ、より望ましくは、３μｍから４μｍとするとよい。

そして、画素電極として機能する電極と、共通電極として機能する電極との間に電圧が供給され、それによって電界が生じる。その電界は、基板に平行な成分を多く含んでいる。そして、液晶分子は、その電界に応じて、基板と平行方向な面内で回転する。それにより、光の透過率や反射率を制御することができ、階調を表示することが出来る。

共通電極として機能する電極が複数ある場合は、絶縁層にコンタクトホールを開けたり、電極を重ねることにより共通電極が電気的に接続されることが望ましい。

また、画素電極として機能する電極と共通電極として機能する電極とが、絶縁層を介して配置されている場合、その部分は、容量として機能する。よって、画像信号を保持するための保持容量として機能させることも出来る。

光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１においては、反射電極を有しており、反射電極で光を反射させて、表示を行う。反射電極は、共通電極を兼ねる場合もあるが、別々の場合もある。よって、反射電極には、共通電極と接続されて、電圧が供給されている場合がある。しかし、反射電極が共通電極とは別に存在する場合には、電圧が供給されていなかったり、別の電圧が供給されている場合もある。

光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２においては、透過電極を有しており、光を透過させて、表示を行う。透過電極は、共通電極を兼ねる場合もあるが、別々の場合もある。よって、透過電極には、共通電極と接続されて、電圧が供給されている場合がある。しかし、透過電極が共通電極とは別に存在する場合には、電圧が供給されていない場合や、又は別の電圧が供給されている場合もある。また、透過電極は、画素電極を兼ねる場合もある。

次に、図２０の構成について述べる。反射部１００１において、液晶素子の電極１０と、液晶素子の電極１１とは間に絶縁層１３、絶縁層１４を挟んで重なっている。また、透過部１００２において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２とは間に絶縁層１４を挟んで重なっている。

液晶素子の電極１０は、櫛歯状に形成されており、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２は、画素部一面に形成されている。ただし、これに限定されない。液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２に、スリットのような隙間があったり、穴があいていたり、櫛歯状になっていてもよい。

液晶素子の電極１０が、画素電極として機能し、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２は、共通電極として機能する。ただし、これに限定されない。液晶素子の電極１０が、共通電極として機能し、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２が画素電極として機能してもよい。

共通電極として機能する電極は、絶縁層にコンタクトホールを開けて、各々の電極が電気的に接続されることが望ましい。または、電極を重ねることにより各々の電極が電気的に接続されることが望ましい。

液晶素子の電極１１は、導電性を有すると共に光を反射する材料で形成されている。よって、反射電極として機能している。また、液晶素子の電極１２は、導電性を有すると共に光を透過する材料で形成されている。よって、透過電極として機能している。

液晶素子の電極１０は、導電性を有すると共に光を透過する材料で形成されていることが望ましい。なぜなら、光を透過できるため、画像を表示する部分に寄与できるためである。ただし、液晶素子の電極１０は、光を反射する材料で形成されていてもよい。その場合は、たとえ、透過部１００２であっても、光を反射するため、反射部として機能させることが出来る。

また、画素電極として機能する電極（液晶素子の電極１０）と共通電極として機能する電極（液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２）とが、絶縁層を介して配置されている場合、その部分は、容量として機能する。よって、画像信号を保持するための保持容量として機能させることも出来る。

図８３に、図２０において液晶素子の電極間に電界をかけた様子を示す。光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１１の間に電位差が生じたとき、液晶層１５に含まれている液晶分子（１５ａ，１５ｂ）は、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１１の電極面と平行な方向（つまり基板と平行な面内において）に回転し、液晶層１５において光の通る量を制御できるようになる。より正確には、光の偏光状態を制御できるようになり、液晶分子（１５ａ，１５ｂ）は基板の外部に設けられている偏光板を通過する光の量を制御することが出来るようになる。図８３は、図１８（Ａ）、図９３（Ａ）に相当する。図１８（Ａ）から図１８（Ｂ）と、図９３（Ａ）から図９３（Ｂ）に示したように、液晶分子が回転するが、図８３に示した液晶分子（１５ａ，１５ｂ）も同様に回転する。外界から液晶表示装置内に入射した光は液晶層１５を通った後、液晶素子の電極１０や絶縁層１３、絶縁層１４を透過して、液晶素子の電極１１において反射した後、再び、絶縁層１３、絶縁層１４や液晶素子の電極１０や液晶層１５を通って液晶表示装置内から射出する。

絶縁層１３、絶縁層１４は、屈折率異方性をほとんど有しないため、光が絶縁層を通っても、偏光状態は変化しない。

また、光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２との間に電位差が生じたとき、液晶層１５に含まれている液晶分子（１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ）は、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１２の電極面と平行な方向（つまり基板と平行な面内において）に回転し、液晶層１５において、光の通る量を制御できるようになる。より正確には、光の偏光状態を制御できるようになり、液晶分子（１５ｃ，１５ｄ、１５ｅ）は基板の外部に設けられている偏光板を通過する光の量を制御することが出来るようになる。図８３は、図１８（Ａ）、図９３（Ａ）に相当する。図１８（Ａ）から図１８（Ｂ）と、図９３（Ａ）から図９３（Ｂ）に示したように、液晶分子が回転するが、図８３に示した液晶分子（１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ）も同様に回転する。バックライトから液晶表示装置内に入射した光は、液晶層１５を通った後、液晶表示装置内から射出する。

なお、光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１や、光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２において、光路にはカラーフィルターが設けられており、所望の色の光に変換される。このようにして各画素から射出された光が合成されることによって画像が映し出される。

よって、液晶層１５の上に配置される対向基板上にカラーフィルターが設けられていてもよいし、液晶素子の電極１０の上方に設けられていてもよいし、絶縁層１４の中やその一部に設けられていても良い。

なお、カラーフィルターと同様に、ブラックマトリックスが設けられていても良い。

なお、光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１においては、液晶層１５の中を光が２回通る。つまり、外光が対向基板側から液晶層１５に入り、液晶素子の電極１１で反射されて、再度、液晶層１５に入り、対向基板側の外部に射出されるので、液晶層１５を２回通ることになる。

一方、光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２においては、光は、液晶素子の電極１２を通って液晶層１５に入り、対向基板から出て行く。つまり、液晶層１５の中を光が１回通る。

ここで、液晶層１５は、屈折率異方性を有しているため、液晶層１５を通る距離によって、光の偏光状態が変わってくる。そのため、画像を表示する場合に、正しく表示できなくなってしまう。そこで、光の偏光状態を調整する必要がある。そのための方法として、光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１の液晶層１５の厚さ（いわゆるセルギャップ）を薄くすることにより、２回通っても、距離が長くなりすぎないようにすればよい。

なお、絶縁層１３、絶縁層１４は、屈折率異方性をほとんど有しないため、そこを光が通っても、偏光状態は変化しない。よって、絶縁層１３、絶縁層１４の有無や厚さなどは、大きな影響は与えない。

そこで、液晶層１５の厚さ（いわゆるセルギャップ）を薄くするために、厚さを調整する膜を配置すればよい。図２０においては、絶縁層１３がそれに相当する。つまり、光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１において、絶縁層１３は液晶層の厚さを調整する為に設けられている層である。絶縁層１３を設けることによって反射部１００１における液晶層の厚さを、透過部１００２における液晶層の厚さよりも薄くすることが出来る。

なお、反射部１００１での液晶層１５の厚さは、透過部１００２における液晶層１５の厚さの２分の１となることが望ましい。ここで、２分の１とは、人間の目で視認できない程度のずれを有していても良い程度のずれ量も含む。

ただし、光は基板と垂直な方向、つまり法線方向のみから入射するわけではない。斜めから入射する場合も多い。よって、それらの場合を総合して、反射部１００１と透過部１００２とで、光の通る距離が概ね同じ距離になればよい。したがって、反射部１００１での液晶層１５の厚さは、透過部１００２における液晶層１５の厚さの概ね３分の１以上、３分の２以下となることが望ましい。

このように、液晶素子の電極１０が設けられている基板側に、液晶層の厚さを調整する膜として、絶縁層１３を配置することにより、液晶層の厚さの調整が容易になる。つまり、液晶素子の電極１０が設けられている基板側では、様々な配線や電極や膜が形成されている。よって、様々な配線や電極や膜が形成される流れの一環として、液晶層の厚さを調整する膜が形成されればよいので、液晶層の厚さが調整される上で、困難が少なくてすむ。また、他の機能を有する膜と同時に形成することも可能となるため、プロセス工程を簡略化でき、コストを低減することが出来る。

以上のような構成を有する本発明の液晶表示装置は、広視野角であり、また表示画面を見る角度に依存した色味の変化が少なく、さらに太陽光が照らされた外界においても暗い室内（若しくは夜の屋外）においても良好に視認される画像を提供することができる。

なお、図２０において、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とは、同一平面の上に配置されているが、これに限定されない。異なる平面の上に形成されていてもよい。

なお、図２０において、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とは、離れて配置されているが、これに限定されない。接触させて配置されていてもよいし、同じ電極で形成されていてもよい。また、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とは、電気的に接続されていてもよい。

なお、図２０において、液晶層１５の厚さを調整するための膜として、絶縁層１３が配置されているが、これに限定されない。対向基板側に液晶層１５の厚さを調整するための膜が配置されていてもよい。

なお、液晶層１５の厚さを薄くするために、液晶層１５の厚さを調整するための膜として絶縁層１３が配置されているが、逆に、液晶層１５の厚さを厚くするために、所定の領域において、膜を除去するようにしてもよい。

なお、反射電極は、その表面が平坦であってもよいが、凹凸を有していることが望ましい。凹凸を有することによって、光を拡散して反射させることが出来る。その結果、光を散らすことができるため、輝度を向上させることが出来る。

（実施の形態２）
実施の形態１と構成の異なる本発明の液晶表示装置の態様について図２１〜４２を用いて説明する。なお、実施の形態１と同じ機能を有するものについては同じ符号を用いて表す。

図２１には、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２が積層しているという点で、図２０の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２と共に同じ電位としたい場合、このように積層させ電気的に接続させてもよい。

なお、液晶素子の電極１１の下に液晶素子の電極１２が配置されているが、これに限定されない。液晶素子の電極１１の上に液晶素子の電極１２が配置されていてもよい。

なお、液晶素子の電極１１の下の全域にわたって、液晶素子の電極１２が配置されているが、これに限定されない。

なお、液晶素子の電極１１の下の全域にわたって、液晶素子の電極１２が配置されている場合、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とを１枚のマスクで形成することが可能である。通常、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とは、別々のマスクで形成されるが、この場合は、ハーフトーン、グレートーン等というマスクを作って、レジストの厚さを領域によって変えることにより、１枚のマスクで形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図２２では、液晶素子の電極１１及び液晶素子の電極１２のそれぞれの一部を積層させて、両電極を電気的に接続させている液晶表示装置の態様が示されている。このような構成によって、両電極を電気的に接続させてもよい。

なお、液晶素子の電極１１の上に、液晶素子の電極１２を配置して接触させているが、これに限定されない。液晶素子の電極１２の上に、液晶素子の電極１１を配置して接触させてもよい。

このように、液晶素子の電極１２を液晶素子の電極１１の上に配置しないことにより、そこでの光の損失を低減することが出来る。

図２３では、液晶素子の電極１１及び液晶素子の電極１２は、絶縁層１６を挟んで異なる層に設けられている。このように、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２はそれぞれ異なる層に設けられていてもよい。

このように、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とを異なる層に配置することにより、反射部１００１における液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１０との距離と、透過部１００２における液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０との距離とを、概ね同じ距離にすることが出来る。そのため、反射部１００１と透過部１００２とにおいて、電極の間隔を同程度にすることが出来る。電界のかかり方や強度は電極間の距離によって変化するため、電極の間隔を同程度にすることにより、反射部１００１と透過部１００２とにおいて、液晶層１５に加わる電界も同程度にすることが出来るため、液晶分子の制御を正確に行うことが出来る。また、反射部１００１と透過部１００２とで、液晶分子の回転度合いが概ね等しくなるので、透過型として表示する場合と、反射型として表示する場合とで、概ね等しい階調として画像を表示することが出来る。

なお、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１１の下方の領域全体に配置されているが、これに限定されない。液晶素子の電極１２は、少なくとも透過部１００２に配置されていればよい。

なお、絶縁層１６にコンタクトホールを形成し、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１１とを接続させてもよい。

図２４には、液晶素子の電極１１の方が液晶素子の電極１２よりも下層（液晶層１５よりも遠い方）に設けられている点で図２３の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

なお、液晶素子の電極１２は、反射部１００１にも形成されているが、これに限定されない。少なくとも、透過部１００２に配置されていればよい。

なお、液晶素子の電極１２が反射部１００１にも形成されている場合、反射部１００１においても、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０の間の電圧によって、液晶層１５を制御することになる。その場合は、液晶素子の電極１１は、反射電極としてのみ機能することとなり、反射部１００１における共通電極は液晶素子の電極１２が役割を担うこととなる。

したがって、その場合、液晶素子の電極１１に供給される電圧は任意となる。液晶素子の電極１２と同じ電圧を供給してもよいし、液晶素子の電極１０と同じ電圧を供給してもよい。その場合、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２との間で容量素子が形成されたこととなり、画像信号を保持するための保持容量として機能させることも出来る。

図８９には、絶縁層１４上に、反射部１００１の液晶素子の電極１１と透過部１００２の液晶素子の電極１０が形成されている。そして、絶縁層１３が、液晶素子の電極１１の上に形成され、その上に、反射部の液晶素子の電極１０が形成されている。液晶素子の電極１２は、絶縁層１４の下に形成されている。

なお、絶縁層１４にコンタクトホールを形成し、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１１とを接続させてもよい。

なお、図２０〜図２４、図８９において、電極の表面には、凹凸は記載していないが、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２に関して、その表面が平坦であることに限定されない。表面に凹凸を有していても良い。

また、図２０〜図２４、図８９において、絶縁層１３，絶縁層１４、絶縁層１６の表面には、凹凸は記載していないが、絶縁層１３，絶縁層１４、絶縁層１６に関して、その表面が平坦であることに限定されない。表面に凹凸を有していても良い。

なお、反射電極の表面に、大きな凹凸を複数設けることにより、光を拡散させることができる。その結果、表示装置の輝度を向上させることが出来る。そこで、図２０〜図２４、図８９に示した反射電極や透過電極（液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２）は、表面に凹凸を有していても良い。

なお、反射電極の表面の凹凸の形状は、出来るだけ光が拡散されやすくなっていればよい。

透過部１００２においては、電界のかかり方が乱れないようにするため、透過電極に凹凸がない方が望ましい。ただし、凹凸を有していても、表示に影響がなければ問題ない。

図２０において反射電極の表面に凹凸がある場合の図を図２５に示し、図２１において反射電極の表面に凹凸がある場合の図を図２６、図２７に示し、図２２において反射電極の表面に凹凸がある場合の図を図２８に示し、図２３において反射電極の表面に凹凸がある場合の図を図２９に示し、図２４において反射電極の表面に凹凸がある場合の図を図３０に示す。

よって、図２０〜図２４、図８９において、反射電極の表面に凹凸がない場合に述べた内容は、図２５〜図３０の場合にも適用できる。

図２５には、液晶素子の電極１１の下方にｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７が設けられているという点で図２０の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このようにｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７を設け、液晶素子の電極１１の表面に凹凸を設けることによって、光を散乱させることができ、光の反射に起因したコントラストの低下や、映り込みを防ぐことができ、輝度を向上させることが出来る。

なお、散乱体１７の形状は、出来るだけ光が拡散されやすくなっていることが望ましい。ただし、その上に電極や配線を配置する場合があるため、電極や配線が断線してしまわないような、滑らかな形状が望ましい。

図２６には、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２が積層しているという点で、図２５の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１１とを密着させる面積が多いため、接触抵抗を低くすることが出来る。

図２７には、散乱体１７が液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２との間に設けられているという点で、図２６の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

液晶素子の電極１２を形成した後に、散乱体１７を形成するため、透過部１００２において、液晶素子の電極１２を平坦にすることが出来る。

図２８には、液晶素子の電極１１の下方にｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７が設けられているという点で図２２の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図２９には、絶縁層１６の表面の一部に凹凸を有するという点で図２３の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このような絶縁層１６の形状を反映して液晶素子の電極１１の表面に凹凸が設けられる。

図３０には、液晶素子の電極１１の下に、表面の一部に凹凸を有する絶縁層１８を設けることによって液晶素子の電極１１の表面に凹凸が設けられているという点で、図２４の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

これまで、図２０〜図３０、図８９において、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３は、液晶素子の電極１０の下に形成されていたが、これに限定されない。図８４に示すように、液晶素子の電極１０の上に、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３が配置されていてもよい。図８４は、図２０に対応するものである。図２１〜図３０、図８９の場合においても、図８４と同様、液晶素子の電極１０の上に、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３を配置することが出来る。

これまで、図２０〜図３０、図８９、図８４において、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３は、液晶素子の電極１０が形成されている基板側に配置されていたが、これに限定されない。対向基板側に配置されていてもよい。

対向基板側に、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３を配置することにより、液晶素子の電極１０を、反射部１００１と透過部１００２において、同一平面上に配置することが可能となる。そのため、画素電極と共通電極との距離を、透過部１００２と反射部１００１とで、概ね等しくすることが可能となる。電界のかかり方や強度は電極間の距離によって変化するため、電極の間隔を同程度にすることにより、反射部１００１と透過部１００２とにおいて、液晶層１５に加わる電界も同程度にすることが出来るため、液晶分子の制御を正確に行うことが出来る。また、反射部１００１と透過部１００２とで、液晶分子の回転度合いが概ね等しくなるので、透過型として表示する場合と、反射型として表示する場合とで、概ね等しい階調として画像を表示することが出来る。

また、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３があると、その近傍において、液晶分子の配向状態が乱れてしまう可能性があり、ディスクリネーションなどの不良を生んでしまう可能性がある。しかし、対向基板上に液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３を配置することにより、液晶素子の電極１０から離すことができるので、電界のかかり方が弱くなるため、液晶分子の配向状態が乱れ、見にくくなってしまうことを防ぐことが出来る。

また、対向基板は、カラーフィルターやブラックマトリックスなどを形成するだけなので、工程数が少ない。よって、対向基板に液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３を形成しても、歩留まりを低下させにくくなる。仮に、不良が出ても、工程数が少なく、コストも安いので、製造コストが無駄になる量を少なくすることが出来る。

そこで、図２０において対向基板に厚さ調整膜がある場合の図を図３１に示し、図２１において対向基板に厚さ調整膜がある場合の図を図３２に示し、図２２において対向基板に厚さ調整膜がある場合の図を図３３に示し、図２３において対向基板に厚さ調整膜がある場合の図を図３４に示し、図２４において対向基板に厚さ調整膜がある場合の図を図３５に示す。

よって、図２０〜図２４、図８９、図８４において述べた内容は、図３１〜図３５の場合にも適用できる。

図３１には、反射部１００１において、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図２０の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図３２には、反射部１００１において、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図２１の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図３３には、反射部１００１において、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図２２の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図３４には、反射部１００１において、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図２３の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図３５には、反射部１００１において、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図２５の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

なお、図３１〜図３５において、電極の表面には、凹凸は記載していなかったが、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２に関して、その表面が平坦であることに限定されない。表面に凹凸を有していても良い。

また、図３１〜図３５において、絶縁層１４、絶縁層１６の表面には、凹凸は記載していなかったが、絶縁層１４、絶縁層１６などに関して、その表面が平坦であることに限定されない。表面に凹凸を有していても良い。

なお、反射電極の表面に、大きな凹凸を複数設けることにより、光を拡散させることができる。その結果、表示装置の輝度を向上させることが出来る。そこで、図３１〜図３５に示した反射電極や透過電極（液晶素子の電極１１、液晶素子の電極１２）は、表面に凹凸を有していてもよい。

なお、これは、図２０〜図２４、図８９、図８４に対して、凹凸のある場合の図２５〜図３０と同等である。つまり、図３１〜図３５に対して、反射電極の表面に凹凸を有していてもよい。そこで図３１に対して、凹凸がある場合の例を、図３６に示す。図３２〜図３５に対しても、同様に適用させることができる。

なお、図３１において、反射電極の表面に凹凸がない場合に述べた内容は、図３６の場合にも適用できる。

図３６には、液晶層１５の厚さを調整する為の絶縁層１９が液晶層１５を挟んで、液晶素子の電極１０と反対側に設けられており、さらに、液晶素子の電極１０が絶縁層１４上に設けられているという点で図３１の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

これまで、図２０〜図３６、図８４、図８９において、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３は、液晶素子の電極１０が形成されている基板側や対向基板側に配置されていた場合があるが、これに限定されない。液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３自体が配置されていなくてもよい。その場合を図８５に示す。図８５は、図２０、図３１に対応するものである。図２０、図３１以外の場合の図２０〜図３６、図８４、図８９の場合においても、図８５と同様、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３自体が配置されていなくてもよい。

液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３自体が配置されていない場合は、反射部と透過部とで、光が液晶層を通る距離が異なってくる。したがって、光の偏光状態を変化させるもの、例えば、位相差板（λ／４板など）や屈折率異方性を有する材料（液晶など）を光が通る経路に配置することが望ましい。例えば、対向基板の液晶層と接しない側で、偏光板と対向基板との間に、位相差板を配置することにより、反射部と透過部とで、同様な光の透過状態を作ることが出来る。

なお、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明において、透過部１００２において、液晶素子の電極１０は、同じ平面の上に形成されていた場合があるが、これに限定されない。液晶素子の電極１０が、各々異なる平面の上に形成されていてもよい。

同様に、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明において、反射部１００１において、液晶素子の電極１０は、同じ平面の上に形成されていた場合があるが、これに限定されない。液晶素子の電極１０が、各々異なる平面の上に形成されていてもよい。

なお、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明において、反射部１００１において、液晶素子の電極１１や液晶素子の電極１２は、平面状で、画素部一面に配置されていた場合があるが、これに限定されない。櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状でもよい。

なお、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明において、透過部１００２において、液晶素子の電極１２は、平面状で、画素部一面に配置されていた場合があるが、これに限定されない。櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状でもよい。

なお、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明において、反射部１００１において、液晶素子の電極１１や液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０の下側に配置されていた場合があるが、これに限定されない。櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状であれば、液晶素子の電極１０と同じ平面上に形成してもよいし、液晶素子の電極１０よりも上方に配置されていてもよい。

そこで、透過部において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合について述べる。この場合、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成できる場合がある。その場合、その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図３１の透過部１００２において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合の図を図３７に示し、図８９の透過部１００２において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合の図を図３８に示し、図２０の透過部１００２において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合の図を図８７に示し、図８４の透過部１００２において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合の図を図８８に示し、図８５の透過部１００２において、液晶素子の電極１２が、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状の場合の図を図９０に示す。

図３１に対する図３７や、図８９に対する図３８や、図２０に対する図８７や、図８４に対する図８８や、図８５に対する図９０、と同様に、図２０〜図３６、図８４、図８５、図８９や、これまでの説明の場合においても、透過部１００２において、液晶素子の電極１２を、櫛歯状で、スリットや隙間があるような形状に適用することが出来る。

図３７には、透過部１００２において液晶素子の電極１０及び液晶素子の電極１２がいずれも絶縁層１４の上に設けられているという点で図３１の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図８６に、図８７において液晶素子の電極間に電界をかけた様子を示す。光を反射させて表示を行う部分である反射部１００１において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１１の間に電位差が生じたとき、液晶層１５に含まれている液晶分子（１５ａ，１５ｂ）は、液晶素子の電極１０、１１の電極面と平行な方向（つまり基板と平行な面内において）に回転し、液晶層１５において光の通る量を制御できるようになる。より正確には、光の偏光状態を制御できるようになり、液晶分子（１５ａ，１５ｂ）が基板の外部に設けられている偏光板を通過する光の量を制御することが出来るようになる。図８６は、図１８（Ａ）、図９３（Ａ）に相当する。図１８（Ａ）から図１８（Ｂ）と、図９３（Ａ）から図９３（Ｂ）に示したように、液晶分子が回転するが、図８６に示した液晶分子（１５ａ，１５ｂ）も同様に回転する。外界から液晶表示装置内に入射した光は液晶層１５を通って、液晶素子の電極１１において反射した後、再び、液晶層１５を通って液晶表示装置内から射出する。

また、光を透過させて表示を行う部分である透過部１００２において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２との間に電位差が生じたとき、液晶層１５に含まれている液晶分子（１５ｃ，１５ｄ）は、液晶素子の電極１０、１２の電極面と平行な方向（つまり基板と平行な面内において）に回転し、液晶層１５において光の通る量を制御できるようになる。より正確には、光の偏光状態を制御できるようになり、液晶分子（１５ｃ，１５ｄ）が基板の外部に設けられている偏光板を通過する光の量を制御することが出来るようになる。図８６は、図１８（Ａ）、図９３（Ａ）に相当する。図１８（Ａ）から図１８（Ｂ）と、図９３（Ａ）から図９３（Ｂ）に示したように、液晶分子が回転するが、図８６に示した液晶分子（１５ｃ，１５ｄ）も同様に回転する。バックライトから液晶表示装置内に入射した光は液晶層１５を通った後、液晶表示装置内から射出する。

図３７では、同じ平面上に、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０とが形成されている。よって、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図３８には、絶縁層１３を液晶素子の電極１１の上に設けると共に、透過部１００２において、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１２を同じ層に設けた構成の液晶表示装置の態様が示されている。透過部１００２において液晶素子の電極１０及び液晶素子の電極１２がいずれも絶縁層１４の上に設けられているという点で図８９の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このように、反射部１００１では一対の液晶素子の電極の間に絶縁層１３を設け、透過部１００２では、一対の液晶素子の電極を同じ層に設けるという構成としてもよい。

図３８では、絶縁層１３を形成した後に、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０とが形成されている。よって、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図８７には、絶縁層１４を液晶素子の電極１１の上に設けると共に、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１２を同じ層に設けた構成の液晶表示装置の態様が示されている。透過部１００２において液晶素子の電極１０及び液晶素子の電極１２がいずれも絶縁層１４の上に設けられているという点で図２０の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このように、反射部１００１では一対の液晶素子の電極の間に絶縁層を設け、透過部１００２では、一対の液晶素子の電極を同じ層に設けるという構成としてもよい。

図８７では、絶縁層１３を形成した後に、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０とが形成されている。よって、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図８８には、絶縁層１４を液晶素子の電極１１の上に設けると共に、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１２を同じ層に設けた構成の液晶表示装置の態様が示されている。透過部１００２において液晶素子の電極１０及び液晶素子の電極１２がいずれも絶縁層１４の上に設けられているという点で図８４の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このように、反射部１００１では一対の液晶素子の電極の間に絶縁層１４を設け、透過部１００２では、一対の液晶素子の電極を同じ層に設けるという構成としてもよい。

図８８では、絶縁層１４を形成した後に、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０とが形成されることが可能である。よって、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図９０には、絶縁層１４を液晶素子の電極１１の上に設けると共に、液晶素子の電極１０、液晶素子の電極１２を同じ層に設けた構成の液晶表示装置の態様が示されている。透過部１００２において液晶素子の電極１０及び液晶素子の電極１２がいずれも絶縁層１４の上に設けられているという点で図８５の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。このように、反射部１００１では一対の液晶素子の電極の間に絶縁層１４を設け、透過部１００２では、一対の液晶素子の電極を同じ層に設けるという構成としてもよい。

図９０では、絶縁層１４を形成した後に、液晶素子の電極１２と液晶素子の電極１０とが形成されることが可能である。よって、液晶素子の電極１２は、液晶素子の電極１０と同時に形成することが可能である。その結果、製造工程を簡略化でき、工程数を減らすことができ、マスク数（レチクル数）を減らすことが出来る。そのため、コストを低減することが可能となる。

図３９には、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２とが絶縁層１４を挟んで異なる層に設けられると共に、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２とは重なっていないという点で図３１の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

なお、液晶素子の電極１１と液晶素子の電極１２とは、同時に形成してもよい。

なお、透過部１００２において、液晶素子の電極１０と液晶素子の電極１２とを逆にしてもよい。つまり、一方の位置にあるものを他方の位置に移動させ、他方の位置にある方を一方の位置に移動させてもよい。

なお、図２０〜図２４に対する図２５〜図３０などと同様に、図３７、図３８、図８７、図８８、図９０およびそれらと同様な図についても、反射電極を凹凸状にすることが可能である。

図４０には、液晶素子の電極１１の下にｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７が設けられているという点で図３７の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図４１には、液晶素子の電極１１の下にｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７が設けられているという点で図３８の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

図４２には、液晶素子の電極１１の下にｃｏｎｖｅｘ形の散乱体１７が設けられているという点で図３９の液晶表示装置と異なる液晶表示装置の態様が示されている。

なお、図２０〜図４２，図８３〜図９０や、それらの図の組み合わせなど、これまでに述べてきた構成において、液晶層１５の上に配置される対向基板上にカラーフィルターが設けられていても良いし、液晶素子の電極１０の設けられた基板に設けられていても良い。

例えば、絶縁層１３、絶縁層１４、絶縁層１６、絶縁層１８、絶縁層１９などに関して、その中やその一部にカラーフィルターが設けられていても良い。

なお、カラーフィルターと同様に、ブラックマトリックスが設けられていても良い。もちろん、カラーフィルターとブラックマトリックスの両方が設けられていてもよい。

このように、絶縁層をカラーフィルターやブラックマトリックスとすることにより、材料費を節約することが出来る。

また、液晶素子の電極１０の設けられた基板にカラーフィルターやブラックマトリックスなどを配置することにより、対向基板との位置合わせのマージンが向上する。

なお、液晶素子の電極の位置や種類や形状、絶縁層の位置や形状などは、様々な形態をとることが出来る。つまり、ある図の液晶素子の電極の位置と、別の図の絶縁層の位置とを組み合わせることにより、さまざまな形態をとることが出来る。例えば、図２０における液晶素子の電極１１の形状を凹凸状にしたものを図２５に示し、図２０における液晶素子の電極１２の位置と形状を変更したものを図８７に示す。これまで述べた図において、各々の部分に関して、各々を組み合わせることにより、非常に複数の図を構成させることが出来る。

（実施の形態３）
アクティブマトリクス型の本発明の液晶表示装置の一態様について図１、図２を参照して説明する。

なお、本発明において、トランジスタは必須ではないため、トランジスタが配置されていない、いわゆるパッシブマトリクス型の表示装置にも適用可能である。

本実施の形態では、実施の形態１、実施の形態２において述べた構成や、そこで示した図の各々の構成要素の組み合わせにより実現できる構成について、トランジスタも一緒に形成した場合の実現例について示す。

図１で表されているように、トランジスタ１５１と液晶素子の電極１０３とは、それぞれ、基板１０１上に設けられている。

トランジスタ１５１は、ゲート電極１０２と半導体層１０６との間に絶縁層１０５を有し、ゲート電極１０２は半導体層１０６よりも下方に設けられたボトムゲート型のトランジスタである。ゲート電極１０２は、例えば、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銅、銀、クロム等の金属、アルミニウムとネオジウムを含んだり、金属と金属の組み合わせによる合金、金属と窒素を含む材料、及び窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等の金属窒化物等の導電性を有する材料を用いて形成されている。なお、ゲート電極１０２は、単層であってもよいし、多層であってもよい。また、絶縁層１０５は、例えば、酸化珪素、窒化珪素等の絶縁物を用いて形成されている。なお、絶縁層１０５は、単層であってもよいし、多層であってもよい。また、半導体層１０６は、珪素、シリコンゲルマニウム等の半導体を用いて形成されている。なお、これらの半導体の結晶性について特に限定はなく、アモルファスであってもよいし、多結晶性であってもよい。

半導体層１０６の上には、半導体層１０６の一部を覆うように保護膜１０７が設けられている。さらに、半導体層１０６の上には、配線１０８（１０８ａ、１０８ｂ）と配線１０９（１０９ａ、１０９ｂ）とが、それぞれ、半導体層１０６と電気的に接続するように設けられている。保護膜１０７は、配線１０８、１０９を形成する際のエッチングにより半導体層１０６がエッチングされてしまうのを防ぐ為に設けられており、例えば窒化珪素等の絶縁物を用いて形成されている。なお、保護膜１０７はチャネル保護膜、チャネルストップ膜等とも称され、さらにこのような保護膜１０７を有するトランジスタはチャネル保護型と呼ばれる。また、配線１０８は、Ｎ型の導電性を付与する不純物を含む半導体層（以下、Ｎ型半導体層１０８ａという。）と、導電層１０８ｂとが積層して構成されている。Ｎ型半導体層１０８ａは、燐やヒ素等を不純物として含む珪素等の半導体を用いて形成される。また、導電層１０８ｂは、例えば、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銀、銅、クロム等の金属、アルミニウムとネオジウムを含む合金、及び窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等の金属窒化物等の導電性を有する材料のいずれかを用いて形成されている。なお、導電層１０８ｂは、単層であってもよいし、多層であってもよい。

液晶素子の電極１０３は、導電層１０３ａと導電層１０３ｂとが積層された構成となっている。導電層１０３ａは、バックライトからの光を透過できるように、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ、ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛等の透光性を有し、さらに導電性も有する材料を用いて形成された層である。なお、これらの材料は、一般に透過電極材料と称されている。透過電極材料以外に、光が透過できる程度の厚さに形成され、不純物が含まれることによって導電性を付与された珪素膜も導電層１０３ａとして用いることができる。導電層１０３ｂは、液晶表示装置に入射してきた光を反射させる為に設けられている。本形態の液晶表示装置では、導電層１０３ｂは、ゲート電極１０２と同時に同じ材料で形成されている。しかし、ゲート電極１０２と導電層１０３ｂとは、必ずしも同じ材料で形成される必要はなく、それぞれ異なる材料を用いて異なる工程で形成されてもよい。

トランジスタ１５１、配線１０８、配線１０９、及び液晶素子の電極１０３上には、これらを覆う絶縁層１１０が設けられている。絶縁層１１０にはコンタクトホールが設けられている。絶縁層１１０は、例えば、酸化珪素、窒化珪素、アクリル、ポリイミド等の絶縁物を用いて形成されている。なお、絶縁層１１０は、単層であってもよいし、多層であってもよい。例えば、酸化珪素及び／又は窒化珪素により形成された層の上にアクリル、ポリイミド等により形成された層を設けることで、絶縁層１１０の平坦性を高め、液晶分子の配向の乱れを防ぐことができる。絶縁層１１０の上に設けられた液晶素子の電極１１１は、絶縁層１１０に設けられたコンタクトホールを通って配線１０９と電気的に接続している。さらに、絶縁層１１０の上には、配向膜１１２が設けられている。

なお、絶縁層として、絶縁層１１０には無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料には、酸化珪素又は窒化珪素を用いることができる。有機材料には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。

絶縁層に有機材料を用いると、その表面の平坦性を高めることができ、好ましい。絶縁層に無機材料を用いると、半導体層やゲート電極の表面形状に沿うような表面を有し、この場合であっても、厚膜化することにより平坦性を有しうる。

以上に説明したように、基板１０１上には、液晶表示装置を駆動させる為の回路が設けられている。基板１０１と対向するように設けられた基板１２１には、トランジスタ１５１と重畳するように、遮光層１２２が設けられている。遮光層１２２は、例えばタングステン、クロム、およびモリブデン等の導電物、タングステンシリサイド等のシリサイド、または黒色の顔料若しくはカーボンブラックを含む樹脂材料を用いて形成されている。また、液晶素子の電極１０３、液晶素子の電極１１１と重畳するようにカラーフィルター１２３が設けられている。カラーフィルター１２３の上には、さらに配向膜１２４が設けられている。配向膜１２４とカラーフィルター１２３との間には、ギャップ調整膜１２６が設けられている。

基板１０１と基板１２１との間には液晶層１２５が設けられている。液晶層１２５は、液晶素子の電極１０３と液晶素子の電極１１１との間に電位差が生じるように電圧を印加したときに、基板面と概ね平行な方向に回転する液晶分子を含んでいる。また、バックライトからの光を透過させて表示を行う部分の透過部１６１における液晶層１２５の厚さｄ_１は、太陽光やフロントライトからの光等の外光を反射させて表示を行う部分の反射部１６２における液晶層１２５の厚さｄ_２の約２倍となるように、ギャップ調整膜１２６によって調整されている。液晶層１２５の厚さをこのように調整することで、コントラストの高い画像を表示させることができる。ギャップ調整膜１２６は、可視光を透過できるように透光性を有する樹脂で形成されている。なおギャップ調整膜１２６には、反射による映り込みを防いだり、光を拡散させて輝度を向上させることができるように散乱材として機能する粒子１２９を含ませることが好ましい（図１３）。粒子１２９は、ギャップ調整膜１２６を構成している基材（例えばアクリル樹脂など）と屈折率が異なると共に、透光性を有する樹脂材料から成る。このように粒子１２９を含ませることによって、光を散乱させることができ、表示画像のコントラスト、輝度も向上する。また、基板１０１と基板１２１の上には、それぞれ偏光板１２７ａ、１２７ｂが設けられている。偏光板１２７ａ、１２７ｂは、それぞれ、基板１０１、１２１を中心として液晶層１２５が設けられている側とは逆側に設けられている。

以上に説明した本発明の液晶表示装置の上面図を図２に示す。図２において破線Ａ−Ａ’で表されている部分の断面構造が、図１を用いて説明した断面構造に相当する。なお、図２では、図１と同一のものについては同じ符号を用いて表している。

図２から分かるように、ゲート電極１０２は、ゲート線１３１の一部である。ゲート線１３１のなかで、特にトランジスタ１５１をスイッチングさせる為の電極として機能する部分がゲート電極１０２である。また、配線１０８はソース線１３３の一部である。ゲート線と交差するように設けられているソース線１３３から延び、トランジスタ１５１の半導体層１０６との電気的な接続を担っている部分が配線１０９である。また、コモン配線１３２は、液晶表示装置に設けられた複数の画素に含まれている液晶素子の電極１０３が同じ電位となるように引き回されている配線であり、液晶素子の電極１０３と電気的に接続している。このようにコモン配線と電気的に接続した液晶素子の電極１０３は、一般的に共通電極とも呼ばれる。これに対し、ソース線からの伝わる電位によって電位が随時変化する液晶素子の電極１１１は、一般的に画素電極とも呼ばれる。本形態では、導電層１０３ａと導電層１０３ｂは、ゲート線１３１及びコモン配線１３２と共に形成されている。なお、導電層１０３ａと液晶素子の電極１１１の積層部、及び導電層１０３ｂと液晶素子の電極１１１の積層部は容量素子として機能させることができる。

液晶表示装置には、図１、図２を用いて説明した構成を有する複数の画素がマトリクス状に配列されて設けられている。各画素には、ゲート線１３１及びソース線１３３から信号が与えられる。信号によって、トランジスタがオンとなり、液晶素子の電極１０３と液晶素子の電極１１１との間に電位差が生じたとき（つまり、横方向の電界が生じたとき）に液晶層１２５に含まれた液晶分子は基板面と概ね平行な方向に回転する。液晶分子が回転することによって、光が液晶層１２５を透過するようになる。そして、各画素において液晶層１２５を透過した光が組み合わさり画像が表示される。

なお、図１、図２において、チャネル保護型のトランジスタの例を示したが、これに限定されない。チャネルの保護膜１０７の存在しない、チャネルエッチ型を用いても良い。

なお、図１、図２において、ボトムゲート型のトランジスタの例を示したが、これに限定されない。トップゲート型（プレーナ型などを含む）を用いても良い。

なお、実施の形態１、実施の形態２で示した内容を本実施の形態に自由に適用することが可能である。

（実施の形態４）
実施の形態３では、トランジスタ１５１を介してソース線１３３からの信号が入力される液晶素子の電極１０３（所謂、画素電極）と、コモン配線１３２と電気的に接続している液晶素子の電極１１１（所謂、共通電極）とが、異なる層に設けられた態様が示されている。これに対し、本形態では、一対の液晶素子の電極が同じ層に設けられた構成と、それぞれ別の層に設けられた一対の液晶素子の電極を有する構成を含む態様について図３、４を用いて説明する。なお、図３は、図４において破線Ｂ−Ｂ’で表される部分の断面構造に相当する断面図である。

本形態では、図４から分かるように、ゲート線２３１と同じ層でコモン配線２３２が形成されている。なお、コモン配線２３２は、画素毎に設けられており、それぞれの各画素に設けられたコモン配線２３２は、液晶素子の電極２０３、液晶素子の電極２０４と電気的に接続している。

図４から分かるように、液晶素子の電極２０３と液晶素子の電極２１１とは、交互に配列されている。そして、液晶素子の電極２１１は、図３の断面図からも分かるように配線２０９を介してトランジスタ２５１と電気的に接続している。一方、液晶素子の電極２０３は、配線２３４を介してコモン配線２３２と電気的に接続している。

トランジスタ２５１は、実施の形態３で説明したトランジスタ１５１と同様に、ゲート電極２０２の上に絶縁層２０５を有し、さらに絶縁層２０５の上に半導体層２０６を有するボトムゲート型のトランジスタである（図３）。トランジスタ２５１を構成している半導体層２０６、絶縁層２０５、ゲート電極２０２を形成している材料については、それぞれ、実施の形態３に記載の半導体層１０６、絶縁層１０５、ゲート電極１０２と同様である為、説明を省略する。

本形態では、トランジスタ２５１のゲート電極２０２と同時に反射膜としても機能する液晶素子の電極２０４も形成されている。従って、本形態では、液晶素子の電極２０４とゲート電極２０２とは同じ材料で構成されている。なお、液晶素子の電極２０４は、必ずしもゲート電極２０２及びゲート線２３１と同時に形成する必要はなく、例えば、配線２０８、配線２０９及びソース線２３３と同時に形成してもよい。トランジスタ２５１と液晶素子の電極２０４とは、コンタクトホールが設けられた絶縁層２１０に覆われている。絶縁層２１０の上には、透光性及び導電性を有する材料を用いて形成された液晶素子の電極２０３、液晶素子の電極２１１が形成されており、特に液晶素子の電極２１１は、コンタクトホールと配線２０９を介して半導体層２０６と電気的に接続している。半導体層２０６は、液晶素子の電極２１１と電気的に接続している側とゲート電極２０２を挟んで反対の側で配線２０８を介してソース線２３３とも電気的に接続している。なお、トランジスタ２５１等を覆っている絶縁層２１０は、図３に示すように、表面を平坦化されていてもよい。絶縁層２１０の表面を平坦にする方法について特に限定はなく、化学的物理的研磨法（ＣＭＰ）によって研磨することで平坦化してもよいし、または液状の樹脂材料等をスピンコート法等で塗布することによって液体の流動性を利用した方法で平坦化してもよい。なお、樹脂材料や液晶層にトランジスタの性能を低下させるような不純物が含まれている場合は、この不純物の拡散を防ぐ為にトランジスタ２５１と樹脂材料で形成された絶縁層との間に窒化珪素を含む絶縁層を設けてトランジスタ２５１への不純物の拡散を防ぐことが好ましい。

液晶素子の電極２０４は、図３、図４から分かるように、液晶素子の電極２１１の一部と重なるように設けられている。よって、２つの電極により、容量素子を形成している。これが、保持容量に相当し、そこに、画像信号を保持することが出来る。液晶素子の電極２０４が設けられていない部分である透過部２６１では、バックライトからの光を透過させることによって表示が行われる。一方、液晶素子の電極２０４が設けられた部分である反射部２６２では、太陽光等の外光を液晶素子の電極２０４において反射させることによって表示が行われる。

液晶素子の電極２０３、２１１の上には配向膜２１２が設けられている。そして、トランジスタ２５１及び液晶素子の電極２０３、液晶素子の電極２１１等が設けられた基板２０１と液晶層２２５を挟んで対向するように、基板２２１が設けられている。基板２２１には、実施の形態３で説明した基板１２１と同様に、トランジスタ２５１と重なるように設けられた遮光層２２２、光が透過する領域に設けられたカラーフィルター２２３、反射部２６２と重なるように設けられたギャップ調整膜２２６、及び液晶分子を配向させる為に設けられた配向膜２２４が設けられている。本形態においても、ギャップ調整膜２２６によって、透過部２６１における液晶層２２５の厚さｄ_１は、太陽光等の外光を反射させて表示を行う部分である反射部２６２における液晶層２２５の厚さｄ_２の約２倍となるように調整されている。なお実施の形態１と同様にギャップ調整膜２２６には光散乱させる為の粒子が含まれていてもよい。また、基板２０１と基板２２１の上には、それぞれ偏光板２２７ａ、偏光板２２７ｂが設けられている。偏光板２２７ａ、偏光板２２７ｂは、それぞれ、基板２０１、基板２２１を中心として液晶層２２５が設けられている側とは逆側に設けられている。

以上のような構成を有する液晶表示装置において、ゲート線２３１からの信号の入力によってトランジスタ２５１がオンとなったとき、ソース線２３３の電位が液晶素子の電極２１１に伝わる。その結果、透過部２６１においては液晶素子の電極２１１と液晶素子の電極２０３との間に電位差が生じ、液晶層２２５に含まれた液晶分子が基板面と概ね平行な方向に回転する。また反射部２６２においては液晶素子の電極２１１と液晶素子の電極２０４との間に電位差が生じ、液晶層２２５に含まれた液晶分子が基板面と概ね平行な方向に回転する。液晶分子が回転することによって、光が液晶層２２５を透過するようになる。そして、各画素において液晶層２２５を透過した光が組み合わさり画像が表示される。

この構成の場合、透過部２６１において、画素部一面に形成された共通電極を作成する必要がない。透過部２６１での共通電極は、液晶素子の電極２０３であるので、液晶素子の電極２１１と同時に形成できる。したがって、画素部一面に形成された共通電極を作成する場合と比べて、プロセス工程数を減らし、マスク（レチクル）数を減らし、コストを低減することが出来る。

本実施の形態は、実施の形態３と液晶素子の電極に関する部分が少し異なるだけであるため、実施の形態１〜実施の形態３で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態５）
実施の形態３、実施の形態４では、トランジスタ、配線、液晶素子の電極等が設けられた基板と液晶層を挟んで対向している基板の方にギャップ調整膜が設けられた液晶表示装置について説明した。本形態では、トランジスタ、配線、液晶素子の電極等が設けられた基板側にギャップ調整膜が設けられた態様について図５、６を用いて説明する。なお、図５は、図６において破線Ｃ−Ｃ’で表される部分の断面構造に相当する断面図である。

また、図１〜図４では、ボトムゲート型のトランジスタの場合を示したが、本実施の形態では、トップゲート型のトランジスタの場合について示す。

図５において、基板３０１上には、トランジスタ３５１が設けられている。トランジスタ３５１は、半導体層３０６、ゲート電極３０２、及び半導体層３０６とゲート電極３０２との間に設けられた絶縁層３０５で構成されている。なお、本形態では、トランジスタ３５１は、ゲート電極３０２が半導体層３０６よりも上方に設けられたトップゲート型のトランジスタである。本発明の実施に用いるトランジスタは、このようなトップゲート型であってもよいし、または図１、図３で示されているようなボトムゲート型であってもよい。なお、ゲート電極３０２は、図６から分かるように、ゲート線３３１から延びた部分であり、ゲート線３３１と電気的に接続している。

トランジスタ３５１は、コンタクトホールが設けられた絶縁層３１０によって覆われている。絶縁層３１０の上には、配線３０８、配線３０９、及び導電層３０４が設けられている。本形態において、これら配線３０８、配線３０９、及び導電層３０４は、同じ工程で形成されている。配線３０８は、図６から分かるようにソース線３３３から延びた部分であり、ソース線３３３と電気的に接続している。

トランジスタ３５１を覆うと共に、導電層３０４の端部が露出するように設けられた絶縁層３２６は、ギャップ調整膜として設けられている。絶縁層３２６の上には、透光性及び導電性を有する材料を用いて形成された液晶素子の電極３１１が設けられている。液晶素子の電極３１１は、図６からも分かるように、絶縁層３１０（図示しない）上であって導電層３０４及び絶縁層３２６が設けられていない部分にも延びて設けられている。絶縁層３１０上には、液晶素子の電極３１１の他、液晶素子の電極３０３も設けられている。液晶素子の電極３１１と液晶素子の電極３０３とは、交互に配列されている。液晶素子の電極３０３は、図６からも分かるように、一部が導電層３０４と積層し、導電層３０４と電気的に接続している。さらに、導電層３０４は、ゲート線３３１と同じ層で設けられたコモン配線３３２と絶縁層３１０に設けられたコンタクトホールを通って電気的に接続している。つまり、液晶素子の電極３０３はコモン配線３３２と電気的に接続している。このように導電層３０４は、液晶素子の電極３０３とコモン配線３３２とを電気的に接続させる為の配線として機能すると共に、液晶表示装置内に入射した光を反射させて表示を行う為の反射膜としても機能する。

液晶素子の電極３０３、液晶素子の電極３１１の上には配向膜３１２が設けられている。そして、トランジスタ３５１及び液晶素子の電極３０３、液晶素子の電極３１１等が設けられた基板３０１と液晶層３２５を挟んで対向するように、基板３２１が設けられている。基板３２１には、トランジスタ３５１と重なるように設けられた遮光層３２２、光が透過する領域に設けられたカラーフィルター３２３、及び液晶分子を配向させる為に設けられた配向膜３２４が設けられている。

液晶層３２５は、絶縁層３２６によって、バックライトからの光を透過させて表示を行う部分である透過部３６２における液晶層３２５の厚さｄ_１が太陽光等の外光を反射させて表示を行う部分である反射部３６１における液晶層３２５の厚さｄ_２の約２倍となるように厚さを調整されている。また、基板３０１と基板３２１の上には、それぞれ偏光板３２７ａ、３２７ｂが設けられている。偏光板３２７ａ、偏光板３２７ｂは、それぞれ、基板３０１、基板３２１を中心として液晶層３２５が設けられている側とは逆側に設けられている。

以上のような構成を有する液晶表示装置において、ゲート線３３１からの信号の入力によってトランジスタ３５１がオンとなったとき、ソース線３３３からの信号が液晶素子の電極３１１に伝わる。その結果、透過部３６２においては、液晶素子の電極３１１と液晶素子の電極３０３との間に電位差が生じ、液晶層３２５に含まれた液晶分子が基板面と平行な方向に回転する。また、反射部３６１においては、液晶素子の電極３１１と導電層３０４との間に電位差が生じ、液晶層３２５に含まれた液晶分子が基板面と平行な方向に回転する。このように液晶分子が回転することによって、光が液晶層３２５を透過するようになる。そして、各画素において液晶層３２５を透過した光が組み合わさり画像が表示される。

この構成の場合、透過部３６２において、画素部一面に形成された共通電極を作成する必要がない。透過部３６２での共通電極は、液晶素子の電極３０３であるので、液晶素子の電極３１１と同時に形成できる。したがって、プロセス工程数を減らし、マスク（レチクル）数を減らし、コストを低減することが出来る。

本実施の形態は、実施の形態４とトランジスタに関する部分が少し異なるだけであるため、実施の形態１〜実施の形態４で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態６）
ソース線からの電位を伝えられる液晶素子の電極（第１の電極）と、コモン配線からの電位を伝えられる液晶素子の電極（第２の電極）とは、それぞれ、実施の形態３で説明した液晶表示装置のように、それぞれ、間に絶縁層を挟んで異なる層に設けられていてもよいし、または、実施の形態４で説明した液晶表示装置のように、それぞれ、同じ絶縁層の上に設けられていてもよい。さらに、本形態の液晶表示装置のように、光を反射させることによって表示を行う部分では、第１の電極と第２の電極とが、それぞれ、絶縁層を挟んで異なる層に設けられ、光を透過させることによって表示を行う部分では、第１の電極と第２の電極とが、それぞれ、同じ絶縁層の上に設けられる構成であってもよい。

本形態では、ギャップ調整膜が液晶層側に設けられると共に、光を反射させて表示を行う部分においても、光を透過させて表示を行う部分においてもソース線からの電位を伝えられる液晶素子の電極とコモン配線からの電位を伝えられる液晶素子の電極とが、いずれも同じ層で形成されている液晶表示装置の態様について図７、図８を用いて説明する。なお、図７は、図８において破線Ｄ−Ｄ’で表される部分の断面構造に相当する断面図である。

図７において、基板４０１上には、トランジスタ４５１が設けられている。トランジスタ４５１は、半導体層４０６、ゲート電極４０２、及び半導体層４０６とゲート電極４０２との間に設けられた絶縁層４０５で構成されている。なお、実施の形態５と同様に本形態でも、トランジスタ４５１は、ゲート電極４０２が半導体層４０６よりも上方に設けられたトップゲート型のトランジスタである。なお、ゲート電極４０２は、図８から分かるように、ゲート線４３１から延びた部分であり、ゲート線４３１と電気的に接続している。

トランジスタ４５１は、コンタクトホールが設けられた絶縁層４１０によって覆われている。絶縁層４１０の上には、配線４０８、配線４０９、及び導電層４０４が設けられている。本形態において、これら配線４０８、配線４０９、及び導電層４０４は、同じ工程で形成されている。配線４０８は、図８から分かるようにソース線４３３から延びた部分であり、ソース線４３３と電気的に接続している。なお、導電層４０４は、太陽光等の外光を反射させる為の反射膜として用いられる。

トランジスタ４５１及び導電層４０４を覆うように設けられた絶縁層４２６は、ギャップ調整膜として設けられている。絶縁層４２６の上には液晶素子の電極４１１が設けられている。液晶素子の電極４１１は、図８からも分かるように、絶縁層４１０上であって導電層４０４及び絶縁層４２６が設けられていない部分にも延びて設けられている。絶縁層４１０上には、液晶素子の電極４１１の他、液晶素子の電極４０３も設けられている。液晶素子の電極４１１と液晶素子の電極４０３とは、交互に配列されている。液晶素子の電極４０３は、絶縁層４２６に設けられたコンタクトホールを通り、ソース線と同じ層で形成されたコモン配線４３２と電気的に接続している。また、コモン配線４３２は画素毎に設けられ、各画素に設けられたコモン配線４３２は、液晶素子の電極４０３から延びソース線４３３上を跨ぐ配線によって電気的に接続されている。

液晶素子の電極４０３、４１１の上には配向膜４１２が設けられている。そして、トランジスタ４５１及び液晶素子の電極４０３、液晶素子の電極４１１等が設けられた基板４０１と液晶層４２５を挟んで対向するように、基板４２１が設けられている。基板４２１には、実施の形態３で説明した１２１と同様に、トランジスタ４５１と重なるように設けられた遮光層４２２、光が透過する領域に設けられたカラーフィルター４２３、及び液晶分子を配向させる為に設けられた配向膜４２４が設けられている。

液晶層４２５は、絶縁層４２６によってバックライトからの光を透過させて表示を行う部分である透過部４６２における液晶層４２５の厚さｄ_１が、太陽光等の外光を反射させて表示を行う部分である反射部４６１における液晶層４２５の厚さｄ_２の２倍となるように厚さを調整されている。また、基板４０１と基板４２１の上には、それぞれ偏光板４２７ａ、偏光板４２７ｂが設けられている。偏光板４２７ａ、偏光板４２７ｂは、それぞれ、基板４０１、基板４２１を中心として液晶層４２５が設けられている側とは逆側に設けられている。

以上のような構成を有する液晶表示装置において、ゲート線４３１からの信号の入力によってトランジスタ４５１がオンとなったとき、ソース線４３３からの信号が液晶素子の電極４１１に伝わる。その結果、透過部４６２においては、液晶素子の電極４１１と液晶素子の電極４０３との間に電位差が生じ、液晶層４２５に含まれた液晶分子が基板面と平行な方向に回転する。また、反射部４６１においては、液晶素子の電極４１１と導電層４０４との間に電位差が生じ、液晶層４２５に含まれた液晶分子が基板面と平行な方向に回転する。このように液晶分子が回転することによって、光が液晶層４２５を透過するようになる。そして、各画素において液晶層４２５を透過した光が組み合わさり画像が表示される。

（実施の形態７）
本発明の液晶表示装置のように、光を反射させて表示を行う場合、前述のように光りを散乱させる為の粒子をギャップ調整膜に含ませてもよいが、この他に、通過する光の波長の位相を４分の１波長分遅らせる機能を有するリターダーを設けることによって光の反射に起因した映り込みを防ぐことができる。本形態では、リターダーを設ける液晶表示装置の態様について図９を用いて説明する。

図９には、図１で表された液晶表示装置にさらにリターダー１２８ａ、リターダー１２８ｂを設けた液晶表示装置の態様が示されている。リターダー１２８ａは基板１０１と偏光板１２７ａとの間に設けられている。また、リターダー１２８ｂは、反射膜として機能する導電層１０３ｂの上方であって絶縁層１１０と配向膜１１２との間に設けられている。

透過部１６１において、基板１０１側から入射し基板１２１側へ液晶層１２５を透過して射出される光は、リターダー１２８ａ、１２８ｂの両方を通過し、２分の１波長分位相を遅らせられた光となる。また、光の反射によって表示を行う部分の反射部１６２において、基板１２１側から入射し導電層１０３ｂで反射する光はリターダー１２８ｂを二度（入射時と反射時に）通過する。従って、反射部１６２では入射光に対し２分の１波長分位相を遅らせられた反射光が射出される。

以上のような構成とすることによって、反射に起因した映り込み、コントラストの低下を防止することができる。なお、リターダーは図１で表される液晶表示装置に限らず、本発明に係るその他の液晶表示装置において設けても構わない。

（実施の形態８）
実施の形態３〜７では、ギャップ調整膜に粒子を含ませることによって、またはリターダーを設けることによって光の反射に起因した映り込みを防ぐ液晶表示装置の態様について説明したが、本形態では、反射膜、若しくは反射膜としても機能する液晶素子の電極の上に凹凸を設けることによって光の反射に起因した映り込みを防いだり、反射型表示装置として用いる場合に、輝度を上昇させるため、液晶表示装置の態様について図１０を用いて説明する。

図１０には、図３で表された液晶表示装置にさらに散乱体２２８を設けた液晶表示装置の態様が示されている。散乱体２２８は、光を散乱させる為に中心になるにつれて厚みを増すような曲面を有する形状となっている。このように、散乱体２２８を設けることによっても、光の反射による映り込みを防ぐことができ、コントラストの高い画像を表示することができたり、輝度を向上させることができる。

（実施の形態９）
以上に説明した実施の形態３〜８では、液晶層を挟んでトランジスタ等が設けられていない側の基板にカラーフィルターが設けられた液晶表示装置について説明したが、この他に、トランジスタを覆っている絶縁層にカラーフィルターやブラックマトリックスを設けることもできる。本形態では、トランジスタを覆っている絶縁層においてカラーフィルターを設ける液晶表示装置の態様について図１１を用いて説明する。

図１１には、カラーフィルター５２９を液晶素子の電極５０３、液晶素子の電極５１１とトランジスタ５５１を覆っている絶縁層５１０との間に設けた態様の液晶表示装置の態様が示されている。図１１において、絶縁層５１０上にはカラーフィルター５２９の他、トランジスタ５５１と重なる遮光層５３０も設けられている。

なお、どちらか一方のみ配置されていてもよい。

カラーフィルター５２９と遮光層５３０とは、それぞれ、別の工程で絶縁層５１０上に形成され、間隔をおいて設けられている。カラーフィルター５２９と遮光層５３０のいずれも設けられていない部分において、絶縁層５１０にはトランジスタに至るコンタクトホールが設けられている。液晶素子の電極５１１は、カラーフィルター５２９及び遮光層５３０の端部を覆うと共に、絶縁層５１０に設けられたコンタクトホールを通って配線５０９と電気的に接続している。なお、本形態のように遮光層５３０が液晶素子の電極５１１と接する場合、遮光層５３０は黒色の顔料を含む樹脂材料等の絶縁物で形成することが好ましい。また、遮光層５３０に金属材料を用いて形成する場合は、遮光層５３０と液晶素子の電極を絶縁させる為の絶縁層をこれらの間に設けることが好ましい。

また、本形態のように、トランジスタ５５１とカラーフィルター５２９とが近接して設けられる場合、カラーフィルターに含まれる不純物がトランジスタ５５１側に拡散するのを防ぐように、絶縁層５１０を窒化珪素で形成する、若しくは、例えば図１２で表されるように絶縁層５１０を絶縁層５１０ａ及び絶縁層５１０ｂを含む多層とし、少なくとも一層を窒化珪素で形成することが好ましい。

以上のように、反射膜５０４、若しくは反射膜として機能する導電層と液晶層５２５との間にカラーフィルター５２９を設けた構成の液晶表示装置としてもよい。光の反射によって表示を行う部分である反射部５６２において、基板５２１側から入射した光は反射膜５０４で反射した後、カラーフィルター５２９を通った後液晶層５２５を通り、液晶表示装置の外部へ射出される。また、光を透過させることによって表示を行う部分である透過部５６１において、基板５０１側から入射した光はカラーフィルター５２９及び液晶層５２５を順に通り、液晶表示装置の外部へ射出される。

なお、図１１の液晶表示装置は、図３の液晶表示装置と、カラーフィルター及び遮光層が設けられている部位が異なるのみで、他の構成については図３の液晶表示装置と同様である。

したがって、図１，図３、図５、図７など、様々な場合において、カラーフィルターや遮光層（ブラックマトリックス）を配置することができる。

なお、カラーフィルターや遮光層（ブラックマトリックス）は、様々な絶縁層として、または、その一部として配置することが出来る。

したがって、実施の形態１〜実施の形態８で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１０）
図２、図４、図６、図８の上面図では、ソース線からの電位を伝えられる液晶素子の電極（第１の電極）と、コモン配線からの電位を伝えられる液晶素子の電極（第２の電極）との少なくとも一方が櫛形である態様が表されているが、第１の電極及び第２の電極の形状は、図２、図４、図６、図８で表されるものに限定されるわけではなく、例えばジグザグ形であってもよいし、波のようにくねくねと曲がっていても良い。本形態では、図２、図４、図６、図８に示した態様とは異なる電極形状を有する液晶表示装置の態様について図１４、図１５、図９１を用いて説明する。

図１４には、ソース線からの電位を伝えられる液晶素子の電極２１１ａと、コモン配線からの電位を伝えられる液晶素子の電極２０３ａとがいずれもジグザグ形である液晶表示装置の態様について表されている。なお、図１４の液晶表示装置は、液晶素子の電極形状については図４の液晶表示装置と異なるが、その他の構成については図４と同様である。

また、図１５には、長細く延びた形状の開口部が複数設けられたスリット状の液晶素子の電極１１１ａを有する液晶表示装置の態様について表されている。この液晶表示装置は、液晶素子の電極形状については、図２の液晶表示装置と異なるが、その他の構成については図２と同様である。従って、液晶素子の電極１１１ａの開口部からは、導電層１０３ａ、導電層１０３ｂが露出している。

また、図９１のような形状にすることも可能である。

このような配置にすることにより、液晶分子の回転する方向などを、１画素内で異なる領域が存在できるようになる。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の角度から見たときに、画像の表示が正しくなくなってしまうということを低減することが出来る。

なお、実施の形態１〜実施の形態９で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１１）
本発明は上述の実施の形態１〜１０の態様の他にも様々な態様で実施することができる。本発明の液晶表示装置の様々な態様を図４３〜８２に示す。

図４３〜８２は、実施の形態１〜１０などで述べた内容を、具体的に示したものの一例である。なお、本実施の形態では、実施の形態１〜１０において述べた構成や、そこで示した図の各々の構成要素の組み合わせにより実現できる構成について、トランジスタも一緒に形成した場合について示す。

なお、図４３〜８２において、ソース線からの電位が伝えられる方の液晶素子の電極は画素電極４００８と記され、コモン配線と電気的に接続している方の液晶素子の電極は共通電極４０１９と記されている。また、ゲート電極４００１と同じ材料で形成されている反射用共通電極４００５と、ゲート電極と同じ材料で形成されている配線４０１４が記されている。また、凹凸を設ける為の散乱体は凹凸用突起４００７と記されている。トランジスタの半導体層は、ａ−Ｓｉ（以下、非晶質半導体層と記す）４００２またはｐ−Ｓｉ（以下、多結晶半導体層と記す）４０１３と記されている。さらにゲート電極よりも後の工程で設けられる配線には、２ｎｄ配線４０１０と記されている。

図４３に、トランジスタと共通電極が同一面上に設けられた構成について示す。トランジスタはゲート電極４００１と非晶質半導体層４００２との間にゲート絶縁層４００３を有し、ゲート電極４００１は非晶質半導体層４００２よりも下方に設けられたボトムゲート型のトランジスタである。非晶質半導体層４００２上には、２ｎｄ配線４０１０、４０２３が形成されている。また、ゲート電極４００１と同一面には、凹凸用突起４００７が設けられ、凹凸用突起４００７に沿うように透過用共通電極４００６が形成される。透過用共通電極４００６の上に、反射用共通電極４００５が形成される。つまり、透過用共通電極４００６と反射用共通電極４００５とが積層された構成となっている。透過用共通電極４００６は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の材料を用いて形成されている。反射用共通電極４００５は、ゲート電極４００１と同じ材料で形成されている。２ｎｄ配線４０１０、４０２３、反射用共通電極４００５、透過用共通電極４００６上には、これらを覆う第１の絶縁層４００４が設けられており、窒化膜などで形成されている。第１の絶縁層４００４上には有機材料等からなる第２の絶縁層４００９が形成されている。第２の絶縁層４００９は開口部を有し、開口部ではＩＴＯ等の材料が用いられた画素電極４００８が第１の絶縁層４００４上に形成されている。開口部以外の領域では、第２の絶縁層４００９上に、画素電極４００８が形成されている。第２の絶縁層４００９およびゲート絶縁層４００３には２ｎｄ配線４０２３が露出するようなコンタクトホールが形成され、画素電極４００８と２ｎｄ配線４０２３とが接続されている。画素電極４００８の下には、第２の絶縁層４００９、第１の絶縁層４００４またはゲート絶縁層４００３を介して、反射用共通電極４００５または透過用共通電極４００６が配置されている。

図４４に、透過用共通電極４００６上に凹凸用突起４００７が設けられ、凹凸用突起４００７に沿って反射用共通電極４００５が形成されている構成を示す。その他の構成は、図４３などと同様であるため、説明を省略する。

図４５に示すように、ゲート絶縁層４００３上に２ｎｄ配線４０１２を形成する。２ｎｄ配線４０１２上には、凹凸用突起４００７が設けられ、凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成され、さらに、２ｎｄ配線４０１２の一部と重なるように透過用共通電極４００６が形成されている。その他の構成は図４３などと同様であるため、説明を省略する。

図４６に、ゲート電極４００１が多結晶半導体層４０１３よりも上方に設けられたトップゲート型のトランジスタを示す。トランジスタは、多結晶半導体層４０１３、ゲート電極４００１、及び多結晶半導体層４０１３とゲート電極４００１との間に設けられたゲート絶縁層４０２０で構成されている。トランジスタは第１の絶縁層４０２５によって覆われている。第１の絶縁層４０２５上に、信号線に用いられる２ｎｄ配線４０１０及び２ｎｄ配線で形成された反射用共通電極４０１６などが設けられている。トランジスタを覆うように形成された第２の絶縁層４０２６は開口部を有し、一部の画素電極４００８が第１の絶縁層４０２５上に形成されている。第２の絶縁層４０２６上には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の材料を用いて画素電極４００８が形成されている。また、ゲート電極４００１と同一面上に、ゲート電極と同じ材料で形成された配線４０１４と、透過用共通電極４０１５が形成されている。なお、透過用共通電極４０１５は多結晶半導体又はＩＴＯで形成されている。第１の絶縁層４０２５に、配線４０１４と透過用共通電極４０１５が露出するようなコンタクトホールが形成されている。該コンタクトホールに２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６を形成することにより、反射用共通電極４０１６と配線４０１４及び透過用共通電極４０１５とを接続している。画素電極４００８は、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。画素電極４００８の下には、第２の絶縁層４０２６、第１の絶縁層４０２５を介して、反射用共通電極４０１６または透過用共通電極４０１５が配置されている。

図４７に、第１の絶縁層４０２５には、配線４０１４と透過用共通電極４０１５が露出するようなコンタクトホールが、透過用共通電極４０１５側に複数形成されている構成を示す。該コンタクトホールに２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６を形成することにより、反射用共通電極４０１６は配線４０１４と透過用共通電極４０１５を接続する。反射用共通電極４０１６は表面に凹凸を有している。なお、開口部は第１の絶縁層４０２５と第２の絶縁層４０２６の材料の違いにより、選択的にエッチングが可能となる。あるいは、第１の絶縁層４０２５上に窒化膜を形成してもよい。その他の構成は図４６などと同様であるため、説明を省略する。

図４８に、２ｎｄ配線４０１２上に凹凸用突起４００７を形成し、凹凸用突起４００７に沿うように、反射電極４０１１が形成された構成を示す。その他の構成は図４６などと同様であるため、説明を省略する。

図４９に、第１の絶縁層４０２５上に凹凸用突起４００７を設け、凹凸用突起４００７に沿うように２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が形成された構成を示す。その他の構成は図４６などと同じであるため、説明を省略する。

図５０に、第３の絶縁層４０２１を設けた構成を示す。多結晶半導体層４０１３と同一面上に、ゲート電極４００１と同じ材料で形成された配線４０１４が形成される。トランジスタと配線４０１４上に第１の絶縁層４０２５が形成され、配線４０１４が露出するようなコンタクトホールが形成されている。該コンタクトホールには２ｎｄ配線４０１２が配線４０１４に接続されている。第１の絶縁層４０２５上に、２ｎｄ配線４０１２の一部と重なるように、透過用共通電極４０１８が形成されている。トランジスタと透過用共通電極４０１８上に第２の絶縁層４０２６が形成されている。第２の絶縁層４０２６には、コンタクトホールが形成され、２ｎｄ配線と同じ材料からなる反射用共通電極４０１７と透過用共通電極４０１８とが接続されている。反射用共通電極４０１７上に第３の絶縁層４０２１を形成する。第３の絶縁層４０２１は開口部を有し、一部の画素電極４００８が第２の絶縁層４０２６上に形成されている。第３の絶縁層４０２１上にも画素電極４００８が形成されている。画素電極４００８は、第３の絶縁層４０２１、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。画素電極４００８の下には、第３の絶縁層４０２１、第２の絶縁層４０２６を介して、反射用共通電極４０１７または透過用共通電極４０１８が配置されている。

図５１に、第２の絶縁層４０２６に、２ｎｄ配線４０１２と透過用共通電極４０１８が露出するようなコンタクトホールが、透過用共通電極４０１８側に複数形成されている構成を示す。該コンタクトホールに反射用共通電極４０１７を形成することにより、反射用共通電極４０１７は２ｎｄ配線４０１２と透過用共通電極４０１８とを接続する。なお、反射用共通電極４０１７は表面に凹凸を有している。その他の構成は図５０などと同様であるため、説明を省略する。

図５２に、導電層４０２７上に凹凸用突起４００７が形成され、凹凸用突起４００７に沿うように反射用共通電極４０１７が形成されている構成を示す。第２の絶縁層４０２６には、透過用共通電極４０１８が露出するようなコンタクトホールが形成され、導電層４０２７と透過用共通電極４０１８が接続されている。その他の構成は図５０などと同様であるため、説明を省略する。

図５３に、第２の絶縁層４０２６上に凹凸用突起４００７を設け、凹凸用突起４００７に沿うように反射用共通電極４０１７が形成される構成を示す。その他の構成は図５０などと同様であるため、説明を省略する。

図５４に、第１の絶縁層４０２５に開口部が設けられている構成について示す。第１の絶縁層４０２５にゲート電極と同じ材料で形成された配線４０１４が露出するようなコンタクトホールが形成され、２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６と配線４０１４が接続されている。多結晶半導体層４０１３と同一面（第１の絶縁層４０２５の開口部）および第１の絶縁層４０２５上に、反射用共通電極４０１６の一部が重なるように透過用共通電極４０１８が形成される。第１の絶縁層４０２５及び透過用共通電極４０１８上に第２の絶縁層４０２６を形成する。第２の絶縁層４０２６上には画素電極４００８が形成されている。第２の絶縁層４０２６にトランジスタの２ｎｄ配線４０２３が露出するようにコンタクトホールを形成し、画素電極４００８を２ｎｄ配線４０２３と接続する。つまり、画素電極４００８は、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。画素電極４００８の下には、第２の絶縁層４０２６を介して、反射用共通電極４０１６または透過用共通電極４０１８が配置されている。その他の構成は図４６などと同様であるため、説明を省略する。

図５５に、第１の絶縁層４０２５に、複数のコンタクトホールが形成されている構成を示す。該コンタクトホールに反射用共通電極４０１６を形成する。なお、反射用共通電極４０１６は表面に凹凸を有している。その他の構成は図５４などと同様であるため説明を省略する。

図５６に、２ｎｄ配線４０１２上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成されている構成を示す。その他の構成は図５４などと同様であるため説明を省略する。

図５７に示すように、第１の絶縁層４０２５上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように２ｎｄ配線４０１２を形成する。その他の構成は図５４などと同じであるため、説明を省略する。

図５８に、第２の絶縁層４０２６に開口部を設けた構成を示す。トランジスタと同一表面に配線４０１４が形成されている。トランジスタ及び配線４０１４上に第１の絶縁層４０２５を形成する。透過部１００２における第１の絶縁層４０２５上には、ＩＴＯ等から成る共通電極４０１９及び画素電極４００８が形成されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とが、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極４０１９が配置されていない。一方、反射部１００１における第２の絶縁層４０２６上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、第２の絶縁層４０２６を介して、反射用共通電極４０１６が配置されている。反射部１００１及び透過部１００２において、第１の絶縁層４０２５に配線４０１４が露出するようにコンタクトホールを形成する。反射部１００１のコンタクトホールには反射用共通電極４０１６を形成し、透過部１００２のコンタクトホールには共通電極４０１９を形成する。画素電極４００８は、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。

図５９に、第１の絶縁層４０２５には、配線４０１４が露出するようなコンタクトホールが、反射部１００１側には複数形成されている構成を示す。該コンタクトホールに２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６を形成することにより、反射用共通電極４０１６と配線４０１４を接続する。反射用共通電極４０１６は表面に凹凸を有している。その他の構成は図５８などと同様であるため説明を省略する。

図６０に、２ｎｄ配線４０１２上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように、反射電極４０１１が形成される構成を示す。その他の構成は図５８などと同様であるため、説明を省略する。

図６１に示すように、第１の絶縁層４０２５上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように２ｎｄ配線で形成された反射用共通電極４０１６を形成する。その他の構成は図５８などと同じであるため、説明を省略する。

図６２に、第３の絶縁層４０２１を設けた構成を示す。多結晶半導体層４０１３と同一面上に、ゲート電極と同じ材料で形成された配線４０１４を形成する。トランジスタと配線４０１４上に第１の絶縁層４０２５が形成され、配線４０１４が露出するようなコンタクトホールが形成されている。該コンタクトホールには２ｎｄ配線４０１２が配線４０１４とが接続されるように形成されている。トランジスタと２ｎｄ配線４０１２上に第２の絶縁層４０２６が形成される。第２の絶縁層４０２６には、反射部１００１及び透過部１００２において、コンタクトホールが各々形成されている。反射部１００１のコンタクトホールに反射用共通電極４０１７が形成されており、透過部１００２のコンタクトホールに共通電極４０１９が形成されている。反射用共通電極４０１７上に第３の絶縁層４０２１を形成する。第３の絶縁層４０２１は開口部を有し、一部の画素電極４００８及び共通電極４０１９が第２の絶縁層４０２６上に形成されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極４０１９が配置されていない。一方、反射部１００１における第３の絶縁層４０２１上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、第３の絶縁層４０２１を介して、反射用共通電極４０１７が配置されている。画素電極４００８は、第３の絶縁層４０２１、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。

図６３に、第２の絶縁層４０２６には、２ｎｄ配線４０１２が露出するようなコンタクトホールが、複数形成されている構成を示す。該コンタクトホールに反射用共通電極４０１７を形成することにより、反射用共通電極４０１７と２ｎｄ配線４０１２とを接続する。なお、反射用共通電極４０１７は表面に凹凸を有している。その他の構成は、図６２などと同様のため説明を省略する。

図６４に共通電極４０１９上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように、反射用共通電極４０１７が形成される構成を示す。その他の構成は図６２などと同様であるため、説明を省略する。

図６５に示すように、第２の絶縁層４０２６上に凹凸用突起４００７を有し、凹凸用突起４００７に沿うように２ｎｄ配線で形成された反射用共通電極４０１７を形成する。その他の構成は図６２などと同じであるため、説明を省略する。

図６６に、反射部１００１において、第２の絶縁層４０２６に複数のコンタクトホールが設けられ、ＦＦＳ用の反射用共通電極４０２２が形成されている構成を示す。なお、反射用共通電極４０２２は表面に凹凸を有している。反射用共通電極４０２２上には第３の絶縁層４０２１が形成されており、反射部１００１及び透過部１００２にコンタクトホールが設けられている。また、透過部１００２において、第３の絶縁層４０２１上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されており、コンタクトホールで共通電極４０１９と反射用共通電極４０２２とが接続されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極４０１９が配置されていない。一方、反射部１００１における第３の絶縁層４０２１上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、第３の絶縁層４０２１を介して、反射用共通電極４０２２が配置されている。画素電極４００８は、第３の絶縁層４０２１、第２の絶縁層４０２６および第１の絶縁層４０２５に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタ（多結晶半導体層４０１３）と接続されている。その他の構成は図６２などと同様であるため、説明を省略する。

図６７に、反射部１００１において、第２の絶縁層４０２６上に導電層４０２７が形成された構成を示す。導電層４０２７上には凹凸用突起４００７が形成されており、凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成されている。また、透過部１００２において、第３の絶縁層４０２１上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されており、コンタクトホールで共通電極４０１９と反射電極４０１１とが接続されている。その他の構成は図６２、図６６などと同様であるため、説明を省略する。

図６８に、反射部１００１において、第２の絶縁層４０２６上に凹凸用突起４００７が形成された構成を示す。凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成されている。また、透過部１００２において、第３の絶縁層４０２１上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されており、コンタクトホールで共通電極４０１９と反射電極４０１１とが接続されている。その他の構成は図６２、図６６などと同様であるため、説明を省略する。

図６９に、透過部１００２において、絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３に開口部が形成された構成を示す。透過部１００２において、ゲート電極と同じ材料で形成された配線４０１４及びゲート絶縁層４００３上に２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が一部露出するような開口部が設けられている。一部露出した配線４０１４及び反射用共通電極４０１６に接して共通電極４０１９が形成されている。また、ゲート電極４００１と同一面上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されている。２ｎｄ配線４０１０、反射用共通電極４０１６上には、これらを覆う絶縁層４０２８が設けられている。絶縁層４０２８には２ｎｄ配線４０２３が露出するようなコンタクトホールが形成され、絶縁層４０２８の上に形成された画素電極４００８と２ｎｄ配線４０２３とを接続している。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１における絶縁層４０２８上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、絶縁層４０２８を介して、反射用共通電極４０１６が配置されている。その他の構成は図４３などと同様であるため、説明を省略する。

図７０に、反射部１００１において、配線４０１４が複数形成されている構成を示す。
透過部１００２において、ゲート電極と同じ材料で形成された配線４０１４及びゲート絶縁層４００３上に２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が一部露出するような開口部が設けられている。なお、反射用共通電極４０１６は、表面に凹凸を有している。一部露出した配線４０１４及び反射用共通電極４０１６に接して共通電極４０１９が形成されている。また、ゲート電極４００１と同一面上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されている。その他の構成は図４３、図６９などと同様であるため、説明を省略する。

図７１に、透過部１００２において、ゲート電極４００１と同一面上に配線４０１４が形成されている構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が形成されている。反射用共通電極４０１６上に第１の絶縁層４００４が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。第１の絶縁層４００４上に共通電極４０１９が、コンタクトホールを介して、反射用共通電極４０１６と配線４０１４を接続する様に形成されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、第１の絶縁層４００４の上に、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、第２の絶縁層４００９および第１の絶縁層４００４などを介して、反射用共通電極４０１６が配置されている。その他の構成は図４３、図６９などと同様であるため、説明を省略する。

図７２に、ゲート電極４００１と同一面上に複数の配線４０１４が形成されている構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が形成されている。なお、反射用共通電極４０１６は表面に凹凸を有している。反射用共通電極４０１６上に第１の絶縁層４００４が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。第１の絶縁層４００４上に共通電極４０１９が、コンタクトホールを通して、反射用共通電極４０１６と配線４０１４を接続する様に形成されている。その他の構成は図４３、図７１などと同様であるため、説明を省略する。

図７３に、ゲート電極４００１と同一面上に配線４０１４を設けた構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が形成されている。反射用共通電極４０１６上に絶縁層４０２８が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。絶縁層４０２８上に共通電極４０１９が、コンタクトホールを介して、反射用共通電極４０１６と配線４０１４を接続する様に形成されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、絶縁層４０２８の上に、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１における絶縁層４０２８上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、絶縁層４０２８を介して、反射用共通電極４０１６が配置されている。その他の構成は図４３、図６９などと同様であるため、説明を省略する。

図７４に、２ｎｄ配線４０１２上に凹凸用突起４００７が形成された構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線４０１２が形成されている。２ｎｄ配線４０１２上には凹凸用突起４００７が設けられ、凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成されている。そして、２ｎｄ配線４０１２上に第１の絶縁層４００４が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。第１の絶縁層４００４上に共通電極４０１９が、コンタクトホールで２ｎｄ配線４０１２と配線４０１４を接続する様に形成されている。その他の構成は図４３、図７１などと同様であるため、説明を省略する。

図７５に、反射部１００１において、配線４０１４が複数形成された構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線と同じ材料で形成された反射用共通電極４０１６が形成されている。なお、反射用共通電極４０１６は、反射用共通電極４０１６の下方に配線４０１４が複数形成されているため、凹凸形状である。反射用共通電極４０１６上に絶縁層４０２８が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。絶縁層４０２８上に共通電極４０１９が、コンタクトホールで反射用共通電極４０１６と配線４０１４を接続する様に形成されている。その他の構成は図４３、図７３などと同様であるため、説明を省略する。

図７６に、２ｎｄ配線４０１２上に凹凸用突起４００７を形成し、凹凸用突起４００７に沿うように反射電極４０１１が形成された構成を示す。ゲート電極４００１と配線４０１４を覆うように形成されたゲート絶縁層４００３上に、反射部１００１において、２ｎｄ配線で形成された反射電極４０１１が形成されている。反射電極４０１１上に絶縁層４０２８が形成されており、複数のコンタクトホールが設けられている。絶縁層４０２８上に共通電極４０１９が、コンタクトホールを通して、２ｎｄ配線４０１２と配線４０１４を接続する様に形成されている。その他の構成は図４３、図７３などと同様であるため、説明を省略する。

図７７に透過部１００２において、ゲート電極４００１と同一面に反射用共通電極４０２４が形成された構成を示す。反射用共通電極４０２４の一部が露出するように、絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３に開口部が設けられる。画素電極４００８及び共通電極４０１９は、ゲート電極４００１と同一面に形成され、一部の共通電極４０１９は、反射用共通電極４０２４の一部と重なるように形成される。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１における絶縁層４０２８上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３を介して、反射用共通電極４０２４が配置されている。その他の構成は図４３、図６９などと同様であるため、説明を省略する。

図７８に、ゲート電極４００１と同一面に凹凸用突起４００７を設けた構成を示す。凹凸用突起４００７上に、凹凸用突起４００７に沿うように反射用共通電極４０２４が形成される。そして、反射用共通電極４０２４の一部が露出するように、絶縁層４０２８に開口部が設けられる。画素電極４００８及び共通電極４０１９は、ゲート電極４００１と同一面に形成され、一部の共通電極４０１９は、反射用共通電極４０２４の一部と重なるように形成される。その他の構成は図４３、図７７などと同様であるため、説明を省略する。

図７９に、透過部１００２において、ゲート絶縁層４００３上に画素電極４００８と共通電極４０１９が形成されている構成を示す。ゲート電極４００１と同一面上に反射用共通電極４０２４が形成され、反射用共通電極４０２４上にゲート絶縁層４００３が形成されている。透過部において、ゲート絶縁層４００３には反射用共通電極４０２４が露出するようにコンタクトホールが設けられ、共通電極４０１９と反射用共通電極４０２４が接続されるように形成されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、ゲート絶縁層４００３上に交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１における絶縁層４０２８上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３を介して、反射用共通電極４０２４が配置されている。その他の構成は図４３、図７７などと同様であるため、説明を省略する。

図８０に、ゲート電極４００１と同一面上に凹凸用突起４００７が形成された構成を示す。凹凸用突起４００７に沿うように反射用共通電極４０２４が形成されている。反射用共通電極４０２４上にはゲート絶縁層４００３が形成されている。透過部において、ゲート絶縁層４００３には反射用共通電極４０２４が露出するようにコンタクトホールが設けられ、共通電極４０１９と反射用共通電極４０２４とが形成されている。その他の構成は図４３、図７９などと同様であるため、説明を省略する。

図８１に、透過部１００２において、絶縁層４０２８上に画素電極４００８と共通電極４０１９を形成した構成を示す。絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３にはコンタクトホールが設けられ、ゲート電極と同一面に形成された反射用共通電極４０２４が露出されている。コンタクトホールでは共通電極４０１９と反射用共通電極４０２４が接続されている。透過部１００２では、共通電極４０１９と画素電極４００８とは、絶縁層４０２８上に交互に配置されている。そして、透過部１００２では、画素電極４００８の下には、共通電極が配置されていない。一方、反射部１００１における絶縁層４０２８上には、画素電極４００８が形成されている。反射部１００１においては、画素電極４００８の下には、絶縁層４０２８およびゲート絶縁層４００３を介して、反射用共通電極４０２４が配置されている。その他の構成は図４３、図７３などと同様であるため、説明を省略する。

図８２に、反射部１００１において、ゲート電極４００１と同じ面に凹凸用突起４００７を設け、凹凸用突起４００７に沿うように反射用共通電極４０２４が形成された構成を示す。絶縁層４０２８にはコンタクトホールが設けられ、ゲート電極４００１と同一面に形成された反射用共通電極４０２４が露出されている。コンタクトホールでは共通電極４０１９と反射用共通電極４０２４が接続されている。その他の構成は図４３、図８１などと同様であるため、説明を省略する。

図４３〜図８２において、特徴的であるのは、反射電極の下の絶縁膜に、コンタクトホールやそれに類似したホールを設け、それによって、反射電極の表面が凹凸になるようにしていることである。この場合、追加のプロセスが必要なく、反射電極の表面の凹凸を形成することが出来る。

なお、図４３〜８２において、ゲート絶縁層４０２０が、ゲート電極の下にのみ記載してある場合があるが、これに限定されない。全面にゲート絶縁層が配置されていてもよいし、ゲート電極の下にのみ配置してもよいし、ゲート電極の下や近傍では厚くなっていて、それ以外では薄くなっていてもよい。

図４３〜８２において、トランジスタがトップゲート型の場合についても記されているが、トップゲート型の場合をボトムゲート型の場合に変更してもよい。

なお、実施の形態１〜実施の形態１０で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１２）
本発明の液晶表示装置に含まれる画素の構成について図２、４、６、８、１４、１５の上面図を用いて説明したが、画素部に設けられた配線の引き回し方については、図１６で表される回路を含む構成であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することない範囲では、図２、４、６、８、１４、１５で表された態様と異なる態様も許容される。本発明の液晶表示装置の画素回路について図１６を用いて説明する。

図１６において、ゲート線７００１は、ソース線７００２と交差している。また、コモン配線７００３ａ及びコモン配線７００３ｂは縦横に引き回されている。ゲート線７００１は、トランジスタ７００４のゲート電極に接続している。また、ソース線７００２は、トランジスタ７００４のソース（またはドレイン）に接続している。なお、液晶表示装置を交流駆動させる場合は、トランジスタ７００４のソース及びドレインは、ソース線７００２から伝えられる電位によって入れ替わる為、本形態では、ソース（またはドレイン）という表記をしている。液晶素子Ｃ_ＬＣは、トランジスタ７００４のドレイン（またはソース）とコモン配線７００３ａとの間に設けられている。トランジスタ７００４がオン状態のときソース線７００２からの電位は液晶素子Ｃ_ＬＣへ伝えられ、トランジスタ７００４がオフ状態のときソース線７００２からの電位は液晶素子Ｃ_ＬＣへは伝えられない。このようにトランジスタ７００４がオフ状態でありソース線７００２からの電位が液晶素子Ｃ_ＬＣへ伝えられないときにも液晶層を光が通るような状態にしたい場合は、液晶素子Ｃ_ＬＣと並列に容量素子Ｃ_ｓを設けておくことが好ましい。容量素子に電圧を保持させることによって、トランジスタ７００４がオフ状態でも液晶層を光が通るような状態にすることができる。

本実施の形態で示す表示装置の上面図を図９２（Ａ）に示し、図９２（Ａ）において線Ｋ−Ｌに対応する断面図を図９２（Ｂ）に示す。図９２（Ａ）（Ｂ）における表示装置は、外部端子接続領域８５２、封止領域８５３、信号線駆動回路を有する走査線駆動回路８５４を有している。

本実施の形態における図９２（Ａ）（Ｂ）に示す表示装置は、基板８０１、薄膜トランジスタ８２７、薄膜トランジスタ８２９、薄膜トランジスタ８２５、シール材８３４、対向基板８３０、配向膜８３１、対向電極８３２、スペーサー８３３、偏光板８３５ａ、偏光板８３５ｂ、第１の端子電極層８３８ａ、第２の端子電極層８３８ｂ、異方性導電層８３６、ＦＰＣ８３７によって構成されている。表示装置は、外部端子接続領域８５２、封止領域８５３、走査線駆動回路８５４、画素領域８５６、信号線駆動回路８５７を有している。

基板８０１上に設けられた画素領域８５６と、走査線駆動回路８５４とを囲むようにしてシール材８３４が設けられる。よって画素領域８５６と走査線駆動回路８５４の上に対向基板８３０が設けられる。よって画素領域８５６と走査線駆動回路８５４とは、基板８０１とシール材８３４と対向基板８３０とによって、液晶材料と共に封止される。

基板８０１上に設けられた画素領域８５６と、走査線駆動回路８５４は、薄膜トランジスタを複数有し、図９２（Ｂ）では、画素領域８５６に含まれる薄膜トランジスタ８２５を例示している。

なお、実施の形態１〜実施の形態１１で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１３）
図１７に表されているのは、実施の形態１〜１２で説明したような本発明の液晶表示装置を含むモジュールの態様について表す図である。基板９００上には画素部９３０及びゲートドライバー９２０及びソースドライバー９４０が設けられている。ゲートドライバー９２０及びソースドライバー９４０には、フレキシブルプリントサーキット９６０を介して集積回路９５０から信号が入力され、入力された信号に従って画素部９３０にて画像が表示される。

なお、実施の形態１〜実施の形態１２で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１４）
本実施の形態では、液晶素子の電極１０の詳細について述べる。図９４に、断面図の一例を示す。なお、液晶素子の電極１０以外の液晶素子の電極については、様々な形態を取りうるので、図９４では、記載していないが、どのように配置されていてもよい。

また、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３は、液晶素子の電極１０が配置してある基板側にあるが、これに限定されない。対向基板側にあってもよい。また、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３は、液晶素子の電極１０の下にあるが、これに限定されない。液晶素子の電極１０の上にあってもよい。

なお、液晶素子の電極１０のかわりに、液晶素子の電極１２が一部に配置されていてもよい。

ここで、電極の間隔について述べる。図９４に示すように、透過部１００２における液晶素子の電極１０の間隔９９７２と、透過部１００２と反射部１００１との境界部、つまり、絶縁層１３の境界に渡って配置されている、液晶素子の電極１０の間隔９９７１との比較を行う。間隔９９７１は、間隔９９７２と概ね等しいか、間隔９９７２よりも長いことが望ましい。間隔９９７１が、間隔９９７２と概ね等しいか、間隔９９７２よりも長い箇所が画素内に存在し、このような箇所が、間隔９９７１が間隔９９７２よりも短い箇所よりも多いことがより望ましい。間隔９９７１が間隔９９７２よりも長い箇所が、間隔９９７１が間隔９９７２よりも短い箇所の倍以上、さらに望ましくは３倍以上、画素内に存在することがより望ましい。

なぜなら、絶縁層１３の境界部は、液晶分子の配向が乱れるためである。よって、間隔９９７１を長くし、電界がかかりにくくすることにより、ディスクリネーションなどの配向不良を低減することが出来る。

同様に、間隔９９７１は、反射部１００１における液晶素子の電極１０の間隔９９７０と概ね等しいか、間隔９９７０よりも長いことが望ましい。

次に、透過部１００２における液晶素子の電極１０の間隔９９７２と、反射部１００１における液晶素子の電極１０の間隔９９７０との比較を行う。間隔９９７０は、間隔９９７２と概ね等しいか、間隔９９７２よりも長いことが望ましい。間隔９９７０が、間隔９９７２と概ね等しいか、間隔９９７２よりも長い箇所が画素内に存在し、このような箇所が、間隔９９７０が間隔９９７２よりも短い箇所よりも多いことがより望ましい。より望ましくは、間隔９９７０が間隔９９７２よりも長い箇所が、間隔９９７０が、間隔９９７２よりも短い箇所の倍以上、さらに望ましくは３倍以上、画素内に存在することがより望ましい。

なぜなら、反射部１００１では、液晶層の厚さ、つまり、セルギャップが薄い。したがって、液晶分子に加える電界は、透過部１００２よりも弱いことが望ましい。

次に、液晶層１５の厚さを調整する膜である絶縁層１３の境界部と、液晶素子の電極１０の配置について述べる。絶縁層１３の境界部では、液晶の配向が乱れる可能性がある。したがって、配向の乱れを出来るだけ少なくするためには、絶縁層１３の境界部と、液晶素子の電極１０とが、概ね平行に配置されているか、概ね直交して配置されていることが望ましい。

絶縁層１３の境界部と、液晶素子の電極１０とが、概ね平行に配置されている場合の図を図９６に示す。図９６（Ａ）は断面図を、図９６（Ｂ）は平面図を示す。このように、概ね平行に配置することにより、液晶の配向の乱れを少なくすることができる。

なお、ここで概ね平行とは、液晶の配向の乱れが大きな影響を与えない程度のずれを含んでいる。よって、例えば、絶縁層１３の境界部の接線と、液晶素子の電極１０の接線との角度は、−１０度から＋１０度まで、より望ましくは−５度から＋５度までが好適である。

なお、図９６のように平行に配置されていたとしても、電極の接続の関係上、図９５に示すように、絶縁層１３の境界部を乗り越えて、液晶素子の電極１０が配置される領域は存在することとなる。

次に、絶縁層１３の境界部と、液晶素子の電極１０とが、概ね直交して配置されている場合の図を図９７に示す。図９７（Ａ）は断面図を、図９７（Ｂ）は平面図を示す。このように、概ね直交して配置することにより、液晶の配向の乱れを少なくすることができる。

なお、ここで概ね直交とは、液晶の配向の乱れが大きな影響を与えない程度のずれを含んでいる。よって、例えば、絶縁層１３の境界部の接線と、液晶素子の電極１０の接線との角度は、８０度から１００度まで、より望ましくは８５度から１０５度までが好適である。

なお、実施の形態１〜実施の形態１３で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

（実施の形態１５）
本発明の液晶表示装置を表示部に含む本発明の電子機器について図１９を用いて説明する。図１９（Ａ）は、テレビ受像機であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。なお、表示部２００３に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｂ）は、カメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。なお、表示部２１０２に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｃ）は、コンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。なお、表示部２２０３に実施の形態１〜１３を用いて説明した本発明の液晶表示装置を含む。また、図１９（Ｄ）は、情報端末であり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。表示部２３０２に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｅ）は、ＤＶＤ装置であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。なお、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｆ）は、電子書籍であり、本体２５０１、表示部２５０２、操作キー２５０３を含む。なお、表示部２５０２に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｇ）は、撮像装置であり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。なお、表示部２６０２に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。また、図１９（Ｈ）は、電話機であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。なお、表示部２７０３に実施の形態１〜１４を用いて説明した本発明の液晶表示装置が含まれる。

以上のように本発明の液晶表示装置を表示部に組み込むことで本発明の電子機器が完成する。このような本発明の電子機器は、屋内でも屋外でも良好な画像を提供することができる。特にカメラや撮像装置等、屋外でも屋内でも使用頻度が高い電子機器においては、屋内及び屋外の両方において広視野角であり、画面を見る角度に依存した色味の変化が少ないという有利な効果を存分に発揮することができる。

なお、実施の形態１〜実施の形態１４で述べた内容は、本実施の形態にも適用可能であり、組み合わせることも可能である。

本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の断面構造の態様について説明する図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の構造の態様について説明する上面図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の断面構造の態様について説明する図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の構造の態様について説明する上面図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の断面構造の態様について説明する図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の構造の態様について説明する上面図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の断面構造の態様について説明する図。本発明の液晶表示装置に含まれる画素部の構造の態様について説明する上面図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の画素部の回路について説明する図。本発明の液晶表示装置を適用したモジュールについて説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明を適用した電子機器の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。本発明の液晶表示装置の一態様について説明する図。

符号の説明

１０液晶素子の電極
１１液晶素子の電極
１２液晶素子の電極
１３絶縁層
１４絶縁層
１５液晶層
１６絶縁層
１７散乱体
１８絶縁層
１９絶縁層
１０１基板
１０２ゲート電極
１０３液晶素子の電極
１０３ａ導電層
１０３ｂ導電層
１０５絶縁層
１０６半導体層
１０７保護膜
１０８配線
１０８ａＮ型半導体層
１０８ｂ導電層
１０９配線
１０９ａ配線
１０９ｂ配線
１１０絶縁層
１１１液晶素子の電極
１１１ａ液晶素子の電極
１１２配向膜
１２１基板
１２２遮光層
１２３カラーフィルター
１２４配向膜
１２５液晶層
１２６ギャップ調整膜
１２７ａ偏光板
１２７ｂ偏光板
１２８ａリターダー
１２８ｂリターダー
１２９粒子
１３１ゲート線
１３２コモン配線
１３３ソース線
１５１トランジスタ
１６１透過部
１６２反射部
２０１基板
２０２ゲート電極
２０３液晶素子の電極
２０３ａ液晶素子の電極
２０４液晶素子の電極
２０５絶縁層
２０６半導体層
２０８配線
２０９配線
２１０絶縁層
２１１液晶素子の電極
２１１ａ液晶素子の電極
２１２配向膜
２２１基板
２２２遮光層
２２３カラーフィルター
２２４配向膜
２２５液晶層
２２６ギャップ調整膜
２２７ａ偏光板
２２７ｂ偏光板
２２８散乱体
２３１ゲート線
２３２コモン配線
２３３ソース線
２３４配線
２５１トランジスタ
２６１透過部
２６２反射部
３０１基板
３０２ゲート電極
３０３液晶素子の電極
３０４導電層
３０５絶縁層
３０６半導体層
３０８配線
３０９配線
３１０絶縁層
３１１液晶素子の電極
３１２配向膜
３２１基板
３２２遮光層
３２３カラーフィルター
３２４配向膜
３２５液晶層
３２６絶縁層
３２７ａ偏光板
３２７ｂ偏光板
３３１ゲート線
３３２コモン配線
３３３ソース線
３５１トランジスタ
３６１反射部
３６２透過部
４０１基板
４０２ゲート電極
４０３液晶素子の電極
４０４導電層
４０５絶縁層
４０６半導体層
４０８配線
４０９配線
４１０絶縁層
４１１液晶素子の電極
４１２配向膜
４２１基板
４２２遮光層
４２３カラーフィルター
４２４配向膜
４２５液晶層
４２６絶縁層
４２７ａ偏光板
４２７ｂ偏光板
４３１ゲート線
４３２コモン配線
４３３ソース線
４５１トランジスタ
４６１反射部
４６２透過部
５０１基板
５０３液晶素子の電極
５０４反射膜
５０９配線
５１０絶縁層
５１０ａ絶縁層
５１０ｂ絶縁層
５１１液晶素子の電極
５２１基板
５２５液晶層
５２９カラーフィルター
５３０遮光層
５５１トランジスタ
５６１透過部
５６２反射部
６０１液晶層
６０２液晶分子
６０３電極
６０４電極
８０１基板
８２５薄膜トランジスタ
８２７薄膜トランジスタ
８２９薄膜トランジスタ
８３０対向基板
８３１配向膜
８３２対向電極
８３３スペーサー
８３４シール材
８３５ａ偏光板
８３５ｂ偏光板
８３６異方性導電層
８３７ＦＰＣ
８３８ａ第１の端子電極層
８３８ｂ第２の端子電極層
８５２外部端子接続領域
８５３封止領域
８５４走査線駆動回路
８５６画素領域
９００基板
９２０ゲートドライバー
９３０画素部
９４０ソースドライバー
９５０集積回路
９６０フレキシブルプリントサーキット
１００１反射部
１００２透過部
２００１筐体
２００２支持台
２００３表示部
２００４スピーカー部
２００５ビデオ入力端子
２１０１本体
２１０２表示部
２１０３受像部
２１０４操作キー
２１０５外部接続ポート
２１０６シャッター
２２０１本体
２２０２筐体
２２０３表示部
２２０４キーボード
２２０５外部接続ポート
２２０６ポインティングマウス
２３０１本体
２３０２表示部
２３０３スイッチ
２３０４操作キー
２３０５赤外線ポート
２４０１本体
２４０２筐体
２４０３表示部Ａ
２４０４表示部Ｂ
２４０５記録媒体読み込み部
２４０６操作キー
２４０７スピーカー部
２５０１本体
２５０２表示部
２５０３操作キー
２６０１本体
２６０２表示部
２６０３筐体
２６０４外部接続ポート
２６０５リモコン受信部
２６０６受像部
２６０７バッテリー
２６０８音声入力部
２６０９操作キー
２６１０接眼部
２７０１本体
２７０２筐体
２７０３表示部
２７０４音声入力部
２７０５音声出力部
２７０６操作キー
２７０７外部接続ポート
２７０８アンテナ
４００１ゲート電極
４００２非晶質半導体層
４００３ゲート絶縁層
４００４第１の絶縁層
４００５反射用共通電極
４００６透過用共通電極
４００７凹凸用突起
４００８画素電極
４００９第２の絶縁層
４０１０２ｎｄ配線
４０１１反射電極
４０１２２ｎｄ配線
４０１３多結晶半導体層
４０１４配線
４０１５透過用共通電極
４０１６反射用共通電極
４０１７反射用共通電極
４０１８透過用共通電極
４０１９共通電極
４０２０ゲート絶縁層
４０２１第３の絶縁層
４０２２反射用共通電極
４０２３２ｎｄ配線
４０２４反射用共通電極
４０２５第１の絶縁層
４０２６第２の絶縁層
４０２７導電層
４０２８絶縁層
７００１ゲート線
７００２ソース線
７００３ａコモン配線
７００３ｂコモン配線
７００４トランジスタ
９８０１液晶層
９８０２液晶分子
９８０３電極
９８０４電極
９８０５電極
９９７０間隔
９９７１間隔
９９７２間隔

Claims

横電界方式を有する液晶表示装置であって、
第１の部分及び第２の部分を有し、
第１の導電層乃至第３の導電層と、第１の絶縁層及び第２の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上方に位置する液晶層を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は透光性を有し、前記第３の導電層は反射性を有し、
前記第１の部分及び前記第２の部分には、前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の部分には、前記第３の導電層の上方に前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して前記第１の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の絶縁層の上方に前記第１の導電層及び前記第２の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の導電層及び前記第２の導電層が同じ層に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
横電界方式を有する液晶表示装置であって、
第１の部分及び第２の部分を有し、
第１の導電層乃至第３の導電層と、第１の絶縁層及び第２の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上方に位置する液晶層を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は透光性を有し、前記第３の導電層は反射性を有し、
前記第１の部分及び前記第２の部分には、前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の部分には、前記第３の導電層の上方に前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して前記第１の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の絶縁層の上方に前記第１の導電層及び前記第２の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の導電層及び前記第２の導電層が重ならずに設けられることを特徴とする液晶表示装置。
横電界方式を有する液晶表示装置であって、
第１の部分及び第２の部分を有し、
第１の導電層乃至第３の導電層と、第１の絶縁層及び第２の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上方に位置する液晶層を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は透光性を有し、前記第３の導電層は反射性を有し、
前記第１の部分及び前記第２の部分には、前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の部分には、前記第１の絶縁層上方に前記第３の導電層が設けられ、前記第３の導電層の上方に前記第２の絶縁層を介して前記第１の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の絶縁層の上方に前記第１の導電層及び前記第２の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の導電層及び前記第２の導電層が同じ層に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
横電界方式を有する液晶表示装置であって、
第１の部分及び第２の部分を有し、
第１の導電層乃至第３の導電層と、第１の絶縁層及び第２の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上方に位置する液晶層を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は透光性を有し、前記第３の導電層は反射性を有し、
前記第１の部分及び前記第２の部分には、前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の部分には、前記第１の絶縁層上方に前記第３の導電層が設けられ、前記第３の導電層の上方に前記第２の絶縁層を介して前記第１の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の絶縁層の上方に前記第１の導電層及び前記第２の導電層が設けられ、
前記第２の部分には、前記第１の導電層及び前記第２の導電層が重ならずに設けられることを特徴とする液晶表示装置。
前記液晶層は、基板面と平行な方向に回転する液晶分子を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の液晶表示装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の液晶表示装置を表示部に含む電子機器。