JP4610806B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4610806B2 JP4610806B2 JP2001217133A JP2001217133A JP4610806B2 JP 4610806 B2 JP4610806 B2 JP 4610806B2 JP 2001217133 A JP2001217133 A JP 2001217133A JP 2001217133 A JP2001217133 A JP 2001217133A JP 4610806 B2 JP4610806 B2 JP 4610806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- leads
- case
- semiconductor device
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、8セグメントまたは7セグメントタイプの表示装置などして構成するのに好適な半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置の具体例としては、たとえば図13(a)に示すように、1桁の数字と1つのドットとを表示可能な8セグメントタイプの表示装置B1がある。また、同図(b)に示すように、2桁の数字と2つのドットとを表示可能とされた表示装置B2もあり、この表示装置B2は、表示装置B1の基本構成を1モジュールとした場合に、2モジュールに相当する構成を備えている。これらの表示装置B1,B2は、いずれもケース90a,90b内に複数のLEDチップ(同図では図示略)が収容されたものであり、ケース90a,90bの外部には、面実装用の複数の端子部92が形成された複数本のリード91が突出している。ただし、表示装置B2は、表示装置B1と比べて、リード91やLEDチップの数が2倍となっている。
【0003】
従来においては、表示装置B1,B2の製造は、次のようにして行なわれている。すなわち、表示装置B1の製造に際しては、たとえば図14に示すように、複数のリード91が一定数ずつに纏められた複数の組に分けられて形成されている製造用フレームF1を使用する。1組のリード91の数は、1つの表示装置B1が備えるべきリードの数であり、リード91の各組どうしの間には、製造用フレームF1を補強するためのクロスメンバ98が適宜設けられている。この製造用フレームF1には、LEDチップ94(同図(b)参照)のボンディングや必要なワイヤ接続などを行なってから、1組分のリード91のそれぞれの一部をケース90a内に収容させる。ケース90a内には、予め液状の樹脂93を充填しておく。樹脂93はその後硬化させる。これにより、各リード91およびこれに対応する所定のLEDチップ94を樹脂封止して、ケース90aに固定させることができる。その後は、各リード91のうち、樹脂93から突出した部分に、フォーミング加工や切断加工を施す。このような方法によれば、たとえば金型を用いた樹脂成形手段によって半導体素子を樹脂パッケージする場合よりも、製造作業の容易化を図ることができる。
【0004】
表示装置B2の製造の基本的な工程は、上記した内容と同様である。ただし、図15に示すように、表示装置B2の製造に用いられる製造用フレームF2は、1組とされるリード91の数が、製造用フレームF1の1組のリード数の約2倍とされたものである。樹脂93が充填されているケース90b内には、製造用フレームF2の1組分のリード91のそれぞれの一部を収容することとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の手段においては、表示装置B1,B2が互いに共通する構成を有しているにも拘わらず、それらの製造に際しては、構造が異なる別々の製造用フレームF1,F2を使用している。したがって、それらの製造用フレームF1,F2を製造して予め準備しておくためのコストが嵩むこととなって、表示装置B1,B2の製造コストも高くなるという不具合があった。
【0006】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、表示装置の製造コストの低減化を図ることをその課題としている。
【0007】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0008】
本願発明によって提供される半導体装置の製造方法は、複数のリードが一定数ずつの複数の組に分けられて一定方向に並べて設けられている製造用フレームに半導体素子を搭載し、かつこの半導体素子と上記複数のリードとを電気的に接続する第1工程と、上記半導体素子およびこれに導通する複数のリードの各一部をケース内に収容して固定させる第2工程と、上記製造用フレームを切断することにより、上記ケース内に一部分が収容されている複数のリードを上記製造用フレームの他の部分から分離する第3工程と、を有している、半導体装置の製造方法であって、上記ケースとしては、サイズが相違する第1および第2のケースを準備しておき、かつ1モジュールに相当する半導体装置を製造するときには、上記第2工程において上記第1のケース内に上記複数のリードを1組分だけ収容させる一方、複数モジュールに相当する半導体装置を製造するときには、上記第2工程において上記第2のケース内に上記複数のリードを複数組分一括して収容させることを特徴としている。
【0010】
本願発明によれば、1モジュールに相当する半導体装置を製造するのに用いられる製造用フレームを利用して、複数モジュールに相当する半導体装置を製造するために、製造用フレームの共用化により、半導体装置の製造コストの低減化を図ることができる。
【0011】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記製造用フレームの複数のリードの各組どうしの間には、上記製造用フレームの一対のサイドフレームどうしを繋ぐクロスメンバを設けておき、このクロスメンバを上記ケースの内部から外部に突出するダミー電極として形成する工程を有している。このような構成によれば、次に述べる本願発明の第3の側面によって提供される半導体装置を好適に製造することができる。
【0015】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【0017】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置として2種類の表示装置を選択的に製造することが可能な方法であり、これら2種類の表示装置の具体的な構成をまず説明する。
【0018】
図1〜図4は、表示装置の一例を示している。これらの図に示された表示装置A1は、1桁の数字と1つのドットとを表示するための8セグメントタイプの表示装置であり、ケース1A、封止用の樹脂2、複数(計8個)のLEDチップ3、および複数のリード4を具備して構成されている。
【0019】
ケース1Aは、たとえば金型を用いて樹脂成形されたものであり、その正面壁(上面壁)には、8の字と1つのドットとを表わす複数の開口部10a,10bが設けられている。このケース1Aの一対の側壁11は、その一部分が下方に延びた形態とされている。このようにすれば、この表示装置A1を所望の部分に実装する場合に、各側壁11をその実装部分に当接させることによって、この表示装置A1を安定させることが可能となる。
【0020】
樹脂2は、透光性を有しており、ケース1A内に充填されている。ケース1Aの開口部10a,10b内にもこの樹脂2が行き渡っている。この樹脂2としては、たとえばエポキシ樹脂が用いられており、この樹脂2は、後述するように、ケース1A内への充填は液状でなされ、かつその後に熱硬化したものである。ただし、本願発明はこれに限定されず、自然放置により硬化するタイプの樹脂を用いることもできる。
【0021】
複数のリード4は、後述するように、リードフレームと称される金属製の製造用フレームFから形成されたものである。これら複数のリード4は、複数のLEDチップ3と電気的に接続されている。より具体的には、図4によく表われているように、複数のリード4としては、グランド接続用の1つのリード4(4A)と、正の電圧印加用の8つのリード4(4B〜4I)とがあり、複数のLEDチップ3は、8つのリード4(4B〜4I)上にボンディングされ、かつその片面(下面)の陽極がそれらのリード4(4B〜4I)と電気的に導通している。各LEDチップ3の反対面の陰極は、ワイヤWを介してリード4(4A)と電気的に接続されている。各LEDチップ3は、本願発明でいう半導体素子の一例に相当し、ケース1Aの開口部10a,10b内に配置されている。各LEDチップ3および各ワイヤWは、樹脂2によって封止されている。
【0022】
図2および図3によく表われているように、複数のリード4のそれぞれの一部は、樹脂2内に埋没している。各リード4のうち、樹脂2の外部に突出した突出部4bは、ケース1Aの両側方に計5本ずつ振り分けられている。図4によく表われているように、リード4(4B〜4I)のそれぞれは、1つの突出部4bを有するのに対し、リード4(4A)は、ケース1Aの両側方に振り分けられた2つの突出部4b(4b') を有している。このような構成によれば、複数の突出部4bを5本ずつ対称な配置にすることができるため、この表示装置A1の実装対象となる部材に導通接続用の複数の端子部を設ける場合には、これらの端子部も対称な配置にすればよいこととなる。また、リード4(4A)は、2つの突出部4bによって両端支持されることとなるため、その機械的強度を高めることもできる。
【0023】
図2によく表われているように、複数のリード4の各突出部4bは、適宜屈曲されており、その先端部には、各底面が互いに同一平面に位置するように揃えられた面実装用の端子部40が形成されている。図3によく表われているように、各突出部4bの各端子部40よりも基端寄りの部分には、その幅waが他の部分の幅wbよりも大きくされた拡幅部42が設けられている。この拡幅部42は、後述するように、この表示装置A1の製造過程において、樹脂2が各リード4の突出部4bを不当に覆ってしまうことを抑制するのに役立つ。
【0024】
図5〜図7は、表示装置の他の例を示している。これらの図において、上記した表示装置A1と同一または類似の要素には、同一の符号を付している。
【0025】
図5〜図7に示された表示装置A2は、2桁の数字と2つのドットとを表示するためのものであり、ケース1B、封止用の樹脂2、複数のLEDチップ3、複数のリード4、およびダミー電極5を具備して構成されている。
【0026】
ケース1Bは、ケース1Aよりも大きいサイズとされ、かつ数字およびドットを表示するための開口部10a,10bが2組並べて設けられている点において、ケース1Aとは相違している。図6および図7によく表われているように、LEDチップ3および複数のリード4は、表示装置A1のLEDチップ3と複数のリード4との組み合わせ構造を1モジュールとした場合に、このモジュールを所定方向に2つ並べたのに等しい構成とされている。図5のII' −II' 断面の構造は、図2に示した表示装置A1の断面構造と同一である。したがって、リード4およびLEDチップ3のそれぞれの総数は、表示装置A1におけるそれらの総数の2倍である。
【0027】
ダミー電極5は、後述するように、製造用フレームFのクロスメンバ48から形成されたものであり、その材質は各リード4と同一である。このダミー電極5は、それぞれ1モジュールの構成要素とする所定数のリード4どうしの間に位置しており、その一部分は樹脂2内に埋没している。これによりこのダミー電極5は、ケース1Bへの固定が図られている。このダミー電極5の長手方向両端寄りの2箇所は、樹脂2の外部に突出した突出部5aとされており、この突出部5aは、各リード4の突出部4bと同様な形状に屈曲されている。この突出部5aにも、各リード4と同様に、その一部分の幅wcを他の部分の幅wdよりも広くした拡幅部50が形成されている。
【0028】
次に、表示装置A1,A2の製造方法について説明する。
【0029】
まず、表示装置A1の製造方法から説明する。表示装置A1の製造にあたっては、図8に示すような製造用フレームFを用いる。この製造用フレームFは、適当な厚みを有する金属板をたとえばエッチング処理によって所定の形状に仕上げたものである。この製造用フレームFは、同図の左右方向に延びる一対の帯状のサイドフレーム49どうしの間に、複数のリード4が適当な間隔で並び、かつ各サイドフレーム49に一体に繋がって設けられた構成を有している。ただし、それら複数のリード4は、1モジュール分に相当する9つのリード4を1組とするように複数の組G1,G2,G3…に分けられ、かつこれら複数の組が一定方向に適当な間隔で並んだ構成となっている。複数のリード4の各組どうしの間には、一対のサイドフレーム49どうしを繋ぐクロスメンバ48が設けられている。このクロスメンバ48は、製造用フレームFの機械的強度を高めて、製造用フレームFの形態を安定させるのに役立つ。各リード4および各クロスメンバ48には、拡幅部43,50が形成されている。
【0030】
図9に示すように、製造用フレームFは、各リード4および各クロスメンバ48を断面略コ字状に折り曲げた状態で使用する。これらの折り曲げ位置は、たとえば図8の仮想線L1で示す箇所である。各リード4上の所定箇所には、複数のLEDチップ3と複数本のワイヤWのボンディング作業を行なう。
【0031】
次いで、図10に示すように、ケース1Aを図1〜図3に示す姿勢とは上下反対の姿勢にして、その内部に液状の樹脂2を充填するとともに、この樹脂2内には、既述した所定の1組として纏められている所定数のリード4のそれぞれの一部と、これに対応する所定数のLEDチップ3とを浸漬させる。その際、ケース1Aの開口部10a,10bを塞いでおくことにより、この部分から樹脂2が外部に流出しないようにしておく。各リード4の一部を樹脂2に浸漬させたときには、矢印N1に示すように、樹脂2の一部が各リード4の突出部4bをその先端方向に向けて昇ってくる場合がある。製造用フレームFをエッチング処理によって形成した場合には、各リード4の側面がエッチング処理面となるため、この側面が凹溝状に形成される場合があり、このような場合には毛細管現象によって樹脂2の一部が各リード4の側面を伝って上昇するのである。これに対し、各リード4の突出部4bには、拡幅部42が設けられているために、上記した樹脂2の上昇はこの拡幅部42によって適切に止められる。したがって、突出部4bが広い面積にわたって樹脂によって覆われるといったことを適切に防止することができる。これは、表示装置A1の面実装用の各端子部40が樹脂2によって不当に覆われないようにし、その部分へのハンダの付着性を良好とするのに役立つ。
【0032】
その後は、樹脂2を加熱して硬化させてから、各リード4をたとえば図10の仮想線L2で示す箇所において切断する切断作業と、各リード4を図1〜図3で示した形状に整えるフォーミング加工とを施す。これにより、上記した構成の表示装置A1が得られる。製造用フレームFは、所定本数ずつの複数組のリードを有しているために、製造用フレームFをその長手方向に搬送することにより上記した一連の作業を連続して行い、複数の表示装置A1を効率良く製造することができる。
【0033】
次に、表示装置A2を製造する方法について説明する。この場合においても、上記した製造用フレームFを使用する。図9に示したように、製造用フレームFを断面コ字状に折り曲げる点、および各リード4上の所定箇所に、複数のLEDチップ3と複数本のワイヤWのボンディング作業を行なう点は、表示装置A1を製造する場合と同様である。
【0034】
ただし、図11に示すように、ケースとしては、ケース1Bを用いる。また、ケース1B内に充填された樹脂2に製造用フレームFの複数のリード4を浸漬させるときには、2組分のリード4のそれぞれの一部を浸漬させる。その際、それらのリード4に対応する所定数のLEDチップ3、および2組のリード4どうしの間のクロスメンバ48の一部も樹脂2内に浸漬させる。クロスメンバ48の拡幅部50も、各リード4の拡幅部42と同様に、樹脂2の一部が上昇するのを防止する役割を果たす。したがって、クロスメンバ48のうち、樹脂2から突出した部分の広い範囲が樹脂によって覆われるといったことも適切に回避することができる。ケース1B内への各リード4の収容を終えた後には、樹脂2の硬化処理と、各リード4ならびにクロスメンバ48の切断およびフォーミング加工を行なう。これにより、表示装置A2を製造することかできる。クロスメンバ48は、上記切断およびフォーミング加工によって、ダミー電極5とする。
【0035】
上記した製造方法においては、表示装置A1,A2のいずれについても、構成が同一の製造用フレームFを利用している。したがって、たとえば表示装置A1,A2を異なる構成の製造用フレームを用いて製造する場合と比べると、それら表示装置の製造コストを廉価にすることができる。
【0036】
表示装置A1,A2は、いずれもハンダリフローの手法を用いて所望の箇所に面実装することが可能であり、複数のリード4の端子部40を介して複数のLEDチップ3への電力供給を選択的に行なうことにより、0〜9までの数字の選択的な表示とこれに付随するドットのオン・オフ表示とが可能である。LEDチップ3を発光させた場合、このLEDチップ3から発せられた光の一部をケース1Aの窓部10a,10bの周壁面によって高い反射率でこの表示装置A1の正面に向けて反射させることも可能であり、これにより表示を明るくすることができる。
【0037】
表示装置A2においては、この表示装置A2を所望箇所に面実装する場合に、ダミー電極5を面実装用の端子部40と同様に、所望箇所に対してハンダ付けすることができる。このようにすれば、ハンダ付け面積を大きくして、表示装置A2の実装強度を高めることができる。また、ダミー電極5には、複数のLEDチップ3から発せられた熱を外部に逃がす放熱板としての機能をもたせることもできる。
【0038】
本願発明は、上述した実施形態に限定されない。本願発明に係る半導体装置の製造方法の各作業工程の具体的な構成は、種々に変更自在である。同様に、本願発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成も、種々に設計変更自在である。
【0039】
たとえば、図12に示すように、2桁の数字を表示するめの表示装置A3を構成するケース1Cとしては、幅方向中央部に2つの仕切壁11aを備えていることにより、これらの仕切壁11aとケース1Cの一対の側壁11との間に2つの収容空間部19を備えたものを使用してもよい。これら2つの収容空間部19のそれぞれには、1つの数字およびドットを表示するための複数のリード4やLEDチップ3が個別に収容された構成とすることができる。このような構成によれば、一対の仕切壁11aどうしの間には、必ずしも樹脂2を充填する必要はなく、樹脂2の使用量を少なくすることができる。
【0040】
製造用フレームには、必ずしも拡幅部を設ける必要はない。また、ダミー電極は、必要に応じて設ければよく、ダミー電極を有しない構成とすることもできる。本願発明は、2桁の数字を表示可能な表示装置のみらず、たとえば3桁の数字、あるいはそれ以上の桁数の数字を表示可能な表示装置およびその製造方法にも適用することができる。
【0041】
本願発明に係る半導体装置は、8セグメントタイプあるいは7セグメントタイプの表示装置に限定されない。たとえば、LEDから発せられた光をケースの外部に出射させることによって所定部分を照明するように構成された発光装置として構成したり、表示装置や発光装置とは異なる種類の半導体装置として構成することもできる。したがって、本願発明でいう半導体素子の具体的な種類や数は限定されるものではなく、またリードの具体的な本数やケースの具体的な形状も問わない。
【図面の簡単な説明】
【図1】表示装置として構成された半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図2】図1のII−II断面図である。
【図3】図1のIII −III 断面図である。
【図4】図1に示す半導体装置の平面断面図である。
【図5】表示装置として構成された半導体装置の他の例を示す斜視図である。
【図6】図5のVI−VI断面図である。
【図7】図5に示す半導体装置の平面断面図である。
【図8】半導体装置の製造に用いられる製造用フレームの一例を示す要部正面図である。
【図9】(a)は、半導体装置の製造方法の一工程を示す要部正面図であり、(b)は、(a)のIX−IX断面図である。
【図10】図1に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図11】図5に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図12】本願発明に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図13】(a),(b)は、従来の半導体装置の具体例を示す斜視図である。
【図14】(a)は、従来の半導体装置の製造方法の一例を示す側面図であり、(b)は、(a)のXIV−XIV断面図である。
【図15】従来の半導体装置の製造方法の他の例を示す側面図である。
【符号の説明】
A1,A2 表示装置(半導体装置)
F 製造用フレーム
1A,1B ケース
2 樹脂
3 LEDチップ(半導体素子)
4 リード
5 ダミー電極
48 クロスメンバ
49 サイドメンバ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a suitable semiconductor equipment to configure the like 8 segment or seven-segment type display device.
[0002]
[Prior art]
As a specific example of a conventional semiconductor device, for example, as shown in FIG. 13A, there is an 8-segment type display device B1 capable of displaying a single-digit number and a single dot. In addition, as shown in FIG. 2B, there is also a display device B2 that can display a two-digit number and two dots, and this display device B2 has a basic configuration of the display device B1 as one module. In some cases, a configuration corresponding to two modules is provided. Each of these display devices B1 and B2 has a plurality of LED chips (not shown in the figure) accommodated in
[0003]
Conventionally, the display devices B1 and B2 are manufactured as follows. That is, when manufacturing the display device B1, for example, as shown in FIG. 14, a manufacturing frame F1 is used which is formed by dividing a plurality of
[0004]
The basic process for manufacturing the display device B2 is the same as described above. However, as shown in FIG. 15, in the manufacturing frame F2 used for manufacturing the display device B2, the number of
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional means described above, although the display devices B1 and B2 have a common configuration, separate manufacturing frames F1 and F2 having different structures are used in the manufacture thereof. Therefore, the cost for manufacturing and preparing these manufacturing frames F1 and F2 increases, and the manufacturing cost of the display devices B1 and B2 increases.
[0006]
The present invention has been conceived under such circumstances, and an object thereof is to reduce the manufacturing cost of the display device.
[0007]
DISCLOSURE OF THE INVENTION
In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.
[0008]
The method of manufacturing a semiconductor device which is herein onset Ming Thus provided, a semiconductor element is mounted for manufacturing frames a plurality of leads are provided side by side in a predetermined direction is divided into a plurality of sets of each fixed number, and this A first step of electrically connecting the semiconductor element and the plurality of leads; a second step of housing and fixing each part of the semiconductor element and the plurality of leads conducting to the semiconductor element; and the manufacturing A third step of separating a plurality of leads partially contained in the case from other portions of the manufacturing frame by cutting the frame for use in a semiconductor device. As the case, when preparing the first and second cases having different sizes and manufacturing a semiconductor device corresponding to one module, the above-mentioned case is performed in the second step. While one set of the plurality of leads is accommodated in one case, when manufacturing a semiconductor device corresponding to a plurality of modules, the plurality of leads are divided into a plurality of sets in the second case in the second step. It is characterized by being accommodated in a lump.
[0010]
According to the present invention, in order to manufacture a semiconductor device corresponding to a plurality of modules by using a manufacturing frame used to manufacture a semiconductor device corresponding to one module, the semiconductor frame can be shared. The manufacturing cost of the apparatus can be reduced.
[0011]
In a preferred embodiment of the present invention, a cross member for connecting a pair of side frames of the manufacturing frame is provided between each pair of the plurality of leads of the manufacturing frame, and the cross member is Forming a dummy electrode protruding from the inside of the case to the outside. According to such a structure, the semiconductor device provided by the 3rd side surface of this invention described below can be manufactured suitably.
[0015]
Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments of the invention.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
[0017]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment is a method capable of selectively manufacturing two types of display devices as semiconductor devices, and a specific configuration of these two types of display devices will be described first.
[0018]
1 to 4 show an example of a display device. The display device A1 shown in these drawings is an 8-segment type display device for displaying a single digit and a dot, and includes a case 1A, a
[0019]
The case 1A is resin-molded using, for example, a mold, and a plurality of
[0020]
The
[0021]
The plurality of
[0022]
As best shown in FIGS. 2 and 3, a part of each of the plurality of
[0023]
As clearly shown in FIG. 2, the
[0024]
5 to 7 show other examples of the display device. In these drawings, the same or similar elements as those of the display device A1 described above are denoted by the same reference numerals.
[0025]
The display device A2 shown in FIGS. 5 to 7 is for displaying a two-digit number and two dots, and includes a
[0026]
The
[0027]
As will be described later, the
[0028]
Next, a method for manufacturing the display devices A1 and A2 will be described.
[0029]
First, the manufacturing method of the display device A1 will be described. In manufacturing the display device A1, a manufacturing frame F as shown in FIG. 8 is used. The manufacturing frame F is obtained by finishing a metal plate having an appropriate thickness into a predetermined shape by, for example, an etching process. In the manufacturing frame F, a plurality of
[0030]
As shown in FIG. 9, the manufacturing frame F is used in a state in which each
[0031]
Next, as shown in FIG. 10, the
[0032]
Thereafter, the
[0033]
Next, a method for manufacturing the display device A2 will be described. Even in this case, the manufacturing frame F described above is used. As shown in FIG. 9, the manufacturing frame F is bent into a U-shaped cross section, and the bonding operation of the plurality of
[0034]
However, as shown in FIG. 11,
[0035]
In the manufacturing method described above, the manufacturing frame F having the same configuration is used for both the display devices A1 and A2. Therefore, for example, as compared with the case where the display devices A1 and A2 are manufactured using manufacturing frames having different configurations, the manufacturing cost of the display devices can be reduced.
[0036]
Each of the display devices A1 and A2 can be surface-mounted at a desired location using a solder reflow technique, and power is supplied to the plurality of
[0037]
In the display device A2, when the display device A2 is surface-mounted at a desired location, the
[0038]
The present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each work process in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention can be variously changed. Similarly, the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present invention can be modified in various ways.
[0039]
For example, as shown in FIG. 12, the
[0040]
It is not always necessary to provide the widened portion in the manufacturing frame. In addition, the dummy electrode may be provided as necessary, and the dummy electrode may be omitted. The present invention can be applied not only to a display device that can display two-digit numbers, but also to a display device that can display, for example, three-digit numbers or more digits, and a method for manufacturing the same.
[0041]
The semiconductor device according to the present invention is not limited to an 8-segment type or 7-segment type display device. For example, it may be configured as a light emitting device configured to illuminate a predetermined portion by emitting light emitted from an LED to the outside of the case, or may be configured as a semiconductor device of a different type from a display device or a light emitting device. You can also. Therefore, the specific type and number of semiconductor elements referred to in the present invention are not limited, and the specific number of leads and the specific shape of the case are not limited.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view illustrating an example of a semiconductor device configured as a display device.
2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG.
4 is a plan sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a perspective view showing another example of a semiconductor device configured as a display device.
6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
7 is a plan sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 5;
FIG. 8 is a main part front view showing an example of a manufacturing frame used for manufacturing a semiconductor device;
9A is a principal part front view showing one step of a method of manufacturing a semiconductor device, and FIG. 9B is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 9A;
10 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
11 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of a semiconductor device according to the present invention.
FIGS. 13A and 13B are perspective views showing a specific example of a conventional semiconductor device. FIGS.
14A is a side view showing an example of a conventional method for manufacturing a semiconductor device, and FIG. 14B is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 14A;
FIG. 15 is a side view showing another example of a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
[Explanation of symbols]
A1, A2 display device (semiconductor device)
4
Claims (4)
上記半導体素子およびこれに導通する複数のリードの各一部をケース内に収容して固定させる第2工程と、
上記製造用フレームを切断することにより、上記ケース内に一部分が収容されている複数のリードを上記製造用フレームの他の部分から分離する第3工程と、
を有している、半導体装置の製造方法であって、
上記ケースとしては、サイズが相違する第1および第2のケースを準備しておき、かつ、
1モジュールに相当する半導体装置を製造するときには、上記第2工程において上記第1のケース内に上記複数のリードを1組分だけ収容させる一方、
複数モジュールに相当する半導体装置を製造するときには、上記第2工程において上記第2のケース内に上記複数のリードを複数組分一括して収容させることを特徴とする、半導体装置の製造方法。A semiconductor element is mounted on a manufacturing frame in which a plurality of leads are divided into a plurality of groups each having a predetermined number and arranged in a certain direction, and the semiconductor element and the plurality of leads are electrically connected. 1 process,
A second step of housing and fixing each part of the semiconductor element and a plurality of leads electrically connected to the semiconductor element;
A third step of separating a plurality of leads partially contained in the case from other parts of the manufacturing frame by cutting the manufacturing frame;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
As the above case, first and second cases having different sizes are prepared, and
When manufacturing a semiconductor device corresponding to one module, the plurality of leads are accommodated in one set in the first case in the second step,
When manufacturing a semiconductor device corresponding to a plurality of modules, a plurality of sets of the plurality of leads are collectively accommodated in the second case in the second step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001217133A JP4610806B2 (en) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001217133A JP4610806B2 (en) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003031748A JP2003031748A (en) | 2003-01-31 |
JP4610806B2 true JP4610806B2 (en) | 2011-01-12 |
Family
ID=19051514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001217133A Expired - Fee Related JP4610806B2 (en) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4610806B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300884A (en) * | 2003-10-30 | 2008-12-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Led, connection structure of led and flat cable, and led-connecting circuit structure |
JP4789433B2 (en) * | 2004-06-30 | 2011-10-12 | 三洋電機株式会社 | LED display housing and LED display |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619855U (en) * | 1984-06-21 | 1986-01-21 | ロ−ム株式会社 | Lead frame for LED numeric display device |
JPS6276578A (en) * | 1986-09-04 | 1987-04-08 | Rohm Co Ltd | Manufacture of electronic part |
JPH07211940A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Rohm Co Ltd | Planar emission type led light emitting device and its manufacture |
JPH08181273A (en) * | 1994-05-16 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | Lead frame and semiconductor device |
-
2001
- 2001-07-17 JP JP2001217133A patent/JP4610806B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619855U (en) * | 1984-06-21 | 1986-01-21 | ロ−ム株式会社 | Lead frame for LED numeric display device |
JPS6276578A (en) * | 1986-09-04 | 1987-04-08 | Rohm Co Ltd | Manufacture of electronic part |
JPH07211940A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Rohm Co Ltd | Planar emission type led light emitting device and its manufacture |
JPH08181273A (en) * | 1994-05-16 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | Lead frame and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003031748A (en) | 2003-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10593846B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device | |
KR100345621B1 (en) | Method of producing semiconductor device and lead frame used in said method | |
US7768029B2 (en) | LED lamp | |
KR100214549B1 (en) | Bottom Lead Semiconductor Package | |
US6650020B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
US8148745B2 (en) | Semiconductor light emitting module and method for manufacturing the same | |
CN109196667B (en) | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same | |
KR20090067180A (en) | Package structure for vertical geometry light emitting diode and manufacturing method of light emitting device using same | |
US7154155B2 (en) | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes | |
US8431949B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP7079277B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JPH08264842A (en) | Side light emitting device | |
JP4673610B2 (en) | Surface mount type light emitting diode | |
JP4703903B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
JP2008103401A (en) | Package for upper/lower electrode type light emitting diode, and its manufacturing method | |
KR100735309B1 (en) | Surface-Mount LED Modules | |
JP4028101B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4610806B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR20140008911A (en) | Optical module and manufacturing method thereof | |
KR19990087872A (en) | Method of producing semiconductor device and configuration thereof, and lead frame used in said method | |
US8003413B2 (en) | Penetrating hole type LED chip package structure using a ceramic material as a substrate and method for manufacturing the same | |
CN103682063A (en) | Laterally light-emitting LED packaging structure and manufacturing method for laterally light-emitting LED packaging structure | |
CN104103748A (en) | Light-emitting-diode packaging structure and manufacturing method thereof | |
JPH05114751A (en) | Optical semiconductor device | |
WO2006123917A1 (en) | Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101012 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |