JP4604450B2

JP4604450B2 - Probe card and manufacturing method thereof, probe device, probe test method, and semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number: JP4604450B2
Application number: JP2003034912A
Authority: JP
Inventors: 良平田村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-02-13
Filing date: 2003-02-13
Publication date: 2011-01-05
Anticipated expiration: 2023-02-13
Also published as: JP2004245669A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハにプローブ試験を行うためのプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そして、この検査には通常、プローブ装置が用いられている。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣチップが有する電極端子にプローブカードのプローブ針を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加することにより各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行って個々のＩＣチップが電気的特性を有するか否かをテスタを介して試験する装置である。
【０００３】
上記プローブ装置は、半導体ウエハ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチップ上の所定の電極端子に接触させるプローブ針を有するプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングとを備えている。そして、このようなプローブ装置には必要に応じてリニアマザーボードやパーフォーマンスボード等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプローブカードとテスタを電気的に接続するようにしている。
【０００４】
図１１（ａ）は、従来の半導体装置の一例としての液晶ドライバー用ＩＣチップを示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す領域１０１を拡大し、領域１０１の入出力端子にプローブカードのプローブ針を接触させている様子を示す斜視図である。
プローブカードは、表面及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基板を有し、このプローブカード基板にはその中央部に基板開口エリアが設けられている。
【０００５】
前記プローブカード基板の下面側には前記基板開口エリアの周辺に合わせてプローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが配置されている。さらに、前記プローブカード基板の下面側には複数のプローブ針１０２〜１０６が固定リング（図示せず）の周囲に沿って固定されている。
【０００６】
プローブカードによって実際に電気的特性試験を行う場合には、図１１（ａ）に示すＩＣチップ１０９がチップ毎に分割される前のウエハ状態で、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針１０２〜１０６の先端をウエハのＩＣチップ１０９の各電極端子である入力端子１０８及び出力端子１０７に接触させ、所定圧力で先端を電極端子に押圧する。これにより、プローブ針と電極端子とが電気的に接続され、ＩＣチップの電気的特性試験が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶ドライバー用ＩＣ製品の端子はチップ外周に１列で配置されており、特に出力端子１０７の端子数は入力端子１０８に比べて多い。このため、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることは一般的に困難である。そこで、従来技術においても出力端子とプローブ針とのコンタクトに工夫が施されている。即ち、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針を１層目から４層目までの多層針立て構造とし、端子数の多い出力端子に対してもプローブ針を接触させることができるようにしている。
【０００８】
しかしながら、近年、更なるＩＣの高密度化が進む中で、図１１（ｂ）に示すようなプローブカード上の多層針立て構造のみでは、電極端子とプローブ針を安定してコンタクトすることが困難になり、隣接するプローブ針同士がショートするおそれがある。特に、ＩＣの高密度化に伴い、更に端子数が増えて、もともと端子数の多い出力端子が狭ピッチ化されると、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることが極めて困難になる。従って、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、プローブ針同士がショートすることなく確実にコンタクトできるプローブカードが求められている。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、狭ピッチ化された電極端子に対しても、その電極端子と検針とを確実にコンタクトできるプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプローブカードは、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子を具備することを特徴とする。
【００１１】
上記プローブカードによれば、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成しているため、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、検針同士がショートすることなく電極端子とコンタクト端子とを確実に接触させることができる。
【００１２】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成された配線と、
前記配線上に形成され、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたクッション層と、
前記クッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置する第１のクッション層と、
前記第１のクッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成された第２のクッション層と、
前記第２のクッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とするプローブカード。
【００１８】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るプローブカードにおいて、前記スルーホール接続部材は、前記基板に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に形成された積層メッキと、を有し、この積層メッキで導通を取るものであることが好ましい。
本発明に係るプローブ装置は、前記のプローブカードを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るプローブ試験方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う方法であって、
被測定側のＩＣチップの電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法であって、
被測定側の半導体装置の電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行う工程を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上に配線を形成する工程と、
被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子を前記配線上にメッキ法により形成すると共に、前記配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にクッション層を形成する工程と、
前記クッション層及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記コンタクト端子、前記接続端子、前記金属コンタクタ及び前記金属配線をマスクとして前記金属層及び前記バリア層をエッチングすることにより前記レジスト膜の一部を露出させる工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図である。
図１に示すように、プローブカードはセラミック又はガラスからなる補強基板（プローブカード基板）１を有している。補強基板１の上にはポリイミドテープなどのフレキシブル基板４が配置されており、このフレキシブル基板４の中央部にはホール４ａが設けられている。
【００２７】
このフレキシブル基板４の下面にはフレキシブルメタル配線５が配置されており、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内に引き出されている。このホール４ａ内であって補強基板１上には、検針を電極端子に接触させてプローブ試験を行う際にクッション層として作用する厚膜のポリイミド膜２が配置されている。このポリイミド膜２の上には検針部３が配置されており、この検針部３はホール４ａ内に位置している。
【００２８】
検針部３はＳｉ又はガラスからなる基板（Ｓｉ又はガラスのチップ）６を有しており、この基板６の上にはコンタクト端子（プローブ針に相当）７ａ，７ｂが形成されている。このコンタクト端子７ａ，７ｂは配線を介して接続端子８ａ，８ｂに電気的に接続されている。この接続端子８ａ，８ｂはフレキシブルメタル配線５に接続されている。フレキシブル基板４上、ホール４ａ内及び検針部３の周囲は液状コーティング材９により埋められている。但し、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部は液状コーティング材９から露出している。なお、液状コーティング材９は検針部３などを補強できるものであれば、種々の材質を用いることが可能であり、例えば樹脂等を用いても良い。
【００２９】
次に、図１に示すプローブカードの製造方法について図２〜図６を参照しつつ説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、ポリイミドテープなどからなるフレキシブル基板４を準備し、このフレキシブル基板４に検針部３を配置するためのホール４ａを設ける。そして、フレキシブル基板４の下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５が形成され、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示すコンタクト端子７ａ，７ｂ及びそのコンタクト端子から引き出された接続端子８ａ，８ｂ、基板６上に形成されたメタル層による再配置配線を有する検針部３を準備する。なお、検針部３の作製方法は後述する。
次いで、図２（ｃ）に示す厚膜のポリイミド膜２を準備する。このポリイミド膜２は、被測定側のＩＣチップとコンタクト端子７ａ，７ｂをコンタクトする時、検針部３の基板６の下面への加圧を緩和するためのクッション層として作用するものである。
次いで、図２（ｄ）に示す検針部３を固定するための補強基板（プローブカード基板）１を準備する。
【００３２】
次いで、図１に示すように、前記補強基板１の上にポリイミド膜２を載置する。次いで、このポリイミド膜２の上に検針部３を載置する。次いで、前記補強基板１の上に前記フレキシブル基板４を載置する。この際、ホール４ａ内にポリイミド膜２及び検針部３が位置するようにフレキシブル基板４を配置する。そして、ホール４ａ内でフレキシブルメタル配線５のインナーリードと接続端子８ａ，８ｂを加熱・加圧により接続する。
【００３３】
次いで、ホール４ａ内、フレキシブル基板４上及びコンタクト端子の先端部を除く検針部３上に液状のコーティング材９を塗布する。この際、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部に液状コーティング材９が塗布されない様にするために、コンタクト端子の先端部をマスク用の絶縁膜（図示せず）で被覆しておき、液状コーティング材９を塗布した後に前記絶縁膜を剥離することが好ましい。
【００３４】
なお、ポリイミド膜２と補強基板１とを接着剤によって接着しても良く、検針部３とポリイミド膜２とを接着剤によって接着しても良く、フレキシブル基板４と補強基板１とを接着剤によって固定しても良い。
【００３５】
次に、前記検針部３を作製する方法について図３〜図６を参照しつつ説明する。図３〜図６は、図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉ又はガラスからなる基板６を用意し、この基板６上に感光性のある厚膜のポリイミド膜を塗布する。次いで、このポリイミド膜を露光、現像してパターニングした後、加熱処理（ポリイミドキュア）を行う。これにより、基板６上にはポリイミドからなるクッション層１０が形成される。
【００３６】
この後、図３（ｂ）に示すように、クッション層１０を含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成する。このＴｉＷ層１１は、クッション層１０へ配線材料が拡散するのを防止するためのバリア層である。次いで、ＴｉＷ層１１の上にスパッタリングによりＣｕ層１２を形成する。このＣｕ層１２は、ＴｉＷ層１１と後記金属配線１４ａ，１４ｂとの密着性を向上させるためのものである。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、Ｃｕ層１２の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１３が形成される。このレジストパターン１３は金属配線を形成する領域が開口されたパターンである。
次いで、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン１３の開口部内のＣｕ層１２上に電界メッキ法により金属配線１４ａ，１４ｂが形成される。この金属配線は例えばＣｕ配線を用いることが好ましい。
【００３８】
この後、図４（ｅ）に示すように、レジストパターン１３を剥離する。
次いで、図４（ｆ）に示すように、金属配線１４ａ，１４ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１５が形成される。このレジストパターン１５は金属コンタクタを形成する領域が開口されたパターンである。
【００３９】
次に、図４（ｇ）に示すように、レジストパターン１５の開口部内の金属配線１４ａ，１４ｂ上に電界メッキ法により金属コンタクタ１６ａ，１６ｂが形成される。この金属コンタクタは例えばＮｉからなることが好ましい。
この後、図４（ｈ）に示すように、レジストパターン１５を剥離する。これにより、各々の金属配線１４ａ，１４ｂの一部が露出する。
【００４０】
次に、図５（ｉ）に示すように、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、金属コンタクタ及びＣｕ層の上にはレジストパターン１７が形成される。このレジストパターン１７はコンタクト端子及び接続端子を形成する領域が開口されたパターンである。
【００４１】
次いで、図５（ｊ）に示すように、レジストパターン１７の開口部内の金属コンタクタ及び金属配線の上に電界メッキ法によりバンプ状のコンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂが形成される。即ち、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂ上にはコンタクト端子７ａ，７ｂが形成され、金属配線１４ａ，１４ｂ上には接続端子８ａ，８ｂが形成される。
【００４２】
前記コンタクト端子７ａ，７ｂは、プローブ針に相当するものであって、電気的特性試験（プローブ試験）の際に被測定側のＩＣチップの電極端子（パッド又はバンプ）に接触させるものである。つまり、コンタクト端子７ａ，７ｂは、フォトリソグラフィ技術によって被測定側ＩＣチップの電極端子の中心座標と同一な個所に形成されたものである。
また、前記接続端子８ａ，８ｂは、前記フレキシブルメタル配線５のインナーリードの先端に接続するものである。なお、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれは、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ａｕ及びＳｎ−Ａｇ合金の群から選ばれた一の金属からなることが好ましい。
【００４３】
この後、図５（ｋ）に示すように、レジストパターン１７を剥離する。
次いで、図６（ｌ）に示すように、コンタクト端子、接続端子、金属コンタクタ及び金属配線をマスクとしてＣｕ層１２及びＴｉＷ層１１をエッチングすることにより、クッション層１０の一部及び基板６の一部が露出され、コンタクト端子７ａとコンタクト端子７ｂが電気的に分離される。これにより、コンタクト端子７ａは金属コンタクタ１６ａ及び金属配線１４ａを介して接続端子８ａに電気的に接続され、コンタクト端子７ｂは金属コンタクタ１６ｂ及び金属配線１４ｂを介して接続端子８ｂに電気的に接続される。
【００４４】
次に、図６（ｍ）に示すように、コンタクト端子及び接続端子を含む全面上に、これらの端子の根元を補強するための樹脂１８をコーティングする。
次いで、図６（ｎ）に示すように、この樹脂１８の表面をドライエッチングすることにより、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれの先端側を樹脂１８から露出させる。このようにして図２（ｂ）に示す検針部３を作製する。
【００４５】
次に、図１に示すプローブカードを用いてプローブ試験を行うためのプローブ装置について図７を参照しつつ説明する。
図７は、第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図である。
このプローブ装置は、図示せぬ昇降機構によって昇降可能に構成されたテストヘッド３１と、このテストヘッド３１の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設されたパフォーマンスボード３２と、このパフォーマンスボード３２と接続するようにインサートリング３３により支持された接続リング３４と、この接続リング３４の下方に配設されたプローブカード３５を備えている。
【００４６】
上記テストヘッド３１の内部には被検査体としての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクス３６が内蔵されている。このピンエレクトロニクス３６はパフォーマンスボード３２上に搭載された複数の電子部品回路３７に対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路３７は、例えばマトリックス・リレー、ドライバー回路等からなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路３７の接続リング３４との接続端子３８はパフォーマンスボード３２の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板３９の下面に例えば基板３９と同心円をなす４つの円周上に配列されている。
【００４７】
また、上記接続リング３４の上面には接続端子３８に対応するポゴピン４０が同心円をなすように形成された４つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピン４０に導通するポゴピン４１が接続部材４２に対応して設けられている。この接続部材４２はプローブカード３５の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように構成されている。これによりテストヘッド３１は、パフォーマンスボード３２、接続リング３４及び接続部材４２を介してプローブカード３５と電気的に接続できるように構成されている。
【００４８】
また、接続リング３４の下面にはゴムなどのクッション材からなるスペーサ４３が配置されており、このスペーサ４３はプローブカード３５の上面に対応する位置に形成されている。これにより、プローブカード３５の上面の広い面積をスペーサ４３で下方へ加圧できるようになっている。その加圧の際、ポゴピン４１によって接続部材４２に電気的に接続できるようになっており、この接続部材４２はプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続されている。
【００４９】
プローブカード３５は図１に示すものである。
プローブカード３５に対して半導体ウエハＷをアライメントするアライメント機構について説明する。プローブカード３５の下方には略円形状のステージ２７が設けられ、このステージ２７の上面に配設されたウエハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持するようになっている。このウエハチャック２８の内部には加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整機構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２９により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱でき、また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエハＷを例えば−１０℃まで冷却できるようになっている。
【００５０】
また、上記ステージ２７はウエハチャック２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメント時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール２４，２５上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャック２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するようになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲット板２６が取り付けられており、その上方に配設された光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６によりターゲット板２６及び所定のＩＣチップを検出し、この検出信号に基づいてプローブカード３５と半導体ウエハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになっている。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の駆動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべきＩＣチップをプローブカード３５にアライメントするようにしてある。
【００５１】
次に、動作について説明する。ＩＣチップが複数作製された半導体ウエハＷの電気的検査を例えば１５０℃の温度下で行う場合には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持する。次いで、ターゲット板２６、光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６などから得られた検出データに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷをプローブカード３５に対してアライメントする。
【００５２】
アライメント終了後、テストヘッド１を下降させると共にプローブカード３５及びそれと電気的に接続された接続部材４２を上昇させる。これにより、パフォーマンスボード３２下面の接続端子３８が接続リング３４上面のポゴピン４０と電気的に接続されると共に、接続部材４２が接続リング３４下面のポゴピン４１と電気的に接続される。その結果、テストヘッド３１のピンエレクトロニクス３６とパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７が電気的に接続され、更にこれらは接続リング３４のポゴピン４０，４１及び接続部材４２を介してプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクトロニクス３６とコンタクト端子７ａ，７ｂとが導通可能な状態になる。
【００５３】
その後、ウエハチャック２８を上昇させて半導体ウエハＷ上のＩＣチップの電極端子にコンタクト端子７ａ，７ｂの針先を接触させ、更にウエハチャック２８を所定量オーバードライブさせてコンタクト端子７ａ，７ｂと電極端子とを導通可能な状態にする。
【００５４】
この導通可能な状態でテストヘッド３１から所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード３２、接続リング３４、接続部材４２、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び電極端子を介してＩＣチップに電気信号を入力すると、この入力信号に基づいた出力信号がＩＣチップの電極端子から接続リング３４及びパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７を介してピンエレクトロニクス３６に取り込まれ、ＩＣチップの電気的検査が行われる。
【００５５】
プローブカードのプローブ針の母材径と針立て技術の限界が見え始めている中で、ＩＣに配列されるパッドのシュリンク化にも従来技術では限界があった。本実施の形態では、フォトリソグラフィ技術によってＩＣチップの電極端子の中心座標に対応する個所に従来のプローブ針に代わるコンタクト端子を形成したプローブカードを用いることにより、従来技術のようなニードルタイプの針立て限界の制約が無くなり、電極端子の更なるシュリンク化と微細パッドピッチに強い技術を確立することができた。
【００５６】
尚、上記第１の実施の形態では、プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法についての発明を説明しているが、本実施の形態によるプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法に本発明を適用することも可能である。
【００５７】
図８（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図１に示す検針部３におけるクッション層１０及び樹脂１８を無くしたものである。クッション層１０を無くしたが、この部分は空洞（空間）になっているため、金属配線１４ａ，１４ｂ及び金属コンタクタ１６ａ，１６ｂがクッションとして作用する。
【００５８】
次に、検針部３の作製方法について図３〜図６（ｌ）及び図８（ｂ）を参照しつつ説明する。
図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図３〜図６と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５９】
まず、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図６（ｌ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
次に、図８（ｂ）に示すように、クッション層１０の代わりに形成したレジストパターンを除去する。これにより、第１の実施の形態でクッション層１０が形成されていた部分は空洞（空間）となる。このようにして図８（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
図９（ａ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第１の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６２】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６３】
図９（ｂ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第２の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６４】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成される。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６５】
図９（ｃ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第３の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６６】
第１のフレキシブル基板２４ａの上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第１のフレキシブル基板２４ａの下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、第１のフレキシブル基板２４ａの上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６７】
第２のフレキシブル基板２４ｂの上面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第２のフレキシブル基板２４ｂの上面にはフレキシブルメタル配線５ｃが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｃはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６８】
第１のフレキシブル基板２４ａの上にフレキシブルメタル配線５ｂを介して第２のフレキシブル基板２４ｂを配置する。このように第１のフレキシブル基板２４ａに第２のフレキシブル基板２４ｂを重ねて配置し、フレキシブルメタル配線を第１のフレキシブル基板２４ａの上面と下面と第２のフレキシブル基板２４ｂの上面との３層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度をさらに向上させることができる。
【００６９】
図１０（ａ）は、本発明に係る第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図８（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図８（ａ）に示す検針部３における接続端子８ａ，８ｂを基板６の下面（コンタクト端子７ａ，７ｂを形成している面と逆側の面）に配置し、この接続端子８ａ，８ｂをメタル配線１７ａ，１７ｂ及びスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂによって金属配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続したものである。
【００７０】
メタル配線１７ａ，１７ｂは基板６の下面に形成されている。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂは、レーザーとエッチングにより基板６にスルーホールを開け、このスルーホール内に積層メッキで導通を取ったものである。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端はメタル配線１７ａ，１７ｂに接続されており、スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの上端はバリア層１１に接続されている。
【００７１】
次に、検針部３の作製方法について図１０（ｂ）を参照しつつ説明する。
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図８（ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７２】
まず、図１０（ｂ）に示すように、基板６にスルーホールを開け、スルーホール内に積層メッキを施すことにより、該基板６にはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂが形成される。次いで、基板６の下面にメタル配線１７ａ，１７ｂを形成する。このメタル配線１７ａ，１７ｂはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端に接続される。次いで、このメタル配線１７ａ，１７ｂの表面上に電界メッキ法により接続端子８ａを形成する。
【００７３】
この後、図８（ｂ）に示す第２の実施の形態の場合と同様に、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図４（ｈ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００７４】
次の図５（ｉ）に示す工程で、接続端子を形成する領域が開口されず、コンタクト端子を形成する領域のみが開口されたレジストパターンを形成し、この後の工程からは第２の実施の形態の場合と同様である。このようにして図１０（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第３の実施の形態においても第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
また、本発明は上記第１乃至第３の実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図２】図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図。
【図３】図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図４】図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図５】図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図６】図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図７】第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図。
【図８】第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図９】フレキシブル基板の第１乃至第３の変形例を示す断面図。
【図１０】第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図１１】従来の半導体装置を示す平面図。
【符号の説明】
１…補強基板（プローブカード基板）、２…ポリイミド膜、３…検針部、４…フレキシブル基板、４ａ…ホール、５，５ａ〜５ｃ…フレキシブルメタル配線、６…基板、７ａ，７ｂ…コンタクト端子、８ａ，８ｂ…接続端子、９…液状コーティング材、１０…クッション層、１１ＴｉＷ層、１２…Ｃｕ層、１３，１５，１７…レジストパターン、１４ａ，１４ｂ…金属配線、１６ａ，１６ｂ…金属コンタクタ、１７ａ，１７ｂ…メタル配線、１８…樹脂、１８ａ，１８ｂ…スルーホール接続部材、２４ａ…第１のフレキシブル基板、２４ｂ…第２のフレキシブル基板、２４，２５…レール、２６…ターゲット板、２７…ステージ、２８…ウエハチャック、２９…加熱装置、３０…冷却媒体の循環路、３１…テストヘッド、３２…パフォーマンスボード、３３…インサートリング、３４…接続リング、３５…プローブカード、３６…ピンエレクトロニクス、３７…電子部品回路、３８…接続端子、３９…エポキシ系樹脂製の基板、４０，４１…ポゴピン、４２…接続部材、４３…スペーサ、４４，４５…光学的撮像装置、４６…静電容量センサ、Ｗ…半導体ウエハ、１０１…領域、１０２〜１０６…プローブ針、１０７…出力端子、１０８…入力端子、１０９…ＩＣチップ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a probe card for performing a probe test on a semiconductor wafer, a method for manufacturing the same, a probe device, a probe test method, and a method for manufacturing a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
When a large number of IC chips are formed on a semiconductor wafer in the semiconductor process, the electrical characteristics of each IC chip are inspected as they are and the defective products are screened. In general, a probe device is used for this inspection. In this probe device, the probe needle of the probe card is brought into contact with the electrode terminal of each IC chip on the semiconductor wafer, and a predetermined voltage is applied from the probe needle to perform electrical inspection such as a continuity test of each IC chip. This is a device for testing whether or not each IC chip has electrical characteristics through a tester.
[0003]
The probe device includes a test head having pin electronics including a power source for applying a voltage to an IC chip on a semiconductor wafer, an input unit for taking in an output from the IC chip, and a predetermined on the IC chip. A probe card having a probe needle to be brought into contact with the electrode terminal, and a connection ring having a pogo pin for electrically connecting the test head and the probe needle. Such a probe device is provided with a relay board such as a linear mother board or a performance board as necessary, and the probe card and the tester are electrically connected by these relay boards.
[0004]
FIG. 11A is a plan view showing an IC chip for a liquid crystal driver as an example of a conventional semiconductor device. FIG. 11B is an enlarged view of the region 101 shown in FIG. It is a perspective view which shows a mode that the probe needle | hook of a probe card is made to contact the input / output terminal.
The probe card has a probe card substrate with printed wiring provided on the surface and inside, and this probe card substrate has a substrate opening area at the center thereof.
[0005]
On the lower surface side of the probe card substrate, a fixing ring made of a mold resin for fixing probe needles is arranged in accordance with the periphery of the substrate opening area. Further, a plurality of probe needles 102 to 106 are fixed to the lower surface side of the probe card substrate along the periphery of a fixing ring (not shown).
[0006]
When an electrical characteristic test is actually performed using a probe card, the probe needle is in a wafer state before the IC chip 109 shown in FIG. 11A is divided into chips, as shown in FIG. 11B. The tips of 102 to 106 are brought into contact with the input terminal 108 and the output terminal 107 which are the respective electrode terminals of the IC chip 109 of the wafer, and the tips are pressed against the electrode terminals with a predetermined pressure. Thereby, the probe needle and the electrode terminal are electrically connected, and the electrical characteristic test of the IC chip is performed.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the terminals of the IC product for the liquid crystal driver are arranged in a line on the outer periphery of the chip, and in particular, the number of terminals of the output terminal 107 is larger than that of the input terminal 108. For this reason, it is generally difficult to contact the output terminal and the probe needle of the probe card. Therefore, in the prior art, a device is devised for the contact between the output terminal and the probe needle. That is, as shown in FIG. 11B, the probe needle has a multi-layered needle stand structure from the first layer to the fourth layer so that the probe needle can be brought into contact with an output terminal having a large number of terminals. ing.
[0008]
However, in recent years, as the density of ICs further increases, it is difficult to stably contact the electrode terminals and the probe needles only with the multilayer needle holder structure on the probe card as shown in FIG. There is a possibility that adjacent probe needles may be short-circuited. In particular, as the density of ICs increases, the number of terminals further increases, and when the output terminals originally having a large number of terminals are narrowed in pitch, it becomes extremely difficult to contact the output terminals with the probe needles of the probe card. Accordingly, there is a need for a probe card that can cope with a narrow pitch of the electrode terminals and can reliably contact the probe needles without short-circuiting each other.
[0009]
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and the object thereof is a probe card capable of reliably contacting the electrode terminal and the meter-reading even with respect to the electrode terminal having a narrow pitch, and its manufacture. A method, a probe apparatus, a probe test method, and a semiconductor device manufacturing method are provided.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, a probe card according to the present invention is a contact terminal for meter reading that is in substantially the same positional relationship as the electrode terminal of the IC chip on the measured side, and includes a contact terminal formed by a plating method. It is characterized by doing.
[0011]
According to the above probe card, the contact terminals for meter reading, which are in substantially the same positional relationship as the electrode terminals of the IC chip on the measured side, are formed by the plating method. The electrode terminal and the contact terminal can be reliably brought into contact with each other without causing a short circuit.
[0012]
The probe card according to the present invention includes wiring formed on a substrate,
A contact terminal for meter reading formed on the wiring and having substantially the same positional relationship as the electrode terminal of the IC chip on the measured side, and a contact terminal formed by plating,
A connection terminal formed by plating on the wiring;
It is characterized by comprising.
[0013]
The probe card according to the present invention includes a cushion layer formed on a substrate,
A barrier layer formed on the cushion layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the metal wiring;
Contact terminals formed by plating on the metal contactor;
A connection terminal formed by plating on the metal wiring;
Resin for reinforcing the base of the contact terminal and the connection terminal formed on the metal contactor, the metal wiring, the cushion layer and the substrate;
It is characterized by comprising.
[0014]
A probe card according to the present invention includes a flexible substrate disposed on a reinforcing substrate,
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A first cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate formed on the first cushion layer;
A second cushion layer formed on the substrate;
A barrier layer formed on the second cushion layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the metal wiring;
Contact terminals formed by plating on the metal contactor;
A connection terminal formed by plating on the metal wiring;
Resin for reinforcing the base of the contact terminal and the connection terminal formed on the metal contactor, the metal wiring, the cushion layer and the substrate;
Comprising
The connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.
[0015]
A probe card according to the present invention includes a barrier layer formed on a substrate,
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor by plating and disposed above the space;
A connection terminal formed by plating on the metal wiring;
It is characterized by comprising.
[0016]
A probe card according to the present invention includes a flexible substrate disposed on a reinforcing substrate,
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate formed on the cushion layer;
A barrier layer formed on the substrate;
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor by plating and disposed above the space;
A connection terminal formed by plating on the metal wiring;
Comprising
The connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.
[0017]
A probe card according to the present invention includes a barrier layer formed on a substrate,
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
A first metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the first metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor by plating and disposed above the space;
A through-hole connecting member formed on the substrate and having an upper end connected to the barrier layer;
A second metal wiring connected to the lower end of the through-hole connecting member and formed under the substrate;
A connection terminal formed by plating under the second metal wiring;
A probe card comprising:
[0018]
A probe card according to the present invention includes a flexible substrate disposed on a reinforcing substrate,
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate formed on the cushion layer;
A barrier layer formed on the substrate;
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
A first metal wiring formed by plating on the metal layer;
A metal contactor formed by plating on the first metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor by plating and disposed above the space;
A through-hole connecting member formed on the substrate and having an upper end connected to the barrier layer;
A second metal wiring connected to the lower end of the through-hole connecting member and formed under the substrate;
A connection terminal formed by plating under the second metal wiring;
Comprising
The connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.
[0019]
In the probe card according to the present invention, the through-hole connecting member has a through-hole formed in the substrate and a multi-layer plating formed in the through-hole, and conducts by the multi-layer plating. It is preferable.
A probe apparatus according to the present invention includes the probe card.
[0020]
A probe test method according to the present invention is a method of performing a probe test using the probe card,
The probe test is performed by bringing the contact terminal into contact with the electrode terminal of the IC chip on the measurement side and making the contact terminal and the electrode terminal conductive.
[0021]
A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step of performing a probe test using the probe card.
The method includes a step of performing a probe test by bringing the contact terminal into contact with an electrode terminal of a semiconductor device to be measured and making the contact terminal and the electrode terminal conductive.
[0022]
The method for manufacturing a probe card according to the present invention includes a step of forming, by plating, a contact terminal for meter reading that has substantially the same positional relationship as the electrode terminal of the IC chip on the measured side.
[0023]
The method for manufacturing a probe card according to the present invention includes a step of forming wiring on a substrate,
Forming a contact terminal for meter reading, which is in the same positional relationship as the electrode terminal of the IC chip on the measured side, on the wiring by a plating method, and forming a connection terminal on the wiring by a plating method;
It is characterized by comprising.
[0024]
The method of manufacturing a probe card according to the present invention includes a step of forming a cushion layer on a substrate,
Forming a barrier layer on the cushion layer and the substrate;
Forming a metal layer on the barrier layer;
Forming a metal wiring on the metal layer by a plating method;
Forming a metal contactor on the metal wiring by a plating method;
Forming a contact terminal on the metal contactor by a plating method, and forming a connection terminal on the metal wiring by a plating method;
Forming a resin for reinforcing the base of the contact terminal and the connection terminal on the metal contactor, the metal wiring, the cushion layer, and the substrate;
It is characterized by comprising.
[0025]
The probe card manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a resist film on a substrate,
Forming a barrier layer on the resist film and the substrate;
Forming a metal layer on the barrier layer;
Forming a metal wiring on the metal layer by a plating method;
Forming a metal contactor on the metal wiring by a plating method;
Forming a contact terminal on the metal contactor by a plating method, and forming a connection terminal on the metal wiring by a plating method;
Exposing the part of the resist film by etching the metal layer and the barrier layer using the contact terminal, the connection terminal, the metal contactor and the metal wiring as a mask;
Removing the resist film;
It is characterized by comprising.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a probe card according to a first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the probe card has a reinforcing substrate (probe card substrate) 1 made of ceramic or glass. A flexible substrate 4 such as a polyimide tape is disposed on the reinforcing substrate 1, and a hole 4 a is provided at the center of the flexible substrate 4.
[0027]
A flexible metal wiring 5 is disposed on the lower surface of the flexible substrate 4, and the flexible metal wiring 5 is drawn into the hole 4a. In the hole 4a and on the reinforcing substrate 1, a thick polyimide film 2 is disposed that acts as a cushion layer when a probe test is performed by bringing a meter-reader into contact with an electrode terminal. A meter reading portion 3 is disposed on the polyimide film 2, and the meter reading portion 3 is located in the hole 4a.
[0028]
The meter-reading unit 3 has a substrate (Si or glass chip) 6 made of Si or glass, and contact terminals (corresponding to probe needles) 7 a and 7 b are formed on the substrate 6. The contact terminals 7a and 7b are electrically connected to the connection terminals 8a and 8b through wiring. The connection terminals 8 a and 8 b are connected to the flexible metal wiring 5. On the flexible substrate 4, the inside of the hole 4 a and the periphery of the meter-reading portion 3 are filled with a liquid coating material 9. However, the tip portions of the contact terminals 7 a and 7 b are exposed from the liquid coating material 9. The liquid coating material 9 can be made of various materials as long as it can reinforce the meter reading portion 3 and the like, and for example, resin or the like may be used.
[0029]
Next, a method for manufacturing the probe card shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
2A to 2D are cross-sectional views disassembled into parts of the probe card shown in FIG.
[0030]
As shown in FIG. 2A, a flexible substrate 4 made of polyimide tape or the like is prepared, and a hole 4 a for arranging the meter-reading portion 3 is provided on the flexible substrate 4. And copper foil is formed in the lower surface of the flexible substrate 4, and this copper foil is etched. As a result, the flexible metal wiring 5 is formed on the lower surface of the flexible substrate, and the flexible metal wiring 5 is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole acts as an inner lead.
[0031]
Subsequently, the contact terminals 7a and 7b shown in FIG. 2B, the connection terminals 8a and 8b drawn from the contact terminals, and the meter-reading unit 3 having the rearrangement wiring by the metal layer formed on the substrate 6 are prepared. In addition, the production method of the meter-reading part 3 is mentioned later.
Next, a thick polyimide film 2 shown in FIG. 2C is prepared. The polyimide film 2 functions as a cushion layer for relaxing the pressure applied to the lower surface of the substrate 6 of the meter reading portion 3 when the IC chip on the measurement side and the contact terminals 7a and 7b are contacted.
Next, a reinforcing substrate (probe card substrate) 1 for fixing the meter reading unit 3 shown in FIG. 2D is prepared.
[0032]
Next, as shown in FIG. 1, a polyimide film 2 is placed on the reinforcing substrate 1. Next, the meter reading unit 3 is placed on the polyimide film 2. Next, the flexible substrate 4 is placed on the reinforcing substrate 1. At this time, the flexible substrate 4 is arranged so that the polyimide film 2 and the meter reading portion 3 are located in the hole 4a. Then, the inner leads of the flexible metal wiring 5 and the connection terminals 8a and 8b are connected in the hole 4a by heating and pressing.
[0033]
Next, a liquid coating material 9 is applied in the hole 4a, on the flexible substrate 4 and on the meter reading portion 3 excluding the tip of the contact terminal. At this time, in order to prevent the liquid coating material 9 from being applied to the tips of the contact terminals 7a and 7b, the tips of the contact terminals are covered with a mask insulating film (not shown), and the liquid coating material is used. It is preferable to peel off the insulating film after applying 9.
[0034]
The polyimide film 2 and the reinforcing substrate 1 may be bonded by an adhesive, the meter reading portion 3 and the polyimide film 2 may be bonded by an adhesive, and the flexible substrate 4 and the reinforcing substrate 1 are bonded by an adhesive. It may be fixed.
[0035]
Next, a method for producing the meter reading unit 3 will be described with reference to FIGS. 3-6 is sectional drawing explaining the production method of the meter-reading part shown in FIG.2 (b).
First, as shown in FIG. 3A, a substrate 6 made of Si or glass is prepared, and a photosensitive polyimide film is coated on the substrate 6. Next, after this polyimide film is exposed and developed and patterned, heat treatment (polyimide cure) is performed. Thereby, a cushion layer 10 made of polyimide is formed on the substrate 6.
[0036]
Thereafter, as shown in FIG. 3B, a TiW layer 11 is formed on the entire surface including the cushion layer 10 by sputtering. The TiW layer 11 is a barrier layer for preventing the wiring material from diffusing into the cushion layer 10. Next, a Cu layer 12 is formed on the TiW layer 11 by sputtering. The Cu layer 12 is for improving the adhesion between the TiW layer 11 and metal wirings 14a and 14b described later.
[0037]
Next, as shown in FIG. 3C, a resist film is applied on the Cu layer 12, and this resist film is exposed and developed, whereby a resist pattern 13 is formed on the Cu layer. The resist pattern 13 is a pattern in which a region for forming a metal wiring is opened.
Next, as shown in FIG. 3D, metal wirings 14a and 14b are formed on the Cu layer 12 in the openings of the resist pattern 13 by electroplating. For example, Cu wiring is preferably used as the metal wiring.
[0038]
Thereafter, as shown in FIG. 4E, the resist pattern 13 is peeled off.
Next, as shown in FIG. 4F, a resist film is applied on the entire surface including the metal wirings 14a and 14b, and this resist film is exposed and developed, whereby a resist pattern 15 is formed on the Cu layer. The This resist pattern 15 is a pattern in which a region for forming a metal contactor is opened.
[0039]
Next, as shown in FIG. 4G, metal contactors 16a and 16b are formed on the metal wirings 14a and 14b in the openings of the resist pattern 15 by electroplating. The metal contactor is preferably made of Ni, for example.
Thereafter, as shown in FIG. 4H, the resist pattern 15 is peeled off. Thereby, a part of each metal wiring 14a, 14b is exposed.
[0040]
Next, as shown in FIG. 5 (i), a resist film is applied on the entire surface including the metal contactors 16a and 16b, and the resist film is exposed and developed, whereby a resist is formed on the metal contactor and the Cu layer. A pattern 17 is formed. The resist pattern 17 is a pattern in which regions for forming contact terminals and connection terminals are opened.
[0041]
Next, as shown in FIG. 5J, bump-shaped contact terminals 7a and 7b and connection terminals 8a and 8b are formed on the metal contactor and metal wiring in the opening of the resist pattern 17 by electroplating. That is, contact terminals 7a and 7b are formed on the metal contactors 16a and 16b, and connection terminals 8a and 8b are formed on the metal wirings 14a and 14b.
[0042]
The contact terminals 7a and 7b correspond to probe needles, and are brought into contact with electrode terminals (pads or bumps) of the IC chip on the measurement side during an electrical characteristic test (probe test). That is, the contact terminals 7a and 7b are formed at the same location as the center coordinates of the electrode terminals of the IC chip to be measured by photolithography.
The connection terminals 8 a and 8 b are connected to the tips of the inner leads of the flexible metal wiring 5. Each of the contact terminals 7a and 7b and the connection terminals 8a and 8b is preferably made of, for example, one metal selected from the group of Ni, Pd, Au, and Sn—Ag alloy.
[0043]
Thereafter, as shown in FIG. 5K, the resist pattern 17 is peeled off.
Next, as shown in FIG. 6L, the Cu layer 12 and the TiW layer 11 are etched by using the contact terminal, the connection terminal, the metal contactor, and the metal wiring as a mask, so that a part of the cushion layer 10 and one part of the substrate 6 are etched. The contact terminal 7a and the contact terminal 7b are electrically separated. Thereby, the contact terminal 7a is electrically connected to the connection terminal 8a via the metal contactor 16a and the metal wiring 14a, and the contact terminal 7b is electrically connected to the connection terminal 8b via the metal contactor 16b and the metal wiring 14b. The
[0044]
Next, as shown in FIG. 6 (m), a resin 18 for reinforcing the base of these terminals is coated on the entire surface including the contact terminals and the connection terminals.
Next, as shown in FIG. 6 (n), the tip side of each of the contact terminals 7 a and 7 b and the connection terminals 8 a and 8 b is exposed from the resin 18 by dry etching the surface of the resin 18. In this way, the meter reading unit 3 shown in FIG.
[0045]
Next, a probe apparatus for performing a probe test using the probe card shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is a block diagram schematically showing the probe device according to the first embodiment.
The probe device includes a test head 31 configured to be movable up and down by a lift mechanism (not shown), a performance board 32 sequentially disposed in the device main body (not shown) below the test head 31, and the performance board 32. A connection ring 34 supported by an insert ring 33 and a probe card 35 disposed below the connection ring 34.
[0046]
Inside the test head 31 is a pin electronics 36 including a power source for a sample for applying a voltage to an IC chip on a semiconductor wafer W as an object to be inspected, an input unit for taking in an output from the IC chip, and the like. Built in. The pin electronics 36 is electrically connected to a plurality of electronic component circuits 37 mounted on the performance board 32. These electronic component circuits 37 are configured as various measurement circuits including, for example, a matrix relay, a driver circuit, etc., and the connection terminals 38 to the connection ring 34 of each electronic component circuit 37 are the main body of the performance board 32, for example, an epoxy system. On the lower surface of the resin substrate 39, for example, they are arranged on four circumferences that are concentric with the substrate 39.
[0047]
Further, on the upper surface of the connection ring 34, the pogo pins 40 corresponding to the connection terminals 38 are arranged on four circumferences formed so as to form concentric circles, and the pogo pins 41 electrically connected to the pogo pins 40 are connected to the lower surface thereof. It is provided corresponding to the member 42. The connection member 42 is configured to be connected to a tester connection terminal on the lower surface of the probe card 35 from below. Accordingly, the test head 31 is configured to be electrically connected to the probe card 35 via the performance board 32, the connection ring 34, and the connection member 42.
[0048]
Further, a spacer 43 made of a cushion material such as rubber is disposed on the lower surface of the connection ring 34, and the spacer 43 is formed at a position corresponding to the upper surface of the probe card 35. Thereby, a large area of the upper surface of the probe card 35 can be pressed downward by the spacer 43. During the pressurization, the pogo pin 41 can be electrically connected to the connection member 42, and the connection member 42 is electrically connected to the tester connection terminal of the probe card 35.
[0049]
The probe card 35 is shown in FIG.
An alignment mechanism for aligning the semiconductor wafer W with respect to the probe card 35 will be described. A substantially circular stage 27 is provided below the probe card 35, and the semiconductor wafer W is horizontally held by a wafer chuck 28 disposed on the upper surface of the stage 27. Inside the wafer chuck 28, a heating device 29 and a cooling medium circulation path 30 are provided as a temperature adjustment mechanism, and the semiconductor wafer W can be heated to, for example, 150 ° C. by the heating apparatus 29 as necessary during inspection. The semiconductor wafer W can be cooled to, for example, −10 ° C. by the cooling medium flowing through 30.
[0050]
The stage 27 has a driving mechanism (not shown) for driving the wafer chuck 28 in the horizontal direction, the vertical direction, and the θ direction, and the stage 27 is moved to the rails 24 and 25 by driving the driving mechanism when the semiconductor wafer W is aligned. The wafer chuck 28 is moved in the X and Y directions and the wafer chuck 28 is rotated in the θ direction, and further moved up and down. Further, a target plate 26 is attached to the wafer chuck 28, and the target plate 26 and a predetermined IC chip are detected by optical imaging devices 44 and 45 and a capacitance sensor 46 disposed above the target plate 26. Based on the detection signal, the positions of the probe card 35 and the IC chip on the semiconductor wafer W are calculated. Based on the calculation result, the drive mechanism of the stage 27 is driven and controlled so that the IC chip to be inspected on the semiconductor wafer W is aligned with the probe card 35.
[0051]
Next, the operation will be described. When the electrical inspection of the semiconductor wafer W on which a plurality of IC chips are manufactured is performed at a temperature of 150 ° C., for example, the heating device 29 is operated to heat the semiconductor wafer W, and the temperature is set to 150 ° C., for example. To maintain. Next, the stage 27 is driven based on detection data obtained from the target plate 26, the optical imaging devices 44 and 45, the capacitance sensor 46, and the like, and the semiconductor wafer W is aligned with the probe card 35.
[0052]
After completing the alignment, the test head 1 is lowered and the probe card 35 and the connection member 42 electrically connected thereto are raised. Thereby, the connection terminal 38 on the lower surface of the performance board 32 is electrically connected to the pogo pin 40 on the upper surface of the connection ring 34, and the connection member 42 is electrically connected to the pogo pin 41 on the lower surface of the connection ring 34. As a result, the pin electronics 36 of the test head 31 and the electronic component circuit 37 of the performance board 32 are electrically connected. Furthermore, these are connected to the tester of the probe card 35 via the pogo pins 40 and 41 of the connection ring 34 and the connection member 42. It is electrically connected to the terminal, and the pin electronics 36 and the contact terminals 7a and 7b are in a conductive state.
[0053]
Thereafter, the wafer chuck 28 is raised to bring the needle tips of the contact terminals 7a and 7b into contact with the electrode terminals of the IC chip on the semiconductor wafer W, and the wafer chuck 28 is overdriven by a predetermined amount to contact the contact terminals 7a and 7b and the electrodes. Make the terminal conductive.
[0054]
When a predetermined electrical signal is transmitted from the test head 31 in a conductive state and the electrical signal is input to the IC chip via the performance board 32, the connection ring 34, the connection member 42, the contact terminals 7a and 7b, and the electrode terminals, An output signal based on this input signal is taken into the pin electronics 36 from the electrode terminal of the IC chip via the connection ring 34 and the electronic component circuit 37 of the performance board 32, and the electrical inspection of the IC chip is performed.
[0055]
While the limits of the base material diameter of the probe needle of the probe card and the needle stand technology are beginning to appear, there is a limit in the conventional technology in the shrinking of the pads arranged in the IC. In this embodiment, by using a probe card in which a contact terminal is used instead of the conventional probe needle at a position corresponding to the center coordinate of the electrode terminal of the IC chip by photolithography technique, a needle type needle like the conventional technique is used. The limitation of the standing limit has been eliminated, and we have established a technology that is more resistant to shrinking electrode terminals and fine pad pitch.
[0056]
In the first embodiment, the probe card and the manufacturing method thereof, the probe device, and the probe test method are described. However, the step of performing the probe test using the probe card according to the present embodiment is described. The present invention can also be applied to a method for manufacturing a semiconductor device.
[0057]
FIG. 8A is a cross-sectional view showing a probe card according to the second embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
The probe card according to the present embodiment is obtained by eliminating the cushion layer 10 and the resin 18 in the meter reading unit 3 shown in FIG. Although the cushion layer 10 is eliminated, the metal wirings 14a and 14b and the metal contactors 16a and 16b act as cushions because this portion is a cavity (space).
[0058]
Next, a method for producing the meter reading unit 3 will be described with reference to FIGS. 3 to 6 (l) and FIG. 8 (b).
FIG. 8B is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the meter reading portion shown in FIG. 8A. The same reference numerals are given to the same portions as those in FIGS. 3 to 6, and only different portions will be described.
[0059]
First, in the step shown in FIG. 3A, instead of forming the cushion layer 10 on the auxiliary substrate 6, a photoresist film is applied on the auxiliary substrate 6, and the photoresist film is exposed and developed. A resist pattern having the same shape as that of the cushion layer 10 is formed on the auxiliary substrate 6.
Next, in the step shown in FIG. 3B, the TiW layer 11 is formed by sputtering on the entire surface including the resist pattern, and from the subsequent step to the step shown in FIG. It is the same.
[0060]
Next, as shown in FIG. 8B, the resist pattern formed instead of the cushion layer 10 is removed. Thereby, the part in which the cushion layer 10 was formed in 1st Embodiment becomes a cavity (space). Thus, the meter-reading part 3 shown in FIG.8 (b) is produced.
Also in the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
The method for manufacturing the probe card is the same as that in the first embodiment.
[0061]
FIG. 9A is a cross-sectional view showing a first modification of the flexible substrate according to the first and second embodiments of the present invention, and the same reference numerals are given to the same portions as FIG. Only the different parts will be described.
[0062]
A copper foil is formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 4 and the copper foil is etched. As a result, the flexible metal wiring 5a is formed on the lower surface of the flexible substrate, and the flexible metal wiring 5a is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole acts as an inner lead. At the same time, a flexible metal wiring 5b is formed on the upper surface of the flexible substrate, and the flexible metal wiring 5b is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole functions as an inner lead. As described above, the flexible metal wiring has a two-layer structure of the upper surface and the lower surface of the flexible substrate, so that the flexibility of the flexible metal wiring can be improved.
[0063]
FIG. 9B is a cross-sectional view showing a second modification of the flexible substrate according to the first and second embodiments of the present invention, and the same parts as those in FIG. Only the different parts will be described.
[0064]
A copper foil is formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 4 and the copper foil is etched. Thereby, the flexible metal wiring 5a is formed on the lower surface of the flexible substrate. At the same time, a flexible metal wiring 5b is formed on the upper surface of the flexible substrate, and the flexible metal wiring 5b is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole functions as an inner lead. As described above, the flexible metal wiring has a two-layer structure of the upper surface and the lower surface of the flexible substrate, so that the flexibility of the flexible metal wiring can be improved.
[0065]
FIG. 9C is a cross-sectional view showing a third modification of the flexible substrate according to the first and second embodiments of the present invention, and the same parts as those in FIG. Only the different parts will be described.
[0066]
A copper foil is formed on the upper surface and the lower surface of the first flexible substrate 24a, and this copper foil is etched. As a result, the flexible metal wiring 5a is formed on the lower surface of the first flexible substrate 24a, and the flexible metal wiring 5a is drawn out into the hole 4a. The flexible metal wiring in the hole functions as an inner lead. . At the same time, a flexible metal wiring 5b is formed on the upper surface of the first flexible substrate 24a. The flexible metal wiring 5b is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole functions as an inner lead. .
[0067]
A copper foil is formed on the upper surface of the second flexible substrate 24b, and this copper foil is etched. As a result, the flexible metal wiring 5c is formed on the upper surface of the second flexible substrate 24b. The flexible metal wiring 5c is drawn out into the hole 4a, and the flexible metal wiring in the hole functions as an inner lead. .
[0068]
The second flexible substrate 24b is disposed on the first flexible substrate 24a via the flexible metal wiring 5b. In this way, the second flexible substrate 24b is arranged so as to overlap the first flexible substrate 24a, and the flexible metal wiring has a three-layer structure of the upper surface and the lower surface of the first flexible substrate 24a and the upper surface of the second flexible substrate 24b. By doing so, the flexibility of the flexible metal wiring can be further improved.
[0069]
FIG. 10A is a cross-sectional view showing a probe card according to the third embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 8A are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
In the probe card according to the present embodiment, the connection terminals 8a and 8b in the meter reading section 3 shown in FIG. 8A are arranged on the lower surface of the substrate 6 (the surface opposite to the surface on which the contact terminals 7a and 7b are formed). The connection terminals 8a and 8b are electrically connected to the metal wirings 14a and 14b through the metal wirings 17a and 17b and the through-hole connection members 18a and 18b.
[0070]
Metal wirings 17 a and 17 b are formed on the lower surface of the substrate 6. The through-hole connecting members 18a and 18b are formed by opening a through-hole in the substrate 6 by laser and etching and conducting conduction by laminating plating in the through-hole. The lower ends of the through-hole connecting members 18a and 18b are connected to the metal wirings 17a and 17b, and the upper ends of the through-hole connecting members 18a and 18b are connected to the barrier layer 11.
[0071]
Next, a method for producing the meter reading unit 3 will be described with reference to FIG.
FIG. 10B is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the meter reading portion shown in FIG. 10A. The same reference numerals are given to the same portions as FIG. 8B, and only different portions will be described.
[0072]
First, as shown in FIG. 10B, through-hole connecting members 18 a and 18 b are formed in the substrate 6 by opening a through-hole in the substrate 6 and performing multilayer plating in the through-hole. Next, metal wirings 17 a and 17 b are formed on the lower surface of the substrate 6. The metal wirings 17a and 17b are connected to the lower ends of the through-hole connecting members 18a and 18b. Next, connection terminals 8a are formed on the surfaces of the metal wirings 17a and 17b by electroplating.
[0073]
Thereafter, as in the case of the second embodiment shown in FIG. 8B, the cushion layer 10 is not formed on the auxiliary substrate 6 in the step shown in FIG. A photoresist film is applied to the substrate, and the photoresist film is exposed and developed to form a resist pattern having the same shape as the cushion layer 10 on the auxiliary substrate 6.
Next, in the step shown in FIG. 3B, the TiW layer 11 is formed by sputtering on the entire surface including the resist pattern, and from the subsequent step to the step shown in FIG. It is the same.
[0074]
In the next step shown in FIG. 5 (i), a resist pattern is formed in which the region for forming the connection terminal is not opened, and only the region for forming the contact terminal is opened. This is the same as the case of the form. Thus, the meter-reading part 3 shown in FIG.10 (b) is produced.
Also in the third embodiment, the same effect as in the second embodiment can be obtained.
[0075]
The method for manufacturing the probe card is the same as that in the first embodiment.
The present invention is not limited to the first to third embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a probe card according to a first embodiment.
FIG. 2 is an exploded cross-sectional view of each component of the probe card shown in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the meter reading portion shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for producing the meter reading portion shown in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the meter reading portion shown in FIG.
6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the meter reading portion shown in FIG.
FIG. 7 is a configuration diagram schematically showing the probe apparatus according to the first embodiment.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a probe card according to a second embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing first to third modifications of the flexible substrate.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a probe card according to a third embodiment.
FIG. 11 is a plan view showing a conventional semiconductor device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reinforcement board | substrate (probe card board | substrate), 2 ... Polyimide film, 3 ... Meter-reading part, 4 ... Flexible board, 4a ... Hole, 5, 5a-5c ... Flexible metal wiring, 6 ... Board | substrate, 7a, 7b ... Contact terminal, 8a, 8b ... connection terminal, 9 ... liquid coating material, 10 ... cushion layer, 11TiW layer, 12 ... Cu layer, 13, 15, 17 ... resist pattern, 14a, 14b ... metal wiring, 16a, 16b ... metal contactor, 17a , 17b ... Metal wiring, 18 ... Resin, 18a, 18b ... Through-hole connecting member, 24a ... First flexible substrate, 24b ... Second flexible substrate, 24, 25 ... Rail, 26 ... Target plate, 27 ... Stage, 28 ... Wafer chuck, 29 ... Heating device, 30 ... Cooling medium circulation path, 31 ... Test head, 32 ... Performance Board, 33 ... Insert ring, 34 ... Connection ring, 35 ... Probe card, 36 ... Pin electronics, 37 ... Electronic component circuit, 38 ... Connection terminal, 39 ... Substrate made of epoxy resin, 40, 41 ... Pogo pin, 42 ... Connecting member 43. Spacer 44 and 45 Optical imaging device 46 Capacitance sensor W Semiconductor wafer 101 Region 102 to 106 Probe needle 107 Output terminal 108 Input terminal 109 ... IC chip

Claims

A flexible substrate disposed on a reinforcing substrate;
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A first cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate disposed in the hole and formed on the first cushion layer;
A second cushion layer formed on the substrate;
A barrier layer formed on the second cushion layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed on the metal layer;
A metal contactor formed on the metal wiring;
Contact terminals formed on the metal contactor;
A connection terminal disposed in the hole and formed on the metal wiring;
A resin for reinforcing the base of the metal contactor, the metal wiring, the contact terminal and the connection terminal;
A reinforcing material embedded in the hole, and for fixing the first cushion layer, the substrate and the flexible wiring in the hole;
Comprising
The probe card, wherein the connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.

A flexible substrate disposed on a reinforcing substrate;
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate disposed in the hole and formed on the cushion layer;
A barrier layer formed on the substrate;
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
Metal wiring formed on the metal layer;
A metal contactor formed on the metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor and disposed above the space;
A connection terminal disposed in the hole and formed on the metal wiring;
A reinforcing material embedded in the hole, and for fixing the cushion layer, the substrate and the flexible wiring in the hole;
Comprising
The probe card, wherein the connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.

A flexible substrate disposed on a reinforcing substrate;
A hole formed in the flexible substrate;
Flexible wiring formed on the flexible substrate and drawn into the hole;
A cushion layer disposed on the reinforcing substrate and located in the hole;
A substrate formed on the cushion layer;
A barrier layer formed on the substrate;
A space formed between the barrier layer and the substrate;
A metal layer formed on the barrier layer;
A first metal wiring formed on the metal layer;
A metal contactor formed on the first metal wiring;
A contact terminal formed on the metal contactor and disposed above the space;
A through-hole connecting member formed on the substrate and having an upper end connected to the barrier layer;
A second metal wiring connected to the lower end of the through-hole connecting member and formed under the substrate;
A connection terminal formed under the second metal wiring;
A reinforcing material embedded in the hole and for fixing the cushion layer in the hole;
Comprising
The probe card, wherein the connection terminal is connected to the flexible wiring in or on the hole.

The through-hole connecting member has a through-hole formed in the substrate and a multi-layer plating formed in the through-hole, and conducts by the multi-layer plating. 3. The probe card according to 3.

4. The probe card according to claim 1, wherein the flexible wiring is formed on both surfaces of the flexible substrate.

A probe apparatus comprising the probe card according to any one of claims 1 to 5.

A method for performing a probe test using the probe card according to any one of claims 1 to 5,
A probe test method, wherein a probe test is performed by bringing the contact terminal into contact with an electrode terminal of an IC chip on a measurement target side and making the contact terminal and the electrode terminal conductive.

A method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of performing a probe test using the probe card according to any one of claims 1 to 5,
A semiconductor device comprising: a step of performing a probe test by bringing the contact terminal into contact with an electrode terminal of a semiconductor device to be measured and making the contact terminal and the electrode terminal conductive. Production method.