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JP4596886B2 - マグネシウムセンサプローブ - Google Patents

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Description

本発明はマグネシウムセンサプローブに関する。
球状黒鉛鋳鉄系の溶湯を例にとって従来技術について説明する。球状黒鉛鋳鉄系の溶湯では、当該溶湯に含まれるマグネシウムの濃度を測定することが求められている。しかしながらこのようなマグネシウムセンサプローブは開発されていない。このため実際的には溶湯に含まれているマグネシウムの濃度を測定できず、溶湯が凝固して製品となった後に、製品を構成する球状黒鉛鋳鉄に含まれているマグネシウムの濃度を分析により測定するしかなかった。このため球状黒鉛鋳鉄の高品質化には限界があった。
特許文献1には、金属溶湯に溶けている金属元素の濃度を測定する装置が開示されている。この装置は、安定化されたジルコニアからなる固体電解質の層と、固体電解質の層の内表面に接触してセットされた基準極部と、基準極部と溶湯との間の電位差を測定する電位差測定手段と、固体電解質の外表面に接触する電極部とを備えている。
特開昭61−260155号公報
上記した特許文献1に係る装置によれば、金属溶湯等に含まれているマグネシウムの濃度の測定を対象とするものではない。
本発明は上記した実情に鑑みてなされたものであり、溶湯等の測定対象物に含有されているマグネシウムの濃度を測定できるマグネシウムセンサプローブを提供することを課題とする。
本発明者はマグネシウムセンサプローブについて鋭意開発を進めている。そして、ジルコニアを基材とする固体電解質の層と、固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを備えるとともに、電極部の基材を、マグネシウムを含む酸化物とすれば、測定対象物に含まれているマグネシウムの濃度を測定できるマグネシウムセンサプローブとして機能できることを知見し、試験で確認し、本発明に係るマグネシウムセンサプローブを開発した。
マグネシウムの濃度を測定できる原理は、必ずしも明確ではないものの、次のように推察される。固体電解質に設けられている電極部が、マグネシウムを含む酸化物として代表的なMgOで形成されているマグネシウムセンサプローブであり、測定対象物がマグネシウムを含む金属溶湯である場合を、例にとって説明する。この場合、固体電解質に設けられている電極部(MgO)と測定対象物との界面において、式1の平衡反応が生じていると推察される。ここで、式1において、MgOは固体電解質に設けられている電極部に含まれているMgOを意味し、Mgは金属溶湯に含まれているMgを意味する。Oは金属溶湯に含まれている酸素を意味する。式1の平衡反応における平衡定数K1は、基本的には式2に基づく。ここで、活量であるaMg、aMgOは固定値として考えることができ、基準物質の酸素分圧PO2はある温度で固定値と考えることができるため、金属溶湯に含まれている酸素分圧PO2を酸素センサとして求めれば、金属溶湯に含まれているMgの濃度を求めることができる。
Figure 0004596886
Figure 0004596886
即ち、本発明に係るマグネシウムセンサプローブは、ジルコニアを基材とする酸素イオン伝導性をもつ固体電解質の層と、固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを具備しており、
電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としており、
マグネシウムを含む酸化物は、MgxMyOzで示される組成式を有しており、xは0.5〜1.5、yは0.5〜2.5、zは2.5〜6.5であり、M元素は、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)、イッテリビウム(Yb)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)のうちの1種または2種以上であることを特徴とするものである。
固体電解質を構成するジルコニアは、高温領域において酸素イオン伝導体である。ジルコニアは、酸化物のドーパントをドープさせて安定化させた安定化ジルコニアとすることができる。酸化物のドーパントとしては、MgO、Y、Yb、CaO、CeOのうちの1種または2種以上を採用できる。ドーパントとしては、0.1〜15モル%含有することができる。例えば、ジルコニアは、9モル%のマグネシアのドープで安定化させた安定化ジルコニアとすることができる。
層に設けられている電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材として形成されている。マグネシウムを含む酸化物としては、マグネシウムを含む酸化物(MgO)、または、マグネシウムの他にM元素を含む複合酸化物とすることができる。M元素としては、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)、イッテリビウム(Yb)等の1種または2種以上が挙げられる。上記した複合酸化物としては、MgAl、MgFe、MgCrO、MgCr、MgGa、MgGeO、MgGeO、Mg0.8Fe、MgLiGeO、MgFeTaO、MgYbFeO、Mg0.8Al、MgSiO、MgBaSiO、MgTe等を含むグループから選択された少なくとも1種とすることができる。
ここで、マグネシウムを含む酸化物は、モル比で、MgxMyOzで示される組成式を有することができる。Mとしては1元素でも良いし、2元素でも良い。MとしてはAl、Fe、Cr、Ga、Ge、Fe、Li、Ta、Yb、Si、Ba、Teからなるグループから選ばれる1種または2種以上を採用することができる。上記したMgxMyOzで示される組成式において、元素によっても相違するものの、xは1プラスマイナス0.5、つまり、0.5〜1.5とすることができ、殊に0.75〜1.25とすることができる。yは0.5〜2.5とすることができ、殊に0.75〜2.25とすることができる。zはx及びyによって相違するものの、2.5〜6.5とすることができ、殊に2.25〜6.25とすることができる。但しこれに限定されるものではない。
基準物質としては、金属と金属酸化物との混合物で形成されている形態を採用する。基準物質として、例えば、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr)の混合物で形成されている形態を採用することができる。特定の温度における基準物質の酸素分圧は、固定値として考えることができる。
マグネシウムセンサプローブは、電極部と測定対象物との間の電位差を測定する電位差測定手段を備えていることができる。マグネシウムセンサプローブは、測定対象物に接触する第2電極部を備えていることができる。マグネシウムセンサプローブは、測定対象物の温度を測定する温度センサを有することができる。 測定対象物としては、マグネシウムを含むかあるいはマグネシウムを含む可能性がある高温の金属溶湯とすることができる。金属溶湯としては、鉄系溶湯、アルミニウム系溶湯、銅系溶湯、チタン系溶湯等が例示される。従って、本発明に係るマグネシウムセンサプローブは、鉄系溶湯に含まれるマグネシウムの濃度の測定に使用することができる。鉄系溶湯としては、球状黒鉛鋳鉄(FCD)、いも虫黒鉛鋳鉄(FCV)、片状黒鉛鋳鉄(FC)等の鋳鉄系溶湯、あるいは、鋳鋼系溶湯、ステンレス鋼系溶湯等のように、マグネシウムを含むまたは含み得る溶湯が例示される。
本発明によれば、測定対象物に含まれているマグネシウム濃度を測定できるマグネシウムセンサプローブを提供できる。
本実施形態に係るマグネシウムセンサプローブ1は、ジルコニアを基材とする固体電解質で形成されている層2と、固体電解質の層2の片面側に設けられた基準物質保持部3と、固体電解質の層2の片面側に設けられ測定対象物9に接触する電極部4とを備えている。更に、ジルコニアは、9モル%の安定化助剤であるマグネシアで安定化させた安定化ジルコニアとされている。
層2は、空間20を形成するように底部21及び側面壁部22をもつ有底円筒形状をなしている。基準物質保持部3は、層2の内壁面2iで形成された空間20に保持された固体の基準物質30で形成されている。基準物質30は、金属及びその金属の酸化物の混合物で形成されている。基準物質30は、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr)の混合物で形成されている。具体的には、クロム(Cr):クロム酸化物(Cr)=9:1(重量比)に設定されている。基準物質30においては、式3の平衡反応が生じているものと推察される。この場合、平衡定数K2は基本的には式4に基づく。aCr、aCr2O3は基本的には1と考えることができるため、基準物質30における酸素分圧PO2はある温度で固定値と考えることができる。
Figure 0004596886
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基準物質30における酸素分圧と、測定対象物9(金属溶湯)に含まれている酸素の酸素分圧PO2とに、基づいて起電力が生じる。つまり、高酸素分圧と低酸素分圧とに基づいてジルコニアが酸素濃淡電池として機能し、起電力が生じる。起電力に基づいて、測定対象物9(金属溶湯)に含まれている酸素の分圧PO2を求めれば、測定対象物9(金属溶湯)に含まれているマグネシウム(Mg)の濃度を求めることができる。尚、層2のサイズとしては、外径が4ミリメートル、内径が3ミリメートル、長さが30ミリメートルとしたが、これに限定されるものではない。
固体電解質の層3に付設されている電極部4は、円筒形状の層2の外壁面2pに積層されており、マグネシウムを含む酸化物を基材としている。ここで、マグネシウムを含む酸化物は、基本的には、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)とされている。電極部4の形成にあたり、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を主要成分とするペーストを用い、ペーストを円筒形状の層2の外壁面2pに塗布して所定の温度(1400〜1500℃)で所定時間(1時間)、大気雰囲気において焼成することにより形成されている。なお、マグネシウムを含む酸化物はMgOとしても良い。
図2は、マグネシウムセンサプローブ1を溶湯の湯面に浸漬して使用している状態の概念図を示す。図2に示すように、マグネシウムセンサプローブ1は、測定対象物9内に進入する有底円筒形状をなす層2と、測定対象物9内に進入する第2電極部4Bと、電位差測定手段としての電位差計5を備えている。第2電極部4Bは高融点金属(例えばモリブデン)を基材として形成されている。そして層2と第2電極部4Bとは電位差計5で導線5cを介して繋がれている。なお、測定対象物9はマグネシウムを含む鋳鉄溶湯等の鉄系溶湯とされている。測定対象物9の温度は1000〜1700℃、1100〜1650℃とされている。
層2を構成するジルコニアの温度が上昇すると、酸素イオンの移動がジルコニアの内部において起きる。それに伴い酸素濃淡電池として電極部4と第2電極部4Bとの間に起電力が生じる。起電力は基本的には、ジルコニアで形成されている固体電解質の両側における酸素分圧の比の対数に比例する。起電力に基づいて、測定対象物9(金属溶湯)に含まれている酸素の分圧PO2を求めれば、測定対象物9(金属溶湯)に含まれているマグネシウム(Mg)の濃度を求めることができる。
(適用例)
図3及び図4は適用例を示す。適用例に係るマグネシウムセンサプローブ1は、セラミックスを基材とする基部としてのボディ6と、ボディ6に設けられたジルコニアを基材とする固体電解質で形成されている有底円筒形状をなす層2と、ボディ6に設けられたモリデン等の高融点金属材料を基材とする第2電極部4Bと、ボディ6に設けられた熱電対70を保持する中空管7と、ボディ6に取り付けられたカバー8と、ボディ6に取り付けられた紙製の筒体82とを備えている。カバー8は層2、第2電極部4B、中空管7を覆うことができると共に、溶湯を進入させる孔8aをもつ。
(試験例1)
試験例1によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、実施例1の場合と同様に、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする。溶湯温度は1451℃とした。溶湯組成はマグネシウムを含んでおり、重量%で、炭素が3.67%、シリコンが0.91%、クロムが0.023%、残部実質的に鉄及び不可避不純物である。溶湯は鉄30kgを溶解して溶湯とし、その溶湯にマグネシウムを添加した。そしてマグネシウムを含む溶湯の湯面にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。
同様に、比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。比較例に係るセンサプローブ1は、ジルコニアを基材とする固体電解質の層2を備えており、電極部4及び基準物質保持部3を有しない。試験結果を図5に示す、図5の横軸は時間を示し、図5の縦軸は起電力を示し、△は試験例1を示し、○印は比較例を示す。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。比較例の出力値Vc1は−193mVであった。試験例V1の出力値は+20.83mVであった。
(試験例2)
試験例2によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする。溶湯温度は1327℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。溶湯組成は基本的には試験例1と同様である。比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。試験結果を図6に示す、図6の横軸は時間を示し、図6の縦軸は起電力を示し、△は試験例2を示し、○印は比較例を示す。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。図6に示すように、比較例の出力値Vc2は−177mVであった。試験例の出力値V2は+280mVであった。
(試験例3)
試験例3によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al)を基材とする。溶湯温度は1328℃とした。溶湯組成は基本的には試験例1と同様である。マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。同様に比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。試験結果を図7に示す、図7の横軸は時間を示し、図7の縦軸は起電力を示し、△は試験例3を示し、○印は比較例を示す。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。比較例の出力値Vc3は−177mVであった。図7に示すように、試験例の出力値V3は−108mVであった。
(試験例4)
試験例4によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする。溶湯温度は1450℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。同様に比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。試験例4では溶湯に含まれるマグネシウムの濃度を変化させた。試験結果を図8に示す。図8の特性線W1に示すように、鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)と起電力との間には相関関係が認められた。鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)が増加するにつれて起電力が増加していた。なおマグネシウムの濃度は蛍光X線分析で測定した。
(試験例5)
試験例5によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al)を基材とする。溶湯温度は1450℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。試験例5では溶湯に含まれるマグネシウムの濃度を変化させた。試験結果を図9に示す。図9の特性線W2に示すように、鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)と起電力との間には相関関係が認められた。鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)が増加するにつれて起電力が増加していた。
(他の実施形態)
上記した試験例によれば、基準物質30は、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr)の混合物で形成されているが、これに限らず、ニッケル及びニッケル酸化物、モリブデン及びモリブデン酸化物、鉄及び鉄酸化物、アルミニウム及びアルミニウム酸化物とすることもできる。ここで、上記した試験例によれば、溶湯は鉄系であるが、これに限らず、アルミニウム系溶湯、銅系溶湯、チタン系溶湯等にも適用される。その他、本発明は上記しかつ図面に示した実施例のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施できる。本明細書から次の技術的思想も把握できる。
[付記項1]ジルコニアを基材とする固体電解質の層と、前記固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、前記固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを具備しており、前記電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。測定対象物に含まれているマグネシウム濃度を測定できるマグネシウムセンサプローブを提供できる。
センサプローブの主要部の断面図である。 センサプローブの原理図である。 センサプローブの断面図である。 センサプローブの底面図である。 マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする電極部をもつセンサプローブを使用したときにおける試験結果を示すグラフである。 マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする電極部をもつセンサプローブを使用したときにおける試験結果を示すグラフである。 マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al)を基材とする電極部をもつセンサプローブを使用したときにおける試験結果を示すグラフである。 マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe)を基材とする電極部をもつセンサプローブを使用したときにおけるマグネシア濃度と起電力との関係を表す試験結果を示すグラフである。 マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al)を基材とする電極部をもつセンサプローブを使用したときにおけるマグネシア濃度と起電力との関係を表す試験結果を示すグラフである。
図中、1はセンサプローブ、2は層、20は空間、21は底部、22は側面壁部、3は基準物質保持部、30は基準物質、4は電極部、6はボディ、8はカバーを示す。

Claims (8)

  1. ジルコニアを基材とする酸素イオン伝導性をもつ固体電解質の層と、前記固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、前記固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを具備しており、
    前記電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としており、
    マグネシウムを含む酸化物は、MgxMyOzで示される組成式を有しており、モル比で、xは0.5〜1.5、yは0.5〜2.5、zは2.5〜6.5であり、M元素は、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)、イッテリビウム(Yb)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)のうちの1種または2種以上であることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  2. 請求項1において、マグネシウムを含む酸化物は、複合酸化物として、MgAl 、MgFe 、MgCrO 、MgCr 、MgGa 、Mg GeO 、MgGeO 、Mg 0.8 Fe 、MgLi GeO 、MgFeTaO 、MgYbFeO 、Mg 0.8 Al 、Mg SiO 、MgBaSiO 、MgTe 等を含むグループから選択された少なくとも1種を有することを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  3. 請求項1または請求項において、測定対象物としての金属溶湯に含まれているマグネシウムの測定に使用されることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  4. 請求項1〜請求項のうちのいずれか一項において、電極部と測定対象物との間の電位差を測定する電位差測定手段が設けられていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  5. 請求項1〜請求項のうちのいずれか一項において、測定対象物に接触する第2電極部を備えていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  6. 請求項1〜請求項のうちのいずれか一項において、測定対象物の温度を測定する温度センサを有することを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  7. 請求項1〜請求項のうちのいずれか一項において、基準物質は金属及び金属酸化物の混合物で形成されていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
  8. 請求項1〜7のうちのいずれか一項において、前記基準物質は、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr )の混合物と、ニッケル及びニッケル酸化物と、モリブデン及びモリブデン酸化物と、鉄及び鉄酸化物と、アルミニウム及びアルミニウム酸化物とのうちのいずれかであることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
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