JP4596886B2 - マグネシウムセンサプローブ - Google Patents
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電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としており、
マグネシウムを含む酸化物は、MgxMyOzで示される組成式を有しており、xは0.5〜1.5、yは0.5〜2.5、zは2.5〜6.5であり、M元素は、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)、イッテリビウム(Yb)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)のうちの1種または2種以上であることを特徴とするものである。
図3及び図4は適用例を示す。適用例に係るマグネシウムセンサプローブ1は、セラミックスを基材とする基部としてのボディ6と、ボディ6に設けられたジルコニアを基材とする固体電解質で形成されている有底円筒形状をなす層2と、ボディ6に設けられたモリブデン等の高融点金属材料を基材とする第2電極部4Bと、ボディ6に設けられた熱電対70を保持する中空管7と、ボディ6に取り付けられたカバー8と、ボディ6に取り付けられた紙製の筒体82とを備えている。カバー8は層2、第2電極部4B、中空管7を覆うことができると共に、溶湯を進入させる孔8aをもつ。
試験例1によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、実施例1の場合と同様に、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe2O4)を基材とする。溶湯温度は1451℃とした。溶湯組成はマグネシウムを含んでおり、重量%で、炭素が3.67%、シリコンが0.91%、クロムが0.023%、残部実質的に鉄及び不可避不純物である。溶湯は鉄30kgを溶解して溶湯とし、その溶湯にマグネシウムを添加した。そしてマグネシウムを含む溶湯の湯面にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。
試験例2によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe2O4)を基材とする。溶湯温度は1327℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。溶湯組成は基本的には試験例1と同様である。比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。試験結果を図6に示す、図6の横軸は時間を示し、図6の縦軸は起電力を示し、△は試験例2を示し、○印は比較例を示す。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。図6に示すように、比較例の出力値Vc2は−177mVであった。試験例の出力値V2は+280mVであった。
試験例3によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al2O4)を基材とする。溶湯温度は1328℃とした。溶湯組成は基本的には試験例1と同様である。マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。同様に比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。試験結果を図7に示す、図7の横軸は時間を示し、図7の縦軸は起電力を示し、△は試験例3を示し、○印は比較例を示す。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。比較例の出力値Vc3は−177mVであった。図7に示すように、試験例の出力値V3は−108mVであった。
試験例4によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及び鉄を含む複合酸化物(MgFe2O4)を基材とする。溶湯温度は1450℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。同様に比較例に係るセンサプローブ1についても試験した。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。試験例4では溶湯に含まれるマグネシウムの濃度を変化させた。試験結果を図8に示す。図8の特性線W1に示すように、鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)と起電力との間には相関関係が認められた。鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)が増加するにつれて起電力が増加していた。なおマグネシウムの濃度は蛍光X線分析で測定した。
試験例5によれば、電極部4を構成するマグネシウムを含む酸化物は、マグネシウム及びアルミニウムを含む複合酸化物(Mg0.8Al2O4)を基材とする。溶湯温度は1450℃とし、マグネシウムを含む溶湯にマグネシウムセンサプローブ1を10秒間浸漬した。浸漬開始から10秒後における起電力を出力値とした。試験例5では溶湯に含まれるマグネシウムの濃度を変化させた。試験結果を図9に示す。図9の特性線W2に示すように、鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)と起電力との間には相関関係が認められた。鋳鉄溶湯に含まれているマグネシウムの濃度(重量%)が増加するにつれて起電力が増加していた。
上記した試験例によれば、基準物質30は、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr2O3)の混合物で形成されているが、これに限らず、ニッケル及びニッケル酸化物、モリブデン及びモリブデン酸化物、鉄及び鉄酸化物、アルミニウム及びアルミニウム酸化物とすることもできる。ここで、上記した試験例によれば、溶湯は鉄系であるが、これに限らず、アルミニウム系溶湯、銅系溶湯、チタン系溶湯等にも適用される。その他、本発明は上記しかつ図面に示した実施例のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施できる。本明細書から次の技術的思想も把握できる。
[付記項1]ジルコニアを基材とする固体電解質の層と、前記固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、前記固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを具備しており、前記電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。測定対象物に含まれているマグネシウム濃度を測定できるマグネシウムセンサプローブを提供できる。
Claims (8)
- ジルコニアを基材とする酸素イオン伝導性をもつ固体電解質の層と、前記固体電解質の層の片面側に設けられた基準物質を保持する基準物質保持部と、前記固体電解質の層の片面側に設けられ測定対象物に接触する電極部とを具備しており、
前記電極部は、マグネシウムを含む酸化物を基材としており、
マグネシウムを含む酸化物は、MgxMyOzで示される組成式を有しており、モル比で、xは0.5〜1.5、yは0.5〜2.5、zは2.5〜6.5であり、M元素は、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、リチウム(Li)、タンタル(Ta)、イッテリビウム(Yb)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、テルル(Te)のうちの1種または2種以上であることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。 - 請求項1において、マグネシウムを含む酸化物は、複合酸化物として、MgAl 2 O 4 、MgFe 2 O 4 、MgCrO 4 、MgCr 2 O 4 、MgGa 2 O 4 、Mg 2 GeO 3 、MgGeO 3 、Mg 0.8 Fe 2 O 4 、MgLi 2 GeO 4 、MgFeTaO 4 、MgYbFeO 4 、Mg 0.8 Al 2 O 4 、Mg 2 SiO 4 、MgBaSiO 4 、MgTe 2 O 5 等を含むグループから選択された少なくとも1種を有することを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1または請求項2において、測定対象物としての金属溶湯に含まれているマグネシウムの測定に使用されることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1〜請求項3のうちのいずれか一項において、電極部と測定対象物との間の電位差を測定する電位差測定手段が設けられていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1〜請求項4のうちのいずれか一項において、測定対象物に接触する第2電極部を備えていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1〜請求項5のうちのいずれか一項において、測定対象物の温度を測定する温度センサを有することを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1〜請求項6のうちのいずれか一項において、基準物質は金属及び金属酸化物の混合物で形成されていることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
- 請求項1〜7のうちのいずれか一項において、前記基準物質は、クロム(Cr)及びクロム酸化物(Cr 2 O 3 )の混合物と、ニッケル及びニッケル酸化物と、モリブデン及びモリブデン酸化物と、鉄及び鉄酸化物と、アルミニウム及びアルミニウム酸化物とのうちのいずれかであることを特徴とするマグネシウムセンサプローブ。
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