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JP4591362B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents

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JP4591362B2
JP4591362B2 JP2006015925A JP2006015925A JP4591362B2 JP 4591362 B2 JP4591362 B2 JP 4591362B2 JP 2006015925 A JP2006015925 A JP 2006015925A JP 2006015925 A JP2006015925 A JP 2006015925A JP 4591362 B2 JP4591362 B2 JP 4591362B2
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Description

本発明は、電子部品が実装された配線基板を放熱用のヒートシンク上に搭載し、これらをモールド樹脂にて封止してなる電子装置、いわゆる樹脂封止型の電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a so-called resin-sealed electronic device in which a wiring board on which electronic components are mounted is mounted on a heat sink for heat dissipation, and these are sealed with a mold resin.

従来より、この種の電子装置としては、電子部品が実装された配線基板を、ヒートシンクの一面上に搭載し、ヒートシンク、電子部品および配線基板をモールド樹脂により封止してなるものが提案されている（特許文献１参照）。   Conventionally, as this type of electronic device, a device in which a wiring board on which electronic components are mounted is mounted on one surface of a heat sink, and the heat sink, the electronic component, and the wiring substrate are sealed with a mold resin has been proposed. (See Patent Document 1).

このような電子装置は、一般に、電子部品が搭載された配線基板を、接着剤を介してヒートシンクの一面上に搭載した後、トランスファーモールド法により樹脂封止を行うことで製造される。
特開２００５−３２８０２８号公報 Such an electronic device is generally manufactured by mounting a wiring board on which electronic components are mounted on one surface of a heat sink via an adhesive, and then performing resin sealing by a transfer molding method.
JP 2005-328028 A

しかしながら、このような樹脂封止型の電子装置は、冷熱サイクルや電子装置を外部基材へ実装する時のはんだリフローなどにより生じる熱応力によって、ヒートシンクとモールド樹脂との間に剥離が生じやすい。これは、金属からなるヒートシンクと樹脂との熱膨張係数の差が大きいためである。   However, in such a resin-encapsulated electronic device, peeling between the heat sink and the mold resin is likely to occur due to thermal stress generated by a cooling cycle or solder reflow when the electronic device is mounted on an external substrate. This is because the difference in coefficient of thermal expansion between the heat sink made of metal and the resin is large.

そして、上記したモールド樹脂とヒートシンクとの剥離が生じると、モールド樹脂の内部において樹脂クラックが発生し、これがモールド樹脂の外部にまで到達するという問題が発生する。   When the mold resin and the heat sink are peeled off, a resin crack is generated inside the mold resin, which causes a problem that it reaches the outside of the mold resin.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ヒートシンクをモールド樹脂により封止してなる樹脂封止型の電子装置において、ヒートシンクとモールド樹脂との剥離を抑制することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to suppress peeling between a heat sink and a mold resin in a resin-sealed electronic device in which a heat sink is sealed with a mold resin.

上記目的を達成するため、本発明者は、ヒートシンクとモールド樹脂との接触部において、ヒートシンクとモールド樹脂との密着力を向上させることに着目し、鋭意検討を行い、本発明を創出するに至った。   In order to achieve the above-mentioned object, the present inventor has focused on improving the adhesion between the heat sink and the mold resin at the contact portion between the heat sink and the mold resin, and intensively studied to create the present invention. It was.

本発明者は、ヒートシンク（１０）の表面のうち少なくとも前記モールド樹脂（８０）と接する部位に、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を形成するとともに、この無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の表面を、凹凸形状を持つように粗化されたものとした構成について検討した。 The present inventor forms the heat sink portion in contact with at least said molding resin (80) of the surface (10), electroless Ni plating film formed by plating Ni in electroless plating (10a) At the same time, the structure in which the surface of the electroless Ni plating film (10a) was roughened so as to have an uneven shape was examined .

それによれば、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位では、当該部位に設けられている無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）が凹凸形状を持つように粗化されているため、モールド樹脂（８０）との密着性が向上し、ヒートシンク（１０）とモールド樹脂（８０）との剥離を抑制することができる。   According to this, the portion of the surface of the heat sink (10) in contact with the mold resin (80) is roughened so that the electroless Ni plating film (10a) provided in the portion has an uneven shape. Adhesion with the mold resin (80) is improved, and peeling between the heat sink (10) and the mold resin (80) can be suppressed.

こような構成においては、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）は、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位のみに形成されていてもよい。   In such a configuration, the electroless Ni plating film (10a) may be formed only on the surface of the heat sink (10) that is in contact with the mold resin (80).

また、このような構成においては、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）は、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位および配線基板（２０）が搭載される部位に形成されており、配線基板（２０）は、接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）に搭載されているものにできる。   Further, in such a configuration, the electroless Ni plating film (10a) is formed on the surface of the heat sink (10) in a portion in contact with the mold resin (80) and a portion on which the wiring board (20) is mounted. The wiring board (20) can be mounted on the heat sink (10) via an adhesive (30).

このように、配線基板（２０）を、接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）に搭載する場合に、当該搭載部位に上記の粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設けることで、当該無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）と接着剤（３０）との密着性の向上が可能になる。   Thus, when the wiring board (20) is mounted on the heat sink (10) via the adhesive (30), the roughened electroless Ni plating film (10a) is provided on the mounting portion. Thus, the adhesion between the electroless Ni plating film (10a) and the adhesive (30) can be improved.

また、このような構成においては、ヒートシンク（１０）の他面（１２）がモールド樹脂（８０）から露出しており、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）は、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位および他面（１２）に形成されているものにできる。   Further, in such a configuration, the other surface (12) of the heat sink (10) is exposed from the mold resin (80), and the electroless Ni plating film (10a) is molded on the surface of the heat sink (10). It can be formed on the part in contact with the resin (80) and the other surface (12).

このように、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）から露出する他面（１２）に、上記の粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設ければ、この他面（１２）に接着剤などを介して外部基材を接触させ、放熱を図るような場合に、当該外部部材との密着性の向上が可能になる。   Thus, if the roughened electroless Ni plating film (10a) is provided on the other surface (12) exposed from the mold resin (80) in the surface of the heat sink (10), this other surface ( In the case where the external base material is brought into contact with 12) via an adhesive or the like to dissipate heat, the adhesion to the external member can be improved.

さらに、このような構成においては、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を、ヒートシンク（１０）の表面の全面に形成すれば、上記したモールド樹脂（８０）の剥離抑制、配線基板（２０）を搭載する接着剤（３０）との密着性向上、および、外部基材との密着性向上といった各効果が期待できる。   Further, in such a configuration, if the electroless Ni plating film (10a) is formed on the entire surface of the heat sink (10), the mold resin (80) is prevented from being peeled off and the wiring board (20) is mounted. Various effects such as improvement in adhesion with the adhesive (30) to be performed and improvement in adhesion with the external substrate can be expected.

また、このような構成において、ヒートシンク（１０）の表面と無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）との間に、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の下地となる下地メッキ膜（１０ｂ）を介在させれば、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）はピンホールなどが発生しやすいため、この下地メッキ膜（１０ｂ）によって、その下のヒートシンク（１０）の露出が防止できる。   In such a configuration, a base plating film (10b) serving as a base of the electroless Ni plating film (10a) can be interposed between the surface of the heat sink (10) and the electroless Ni plating film (10a). For example, since the rough electroless Ni plating film (10a) is likely to generate pinholes, the underlying plating film (10b) can prevent the heat sink (10) underneath from being exposed.

また、この場合において、下地メッキ膜（１０ｂ）としてＮｉ−Ｐメッキ膜を用いれば、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）とヒートシンク（１０）との密着性を向上させることができる。   In this case, if a Ni—P plating film is used as the base plating film (10b), the adhesion between the electroless Ni plating film (10a) and the heat sink (10) can be improved.

また、電子部品（４０、４１）が搭載された配線基板（２０）を、熱硬化性樹脂などよりなる接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）の一面（１１）上に搭載する場合において、このヒートシンク（１０）の一面（１１）に、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設けるとき、この無電解メッキ膜（１０ａ）は、熱硬化性樹脂などよりなる接着剤（３０）の低分子成分に対する濡れ性がよいものであるため、ブリードが発生しやすくなる。   In the case where the wiring board (20) on which the electronic components (40, 41) are mounted is mounted on one surface (11) of the heat sink (10) via an adhesive (30) made of a thermosetting resin or the like. When a roughened electroless Ni plating film (10a) is provided on one surface (11) of the heat sink (10), the electroless plating film (10a) is formed of an adhesive (30 ) Is easy to bleed because of its good wettability to low molecular components.

このブリードが発生すると、ヒートシンク（１０）の一面（１１）のうち配線基板（２０）の搭載領域よりも外側に上記した低分子成分が広がり、ヒートシンク（１０）とモールド樹脂（８０）との密着性を低下させやすくなる。   When this bleed occurs, the low molecular component described above spreads outside the mounting area of the wiring board (20) on one surface (11) of the heat sink (10), and the heat sink (10) and the mold resin (80) are in close contact with each other. It becomes easy to reduce the nature.

そこで、請求項１に記載の発明は、このブリード抑制を考慮して、配線基板（２０）を、熱硬化性樹脂よりなる接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）の一面（１１）上に搭載する製造方法において、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位および一面（１１）に、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成され、その表面が凹凸形状を持つように粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、配線基板（２０）側に接着剤（３０）を設け、ヒートシンク（１０）を接着剤（３０）の硬化温度以上に加熱した状態とし、続いて、この加熱された状態にあるヒートシンク（１０）の一面（１１）上に接着剤（３０）を介して配線基板（２０）を搭載することで、ヒートシンク（１０）の熱により、接着剤（３０）を硬化させることを、特徴とする。 In view of this, in the invention described in claim 1 , the wiring board (20) is placed on one surface (11) of the heat sink (10) via an adhesive (30) made of a thermosetting resin in consideration of the suppression of bleeding. The surface of the heat sink (10) that is in contact with the mold resin (80) and the surface (11) are formed by plating Ni by electroless plating, and the surface has an uneven shape. The electroless Ni plating film (10a) roughened so as to have the adhesive is provided, the adhesive (30) is provided on the wiring board (20) side, and the heat sink (10) is heated to a temperature higher than the curing temperature of the adhesive (30). Then, by mounting the wiring board (20) on the one surface (11) of the heat sink (10) in the heated state via the adhesive (30), the heat of the heat sink (10) is reduced. Yo , Curing the adhesive (30), the feature.

それによれば、接着剤（３０）は、配線基板（２０）の搭載と同時に硬化を始めるため、ブリードの進展を抑制できる。   According to this, since the adhesive (30) starts to be cured simultaneously with the mounting of the wiring board (20), the progress of bleeding can be suppressed.

また、請求項２に記載の発明は、このブリード抑制を考慮して、配線基板（２０）を、接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）の一面（１１）上に搭載する製造方法において、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位および一面（１１）に、上記無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、続いて、ヒートシンク（１０）の一面（１１）に位置する無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の表面のうち接着剤（３０）が設けられる部位の周囲を、モールド樹脂（８０）と密着性を有する樹脂材（１４）により被覆することで平滑化した後、ヒートシンク（１０）の一面（１１）上に接着剤（３０）を介して配線基板（２０）を搭載することを、特徴とする。 Further, the invention according to claim 2 is a manufacturing method in which the wiring board (20) is mounted on one surface (11) of the heat sink (10) via an adhesive (30) in consideration of the suppression of bleeding. The electroless Ni plating film (10a) is provided on the surface of the heat sink (10) that is in contact with the mold resin (80) and on the one surface (11), and is subsequently positioned on one surface (11) of the heat sink (10) After the surface of the electroless Ni plating film (10a) to be smoothed is covered with a resin material (14) having adhesiveness with the mold resin (80) around the portion where the adhesive (30) is provided , to mount a heat sink one side of (10) the wiring substrate via (11) on the adhesive (30) (20), the feature.

それによれば、樹脂材（１４）の表面は無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）に比べて平滑化されるため、ブリードの進展を抑制できる。   According to this, since the surface of the resin material (14) is smoothed compared to the electroless Ni plating film (10a), the progress of bleeding can be suppressed.

このような製造方法において、ヒートシンク（１０）の一面（１１）のうち樹脂材（１４）を設ける部位に、溝（１３）を設けた後、ヒートシンク（１０）の表面のうちモールド樹脂（８０）と接する部位および一面（１１）に、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、続いて、無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の表面のうち溝（１３）内に位置する部位を、樹脂材（１４）により被覆するようにすれば、溝（１３）により樹脂材（１４）の塗布が容易になる。   In such a manufacturing method, after providing the groove (13) in a portion of the surface (11) of the heat sink (10) where the resin material (14) is provided, the mold resin (80) of the surface of the heat sink (10) is provided. An electroless Ni plating film (10a) is provided on the part and one surface (11) in contact with each other, and subsequently, a part of the surface of the electroless Ni plating film (10a) located in the groove (13) is made of a resin material ( If it covers by 14), application | coating of the resin material (14) will become easy by a groove | channel (13).

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型の電子装置１００の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の電子装置１００における丸で囲んだＡ部の拡大図である。 (First embodiment)
FIG. 1A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a resin-encapsulated electronic device 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an electronic device in FIG. FIG. 10 is an enlarged view of a portion A surrounded by a circle in 100.

本電子装置１００はヒートシンク１０を備えており、このヒートシンク１０は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、４２アロイ、コバールなどの金属など、放熱性に優れた材料からなるものであり、たとえば矩形板状をなす。特に限定するものではないが、本例では、ヒートシンク１０はＦｅ板からなる。   The electronic device 100 includes a heat sink 10, and the heat sink 10 is made of a material having excellent heat dissipation, such as a metal such as Fe, Cu, Mo, 42 alloy, and Kovar, and has a rectangular plate shape, for example. . Although it does not specifically limit, in this example, the heat sink 10 consists of Fe plates.

このヒートシンク１０の一面１１上には、セラミック基板やプリント基板などからなる配線基板２０が搭載されている。ここでは、配線基板２０は、ヒートシンク１０よりも一回り小さい、たとえば矩形板状のものである。   On one surface 11 of the heat sink 10, a wiring substrate 20 made of a ceramic substrate or a printed substrate is mounted. Here, the wiring board 20 is slightly smaller than the heat sink 10, for example, has a rectangular plate shape.

そして、配線基板２０とヒートシンク１０との間には、シリコン系樹脂やエポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂などよりなる接着剤３０が介在しており、配線基板２０とヒートシンク１０とは、この接着剤３０を介して接着されている。   An adhesive 30 made of a thermosetting resin such as a silicon resin or an epoxy resin is interposed between the wiring board 20 and the heat sink 10, and the wiring board 20 and the heat sink 10 are bonded to each other. It is bonded via the agent 30.

また、配線基板２０には、ＩＣチップ４０やコンデンサ４１などの各種の電子部品４０、４１が実装されている。   Various electronic components 40 and 41 such as an IC chip 40 and a capacitor 41 are mounted on the wiring board 20.

ＩＣチップ４０は、シリコン基板などからなるもので、半導体プロセス技術を用いてトランジスタなどの素子が形成されたものであり、はんだや導電性接着剤などの接合材５０を介して配線基板２０の上に固定されるとともに、金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ６０を介して、配線基板２０と電気的に接続されている。   The IC chip 40 is made of a silicon substrate or the like, on which an element such as a transistor is formed by using a semiconductor process technology. The IC chip 40 is formed on the wiring substrate 20 via a bonding material 50 such as solder or conductive adhesive. And is electrically connected to the wiring board 20 through bonding wires 60 made of gold, aluminum, or the like.

また、コンデンサ４１も、上記接合材５０を介して配線基板２０の上に、電気的・機械的に接続されている。なお、配線基板２０には、これらＩＣチップ４０およびコンデンサ４１以外の部品が実装されていてもよい。   The capacitor 41 is also electrically and mechanically connected to the wiring board 20 through the bonding material 50. Note that components other than the IC chip 40 and the capacitor 41 may be mounted on the wiring board 20.

また、ヒートシンク１０および配線基板２０の周囲には、Ｃｕや４２アロイ合金などの金属からなるリードとしてのリードフレーム７０が配置されている。そして、配線基板２０とリードフレーム７０とは、ボンディングワイヤ６０によって結線され電気的に接続されている。   A lead frame 70 as a lead made of a metal such as Cu or 42 alloy alloy is disposed around the heat sink 10 and the wiring board 20. The wiring board 20 and the lead frame 70 are connected and electrically connected by bonding wires 60.

そして、これらヒートシンク１０、電子部品４０、４１、配線基板２０、リードフレーム７０およびボンディングワイヤ６０は、モールド樹脂８０によって包み込まれるように封止されている。   The heat sink 10, the electronic components 40 and 41, the wiring substrate 20, the lead frame 70, and the bonding wire 60 are sealed so as to be wrapped with a mold resin 80.

ここで、本実施形態では、ヒートシンク１０のうち配線基板２０が搭載される面である上記一面１１とは反対側の他面１２を、モールド樹脂８０から露出させており、それによって、放熱性の向上を図っている。   Here, in the present embodiment, the other surface 12 opposite to the one surface 11 that is the surface on which the wiring substrate 20 is mounted in the heat sink 10 is exposed from the mold resin 80, thereby enabling heat dissipation. We are trying to improve.

このモールド樹脂８０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料からなるものであり、一般的なトランスファーモールド法により形成されるものである。たとえば、モールド樹脂８０は、エポキシ系樹脂からなり、さらに熱膨張係数を調整する等のためにシリカなどからなるフィラーが含有されたものである。   The mold resin 80 is made of a normal mold material such as an epoxy resin, and is formed by a general transfer molding method. For example, the mold resin 80 is made of an epoxy resin, and further contains a filler made of silica or the like for adjusting the thermal expansion coefficient.

このような電子装置１００において、本実施形態では、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接する部位に、図１に示される例では、ヒートシンク１０の表面の全面に、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが形成されている。   In such an electronic device 100, in this embodiment, at least a portion of the surface of the heat sink 10 in contact with the mold resin 80, in the example shown in FIG. 1, over the entire surface of the heat sink 10, the electroless Ni plating film 10a. Is formed.

この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成されており、図１（ｂ）に示されるように、この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面は、凹凸形状を持つように粗化されている。   The electroless Ni plating film 10a is formed by plating Ni by electroless plating. As shown in FIG. 1B, the surface of the electroless Ni plating film 10a has an uneven shape. It has been roughened to have.

また、図１（ｂ）に示されるように、ヒートシンク１０の表面と無電解Ｎｉメッキ膜１０ａとの間には、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの下地となる下地メッキ膜１０ｂが介在している。なお、図１（ａ）では下地メッキ膜１０ｂは省略してある。   Further, as shown in FIG. 1B, a base plating film 10b serving as a base of the electroless Ni plating film 10a is interposed between the surface of the heat sink 10 and the electroless Ni plating film 10a. In FIG. 1A, the base plating film 10b is omitted.

この下地メッキ膜１０ｂは、Ｎｉ−Ｐメッキ膜やＮｉ−Ｂメッキ膜などからなる。特に限定するものではないが、本例では、下地メッキ膜１０ｂはＮｉ−Ｐメッキ膜１０ｂよりなる。   The base plating film 10b is made of a Ni-P plating film or a Ni-B plating film. Although not particularly limited, in this example, the base plating film 10b is made of a Ni-P plating film 10b.

ここで、Ｎｉ−Ｐメッキ膜１０ｂは、一般的な無電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴、メッキ条件でメッキすることで形成される。また、その上に設けられる表面が粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、無電解メッキ法によって形成される。 Here, the Ni-P plating film 10b is formed by plating under a general electroless Ni-P plating bath and plating conditions. Furthermore, electroless Ni plating film 10a which surface provided thereon is roughened, Ru is formed by an electroless plating method.

本例では、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、図１（ｂ）に示されるように、針状突起を有する凹凸形状となっている。この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの形成方法は公知であり、たとえば、Ｎｉメッキのメッキ成膜時に薬液成分などのメッキ条件を調整することなどにより、粗化を行うことができる。   In this example, the electroless Ni plating film 10a has a concavo-convex shape having needle-like protrusions as shown in FIG. A method for forming the electroless Ni plating film 10a is known, and for example, roughening can be performed by adjusting plating conditions such as a chemical solution component during Ni plating plating.

この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの粗化レベルは、モールド樹脂８０との密着性を満足するために、本例では比表面積２．３以上が好ましい。この比表面積とは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した値であり、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面における所定の単位面積をＡＦＭで測定し、その画像解析などを行うことで求められるものであり、樹脂密着性を表すのに最も適した特性値である。   In order to satisfy the adhesiveness with the mold resin 80, the roughening level of the electroless Ni plating film 10a is preferably a specific surface area of 2.3 or more in this example. The specific surface area is a value measured with an atomic force microscope (AFM), and is obtained by measuring a predetermined unit area on the surface of the electroless Ni plating film 10a with AFM and performing image analysis thereof. This is the most suitable characteristic value for expressing the resin adhesion.

また、この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの種々の表面粗化状態を図２〜図７に示す。図２、図４、図６は、それぞれ表面粗化状態の異なる無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面を電子顕微鏡で観察したときの顕微鏡写真を示す図であり、図３、図５、図７は、それぞれ図２、図４、図６の各状態となっている無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの断面構成を模式的に示す図である。   Various surface roughening states of the electroless Ni plating film 10a are shown in FIGS. 2, 4, and 6 are views showing micrographs when the surface of the electroless Ni plating film 10 a having a different surface roughening state is observed with an electron microscope, and FIGS. 3, 5, and 7 are illustrated. FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross-sectional configuration of an electroless Ni plating film 10a in each state of FIGS. 2, 4, and 6, respectively.

無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面形状は、図２、図３に示されるような丸みを帯びた凹凸形状でもよいが、図４および図５、または、図６および図７に示されるような針状形状の凹凸形状の方が、よりモールド樹脂８０との密着力に優れる。   The surface shape of the electroless Ni plating film 10a may be a rounded uneven shape as shown in FIGS. 2 and 3, but the needle as shown in FIG. 4 and FIG. 5 or FIG. 6 and FIG. The concavo-convex shape is more excellent in adhesion to the mold resin 80.

図４および図５では、図２および図３に比べて無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの比表面積が増えるものであり、図６および図７では、針が様々な方向に向いていることで、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａとモールド樹脂８０との密着力が増加する。これら図２〜図７に示される無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面形状は、当業者であれば、薬液成分などのメッキ条件を調整することなどにより実現できる。   4 and 5, the specific surface area of the electroless Ni plating film 10a is increased as compared with FIGS. 2 and 3. In FIGS. 6 and 7, the needles are oriented in various directions, so The adhesion between the electrolytic Ni plating film 10a and the mold resin 80 increases. The surface shape of the electroless Ni plating film 10a shown in FIGS. 2 to 7 can be realized by those skilled in the art by adjusting plating conditions such as chemical components.

このような電子装置１００は、次のような一般的な製造方法により製造することができる。まず、配線基板２０に、上記接合材５０を介して電子部品４０、４１を搭載する。一方で、上記メッキ膜１０ａ、１０ｂが形成されたヒートシンク１０を用意する。   Such an electronic device 100 can be manufactured by the following general manufacturing method. First, the electronic components 40 and 41 are mounted on the wiring board 20 via the bonding material 50. On the other hand, a heat sink 10 on which the plating films 10a and 10b are formed is prepared.

そして、この電子部品４０、４１が搭載された配線基板２０を、熱硬化性樹脂などよりなる接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１上に搭載し、リードフレーム７０と配線基板２０との間や配線基板２０とＩＣチップ４０との間でワイヤボンディングを行った後、このものをモールド樹脂８０にて封止する。こうして、本電子装置１００が製造される。   Then, the wiring board 20 on which the electronic components 40 and 41 are mounted is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via an adhesive 30 made of a thermosetting resin or the like, and between the lead frame 70 and the wiring board 20. After wire bonding is performed between the wiring substrate 20 and the IC chip 40, this is sealed with a mold resin 80. Thus, the electronic device 100 is manufactured.

ところで、本実施形態によれば、このような樹脂封止型の電子装置１００において、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位に、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが形成されている。   By the way, according to the present embodiment, in such a resin-encapsulated electronic device 100, the roughened electroless Ni plating film 10 a is formed on the surface of the heat sink 10 on the portion in contact with the mold resin 80. Yes.

それによれば、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位では、ヒートシンク１０の当該部位に設けられている無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面が凹凸形状を持つように粗化されているため、この凹凸部分によって無電解Ｎｉメッキ膜１０ａとモールド樹脂８０との間において、接触面積の増大やアンカー効果などの作用を期待することができる。   According to this, in the part of the surface of the heat sink 10 in contact with the mold resin 80, the surface of the electroless Ni plating film 10a provided in the part of the heat sink 10 is roughened so as to have an uneven shape. Such uneven portions can be expected to have an increased contact area and an anchor effect between the electroless Ni plating film 10a and the mold resin 80.

このことにより、ヒートシンク１０とモールド樹脂８０との密着性が向上し、ヒートシンク１０からのモールド樹脂８０の剥離を抑制することができる。そして、結果的に、モールド樹脂８０の内部から外部へ到達する樹脂クラックなど、樹脂剥離に伴う不具合の防止がなされ、信頼性が向上する。   Thereby, the adhesiveness between the heat sink 10 and the mold resin 80 is improved, and peeling of the mold resin 80 from the heat sink 10 can be suppressed. As a result, problems associated with resin peeling such as resin cracks reaching from the inside to the outside of the mold resin 80 are prevented, and the reliability is improved.

ここで、図１に示される例では、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面の全面に形成されているが、上記した効果を奏するためには、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接する部位に形成されていればよい。   Here, in the example shown in FIG. 1, the electroless Ni plating film 10 a is formed on the entire surface of the heat sink 10, but in order to achieve the above-described effect, the electroless Ni plating film 10 a is a heat sink. It suffices that it is formed at least at a portion in contact with the mold resin 80 among the ten surfaces.

たとえば、図８に示されるように、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位のみに形成されていてもよい。図８に示される例では、ヒートシンク１０の表面のうち一面１１における接着剤３０が配置される部位を除く部位と、側面とに無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが形成されている。   For example, as shown in FIG. 8, the electroless Ni plating film 10 a may be formed only on a portion of the surface of the heat sink 10 that is in contact with the mold resin 80. In the example shown in FIG. 8, the electroless Ni plating film 10 a is formed on the surface of the heat sink 10 except for the portion where the adhesive 30 is disposed on the surface 11 and the side surface.

また、本実施形態の電子装置１００のように、配線基板２０が接着剤３０を介してヒートシンク１０に搭載されている場合、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および配線基板２０が搭載される部位にのみ形成されていてもよい。   Further, when the wiring board 20 is mounted on the heat sink 10 via the adhesive 30 as in the electronic device 100 of the present embodiment, the electroless Ni plating film 10a is formed on the surface of the heat sink 10 with the mold resin 80. It may be formed only in the part which contacts and the part where the wiring board 20 is mounted.

ここで、ヒートシンク１０の表面のうち配線基板２０が搭載される部位とは、図１に示される電子装置１００においては、ヒートシンク１０の一面１１における接着剤３０が配置される部位である。   Here, the portion of the surface of the heat sink 10 where the wiring board 20 is mounted is a portion where the adhesive 30 on the one surface 11 of the heat sink 10 is disposed in the electronic device 100 shown in FIG.

このように、配線基板２０を、接着剤３０を介してヒートシンク１０に搭載する場合に、当該搭載部位に粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａを設けることで、当該無電解Ｎｉメッキ膜１０ａと接着剤３０との密着性の向上が可能になる。   Thus, when the wiring board 20 is mounted on the heat sink 10 via the adhesive 30, the roughened electroless Ni plating film 10 a is provided on the mounting portion, thereby the electroless Ni plating film 10 a and The adhesion with the adhesive 30 can be improved.

これは、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａでは接着剤３０の濡れ性が向上するなどの理由によるものであり、その結果、配線基板２０の剥離防止効果が期待され、信頼性が向上する。   This is for the reason that the wettability of the adhesive 30 is improved in the roughened electroless Ni plating film 10a. As a result, the effect of preventing the peeling of the wiring board 20 is expected, and the reliability is improved. .

また、本実施形態の電子装置１００のように、ヒートシンク１０の他面１２がモールド樹脂８０から露出しているハーフモールドタイプの場合には、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および当該他面１２にのみ、形成されていてもよい。   In the case of a half mold type in which the other surface 12 of the heat sink 10 is exposed from the mold resin 80 as in the electronic device 100 of the present embodiment, the electroless Ni plating film 10 a is formed on the surface of the heat sink 10. It may be formed only on the part in contact with the mold resin 80 and the other surface 12.

このようなハーフモールドタイプの電子装置１００の場合、ヒートシンク１０のうちモールド樹脂８０から露出する面すなわち他面を、接着剤や熱伝導性グリスなどを介して、冷却器などの外部基材に接触させ、それによって、電子装置１００における放熱の促進を図ることが多い。   In the case of such a half mold type electronic device 100, the surface exposed from the mold resin 80 of the heat sink 10, that is, the other surface is brought into contact with an external base material such as a cooler via an adhesive or heat conductive grease. Thus, in many cases, the heat dissipation in the electronic device 100 is promoted.

そこで、このように、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０から露出する他面１２に、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａを設ければ、この他面１２に接着剤などを介して外部基材を接触させ、放熱を図るような場合に、当該外部基材との密着性の向上が可能になる。その結果、外部基材に対するヒートシンクの接着力の向上効果が期待され、信頼性が向上する。   Therefore, if the roughened electroless Ni plating film 10a is provided on the other surface 12 exposed from the mold resin 80 in the surface of the heat sink 10 as described above, the other surface 12 is externally connected with an adhesive or the like. When the base material is brought into contact with the base plate to release heat, the adhesion with the external base material can be improved. As a result, the effect of improving the adhesion of the heat sink to the external substrate is expected, and the reliability is improved.

また、上述したように、本実施形態では、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面の全面に形成されている。   Further, as described above, in the present embodiment, the electroless Ni plating film 10 a is formed on the entire surface of the heat sink 10.

それによれば、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａを、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位に形成したことによるモールド樹脂８０の剥離抑制効果、配線基板２０が搭載される部位に形成したことによる配線基板２０の剥離抑制効果、モールド樹脂８０から露出する他面１２に形成したことによる外部基材に対する接着力の向上効果、といった上記の各効果が期待できる。   According to this, the electroless Ni plating film 10a is formed on the portion of the surface of the heat sink 10 in contact with the mold resin 80, the effect of suppressing the peeling of the mold resin 80, and the portion on which the wiring board 20 is mounted. The above-described effects such as the effect of suppressing the peeling of the wiring substrate 20 and the effect of improving the adhesive force to the external base material by being formed on the other surface 12 exposed from the mold resin 80 can be expected.

また、本実施形態では、上記図２などに示されるように、ヒートシンク１０の表面と無電解Ｎｉメッキ膜１０ａとの間に、Ｎｉ−Ｐメッキ膜１０ｂからなる下地メッキ膜１０ｂを介在させている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2 and the like, a base plating film 10b made of a Ni-P plating film 10b is interposed between the surface of the heat sink 10 and the electroless Ni plating film 10a. .

粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａはピンホールなどが発生しやすいため、下地メッキ膜１０ｂを設けることよって、その下のヒートシンク１０の露出が防止でき、ヒートシンク１０の腐食防止などが期待できる。   Since the rough electroless Ni plating film 10a is likely to generate pinholes and the like, by providing the base plating film 10b, it is possible to prevent the heat sink 10 from being exposed, and to prevent corrosion of the heat sink 10.

また、本実施形態では、下地メッキ膜１０ｂとしてＮｉ−Ｐメッキ膜１０ｂを用いることで、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａとヒートシンク１０との密着性を向上させることができる。   In this embodiment, the adhesion between the electroless Ni plating film 10a and the heat sink 10 can be improved by using the Ni-P plating film 10b as the base plating film 10b.

無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの膜厚を増やすと、その表面粗度が低下し、ヒートシンク１０との密着力が低下する。ここで、Ｎｉ−Ｐメッキ膜１０ｂを、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの下地にすることで、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの膜厚を増やした状態での表面粗化が可能である。また、表面状態が安定し且つ清浄なＮｉ−Ｐメッキ膜１０ｂ上に無電解Ｎｉメッキを施すことで、安定した粗化状態を得ることができる。   When the film thickness of the electroless Ni plating film 10a is increased, the surface roughness is lowered and the adhesion with the heat sink 10 is lowered. Here, by using the Ni-P plating film 10b as the base of the electroless Ni plating film 10a, the surface can be roughened in a state where the film thickness of the electroless Ni plating film 10a is increased. Moreover, a stable roughened state can be obtained by performing electroless Ni plating on the Ni-P plating film 10b having a stable and clean surface state.

（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法の要部を示す概略断面図である。 (Second Embodiment)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the method for manufacturing an electronic device according to the second embodiment of the present invention.

上記実施形態のように、電子部品４０、４１が実装された配線基板２０を、接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１上に搭載するとき、このヒートシンク１０の一面１１に、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａを設けた構成の場合、この無電解メッキ膜１０ａは粗化されているため、熱硬化性樹脂などよりなる接着剤３０の低分子成分に対する濡れ性がよいものとなる。   When the wiring board 20 on which the electronic components 40 and 41 are mounted is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 30 as in the above embodiment, the electroless Ni plating is applied to the one surface 11 of the heat sink 10. In the case of the structure provided with the film 10a, the electroless plating film 10a is roughened, so that the wettability with respect to the low molecular component of the adhesive 30 made of a thermosetting resin or the like is improved.

そのため、配線基板２０の搭載時に、接着剤３０のブリードが発生する。このブリードとは、当該低分子成分が、接着剤３０の搭載領域の周囲まで広がること、すなわち、ヒートシンク１０の一面１１においてモールド樹脂８０と接触すべき部位にまで広がることである。   Therefore, bleeding of the adhesive 30 occurs when the wiring board 20 is mounted. The bleeding means that the low-molecular component spreads to the periphery of the mounting area of the adhesive 30, that is, spreads to a portion to be brought into contact with the mold resin 80 on the one surface 11 of the heat sink 10.

このブリードが発生すると、粗化された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａ上においてブリードの進展が速くなり、短時間で広い領域に広がってしまう。その結果、ヒートシンク１０とモールド樹脂８０との間に、上記低分子成分が介在した形となり、この部分においてモールド樹脂８０の密着性が低下してしまう。   When this bleed occurs, the bleed progresses quickly on the rough electroless Ni plating film 10a and spreads over a wide area in a short time. As a result, the low molecular component is interposed between the heat sink 10 and the mold resin 80, and the adhesion of the mold resin 80 is reduced at this portion.

本実施形態は、配線基板２０を、熱硬化性樹脂よりなる接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１上に搭載する製造方法において、このブリードの抑制を狙ったものである。   The present embodiment aims to suppress this bleed in a manufacturing method in which the wiring board 20 is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via an adhesive 30 made of a thermosetting resin.

図９に示されるように、本実施形態では、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および一面１１に、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが設けられたものを用意する。   As shown in FIG. 9, in the present embodiment, the surface of the heat sink 10 in which the electroless Ni plating film 10 a is provided on the portion 11 in contact with the mold resin 80 and the one surface 11 is prepared.

なお、図９に示される例では、ヒートシンク１０の表面の全面に無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが設けられているが、少なくともヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および一面１１に無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが設けられていればよく、これらの部位のみに無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが設けられているヒートシンク１０を用いてもかまわない。   In the example shown in FIG. 9, the electroless Ni plating film 10 a is provided on the entire surface of the heat sink 10, but at least the portion of the surface of the heat sink 10 that is in contact with the mold resin 80 and the surface 11 are electroless Ni. It is sufficient if the plating film 10a is provided, and the heat sink 10 in which the electroless Ni plating film 10a is provided only at these portions may be used.

そして、本実施形態では、電子部品４０、４１が搭載された配線基板２０側に接着剤３０を設ける。なお、ここでは、電子部品４０、４１は、これら電子部品４０、４１が接合材５０によって配線基板２０に固定されていればよく、図９に示されるように、ＩＣチップ４０がワイヤボンディングまでされていない状態であってもよい。   In this embodiment, the adhesive 30 is provided on the wiring board 20 side on which the electronic components 40 and 41 are mounted. Here, the electronic components 40 and 41 are only required to be fixed to the wiring board 20 by the bonding material 50, and the IC chip 40 is wire-bonded as shown in FIG. It may be in a state that is not.

そして、本実施形態では、配線基板２０における電子部品４０、４１の搭載面とは反対側の面に、接着剤３０を塗布することにより、接着剤３０は、その粘性により配線基板２０に保持される。   In this embodiment, by applying the adhesive 30 to the surface of the wiring board 20 opposite to the mounting surface of the electronic components 40 and 41, the adhesive 30 is held by the wiring board 20 due to its viscosity. The

また、ヒートシンク１０を接着剤３０の硬化温度以上に加熱した状態とする。このヒートシンク１０の加熱方法は、特に限定するものではないが、ここでは、ヒートシンク１０をヒータ２００の上に搭載して加熱する。   Further, the heat sink 10 is heated to a temperature equal to or higher than the curing temperature of the adhesive 30. The method of heating the heat sink 10 is not particularly limited, but here, the heat sink 10 is mounted on the heater 200 and heated.

たとえば、接着剤３０がシリコン系樹脂である場合、接着剤３０の硬化温度はおおよそ１５０℃程度であり、ヒートシンク１０がこの硬化温度となるように、ヒータ２００を調整する。なお、このヒートシンク１０の加熱は、たとえばオーブンや熱風などにより行ってもよい。   For example, when the adhesive 30 is a silicon-based resin, the curing temperature of the adhesive 30 is approximately 150 ° C., and the heater 200 is adjusted so that the heat sink 10 reaches this curing temperature. The heat sink 10 may be heated by, for example, an oven or hot air.

続いて、この加熱された状態にあるヒートシンク１０の一面１１上に接着剤３０を介して配線基板２０を搭載する。そうすることで、加熱されたヒートシンク１０の熱により、接着剤３０を硬化させる。   Subsequently, the wiring substrate 20 is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 in the heated state via the adhesive 30. By doing so, the adhesive 30 is hardened by the heat of the heated heat sink 10.

接着剤３０の上記低分子成分は、接着剤３０の硬化温度にすることで固まり、進展しない。したがって、本実施形態のように、あらかじめヒートシンク１０を硬化温度に上昇させておき、その上に接着剤３０を塗布した配線基板２０を貼り付けることで、ブリードの進展が生じる前に固めることができる。   The low molecular weight component of the adhesive 30 hardens and does not progress when the curing temperature of the adhesive 30 is reached. Therefore, as in the present embodiment, the heat sink 10 is raised to the curing temperature in advance, and the wiring board 20 coated with the adhesive 30 is pasted thereon, so that it can be hardened before bleed progress occurs. .

なお、本実施形態では、このように配線基板２０をヒートシンク１０の一面１１に接着剤３０を介して固定した後、上記したリードフレーム７０やＩＣチップ４０に関するワイヤボンディングを行い、さらにモールド樹脂８０による封止を行うことにより、電子装置を完成する。   In the present embodiment, after the wiring board 20 is fixed to the one surface 11 of the heat sink 10 with the adhesive 30 in this way, wire bonding is performed on the lead frame 70 and the IC chip 40 described above, and the mold resin 80 is used. The electronic device is completed by sealing.

こうしてできあがった本実施形態の電子装置は、上記第１実施形態に示した電子装置において、配線基板２０を熱硬化性樹脂よりなる接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１に搭載し、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および配線基板２０が搭載される部位である一面１１に形成された構成となる。   The electronic device of this embodiment thus completed is the same as the electronic device shown in the first embodiment, in which the wiring board 20 is mounted on one surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 30 made of a thermosetting resin. The Ni plating film 10a has a configuration formed on the surface 11 of the surface of the heat sink 10 that is in contact with the mold resin 80 and on which the wiring board 20 is mounted.

（第３実施形態）
図１０は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の製造方法の要部を示す概略断面図である。なお、図１０に示されている部位以外は、本実施形態の電子装置は、上記第１実施形態に示したものと同様にできる。 (Third embodiment)
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the method for manufacturing an electronic device according to the third embodiment of the present invention. Except for the part shown in FIG. 10, the electronic device of this embodiment can be the same as that shown in the first embodiment.

本実施形態は、配線基板２０を、接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１上に搭載する製造方法において、上記した接着剤３０におけるブリードの抑制を狙ったものである。   The present embodiment aims to suppress bleeding in the adhesive 30 described above in a manufacturing method in which the wiring board 20 is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 30.

図１０に示されるように、本実施形態では、ヒートシンク１０として、配線基板２０が搭載される一面１１のうち接着剤３０が設けられる部位の周囲に、プレス加工などにより溝１３を設けたものを用意する。なお、図１０では、溝１３の全容は示されていないが、ヒートシンク１０の一面１１のうち接着剤３０が設けられる部位を取り囲むように形成されている。   As shown in FIG. 10, in this embodiment, the heat sink 10 is provided with a groove 13 by pressing or the like around a portion where the adhesive 30 is provided on one surface 11 on which the wiring board 20 is mounted. prepare. In FIG. 10, the entire groove 13 is not shown, but is formed so as to surround a portion of the one surface 11 of the heat sink 10 where the adhesive 30 is provided.

そして、このようなヒートシンク１０に対して、上記第２実施形態と同様に、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接する部位および一面１１に、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａを設ける。   For such a heat sink 10, similarly to the second embodiment, an electroless Ni plating film 10 a is provided on at least a portion of the surface of the heat sink 10 that is in contact with the mold resin 80 and one surface 11.

続いて、本実施形態では、図１０に示されるように、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面うち溝１３内に位置する部位を、樹脂材１４により被覆する。この樹脂材１４としては、モールド樹脂８０と密着性を有するものであればよい。   Subsequently, in the present embodiment, as shown in FIG. 10, a portion of the surface of the electroless Ni plating film 10 a located in the groove 13 is covered with the resin material 14. Any resin material 14 may be used as long as it has adhesion to the mold resin 80.

たとえばポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などを樹脂材１４として採用し、これを塗布して硬化することにより、樹脂材１４の配設がなされる。たとえばポリアミド系樹脂の場合、１５０℃程度で硬化させる。そして、このように樹脂材１４を配設することにより、溝１３内の無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面が、樹脂材１４により平滑化されたものとなる。   For example, a polyamide-based resin, a polyimide-based resin, or the like is employed as the resin material 14, and the resin material 14 is disposed by applying and curing it. For example, in the case of a polyamide-based resin, it is cured at about 150 ° C. By disposing the resin material 14 in this way, the surface of the electroless Ni plating film 10 a in the groove 13 is smoothed by the resin material 14.

すなわち、ヒートシンク１０の一面１１のうち接着剤３０が設けられる部位の周囲に位置する無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面が、樹脂材１４により、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの粗化された表面よりも平滑な表面となる。   That is, the surface of the electroless Ni plating film 10a located around the portion where the adhesive 30 is provided on the one surface 11 of the heat sink 10 is made to be more rough than the roughened surface of the electroless Ni plating film 10a by the resin material 14. The surface becomes smooth.

その後は、上記第２実施形態と同様に、ヒートシンク１０の一面１１上に接着剤３０を介して配線基板２０を搭載する。そして、ワイヤボンディングやモールド樹脂８０による封止を行うことで、電子装置を完成する。なお、樹脂材１４は、図１０に示される状態にてモールド樹脂８０に封止される。   Thereafter, as in the second embodiment, the wiring board 20 is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 30. Then, by performing wire bonding or sealing with the mold resin 80, the electronic device is completed. The resin material 14 is sealed in the mold resin 80 in the state shown in FIG.

本実施形態の製造方法によれば、ヒートシンク１０の一面１１において接着剤３０の搭載領域の周囲では、表面が平滑化された樹脂材１４が存在し、この樹脂材１４では、ブリードの進展速度が極めて遅くなる。そのため、上記第２実施形態と同様に、ブリードの抑制が可能となる。   According to the manufacturing method of the present embodiment, the resin material 14 having a smooth surface exists on the one surface 11 of the heat sink 10 around the area where the adhesive 30 is mounted. Extremely slow. Therefore, bleed can be suppressed as in the second embodiment.

また、上記製造方法によれば、ヒートシンク１０の一面１１のうち樹脂材１４を設ける部位に、溝１３を設け、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａのうちこの溝１３内に位置する部位を、樹脂材１４により被覆している。   Further, according to the manufacturing method described above, the groove 13 is provided in the portion of the one surface 11 of the heat sink 10 where the resin material 14 is provided, and the portion of the electroless Ni plating film 10 a located in the groove 13 is replaced with the resin material 14. Is covered.

それによれば、樹脂材１４を溝１３内に塗布することで、溝１３内に樹脂が広がりやすく、樹脂材１４の塗布が容易になる。また、溝１３を設けることで、ブリードの進展方向に堰を形成したのと同様の状態となることから、ブリードの進展を抑制するためには、好ましい。   According to this, by applying the resin material 14 in the groove 13, the resin easily spreads in the groove 13, and the application of the resin material 14 becomes easy. Further, providing the groove 13 is preferable in order to suppress the progress of the bleed because the groove 13 is in the same state as when the weir is formed in the direction of the bleed.

ここで、本実施形態においては、溝１３の形状は図示例のようなＶ溝に限定されるものではなく、矩形状の溝、Ｕ溝などであってもよい。また、樹脂材１４は溝１３の形状を継承していなくてもよく、樹脂材１４により溝１３が埋まっていてもよい。また、溝１３は複数本設けられていてもよい。   Here, in the present embodiment, the shape of the groove 13 is not limited to the V-groove as illustrated, but may be a rectangular groove, a U-groove, or the like. Further, the resin material 14 may not inherit the shape of the groove 13, and the groove 13 may be filled with the resin material 14. A plurality of grooves 13 may be provided.

さらには、ヒートシンク１０には溝１３はないものであってもよい。その場合であっても、ヒートシンク１０の一面１１に位置する無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面のうち接着剤３０が設けられる部位の周囲を、モールド樹脂８０と密着性を有する樹脂材１４により被覆することで平滑化すればよい。   Further, the heat sink 10 may not have the groove 13. Even in that case, the periphery of the portion where the adhesive 30 is provided on the surface of the electroless Ni plating film 10a located on the one surface 11 of the heat sink 10 is covered with the resin material 14 having adhesiveness with the mold resin 80. What is necessary is just to smooth.

また、本実施形態によれば、できあがった電子装置は、上記第１実施形態に示した電子装置において、配線基板２０を接着剤３０を介してヒートシンク１０の一面１１に搭載し、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａは、ヒートシンク１０の表面のうちモールド樹脂８０と接する部位および配線基板２０が搭載される部位である一面１１に形成された構成を有するものとなる。   Further, according to the present embodiment, the completed electronic device is the same as the electronic device shown in the first embodiment, in which the wiring board 20 is mounted on the one surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 30 and electroless Ni plating is performed. The film 10 a has a configuration formed on the surface 11 of the surface of the heat sink 10 that is a part in contact with the mold resin 80 and a part on which the wiring substrate 20 is mounted.

さらに、本実施形態の電子装置は、ヒートシンク１０の一面１１に位置する無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面のうち接着剤３０が設けられる部位の周囲が、モールド樹脂８０と密着性を有する樹脂材１４により被覆され、さらにこの樹脂材１４がモールド樹脂８０にて被覆された構成となる。   Furthermore, in the electronic device according to the present embodiment, the resin material 14 has adhesion between the surface of the electroless Ni plating film 10a located on the one surface 11 of the heat sink 10 and the part where the adhesive 30 is provided, and the mold resin 80. The resin material 14 is further covered with a mold resin 80.

また、溝１３を設けた場合には、本実施形態の製造方法にてできあがった電子装置は、ヒートシンク１０の一面１１のうち樹脂材１４を設けている部位に、溝１３が設けられた構成を有するものとなる。   In addition, when the groove 13 is provided, the electronic device completed by the manufacturing method of the present embodiment has a configuration in which the groove 13 is provided in a portion of the one surface 11 of the heat sink 10 where the resin material 14 is provided. It will have.

（他の実施形態）
なお、上記の実施形態に示されるＮｉ−Ｐメッキ膜などからなる下地メッキ膜１０ｂは、必要に応じて設ければよいものであり、場合によっては、下地メッキ膜１０ｂが無い構成であってもよい。 (Other embodiments)
Note that the base plating film 10b made of Ni—P plating film or the like shown in the above embodiment may be provided as necessary. In some cases, the base plating film 10b may be omitted. Good.

また、無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面粗化状態は、上記した各図に示されるような形態に限定されるものではなく、モールド樹脂８０との密着性を向上できるような凹凸形状であればよい。   In addition, the surface roughened state of the electroless Ni plating film 10a is not limited to the form shown in each of the above-described drawings, and may be any uneven shape that can improve the adhesion with the mold resin 80. Good.

また、上記各図に示した電子装置は、一実施形態を示すものであり、電子部品が実装された配線基板を、ヒートシンクの一面上に搭載し、ヒートシンク、電子部品および配線基板をモールド樹脂により封止してなるものであれば、配線基板、電子部品、ヒートシンクなどの構成は、上記のものに限定されない。   The electronic device shown in each of the above drawings shows an embodiment. A wiring board on which electronic parts are mounted is mounted on one surface of a heat sink, and the heat sink, electronic parts, and wiring board are made of a mold resin. The configuration of the wiring board, the electronic component, the heat sink, and the like is not limited to the above as long as it is sealed.

また、上記の実施形態では、ヒートシンク１０のうち配線基板２０が搭載される面である一面１１とは反対側の他面１２を、モールド樹脂８０から露出させているが、このヒートシンク１０の他面１２もモールド樹脂８０により封止されたものであっても、本発明は適用可能である。   In the above embodiment, the other surface 12 of the heat sink 10 opposite to the one surface 11 on which the wiring board 20 is mounted is exposed from the mold resin 80. The present invention is applicable even if 12 is also sealed with the mold resin 80.

また、ヒートシンク１０の一部をモールド樹脂８０から露出される構成を採用する場合には、上記の実施形態のように、配線基板２０が搭載される一面１１とは反対側の他面１２を露出する形態に限定されるものではない。   When a configuration in which a part of the heat sink 10 is exposed from the mold resin 80 is employed, the other surface 12 opposite to the one surface 11 on which the wiring board 20 is mounted is exposed as in the above embodiment. It is not limited to the form to do.

たとえば、ヒートシンク１０の他面１２の一部を露出させてもよいし、他面１２はモールド樹脂８０にて封止するようにし、ヒートシンク１０における一面１１と他面１２の間に位置する側面を露出させてもよいし、さらには、ヒートシンク１０の一面の一部を露出させてもよい。   For example, a part of the other surface 12 of the heat sink 10 may be exposed, the other surface 12 may be sealed with a mold resin 80, and the side surface located between the one surface 11 and the other surface 12 of the heat sink 10 may be It may be exposed, or a part of one surface of the heat sink 10 may be exposed.

このようにヒートシンクのどこかの一部をモールド樹脂８０から露出させる場合、あるいは、すべてを封止する場合のいずれにおいても、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接して封止されている部位に、上記の粗化された無電解メッキ膜１０ａが設けられていればよい。   As described above, in a case where a part of the heat sink is exposed from the mold resin 80 or a case where all of the heat sink is sealed, the heat sink 10 is sealed in contact with at least the mold resin 80 on the surface. It is only necessary that the roughened electroless plating film 10a is provided at the site.

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型の電子装置の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ部拡大図である。(A) is a schematic sectional drawing of the resin-sealed electronic device which concerns on 1st Embodiment of this invention, (b) is the A section enlarged view in (a). 丸みを帯びた凹凸形状を有する無電解Ｎｉメッキ膜の表面の顕微鏡写真である。It is a microscope picture of the surface of the electroless Ni plating film | membrane which has the rounded uneven | corrugated shape. 図２に示される無電解Ｎｉメッキ膜の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electroless Ni plating film | membrane shown by FIG. 針状の凹凸形状を有する無電解Ｎｉメッキ膜の表面の顕微鏡写真である。It is a microscope picture of the surface of the electroless Ni plating film | membrane which has acicular uneven | corrugated shape. 図４に示される無電解Ｎｉメッキ膜の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electroless Ni plating film | membrane shown by FIG. もう一つの針状の凹凸形状を有する無電解Ｎｉメッキ膜の表面の顕微鏡写真である。It is a microscope picture of the surface of the electroless Ni plating film which has another acicular uneven | corrugated shape. 図６に示される無電解Ｎｉメッキ膜の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electroless Ni plating film | membrane shown by FIG. 無電解Ｎｉメッキ膜がヒートシンクの表面のうちモールド樹脂と接する部位のみに形成されている構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure by which the electroless Ni plating film is formed only in the site | part which contact | connects mold resin among the surfaces of a heat sink. 本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る電子装置の製造方法の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing method of the electronic device which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０…ヒートシンク、１０ａ…無電解Ｎｉメッキ膜、
１０ｂ…下地メッキ膜としてのＮｉ−Ｐ膜、１１…ヒートシンクの一面、
１２…ヒートシンクの他面、１３…溝、１４…樹脂材、２０…配線基板、
３０…接着剤、４０…電子部品としてのＩＣチップ、
４１…電子部品としてのコンデンサ、８０…モールド樹脂。 10 ... heat sink, 10a ... electroless Ni plating film,
10b ... Ni-P film as a base plating film, 11 ... one side of heat sink,
12 ... Other surface of heat sink, 13 ... Groove, 14 ... Resin material, 20 ... Wiring board,
30 ... Adhesive, 40 ... IC chip as an electronic component,
41: Capacitor as an electronic component, 80: Mold resin.

Claims (3)

電子部品（４０、４１）が搭載された配線基板（２０）を、熱硬化性樹脂よりなる接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）の一面（１１）上に搭載し、前記ヒートシンク（１０）、前記電子部品（４０、４１）および前記配線基板（２０）をモールド樹脂（８０）により封止するようにした電子装置の製造方法において、
前記ヒートシンク（１０）の表面のうち前記モールド樹脂（８０）と接する部位および前記一面（１１）に、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成され、その表面が凹凸形状を持つように粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、
前記配線基板（２０）側に前記接着剤（３０）を設け、前記ヒートシンク（１０）を前記接着剤（３０）の硬化温度以上に加熱した状態とし、
続いて、この加熱された状態にある前記ヒートシンク（１０）の前記一面（１１）上に前記接着剤（３０）を介して前記配線基板（２０）を搭載することで、前記ヒートシンク（１０）の熱により、前記接着剤（３０）を硬化させることを特徴とする電子装置の製造方法。 A wiring board (20) on which electronic components (40, 41) are mounted is mounted on one surface (11) of a heat sink (10) via an adhesive (30) made of a thermosetting resin, and the heat sink (10 ), In the method of manufacturing an electronic device in which the electronic component (40, 41) and the wiring board (20) are sealed with a mold resin (80),
A portion of the surface of the heat sink (10) that is in contact with the mold resin (80) and the one surface (11) are formed by plating Ni by electroless plating, and the surface is rough so as to have an uneven shape. An electroless Ni plating film (10a) is provided,
The adhesive (30) is provided on the wiring board (20) side, and the heat sink (10) is heated to a temperature equal to or higher than the curing temperature of the adhesive (30).
Subsequently, by mounting the wiring board (20) on the one surface (11) of the heat sink (10) in the heated state via the adhesive (30), the heat sink (10) A method of manufacturing an electronic device, wherein the adhesive (30) is cured by heat. 電子部品（４０、４１）が搭載された配線基板（２０）を、接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）の一面（１１）上に搭載し、前記ヒートシンク（１０）、前記電子部品（４０、４１）および前記配線基板（２０）をモールド樹脂（８０）により封止するようにした電子装置の製造方法において、
前記ヒートシンク（１０）の表面のうち前記モールド樹脂（８０）と接する部位および前記一面（１１）に、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成され、その表面が凹凸形状を持つように粗化された無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、
続いて、前記ヒートシンク（１０）の前記一面（１１）に位置する前記無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の表面のうち前記接着剤（３０）が設けられる部位の周囲を、前記モールド樹脂（８０）と密着性を有する樹脂材（１４）により被覆することで平滑化した後、
前記ヒートシンク（１０）の前記一面（１１）上に前記接着剤（３０）を介して前記配線基板（２０）を搭載することを特徴とする電子装置の製造方法。 A wiring board (20) on which electronic components (40, 41) are mounted is mounted on one surface (11) of a heat sink (10) via an adhesive (30), and the heat sink (10), the electronic component ( 40, 41) and the method of manufacturing an electronic device in which the wiring board (20) is sealed with a mold resin (80).
A portion of the surface of the heat sink (10) that is in contact with the mold resin (80) and the one surface (11) are formed by plating Ni by electroless plating, and the surface is rough so as to have an uneven shape. An electroless Ni plating film (10a) is provided,
Subsequently, around the portion where the adhesive (30) is provided on the surface of the electroless Ni plating film (10a) located on the one surface (11) of the heat sink (10), the mold resin (80) And smoothing by covering with an adhesive resin material (14),
A method of manufacturing an electronic device, comprising mounting the wiring board (20) on the one surface (11) of the heat sink (10) via the adhesive (30). 前記ヒートシンク（１０）の前記一面（１１）のうち前記樹脂材（１４）を設ける部位に、溝（１３）を設けた後、
前記ヒートシンク（１０）の表面のうち前記モールド樹脂（８０）と接する部位および前記一面（１１）に、前記無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）を設け、
続いて、前記無電解Ｎｉメッキ膜（１０ａ）の表面のうち前記溝（１３）内に位置する部位を、前記樹脂材（１４）により被覆することを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。 After providing the groove (13) in the part of the one surface (11) of the heat sink (10) where the resin material (14) is provided,
The electroless Ni plating film (10a) is provided on the surface of the heat sink (10) in contact with the mold resin (80) and the one surface (11),
3. The electronic device according to claim 2 , wherein a portion of the surface of the electroless Ni plating film (10 a) located in the groove (13) is covered with the resin material (14). Manufacturing method.
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