JP4587625B2

JP4587625B2 - 配線基板とその実装構造

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Publication number: JP4587625B2
Application number: JP2001298541A
Authority: JP
Inventors: 慎一郡山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2010-11-24
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: JP2003100941A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波領域で、同軸端子をもつ配線ボードに表面実装可能な配線基板と、その実装構造に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域から、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで活用することが検討されており、例えば、６０ＧＨｚを用いた無線ＬＡＮや７６ＧＨｚを用いた車間レーダーのような応用システムも提案されるようになっている。
【０００３】
このような高周波用のシステムにおいては、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波形の劣化が起こりやすく、それらを抑制するために配線基板と配線ボードの接続を、同軸線路形態で行うことが特開２０００３０７２１１号等で提案されている。
【０００４】
図７は、その従来例を示す概略断面図である。図７によれば、一方の配線基板６０に、信号線６１、グランド層６２からなるマイクロストリップ線路６３が形成されており、信号線６１先端は基板内部を貫通するスルーホール導体６４と接続されている。
【０００５】
他方の配線基板６５も同様に、信号線６６、グランド層６７からなるマイクロストリップ線路６８が形成されており、信号線６６先端は配線基板６５を貫通するスルーホール導体６９に接続されている。この例においては、配線基板６０を配線基板６５に実装するにあたり、貫通穴７０が形成された導電性モジュールケース７１を用い、配線基板６０のグランド層６２と配線基板６５のグランド層６７をモジュールケース７１に接合して、モジュールケース７１の貫通穴７０内壁を同軸線路の外導体とし、一方、配線基板６０の信号線６１と配線基板６５の信号線６６は、スルーホール導体６４、６９を貫通して取り付けられた信号用接続部材７２によって電気的に接続し、これが同軸線路の内導体を形成するものである。
【０００６】
また、他の従来例として、配線基板の裏面に接続用半田バンプを形成したＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）パッケージが特開平８−２３６６５５号にて提案されている。これを図８に概略断面図を示した。このパッケージ７３においては、絶縁基板７４の裏面に、形成された信号端子７５の周囲に導体リング７６を形成し、その信号端子７５および導体リング７６の表面に半田バンプ７７を形成したものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示した構造では、配線基板６０と配線基板６５との接続組み立て方法が非常に特殊で、安価に大量に生産する上で問題があった。また配線基板６０のスルーホール導体６４には貫通穴７０が存在するために、モジュール内部を気密封止するのが難しいという問題もあった。
【０００８】
これに対して、図８のＢＧＡパッケージは、上記図８の課題は解決されるが、配線基板の表面側に形成されたマイクロストリップ線路などの信号線路と、同軸端子とを接続する場合に、変換効率が低下したり、信号波形が劣化するなどの問題があった。
【０００９】
しかも、図８のＢＧＡパッケージにおいては、半田バンプ７７が小さいと、半田バンプ７７の配置、接合が難しくなるため、通常、０．５ｍｍφ〜０．７ｍｍφの半田バンプ７７が一般的に用いられる。バンプ７７同士の間隔は、ショートが発生しないようにバンプ直径以上にするため、これらの半田バンプ７７の配列で同軸線路形態の接続部を構成すると、導体リング７６の内径は少なくとも１．５ｍｍ以上は必要となる。その結果、同軸線路においては導体リング７６内周長が信号波長より長くなってしまい、高次モードが発生し本来の伝送モードが減衰してしまう。即ち、導体リング内径が１．５ｍｍの場合、空気中であれば約６４ＧＨｚで高次モードが発生し、それ以上の周波数では使用できないことになる。
【００１０】
従って、本発明は、高周波用のシステムにおいて、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波形の劣化を抑制するための、安価な配線基板と、それを用いた量産に適した実装構造を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前記課題に鑑み検討を重ねた結果、円形の貫通孔が形成されているとともに最も裏面側に位置する第１の誘電体層およびそれに隣接する第２の誘電体層を含む複数の誘電体層が積層された誘電体基板を備え、前記誘電体基板の表面に、高周波部品が搭載される搭載部と、前記高周波部品に接続される伝送線路と、前記高周波部品用の電源線路とを備え、前記貫通孔を介した前記第２の誘電体層の露出面に、信号パッドおよび該信号パッドを中心とするリング状のグランド導体からなる同軸端子を備え、前記誘電体基板の裏面に、前記貫通孔の周囲に配置されたグランドパッドと、電源パッドとを備え、前記貫通孔の側面の全体に、前記グランド導体および前記グランドパッドを接続する側壁導体を備え、前記誘電体基板の内部に、前記伝送線路および前記信号パッドを接続する第１のビアホール導体と、前記電源線路および前記電源パッドを接続する第２のビアホール導体とを備えるとともに、前記同軸端子における前記グランド導体の内周長が、前記伝送線路を伝送する高周波信号の空気中における波長より短いことによって、前記同軸端子をロウ材を介して他の同軸端子と直接接続することができるとともに、誘電体基板の表面に形成された伝送線路と、同軸端子間の接続における信号波形の劣化も抑制でき、さらには、高次モードの発生を抑制できることを見出し本発明に至った。
【００１３】
また、前記誘電体基板の内部にグランド層を備え、前記伝送線路が前記グランド層とともにマイクロストリップ線路またはグランド付きコプレーナ線路を構成しているようにしてもよい。また、前記グランド導体と前記グランド層とが、隣接するもの同士の隙間が前記誘電体基板内の前記高周波信号の波長の１／４未満となるように配列された複数のビアホール導体によって電気的に接続されているようにすることによって、伝送線路から同軸端子までの経路における信号の劣化を防止することができる。
【００１４】
また、本発明の配線基板の実装構造は、信号パッドおよび該信号パッドの周囲に配置されたグランド導体からなる同軸端子ならびに電源端子が誘電体基板の表面に被着形成された配線ボードの表面に前記高周波部品が搭載された上記配線基板が載置され、前記配線基板側および前記配線ボード側における信号パッド同士，グランド導体同士および電源パッド同士がそれぞれロウ材によって電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００１５】
かかる実装構造においては、前記配線基板側の前記同軸端子と、前記配線ボード側の前記同軸端子とが、実質的に同一形状であることが接続信頼性を高めるために望ましい。
【００１６】
前記配線基板における前記誘電体基板がセラミック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける前記誘電体基板が有機樹脂を含有する絶縁材料からなるようにしてもよく、その場合の前記配線基板における前記誘電体基板と、前記配線ボードにおける前記誘電体基板との室温〜３００℃における熱膨張係数差が、２０×１０^-6／℃以下であるようにすることによって実装信頼性を高めることができる。
【００１７】
また、本発明によれば、かかる実装構造においては、配線基板の同軸端子を信号パッドと、グランド導体によって形成し、ロウ材によって他の同軸端子と接続することができるために安価で配線基板の組み立てや実装が容易な配線基板を得ることができる。しかも、配線基板における信号線路と同軸端子との接続部でのインピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波形の劣化を防止することができ、高周波用のシステムを実現することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図１乃至図５をもとに詳述する。
【００１９】
図１は、配線基板の一例を説明するもので、(ａ)は概略断面図、（ｂ）は基板表面の平面図、（ｃ）は基板内部のグランド層のパターン図、（ｄ）は基板裏面の平面図である。
【００２０】
図１によれば、配線基板Ａは、誘電体層１ａ、１ｂ、１ｃの積層構造からなる誘電体基板１を有し、この誘電体基板１の表面に、蓋体２を接合することによって気密に封止されたキャビティ３を形成している。また、誘電体基板１の表面には、高周波部品Ｂを搭載する搭載部が形成されている。また誘電体基板１表面には、搭載される高周波部品Ｂの高周波信号を伝送するための信号線路４が形成されている。また、誘電体基板１の内部には、グランド層５が形成されている。図１の配線基板Ａにおいては、信号線路４は、グランド層５とともにマイクロストリップ線路を形成している。
【００２１】
また、誘電体基板１の表面には、搭載される高周波部品Ｂに電力や制御系信号を供給するための電源線路６が被着形成されている。
【００２２】
一方、誘電体基板１の裏面には、信号パッド７と、この信号パッド７周囲にグランド導体８を具備する同軸端子９が形成されている。この配線基板Ａにおいては、図１（ｄ）に示すように、同軸端子９のグランド導体８は、信号パッド７を中心とする導体リングによって形成されている。また、配線基板Ａにおいては、入力用および出力用として２つの同軸端子９が形成されている。
【００２３】
また、配線基板Ａによれば、同軸端子９と配線基板Ａの表面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線路４とを結合するための変換部を具備する。図１（ａ）によれば、グランド層５におけるマイクロストリップ線路の信号線路４の先端直下に導体非形成領域５ａを設け、この導体非形成領域５ａを貫通するビアホール導体１０によって、信号線路４の先端と信号パッド７とを接続した構造になっている。
【００２４】
そして、この導体リング８には、誘電体基板１の内部に形成されたグランド層５と、隙間が信号波長の１／４未満となるように配列された複数のビアホール導体１１によって電気的に接続されている。このビアホール導体１１によって、導体リング８はグランド層５と接続され、ビアホール導体１０とともに疑似的な同軸線路を形成して高周波信号を伝送するが、このビアホール導体１１間の隙間ｔが信号波長の１／４以上では、マイクロストリップ線路から同軸端子９に変換される過程で、信号のもれによる劣化が生じ易いことから、この隙間ｔを１／４未満とすることによってマイクロストリップ線路の信号線路４から同軸端子９までの過程での信号の劣化を防止できる。
【００２５】
さらに、導体リング８の内周長Ｌが空気中の信号波長より短くなるように設定されていることが望ましい。これは、同軸端子のグランド導体内周長Ｌが信号波長よりも長いと、高次モードが発生し、信号の劣化が発生しやすいためであり、この内周長Ｌを信号波長よりも短くすることにより、同軸端子９による接続部において高周波信号の高次モードの発生を防止するためである。
【００２６】
なお、誘電体基板１の裏面には、上記同軸端子９とともに、電源パッド１２が形成されており、誘電体基板１表面側に形成された電源線路６とビアホール導体１３によって接続されている。これにより、同軸端子９と、電源パッド１２の他の回路との接続を一括して行うことができる。
【００２７】
また、誘電体基板の裏面に、同軸端子９以外に、電源パッド１２を有し、さらに必要に応じてダミー端子を設けることによってロウ材による接続の際に、セルフアライメント効果を発揮させることができ、他の回路に対して精度よく接続することができる。
【００２８】
次に、図２には、配線基板Ａを配線ボードＣに実装した時の（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボードＣ表面の平面図を示した。この図２によれば、配線ボードＣは、誘電体基板１５の表面に、図２（ｂ）に示すように、配線基板Ａと同様に、信号パッド１６とグランド導体１７からなる同軸端子１８と、電源回路（図示せず）と接続された電源パッド１９が形成されている。
【００２９】
そして、この配線ボードＣの表面に、図１の配線基板Ａを載置し、配線基板Ａ側および配線ボードＣ側の同軸端子９，１８における信号パッド７，１６同士、およびグランド導体８，１７同士をそれぞれロウ材２０によって電気的に接続することによって、配線基板Ａを配線ボードＣの表面に実装することができる。また、同時に、配線基板Ａの電源パッドと配線ボードＣの配線パッド１９も同時にロウ材２０によって電気的に接続される。
【００３０】
上記の配線基板Ａの配線ボードＣへの表面実装にあたって、ロウ材２０によりにじみが発生したり、あるいは配線基板Ａと配線ボードＣとの実装時の高さが変動すると、配線基板Ａの配線ボードＣへの実装部分で信号の劣化が生じやすくなる。そこで、図１（ａ）に示すように、信号パッド７、グランド導体８、電源パッド１２などのロウ付けされる部分以外の領域に、ロウ材２０との濡れ性の低い絶縁材料からなる被覆層２１を形成することが望ましい。この被覆層２１によってロウ材２０による実装の際に、ロウ材のにじみを防止することができる。またこの被覆層２１の厚みを調整することによって、配線基板Ａと配線ボードＣとの実装時の高さを一定に保つことができるために、高さの変動による信号の劣化や伝送特性の変動の発生を防止することができる。
【００３１】
この被覆層２１は、有機系、無機系のいずれでもよく、絶縁性の有機樹脂や、有機樹脂と無機フィラーとの混合物を配線基板Ａの表面に塗布し硬化させたり、または、ガラスペーストを塗布し焼き付けすることもできる。
【００３２】
次に、他の同軸端子構造について配線基板Ｄをもとに説明する。図３は、配線基板Ｄの（ａ）基板裏面の平面図と、（ｂ）同軸端子の拡大図である。なお、同一構造の部分は図１の符号を適用した。
【００３３】
図３の配線基板Ｄによれば、同軸端子９は、信号パッド７の周囲に、複数のグランドパッド１４が隙間Ｍをもって形成されている。この場合、隙間Ｍはロウ材による接続部からの信号洩れを抑制するために信号波長の１／４未満に設定される。
【００３４】
また、このグランドパッド１４は、誘電体基板１内部に形成されたグランド層５とビアホール導体１１によって電気的に接続されている。この場合も、ビアホール導体１１の隙間Ｍは、誘電体基板内の信号波長の１／４未満に設定される。さらに、グランドパッド１４は、信号パッド７を中心とする円形状に配列されるが、その配列における内周長さも空気中における波長よりも短くなるように設定される。
【００３５】
かかる構造の同軸端子９においては、配線ボードＣ側にも同様な同軸端子を設け、信号パッド同士、各グランドパッド１４同士をロウ材によって接続することによって配線基板Ｄを配線ボードＣに表面実装することができる。
【００３６】
次に、本発明の配線基板の例として、図４に配線基板Ｅの（ａ）概略断面図、（ｂ）裏面の平面図、（ｃ）配線ボードＣに実装した時の概略断面図を示した。
【００３７】
この配線基板Ｅは、前述の配線基板Ａ裏面のロウ材に濡れない被覆層２１をなくし、代わりに誘電体層１ｄを積層、焼成して一体的に作製したものである。配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。誘電体層１ｄの同軸端子９部分には貫通穴２２を設け、同軸端子９を配線基板Ｅ裏面に露出させている。また、貫通穴２２の側壁には側壁導体２３が形成されており、誘電体層１ｄ下面のグランドパッド２４と同軸端子９のグランド導体８とを接続している。
【００３８】
以上のように誘電体層１ｄを追加することにより、ロウ材に濡れない被覆層２１を被覆する工程が不要になり、配線基板を安価に提供することができる。また誘電体基板１の厚みが厚くできるために強度が増して実装工程における取扱いを容易にできる。
【００３９】
次に、図５に配線基板Ｅよりもさらに基板厚さを厚くした配線基板Ｆの概略断面図を示した。この配線基板Ｆは、前述の配線基板Ａの誘電体層１ｃを複数の誘電体層１ｃ１、１ｃ２で構成したものである。なお、配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。
【００４０】
かかる配線基板Ｆにおいては、誘電体層１ｃ１、１ｃ２との界面において、接続用グランド導体８ａを設けることが望ましい。これにより、ビアホール導体１０のグランド層５よりも下部の部分がビアホール導体１０を中心とし、その回りにビアホール導体１１と接続用グランド導体８ａからなる格子状の導体壁が形成されることから、信号のもれの発生を防止することができる。
【００４１】
以上のように誘電体層１ｃを複数の誘電体層で構成し、接続用信号パッド７ａ、接続用グランド導体８ａを介して、配線基板裏面に導出することにより、さらに配線基板の厚さを厚くして誘電体基板強度を増すことができる。
【００４２】
さらに、これまでの配線基板では、マイクロストリップ線路構造の信号線路から同軸端子に直接的に接続されるものであったが、これは、同軸端子を信号線路の直下に形成できる場合には有効であるが、配線基板の設計によっては、信号線路の端部の直下に同軸端子を形成できない場合がある。そのような場合に好適な配線基板Ｇの概略断面図を図６に示した。なお、前記配線基板と同じ部分には同じ符号を付けた。
【００４３】
この配線基板Ｇにおける誘電体基板１は、誘電体層１ａ〜１ｅの５層から構成され、そのうち誘電体層１ｃ、１ｄには、上グランド層３１、下グランド層３２およびストリップ線路３３からなるトリプレート線路が形成されている。なお、上グランド層３１と下グランド層３２とはビアホール導体３４によって電気的に接続されている。
【００４４】
配線基板Ｇ表面には信号線路４と上グランド層３１と共有されたグランド層５からなるマイクロストリップ線路が形成されており、搭載される高周波部品Ｂと接続されている。そして、マイクロストリップ線路の信号線路４の他端は、上グランド層３１と非接触で貫通するビアホール導体３５によってトリプレート線路のストリップ導体３３に接続されている。そして、トリプレート線路におけるストリップ導体３３先端は、ビアホール導体３６で下グランド層３２と同一面に形成された接続用信号パッド３７に接続され、接続用信号パッド３７を内導体、下グランド層３２を外導体とする同軸線路形態に変換されている。配線基板Ｇ内部の接続用信号パッド３７と下グランド層３２は、それぞれビアホール導体３８、３９によって配線基板裏面の信号パッド７、グランド導体８に接続される。かかる構造によっても、配線基板Ｇは高周波の信号の劣化を抑制しつつ配線ボードＣと同軸モードによって表面実装することができる。
【００４５】
本発明において、配線基板における誘電体基板１や配線ボードにおける誘電体基板１５を形成する誘電体材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ムライトなどを主成分とするセラミック材料、ガラス、あるいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成して形成されたガラスセラミック材料、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、テフロンなどのフッ素系樹脂などを含む樹脂系材料、有機樹脂−セラミック（ガラス含む）複合系材料などが用いられる。
【００４６】
特に、高周波部品を搭載する配線基板の誘電体基板１としては、誘電正接が小さいとともに、気密封止が可能であることが好適である。特に望ましい誘電体材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ガラスセラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種の無機材料が挙げられる。このような硬質系材料で構成すれば、搭載した高周波部品を気密に封止することができ信頼性を高めるために好ましい。
【００４７】
また、誘電体ボードにおける誘電体基板としては、誘電率５以下の低誘電率材料からなることが望ましく、特に有機樹脂を含む絶縁材料からなることが望ましい。また、配線基板の実装信頼性を高める上で、配線基板における誘電体基板１と配線ボードにおける誘電体基板１５との室温〜３００℃における熱膨張係数差は２０×１０^-6／℃以下、特に１０×１０^-6／℃以下であることが望ましい。
【００４８】
【実施例】
以下の実験を行なった。まず、配線基板Ａとして、焼成後、１０ＧＨｚにおける誘電正接が６×１０^-4、室温〜３００℃における熱膨張係数が８×１０^-6／℃のアルミナセラミックスのグリーンシートと、タングステンメタライズインクを用いて、通常の積層、同時焼成技術によって図１に示した配線基板に類似の評価基板を作製した。評価基板は、図１の配線基板のキャビティをなくし、高周波部品を搭載せずに、入出力用の２つのマイクロストリップ線路の信号線路を接続したものである。焼成後、誘電体基板の表面および裏面のメタライズ表面にニッケルおよび金によるめっき加工を施した。
【００４９】
なお、同軸端子として、０．３ｍｍφの信号パッドと、内周長が２．２ｍｍ、３．８ｍｍ、４．７ｍｍの導体リングを形成し、また、導体リングは、隙間が０．２ｍｍで配列された複数のビアホール導体によって誘電体基板内部のグランド層に接続した。
【００５０】
配線ボードＣとして図２に示した配線ボードをフッ素系プリント板（１０ＧＨｚ誘電正接０．００１、室温〜３００℃の熱膨張係数２１×１０^-6／℃）で作製した。即ち、プリント板の表面に、銅箔からなる評価用配線基板の同軸端子と全く同じ大きさの同軸端子を形成した。またプリント基板の裏面には、測定用コプレーナを取り付けた。
【００５１】
そして、上記のプリント板のパッドに印刷法でＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系の半田ペーストを印刷し、上記評価用配線基板を搭載してリフローで半田実装して配線基板を配線ボードに表面実装した。
【００５２】
評価用サンプルの配線ボード裏面に測定用プローブを接触させ、７６ＧＨｚにおける挿入損失を測定して配線基板内のマイクロストリップ線路から配線ボードの裏面までの接続損失を見積った。
【００５３】
その結果、グランド導体の内周長が４．７ｍｍ（空気中の信号波長よりも長い）の場合では、損失は４ｄＢと大きいものであったが、内周長が３．８ｍｍ，２．２ｍｍの場合（空気中の信号波長よりも短い）は、それぞれ１．１ｄＢ、１．０ｄＢと小さく、良好な表面実装が可能であった。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、同軸端子を有し、表面実装が可能であり、また、高次モードが発生することがなく、良好な伝送特性を有する配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】配線基板Ａの(ａ)概略断面図、（ｂ）基板表面の平面図、（ｃ）基板内部のグランド層のパターン図、（ｄ）基板裏面の平面図である。
【図２】配線基板Ａを配線ボードＣに実装した時の（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボードＣ表面の平面図である。
【図３】配線基板Ｄの（ａ）基板裏面の平面図と、（ｂ）同軸端子の拡大図である。
【図４】本発明の例である配線基板Ｅの（ａ）概略断面図、（ｂ）裏面の平面図、（ｃ）配線ボードＣに実装した時の概略断面図である。
【図５】配線基板Ｆの概略断面図である。
【図６】配線基板Ｇの概略断面図である。
【図７】従来の配線基板の実装構造を説明するための概略断面図である。
【図８】他の従来の同軸端子の接続構造を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ，Ｄ〜Ｈ配線基板
Ｂ高周波部品
Ｃ配線ボード
１誘電体基板
４信号線路
５グランド層
６電源線路
７信号パッド
８グランド導体
９同軸端子
１２電源パッド
１０、１１、１３ビアホール導体

Claims

円形の貫通孔が形成されているとともに最も裏面側に位置する第１の誘電体層およびそれに隣接する第２の誘電体層を含む複数の誘電体層が積層された誘電体基板を備え、前記誘電体基板の表面に、高周波部品が搭載される搭載部と、前記高周波部品に接続される伝送線路と、前記高周波部品用の電源線路とを備え、前記貫通孔を介した前記第２の誘電体層の露出面に、信号パッドおよび該信号パッドを中心とするリング状のグランド導体からなる同軸端子を備え、前記誘電体基板の裏面に、前記貫通孔の周囲に配置されたグランドパッドと、電源パッドとを備え、前記貫通孔の側面の全体に、前記グランド導体および前記グランドパッドを接続する側壁導体を備え、前記誘電体基板の内部に、前記伝送線路および前記信号パッドを接続する第１のビアホール導体と、前記電源線路および前記電源パッドを接続する第２のビアホール導体とを備えるとともに、前記同軸端子における前記グランド導体の内周長が、前記伝送線路を伝送する高周波信号の空気中における波長より短いことを特徴とする配線基板。
前記誘電体基板の内部にグランド層を備え、前記伝送線路が前記グランド層とともにマイクロストリップ線路またはグランド付きコプレーナ線路を構成していることを特徴する請求項１記載の配線基板。
前記グランド導体と前記グランド層とが、隣接するもの同士の隙間が前記誘電体基板内の前記高周波信号の波長の１／４未満になるように配列された複数のビアホール導体によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
前記信号パッドおよび前記グランド導体が、外部回路に対してロウ付けされることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の配線基板。
信号パッドおよび該信号パッドの周囲に配置されたグランド導体からなる同軸端子ならびに電源端子が誘電体基板の表面に被着形成された配線ボードの表面に、前記高周波部品が搭載された請求項１乃至請求項４のいずれか記載の配線基板が載置され、前記配線基板側および前記配線ボード側における信号パッド同士，グランド導体同士および電源パッド同士がそれぞれロウ材によって電気的に接続されていることを特徴とする配線基板の実装構造。
前記配線基板側の前記同軸端子と、前記配線ボード側の前記同軸端子とが、実質的に同一形状であることを特徴とする請求項５記載の配線基板の実装構造。
前記配線基板における前記誘電体基板がセラミック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける前記誘電体基板が有機樹脂を含有する絶縁材料からなることを特徴とする請求項５または請求項６記載の配線基板の実装構造。
前記配線基板における前記誘電体基板と、前記配線ボードにおける前記誘電体基板との室温〜３００℃における熱膨張係数差が２０×１０^-6／℃以下であることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか記載の配線基板の実装構造。