JP4585288B2 - Solid raw material vaporizer and solid raw material vaporization method - Google Patents
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 130
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 85
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 30
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMRNGWIGNNZWSS-UHFFFAOYSA-N N[Ta](C)C Chemical compound N[Ta](C)C MMRNGWIGNNZWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiOC Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、固体原料気化装置および固体原料気化方法に関し、特に、原料容器内に、加熱ヒーターを固体原料と離れて設けた固体原料気化装置および固体原料気化方法に関する。 The present invention relates to a solid raw material vaporizer and a solid raw material vaporization method, and more particularly to a solid raw material vaporizer and a solid raw material vaporization method in which a heater is provided in a raw material container apart from a solid raw material.
近年、W、Al、Cu、Ta、TaN、TiN、SiO2、SiOC、SiNなどの様々な材料の薄膜(数nm〜数μm)を被覆性よく堆積することが要求されることが多い。例えば、近年、半導体装置にCu(銅)配線が採用されつつある。Cu配線の形成にあたっては、CuのSi(シリコン)中への拡散による素子特性の劣化、絶縁膜との密着性が乏しいことによる加工性の劣化、不動態酸化膜を形成せずに酸化が内部まで進行することによる配線特性の劣化、などの課題を解決する必要がある。バリアメタルは、これらの課題を解決するための一手段として、Cuと配線層間膜との界面に設けられる。バリアメタルとしてはTa(タンタル)、TaN(窒化タンタル)の単層膜或いは多層膜が用いられ、その成膜方法として、従来はスパッタ法が用いられている。 In recent years, it is often required to deposit thin films (several nm to several μm) of various materials such as W, Al, Cu, Ta, TaN, TiN, SiO 2 , SiOC, and SiN with good coverage. For example, in recent years, Cu (copper) wiring is being adopted for semiconductor devices. In forming Cu wiring, deterioration of element characteristics due to diffusion of Cu into Si (silicon), deterioration of workability due to poor adhesion to the insulating film, oxidation inside without forming a passive oxide film It is necessary to solve problems such as deterioration of wiring characteristics due to progressing to the above. The barrier metal is provided at the interface between Cu and the wiring interlayer film as one means for solving these problems. As the barrier metal, a single layer film or a multilayer film of Ta (tantalum) or TaN (tantalum nitride) is used, and a sputtering method is conventionally used as the film formation method.
バリアメタルは上述のようにCu配線形成に必須であり、上記した課題を解決するために必要とされる最低の膜厚が存在する。一方で、比抵抗の高いバリアメタルはCu配線の抵抗を増加させるので、素子の高速化の観点からはバリアメタルの厚さはできるだけ薄くする必要があり、パターン上に最低膜厚で均一に堆積することが望ましい。 The barrier metal is indispensable for forming the Cu wiring as described above, and there is a minimum film thickness required for solving the above-described problems. On the other hand, a barrier metal with a high specific resistance increases the resistance of the Cu wiring, so it is necessary to make the thickness of the barrier metal as thin as possible from the viewpoint of speeding up the device, and it is uniformly deposited on the pattern with the minimum film thickness It is desirable to do.
化学気相成長(chemical vapor deposition:CVD)法は、そのような要求に適した方法として知られている。化学気相成長法においては、蒸気圧の低い固体原料を用いる場合、膜の成長に十分な量を確保するため、加熱により蒸気圧を高くすることが一般的である。 A chemical vapor deposition (CVD) method is known as a method suitable for such a requirement. In the chemical vapor deposition method, when a solid material having a low vapor pressure is used, it is common to increase the vapor pressure by heating in order to ensure a sufficient amount for film growth.
従来の固体原料気化装置においては、原料容器の外側にヒーターを設けることによって、容器内の固体原料を加熱し、気化させていた。本発明者は、従来の固体原料気化装置において、固体原料が消費される途中経過について実験を行った。 In the conventional solid raw material vaporizer, the solid raw material in the container is heated and vaporized by providing a heater outside the raw material container. The present inventor conducted an experiment on the course of consumption of a solid material in a conventional solid material vaporizer.
図5(a)は、従来の固体原料気化装置において、蒸気圧の低い固体原料が消費される途中経過を例示する模式図である。同図に表すように、従来の固体原料気化装置1000は、固体原料100を収容する原料容器110と、原料容器110の外側に設けられたヒーター200と、原料容器110内にガスを供給する配管120と、原料容器110内で発生した気化ガスを図示しない熱処理装置に供給する配管130と、を備えている。この従来の固体原料気化装置1000によると、蒸気圧の低い固体原料100は、原料容器110の側壁近傍から優先的に消費されることがわかった。すなわち、熱伝導の関係で、固体原料100のうち、ヒーター200の近傍の部分と、固体原料100の中央部分とで、温度勾配が生じてしまうことがわかった。蒸気圧の低い固体原料では、容器中の原料分圧はもともと低いから、搬送ガスによる原料分圧低下の影響は受けにくい。
Fig.5 (a) is a schematic diagram which illustrates the middle course in which the solid raw material with a low vapor pressure is consumed in the conventional solid raw material vaporizer. As shown in the figure, a conventional solid
その結果、固体原料100がさらに消費されて原料容器110と接しなくなると、固体原料100は加熱されにくくなるため気化されず、気化ガスの発生が不安定になるという問題があった。
As a result, when the solid
図5(b)は、従来の固体原料気化装置において、蒸気圧の高い固体原料が消費される途中経過を例示する模式図である。同図に表すように、蒸気圧の高い固体原料100は、搬送ガスが当たる部分が優先的に消費されることがわかった。すなわち、蒸気圧の高い固体原料100は、比較的低温でも気化されるので、固体原料100内の温度勾配の影響はあまり受けず、固体原料の分圧に依存することがわかった。それゆえ、搬送ガスにより原料分圧の低くなる部分から優先的に消費される。
FIG. 5B is a schematic view illustrating the course of the consumption of the solid material having a high vapor pressure in the conventional solid material vaporizer. As shown in the figure, it was found that the solid
このように、従来の固体原料気化装置1000は、特に蒸気圧の低い固体原料において、気化ガスの発生が不安定になるという問題があった。
Thus, the conventional
また、このような問題を解決するために、固体原料内に、加熱部や熱伝導部材を設ける固体原料気化装置も提案されている(例えば、特許文献1参照)。この提案では、熱伝導の効果によって、固体原料の全域を一律に加熱している。
しかしながら、固体原料内に、加熱部や熱伝導部材を設ける固体原料気化装置では、固体原料の全域を常に高温に保つので、非常に大きな熱源が必要となり、効率が悪いという問題があった。 However, in the solid raw material vaporizer in which the heating unit and the heat conducting member are provided in the solid raw material, the entire area of the solid raw material is always kept at a high temperature, so that a very large heat source is required and the efficiency is low.
また、固体原料を高温に加熱しすぎると、固体原料が分解するなどの問題が生じるため加熱温度に上限が存在し、固体原料を十分に供給できないという問題があった。 Further, if the solid raw material is heated too much, problems such as decomposition of the solid raw material occur, so there is an upper limit on the heating temperature, and there is a problem that the solid raw material cannot be supplied sufficiently.
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、蒸気圧の低い固体原料において、効率よく、気化ガスを安定して供給できる固体原料気化装置および固体原料気化方法を提供しようとするものである。 The present invention has been made on the basis of recognition of such problems, and an object of the present invention is to provide a solid raw material vaporization apparatus and a solid raw material vaporization method that can efficiently and stably supply vaporized gas in a solid raw material having a low vapor pressure. It is something to try.
上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、
固体原料を収容する原料容器と、
前記原料容器内にガスを導入する配管と、
前記原料容器外にガスを排出する配管と、
前記原料容器内上部に設けられた支持部によって、前記原料容器内に収容される前記固体原料から離れて設置可能とされた加熱ヒーターと、
を備えたことを特徴とする固体原料気化装置が提供される。
In order to achieve the above object, according to one aspect of the present invention,
A raw material container for containing a solid raw material;
Piping for introducing gas into the raw material container;
Piping for discharging gas out of the raw material container;
A heater provided on the upper part in the raw material container, which can be set apart from the solid raw material accommodated in the raw material container, and a heater,
There is provided a solid raw material vaporizer characterized by comprising:
ここで、前記加熱ヒーターは、上下方向に移動可能であるものとすることができる。
また、前記加熱ヒーターは、複数の貫通孔を有するものとすることができる。
また、前記加熱ヒーターの下面は、下に凸の曲面状であるものとすることができる。
Here, the heater may be movable in the vertical direction.
The heater may have a plurality of through holes.
In addition, the lower surface of the heater may be a downwardly convex curved surface.
また、本発明の他の一態様によれば、原料容器内に収容された固体原料を、前記原料容器の内部に前記固体原料から離間して設けられた加熱ヒーターにより加熱して気化させることを特徴とする固体原料気化方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the solid material stored in the raw material container is heated and vaporized by a heater provided in the raw material container so as to be separated from the solid raw material. A featured solid raw material vaporization method is provided.
本発明によれば、蒸気圧の低い固体原料を効率よく気化させ、気化ガスを安定して供給できる固体原料気化装置及び固体原料気化方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solid raw material vaporization apparatus and solid raw material vaporization method which can vaporize the solid raw material with a low vapor pressure efficiently, and can supply vaporization gas stably can be provided.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置の断面構造を例示する模式図である。
同図に表すように、本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置1は、固体原料10を収容する原料容器11と、原料容器11内に供給される搬送ガスの入り口12と、気化ガスの出口13と、を備える。さらに、原料容器11内の中央付近には、円盤状の加熱ヒーター14が設けられている。加熱ヒーター14は、原料容器11の上部中央に設置された円柱状の支持部15によって支持されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view illustrating a cross-sectional structure of a solid material vaporizer according to an embodiment of the present invention.
As shown in the figure, a solid raw material vaporizer 1 according to an embodiment of the present invention includes a
図2は、本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置の要部の平面構造を例示する模式図である。
すなわち、図2は、加熱ヒーター14の平面構造を例示する模式図である。同図に表すように、円盤状の加熱ヒーター14の底面には、多数の小さい穴(加熱ヒーター開口部16)が設けられている。容器内に導入された搬送ガスは、これらの加熱ヒーター開口部16を適宜介して固体原料10の表面に供給される。
FIG. 2 is a schematic view illustrating the planar structure of the main part of the solid raw material vaporizer according to the embodiment of the invention.
That is, FIG. 2 is a schematic view illustrating the planar structure of the
加熱ヒーター14は、固体原料10の上に、固体原料10から離れて設けられている。また、加熱ヒーター14の底面積は、原料容器11の底面積よりも小さいので、原料容器11の側面とも接していない。従って、加熱ヒーター14の熱のうちの殆どは、固体原料10や原料容器11の側面に、接触による熱伝導によって伝達されることはない。
The
本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置においては、加熱ヒーター14と、原料容器11と、支持部15とを、それぞれ別々のヒーターによって加熱し、固体原料10を気化する。例えば、固体原料がタンタル(Ta)の原料として用いられるPDMAT(Pentakis Dimethyl Amino Tantalum)である場合、加熱ヒーター14を摂氏70度〜130度に加熱し、原料容器11と支持部15とを摂氏20度〜80度に加熱する。加熱方法としては、例えば、加熱ヒーター14の中に収容した電熱ヒータに通電する方法を挙げることができる。
In the solid raw material vaporizer according to the embodiment of the present invention, the
加熱によって固体原料10を気化し、搬送ガスの入り口12から供給される搬送ガスと反応させる。その気化ガスを、気化ガスの出口13から、図示しない熱処理装置内に供給する。
The solid
加熱ヒーター14は、固体原料10から離れて設けられているから、加熱ヒーター14の熱は、輻射によって固体原料10の上面側に伝達される。また、搬送ガスを介した熱伝導によっても伝達される。それゆえ、固体原料10の上面が高温になり、上面の上の空間の蒸気圧が上昇する。つまり、固体原料10は、上面から順に気化される。固体原料10の最上面が気化されると、その下の面が暴露され、暴露された新生面が加熱されて気化されるという昇華反応が連続的に繰り返される。固体原料10は、上層から下層に向けて連続的に消費される。従って、気化ガスが安定して発生する。気化した固体原料は搬送ガスにのって出口13から搬出される。
Since the
したがって、本発明の実施の形態によると、固体原料10を、その上面側から下面に、連続的且つ効率的に消費することができる。
Therefore, according to the embodiment of the present invention, the solid
また、本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置において、加熱ヒーター14は、原料容器11の中央に設けられているから、固体原料10の上表面の中央が最も高温になる。すなわち、加熱ヒーター14は原料容器11よりも高温に加熱されているので、原料容器11の加熱によって固体原料10のうちの原料容器11の側壁近傍が高温になる影響をなくすことができる。
In the solid raw material vaporizer according to the embodiment of the present invention, the
また、加熱ヒーター14は、固体原料10の全域を常に加熱する必要はなく、少なくとも固体原料10の最上面の中央付近を加熱すればよい。それゆえ、加熱ヒーター14の熱源は、これまでの固体原料気化装置に比べて小さくてよい。
Further, the
またさらに、図1に矢印で例示したように、加熱ヒーター14を、上下方向に移動可能としてもよい。このようにすれば、消費されるにつれて低くなる固体原料10の最上面と、加熱ヒーター14との距離を常に一定に保つことができ、固体原料10を常に一定温度で加熱できる。
Furthermore, as illustrated by the arrows in FIG. 1, the
またさらに、容器内の空間に加熱ヒーター14を設けることにより、容器内の空間に接する壁面の温度を上げることができ、蒸発した固体原料10の再付着を防止できる。
Furthermore, by providing the
このように、本発明の実施の形態にかかる固体原料気化装置によると、原料容器11内に、加熱ヒーター14を固体原料10から離れて設けることによって、固体原料10を上面側から連続的且つ効率的に気化することができる。その結果、気化ガスを安定して、熱処理装置内に供給でき、半導体基板などの上に均一な薄膜を被覆性よく堆積できる。
Thus, according to the solid raw material vaporizer according to the embodiment of the present invention, by providing the
その結果として、例えば、CuのSi中への拡散による素子特性の劣化、絶縁膜との密着性が乏しい事による加工性の劣化、不動態酸化膜を形成せずに酸化が内部まで進行する事による配線特性の劣化などを防ぐことができる信頼性の高いバリアメタルを均一な膜厚で形成できる。 As a result, for example, element characteristics are deteriorated due to diffusion of Cu into Si, workability is deteriorated due to poor adhesion to the insulating film, and oxidation proceeds to the inside without forming a passive oxide film. A highly reliable barrier metal capable of preventing the deterioration of wiring characteristics due to the above can be formed with a uniform film thickness.
次に、本実施の形態の変型例について説明する。
図3は、本実施形態の変型例にかかる固体原料気化装置の断面構造を例示する模式図である。
本変型例における加熱ヒーター14は、下に凸の半球状である。本変型例における加熱ヒーター14においても、多数の小さい穴(加熱ヒーター開口部16)が設けられており、これらの加熱ヒーター開口部16を介して搬送ガスが適宜加熱されて熱伝導が促進される。
Next, a modified example of the present embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic view illustrating the cross-sectional structure of a solid material vaporizer according to a modification of the present embodiment.
The
本変型例における加熱ヒーター14は、半球状であるから、加熱ヒーター14と固体原料10との距離は、固体原料10の上面中央において最も小さくなる。つまり、固体原料10の表面の中央が、加熱ヒーター14に最も近くなる。その結果、固体原料10の上面中央を最も高温にすることができ、原料容器11の加熱によって、固体原料10のうちの原料容器11の側壁近傍が加熱される影響を軽減することができる。
Since the
本変型例によると、原料容器11内に、下に凸の半球状の加熱ヒーター14を設けることによって、固体原料10を上面の中央から連続的且つ効率的に気化することができる。 また、本変型例においても、前述した実施形態において得られる効果と同様の効果を得ることができる。
According to this modification, by providing the downwardly convex
また、加熱ヒーター14は、フィラメントなどのように金属線によって形成し、下に凸の形状に変形しても、本実施例と同様の効果が得られる。
Further, even if the
次に、本実施形態の第2の変型例について説明する。
図4は、本変型例にかかる固体原料気化装置の断面構造を例示する模式図である。
本変型例においては、搬送ガスの入り口12と気化ガスの出口13とのいずれかの位置が変えられている。
Next, a second variation of this embodiment will be described.
FIG. 4 is a schematic view illustrating the cross-sectional structure of the solid material vaporizer according to this modification.
In this modification, the position of either the
図4(a)は、搬送ガスの入り口12の位置を変えた例を示す。本具体例においては、同図に表すように、搬送ガスは、支持部15を通って、加熱ヒーター14の中央から容器内に供給される。すなわち、支持部15は、加熱ヒーター14を保持する役割だけでなく、搬送ガスの入り口としての役割も果たす。気化ガスの出口13は、前述した実施形態と同様の位置に設けられる。
FIG. 4A shows an example in which the position of the
このように、加熱ヒーター14の中央から搬送ガスを供給することによって、固体原料10の上面中央に加熱された搬送ガスが供給されるので、固体原料10の上面中央が最も高温になる。それゆえ、原料容器11の加熱によって、固体原料10のうちの原料容器11の側壁近傍が加熱される影響を軽減することができる。
In this way, by supplying the carrier gas from the center of the
従って、本具体例においても、図3に例示した如く、原料容器11内に半球状の加熱ヒーター14を設けることによって、固体原料10を上面の中央から連続的且つ効率的に気化することができる。
また、本具体例においても、前述した実施形態において得られる効果と同様の効果を得ることができる。
Therefore, also in this specific example, as illustrated in FIG. 3, the solid
Also in this specific example, the same effect as that obtained in the above-described embodiment can be obtained.
一方、図4(b)は、気化ガスの出口13の位置を変えた具体例を表す。
すなわち、搬送ガスの入り口12の位置は変えずに、支持部15を通って加熱ヒーター14の中央から気化ガスが排出される構造にする。このようにしても、固体原料10の上面中央が、ガスの通り道の一部となるので、高温に加熱され、前述した効果が得られる。
On the other hand, FIG. 4B shows a specific example in which the position of the vaporized
That is, the structure is such that the vaporized gas is discharged from the center of the
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。
しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明にかかる固体原料気化装置の具体的な構造、材料、供給原料の種類などについては、当業者が公知の範囲から適宜選択したものも本発明の範囲に包含される。
The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples.
However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, specific structures, materials, types of feedstocks, and the like of the solid raw material vaporizer according to the present invention are appropriately selected from those known by those skilled in the art within the scope of the present invention.
1 固体原料気化装置
10 固体原料
11 原料容器
12 搬送ガスの入り口
13 気化ガスの出口
14 加熱ヒーター
15 支持部
16 加熱ヒーター開口部
100 固体原料
110 原料容器
120 ガスの入り口
130 ガスの出口
200 ヒーター
1000 固体原料気化装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solid
Claims (5)
前記原料容器内にガスを導入する配管と、
前記原料容器外にガスを排出する配管と、
前記原料容器内上部に設けられた支持部によって、前記原料容器内に収容される前記固体原料から離れて設置可能とされた加熱ヒーターと、
を備えたことを特徴とする固体原料気化装置。 A raw material container for containing a solid raw material;
Piping for introducing gas into the raw material container;
Piping for discharging gas out of the raw material container;
A heater provided on the upper part in the raw material container, which can be set apart from the solid raw material accommodated in the raw material container, and a heater,
A solid material vaporizer characterized by comprising:
A solid raw material vaporization method comprising heating a solid raw material stored in a raw material container by a heater provided inside the raw material container so as to be spaced apart from the solid raw material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333140A JP4585288B2 (en) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | Solid raw material vaporizer and solid raw material vaporization method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333140A JP4585288B2 (en) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | Solid raw material vaporizer and solid raw material vaporization method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006144049A JP2006144049A (en) | 2006-06-08 |
JP4585288B2 true JP4585288B2 (en) | 2010-11-24 |
Family
ID=36624093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004333140A Expired - Fee Related JP4585288B2 (en) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | Solid raw material vaporizer and solid raw material vaporization method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4585288B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5242140B2 (en) * | 2007-11-27 | 2013-07-24 | 大陽日酸株式会社 | Solid raw material supply method and apparatus |
JP7311469B2 (en) * | 2020-08-11 | 2023-07-19 | Ckd株式会社 | vaporizer |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05214537A (en) * | 1992-01-30 | 1993-08-24 | Nec Corp | Solid sublimating vaporizer |
JP2002359238A (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Tokyo Electron Ltd | Solid raw material vaporization apparatus and method |
-
2004
- 2004-11-17 JP JP2004333140A patent/JP4585288B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05214537A (en) * | 1992-01-30 | 1993-08-24 | Nec Corp | Solid sublimating vaporizer |
JP2002359238A (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Tokyo Electron Ltd | Solid raw material vaporization apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006144049A (en) | 2006-06-08 |
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EP2067875A1 (en) | Method of forming film and film forming apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |