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JP4580636B2 - Film forming apparatus and film forming method - Google Patents

Film forming apparatus and film forming method Download PDF

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JP4580636B2
JP4580636B2 JP2003412917A JP2003412917A JP4580636B2 JP 4580636 B2 JP4580636 B2 JP 4580636B2 JP 2003412917 A JP2003412917 A JP 2003412917A JP 2003412917 A JP2003412917 A JP 2003412917A JP 4580636 B2 JP4580636 B2 JP 4580636B2
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Description

本発明は、成膜装置と成膜方法に係り、特に真空成膜と塗工成膜を併用した成膜装置と、所望の機能を発現する機能膜を形成するための成膜方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method, and more particularly, to a film forming apparatus that uses both vacuum film forming and coating film forming, and a film forming method for forming a functional film that exhibits a desired function.

従来から、産業的に利用価値の高い機能膜として、着色膜、遮光膜、透明膜、半透明膜、高反射膜、反射防止膜、光学干渉膜、高輝度膜、導電膜、絶縁膜、パッシベーション膜、ガスバリア膜、ガス選択透過膜、保護膜、硬質膜、高密度膜、剥離膜、平均化膜、粗面化膜等が使用されてきており、また、複数の機能を併せ持つ機能膜も使用されている。このような機能膜は、大気中で材料塗工により膜形成を行う塗工法(以下、「塗工法」とする)や、真空中で膜形成を行う真空成膜法(以下、「真空成膜法」とする)により形成されていた。
近年、高機能化の必要性から、これら塗工法と真空成膜法を併用した機能膜の成膜が必要とされている。例えば、塗工法により脂環式炭化水素骨格ビス(メタ)アクリレート、メルカプト化合物、単官能(メタ)アクリレートを有する樹脂層を形成して、耐熱性や機械的強度、特に耐衝撃性を基材に付与し、その後、SiO2からなる無機蒸着膜を設けることによりガスバリア性を高める製造方法が知られている(特許文献1)。
Conventionally, as a functional film having high industrial utility value, a colored film, a light shielding film, a transparent film, a translucent film, a high reflection film, an antireflection film, an optical interference film, a high brightness film, a conductive film, an insulating film, and a passivation film Membranes, gas barrier membranes, gas permselective membranes, protective membranes, hard membranes, high-density membranes, release membranes, averaging membranes, roughened membranes, etc. have been used, and functional membranes that have multiple functions are also used Has been. Such a functional film is formed by a coating method (hereinafter referred to as “coating method”) in which a film is formed by material coating in the air, or a vacuum film forming method (hereinafter referred to as “vacuum film forming”) in which a film is formed in a vacuum. Law).
In recent years, due to the need for higher functionality, it has become necessary to form functional films using these coating methods and vacuum film-forming methods in combination. For example, a resin layer having an alicyclic hydrocarbon skeleton bis (meth) acrylate, a mercapto compound, and a monofunctional (meth) acrylate is formed by a coating method, and heat resistance, mechanical strength, particularly impact resistance is used as a base material. A manufacturing method is known in which a gas barrier property is enhanced by applying an inorganic vapor deposition film made of SiO 2 and then applying the film (Patent Document 1).

また、塗工法による成膜品質を向上させるために、塗工材料を霧化させて塗工するスプレー塗工装置(特許文献2〜3)や、回転スプレー塗工装置(特許文献4〜6)が知られている。
特開平11−222508号公報 米国特許第4776520号公報 米国特許第4899936号公報 米国特許第4405086号公報 米国特許第4555058号公報 特開平6−91205号公報
Moreover, in order to improve the film-forming quality by the coating method, the spray coating apparatus (patent documents 2-3) which atomizes the coating material, and the rotary spray coating apparatus (patent documents 4-6) It has been known.
JP-A-11-222508 U.S. Pat. No. 4,776,520 U.S. Pat. No. 4,899,936 U.S. Pat. No. 4,405,086 U.S. Pat. No. 4,550,058 JP-A-6-91205

しかしながら、特許文献1に開示される製造方法では、2種の成膜環境が大きく異なるため、真空成膜法による成膜工程と、塗工法による成膜工程とが別々に行われる。このため、パーティクルや異物が成膜面に付着したり、成膜材料が大気中の酸素と反応して酸化されたり、水分を吸着することにより、膜品質の低下、生産効率の低下が生じるという問題があった。
また、特許文献2〜6に開示されている塗工材料を霧化させて塗工する装置では、霧化された塗工材料が気流による影響を受け易く、例えば、大面積に塗工する場合、気流分布が悪いと、塗工材料の供給量が均一とならず、均一な膜厚、膜質が得られないという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、真空成膜と減圧下での塗工成膜を併用することにより、均一な成膜が可能である成膜装置と、所望の機能膜を安定して形成するための成膜方法を提供することを目的とする。
However, in the manufacturing method disclosed in Patent Document 1, since the two types of film forming environments are greatly different, the film forming process by the vacuum film forming method and the film forming process by the coating method are performed separately. For this reason, particles and foreign substances adhere to the film formation surface, the film formation material reacts with oxygen in the atmosphere and is oxidized, or adsorbs moisture, resulting in deterioration in film quality and production efficiency. There was a problem.
Moreover, in the apparatus which atomizes the coating material currently disclosed by patent documents 2-6, the atomized coating material is easy to be influenced by an air current, for example, when coating to a large area When the air flow distribution is poor, there is a problem that the supply amount of the coating material is not uniform, and a uniform film thickness and film quality cannot be obtained.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a film forming apparatus capable of uniform film formation by combining vacuum film formation and coating film formation under reduced pressure, and a desired one. An object of the present invention is to provide a film forming method for stably forming the functional film.

このような目的を達成するために、本発明は、個別の板状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記塗工成膜室は、前記被成膜体を載置するためのステージを備え、かつ、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の被成膜面と水平な方向に位置する排気口、または、前記被成膜体の被成膜面と反対側に位置する排気口を備えるような構成とした。
本発明は、個別の立体形状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記塗工成膜室は、前記被成膜体を載置するためのステージを備え、かつ、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体を介して前記塗工装置の塗工用ヘッドの反対側に位置する排気口、または、前記被成膜体を載置する前記ステージの反対面側に位置する排気口を備えるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、両室の圧力差を維持するための手段を介して連設された独立の成膜室であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記真空成膜室および/または前記塗工成膜室には、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を備える処理室が併設されているような構成とした。
In order to achieve such an object, the present invention provides a film forming apparatus for forming multi-layers on individual plate-shaped deposition target bodies, and includes at least one vacuum film forming chamber and the vacuum film forming chamber. An exhaust pump for depressurization, at least one coating film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber. And a transport mechanism capable of transporting the film formation body under reduced pressure , the coating film formation chamber includes a stage for placing the film formation body, and spray coating as a coating apparatus. And at least one of a coating apparatus and a rotary spray coating apparatus, and an exhaust port positioned in a direction parallel to the film formation surface of the film formation body, or opposite to the film formation surface of the film formation object It was so that the configuration includes an exhaust port located on the side.
The present invention relates to a film forming apparatus for forming multiple layers on individual three-dimensionally shaped film-forming bodies, at least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, and at least one One film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the object to be formed can be transferred between the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber under a reduced pressure condition. A transfer mechanism, and the coating film forming chamber includes a stage for placing the film formation target, and at least of a spray coating device and a rotary spray coating device as a coating device. 1 type is provided, and the exhaust port located on the opposite side of the coating head of the coating apparatus through the film-forming body, or the opposite surface side of the stage on which the film-forming body is placed It was set as the structure provided with the exhaust port located.
As a preferred embodiment of the present invention, the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber are configured as independent film forming chambers connected in series through means for maintaining a pressure difference between the two chambers. did.
As a preferred embodiment of the present invention, the vacuum film forming chamber and / or the coating film forming chamber is provided with a processing chamber equipped with at least one of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device. The configuration is as shown.

また、本発明の好ましい態様として、前記処理室は、前記真空成膜室、前記塗工成膜室と仕切り板により隔離され、該処理室内を減圧するための排気ポンプを備えるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記搬送機構は、個別の被成膜体を搬送するためのコンベアー、リフト、ハンドの少なくとも1種を有するような構成とした。
本発明は、長尺状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記搬送機構は、被成膜体を搬送するための複数のロールを有し、前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、被成膜体の搬送経路に沿って配置されており、前記塗工成膜室は、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の搬送方向の下流側あるいは上流側に位置する排気口を備えるような構成とした。
本発明は、長尺状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記搬送機構は、被成膜体を搬送するための複数のロールを有し、前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、被成膜体の搬送経路に沿って配置されており、前記塗工成膜室は、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の被成膜面側に位置する排気口を備え、さらに、該排気口と前記塗工装置の塗工用ヘッドとの間に整流板を備えるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記真空成膜室および/または前記塗工成膜室の被成膜体の搬送方向下流側には、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を備える処理室が配置されているような構成とした。
Further, as a preferred aspect of the present invention, the processing chamber is isolated by the vacuum film forming chamber, the coating film forming chamber and a partition plate, and is configured to include an exhaust pump for decompressing the processing chamber. .
Moreover, as a preferable aspect of the present invention, the transport mechanism includes at least one of a conveyor, a lift, and a hand for transporting individual film formation objects.
The present invention relates to a film forming apparatus for forming a multi-layer film on a long film-forming body, at least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, and at least one vacuum film forming chamber. The film forming body can be transported between the coating film forming chamber, the exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber under reduced pressure conditions. A transport mechanism, wherein the transport mechanism has a plurality of rolls for transporting the film formation target, and the vacuum film formation chamber and the coating film formation chamber are transport paths for the film formation target. The coating film forming chamber includes at least one of a spray coating device and a rotary spray coating device as a coating device, and is provided downstream in the transport direction of the film-forming body or It was set as the structure provided with the exhaust port located in an upstream.
The present invention relates to a film forming apparatus for forming a multi-layer film on a long film-forming body, at least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, and at least one vacuum film forming chamber. The film forming body can be transported between the coating film forming chamber, the exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber under reduced pressure conditions. A transport mechanism, wherein the transport mechanism has a plurality of rolls for transporting the film formation target, and the vacuum film formation chamber and the coating film formation chamber are transport paths for the film formation target. The coating film forming chamber includes at least one of a spray coating apparatus and a rotary spray coating apparatus as a coating apparatus, and is provided on the film forming surface side of the film forming body. An exhaust port positioned, and a current plate between the exhaust port and the coating head of the coating apparatus It was such as provided configuration.
Further, as a preferred embodiment of the present invention, a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, a plasma irradiation device is provided downstream of the vacuum film formation chamber and / or the coating film formation chamber in the transport direction of the film formation target. It was set as the structure where the process chamber provided with at least 1 type of is arrange | positioned.

また、本発明の好ましい態様として、前記処理室は、前記真空成膜室、前記塗工成膜室と仕切り板により隔離され、該処理室内を減圧するための排気ポンプを備えるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、被成膜体の搬送経路に沿って真空成膜室、塗工成膜室、処理室の順に配置されているような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記真空成膜室は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えるような構成とした。
Further, as a preferred aspect of the present invention, the processing chamber is isolated by the vacuum film forming chamber, the coating film forming chamber and a partition plate, and is configured to include an exhaust pump for decompressing the processing chamber. .
Moreover, as a preferable aspect of the present invention, the vacuum film forming chamber, the coating film forming chamber, and the processing chamber are arranged in this order along the transport path of the film formation target.
As a preferred aspect of the present invention, the vacuum film forming chamber includes a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam film forming apparatus, and a plasma CVD film forming apparatus. The plasma polymerization film forming apparatus, the thermal CVD film forming apparatus, and the catalytic reaction type CVD film forming apparatus are provided.

本発明は、所望の機能を発現する機能膜を形成するための成膜方法において、被成膜体に対して、真空成膜法による成膜と減圧条件下での塗工成膜法による成膜とからなる重層成膜を行い、かつ、成膜の開始から完了まで被成膜体を減圧条件下に置き、前記塗工成膜法による成膜は、スプレー塗工方式または回転スプレー塗工方式であり、減圧するための排気ポンプの作動によって塗工成膜室内に生じる気流を利用して塗工材料の滞留時間および滞留量を制御するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を用いて、成膜された材料を硬化させ、あるいは、成膜された材料から溶剤または水を除去し、あるいは、成膜された膜の特性を改質するような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記真空成膜法による成膜は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD法、プラズマ重合法、熱CVD法、触媒反応型CVD法のいずれかであるような構成とした。
The present invention relates to a film forming method for forming a functional film that exhibits a desired function, in which a film is formed by a vacuum film forming method and a coating film forming method under a reduced pressure condition on an object to be formed. perform layer deposition comprising a film, and the film formation target object from the start to the completion of the deposition-out location to the reduced pressure condition, the film formation by the coating film-forming method, a spray coating method or rotating spray coating The construction method is such that the residence time and the residence amount of the coating material are controlled by utilizing the air flow generated in the coating film forming chamber by the operation of the exhaust pump for reducing the pressure .
As a preferred embodiment of the present invention, the deposited material is cured using at least one of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device, or a solvent or water is removed from the deposited material. A configuration is adopted in which the properties of the formed film are modified or removed.
Further, as a preferred embodiment of the present invention, the film formation by the vacuum film formation method includes vapor deposition method, sputtering method, ion plating method, ion beam assist method, cluster ion beam method, plasma CVD method, plasma polymerization method, thermal CVD. Or a catalytic reaction type CVD method.

また、本発明の好ましい態様として、真空成膜法による成膜を行った後に、減圧条件下での塗工成膜法による成膜を行い、その後、膜硬化を施すような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、成膜する機能膜が、着色膜、遮光膜、透明膜、半透明膜、高反射膜、反射防止膜、光学干渉膜、高輝度膜、導電膜、絶縁膜、パッシベーション膜、ガスバリア膜、ガス選択透過膜、保護膜、硬質膜、高密度膜、剥離膜、平均化膜、粗面化膜の少なくとも1種の機能を有する機能膜であるような構成とした。
As a preferred embodiment of the present invention, a film is formed by a vacuum film forming method, then a film is formed by a coating film forming method under reduced pressure conditions, and then a film is cured.
As a preferred embodiment of the present invention, the functional film to be formed is a colored film, a light shielding film, a transparent film, a semitransparent film, a high reflection film, an antireflection film, an optical interference film, a high luminance film, a conductive film, or an insulating film. And a functional film having at least one function of a passivation film, a gas barrier film, a gas selective permeable film, a protective film, a hard film, a high-density film, a release film, an averaged film, and a roughened film. .

本発明によれば被成膜体を減圧条件下に置いたままで成膜を行うので、真空成膜法による成膜と減圧条件下での塗工成膜法による成膜とからなる重層成膜の間に、パーティクルや異物が成膜面に付着したり、成膜材料が大気中の酸素と反応して表面が酸化されたり、水分を吸着することが防止され、高品質の機能膜が得られるとともに、圧力を大気開放したり、再度減圧する必要がなく連続して成膜を行うことができ、機能膜の生産性が高いという効果が奏される。
また、塗工成膜において、スプレー塗工あるいは回転スプレー塗工を用いる場合、塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプの作動によって塗工成膜室内に生じる気流を利用して、成膜材料の滞留時間、滞留量を制御することができ、より均一で高品質の成膜が可能となる。
According to the present invention, the film formation is performed while the deposition target is left under a reduced pressure condition. Therefore, the multilayer film formation includes the film formation by the vacuum film formation method and the film formation by the coating film formation method under the reduced pressure condition. During this process, particles and foreign matter are prevented from adhering to the film formation surface, and the film formation material is prevented from reacting with oxygen in the atmosphere to oxidize the surface and adsorbing moisture, resulting in a high-quality functional film. In addition, it is not necessary to release the pressure to the atmosphere or reduce the pressure again, so that the film can be continuously formed, and the effect of high productivity of the functional film is achieved.
In addition, when spray coating or rotary spray coating is used in coating film formation, film formation is performed using the airflow generated in the coating film formation chamber by the operation of an exhaust pump for depressurizing the coating film formation chamber. The residence time and the residence amount of the material can be controlled, and more uniform and high-quality film formation is possible.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[成膜装置]
図1は、本発明の成膜装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、成膜装置1は、被成膜体ストック室3、真空成膜室4、塗工成膜室6、および、処理室7を備えている。上記の被成膜体ストック室3と真空成膜室4はゲートバルブ8を介し、また、真空成膜室4と塗工成膜室6はゲートバルブ9を介して連設されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Film deposition system]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a film forming apparatus of the present invention. In FIG. 1, the film forming apparatus 1 includes a deposition target stock chamber 3, a vacuum film forming chamber 4, a coating film forming chamber 6, and a processing chamber 7. The film forming material stock chamber 3 and the vacuum film forming chamber 4 are connected through a gate valve 8, and the vacuum film forming chamber 4 and the coating film forming chamber 6 are connected through a gate valve 9.

被成膜体ストック室3には、内部を減圧するための排気ポンプ12が圧力調整バルブ13を介して接続されている。また、被成膜体ストック室3内部には、複数の板状の被成膜体Sをストックするための手段(図示せず)が設けられている。このような手段としては、被成膜体Sの成膜面に傷を与えないようなものであれば特に制限はなく、例えば、被成膜体Sを下面で保持するための複数段の棚やアーム、あるいは、被成膜体Sを側面で挟持するための複数の爪部材、被成膜体Sと被成膜体ストック室3との間に配設したねじ込み式のかみ合わせ機構、引っ掛けフックを利用したフック機構、減圧(真空)吸着機構等を用いることができる。   An exhaust pump 12 for depressurizing the inside is connected to the deposition target material stock chamber 3 via a pressure adjusting valve 13. In addition, a means (not shown) for stocking a plurality of plate-like film-forming bodies S is provided inside the film-forming body stock chamber 3. Such means is not particularly limited as long as it does not damage the film formation surface of the film formation target S. For example, a plurality of shelves for holding the film formation target S on the lower surface A plurality of claw members for holding the film-forming body S between the side surfaces, a screw-type engagement mechanism disposed between the film-forming body S and the film-forming body stock chamber 3, and a hook A hook mechanism using a vacuum, a vacuum (vacuum) adsorption mechanism, or the like can be used.

真空成膜室4には、内部を減圧するための排気ポンプ14が圧力調整バルブ15を介して接続されており、真空成膜室4の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ21が配設されている。また、外部の成膜用電源22が真空成膜室4内の成膜用ターゲット24に接続されており、さらに、真空成膜室4内にはプロセスガス供給口25が配設されている。
塗工成膜室6には、内部を減圧するための排気ポンプ16が圧力調整バルブ17を介して接続されており、塗工成膜室6の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ31が配設されている。また、外部の塗工材料供給装置32が塗工成膜室6内の塗工用ヘッド33に接続されている。この塗工成膜室6には、仕切り板45を介して処理室7が併設されており、処理室7内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ41、および、処理装置42が配設されている。
An exhaust pump 14 for depressurizing the inside is connected to the vacuum film formation chamber 4 via a pressure adjusting valve 15, and the film formation target S is placed inside the vacuum film formation chamber 4. The stage 21 is disposed. An external film-forming power source 22 is connected to a film-forming target 24 in the vacuum film-forming chamber 4, and a process gas supply port 25 is provided in the vacuum film-forming chamber 4.
An exhaust pump 16 for depressurizing the inside is connected to the coating film forming chamber 6 via a pressure regulating valve 17, and the film formation target S is placed inside the coating film forming chamber 6. A stage 31 is provided for this purpose. An external coating material supply device 32 is connected to the coating head 33 in the coating film forming chamber 6. The coating film forming chamber 6 is provided with a processing chamber 7 via a partition plate 45, and a stage 41 for mounting the film-forming body S inside the processing chamber 7 and a processing apparatus. 42 is disposed.

上記の成膜装置1には、被成膜体ストック室3、真空成膜室4、塗工成膜室6、および、処理室7の間で、個別の被成膜体Sを減圧条件下で搬送するための搬送機構が設けられている。この搬送機構としては、被成膜体Sを載置して搬送するコンベアー、被成膜体Sの下面を保持搬送するリフト、被成膜体Sの一部を把持して搬送するハンド、被成膜体Sと搬送装置との間に配設したねじ込み式のかみ合わせ機構、引っ掛けフックを利用したフック機構、減圧(真空)吸着機構を有するアーム機構等を挙げることができ、これらを複数組み合わせてもよい。
例えば、ゲートバルブ8を経由する被成膜体ストック室3から真空成膜室4への被成膜体Sの搬送、および、ゲートバルブ9を経由する真空成膜室4から塗工成膜室6への被成膜体Sの搬送は、ハンドで行い、真空成膜室4内、塗工成膜室6および処理室7内での被成膜体Sの搬送は、コンベアーで行うことができる。この場合、図示例では、ステージ21,31(41)をコンベアーとして使用することができる。
In the film forming apparatus 1, the individual film forming bodies S are placed under reduced pressure between the film forming body stock chamber 3, the vacuum film forming chamber 4, the coating film forming chamber 6, and the processing chamber 7. A transport mechanism is provided for transport by The transport mechanism includes a conveyor for placing and transporting the deposition target S, a lift for holding and transporting the lower surface of the deposition target S, a hand for gripping and transporting a part of the deposition target S, and a transport target. A screw-type engagement mechanism disposed between the film-deposited body S and the transfer device, a hook mechanism using a hook hook, an arm mechanism having a reduced pressure (vacuum) adsorption mechanism, and the like can be used. Also good.
For example, the deposition target S is transported from the deposition target stock chamber 3 to the vacuum deposition chamber 4 via the gate valve 8, and the coating deposition chamber is transferred from the vacuum deposition chamber 4 via the gate valve 9. The deposition target S is transported to the hand 6 by hand, and the deposition target S in the vacuum deposition chamber 4, the coating deposition chamber 6 and the processing chamber 7 is transported by a conveyor. it can. In this case, in the illustrated example, the stages 21 and 31 (41) can be used as a conveyor.

また、被成膜体Sを、被成膜面を傷つけずに搬送可能な搬送用キャリア(治具)に搭載して搬送してもよい。この場合、被成膜体Sの載置面側を搬送用キャリアに保持して搬送してもよく、例えば、被成膜体Sを搬送用キャリアの溝(被成膜体Sの形状に対応した溝)に嵌め込んだり、粘着あるいは吸着より搬送用キャリアに保持することができる。
成膜装置1において、真空成膜室4は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えるものであり、図示例に限定されるものではない。
Further, the deposition target S may be transported by being mounted on a transport carrier (jig) that can be transported without damaging the deposition surface. In this case, the mounting surface side of the film formation target S may be transported while being held by a transport carrier. For example, the film formation target S may correspond to the groove of the transport carrier (corresponding to the shape of the film formation target S). Or can be held on the carrier for transportation by adhesion or adsorption.
In the film forming apparatus 1, the vacuum film forming chamber 4 includes a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam film forming apparatus, a plasma CVD film forming apparatus, It is provided with at least one of a plasma polymerization film forming apparatus, a thermal CVD film forming apparatus, and a catalytic reaction type CVD film forming apparatus, and is not limited to the illustrated example.

また、成膜装置1において、塗工成膜室6に設ける塗工用ヘッド33を含む塗工装置には特に制限はないが、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置のいずれかを備えることが好ましい。本発明では、塗工成膜室6内を排気ポンプ16で減圧する際、圧力調整バルブ17で排気能力を調整したり、排気口の位置、サイズを適宜設定することにより、スプレー塗工や回転スプレー塗工に最適な成膜材料の滞留時間、滞留量が得られるように、塗工成膜室6内に生じる気流を制御することができる。したがって、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置を用いて、被成膜体Sの全面に均一な塗工を行うことが可能である。排気口は、例えば、被成膜体Sの被成膜面とほぼ水平な方向に配置(例えば、四方向にそれぞれ配置)したり、被成膜体Sの被成膜面と反対側に配置することができる。   Moreover, in the film-forming apparatus 1, although there is no restriction | limiting in particular in the coating apparatus containing the coating head 33 provided in the coating film-forming chamber 6, It has either a spray coating apparatus or a rotary spray coating apparatus. Is preferred. In the present invention, when the inside of the coating film forming chamber 6 is depressurized by the exhaust pump 16, by adjusting the exhaust capacity with the pressure adjusting valve 17 or appropriately setting the position and size of the exhaust port, spray coating or rotation The airflow generated in the coating film-forming chamber 6 can be controlled so that the retention time and amount of the film-forming material optimal for spray coating can be obtained. Therefore, uniform coating can be performed on the entire surface of the film formation target S using a spray coating device or a rotary spray coating device. The exhaust port is, for example, arranged in a substantially horizontal direction (for example, arranged in each of four directions) with the film formation surface of the film formation target S, or disposed on the opposite side of the film formation surface of the film formation target S. can do.

上記の回転スプレー塗工装置は、従来公知の回転スプレー塗工装置を使用することができる。一般に、回転スプレー塗工装置は、先端にディスクや釣鐘状の回転カップ機構を備え、10000〜40000rpm程度の高速で回転する回転カップの内部液だめに塗工材料を供給するものである。高速回転する回転カップに供給された塗工材料は、遠心力により回転カップ周辺部に供給され、周辺部から塗工材料が離れるときにスプレー化(霧化)され、噴霧粒子へと変化する。スプレー化された塗工材料は、回転カップの回転軸に直交する方向に遠心力により飛散するが、通常、塗工材料の飛散方向を被成膜体方向へ変換することが行なわれる。この方向変換方法としては、例えば、塗工成膜室6内に設置された排気ポンプ16を圧力調整バルブ17で制御しながら排気する方法、さらに、回転スプレー塗工装置の後方からガスを供給することにより、被成膜体方向への流れを作り出す方法等が挙げられる。   A conventionally known rotary spray coating apparatus can be used as the rotary spray coating apparatus. In general, a rotary spray coating apparatus is provided with a disk or bell-shaped rotary cup mechanism at the tip, and supplies a coating material to an internal liquid reservoir of a rotary cup rotating at a high speed of about 10,000 to 40,000 rpm. The coating material supplied to the rotating cup rotating at high speed is supplied to the peripheral part of the rotating cup by centrifugal force, and sprayed (atomized) when the coating material leaves the peripheral part, and changes to spray particles. The sprayed coating material is scattered by a centrifugal force in a direction perpendicular to the rotation axis of the rotating cup. Usually, the scattering direction of the coating material is changed to the film formation direction. As this direction changing method, for example, an exhaust pump 16 installed in the coating film forming chamber 6 is evacuated while being controlled by a pressure adjusting valve 17, and further, gas is supplied from the rear of the rotary spray coating apparatus. Thus, there is a method for creating a flow in the direction of the film formation target.

成膜装置1の処理室7は、被成膜体Sに成膜された材料を硬化したり、成膜された材料から溶剤または水を除去したり、濡れ性等の膜特性を改質すること等を目的とするものである。処理室7に配設される処理装置42は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。
また、塗工成膜室6と処理室7とを隔離する仕切り板45は、塗工成膜室6から処理室7に塗工材料が拡散して汚染することを防止し、処理室7から塗工成膜室6に不要な熱や電磁波が供給、照射されることを防止するものである。尚、塗工成膜室6内と処理室7内のプロセス圧力(減圧状態)が異なる場合には、仕切り板45は、両室に圧力差をつけることが可能な構造とすることができる。特に、塗工成膜室6内と処理室7内の圧力差を大きくする必要がある場合には、仕切り板45に差動排気機構を設けたり、ゲートバルブを介して両室を完全に分離し独立したものとし、処理室7内を減圧するための排気ポンプと圧力調整バルブを設けることができる。
The processing chamber 7 of the film forming apparatus 1 hardens the material formed on the film formation target S, removes the solvent or water from the formed material, and modifies film characteristics such as wettability. It is for the purpose. The processing apparatus 42 disposed in the processing chamber 7 can be, for example, one type or a combination of a heat source, an ultraviolet irradiation apparatus, an electron beam irradiation apparatus, and a plasma irradiation apparatus.
Further, the partition plate 45 that separates the coating film forming chamber 6 and the processing chamber 7 prevents the coating material from diffusing from the coating film forming chamber 6 to the processing chamber 7 and contaminating the processing chamber 7. It is intended to prevent unnecessary heat and electromagnetic waves from being supplied and irradiated to the coating film forming chamber 6. In addition, when the process pressure (reduced pressure state) in the coating film forming chamber 6 and the processing chamber 7 is different, the partition plate 45 can have a structure capable of applying a pressure difference between the two chambers. In particular, when it is necessary to increase the pressure difference between the coating film forming chamber 6 and the processing chamber 7, a differential exhaust mechanism is provided in the partition plate 45, or both chambers are completely separated via a gate valve. However, it is possible to provide an exhaust pump and a pressure adjusting valve for reducing the pressure in the processing chamber 7 independently.

塗工装置1を構成するゲートバルブ8,9は、ゲートバルブを介して連設されている両室の圧力差を維持し、また、圧力差がほぼなくなった状態で開放して被成膜体Sを通過させるものであり、例えば、エス・ケイ・ケイ バキュウムエンジニアリング(株)製の角型ゲートバルブやゲートバルブ(高真空用、超高真空用)等を使用することができる。また、本発明では、連設されている両室の圧力差を維持するための手段として、上記のようなゲートバルブに限定されず、他の手段を用いることができる。例えば、図2に示すように、両室間に、両室とは別のポンプPで排気可能なチャンバーCを、被成膜体Sを通過させるための通路Tを設けるように対向させた強制排気方式による手段、あるいは、図3に示されるように、両室間に、被成膜体Sが通過できる可能なかぎり狭く、長い通路Tを設けたコンダクタンス方式による手段等を使用してもよい。後述の実施形態においても同様である。   The gate valves 8 and 9 constituting the coating apparatus 1 maintain the pressure difference between the two chambers connected via the gate valve, and are opened when the pressure difference is almost eliminated. For example, a square gate valve or a gate valve (for high vacuum or ultra-high vacuum) manufactured by SK Kaybakyu Engineering Co., Ltd. can be used. Further, in the present invention, the means for maintaining the pressure difference between the two chambers provided continuously is not limited to the gate valve as described above, and other means can be used. For example, as shown in FIG. 2, a forcible chamber C that can be evacuated by a pump P different from the two chambers is disposed so as to face each other so as to provide a passage T for allowing the film formation target S to pass therethrough. As shown in FIG. 3, it is also possible to use a means based on an exhaust system, or a means based on a conductance system in which a film-to-be-film-formed body S can pass between both chambers as long as possible and has a long passage T. . The same applies to later-described embodiments.

また、ステージ21,31,41は、載置された被成膜体Sを加熱あるいは冷却して、成膜、あるいは、処理に最適な温度とすることが可能なものであってもよく、この場合、ステージは、熱媒、冷媒等をステージ内部に供給、循環させる機構を備えたもの、加熱用ヒーター線を備えたもの、ステージ下部に石英板を配設した窓を設け、ステージ内部に赤外線ヒーターを備えたもの等することができ、これらのステージは、加熱または冷却が可能である。また、ステージの温度調節精度を高めるために、ステージに熱電対を設け、温度情報を基に温度制御しながら加熱、冷却を行なうような構成としてもよい。
尚、真空成膜室4および塗工成膜室6での成膜、処理室7での処理は、被成膜体Sを停止した状態、あるいは、搬送状態、いずれで行うようにしてもよい。
The stages 21, 31, and 41 may be capable of heating or cooling the placed film formation target S to obtain an optimum temperature for film formation or processing. In this case, the stage is provided with a mechanism for supplying and circulating a heat medium, a refrigerant, etc. inside the stage, provided with a heater wire for heating, a window provided with a quartz plate at the lower part of the stage, and an infrared ray inside the stage. These stages can be equipped with heaters, and these stages can be heated or cooled. In order to increase the temperature adjustment accuracy of the stage, a thermocouple may be provided on the stage, and heating and cooling may be performed while controlling the temperature based on the temperature information.
The film formation in the vacuum film formation chamber 4 and the coating film formation chamber 6 and the process in the processing chamber 7 may be performed in a state where the deposition target S is stopped or in a transport state. .

このような本発明の成膜装置1では、被成膜体ストック室3から被成膜体Sを真空成膜室4に搬送して真空成膜を行い、その後、塗工成膜室6に搬送して減圧下で塗工成膜を行い、次いで、処理室7にて減圧下で所望の処理を膜に対して行った後、被成膜体ストック室3に被成膜体Sを搬送して戻すことができる。したがって、本発明の成膜装置1では、被成膜体Sを減圧条件下に置いたままで成膜の開始から完了までを行うことができる。また、真空成膜室4での真空成膜と、塗工成膜室6における塗工成膜の順序を逆にしてもよく、あるいは、同じ成膜手段を用いて2回以上の成膜を行ってもよい。
尚、本発明の成膜装置1における真空成膜室4、塗工成膜室6、処理室7の配置順序は一例であり、これらの室は任意の順序で配置することができる。また、本発明の成膜装置1により成膜可能な被成膜体Sは、無機材料、有機材料、無機有機複合材料等からなるフィルム、板状体、あるいは、種々の成型品であってよく、特に制限はない。
In such a film forming apparatus 1 of the present invention, the film-forming body S is transferred from the film-forming body stock chamber 3 to the vacuum film-forming chamber 4 to perform vacuum film formation, and thereafter, is applied to the coating film-forming chamber 6. The coating film is formed under reduced pressure, and then a desired process is performed on the film under reduced pressure in the processing chamber 7, and then the deposition target S is transported to the deposition target stock chamber 3. And then return. Therefore, in the film forming apparatus 1 of the present invention, it is possible to perform the film formation from the start to the completion while keeping the film formation target S under the reduced pressure condition. The order of vacuum film formation in the vacuum film formation chamber 4 and coating film formation in the coating film formation chamber 6 may be reversed, or two or more film formations may be performed using the same film formation means. You may go.
In addition, the arrangement order of the vacuum film formation chamber 4, the coating film formation chamber 6, and the processing chamber 7 in the film formation apparatus 1 of the present invention is an example, and these chambers can be arranged in an arbitrary order. Further, the film formation target S that can be formed by the film forming apparatus 1 of the present invention may be a film, a plate-like body, or various molded products made of an inorganic material, an organic material, an inorganic-organic composite material, or the like. There is no particular limitation.

図4は、本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図4において、成膜装置51は、チャンバー52内に被成膜体巻取り室53、真空成膜室54、処理室55、塗工成膜室56、処理室57を備えている。また、被成膜体巻取り室53の巻出し部53aから長尺状の被成膜体Sを巻き出し、真空成膜室54、処理室55、塗工成膜室56および処理室57を経由した被成膜体Sを巻取り部53bで巻き取るための搬送機構65を備えている。
搬送機構65は、巻出しローラー66、複数のガイドローラー67、ドラム68、巻取りローラー69を備えている。そして、真空成膜室54、処理室55、塗工成膜室56、処理室57は、回転するドラム68上を搬送される被成膜体Sの搬送経路に沿って配置されている。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the film forming apparatus of the present invention. In FIG. 4, a film forming apparatus 51 includes a film forming body winding chamber 53, a vacuum film forming chamber 54, a processing chamber 55, a coating film forming chamber 56, and a processing chamber 57 in a chamber 52. Further, the long film-forming body S is unwound from the unwinding part 53 a of the film-forming body winding chamber 53, and the vacuum film-forming chamber 54, the processing chamber 55, the coating film-forming chamber 56 and the processing chamber 57 are arranged. A transport mechanism 65 for winding the film formation target S that has passed through the winding unit 53b is provided.
The transport mechanism 65 includes an unwinding roller 66, a plurality of guide rollers 67, a drum 68, and a winding roller 69. The vacuum film forming chamber 54, the processing chamber 55, the coating film forming chamber 56, and the processing chamber 57 are arranged along the transport path of the film formation target S transported on the rotating drum 68.

被成膜体巻取り室53には、巻出し部53a側に排気ポンプ61aが圧力調整バルブ62aを介して接続され、巻取り部53b側に排気ポンプ61bが圧力調整バルブ62bを介して接続されている。また、被成膜体巻取り室53内部には、上記の搬送機構65を構成する巻出しローラー66、複数のガイドローラー67、および、巻取りローラー69が配設されている。
真空成膜室54は、仕切り板71により被成膜体巻取り室53と隔離され、かつ、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、被成膜体巻取り室53の巻出し部53aの下流側に配置されている。この真空成膜室54には、内部を減圧するための排気ポンプ72が圧力調整バルブ73を介して接続されている。また、外部の成膜用電源74が真空成膜室54内の成膜用ターゲット75に接続されており、さらに、真空成膜室54内にはプロセスガス供給口76が設けられており、ドラム68上を搬送される被成膜体Sへの真空成膜が可能とされている。
In the film forming body winding chamber 53, an exhaust pump 61a is connected to the unwinding portion 53a side via a pressure adjustment valve 62a, and an exhaust pump 61b is connected to the winding portion 53b side via a pressure adjustment valve 62b. ing. In addition, an unwinding roller 66, a plurality of guide rollers 67, and a winding roller 69 that constitute the transport mechanism 65 are disposed inside the film formation body winding chamber 53.
The vacuum film formation chamber 54 is separated from the film formation body winding chamber 53 by the partition plate 71, and in the transport path of the film formation body S transported on the drum 68, the film formation body winding chamber 53. It arrange | positions in the downstream of the unwinding part 53a. An exhaust pump 72 for reducing the pressure inside the vacuum film forming chamber 54 is connected via a pressure adjusting valve 73. An external film-forming power source 74 is connected to a film-forming target 75 in the vacuum film-forming chamber 54, and a process gas supply port 76 is provided in the vacuum film-forming chamber 54. It is possible to perform vacuum film formation on the film formation target S conveyed on the surface 68.

処理室55は、仕切り板81により真空成膜室54と隔離され、かつ、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、真空成膜室54の下流側に配置されている。この処理室55には、内部を減圧するための排気ポンプ82が圧力調整バルブ83を介して接続されており、処理室55内部には、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの膜面に処理を施すための処理装置84が配設されている。
塗工成膜室56は、仕切り板91により処理室55と隔離され、かつ、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、処理室55の下流側に配置されている。この塗工成膜室56には、内部を減圧するための排気ポンプ92が圧力調整バルブ93を介して接続されている。また、外部の塗工材料供給装置94が塗工成膜室56内の塗工用ヘッド95に接続されており、ドラム68上を搬送される被成膜体Sへの塗工成膜が可能とされている。
The processing chamber 55 is separated from the vacuum film formation chamber 54 by the partition plate 81 and is disposed on the downstream side of the vacuum film formation chamber 54 in the transfer path of the film formation target S transferred on the drum 68. . An exhaust pump 82 for decompressing the inside is connected to the processing chamber 55 via a pressure adjusting valve 83, and the film of the film formation target S transported on the drum 68 is inside the processing chamber 55. A processing device 84 is provided for processing the surface.
The coating film forming chamber 56 is separated from the processing chamber 55 by the partition plate 91 and is disposed on the downstream side of the processing chamber 55 in the transport path of the film formation target S transported on the drum 68. An exhaust pump 92 for reducing the pressure inside the coating film forming chamber 56 is connected via a pressure adjusting valve 93. In addition, an external coating material supply device 94 is connected to the coating head 95 in the coating film forming chamber 56, and coating film formation on the film formation target S conveyed on the drum 68 is possible. It is said that.

処理室57は、仕切り板85により塗工成膜室56と隔離され、また、仕切り板89により被成膜体巻取り室53と隔離され、かつ、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、塗工成膜室56の下流側に配置されている。この処理室57には、内部を減圧するための排気ポンプ86が圧力調整バルブ87を介して接続されており、処理室57内部には、ドラム68上を搬送される被成膜体Sの膜面に処理を施すための処理装置88が配設されている。
成膜装置51において、真空成膜室54は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えるものであり、図示例に限定されるものではない。
The processing chamber 57 is separated from the coating film forming chamber 56 by the partition plate 85, is isolated from the film forming member winding chamber 53 by the partition plate 89, and is transported on the drum 68. In the transport path of S, it is arranged on the downstream side of the coating film forming chamber 56. An exhaust pump 86 for depressurizing the inside is connected to the processing chamber 57 via a pressure adjusting valve 87, and the film of the deposition target S transported on the drum 68 is inside the processing chamber 57. A processing device 88 is provided for processing the surface.
In the film forming apparatus 51, the vacuum film forming chamber 54 includes a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam film forming apparatus, a plasma CVD film forming apparatus, It is provided with at least one of a plasma polymerization film forming apparatus, a thermal CVD film forming apparatus, and a catalytic reaction type CVD film forming apparatus, and is not limited to the illustrated example.

また、成膜装置51において、塗工成膜室56に設ける塗工用ヘッド95を含む塗工装置には特に制限はないが、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置のいずれかを備えることが好ましい。本発明では、塗工成膜室56内を排気ポンプ92で減圧する際、圧力調整バルブ93で排気能力を調整したり、排気口の位置、サイズを適宜設定することにより、スプレー塗工や回転スプレー塗工に最適な成膜材料の滞留時間、滞留量が得られるように、塗工成膜室56内に生じる気流を制御することができる。したがって、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置を用いて、被成膜体Sの全面に均一な塗工を行うことが可能である。排気口の位置は、被成膜体Sの表面に均一に塗工液が供給されるように、被成膜体Sの搬送方向の下流側または上流側とすることができる。また、図5に示されるように、塗工用ヘッド95と排気口96との間に整流板97を配置してもよい。尚、塗工用ヘッド95は1個でも複数個でもよく、また、1個の塗工用ヘッドをドラム68の幅方向に往復走査させてもよい。   Moreover, in the film-forming apparatus 51, although there is no restriction | limiting in particular in the coating apparatus containing the head 95 for coating provided in the coating film-forming chamber 56, It has either a spray coating apparatus or a rotary spray coating apparatus. Is preferred. In the present invention, when the inside of the coating film forming chamber 56 is depressurized by the exhaust pump 92, by adjusting the exhaust capacity by the pressure adjusting valve 93 or by appropriately setting the position and size of the exhaust port, spray coating or rotation The air flow generated in the coating film forming chamber 56 can be controlled so that the retention time and amount of the film forming material optimal for spray coating can be obtained. Therefore, uniform coating can be performed on the entire surface of the film formation target S using a spray coating device or a rotary spray coating device. The position of the exhaust port can be on the downstream side or the upstream side in the transport direction of the film formation target S so that the coating liquid is uniformly supplied to the surface of the film formation target S. Further, as shown in FIG. 5, a rectifying plate 97 may be disposed between the coating head 95 and the exhaust port 96. Note that one or a plurality of coating heads 95 may be provided, and one coating head may be reciprocated in the width direction of the drum 68.

成膜装置51の処理室55は、真空成膜室54にて被成膜体Sに成膜された材料の濡れ性等の膜特性を改質することを目的とするものであり、処理室55に配設される処理装置84は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。また、成膜装置51の処理室57は、塗工成膜室56において被成膜体Sに成膜された材料を硬化したり、成膜された材料から溶剤または水を除去したり、濡れ性等の膜特性を改質すること等を目的とするものである。処理室57に配設される処理装置88は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。   The processing chamber 55 of the film forming apparatus 51 is intended to modify film characteristics such as wettability of the material deposited on the deposition target S in the vacuum film forming chamber 54. The processing device 84 disposed in 55 can be, for example, a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, a plasma irradiation device, or a combination thereof. Further, the processing chamber 57 of the film forming apparatus 51 cures the material formed on the film formation target S in the coating film forming chamber 56, removes the solvent or water from the formed material, The purpose is to modify film properties such as property. The processing device 88 disposed in the processing chamber 57 can be, for example, one type or a combination of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device.

また、被成膜体巻取り室53、真空成膜室54、処理室55、塗工成膜室56、処理室57の各室を隔離する仕切り板71,81,85,89,91は、隣接する各室の間で、塗工材料が拡散して汚染したり、不要な熱や電磁波が供給、照射されることを防止するものである。また、上記の仕切り板は、両室に圧力差をつけることが可能な構造とすることができ、特に、圧力差を大きくする必要がある場合には、仕切り板に差動排気機構を設けることができる。
また、成膜装置51の搬送機構65を構成するドラム68は、ドラム68上を搬送される被成膜体Sを加熱あるいは冷却可能なものとしてもよい。尚、真空成膜室54、塗工成膜室56での成膜、処理室55,57での処理は、ドラム68を停止して被成膜体Sを停止させた状態、あるいは、搬送状態、いずれで行うようにしてもよい。
Further, the partition plates 71, 81, 85, 89, 91 for isolating each chamber of the film forming body winding chamber 53, the vacuum film forming chamber 54, the processing chamber 55, the coating film forming chamber 56, and the processing chamber 57 are: This prevents the coating material from being diffused and contaminated between adjacent chambers, or supplying and irradiating unnecessary heat and electromagnetic waves. In addition, the partition plate can have a structure capable of applying a pressure difference between the two chambers. In particular, when the pressure difference needs to be increased, a differential exhaust mechanism is provided on the partition plate. Can do.
The drum 68 constituting the transport mechanism 65 of the film forming apparatus 51 may be capable of heating or cooling the film formation target S transported on the drum 68. The film formation in the vacuum film formation chamber 54 and the coating film formation chamber 56 and the processing in the processing chambers 55 and 57 are performed in a state where the drum 68 is stopped and the film formation target S is stopped, or in a transport state. Any of these may be performed.

このような本発明の成膜装置51では、被成膜体巻取り室53の巻出し部53aから巻き出された長尺状の被成膜体Sが、ドラム68上を搬送され、真空成膜室54で真空成膜が行われ、処理室55にて減圧下で所望の処理を施した後、塗工成膜室56にて減圧下で塗工成膜が行われ、次いで、処理室57にて減圧下で所望の処理を施して成膜を完了し、その後、被成膜体Sを巻取り部53bで巻き取ることができる。したがって、本発明の成膜装置51では、被成膜体Sを減圧条件下に置いたままで成膜の開始から完了までを行うことができる。尚、処理室55と処理室57の一方の処理を省略してもよい。
上記の本発明の成膜装置51における真空成膜室54、処理室55、塗工成膜室56、処理室57の配置順序は一例であり、これらの室は任意の順序で配置することができる。
In such a film forming apparatus 51 of the present invention, the long film-formed body S unwound from the unwinding portion 53a of the film-forming body winding chamber 53 is transported on the drum 68 and vacuum-formed. A vacuum film formation is performed in the film chamber 54, a desired process is performed in the processing chamber 55 under a reduced pressure, and then a coating film formation is performed in the coating film forming chamber 56 under a reduced pressure. A desired process is performed under reduced pressure at 57 to complete the film formation, and then the film formation target S can be wound up by the winding unit 53b. Therefore, in the film forming apparatus 51 of the present invention, it is possible to perform the film formation from the start to the completion while keeping the film formation target S under reduced pressure. Note that one processing of the processing chamber 55 and the processing chamber 57 may be omitted.
The arrangement order of the vacuum film forming chamber 54, the processing chamber 55, the coating film forming chamber 56, and the processing chamber 57 in the film forming apparatus 51 of the present invention is an example, and these chambers may be arranged in an arbitrary order. it can.

図6は、本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図6において、成膜装置101は、チャンバー102内に被成膜体巻取り室103、真空成膜室104、処理室105、塗工成膜室106、処理室107を備えている。また、被成膜体巻取り室103の巻出し部103aから長尺状の被成膜体Sを巻き出し、真空成膜室104、処理室105、塗工成膜室106および処理室107を経由した被成膜体Sを巻取り部103bで巻き取るための搬送機構115を備えている。
搬送機構115は、巻出しローラー116、複数のガイドローラー117、複数のドラム118A,118B,118C,118D、巻取りローラー119を備えている。巻出しローラー116から巻き出された被成膜体Sは、ガイドローラー117を経由してドラム118A,118B,118C,118D上を順次搬送され、巻取りローラー119に巻き取られ、真空成膜室104、処理室105、塗工成膜室106、処理室107は、この被成膜体Sの搬送経路に沿って配置されている。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the film forming apparatus of the present invention. In FIG. 6, a film forming apparatus 101 includes a film forming body winding chamber 103, a vacuum film forming chamber 104, a processing chamber 105, a coating film forming chamber 106, and a processing chamber 107 in a chamber 102. Further, the long film-forming body S is unwound from the unwinding portion 103a of the film-forming body winding chamber 103, and the vacuum film-forming chamber 104, the processing chamber 105, the coating film-forming chamber 106, and the processing chamber 107 are arranged. A transport mechanism 115 for winding the film formation target S that has passed through the winding unit 103b is provided.
The transport mechanism 115 includes an unwinding roller 116, a plurality of guide rollers 117, a plurality of drums 118A, 118B, 118C, 118D, and a winding roller 119. The film formation target S unwound from the unwinding roller 116 is sequentially transported on the drums 118A, 118B, 118C, and 118D via the guide roller 117, and is wound on the winding roller 119, and is formed in a vacuum film forming chamber. 104, the processing chamber 105, the coating film forming chamber 106, and the processing chamber 107 are arranged along the transport path of the film formation target S.

被成膜体巻取り室103には、排気ポンプ111が圧力調整バルブ112を介して接続されている。また、被成膜体巻取り室103内部には、上記の搬送機構115を構成する巻出しローラー116、複数のガイドローラー117、および、巻取りローラー119が配設されている。
真空成膜室104は、仕切り板121により被成膜体巻取り室103と隔離され、かつ、ドラム118A上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、被成膜体巻取り室103の巻出し部103aの下流側に配置されている。この真空成膜室104には、内部を減圧するための排気ポンプ122が圧力調整バルブ123を介して接続されている。また、外部の成膜用電源124が真空成膜室104内の成膜用ターゲット125に接続されており、さらに、真空成膜室104内にはプロセスガス供給口126が設けられており、ドラム118A上を搬送される被成膜体Sへの真空成膜が可能とされている。
An exhaust pump 111 is connected to the film formation body winding chamber 103 via a pressure adjustment valve 112. In addition, an unwinding roller 116, a plurality of guide rollers 117, and a winding roller 119 that constitute the transport mechanism 115 are disposed inside the film formation body winding chamber 103.
The vacuum film formation chamber 104 is separated from the film formation body winding chamber 103 by the partition plate 121, and is formed on the film formation body winding chamber 103 in the transport path of the film formation body S that is transported on the drum 118A. It arrange | positions in the downstream of the unwinding part 103a. An exhaust pump 122 for reducing the pressure inside the vacuum film forming chamber 104 is connected via a pressure adjusting valve 123. An external film-forming power source 124 is connected to a film-forming target 125 in the vacuum film-forming chamber 104, and a process gas supply port 126 is provided in the vacuum film-forming chamber 104. Vacuum deposition can be performed on the deposition target S conveyed on 118A.

処理室105は、仕切り板131により真空成膜室104と隔離され、かつ、ドラム118B上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、真空成膜室104の下流側に配置されている。この処理室105には、内部を減圧するための排気ポンプ132が圧力調整バルブ133を介して接続されており、処理室105内部には、ドラム118B上を搬送される被成膜体Sの膜面に処理を施すための処理装置134が配設されている。
塗工成膜室106は、仕切り板141により処理室105と隔離され、かつ、ドラム118C上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、処理室105の下流側に配置されている。この塗工成膜室106には、内部を減圧するための排気ポンプ142が圧力調整バルブ143を介して接続されている。また、外部の塗工材料供給装置144が塗工成膜室106内の塗工用ヘッド145に接続されており、ドラム118C上を搬送される被成膜体Sへの塗工成膜が可能とされている。
The processing chamber 105 is separated from the vacuum film formation chamber 104 by the partition plate 131 and is disposed on the downstream side of the vacuum film formation chamber 104 in the transfer path of the film formation target S that is transferred on the drum 118B. . An exhaust pump 132 for depressurizing the inside is connected to the processing chamber 105 via a pressure adjusting valve 133. Inside the processing chamber 105, a film of the deposition target S transported on the drum 118B. A processing device 134 is provided for processing the surface.
The coating film forming chamber 106 is separated from the processing chamber 105 by the partition plate 141, and is disposed on the downstream side of the processing chamber 105 in the transport path of the film formation target S transported on the drum 118 </ b> C. An exhaust pump 142 for reducing the pressure inside the coating film forming chamber 106 is connected via a pressure adjusting valve 143. In addition, an external coating material supply device 144 is connected to the coating head 145 in the coating film forming chamber 106, and coating film formation can be performed on the deposition target S conveyed on the drum 118C. It is said that.

処理室107は、仕切り板135により塗工成膜室106と隔離され、また、仕切り板139により被成膜体巻取り室103と隔離され、かつ、ドラム118D上を搬送される被成膜体Sの搬送経路において、塗工成膜室106の下流側に配置されている。この処理室107には、内部を減圧するための排気ポンプ136が圧力調整バルブ137を介して接続されており、処理室107内部には、ドラム118D上を搬送される被成膜体Sの膜面に処理を施すための処理装置138が配設されている。
成膜装置101において、真空成膜室104は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えるものであり、図示例に限定されるものではない。
The processing chamber 107 is separated from the coating film forming chamber 106 by the partition plate 135, is isolated from the film forming material winding chamber 103 by the partition plate 139, and is transported on the drum 118 </ b> D. In the transport path of S, it is arranged on the downstream side of the coating film forming chamber 106. An exhaust pump 136 for reducing the pressure inside is connected to the processing chamber 107 via a pressure adjusting valve 137, and a film of the film formation target S conveyed on the drum 118D is inside the processing chamber 107. A processing device 138 is provided for processing the surface.
In the film forming apparatus 101, the vacuum film forming chamber 104 includes a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam film forming apparatus, a plasma CVD film forming apparatus, It is provided with at least one of a plasma polymerization film forming apparatus, a thermal CVD film forming apparatus, and a catalytic reaction type CVD film forming apparatus, and is not limited to the illustrated example.

また、成膜装置101において、塗工成膜室106に設ける塗工用ヘッド145を含む塗工装置には特に制限はないが、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置のいずれかを備えることが好ましい。本発明では、塗工成膜室106内を排気ポンプ142で減圧する際、圧力調整バルブ143で排気能力を調整したり、排気口の位置、サイズを適宜設定することにより、スプレー塗工や回転スプレー塗工に最適な成膜材料の滞留時間、滞留量が得られるように、塗工成膜室106内に生じる気流を制御することができる。したがって、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置を用いて、被成膜体Sの全面に均一な塗工を行うことが可能である。排気口の位置は、被成膜体Sの表面に均一に塗工液が供給されるように、被成膜体Sの搬送方向の下流側または上流側とすることができる。また、上述の図5に示すような整流板を塗工用ヘッド145と排気口との間に配置してもよい。尚、塗工用ヘッド145は1個でも複数個でもよく、また、1個の塗工用ヘッドをドラム118Cの幅方向に往復走査させてもよい。   In the film forming apparatus 101, the coating apparatus including the coating head 145 provided in the coating film forming chamber 106 is not particularly limited, but includes either a spray coating apparatus or a rotary spray coating apparatus. Is preferred. In the present invention, when the inside of the coating film forming chamber 106 is depressurized by the exhaust pump 142, by adjusting the exhaust capacity by the pressure adjusting valve 143 or by appropriately setting the position and size of the exhaust port, spray coating or rotation The air flow generated in the coating film forming chamber 106 can be controlled so that the retention time and amount of the film forming material optimal for spray coating can be obtained. Therefore, uniform coating can be performed on the entire surface of the film formation target S using a spray coating device or a rotary spray coating device. The position of the exhaust port can be on the downstream side or the upstream side in the transport direction of the film formation target S so that the coating liquid is uniformly supplied to the surface of the film formation target S. Further, a current plate as shown in FIG. 5 may be disposed between the coating head 145 and the exhaust port. One or a plurality of coating heads 145 may be provided, and one coating head may be reciprocated in the width direction of the drum 118C.

成膜装置101の処理室105は、真空成膜室104にて被成膜体Sに成膜された材料の濡れ性等の膜特性を改質することを目的とするものであり、処理室105に配設される処理装置134は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。また、成膜装置101の処理室107は、塗工成膜室106において被成膜体Sに成膜された材料を硬化したり、成膜された材料から溶剤または水を除去したり、濡れ性等の膜特性を改質すること等を目的とするものである。処理室107に配設される処理装置138は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。   The processing chamber 105 of the film forming apparatus 101 is intended to modify film characteristics such as wettability of the material formed on the film formation target S in the vacuum film forming chamber 104. The processing apparatus 134 provided in 105 can be, for example, a heat source, an ultraviolet irradiation apparatus, an electron beam irradiation apparatus, a plasma irradiation apparatus, or a combination thereof. In addition, the processing chamber 107 of the film formation apparatus 101 cures the material formed on the film formation target S in the coating film formation chamber 106, removes the solvent or water from the formed material, The purpose is to modify film properties such as property. The processing apparatus 138 disposed in the processing chamber 107 can be, for example, one type of a heat source, an ultraviolet irradiation apparatus, an electron beam irradiation apparatus, a plasma irradiation apparatus, or a plurality of combinations.

また、被成膜体巻取り室103、真空成膜室104、処理室105、塗工成膜室106、処理室107の各室を隔離する仕切り板121,131,135,139,141は、隣接する各室の間で、塗工材料が拡散して汚染したり、不要な熱や電磁波が供給、照射されることを防止するものである。また、上記の仕切り板は、両室に圧力差をつけることが可能な構造とすることができ、特に、圧力差を大きくする必要がある場合には、仕切り板に差動排気機構を設けることができる。
また、成膜装置101の搬送機構115を構成する各ドラム118A,118B,118C,118Dは、回転するドラム上を搬送される被成膜体Sに対して加熱あるいは冷却することが可能なものとしてもよい。尚、真空成膜室104、塗工成膜室106での成膜、処理室105,107での処理は、各ドラム118A,118B,118C,118Dを同時に停止して被成膜体Sを停止させた状態、あるいは、搬送状態、いずれで行うようにしてもよい。
Further, the partition plates 121, 131, 135, 139, 141 for isolating the respective chambers of the film formation body winding chamber 103, the vacuum film forming chamber 104, the processing chamber 105, the coating film forming chamber 106, and the processing chamber 107 are: This prevents the coating material from being diffused and contaminated between adjacent chambers, or supplying and irradiating unnecessary heat and electromagnetic waves. In addition, the partition plate can have a structure capable of applying a pressure difference between the two chambers. In particular, when the pressure difference needs to be increased, a differential exhaust mechanism is provided on the partition plate. Can do.
Further, each of the drums 118A, 118B, 118C, and 118D constituting the transport mechanism 115 of the film forming apparatus 101 can be heated or cooled with respect to the film formation target S that is transported on the rotating drum. Also good. In addition, in the film formation in the vacuum film formation chamber 104 and the coating film formation chamber 106, and the processing in the processing chambers 105 and 107, the drums 118A, 118B, 118C, and 118D are simultaneously stopped to stop the film formation target S. You may make it carry out in any state carried out or a conveyance state.

このような本発明の成膜装置101では、被成膜体巻取り室103の巻出し部103aから巻き出された長尺状の被成膜体Sが、ドラム118A上を搬送されて、真空成膜室104で真空成膜が行われ、次いで、ドラム118B上を搬送されて、処理室105にて減圧下で所望の処理を施した後、ドラム118C上に搬送され、塗工成膜室106にて減圧下で塗工成膜が行われ、次いで、ドラム118D上に搬送され、処理室107にて減圧下で所望の処理を施して成膜を完了し、その後、被成膜体Sを巻取り部103bで巻き取ることができる。したがって、本発明の成膜装置101では、被成膜体Sを減圧条件下に置いたままで成膜の開始から完了までを行うことができる。尚、処理室105、107の一方での処理を省略してもよい。
上記の本発明の成膜装置101における真空成膜室104、処理室105、塗工成膜室106、処理室107の配置順序は一例であり、これらの室は任意の順序で配置することができる。
In such a film forming apparatus 101 of the present invention, the long film-formed body S that has been unwound from the unwinding portion 103a of the film-forming body winding chamber 103 is transported on the drum 118A and vacuumed. Vacuum film formation is performed in the film formation chamber 104, and then the film is transported on the drum 118 </ b> B, subjected to a desired process under reduced pressure in the processing chamber 105, and then transported onto the drum 118 </ b> C. The coating film formation is performed under reduced pressure at 106, and then the film is transferred onto the drum 118D, and a desired process is performed under reduced pressure in the processing chamber 107 to complete the film formation. Can be wound up by the winding portion 103b. Therefore, in the film forming apparatus 101 of the present invention, the film formation can be performed from the start to the completion while the film formation target S is kept under reduced pressure. Note that the processing in one of the processing chambers 105 and 107 may be omitted.
The arrangement order of the vacuum film forming chamber 104, the processing chamber 105, the coating film forming chamber 106, and the processing chamber 107 in the film forming apparatus 101 of the present invention is an example, and these chambers can be arranged in an arbitrary order. it can.

図7は、本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図7において、成膜装置201は、被成膜体ストック室203、第1真空成膜室204、第1塗工成膜室205、第1処理室206、第2真空成膜室207、第2塗工成膜室208、および、第2処理室209を備えている。上記の被成膜体ストック室3と第1真空成膜室204はゲートバルブ210Aを介し、第1真空成膜室204と第1塗工成膜室205はゲートバルブ210Bを介し、第1処理室206と第2真空成膜室207はゲートバルブ210Cを介し、第2真空成膜室207と第2塗工成膜室208はゲートバルブ210Dを介し、さらに、第2処理室209と被成膜体ストック室203はゲートバルブ210Eを介して、それぞれ連設されている。   FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the film forming apparatus of the present invention. In FIG. 7, the film forming apparatus 201 includes a deposition target stock chamber 203, a first vacuum film forming chamber 204, a first coating film forming chamber 205, a first processing chamber 206, a second vacuum film forming chamber 207, A two coating film forming chamber 208 and a second processing chamber 209 are provided. The deposition target stock chamber 3 and the first vacuum film formation chamber 204 are connected via the gate valve 210A, and the first vacuum film formation chamber 204 and the first coating film formation chamber 205 are connected via the gate valve 210B to perform the first process. The chamber 206 and the second vacuum film formation chamber 207 are connected via a gate valve 210C, the second vacuum film formation chamber 207 and the second coating film formation chamber 208 are connected via a gate valve 210D, and the second processing chamber 209 is formed. The film body stock chambers 203 are connected to each other via a gate valve 210E.

被成膜体ストック室203には、内部を減圧するための排気ポンプ212が圧力調整バルブ213を介して接続されている。また、被成膜体ストック室203内部には、成型品等の立体形状の被成膜体Sをストックするための手段(図示せず)が設けられている。このような手段としては、被成膜体Sの成膜面に傷を与えないようなものであれば特に制限はなく、例えば、被成膜体Sを載置するための複数段の棚やアーム、あるいは、被成膜体Sを挟持するための複数の爪部材、被成膜体Sと被成膜体ストック室3との間に配設したねじ込み式のかみ合わせ機構、引っ掛けフックを利用したフック機構、減圧(真空)吸着機構等を用いることができる。   An exhaust pump 212 for depressurizing the inside is connected to the deposition target material stock chamber 203 via a pressure adjustment valve 213. In addition, a means (not shown) for stocking a three-dimensional film-forming body S such as a molded product is provided inside the film-forming body stock chamber 203. Such a means is not particularly limited as long as it does not damage the film formation surface of the film formation target S. For example, a plurality of shelves for mounting the film formation target S, Utilizing an arm or a plurality of claw members for sandwiching the film-forming body S, a screw-type engagement mechanism disposed between the film-forming body S and the film-forming body stock chamber 3, and a hook A hook mechanism, a reduced pressure (vacuum) adsorption mechanism, or the like can be used.

第1真空成膜室204には、内部を減圧するための排気ポンプ214が圧力調整バルブ215を介して接続されており、第1真空成膜室204の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ231が配設されている。また、外部の成膜用電源232が第1真空成膜室204内の成膜用ターゲット234に接続されており、さらに、第1真空成膜室204内にはプロセスガス供給口235が配設されている。
第1塗工成膜室205には、内部を減圧するための排気ポンプ216が圧力調整バルブ217を介して接続されており、第1塗工成膜室205の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ241が配設されている。また、外部の塗工材料供給装置242が第1塗工成膜室205内の塗工用ヘッド243に接続されている。
第1処理室206は、仕切り板255を介して第1塗工成膜室205に併設されており、第1処理室206内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ251、および、処理装置252が配設されている。
An exhaust pump 214 for depressurizing the inside is connected to the first vacuum film formation chamber 204 via a pressure adjustment valve 215, and the film formation target S is placed inside the first vacuum film formation chamber 204. A stage 231 for placement is provided. An external film-forming power source 232 is connected to a film-forming target 234 in the first vacuum film-forming chamber 204, and a process gas supply port 235 is provided in the first vacuum film-forming chamber 204. Has been.
An exhaust pump 216 for depressurizing the inside is connected to the first coating film forming chamber 205 via a pressure adjusting valve 217, and a film formation target is placed inside the first coating film forming chamber 205. A stage 241 for placing S is provided. An external coating material supply device 242 is connected to the coating head 243 in the first coating film forming chamber 205.
The first processing chamber 206 is provided adjacent to the first coating film forming chamber 205 via a partition plate 255, and a stage 251 for placing the film formation target S inside the first processing chamber 206, And the processing apparatus 252 is arrange | positioned.

第2真空成膜室207には、内部を減圧するための排気ポンプ218が圧力調整バルブ219を介して接続されており、第2真空成膜室207の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ261が配設されている。また、外部の成膜用電源262が第2真空成膜室207内の成膜用ターゲット264に接続されており、さらに、第2真空成膜室207内にはプロセスガス供給口265が配設されている。上記の成膜用ターゲット264およびプロセスガス供給口265の配設位置は、立体物である被成膜体Sの所望の被成膜面に均一に成膜できるように、第1真空成膜室204での成膜用ターゲット234およびプロセスガス供給口235の配設位置との関係を考慮して設定することができる。
第2塗工成膜室208には、内部を減圧するための排気ポンプ220が圧力調整バルブ221を介して接続されており、第2塗工成膜室208の内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ271が配設されている。また、外部の塗工材料供給装置272が第2塗工成膜室208内の塗工用ヘッド273に接続されている。この塗工用ヘッド273の配設位置は、立体物である被成膜体Sの所望の被成膜面に均一に成膜できるように、第1塗工成膜室205における塗工用ヘッド243の配設位置との関係を考慮して適宜設定することができる。
An exhaust pump 218 for depressurizing the inside is connected to the second vacuum film formation chamber 207 via a pressure adjustment valve 219, and the film formation target S is placed inside the second vacuum film formation chamber 207. A stage 261 for placement is provided. An external film-forming power source 262 is connected to a film-forming target 264 in the second vacuum film-forming chamber 207, and a process gas supply port 265 is provided in the second vacuum film-forming chamber 207. Has been. The deposition positions of the film formation target 264 and the process gas supply port 265 are arranged in the first vacuum film formation chamber so that a film can be uniformly formed on a desired film formation surface of the film formation target S that is a three-dimensional object. It can be set in consideration of the relationship between the deposition target 234 and the process gas supply port 235 at 204.
An exhaust pump 220 for depressurizing the inside is connected to the second coating film forming chamber 208 via a pressure regulating valve 221, and the film forming target is inside the second coating film forming chamber 208. A stage 271 for placing S is provided. An external coating material supply device 272 is connected to the coating head 273 in the second coating film forming chamber 208. The coating head 273 is disposed at a position where the coating head 273 is provided in the first coating film forming chamber 205 so that a uniform film can be formed on a desired film forming surface of the film forming target S, which is a three-dimensional object. It can be set as appropriate in consideration of the relationship with the arrangement position of H.243.

第2処理室209は、仕切り板285を介して第2塗工成膜室208に併設されており、第2処理室209内部には、被成膜体Sを載置するためのステージ281、および、処理装置282が配設されている。
上記の成膜装置201には、被成膜体ストック室203、第1真空成膜室204、第1塗工成膜室205、第1処理室206、第2真空成膜室207、第2塗工成膜室208、第2処理室209、および、被成膜体ストック室203の間で、個別の被成膜体Sを減圧条件下で搬送するための搬送機構が設けられている。この搬送機構としては、被成膜体Sを載置して搬送するコンベアー、被成膜体Sの下面を保持搬送するリフト、被成膜体Sの一部を把持して搬送するハンド、被成膜体Sと搬送装置との間に配設したねじ込み式のかみ合わせ機構、引っ掛けフックを利用したフック機構、減圧(真空)吸着機構を有するアーム機構等を挙げることができ、これらを複数組み合わせてもよい。
The second processing chamber 209 is provided in the second coating film forming chamber 208 via a partition plate 285, and a stage 281 for placing the film formation target S inside the second processing chamber 209, And the processing apparatus 282 is arrange | positioned.
The film forming apparatus 201 includes a deposition target stock chamber 203, a first vacuum film forming chamber 204, a first coating film forming chamber 205, a first processing chamber 206, a second vacuum film forming chamber 207, and a second vacuum film forming chamber 207. Between the coating film forming chamber 208, the second processing chamber 209, and the film forming material stock chamber 203, a transport mechanism is provided for transporting individual film forming materials S under reduced pressure conditions. The transport mechanism includes a conveyor for placing and transporting the deposition target S, a lift for holding and transporting the lower surface of the deposition target S, a hand for gripping and transporting a part of the deposition target S, and a transport target. A screw-type engagement mechanism disposed between the film-deposited body S and the transfer device, a hook mechanism using a hook hook, an arm mechanism having a reduced pressure (vacuum) adsorption mechanism, and the like can be used. Also good.

例えば、ゲートバルブ210A,210B,210C,210D,210Eを通過して隣接する室間を搬送する場合は、ハンドを使用し、各室内での被成膜体Sの搬送は、コンベアーで行うことができる。この場合、図示例では、ステージ231,241(251),261,271(281)をコンベアーとして使用することができる。
また、被成膜体Sを、被成膜面を傷つけずに搬送可能な搬送用キャリア(治具)に搭載して搬送してもよい。この場合、被成膜体Sの載置面側を搬送用キャリアに保持して搬送してもよく、例えば、被成膜体Sを搬送用キャリアの溝(被成膜体Sの形状に対応した溝)に嵌め込んだり、粘着あるいは吸着より搬送用キャリアに保持することができる。
For example, when transporting between adjacent chambers through the gate valves 210A, 210B, 210C, 210D, and 210E, a hand is used, and the deposition target S in each chamber can be transported by a conveyor. it can. In this case, in the illustrated example, the stages 231, 241 (251), 261, 271 (281) can be used as conveyors.
Further, the deposition target S may be transported by being mounted on a transport carrier (jig) that can be transported without damaging the deposition surface. In this case, the mounting surface side of the film formation target S may be transported while being held by a transport carrier. For example, the film formation target S may correspond to the groove of the transport carrier (corresponding to the shape of the film formation target S). Or can be held on the carrier for transportation by adhesion or adsorption.

成膜装置201において、第1真空成膜室204、第2真空成膜装置207は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えるものであり、両室で異なる成膜装置を備えてもよく、図示例に限定されるものではない。また、第1真空成膜室204の成膜用ターゲット234と、第2真空成膜室207の成膜用ターゲット264を異なるものとすることにより、別種の成膜を行ってもよい。   In the film forming apparatus 201, the first vacuum film forming chamber 204 and the second vacuum film forming apparatus 207 are a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam. At least one of a film forming apparatus, a plasma CVD film forming apparatus, a plasma polymerization film forming apparatus, a thermal CVD film forming apparatus, and a catalytic reaction type CVD film forming apparatus is provided, and different film forming apparatuses may be provided in both chambers. Well, it is not limited to the illustrated example. Further, different types of film formation may be performed by making the film formation target 234 in the first vacuum film formation chamber 204 different from the film formation target 264 in the second vacuum film formation chamber 207.

また、成膜装置201において、第1塗工成膜室205、第2塗工成膜室208に設ける塗工用ヘッド243,273を含む塗工装置は、特に制限されないが、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置のいずれかを備えることが好ましい。本発明では、第1塗工成膜室205内を排気ポンプ216で減圧する際、および、第2塗工成膜室208内を排気ポンプ220で減圧する際、圧力調整バルブ217,221で排気能力を調整したり、排気口の位置、サイズを適宜設定することにより、スプレー塗工や回転スプレー塗工に最適な成膜材料の滞留時間、滞留量が得られるように、第1塗工成膜室205、第2塗工成膜室208内に生じる気流を制御することができる。したがって、スプレー塗工装置、回転スプレー塗工装置を用いて、被成膜体Sの全面に均一な塗工を行うことが可能である。排気口は、被成膜体Sの表面に均一に塗工液が供給されるように、被成膜体Sを介して塗工用ヘッド243,273の反対側や、被成膜体Sを載置するステージ241,271の反対面側等に配置することができる。また、塗工用ヘッド243,273と排気口との間に整流板を配置してもよい。尚、塗工用ヘッド243,273は1個でも複数個でもよく、また、1個の塗工用ヘッドを被成膜体Sと所定の間隔を維持するように往復走査させてもよい。尚、第1塗工成膜室205で使用する塗工材料と、第2塗工成膜室208で使用する塗工材料は、同一種であっても、別種であってもよい。   In the film forming apparatus 201, the coating apparatus including the coating heads 243 and 273 provided in the first coating film forming chamber 205 and the second coating film forming chamber 208 is not particularly limited. It is preferable to include any one of the rotary spray coating apparatuses. In the present invention, when the inside of the first coating film forming chamber 205 is depressurized by the exhaust pump 216 and when the inside of the second coating film forming chamber 208 is depressurized by the exhaust pump 220, the pressure adjusting valves 217 and 221 are evacuated. By adjusting the capacity and appropriately setting the position and size of the exhaust port, the first coating can be performed so that the optimum residence time and amount of film forming material can be obtained for spray coating and rotary spray coating. The airflow generated in the film chamber 205 and the second coating film forming chamber 208 can be controlled. Therefore, uniform coating can be performed on the entire surface of the film formation target S using a spray coating device or a rotary spray coating device. The exhaust port allows the coating liquid to be uniformly supplied to the surface of the film formation target S, the other side of the coating heads 243 and 273 through the film formation target S, and the film formation target S. It can arrange | position on the opposite surface side etc. of the stage 241,271 to mount. Further, a current plate may be disposed between the coating heads 243 and 273 and the exhaust port. One or a plurality of coating heads 243 and 273 may be provided, and one coating head may be reciprocally scanned with the deposition target S so as to maintain a predetermined distance. The coating material used in the first coating film forming chamber 205 and the coating material used in the second coating film forming chamber 208 may be the same type or different types.

成膜装置201の第1処理室206、第2処理室209は、被成膜体Sに成膜された材料を硬化したり、成膜された材料から溶剤または水を除去したり、濡れ性等の膜特性を改質すること等を目的とするものである。第1処理室207に配設される処理装置252、第2処理室209に配設される処理装置282は、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせとすることができる。
また、第1塗工成膜室205と第1処理室206とを隔離する仕切り板255、および、第2塗工成膜室208と第2処理室209とを隔離する仕切り板285は、塗工成膜室から処理室に、塗工材料が拡散して汚染することを防止し、かつ、処理室から塗工成膜室に不要な熱や電磁波が供給、照射されることを防止するものである。
The first processing chamber 206 and the second processing chamber 209 of the film forming apparatus 201 cure the material formed on the film formation target S, remove the solvent or water from the formed material, and wettability. The purpose is to modify the film characteristics such as. The processing apparatus 252 disposed in the first processing chamber 207 and the processing apparatus 282 disposed in the second processing chamber 209 are, for example, one of a heat source, an ultraviolet irradiation apparatus, an electron beam irradiation apparatus, and a plasma irradiation apparatus, or A plurality of combinations.
Further, the partition plate 255 that separates the first coating film forming chamber 205 and the first processing chamber 206 and the partition plate 285 that separates the second coating film forming chamber 208 and the second processing chamber 209 are provided in the coating. Prevents coating material from diffusing and contaminating from the coating film forming chamber to the processing chamber, and preventing unnecessary heat and electromagnetic waves from being supplied and irradiated from the processing chamber to the coating film forming chamber It is.

尚、第1塗工成膜室205と第1処理室206のプロセス圧力(減圧状態)が異なる場合には、仕切り板255は、両室に圧力差をつけることが可能な構造とすることができる。特に、第1塗工成膜室205と第1処理室206の圧力差を大きくする必要がある場合には、仕切り板255に差動排気機構を設けたり、ゲートバルブを介して両室を完全に分離し独立したものとし、処理室7内を減圧するための排気ポンプと圧力調整バルブを設けることができる。第2塗工成膜室208と第2処理室209を隔離するための仕切り板285についても上記と同様に対処することができる。   In addition, when the process pressure (reduced pressure state) of the 1st coating film-forming chamber 205 and the 1st process chamber 206 differs, the partition plate 255 shall be the structure which can give a pressure difference between both chambers. it can. In particular, when it is necessary to increase the pressure difference between the first coating film forming chamber 205 and the first processing chamber 206, a differential exhaust mechanism is provided on the partition plate 255, or both chambers are completely connected via a gate valve. It is possible to provide an exhaust pump and a pressure adjusting valve for reducing the pressure inside the processing chamber 7. The partition plate 285 for isolating the second coating film forming chamber 208 and the second processing chamber 209 can be dealt with in the same manner as described above.

塗工装置201を構成するゲートバルブ210A,210B,210C,210D,210Eは、ゲートバルブを介して連設されている両室の圧力差を維持すること、また、連設されている両室の圧力差がほぼなくなったときに、開放して被成膜体Sを通過させるものである。このようなゲートバルブとしては、上述の成膜装置1のゲートバルブ8,9と同様とすることができる。また、本発明では、連設されている両室の圧力差を維持するための手段として、上記のようなゲートバルブに限定されず、上記の図2に示されるような強制排気方式による手段、あるいは、図3に示されるようなコンダクタンス方式による手段等を使用してもよい。   The gate valves 210A, 210B, 210C, 210D, and 210E constituting the coating apparatus 201 maintain the pressure difference between the two chambers connected via the gate valve, and the two chambers connected continuously. When the pressure difference almost disappears, the film formation target S is opened. Such a gate valve can be the same as the gate valves 8 and 9 of the film forming apparatus 1 described above. Further, in the present invention, the means for maintaining the pressure difference between the two chambers provided in a continuous manner is not limited to the gate valve as described above, but means based on the forced exhaust system as shown in FIG. Alternatively, a conductance method as shown in FIG. 3 may be used.

また、ステージ231,241,251,261,271,281は、載置された被成膜体Sを加熱あるいは冷却して、成膜、あるいは、処理に最適な温度とすることが可能であってもよく、この場合、ステージは、上述の成膜装置1のステージ21,31,41と同様とすることができる。
尚、第1真空成膜室204、第1塗工成膜室205、第2真空成膜室207、第2塗工成膜室208での成膜、第1処理室206や第2処理室209での処理は、被成膜体Sを停止した状態、あるいは、搬送状態、いずれで行うようにしてもよい。
The stages 231, 241, 251, 261, 271, and 281 can heat or cool the placed film formation target S so as to obtain an optimum temperature for film formation or processing. In this case, the stage may be the same as the stages 21, 31, and 41 of the film forming apparatus 1 described above.
The first vacuum film formation chamber 204, the first coating film formation chamber 205, the second vacuum film formation chamber 207, the film formation in the second coating film formation chamber 208, the first processing chamber 206 and the second processing chamber. The process in 209 may be performed in a state where the deposition target S is stopped or in a transport state.

このような本発明の成膜装置201では、被成膜体ストック室203から被成膜体Sを第1真空成膜室204に搬送して真空成膜を行い、その後、第1塗工成膜室205に搬送して減圧下で塗工成膜を行い、次いで、第1処理室206にて減圧下で所望の処理を膜に対して行い、さらに、被成膜体Sを第2真空成膜室207に搬送して真空成膜を行い、その後、第2塗工成膜室208に搬送して減圧下で塗工成膜を行い、次いで、第2処理室209にて減圧下で所望の処理を膜に対して行い、被成膜体ストック室203に被成膜体Sを搬送することができる。したがって、本発明の成膜装置201では、被成膜体Sを減圧条件下に置いたままで成膜の開始から完了までを行うことができる。尚、真空成膜と減圧下での塗工成膜の順序を逆にしてもよく、あるいは、同じ成膜手段を用いて2回以上の成膜を行ってもよい。   In such a film forming apparatus 201 of the present invention, the film-forming body S is transferred from the film-forming body stock chamber 203 to the first vacuum film-forming chamber 204 to perform vacuum film formation, and then the first coating process is performed. The film is transferred to the film chamber 205, and coating film formation is performed under reduced pressure. Then, a desired process is performed on the film under reduced pressure in the first processing chamber 206, and the film formation target S is further subjected to the second vacuum. The film is transferred to the film forming chamber 207 to perform vacuum film formation, and then transferred to the second coating film forming chamber 208 to perform coating film formation under reduced pressure, and then the second processing chamber 209 under reduced pressure. Desired processing can be performed on the film, and the film formation target S can be transferred to the film formation target stock chamber 203. Therefore, in the film forming apparatus 201 of the present invention, the film formation can be performed from the start to the completion while the film formation target S is kept under reduced pressure. The order of vacuum film formation and coating film formation under reduced pressure may be reversed, or two or more film formations may be performed using the same film formation means.

上記の図示例の本発明の成膜装置201における第1真空成膜室204、第1塗工成膜室205、第1処理室206、第2真空成膜室207、第2塗工成膜室208、第2処理室209の配置順序は一例であり、これらの室は任意の順序で配置することができる。また、本発明の成膜装置201により成膜可能な被成膜体Sは、無機材料、有機材料、無機有機複合材料等からなる成型品等の立体物、あるいは、板状体であってよく、特に制限はない。   The first vacuum film-forming chamber 204, the first coating film-forming chamber 205, the first processing chamber 206, the second vacuum film-forming chamber 207, and the second coating film-forming in the film forming apparatus 201 of the present invention shown in the illustrated example. The arrangement order of the chamber 208 and the second processing chamber 209 is an example, and these chambers can be arranged in an arbitrary order. The deposition target S that can be deposited by the deposition apparatus 201 of the present invention may be a three-dimensional object such as a molded product made of an inorganic material, an organic material, an inorganic-organic composite material, or a plate-like body. There is no particular limitation.

[成膜方法]
次に、本発明の成膜方法について説明する。
本発明の成膜方法は、被成膜体に対して真空成膜法による成膜と減圧条件下での塗工成膜法による成膜とからなる重層成膜を行い、かつ、成膜の開始から完了まで被成膜体を減圧条件下に置くことにより、所望の機能を発現する機能膜を形成するものである。
本発明の成膜方法の被成膜体は、特に制限されるものではなく、例えば、ガラス板、金属板等の板状体、プラスチックフィルム等のフィルム、プラスチック長尺体、ガラス瓶やプラスチックボトル等の立体成型品等である。
[Film formation method]
Next, the film forming method of the present invention will be described.
The film forming method of the present invention performs a multilayer film formation including a film formation by a vacuum film formation method and a film formation by a coating film formation method under a reduced pressure condition on an object to be formed. A functional film that expresses a desired function is formed by placing the film formation target under reduced pressure conditions from the start to the completion.
The film-forming body of the film-forming method of the present invention is not particularly limited. For example, a plate-like body such as a glass plate or a metal plate, a film such as a plastic film, a plastic long body, a glass bottle, a plastic bottle, or the like 3D molded products.

真空成膜法による被成膜体上への成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD法、プラズマ重合法、熱CVD法、触媒反応型CVD法等を挙げることができる。この真空成膜時には、被成膜体は、静止状態であってもよく、また、搬送状態であってもよい。さらに、2種以上の真空成膜法を使用して、別種の膜を積層してもよい。
真空成膜により成膜される厚みは、機能膜の用途により適宜設定することができるが、1nm〜10μm、好ましくは1nm〜1μm程度とすることができる。真空成膜厚みが1nm未満では、被成膜体の全面への均一な成膜が困難であり、また、10μmを超えると、成膜に要する時間が長くなり好ましくない。
As a method for forming a film on a deposition target by vacuum film formation, vapor deposition, sputtering, ion plating, ion beam assist, cluster ion beam, plasma CVD, plasma polymerization, thermal CVD are used. And catalytic reaction type CVD method. During this vacuum film formation, the film formation target may be in a stationary state or in a transported state. Further, two or more types of vacuum film forming methods may be used to stack different types of films.
The thickness formed by the vacuum film formation can be appropriately set depending on the use of the functional film, but can be about 1 nm to 10 μm, preferably about 1 nm to 1 μm. If the vacuum film thickness is less than 1 nm, it is difficult to form a uniform film on the entire surface of the film formation target, and if it exceeds 10 μm, the time required for film formation is undesirably increased.

塗工成膜法による被成膜体上への減圧下での成膜方法は、特に制限はないが、スプレー塗工方式または回転スプレー塗工方式であることが望ましい。本発明では、減圧下で塗工成膜を行うため、従来、スプレー塗工方式あるいは回転スプレー塗工方式で問題となっていた、スプレーされた塗工材料への気流の影響を抑制することができる。すなわち、減圧するための排気ポンプの作動によって塗工成膜室内に生じる気流を利用して、塗工材料の滞留時間、滞留量を制御することができ、より均一で高品質の成膜が可能である。
塗工成膜時には、被成膜体は、静止状態であってもよく、また、搬送状態であってもよい。塗工成膜時の減圧状態は、大気圧よりも低い圧力状態であり、例えば、1.00×10-4Pa〜1.00×10+5Pa程度の範囲で任意に設定することができる。さらに、2種以上の塗工材料を使用して、別種の膜を積層してもよい。塗工成膜により成膜される厚みは、機能膜の用途により適宜設定することができるが、0.1μm〜5mm、好ましくは0.1μm〜1mm程度とすることができる。塗工成膜厚みが0.1μm未満では、被成膜体の全面への均一な塗工成膜が困難であり、また、5mmを超えると、コスト面でデメリットを生じ好ましくない。
There is no particular limitation on the film forming method under reduced pressure on the deposition target by the coating film forming method, but the spray coating method or the rotary spray coating method is desirable. In the present invention, since coating film formation is performed under reduced pressure, it is possible to suppress the influence of airflow on the sprayed coating material, which has been a problem in the conventional spray coating method or rotary spray coating method. it can. In other words, the residence time and amount of the coating material can be controlled by using the air flow generated in the coating film formation chamber by the operation of the exhaust pump for depressurization, enabling more uniform and high quality film formation. It is.
During the coating film formation, the film formation target may be in a stationary state or in a transported state. The reduced pressure state at the time of coating film formation is a pressure state lower than the atmospheric pressure, and can be arbitrarily set within a range of, for example, about 1.00 × 10 −4 Pa to 1.00 × 10 +5 Pa. . Furthermore, you may laminate | stack another kind of film | membrane using 2 or more types of coating materials. Although the thickness formed by the coating film formation can be appropriately set depending on the use of the functional film, it can be set to about 0.1 μm to 5 mm, preferably about 0.1 μm to 1 mm. If the coating film thickness is less than 0.1 μm, it is difficult to form a uniform coating film on the entire surface of the film formation target, and if it exceeds 5 mm, there is a disadvantage in terms of cost.

本発明では、例えば、真空成膜法による成膜を行った後に、減圧条件下での塗工成膜法による成膜を行い、その後、膜硬化処理等を施すことができるが、多層成膜における真空成膜と塗工成膜の順序、積層数には特に制限はない。
成膜後の処理は、例えば、真空成膜で形成された膜の濡れ性等の膜特性を改質することを目的とするもの、あるいは、塗工成膜で形成された膜を硬化したり、成膜された材料から溶剤または水を除去することを目的とするものである。このような処理には、例えば、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の1種、あるいは、複数の組み合わせを使用することができる。
In the present invention, for example, after film formation by a vacuum film formation method, film formation by a coating film formation method under reduced pressure conditions can be performed, and then a film curing treatment or the like can be performed. There are no particular restrictions on the order of vacuum film formation and coating film formation, and the number of layers in the film.
The treatment after the film formation is, for example, for the purpose of modifying film characteristics such as wettability of the film formed by vacuum film formation, or curing the film formed by coating film formation. The object is to remove the solvent or water from the deposited material. For such treatment, for example, one type or a combination of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device can be used.

本発明の成膜方法により成膜可能な機能膜としては、着色膜、遮光膜、透明膜、半透明膜、高反射膜、反射防止膜、光学干渉膜、高輝度膜、導電膜、絶縁膜、パッシベーション膜、ガスバリア膜、ガス選択透過膜、保護膜、硬質膜、高密度膜、剥離膜、平均化膜、粗面化膜の少なくとも1種の機能を有する機能膜を挙げることができる。
このような本発明の成膜方法は、被成膜体を減圧条件下に置いたままで成膜を行うので、真空成膜法による成膜と減圧条件下での塗工成膜法による成膜とからなる重層成膜の間に、パーティクルや異物が成膜面に付着したり、成膜材料が大気中の酸素と反応して酸化されたり、水分を吸着することが防止される。したがって、高品質の機能膜が得られるとともに、圧力を大気開放したり、再度減圧する必要がなく連続して成膜を行うことができ、機能膜の生産性が高いものとなる。そして、このような本発明の成膜方法は、上述の本発明の成膜装置を使用することにより、容易に実施することができる。
The functional film that can be formed by the film forming method of the present invention includes a colored film, a light-shielding film, a transparent film, a semi-transparent film, a high reflection film, an antireflection film, an optical interference film, a high luminance film, a conductive film, and an insulating film. And a functional film having at least one function of a passivation film, a gas barrier film, a gas permselective film, a protective film, a hard film, a high-density film, a release film, an averaged film, and a roughened film.
In such a film forming method of the present invention, the film formation is performed while the object to be deposited is placed under a reduced pressure condition. Therefore, the film formation by the vacuum film forming method and the film forming method by the coating film forming method under the reduced pressure condition are performed. During the multi-layer film formation consisting of the above, particles and foreign substances are prevented from adhering to the film formation surface, and the film formation material reacts with oxygen in the atmosphere and is oxidized and adsorbs moisture. Therefore, a high-quality functional film can be obtained, and the film can be continuously formed without the need to release the pressure to the atmosphere or to reduce the pressure again, so that the productivity of the functional film is high. Such a film forming method of the present invention can be easily carried out by using the above-described film forming apparatus of the present invention.

次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
[実施例1]
被成膜体として、ソーダライムガラス着板(厚み0.7mm、370mm×470mm)を準備した。このソーダライムガラス着板をガラス搬送用キャリアの溝部(サイズ390mm×490mm)に嵌め込むように載置した。
次に、被成膜体ストック室と真空成膜室と塗工成膜室および処理室を、各真空ポンプにより1.00×10-4Paまで減圧した。
Next, the present invention will be described in more detail with specific examples.
[Example 1]
A soda lime glass plate (thickness 0.7 mm, 370 mm × 470 mm) was prepared as a film formation target. This soda lime glass plate was placed so as to be fitted into the groove (size 390 mm × 490 mm) of the carrier for glass conveyance.
Next, the deposition object stock chamber, the vacuum deposition chamber, the coating deposition chamber, and the processing chamber were decompressed to 1.00 × 10 −4 Pa by each vacuum pump.

次に、被成膜体ストック室と真空成膜室の間のゲートバルブ、および、真空成膜室と塗工成膜室の間のゲートバルブを開き、ソーダライムガラス着板を被成膜体ストック室から塗工成膜室内のステージ上に搬送した。この搬送は、上記ガラス搬送用キャリアと一体で、アーム搬送とした。
次に、回転スプレー塗工装置を用い、減圧下でソーダライムガラス着板上に平坦化材料(ザ・インクテック(株)製 UV硬化樹脂IP−MP402)を塗工した。塗工条件は、後述する処理後の膜厚みが1μmとなるように設定した。また、ソーダライムガラス着板の温度は25℃とした。
Next, the gate valve between the film forming material stock chamber and the vacuum film forming chamber, and the gate valve between the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber are opened, and the soda lime glass plate is attached to the film forming material. It was transferred from the stock chamber onto the stage in the coating film forming chamber. This transport was integrated with the glass transport carrier and was arm transport.
Next, a flattening material (UV curable resin IP-MP402 manufactured by The Inktec Co., Ltd.) was applied on a soda lime glass plate under reduced pressure using a rotary spray coating apparatus. The coating conditions were set so that the film thickness after treatment described later was 1 μm. The temperature of the soda lime glass plate was 25 ° C.

次いで、ソーダライムガラス着板を処理室に搬送して、ステージ上に載置した。この搬送は、上記ガラス搬送用キャリアと一体で、アームによる搬送とした。その後、ステージを加熱してソーダライムガラス着板の温度を200℃まで上げ、1時間保持して硬化処理を施した。さらに、紫外線照射装置により紫外線を150mJ照射して、平坦化膜を形成した。   Next, the soda lime glass plate was transported to the processing chamber and placed on the stage. This conveyance was integrated with the glass conveyance carrier and was carried by an arm. After that, the stage was heated to raise the temperature of the soda lime glass plate to 200 ° C. and held for 1 hour to perform a curing treatment. Further, a flattening film was formed by irradiating 150 mJ of ultraviolet rays with an ultraviolet irradiation device.

次に、平坦化膜が形成されたソーダライムガラス着板を真空成膜室に搬送して、ステージ上に載置した。この搬送は、上記ガラス搬送用キャリアと一体で、アームによる搬送とした。その後、ステージを加熱してソーダライムガラス着板の温度を140℃まで上げ、マグネトロンスパッタリング装置を用いて酸化インジウムスズ(ITO)膜(厚み150nm)を平坦化膜上に成膜した。この真空成膜では、成膜圧力を0.1Paとし、酸素およびアルゴンガスを用い、酸素分圧2%、投入電力3kWとした。
上記のようにして、ソーダライムガラス着板上に平坦化膜とITO膜を重層成膜して機能膜を形成した。
Next, the soda lime glass plate on which the flattened film was formed was transported to the vacuum film forming chamber and placed on the stage. This conveyance was integrated with the glass conveyance carrier and was carried by an arm. Thereafter, the stage was heated to raise the temperature of the soda lime glass plate to 140 ° C., and an indium tin oxide (ITO) film (thickness 150 nm) was formed on the planarizing film using a magnetron sputtering apparatus. In this vacuum film formation, the film formation pressure was 0.1 Pa, oxygen and argon gas were used, the oxygen partial pressure was 2%, and the input power was 3 kW.
As described above, a functional film was formed by forming a flattening film and an ITO film on the soda lime glass plate.

<機能膜の評価1>
ソーダライムガラス着板の各端面から10mmの幅の領域を除いた350mm×450mmの領域に対して、50mmピッチで測定点(測定点は8点×10点=80点)を設定した。これらの測定点において、以下の表面平滑性測定、シート抵抗測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表1に示した。
<Functional film evaluation 1>
Measurement points were set at a pitch of 50 mm (measurement points were 8 points × 10 points = 80 points) on a 350 mm × 450 mm region excluding a 10 mm wide region from each end face of the soda lime glass plate. At these measurement points, the following surface smoothness measurement, sheet resistance measurement, and total light transmittance measurement were performed, and the results are shown in Table 1 below.

(表面平滑性測定)
Digital Instruments社製の原子間力顕微鏡を用いて、タッピングモードにより100μm平方の領域の表面平滑性を測定し、平均粗さRaおよび粗さの最大値と最小値の差(P−V)を求めた。この表面平滑性測定は、平坦化膜単体と、平坦化膜とITO膜の積層状態の両方で行った。また、測定結果は測定値(80点)の平均と分散(3σ)で示した。尚、表面平滑性は、Raの平均が1nm以下、P−Vの平均が10nm以下を実用レベルとする。
(Surface smoothness measurement)
Using an atomic force microscope manufactured by Digital Instruments, measure the surface smoothness in a 100 μm square area by tapping mode, and determine the average roughness Ra and the difference between the maximum and minimum roughness values (P−V). It was. This surface smoothness measurement was performed on both the flattened film alone and the laminated state of the flattened film and the ITO film. Moreover, the measurement result was shown by the average and dispersion | distribution (3 (sigma)) of the measured value (80 points). For the surface smoothness, the average of Ra is 1 nm or less and the average of PV is 10 nm or less.

(シート抵抗測定)
測定装置として三菱油化(株)製ロレスタを用いて、4端子法によりシート抵抗を測定した。尚、この測定は、平坦化膜とITO膜の積層状態で行い、測定結果は測定値(80点)の平均と分散(3σ)で示した。尚、シート抵抗は、平均が30Ω/□以下を実用レベルとする。
(Sheet resistance measurement)
The sheet resistance was measured by the 4-terminal method using a Loresta manufactured by Mitsubishi Yuka Co., Ltd. as a measuring device. This measurement was performed in a state where the flattening film and the ITO film were laminated, and the measurement results were shown as an average of measured values (80 points) and dispersion (3σ). The sheet resistance is set to a practical level with an average of 30Ω / □ or less.

(全光線透過率測定)
全光線透過率測定装置(スガ試験機(株)製S&M COLOR COMPUTER)を用いて、全光線透過率測定を測定した。この測定は、平坦化膜とITO膜の積層状態で行い、測定結果は測定値(80点)の平均で示した。尚、全光線透過率は、平均が90%以上を実用レベルとする。
(Total light transmittance measurement)
The total light transmittance measurement was measured using a total light transmittance measuring device (S & M COLOR COMPUTER manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.). This measurement was performed in a laminated state of a flattening film and an ITO film, and the measurement result was shown as an average of measured values (80 points). The total light transmittance is 90% or more on average, which is a practical level.

[比較例1]
平坦化膜の成膜を、大気圧下で行った他は、実施例1と同様にして、ソーダライムガラス着板上に平坦化膜とITO膜を重層成膜して機能膜を形成した。
形成した機能膜について、実施例1と同様に、表面平滑性測定、シート抵抗測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表1に示した。
[Comparative Example 1]
A functional film was formed by stacking a flattening film and an ITO film on a soda lime glass plate in the same manner as in Example 1 except that the flattening film was formed under atmospheric pressure.
The formed functional film was subjected to surface smoothness measurement, sheet resistance measurement, and total light transmittance measurement in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.

[比較例2]
減圧下での平坦化膜の成膜後(塗工、および、硬化処理、紫外線照射処理後)、一旦、大気開放を行い、その後、再度減圧して真空成膜を行った他は、実施例1と同様にして、ソーダライムガラス着板上に平坦化膜とITO膜を重層成膜して機能膜を形成した。
形成した機能膜について、実施例1と同様に、表面平滑性測定、シート抵抗測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表1に示した。
[Comparative Example 2]
Example: After flattening film formation under reduced pressure (after coating, curing, and ultraviolet irradiation treatment), the atmosphere was once released into the atmosphere, and then the film was vacuumed again under reduced pressure. In the same manner as in No. 1, a functional film was formed by depositing a flattening film and an ITO film on a soda lime glass substrate.
The formed functional film was subjected to surface smoothness measurement, sheet resistance measurement, and total light transmittance measurement in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.

Figure 0004580636
Figure 0004580636

表1に示されるように、本発明により成膜された機能膜(実施例1)は、表面平滑性、シート抵抗、および、全光線透過率のいずれも実用レベルにあった。
しかし、大気圧下での塗工成膜を行って形成された機能膜(比較例1)は、表面平滑性、シート抵抗、および、全光線透過率のいずれも実用レベルに満たないものであった。
さらに、減圧下での塗工成膜後、一旦大気開放を行って形成された機能膜(比較例2)は、平坦化膜のみの表面平滑性は良好であったものの、機能膜の表面平滑性、シート抵抗、および、全光線透過率は、いずれも実用レベルに満たないものであった。
As shown in Table 1, the functional film (Example 1) formed according to the present invention had practically all the surface smoothness, sheet resistance, and total light transmittance.
However, the functional film (Comparative Example 1) formed by performing coating film formation under atmospheric pressure has a surface smoothness, a sheet resistance, and a total light transmittance that are less than practical levels. It was.
Furthermore, the functional film (Comparative Example 2) formed by once releasing the atmosphere after coating film formation under reduced pressure had good surface smoothness of only the flattening film, but the surface smoothness of the functional film. Properties, sheet resistance, and total light transmittance were all less than practical levels.

[実施例2]
被成膜体として、長尺巻取り状のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績(株)製A4100、厚み100μm、幅1000mm)を準備した。このPETフィルムを、図6に示される本発明の塗布装置の被成膜体巻取り室の搬送機構に、易接着面と反対側の面が被成膜面となるように装着した。
次に、被成膜体巻取り室と真空成膜室と塗工成膜室および処理室を、各真空ポンプにより1×10-3Paまで減圧した。
[Example 2]
A long-winding polyethylene terephthalate (PET) film (A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 100 μm, width 1000 mm) was prepared as a film formation target. This PET film was mounted on the transport mechanism of the film-forming body take-up chamber of the coating apparatus of the present invention shown in FIG. 6 so that the surface opposite to the easy adhesion surface becomes the film-forming surface.
Next, the film forming body winding chamber, the vacuum film forming chamber, the coating film forming chamber, and the processing chamber were depressurized to 1 × 10 −3 Pa by each vacuum pump.

次に、真空成膜材料として、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)ガス(東レダウコーニングシリコーン(株)製SH200−0.65cSt)と酸素ガス(大陽東洋酸素(株)製 純度99.9999%以上)、ヘリウムガス(大陽東洋酸素(株)製 純度99.999%以上)を準備した。次いで、真空成膜室内の電極に40kHzの周波数を有する電力(投入電力15kW)を印加し、この電極近傍に設けられたプロセスガス供給口からHMDSO1.2slm、酸素2slm、ヘリウム2slmを真空成膜室に導入し、圧力調整バルブの開閉度を制御することにより、真空成膜室内圧力を10Paに保った。そして、ドラム上を0.5m/秒の速度で搬送されるPETフィルムに酸化珪素膜(厚み150nm)を成膜した。   Next, as a vacuum film forming material, hexamethyldisiloxane (HMDSO) gas (SH200-0.65 cSt manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) and oxygen gas (manufactured by Taiyo Toyo Oxygen Co., Ltd., purity 99.9999% or more) ), Helium gas (purity 99.999% or more manufactured by Taiyo Toyo Oxygen Co., Ltd.) was prepared. Next, power having a frequency of 40 kHz (applied power of 15 kW) is applied to the electrode in the vacuum film formation chamber, and HMDSO 1.2 slm, oxygen 2 slm, and helium 2 slm are supplied from the process gas supply port provided in the vicinity of the electrode to the vacuum film formation chamber. The pressure in the vacuum film formation chamber was kept at 10 Pa by controlling the degree of opening and closing of the pressure adjustment valve. Then, a silicon oxide film (thickness 150 nm) was formed on a PET film conveyed on the drum at a speed of 0.5 m / sec.

次に、真空成膜室で酸化珪素膜が成膜されたPETフィルムを塗工成膜室に搬送し、ドラム上を0.5m/秒の速度で搬送されるPETフィルムに、回転スプレー塗工装置を用いて減圧下で平坦化材料(ザ・インクテック(株)製 UV硬化樹脂IP−MP402)を塗工した。塗工条件は、後述する処理後の膜厚みが1μmとなるように設定した。
次いで、PETフィルムを処理室に搬送して、ドラム(ドラム温度200℃)上を0.5m/秒の速度で搬送されるPETフィルムに、紫外線照射装置により紫外線を200mJ照射して、平坦化膜を形成した。
上記のようにして、PETフィルム上にバリア膜としての酸化珪素膜と平坦化膜を重層成膜して機能膜を約20mの長さに亘って形成した。
Next, the PET film on which the silicon oxide film is formed in the vacuum film forming chamber is transported to the coating film forming chamber, and the rotary spray coating is applied to the PET film transported on the drum at a speed of 0.5 m / sec. A flattening material (UV curable resin IP-MP402 manufactured by The Inktec Co., Ltd.) was applied under reduced pressure using an apparatus. The coating conditions were set so that the film thickness after treatment described later was 1 μm.
Next, the PET film is transported to the processing chamber, and the PET film transported at a speed of 0.5 m / sec on the drum (drum temperature 200 ° C.) is irradiated with 200 mJ of ultraviolet rays by an ultraviolet irradiation device, and a planarized film Formed.
As described above, a silicon oxide film as a barrier film and a planarizing film were formed on the PET film to form a functional film over a length of about 20 m.

<機能膜の評価2>
PETフィルムの幅方向の各端面から50mmの幅の領域を除いた有効900mm幅に対し100mmピッチで10点、長さ方向に1mピッチで11点、計110点の測定点を設定した。これらの測定点において、以下の表面平滑性測定、ガスバリア性測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表2に示した。
<Functional film evaluation 2>
A total of 110 measurement points were set, 10 points at a pitch of 100 mm and 11 points at a pitch of 1 m in the length direction with respect to an effective 900 mm width excluding a region having a width of 50 mm from each end face in the width direction of the PET film. At these measurement points, the following surface smoothness measurement, gas barrier property measurement, and total light transmittance measurement were performed, and the results are shown in Table 2 below.

(表面平滑性測定)
Digital Instruments社製の原子間力顕微鏡を用いて、タッピングモードにより100μm平方の領域の表面平滑性を測定し、平均粗さRaおよび粗さの最大値と最小値の差(P−V)を求めた。測定結果は測定値(110点)の平均と分散(3σ)で示した。尚、表面平滑性は、Raの平均が1nm以下、P−Vの平均が10nm以下を実用レベルとする。
(Surface smoothness measurement)
Using an atomic force microscope manufactured by Digital Instruments, measure the surface smoothness in a 100 μm square area by tapping mode, and determine the average roughness Ra and the difference between the maximum and minimum roughness values (P−V). It was. The measurement results are shown by the average of measured values (110 points) and variance (3σ). For the surface smoothness, the average of Ra is 1 nm or less and the average of PV is 10 nm or less.

(ガスバリア性測定)
水蒸気透過率測定装置(モコン社製パーマトランW3/31)を用いて、40℃、90%RHの測定条件で測定した。測定結果は測定値(110点)の平均と分散(3σ)で示した。尚、ガスバリア性は、0.1(g/m2/day)以下を実用レベルとする。
(Gas barrier property measurement)
It measured on the measurement conditions of 40 degreeC and 90% RH using the water-vapor-permeation rate measuring apparatus (Permatran W3 / 31 by a Mocon company). The measurement results are shown by the average of measured values (110 points) and variance (3σ). The gas barrier property is set to a practical level of 0.1 (g / m 2 / day) or less.

(全光線透過率測定)
全光線透過率測定装置(スガ試験機(株)製S&M COLOR COMPUTER)を用いて、全光線透過率測定を測定した。測定結果は測定値(110点)の平均で示した。尚、全光線透過率は、平均が90%以上を実用レベルとする。
(Total light transmittance measurement)
The total light transmittance measurement was measured using a total light transmittance measuring device (S & M COLOR COMPUTER manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.). The measurement results are shown as the average of the measured values (110 points). The total light transmittance is 90% or more on average, which is a practical level.

[比較例3]
平坦化膜の成膜を、大気圧下で行った他は、実施例2と同様にして、PETフィルム上にバリア膜としての酸化珪素膜と平坦化膜を重層成膜して機能膜を形成した。
形成した機能膜について、実施例2と同様に、表面平滑性測定、ガスバリア性測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表2に示した。
[Comparative Example 3]
A functional film is formed by depositing a silicon oxide film as a barrier film and a planarizing film on the PET film in the same manner as in Example 2 except that the planarizing film is formed under atmospheric pressure. did.
The formed functional film was subjected to surface smoothness measurement, gas barrier property measurement, and total light transmittance measurement in the same manner as in Example 2, and the results are shown in Table 2 below.

[比較例4]
被成膜体として、シート状のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績(株)製A4100、厚み100μm、370mm×470mm)を準備した。このPETフィルムを、図1に示される本発明の塗布装置の被成膜体ストック室に載置した。
次に、被成膜体ストック室と真空成膜室と塗工成膜室および処理室を、各真空ポンプにより1×10-4Paまで減圧した。
[Comparative Example 4]
A sheet-like polyethylene terephthalate (PET) film (A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 100 μm, 370 mm × 470 mm) was prepared as a film formation target. This PET film was placed in the deposition target stock chamber of the coating apparatus of the present invention shown in FIG.
Next, the deposition target stock chamber, the vacuum deposition chamber, the coating deposition chamber, and the processing chamber were decompressed to 1 × 10 −4 Pa by each vacuum pump.

次に、被成膜体ストック室と真空成膜室の間のゲートバルブ、および、真空成膜室と塗工成膜室の間のゲートバルブを開き、PETフィルムを被成膜体ストック室から塗工成膜室内のステージ上に搬送した。この搬送は、PETフィルムをテンションをかけた状態でフィルムを担持可能なキャリアにPETフィルムを担持させ、PETフィルムとキャリアを一体でアーム搬送により行なった。
次に、回転スプレー塗工装置を用い、減圧下でPETフィルム上に平坦化材料(ザ・インクテック(株)製 UV硬化樹脂IP−MP402)を塗布した。塗布条件は、後述する処理後の膜厚みが1μmとなるように設定した。PETフィルムの温度は25℃とした。
Next, the gate valve between the deposition target stock chamber and the vacuum deposition chamber and the gate valve between the vacuum deposition chamber and the coating deposition chamber are opened, and the PET film is removed from the deposition target stock chamber. It was transferred onto a stage in the coating film forming chamber. This conveyance was carried out by carrying the PET film on a carrier capable of carrying the film in a state where the PET film was tensioned, and carrying the PET film and the carrier integrally by arm conveyance.
Next, a planarizing material (UV curable resin IP-MP402 manufactured by The Inktec Co., Ltd.) was applied on the PET film under reduced pressure using a rotary spray coating apparatus. The coating conditions were set so that the film thickness after treatment described later was 1 μm. The temperature of the PET film was 25 ° C.

次に、平坦化膜が形成されたPETフィルムを真空成膜室に搬送して、ステージ上に載置した。この搬送は、PETフィルムとキャリアを一体でアーム搬送により行なった。その後、ステージを加熱してPETフィルムの温度を140℃まで上げ、マグネトロンスパッタリング装置を用いて酸化珪素膜(厚み150nm)を平坦化膜上に成膜した。この成膜では、成膜圧力を0.25Paとし、アルゴンガスと酸素ガスを用い、酸素分圧10%、投入電力2kWとした。
上記のようにして、PETフィルム上に平坦化膜と酸化珪素膜を重層成膜して機能膜を形成した。
形成した機能膜について、実施例1の機能膜の評価1と同様に80点の測定点を設定し、この測定点について、実施例2と同様に、表面平滑性測定、ガスバリア性測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表2に示した。
Next, the PET film on which the planarizing film was formed was transported to a vacuum film forming chamber and placed on the stage. This conveyance was performed by arm conveyance of the PET film and the carrier integrally. Thereafter, the stage was heated to raise the temperature of the PET film to 140 ° C., and a silicon oxide film (thickness 150 nm) was formed on the planarizing film using a magnetron sputtering apparatus. In this film formation, the film formation pressure was 0.25 Pa, argon gas and oxygen gas were used, the oxygen partial pressure was 10%, and the input power was 2 kW.
As described above, a planarizing film and a silicon oxide film were stacked on the PET film to form a functional film.
For the formed functional film, 80 measurement points were set in the same manner as in the evaluation 1 of the functional film in Example 1, and the surface smoothness measurement, gas barrier property measurement, total light beam were measured for these measurement points in the same manner as in Example 2. The transmittance was measured and the results are shown in Table 2 below.

次に、平坦化膜が形成されたPETフィルムを真空成膜室に搬送して、ステージ上に載置した。この搬送は、PETフィルムとキャリアを一体でアーム搬送により行なった。その後、ステージを加熱してPETフィルムの温度を140℃まで上げ、マグネトロンスパッタリング装置を用いて酸化珪素膜(厚み150nm)を平坦化膜上に成膜した。この成膜では、成膜圧力を0.25Paとし、アルゴンガスと酸素ガスを用い、酸素分圧10%、投入電力2kWとした。
上記のようにして、PETフィルム上に平坦化膜とITO膜を重層成膜して機能膜を形成した。
形成した機能膜について、実施例1の機能膜の評価1と同様に80点の測定点を設定し、この測定点について、実施例2と同様に、表面平滑性測定、ガスバリア性測定、全光線透過率測定を行い、結果を下記の表2に示した。
Next, the PET film on which the planarizing film was formed was transported to a vacuum film forming chamber and placed on the stage. This conveyance was performed by arm conveyance of the PET film and the carrier integrally. Thereafter, the stage was heated to raise the temperature of the PET film to 140 ° C., and a silicon oxide film (thickness 150 nm) was formed on the planarizing film using a magnetron sputtering apparatus. In this film formation, the film formation pressure was 0.25 Pa, argon gas and oxygen gas were used, the oxygen partial pressure was 10%, and the input power was 2 kW.
As described above, a functional film was formed by stacking a planarizing film and an ITO film on a PET film.
For the formed functional film, 80 measurement points were set in the same manner as in the evaluation 1 of the functional film in Example 1, and the surface smoothness measurement, gas barrier property measurement, total light beam were measured for these measurement points in the same manner as in Example 2. The transmittance was measured and the results are shown in Table 2 below.

Figure 0004580636
Figure 0004580636

表2に示されるように、本発明により成膜された機能膜(実施例2)は、表面平滑性、ガスバリア性、および、全光線透過率のいずれも実用レベルにあった。
しかし、大気圧下での塗工成膜を行って形成された機能膜(比較例3)は、表面平滑性、ガスバリア性、および、全光線透過率のいずれも実用レベルに満たないものであった。
また、減圧下での塗工成膜後、一旦大気開放を行って形成された機能膜(比較例4)も、表面平滑性、ガスバリア性、および、全光線透過率は、いずれも実用レベルに満たないものであった。
As shown in Table 2, the functional film (Example 2) formed according to the present invention had practically all the surface smoothness, gas barrier property, and total light transmittance.
However, the functional film (Comparative Example 3) formed by performing the coating film formation under atmospheric pressure has a surface smoothness, a gas barrier property, and a total light transmittance that are less than the practical level. It was.
In addition, the functional film (Comparative Example 4) formed by once releasing the atmosphere after coating film formation under reduced pressure has all the surface smoothness, gas barrier property, and total light transmittance at practical levels. It was less than that.

種々の用途の機能膜の製造に利用することができる。   It can be used for the production of functional films for various uses.

本発明の成膜装置の一実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows one Embodiment of the film-forming apparatus of this invention. 連設されている両室の圧力差を維持するための手段の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the means for maintaining the pressure difference of the both chambers provided in series. 連設されている両室の圧力差を維持するための手段の他の例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the other example of the means for maintaining the pressure difference of the both chambers provided continuously. 本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows other embodiment of the film-forming apparatus of this invention. 本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows other embodiment of the film-forming apparatus of this invention. 本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows other embodiment of the film-forming apparatus of this invention. 本発明の成膜装置の他の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows other embodiment of the film-forming apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,51,101,201…成膜装置
4,54,104,204,207…真空成膜室
6,56,106,205,208…塗工成膜室
7,55,57,105,107,206,209…処理室
8,9,210A,210B,210C,210D,210E…ゲートバルブ
12,14,16,111,122,132,142,136,212,214,216,218,220…排気ポンプ
42,84,88,134,138,252,282…処理装置
45,71,81,85,89,91,121,131,135,139,141,255,285…仕切り板
65,115…搬送機構
S…被成膜体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,51,101,201 ... Film-forming apparatus 4,54,104,204,207 ... Vacuum film-forming chamber 6,56,106,205,208 ... Coating film-forming chamber 7,55,57,105,107, 206, 209 ... processing chamber 8, 9, 210A, 210B, 210C, 210D, 210E ... gate valve 12, 14, 16, 111, 122, 132, 142, 136, 212, 214, 216, 218, 220 ... exhaust pump 42,84,88,134,138,252,282 ... Processing devices 45,71,81,85,89,91,121,131,135,139,141,255,285 ... Partition plates 65,115 ... Conveying mechanism S: Film formation target

Claims (17)

個別の板状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、
少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記塗工成膜室は、前記被成膜体を載置するためのステージを備え、かつ、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の被成膜面と水平な方向に位置する排気口、または、前記被成膜体の被成膜面と反対側に位置する排気口を備えることを特徴とする成膜装置。
In a film forming apparatus for forming a multi-layer film on individual plate-shaped deposition target bodies,
At least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, at least one coating film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum A transport mechanism capable of transporting the film-forming body between the film-forming chamber and the coating film-forming chamber under a reduced pressure condition, and the coating film-forming chamber mounts the film-forming body An exhaust port that is provided in a direction parallel to the film formation surface of the film formation body, and includes at least one of a spray coating apparatus and a rotary spray coating apparatus as a coating apparatus. or film forming apparatus according to claim Rukoto an exhaust port located on the side opposite to the deposition surface of the film formation target object.
個別の立体形状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、In a film forming apparatus for forming a multi-layer film on an individual three-dimensionally shaped film formation target,
少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記塗工成膜室は、前記被成膜体を載置するためのステージを備え、かつ、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体を介して前記塗工装置の塗工用ヘッドの反対側に位置する排気口、または、前記被成膜体を載置する前記ステージの反対面側に位置する排気口を備えることを特徴とする成膜装置。At least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, at least one coating film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum A transport mechanism capable of transporting the film-forming body between the film-forming chamber and the coating film-forming chamber under a reduced pressure condition, and the coating film-forming chamber mounts the film-forming body And at least one of a spray coating device and a rotary spray coating device as a coating device, and opposite to the coating head of the coating device via the film-forming body A film forming apparatus comprising: an exhaust port located on a side of the substrate, or an exhaust port located on the opposite side of the stage on which the film formation target is placed.
前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、両室の圧力差を維持するための手段を介して連設された独立の成膜室であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜装置。 It said vacuum deposition chamber and the coating deposition chamber, according to claim 1 or claim characterized in that it is a film forming chamber of independent, which is continuously provided through the means for maintaining the pressure difference between the two chambers 2. The film forming apparatus according to 2 . 前記真空成膜室および/または前記塗工成膜室には、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を備える処理室が併設されていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。 Wherein the vacuum deposition chamber and / or said coating deposition chamber, a heat source, an ultraviolet irradiation apparatus, an electron beam irradiation apparatus, wherein, wherein the processing chamber comprises at least one plasma irradiation device is juxtaposed Item 4. The film forming apparatus according to Item 3 . 前記処理室は、前記真空成膜室、前記塗工成膜室と仕切り板により隔離され、該処理室内を減圧するための排気ポンプを備えることを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。 5. The film forming apparatus according to claim 4 , wherein the processing chamber is separated from the vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber by a partition plate, and includes an exhaust pump for decompressing the processing chamber. . 前記搬送機構は、個別の被成膜体を搬送するためのコンベアー、リフト、ハンドの少なくとも1種を有することを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれかに記載の成膜装置。 The transport mechanism, conveyor for conveying the individual deposition target object, a lift, film forming apparatus according to any one of claims 3 to 5 characterized in that it has at least one hand. 長尺状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、In a film forming apparatus for forming a multi-layer film on a long film-formed body,
少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記搬送機構は、被成膜体を搬送するための複数のローラーを有し、前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、被成膜体の搬送経路に沿って配置されており、前記塗工成膜室は、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の搬送方向の下流側あるいは上流側に位置する排気口を備えることを特徴とする成膜装置。At least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, at least one coating film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum A transport mechanism capable of transporting the film-forming body between the film-forming chamber and the coating film-forming chamber under reduced pressure, and the transport mechanism includes a plurality of transport mechanisms for transporting the film-forming body. The vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber are disposed along a transport path of the film formation target, and the coating film forming chamber is a spray coating apparatus as a coating apparatus. And a rotary spray coating apparatus, and an exhaust port located on the downstream side or the upstream side in the transport direction of the deposition target.
長尺状の被成膜体に重層成膜するための成膜装置において、In a film forming apparatus for forming a multi-layer film on a long film-formed body,
少なくとも1つの真空成膜室と、該真空成膜室内を減圧するための排気ポンプと、少なくとも1つの塗工成膜室と、該塗工成膜室内を減圧するための排気ポンプと、前記真空成膜室と前記塗工成膜室との間で被成膜体を減圧条件下で搬送可能な搬送機構と、を少なくとも備え、前記搬送機構は、被成膜体を搬送するための複数のローラーを有し、前記真空成膜室および前記塗工成膜室は、被成膜体の搬送経路に沿って配置されており、前記塗工成膜室は、塗工装置としてスプレー塗工装置および回転スプレー塗工装置の少なくとも1種を備えるとともに、前記被成膜体の被成膜面側に位置する排気口を備え、さらに、該排気口と前記塗工装置の塗工用ヘッドとの間に整流板を備えることを特徴とする成膜装置。At least one vacuum film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the vacuum film forming chamber, at least one coating film forming chamber, an exhaust pump for depressurizing the coating film forming chamber, and the vacuum A transport mechanism capable of transporting the film-forming body between the film-forming chamber and the coating film-forming chamber under reduced pressure, and the transport mechanism includes a plurality of transport mechanisms for transporting the film-forming body. The vacuum film forming chamber and the coating film forming chamber are disposed along a transport path of the film formation target, and the coating film forming chamber is a spray coating apparatus as a coating apparatus. And an at least one type of rotary spray coating apparatus, an exhaust port positioned on the film forming surface side of the film forming body, and an exhaust port and a coating head of the coating apparatus A film forming apparatus comprising a current plate in between.
前記真空成膜室および/または前記塗工成膜室の被成膜体の搬送方向下流側には、熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を備える処理室が配置されていることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の成膜装置。 A processing chamber provided with at least one of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device is provided downstream of the vacuum film formation chamber and / or the coating film formation chamber in the transport direction of the film formation target. The film forming apparatus according to claim 7 , wherein the film forming apparatus is disposed. 前記処理室は、前記真空成膜室、前記塗工成膜室と仕切り板により隔離され、該処理室内を減圧するための排気ポンプを備えることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 9 , wherein the processing chamber is separated from the vacuum film forming chamber, the coating film forming chamber, and a partition plate, and includes an exhaust pump for decompressing the processing chamber. . 被成膜体の搬送経路に沿って真空成膜室、塗工成膜室、処理室の順に配置されていることを特徴とする請求項3乃至請求項6、請求項9および請求項10のいずれかに記載の成膜装置。 Vacuum deposition chamber along a conveying path of the deposition material, the coating deposition chamber, claims 3 to 6, characterized in that it is arranged in the order of the processing chamber, according to claim 9 and claim 10 The film-forming apparatus in any one. 前記真空成膜室は、蒸着成膜装置、スパッタリング成膜装置、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置の少なくとも1種を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の成膜装置。 The vacuum film forming chamber includes a vapor deposition film forming apparatus, a sputtering film forming apparatus, an ion plating film forming apparatus, an ion beam assist film forming apparatus, a cluster ion beam film forming apparatus, a plasma CVD film forming apparatus, a plasma polymerization film forming apparatus, thermal CVD film-forming apparatus, film formation apparatus according to any one of claims 1 to 11, characterized in that it comprises at least one catalytic reaction type CVD system. 所望の機能を発現する機能膜を形成するための成膜方法において、
被成膜体に対して、真空成膜法による成膜と減圧条件下での塗工成膜法による成膜とからなる重層成膜を行い、かつ、成膜の開始から完了まで被成膜体を減圧条件下に置き、
前記塗工成膜法による成膜は、スプレー塗工方式または回転スプレー塗工方式であり、減圧するための排気ポンプの作動によって塗工成膜室内に生じる気流を利用して塗工材料の滞留時間および滞留量を制御することを特徴とする成膜方法。
In a film forming method for forming a functional film that expresses a desired function,
A multi-layer film is formed on the object to be formed by vacuum film formation and film formation by coating film formation under reduced pressure, and the film is formed from the start to the end of film formation. Place the body under reduced pressure,
The film formation by the coating film forming method is a spray coating method or a rotary spray coating method, and the retention of the coating material by using the air flow generated in the coating film forming chamber by the operation of the exhaust pump for reducing the pressure. A film forming method characterized by controlling time and a residence amount .
熱源、紫外線照射装置、電子線照射装置、プラズマ照射装置の少なくとも1種を用いて、成膜された材料を硬化させ、あるいは、成膜された材料から溶剤または水を除去し、あるいは、成膜された膜の特性を改質することを特徴とする請求項13に記載の成膜方法。 Using at least one of a heat source, an ultraviolet irradiation device, an electron beam irradiation device, and a plasma irradiation device, the formed material is cured, or the solvent or water is removed from the formed material, or the film is formed. The film forming method according to claim 13 , wherein the characteristics of the formed film are modified. 前記真空成膜法による成膜は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD法、プラズマ重合法、熱CVD法、触媒反応型CVD法のいずれかであることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の成膜方法。 Film formation by the vacuum film formation method is any of vapor deposition method, sputtering method, ion plating method, ion beam assist method, cluster ion beam method, plasma CVD method, plasma polymerization method, thermal CVD method, catalytic reaction type CVD method. 15. The film forming method according to claim 13 or 14 , wherein 真空成膜法による成膜を行った後に、減圧条件下での塗工成膜法による成膜を行い、その後、膜硬化を施すことを特徴とする請求項13乃至請求項15のいずれかに記載の成膜方法。 16. The film formation according to any one of claims 13 to 15, characterized in that after film formation by a vacuum film formation method, film formation by a coating film formation method under reduced pressure conditions is performed, and then film hardening is performed. The film-forming method of description. 成膜する機能膜が、着色膜、遮光膜、透明膜、半透明膜、高反射膜、反射防止膜、光学干渉膜、高輝度膜、導電膜、絶縁膜、パッシベーション膜、ガスバリア膜、ガス選択透過膜、保護膜、硬質膜、高密度膜、剥離膜、平均化膜、粗面化膜の少なくとも1種の機能を有する機能膜であることを特徴とする請求項13乃至請求項16のいずれかに記載の成膜方法。 Functional films to be formed are colored film, light shielding film, transparent film, translucent film, highly reflective film, antireflection film, optical interference film, high brightness film, conductive film, insulating film, passivation film, gas barrier film, gas selection any transmission film, protective film, a hard film, a high density film, release layer, averaging film of claim 13 to claim 16, characterized in that a functional film having at least one function of the roughened film A film forming method according to claim 1.
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