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JP4578168B2 - Method for manufacturing solid-state imaging device - Google Patents

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JP4578168B2
JP4578168B2 JP2004215048A JP2004215048A JP4578168B2 JP 4578168 B2 JP4578168 B2 JP 4578168B2 JP 2004215048 A JP2004215048 A JP 2004215048A JP 2004215048 A JP2004215048 A JP 2004215048A JP 4578168 B2 JP4578168 B2 JP 4578168B2
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Description

本発明は、配線基板上に撮像用の固体イメージセンサを搭載して携帯機器等に組込まれ、その固体イメージセンサを用いて被写体の撮像が可能な固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a solid-state imaging device that mounts a solid-state image sensor for imaging on a wiring board and is incorporated in a portable device or the like and is capable of imaging a subject using the solid-state image sensor, and a manufacturing method thereof.

従来から、撮像装置として、配線基板上に撮像用の固体イメージセンサである例えばＣＣＤイメージセンサあるいはＣＭＯＳイメージセンサを搭載し、それらの固体イメージセンサを用いて被写体の撮像が可能な固体撮像装置が、ビデオカメラやデジタルカメラなどの撮像機器等に組込まれ広く利用されており、特に近年では、携帯電話などの小型携帯機器等にも組込まれるまでになってきている。   Conventionally, as an imaging device, for example, a CCD image sensor or a CMOS image sensor which is a solid-state image sensor for imaging is mounted on a wiring board, and a solid-state imaging device capable of imaging a subject using those solid-state image sensors is provided. It has been incorporated into imaging devices such as video cameras and digital cameras and widely used, and in recent years, it has recently been incorporated into small portable devices such as mobile phones.

このような固体撮像装置は、通常、配線基板上に、撮像用の固体イメージセンサである例えばＣＣＤイメージセンサあるいはＣＭＯＳイメージセンサと、それらの固体イメージセンサを駆動したり固体イメージセンサからの信号を演算処理したりするＩＣチップと、そのような駆動および信号処理時の電流や電圧信号を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子とが搭載された状態で構成されている。   Such a solid-state imaging device is usually a solid-state image sensor for imaging such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor on a wiring board, and drives the solid-state image sensor or calculates a signal from the solid-state image sensor. An IC chip to be processed and a passive element such as a resistor, a capacitor and a coil for adjusting current and voltage signals during such driving and signal processing are mounted.

以上のような従来の固体撮像装置およびその製造方法（例えば、特許文献１等を参照）について、図面を参照しながら以下に説明する。
（従来例１）
図１は従来の固体撮像装置の構造例（１）を示す断面図である。図１において、８００は配線パターン８０１が形成された配線基板、８０２は撮像用イメージセンサであるＣＣＤイメージセンサ、８０３はＣＣＤイメージセンサ８０２に対して信号処理するためのＤＳＰ用ＩＣチップ、８０４はＣＣＤイメージセンサ８０２に対して電源供給するための電源用ＩＣチップ、８０５はＣＣＤイメージセンサ８０２に対して駆動制御するための駆動用ＩＣチップ、８０６、８０７は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、８０８は容器状で被写体からの光が通過するための開口部８０９を有し配線パターン８１０が形成されＣＣＤイメージセンサ８０２が収容実装されるパッケージ用成形基板（１）、８１１は容器状で配線パターン８１２が形成されＤＳＰ用ＩＣチップ８０３や電源用ＩＣチップ８０４や駆動用ＩＣチップ８０５等の複数のＩＣチップが収容実装されるパッケージ用成形基板（２）、８１３は防塵用のカバーガラス、８１４はレンズ８１５およびレンズ保持筒８１６からなるレンズ鏡筒部である。 The conventional solid-state imaging device and the manufacturing method thereof (see, for example, Patent Document 1) will be described below with reference to the drawings.
(Conventional example 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structural example (1) of a conventional solid-state imaging device. In FIG. 1, 800 is a wiring board on which a wiring pattern 801 is formed, 802 is a CCD image sensor which is an image sensor for imaging, 803 is a DSP IC chip for processing signals to the CCD image sensor 802, and 804 is a CCD. A power supply IC chip for supplying power to the image sensor 802, 805 is a drive IC chip for driving and controlling the CCD image sensor 802, 806 and 807 are currents of signals during driving and signal processing, Resistors for adjusting voltage, passive elements such as capacitors and coils, 808 is a container and has an opening 809 for light from a subject to pass therethrough, a wiring pattern 810 is formed, and a CCD image sensor 802 is housed and mounted. Molded substrate for package (1), 811 is a container and a wiring pattern 812 is formed A package molding substrate (2) on which a plurality of IC chips such as a DSP IC chip 803, a power supply IC chip 804 and a driving IC chip 805 are accommodated and mounted, 813 is a dust-proof cover glass, 814 is a lens 815 and This is a lens barrel portion including a lens holding cylinder 816.

上記の固体撮像装置では、図１に示すように、パッケージ用成形基板（１）８０８の内部に、ＣＣＤイメージセンサ８０２を、その受光領域８１７に被写体光がパッケージ用成形基板（１）８０８の開口部８０９を通して入射可能なように配置して、パッケージ用成形基板（１）８０８とＣＣＤイメージセンサ８０２とを一体化してイメージセンサパッケージ８１８を構成するとともに、パッケージ用成形基板（２）８１１の内部に、ＤＳＰ用ＩＣチップ８０３や電源用ＩＣチップ８０４や駆動用ＩＣチップ８０５を横並びに配置して、パッケージ用成形基板（２）８１１とＤＳＰ用ＩＣチップ８０３や電源用ＩＣチップ８０４や駆動用ＩＣチップ８０５とを一体化してＩＣチップパッケージ８１９を構成し、パッケージ用成形基板（１）８０８を、その配線パターン８１０とパッケージ用成形基板（２）８１１上の配線パターン８２０とをハンダ付け等により電気的に接続して、パッケージ用成形基板（２）８１１上に搭載し、さらに、パッケージ用成形基板（２）８１１を、その配線パターン８１２と配線基板８００上の配線パターン８０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板８００上に搭載した状態に構成されている。   In the above-described solid-state imaging device, as shown in FIG. 1, a CCD image sensor 802 is placed inside a package molded substrate (1) 808, and subject light is opened in the light receiving area 817 of the package molded substrate (1) 808. The package forming substrate (1) 808 and the CCD image sensor 802 are integrated to form an image sensor package 818, and arranged inside the package forming substrate (2) 811. The DSP IC chip 803, the power supply IC chip 804, and the drive IC chip 805 are arranged side by side, and the package molding substrate (2) 811 and the DSP IC chip 803, the power supply IC chip 804, and the drive IC chip are arranged. 805 is integrated with each other to form an IC chip package 819, and a molded substrate for package (1) 8 8 is mounted on the molding substrate (2) 811 by electrically connecting the wiring pattern 810 and the wiring pattern 820 on the molding substrate (2) 811 by soldering or the like. The molded substrate (2) 811 is configured to be mounted on the wiring board 800 by electrically connecting the wiring pattern 812 and the wiring pattern 801 on the wiring board 800 by soldering or the like.

ここでは、ＣＣＤイメージセンサ８０２およびＤＳＰ用ＩＣチップ８０３や電源用ＩＣチップ８０４や駆動用ＩＣチップ８０５としてフリップボンディング型を使用し、パッケージ用成形基板（１）８０８およびパッケージ用成形基板（２）８１１は、それぞれ材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、それらの配線パターン８１０、８１２によりパッケージ用成形基板（１）８０８およびパッケージ用成形基板（２）８１１の内部の電子部品を配線し、それぞれ配線パターン８１０、８１２により配線した電子部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、電子部品をパッケージ用成形基板（１）８０８およびパッケージ用成形基板（２）８１１内に固着している。   Here, flip-bonding molds are used as the CCD image sensor 802, the DSP IC chip 803, the power supply IC chip 804, and the driving IC chip 805, and the package molding substrate (1) 808 and the package molding substrate (2) 811 are used. Are molded bodies formed by die molding using ceramics as materials, and electronic components inside the package molded substrate (1) 808 and the package molded substrate (2) 811 are formed by their wiring patterns 810 and 812, respectively. Are cured while the sealing resin is filled in the gaps between the electronic components wired by the wiring patterns 810 and 812, respectively, so that the electronic components are molded into the package molded substrate (1) 808 and the package molded substrate ( 2) Fixed inside 811.

以上のような固体撮像装置について、その製造方法例を図面を用いて以下に説明する。
まず、図３に示すように、（ａ）パッケージ用成形基板（２）８１１内で、その配線パターン８１２に、電源用ＩＣチップ８０４とＤＳＰ用ＩＣチップ８０３と駆動用ＩＣチップ８０５を、それぞれフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）パッケージ用成形基板（２）８１１と電源用ＩＣチップ８０４とＤＳＰ用ＩＣチップ８０３と駆動用ＩＣチップ８０５との間に、ノズル８２５から封止樹脂８２６を注入して、パッケージ用成形基板（２）８１１と電源用ＩＣチップ８０４とＤＳＰ用ＩＣチップ８０３と駆動用ＩＣチップ８０５との隙間に充填し、ＩＣチップパッケージ８１９とする。（ｃ）パッケージ用成形基板（１）８０８内で、ＣＣＤイメージセンサ８０２を、その受光領域８１７が開口部８０９内に位置するように配置した状態で、配線パターン８１０との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｄ）開口部８０９から受光領域８１７を含む範囲に紫外線８２７を照射しながら、パッケージ用成形基板（１）８０８とＣＣＤイメージセンサ８０２との間にノズル８２５から封止用樹脂８２６を注入して、ＣＣＤイメージセンサ８０２とパッケージ用成形基板（１）８０８との隙間に充填し、イメージセンサパッケージ８１８とする。この充填の際には、受光領域８１７の周囲の封止用樹脂８２６は、紫外線８２７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂８２６が充填中に開口部８０９から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップパッケージ８１９およびイメージセンサパッケージ８１８をそれぞれ一部品として製造する。 An example of a method for manufacturing the above-described solid-state imaging device will be described below with reference to the drawings.
First, as shown in FIG. 3, (a) flip the IC chip 804 for power supply, the IC chip 803 for DSP, and the IC chip 805 for driving to the wiring pattern 812 in the package molding substrate (2) 811, respectively. Electrical connection by bonding. (B) Molded substrate for package (2) 811, power supply IC chip 804, DSP IC chip 803, and driving IC chip 805 are injected between nozzle 825 and molding resin for package (2) 811, the power supply IC chip 804, the DSP IC chip 803, and the driving IC chip 805 are filled to form an IC chip package 819. (C) In the package molded substrate (1) 808, the CCD image sensor 802 is electrically connected by flip bonding to the wiring pattern 810 in a state where the light receiving region 817 is positioned in the opening 809. Connect. (D) A resin 826 for sealing is injected from the nozzle 825 between the molded substrate for package (1) 808 and the CCD image sensor 802 while irradiating ultraviolet light 827 to the range including the light receiving region 817 from the opening 809. Then, a gap between the CCD image sensor 802 and the package forming substrate (1) 808 is filled to form an image sensor package 818. At the time of filling, the sealing resin 826 around the light receiving region 817 is cured faster than the other portions by irradiation with the ultraviolet rays 827, so that the opening portion 809 is filled while the other portion of the sealing resin 826 is filled. Never flow out of. (E) Through the steps (a) to (d), the IC chip package 819 and the image sensor package 818 are each manufactured as one component.

次に、図４に示すように、（ａ）イメージセンサパッケージ８１８のパッケージ用成形基板（１）８０８に、その開口部８０９を閉塞するように、カバーガラス８１３を接着等により取り付ける。（ｂ）ＩＣチップパッケージ８１９のパッケージ用成形基板（２）８１１を、その配線パターン８１２により、ＤＳＰ用ＩＣチップ８０３と電源用ＩＣチップ８０４と駆動用ＩＣチップ８０５が配線基板８００に対向する方向に、配線基板８００の配線パターン８０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ｂ）の工程により配線基板８００上に取り付けられたＩＣチップパッケージ８１９のパッケージ用成形基板（２）８１１に、上記（ａ）の工程によりカバーガラス８１３が取り付けられたイメージセンサパッケージ８１８のパッケージ用成形基板（１）８０８を、その配線パターン８１０とパッケージ用成形基板（２）８１１上の配線パターン８２０との間をハンダ付け等により電気的に接続することにより、取り付けるとともに、ＩＣチップパッケージ８１９のパッケージ用成形基板（２）８１１に、その配線パターン８２０とのハンダ付け等により受動素子８０６を電気的に接続する。（ｄ）上記（ｃ）の工程により配線基板８００上にＩＣチップパッケージ８１９を介して取り付けられたイメージセンサパッケージ８１８のパッケージ用成形基板（１）８０８に、カバーガラス８１３を覆うように、レンズ鏡筒部８１４を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板８００上に、レンズ鏡筒部８１４が取り付けられたイメージセンサパッケージ８１８とＩＣチップパッケージ８１９とを積層して取り付けることにより、図１に示す固体撮像装置を製造する。
（従来例２）
図２は従来の固体撮像装置の構造例（２）を示す断面図である。図２において、８５０は配線パターン８５１が形成された配線基板、８５２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、８５３はＣＭＯＳイメージセンサ８５２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、８５６、８５７は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、８５８は容器状で被写体からの光が通過するための開口部８５９を有し配線パターン８６０が形成されＣＭＯＳイメージセンサ８５２が収容実装されるパッケージ用成形基板（１）、８６１は容器状で配線パターン８６２が形成されＩＣチップ８５３が収容実装されるパッケージ用成形基板（２）、８６３は防塵用のカバーガラス、８６４はレンズ８６５およびレンズ保持筒８６６からなるレンズ鏡筒部である。 Next, as shown in FIG. 4, (a) a cover glass 813 is attached to the package molding substrate (1) 808 of the image sensor package 818 by adhesion or the like so as to close the opening 809. (B) The package molding substrate (2) 811 of the IC chip package 819 is arranged in a direction in which the DSP IC chip 803, the power supply IC chip 804, and the driving IC chip 805 are opposed to the wiring substrate 800 by the wiring pattern 812. Then, it is electrically connected to the wiring pattern 801 of the wiring board 800 by soldering or the like. (C) An image sensor package in which a cover glass 813 is attached by the step (a) to the package forming substrate (2) 811 of the IC chip package 819 attached to the wiring substrate 800 by the step (b). The 818 package molded substrate (1) 808 is attached by electrically connecting the wiring pattern 810 and the wiring pattern 820 on the package molded substrate (2) 811 by soldering or the like, and the IC The passive element 806 is electrically connected to the package forming substrate (2) 811 of the chip package 819 by soldering with the wiring pattern 820 or the like. (D) A lens mirror so as to cover the cover glass 813 on the package molding substrate (1) 808 of the image sensor package 818 attached to the wiring substrate 800 via the IC chip package 819 in the step (c). The tube portion 814 is attached by adhesion or the like. (E) Through the steps (a) to (d) described above, the image sensor package 818 having the lens barrel portion 814 attached thereto and the IC chip package 819 are stacked and attached onto the wiring substrate 800. 1 is manufactured.
(Conventional example 2)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structural example (2) of the conventional solid-state imaging device. In FIG. 2, reference numeral 850 denotes a wiring board on which a wiring pattern 851 is formed, 852 denotes a CMOS image sensor that is an image sensor for imaging, 853 denotes an IC chip such as a DSP for driving and signal processing the CMOS image sensor 852, 856 and 857 are resistors for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, passive elements such as capacitors and coils, and 858 is a container and has an opening 859 through which light from the subject passes. The package molding substrate (1) on which the wiring pattern 860 is formed and the CMOS image sensor 852 is accommodated and mounted. The package molding substrate (2) 861 is a container and the wiring pattern 862 is formed and the IC chip 853 is accommodated and mounted. 863 is a dustproof cover glass, 864 is a lens 865 and a lens holding cylinder 866. A Ranaru lens barrel.

上記の固体撮像装置では、図１に示すように、パッケージ用成形基板（１）８５８の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ８５２を、その受光領域８６７に被写体光がパッケージ用成形基板（１）８５８の開口部８５９を通して入射可能なように配置して、パッケージ用成形基板（１）８５８とＣＭＯＳイメージセンサ８５２とを一体化してイメージセンサパッケージ８６８を構成するとともに、パッケージ用成形基板（２）８６１の内部に、ＩＣチップ８５３を配置して、パッケージ用成形基板（２）８６１とＩＣチップ８５３とを一体化してＩＣチップパッケージ８６９を構成し、パッケージ用成形基板（１）８５８を、その配線パターン８６０とパッケージ用成形基板（２）８６１上の配線パターン８７０とをハンダ付け等により電気的に接続して、パッケージ用成形基板（２）８６１上に搭載し、さらに、パッケージ用成形基板（２）８６１を、その配線パターン８６２と配線基板８５０上の配線パターン８５１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板８５０上に搭載した状態に構成されている。   In the above solid-state imaging device, as shown in FIG. 1, the CMOS image sensor 852 is placed inside the package molding substrate (1) 858, and the subject light is opened in the light receiving region 867 of the package molding substrate (1) 858. The package molded substrate (1) 858 and the CMOS image sensor 852 are integrated to form an image sensor package 868, and arranged so as to be incident through the portion 859, and inside the package molded substrate (2) 861. The IC chip 853 is arranged, the package molding substrate (2) 861 and the IC chip 853 are integrated to form an IC chip package 869, and the package molding substrate (1) 858 is connected to the wiring pattern 860 and the package. The wiring pattern 870 on the molded substrate (2) 861 is electrically connected by soldering or the like Subsequently, it is mounted on the molded substrate for package (2) 861, and further, the molded substrate for package (2) 861 is electrically connected to the wiring pattern 862 and the wiring pattern 851 on the wiring substrate 850 by soldering or the like. And mounted on the wiring board 850.

ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ８５２およびＩＣチップ８５３としてフリップボンディング型を使用し、パッケージ用成形基板（１）８５８およびパッケージ用成形基板（２）８６１は、それぞれ材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、それらの配線パターン８６０、８６２によりパッケージ用成形基板（１）８５８およびパッケージ用成形基板（２）８６１の内部の電子部品を配線し、それぞれ配線パターン８６０、８６２により配線した電子部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、電子部品をパッケージ用成形基板（１）８５８およびパッケージ用成形基板（２）８６１内に固着している。   Here, flip-bonding molds are used as the CMOS image sensor 852 and the IC chip 853, and the package molding substrate (1) 858 and the package molding substrate (2) 861 are each formed by die molding using ceramic as a material. The electronic components inside the package molding substrate (1) 858 and the package molding substrate (2) 861 are wired by the wiring patterns 860 and 862, and the wirings are wired by the wiring patterns 860 and 862, respectively. The electronic component is fixed in the package molded substrate (1) 858 and the package molded substrate (2) 861 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the components.

以上のような固体撮像装置について、その製造方法例を図面を用いて以下に説明する。
まず、図５に示すように、（ａ）パッケージ用成形基板（２）８６１内で、その配線パターン８６２に、ＩＣチップ８５３を、フリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）パッケージ用成形基板（２）８６１とＩＣチップ８５３との間に、ノズル８７５から封止樹脂８７６を注入して、パッケージ用成形基板（２）８６１とＩＣチップ８５３との隙間に充填し、ＩＣチップパッケージ８６９とする。（ｃ）パッケージ用成形基板（１）８５８内で、ＣＭＯＳイメージセンサ８５２を、その受光領域８６７が開口部８５９内に位置するように配置した状態で、配線パターン８６０との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｄ）開口部８５９から受光領域８６７を含む範囲に紫外線８７７を照射しながら、パッケージ用成形基板（１）８５８とＣＭＯＳイメージセンサ８５２との間にノズル８７５から封止用樹脂８７６を注入して、ＣＭＯＳイメージセンサ８５２とパッケージ用成形基板（１）８５８との隙間に充填し、イメージセンサパッケージ８６８とする。この充填の際には、受光領域８６７の周囲の封止用樹脂８７６は、紫外線８７７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂８７６が充填中に開口部８５９から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップパッケージ８６９およびイメージセンサパッケージ８６８をそれぞれ一部品として製造する。 An example of a method for manufacturing the above-described solid-state imaging device will be described below with reference to the drawings.
First, as shown in FIG. 5, (a) an IC chip 853 is electrically connected to the wiring pattern 862 by flip bonding in a package molding substrate (2) 861. (B) The sealing resin 876 is injected from the nozzle 875 between the package molding substrate (2) 861 and the IC chip 853 to fill the gap between the package molding substrate (2) 861 and the IC chip 853. IC chip package 869. (C) In the package molded substrate (1) 858, the CMOS image sensor 852 is electrically connected by flip bonding to the wiring pattern 860 in a state where the light receiving region 867 is positioned in the opening 859. Connect. (D) A resin 876 for sealing is injected from the nozzle 875 between the molded substrate for package (1) 858 and the CMOS image sensor 852 while irradiating the range including the light receiving region 867 from the opening 859 with ultraviolet rays 877. Then, the gap between the CMOS image sensor 852 and the package forming substrate (1) 858 is filled to form an image sensor package 868. At the time of filling, the sealing resin 876 around the light receiving region 867 is cured faster than the other portions by the irradiation of the ultraviolet rays 877, so that the opening 859 is filled while the other portion of the sealing resin 876 is being filled. Never flow out of. (E) Through the steps (a) to (d), the IC chip package 869 and the image sensor package 868 are each manufactured as one component.

次に、図６に示すように、（ａ）イメージセンサパッケージ８６８のパッケージ用成形基板（１）８５８に、その開口部８５９を閉塞するように、カバーガラス８６３を接着等により取り付ける。（ｂ）ＩＣチップパッケージ８６９のパッケージ用成形基板（２）８６１を、その配線パターン８６２により、ＩＣチップ８５３が配線基板８５０に対向する方向に、配線基板８５０の配線パターン８５１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ｂ）の工程により配線基板８５０上に取り付けられたＩＣチップパッケージ８６９のパッケージ用成形基板（２）８６１に、上記（ａ）の工程によりカバーガラス８６３が取り付けられたイメージセンサパッケージ８６８のパッケージ用成形基板（１）８５８を、その配線パターン８６０とパッケージ用成形基板（２）８６１上の配線パターン８７０との間をハンダ付け等により電気的に接続することにより、取り付けるとともに、ＩＣチップパッケージ８６９のパッケージ用成形基板（２）８６１に、その配線パターン８７０とのハンダ付け等により受動素子８５６を電気的に接続する。（ｄ）上記（ｃ）の工程により配線基板８５０上にＩＣチップパッケージ８６９を介して取り付けられたイメージセンサパッケージ８６８のパッケージ用成形基板（１）８５８に、カバーガラス８６３を覆うように、レンズ鏡筒部８６４を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板８５０上に、レンズ鏡筒部８６４が取り付けられたイメージセンサパッケージ８６８とＩＣチップパッケージ８６９とを積層して取り付けることにより、図２に示す固体撮像装置を製造する。
（従来例３）
図７は従来の固体撮像装置の構造例（３）を示す断面図である。図７において、９００は配線パターン９０１が形成された配線基板、９０２は撮像用イメージセンサであるＣＣＤイメージセンサ、９０３はＣＣＤイメージセンサ９０２に対して信号処理するためのＤＳＰ用ＩＣチップ、９０４はＣＣＤイメージセンサ９０２に対して電源供給するための電源用ＩＣチップ、９０５はＣＣＤイメージセンサ９０２に対して駆動制御するための駆動用ＩＣチップ、９０６、９０７は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、９０８は容器状で被写体からの光が通過するための開口部９０９を有し配線パターン９１０が形成されＣＣＤイメージセンサ９０２が収容実装されるパッケージ用成形基板（１）、９１１は容器状で配線パターン９１２が形成されＤＳＰ用ＩＣチップ９０３や電源用ＩＣチップ９０４や駆動用ＩＣチップ９０５等の複数のＩＣチップが収容実装されるパッケージ用成形基板（２）、９１３は防塵用のカバーガラス、９１４はレンズ９１５およびレンズ保持筒９１６からなるレンズ鏡筒部である。 Next, as shown in FIG. 6, (a) a cover glass 863 is attached to the package forming substrate (1) 858 of the image sensor package 868 by adhesion or the like so as to close the opening 859. (B) The package forming substrate (2) 861 of the IC chip package 869 is electrically connected to the wiring pattern 851 of the wiring substrate 850 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 853 faces the wiring substrate 850 by the wiring pattern 862. Connect. (C) An image sensor package in which a cover glass 863 is attached by the step (a) to the package forming substrate (2) 861 of the IC chip package 869 attached to the wiring substrate 850 by the step (b). The 868 package molding substrate (1) 858 is attached by electrically connecting the wiring pattern 860 and the wiring pattern 870 on the package molding substrate (2) 861 by soldering or the like, and the IC The passive element 856 is electrically connected to the package forming substrate (2) 861 of the chip package 869 by soldering with the wiring pattern 870 or the like. (D) The lens mirror so as to cover the cover glass 863 on the package forming substrate (1) 858 of the image sensor package 868 attached to the wiring substrate 850 via the IC chip package 869 by the step (c). The cylinder portion 864 is attached by adhesion or the like. (E) Through the steps (a) to (d) described above, the image sensor package 868 having the lens barrel portion 864 attached thereto and the IC chip package 869 are stacked and attached onto the wiring board 850. 2 is manufactured.
(Conventional example 3)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a structural example (3) of the conventional solid-state imaging device. In FIG. 7, 900 is a wiring board on which a wiring pattern 901 is formed, 902 is a CCD image sensor which is an image sensor for imaging, 903 is a DSP IC chip for signal processing to the CCD image sensor 902, and 904 is a CCD. A power supply IC chip for supplying power to the image sensor 902, 905 is a drive IC chip for driving and controlling the CCD image sensor 902, 906 and 907 are currents of signals during drive and signal processing, Resistors for adjusting voltage, passive elements such as capacitors and coils, 908 is a container-like shape having an opening 909 for light from a subject to pass therethrough, a wiring pattern 910 is formed, and a CCD image sensor 902 is housed and mounted. Molded substrate for packaging (1), 911 is a container and a wiring pattern 912 is formed A package molding substrate (2) on which a plurality of IC chips such as a DSP IC chip 903, a power supply IC chip 904, and a driving IC chip 905 are housed and mounted, 913 is a dustproof cover glass, 914 is a lens 915, and This is a lens barrel portion made up of a lens holding tube 916.

上記の固体撮像装置では、図１に示すように、パッケージ用成形基板（１）９０８の内部に、ＣＣＤイメージセンサ９０２を、その受光領域９１７に被写体光がパッケージ用成形基板（１）９０８の開口部９０９を通して入射可能なように配置して、パッケージ用成形基板（１）９０８とＣＣＤイメージセンサ９０２とを一体化してイメージセンサパッケージ９１８を構成するとともに、パッケージ用成形基板（２）９１１の内部に、ＤＳＰ用ＩＣチップ９０３や電源用ＩＣチップ９０４や駆動用ＩＣチップ９０５を横並びに配置して、パッケージ用成形基板（２）９１１とＤＳＰ用ＩＣチップ９０３や電源用ＩＣチップ９０４や駆動用ＩＣチップ９０５とを一体化してＩＣチップパッケージ９１９を構成し、パッケージ用成形基板（１）９０８を、その配線パターン９１０と配線基板９００上の配線パターン９０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板９００上に搭載するとともに、同じ配線基板９００上に、パッケージ用成形基板（２）９１１を、その配線パターン９１２と配線基板９００上の配線パターン９０１とをハンダ付け等により電気的に接続して搭載した状態に構成されている。   In the above-described solid-state imaging device, as shown in FIG. 1, a CCD image sensor 902 is placed inside a package molding substrate (1) 908, and subject light is opened in the light receiving area 917 of the package molding substrate (1) 908. The package forming substrate (1) 908 and the CCD image sensor 902 are integrated to form an image sensor package 918, and arranged inside the package forming substrate (2) 911. The DSP IC chip 903, the power supply IC chip 904, and the drive IC chip 905 are arranged side by side, and the package molding substrate (2) 911, the DSP IC chip 903, the power supply IC chip 904, and the drive IC chip are arranged. 905 are integrated to form an IC chip package 919, and a molded substrate for package (1) 9 8 is electrically connected to the wiring pattern 901 and the wiring pattern 901 on the wiring substrate 900 by soldering or the like, and mounted on the wiring substrate 900. On the same wiring substrate 900, a package molding substrate ( 2) 911 is mounted in a state in which the wiring pattern 912 and the wiring pattern 901 on the wiring substrate 900 are electrically connected by soldering or the like.

ここでは、ＣＣＤイメージセンサ９０２およびＤＳＰ用ＩＣチップ９０３や電源用ＩＣチップ９０４や駆動用ＩＣチップ９０５としてフリップボンディング型を使用し、パッケージ用成形基板（１）９０８およびパッケージ用成形基板（２）９１１は、それぞれ材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、それらの配線パターン９１０、９１２によりパッケージ用成形基板（１）９０８およびッケージ用成形基板（２）９１１の内部の電子部品を配線し、それぞれ配線パターン９１０、９１２により配線した電子部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、電子部品をパッケージ用成形基板（１）９０８およびパッケージ用成形基板（２）９１１内に固着している。   Here, flip-bonding molds are used as the CCD image sensor 902, the DSP IC chip 903, the power supply IC chip 904, and the driving IC chip 905, and the package molding substrate (1) 908 and the package molding substrate (2) 911 are used. Are molded bodies formed by die molding using ceramics as materials. Electronic components inside the package molded substrate (1) 908 and the package molded substrate (2) 911 are formed by their wiring patterns 910 and 912, respectively. Are cured while the sealing resin is filled in the gaps between the electronic components wired by the wiring patterns 910 and 912, respectively, so that the electronic components are molded into the package molded substrate (1) 908 and the package molded substrate ( 2) Fixed inside 911.

以上のような固体撮像装置について、その製造方法例を図面を用いて以下に説明する。
まず、図９に示すように、（ａ）パッケージ用成形基板（２）９１１内で、その配線パターン９１２に、電源用ＩＣチップ９０４とＤＳＰ用ＩＣチップ９０３と駆動用ＩＣチップ９０５を、それぞれフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）パッケージ用成形基板（２）９１１と電源用ＩＣチップ９０４とＤＳＰ用ＩＣチップ９０３と駆動用ＩＣチップ９０５との間に、ノズル９２５から封止樹脂９２６を注入して、パッケージ用成形基板（２）９１１と電源用ＩＣチップ９０４とＤＳＰ用ＩＣチップ９０３と駆動用ＩＣチップ９０５との隙間に充填し、ＩＣチップパッケージ９１９とする。（ｃ）パッケージ用成形基板（１）９０８内で、ＣＣＤイメージセンサ９０２を、その受光領域９１７が開口部９０９内に位置するように配置した状態で、配線パターン９１０との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｄ）開口部９０９から受光領域９１７を含む範囲に紫外線９２７を照射しながら、パッケージ用成形基板（１）９０８とＣＣＤイメージセンサ９０２との間にノズル９２５から封止用樹脂９２６を注入して、ＣＣＤイメージセンサ９０２とパッケージ用成形基板（１）９０８との隙間に充填し、イメージセンサパッケージ９１８とする。この充填の際には、受光領域９１７の周囲の封止用樹脂９２６は、紫外線９２７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂９２６が充填中に開口部９０９から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップパッケージ９１９およびイメージセンサパッケージ９１８をそれぞれ一部品として製造する。 An example of a method for manufacturing the above-described solid-state imaging device will be described below with reference to the drawings.
First, as shown in FIG. 9, (a) Flip the power supply IC chip 904, the DSP IC chip 903, and the drive IC chip 905 to the wiring pattern 912 in the package forming substrate (2) 911, respectively. Electrical connection by bonding. (B) Molded substrate for package (2) 911, power supply IC chip 904, DSP IC chip 903, and drive IC chip 905 are injected between nozzle 925 and sealing resin 926 is injected into package molded substrate (2) The gap between 911, the power supply IC chip 904, the DSP IC chip 903, and the driving IC chip 905 is filled to form an IC chip package 919. (C) In the packaged substrate (1) 908, the CCD image sensor 902 is electrically connected by flip bonding to the wiring pattern 910 in a state where the light receiving area 917 is positioned in the opening 909. Connect. (D) A resin 926 for sealing is injected from the nozzle 925 between the molded substrate for package (1) 908 and the CCD image sensor 902 while irradiating ultraviolet rays 927 from the opening 909 to the range including the light receiving region 917. Then, the gap between the CCD image sensor 902 and the molded substrate for package (1) 908 is filled into an image sensor package 918. At the time of filling, the sealing resin 926 around the light receiving region 917 is cured faster than other portions by irradiation of the ultraviolet rays 927, so that the opening portion 909 is filled while the other portion of the sealing resin 926 is filled. Never flow out of. (E) Through the steps (a) to (d), the IC chip package 919 and the image sensor package 918 are each manufactured as one component.

次に、図１０に示すように、（ａ）イメージセンサパッケージ９１８のパッケージ用成形基板（１）９０８に、その開口部９０９を閉塞するように、カバーガラス９１３を接着等により取り付ける。（ｂ）ＩＣチップパッケージ９１９のパッケージ用成形基板（２）９１１を、その配線パターン９１２により、ＤＳＰ用ＩＣチップ９０３と電源用ＩＣチップ９０４と駆動用ＩＣチップ９０５が配線基板９００に対向する方向に、配線基板９００の配線パターン９０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ｂ）の工程により配線基板９００上に取り付けられたＩＣチップパッケージ９１９のパッケージ用成形基板（２）９１１に、その配線パターン９３０とのハンダ付け等により受動素子９０６を電気的に接続するとともに、上記（ａ）の工程によりカバーガラス９１３が取り付けられたイメージセンサパッケージ９１８のパッケージ用成形基板（１）９０８を、その配線パターン９１０により、ＣＣＤイメージセンサ９０２が配線基板９００に対向する方向に、配線基板９００の配線パターン９０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｄ）上記（ｃ）の工程により配線基板９００上に取り付けられたイメージセンサパッケージ９１８のパッケージ用成形基板（１）９０８に、カバーガラス９１３を覆うように、レンズ鏡筒部９１４を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板９００上の同一平面に、レンズ鏡筒部９１４が取り付けられたイメージセンサパッケージ９１８と、ＩＣチップパッケージ９１９とを横並びにして取り付けることにより、図７に示す固体撮像装置を製造する。
（従来例４）
図８は従来の固体撮像装置の構造例（４）を示す断面図である。図８において、９５０は配線パターン９５１が形成された配線基板、９５２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、９５３はＣＭＯＳイメージセンサ９５２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、９５６、９５７は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、９５８は容器状で被写体からの光が通過するための開口部９５９を有し配線パターン９６０が形成されＣＭＯＳイメージセンサ９５２が収容実装されるパッケージ用成形基板（１）、９６１は容器状で配線パターン９６２が形成されＩＣチップ９５３が収容実装されるパッケージ用成形基板（２）、９６３は防塵用のカバーガラス、９６４はレンズ９６５およびレンズ保持筒９６６からなるレンズ鏡筒部である。 Next, as shown in FIG. 10, (a) a cover glass 913 is attached to the package molding substrate (1) 908 of the image sensor package 918 by adhesion or the like so as to close the opening 909. (B) The package forming substrate (2) 911 of the IC chip package 919 is arranged in a direction in which the DSP IC chip 903, the power supply IC chip 904, and the driving IC chip 905 are opposed to the wiring substrate 900 by the wiring pattern 912. Then, it is electrically connected to the wiring pattern 901 of the wiring substrate 900 by soldering or the like. (C) The passive element 906 is electrically connected to the package forming substrate (2) 911 of the IC chip package 919 attached on the wiring substrate 900 by the step (b) by soldering the wiring pattern 930 or the like. The CCD image sensor 902 is connected to the wiring substrate 900 by the wiring pattern 910 of the package molding substrate (1) 908 of the image sensor package 918 to which the cover glass 913 is attached in the step (a). In the direction, it is electrically connected to the wiring pattern 901 of the wiring substrate 900 by soldering or the like. (D) The lens barrel portion 914 is adhered to the package molding substrate (1) 908 of the image sensor package 918 attached on the wiring substrate 900 by the step (c) so as to cover the cover glass 913. Install. (E) Through the steps (a) to (d), the image sensor package 918 having the lens barrel portion 914 attached thereto and the IC chip package 919 are attached side by side on the same plane on the wiring board 900. Thus, the solid-state imaging device shown in FIG. 7 is manufactured.
(Conventional example 4)
FIG. 8 is a sectional view showing a structural example (4) of a conventional solid-state imaging device. In FIG. 8, reference numeral 950 denotes a wiring board on which a wiring pattern 951 is formed, 952 denotes a CMOS image sensor that is an image sensor for imaging, 953 denotes an IC chip such as a DSP for driving and signal processing the CMOS image sensor 952, 956 and 957 are resistors for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, passive elements such as capacitors and coils, and 958 has a container shape and has an opening 959 through which light from the subject passes. The package molded substrate (1) on which the wiring pattern 960 is formed and the CMOS image sensor 952 is accommodated and mounted. The package molded substrate (2) 961 is a container and the wiring pattern 962 is formed and the IC chip 953 is accommodated and mounted. , 963 is a cover glass for dust prevention, 964 is a lens 965 and a lens holding cylinder 966. A Ranaru lens barrel.

上記の固体撮像装置では、図１に示すように、パッケージ用成形基板（１）９５８の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ９５２を、その受光領域９６７に被写体光がパッケージ用成形基板（１）９５８の開口部９５９を通して入射可能なように配置して、パッケージ用成形基板（１）９５８とＣＭＯＳイメージセンサ９５２とを一体化してイメージセンサパッケージ９６８を構成するとともに、パッケージ用成形基板（２）９６１の内部に、ＩＣチップ９５３を配置して、パッケージ用成形基板（２）９６１とＩＣチップ９５３とを一体化してＩＣチップパッケージ９６９を構成し、パッケージ用成形基板（１）９５８を、その配線パターン９６０と配線基板９５０上の配線パターン９５１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板９５０上に搭載するとともに、同じ配線基板９５０上に、パッケージ用成形基板（２）９６１を、その配線パターン９６２と配線基板９５０上の配線パターン９５１とをハンダ付け等により電気的に接続して搭載した状態に構成されている。   In the above solid-state imaging device, as shown in FIG. 1, the CMOS image sensor 952 is placed inside the package molding substrate (1) 958, and the subject light is opened in the light receiving area 967 of the package molding substrate (1) 958. The package molded substrate (1) 958 and the CMOS image sensor 952 are integrated to form an image sensor package 968, and arranged so as to be incident through the portion 959, and the package molded substrate (2) 961 has The IC chip 953 is arranged, and the package molding substrate (2) 961 and the IC chip 953 are integrated to form an IC chip package 969. The package molding substrate (1) 958 is connected to the wiring pattern 960 and the wiring pattern 960. A wiring board is electrically connected to the wiring pattern 951 on the board 950 by soldering or the like. 50 is mounted on the same wiring board 950 by electrically connecting the wiring pattern 962 and the wiring pattern 951 on the wiring board 950 by soldering or the like. It is configured in the state.

ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ９５２およびＩＣチップ９５３としてフリップボンディング型を使用し、パッケージ用成形基板（１）９５８およびパッケージ用成形基板（２）９６１は、それぞれ材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、それらの配線パターン９６０、９６２によりパッケージ用成形基板（１）９５８およびパッケージ用成形基板（２）９６１の内部の電子部品を配線し、それぞれ配線パターン９６０、９６２により配線した電子部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、電子部品をパッケージ用成形基板（１）９５８およびパッケージ用成形基板（２）９６１内に固着している。   Here, flip bonding molds are used as the CMOS image sensor 952 and the IC chip 953, and the package molding substrate (1) 958 and the package molding substrate (2) 961 are each formed by die molding using ceramic as a material. The electronic components inside the package molding substrate (1) 958 and the package molding substrate (2) 961 are wired by the wiring patterns 960 and 962, and the electronic components wired by the wiring patterns 960 and 962, respectively. The electronic component is fixed in the package molded substrate (1) 958 and the package molded substrate (2) 961 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the components.

以上のような固体撮像装置について、その製造方法例を図面を用いて以下に説明する。
まず、図１１に示すように、（ａ）パッケージ用成形基板（２）９６１内で、その配線パターン９６２に、ＩＣチップ９５３を、フリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）パッケージ用成形基板（２）９６１とＩＣチップ９５３との間に、ノズル９７５から封止樹脂９７６を注入して、パッケージ用成形基板（２）９６１とＩＣチップ９５３との隙間に充填し、ＩＣチップパッケージ９６９とする。（ｃ）パッケージ用成形基板（１）９５８内で、ＣＭＯＳイメージセンサ９５２を、その受光領域９６７が開口部９５９内に位置するように配置した状態で、配線パターン９６０との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｄ）開口部９５９から受光領域９６７を含む範囲に紫外線９７７を照射しながら、パッケージ用成形基板（１）９５８とＣＭＯＳイメージセンサ９５２との間にノズル９７５から封止用樹脂９７６を注入して、ＣＭＯＳイメージセンサ９５２とパッケージ用成形基板（１）９５８との隙間に充填し、イメージセンサパッケージ９６８とする。この充填の際には、受光領域９６７の周囲の封止用樹脂９７６は、紫外線９７７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂９７６が充填中に開口部９５９から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップパッケージ９６９およびイメージセンサパッケージ９６８をそれぞれ一部品として製造する。 An example of a method for manufacturing the above-described solid-state imaging device will be described below with reference to the drawings.
First, as shown in FIG. 11, (a) an IC chip 953 is electrically connected to the wiring pattern 962 in the package molding substrate (2) 961 by flip bonding. (B) The sealing resin 976 is injected from the nozzle 975 between the package forming substrate (2) 961 and the IC chip 953 to fill the gap between the package forming substrate (2) 961 and the IC chip 953. IC chip package 969. (C) In the package molded substrate (1) 958, the CMOS image sensor 952 is electrically connected by flip bonding to the wiring pattern 960 in a state where the light receiving region 967 is positioned in the opening 959. Connect. (D) A resin 976 for sealing is injected from the nozzle 975 between the molded substrate for package (1) 958 and the CMOS image sensor 952 while irradiating ultraviolet rays 977 to the range including the light receiving region 967 from the opening 959. Then, a gap between the CMOS image sensor 952 and the package forming substrate (1) 958 is filled to form an image sensor package 968. At the time of filling, the sealing resin 976 around the light receiving region 967 is cured faster than the other portions by irradiation of the ultraviolet rays 977, and therefore the opening portion 959 is filled with the sealing resin 976 in the other portions during filling. Never flow out of. (E) Through the steps (a) to (d), the IC chip package 969 and the image sensor package 968 are each manufactured as one component.

次に、図１２に示すように、（ａ）イメージセンサパッケージ９６８のパッケージ用成形基板（１）９５８に、その開口部９５９を閉塞するように、カバーガラス９６３を接着等により取り付ける。（ｂ）ＩＣチップパッケージ９６９のパッケージ用成形基板（２）９６１を、その配線パターン９６２により、ＩＣチップ９５３が配線基板９５０に対向する方向に、配線基板９５０の配線パターン９５１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ｂ）の工程により配線基板９５０上に取り付けられたＩＣチップパッケージ９６９のパッケージ用成形基板（２）９６１に、その配線パターン９８０とのハンダ付け等により受動素子９５６を電気的に接続するとともに、上記（ａ）の工程によりカバーガラス９６３が取り付けられたイメージセンサパッケージ９６８のパッケージ用成形基板（１）９５８を、その配線パターン９６０により、ＣＭＯＳイメージセンサ９５２が配線基板９５０に対向する方向に、配線基板９５０の配線パターン９５１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｄ）上記（ｃ）の工程により配線基板９５０上に取り付けられたイメージセンサパッケージ９６８のパッケージ用成形基板（１）９５８に、カバーガラス９６３を覆うように、レンズ鏡筒部９６４を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板９５０上の同一平面に、レンズ鏡筒部９６４が取り付けられたイメージセンサパッケージ９６８と、ＩＣチップパッケージ９６９とを横並びにして取り付けることにより、図８に示す固体撮像装置を製造する。   Next, as shown in FIG. 12, (a) a cover glass 963 is attached to the molded substrate for packaging (1) 958 of the image sensor package 968 by adhesion or the like so as to close the opening 959. (B) The package molding substrate (2) 961 of the IC chip package 969 is electrically connected to the wiring pattern 951 of the wiring substrate 950 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 953 faces the wiring substrate 950 by the wiring pattern 962. Connect. (C) The passive element 956 is electrically connected to the package forming substrate (2) 961 of the IC chip package 969 attached on the wiring substrate 950 by the step (b) by soldering the wiring pattern 980 or the like. The CMOS image sensor 952 is opposed to the wiring board 950 by the wiring pattern 960 of the package molding substrate (1) 958 of the image sensor package 968 to which the cover glass 963 is attached in the step (a). In the direction, it is electrically connected to the wiring pattern 951 of the wiring board 950 by soldering or the like. (D) The lens barrel portion 964 is attached to the package molding substrate (1) 958 of the image sensor package 968 attached on the wiring substrate 950 by the step (c) so as to cover the cover glass 963. Install. (E) Through the steps (a) to (d), the image sensor package 968 having the lens barrel portion 964 and the IC chip package 969 are mounted side by side on the same plane on the wiring board 950. Thus, the solid-state imaging device shown in FIG. 8 is manufactured.

以上のようにして、配線基板上にＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子を搭載した固体撮像装置が製造されている。
特開平１１−２６１０４４号公報 As described above, a solid-state imaging device in which an imaging element such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor is mounted on a wiring board is manufactured.
JP-A-11-261044

しかしながら上記のような従来の固体撮像装置およびその製造方法において、特に近年では、デジタルカメラや、携帯電話やマルチメディア機器などの携帯機器の薄型化および小型化が進み、これらの機器へ組み込まれる固体撮像装置にも薄型化および小型化が要求されるようになっているが、従来例１および従来例２の構成では、パッケージ用の成形基板やイメージセンサ（ＣＣＤセンサ型あるいはＣＭＯＳセンサ型）などからなるイメージセンサパッケージ、およびパッケージ用の成形基板やＤＳＰ用ＩＣチップや電源用ＩＣチップや駆動用ＩＣチップなどからなるＩＣチップパッケージを、配線基板上に実装する場合に、それぞれ個別部品として配線基板面に対して積み重ねるため、それらによる部品実装後の厚みが増大し、製品の薄型化を妨げるという問題点を有していた。   However, in the conventional solid-state imaging device and the manufacturing method thereof as described above, in particular, in recent years, portable devices such as digital cameras, mobile phones, and multimedia devices have been made thinner and smaller, and the solid-state incorporated into these devices. The imaging apparatus is also required to be thin and small. However, in the configurations of the conventional example 1 and the conventional example 2, a package molded substrate, an image sensor (CCD sensor type or CMOS sensor type), and the like are used. When mounting an image sensor package and an IC chip package made up of a molded substrate for a package, an IC chip for DSP, a power supply IC chip, a drive IC chip, etc. Therefore, the thickness after component mounting by them increases and the product becomes thinner. We had a problem that prevents the reduction.

また、従来例３および従来例４の構成では、イメージセンサパッケージおよびＩＣチップパッケージ等を、配線基板上に実装する場合に、それぞれ個別部品として配線基板面に対して広げるように並べるため、それらの部品実装による投影面積が増大し、製品の小型化を妨げるという問題点を有していた。   In the configurations of Conventional Example 3 and Conventional Example 4, when the image sensor package, the IC chip package, and the like are mounted on the wiring board, they are arranged so as to spread on the wiring board surface as individual components. The projected area due to component mounting is increased, and there is a problem that miniaturization of the product is hindered.

以上のように、１つの固体撮像装置として、イメージセンサパッケージおよびＩＣチップパッケージ等を、それぞれ個別部品として製品を組立てるため、実装部品としての点数が増大するとともに、部品実装ラインでの製造工数が増加し、製品のコストアップに繋がるという問題点も有していた。   As described above, the image sensor package and the IC chip package are assembled as individual components as one solid-state imaging device, so that the number of mounting components increases and the number of manufacturing steps on the component mounting line increases. However, it also has the problem of increasing the cost of the product.

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、製品の一層の薄型化および小型化を実現することができるとともに、製品のコストを低減することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。   The present invention solves the above-described conventional problems, and provides a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same that can realize further thinning and downsizing of the product and can reduce the cost of the product. To do.

上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置の製造方法は、第１の凹部および前記第１の凹部に形成されて開口部が設けられる第２の凹部を備える配線形成容器体を用意する工程と、受光領域が前記開口部と対向するように前記第２の凹部に撮像用イメージセンサを搭載する工程と、前記撮像用イメージセンサに対して駆動および信号処理を行うＩＣチップを前記第１の凹部に搭載する工程と、前記開口部を鉛直下側に配置した状態で前記撮像用イメージセンサと前記ＩＣチップとの隙間に封止用樹脂を充填しながら、前記開口部から紫外線を照射することによって前記開口部から前記受光領域までの領域を開口するように、前記第１の凹部および前記第２の凹部内の前記撮像用イメージセンサおよび前記ＩＣチップを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention provides a wiring forming container body including a first recess and a second recess formed in the first recess and provided with an opening. A step of mounting an imaging image sensor in the second recess so that a light receiving region faces the opening, and an IC chip for driving and signal processing the imaging image sensor. The step of mounting in the concave portion of 1 and irradiating ultraviolet rays from the opening while filling the gap between the image sensor for imaging and the IC chip with the opening arranged vertically downward In this way, the imaging image sensor and the IC chip in the first recess and the second recess are resin-sealed so as to open a region from the opening to the light receiving region. Characterized in that it has and.

以上により、固体撮像装置が組み込まれる機器の薄型化および小型化への要求に対して、部品実装後の厚みおよび部品実装による投影面積の増大を抑えるとともに、実装部品の点数および部品実装ラインでの製造工数を削減することができる。   As described above, in response to the demands for thinning and miniaturization of devices incorporating solid-state imaging devices, the increase in the thickness after component mounting and the projected area due to component mounting, as well as the number of mounted components and the component mounting line Manufacturing man-hours can be reduced.

以上のように本発明によれば、固体撮像装置が組み込まれる機器の薄型化および小型化への要求に対して、部品実装後の厚みおよび部品実装による投影面積の増大を抑えるとともに、実装部品の点数および部品実装ラインでの製造工数を削減することができる。   As described above, according to the present invention, in response to a demand for thinning and downsizing of a device in which a solid-state imaging device is incorporated, an increase in thickness after component mounting and a projected area due to component mounting are suppressed, and It is possible to reduce the number of points and manufacturing man-hours on the component mounting line.

そのため、製品の一層の薄型化および小型化を実現することができるとともに、製品のコストを低減することができる。   As a result, the product can be further reduced in thickness and size, and the cost of the product can be reduced.

以下、本発明の実施の形態を示す固体撮像装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
本実施の形態の固体撮像装置は、以下の各構造図に示すように、基本的には、配線基板上に、撮像用の固体イメージセンサである例えばＣＣＤイメージセンサと、ＣＣＤイメージセンサを駆動したりＣＣＤイメージセンサからの信号を演算処理したりするＤＳＰ等のＩＣチップと、そのような駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子とが搭載された状態で構成されている。 Hereinafter, a solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
The solid-state imaging device according to the present embodiment basically drives, for example, a CCD image sensor, which is a solid-state image sensor for imaging, and a CCD image sensor on a wiring board, as shown in the following structural diagrams. An IC chip such as a DSP for processing signals from a CCD image sensor, and passive elements such as resistors, capacitors and coils for adjusting the current and voltage of each signal during such driving and signal processing It is configured with installed.

また、他の基本的な構成例では、撮像用の固体イメージセンサとして、上記のＣＣＤイメージセンサの代わりにＣＭＯＳ構成のＣＭＯＳイメージセンサを用いて、上記と同様に構成されている。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。 In another basic configuration example, as a solid-state image sensor for imaging, a CMOS image sensor having a CMOS configuration is used instead of the CCD image sensor, and the configuration is the same as described above.
(Embodiment 1)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 1 of the present invention will be described.

図１３は本実施の形態１の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図１３において、１００は配線パターン１０１が形成された配線基板、１０２は撮像用イメージセンサであるＣＣＤイメージセンサ、１０３はＣＣＤイメージセンサ１０２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、１０４は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、１０５は容器状で被写体からの光が通過するための開口部１０６を有し配線パターン１０７が形成された配線形成容器体、１０８は防塵用のカバーガラス、１０９はレンズ１１０およびレンズ保持筒１１１からなるレンズ鏡筒部である。   FIG. 13 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the first embodiment. In FIG. 13, 100 is a wiring board on which a wiring pattern 101 is formed, 102 is a CCD image sensor which is an image sensor for imaging, 103 is an IC chip such as a DSP for driving and signal processing for the CCD image sensor 102, 104 is a resistor for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, a passive element such as a capacitor and a coil, 105 is a container and has an opening 106 for light from the subject to pass therethrough A wiring forming container body in which the pattern 107 is formed, 108 is a dust-proof cover glass, and 109 is a lens barrel portion including a lens 110 and a lens holding tube 111.

本実施の形態１の固体撮像装置は、図１３に示すように、配線形成容器体１０５の内部に、ＣＣＤイメージセンサ１０２を、その受光領域１１２に被写体光が配線形成容器体１０５の開口部１０６を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＣＤイメージセンサ１０２とＩＣチップ１０３とを積層した状態で包含して、配線形成容器体１０５とＣＣＤイメージセンサ１０２とＩＣチップ１０３とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体１０５を、その配線パターン１０７と配線基板１００上の配線パターン１０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板１００上に搭載した状態に構成されている。   As shown in FIG. 13, the solid-state imaging device according to the first embodiment includes a CCD image sensor 102 inside a wiring formation container body 105, and subject light in the light receiving area 112 of the opening 106 of the wiring formation container body 105. The CCD image sensor 102 and the IC chip 103 are included in a stacked state, and the wiring forming container body 105, the CCD image sensor 102, and the IC chip 103 are integrated into one component. The wiring formation container body 105 is configured to be mounted on the wiring board 100 by electrically connecting the wiring pattern 107 and the wiring pattern 101 on the wiring board 100 by soldering or the like. .

ここでは、ＣＣＤイメージセンサ１０２およびＩＣチップ１０３としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体１０５は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン１０７を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン１０７により配線形成容器体１０５の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン１０７により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体１０５内に固着している。   Here, flip bonding molds are used as the CCD image sensor 102 and the IC chip 103, and the wiring forming container body 105 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and has a three-dimensional surface on its surface. Inclusion of a three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 107 formed by patterning, wiring electronic components included in the wiring forming container body 105 by the three-dimensional wiring pattern 107, and wiring by the three-dimensional wiring pattern 107 The inclusion parts are fixed in the wiring forming container body 105 by being cured while the sealing resin is filled in the gaps between the parts.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図１５は本実施の形態１の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図１６は本実施の形態１の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 15 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the first embodiment, and FIG. 16 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the first embodiment. is there.

まず、図１５に示すように、（ａ）配線形成容器体１０５の凹部（１）１２０に、ＣＣＤイメージセンサ１０２を、その受光領域１１２が開口部１０６内に位置するように配置した状態で、配線パターン１０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体１０５の凹部（２）１２１に、ＩＣチップ１０３を、そのチップ面でＣＣＤイメージセンサ１０２を覆うように配置した状態で、配線パターン１０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＩＣチップ１０３とＣＣＤイメージセンサ１０２が配線形成容器体１０５内で積層された状態になる。（ｄ）開口部１０６から受光領域１１２を含む範囲に紫外線１２２を照射しながら、配線形成容器体１０５とＩＣチップ１０３との間にノズル１２３から封止用樹脂１２４を注入して、ＩＣチップ１０３とＣＣＤイメージセンサ１０２と配線形成容器体１０５との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域１１２の周囲の封止用樹脂１２４は、紫外線１２２の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂１２４が充填中に開口部１０６から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップ１０３とＣＣＤイメージセンサ１０２が配線形成容器体１０５内に包含された状態でＩＣチップ１０３とＣＣＤイメージセンサ１０２と配線形成容器体１０５とが一体化され一部品（一体化部品１２５）となる。   First, as shown in FIG. 15, (a) the CCD image sensor 102 is disposed in the recess (1) 120 of the wiring forming container body 105 so that the light receiving region 112 is positioned in the opening 106. It is electrically connected to the wiring pattern 107 by flip bonding. (B) In the state where the IC chip 103 is disposed in the recess (2) 121 of the wiring forming container body 105 so as to cover the CCD image sensor 102 with the chip surface, it is electrically connected to the wiring pattern 107 by flip bonding. Connect to. (C) Through the steps (a) and (b), the IC chip 103 and the CCD image sensor 102 are stacked in the wiring forming container body 105. (D) A resin 124 for sealing is injected from the nozzle 123 between the wiring forming container body 105 and the IC chip 103 while irradiating ultraviolet rays 122 to the range including the light receiving region 112 from the opening 106, and the IC chip 103 And the gap between the CCD image sensor 102 and the wiring forming container body 105 is filled. At the time of filling, the sealing resin 124 around the light receiving region 112 is cured faster than the other portions by the irradiation of the ultraviolet rays 122, and therefore the opening portion 106 is filled with the sealing resin 124 in the other portions during filling. Never flow out of. (E) Through the steps (a) to (d), the IC chip 103, the CCD image sensor 102, and the wiring formation container body in a state where the IC chip 103 and the CCD image sensor 102 are contained in the wiring formation container body 105. 105 is integrated into one component (integrated component 125).

次に、図１６に示すように、（ａ）一体化部品１２５の配線形成容器体１０５に、その開口部１０６を閉塞するように、カバーガラス１０８を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品１２５の配線形成容器体１０５を、その配線パターン１０７により、ＩＣチップ１０３が配線基板１００に対向する方向に、配線基板１００の配線パターン１０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス１０８が取り付けられた一体化部品１２５を配線基板１００上に取り付ける。（ｄ）一体化部品１２５の配線形成容器体１０５に、カバーガラス１０８を覆うように、レンズ鏡筒部１０９を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板１００上に、レンズ鏡筒部１０９が取り付けられた一体化部品１２５を取り付けることにより、図１３に示す本実施の形態１の固体撮像装置を製造する。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。 Next, as shown in FIG. 16, (a) a cover glass 108 is attached to the wiring forming container body 105 of the integrated component 125 by adhesion or the like so as to close the opening 106. (B) The wiring forming container body 105 of the integrated component 125 is electrically connected to the wiring pattern 101 of the wiring board 100 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 103 faces the wiring board 100 by the wiring pattern 107. To do. (C) The integrated component 125 to which the cover glass 108 is attached is attached on the wiring board 100 through the steps (a) and (b). (D) The lens barrel portion 109 is attached to the wiring forming container body 105 of the integrated component 125 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 108. (E) Through the steps (a) to (d) described above, by attaching the integrated component 125 to which the lens barrel portion 109 is attached on the wiring board 100, the first embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device is manufactured.
(Embodiment 2)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 2 of the present invention will be described.

図１４は本実施の形態２の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図１４において、２００は配線パターン２０１が形成された配線基板、２０２は撮像用イメージセンサであるＣＣＤイメージセンサ、２０３はＣＣＤイメージセンサ２０２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、２０４、２１３は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、２０５は容器状で被写体からの光が通過するための開口部２０６を有し配線パターン２０７が形成された配線形成容器体、２０８は防塵用のカバーガラス、２０９はレンズ２１０およびレンズ保持筒２１１からなるレンズ鏡筒部である。   FIG. 14 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the second embodiment. In FIG. 14, reference numeral 200 denotes a wiring board on which a wiring pattern 201 is formed, 202 denotes a CCD image sensor that is an image sensor for imaging, 203 denotes an IC chip such as a DSP for driving and signal processing the CCD image sensor 202, Reference numerals 204 and 213 denote resistors for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, passive elements such as capacitors and coils, and 205 denotes a container shape having an opening 206 through which light from a subject passes. A wiring forming container body in which a wiring pattern 207 is formed, 208 is a dust-proof cover glass, and 209 is a lens barrel portion including a lens 210 and a lens holding tube 211.

本実施の形態２の固体撮像装置は、図１４に示すように、配線形成容器体２０５の内部に、ＣＣＤイメージセンサ２０２を、その受光領域２１２に被写体光が配線形成容器体２０５の開口部２０６を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＣＤイメージセンサ２０２とＩＣチップ２０３と受動素子２０４とを積層した状態で包含して、配線形成容器体２０５とＣＣＤイメージセンサ２０２とＩＣチップ２０３と受動素子２０４とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体２０５を、その配線パターン２０７と配線基板２００上の配線パターン２０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板２００上に搭載した状態に構成されている。   As shown in FIG. 14, the solid-state imaging device according to the second embodiment includes a CCD image sensor 202 inside a wiring formation container body 205, and subject light in the light receiving area 212 of the opening 206 of the wiring formation container body 205. The CCD image sensor 202, the IC chip 203, and the passive element 204 are included in a stacked state, and the wiring forming container 205, the CCD image sensor 202, the IC chip 203, and the passive element 204 are included. And the wiring pattern container 205 is electrically connected to the wiring pattern 201 on the wiring board 200 by soldering or the like. It is configured to be mounted.

ここでは、ＣＣＤイメージセンサ２０２およびＩＣチップ２０３としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体２０５は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン２０７を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン２０７により配線形成容器体２０５の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン２０７により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体２０５内に固着している。   Here, flip bonding molds are used as the CCD image sensor 202 and the IC chip 203, and the wiring forming container body 205 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and has a three-dimensional surface on its surface. Inclusion of a three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 207 formed by patterning, wiring electronic components included in the wiring forming container body 205 by the three-dimensional wiring pattern 207, and wiring by the three-dimensional wiring pattern 207 The inclusion component is fixed in the wiring forming container body 205 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the components.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図１７は本実施の形態２の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図１８は本実施の形態２の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 17 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the second embodiment, and FIG. 18 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the second embodiment. is there.

まず、図１７に示すように、（ａ）配線形成容器体２０５の凹部（１）２２５に、ＣＣＤイメージセンサ２０２を、その受光領域２１２が開口部２０６内に位置するように配置した状態で、配線パターン２０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続するとともに、受動素子２０４を配線パターン２０７との間でハンダ付けや導電性接着剤接合等により電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体２０５の凹部（２）２２６に、ＩＣチップ２０３を、そのチップ面でＣＣＤイメージセンサ２０２および受動素子２０４を覆うように配置した状態で、配線パターン２０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＩＣチップ２０３とＣＣＤイメージセンサ２０２および受動素子２０４が配線形成容器体２０５内で積層された状態になる。（ｄ）開口部２０６から受光領域２１２を含む範囲に紫外線２２７を照射しながら、配線形成容器体２０５とＩＣチップ２０３との間にノズル２２８から封止用樹脂２２９を注入して、ＩＣチップ２０３とＣＣＤイメージセンサ２０２および受動素子２０４と配線形成容器体２０５との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域２１２の周囲の封止用樹脂２２９は、紫外線２２７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂２２９が充填中に開口部２０６から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップ２０３とＣＣＤイメージセンサ２０２および受動素子２０４が配線形成容器体２０５内に包含された状態でＩＣチップ２０３とＣＣＤイメージセンサ２０２と受動素子２０４と配線形成容器体２０５とが一体化され一部品（一体化部品２３０）となる。   First, as shown in FIG. 17, (a) the CCD image sensor 202 is disposed in the recess (1) 225 of the wiring forming container body 205 so that the light receiving area 212 is located in the opening 206. While being electrically connected to the wiring pattern 207 by flip bonding, the passive element 204 is electrically connected to the wiring pattern 207 by soldering, conductive adhesive bonding, or the like. (B) Flip between the wiring pattern 207 and the IC chip 203 placed in the recess (2) 226 of the wiring forming container body 205 so as to cover the CCD image sensor 202 and the passive element 204 on the chip surface. Electrical connection by bonding. (C) Through the steps (a) and (b), the IC chip 203, the CCD image sensor 202, and the passive element 204 are stacked in the wiring forming container 205. (D) The resin 229 for sealing is injected from the nozzle 228 between the wiring forming container body 205 and the IC chip 203 while irradiating the ultraviolet ray 227 from the opening 206 to the range including the light receiving region 212, and the IC chip 203 And the gap between the CCD image sensor 202 and the passive element 204 and the wiring forming container 205 is filled. At the time of filling, the sealing resin 229 around the light receiving region 212 is cured faster than other portions by the irradiation of the ultraviolet rays 227, so that the opening portion 206 is filled with the sealing resin 229 in the other portions during filling. Never flow out of. (E) After the steps (a) to (d), the IC chip 203, the CCD image sensor 202, and the passive element 204 are contained in the wiring forming container 205, and the IC chip 203, the CCD image sensor 202, The passive element 204 and the wiring forming container 205 are integrated into one component (integrated component 230).

次に、図１８に示すように、（ａ）一体化部品２３０の配線形成容器体２０５に、その開口部２０６を閉塞するように、カバーガラス２０８を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品２３０の配線形成容器体２０５を、その配線パターン２０７により、ＩＣチップ２０３が配線基板２００に対向する方向に、配線基板２００の配線パターン２０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス２０８が取り付けられた一体化部品２３０を配線基板２００上に取り付ける。（ｄ）一体化部品２３０の配線形成容器体２０５に、カバーガラス２０８を覆うように、レンズ鏡筒部２０９を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板２００上に、レンズ鏡筒部２０９が取り付けられた一体化部品２３０を取り付けることにより、図１４に示す本実施の形態２の固体撮像装置を製造する。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。 Next, as shown in FIG. 18, (a) a cover glass 208 is attached to the wiring forming container body 205 of the integrated component 230 by adhesion or the like so as to close the opening 206. (B) The wiring forming container body 205 of the integrated component 230 is electrically connected to the wiring pattern 201 of the wiring board 200 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 203 faces the wiring board 200 by the wiring pattern 207. To do. (C) The integrated component 230 to which the cover glass 208 is attached is attached on the wiring board 200 through the steps (a) and (b). (D) The lens barrel portion 209 is attached to the wiring forming container body 205 of the integrated component 230 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 208. (E) Through the above steps (a) to (d), by attaching the integrated component 230 to which the lens barrel portion 209 is attached on the wiring board 200, the second embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device is manufactured.
(Embodiment 3)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 3 of the present invention will be described.

図１９は本実施の形態３の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図１９において、３００は配線パターン３０１が形成された配線基板、３０２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、３０３はＣＭＯＳイメージセンサ３０２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、３０４は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、３０５は容器状で被写体からの光が通過するための開口部３０６を有し配線パターン３０７が形成された配線形成容器体、３０８は防塵用のカバーガラス、３０９はレンズ３１０およびレンズ保持筒３１１からなるレンズ鏡筒部である。   FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the third embodiment. In FIG. 19, 300 is a wiring board on which a wiring pattern 301 is formed, 302 is a CMOS image sensor which is an image sensor for imaging, 303 is an IC chip such as a DSP for driving and signal processing the CMOS image sensor 302, Reference numeral 304 denotes a resistor for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, and a passive element such as a capacitor and a coil. Reference numeral 305 denotes a container that has an opening 306 through which light from a subject passes and has wiring. A wiring forming container body in which the pattern 307 is formed, 308 is a dust-proof cover glass, and 309 is a lens barrel portion including a lens 310 and a lens holding tube 311.

本実施の形態３の固体撮像装置は、図１９に示すように、配線形成容器体３０５の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ３０２を、その受光領域３１２に被写体光が配線形成容器体３０５の開口部３０６を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＭＯＳイメージセンサ３０２とＩＣチップ３０３とを積層した状態で包含して、配線形成容器体３０５とＣＭＯＳイメージセンサ３０２とＩＣチップ３０３とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体３０５を、その配線パターン３０７と配線基板３００上の配線パターン３０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板３００上に搭載した状態に構成されている。   As shown in FIG. 19, the solid-state imaging device according to the third embodiment includes a CMOS image sensor 302 in a wiring formation container body 305, and subject light in an opening 306 of the wiring formation container body 305 in the light receiving region 312. The CMOS image sensor 302 and the IC chip 303 are included in a stacked state, and the wiring formation container body 305, the CMOS image sensor 302, and the IC chip 303 are integrated into one component. Such a wiring formation container body 305 is configured to be mounted on the wiring board 300 by electrically connecting the wiring pattern 307 and the wiring pattern 301 on the wiring board 300 by soldering or the like. .

ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ３０２およびＩＣチップ３０３としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体３０５は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン３０７を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン３０７により配線形成容器体３０５の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン３０７により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体３０５内に固着している。   Here, flip bonding molds are used as the CMOS image sensor 302 and the IC chip 303, and the wiring forming container body 305 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and has a three-dimensional surface on its surface. A three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 307 formed by patterning is formed, and electronic components included in the inside of the wiring forming container body 305 are wired by the three-dimensional wiring pattern 307, and the three-dimensional wiring pattern 307 is included. The inclusion component is fixed in the wiring forming container body 305 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the components.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図２１は本実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図２２は本実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 21 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the third embodiment, and FIG. 22 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the third embodiment. is there.

まず、図２１に示すように、（ａ）配線形成容器体３０５の凹部（１）３２５に、ＣＭＯＳイメージセンサ３０２を、その受光領域３１２が開口部３０６内に位置するように配置した状態で、配線パターン３０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体３０５の凹部（２）３２６に、ＩＣチップ３０３を、そのチップ面でＣＭＯＳイメージセンサ３０２を覆うように配置した状態で、配線パターン３０７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＩＣチップ３０３とＣＭＯＳイメージセンサ３０２が配線形成容器体３０５内で積層された状態になる。（ｄ）開口部３０６から受光領域３１２を含む範囲に紫外線３２７を照射しながら、配線形成容器体３０５とＩＣチップ３０３との間にノズル３２８から封止用樹脂３２９を注入して、ＩＣチップ３０３とＣＭＯＳイメージセンサ３０２と配線形成容器体３０５との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域３１２の周囲の封止用樹脂３２９は、紫外線３２７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂３２９が充填中に開口部３０６から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップ３０３とＣＭＯＳイメージセンサ３０２が配線形成容器体３０５内に包含された状態でＩＣチップ３０３とＣＭＯＳイメージセンサ３０２と配線形成容器体３０５とが一体化され一部品（一体化部品３３０）となる。   First, as shown in FIG. 21, (a) the CMOS image sensor 302 is disposed in the recess (1) 325 of the wiring forming container body 305 so that the light receiving region 312 is positioned in the opening 306. The wiring pattern 307 is electrically connected by flip bonding. (B) In a state where the IC chip 303 is disposed in the recess (2) 326 of the wiring forming container body 305 so as to cover the CMOS image sensor 302 with the chip surface, electrical connection is performed by flip bonding to the wiring pattern 307. Connect to. (C) Through the steps (a) and (b), the IC chip 303 and the CMOS image sensor 302 are stacked in the wiring forming container body 305. (D) A resin 329 for sealing is injected from the nozzle 328 between the wiring formation container body 305 and the IC chip 303 while irradiating the range including the light receiving region 312 from the opening 306 with the IC chip 303. And the gap between the CMOS image sensor 302 and the wiring forming container body 305 is filled. At the time of filling, the sealing resin 329 around the light receiving region 312 is cured faster than the other portions by irradiation of the ultraviolet rays 327, so that the opening portion 306 is filled while the other portion of the sealing resin 329 is filled. Never flow out of. (E) After the steps (a) to (d), the IC chip 303, the CMOS image sensor 302, and the wiring formation container body in a state where the IC chip 303 and the CMOS image sensor 302 are included in the wiring formation container body 305. 305 is integrated into one component (integrated component 330).

次に、図２２に示すように、（ａ）一体化部品３３０の配線形成容器体３０５に、その開口部３０６を閉塞するように、カバーガラス３０８を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品３３０の配線形成容器体３０５を、その配線パターン３０７により、ＩＣチップ３０３が配線基板３００に対向する方向に、配線基板３００の配線パターン３０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス３０８が取り付けられた一体化部品３３０を配線基板３００上に取り付ける。（ｄ）一体化部品３３０の配線形成容器体３０５に、カバーガラス３０８を覆うように、レンズ鏡筒部３０９を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板３００上に、レンズ鏡筒部３０９が取り付けられた一体化部品３３０を取り付けることにより、図１９に示す本実施の形態３の固体撮像装置を製造する。   Next, as shown in FIG. 22, (a) a cover glass 308 is attached to the wiring forming container body 305 of the integrated component 330 by adhesion or the like so as to close the opening 306. (B) The wiring forming container body 305 of the integrated component 330 is electrically connected to the wiring pattern 301 of the wiring board 300 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 303 faces the wiring board 300 by the wiring pattern 307. To do. (C) Through the steps (a) and (b), the integrated component 330 to which the cover glass 308 is attached is attached on the wiring board 300. (D) The lens barrel portion 309 is attached to the wiring forming container body 305 of the integrated component 330 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 308. (E) Through the steps (a) to (d) described above, by attaching the integrated component 330 to which the lens barrel portion 309 is attached on the wiring board 300, the third embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device is manufactured.

本発明の実施の形態３の他の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。
図２０は本実施の形態３の固体撮像装置の他の構造を示す断面図である。図２０において、３５０は配線パターン３５１が形成された配線基板、３５２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、３５３はＣＭＯＳイメージセンサ３５２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、３５４は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、３５５は容器状で被写体からの光が通過するための開口部３５６を有し配線パターン３５７が形成された配線形成容器体、３５８は防塵用のカバーガラス、３５９はレンズ３６０およびレンズ保持筒３６１からなるレンズ鏡筒部である。 Another solid-state imaging device according to Embodiment 3 of the present invention and a manufacturing method thereof will be described.
FIG. 20 is a cross-sectional view showing another structure of the solid-state imaging device of the third embodiment. In FIG. 20, 350 is a wiring board on which a wiring pattern 351 is formed, 352 is a CMOS image sensor which is an image sensor for imaging, 353 is an IC chip such as a DSP for driving and signal processing for the CMOS image sensor 352, 354 is a resistor for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, a passive element such as a capacitor and a coil, 355 is a container and has an opening 356 for light from the subject to pass therethrough, and wiring A wiring forming container body in which the pattern 357 is formed, 358 is a dust-proof cover glass, and 359 is a lens barrel portion including a lens 360 and a lens holding cylinder 361.

この固体撮像装置は、図２０に示すように、配線形成容器体３５５の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２を、その受光領域３６２に被写体光が配線形成容器体３５５の開口部３５６を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３とを積層した状態で包含して、配線形成容器体３５５とＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体３５５を、その配線パターン３５７と配線基板３５０上の配線パターン３５１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板３５０上に搭載した状態に構成されている。この固体撮像装置の場合、図１９の構造と異なる点は、配線形成容器体３５５の内部で、ＩＣチップ３５３をＣＭＯＳイメージセンサ３５２より被写体光の入射側に配置している点である。   As shown in FIG. 20, this solid-state imaging device has a CMOS image sensor 352 inside a wiring formation container body 355, and subject light can enter the light receiving region 362 through an opening 356 of the wiring formation container body 355. The CMOS image sensor 352 and the IC chip 353 are included in a stacked state, and the wiring forming container body 355, the CMOS image sensor 352, and the IC chip 353 are integrated into one component, and such wiring The formation container body 355 is configured to be mounted on the wiring board 350 by electrically connecting the wiring pattern 357 and the wiring pattern 351 on the wiring board 350 by soldering or the like. In the case of this solid-state imaging device, the difference from the structure of FIG. 19 is that the IC chip 353 is arranged on the incident light incident side of the CMOS image sensor 352 inside the wiring forming container body 355.

また、ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２およびＩＣチップ３５３としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体３５５は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン３５７を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン３５７により配線形成容器体３５５の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン３５７により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体３５５内に固着している。   Further, here, flip bonding molds are used as the CMOS image sensor 352 and the IC chip 353, and the wiring forming container body 355 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and three-dimensionally formed on the surface thereof. A three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 357 formed by typical patterning is formed, and electronic components included in the wiring forming container body 355 are wired by the three-dimensional wiring pattern 357, and wiring is performed by the three-dimensional wiring pattern 357. The inclusion component is fixed in the wiring forming container body 355 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the inclusion components.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図２３は本実施の形態３の固体撮像装置の他の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図２４は本実施の形態３の固体撮像装置の他の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 23 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in another manufacturing method of the solid-state imaging device of the third embodiment, and FIG. 24 shows a post-manufacturing process in another manufacturing method of the solid-state imaging device of the third embodiment. FIG.

まず、図２３に示すように、（ａ）配線形成容器体３５５の凹部（１）３７５に、ＩＣチップ３５３を、配線パターン３５７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体３５５の凹部（２）３７６に、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２を、その受光領域３６２が開口部３５６内に位置するとともに、そのチップ面でＩＣチップ３５３を覆うように配置した状態で、配線パターン３５７との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３が配線形成容器体３５５内で積層された状態になる。（ｄ）開口部３５６から受光領域３６２を含む範囲に紫外線３７７を照射しながら、配線形成容器体３５５とＣＭＯＳイメージセンサ３５２との間にノズル３７８から封止用樹脂３７９を注入して、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３と配線形成容器体３５５との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域３６２の周囲の封止用樹脂３７９は、紫外線３７７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂３７９が充填中に開口部３５６から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３が配線形成容器体３５５内に包含された状態でＣＭＯＳイメージセンサ３５２とＩＣチップ３５３と配線形成容器体３５５とが一体化され一部品（一体化部品３８０）となる。この場合は、上記（ｄ）工程で、ノズル３７８からの封止用樹脂３７９の注入を、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２の上面に対して（矢印）も行っているため、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２の上面にも封止用樹脂３７９が充填された状態になっている。   First, as shown in FIG. 23, (a) the IC chip 353 is electrically connected to the recess (1) 375 of the wiring forming container body 355 with the wiring pattern 357 by flip bonding. (B) A state in which the CMOS image sensor 352 is disposed in the recess (2) 376 of the wiring forming container body 355 so that the light receiving region 362 is located in the opening 356 and the IC chip 353 is covered with the chip surface. Thus, it is electrically connected to the wiring pattern 357 by flip bonding. (C) Through the steps (a) and (b), the CMOS image sensor 352 and the IC chip 353 are stacked in the wiring forming container body 355. (D) A resin 379 for sealing is injected from the nozzle 378 between the wiring forming container body 355 and the CMOS image sensor 352 while irradiating ultraviolet rays 377 from the opening 356 to the range including the light receiving region 362, and the CMOS image. The gap between the sensor 352, the IC chip 353, and the wiring forming container body 355 is filled. At the time of filling, the sealing resin 379 around the light receiving region 362 is cured faster than other portions by irradiation of the ultraviolet rays 377, and therefore the opening portion 356 is filled while the sealing resin 379 of the other portion is being filled. Never flow out of. (E) The CMOS image sensor 352, the IC chip 353, and the wiring formation container body in a state where the CMOS image sensor 352 and the IC chip 353 are contained in the wiring formation container body 355 through the steps (a) to (d). 355 are integrated into one component (integrated component 380). In this case, since the sealing resin 379 is injected from the nozzle 378 into the upper surface of the CMOS image sensor 352 (arrow) in the step (d), the upper surface of the CMOS image sensor 352 is also injected. The sealing resin 379 is filled.

ここで、上記（ｄ）、（ｅ）工程の代わりに、（ｆ）、（ｇ）工程とすることもできる。この場合は、（ｆ）工程で、ノズル３７８からの封止用樹脂３７９の注入を、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２よりも下側のみに対して行っているため、（ｇ）工程での一体化部品３８０は、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２の上面には封止用樹脂３７９が充填されない状態になっている。   Here, instead of the steps (d) and (e), the steps (f) and (g) may be used. In this case, since the sealing resin 379 is injected only from the nozzle 378 into the lower side of the CMOS image sensor 352 in the step (f), the integrated component 380 in the step (g). The upper surface of the CMOS image sensor 352 is not filled with the sealing resin 379.

次に、図２４に示すように、（ａ）一体化部品３８０の配線形成容器体３５５に、その開口部３５６を閉塞するように、カバーガラス３５８を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品３８０の配線形成容器体３５５を、その配線パターン３５７により、ＣＭＯＳイメージセンサ３５２が配線基板３５０に対向する方向に、配線基板３５０の配線パターン３５１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス３５８が取り付けられた一体化部品３８０を配線基板３５０上に取り付ける。（ｄ）一体化部品３８０の配線形成容器体３５５に、カバーガラス３５８を覆うように、レンズ鏡筒部３５９を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板３５０上に、レンズ鏡筒部３５９が取り付けられた一体化部品３８０を取り付けることにより、図２０に示す本実施の形態３における他の構造の固体撮像装置を製造する。   Next, as shown in FIG. 24, (a) a cover glass 358 is attached to the wiring forming container body 355 of the integrated component 380 by adhesion or the like so as to close the opening 356. (B) The wiring forming container body 355 of the integrated component 380 is electrically connected to the wiring pattern 351 of the wiring board 350 by soldering or the like in the direction in which the CMOS image sensor 352 faces the wiring board 350 by the wiring pattern 357. Connecting. (C) The integrated component 380 to which the cover glass 358 is attached is attached on the wiring board 350 through the steps (a) and (b). (D) The lens barrel portion 359 is attached to the wiring forming container body 355 of the integrated component 380 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 358. (E) Through the steps (a) to (d) described above, the integrated component 380 with the lens barrel portion 359 attached is attached on the wiring board 350, whereby the third embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device having another structure is manufactured.

このような構造とすることにより、図１９に示す構造に比べて、さらに薄型化することができる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。 By adopting such a structure, the thickness can be further reduced as compared with the structure shown in FIG.
(Embodiment 4)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 4 of the present invention will be described.

図２５は本実施の形態４の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図２５において、４００は配線パターン４０１が形成された配線基板、４０２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、４０３はＣＭＯＳイメージセンサ４０２に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、４０４、４０５は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、４０６は容器状で被写体からの光が通過するための開口部４０７を有し配線パターン４０８が形成された配線形成容器体、４０９は防塵用のカバーガラス、４１０はレンズ４１１およびレンズ保持筒４１２からなるレンズ鏡筒部である。   FIG. 25 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the fourth embodiment. In FIG. 25, 400 is a wiring board on which a wiring pattern 401 is formed, 402 is a CMOS image sensor which is an image sensor for imaging, 403 is an IC chip such as a DSP for driving and signal processing for the CMOS image sensor 402, 404 and 405 are resistors for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, passive elements such as capacitors and coils, and 406 is a container and has an opening 407 through which light from the subject passes. A wiring forming container body in which a wiring pattern 408 is formed, 409 is a dust-proof cover glass, and 410 is a lens barrel portion including a lens 411 and a lens holding cylinder 412.

本実施の形態４の固体撮像装置は、図２５に示すように、配線形成容器体４０６の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ４０２を、その受光領域４１３に被写体光が配線形成容器体４０６の開口部４０７を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＭＯＳイメージセンサ４０２とＩＣチップ４０３と受動素子４０４とを積層した状態で包含して、配線形成容器体４０６とＣＭＯＳイメージセンサ４０２とＩＣチップ４０３と受動素子４０４とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体４０６を、その配線パターン４０８と配線基板４００上の配線パターン４０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板４００上に搭載した状態に構成されている。   As shown in FIG. 25, the solid-state imaging device according to the fourth embodiment includes a CMOS image sensor 402 inside a wiring formation container body 406, and subject light in the light receiving region 413 of the opening 407 of the wiring formation container body 406. In addition, the CMOS image sensor 402, the IC chip 403, and the passive element 404 are included in a stacked state, and the wiring formation container body 406, the CMOS image sensor 402, the IC chip 403, and the passive element 404 are included. And the wiring pattern container 406 is electrically connected to the wiring pattern 401 on the wiring board 400 by soldering or the like. It is configured to be mounted.

ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ４０２およびＩＣチップ４０３としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体４０６は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン４０８を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン４０８により配線形成容器体４０６の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン４０８により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体４０６内に固着している。   Here, flip bonding molds are used as the CMOS image sensor 402 and the IC chip 403, and the wiring forming container body 406 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and has a three-dimensional surface on its surface. A three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 408 formed by patterning is formed, and electronic components included in the inside of the wiring forming container body 406 are wired by the three-dimensional wiring pattern 408, and the three-dimensional wiring pattern 408 is included. The inclusion component is fixed in the wiring forming container body 406 by being cured while the sealing resin is filled in the gap between the components.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図２７は本実施の形態４の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図２８は本実施の形態４の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 27 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fourth embodiment, and FIG. 28 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fourth embodiment. is there.

まず、図２７に示すように、（ａ）配線形成容器体４０６の凹部（１）４２５に、受動素子４０４を配線パターン４０８との間でハンダ付け等により電気的に接続した後に、配線形成容器体４０６の凹部（２）４２６に、ＣＭＯＳイメージセンサ４０２を、その受光領域４１３が開口部４０７内に位置するとともに、そのチップ面で受動素子４０４を覆うように配置した状態で、配線パターン４０８との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体４０６の凹部（３）４２７に、ＩＣチップ４０３を、そのチップ面でＣＭＯＳイメージセンサ４０２を覆うように配置した状態で、配線パターン４０８との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＩＣチップ４０３とＣＭＯＳイメージセンサ４０２と受動素子４０４が配線形成容器体４０６内で積層された状態になる。（ｄ）開口部４０７から受光領域４１３を含む範囲に紫外線４２８を照射しながら、配線形成容器体４０６とＩＣチップ４０３との間にノズル４２９から封止用樹脂４３０を注入して、ＩＣチップ４０３とＣＭＯＳイメージセンサ４０２と受動素子４０４と配線形成容器体４０６との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域４１３の周囲の封止用樹脂４３０は、紫外線４２８の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂４３０が充填中に開口部４０７から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＩＣチップ４０３とＣＭＯＳイメージセンサ４０２と受動素子４０４が配線形成容器体４０６内に包含された状態で、ＩＣチップ４０３とＣＭＯＳイメージセンサ４０２と受動素子４０４と配線形成容器体４０６とが一体化され一部品（一体化部品４３１）となる。   First, as shown in FIG. 27, after (a) the passive element 404 is electrically connected to the recess (1) 425 of the wiring forming container body 406 with the wiring pattern 408 by soldering or the like, In a state where the CMOS image sensor 402 is disposed in the recess (2) 426 of the body 406 so that the light receiving region 413 is located in the opening 407 and the chip surface covers the passive element 404, the wiring pattern 408 Are electrically connected by flip bonding. (B) In a state where the IC chip 403 is disposed in the recess (3) 427 of the wiring formation container body 406 so as to cover the CMOS image sensor 402 with the chip surface, electrical connection is performed by flip bonding to the wiring pattern 408. Connect to. (C) Through the steps (a) and (b), the IC chip 403, the CMOS image sensor 402, and the passive element 404 are stacked in the wiring formation container body 406. (D) The resin 430 for sealing is injected from the nozzle 429 between the wiring formation container body 406 and the IC chip 403 while irradiating the range including the light receiving region 413 from the opening 407 to the IC chip 403. The gap between the CMOS image sensor 402, the passive element 404, and the wiring forming container body 406 is filled. At the time of filling, the sealing resin 430 around the light receiving region 413 is cured faster than other portions by irradiation of the ultraviolet rays 428, and therefore the opening portion 407 is filled while the other portion of the sealing resin 430 is filled. Never flow out of. (E) The IC chip 403, the CMOS image sensor 402, and the IC chip 403, the CMOS image sensor 402, and the passive element 404 are contained in the wiring formation container body 406 through the steps (a) to (d). The passive element 404 and the wiring forming container body 406 are integrated into one component (integrated component 431).

次に、図２８に示すように、（ａ）一体化部品４３１の配線形成容器体４０６に、その開口部４０７を閉塞するように、カバーガラス４０９を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品４３１の配線形成容器体４０６を、その配線パターン４０８により、ＩＣチップ４０３が配線基板４００に対向する方向に、配線基板４００の配線パターン４０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス４０９が取り付けられた一体化部品４３１を配線基板４００上に取り付ける。（ｄ）一体化部品４３１の配線形成容器体４０６に、カバーガラス４０９を覆うように、レンズ鏡筒部４１０を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板４００上に、レンズ鏡筒部４１０が取り付けられた一体化部品４３１を取り付けることにより、図２５に示す本実施の形態４の固体撮像装置を製造する。   Next, as shown in FIG. 28, (a) a cover glass 409 is attached to the wiring forming container body 406 of the integrated component 431 by adhesion or the like so as to close the opening 407. (B) The wiring formation container body 406 of the integrated component 431 is electrically connected to the wiring pattern 401 of the wiring board 400 by soldering or the like in the direction in which the IC chip 403 faces the wiring board 400 by the wiring pattern 408. To do. (C) The integrated component 431 to which the cover glass 409 is attached is attached on the wiring board 400 through the steps (a) and (b). (D) The lens barrel portion 410 is attached to the wiring forming container body 406 of the integrated component 431 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 409. (E) Through the above steps (a) to (d), the integrated component 431 with the lens barrel 410 attached is attached on the wiring board 400, so that the fourth embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device is manufactured.

なお、本実施の形態４の固体撮像装置についても、図示しないが、実施の形態３の固体撮像装置の構造として図２０で説明した構造と同様に、ＩＣチップを受動素子と共にＣＭＯＳイメージセンサより被写体光の入射側に配置した構成とすることができる。   The solid-state imaging device according to the fourth embodiment is not shown, but the structure of the solid-state imaging device according to the third embodiment is similar to the structure described with reference to FIG. It can be set as the structure arrange | positioned at the incident side of light.

この場合も、実施の形態３の固体撮像装置と同様に、図２５に示す構造に比べて、さらに薄型化することができる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５の固体撮像装置およびその製造方法を説明する。 Also in this case, similarly to the solid-state imaging device of Embodiment 3, the thickness can be further reduced as compared with the structure shown in FIG.
(Embodiment 5)
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to Embodiment 5 of the present invention will be described.

図２６は本実施の形態５の固体撮像装置の構造を示す断面図であり、図２６（ａ）は固体撮像装置の基本構造例を示し、図２６（ｂ）はイメージセンサ部分の他の構造例を示す。図２６（ａ）において、５００は配線パターン５０１が形成された配線基板、５０２は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ５０３、およびＣＭＯＳイメージセンサ５０３に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣ５０４からなるＣＭＯＳチップ、５０５、５０６は駆動および信号処理時の各信号の電流や電圧を調節するための抵抗、コンデンサやコイル等の受動素子、５０７は容器状で被写体からの光が通過するための開口部５０８を有し配線パターン５０９が形成された配線形成容器体、５１０は防塵用のカバーガラス、５１１はレンズ５１２およびレンズ保持筒５１３からなるレンズ鏡筒部である。   FIG. 26 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the fifth embodiment. FIG. 26 (a) shows an example of the basic structure of the solid-state imaging device, and FIG. 26 (b) shows another structure of the image sensor portion. An example is shown. In FIG. 26A, reference numeral 500 denotes a wiring board on which a wiring pattern 501 is formed, 502 denotes a CMOS image sensor 503 that is an imaging image sensor, and a DSP for driving and signal processing the CMOS image sensor 503. A CMOS chip composed of an IC 504, 505 and 506 are resistors for adjusting the current and voltage of each signal during driving and signal processing, passive elements such as capacitors and coils, and 507 is a container that allows light from a subject to pass through. A wiring forming container body having an opening 508 and a wiring pattern 509 formed thereon, 510 is a dust-proof cover glass, and 511 is a lens barrel portion including a lens 512 and a lens holding tube 513.

本実施の形態５の固体撮像装置は、図２６（ａ）に示すように、配線形成容器体５０７の内部に、ＣＭＯＳチップ５０２を、そのＣＭＯＳイメージセンサ５０３の受光領域５１４に被写体光が配線形成容器体５０７の開口部５０８を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５とを積層した状態で包含して、配線形成容器体５０７とＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体５０７を、その配線パターン５０９と配線基板５００上の配線パターン５０１とをハンダ付け等により電気的に接続して、配線基板５００上に搭載した状態に構成されている。   In the solid-state imaging device of the fifth embodiment, as shown in FIG. 26A, a CMOS chip 502 is formed inside a wiring formation container body 507, and subject light is formed in a light receiving region 514 of the CMOS image sensor 503. The wiring body 507, the CMOS chip 502, and the passive element 505 are integrated by including the CMOS chip 502 and the passive element 505 in a stacked state, so as to be incident through the opening 508 of the container body 507. The wiring formation container body 507 is mounted on the wiring board 500 by electrically connecting the wiring pattern 509 and the wiring pattern 501 on the wiring board 500 by soldering or the like. It is configured.

ここでは、ＣＭＯＳチップ５０２としてフリップボンディング型を使用し、配線形成容器体５０７は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン５０９を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン５０９により配線形成容器体５０７の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン５０９により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体５０７内に固着している。   Here, a flip bonding mold is used as the CMOS chip 502, and the wiring forming container body 507 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and formed on the surface thereof by three-dimensional patterning. A three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 509 is formed, and the electronic components included in the wiring forming container body 507 are wired by the three-dimensional wiring pattern 509, and the gaps between the included components wired by the three-dimensional wiring pattern 509 are formed. The inclusion component is fixed in the wiring forming container body 507 by being cured while being filled with the sealing resin.

以上のように構成された固体撮像装置について、その製造方法を以下に説明する。
図２９は本実施の形態５の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図であり、図３０は本実施の形態５の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図である。 A manufacturing method of the solid-state imaging device configured as described above will be described below.
FIG. 29 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fifth embodiment, and FIG. 30 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fifth embodiment. is there.

まず、図２９に示すように、（ａ）配線形成容器体５０７の凹部（１）５２５に、受動素子５０５を配線パターン５０９との間でハンダ付け等により電気的に接続する。（ｂ）配線形成容器体５０７の凹部（２）５２６に、ＣＭＯＳチップ５０２を、その受光領域５１４が開口部５０８内に位置するとともに、そのチップ面で受動素子５０５を覆うように配置した状態で、配線パターン５０９との間でフリップボンディングにより電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、ＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５が配線形成容器体５０７内で積層された状態になる。（ｄ）開口部５０８から受光領域５１４を含む範囲に紫外線５２７を照射しながら、配線形成容器体５０７とＣＭＯＳチップ５０２との間にノズル５２８から封止用樹脂５２９を注入して、ＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５と配線形成容器体５０７との隙間に充填する。この充填の際には、受光領域５１４の周囲の封止用樹脂５２９は、紫外線５２７の照射により他の部分より早く硬化するため、他の部分の封止用樹脂５２９が充填中に開口部５０８から流れ出ることはない。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、ＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５が配線形成容器体５０７内に包含された状態でＣＭＯＳチップ５０２と受動素子５０５と配線形成容器体５０７とが一体化され一部品（一体化部品５３０）となる。この場合は、上記（ｄ）工程で、ノズル５２８からの封止用樹脂５２９の注入を、ＣＭＯＳチップ５０２の上面に対して（矢印）も行っているため、ＣＭＯＳチップ５０２の上面にも封止用樹脂５２９が充填された状態になっている。   First, as shown in FIG. 29, (a) the passive element 505 is electrically connected to the recess (1) 525 of the wiring formation container body 507 with the wiring pattern 509 by soldering or the like. (B) In a state where the CMOS chip 502 is disposed in the recess (2) 526 of the wiring formation container body 507 so that the light receiving region 514 is located in the opening 508 and the passive element 505 is covered with the chip surface. The wiring pattern 509 is electrically connected by flip bonding. (C) Through the steps (a) and (b), the CMOS chip 502 and the passive element 505 are stacked in the wiring formation container body 507. (D) A resin 529 for sealing is injected from the nozzle 528 between the wiring forming container body 507 and the CMOS chip 502 while irradiating ultraviolet rays 527 to the range including the light receiving region 514 from the opening 508, and the CMOS chip 502. And the gap between the passive element 505 and the wiring forming container body 507 is filled. At the time of filling, the sealing resin 529 around the light receiving region 514 is cured faster than other portions by irradiation of the ultraviolet rays 527, and therefore the opening portion 508 is filled while the other portion of the sealing resin 529 is being filled. Never flow out of. (E) After the steps (a) to (d), the CMOS chip 502, the passive element 505, the wiring formation container body 507, and the CMOS chip 502 and the passive element 505 are included in the wiring formation container body 507. Are integrated into one component (integrated component 530). In this case, since the sealing resin 529 is injected from the nozzle 528 into the upper surface of the CMOS chip 502 (arrow) in the step (d), the upper surface of the CMOS chip 502 is also sealed. The resin 529 is filled.

ここで、上記（ｄ）、（ｅ）工程の代わりに、（ｆ）、（ｇ）工程とすることもできる。この場合は、（ｆ）工程で、ノズル５２８からの封止用樹脂５２９の注入を、ＣＭＯＳチップ５０２よりも下側のみに対して行っているため、（ｇ）工程での一体化部品５３０は、ＣＭＯＳチップ５０２の上面には封止用樹脂５２９が充填されない状態になっている。   Here, instead of the steps (d) and (e), the steps (f) and (g) may be used. In this case, since the sealing resin 529 is injected from the nozzle 528 only to the lower side of the CMOS chip 502 in the step (f), the integrated component 530 in the step (g) is The upper surface of the CMOS chip 502 is not filled with the sealing resin 529.

次に、図３０に示すように、（ａ）一体化部品５３０の配線形成容器体５０７に、その開口部５０８を閉塞するように、カバーガラス５１０を接着等により取り付ける。（ｂ）一体化部品５３０の配線形成容器体５０７を、その配線パターン５０９により、ＣＭＯＳチップ５０２が配線基板５００に対向する方向に、配線基板５００の配線パターン５０１にハンダ付け等により電気的に接続する。（ｃ）上記（ａ）および（ｂ）の工程を経て、カバーガラス５１０が取り付けられた一体化部品５３０を配線基板５００上に取り付ける。（ｄ）一体化部品５３０の配線形成容器体５０７に、カバーガラス５１０を覆うように、レンズ鏡筒部５１１を接着等により取り付ける。（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の工程を経て、配線基板５００上に、レンズ鏡筒部５１１が取り付けられた一体化部品５３０を取り付けることにより、図２６（ａ）に示す本実施の形態５の固体撮像装置を製造する。   Next, as shown in FIG. 30, (a) a cover glass 510 is attached to the wiring forming container body 507 of the integrated component 530 by adhesion or the like so as to close the opening 508. (B) The wiring forming container body 507 of the integrated component 530 is electrically connected to the wiring pattern 501 of the wiring board 500 by soldering or the like in the direction in which the CMOS chip 502 faces the wiring board 500 by the wiring pattern 509. To do. (C) The integrated component 530 to which the cover glass 510 is attached is attached on the wiring board 500 through the steps (a) and (b). (D) The lens barrel portion 511 is attached to the wiring forming container body 507 of the integrated component 530 by adhesion or the like so as to cover the cover glass 510. (E) Through the steps (a) to (d) described above, the integrated component 530 with the lens barrel portion 511 attached is mounted on the wiring board 500, whereby the embodiment shown in FIG. A solid-state imaging device of form 5 is manufactured.

なお、図２６（ａ）では、ＣＭＯＳチップ５０２として、受動素子５０５を覆った状態となるような大きさのＣＭＯＳチップを使用した場合を示しているが、図２６（ｂ）に示すように、受動素子５０５を覆った状態とならないような大きさのＣＭＯＳチップを使用してもよい。この場合も、図２６（ａ）の場合と同様の製造方法により、固体撮像装置を製造することができる。
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６の固体撮像装置を説明する。 FIG. 26A shows a case where a CMOS chip having a size that covers the passive element 505 is used as the CMOS chip 502. As shown in FIG. A CMOS chip having a size that does not cover the passive element 505 may be used. Also in this case, the solid-state imaging device can be manufactured by the same manufacturing method as in FIG.
(Embodiment 6)
A solid-state imaging device according to Embodiment 6 of the present invention will be described.

図３１は本実施の形態６の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図３１において、６００は撮像用イメージセンサであるＣＣＤイメージセンサ、６０１はＣＣＤイメージセンサ６００に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、６０２は容器状で被写体からの光が通過するための開口部６０３を有し配線パターン６０４が形成された配線形成容器体、６０５は防塵用のカバーガラスである。なお、この固体撮像装置では図示していないが、この場合でも、撮像装置として機能させるためには通常、実施の形態１〜実施の形態５の固体撮像装置と同様に、レンズおよびレンズ保持筒からなるレンズ鏡筒部が使用される。   FIG. 31 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the sixth embodiment. In FIG. 31, reference numeral 600 denotes a CCD image sensor which is an image sensor for image pickup, 601 denotes an IC chip such as a DSP for driving and signal processing with respect to the CCD image sensor 600, and 602 denotes a container in which light from a subject passes. A wiring forming container body 605 having an opening 603 for forming a wiring pattern 604 and a cover glass for dust prevention. Although not shown in this solid-state imaging device, in this case as well, in order to function as an imaging device, it is usually from a lens and a lens holding tube as in the solid-state imaging device of the first to fifth embodiments. A lens barrel is used.

本実施の形態６の固体撮像装置は、図３１に示すように、配線形成容器体６０２の内部に、ＣＣＤイメージセンサ６００を、その受光領域６０６に被写体光が配線形成容器体６０２の開口部６０３を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＣＤイメージセンサ６００とＩＣチップ６０１とを積層した状態で包含して、配線形成容器体６０２とＣＣＤイメージセンサ６００とＩＣチップ６０１とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体６０２を配線基板（図示せず）上に搭載した状態に構成されている。   In the solid-state imaging device according to the sixth embodiment, as shown in FIG. 31, the CCD image sensor 600 is placed inside the wiring forming container body 602, and the subject light enters the light receiving area 606 in the opening 603 of the wiring forming container body 602. The CCD image sensor 600 and the IC chip 601 are included in a stacked state, and the wiring forming container body 602, the CCD image sensor 600, and the IC chip 601 are integrated into one component. Such a wiring forming container body 602 is configured to be mounted on a wiring board (not shown).

ここでは、ＣＣＤイメージセンサ６００としてワイヤボンディング型を使用し、ＩＣチップ６０１としてフリップボンディング型を使用し、ＣＣＤイメージセンサ６００をＩＣチップ６０１上に接着固定している。また、配線形成容器体６０２は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン６０４を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン６０４により配線形成容器体６０２の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン６０４により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体６０２内に固着している。
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７の固体撮像装置を説明する。 Here, a wire bonding type is used as the CCD image sensor 600, a flip bonding type is used as the IC chip 601, and the CCD image sensor 600 is bonded and fixed on the IC chip 601. The wiring forming container body 602 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and forms a three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 604 formed by three-dimensional patterning on the surface thereof. The electronic component contained in the wiring forming container 602 is wired by the three-dimensional wiring pattern 604, and is cured while the sealing resin is filled in the gap between the included components wired by the three-dimensional wiring pattern 604. Thus, the inclusion component is fixed in the wiring forming container body 602.
(Embodiment 7)
A solid-state imaging device according to Embodiment 7 of the present invention will be described.

図３２は本実施の形態７の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図３２において、７００は撮像用イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ、７０１はＣＭＯＳイメージセンサ７００に対して駆動および信号処理するためのＤＳＰ等のＩＣチップ、７０２は容器状で被写体からの光が通過するための開口部７０３を有し配線パターン７０４が形成された配線形成容器体、７０５は防塵用のカバーガラスである。なお、この固体撮像装置では図示していないが、この場合でも、撮像装置として機能させるためには通常、実施の形態１〜実施の形態５の固体撮像装置と同様に、レンズおよびレンズ保持筒からなるレンズ鏡筒部が使用される。   FIG. 32 is a cross-sectional view showing the structure of the solid-state imaging device according to the seventh embodiment. 32, reference numeral 700 denotes a CMOS image sensor which is an image sensor for imaging, reference numeral 701 denotes an IC chip such as a DSP for driving and signal processing with respect to the CMOS image sensor 700, and reference numeral 702 denotes a container in which light from a subject passes. A wiring forming container body 705 having an opening 703 for forming a wiring pattern 704 and a cover glass for dust prevention. Although not shown in this solid-state imaging device, in this case as well, in order to function as an imaging device, it is usually from a lens and a lens holding tube as in the solid-state imaging device of the first to fifth embodiments. A lens barrel is used.

本実施の形態７の固体撮像装置は、図３２に示すように、配線形成容器体７０２の内部に、ＣＭＯＳイメージセンサ７００を、その受光領域７０６に被写体光が配線形成容器体７０２の開口部７０３を通して入射可能なように配置するとともに、ＣＭＯＳイメージセンサ７００とＩＣチップ７０１とを積層した状態で包含して、配線形成容器体７０２とＣＭＯＳイメージセンサ７００とＩＣチップ７０１とを一体化して１部品とし、このような配線形成容器体７０２を配線基板（図示せず）上に搭載した状態に構成されている。   As shown in FIG. 32, the solid-state imaging device according to the seventh embodiment includes a CMOS image sensor 700 in a wiring formation container body 702, and subject light is received in the light receiving area 706 of an opening 703 in the wiring formation container body 702. The CMOS image sensor 700 and the IC chip 701 are included in a stacked state, and the wiring forming container body 702, the CMOS image sensor 700, and the IC chip 701 are integrated into one component. Such a wiring formation container body 702 is configured to be mounted on a wiring board (not shown).

ここでは、ＣＭＯＳイメージセンサ７００としてワイヤボンディング型を使用し、ＩＣチップ７０１としてフリップボンディング型を使用し、ＣＭＯＳイメージセンサ７００をＩＣチップ７０１上に接着固定している。また、配線形成容器体７０２は、材料にセラミックを用いて金型成形により形成した成形体であり、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターン７０４を有する立体配線基板を成し、その立体配線パターン７０４により配線形成容器体７０２の内部に包含されている電子部品を配線し、立体配線パターン７０４により配線した包含部品間の隙間に封止用樹脂が充填されながら硬化されることにより、包含部品を配線形成容器体７０２内に固着している。   Here, a wire bonding type is used as the CMOS image sensor 700, a flip bonding type is used as the IC chip 701, and the CMOS image sensor 700 is bonded and fixed onto the IC chip 701. The wiring forming container body 702 is a molded body formed by die molding using ceramic as a material, and forms a three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern 704 formed on the surface thereof by three-dimensional patterning. The electronic component contained in the wiring forming container body 702 is wired by the three-dimensional wiring pattern 704, and is cured while the sealing resin is filled in the gap between the included components wired by the three-dimensional wiring pattern 704. Thus, the inclusion part is fixed in the wiring forming container body 702.

以上のようにして、固体撮像装置が組み込まれる機器の薄型化および小型化への要求に対して、部品実装後の厚みおよび部品実装による投影面積の増大を抑えるとともに、実装部品の点数および部品実装ラインでの製造工数を削減することができる。   As described above, in response to demands for thinning and downsizing of devices in which solid-state imaging devices are incorporated, the thickness after mounting components and the increase in projected area due to component mounting are suppressed, and the number of mounted components and component mounting Manufacturing man-hours on the line can be reduced.

その結果、製品の一層の薄型化および小型化を実現することができるとともに、製品のコストを低減することができる。
なお、上記の各実施の形態に示す固体撮像装置においては、配線形成容器体を、その材料としてセラミックを用いて金型成形により形成した成形体で構成したが、材料に樹脂を用いて金型成形により形成した成形体で構成することも可能であり、同様に、その表面に三次元的なパターンニングにより形成した立体配線パターンを有する立体配線基板とし、その立体配線パターンにより配線形成容器体の内部に包含されている電子部品を配線することが可能である。 As a result, the product can be further reduced in thickness and size, and the cost of the product can be reduced.
In the solid-state imaging device shown in each of the above embodiments, the wiring forming container body is formed of a molded body formed by die molding using ceramic as a material thereof. It is also possible to form a molded body formed by molding. Similarly, a three-dimensional wiring board having a three-dimensional wiring pattern formed by three-dimensional patterning on the surface thereof, and the three-dimensional wiring pattern of the wiring forming container body It is possible to wire an electronic component contained inside.

また、配線形成容器体は、上記のように金型成形により形成した成形体で構成するだけでなく、複数の基板部材を貼り合わせて容器状にして構成することも可能である。
このように構成した場合も、上記の各実施の形態に示す固体撮像装置と同様の効果が得られる。 Further, the wiring forming container body can be configured not only by a molded body formed by mold molding as described above, but also by forming a container shape by bonding a plurality of substrate members.
Even when configured in this manner, the same effect as the solid-state imaging device described in each of the above embodiments can be obtained.

本発明の固体撮像装置およびその製造方法は、製品の一層の薄型化および小型化を実現することができるとともに、製品のコストを低減することができるものであり、カメラ機能を持ち薄型化および小型化が要求される携帯電話等の携帯端末機器に適用することができる。   The solid-state imaging device and the manufacturing method thereof according to the present invention can realize further thinning and downsizing of the product, and can reduce the cost of the product, and has a camera function and is reduced in thickness and size. The present invention can be applied to mobile terminal devices such as mobile phones that are required to be integrated.

従来の固体撮像装置の構造例（１）を示す断面図Sectional drawing which shows the structural example (1) of the conventional solid-state imaging device 従来の固体撮像装置の構造例（２）を示す断面図Sectional drawing which shows the structural example (2) of the conventional solid-state imaging device 従来の構造例（１）の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (1) 従来の構造例（１）の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (1) 従来の構造例（２）の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (2) 従来の構造例（２）の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (2) 従来の固体撮像装置の構造例（３）を示す断面図Sectional drawing which shows the structural example (3) of the conventional solid-state imaging device 従来の固体撮像装置の構造例（４）を示す断面図Sectional drawing which shows the structural example (4) of the conventional solid-state imaging device 従来の構造例（３）の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (3) 従来の構造例（３）の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (3) 従来の構造例（４）の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (4) 従来の構造例（４）の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the conventional structural example (4) 本発明の実施の形態１の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態２の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 2 of this invention 同実施の形態１の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the first embodiment 同実施の形態１の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment 同実施の形態２の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図FIG. 5 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the second embodiment. 同実施の形態２の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device of the second embodiment 本発明の実施の形態３の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 3 of this invention 同実施の形態３の固体撮像装置の他の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the other structure of the solid-state imaging device of Embodiment 3 同実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図Flow chart showing a pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the third embodiment 同実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device of the third embodiment 同実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における他の製造前工程を示すフロー図The flowchart which shows the other pre-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of Embodiment 3 同実施の形態３の固体撮像装置の製造方法における他の製造後工程を示すフロー図The flowchart which shows the other post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of Embodiment 3 本発明の実施の形態４の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 4 of this invention 本発明の実施の形態５の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 5 of this invention 同実施の形態４の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図FIG. 7 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the fourth embodiment. 同実施の形態４の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図Flow chart showing a post-manufacturing process in the manufacturing method of the solid-state imaging device of the fourth embodiment 同実施の形態５の固体撮像装置の製造方法における製造前工程を示すフロー図FIG. 9 is a flowchart showing a pre-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the fifth embodiment. 同実施の形態５の固体撮像装置の製造方法における製造後工程を示すフロー図FIG. 7 is a flowchart showing a post-manufacturing process in the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the fifth embodiment. 本発明の実施の形態６の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 6 of this invention 本発明の実施の形態７の固体撮像装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 7 of this invention

符号の説明Explanation of symbols

１００、２００、３００、３５０、４００、５００ 配線基板
１０１、２０１、３０１、３５１、４０１、５０１ 配線パターン
１０２、２０２ ＣＣＤイメージセンサ
１０３、２０３、３０３、３５３、４０３ ＩＣチップ
１０４、２０４、２１３、３０４、３５４、４０４、４０５、５０５、５０６ 受動素子
１０５、２０５、３０５、３５５、４０６、５０７ 配線形成容器体（立体配線基板）
１０６、２０６、３０６、３５６、４０７、５０８ 開口部
１０７、２０７、３０７、３５７、４０８、５０９ 立体配線パターン
１０８、２０８、３０８、３５８、４０９、５１０ カバーガラス
１０９、２０９、３０９、３５９、４１０、５１１ レンズ鏡筒部
１１０、２１０、３１０、３６０、４１１、５１２ レンズ
１１１、２１１、３１１、３６１、４１２、５１３ レンズ保持筒
１１２、２１２、３１２、３６２、４１３、５１４ 受光領域
１２５、２３０、３３０、３８０、４３１、５３０ 一体化部品
３０２、３５２、４０２、５０３ ＣＭＯＳイメージセンサ
５０２ ＣＭＯＳチップ
５０４ ＩＣ 100, 200, 300, 350, 400, 500 Wiring board 101, 201, 301, 351, 401, 501 Wiring pattern 102, 202 CCD image sensor 103, 203, 303, 353, 403 IC chip 104, 204, 213, 304 354, 404, 405, 505, 506 Passive element 105, 205, 305, 355, 406, 507 Wiring forming container (three-dimensional wiring board)
106, 206, 306, 356, 407, 508 Opening 107, 207, 307, 357, 408, 509 Solid wiring pattern 108, 208, 308, 358, 409, 510 Cover glass 109, 209, 309, 359, 410, 511 Lens barrel part 110, 210, 310, 360, 411, 512 Lens 111, 211, 311, 361, 412, 513 Lens holding cylinder 112, 212, 312, 362, 413, 514 Light receiving area 125, 230, 330, 380, 431, 530 Integrated parts 302, 352, 402, 503 CMOS image sensor 502 CMOS chip 504 IC

Claims (1)

第１の凹部および前記第１の凹部に形成されて開口部が設けられる第２の凹部を備える配線形成容器体を用意する工程と、
受光領域が前記開口部と対向するように前記第２の凹部に撮像用イメージセンサを搭載する工程と、
前記撮像用イメージセンサに対して駆動および信号処理を行うＩＣチップを前記第１の凹部に搭載する工程と、
前記開口部を鉛直下側に配置した状態で前記撮像用イメージセンサと前記ＩＣチップとの隙間に封止用樹脂を充填しながら、前記開口部から紫外線を照射することによって前記開口部から前記受光領域までの領域を開口するように、前記第１の凹部および前記第２の凹部内の前記撮像用イメージセンサおよび前記ＩＣチップを樹脂封止する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 Preparing a wiring forming container body including a first recess and a second recess formed in the first recess and provided with an opening;
Mounting an imaging image sensor in the second recess so that a light receiving region faces the opening;
Mounting an IC chip that performs driving and signal processing on the imaging image sensor in the first recess;
The light receiving from the opening by irradiating the opening with ultraviolet rays while filling the gap between the imaging image sensor and the IC chip with the opening arranged vertically downward. Sealing the image sensor for imaging and the IC chip in the first recess and the second recess so as to open a region up to the region; and
A method for manufacturing a solid-state imaging device .
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