JP4549383B2

JP4549383B2 - LED backlight device and liquid crystal display device

Info

Publication number: JP4549383B2
Application number: JP2007331693A
Authority: JP
Inventors: 広遠山; 幸夫中村
Original assignee: 株式会社沖データ; 株式会社沖デジタルイメージング
Priority date: 2007-12-25
Filing date: 2007-12-25
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2027-12-25
Also published as: JP2009158125A

Description

本発明は、ＬＥＤバックライト装置及び該ＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置に関するものである。 The present invention relates to an LED backlight device and a liquid crystal display device using the LED backlight device.

従来、ＬＥＤバックライト装置は、個別にモールドされた半導体発光素子としてのＬＥＤ（発光ダイオード：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子を適当な距離を設けて複数個配置し、液晶パネルへの光出射面に拡散板を設け、均一な面発光を液晶パネルに提供する構造になっている。 2. Description of the Related Art Conventionally, an LED backlight device has a plurality of LED (Light Emitting Diode) elements as individually molded semiconductor light emitting elements arranged at an appropriate distance, and a diffusion plate on a light emission surface to a liquid crystal panel. To provide a uniform surface emission to the liquid crystal panel.

このようなＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置においては、赤色、緑色及び青色を含む原色発光可能なＬＥＤ素子を複数連続して配列した線状光源と、前記ＬＥＤ素子間に配置される反射板と、前記ＬＥＤ素子及び反射板の光出射側に配設された光散乱させるための凹凸形成した拡散板とを備え、さらに、液晶パネルとの間にプリズムシート等の光学シートを設けることによって、大画面でも高輝度を達成することができるようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−３１９４５８号公報 In a liquid crystal display device using such an LED backlight device, a linear light source in which a plurality of LED elements capable of emitting primary colors including red, green and blue are continuously arranged, and a reflection disposed between the LED elements. A plate and a diffusing plate formed on the light emitting side of the LED element and the reflecting plate for scattering light, and further, an optical sheet such as a prism sheet is provided between the liquid crystal panel High brightness can be achieved even on a large screen (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-319458 A

しかしながら、前記従来のＬＥＤバックライト装置においては、個別にモールドされたＬＥＤ素子を適当な距離を設けて複数個配置し、ヒートパイプを配設して放熱しているため、ＬＥＤバックライト装置が厚くなり、該ＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置を薄型化することができなくなってしまう。 However, in the conventional LED backlight device, a plurality of individually molded LED elements are arranged at an appropriate distance, and a heat pipe is disposed to dissipate heat. Therefore, the LED backlight device is thick. Accordingly, it becomes impossible to reduce the thickness of the liquid crystal display device using the LED backlight device.

本発明は、前記従来のＬＥＤバックライト装置の問題点を解決して、熱伝導性が良好な基板に薄膜状のＬＥＤを固着することによって、前記基板の背面から放熱することができ、極めて薄く、かつ、放熱性の良好なＬＥＤバックライト装置及び該ＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the problems of the conventional LED backlight device, and by fixing a thin film LED to a substrate having good thermal conductivity, heat can be radiated from the back surface of the substrate, and is extremely thin. An object of the present invention is to provide an LED backlight device having good heat dissipation and a liquid crystal display device using the LED backlight device.

そのために、本発明のＬＥＤバックライト装置においては、熱伝導性の第１の基板と、該第１の基板の第１の面に形成された反射膜と、該反射膜を覆うように形成された有機絶縁膜又は無機絶縁膜と、エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記有機絶縁膜又は無機絶縁膜の平坦化された表面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、該ＬＥＤ積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、前記ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、前記第１の基板の第１の面又は前記有機絶縁膜若しくは無機絶縁膜の表面に形成され、前記アノードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、入射光を均一に拡散する機能を備える透光性の第２の基板とを有し、該第２の基板と前記有機絶縁膜又は無機絶縁膜の表面とが対向配置される。
Therefore, in the LED backlight device of the present invention, the heat conductive first substrate, the reflective film formed on the first surface of the first substrate, and the reflective film are formed. and the organic insulating film or inorganic insulating film, an inorganic material is laminated as a pn junction device by epitaxial growth method, an LED thin-film layered structure fixed to the flattened front surface of the organic insulating film or an inorganic insulating film, the LED An anode electrode and a cathode electrode formed on the laminated thin film, an anode driver IC and a cathode driver IC for driving the LED laminated thin film to emit light, a first surface of the first substrate, or the organic insulating film or inorganic insulating material formed on the surface of the membrane, the anode wire connecting the anode electrode of the anode driver IC and the LED thin-film layered structure, and, with the cathode driver IC Includes a cathode wire connecting the cathode electrode of the ED laminated thin film, and a second light-transmitting substrate having a function of uniformly diffusing the incident light, the organic insulating film or an inorganic insulating substrate of the second and the front surface of the film are opposed.

本発明によれば、ＬＥＤバックライト装置は、熱伝導性が良好な基板に薄膜状のＬＥＤが装着されている。これにより、前記基板の背面から放熱することができ、極めて薄くすることができ、かつ、放熱性を良好にすることができる。 According to the present invention, in the LED backlight device, a thin film LED is mounted on a substrate having good thermal conductivity. Thereby, heat can be radiated from the back surface of the substrate, the thickness can be made extremely thin, and the heat dissipation can be improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図２は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの斜視図、図３は本発明の第１の実施の形態における放熱板の斜視図、図４は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置の側断面図である。 FIG. 1 is a side sectional view of an LED backlight device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of an LED according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a side sectional view of a liquid crystal display device using the LED backlight device according to the first embodiment of the present invention.

図において、１００は本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置、２００は本実施の形態における液晶パネルであり、全体で液晶表示装置を構成している。前記ＬＥＤバックライト装置１００は、前記液晶表示装置の表示面に対して液晶パネル２００の裏側に配設されて光源として機能する。 In the figure, 100 is an LED backlight device in the present embodiment, 200 is a liquid crystal panel in the present embodiment, and constitutes a liquid crystal display device as a whole. The LED backlight device 100 is disposed behind the liquid crystal panel 200 with respect to the display surface of the liquid crystal display device and functions as a light source.

そして、前記ＬＥＤバックライト装置１００は、第１の基板としての平板状の基板１０と、該基板１０の第１の面（図１における上側の面）、すなわち、表面上に固着されたＬＥＤ積層薄膜としてのＬＥＤ１１とを有する。そして、該ＬＥＤ１１は、該ＬＥＤ１１の内で赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒ、ＬＥＤ１１の内で緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇ及びＬＥＤ１１の内で青色に発光するＬＥＤ１１Ｂを有する。なお、ＬＥＤ１１Ｒ、ＬＥＤ１１Ｇ及びＬＥＤ１１Ｂを統括的に説明する場合には、ＬＥＤ１１として説明する。 The LED backlight device 100 includes a flat substrate 10 as a first substrate and a first surface of the substrate 10 (an upper surface in FIG. 1), that is, an LED stack fixed on the surface. It has LED11 as a thin film. The LED 11 includes an LED 11R that emits red light in the LED 11, an LED 11G that emits green light in the LED 11, and an LED 11B that emits blue light in the LED 11. In addition, when describing LED11R, LED11G, and LED11B collectively, it demonstrates as LED11.

また、前記基板１０上には、ＬＥＤ１１を駆動するためのアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２が配設されている。そして、アノードドライバＩＣ３１には、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４に接続されるアノード配線１２の一端が接続され、カソードドライバＩＣ３２には、各ＬＥＤ１１のカソード電極１５に接続されるカソード配線１３の一端が接続されている。 An anode driver IC 31 and a cathode driver IC 32 for driving the LED 11 are disposed on the substrate 10. One end of the anode wiring 12 connected to the anode electrode 14 of each LED 11 is connected to the anode driver IC 31, and one end of the cathode wiring 13 connected to the cathode electrode 15 of each LED 11 is connected to the cathode driver IC 32. Has been.

なお、前記基板１０における前記第１の面と対向する第２の面であるＬＥＤ１１が固着された面と反対側の面、すなわち、裏面には、好ましくは、熱伝導性に優れた金属等から成る放熱板６０が、熱伝導性接着剤５０によって固着されている。 In addition, the surface opposite to the surface to which the LED 11 which is the second surface facing the first surface of the substrate 10 is fixed, that is, the back surface is preferably made of a metal having excellent thermal conductivity. A heat radiating plate 60 is fixed by a heat conductive adhesive 50.

ここで、前記基板１０は、好ましくは、熱伝導性に優れた金属基板、シリコン基板若しくはセラミック基板、又は、熱伝導を考慮して設計されたＦＲ４と呼ばれる耐然性ガラス基材エポキシ樹脂積層板等から成る配線基板である。そして、基板１０の表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦（たん）化されている。そして、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとは、それぞれ、積層薄膜で構成された薄膜ＬＥＤであり、後述する工程によって別の基板から剥（はく）離され、前記基板１０上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。 Here, the substrate 10 is preferably a metal substrate excellent in thermal conductivity, a silicon substrate or a ceramic substrate, or a weather-resistant glass base epoxy resin laminate called FR4 designed in consideration of thermal conductivity. It is a wiring board which consists of etc. The surface of the substrate 10 is formed with an organic insulating film such as a polyimide film or an inorganic insulating film, and is flattened so that the surface accuracy is several tens of nanometers or less. The LED 11R that emits red light, the LED 11G that emits green light, and the LED 11B that emits blue light are thin film LEDs each composed of a laminated thin film, and are peeled off from another substrate by a process described later. It is separated and fixed on the substrate 10 by intermolecular force such as hydrogen bonding and integrated.

また、赤色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｒは、アルミガリウム砒（ひ）素、インジュウムアルミガリウム砒素等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｒの材質は、波長６２０〜７１０ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。また、緑色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｇは、アルミガリウムインジュウムリン、ガリウムリン等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｇの材質は、波長５００〜５８０ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、青色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｂは、窒化ガリウム、窒化インジュウムガリウム等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｂの材質は、波長４５０〜５００ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。 The LED 11R that emits red light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxially growing an inorganic material such as aluminum gallium arsenide or indium aluminum gallium arsenide. The material of the LED 11R may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 620 to 710 nanometers, and is not limited to the above material. The LED 11G that emits green light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxial growth of an inorganic material such as aluminum gallium indium phosphorus or gallium phosphorus. The LED 11G may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 500 to 580 nanometers, and is not limited to the above material. Further, the LED 11B emitting blue light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxially growing an inorganic material such as gallium nitride or indium gallium nitride. The LED 11B may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 450 to 500 nanometers, and is not limited to the above material.

さらに、アノード電極１４及びカソード電極１５は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属電極であり、各ＬＥＤ１１のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。 Further, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 are metal electrodes formed by thin film lamination of gold or aluminum, or metal materials such as gold or aluminum and nickel, titanium, etc. It is connected.

そして、アノード配線１２及びカソード配線１３は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５にそれぞれ接続されている。なお、アノード配線１２は一端がアノードドライバＩＣ３１に接続され、カソード配線１３は一端がカソードドライバＩＣ３２に接続されているので、これにより、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５は、アノード配線１２及びカソード配線１３を介して、アノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続される。 The anode wiring 12 and the cathode wiring 13 are metal wiring formed by depositing gold or aluminum, or a metal material such as gold or aluminum and nickel, titanium, etc., and the anode electrode 14 and the cathode of each LED 11. Each is connected to the electrode 15. Since the anode wiring 12 has one end connected to the anode driver IC 31 and the cathode wiring 13 connected to the cathode driver IC 32, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of each LED 11 are connected to the anode wiring 12 and The cathode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 are connected through the cathode wiring 13.

また、前記ＬＥＤバックライト装置１００は、第２の基板としての平板状の光拡散板４０を有する。ここで、該光拡散板４０は、透光性を有するプラスチック基板から成る。また、入射光を均一に拡散する機能を有しており、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等のポリマー材料によって形成されたものである。 The LED backlight device 100 includes a flat light diffusing plate 40 as a second substrate. Here, the light diffusing plate 40 is made of a plastic substrate having translucency. In addition, it has a function of uniformly diffusing incident light, and is formed of a polymer material such as polycarbonate or polyethylene terephthalate.

そして、前記基板１０と光拡散板４０とを、図１に示されるように、対向して配設することによって、ＬＥＤバックライト装置１００を得ることができる。この場合、基板１０のＬＥＤ１１を固着した面と、光拡散板４０とが対向して配置されるように位置合わせして固定し、さらに、シリコーン樹脂等から成る熱伝導性を有する熱伝導性接着剤５０を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板６０を、前記基板１０のＬＥＤ１１を固着していない面に接着固定する。 And the LED backlight apparatus 100 can be obtained by arrange | positioning the said board | substrate 10 and the light-diffusion plate 40 facing each other, as FIG. 1 shows. In this case, the surface of the substrate 10 to which the LED 11 is fixed and the light diffusion plate 40 are aligned and fixed so as to face each other, and further, a heat conductive adhesive having a heat conductivity made of a silicone resin or the like. A heat radiating plate 60 made of a metal such as aluminum coated with the agent 50 is bonded and fixed to the surface of the substrate 10 where the LED 11 is not fixed.

前記アノードドライバＩＣ３１は、点灯信号に応じてＬＥＤ１１に電流を供給する機能を有し、例えば、定電流回路、増幅回路等の回路が集積されている。そして、ＬＥＤ１１のアノード電極１４に接続されたアノード配線１２は、アノードドライバＩＣ３１の駆動素子に接続されている。図に示される例においては、アノードドライバＩＣ３１が基板１０上に実装されているが、アノードドライバＩＣ３１は、必ずしも基板１０上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。 The anode driver IC 31 has a function of supplying a current to the LED 11 in response to a lighting signal, and for example, a circuit such as a constant current circuit and an amplifier circuit is integrated. The anode wiring 12 connected to the anode electrode 14 of the LED 11 is connected to the drive element of the anode driver IC 31. In the example shown in the figure, the anode driver IC 31 is mounted on the substrate 10. However, the anode driver IC 31 does not necessarily have to be mounted on the substrate 10, and is disposed on another wiring board (not shown). It may be provided.

また、前記カソードドライバＩＣ３２は、ＬＥＤ１１からの電流を吸い込む機能を有し、トランジスタ等のスイッチ回路が集積されている。そして、ＬＥＤ１１のカソード電極１５に接続されたカソード配線１３がカソードドライバＩＣ３２に接続されている。図に示される例においては、カソードドライバＩＣ３２が基板１０上に実装されているが、カソードドライバＩＣ３２は、必ずしも基板１０上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。 The cathode driver IC 32 has a function of sucking current from the LED 11, and a switch circuit such as a transistor is integrated therein. The cathode wiring 13 connected to the cathode electrode 15 of the LED 11 is connected to the cathode driver IC 32. In the example shown in the figure, the cathode driver IC 32 is mounted on the substrate 10. However, the cathode driver IC 32 does not necessarily have to be mounted on the substrate 10, and is arranged on another wiring board (not shown). It may be provided.

次に、前記基板１０上のＬＥＤ１１を形成する工程について説明する。 Next, a process for forming the LED 11 on the substrate 10 will be described.

図５は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図６は本発明の第１の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す図である。 FIG. 5 is a diagram showing a process of peeling the laminated thin film of the LED according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a process of integrating the laminated thin film of the LED with the substrate according to the first embodiment of the present invention. FIG.

図において、１８はＬＥＤ積層薄膜であり、細長い帯状又は短冊状の形状を備える。例えば、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒ用のＬＥＤ積層薄膜１８Ｒは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。 In the figure, reference numeral 18 denotes an LED laminated thin film, which has an elongated strip shape or strip shape. For example, the LED laminated thin film 18R for the LED 11R that emits red light is a laminated thin film that includes a plurality of layers such as aluminum gallium arsenide and indium aluminum gallium arsenide and has a heterostructure or a double heterostructure.

また、１７は犠牲層であり、前記ＬＥＤ積層薄膜１８を母材１６から剥離させるため、後述される剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒素層の膜であり、母材１６とＬＥＤ積層薄膜１８との間に形成される。 Reference numeral 17 denotes a sacrificial layer, which is a film that is easily etched by a stripping etchant, which will be described later, for example, an aluminum arsenic layer film, for peeling the LED laminated thin film 18 from the base material 16. It is formed between the laminated thin films 18.

さらに、母材１６は、例えば、ガリウム砒素若しくは窒化ガリウム、又は、サファイヤ等の材質から成り、前記母材１６上に、ＭＯＣＶＤ法等の気相成長法によって、ＬＥＤ積層薄膜１８を構成する材質をエピタキシャル成長させる。 Further, the base material 16 is made of, for example, a material such as gallium arsenide, gallium nitride, or sapphire, and a material constituting the LED laminated thin film 18 is formed on the base material 16 by vapor phase growth method such as MOCVD method. Epitaxially grow.

次に、エピタキシャル成長させた積層薄膜であるＬＥＤ１１を母材１６から剥離する工程について説明する。 Next, a process of peeling the LED 11 which is a laminated thin film epitaxially grown from the base material 16 will be described.

例えば、前記ＬＥＤバックライト装置１００のＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの合算寸法が、一辺の長さが２０ミリメートルの正方形であるとすると、各色のＬＥＤ１１を得るために、２０ミリメートルよりも大きな長さで、かつ、２０ミリメートルの１／３よりも大きな幅の短冊状にＬＥＤ積層薄膜１８を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐（りん）酸過水等を用いて、ＬＥＤ積層薄膜１８を短冊状に形成する。 For example, if the total size of the LEDs 11R, 11G, and 11B of the LED backlight device 100 is a square with a side length of 20 millimeters, in order to obtain the LEDs 11 of each color, the length is larger than 20 millimeters. In addition, the LED laminated thin film 18 is formed in a strip shape having a width larger than 1/3 of 20 millimeters. In this case, the LED laminated thin film 18 is formed in a strip shape by using a photolithography etching technique widely used in a semiconductor process and using phosphoric acid phosphorous acid as an etching solution.

その後、弗（ふっ）化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、剥離するＬＥＤ積層薄膜１８が形成された母材１６を浸漬（しんし）させる。これにより、犠牲層１７がエッチングされ、ＬＥＤ積層薄膜１８が母材１６から剥離する。 Thereafter, the base material 16 on which the LED laminated thin film 18 to be peeled is formed is immersed in a peeling etching solution such as a hydrogen fluoride solution or a hydrochloric acid solution. Thereby, the sacrificial layer 17 is etched, and the LED laminated thin film 18 is peeled off from the base material 16.

そして、剥離されたＬＥＤ積層薄膜１８を表面が平坦化された基板１０上に押し付け、水素結合等の分子間力によって、基板１０とＬＥＤ積層薄膜１８とを固着して一体化する。 Then, the peeled LED laminated thin film 18 is pressed onto the substrate 10 whose surface is flattened, and the substrate 10 and the LED laminated thin film 18 are fixed and integrated by an intermolecular force such as hydrogen bonding.

ここで、前記基板１０の最表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜が形成され、好ましくは、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された表面となっている。このように、基板１０の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、前記ＬＥＤ積層薄膜１８との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。 Here, the outermost surface of the substrate 10 is formed with an organic insulating film such as a polyimide film or an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, and is preferably planarized without unevenness with a surface accuracy of several tens of nanometers or less. It is the surface. Thus, by making the outermost surface of the substrate 10 a flat surface without unevenness, the bonding with the LED laminated thin film 18 by intermolecular force such as hydrogen bonding becomes easy.

このような工程を、ＬＥＤ積層薄膜１８に対して、繰り返し行う。これにより、図６に示されるように、複数列、例えば、３列のＬＥＤ積層薄膜１８Ｒ、１８Ｇ及び１８Ｂが基板１０上に固着されて一体化される。 Such a process is repeated for the LED laminated thin film 18. As a result, as shown in FIG. 6, a plurality of, for example, three rows of the LED laminated thin films 18R, 18G, and 18B are fixed onto the substrate 10 and integrated.

続いて、基板１０上に一体化された各ＬＥＤ積層薄膜１８に、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって、アノード電極１４及びカソード電極１５の接合部を形成する。さらに、ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５、並びに、アノード電極１４及びカソード電極１５に接続されるアノード配線１２及びカソード配線１３を、蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。さらに、基板１０上にアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２を実装し、アノード配線１２及びカソード配線１３をアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続する。 Subsequently, a joined portion of the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 is formed on each of the LED laminated thin films 18 integrated on the substrate 10 by, for example, a photolithography etching method using phosphoric acid / hydrogen peroxide as an etching solution. Further, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of the LED 11 and the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 connected to the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 are formed by vapor deposition, a photolithography etching method or a lift-off method. Further, the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 are mounted on the substrate 10, and the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 are connected to the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32.

また、ここでは、ＬＥＤ積層薄膜１８を短冊状に形成し、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの合算寸法が一辺の長さが２０ミリメートルの正方形となるようにした例について説明したが、合算寸法は２０ミリメートルに限定されるものではなく、また、形状も長方形、多角形、円形、楕（だ）円形等いかなる形状であってもよい。さらに、各ＬＥＤ１１を同じ寸法の短冊状のＬＥＤ積層薄膜１８で構成した例について説明したが、各色の配色や重み付けに応じて、それぞれ異なる寸法に構成してもよく、また、形状も三角形、正方形、多角形、円形、楕円形等いかなる形状であってもよい。 In addition, here, an example in which the LED laminated thin film 18 is formed in a strip shape and the combined dimensions of the LEDs 11R, 11G, and 11B is a square having a side length of 20 millimeters has been described, but the combined dimension is 20 millimeters. The shape is not limited to the above, and the shape may be any shape such as a rectangle, a polygon, a circle, and an oval. Furthermore, although the example which comprised each LED11 with the strip-shaped LED laminated thin film 18 of the same dimension was demonstrated, according to the color scheme and weighting of each color, you may comprise each in a different dimension, and a shape is also a triangle and a square. Any shape such as a polygon, a circle, and an ellipse may be used.

また、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂを１個ずつ配設する例について説明したが、必要な輝度やＬＥＤバックライト装置１００のサイズに応じて、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂを複数個ずつ配設してもよいし、それに伴い、アノード配線１２及びカソード配線１３を必要数だけ配設してもよい。 Moreover, although the example which arrange | positions LED11R, 11G, and 11B one by one was demonstrated, according to the required brightness | luminance and the size of the LED backlight apparatus 100, you may arrange | position several LED11R, 11G, and 11B one by one. Accordingly, a necessary number of anode wirings 12 and cathode wirings 13 may be provided.

次に、前記構成のＬＥＤバックライト装置１００の動作について説明する。 Next, the operation of the LED backlight device 100 configured as described above will be described.

まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、各色のＬＥＤ１１の発光の混合色が所望する白色になるように、各色でそれぞれ調整して、前記アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から異なる電流値に設定された安定電流が各アノード配線１２を介して各アノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバＩＣ３２がカソード配線１３を介してＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込み、各色のＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂが点灯信号に応じて発光する。該ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの発光は、図１における矢印Ａで示されるように、光拡散板４０に入射し、各色が均一に拡散され、図１における矢印Ｂで示されるように、所望する白色光が光拡散板４０から出射する。 First, when a lighting signal transmitted from a host device (not shown) such as a personal computer is input to the anode driver IC 31, each color is adjusted so that the mixed color of the light emitted from the LEDs 11 becomes a desired white color. Stable currents set at different current values are supplied from the amplifier circuit of the anode driver IC 31 to each anode electrode 14 via each anode wiring 12. When the lighting signal is input to the cathode driver IC 32, the cathode driver IC 32 sucks current from the cathode electrode 15 of the LED 11 through the cathode wiring 13 by the switch circuit, and the LEDs 11R, 11G, and 11B of the respective colors become the lighting signal. It emits light in response. The light emitted from the LEDs 11R, 11G, and 11B is incident on the light diffusing plate 40 as shown by an arrow A in FIG. 1, and each color is uniformly diffused. As shown by an arrow B in FIG. Light is emitted from the light diffusion plate 40.

この場合、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの発光に伴って発生した熱は、基板１０におけるＬＥＤ１１と反対側の面から、熱伝導性接着剤５０及び放熱板６０を介して拡散するため、基板１０及び光拡散板４０の温度は、ほとんど上昇しない。 In this case, the heat generated with the light emission of the LEDs 11R, 11G, and 11B diffuses from the surface of the substrate 10 opposite to the LED 11 through the heat conductive adhesive 50 and the heat radiating plate 60. The temperature of the diffusion plate 40 hardly increases.

このように、本実施の形態においては、半導体プロセスによってＬＥＤ１１、アノード配線１２及びカソード配線１３を形成することができ、また、ＬＥＤ１１とアノード配線１２及びカソード配線１３とを接続することができるので、非常に薄いＬＥＤバックライト装置１００を得ることができる。また、放熱板６０を熱伝導性接着剤５０によって基板１０の裏面に接着固定するので、薄型で放熱性の優れたＬＥＤバックライト装置１００を提供することができる。 Thus, in the present embodiment, the LED 11, the anode wiring 12, and the cathode wiring 13 can be formed by a semiconductor process, and the LED 11, the anode wiring 12, and the cathode wiring 13 can be connected. A very thin LED backlight device 100 can be obtained. Moreover, since the heat sink 60 is bonded and fixed to the back surface of the substrate 10 with the heat conductive adhesive 50, it is possible to provide the LED backlight device 100 that is thin and excellent in heat dissipation.

次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. The description of the same operation and the same effect as those of the first embodiment is also omitted.

図７は本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。 FIG. 7 is a side sectional view of the LED backlight device according to the second embodiment of the present invention.

本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置１００は、反射膜２４を備え、ＬＥＤ１１から放射された光を反射する。具体的には、基板１０の第１の面上に反射膜２４が形成され、さらに、該反射膜２４の全体を覆うように保護膜２５が形成されている。そして、該保護膜２５の上にＬＥＤ１１、アノード電極１４、カソード電極１５、アノード配線１２及びカソード配線１３が形成されている。また、アノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２は、基板１０上において保護膜２５の外側に配設されている。なお、図において、アノード電極１４、カソード電極１５、アノード配線１２、カソード配線１３及びアノードドライバＩＣ３１の図示は省略されている。 In the present embodiment, the LED backlight device 100 includes a reflective film 24 and reflects light emitted from the LED 11. Specifically, a reflective film 24 is formed on the first surface of the substrate 10, and a protective film 25 is formed so as to cover the entire reflective film 24. The LED 11, the anode electrode 14, the cathode electrode 15, the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 are formed on the protective film 25. Further, the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 are disposed outside the protective film 25 on the substrate 10. In the figure, the anode electrode 14, the cathode electrode 15, the anode wiring 12, the cathode wiring 13, and the anode driver IC 31 are not shown.

前記反射膜２４は、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの裏面から出射した各色の発光を反射するために設けられており、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とが薄膜積層された金属膜を、基板１０の表面に成膜してパターニングすることによって形成される。 The reflective film 24 is provided to reflect light of each color emitted from the back surfaces of the LEDs 11R, 11G, and 11B, and gold or aluminum, or a metal material such as gold or aluminum and nickel or titanium is laminated in a thin film. The formed metal film is formed on the surface of the substrate 10 and patterned.

また、前記保護膜２５は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜であり、前記反射膜２４の上に形成される。そして、前記保護膜２５の表面（図における上面）は、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された面となっている。このように、保護膜２５の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、ＬＥＤ１１との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。 The protective film 25 is an organic insulating film such as a polyimide film or an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, and is formed on the reflective film 24. The surface of the protective film 25 (the upper surface in the figure) is a flat surface having no surface irregularities with a surface accuracy of several tens of nanometers or less. Thus, by making the outermost surface of the protective film 25 a flat surface without unevenness, the bonding with the LED 11 by intermolecular force such as hydrogen bonding becomes easy.

そして、前記第１の実施の形態と同様にして母材１６から剥離されたＬＥＤ積層薄膜１８Ｒ、１８Ｇ及び１８Ｂを、前記保護膜２５の表面に押し付け、水素結合等の分子間力によって、保護膜２５と固着して一体化する。 Then, the LED laminated thin films 18R, 18G and 18B peeled from the base material 16 are pressed against the surface of the protective film 25 in the same manner as in the first embodiment, and the protective film is applied by intermolecular force such as hydrogen bonding. 25 is fixed and integrated.

続いて、該保護膜２５上に一体化された各ＬＥＤ積層薄膜１８に、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって、アノード電極１４及びカソード電極１５の接合部を形成する。さらに、ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５、並びに、アノード電極１４及びカソード電極１５に接続されるアノード配線１２及びカソード配線１３を、蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。さらに、基板１０上にアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２を実装し、アノード配線１２及びカソード配線１３をアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続する。 Subsequently, a junction between the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 is formed on each LED laminated thin film 18 integrated on the protective film 25 by, for example, a photolithography etching method using phosphoric acid / hydrogen peroxide as an etching solution. . Further, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of the LED 11 and the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 connected to the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 are formed by vapor deposition, a photolithography etching method or a lift-off method. Further, the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 are mounted on the substrate 10, and the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 are connected to the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32.

さらに、前記第１の実施の形態と同様に、シリコン樹脂などの熱伝導性を有する熱伝導性接着剤５０を塗布したアルミ等の金属で形成した放熱板６０を、基板１０のＬＥＤ１１を固着していない面に接着固定する。 Further, similarly to the first embodiment, a heat sink 60 formed of a metal such as aluminum coated with a heat conductive adhesive 50 having a thermal conductivity such as silicon resin is fixed to the LED 11 of the substrate 10. Adhere and fix to the surface that is not.

なお、ＬＥＤバックライト装置１００のその他の点の構成については、前記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。 In addition, about the structure of the other point of the LED backlight apparatus 100, since it is the same as that of the said 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted.

次に、本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置１００の動作について説明する。 Next, operation | movement of the LED backlight apparatus 100 in this Embodiment is demonstrated.

まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、各色のＬＥＤ１１の発光の混合色が所望する白色になるように、各色でそれぞれ調整して、前記アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から異なる電流値に設定された安定電流が各アノード配線１２を介して各アノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバＩＣ３２がカソード配線１３を介してＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込み、各色のＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂが点灯信号に応じて発光する。該ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの各裏面から出射した発光は、反射膜２４で反射され、該ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの各表面から出射した発光と一緒に、図７における矢印Ａで示されるように、光拡散板４０に入射し、各色が均一に拡散され、図７における矢印Ｂで示されるように、所望する白色光が光拡散板４０から出射する。 First, when a lighting signal transmitted from a host device (not shown) such as a personal computer is input to the anode driver IC 31, each color is adjusted so that the mixed color of the light emitted from the LEDs 11 becomes a desired white color. Stable currents set at different current values are supplied from the amplifier circuit of the anode driver IC 31 to each anode electrode 14 via each anode wiring 12. When the lighting signal is input to the cathode driver IC 32, the cathode driver IC 32 sucks current from the cathode electrode 15 of the LED 11 through the cathode wiring 13 by the switch circuit, and the LEDs 11R, 11G, and 11B of the respective colors become the lighting signal. It emits light in response. The light emitted from the back surfaces of the LEDs 11R, 11G, and 11B is reflected by the reflective film 24, and together with the light emitted from the front surfaces of the LEDs 11R, 11G, and 11B, as indicated by an arrow A in FIG. The light is incident on the light diffusing plate 40 and each color is uniformly diffused, and desired white light is emitted from the light diffusing plate 40 as indicated by an arrow B in FIG.

このように、本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置１００は、ＬＥＤ１１の裏面に対向する反射膜２４を有する。また、半導体プロセスによってＬＥＤ１１、アノード配線１２及びカソード配線１３を形成することができ、ＬＥＤ１１とアノード配線１２及びカソード配線１３とを接続することができる。したがって、前記第１の実施の形態よりも高輝度な、薄型のＬＥＤバックライト装置１００を提供することができる。 Thus, in this Embodiment, the LED backlight apparatus 100 has the reflective film 24 which opposes the back surface of LED11. Further, the LED 11, the anode wiring 12 and the cathode wiring 13 can be formed by a semiconductor process, and the LED 11 can be connected to the anode wiring 12 and the cathode wiring 13. Therefore, it is possible to provide a thin LED backlight device 100 having higher luminance than that of the first embodiment.

次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１及び第２の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st and 2nd embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. Also, the description of the same operations and effects as those of the first and second embodiments is omitted.

図８は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図９は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの斜視図、図１０は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの配置を示す図、図１１は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの他の配置を示す図である。 FIG. 8 is a side sectional view of an LED backlight device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 9 is a perspective view of an LED according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a third embodiment of the present invention. The figure which shows arrangement | positioning of LED in the form of FIG. 11, FIG. 11 is a figure which shows other arrangement | positioning of LED in the 3rd Embodiment of this invention.

本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置１００は、第１の基板としての平板状の基板１０と、該基板１０上に固着されたＬＥＤ積層薄膜としてのＬＥＤ１１とを有する。そして、該ＬＥＤ１１は、該ＬＥＤ１１の内で赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒ１、ＬＥＤ１１Ｒ２及びＬＥＤ１１Ｒ３、ＬＥＤ１１の内で緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇ１、ＬＥＤ１１Ｇ２及びＬＥＤ１１Ｇ３、並びに、ＬＥＤ１１の内で青色に発光するＬＥＤ１１Ｂ１、ＬＥＤ１１Ｂ２及びＬＥＤ１１Ｂ３を有する。 In the present embodiment, the LED backlight device 100 includes a flat substrate 10 as a first substrate, and an LED 11 as an LED laminated thin film fixed on the substrate 10. The LED 11 includes LED 11R1, LED 11R2, and LED 11R3 that emit red light among the LED 11, LED 11G1, LED 11G2, and LED 11G3 that emit green light within the LED 11, and LED 11B1, LED 11B2, and LED 11B3 light emitting blue light within the LED 11. Have

なお、ＬＥＤ１１Ｒ１、ＬＥＤ１１Ｒ２、ＬＥＤ１１Ｒ３、ＬＥＤ１１Ｇ１、ＬＥＤ１１Ｇ２、ＬＥＤ１１Ｇ３、ＬＥＤ１１Ｂ１、ＬＥＤ１１Ｂ２及びＬＥＤ１１Ｂ３を統括的に説明する場合にはＬＥＤ１１として説明し、ＬＥＤ１１Ｒ１、ＬＥＤ１１Ｒ２及びＬＥＤ１１Ｒ３を統括的に説明する場合にはＬＥＤ１１Ｒとして説明し、ＬＥＤ１１Ｇ１、ＬＥＤ１１Ｇ２及びＬＥＤ１１Ｇ３を統括的に説明する場合にはＬＥＤ１１Ｇとして説明し、ＬＥＤ１１Ｂ１、ＬＥＤ１１Ｂ２及びＬＥＤ１１Ｂ３を統括的に説明する場合にはＬＥＤ１１Ｂとして説明する。 LED11R1, LED11R2, LED11R3, LED11G1, LED11G2, LED11G3, LED11B1, LED11B2, and LED11B3 are described as LED11 when collectively explained, and LED11R1, LED11R2, and LED11R3 are explained as LED11R when collectively explained. The LED 11G, the LED 11G2, and the LED 11G3 will be described as the LED 11G, and the LED 11B1, the LED 11B2, and the LED 11B3 will be described as the LED 11B.

また、前記ＬＥＤ１１の数は、任意に設定することができるが、ここでは、図示の都合上、９個であるものとして説明する。また、ＬＥＤ１１の配列の仕方も任意に設定することができるが、ここでは、格子状に配列されたアレイとなっているものとして説明する。すなわち、図９及び１０に示される例において、ＬＥＤ１１は、３列３行の正方格子状に等間隔に配列されている。 Further, the number of the LEDs 11 can be arbitrarily set, but here, it is assumed that there are nine for convenience of illustration. Further, the arrangement of the LEDs 11 can be arbitrarily set, but here, it is assumed that the array is an array arranged in a grid. That is, in the example shown in FIGS. 9 and 10, the LEDs 11 are arranged at regular intervals in a square lattice of 3 columns and 3 rows.

そして、各列には赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒ、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇ及び青色に発光するＬＥＤ１１Ｂが１個ずつ含まれ、かつ、直列に接続されるように結線されている。この場合、アノードドライバＩＣ３１には、各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に接続されるアノード配線１２の一端が接続される。また、カソードドライバＩＣ３２には、各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５に接続されるカソード配線１３の一端が接続されている。さらに、各列において隣接するＬＥＤ１１のアノード電極１４とカソード電極１５とは連結配線２１に接続されている。すなわち、ＬＥＤ１１は連結配線２１を介して各列毎に直列接続され、各列の両端に位置するＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５はアノード配線１２及びカソード配線１３を介してアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続されている。 Each row includes one LED 11R that emits red light, one LED 11G that emits green light, and one LED 11B that emits blue light, and are connected so as to be connected in series. In this case, one end of the anode wiring 12 connected to the anode electrode 14 of the LED 11 closest to the anode driver IC 31 in each column is connected to the anode driver IC 31. The cathode driver IC 32 is connected to one end of the cathode wiring 13 connected to the cathode electrode 15 of the LED 11 farthest from the anode driver IC 31 in each column. Furthermore, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of the LED 11 adjacent in each column are connected to the connection wiring 21. That is, the LEDs 11 are connected in series for each column via the connection wiring 21, and the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of the LED 11 located at both ends of each column are connected to the anode driver IC 31 and the cathode via the anode wiring 12 and the cathode wiring 13. The driver IC 32 is connected.

なお、前記基板１０の裏面、すなわち、ＬＥＤ１１が固着された面と反対側の面には、好ましくは、熱伝導性に優れた金属等から成る放熱板６０が、熱伝導性接着剤５０によって固着されている。 A heat radiating plate 60 made of a metal having excellent thermal conductivity is preferably fixed to the back surface of the substrate 10, that is, the surface opposite to the surface to which the LEDs 11 are fixed, by the heat conductive adhesive 50. Has been.

ここで、前記基板１０は、好ましくは、熱伝導性に優れた金属基板、シリコン基板若しくはセラミック基板、又は、熱伝導を考慮して設計されたＦＲ４と呼ばれる耐然性ガラス基材エポキシ樹脂積層板等から成る配線基板である。そして、基板１０の表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦化されている。そして、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとは、それぞれ、積層薄膜で構成された薄膜ＬＥＤであり、後述する工程によって別の基板から剥離され、前記基板１０上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。 Here, the substrate 10 is preferably a metal substrate excellent in thermal conductivity, a silicon substrate or a ceramic substrate, or a weather-resistant glass base epoxy resin laminate called FR4 designed in consideration of thermal conductivity. It is a wiring board composed of the The surface of the substrate 10 is formed with an organic insulating film such as a polyimide film or an inorganic insulating film, and is flattened so that the surface accuracy is several tens of nanometers or less. The LED 11R that emits red light, the LED 11G that emits green light, and the LED 11B that emits blue light are thin film LEDs each formed of a laminated thin film, and are peeled off from another substrate by a process described later. It is fixed and integrated on 10 by intermolecular forces such as hydrogen bonds.

また、赤色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｒは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｒの材質は、波長６２０〜７１０ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。また、緑色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｇは、アルミガリウムインジュウムリン、ガリウムリン等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｇの材質は、波長５００〜５８０ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、青色に発光する前記ＬＥＤ１１Ｂは、窒化ガリウム、窒化インジュウムガリウム等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１Ｂの材質は、波長４５０〜５００ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。 The LED 11R emitting red light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxially growing an inorganic material such as aluminum gallium arsenide or indium aluminum gallium arsenide. The material of the LED 11R may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 620 to 710 nanometers, and is not limited to the above material. The LED 11G that emits green light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxial growth of an inorganic material such as aluminum gallium indium phosphorus or gallium phosphorus. The LED 11G may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 500 to 580 nanometers, and is not limited to the above material. Further, the LED 11B emitting blue light is a laminated thin film having a heterostructure or a double heterostructure formed by epitaxially growing an inorganic material such as gallium nitride or indium gallium nitride. The LED 11B may be of any kind as long as it has a light emission region at a wavelength of 450 to 500 nanometers, and is not limited to the above material.

そして、アノード配線１２及びカソード配線１３並びに連結配線２１は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとを１個ずつ直列接続するようにアノード電極１４及びカソード電極１５にそれぞれ接続されている。 The anode wiring 12, the cathode wiring 13, and the connection wiring 21 are metal wiring formed by thin film stacking of gold or aluminum, or gold or aluminum and a metal material such as nickel or titanium, and emits red light. The LED 11R, the LED 11G that emits green light, and the LED 11B that emits blue light are respectively connected to the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 so as to be connected in series.

例えば、図１０に示されるように、ライン状に並んだＬＥＤ１１Ｒ１、１１Ｇ１及び１１Ｂ１から成るＬＥＤ１１の列では、ＬＥＤ１１Ｒ１のアノード電極１４にアノード配線１２が接続され、ＬＥＤ１１Ｒ１のカソード電極１５とＬＥＤ１１Ｇ１のアノード電極１４とが連結配線２１で接続され、ＬＥＤ１１Ｇ１のカソード電極１５とＬＥＤ１１Ｂ１のアノード電極１４とが連結配線２１で接続され、ＬＥＤ１１Ｂ１のカソード電極１５とカソード配線１３が接続され、ＬＥＤ１１Ｒ１、１１Ｇ１及び１１Ｂ１が電気的に直列接続されている。同様に、ＬＥＤ１１の他の列においても、ライン状に並んだ各色のＬＥＤ１１Ｇ２、１１Ｂ２及び１１Ｒ２、並びに、ＬＥＤ１１Ｂ３、１１Ｒ３及び１１Ｇ３を１個ずつ電気的に直列接続している。なお、アノード配線１２は一端がアノードドライバＩＣ３１に接続され、カソード配線１３は一端がカソードドライバＩＣ３２に接続されている。これにより、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５は、アノード配線１２及びカソード配線１３並びに連結配線２１を介して、アノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に各々接続される。 For example, as shown in FIG. 10, in a row of LEDs 11 composed of LEDs 11R1, 11G1, and 11B1 arranged in a line, the anode wiring 12 is connected to the anode electrode 14 of the LED 11R1, and the cathode electrode 15 of the LED 11R1 and the anode electrode of the LED 11G1 14 is connected by a connecting wire 21, the cathode electrode 15 of the LED 11G1 and the anode electrode 14 of the LED 11B1 are connected by a connecting wire 21, the cathode electrode 15 of the LED 11B1 and the cathode wire 13 are connected, and the LEDs 11R1, 11G1, and 11B1 are electrically connected. Are connected in series. Similarly, in the other columns of the LEDs 11, the LEDs 11G2, 11B2, and 11R2 of the respective colors arranged in a line and the LEDs 11B3, 11R3, and 11G3 are electrically connected in series one by one. One end of the anode wiring 12 is connected to the anode driver IC 31, and one end of the cathode wiring 13 is connected to the cathode driver IC 32. Accordingly, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of each LED 11 are connected to the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 via the anode wiring 12, the cathode wiring 13, and the connection wiring 21, respectively.

図９及び１０に示される例では、総計９個のＬＥＤ１１が３列３行の正方格子状に等間隔に配列されているが、ＬＥＤバックライト装置１００に要求される輝度やＬＥＤバックライト装置１００のサイズに応じて、ＬＥＤ１１の数や配列を適宜変更することができる。例えば、図１１に示されるように、総計１２個のＬＥＤ１１を、３個のＬＥＤ１１から成るトライアングル状の島を４つ形成するように配列することもできる。 In the example shown in FIGS. 9 and 10, a total of nine LEDs 11 are arranged at regular intervals in a three-column, three-row square lattice pattern. However, the luminance required for the LED backlight device 100 and the LED backlight device 100 are not limited. Depending on the size, the number and arrangement of the LEDs 11 can be appropriately changed. For example, as shown in FIG. 11, a total of 12 LEDs 11 can be arranged to form four triangle-shaped islands composed of three LEDs 11.

この場合、トライアングル状に配列されたＬＥＤ１１Ｒ１、１１Ｇ１及び１１Ｂ１の組み合わせにおいて、ＬＥＤ１１Ｒ１のアノード電極１４にアノード配線１２が接続され、ＬＥＤ１１Ｒ１のカソード電極１５とＬＥＤ１１Ｇ１のアノード電極１４とが連結配線２１で接続され、ＬＥＤ１１Ｇ１のカソード電極１５とＬＥＤ１１Ｂ１のアノード電極１４とが連結配線２１で接続され、ＬＥＤ１１Ｂ１のカソード電極１５とカソード配線１３が接続され、ＬＥＤ１１Ｒ１、１１Ｇ１及び１１Ｂ１が電気的に直列接続されている。同様に、他の３つの組み合わせにおいても、トライアングル状に配列されたＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂが１個ずつ電気的に直列接続されている。なお、アノード配線１２は一端がアノードドライバＩＣ３１に接続され、カソード配線１３は一端がカソードドライバＩＣ３２に接続されている。これにより、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５はアノード配線１２及びカソード配線１３並びに連結配線２１を介して、アノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に各々接続されている。 In this case, in the combination of the LEDs 11R1, 11G1, and 11B1 arranged in a triangle shape, the anode wiring 12 is connected to the anode electrode 14 of the LED 11R1, and the cathode electrode 15 of the LED 11R1 and the anode electrode 14 of the LED 11G1 are connected by the connection wiring 21. The cathode electrode 15 of the LED 11G1 and the anode electrode 14 of the LED 11B1 are connected by a connection wiring 21, the cathode electrode 15 of the LED 11B1 and the cathode wiring 13 are connected, and the LEDs 11R1, 11G1, and 11B1 are electrically connected in series. Similarly, in the other three combinations, LEDs 11R, 11G, and 11B arranged in a triangle shape are electrically connected in series one by one. One end of the anode wiring 12 is connected to the anode driver IC 31, and one end of the cathode wiring 13 is connected to the cathode driver IC 32. Accordingly, the anode electrode 14 and the cathode electrode 15 of each LED 11 are connected to the anode driver IC 31 and the cathode driver IC 32 via the anode wiring 12, the cathode wiring 13 and the connection wiring 21, respectively.

また、前記ＬＥＤバックライト装置１００は、第２の基板としての平板状の光拡散板４０を有する。ここで、該光拡散板４０は、透光性を有するプラスチック基板から成る。また、入射光を均一に拡散する機能を有しており、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマー材料によって形成されたものである。 The LED backlight device 100 includes a flat light diffusing plate 40 as a second substrate. Here, the light diffusing plate 40 is made of a plastic substrate having translucency. Further, it has a function of uniformly diffusing incident light, and is formed of a polymer material such as polycarbonate or polyethylene terephthalate.

そして、前記基板１０と光拡散板４０とを、図８に示されるように、対向して配設することによって、ＬＥＤバックライト装置１００を得ることができる。この場合、基板１０のＬＥＤ１１を固着した面と、光拡散板４０とが対向して配置されるように位置合わせして固定し、さらに、シリコーン樹脂等から成る熱伝導性を有する熱伝導性接着剤５０を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板６０を、前記基板１０のＬＥＤ１１を固着していない面に接着固定する。 And the LED backlight apparatus 100 can be obtained by arrange | positioning the said board | substrate 10 and the light-diffusion plate 40 facing each other, as FIG. 8 shows. In this case, the surface of the substrate 10 to which the LED 11 is fixed and the light diffusion plate 40 are aligned and fixed so as to face each other, and further, a heat conductive adhesive having a heat conductivity made of a silicone resin or the like. A heat radiating plate 60 made of a metal such as aluminum coated with the agent 50 is bonded and fixed to the surface of the substrate 10 where the LED 11 is not fixed.

図１２は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図１３は本発明の第３の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す第１の図、図１４は本発明の第３の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す第２の図である。 FIG. 12 is a diagram showing a process of peeling the laminated thin film of the LED in the third embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a process of integrating the laminated thin film of the LED on the substrate in the third embodiment of the present invention. FIG. 14 and FIG. 14 are second views showing a process of integrating the laminated thin film of the LED with the substrate in the third embodiment of the present invention.

図において、１８はＬＥＤ積層薄膜であり、矩（く）形の平板状の形状を備える。例えば、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒ用のＬＥＤ積層薄膜１８Ｒは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。 In the figure, reference numeral 18 denotes an LED laminated thin film, which has a rectangular shape. For example, the LED laminated thin film 18R for the LED 11R that emits red light is a laminated thin film that includes a plurality of layers such as aluminum gallium arsenide and indium aluminum gallium arsenide and has a heterostructure or a double heterostructure.

また、１７は犠牲層であり、前記ＬＥＤ積層薄膜１８を母材１６から剥離させるため、剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒素層の膜であり、母材１６とＬＥＤ積層薄膜１８との間に形成される。 Reference numeral 17 denotes a sacrificial layer, which is a film that is easily etched by a stripping etchant, for example, an aluminum arsenic layer film, for peeling the LED laminated thin film 18 from the base material 16. Formed between.

例えば、前記ＬＥＤバックライト装置１００の各ＬＥＤ１１の寸法を、一辺の長さが２ミリメートルの正方形であるとすると、それよりも大きなＬＥＤ積層薄膜１８を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐酸過水等を用いて、ＬＥＤ積層薄膜１８を正方形に形成する。 For example, if the size of each LED 11 of the LED backlight device 100 is a square with a side length of 2 millimeters, a larger LED laminated thin film 18 is formed. In this case, the photolithography etching technique widely used in the semiconductor process is used, and the LED laminated thin film 18 is formed in a square shape using phosphoric acid / hydrogen peroxide as an etching solution.

その後、弗化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、剥離するＬＥＤ積層薄膜１８が形成された母材１６を浸漬させる。これにより、犠牲層１７がエッチングされ、ＬＥＤ積層薄膜１８が母材１６から剥離する。 Thereafter, the base material 16 on which the LED laminated thin film 18 to be peeled is formed is immersed in a peeling etching solution such as a hydrogen fluoride solution or a hydrochloric acid solution. Thereby, the sacrificial layer 17 is etched, and the LED laminated thin film 18 is peeled off from the base material 16.

このような工程を、ＬＥＤ積層薄膜１８に対して、繰り返し行う。これにより、図１３又は１４に示されるように、複数列、例えば、３列３行の正方格子状又はトライアングル状の島を４つ形成するように、ＬＥＤ積層薄膜１８Ｒ１、１８Ｒ２、１８Ｒ３及び１８Ｒ４と、ＬＥＤ積層薄膜１８Ｇ１、１８Ｇ２、１８Ｇ３及び１８Ｇ４と、ＬＥＤ積層薄膜１８Ｂ１、１８Ｂ２、１８Ｂ３及び１８Ｂ４とが基板１０上に固着されて一体化される。 Such a process is repeated for the LED laminated thin film 18. As a result, as shown in FIG. 13 or 14, the LED laminated thin films 18R1, 18R2, 18R3, and 18R4 are formed so as to form four square latticed or triangular shaped islands of a plurality of columns, for example, 3 columns and 3 rows. The LED laminated thin films 18G1, 18G2, 18G3, and 18G4 and the LED laminated thin films 18B1, 18B2, 18B3, and 18B4 are fixed on the substrate 10 and integrated.

また、ここでは、ＬＥＤ積層薄膜１８を一辺の長さが２ミリメートルの正方形となるようにした例について説明したが、寸法は２ミリメートルに限定されるものではなく、各色の配色や重み付けに応じてそれぞれ異なる寸法に構成してもよく、また、形状も三角形、正方形、多角形、円形、楕円形等いかなる形状であってもよい。 In addition, here, an example in which the LED laminated thin film 18 is a square having a side length of 2 millimeters has been described. However, the dimensions are not limited to 2 millimeters, depending on the color scheme and weighting of each color. The dimensions may be different from each other, and the shape may be any shape such as a triangle, a square, a polygon, a circle, and an ellipse.

まず、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとを１個ずつ直列接続するように接続した３個のＬＥＤ１１の組み合わせに対して、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力される。すると、該アノードドライバＩＣ３１の定電流回路、増幅回路等の回路からアノード配線１２を介して、安定電流が各組み合わせの１番目のＬＥＤ１１のアノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバＩＣ３２がカソード配線１３を介して各組み合わせの３番目のＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込む。これにより、それぞれ、各色１個ずつ直列に接続された３個のＬＥＤ１１を介して、アノードドライバＩＣ３１からカソードドライバＩＣ３２に電流が流れ、各色のＬＥＤ１１が点灯信号に応じて発光する。 First, a combination of three LEDs 11 in which LED 11R that emits red light, LED 11G that emits green light, and LED 11B that emits blue light one by one are connected in series one by one. A lighting signal transmitted from the device is input to the anode driver IC 31. Then, a stable current is supplied to the anode electrode 14 of the first LED 11 of each combination from a circuit such as a constant current circuit and an amplifier circuit of the anode driver IC 31 via the anode wiring 12. When the lighting signal is input to the cathode driver IC 32, the cathode driver IC 32 sucks current from the cathode electrode 15 of the third LED 11 of each combination through the cathode wiring 13 by the switch circuit. As a result, current flows from the anode driver IC 31 to the cathode driver IC 32 through the three LEDs 11 connected in series one by one for each color, and the LEDs 11 for each color emit light in response to the lighting signal.

この場合、すべての組み合わせにおいて、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとを１個ずつ直列接続するように接続しているため、ＬＥＤ１１単体のばらつきを無視すれば、３色の異なる基本特性のＬＥＤ１１をすべて同じ供給電圧及び電流条件で動作させることができる。 In this case, in all combinations, the LED 11R that emits red light, the LED 11G that emits green light, and the LED 11B that emits blue light are connected in series one by one. For example, it is possible to operate all the LEDs 11 having three different basic characteristics under the same supply voltage and current conditions.

また、ＬＥＤ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの発光に伴って発生した熱は、基板１０におけるＬＥＤ１１と反対側の面から、熱伝導性接着剤５０及び放熱板６０を介して拡散するため、基板１０及び光拡散板４０の温度は、ほとんど上昇しない。 In addition, the heat generated with the light emission of the LEDs 11R, 11G, and 11B is diffused from the surface of the substrate 10 opposite to the LED 11 through the thermally conductive adhesive 50 and the heat radiating plate 60. The temperature of the plate 40 hardly rises.

このように、本実施の形態においては、赤色に発光するＬＥＤ１１Ｒと、緑色に発光するＬＥＤ１１Ｇと、青色に発光するＬＥＤ１１Ｂとを１個ずつ直列接続した組み合わせが複数個構成されるように、ＬＥＤ１１が配列されている。そして、前記第１の実施の形態と同様に、半導体プロセスによってＬＥＤ１１、アノード配線１２及びカソード配線１３を形成することができる。したがって、前記第１の実施の形態よりも簡単な回路構成でありながら、大型で高輝度な、薄型のＬＥＤバックライト装置１００を提供することができる。 As described above, in the present embodiment, the LED 11 is configured such that a plurality of combinations in which the LED 11R that emits red light, the LED 11G that emits green light, and the LED 11B that emits blue light are connected in series one by one are configured. It is arranged. As in the first embodiment, the LED 11, the anode wiring 12, and the cathode wiring 13 can be formed by a semiconductor process. Accordingly, it is possible to provide a large-sized, high-brightness, thin LED backlight device 100 having a simpler circuit configuration than that of the first embodiment.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change variously based on the meaning of this invention, and does not exclude them from the scope of the present invention.

本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。It is a sectional side view of the LED backlight apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの斜視図である。It is a perspective view of LED in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態における放熱板の斜視図である。It is a perspective view of the heat sink in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置の側断面図である。It is a sectional side view of the liquid crystal display device using the LED backlight apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of peeling the laminated thin film of LED in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of integrating the laminated thin film of LED in the board | substrate in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。It is a sectional side view of the LED backlight apparatus in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。It is a sectional side view of the LED backlight apparatus in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの斜視図である。It is a perspective view of LED in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of LED in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of LED in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of peeling the laminated thin film of LED in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す第１の図である。It is a 1st figure which shows the process of integrating the laminated thin film of LED in the board | substrate in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態における基板にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す第２の図である。It is a 2nd figure which shows the process of integrating the laminated thin film of LED in the board | substrate in the 3rd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１０基板
１１、１１Ｒ、１１Ｒ１、１１Ｒ２、１１Ｒ３、１１Ｇ、１１Ｇ１、１１Ｇ２、１１Ｇ３、１１Ｂ、１１Ｂ１、１１Ｂ２、１１Ｂ３ＬＥＤ
１２アノード配線
１３カソード配線
１４アノード電極
１５カソード電極
１６母材
１７犠牲層
１８、１８Ｒ、１８Ｒ１、１８Ｒ２、１８Ｒ３、１８Ｇ、１８Ｇ１、１８Ｇ２、１８Ｇ３、１８Ｂ、１８Ｂ１、１８Ｂ２、１８Ｂ３ＬＥＤ積層薄膜
２１連結配線
２４反射膜
２５保護膜
３１アノードドライバＩＣ
３２カソードドライバＩＣ
４０光拡散板
６０放熱板
１００ＬＥＤバックライト装置
２００液晶パネル 10 Substrate 11, 11R, 11R1, 11R2, 11R3, 11G, 11G1, 11G2, 11G3, 11B, 11B1, 11B2, 11B3 LED
12 Anode wiring 13 Cathode wiring 14 Anode electrode 15 Cathode electrode 16 Base material 17 Sacrificial layers 18, 18R, 18R1, 18R2, 18R3, 18G, 18G1, 18G2, 18G3, 18B, 18B1, 18B2, 18B3 LED laminated thin film 21 Connecting wiring 24 Reflective film 25 Protective film 31 Anode driver IC
32 Cathode driver IC
40 Light Diffusing Plate 60 Heat Dissipating Plate 100 LED Backlight Device 200 Liquid Crystal Panel

Claims

(A) a thermally conductive first substrate;
(B) a reflective film formed on the first surface of the first substrate;
(C) an organic insulating film or an inorganic insulating film formed so as to cover the reflective film;
(D) an inorganic material by epitaxial growth is laminated as a pn junction device, the LED thin-film layered structure fixed to the flattened front surface of the organic insulating film or an inorganic insulating film,
( E ) an anode electrode and a cathode electrode formed on the LED laminated thin film;
( F ) an anode driver IC and a cathode driver IC that drive the LED laminated thin film to emit light;
( G ) An anode wiring formed on the first surface of the first substrate or the surface of the organic insulating film or the inorganic insulating film and connecting the anode driver IC and the anode electrode of the LED laminated thin film; and the cathode A cathode wiring connecting the driver IC and the cathode electrode of the LED laminated thin film;
( H ) a translucent second substrate having a function of uniformly diffusing incident light,
(I) LED backlight device and the front surface of the second substrate the organic insulating film or inorganic insulating film is characterized in that it is opposed.

The LED thin-film layered structure is fixed to the front surface of the organic insulating film or an inorganic insulating film by an intermolecular force,
LED laminated thin film that emits red light having a wavelength of 620 to 710 nanometers,
LED laminated thin film that emits green light having a wavelength of 500 to 580 nanometers;
The LED backlight device according to claim 1, comprising an LED laminated thin film that emits blue light having a wavelength of 450 to 500 nanometers.

The LED laminated thin film is formed by laminating an inorganic material as a pn junction device by an epitaxial growth method on a sacrificial layer laminated on a base material different from the first substrate,
The sacrificial layer is removed from the base material by etching away,
After being secured by an intermolecular force on the front surface of the organic insulating film or an inorganic insulating film,
The LED backlight device according to claim 1, which is formed by etching.

The LED thin-film layered structure is, LED backlight device according to claim 1 which is fixed at intervals in the row and column directions on the front surface of the organic insulating film or an inorganic insulating film.

LED laminated thin film that emits red light having a wavelength of 620 to 710 nanometers, LED laminated thin film that emits green light that has a wavelength of 500 to 580 nanometers, and LED laminated thin film that emits blue light that has a wavelength of 450 to 500 nanometers An anode wiring for connecting the anode electrode of the LED laminated thin film located at one end in the LED group consisting of the combination of the above and the anode driver IC;
A cathode wiring connecting the cathode electrode of the LED laminated thin film located at one end in the LED group and the cathode driver IC;
The LED backlight device according to claim 1, further comprising a connection wiring that serially connects the LED thin films in the LED group.

LED backlight device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a heat sink disposed on the first surface opposite the surface in said first substrate.

A liquid crystal display device comprising the LED backlight device according to any one of claims 1 to 6, further comprising a liquid crystal panel.