JP4523318B2 - 電磁流量計 - Google Patents
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Description
同一周波数で異なる振幅の余弦波P・cos(ω・t)、正弦波Q・sin(ω・t)は、以下のような余弦波に合成される。P,Qは振幅、ωは角周波数である。
P・cos(ω・t)+Q・sin(ω・t)=(P2+Q2)1/2 ・cos(ω・t−ε)
ただし、ε=tan-1(Q/P) ・・・(1)
L・exp(j・ε)=L・cos(ε)+j・L・sin(ε) ・・・(2)
式(2)は複素ベクトルに関する表記であり、jは虚数単位である。Lは複素ベクトルの長さを与え、εは複素ベクトルの方向を与える。したがって、複素座標平面上の幾何学的関係を分析するには、複素ベクトルへの変換を活用すると都合がよい。
以下の説明では、電極間起電力がどのような挙動を示し、従来技術はこの挙動をどのように利用しているかを説明するために、上記のような複素座標平面への写像と、複素ベクトルによる幾何学的分析を採用する。
図25は、特許文献1の電磁流量計の原理を説明するためのブロック図である。この電磁流量計は、被測定流体が流れる測定管1と、被測定流体に印加される磁場および測定管1の軸PAXの双方と直交し、かつ被測定流体と接触するように測定管1に対向配置され、前記磁場と被測定流体の流れとによって生じた起電力を検出する一対の電極2a,2bと、測定管軸PAXの方向と直交する、電極2a,2bを含む平面PLNを測定管1の境としたとき、この平面PLNを境とする測定管1の前後で非対称な、時間変化する磁場を被測定流体に印加する励磁コイル3とを有する。
B1=b1・cos(ω0・t−θ1) ・・・(3)
式(3)において、b1は磁束密度B1の振幅、ω0は角周波数、θ1はω0・tとの位相差(位相遅れ)である。以下、磁束密度B1を磁場B1とする。
dB1/dt=−ω0・b1・sin(ω0・t−θ1) ・・・(4)
被測定流体の流速が0の場合、発生する渦電流は、磁場の変化に起因する成分のみとなり、磁場Baの変化による渦電流Iは、図26に示すような向きとなる。したがって、電極軸EAXと測定管軸PAXとを含む平面内において、磁場Baの変化によって発生する、流速と無関係な電極間起電力Eは、図26に示すような向きとなる。この向きをマイナス方向とする。
E=k・ω0・b1・sin(ω0・t−θ1) ・・・(5)
そして、式(5)を変形すると次式となる。
E=k・ω0・b1・{sin(−θ1)}・cos(ω0・t)
+k・ω0・b1・{cos(−θ1)}・sin(ω0・t)
=k・ω0・b1・{−sin(θ1)}・cos(ω0・t)
+k・ω0・b1・{cos(θ1)}・sin(ω0・t) ・・・(6)
Ex=k・ω0・b1・{−sin(θ1)}
=k・ω0・b1・{cos(π/2+θ1)} ・・・(7)
Ey=k・ω0・b1・{cos(θ1)}
=k・ω0・b1・{sin(π/2+θ1)} ・・・(8)
Ec=Ex+j・Ey
=k・ω0・b1・{cos(π/2+θ1)}
+j・k・ω0・b1・{sin(π/2+θ1)}
=k・ω0・b1・{cos(π/2+θ1)+j・sin(π/2+θ1)}
=k・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1)} ・・・(9)
k=rk・cos(θ00)+j・rk・sin(θ00)
=rk・exp(j・θ00) ・・・(10)
式(10)において、rkは比例係数、θ00は実軸に対するベクトルkの角度である。
Ec=rk・exp(j・θ00)・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1)}
=rk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)} ・・・(11)
式(11)のrk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)}は、長さがrk・ω0・b1、実軸からの角度がπ/2+θ1+θ00の複素ベクトルである。
Ev=kv・{b1・cos(ω0・t−θ1)} ・・・(12)
式(12)を変形すると次式となる。
Ev=kv・b1・cos(ω0・t)・cos(−θ1)
−kv・b1・sin(ω0・t)・sin(−θ1)
=kv・b1・{cos(θ1)}・cos(ω0・t)
+kv・b1・{sin(θ1)}・sin(ω0・t) ・・・(13)
Evx=kv・b1・{cos(θ1)} ・・・(14)
Evy=kv・b1・{sin(θ1)} ・・・(15)
さらに、式(14)、式(15)に示したEvx,Evyを次式に示す複素ベクトルEvcに変換する。
Evc=Evx+j・Evy
=kv・b1・{cos(θ1)}+j・kv・b1・{sin(θ1)}
=kv・b1・{cos(θ1)+j・sin(θ1)}
=kv・b1・exp(j・θ1) ・・・(16)
kv=rkv・cos(θ01)+j・rkv・sin(θ01)
=rkv・exp(j・θ01) ・・・(17)
式(17)において、rkvは比例係数、θ01は実軸に対するベクトルkvの角度である。ここで、rkvは、前記比例係数rk(式(10)参照)に流速の大きさVと比例係数γをかけたものに相当する。すなわち、次式が成立する。
rkv=γ・rk・V ・・・(18)
Evc=kv・b1・exp(j・θ1)
=rkv・b1・exp{j・(θ1+θ01)} ・・・(19)
式(19)のrkv・b1・exp{j・(θ1+θ01)}は、長さがrkv・b1、実軸からの角度がθ1+θ01の複素ベクトルである。
Eac=Ec+Evc
=rk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)}
+rkv・b1・exp{j・(θ1+θ01)} ・・・(20)
ここで、図28を用いてスパンのシフトについて説明する。被測定流体の流速が変化していないにもかかわらず、電磁流量計によって計測される流速の大きさVが変化したとすると、この出力変動の要因としてスパンのシフトが考えられる。
変化する磁場中を物体が移動する場合、電磁誘導によって2種類の電界、(a) 磁場の時間変化によって発生する電界E(i)=∂A/∂t 、(b) 磁場中を物体が動くことにより発生する電界E(v)=v×B が発生する。v×BはvとBの外積を示し、∂A/∂tはAの時間による偏微分を示す。v、B、Aはそれぞれ下記に対応しており、3次元(x、y、z)に方向をもつベクトルである(v:流速、B:磁束密度、A:ベクトルポテンシャル(磁束密度とはB=rotAの関係がある))。ただし、ここでの3次元ベクトルは複素平面上のベクトルとは意味が異なる。この2種類の電界によって、電位分布が流体中に発生し、この電位は電極によって検出することができる。
特許文献1の電磁流量計では、基本的な理論展開においては実軸に対するベクトルkの角度θ00、実軸に対するベクトルkvの角度θ01を考慮しているが、スパンのシフトの問題を解決できる電磁流量計の制約条件として、θ00=θ01=0を前提においている。すなわち、上記前提が成立するように電磁流量計の条件を整えることが制約条件になる。なお、θ1は初期位相であり、励磁電流と電極間起電力に共通の位相部分である。ゆえに、従来技術および本発明のように、励磁電流と電極間起電力の位相差のみを考える場合は、理解を容易にするためθ1=0とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、正確なスパン補正を自動的に行い、高精度の流量計測を行うことができる電磁流量計を提供することを目的とする。
また、本発明の電磁流量計の1構成例(第1〜第3の実施の形態)において、前記励磁部は、励磁周波数を切り替えながら前記流体に前記磁場を印加し、前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる少なくとも2つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この合成起電力の振幅と位相に基づいて前記∂A/∂t成分を抽出し、前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、ある励磁周波数における合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出するものである。
また、本発明の電磁流量計の1構成例(第2の実施の形態)において、前記励磁部は、前記電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の励磁コイルと、前記第1の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第1の平面を挟んで前記第1の励磁コイルと対向するように配設された第2の励磁コイルと、前記第1の励磁コイルに供給する励磁電流と第2の励磁コイルに供給する励磁電流の位相差および励磁周波数を切り替えながら、前記第1の励磁コイルと第2の励磁コイルに励磁電流を供給する電源部とからなり、前記信号変換部は、前記第1の励磁コイルにより発生する第1の磁場と前記第2の励磁コイルにより発生する第2の磁場との位相差がΔθ3で、励磁角周波数がω0の第1の励磁状態と、この第1の励磁状態に対して前記第1の磁場と第2の磁場との位相差が前記Δθ3からΔθ3+πに変化した第2の励磁状態と、この第2の励磁状態から励磁角周波数がω1に変化した第3の励磁状態の3つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この振幅と位相に基づいて前記第2の励磁状態の合成起電力と前記第3の励磁状態の合成起電力との起電力差を前記∂A/∂t成分として抽出し、前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出するものである。
また、本発明の電磁流量計の1構成例(第3の実施の形態)において、前記励磁部は、前記流体に磁場を印加する励磁コイルと、この励磁コイルに励磁周波数を切り替えながら励磁電流を供給する電源部とからなり、前記電極は、前記励磁コイルの軸を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第2の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の電極と、前記第2の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第2の平面を挟んで前記第1の電極と対向するように配設された第2の電極とからなり、前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる第1の励磁状態と第2の励磁状態の各々において前記第1の電極で検出される第1の合成起電力と前記第2の電極で検出される第2の合成起電力との起電力和の振幅と位相を求め、これらの起電力和の振幅と位相に基づいて前記第1の励磁状態の起電力和と前記第2の励磁状態の起電力和との差を前記∂A/∂t成分として抽出し、前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態における前記第1の合成起電力と前記第2の合成起電力との起電力差の中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出するものである。
また、本発明の電磁流量計の1構成例(第4の実施の形態)において、前記励磁部は、前記電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の励磁コイルと、前記第1の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第1の平面を挟んで前記第1の励磁コイルと対向するように配設された第2の励磁コイルと、前記第1の励磁コイルに供給する励磁電流と第2の励磁コイルに供給する励磁電流の位相差を切り替えながら、前記第1の励磁コイルと第2の励磁コイルに同一周波数の励磁電流を供給する電源部とからなり、前記信号変換部は、前記第1の励磁コイルにより発生する第1の磁場と前記第2の励磁コイルにより発生する第2の磁場との位相差が略零である第1の励磁状態と、前記第1の磁場と第2の磁場との位相差が略πである第2の励磁状態の2つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この合成起電力の振幅と位相に基づき前記第2の励磁状態の合成起電力を前記∂A/∂t成分として抽出し、前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出するものである。
本発明は、電磁流量計の電極で検出される電極間起電力から、∂A/∂t成分のベクトルVaとv×B成分のベクトルVbとの合成ベクトルVa+Vbを求めたとき、ベクトルVaとVbが直交するか否かに関係なく、ベクトルVaは磁場の時間変化のみに依存し、被測定流体の流速に無関係なベクトルであり、ベクトルVbは被測定流体の流速に比例して大きさが変化するベクトルであることに着目している。
Va=rω・exp(j・θω)・C・ω ・・・(21)
Vb=rv・exp(j・θv)・C・V ・・・(22)
Vb/Va
={rv・exp(j・θv)・C・V}/{rω・exp(j・θω)・C・ω}
=(rv/rω)・exp{j・(θv−θω)}・V/ω ・・・(23)
|Vb/Va|=(rv/rω)・V/ω ・・・(24)
(Va+Vb)/Va
={rω・exp(j・θω)・C・ω+rv・exp(j・θv)・C・V}
/{rω・exp(j・θω)・C・ω}
=1+(rv/rω)・exp{j・(θv−θω)}・V/ω ・・・(25)
|(Va+Vb)/Va−1|=(rv/rω)・V/ω ・・・(26)
第1の抽出方法は、励磁角周波数ωが異なる2つの励磁状態の電極間起電力からベクトルVaを抽出する方法である。前述のとおり、電極間起電力から直接求めることができる複素ベクトルは合成ベクトルVa+Vbであり、ベクトルVa,Vbが直接的に計測できるわけではない。そこで、∂A/∂t成分のベクトルVaの大きさは励磁角周波数ωに比例し、v×B成分のベクトルVbは励磁角周波数ωに依存しないことに着眼する。具体的には、ある角周波数ω0で励磁したときの合成ベクトルVa+Vbと、別の角周波数ω1で励磁したときの合成ベクトルVa+Vbとの差を求める。この差は、ベクトルVaの大きさの変化分のみを表すベクトルになるので、これによりベクトルVaを抽出することができる。
V=(rω/rv)・|Vb/Va|・ω ・・・(27)
V=(rω/rv)・{|(Va+Vb)/Va−1|}・ω ・・・(28)
以上の原理により、磁場のシフトなどのスパン変動要素Cとは無関係に、流速の大きさVが計測できることになるので、実質的にスパンの自動補正が実現されることになる。
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態は、前記基本原理で説明した方法のうち、∂A/∂t成分のベクトルVaを抽出する方法として第1の抽出方法を用い、スパン補正の方法として第2の補正方法を用いるものである。本実施の形態の電磁流量計は1個の励磁コイルと1対の電極とを有するものであり、信号処理系を除く構成は図25に示した従来の電磁流量計と同様であるので、図25の符号を用いて本実施の形態の原理を説明する。
E10=rk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)}
+γ・rk・V・b1・exp{j・(θ1+θ00+Δθ01)}
=rk・b1・exp{j・(θ1+θ00)}
・{ω0・exp(j・π/2)+γ・V・exp(j・Δθ01)}
・・・(29)
E11=rk・b1・exp{j・(θ1+θ00)}
・{ω1・exp(j・π/2)+γ・V・exp(j・Δθ01)}
・・・(30)
EdA1=(E10−E11)・ω0/(ω0−ω1)
=rk・b1・exp{j・(θ1+θ00)}
・{ω0・exp(j・π/2)+γ・V・exp(j・Δθ01)
−ω1・exp(j・π/2)−γ・V・exp(j・Δθ01)}
・ω0/(ω0−ω1)
=rk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)}
・・・(31)
En1=(E10/EdA1)・ω0
=rk・b1・exp{j・(θ1+θ00)}
・{ω0・exp(j・π/2)+γ・V・exp(j・Δθ01)}
/[rk・ω0・b1・exp{j・(π/2+θ1+θ00)}]・ω0
=ω0+[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]・V ・・・(32)
V=|(En1−ω0)/[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]|
=|(En1−ω0)|/γ ・・・(33)
基本原理と第1の実施の形態の対応関係
┌────────────┬─────────────────────┐
│基本原理の定数および変数│第1の実施の形態の定数および変数 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rω │ 1 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rv │ γ │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θω │ π/2 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θv │ Δθ01 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ C │ rk・b1・exp{j(θ1+θ00)}│
└────────────┴─────────────────────┘
まず、信号変換部5は、励磁角周波数がω0の第1の励磁状態において、電極2aと2b間の起電力E10の振幅r10を求めると共に、実軸と電極間起電力E10との位相差φ10を図示しない位相検波器により求める(図5ステップ101)。
続いて、信号変換部5は、励磁角周波数がω1の第2の励磁状態において、電極2aと2b間の起電力E11の振幅r11を求めると共に、実軸と電極間起電力E11との位相差φ11を位相検波器により求める(ステップ102)。
E10x=r10・cos(φ10) ・・・(34)
E10y=r10・sin(φ10) ・・・(35)
E11x=r11・cos(φ11) ・・・(36)
E11y=r11・sin(φ11) ・・・(37)
|EdA1|={(E10x−E11x)2+(E10y−E11y)2}1/2
・ω0/(ω0−ω1) ・・・(38)
∠EdA1=tan-1{(E10y−E11y)/(E10x−E11x)}
・・・(39)
以上で、ステップ104の処理が終了する。
|En1|=(r10/|EdA1|)・ω0 ・・・(40)
∠En1=φ10−∠EdA1 ・・・(41)
これで、ステップ105の処理が終了する。
En1x=|En1|cos(∠En1)−ω0 ・・・(42)
En1y=|En1|sin(∠En1) ・・・(43)
V=(En1x2+En1y2)1/2/γ ・・・(44)
これで、ステップ106の処理が終了する。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態の電磁流量計に対して励磁コイルを1個追加したものであり、前記基本原理で説明した方法のうち、∂A/∂t成分のベクトルVaを抽出する方法として第1の抽出方法を用い、スパン補正の方法として第2の補正方法を用いるものである。すなわち、本実施の形態の電磁流量計は、2個の励磁コイルと1対の電極とを有する。新たに追加する第2の励磁コイルを既存の第1の励磁コイルと同じ側に追加した場合には、第1の実施の形態の冗長な構成となる。したがって、第2の励磁コイルは、電極を含む平面を挟んで第1の励磁コイルと異なる側に配設する必要がある。
B2=b2・cos(ω0・t−θ2) ・・・(45)
B3=b3・cos(ω0・t−θ3) ・・・(46)
式(45)、式(46)において、b2,b3は磁束密度B2,B3の振幅、ω0は角周波数、θ2,θ3は磁束密度B2,B3とω0・tとの位相差(位相遅れ)である。以下、磁束密度B2を磁場B2とし、磁束密度B3を磁場B3とする。
Eac2=rk・ω0・b2・exp{j・(π/2+θ2+θ00)}
+rk・ω0・b3・exp{j・(−π/2+θ3+θ00)}
+rkv・b2・exp{j・(θ2+θ01)}
+rkv・b3・exp{j・(θ3+θ01)} ・・・(47)
+rk・ω0・b3・exp{j・(−π/2+θ2+Δθ3+θ00)}
+γ・rk・V・b2・exp{j・(θ2+θ00+Δθ01)}
+γ・rk・V・b3・exp{j・(θ2+Δθ3+θ00+Δθ01)}
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}]
・・・(48)
+rk・ω0・b3・exp{j・(π/2+θ2+Δθ3+θ00)}
+γ・rk・V・b2・exp{j・(θ2+θ00+Δθ01)}
+γ・rk・V・b3
・exp{j・(π+θ2+Δθ3+θ00+Δθ01)}
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}] ・・・(49)
E2π1=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω1・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}] ・・・(50)
・{2・b2・γ・V・exp(j・Δθ01)} ・・・(51)
E2π0≒rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・{2・b2・ω0・exp(j・π/2)} ・・・(52)
E2π1≒rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・{2・b2・ω1・exp(j・π/2)} ・・・(53)
EdA2=(E2π0−E2π1)・ω0/(ω0−ω1)
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
−ω1・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
−γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}]・ω0/(ω0−ω1)
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・ω0・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
・・・(54)
En2=(E20/EdA2)・ω0
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}]
/[rk・exp{j・(θ2+θ00)}・ω0・exp(j・π/2)
・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}]・ω0
=ω0・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
/{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
+[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]・V ・・・(55)
V=|En2/[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]|
=|En2|/γ ・・・(56)
基本原理と第2の実施の形態の対応関係
┌────────────┬─────────────────────┐
│基本原理の定数および変数│第2の実施の形態の定数および変数 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rω │ 1 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rv │ γ │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θω │ π/2 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θv │ Δθ01 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ C │ rk・exp{j(θ2+θ00)} │
│ │ ・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}│
└────────────┴─────────────────────┘
電源部4aは、角周波数ω0の第1の励磁電流を第1の励磁コイル3aに供給すると同時に、第1の励磁電流との位相差がΔθ3で、角周波数がω0の第2の励磁電流を第2の励磁コイル3bに供給する第1の励磁状態をT0秒継続し、この第1の励磁状態に対して第1の励磁電流と第2の励磁電流との位相差をΔθ3+πに変更した第2の励磁状態をT1秒継続し、この第2の励磁状態に対して第1の励磁電流および第2の励磁電流の角周波数をω1に変更した第3の励磁状態をT2秒継続することをT秒周期で繰り返す。すなわち、T=T0+T1+T2である。
まず、信号変換部5aは、角周波数ω0の第1の励磁電流が第1の励磁コイル3aに供給され、第1の励磁電流との位相差がΔθ3で、角周波数がω0の第2の励磁電流が第2の励磁コイル3bに供給される第1の励磁状態において、電極2aと2b間の起電力E20の振幅r20を求めると共に、実軸と電極間起電力E20との位相差φ20を図示しない位相検波器により求める(図12ステップ201)。
E20x=r20・cos(φ20) ・・・(57)
E20y=r20・sin(φ20) ・・・(58)
E2π0x=r2π0・cos(φ2π0) ・・・(59)
E2π0y=r2π0・sin(φ2π0) ・・・(60)
E2π1x=r2π1・cos(φ2π1) ・・・(61)
E2π1y=r2π1・sin(φ2π1) ・・・(62)
|EdA2|={(E2π0x−E2π1x)2+(E2π0y−E2π1y)2}1/2
・ω0/(ω0−ω1) ・・・(63)
∠EdA2=tan-1{(E2π0y−E2π1y)/(E2π0x−E2π1x)}
・・・(64)
以上で、ステップ205の処理が終了する。
|En2|=(r20/|EdA2|)・ω0 ・・・(65)
∠En2=φ20−∠EdA2 ・・・(66)
これで、ステップ206の処理が終了する。なお、流速(流量)を求める次のステップで直接∠En2を用いていないが、この角度は校正時に求められる角度と比較することにより、より高精度な測定を行う場合に使用し、スパン補正の本質的な動作と直接関係しないので、ここでの説明は省略する。
信号変換部5aと流量出力部6aは、以上のようなステップ201〜207の処理を例えばオペレータによって計測終了が指示されるまで(ステップ208においてYES)、周期T毎に行う。なお、ステップ203〜207の処理は継続時間T2秒の第3の励磁状態において行われる。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態の電磁流量計に対して電極を1対追加したものであり、前記基本原理で説明した方法のうち、∂A/∂t成分のベクトルVaを抽出する方法として第1の抽出方法を用い、スパン補正の方法として第2の補正方法を用いるものである。すなわち、本実施の形態の電磁流量計は、1個の励磁コイルと2対の電極とを有する。新たに追加する第2の電極を既存の第1の電極と同じ側に追加した場合には、第1の実施の形態の冗長な構成となる。したがって、第2の電極は、励磁コイルを挟んで第1の電極と異なる側に配設する必要がある。
B4=b4・cos(ω0・t−θ4) ・・・(67)
B5=b5・cos(ω0・t−θ5) ・・・(68)
E31=rk・ω0・b4・exp{j・(π/2+θ4+θ00)}
+rkv・b4・exp{j・(θ4+θ01)} ・・・(69)
E32=rk・ω0・b5・exp{j・(−π/2+θ5+θ00)
+rkv・b5・exp{j・(θ5+θ01)} ・・・(70)
Es30=E31+E32
=rk・ω0・b4・exp{j・(π/2+θ4+θ00)}
+rkv・b4・exp{j・(θ4+θ01)}
+rk・ω0・b5・exp{j・(−π/2+θ5+θ00)}
+rkv・b5・exp{j・(θ5+θ01)} ・・・(71)
=rk・ω0・b4・exp{j・(π/2+θ4+θ00)}
+rkv・b4・exp{j・(θ4+θ01)}
−rk・ω0・b5・exp{j・(−π/2+θ5+θ00)}
−rkv・b5・exp{j・(θ5+θ01)} ・・・(72)
+γ・rk・V・b4・exp{j・(θ4+θ00+Δθ01)}
+rk・ω0・b5・exp{j・(−π/2+θ4+Δθ5+θ00)}
+γ・rk・V・b5・exp{j・(θ4+Δθ5+θ00+Δθ01)}
=rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b4−b5・exp(j・Δθ5)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}] ・・・(73)
+γ・rk・V・b4・exp{j・(θ4+θ00+Δθ01)}
−rk・ω0・b5・exp{j・(−π/2+θ4+Δθ5+θ00)}
−γ・rk・V・b5・exp{j・(θ4+Δθ5+θ00+Δθ01)}
=rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b4−b5・exp(j・Δθ5)}] ・・・(74)
Ed31=rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・[ω1・exp(j・π/2)・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)
・{b4−b5・exp(j・Δθ5)}] ・・・(75)
・{2・b4・γ・V・exp(j・Δθ01)} ・・・(76)
Ed30≒rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・{2・b4・ω0・exp(j・π/2)} ・・・(77)
Ed31≒rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・{2・b4・ω1・exp(j・π/2)} ・・・(78)
EdA3=(Ed30−Ed31)・ω0/(ω0−ω1)
=rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・ω0・exp(j・π/2)・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}
・・・(79)
En3=(Es30/EdA3)・ω0
=rk・exp{j・(θ4+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b4−b5・exp(j・Δθ5)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}]
/[rk・exp{j・(θ4+θ00)}・ω0・exp(j・π/2)
・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}]・ω0
=ω0・{b4−b5・exp(j・Δθ5)}
/{b4+b5・exp(j・Δθ5)}
+[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]・V ・・・(80)
V=|En3/[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]|
=|En3|/γ ・・・(81)
基本原理と第3の実施の形態の対応関係
┌────────────┬─────────────────────┐
│基本原理の定数および変数│第3の実施の形態の定数および変数 │
│ │ │
├────────────┼─────────────────────┤
│rω │ 1 │
├────────────┼─────────────────────┤
│rv │ γ │
├────────────┼─────────────────────┤
│θω │ π/2 │
├────────────┼─────────────────────┤
│θv │ Δθ01 │
├────────────┼─────────────────────┤
│C │ rk・exp{j(θ4+θ00)} │
│ │ ・{b4+b5・exp(j・Δθ5)}│
└────────────┴─────────────────────┘
まず、信号変換部5bは、励磁角周波数がω0の第1の励磁状態において、電極2a,2b間の第1の起電力E31と電極2c,2d間の第2の起電力E32との和Es30の振幅rs30を求めると共に、実軸と起電力和Es30との位相差φs30を図示しない位相検波器により求める(図19ステップ301)。
続いて、信号変換部5bは、励磁角周波数がω1の第2の励磁状態において、第1の電極間起電力E31と第2の電極間起電力E32との差Ed31の振幅rd31を求めると共に、実軸と起電力差Ed31との位相差φd31を位相検波器により求める(ステップ303)。
Es30x=rs30・cos(φs30) ・・・(82)
Es30y=rs30・sin(φs30) ・・・(83)
Ed30x=rd30・cos(φd30) ・・・(84)
Ed30y=rd30・sin(φd30) ・・・(85)
Ed31x=rd31・cos(φd31) ・・・(86)
Ed31y=rd31・sin(φd31) ・・・(87)
|EdA3|={(Ed30x−Ed31x)2+(Ed30y−Ed31y)2}1/2
・ω0/(ω0−ω1) ・・・(88)
∠EdA3=tan-1{(Ed30y−Ed31y)/(Ed30x−Ed31x)}
・・・(89)
以上で、ステップ305の処理が終了する。
|En3|=(rs30/|EdA3|)・ω0 ・・・(90)
∠En3=φs30−∠EdA3 ・・・(91)
これで、ステップ306の処理が終了する。なお、流速(流量)を求める次のステップで直接∠En3を用いていないが、この角度は校正時に求められる角度と比較することにより、より高精度な測定を行う場合に使用し、スパン補正の本質的な動作と直接関係しないので、ここでの説明は省略する。
信号変換部5bと流量出力部6bは、以上のようなステップ301〜307の処理を例えばオペレータによって計測終了が指示されるまで(ステップ308においてYES)、周期T毎に行う。なお、ステップ303〜307の処理は継続時間T1秒の第2の励磁状態において行われる。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態の電磁流量計に対して励磁コイルを1個追加したものであり、前記基本原理で説明した方法のうち、∂A/∂t成分のベクトルVaを抽出する方法として第2の抽出方法を用い、スパン補正の方法として第2の補正方法を用いるものである。つまり、本実施の形態の電磁流量計の信号処理系を除く構成は第2の実施の形態と同様であるので、図6の符号を用いて本実施の形態の原理を説明する。
|b2+b3・exp(j・Δθ3)|≫|b2−b3・exp(j・Δθ3)|
・・・(92)
式(92)において、|b2+b3・exp(j・Δθ3)|は複素ベクトルb2+b3・exp(j・Δθ3)の大きさを表し、|b2−b3・exp(j・Δθ3)|は複素ベクトルb2−b3・exp(j・Δθ3)の大きさを表す。
|ω0・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}|
≫|γ・V・exp(j・Δθ01)・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}|
・・・(93)
EdA4≒E2π0 ・・・(94)
EdA4=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・ω0・exp(j・π/2)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
・・・(95)
En4=(E20/EdA4)・ω0
=rk・exp{j・(θ2+θ00)}
・[ω0・exp(j・π/2)・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
+γ・V・exp(j・Δθ01)・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}]
/[rk・exp{j・(θ2+θ00)}・ω0・exp(j・π/2)
・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}]・ω0
=ω0・{b2−b3・exp(j・Δθ3)}
/{b2+b3・exp(j・Δθ3)}
+[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]・V ・・・(96)
V=|En4/[γ・exp{j・(−π/2+Δθ01)}]|
=|En4|/γ ・・・(97)
基本原理と第4の実施の形態の対応関係
┌────────────┬─────────────────────┐
│基本原理の定数および変数│第4の実施の形態の定数および変数 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rω │ 1 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ rv │ γ │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θω │ π/2 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ θv │ Δθ01 │
├────────────┼─────────────────────┤
│ C │ rk・exp{j(θ2+θ00)} │
│ │ ・{b2+b3・exp(j・Δθ3)}│
└────────────┴─────────────────────┘
電源部4aは、角周波数ω0の第1の励磁電流を第1の励磁コイル3aに供給すると同時に、第1の励磁電流との位相差Δθ3が略零で、角周波数がω0の第2の励磁電流を第2の励磁コイル3bに供給する第1の励磁状態をT0秒継続し、この第1の励磁状態に対して第1の励磁電流と第2の励磁電流との位相差を略πに変更した第2の励磁状態をT1秒継続することをT秒周期で繰り返す。すなわち、T=T0+T1である。
E20x=r20・cos(φ20) ・・・(98)
E20y=r20・sin(φ20) ・・・(99)
E2π0x=r2π0・cos(φ2π0) ・・・(100)
E2π0y=r2π0・sin(φ2π0) ・・・(101)
|EdA4|=(E2π0x2+E2π0y2)1/2 ・・・(102)
∠EdA4=tan-1(E2π0y/E2π0x) ・・・(103)
以上で、ステップ404の処理が終了する。
|En4|=(r20/|EdA4|)・ω0 ・・・(104)
∠En4=φ20−∠EdA4 ・・・(105)
これで、ステップ405の処理が終了する。なお、流速(流量)を求める次のステップで直接∠En4を用いていないが、この角度は校正時に求められる角度と比較することにより、より高精度な測定を行う場合に使用し、スパン補正の本質的な動作と直接関係しないので、ここでの説明は省略する。
信号変換部5aと流量出力部6aは、以上のようなステップ401〜406の処理を例えばオペレータによって計測終了が指示されるまで(ステップ407においてYES)、周期T毎に行う。なお、ステップ402〜406の処理は継続時間T1秒の第2の励磁状態において行われる。
Claims (8)
- 被測定流体が流れる測定管と、
この測定管に配設され、前記流体に印加される磁場と前記流体の流れとによって生じた起電力を検出する電極と、
この電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面に対して非対称かつ時間変化する磁場を前記流体に印加する励磁部と、
前記電極で検出される、前記流体の流速とは無関係な∂A/∂t成分の起電力と前記流体の流速に起因するv×B成分の起電力との合成起電力から、前記∂A/∂t成分を抽出する信号変換部と、
前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記合成起電力の中のv×B成分の流速の大きさVにかかる係数であるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出する流量出力部とを備えることを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、励磁周波数を切り替えながら前記流体に前記磁場を印加し、
前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる少なくとも2つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この合成起電力の振幅と位相に基づいて前記∂A/∂t成分を抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、ある励磁周波数における合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1または2記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、前記電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面からオフセットを設けて離れた位置に配設された励磁コイルと、この励磁コイルに励磁周波数を切り替えながら励磁電流を供給する電源部とからなり、
前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる第1の励磁状態と第2の励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、これらの合成起電力の振幅と位相に基づいて前記第1の励磁状態の合成起電力と前記第2の励磁状態の合成起電力との起電力差を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1または2記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、前記電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の励磁コイルと、前記第1の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第1の平面を挟んで前記第1の励磁コイルと対向するように配設された第2の励磁コイルと、前記第1の励磁コイルに供給する励磁電流と第2の励磁コイルに供給する励磁電流の位相差および励磁周波数を切り替えながら、前記第1の励磁コイルと第2の励磁コイルに励磁電流を供給する電源部とからなり、
前記信号変換部は、前記第1の励磁コイルにより発生する第1の磁場と前記第2の励磁コイルにより発生する第2の磁場との位相差がΔθ3で、励磁角周波数がω0の第1の励磁状態と、この第1の励磁状態に対して前記第1の磁場と第2の磁場との位相差が前記Δθ3からΔθ3+πに変化した第2の励磁状態と、この第2の励磁状態から励磁角周波数がω1に変化した第3の励磁状態の3つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この振幅と位相に基づいて前記第2の励磁状態の合成起電力と前記第3の励磁状態の合成起電力との起電力差を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1または2記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、前記流体に磁場を印加する励磁コイルと、この励磁コイルに励磁周波数を切り替えながら励磁電流を供給する電源部とからなり、
前記電極は、前記励磁コイルの軸を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第2の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の電極と、前記第2の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第2の平面を挟んで前記第1の電極と対向するように配設された第2の電極とからなり、
前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる第1の励磁状態と第2の励磁状態の各々において前記第1の電極で検出される第1の合成起電力と前記第2の電極で検出される第2の合成起電力との起電力差の振幅と位相を求め、これらの起電力差の振幅と位相に基づいて前記第1の励磁状態の起電力差と前記第2の励磁状態の起電力差との差を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態における前記第1の合成起電力と前記第2の合成起電力との起電力和の中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1または2記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、前記流体に磁場を印加する励磁コイルと、この励磁コイルに励磁周波数を切り替えながら励磁電流を供給する電源部とからなり、
前記電極は、前記励磁コイルの軸を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第2の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の電極と、前記第2の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第2の平面を挟んで前記第1の電極と対向するように配設された第2の電極とからなり、
前記信号変換部は、前記励磁周波数が異なる第1の励磁状態と第2の励磁状態の各々において前記第1の電極で検出される第1の合成起電力と前記第2の電極で検出される第2の合成起電力との起電力和の振幅と位相を求め、これらの起電力和の振幅と位相に基づいて前記第1の励磁状態の起電力和と前記第2の励磁状態の起電力和との差を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態における前記第1の合成起電力と前記第2の合成起電力との起電力差の中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、複数の励磁コイルから励磁周波数が同一の磁場を発生させ、各励磁コイルから発生する磁場の間の位相差を切り替えながら前記流体に磁場を印加し、
前記信号変換部は、前記位相差が異なる少なくとも2つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この合成起電力の振幅と位相に基づき前記位相差が所定値である特定の励磁状態の合成起電力を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記特定の励磁状態と異なる別の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。 - 請求項1または7記載の電磁流量計において、
前記励磁部は、前記電極を含む、前記測定管の軸方向と垂直な第1の平面から第1のオフセットを設けて離れた位置に配設された第1の励磁コイルと、前記第1の平面から第2のオフセットを設けて離れた位置に、前記第1の平面を挟んで前記第1の励磁コイルと対向するように配設された第2の励磁コイルと、前記第1の励磁コイルに供給する励磁電流と第2の励磁コイルに供給する励磁電流の位相差を切り替えながら、前記第1の励磁コイルと第2の励磁コイルに同一周波数の励磁電流を供給する電源部とからなり、
前記信号変換部は、前記第1の励磁コイルにより発生する第1の磁場と前記第2の励磁コイルにより発生する第2の磁場との位相差が略零である第1の励磁状態と、前記第1の磁場と第2の磁場との位相差が略πである第2の励磁状態の2つの励磁状態の各々において前記合成起電力の振幅と位相を求め、この合成起電力の振幅と位相に基づき前記第2の励磁状態の合成起電力を前記∂A/∂t成分として抽出し、
前記流量出力部は、前記抽出された∂A/∂t成分に基づいて、前記第1の励磁状態の合成起電力中のv×B成分に含まれるスパンの変動要因を除去し、この変動要因を除去した結果から前記流体の流量を算出することを特徴とする電磁流量計。
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