JP4492378B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子をガラス封止材料で封止することにより形成される発光装置に関し、特に、量産性に優れ、かつガラス材料全体をコーティングすることで高温多湿環境でも封止性、耐劣化性に優れ、色むらを生じることのない発光装置およびその製造方法に関する。

従来の発光装置として、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子をエポキシ樹脂等の透光性樹脂材料で封止した樹脂封止ＬＥＤがある。

樹脂封止ＬＥＤは、透光性樹脂材料を用いることで封止加工性に優れる反面、透光性樹脂材料が強い光に反応して黄変等の劣化を生じることが知られている。特に、短波長光を放出するIII族窒化物系化合物半導体発光素子を用いる場合には、当該素子から放出される高エネルギーの光と素子自体の発熱によって素子近傍の透光性樹脂が黄変し、光取り出し効率が無視できないほどに低下することがある。

このような封止部材の劣化を防止するものとして、封止材料に低融点ガラスを用いた発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

図９は、特許文献１に記載される発光装置の縦断面図である。この発光装置１０は、ＬＥＤ発光素子１１と、プリント配線基板１２と、プリント配線基板１２の表面に設けられる配線パターン１３と、ＬＥＤ発光素子１１と配線パターン１３とを電気的に接続するワイヤ１４と、ＬＥＤ発光素子１１およびワイヤ１４を封止する低融点ガラス１５とを有し、ＧａＮ系ＬＥＤ発光素子の屈折率２．３程度に近い屈折率が２程度の低融点ガラスを用いている。

特許文献１に記載される発光装置によると、ＧａＮ系ＬＥＤ発光素子の屈折率に近い低融点ガラス１５でＬＥＤ発光素子１１を封止することによって、ＬＥＤ発光素子１１の表面で全反射して内部に戻る光が少なくなり、ＬＥＤ発光素子１１から放出されて低融点ガラス１５に入射する光の量が多くなる。その結果、エポキシ樹脂でＬＥＤ発光素子１１を封止している従来のものよりも高くなる。
特開平１１−１７７１２９号公報（〔０００７〕、図１）

しかし、特許文献１に記載される発光装置では、低融点ガラスはエポキシ樹脂のように扱うことができないため、具現化や量産性に問題がある。

ＬＥＤ発光素子に熱ダメージを与えることなく封止加工するには、高粘度状態のガラスで封止するのが望ましいが、ワイヤ形状を保持できず電気的短絡、断線が生じる。仮に、低粘度のガラスの場合、図９に示すようなモールドは困難である。樹脂系のプリント配線基板では加工温度に耐えることができず、無機系のプリント配線基板では金型によるプレスによって破損が生じる。また、高温加工が必要なガラス封止とＬＥＤ発光素子において一括工程でなく各製品対応をするのは量産性に問題がある。さらに、量産性に優れ色むらのない蛍光体白色ＬＥＤや、極めて高温多湿雰囲気での耐性に優れるガラス封止ＬＥＤについては、これまでに提案がなかった。

従って、本発明の目的は、量産性に優れ、かつガラス材料全体をコーティングすることで高温多湿環境でも封止性、耐劣化性に優れ、色むらを生じることのない発光装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、前記基板上にて前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、前記発光素子を取り囲むように、前記封止部の上面から前記基板の内部にかけて、前記基板の厚さ方向に形成された切り込み面と、水分が浸透しない光透過性の無機材料からなり、前記封止部の表面全体を覆うとともに、前記切り込み面における前記封止部と前記基板との界面を覆うコート部と、を有することを特徴とする発光装置を提供する。

また、本発明は、上記した目的を達成するため、無機材料からなる基板を準備する第１のステップと、前記基板に複数の発光素子を搭載する第２のステップと、前記複数の発光素子が搭載された前記基板をガラスからなる封止材料で封止する第３のステップと、前記封止材料から前記基板にかけて前記基板が分断されることのない深さまで形成され、前記発光素子を取り囲む切り込みを設ける第４のステップと、前記切り込みにより露出した前記封止材料と前記基板との界面及び前記封止材料の表面全体に水分が浸透しない光透過性の無機材料からなるコーティングを施す第５のステップと、前記切り込みに沿って前記光透過性の無機材料および前記基板を分割する第６のステップとを有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。

本発明によると、光透過性の無機材料コート部によって封止部および基板を覆うことにより、封止部の耐水性が向上し、基板と封止部の良好な密着性が確保される。また、多湿環境でも封止性、耐劣化性が得られる。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、フリップチップ型のＬＥＤ素子２と、回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃとを有する無機材料基板であるＡｌ_２Ｏ_３基板３と、回路パターン４ＢとＬＥＤ素子２の電極とを電気的に接続するＡｕバンプ５と、Ａｌ_２Ｏ_３基板３およびＬＥＤ素子２とを封止する無機封止材料であるガラス封止部６とを有する。

（各部の構成）
ＬＥＤ素子２は、下地基板となるサファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してｎ−ＧａＮ層と、発光層と、ｐ−ＧａＮ層とを順次結晶成長させることによって形成したＧａＮ系半導体層を有し、ｐ−ＧａＮ層からエッチングを施すことによりｎ電極形成領域としてｎ−ＧａＮ層の一部を露出させた水平型の電極構造を有し、Ａｕバンプ５を介して回路パターン４Ｂ上にフリップ実装されている。このＬＥＤ素子２は、発光中心波長が４７０ｎｍであり、熱膨張率は７×１０^−６／℃である。また、ＬＥＤ１の幅とＬＥＤ素子２の幅とのサイズ比は１より大で、かつ５以下となるように構成されている。

Ａｌ_２Ｏ_３基板３は、熱膨張率が７×１０^−６／℃であり、ＬＥＤ素子２と略同等の熱膨張率を有し、素子搭載面、ビアホール３Ａ、および裏面にタングステン（Ｗ）−ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）で構成される回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを有する。また、ＬＥＤ１の外縁となる部分に位置するように段部３Ｂを有している。

ガラス封止部６は、６００℃以下の低融点でホットプレス加工が可能な低融点ガラスからなり、ＬＥＤ素子２およびＡｌ_２Ｏ_３基板３の熱膨張率と略同等の熱膨張率（７×１０^−６／℃）を有する。また、表面には半球状に形成された光学形状部６Ａと、光学形状部６Ａの表面にコート部として薄膜状に設けられるＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂとを有する。

Ａｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂは、Ａｌ_２Ｏ_３をスパッタリング処理することで光学形状部６Ａの表面に塗布し、乾燥させることによって薄膜状に形成されている。このＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂは、ガラス封止部６の端面および段部３Ｂを覆うように設けられている。また、Ａｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂは、Ａｌ_２Ｏ_３基板３とガラス封止部６の端面を覆う端面保護部６Ｃを有する。

（ＬＥＤの製造工程）
以下に、第１の実施の形態のＬＥＤの製造方法について説明する。図２（ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図であり、図３（ａ）から（ｄ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。

（配線形成工程）
まず、図２（ａ）に示すように、上記したＡｌ_２Ｏ_３基板３に対し、回路パターンに応じてＷペーストをスクリーン印刷する。次に、Ｗペーストを印刷されたガラス含有Ａｌ_２Ｏ_３基板３を１５００℃で熱処理することによりＷをＡｌ_２Ｏ_３基板３に焼き付け、さらにＷ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを形成する。

（ＬＥＤ素子実装工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ_２Ｏ_３基板３の回路パターン４ＢにＡｕバンプ５を介してＬＥＤ素子２をフリップ実装する。

（低融点ガラス準備工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、板状のＰ_２Ｏ_５−ＺｎＯ−Ｌｉ_２Ｏ系の低融点ガラス６０をＡｌ_２Ｏ_３基板３に対して平行にセットする。

（ガラス封止工程）
次に、図３（ａ）に示すように、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃の温度で低融点ガラス６０のホットプレス加工を行う。低融点ガラス６０は、Ａｌ_２Ｏ_３基板３とそれらに含まれる酸化物を介して基板表面に接着されるとともに、プレス金型の形状に応じて半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６が成形される。

（溝形成工程）
次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス封止部６の薄肉部分をダイシングソーでハーフカットすることにより溝３０を形成する。この溝３０はＡｌ_２Ｏ_３基板３を分断することのない深さを有するように形成される。この状態では、ガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３との界面が露出し、平面方向に見てＬＥＤとなる部分が切り込み面としての溝３０によって取り囲まれたものとなる。

（コート膜形成工程）
次に、図３（ｃ）に示すように、ガラス封止部６の表面を覆うようにスパッタリング処理することによってＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂを形成する。この状態では、溝３０によって取り囲まれたＬＥＤとなる部分の表面全体をＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂで覆ったものとなる。

（ＬＥＤ分離工程）
次に、図３（ｄ）に示すように、溝３０に沿ってＡｌ_２Ｏ_３基板３を分割することにより、ＬＥＤ１を分離する。分割されたＬＥＤ１は、ガラス封止部６の端面がＡｌ_２Ｏ_３基板３によって覆われた構成を有している。

（ＬＥＤ１の動作）
以下に、第１の実施の形態の動作について説明する。図示しない電源部から回路パターン４Ａを介して通電することにより、ＬＥＤ素子２の電極を介して発光層に通電される。発光層は、通電に基づいて発光して青色光を生じる。この青色光は、ＧａＮ系半導体層からサファイア基板を介してガラス封止部６に入射し、光学形状部６Ａに至る。光学形状部６Ａに至った青色光はＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂを透過して外部放射される。

（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。

（１）ＬＥＤ素子２に対してガラス封止を行った後にガラス封止部６からＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂにかけて溝３０を形成し、溝３０を含むガラス表面にＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂを設けてガラス表面を保護するようにしたので、ＬＥＤ１を個別に分離してもガラス封止部６の端面が露出せずに保護される。このことによりガラスの低融点化、熱膨張率調整、屈折率調整等の制約により、ガラス封止部６が多少耐湿性の劣る特性でも高温多湿環境においてガラス封止部６が劣化することなく長期にわたって安定して使用することができる。また、スパッタリングによる膜形成を行っているので、溝３０への膜形成がされやすい。

（２）ガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３との間に水分が浸透しないので、ガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３との密着性低下を防ぐことができる。

（３）ガラス封止部６の加工後にダイシングソーによるハーフカットによって溝３０を形成するので、Ａｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂ形成後にＬＥＤ１を容易に分離することができ、生産性に優れる。

なお、上記した第１の実施の形態では、ガラス封止部６の表面にＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂを設けたＬＥＤ１を説明したが、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＭｇＦ_２等を用いても良い。

また、第１の実施の形態の実施の形態では、溝３０をＡｌ_２Ｏ_３基板３に設けてＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂをコートし、溝３０に沿って分割するものとしたが、例えば、ダイシングソーによらずにレーザ光で溝３０を形成しても良い。レーザ加工は処理時間を短くでき、量産性をさらに向上することができる。特に、フェムト秒レーザのような短時間パルス照射によれば、滑らかな溝形成が可能である。

また、Ａｌ_２Ｏ_３基板３とガラスとは、ガラスの熱膨張率が６．０〜７．７×１０^−６／℃の範囲で、実験によって良好な接合ができることが確認されている。接合の良否はガラスのサイズ、軟化特性、応力方向に依存するが、必ずしも数％以内の熱膨張率差である必要はなく、１５％程度の差があるものでも、良好な接続ができるものであれば良い。

（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、光学形状部６Ａの表面に第１の実施の形態で説明したＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂに代えて、ダイクロイックミラー６Ｄと、蛍光体含有ガラス層６Ｅとを設けた構成において第１の実施の形態と相違している。

（各部の構成）
ダイクロイックミラー６Ｄは、ＴｉＯ_２膜およびＳｉＯ_２膜を交互に積層して多層化することによって形成されており、５００ｎｍ以下の光を透過し、５００ｎｍ以上の光を反射する。このことよりダイクロイックミラー６ＤはＬＥＤ素子２の発する４７０ｎｍの青色光は透過するが、蛍光体含有ガラス層６Ｅに含有される蛍光体が発する黄色光については反射することにより、ガラス封止部６への入射を防ぐ。

蛍光体含有ガラス層６Ｅは、外径１０μｍの蛍光体粒子と、外径１０μｍのフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料（軟化点約３００℃）からなり、この混合材料を光学形状部６Ａの形成されたガラス封止部６に静電塗装した後に３５０℃で加熱処理することによってガラス封止部６の表面に一体的に形成されている。この場合、ＬＥＤ素子２が放射する青色光で励起可能な蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては。例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体を用いることができる。

（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によると、ガラス封止部６の表面全体にダイクロイックミラー６Ｄと蛍光体含有ガラス６Ｅとが形成されているので、色むらの少ないものとできる。更に、ガラス封止形態であるので、加熱状態で電圧印加することによる静電塗装が可能となり、ガラス封止部６の表面に蛍光体粒子とフッ化物低融点ガラス粒子とを混合した混合材料を静電付着させるので、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、凹凸形状のあるガラス封止部６の表面に混合材料を均一な膜厚で付着させることができ、熱融着による均一な膜厚の蛍光体含有ガラス層６Ｅを容易に形成することができる。また、フッ化物低融点ガラスによるフッ化物コートがガラス封止部６の表面に形成されるので、ＬＥＤ１の耐湿性をより向上させることができる。

（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。

（全体の構成）
このＬＥＤ１は、素子実装面と異なる高さの凹部３Ｃを有するＡｌ_２Ｏ_３基板３と、凹部３Ｃを覆うようにＡｌ_２Ｏ_３基板３およびＬＥＤ素子２を封止するガラス封止部６とを有し、Ａｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂあるいはダイクロイックミラー６Ｄを備えず、蛍光体含有ガラス層６Ｅのみを備える構成において第１あるいは第２の実施の形態と相違している。

（各部の構成）
ガラス封止部６は、ホットプレス加工に基づいて凹部３Ｃの側面を覆うとともに光学形状部６Ａを有するように形成される。ガラス封止部６の表面には第２の実施の形態で説明した蛍光体含有ガラス層６Ｅをコートしている。

（ＬＥＤの製造工程）
以下に、第３の実施の形態のＬＥＤの製造方法について説明する。図６（ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図であり、図７（ａ）から（ｃ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。

（配線形成工程）
まず、図６（ａ）に示すように、予め凹部３Ｃを設けられたＡｌ_２Ｏ_３基板３に対し、回路パターンに応じてＷペーストをスクリーン印刷する。次に、Ｗペーストを印刷されたガラス含有Ａｌ_２Ｏ_３基板３を１５００℃で熱処理することによりＷをＡｌ_２Ｏ_３基板３に焼き付け、さらにＷ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃを形成する。なお、凹部３Ｃについては、回路パターン４Ａ、４Ｂ、およびビアパターン４Ｃの形成後に切削、サンドブラスト等のプロセスによって形成される。

（ＬＥＤ素子実装工程）
次に、図６（ｂ）に示すように、Ａｌ_２Ｏ_３基板３の回路パターン４ＢにＡｕバンプ５を介してＬＥＤ素子２をフリップ実装する。

（低融点ガラス準備工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、板状のＰ_２Ｏ_５−ＺｎＯ−Ｌｉ_２Ｏ系の低融点ガラス６０をＡｌ_２Ｏ_３基板３に対して平行にセットする。

（ガラス封止工程）
次に、図７（ａ）に示すように、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃の温度で低融点ガラス６０のホットプレス加工を行う。低融点ガラス６０は、Ａｌ_２Ｏ_３基板３とそれらに含まれる酸化物を介して基板表面に接着されるとともに、プレス金型の形状に応じて半球状の光学形状部６Ａを有したガラス封止部６が成形される。このとき、ガラス封止部６には凹部３Ｃに対応した位置に薄肉部として凹溝６Ｆが形成される。

（コート膜形成工程）
次に、図７（ｂ）に示すように、蛍光体含有ガラス層６Ｅを形成する。

（ＬＥＤ分離工程）
次に、図７（ｃ）に示すように、凹溝６Ｆの部分をダイサーでカットすることによりＬＥＤ１を分離する。

（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によると、凹部３Ｃを設けたＡｌ_２Ｏ_３基板３を低融点ガラス６０でガラス封止するので、低融点ガラス６０の熱収縮により生じる内部応力に基づいて低融点ガラス６０が凹部３Ｃの側面に密着して凹凸封止される。このことにより、ＬＥＤ１の外縁におけるガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３の密着性が大になり、ガラス剥離や水分の浸透を極めて高いレベルで防ぐことができる。第３の実施の形態では、端面保護部６Ｃにおいてガラス封止部６が僅かに露出するが、この部位はＬＥＤ素子２からの光が直接至るところではないので、光学的な影響は無視できるレベルで色むらは発生しない。なお、この場合にはガラス封止部６は耐湿性の高い材料を用いることが望ましい。

また、蛍光体含有層に加えてＡｌ_２Ｏ_３コートとしても良い。高温多湿状態でのガラスは、表面が白濁する変化が生じる。しかし、ＬＥＤ素子から直接光が達するガラス表面はＡｌ_２Ｏ_３コートが施されているので、光学特性には変化は生じない。

（第４の実施の形態）
図８（ａ）から（ｄ）は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤの凹部を示す部分断面図である。

（全体の構成）
第４の実施の形態は、第３の実施の形態で説明した凹部３Ｃにおいて、ガラス封止部６が露出しない構成としたものである。以下にその製造工程を説明する。

（ガラス封止工程）
図８（ａ）に示すガラス封止工程では、ガラス封止部６の形成により凹部３Ｃに設けられる凹溝６Ｆが後述する溝加工の障害とならない溝幅を有するように形成される。その他については図７（ａ）で説明したガラス封止工程と同様であるので詳細については省略する。

（溝形成工程）
図８（ｂ）に示す溝形成工程では、ガラス封止部６の凹溝６Ｆにレーザ光を照射して溝３０を形成し、Ａｌ_２Ｏ_３基板３を露出させる。なお、レーザ光の照射に代えてダイサーによるダイシングでＡｌ_２Ｏ_３基板３に達する深さを有する溝３０を設けるようにしても良い。

（コート膜形成工程）
図８（ｃ）に示すコート膜形成工程では、溝形成工程で露出させたＡｌ_２Ｏ_３基板３を覆うようにＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂを設けることで、レーザ光の照射により露出した凹溝６Ｆのガラスがコートされる。

（ＬＥＤ分離工程）
図８（ｄ）に示すＬＥＤ分離工程では、コート膜形成工程後に溝３０の部分をダイサーでカットすることによりＬＥＤ１を個別に分離する。分離されたＬＥＤ１の端面は、Ａｌ_２Ｏ_３基板３の凹部３Ｃにおいてガラス封止部６が凹凸封止されており、かつ、ガラス封止部６とＡｌ_２Ｏ_３基板３との境界がＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂで覆われたものとなる。

（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によると、凹部３Ｃを設けたＡｌ_２Ｏ_３基板３を低融点ガラス６０でガラス封止し、ガラス封止された凹部３Ｃに溝３０を設けてＡｌ_２Ｏ_３コート膜６Ｂでコートしたので、低融点ガラスの熱収縮に基づくＡｌ_２Ｏ_３基板３とガラス封止部６との高い密着性が得られるとともに、ガラス封止部６の全面保護による高い防湿性、耐劣化性を得ることができる。

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図である。 （ａ）から（ｄ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤを示す縦断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、ＬＥＤ製造工程の配線形成工程からガラス準備工程にかけてを示す概略図である。 （ａ）から（ｃ）は、ガラス封止工程からＬＥＤの分離にかけてを示す概略図である。 （ａ）から（ｄ）は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置としてのＬＥＤの凹部を示す部分断面図である。 特許文献１に記載される発光装置の縦断面図である。

符号の説明

１…ＬＥＤ、２…ＬＥＤ素子、３Ｃ…凹部、３…Ａｌ_２Ｏ_３基板、３Ｂ…段部、４Ａ…回路パターン、４Ｂ…回路パターン、４Ｃ…ビアパターン、５…Ａｕバンプ、６…ガラス封止部、６Ａ…光学形状部、６Ｂ…Ａｌ_２Ｏ_３コート膜、６Ｃ…端面保護部、６Ｄ…ダイクロイックミラー、６Ｅ…蛍光体含有ガラス層、６Ｆ…凹溝、１０…発光装置、１１…ＬＥＤ発光素子、１２…プリント配線基板、１３…配線パターン、１４…ワイヤ、１５…低融点ガラス、３０…溝、６０…低融点ガラス、

Claims (8)

1. 発光素子と、
   前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、
   前記基板上にて前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、
   前記発光素子を取り囲むように、前記封止部の上面から前記基板の内部にかけて、前記基板の厚さ方向に形成された切り込み面と、
   水分が浸透しない光透過性の無機材料からなり、前記封止部の表面全体を覆うとともに、前記切り込み面における前記封止部と前記基板との界面を覆うコート部と、を有することを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子は、フリップ実装型発光素子であり、
   前記基板は、前記封止部と同等の熱膨張率を有する無機材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記コート部は、蛍光体含有材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記コート部は、Ａｌ _２ Ｏ _３ 、ＳｉＯ _２ 、ＳｉＮ、ＭｇＦ _２ 、ＴｉＯ _２ 及びフッ化物ガラス粒子のいずれかからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記コート部は、ダイクロイックミラーを含むものである請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 無機材料からなる基板を準備する第１のステップと、
   前記基板に複数の発光素子を搭載する第２のステップと、
   前記複数の発光素子が搭載された前記基板をガラスからなる封止材料で封止する第３のステップと、
   前記封止材料から前記基板にかけて前記基板が分断されることのない深さまで形成され、前記発光素子を取り囲む切り込みを設ける第４のステップと、
   前記切り込みにより露出した前記封止材料と前記基板との界面及び前記封止材料の表面全体に水分が浸透しない光透過性の無機材料からなるコーティングを施す第５のステップと、
   前記切り込みに沿って前記光透過性の無機材料および前記基板を分割する第６のステップとを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
7. 前記第５のステップにおいて、前記コーティングをスパッタリングによって設けることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記第５のステップにおいて、前記コーティングを静電塗布によって設けることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。

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