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JP4458872B2 - ヒートシンク - Google Patents

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Description

本発明はヒートシンクに関する。
動作時の発熱量の大きな半導体デバイス(例えば半導体パワーモジュール)等では、発熱体(例えばIBGT)で発生する熱を逃がすためにヒートシンクが用いられている。ヒートシンクは、通常、発熱体が載置されるベースと、ベースにより支持された複数のフィンを備える。フィンは冷媒流路内に配置され、これにより発熱体で発生した熱をベースおよびフィンを介して冷媒に伝達させる。
かかるヒートシンクとして、例えば特許文献1には、フィンとして多孔材を用い、フィンを貫通する複数の孔を介して冷媒を流すようにしたものが開示されている。
特開2001−358270号公報
しかしながら、上記従来の構成では、複数のフィンを冷媒流路を形成する壁面(支持台)に対し例えば接着剤、ロウ、はんだなどで一つずつ接合する必要があり、その結果、製造時間や製造コストが上昇し、生産性の低下を招いていた。
そこで、本発明は、生産性の高いヒートシンクを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るヒートシンクの一態様は、
発熱体と熱的に接続される第1の面を有するベースと、
ベースの上記第1の面と反対側の第2の面に支持され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンであって、それぞれ複数の貫通孔を有するものと、
を備え、
ベースと複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とする。
本発明によれば、複数のフィンをベースに一つずつ接合する必要がなく、したがってヒートシンクの製造時間や製造コストを低減でき、その結果生産性を向上させることができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、同一または類似の構成要素は、複数の図面にわたって同一の符号または同一の符号に適当な添字を付して表す。
実施の形態1.
図1(a)〜(c)は、本発明に係るヒートシンクの実施の形態1を示す。このヒートシンク2は、図示しない発熱体が載置される(発熱体と熱的に接続される)平坦面(第1の面)4aを有する板状のベース4と、互いに平行に間隔をあけて平坦面4aと反対側の平坦面(第2の面)4bを介してベース4に支持された、ベース4と略垂直な複数(図の例では、4つ)の板状のフィン6(6a,6b,6c,6d)とを備える。以下の説明では、ベース4はXY平面と平行に位置し、フィン6a〜6dの配列方向をY方向とし、各フィン6はXZ平面と平行に位置するものとする。
各フィン6は、略Y方向に伸びた管状の貫通孔8を多数備えたロータス(レンコン)型の部材である。ヒートシンク2の動作時には、冷媒をフィン6a,6b,6c,6dの順に貫通孔8を介して+Y方向に流すようにしてある。冷媒は、例えば、冷却水などの液体、冷風やフロンなどの気体が用いられる。冷媒の漏れを防ぐために、通常は、冷媒の流れ方向に関してヒートシンク2の上流および下流に配管を設けるとともに、フィン6の上部および側部を密閉する板を設けて、冷媒を流すようにする。しかしながら、空冷式の場合、冷風を配管内に流す代わりに、フィン6を大気に露出させることも可能である。
ヒートシンク2のベース4とフィン6は、例えば銅やアルミニウムなどの金属からなる直方体状の多孔質部材10[図1(d)]に対しXZ平面に平行な1つまたはそれ以上(図の例では3つ)の溝11(11a,11b,11c)を切削加工することにより一体的に形成される。なお、これまでの説明で明らかなように、ベース4の平坦面4bは、一部は溝11の底面(ヒートシンク2の外観)を形成し、一部はフィン6との仮想的な境界を形成する。
以下、図2,3を参照してヒートシンク2を形成する方法を説明する。
まず、管状の貫通孔を多数備えた金属を以下に示す公知の方法(本願では、金属凝固法といい、詳細は例えば特開平10−88254号公報に開示されている。)を用いて形成する。図2は、そのような多孔質金属を形成するための鋳造装置である。この鋳造装置12は、金属の塊を収容するための坩堝14を備える。坩堝14の外周部には、坩堝14を加熱するためのコイル16が巻回されており、コイル16に高周波の電流を印加することで坩堝14内の金属を溶融するようになっている。坩堝14の下側には、底辺に冷却部18を備えたモールド20が配置されており、坩堝14の下端に取り付けた開閉弁22を介して、溶融状態にある金属をモールド20に注ぎ込めるようになっている。
坩堝14およびモールド20は、密閉容器(図示せず)内に配置され、容器内には、所定の圧力に保たれたガスが充填されている。このガスは、金属と、等圧ガス雰囲気下において金属−ガス系状態図が共晶点を有するものである。例えば、金属が銅やアルミニウムであれば、ガスとして水素、窒素などが選択される。金属凝固法では、共晶点での温度より高い温度であれば、ガス原子が液体状態にある金属に溶け込み、共晶点での温度より低い温度であれば、ガス原子が固体状態の金属に溶け込まず、気体として存在することを利用する。
かかる鋳造装置12において、まず、密閉容器を等圧ガス雰囲気下におくとともに、金属24の塊を坩堝14内に装填する[図3(a)]。開閉弁22を閉じた状態でコイル16に高周波電流を印加することで、坩堝14内の金属24の塊を溶融させる。その結果、ガスはその濃度や圧力に応じた量が溶融状態の金属に吸収される。次に、開閉弁22を開いて溶融金属26をモールド20に流し込む[図3(b)]。モールド20の底部には冷却部18が設けてあるので、モールド20の底部から上方に向けて温度勾配が形成されている。この結果、金属はモールド20の底部から上方に向けて凝固が進行することになる。溶融金属が凝固する過程において、ガス原子が溶解した溶融金属から固体状態の金属と気体状態のガスとに分離される共晶反応が生じる。ガスの通路である孔がモールド20底部から上方に向けて成長するため、内部に管状の孔28が形成された多孔質金属(多孔質材料)30が得られる[図3(c)]。なお、金属の代わりに半導体であるシリコンを用いても上述した金属凝固法により多孔質材料を得ることが可能である。この場合、以下に示す工程はシリコンからなる多孔質材料に適用される。
続いて、金属凝固法により得られた多孔質金属30を、例えばエンドミルなどを用いて直方体に形成し多孔質部材10[図1(d)]を完成させる。そして、この多孔質部材10に対し例えば放電ワイヤ加工で溝を形成する。具体的には、図1(d)を参照して、多孔質部材10に対し、形成すべき溝11aに対応する仮想領域32a(これは、孔8の伸張方向と約90°の角度で交差する。)上方に、X方向に伸びた放電ワイヤ(図示せず)を配置する。そして、この放電ワイヤを−Z方向に移動させヒートシンク2用のベース4の厚み分だけ下面(平坦面4aに対応)から上側にある位置に到達させる。その後+Z方向に引上げることで、溝11aを形成する。溝11aの厚み(Y方向長さ)は、少なくともワイヤの線径である。以上の動作を残りの2つの仮想領域32b,32cで繰り返して溝11b、11cを形成することにより、ロータス型のフィン6a〜6dが形成されたヒートシンク2が得られる(なお、金属凝固法の性質上、フィン6には貫通孔8のみならず貫通していない孔も形成され[図1(c)参照]、貫通孔の断面形状は円形に限らない。)。
一般に、多孔質部材の冷却能力は、孔と冷媒の接触面積(伝熱面積)Sと孔の内面から冷媒への熱伝達率hの値が高いほど高い。本実施形態で用いられるフィン6に関しても、その冷却能力を向上させるために孔8の数を増やしてSを増加させたり、孔8の径を小さくして孔内を通過する冷媒の流速を増加させることでhを増加させる方法が考えられる。上記金属凝固法によって孔径が数十μm〜数mmの範囲で且つその空隙率を任意に設定できることが本出願人により確認されている。
多孔質部材として貫通孔が管状でない発泡材(例えば、発泡アルミニウムなどの発泡金属)を用いた構成も本発明の範囲内に含まれる。しかしながら、ロータス型の多孔質部材10したがってロータス型のフィン6を用いる方が、隣り合う孔を流れる冷媒が合流したり、ある孔を流れる冷媒が分流することがなく、したがって合流や分流に伴う圧力損失がなく、全体として圧力損失の低いヒートシンクを提供できる点で好ましい。
以上のように、本実施形態では、多孔質部材10に対し溝11を切削加工することによりベース4とフィン6を加工形成するので、上述した従来の構成とは異なりベースと複数のフィンを一つずつ接合する工程が不要となり、その結果、生産性を向上させることができる。
なお、形成する溝が一つしたがって2つのフィンを有するヒートシンクも本発明の範囲内に含まれる。また、各フィンの形状、ベースの形状(第1および第2の面4a,4bの形状を含む。)、溝を切削加工する方法は本発明を限定しない。
図4(a),(b)は、多孔質部材を切り出して本実施形態に係るヒートシンクを得る別の方法を示す。本方法では、上述したのと同様にして形成した直方体状の多孔質部材10’を用意する。そして、放電ワイヤを多孔質部材10’の仮想面34に沿って多孔質部材10’に相対的に移動させることにより、略同一のヒートシンク2’,2”を作製する。使用されるワイヤの線径は、上述の切削方法と異なり、形成すべき溝の幅(Y方向長さ)よりも十分に小さい。具体的に、Y方向に関する一側面から、上辺からヒートシンク2’用のベース4’の厚み分下側の位置に放電ワイヤを当て、1)+Y方向に所定距離移動させる。続いて、2)放電ワイヤを−Z方向に移動させヒートシンク2”用のベース4”の厚み分だけ下面から上側にある位置に到達させる。次に、放電ワイヤを溝の幅分だけ+Y方向に移動させる。そして、3)放電ワイヤを+Z方向に移動させヒートシンク2’用のベース4’の厚み分だけ上面から下側にある位置に到達させる。1)〜3)の動作をさらに2度繰り返した後、放電ワイヤを+Y方向に移動させることにより、多孔質部材10’からヒートシンク2’,2”が得られる。
この切り出し方法によれば、同時にヒートシンクを2つ形成することができ、したがって上述した溝を切削する方法に比べて生産性がさらに向上する。
実施の形態2.
図5は、本発明に係るヒートシンクの実施の形態2を示す。本実施形態に係るヒートシンク2Aでは、ベース4のフィン6を支持する側と反対側の第1の面4aにさらに熱伝導性の良好な板(第2のベース)40が接合されている。発熱体はベース40上に載置されている(ベース4の第1の面4aは発熱体と熱的に接続されている。)。
ヒートシンク2Aのもとになる多孔質部材を作製したとき、孔8が管状とならず冷媒の通路とベース4の第1の面4aとが該孔8を介して連通する場合がある。この場合、ベース4の第1の面4aに発熱体を載置してヒートシンクを動作させると、冷媒が第1の面4aから漏れることになる。そこで、本実施形態では、ベース40を設けることにより、ヒートシンク2Aのシール性を保証できる。これは結果的に、多孔質部材の歩留まりを向上させることになる。
実施の形態3.
図6は、本発明に係るヒートシンクの実施の形態3を示す。本実施形態に係るヒートシンク2Bでは、フィン6Bの貫通孔8Bは、Y方向(フィン6Bの配列方向)と平行ではなく斜めに延びている。したがって、フィン6Bは、同一の厚みを有する実施の形態1のフィン6と比べて伝熱面積Sが大きく、その結果、ヒートシンク2Bの冷却能力を向上させることができる。
ヒートシンク2Bのフィン6Bは、多孔質部材に対し管状の孔の伸張方向とは実質的に直交しない仮想領域(該伸張方向と約90°以下の角度(鋭角)をなすXZ平面に平行な仮想領域)に沿って溝を形成することにより得ることができる。
実施の形態4.
図7(a),(b)は、本発明に係るヒートシンクの実施の形態4を示す。上記実施形態では、多孔質部材からベースの厚み分を残するように溝を形成しており、したがってフィン同士がベースを介して接続されていた。これに対し、本実施形態に係るヒートシンク2Cでは、多孔質部材10のZ方向上面から下面に抜ける貫通溝41が形成され、複数のフィン6Cは、X方向に関して一側面に形成された側壁42により支持されている。すなわち、フィン6Cと側壁42は多孔質材料で一体的に形成してなる。フィン6CのZ方向下面には熱伝導性の良好な板(ベース)40が接合されている。発熱体はベース40上に載置される。ヒートシンク2Cの動作時、ベース40は、冷媒通路とフィン6Cの下面とが孔8を介して連通されている場合に冷媒が漏れるのを防止するためのシールとしても機能する。また、側壁42は、冷媒流路を構成する壁としても機能するため、ヒートシンク2Cを備えた冷却装置を製造する際に、配管の製作に要する手間を省ける利点を有する。
ヒートシンク2Cの作製方法は、図1のヒートシンク2の作製方法と同様である。すなわち、直方体状の多孔質部材10に対し、形成すべき溝に対応する仮想領域32CのX方向左側に、Z方向に伸びた放電ワイヤを配置する。そして、この放電ワイヤを+X方向に移動させヒートシンク2C用の側壁42の厚み分だけX方向右面から左側にある位置に到達させる。その後−X方向に移動させることで、一つの貫通溝41を形成する。多孔質部材10は、複数の貫通溝を形成した後、ベース40に接合される。
フィン6Cの配列方向は、実施の形態1と同様に管状の貫通孔8の伸張方向と実質的に平行となるようにしてもよいし、実施の形態3と同様に上記伸張方向と鋭角をなすようにしてもよい。後者の場合、貫通孔と冷媒の伝熱面積Sが大きくなり、ヒートシンク2Cの冷却能力を向上させることができる。
本実施形態では、複数のフィン6Cは側壁42を介して接続されており(言い換えれば、複数のフィン6Cは、ベース40との接合面と隣接する側面を介して側壁42により支持されており)、したがって、複数のフィン6Cを一度にベース40に接合することができるので、生産性を向上させることができる。
フィン6Cおよび側壁42を冷却流路を構成する配管内に取り付け、配管の壁がベース40を構成する(配管の壁に発熱体が載置される。)場合も、本発明の範囲内に含まれる。この構成も本実施形態に係る上記効果を有する。
側壁は(X方向に関して)一方側にのみ設ける必要はなく、図8のヒートシンク2Dのように両側に側壁42R,42Lを設けてもよい。隣り合うフィン6Dを隔てる貫通溝41Dは例えばエンドミルを用いて形成する。また、側壁は、少なくとも隣り合うフィンを接続すれば、本実施形態に係る上記効果を得ることができるため、側面(X方向に関して一方側)全体に設ける必要はない。例えば図9(a)のヒートシンク2Eのように、X方向右側および左側に交互に側壁42a,42b,42cを設けてもよい(この場合、隣り合うフィン6Eを隔てる貫通溝41Eを千鳥状に形成する。)。
図7,8のように全てのフィンを支持する側壁を設ける場合、ベース40に載置した発熱体以外に側壁上に別の発熱体を載置することができ、側面からの発熱に対応したヒートシンクを提供できる。ヒートシンクのシール性を確保するためにさらにベースを側壁に接合させてもよい。
図9(a)のように側壁を各側面の一部に設ける場合、図9(b)に示すように、別のベース46R,46Lを各側壁に接合すれば、これらベース46R,46L上に発熱体を載置することができ、したがって、側面からの発熱に対応したヒートシンクを提供できる。
実施の形態5.
実施の形態1〜3では、隣り合うフィン同士がベースを介して接続され、実施の形態4では、隣り合うフィン同士が側壁を介して接続されていた。隣り合うフィン同士を、ベースおよび側壁両方を介して接続するようにしてもよい。例えば、図10のヒートシンク2Fのように、一方向のみ外部に開いた溝41Fを設けてもよいし(すなわち、各溝41Fは、側壁42R,42L、隣り合うフィン6F、およびベース4Fにより境界が形成される。)、図11のヒートシンク2Gのように、隣り合う二方向のみ外部に開いた溝41Gを設けてもよい(すなわち、各溝41Gは、側壁42、隣り合うフィン6G、およびベース4Gにより境界が形成される。)。
(a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態1を示す斜視図。(b)図1(a)のヒートシンクの上面図。(c)図1(b)のIc−Ic線に沿った断面図。(d)図1(a)のヒートシンクを製造するのに用いる多孔質部材を示す斜視図。 図1(d)の多孔質部材のもととなる多孔質金属を製造するための鋳造装置を示す概略図。 図2の鋳造装置を用いた多孔質金属の製造工程を示す図。 (a)別の多孔質部材を示す斜視図。(b)図4(a)の多孔質部材を用いて製造したヒートシンクを示す斜視図。 本発明に係るヒートシンクの実施の形態2を示す斜視図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態3を示す斜視図。(b)図6(a)のヒートシンクの正面図。(c)図6(b)のVIc−VIc線に沿った断面図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態4を示す斜視図。(b)図7(a)のヒートシンクを製造するのに用いる多孔質部材を示す斜視図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態4の別の例を示す斜視図。(b)図8(a)のVIIIb−VIIIb線に沿った断面図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態4のさらに別の例を示す斜視図。(b)図9(a)のヒートシンクの変形例を示す斜視図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態5を示す斜視図。(b)図10(a)のXb−Xb線に沿った断面図。 (a)本発明に係るヒートシンクの実施の形態5の別の例を示す斜視図。(b)図11(a)の側面図。
符号の説明
2 ヒートシンク
4 ベース
4a ベースの第1の面
4b ベースの第2の面
6a〜6d フィン
10 多孔質部材

Claims (8)

  1. 発熱体と熱的に接続される第1の面を有するベースと、
    上記ベースの上記第1の面と反対側の第2の面に支持され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンと、を備え、
    上記フィンは、伸張方向が該フィンの配列方向に面した面と交差するように平行に並んだ複数の管状の貫通孔を有し、
    上記ベースと上記複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。
  2. ベースの第1の面に接合された第2のベースをさらに備えた請求項1のヒートシンク。
  3. 発熱体と熱的に接続される第1の面を有するベースと、
    上記ベースの上記第1の面と反対側の第2の面に接合され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンと、
    上記ベースとの接合面と隣接する各フィンの側面を介して上記複数のフィンを支持する側壁と、を備え、
    上記フィンは、伸張方向が該フィンの配列方向に面した面と交差するように平行に並んだ複数の管状の貫通孔を有し、
    上記側壁と上記複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。
  4. 発熱体と熱的に接続された外部のベースに接合され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンと、
    外部のベースとの接合面と隣接する各フィンの側面を介して複数のフィンを支持する側壁と、を備え、
    上記フィンは、伸張方向が該フィンの配列方向に面した面と交差するように平行に並んだ複数の管状の貫通孔を有し、
    上記側壁と上記複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。
  5. 所定の形状を有する多孔質部材を用意し、
    多孔質部材に対し一つまたはそれ以上の溝を切削加工することにより、ベースまたは側壁と複数のフィンとが加工形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のヒートシンク。
  6. 上記管状の貫通孔の伸張方向と上記フィンの配列方向が平行となるように形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のヒートシンク。
  7. 上記管状の貫通孔の伸張方向と上記フィンの配列方向が鋭角をなすように形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のヒートシンク。
  8. 上記多孔質部材は、
    等圧ガス雰囲気下における金属−ガス系状態図が共晶点を有する金属とガスとを用意し、等圧ガス雰囲気下で金属を溶融した後、溶融金属を所定の方向に沿って温度勾配を有するモールド内で凝固させ、その後、凝固した金属を所定の形状に加工する、
    ことにより用意されることを特徴とする請求項6または7に記載のヒートシンク。
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