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JP4444743B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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JP4444743B2
JP4444743B2 JP2004200917A JP2004200917A JP4444743B2 JP 4444743 B2 JP4444743 B2 JP 4444743B2 JP 2004200917 A JP2004200917 A JP 2004200917A JP 2004200917 A JP2004200917 A JP 2004200917A JP 4444743 B2 JP4444743 B2 JP 4444743B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、一般に基板を露光する露光装置に係り、特に、例えばレチクルに形成された回路パターンを液浸法を用いてウエハに露光し、ICやLSI等の半導体デバイス・CCD等の撮像デバイス・液晶パネル等の表示デバイス・磁気ヘッド等の検出デバイス等の各種デバイスを製造するための液浸型投影露光装置に関する。本発明は、特にその露光装置の投影光学系に用いられる光学素子の光学面の保護に好適である。   The present invention generally relates to an exposure apparatus that exposes a substrate, and more particularly, for example, a circuit pattern formed on a reticle is exposed on a wafer using a liquid immersion method, and a semiconductor device such as an IC or LSI, an imaging device such as a CCD, The present invention relates to an immersion type projection exposure apparatus for manufacturing various devices such as a display device such as a liquid crystal panel and a detection device such as a magnetic head. The present invention is particularly suitable for protecting the optical surface of an optical element used in the projection optical system of the exposure apparatus.

近年、半導体集積回路の高密度高速化に伴い、集積回路のパターンサイズはますます縮小され、半導体製造方法にも一層の高性能化が要求されてきている。特に、ウエハ上へのパターン転写における解像力の向上は最重要視されており、いろいろな転写方式の研究開発が進められている。一般に投影光学系の解像力(解像限界)Rはレイリーの式として
R = k1 × λ / NA (1)
で表される。ここでλは露光光の波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセスに関する係数である。式(1)からわかるように、解像力を向上させるためには、より短波長の光を露光光として用いる、開口数の大きい光学系を設計する、位相シフトマスクや変形照明などにより結果的にk1係数を小さくする、等の手法が考えられる。
In recent years, with increasing density and speed of semiconductor integrated circuits, the pattern size of integrated circuits has been further reduced, and higher performance has been required for semiconductor manufacturing methods. In particular, improvement of the resolution in pattern transfer onto a wafer is regarded as the most important, and research and development of various transfer systems is underway. In general, the resolving power (resolution limit) R of the projection optical system is expressed by Rayleigh's equation: R = k1 × λ / NA (1)
It is represented by Here, λ is the wavelength of the exposure light, NA is the numerical aperture of the projection optical system, and k1 is a coefficient relating to the process. As can be seen from equation (1), in order to improve the resolving power, an optical system having a large numerical aperture that uses light having a shorter wavelength as exposure light is designed, and as a result, a phase shift mask, modified illumination, etc. A method such as reducing the coefficient can be considered.

一方、従来から液浸法と呼ばれる手法で実質的に露光光の波長を短くすることができることが知られている。液浸の原理を用いた液浸型投影露光とは、投影光学系の最終光学素子とウエハ表面との対面する光路空間を空気の代わりに空気より高屈折率な(ここで屈折率nとする)液体で満たした状態で露光することにより、露光波長を実質的に1/nにするものである。上記の式(1)より、解像限界は大気中で同一の露光波長を用いて露光した場合に比べ1/n倍にすることができる。また焦点深度はn倍大きくなる。さらに液浸型投影露光装置は、光源、レチクルを大きく変更する必要がなく、レジストも既存品の利用(改良)が期待でき、現実的な解像力向上手段として注目されている。
この液浸型投影露光装置の実施形態としては、ウエハチャックを含むウエハ全体を水槽内に満たされた液浸剤に浸すものや、投影光学系の最終レンズとそれに対向している部分のウエハ表面との間隔のみを局所的に液浸剤で満たすものなどが提案されている。例えば特許文献1には、ウエハ表面とそれに対向する投影光学系の最終レンズとの間隔のみを液体で満たし露光するステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が開示されている。また、液浸剤の供給・回収配管の配置、及び、露光処理時の液浸剤の供給方向、流量なども開示されている。さらに、この特許文献1の実施例に、液体中の不純物の付着などに起因して液体に接触する光学素子の表面が汚れた場合にその光学素子を定期的に交換する必要があること、コスト及び交換時間の観点から交換すべき光学素子を平行平面板にすること、純水が液浸剤に使用可能であり、かつ純水によるレンズ表面の洗浄作用も期待できることが記載されている。
国際公開第WO99/49504号パンフレット
On the other hand, it is conventionally known that the wavelength of exposure light can be substantially shortened by a technique called an immersion method. In the immersion type projection exposure using the principle of immersion, the optical path space facing the final optical element of the projection optical system and the wafer surface has a higher refractive index than air instead of air (here, the refractive index is n). ) By exposing in a state filled with liquid, the exposure wavelength is substantially reduced to 1 / n. From the above equation (1), the resolution limit can be 1 / n times that in the case where exposure is performed using the same exposure wavelength in the atmosphere. Moreover, the depth of focus becomes n times larger. Furthermore, the immersion type projection exposure apparatus does not require large changes in the light source and reticle, and the use of the existing product can be expected (improved), and has attracted attention as a practical means for improving resolution.
As an embodiment of this liquid immersion type projection exposure apparatus, the entire wafer including the wafer chuck is immersed in the liquid immersion agent filled in the water tank, the final lens of the projection optical system and the wafer surface of the portion facing it. There has been proposed one in which only the interval is locally filled with an immersion agent. For example, Patent Document 1 discloses a step-and-repeat type or step-and-scan type exposure apparatus that fills and exposes only the gap between the wafer surface and the final lens of the projection optical system facing the wafer. . In addition, the arrangement of the supply / recovery piping for the immersion agent, the supply direction of the immersion agent during the exposure process, the flow rate, and the like are also disclosed. Further, in the embodiment of Patent Document 1, when the surface of the optical element that comes into contact with the liquid is contaminated due to adhesion of impurities in the liquid, it is necessary to periodically replace the optical element, the cost. In addition, it is described that the optical element to be replaced is a parallel flat plate from the viewpoint of replacement time, that pure water can be used as an immersion agent, and that the lens surface can be cleaned with pure water.
International Publication No. WO99 / 49504 Pamphlet

しかしながら、例え交換作業が容易であったり作業コストが高くない場合でも、光学素子を交換する際には露光装置を含む生産ラインの運転効率やスケジュール調整に影響を与えることは避けられない。また、定期的な交換では実際の汚染度合いに依存した転写精度のバラツキが発生する場合がある。さらに、その転写精度バラツキの対策として汚染の度合いを検知するための手段を別途設けると、装置構成の複雑化、コスト高を招いてしまう。液浸剤に洗浄作用があっても、露光処理後(ウエハとの対向終了後)、レンズ表面に液浸剤が付着したまま放置すると、付着した液浸剤が蒸発する際にレンズ表面に水痕ができたり、周囲の物質が新たにコンタミとして付着しやすくなるなど、投影光学系の光学特性に悪影響を及ぼし、転写パターン精度の劣化を引き起こす原因となる。
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、投影光学系の光学素子表面への汚れ付着による光学特性の劣化を防止し、良好な投影露光を行う液浸露光装置を提供することを例示的目的とする。さらに、光学素子表面に汚れが付着してしまった場合でも、その汚れを除去して光学特性を回復させ、良好な投影露光を行う液浸露光装置を提供することを他の例示的目的とする。
However, even if the replacement work is easy or the work cost is not high, it is inevitable that the operation efficiency and schedule adjustment of the production line including the exposure apparatus will be affected when the optical element is replaced. In addition, the periodic replacement may cause variations in transfer accuracy depending on the actual degree of contamination. Furthermore, if a means for detecting the degree of contamination is additionally provided as a countermeasure against the transfer accuracy variation, the apparatus configuration becomes complicated and the cost increases. Even if the immersion agent has a cleaning action, after exposure processing (after completion of facing the wafer), if the immersion agent is left attached to the lens surface, water marks will form on the lens surface when the attached immersion agent evaporates. In other words, the surrounding substances are likely to be newly attached as contamination, which adversely affects the optical characteristics of the projection optical system and causes deterioration of the transfer pattern accuracy.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an immersion exposure apparatus that prevents deterioration of optical characteristics due to adhesion of dirt to the optical element surface of a projection optical system and performs good projection exposure. For illustrative purposes. It is another exemplary object of the present invention to provide an immersion exposure apparatus that removes the dirt to recover the optical characteristics and performs good projection exposure even if dirt is attached to the surface of the optical element. .

発明の側面としての露光装置は、光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系とを備え、前記投影光学系の最も前記基板近くに配置された光学素子と前記基板との間隙に充填された液浸剤を介して、前記パターンで前記基板を露光する露光装置であって、前記光学素子の光学面を保護するための光学面保護部材と、該光学面保護部材を前記投影光学系に着脱する保護部材着脱機構と、前記基板を駆動する基板駆動系とを有し、前記光学面保護部材に保護用液体を貯留することにより前記光学面を該保護用液体に浸漬可能とされ、前記光学面保護部材に前記保護用液体を供給する供給路と、該供給された前記保護用液体を回収する回収路とが、前記基板駆動系に設けられていることを特徴とする。 An exposure apparatus according to one aspect of the present invention includes an illumination optical system that illuminates a reticle with light from a light source, and a projection optical system that projects a pattern of the reticle onto a substrate, and is the most substrate of the projection optical system An exposure apparatus that exposes the substrate with the pattern via an immersion agent filled in a gap between the optical element disposed in the vicinity and the substrate, the optical surface protecting the optical surface of the optical element a protective member, the protective member detaching mechanism for attaching and detaching the optical surface protective member to the projection optical system, possess a substrate driving system for driving the substrate, by reserving a protective liquid to the optical surface protective member The optical surface can be immersed in the protective liquid, a supply path for supplying the protective liquid to the optical surface protection member, and a recovery path for recovering the supplied protective liquid are the substrate drive It is provided to the system And wherein the door.

その露光装置は、光学面保護部材が、保護部材着脱機構に分離可能に結合されていてもよい。光学素子の光学面に付着した液浸剤を除去する液浸剤除去機構を有してもよい。保護用液体は、液浸剤と異なる成分の洗浄剤であってもよい。 The exposure apparatus, optical science surface protective member may be detachably coupled to the protective member detaching mechanism. You may have the immersion agent removal mechanism which removes the immersion agent adhering to the optical surface of an optical element . Protection for liquid may be a detergent different components and liquid infusion.

露光装置が、光学面を、光学面保護部材に貯留された保護用液体に浸漬するか、又は液浸剤除去機構により光学面に付着した液浸剤を除去するかを選択する選択手段を有してもよい。光学面保護部材に貯留された保護用液体に基板が浸可能とされていてもよい。供給路から少なくとも2種類の液体を供給するための供給液体切替え手段が備えられていてもよい。 The exposure apparatus has a selection means for selecting whether to immerse the optical surface in the protective liquid stored in the optical surface protection member or to remove the immersion agent attached to the optical surface by the immersion agent removal mechanism. Also good. Substrate in protective liquid stored in the optical surface protective member may be capable immersion. The liquid of at least two kinds of supply paths supplied liquid switching means may be provided for feeding.

本発明の他の側面としてのデバイスの製造方法は、上記の露光装置によって基板にパターンを露光する工程と、露光された基板に光学面保護のプロセスを行う工程とを有することを特徴とする。 A device manufacturing method according to another aspect of the present invention includes a step of exposing a pattern to the substrate by the exposure apparatus and a step of performing an optical surface protection process on the exposed substrate.

本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態により明らかにされるであろう。   Other objects and further features of the present invention will be made clear by embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、投影光学系の最終光学素子表面(光学面)を含む先端部を覆うことにより周囲雰囲気から隔離することができるので、最終光学素子表面に汚れが付着するのを防止することができる
According to the present invention, since the tip including the final optical element surface (optical surface) of the projection optical system can be covered, it can be isolated from the surrounding atmosphere, so that it is possible to prevent dirt from adhering to the final optical element surface. Can do .

[実施の形態1]
図2は、本発明の実施の形態1に係る露光装置としての液浸型投影露光装置(以下、液浸露光装置という。)の概略構成図である。液浸露光装置本体1は、全体をチャンバ2で覆われており装置内部を一定の雰囲気に保っている。架台3は剛性の高い構造をしており、ウエハ(基板)20及びレチクル10の高精度な位置決めを可能としている。レチクル10は不図示のレチクル搬送系により装置外部からレチクルステージ(レチクル駆動系)11に搬送され、保持される。表面に感光レジストが塗布済みのウエハ20も不図示のウエハ搬送系により装置外部からウエハステージ22上のウエハチャック21に搬送され、保持される。このウエハステージ22とウエハチャック21とは基板駆動系を構成する。
[Embodiment 1]
FIG. 2 is a schematic block diagram of an immersion type projection exposure apparatus (hereinafter referred to as an immersion exposure apparatus) as an exposure apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The liquid immersion exposure apparatus main body 1 is entirely covered with a chamber 2 to maintain a constant atmosphere inside the apparatus. The gantry 3 has a highly rigid structure, and enables highly accurate positioning of the wafer (substrate) 20 and the reticle 10. The reticle 10 is conveyed and held from outside the apparatus to a reticle stage (reticle drive system) 11 by a reticle conveyance system (not shown). The wafer 20 whose surface has been coated with a photosensitive resist is also transferred from the outside of the apparatus to the wafer chuck 21 on the wafer stage 22 and held by a wafer transfer system (not shown). The wafer stage 22 and the wafer chuck 21 constitute a substrate driving system.

露光光5は、ArFエキシマレーザ(λ=193nm)光源と照明光学系とを備えて構成される照明系4によってレチクル10上に照射される。光源制御部43からの制御指令に基づいてレチクル10に照射された露光光5は、投影光学系6を介してウエハ20表面に結像してレジストを感光させる。もちろん光源はArFエキシマレーザに限定されず、KrFレーザ(λ=248nm)やFレーザ(λ=157nm)を用いてもよい。 The exposure light 5 is irradiated onto the reticle 10 by an illumination system 4 configured to include an ArF excimer laser (λ = 193 nm) light source and an illumination optical system. The exposure light 5 applied to the reticle 10 based on a control command from the light source control unit 43 forms an image on the surface of the wafer 20 via the projection optical system 6 to expose the resist. Of course, the light source is not limited to the ArF excimer laser, and a KrF laser (λ = 248 nm) or an F 2 laser (λ = 157 nm) may be used.

レチクルステージ11は、架台3に取り付けられてX方向に駆動可能であり、Rステージ位置制御部42からの制御指令に基づいて移動する。ウエハステージ22は、X,Y,Z方向及び各軸の回転方向(ωx,ωy,ωz)に駆動可能である。これにより、ウエハチャック21に保持したウエハ20の所望のエリアを、Wステージ位置制御部41からの制御指令に基づいて投影光学系6の直下へ移動したりウエハ20の姿勢補正を行う。レチクルステージ11とウエハステージ22とはそれぞれレチクル側レーザ干渉計12、とウエハ側レーザ干渉計23(Y方向のレーザ干渉計は不図示)により位置検出及び制御を行うことができる。さらに、レチクル10とウエハ20とを同時に走査移動しながらパターン転写を行う、いわゆるスキャン露光方式においても高精度な走査露光が可能とされている。 The reticle stage 11 is attached to the gantry 3 and can be driven in the X direction, and moves based on a control command from the R stage position control unit 42. Wafer stage 22, X, Y, Z directions and rotation directions of each axis (ωx, ωy, ωz) Ru drivable der to. Thus, a desired area of the wafer 20 held on the wafer chuck 21 is moved directly below the projection optical system 6 or the posture of the wafer 20 is corrected based on a control command from the W stage position control unit 41. The reticle stage 11 and the wafer stage 22 can be detected and controlled by a reticle side laser interferometer 12 and a wafer side laser interferometer 23 (a laser interferometer in the Y direction is not shown), respectively. Furthermore, high-precision scanning exposure is possible even in a so-called scan exposure method in which pattern transfer is performed while simultaneously scanning and moving the reticle 10 and the wafer 20.

露光時には、最終光学素子7と対面するウエハ20の表面との間隙が給排ノズル25から供給される液浸剤24で充たされている。液浸剤24として例えば純水を用い、間隙寸法は100μm程度である。なお、液浸剤24、間隙ともこれに限定されるものではない。なお、ここで最終光学素子7とは、投影光学系6に備えられる光学素子のうち最もウエハ20に近い(すなわちウエハ20に面している)光学素子をいい、例えば本実施の形態では最終レンズのことである。また、間隙寸法とは、最終レンズ7とウエハ20表面との距離をいう。   At the time of exposure, the gap between the final optical element 7 and the surface of the wafer 20 facing the surface is filled with the immersion agent 24 supplied from the supply / discharge nozzle 25. For example, pure water is used as the immersion agent 24, and the gap size is about 100 μm. The immersion agent 24 and the gap are not limited to this. Here, the final optical element 7 is an optical element closest to the wafer 20 (that is, facing the wafer 20) among the optical elements provided in the projection optical system 6. For example, in the present embodiment, the final lens is used. That is. The gap dimension refers to the distance between the final lens 7 and the surface of the wafer 20.

給排ノズル25は投影光学系の先端周辺に複数個配置される。図2においては2本の給排ノズル25が記載されているが、本数はこれに限定されるものでない。各給排ノズル25は、液浸剤24のウエハ20表面への供給と回収を兼用する構造になっている。そして、液浸剤給排制御部44による管理のもとで露光時のウエハステージ駆動方向等の条件に応じてそれぞれ供給、回収あるいは停止の切替えや液浸剤24の給排量の制御を行う。 A plurality of supply / discharge nozzles 25 are arranged around the tip of the projection optical system. Although two supply / discharge nozzles 25 are illustrated in FIG. 2, the number is not limited to this. Each supply / discharge nozzle 25 has a structure for both supplying and collecting the immersion agent 24 to the surface of the wafer 20 . Under the management of the immersion agent supply / discharge control unit 44, switching of supply, recovery or stop and control of the supply / discharge amount of the immersion agent 24 are performed in accordance with conditions such as the wafer stage driving direction during exposure.

図3は、露光時における露光装置の投影光学系6及びウエハ20近傍を拡大して示す部分拡大図である。投影光学系6とウエハ20との間隙は液浸剤24で充たされている。

矢印D1で示す方向にウエハステージ22(図1参照)を駆動してスキャン露光をする場合、給排ノズル25aは露光領域となるウエハ表面部分に液浸剤24を供給し、給排ノズル25bは露光領域から外れるウエハ上の液浸剤24を回収するよう制御される。また、図2中に示す符号26は投影光学系6の先端部を覆い最終レンズ7を露光装置内の周囲雰囲気から隔離するためのレンズカバー(光学面保護部材)、符号27はそのレンズカバー26を上下させる昇降動作のためのカバー昇降機構(保護部材着脱機構)である。
図1は、この実施の形態1に係る液浸露光装置のレンズカバー26近傍の概略構成図である。レンズカバー26には液浸剤24と略同等、又は同一の成分を有する保護用液体24aを貯留可能であり、保護用液体24aが充填されている。
FIG. 3 is a partially enlarged view showing the vicinity of the projection optical system 6 and the wafer 20 of the exposure apparatus during exposure. A gap between the projection optical system 6 and the wafer 20 is filled with an immersion agent 24.

When scanning exposure is performed by driving the wafer stage 22 (see FIG. 1) in the direction indicated by the arrow D1, the supply / discharge nozzle 25a supplies the immersion agent 24 to the wafer surface portion serving as an exposure region, and the supply / discharge nozzle 25b performs exposure. Control is made to recover immersion agent 24 on the wafer that is out of area. 2 denotes a lens cover (optical surface protection member) for covering the tip of the projection optical system 6 and isolating the final lens 7 from the ambient atmosphere in the exposure apparatus. Reference numeral 27 denotes the lens cover 26. It is the cover raising / lowering mechanism (protective member attaching / detaching mechanism) for the raising / lowering operation which raises / lowers .
FIG. 1 is a schematic block diagram of the vicinity of the lens cover 26 of the immersion exposure apparatus according to the first embodiment. The lens cover 26 can store a protective liquid 24a having substantially the same or the same components as the immersion agent 24, and is filled with the protective liquid 24a.

図1(a)は露光処理中の状態を示す。露光処理中ではカバー昇降機構27は下降しており、レンズカバー26と投影光学系6の先端とが干渉する虞がない。また、この状態のときにはまだレンズカバー26内に保護用液体24aが充填されていないほうが望ましい。図1(b)は、最終レンズ7の表面に付着した液浸剤24が蒸発することによりレンズ表面に水痕やゴミが付着するのを防止する目的で投影光学系6の先端部をレンズカバー26で覆った状態を示したものである。
図1(a)から図1(b)へ至る手順を説明する。ウエハ20への露光終了後、ウエハ20をウエハチャック21から取り外して回収し、レンズカバー26が投影光学系6の真下に来るようにウエハステージ22を駆動する。次にカバー昇降機構27を上方、すなわちZ方向へ上昇させて投影光学系6に近接させ、最終レンズ7の表面をレンズカバー26内の保護用液体24aに浸す(この状態をレンズカバー26が投影光学系6に装着されたという。)。ここで、レンズカバー26内に保護用液体24aが充填されていない場合は、カバー昇降機構27の上昇途中で投影光学系6の周辺に配置された給排ノズル25から液浸剤24を保護用液体24aとして供給し、光学面を浸漬可能とする。レンズカバー26を最終レンズ7から外す際には給排ノズル25によってレンズカバー26内の保護用液体24aを回収することが望ましい。保護用液体24aを回収することにより、露光時にウエハステージ22が駆動されてもレンズカバー26から保護用液体24aがこぼれて周囲に飛散してしまう虞がなくなる。
FIG. 1A shows a state during the exposure process. During the exposure process, the cover lifting mechanism 27 is lowered, and there is no possibility that the lens cover 26 and the tip of the projection optical system 6 interfere with each other. In this state, it is desirable that the lens cover 26 is not yet filled with the protective liquid 24a. In FIG. 1B, the tip of the projection optical system 6 is attached to the lens cover 26 for the purpose of preventing water marks and dust from adhering to the lens surface due to the evaporation of the immersion agent 24 adhering to the surface of the final lens 7. The state covered with is shown.
A procedure from FIG. 1A to FIG. 1B will be described. After the exposure of the wafer 20 is completed, the wafer 20 is removed from the wafer chuck 21 and collected, and the wafer stage 22 is driven so that the lens cover 26 is directly under the projection optical system 6. Next, the cover raising / lowering mechanism 27 is raised upward, that is, in the Z direction so as to approach the projection optical system 6, and the surface of the final lens 7 is immersed in the protective liquid 24a in the lens cover 26 (this state is projected by the lens cover 26). It is said that it was attached to the optical system 6). Here, when the protection liquid 24 a is not filled in the lens cover 26, the immersion liquid 24 is removed from the supply / discharge nozzle 25 disposed around the projection optical system 6 while the cover lifting mechanism 27 is being lifted. 24a is supplied so that the optical surface can be immersed . When removing the lens cover 26 from the final lens 7, it is desirable to collect the protective liquid 24 a in the lens cover 26 by the supply / discharge nozzle 25. By collecting the protective liquid 24a, there is no possibility that the protective liquid 24a may spill out of the lens cover 26 and scatter around when the wafer stage 22 is driven during exposure.

投影光学系6の最終レンズ7をレンズカバー26でカバーする場合として、複数枚のウエハ20に対してロット単位で指令される露光処理が完了した場合、すなわち露光装置がいわゆるアイドル状態に遷移した後に自動的に実施する場合がある。さらに、露光処理中に一時的に露光中断すべき状態が発生した際に、オペレータによるカバー指示があった場合や主制御部40からの指令に基づいて予め指定された時間以上の中断を検知したら自動的にカバーする場合がある。   As a case where the final lens 7 of the projection optical system 6 is covered with the lens cover 26, when the exposure processing instructed in lot units for the plurality of wafers 20 is completed, that is, after the exposure apparatus transitions to a so-called idle state. May be done automatically. Further, when a state where the exposure should be interrupted temporarily occurs during the exposure process, if there is a cover instruction from the operator, or if an interruption over a predetermined time is detected based on a command from the main control unit 40 May automatically cover.

[実施の形態2]
図4は、本発明の実施の形態2に係る液浸露光装置のレンズカバー26近傍の概略構成図である。この実施の形態2は、レンズカバー26が最終レンズ7をカバーした状態でレンズカバー26をカバー昇降機構27から分離可能に構成されている点において実施の形態1と異なっている。カバー結合フック32はレンズカバー26をカバー昇降機構27又は投影光学系6に結合するためのものである。図4(a)は露光処理中の状態を示したものであり、カバー結合フック32がレンズカバー26をカバー昇降機構27に結合している。図4(b)は非露光時にレンズカバー26で最終レンズ7を覆う処理を示す。露光終了後にウエハ20をウエハチャック21から取り外して回収し、レンズカバー26が投影光学系6の真下に来るようにウエハステージ22を駆動する。次にカバー昇降機構27を上方、すなわちZ方向へ上昇させて投影光学系6に近接させ、最終レンズ7の表面をレンズカバー26内の保護用液体24aに浸す。ここで、レンズカバー26内に保護用液体24aが充填されていない場合は、上記実施の形態1と同様にカバー昇降機構27の上昇途中で投影光学系6の周辺に配置された給排ノズル25から液浸剤24を保護用液体24aとして供給する。
[Embodiment 2]
FIG. 4 is a schematic configuration diagram in the vicinity of the lens cover 26 of the immersion exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment in that the lens cover 26 can be separated from the cover lifting mechanism 27 in a state where the lens cover 26 covers the final lens 7. The cover coupling hook 32 is for coupling the lens cover 26 to the cover lifting mechanism 27 or the projection optical system 6. FIG. 4A shows a state during the exposure process, and the cover coupling hook 32 couples the lens cover 26 to the cover lifting mechanism 27. FIG. 4B shows a process of covering the final lens 7 with the lens cover 26 during non-exposure. After the exposure is completed, the wafer 20 is removed from the wafer chuck 21 and collected, and the wafer stage 22 is driven so that the lens cover 26 is directly below the projection optical system 6. Next, the cover elevating mechanism 27 is raised upward, that is, in the Z direction so as to approach the projection optical system 6, and the surface of the final lens 7 is immersed in the protective liquid 24 a in the lens cover 26. Here, when the protective liquid 24 a is not filled in the lens cover 26, the supply / discharge nozzle 25 disposed around the projection optical system 6 in the middle of the raising of the cover elevating mechanism 27 as in the first embodiment. The immersion liquid 24 is supplied as a protective liquid 24a.

レンズカバー26が最終レンズ7をカバーした状態でカバー結合フック32を矢印D2の方向に駆動することによりレンズカバー26を投影光学系6に結合し、その後カバー昇降機構27を下降させてレンズカバー26とカバー昇降機構27とを切り離す。実施の形態1においては、レンズカバー26はカバー昇降機構27を介してウエハステージ22に結合されているので、最終レンズ7をレンズカバー26でカバーした状態ではウエハステージ22を駆動することができなかった。したがって、露光光を照射しない、つまり投影光学機能を用いないがウエハステージ22を移動させるメンテナンス処理時には、レンズカバー26で最終レンズ7を保護することができない。   The lens cover 26 is coupled to the projection optical system 6 by driving the cover coupling hook 32 in the direction of the arrow D2 with the lens cover 26 covering the final lens 7, and then the cover lifting mechanism 27 is lowered to lower the lens cover 26. And the cover elevating mechanism 27 are separated. In the first embodiment, since the lens cover 26 is coupled to the wafer stage 22 via the cover lifting mechanism 27, the wafer stage 22 cannot be driven with the final lens 7 covered with the lens cover 26. It was. Therefore, the final lens 7 cannot be protected by the lens cover 26 during the maintenance process in which the exposure light is not irradiated, that is, the projection optical function is not used but the wafer stage 22 is moved.

この実施の形態2においては、図4(c)に示すようにレンズカバー26を最終レンズ7に取り付けた状態でもウエハチャック21等と干渉せずにウエハステージ22を駆動することができる。最終レンズ7をレンズカバー26で保護した状態で上記のようなメンテナンス処理を実施できるので、レンズ表面の汚れ付着の可能性をさらに低減することができる。   In the second embodiment, the wafer stage 22 can be driven without interfering with the wafer chuck 21 and the like even when the lens cover 26 is attached to the final lens 7 as shown in FIG. 4C. Since the maintenance process as described above can be performed in a state where the final lens 7 is protected by the lens cover 26, the possibility of contamination on the lens surface can be further reduced.

露光処理開始時には上記と逆の手順で、つまりウエハステージ22上のカバー昇降機構27がレンズカバー26の取り付けられた投影光学系6の真下に来るようにウエハステージ22を駆動する。そして、レンズカバー26内の保護用液体24aを回収してカバー昇降機構27を上昇させ、カバー結合フック32を矢印D2と反対方向に駆動してレンズカバー26を投影光学系6から取り外す。なお、保護用液体24aの回収はウエハステージ22の駆動動作及びその後のカバー昇降機構27の上昇動作と並行して行うことも可能であり、そのようにすることで処理時間の短縮をさらに図ることができる。 At the start of the exposure process, the wafer stage 22 is driven in the reverse procedure as described above, that is, so that the cover lifting mechanism 27 on the wafer stage 22 is directly below the projection optical system 6 to which the lens cover 26 is attached . Then, the protective liquid 24a in the lens cover 26 is collected to raise the cover lifting mechanism 27, and the cover coupling hook 32 is driven in the direction opposite to the arrow D2 to remove the lens cover 26 from the projection optical system 6. The recovery of the protective liquid 24a can also be performed in parallel with the driving operation of the wafer stage 22 and the subsequent lifting operation of the cover lifting mechanism 27, thereby further reducing the processing time. Can do.

[実施の形態3]
実施の形態1,2においては、レンズカバー26内の保護用液体24aに最終レンズ7を浸して最終レンズ7の表面に汚れ等が付着するのを防止しているが、本発明の実施の形態3に係る液浸露光装置では、最終レンズ7表面に付着して水痕やゴミ付着の原因となる液浸剤24を積極的に除去し、乾燥した状態でレンズ表面を周囲雰囲気から隔離する(図5を参照。)。
[Embodiment 3]
In the first and second embodiments, the final lens 7 is immersed in the protective liquid 24a in the lens cover 26 to prevent dirt and the like from adhering to the surface of the final lens 7, but the embodiment of the present invention. In the immersion exposure apparatus according to No. 3, the immersion agent 24 adhering to the surface of the final lens 7 and causing water marks and dust is positively removed, and the lens surface is isolated from the ambient atmosphere in a dry state (see FIG. See 5).

図5(a)において、ローラ28はレンズカバー26の側面に配置されている。ローラ28は、投影光学系6先端の最終レンズ7表面の液浸剤除去機構として機能し、最終レンズ7の表面に付着した液浸剤24を拭き取る。図5(b)は、非露光時にレンズカバー26で最終レンズ7を覆う処理を示す。露光終了後にウエハ20をウエハチャック21から取り外して回収し、レンズカバー26が投影光学系6の真下に来るようにウエハステージ22を駆動する。その駆動途中で、ローラ28が最終レンズ7の表面に接触しつつ相対的に位置28’から位置28’’(図5(c)参照)まで移動することにより最終レンズ7表面を清掃する。清掃後、レンズカバー26を投影光学系6の真下の位置まで移動させ、カバー昇降機構27を上昇させて最終レンズ7をレンズカバー26によってカバーする。 In FIG. 5A, the roller 28 is disposed on the side surface of the lens cover 26. The roller 28 functions as an immersion agent removing mechanism on the surface of the final lens 7 at the tip of the projection optical system 6 and wipes the immersion agent 24 attached to the surface of the final lens 7. FIG. 5B shows a process of covering the final lens 7 with the lens cover 26 during non-exposure. After the exposure is completed, the wafer 20 is removed from the wafer chuck 21 and collected, and the wafer stage 22 is driven so that the lens cover 26 is directly below the projection optical system 6. During the driving, the roller 28 moves relative to the position 28 ″ (see FIG. 5C) while being in contact with the surface of the final lens 7, thereby cleaning the surface of the final lens 7. After cleaning, the lens cover 26 is moved to a position directly below the projection optical system 6, the cover lifting mechanism 27 is raised, and the final lens 7 is covered with the lens cover 26.

この実施の形態3においては、液浸剤除去機構として機能するローラ28を最終レンズ7表面に直接接触させて拭き取る構成とした。しかし、もちろんこれに限定されるものではない。例えば液浸剤除去機構として機能するエアーブローノズル28aによって最終レンズ7表面にエアーを吹き付け、それにより非接触にて最終レンズ7表面の液浸剤24を飛散させて除去するように構成してもよい。 In the third embodiment, the roller 28 functioning as an immersion agent removing mechanism is directly brought into contact with the surface of the final lens 7 for wiping . However, those in the not name, of course is not limited to this. For example , air may be blown onto the surface of the final lens 7 by the air blow nozzle 28a that functions as an immersion agent removing mechanism, whereby the immersion agent 24 on the surface of the final lens 7 may be scattered and removed without contact. .

[実施の形態4]
図6は、本発明の実施の形態4に係る液浸露光装置のレンズカバー26近傍の概略構成図である。本実施の形態4においては、レンズカバー26及びカバー昇降機構27側に、レンズカバー26内に保護用液体24aを供給する供給路29と保護用液体24aをレンズカバー26内から回収する回収路30とが備えられている。
[Embodiment 4]
FIG. 6 is a schematic block diagram of the vicinity of the lens cover 26 of the immersion exposure apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, the supply path 29 for supplying the protective liquid 24a into the lens cover 26 and the recovery path 30 for recovering the protective liquid 24a from the lens cover 26 to the lens cover 26 and the cover lifting mechanism 27 side. And are provided.

レンズカバー26の真上に投影光学系6が位置しない場合でもレンズカバー26内への保護用液体24aの供給及び回収の制御が可能となっている。最終レンズ7へのレンズカバー26の着脱制御(すなわちウエハステージ22の駆動制御)とレンズカバー26内への保護用液体24aの供給・回収制御とを別個独立に行うことができるので、制御処理の時間短縮を図ることが可能である。   Even when the projection optical system 6 is not located directly above the lens cover 26, supply and recovery of the protective liquid 24a into the lens cover 26 can be controlled. Since the attachment / detachment control of the lens cover 26 to the final lens 7 (that is, the drive control of the wafer stage 22) and the supply / recovery control of the protective liquid 24a into the lens cover 26 can be performed separately and independently. It is possible to shorten the time.

さらに、図6に示すように最終レンズ7をレンズカバーで覆った状態で供給路29及び回収路30の流量制御を行いつつ保護用液体24aを流すことにより、最終レンズ7表面を洗浄することも可能である。上記実施の形態1においてもレンズカバー26を装着した状態(図1(b)参照)で給排ノズル25の流量を制御することにより最終レンズ7表面を洗浄することが可能である。しかしながら本実施の形態4では、供給路から2種類の液体を供給するための供給液体切り替え手段が備えられている。これにより、液浸剤24とは異なる成分の洗浄効果の高い洗浄を供給路29及び回収路30に流すことができる。それにより高い洗浄効果を得ることができるうえに、洗浄を給排ノズル25に流さなくてよいので給排ノズル25が洗浄により詰まったりすることがない。 Further, as shown in FIG. 6, the surface of the final lens 7 may be cleaned by flowing the protective liquid 24a while controlling the flow rate of the supply path 29 and the recovery path 30 with the final lens 7 covered with a lens cover. Is possible. Also in the first embodiment, it is possible to clean the surface of the final lens 7 by controlling the flow rate of the supply / discharge nozzle 25 with the lens cover 26 attached (see FIG. 1B). However, in the fourth embodiment, supply liquid switching means for supplying two types of liquid from the supply path is provided. As a result, a cleaning agent having a high cleaning effect of components different from the immersion agent 24 can be caused to flow through the supply path 29 and the recovery path 30. Accordingly, a high cleaning effect can be obtained, and the cleaning agent does not have to flow through the supply / discharge nozzle 25, so that the supply / discharge nozzle 25 is not clogged with the cleaning agent .

最終レンズ7を洗浄した後、レンズカバー26内の洗浄を回収路30を通して回収し、給排ノズル25から保護用液体24aとしての液浸剤24を供給して最終レンズ7表面を液浸剤24により保護することが可能である。また、供給路29から洗浄と保護用液体24aとしての液浸剤24との両方を供給可能に構成し、それらの供給を切替えによって制御することにより、給排ノズル25から液浸剤24を供給する必要なく、最終レンズ7表面の洗浄と保護とを行うことができる。 After cleaning the final lens 7, the cleaning agent in the lens cover 26 is recovered through the recovery path 30, and the immersion agent 24 as the protective liquid 24 a is supplied from the supply / discharge nozzle 25, so that the surface of the final lens 7 is immersed in the immersion agent 24. It is possible to protect. Further, both the cleaning agent and the immersion agent 24 as the protective liquid 24a can be supplied from the supply passage 29, and the supply of the immersion agent 24 is supplied from the supply / discharge nozzle 25 by controlling the supply by switching. The surface of the final lens 7 can be cleaned and protected without necessity.

なお、本実施の形態4においては、図6に示すように液浸露光装置が供給路29と回収路30とを別々に備えているが、もちろん1つの流路によって洗浄の供給と回収とを行うように構成することも可能である。その場合、例えば洗浄の供給動作と回収動作とをシーケンシャルに繰り返すような制御を行うことによって最終レンズ7表面を洗浄する。なお、最終レンズ7の洗浄処理は、レンズカバー26を最終レンズ7に装着する度に行なう場合や、メンテナンス・コマンドとして洗浄動作を行わせるための洗浄機能を予め用意しておき、オペレータの判断に基づいて洗浄を行う場合が考えられる。 In the fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the immersion exposure apparatus includes a supply path 29 and a recovery path 30 separately. Of course , the supply and recovery of the cleaning agent are performed by one flow path. It is also possible to configure so that In this case, for example, the surface of the final lens 7 is cleaned by performing control such that the supply operation and the recovery operation of the cleaning agent are sequentially repeated. The final lens 7 is cleaned every time the lens cover 26 is attached to the final lens 7, or a cleaning function for performing a cleaning operation as a maintenance command is prepared in advance. A case where cleaning is performed based on the above is considered.

[実施の形態5]
図7は、本発明の実施の形態5に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍の概略構成図である。この液浸露光装置は、液浸剤除去機構としてのローラ28とカバー昇降機構27側(すなわちウエハステージ22側)に設けられた供給路29及び回収路30とを備えており、最終レンズ7にレンズカバー26を装着する際に最終レンズ7表面を保護用液体24aに浸すか又は乾燥状態とするかを選択手段により選択可能に構成されている。もちろん供給路29と回収路30とは必須の構成ではなく、実施の形態1の場合と同様に給排ノズル25からレンズカバー26内へ保護用液体24aを供給してもよい。
[Embodiment 5]
FIG. 7 is a schematic block diagram of the vicinity of the lens cover of the immersion exposure apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. The immersion exposure apparatus includes a roller 28 as an immersion agent removing mechanism and a supply path 29 and a recovery path 30 provided on the cover lifting mechanism 27 side (that is, the wafer stage 22 side). When the cover 26 is attached, the selection means can select whether the surface of the final lens 7 is immersed in the protective liquid 24a or in a dry state. Of course, the supply path 29 and the recovery path 30 are not essential, and the protective liquid 24a may be supplied from the supply / discharge nozzle 25 into the lens cover 26 as in the first embodiment.

ロット単位での一連の露光処理が終了すると、液浸露光装置はアイドル状態となり、最終レンズ7表面をレンズカバー26で覆って最終レンズ7表面を周囲雰囲気から隔離する。このとき、例えばすぐに次ロットの露光処理が予定される場合には、レンズカバー26内に保護用液体24aを充填して最終レンズ7表面を保護用液体24aに浸した状態に保つ。また、すぐに次ロットの露光処理が予定されない場合や装置を停止する場合は、ローラ28によって最終レンズ7表面の液浸剤24を除去し乾燥したレンズカバー26で覆う。 When a series of exposure processes in units of lots is completed, the immersion exposure apparatus enters an idle state, covers the surface of the final lens 7 with the lens cover 26, and isolates the surface of the final lens 7 from the ambient atmosphere. In this case, for example, when the exposure process of the next lot is scheduled immediately, holding one state to the final lens 7 surface immersed in a protective liquid 24a filled with protective liquid 24a in the lens cover 26. When the next lot exposure process is not scheduled immediately or when the apparatus is stopped, the immersion agent 24 on the surface of the final lens 7 is removed by the roller 28 and covered with a dry lens cover 26.

[実施の形態6]
上記実施の形態1〜5は、ウエハ20表面のうち最終レンズ7に対向する部分と最終レンズ7表面との間に局所的に液浸剤24を充填し、充填された領域内でウエハ20を順次露光していく液浸露光装置である。これに対して図8に示すように、本実施の形態6に係る液浸露光装置はウエハチャック21のウエハ保持面を囲うように設けられた液槽31内に液浸剤24を充たし、ウエハチャック21に保持されたウエハ20全体を液浸剤24に浸すように構成されている。
[Embodiment 6]
In the first to fifth embodiments, the immersion agent 24 is locally filled between the surface of the wafer 20 facing the final lens 7 and the surface of the final lens 7, and the wafers 20 are sequentially placed in the filled region. It is an immersion exposure apparatus that performs exposure. On the other hand, as shown in FIG. 8, the immersion exposure apparatus according to the sixth embodiment fills an immersion agent 24 in a liquid tank 31 provided so as to surround the wafer holding surface of the wafer chuck 21 to obtain a wafer chuck. The entire wafer 20 held by the substrate 21 is immersed in the liquid immersion agent 24.

この実施の形態6に係る液浸露光装置によれば、別途レンズカバーを設けなくても最終レンズ7表面を保護することができる。すなわち、露光終了後にウエハ20を回収した後にも液槽31内に液浸剤24を充たしておき、その液浸剤24に最終レンズ7を浸しておくことにより、最終レンズ7表面への汚れや水痕の付着を防止することができる。液槽31がレンズカバー(光学面保護部材)としての機能をも発揮しているので、露光終了後等の非露光時に最終レンズ7を液槽31内の液浸剤24に浸すような制御処理を行う。ここで、露光時には供給路29及び回収路30によって液浸剤24の供給・回収を行い、非露光時には液槽31内の液浸剤24を回収し、供給液体切替え手段によって供給液体を切り替え、供給路29から洗浄液を液槽31内に供給することも可能である。それにより、最終レンズ7表面の洗浄効果の向上が得られ、レンズ表面へのコンタミネーションの固着を防止することも可能である。   According to the immersion exposure apparatus according to the sixth embodiment, the surface of the final lens 7 can be protected without providing a separate lens cover. That is, even after the wafer 20 is collected after the exposure is completed, the liquid tank 31 is filled with the liquid immersion agent 24, and the final lens 7 is immersed in the liquid immersion agent 24. Can be prevented. Since the liquid tank 31 also functions as a lens cover (optical surface protection member), a control process is performed so that the final lens 7 is immersed in the liquid immersion agent 24 in the liquid tank 31 at the time of non-exposure such as after exposure. Do. Here, at the time of exposure, supply and recovery of the immersion agent 24 are performed by the supply path 29 and the recovery path 30, and at the time of non-exposure, the immersion agent 24 in the liquid tank 31 is recovered, and the supply liquid is switched by the supply liquid switching means. It is also possible to supply the cleaning liquid from 29 into the liquid tank 31. Thereby, the cleaning effect of the surface of the final lens 7 can be improved, and contamination can be prevented from sticking to the lens surface.

[実施の形態7]
次に、図9及び図10を参照して、上述の液浸露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図9は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ101(回路設計)ではデバイスの回路設計を行う。ステップ102(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ103(ウエハ製造)ではシリコンなどの材料を用いてウエハ(基板)を製造する。ステップ104(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ105(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ104によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ106(検査)では、ステップ105で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ107)される。
[Embodiment 7]
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described immersion exposure apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, the manufacture of a semiconductor chip will be described as an example. In step 101 (circuit design), a device circuit is designed. In step 102 (reticle fabrication), a reticle on which the designed circuit pattern is formed is fabricated. In step 103 (wafer manufacture), a wafer (substrate) is manufactured using a material such as silicon. Step 104 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the reticle and wafer. Step 105 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer created in step 104, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. . In step 106 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device created in step 105 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 107).

図10は、ステップ104のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ111(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ112(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ113(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ114(イオン打ち込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ115(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ116(露光)では、液浸露光装置によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ117(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ118(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ119(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施の形態の製造方法によれば従来よりも高品位かつ高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。   FIG. 10 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 104. In step 111 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 112 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step 113 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition or the like. In step 114 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 115 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 116 (exposure), the circuit pattern of the reticle is exposed onto the wafer by an immersion exposure apparatus. In step 117 (development), the exposed wafer is developed. In step 118 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 119 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. According to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture a high-quality and highly integrated device at a lower cost than in the past.

以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置の全体構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the whole structure of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1に示す液浸露光装置による露光時の投影光学系及びウエハ近傍を拡大して示す部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view showing an enlarged view of a projection optical system and the vicinity of a wafer during exposure by the immersion exposure apparatus shown in FIG. 1. 本発明の実施の形態2に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6に係る液浸露光装置のレンズカバー近傍を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the lens cover vicinity of the immersion exposure apparatus which concerns on Embodiment 6 of this invention. 図2に示す露光装置によるデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。3 is a flowchart for explaining a device manufacturing method by the exposure apparatus shown in FIG. 図9に示すステップ104の詳細なフローチャートである。10 is a detailed flowchart of step 104 shown in FIG. 9.

符号の説明Explanation of symbols

1:液浸露光装置本体
4:照明系
6:投影光学系
7:最終光学素子(最終レンズ)
10:レチクル
11:レチクルステージ(レチクル駆動系)
20:ウエハ(基板)
21:ウエハチャック(ウエハ駆動系の一部)
22:ウエハステージ(ウエハ駆動系の一部)
24:液浸剤
24a:保護用液体
25,25a,25b:給排ノズル
26:レンズカバー(光学面保護部材)
27:カバー昇降機構(保護部材着脱機構)
28:ローラ(液浸剤除去機構)
29:供給路
30:回収路
40:主制御部
41:Wステージ位置制御部
42:Rステージ位置制御部
43:光源制御部
44:液浸剤給排制御部
1: Immersion exposure apparatus body 4: Illumination system 6: Projection optical system 7: Final optical element (final lens)
10: Reticle 11: Reticle stage (reticle drive system)
20: Wafer (substrate)
21: Wafer chuck (part of wafer drive system)
22: Wafer stage (part of wafer drive system)
24: immersion liquid 24a: protective liquid 25, 25a, 25b: supply / discharge nozzle 26: lens cover (optical surface protection member)
27: Cover lifting mechanism (protective member attaching / detaching mechanism)
28: Roller (immersion agent removal mechanism)
29: Supply path 30: Collection path 40: Main controller 41: W stage position controller 42: R stage position controller 43: Light source controller 44: Immersion agent supply / discharge controller

Claims (8)

光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系とを備え、
前記投影光学系の最も前記基板近くに配置された光学素子と前記基板との間隙に充填された液浸剤を介して、前記パターンで前記基板を露光する露光装置であって、
前記光学素子の光学面を保護するための光学面保護部材と、
該光学面保護部材を前記投影光学系に着脱する保護部材着脱機構と
前記基板を駆動する基板駆動系とを有し、
前記光学面保護部材に保護用液体を貯留することにより前記光学面を該保護用液体に浸漬可能とし、
前記光学面保護部材に前記保護用液体を供給する供給路と、該供給された前記保護用液体を回収する回収路とが、前記基板駆動系に設けられていることを特徴とする露光装置。
An illumination optical system that illuminates the reticle with light from a light source;
A projection optical system for projecting the reticle pattern onto a substrate,
An exposure apparatus that exposes the substrate with the pattern via an immersion agent filled in a gap between the optical element disposed closest to the substrate of the projection optical system and the substrate,
An optical surface protection member for protecting the optical surface of the optical element;
A protective member attaching / detaching mechanism for attaching / detaching the optical surface protecting member to / from the projection optical system ;
Possess a substrate drive system that drives the substrate,
The optical surface can be immersed in the protective liquid by storing the protective liquid in the optical surface protective member,
An exposure apparatus , wherein a supply path for supplying the protection liquid to the optical surface protection member and a recovery path for recovering the supplied protection liquid are provided in the substrate drive system .
前記光学面保護部材が、前記保護部材着脱機構に分離可能に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the optical surface protection member is detachably coupled to the protection member attaching / detaching mechanism. 前記光学素子の光学面に付着した液浸剤を除去する液浸剤除去機構を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, further comprising an immersion agent removing mechanism that removes the immersion agent attached to the optical surface of the optical element. 前記保護用液体は、前記液浸剤と異なる成分の洗浄剤であることを特徴とする請求項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1 , wherein the protective liquid is a cleaning agent having a component different from that of the immersion agent. 前記光学面を、前記光学面保護部材に貯留された前記保護用液体に浸漬するか、又は液浸剤除去機構により前記光学面に付着した液浸剤を除去するかを選択する選択手段を有することを特徴とする請求項に記載の露光装置。 And a selection means for selecting whether to immerse the optical surface in the protective liquid stored in the optical surface protection member or to remove the immersion agent attached to the optical surface by an immersion agent removal mechanism. 4. An exposure apparatus according to claim 3 , wherein 前記光学面保護部材に貯留された前記保護用液体に前記基板が浸可能とされていることを特徴とする請求項に記載の露光装置。 An apparatus according to claim 1, wherein the substrate is capable immersed in the protection liquid stored in the optical surface protective member. 前記供給路から少なくとも2種類の液体を供給するための供給液体切替え手段が備えられていることを特徴とする請求項に記載の露光装置。 2. The exposure apparatus according to claim 1 , further comprising supply liquid switching means for supplying at least two kinds of liquid from the supply path. 請求項1から請求項のうちいずれか1項に記載の露光装置によって基板にパターンを露光する工程と、
露光された前記基板に光学面保護のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
A step of exposing a pattern to a substrate by the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7 ,
And a step of performing an optical surface protection process on the exposed substrate.
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