JP4432103B2 - 板状部材の分割方法及び分割装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や電子部品等のチップを製造する板状部材の分割方法及び分割装置に係り、特に、ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工した後、レーザー光による改質領域形成加工を行い個々のチップに分割するのに好適な板状部材の分割方法及び分割装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、スマートカードに代表される薄型ＩＣカード等に組込まれる極薄のＩＣチップが要求されるようになってきている。このような極薄のＩＣチップは、１００μｍ以下の極薄のウエーハから個々のチップに分割することによって製造されている。
【０００３】
このような背景の下に、従来の半導体装置や電子部品等の板状部材の分割方法は、図９のフローチャートに示されるように、先ず表面に半導体装置や電子部品等が多数形成されたウエーハの表面を保護するために、片面に粘着剤を有する保護テープをウエーハ表面に貼る保護テープ貼付工程が行われる（ステップＳ１０１）。次いで、ウエーハを裏面から研削して所定の厚さに加工する裏面研削工程が行われる（ステップＳ１０３）。
【０００４】
裏面研削工程の後、片面に粘着剤を有するダイシングテープを用いてウエーハをダイシング用フレームに取り付けるフレームマウント工程が行われ、ウエーハとダイシング用のフレームとが一体化される（ステップＳ１０５）。次いで、この状態でウエーハをダイシングテープ側で吸着し、表面に貼付されている保護テープを剥離する保護テープ剥離工程が行われる（ステップＳ１０７）。
【０００５】
保護テープが剥離されたウエーハは、フレームごとダイシングソーに搬送され、高速回転するダイヤモンドブレードで個々のチップに切断される（ステップＳ１０９）。次いで、エキスパンド工程でダイシングテープが放射状に引き伸ばされて、個々のチップの間隔が広げられ（ステップＳ１１１）、チップマウント工程でリードフレーム等のパッケージ基材にマウントされる（ステップＳ１１３）。
【０００６】
ところが、この従来の板状部材の分割方法では、ウエーハの裏面研削時にウエーハの表面の汚染防止のための保護テープと、ダイシング以後のチップを保持するためのダイシングテープとを必要とし、消耗品費用の増大につながっていた。
【０００７】
また、厚さ１００μｍ以下の極薄のウエーハの場合、この従来のダイシングソーで切断する方法では、切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じ、良品チップを不良品にしてしまうという問題があった。
【０００８】
この切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じるという問題を解決する手段として、従来のダイシングソーによる切断に代えて、たとえば、特許文献１〜特許文献６等に記載されたウエーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウエーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザー加工方法に関する技術が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１９２３６７号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開２００２−１９２３６８号公報
【００１１】
【特許文献３】
特開２００２−１９２３６９号公報
【００１２】
【特許文献４】
特開２００２−１９２３７０号公報
【００１３】
【特許文献５】
特開２００２−１９２３７１号公報
【００１４】
【特許文献６】
特開２００２−２０５１８０号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の各特許文献で提案されている技術は、従来のダイシングソーによるダイシング装置に代えて、レーザー光を用いた割断技術によるダイシング装置を提案したもので、切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じるという問題は解決するものの、エキスパンド工程において分割されるチップの端面形状が不良となる問題点を生じる。
【００１６】
図１０及び図１１は、この現象を説明する概念図である。図１０において、ウエーハＷの裏面にダイシングテープＳが貼付されており、ダイシングテープＳの周縁部は枠状のフレームＦに固定されている。レーザー光によりウエーハＷに碁盤の目状の改質領域Ｋが形成される。次いで、エキスパンド工程において、ダイシングテープＳが伸長され、その結果、ウエーハＷが改質領域を起点として分割され、複数のチップＴとなる。
【００１７】
エキスパンド工程におけるダイシングテープＳの伸長は、たとえば、ダイシングテープＳのフレームＦとウエーハＷとの間の輪環状部分に円筒状のリング部材を下から押し上げることによりなされる。
【００１８】
図１１は、エキスパンド工程におけるウエーハＷの分割を説明する概略図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、断面図である。同図（ｂ）に示されるように、レーザー光により形成される改質領域Ｋは、ウエーハＷの内部に存在する。
【００１９】
エキスパンド工程において、図１１（ａ）に示されるように左右方向に均等な張力が加えられた場合、線状の改質領域Ｋの割断起点が不安定となり、分割されるチップの端面形状が直線状にならずに不良となることが多い。
【００２０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工した後、レーザー光による改質領域形成加工を行い個々のチップに分割する際に、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することのできる板状部材の分割方法及び分割装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、硬脆材よりなる板状部材の表面又は内部に線状の改質領域を形成し、該線状の改質領域に沿って前記板状部材を分割することにより複数枚の基板を得る板状部材の分割方法において、前記板状部材の表面にテープを貼付するテープ貼付工程と、前記テープが貼付された板状部材の表面又は内部に改質領域を形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程の後、前記テープに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、を有する板状部材の分割方法であって、前記テープの周縁部を固定するフレームは前記板状部材の外側を囲むように配置されるとともに、前記フレームは周方向に複数に分割された複数の分割フレームからなり、前記エキスパンド工程は、前記複数の分割フレームのうち前記板状部材を挟んで対向する第１及び第２の分割フレームにおいて、前記周方向に対設する第１の端部近傍同士に与える張力を前記第１の端部とは反対側で対設する第２の端部近傍同士に与える張力とは相対的に異ならせることにより、前記板状部材の平面方向に前記テープへ加える張力を、線状に形成された前記改質領域に沿って変化させることを特徴とする板状部材の分割方法及びこれに使用する分割装置を提供する。
【００２２】
本発明によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域の割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００２３】
なお、線状の改質領域とあるが、必ずしも連続した線状である必要はなく、点線状のように、断続した線状の改質領域でもよい。このような断続した線状の改質領域でも、同様の効果が得られるからである。
【００２４】
本発明において、前記エキスパンド工程において、前記加える張力を前記改質領域の線に沿って直線状に変化させることが好ましい。このように、加える張力を改質領域の線に沿って直線状に変化させれば、割断線を改質領域の線に沿って一端から他端に進行させることができ、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができるからである。
【００２５】
また、本発明において、前記エキスパンド工程において、前記加える張力を一方向と、該一方向と略９０度に交差する他方向とに交互に加えることが好ましい。このように、加える張力をＸ方向とＹ方向とに交互に加えれば、チップへの分割がスムースに行えるからである。
【００２６】
また、本発明において、前記改質領域形成工程において、前記板状部材にレーザー光を入射させ、前記板状部材の表面又は内部に改質領域を形成することが好ましい。板状部材の表面に線状の改質領域を形成する方法は、ダイシング、スクライビング等の方法でも可能であるが、レーザー光を使用すれば、生産性、ランニングコスト、品質等の各面で優位性が発揮できるからである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って、本発明に係る板状部材の分割方法及び分割装置の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２８】
図１は、本発明の板状部材の分割方法に係る第１の実施形態を表わすフローチャートである。この第１の実施形態では、先ず、表面側に多数のＩＣ回路が形成されたウエーハの裏面側をテーブルに載置し、次いで、リング状のダイシング用フレームをウエーハの外側に配置する。次いで、上方から片面に紫外線（以下ＵＶと称す）硬化型粘着剤を有するダイシングテープをフレームとウエーハの表面とに貼付し、ウエーハをフレームにマウントする（ステップＳ１１）。この状態でウエーハの表面はダイシングテープで保護されるとともに、フレームと一体化されているので搬送性がよい（以上、テープ貼付工程に相当）。
【００２９】
次いで、バックグラインダでウエーハの裏面が研削され所定の厚さ（たとえば５０μｍ）近傍まで加工される。研削の後は、研削時に生成された加工変質層を研磨加工で除去する。ここで用いられるバックグラインダは、研磨機能付きのポリッシュグラインダであり、研削後にウエーハの吸着を解除せずに、そのまま研磨して加工変質層を除去できるので、厚さ３０μｍ程度であっても破損することがない。研磨されたウエーハはバックグラインダに設けられた洗浄、乾燥装置で洗浄され、乾燥される（ステップＳ１３）。
【００３０】
次いで、所定の厚さに加工されたウエーハは、研磨機能付きのポリッシュグラインダに組込まれているレーザーダイシング装置で、個々のチップに分割されるべくダイシングされる。ここではウエーハはフレームごとテーブルに吸着され、ダイシングテープを介してウエーハの表面側からレーザー光が入射される。レーザー光の集光点がウエーハの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光は、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハの内部に多光子吸収による改質領域が形成される（以上、改質領域形成工程に相当）。これによりウエーハは分子間力のバランスが崩れ、自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる（ステップＳ１５）。
【００３１】
図２は、ポリッシュグラインダに組込まれているレーザーダイシング装置を説明する概念図である。レーザーダイシング装置１０は、同図に示されるように、マシンベース１１上にＸＹＺθテーブル１２が設けられ、ウエーハＷを吸着載置してＸＹＺθ方向に精密に移動される。同じくマシンベース１１上に設けられたホルダ１４にはダイシング用の光学系１３が取り付けられている。
【００３２】
光学系１３にはレーザー光源１３Ａが設けられ、レーザー光源１３Ａから発振されたレーザー光はコリメートレンズ、ミラー、コンデンスレンズ等の光学系を経てウエーハＷの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が１×１０8(Ｗ／c ｍ2 ）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。なお、集光点の厚さ方向位置は、ＸＹＺθテーブル１２のＺ方向微動によって調整される。
【００３３】
また、図示しない観察光学系が設けられており、ウエーハ表面に形成されているパターンを基にウエーハのアライメントが行われ、レーザー光の入射位置が位置決めされる。アライメントが終了すると、ＸＹＺθテーブル１２がＸＹ方向に移動してウエーハのダイシングストリートに沿ってレーザー光が入射される。
【００３４】
図１に示されるステップＳ１５のレーザーダイシングの後は、ダイシングテープを放射状に伸延させ各チップ間の隙間を広げるエキスパンド工程が行われる（ステップＳ１７）。この詳細については、後述する。
【００３５】
ダイシングテープがエキスパンドされた状態でダイシングテープ側からＵＶを照射し、ダイシングテープの粘着剤を硬化させ粘着力を低下させる。なお、このＵＶ照射は、ダイシング工程の最後に行ってもよい。
【００３６】
次いで、エキスパンドされた状態で１個のチップがダイシングテープ側から突き上げピンで突き上げられてダイシングテープから剥離され、ピックアップヘッドで吸引され、表裏反転されてチップマウント用のコレットに吸引され、リードフレーム等のパッケージ基材にマウントされる（ステップＳ１９）。チップマウント工程後は、ワイヤボンディング、モールディング、リード切断成形、マーキング等のパッケージング工程が施されＩＣが完成される。以上が第１の実施形態の概略である。
【００３７】
次にエキスパンド工程の詳細について説明する。図３は、本発明に係る板状部材の分割方法の原理を説明する概念図であり、図４は、第１の実施形態の概要を示す斜視図であり、図５は、板状部材の分割装置の概要を示す平面図であり、図６は、同じく断面図である。
【００３８】
図３において、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、断面図である。同図（ｂ）に示されるように、レーザー光により形成される改質領域Ｋは、ウエーハＷの内部に存在する。同図（ａ）に示されるように、改質領域Ｋの両側のウエーハＷに加えられる張力は矢印で示され、張力の程度は矢印の長さで示される。
【００３９】
図３（ａ）に示されるように、ウエーハＷに加えられる張力が、図の上側から下側に向かって直線状に増加するように変化した場合、ウエーハＷの分割は図の下側から上側に向かって進行する。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００４０】
図４、図５及び図６は、このような分割方法を行うための装置である。同図に示されるように、ダイシングテープＳの周縁部を固定するフレームＦは４分割されており、分割されたそれぞれのフレームＦの両端部近傍には独立して張力を加えられるようになっている。図６において、ダイシングテープＳは支持テーブル１６上に載置されている。
【００４１】
図５において、加えられる張力は矢印で示され、張力の程度は矢印の長さで示される。また、矢印に添付された丸数字は、張力を加える順序を示している。先ず、丸数字１の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の上側から下側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の下側から上側に向かって進行する。
【００４２】
次いで、丸数字２の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる上下方向の張力が、図の左側から右側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の右側から左側に向かって進行する。
【００４３】
次いで、丸数字３の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の下側から上側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の上側から下側に向かって進行する。
【００４４】
次いで、丸数字４の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる上下方向の張力が、図の右側から左側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の左側から右側に向かって進行する。このようにして、ウエーハＷの全ての分割が終了する。
【００４５】
分割されたそれぞれのフレームＦの両端部近傍に独立して張力を加えるための機構としては、公知の各種直動装置が採用できる。たとえば、モータとねじ（シャフトとしての雄ねじと軸受としての雌ねじとの組み合わせ）よりなる直動装置が採用できる。
【００４６】
なお、図５に示される構成において、短い矢印で示される箇所であっても、張力は加えている必要がある。もし、この箇所に張力を加えないと、ウエーハＷの分割予定箇所に圧縮力が加わり、その結果、この箇所にチッピングや割れ欠けが生じることがあるからである。
【００４７】
また、一旦張力が加えられ、移動したフレームＦは、その位置に固定されていなければならない。移動したフレームＦが、その後元の位置に戻った場合には、ダイシングテープＳにたるみを生じ、その後のウエーハＷの分割に悪影響を及ぼすからである。
【００４８】
以上説明した第１の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００４９】
次に、本発明に係る第２の実施形態について、図７に基いて説明する。この第２の実施形態は前述の第１の実施形態と比べ、エキスパンド工程のみが異なっている。したがって、共通の工程についての詳細な説明は省略する。また、図３に示される基本的な原理も共通であり、これについても説明は省略する。
【００５０】
図７に示される装置においては、第１の実施形態と異なり、フレームＦは分割されない枠状の一体ものである（図１０参照）。そして、フレームＦが固定されており、支持テーブル１８が上昇することにより、ダイシングテープＳに張力が加えられる構成が採用されている。この構成において、支持テーブル１８が傾いて上昇することにより、ウエーハＷに加えられる張力を部位によって変化させる構造となっている。
【００５１】
図７（ａ）は、ウエーハＷの分割開始前のセット状態を示している。上面にウエーハＷが貼付されたダイシングテープＳは、周縁部をフレームＦに固定され、たるみのない状態となっている。ダイシングテープＳの下面には支持テーブル１８が、全面で接触した状態にある。
【００５２】
次いで、図７（ｂ）に示されるように、支持テーブル１８の左側のみ上昇し、支持テーブル１８が傾いた状態となる。このようにすることにより、ダイシングテープＳの左側部分が右側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる紙面に垂直な方向の張力が、図の右側から左側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の左側から右側に向かって進行する。
【００５３】
次いで、図７（ｃ）に示されるように、支持テーブル１８の右側も上昇し、支持テーブル１８は水平状態となる。
【００５４】
次いで、図示は省略するが、支持テーブル１８の手前側のみ上昇し、支持テーブル１８が傾いた状態となる。このようにすることにより、ダイシングテープＳの手前側部分が奥側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の奥側から手前側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の手前側から奥側に向かって進行する。
【００５５】
以下、同様な手順により交互に支持テーブル１８を傾斜させながら上昇させ、ウエーハＷの分割を進行させる。
【００５６】
支持テーブル１８を傾斜させながら上昇させるための機構としては、公知の各種直動装置が採用できる。たとえば、モータとねじ（シャフトとしての雄ねじと軸受としての雌ねじとの組み合わせ）よりなる直動装置を支持テーブル１８の下の４箇所に設け、各シャフトの先端と支持テーブル１８とをロッドエンド等の球面座で連結する構成が採用できる。
【００５７】
以上説明した第２の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００５８】
次に、本発明に係る第３の実施形態について、図８に基いて説明する。この第３の実施形態は前述の第１、第２の実施形態と比べ、エキスパンド工程のみが異なっている。したがって、共通の工程についての詳細な説明は省略する。また、図３に示される基本的な原理も共通であり、これについても説明は省略する。
【００５９】
図８に示される装置においては、第１の実施形態と異なり、フレームＦは分割されない枠状の一体ものである（図１０参照）。そして、フレームＦが固定されており、支持テーブル２０が回転することにより、ダイシングテープＳに張力が加えられる構成が採用されている。この構成において、支持テーブル２０の中心Ｃ0 より偏心量δだけずれた位置にある回転中心Ｃ1 を中心に支持テーブル２０が回転することにより、ウエーハＷに加えられる張力を部位によって変化させる構造となっている。
【００６０】
図８（ａ）は、この装置の平面図であり、フレームＦと、ダイシングテープＳと、ウエーハＷと、支持テーブル２０との平面的な位置関係を示している。フレームＦと、ダイシングテープＳと、ウエーハＷとは同心に配され、その中心はＣ1 である。これに対して、支持テーブル２０の中心Ｃ0 は、Ｃ1 より偏心量δだけずれた位置にあり、また支持テーブル２０の回転中心は、Ｃ1 の位置にある。したがって、支持テーブル２０を回転させると、支持テーブル２０の中心Ｃ0 の軌跡は、同図（ａ）において円２０Ａとなる。
【００６１】
図示しない分割開始前のセット状態においては、上面にウエーハＷが貼付されたダイシングテープＳは、周縁部をフレームＦに固定され、たるみのない状態となっている。ダイシングテープＳの下面には支持テーブル２０が、全面で接触した状態にある。
【００６２】
次いで、図８（ｂ）に示されるように、支持テーブル２０が上昇し、ダイシングテープＳに張力が加えられる。この際、図８（ａ）に示されるように、支持テーブル２０がウエーハＷ等に対し上側に偏心した位置にあるので、ダイシングテープＳの上側部分が下側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の下側から上側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の上側から下側に向かって進行する。
【００６３】
次いで、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように、支持テーブル２０が矢印方向に回転し、これにしたがい、ダイシングテープＳの大きく延伸される部分が移動していく。その結果、ウエーハＷの分割は順次進行し、ウエーハＷの全ての分割が終了する。
【００６４】
以上説明した第３の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００６５】
以上、本発明に係る板状部材の分割方法及び分割装置の実施形態の各例について説明したが、本発明は上記実施形態の例に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００６６】
たとえば、実施形態の例では、ダイシングテープＳが貼付されたウエーハＷの表面又は内部に改質領域を形成する改質領域形成工程にレーザーダイシング装置が採用されているが、これ以外の装置、たとえば、ダイシングソーによりウエーハＷの表面に改質領域を形成する構成の改質領域形成工程を採用できる。
【００６７】
また、実施形態の例では、硬脆材よりなる板状部材としてウエーハＷが採用されているが、これ以外の各種硬脆材をも採用できる。たとえば、各種表示素子（ＬＣ、ＥＬ等）に使用されるガラス基板の分割にも適用できる。このようなガラス基板のスクライビングによる分割では、ガラス切粉の発生によるキズの発生が大きな問題であったが、本発明によれば、この問題の有効な対処が可能である。
【００６８】
また、実施形態の例では、厚さ３０μｍ〜１００μｍ程度の極薄のウエーハに加工して極薄のチップを得るという例で説明したが、本発明の板状部材の分割方法は１００μｍ以上のチップに対しても適用することができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る板状部材の分割方法の第１の実施形態の流れを示すフローチャート
【図２】レーザーダイシング装置を説明する概念図
【図３】本発明に係る板状部材の分割方法の原理を説明する概念図
【図４】本発明に係る板状部材の分割方法の第１の実施形態の概要を示す斜視図
【図５】板状部材の分割装置の概要を示す平面図
【図６】同じく断面図
【図７】第２の実施形態を説明する概念図
【図８】第３の実施形態を説明する概念図
【図９】従来の板状部材の分割方法の流れを示すフローチャート
【図１０】従来のエキスパンド工程を説明する概念図
【図１１】従来のエキスパンド工程におけるウエーハの分割を説明する概略図
【符号の説明】
１０…レーザーダイシング装置、１１…マシンベース、１２…ＸＹＺθテーブル、１３…光学系、１３Ａ…レーザー光源、１４…ホルダ、Ｆ…フレーム、Ｋ…改質領域、Ｓ…ダイシングテープ、Ｗ…ウエーハ（板状部材）
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や電子部品等のチップを製造する板状部材の分割方法及び分割装置に係り、特に、ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工した後、レーザー光による改質領域形成加工を行い個々のチップに分割するのに好適な板状部材の分割方法及び分割装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、スマートカードに代表される薄型ＩＣカード等に組込まれる極薄のＩＣチップが要求されるようになってきている。このような極薄のＩＣチップは、１００μｍ以下の極薄のウエーハから個々のチップに分割することによって製造されている。
【０００３】
このような背景の下に、従来の半導体装置や電子部品等の板状部材の分割方法は、図９のフローチャートに示されるように、先ず表面に半導体装置や電子部品等が多数形成されたウエーハの表面を保護するために、片面に粘着剤を有する保護テープをウエーハ表面に貼る保護テープ貼付工程が行われる（ステップＳ１０１）。次いで、ウエーハを裏面から研削して所定の厚さに加工する裏面研削工程が行われる（ステップＳ１０３）。
【０００４】
裏面研削工程の後、片面に粘着剤を有するダイシングテープを用いてウエーハをダイシング用フレームに取り付けるフレームマウント工程が行われ、ウエーハとダイシング用のフレームとが一体化される（ステップＳ１０５）。次いで、この状態でウエーハをダイシングテープ側で吸着し、表面に貼付されている保護テープを剥離する保護テープ剥離工程が行われる（ステップＳ１０７）。
【０００５】
保護テープが剥離されたウエーハは、フレームごとダイシングソーに搬送され、高速回転するダイヤモンドブレードで個々のチップに切断される（ステップＳ１０９）。次いで、エキスパンド工程でダイシングテープが放射状に引き伸ばされて、個々のチップの間隔が広げられ（ステップＳ１１１）、チップマウント工程でリードフレーム等のパッケージ基材にマウントされる（ステップＳ１１３）。
【０００６】
ところが、この従来の板状部材の分割方法では、ウエーハの裏面研削時にウエーハの表面の汚染防止のための保護テープと、ダイシング以後のチップを保持するためのダイシングテープとを必要とし、消耗品費用の増大につながっていた。
【０００７】
また、厚さ１００μｍ以下の極薄のウエーハの場合、この従来のダイシングソーで切断する方法では、切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じ、良品チップを不良品にしてしまうという問題があった。
【０００８】
この切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じるという問題を解決する手段として、従来のダイシングソーによる切断に代えて、たとえば、特許文献１〜特許文献６等に記載されたウエーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウエーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザー加工方法に関する技術が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１９２３６７号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開２００２−１９２３６８号公報
【００１１】
【特許文献３】
特開２００２−１９２３６９号公報
【００１２】
【特許文献４】
特開２００２−１９２３７０号公報
【００１３】
【特許文献５】
特開２００２−１９２３７１号公報
【００１４】
【特許文献６】
特開２００２−２０５１８０号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の各特許文献で提案されている技術は、従来のダイシングソーによるダイシング装置に代えて、レーザー光を用いた割断技術によるダイシング装置を提案したもので、切断時にウエーハにチッピングや割れ欠けが生じるという問題は解決するものの、エキスパンド工程において分割されるチップの端面形状が不良となる問題点を生じる。
【００１６】
図１０及び図１１は、この現象を説明する概念図である。図１０において、ウエーハＷの裏面にダイシングテープＳが貼付されており、ダイシングテープＳの周縁部は枠状のフレームＦに固定されている。レーザー光によりウエーハＷに碁盤の目状の改質領域Ｋが形成される。次いで、エキスパンド工程において、ダイシングテープＳが伸長され、その結果、ウエーハＷが改質領域を起点として分割され、複数のチップＴとなる。
【００１７】
エキスパンド工程におけるダイシングテープＳの伸長は、たとえば、ダイシングテープＳのフレームＦとウエーハＷとの間の輪環状部分に円筒状のリング部材を下から押し上げることによりなされる。
【００１８】
図１１は、エキスパンド工程におけるウエーハＷの分割を説明する概略図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、断面図である。同図（ｂ）に示されるように、レーザー光により形成される改質領域Ｋは、ウエーハＷの内部に存在する。
【００１９】
エキスパンド工程において、図１１（ａ）に示されるように左右方向に均等な張力が加えられた場合、線状の改質領域Ｋの割断起点が不安定となり、分割されるチップの端面形状が直線状にならずに不良となることが多い。
【００２０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工した後、レーザー光による改質領域形成加工を行い個々のチップに分割する際に、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することのできる板状部材の分割方法及び分割装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、硬脆材よりなる板状部材の表面又は内部に線状の改質領域を形成し、該線状の改質領域に沿って前記板状部材を分割することにより複数枚の基板を得る板状部材の分割方法において、前記板状部材の表面にテープを貼付するテープ貼付工程と、前記テープが貼付された板状部材の表面又は内部に改質領域を形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程の後、前記テープに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、を有する板状部材の分割方法であって、前記テープの周縁部を固定するフレームは前記板状部材の外側を囲むように配置されるとともに、前記フレームは周方向に複数に分割された複数の分割フレームからなり、前記エキスパンド工程は、前記複数の分割フレームのうち前記板状部材を挟んで対向する第１及び第２の分割フレームにおいて、前記周方向に対設する第１の端部近傍同士に与える張力を前記第１の端部とは反対側で対設する第２の端部近傍同士に与える張力とは相対的に異ならせることにより、前記板状部材の平面方向に前記テープへ加える張力を、線状に形成された前記改質領域に沿って変化させることを特徴とする板状部材の分割方法及びこれに使用する分割装置を提供する。
【００２２】
本発明によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域の割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００２３】
なお、線状の改質領域とあるが、必ずしも連続した線状である必要はなく、点線状のように、断続した線状の改質領域でもよい。このような断続した線状の改質領域でも、同様の効果が得られるからである。
【００２４】
本発明において、前記エキスパンド工程において、前記加える張力を前記改質領域の線に沿って直線状に変化させることが好ましい。このように、加える張力を改質領域の線に沿って直線状に変化させれば、割断線を改質領域の線に沿って一端から他端に進行させることができ、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができるからである。
【００２５】
また、本発明において、前記エキスパンド工程において、前記加える張力を一方向と、該一方向と略９０度に交差する他方向とに交互に加えることが好ましい。このように、加える張力をＸ方向とＹ方向とに交互に加えれば、チップへの分割がスムースに行えるからである。
【００２６】
また、本発明において、前記改質領域形成工程において、前記板状部材にレーザー光を入射させ、前記板状部材の表面又は内部に改質領域を形成することが好ましい。板状部材の表面に線状の改質領域を形成する方法は、ダイシング、スクライビング等の方法でも可能であるが、レーザー光を使用すれば、生産性、ランニングコスト、品質等の各面で優位性が発揮できるからである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って、本発明に係る板状部材の分割方法及び分割装置の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２８】
図１は、本発明の板状部材の分割方法に係る第１の実施形態を表わすフローチャートである。この第１の実施形態では、先ず、表面側に多数のＩＣ回路が形成されたウエーハの裏面側をテーブルに載置し、次いで、リング状のダイシング用フレームをウエーハの外側に配置する。次いで、上方から片面に紫外線（以下ＵＶと称す）硬化型粘着剤を有するダイシングテープをフレームとウエーハの表面とに貼付し、ウエーハをフレームにマウントする（ステップＳ１１）。この状態でウエーハの表面はダイシングテープで保護されるとともに、フレームと一体化されているので搬送性がよい（以上、テープ貼付工程に相当）。
【００２９】
次いで、バックグラインダでウエーハの裏面が研削され所定の厚さ（たとえば５０μｍ）近傍まで加工される。研削の後は、研削時に生成された加工変質層を研磨加工で除去する。ここで用いられるバックグラインダは、研磨機能付きのポリッシュグラインダであり、研削後にウエーハの吸着を解除せずに、そのまま研磨して加工変質層を除去できるので、厚さ３０μｍ程度であっても破損することがない。研磨されたウエーハはバックグラインダに設けられた洗浄、乾燥装置で洗浄され、乾燥される（ステップＳ１３）。
【００３０】
次いで、所定の厚さに加工されたウエーハは、研磨機能付きのポリッシュグラインダに組込まれているレーザーダイシング装置で、個々のチップに分割されるべくダイシングされる。ここではウエーハはフレームごとテーブルに吸着され、ダイシングテープを介してウエーハの表面側からレーザー光が入射される。レーザー光の集光点がウエーハの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光は、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハの内部に多光子吸収による改質領域が形成される（以上、改質領域形成工程に相当）。これによりウエーハは分子間力のバランスが崩れ、自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる（ステップＳ１５）。
【００３１】
図２は、ポリッシュグラインダに組込まれているレーザーダイシング装置を説明する概念図である。レーザーダイシング装置１０は、同図に示されるように、マシンベース１１上にＸＹＺθテーブル１２が設けられ、ウエーハＷを吸着載置してＸＹＺθ方向に精密に移動される。同じくマシンベース１１上に設けられたホルダ１４にはダイシング用の光学系１３が取り付けられている。
【００３２】
光学系１３にはレーザー光源１３Ａが設けられ、レーザー光源１３Ａから発振されたレーザー光はコリメートレンズ、ミラー、コンデンスレンズ等の光学系を経てウエーハＷの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が１×１０8(Ｗ／c ｍ2 ）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。なお、集光点の厚さ方向位置は、ＸＹＺθテーブル１２のＺ方向微動によって調整される。
【００３３】
また、図示しない観察光学系が設けられており、ウエーハ表面に形成されているパターンを基にウエーハのアライメントが行われ、レーザー光の入射位置が位置決めされる。アライメントが終了すると、ＸＹＺθテーブル１２がＸＹ方向に移動してウエーハのダイシングストリートに沿ってレーザー光が入射される。
【００３４】
図１に示されるステップＳ１５のレーザーダイシングの後は、ダイシングテープを放射状に伸延させ各チップ間の隙間を広げるエキスパンド工程が行われる（ステップＳ１７）。この詳細については、後述する。
【００３５】
ダイシングテープがエキスパンドされた状態でダイシングテープ側からＵＶを照射し、ダイシングテープの粘着剤を硬化させ粘着力を低下させる。なお、このＵＶ照射は、ダイシング工程の最後に行ってもよい。
【００３６】
次いで、エキスパンドされた状態で１個のチップがダイシングテープ側から突き上げピンで突き上げられてダイシングテープから剥離され、ピックアップヘッドで吸引され、表裏反転されてチップマウント用のコレットに吸引され、リードフレーム等のパッケージ基材にマウントされる（ステップＳ１９）。チップマウント工程後は、ワイヤボンディング、モールディング、リード切断成形、マーキング等のパッケージング工程が施されＩＣが完成される。以上が第１の実施形態の概略である。
【００３７】
次にエキスパンド工程の詳細について説明する。図３は、本発明に係る板状部材の分割方法の原理を説明する概念図であり、図４は、第１の実施形態の概要を示す斜視図であり、図５は、板状部材の分割装置の概要を示す平面図であり、図６は、同じく断面図である。
【００３８】
図３において、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、断面図である。同図（ｂ）に示されるように、レーザー光により形成される改質領域Ｋは、ウエーハＷの内部に存在する。同図（ａ）に示されるように、改質領域Ｋの両側のウエーハＷに加えられる張力は矢印で示され、張力の程度は矢印の長さで示される。
【００３９】
図３（ａ）に示されるように、ウエーハＷに加えられる張力が、図の上側から下側に向かって直線状に増加するように変化した場合、ウエーハＷの分割は図の下側から上側に向かって進行する。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００４０】
図４、図５及び図６は、このような分割方法を行うための装置である。同図に示されるように、ダイシングテープＳの周縁部を固定するフレームＦは４分割されており、分割されたそれぞれのフレームＦの両端部近傍には独立して張力を加えられるようになっている。図６において、ダイシングテープＳは支持テーブル１６上に載置されている。
【００４１】
図５において、加えられる張力は矢印で示され、張力の程度は矢印の長さで示される。また、矢印に添付された丸数字は、張力を加える順序を示している。先ず、丸数字１の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の上側から下側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の下側から上側に向かって進行する。
【００４２】
次いで、丸数字２の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる上下方向の張力が、図の左側から右側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の右側から左側に向かって進行する。
【００４３】
次いで、丸数字３の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の下側から上側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の上側から下側に向かって進行する。
【００４４】
次いで、丸数字４の矢印で示されるように、ウエーハＷに加えられる上下方向の張力が、図の右側から左側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の左側から右側に向かって進行する。このようにして、ウエーハＷの全ての分割が終了する。
【００４５】
分割されたそれぞれのフレームＦの両端部近傍に独立して張力を加えるための機構としては、公知の各種直動装置が採用できる。たとえば、モータとねじ（シャフトとしての雄ねじと軸受としての雌ねじとの組み合わせ）よりなる直動装置が採用できる。
【００４６】
なお、図５に示される構成において、短い矢印で示される箇所であっても、張力は加えている必要がある。もし、この箇所に張力を加えないと、ウエーハＷの分割予定箇所に圧縮力が加わり、その結果、この箇所にチッピングや割れ欠けが生じることがあるからである。
【００４７】
また、一旦張力が加えられ、移動したフレームＦは、その位置に固定されていなければならない。移動したフレームＦが、その後元の位置に戻った場合には、ダイシングテープＳにたるみを生じ、その後のウエーハＷの分割に悪影響を及ぼすからである。
【００４８】
以上説明した第１の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００４９】
次に、本発明に係る第２の実施形態について、図７に基いて説明する。この第２の実施形態は前述の第１の実施形態と比べ、エキスパンド工程のみが異なっている。したがって、共通の工程についての詳細な説明は省略する。また、図３に示される基本的な原理も共通であり、これについても説明は省略する。
【００５０】
図７に示される装置においては、第１の実施形態と異なり、フレームＦは分割されない枠状の一体ものである（図１０参照）。そして、フレームＦが固定されており、支持テーブル１８が上昇することにより、ダイシングテープＳに張力が加えられる構成が採用されている。この構成において、支持テーブル１８が傾いて上昇することにより、ウエーハＷに加えられる張力を部位によって変化させる構造となっている。
【００５１】
図７（ａ）は、ウエーハＷの分割開始前のセット状態を示している。上面にウエーハＷが貼付されたダイシングテープＳは、周縁部をフレームＦに固定され、たるみのない状態となっている。ダイシングテープＳの下面には支持テーブル１８が、全面で接触した状態にある。
【００５２】
次いで、図７（ｂ）に示されるように、支持テーブル１８の左側のみ上昇し、支持テーブル１８が傾いた状態となる。このようにすることにより、ダイシングテープＳの左側部分が右側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる紙面に垂直な方向の張力が、図の右側から左側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の左側から右側に向かって進行する。
【００５３】
次いで、図７（ｃ）に示されるように、支持テーブル１８の右側も上昇し、支持テーブル１８は水平状態となる。
【００５４】
次いで、図示は省略するが、支持テーブル１８の手前側のみ上昇し、支持テーブル１８が傾いた状態となる。このようにすることにより、ダイシングテープＳの手前側部分が奥側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の奥側から手前側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の手前側から奥側に向かって進行する。
【００５５】
以下、同様な手順により交互に支持テーブル１８を傾斜させながら上昇させ、ウエーハＷの分割を進行させる。
【００５６】
支持テーブル１８を傾斜させながら上昇させるための機構としては、公知の各種直動装置が採用できる。たとえば、モータとねじ（シャフトとしての雄ねじと軸受としての雌ねじとの組み合わせ）よりなる直動装置を支持テーブル１８の下の４箇所に設け、各シャフトの先端と支持テーブル１８とをロッドエンド等の球面座で連結する構成が採用できる。
【００５７】
以上説明した第２の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００５８】
次に、本発明に係る第３の実施形態について、図８に基いて説明する。この第３の実施形態は前述の第１、第２の実施形態と比べ、エキスパンド工程のみが異なっている。したがって、共通の工程についての詳細な説明は省略する。また、図３に示される基本的な原理も共通であり、これについても説明は省略する。
【００５９】
図８に示される装置においては、第１の実施形態と異なり、フレームＦは分割されない枠状の一体ものである（図１０参照）。そして、フレームＦが固定されており、支持テーブル２０が回転することにより、ダイシングテープＳに張力が加えられる構成が採用されている。この構成において、支持テーブル２０の中心Ｃ0 より偏心量δだけずれた位置にある回転中心Ｃ1 を中心に支持テーブル２０が回転することにより、ウエーハＷに加えられる張力を部位によって変化させる構造となっている。
【００６０】
図８（ａ）は、この装置の平面図であり、フレームＦと、ダイシングテープＳと、ウエーハＷと、支持テーブル２０との平面的な位置関係を示している。フレームＦと、ダイシングテープＳと、ウエーハＷとは同心に配され、その中心はＣ1 である。これに対して、支持テーブル２０の中心Ｃ0 は、Ｃ1 より偏心量δだけずれた位置にあり、また支持テーブル２０の回転中心は、Ｃ1 の位置にある。したがって、支持テーブル２０を回転させると、支持テーブル２０の中心Ｃ0 の軌跡は、同図（ａ）において円２０Ａとなる。
【００６１】
図示しない分割開始前のセット状態においては、上面にウエーハＷが貼付されたダイシングテープＳは、周縁部をフレームＦに固定され、たるみのない状態となっている。ダイシングテープＳの下面には支持テーブル２０が、全面で接触した状態にある。
【００６２】
次いで、図８（ｂ）に示されるように、支持テーブル２０が上昇し、ダイシングテープＳに張力が加えられる。この際、図８（ａ）に示されるように、支持テーブル２０がウエーハＷ等に対し上側に偏心した位置にあるので、ダイシングテープＳの上側部分が下側部分よりも大きく延伸され、ウエーハＷに加えられる左右方向の張力が、図の下側から上側に向かって直線状に増加するように変化して加えられ、ウエーハＷの分割は図の上側から下側に向かって進行する。
【００６３】
次いで、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように、支持テーブル２０が矢印方向に回転し、これにしたがい、ダイシングテープＳの大きく延伸される部分が移動していく。その結果、ウエーハＷの分割は順次進行し、ウエーハＷの全ての分割が終了する。
【００６４】
以上説明した第３の実施形態によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００６５】
以上、本発明に係る板状部材の分割方法及び分割装置の実施形態の各例について説明したが、本発明は上記実施形態の例に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００６６】
たとえば、実施形態の例では、ダイシングテープＳが貼付されたウエーハＷの表面又は内部に改質領域を形成する改質領域形成工程にレーザーダイシング装置が採用されているが、これ以外の装置、たとえば、ダイシングソーによりウエーハＷの表面に改質領域を形成する構成の改質領域形成工程を採用できる。
【００６７】
また、実施形態の例では、硬脆材よりなる板状部材としてウエーハＷが採用されているが、これ以外の各種硬脆材をも採用できる。たとえば、各種表示素子（ＬＣ、ＥＬ等）に使用されるガラス基板の分割にも適用できる。このようなガラス基板のスクライビングによる分割では、ガラス切粉の発生によるキズの発生が大きな問題であったが、本発明によれば、この問題の有効な対処が可能である。
【００６８】
また、実施形態の例では、厚さ３０μｍ〜１００μｍ程度の極薄のウエーハに加工して極薄のチップを得るという例で説明したが、本発明の板状部材の分割方法は１００μｍ以上のチップに対しても適用することができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エキスパンド工程において、改質領域の平面位置によって加える張力を変化させる。これにより、線状の改質領域Ｋの割断起点をコントロールすることができ、その結果、チッピングや割れ欠けが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る板状部材の分割方法の第１の実施形態の流れを示すフローチャート
【図２】レーザーダイシング装置を説明する概念図
【図３】本発明に係る板状部材の分割方法の原理を説明する概念図
【図４】本発明に係る板状部材の分割方法の第１の実施形態の概要を示す斜視図
【図５】板状部材の分割装置の概要を示す平面図
【図６】同じく断面図
【図７】第２の実施形態を説明する概念図
【図８】第３の実施形態を説明する概念図
【図９】従来の板状部材の分割方法の流れを示すフローチャート
【図１０】従来のエキスパンド工程を説明する概念図
【図１１】従来のエキスパンド工程におけるウエーハの分割を説明する概略図
【符号の説明】
１０…レーザーダイシング装置、１１…マシンベース、１２…ＸＹＺθテーブル、１３…光学系、１３Ａ…レーザー光源、１４…ホルダ、Ｆ…フレーム、Ｋ…改質領域、Ｓ…ダイシングテープ、Ｗ…ウエーハ（板状部材）
Claims (2)
- 硬脆材よりなる板状部材の表面又は内部に線状の改質領域を形成し、該線状の改質領域に沿って前記板状部材を分割することにより複数枚の基板を得る板状部材の分割方法において、
前記板状部材の表面にテープを貼付するテープ貼付工程と、
前記テープが貼付された板状部材の表面又は内部に改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程の後、前記テープに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、
を有する板状部材の分割方法であって、
前記テープの周縁部を固定するフレームは前記板状部材の外側を囲むように配置されるとともに、前記フレームは周方向に複数に分割された複数の分割フレームからなり、
前記エキスパンド工程は、前記複数の分割フレームのうち前記板状部材を挟んで対向する第１及び第２の分割フレームにおいて、前記周方向に対設する第１の端部近傍同士に与える張力を前記第１の端部とは反対側で対設する第２の端部近傍同士に与える張力とは相対的に異ならせることにより、前記板状部材の平面方向に前記テープへ加える張力を、線状に形成された前記改質領域に沿って変化させることを特徴とする板状部材の分割方法。 - 表面にテープが貼付され、かつ表面又は内部に線状の改質領域が形成された硬脆材よりなる板状部材の前記線状の改質領域に沿って分割することにより複数枚の基板を得る板状部材の分割装置であって、
前記テープの周縁部を固定するフレームは前記板状部材の外側を囲むように配置されるとともに、前記フレームは周方向に複数に分割された複数の分割フレームからなり、
前記複数の分割フレームのうち前記板状部材を挟んで対向する第１及び第２の分割フレームにおいて、前記周方向に対設する第１の端部近傍同士に与える張力を前記第１の端部とは反対側で対設する第２の端部近傍同士に与える張力とは相対的に異ならせることにより、前記板状部材の平面方向に前記テープへ加える張力を、線状に形成された前記改質領域に沿って変化させ得るエキスパンド手段が設けられていることを特徴とする板状部材の分割装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003132572A JP4432103B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003132572A JP4432103B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004335908A JP2004335908A (ja) | 2004-11-25 |
| JP4432103B2 true JP4432103B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=33507381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003132572A Expired - Lifetime JP4432103B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4432103B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006062017A1 (ja) | 2004-12-08 | 2006-06-15 | Laser Solutions Co., Ltd. | 被分割体における分割起点形成方法、被分割体の分割方法、およびパルスレーザー光による被加工物の加工方法 |
| JP2006173269A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 基板加工方法及びフィルム伸張装置 |
| JP4731224B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割装置 |
| JP2007165851A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | ダイシングシートフレーム |
| JP5029298B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2012-09-19 | 株式会社デンソー | 分断方法 |
| JP6158551B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-07-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
| CN105826255B (zh) * | 2016-05-27 | 2017-11-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led晶圆劈裂方法 |
| JP7224214B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-02-17 | 株式会社ディスコ | 拡張装置 |
-
2003
- 2003-05-12 JP JP2003132572A patent/JP4432103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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