JP4413499B2 - Adhesive tape for fixing semiconductor wafers - Google Patents
Adhesive tape for fixing semiconductor wafers Download PDFInfo
- Publication number
- JP4413499B2 JP4413499B2 JP2003016101A JP2003016101A JP4413499B2 JP 4413499 B2 JP4413499 B2 JP 4413499B2 JP 2003016101 A JP2003016101 A JP 2003016101A JP 2003016101 A JP2003016101 A JP 2003016101A JP 4413499 B2 JP4413499 B2 JP 4413499B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensitive adhesive
- adhesive tape
- adhesive
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハー固定用粘着テープに関し、詳しくは、シリコンウェハー、化合物ウェハー等の薄板状材料をチップに切断分離する際に、材料を貼付け保持するための加工用粘着テープ、特にダイシング用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりシリコン、ガリウム、ヒ素などを材料とする半導体ウェハーは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウェハーは粘着シートに貼付され保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が行なわれている。前記粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等が５〜３０μｍ程度塗布されてなるものが一般的に用いられている。
【０００３】
前記ダイシング工程においては、回転しながら移動する丸刃によってウェハーの切断が行なわれるが、その際に半導体ウェハーを保持するダイシング用粘着シートの基材内部まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式が主流となってきている。
しかし、フルカットで半導体ウェハーを切断する際に、ダイシング用粘着シートとして、従来のアクリル系粘着剤等を粘着層とする粘着シートを用いた場合には、半導体素子（ウェハー）の裏側面にチッピングと呼ばれる割れ（クラック）が発生する。近年、ＩＣカードなどの普及に伴って、半導体素子の薄型化が進んでおり、半導体素子のチッピングは、半導体素子の重大な強度低下を招き、その信頼性を著しく低下させるといった問題があった。
【０００４】
ダイシング時におけるチッピング発生のメカニズムは、概ね以下の通りであると推察されている。すなわち、フルカットによる切断方式では粘着シートの内部まで切り込みが行なわれる。丸刃はウェハーをある程度の推進力をもって切断していくが、その反力も生じる。反力はウェハーを固定している粘着シートに作用するため、粘着シートが軟らかいほど粘着シートが変形しやすくなる。それに伴いウェハーもずれが生じるため、本来であればウェハーの切断部は丸刃の幅をもった直線状であるべきであるのにチッピングが生じる。
【０００５】
このような問題を解決する手段として、従来は、例えば、粘着層の弾性率をアップすることで対処してきた（例えば、特許文献１〜３参照）。粘着層の改良は比較的簡単であり、従来の基材がそのまま転用でき、開発のコストも少なく、新規設備も必要としないため広く用いられてきた。ところが近年、３次元実装による半導体チップの積層化により、さらなるウェハーの薄型化が進行し、ウェハーの肉厚は従来３５０μｍ程度であったが、近年は１００μｍ厚が一般的であり、近い将来では５０μｍが主流になることが予測される。このような極薄のウェハーに対しては、上記手法のような粘着層のみの対処ではチッピングに対応しきれず、基材においても弾性率をアップする必要がある。しかしながら、基材の弾性率をアップするとピックアップ時にフィルムが変形しにくくなり、チップをピックアップできなくなるという問題が生じる。
【０００６】
チップ飛びやチッピングを生じさせないため、従来は、例えば、片面に粘着層（Ａ）を設けた、厚さが１０〜１００μｍで引張弾性率が０．５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２ （４．９×１０６〜２．０×１０８Ｐａ）である軟質樹脂からなる層（Ｂ）と、片面に粘着層（Ｃ）を設けた、厚さが１０〜２５０μｍで引張弾性率が３０〜４００ｋｇｆ／ｍｍ２ （２．９×１０８〜３．９×１０９Ｐａ）の樹脂からなる層（Ｄ）とを、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄの順になるように貼り合わせてなるダイシング用粘着フィルムにより、半導体ウェハー等をダイシングする際、ウェハーを保持するフィルムは十分硬質で、ダイシング時チッピングを小さくするとともに、切断されたチップをピックアップする際は、Ｃ／Ｄ層をＡ層面にウェハーを貼付けたＡ／Ｂ層から剥離して、容易にチップがピックアップできるようにしていた（特許文献４参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−２８１９９１号公報
【特許文献２】
特開２００１−２７４１１７号公報
【特許文献３】
特開２００２−８０８０３号公報
【特許文献４】
特開２０００−１５０４２５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の方法では、基材構成が複雑になり、粘着テープ単体の値段がアップし、また、ダイシング後に硬い層を剥がす工程が増え、コストアップに繋がる上、ウェハーに近い層は軟らかいため、近年の極薄ウェハーのチッピングには対応しきれないという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解決し、ダイシング時のチッピングの発生を防止することができ、さらに、ピックアップ不良も起こさない半導体ウェハー固定用粘着テープを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）ヤング率が１６４〜７７３ＭＰａで、さらに伸び０〜１０％における最大モジュラス値が１２〜１９ＭＰａであり、伸び１０〜２０％における最大モジュラス値が１５〜１８．５ＭＰａの範囲にある厚さ１０〜３００μｍの基材上に、厚さ３〜５０μｍの粘着剤層を形成してなる半導体ウェハー固定用粘着テープ、
（２）前記粘着剤層を構成する粘着剤が放射線硬化型粘着剤または加熱発泡型粘着剤であることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハー固定用粘着テープ、
（３）前記粘着剤層を構成する粘着剤が放射線硬化型粘着剤であり、放射線硬化性の官能基を有する粘着剤であるか、または粘着剤に放射線硬化性のモノマー成分及び／またはオリゴマー成分を配合した放射線硬化性粘着剤であることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハー固定用粘着テープ、
（４）前記粘着剤層を構成する粘着剤がダイシング・ダイボンド兼用可能であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体ウェハー固定用粘着テープ、及び、
（５）前記基材がアクリル樹脂またはポリブチレンテレフタレートからなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハー固定用粘着テープ
を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体ウェハー固定用粘着テープは、基材とその上に形成された粘着剤層とからなるものである。粘着テープは、シート状であってもよい。例えば、半導体ウェハー加工用粘着シートとすることができる。本発明の好ましい態様としては、ダイシング用粘着テープが挙げられる。
本発明の半導体ウェハー固定用粘着テープの基材は、ヤング率が１６４〜７７３ＭＰａであるものである。ダイシング時のウェハーのチップとチップの間は数十μｍという非常に微小な値であるが、本発明の粘着テープはこれを制御することができる。粘着テープのヤング率は、２００〜７００ＭＰａであることが好ましく、２５０〜６００ＭＰａであることがさらに好ましい。ヤング率が低すぎる粘着テープではチッピングの発生を防止すること（チッピング性）が著しく劣るものとなる。一方、ヤング率が高すぎるとピックアップ不良が多発する上、設備にも多大な不可がかかり、場合によってはウェハーが破損することもある。
【００１１】
本発明の粘着テープの基材は、伸び０〜１０％における最大モジュラス値が１２〜１９ＭＰａである。また、伸び１０〜２０％における最大モジュラス値が１５〜１８．５ＭＰａである。
本発明の粘着テープを用いるピックアップの際には、好ましくは突上げピン（以後、ニードルと記載）による突上げを行い、真空角錐コレットによりチップをピックアップする。例えば、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張ったとき、伸び０〜１０％における最大モジュラス値が１２〜１９ＭＰａであり、伸び１０〜２０％における最大モジュラス値が１５〜１８．５ＭＰａであれば十分チップを突上げピックアップすることができる。
また、伸び１０〜２０％における最大モジュラス値が１５〜１８．５ＭＰａであれば、エキスパンドの時ネッキング（一部分だけ伸びる現象）が起こらず、チップ間隔を十分保つことができる。
【００１２】
本発明において、ヤング率は、ＪＩＳ Ｋ ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法）の引張試験方法に準拠し、粘着テープの基材を幅２５ｍｍ長１００ｍｍの形状の試験片にし、２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、５０ｍｍの標線間距離及びつかみ間距離、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で試験を行ない、引張応力−ひずみ曲線の初めの直線部分を用いて式Ｅｍ＝Δσ／Δεで規定されるものであって、機械加工方向（ＭＤ）における測定値と、該機械加工方向に直交する横断方向（ＴＤ）における測定値との平均値である。ここで、Ｅｍ：ヤング率（引張弾性率，Ｐａ）、Δσ：直線状の２点間の元の平均断面積による応力の差（Ｐａ）、Δε：同じ２点間のひずみの差である。また、伸びにおける応力の値（モジュラス値）も同様の引張試験により測定し、式σ＝Ｆ／Ａで規定されるものである。ここで、σ：応力の値（Ｐａ）、Ｆ：その時の荷重（Ｎ）、Ａ：試験片の最小断面積（ｍ２）である。
また、上記ヤング率及びモジュラス値は、基材のみにて測定する。
【００１３】
（基材の説明）
本発明に用いられる基材は、粘着テープを形成した際に、上記機械的強度を満たしていれば制限されるものではないが、フィルム状の基材フィルムであることが好ましく、プラスチックフィルムを特に好適に用いることができる。その代表的な材料として、例えば、アクリル樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のエンジニアプラスチック、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体などのポリマーがあげられる。なお、基材フィルムを構成する前記例示にした材料は、必要に応じて官能基、機能性モノマーや改質性モノマー等をグラフトして用いてもよい。
【００１４】
基材に用いる材料として、上記機械特性を有するアクリル樹脂、又は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）を用いることが好ましい。アクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸エステル系樹脂を用いることが好ましい。
【００１５】
本発明で基材は、製膜された基材フィルムとして用いることが好ましい。基材の製膜方法は、従来用いられているいずれかの製膜方法により行なうことができる。例えば、カレンダー製膜、キャスティング製膜、インフレーション押出し、Ｔダイ押出し等を好適に用いることができる。
【００１６】
こうして得られる基材の厚みは、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。なお、基材は、単層又は多層のいずれであってもよく、前記２種以上のポリマーをドライブレンドしたブレンド基材であってもよい。多層フィルムの場合は、前記ポリマーなどを用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、基材フィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。このようにして製膜された基材フィルムの表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理（化学架橋（シラン））などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。
【００１７】
（粘着剤層の説明）
粘着剤層の形成には、任意の粘着剤を使用できる。粘着剤は何ら制限されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の各種の粘着剤が用いられる。なかでも、半導体ウェハーヘの接着性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００１８】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの重合体または必要に応じ凝集力、耐熱性などの改質を目的として（メタ）アクリル酸アルキルエステルに共重合性モノマーを共重合した共重合体が用いられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキルエステルとしては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、オクチルエステル、イソノニルエステルなどがあげられる。共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合性モノマーは、１種又は２種以上使用できる。さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。
【００１９】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。粘着剤層は半導体ウェハー等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいことが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００２０】
前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部程度配合することが好ましい。
また粘着剤層を形成する粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来用いられている各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の添加剤を含有させることができる。
【００２１】
粘着剤は、紫外線、電子線等により硬化する放射線硬化型粘着剤や加熱発泡型粘着剤とすることもできる。更には、粘着剤は、ダイシング・ダイボンド兼用可能な粘着剤であってもよい。本発明においては、放射線硬化型粘着剤、特に紫外線硬化方粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、ダイシング工程の前又は後に粘着剤層に放射線が照射されるため、前記基材は十分な放射線透過性を有するものが好ましい。
【００２２】
放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、一般的な粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。一般的な粘着剤としては、たとえば、前記アクリル系粘着剤、又は、ゴム系粘着剤等の感圧性粘着剤があげられる。
【００２３】
配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物等があげられる。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いることもできる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。
【００２４】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のペンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部程度である。
粘着剤層の厚さは、特に制限されるものではないが、３〜５０μｍが好ましい。
【００２５】
【実施例】
表１中の各基材（厚さ７０μｍまたは１００μｍ、Ａ４サイズ）に対し、粘着剤を基材の表面に乾燥後１０μｍの厚さになるよう塗工し、粘着テープを作成した。ここで用いた粘着剤は，アクリル系粘着剤（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシルエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量２０万、ガラス転移点＝−３５℃）１００質量部にポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名コロネートＬ）３質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート１０質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部を添加し、混合して得た。
【００２６】
表１に示す基材の材料としては、以下のものを用いた。
実施例１：ＰＢＴ
三菱エンジニアリングプラスチック（株）製、ノバデュラン５５１０Ｓ（商品名）を押出成形にて加工。厚みは１００μｍ。
実施例２：アクリルＡ
クラレ製、パラペットＳＡ（商品名）。厚みは１００μｍ。
実施例３：アイオノマーＡ
三井デュポン製、ハイミラン１７０６（商品名）を押出成形にて加工。厚みは１００μｍ。
実施例４：軟質ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
三菱化学ポリエステルフィルム（株）製、ダイアホイル（商品名）軟質Ｃタイプ。厚みは７０μｍ。
比較例１：アイオノマーＢ
三井デュポン製、ハイミランＡＭ７３１５（商品名）を押出成形にて加工。厚みは１００μｍ。
比較例２：ＰＰ（ポリプロピレン）
東洋紡製、パイレンフィルムＰ１１４７（商品名）。厚みは１００μｍ。
比較例３：ＰＰとエラストマーのブレンド（エラストマー２０wt％）
ＰＰ：日本ポリケム製、Ｘ−１８０４（商品名），エラストマー：ＪＳＲ製、ＤＹＮＡＲＯＮ４６００Ｐ（商品名）。厚みは１００μｍ。
比較例４：複層品ＰＰ(３０μｍ)／ＥＶＡ(４０μｍ)／ＰＰ(３０μｍ)（ポリプロピレン／エチレン酢酸ビニル／ポリプロピレン）
ＰＰ：日本ポリケム製、Ｘ−１８０４（商品名），ＥＶＡ：東ソー製、ウルトラセン５４３（商品名）。厚みは１００μｍ。
比較例５：ＨＤＰＥとエラストマーのブレンド（エラストマー２０wt％）
ＨＤＰＥ：東ソー製、ニポロンハード４０１０（商品名），エラストマー：ＪＳＲ製、ＤＹＮＡＲＯＮ４６００Ｐ（商品名）。厚みは１００μｍ。
【００２７】
なお、表１に示すヤング率は、粘着層を塗工する前の基材を用いて、前記のヤング率についての記載における引張試験の条件で測定を行なったものである。
また、最大モジュラス値は、粘着層を塗工する前の基材を用いて、前記のモジュラス値についての記載における引張試験の条件で測定を行なったものである。
【００２８】
５インチベアウェハー（肉厚１００μｍ）を実施例及び比較例の粘着テープに貼合し、以下のダイシング条件にてダイシングを行った。
（ダイシング条件）
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製 ＤＡＤ−３４０（商品名）
回転丸刃：ＤＩＳＣＯ社製 ＮＢＣ−ＺＨ２０５０−２７ＨＥＤＤ（商品名）
回転丸刃 回転数：４０，０００ｒｐｍ
切削速度：１００ｍｍ／ｓ
切削水流量：２０ｍｌ／ｓ
ダイシングサイズ：５ｍｍ角
粘着テープにおける回転丸刃の切り込み深さ：３０μｍ
【００２９】
実施例及び比較例の粘着テープについて、以下の評価（Ｉ〜III）した結果を表１に併せて示す。
（Ｉ）チッピング性
ダイシング後、１枚のウェハーからランダムに５０チップを取りだし、チップ裏面（粘着面）の各辺における最大のチッピング値を顕微鏡（×１００〜２００）で測定し、全値の平均を算出した。
表１のチッピング性評価は、○は上記平均値が４０μｍ未満であり、×は上記平均値が４０μｍ以上であることを示す。
（II）ピックアップ性
粘着テープに６インチウェハー（肉厚１００μｍ）をマウントし、上記ダイシング条件でダイシングを行った。紫外線照射（５００ｍＪ／ｍ２）後、テープをダイボンダー（ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００ＦＭ（商品名））で固定リングを１０ｍｍ引き下げた後、ニードルで突上げ、真空角錐コレットによりチップをピックアップし、ピックアップミスの有無を確認した。
表１のピックアップ性は、○は１００個のチップのピックアップにおいて、ピックアップミスが生じなかったことを示し、×は１００個のチップのピックアップにおいて、ピックアップミスが１個でも生じたことを示す。
（III）エキスパンド性
粘着テープに６インチウェハー（肉厚１００μｍ）をマウントし、上記ダイシング条件でダイシングを行った。紫外線照射（５００ｍＪ／ｍ２）後、テープをダイボンダー（ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００ＦＭ（商品名））で固定リングを１０ｍｍ引き下げてエキスパンド時のテープが十分に拡張されているかどうか、目視により確認した。
表１のエキスパンド性は、○は十分に拡張されたことを示し、×はネッキングが発生し、十分に拡張されなかったことを示す。
【００３０】
【表１】
上記表１からわかるように、ヤング率が１６４〜７７３ＭＰａである粘着テープは、チッピング性が良好で、ピックアップ性にも優れていることがわかる。
また、伸び０〜１０％における最大モジュラス値が１２〜１９ＭＰａであり、伸び１０〜２０％おける最大モジュラス値が１５〜１８．５ＭＰａの範囲にある実施例１〜４の粘着テープではエキスパンド性も優れたものとなる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明の半導体ウェハー固定用粘着テープにより、肉厚の薄いウェハーのダイシング時において、チッピングの発生を防止し、かつ、ピックアップを良好に行なうことができる。また、本発明の半導体ウェハー固定用粘着テープは、基材構成が簡単であり、粘着テープ単体を安価に製造することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer, and more specifically, a processing adhesive tape for attaching and holding a material when cutting and separating a thin plate material such as a silicon wafer or a compound wafer into chips, particularly an adhesive for dicing. Regarding tape.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic or the like is manufactured in a large diameter state, then cut and separated (diced) into element pieces, and further transferred to a mounting process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to a dicing process, a cleaning process, an expanding process, a pick-up process, and a mounting process in a state where the semiconductor wafer is stuck and held on the adhesive sheet. As the pressure-sensitive adhesive sheet, a sheet in which an acrylic pressure-sensitive adhesive or the like is applied to a base made of a plastic film in an amount of about 5 to 30 μm is generally used.
[0003]
In the dicing process, the wafer is cut by a circular blade that moves while rotating, and a cutting method called full cut that cuts the inside of the base material of the adhesive sheet for dicing that holds the semiconductor wafer at that time is the mainstream. It has become.
However, when cutting a semiconductor wafer in full cut, if a pressure-sensitive adhesive sheet with a conventional acrylic pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, chipping is performed on the back side of the semiconductor element (wafer). A crack called “crack” occurs. In recent years, with the spread of IC cards and the like, semiconductor elements have been made thinner, and chipping of the semiconductor elements has caused a problem that the strength of the semiconductor elements is seriously lowered and its reliability is remarkably lowered.
[0004]
It is presumed that the mechanism of chipping during dicing is as follows. That is, in the cutting method by full cut, cutting is performed to the inside of the adhesive sheet. The round blade cuts the wafer with a certain amount of driving force, but there is also a reaction force. Since the reaction force acts on the pressure-sensitive adhesive sheet fixing the wafer, the softer the pressure-sensitive adhesive sheet, the easier the pressure-sensitive adhesive sheet is deformed. As a result, the wafer is also displaced, and chipping occurs even though the cut portion of the wafer should be linear with a round blade width.
[0005]
As means for solving such a problem, conventionally, for example, it has been dealt with by increasing the elastic modulus of the adhesive layer (see, for example, Patent Documents 1 to 3). The improvement of the adhesive layer is relatively simple, the conventional base material can be used as it is, the development cost is low, and no new equipment is required, so that it has been widely used. However, in recent years, due to the stacking of semiconductor chips by three-dimensional mounting, the wafer has been further thinned, and the thickness of the wafer has conventionally been about 350 μm, but in recent years, the thickness of 100 μm is common, and in the near future 50 μm Is expected to become mainstream. For such an ultra-thin wafer, it is necessary to increase the elastic modulus of the base material as well, since it is not possible to cope with chipping by dealing with only the adhesive layer as described above. However, when the elastic modulus of the base material is increased, the film becomes difficult to be deformed at the time of picking up, which causes a problem that the chip cannot be picked up.
[0006]
In order to prevent chip jumping and chipping, conventionally, for example, an adhesive layer (A) is provided on one side, the thickness is 10 to 100 μm, and the tensile modulus is 0.5 to 20 kgf / mm 2 (4.9 × 10 4 6 to 2.0 × 10 8 Pa), a layer (B) made of a soft resin, and an adhesive layer (C) on one side, having a thickness of 10 to 250 μm and a tensile elastic modulus of 30 to 400 kgf / mm 2 A layer (D) made of a resin (2.9 × 10 8 to 3.9 × 10 9 Pa) and a dicing adhesive film formed by laminating the layers in order of A / B / C / D When dicing a wafer or the like, the film holding the wafer is sufficiently hard, and the chipping during dicing is reduced, and when picking up a cut chip, the A / B with the C / D layer attached to the A layer surface is A / B From layer Apart easily chips had to be picked up (see Patent Document 4).
[0007]
[Patent Document 1]
JP 2000-281991 A [Patent Document 2]
JP 2001-274117 A [Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-80803 [Patent Document 4]
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-150425
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method described above, the structure of the base material becomes complicated, the price of the adhesive tape alone increases, and the process of peeling the hard layer after dicing increases, leading to cost increase and the layer close to the wafer is soft. Therefore, there has been a problem that the chipping of ultra-thin wafers in recent years cannot be handled.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer, which can solve the above problems, can prevent the occurrence of chipping during dicing, and does not cause a pickup failure.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention
(1) Thickness 10 having a Young's modulus of 164 to 773 MPa, a maximum modulus value of 12 to 19 MPa at an elongation of 0 to 10%, and a maximum modulus value of 15 to 18.5 MPa at an elongation of 10 to 20%. A pressure-sensitive adhesive tape for fixing a semiconductor wafer, wherein a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 3 to 50 μm is formed on a substrate of ˜300 μm ,
(2) The adhesive tape for fixing a semiconductor wafer according to (1), wherein the adhesive constituting the adhesive layer is a radiation curable adhesive or a heat-foaming adhesive,
(3) The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive and is a pressure-sensitive adhesive having a radiation-curable functional group, or a radiation-curable monomer component and / or oligomer component in the pressure-sensitive adhesive. (1) or (2) an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer, which is a radiation curable adhesive containing
(4) The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer can be combined with dicing and die-bonding, and the semiconductor wafer fixing pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (3),
(5) The base material is made of an acrylic resin or polybutylene terephthalate, and the adhesive tape for fixing a semiconductor wafer according to any one of (1) to (4) is provided.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The pressure-sensitive adhesive tape for fixing a semiconductor wafer of the present invention comprises a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon. The adhesive tape may be in the form of a sheet. For example, it can be set as the adhesive sheet for semiconductor wafer processing. A preferable embodiment of the present invention is a dicing adhesive tape.
The base material of the adhesive tape for fixing a semiconductor wafer of the present invention has a Young's modulus of 164 to 773 MPa. The distance between chips of a wafer during dicing is a very small value of several tens of μm, but the adhesive tape of the present invention can control this. The Young's modulus of the adhesive tape is preferably 200 to 700 MPa, and more preferably 250 to 600 MPa. An adhesive tape having a too low Young's modulus is extremely inferior in preventing the occurrence of chipping (chipping property). On the other hand, if the Young's modulus is too high, pick-up failures frequently occur and the equipment is greatly inoperable. In some cases, the wafer may be damaged.
[0011]
Adhesive tape base material of the present invention, the maximum modulus value definitive elongation 0-10% is 12 to 19 MP a. In addition, the maximum modulus value definitive to growth 10% to 20% is 15~18.5MPa.
When picking up using the adhesive tape of the present invention, it is preferable to push up with a push-up pin (hereinafter referred to as a needle) and pick up the chip with a vacuum pyramid collet. For example, when pulled at a tensile speed of 300 mm / min, the maximum modulus value 12~19MPa to definitive elongation 0-10%, sufficient if the maximum modulus value 15~18.5MPa to definitive elongation 10-20% chips Can be picked up.
Further, if the maximum modulus value definitive elongation 10-20% is 15～18.5MPa, not occur necking when expanding (phenomenon that extends only partially) can keep a chip interval sufficient.
[0012]
In the present invention, Young's modulus, compliant with the tensile test method of JIS K 7127 (plastic film and the tensile test method of the sheet), the base material of the pressure-sensitive adhesive tape to the test piece in the shape of width 25mm length 100 mm, 23 ± 2 The test is conducted at a temperature of 50 ° C., a humidity of 50 ± 5%, a distance between the marked lines of 50 mm and a distance between the grips and a speed of 300 mm / min, and the equation Em = Δσ / Δε, which is an average value of a measured value in the machining direction (MD) and a measured value in the transverse direction (TD) orthogonal to the machining direction. Here, Em: Young's modulus (tensile modulus, Pa), Δσ: stress difference (Pa) due to the original average cross-sectional area between two points in a straight line, Δε: difference in strain between the same two points. Further, the stress value (modulus value) in elongation is also measured by a similar tensile test, and is defined by the formula σ = F / A. Here, σ: stress value (Pa), F: load at that time (N), and A: minimum cross-sectional area (m 2 ) of the test piece.
Further, the Young's modulus and modulus values measured at the base only.
[0013]
(Description of base material)
The substrate used in the present invention is not limited as long as it satisfies the mechanical strength when the pressure-sensitive adhesive tape is formed, but is preferably a film-like substrate film, particularly a plastic film. It can be used suitably. Typical materials include engineer plastics such as acrylic resin, polybutylene terephthalate (PBT), and polyethylene naphthalate (PEN), low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, and ultra-low density. Polyolefins such as polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- ( (Meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymers, ethylene-butene copolymers, ethylene-hexene copolymers, polyesters such as polyurethane and polyethylene terephthalate, polyimides, polyether ethers Teruketon, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesin, polymers such as cellulose resin and a cross-linked product thereof and the like. In addition, you may use the material illustrated to comprise the base film by grafting a functional group, a functional monomer, a modifier monomer, etc. as needed.
[0014]
As a material used for the base material, it is preferable to use an acrylic resin having the above mechanical properties or polybutylene terephthalate (PBT). As the acrylic resin, it is preferable to use a polymethacrylate resin.
[0015]
In the present invention, the substrate is preferably used as a formed substrate film. The film forming method of the substrate can be performed by any conventionally used film forming method. For example, calendar film formation, casting film formation, inflation extrusion, T-die extrusion and the like can be suitably used.
[0016]
The thickness of the substrate thus obtained is usually about 10 to 300 μm, preferably about 30 to 200 μm. The substrate may be either a single layer or a multilayer, and may be a blend substrate obtained by dry blending the two or more kinds of polymers. In the case of a multilayer film, it can be produced by a conventional film laminating method such as a co-extrusion method or a dry laminating method, using the polymer or the like. Moreover, a base film may be used without extending | stretching and you may give a uniaxial or biaxial stretching process as needed. The surface of the substrate film thus formed is subjected to conventional physical or chemical treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment, and crosslinking treatment (chemical crosslinking (silane)) as necessary. Can be applied.
[0017]
(Description of adhesive layer)
Any pressure-sensitive adhesive can be used for forming the pressure-sensitive adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive is not limited at all, but various pressure-sensitive adhesives such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, and polyvinyl ether-based are used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoint of adhesion to a semiconductor wafer.
[0018]
Examples of the acrylic polymer include a copolymer of a (meth) acrylic acid alkyl ester or a copolymerizable monomer with a (meth) acrylic acid alkyl ester for the purpose of modifying cohesion, heat resistance, etc., if necessary. The copolymer used is used. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning. Examples of the alkyl ester of (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl ester, ethyl ester, butyl ester, 2-ethylhexyl ester, octyl ester, and isononyl ester. Examples of the copolymerizable monomer include hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid (for example, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) acrylic acid, itaconic acid, Maleic anhydride, (meth) acrylamide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl ester (eg, dimethylaminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl methacrylate, etc.), vinyl acetate, styrene And acrylonitrile. These copolymerizable monomers can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary.
[0019]
The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. The pressure-sensitive adhesive layer preferably has a low content of low molecular weight substances from the viewpoint of preventing contamination of semiconductor wafers and the like. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.
[0020]
In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer as a base polymer, a crosslinking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine resins, urea resins, anhydrous compounds, polyamines, and carboxyl group-containing polymers. When using a cross-linking agent, it is generally preferable to use about 0.01 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
In addition to the above-described components, the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer may contain various conventionally used additives such as tackifiers, anti-aging agents, fillers, anti-aging agents, and coloring agents. It can be included.
[0021]
The pressure-sensitive adhesive can be a radiation curable pressure-sensitive adhesive or a heat-foaming pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, or the like. Furthermore, the pressure-sensitive adhesive may be a pressure-sensitive adhesive that can be used for dicing and die bonding. In the present invention, it is preferable to use a radiation curable pressure sensitive adhesive, particularly an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive. In addition, when using a radiation-curing-type adhesive as an adhesive, since the radiation is irradiated to an adhesive layer before or after a dicing process, what has sufficient radiation transparency for the said base material is preferable.
[0022]
As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure sensitive adhesive include a radiation curable pressure sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure sensitive adhesive. Examples of general pressure-sensitive adhesives include pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives such as the acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber-based pressure-sensitive adhesives.
[0023]
Examples of the radiation curable monomer component and oligomer component to be blended include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol ( Esterified product of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohol such as (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc .; ester acrylate oligomer; 2-propenyl-di-3-butyl Examples include isocyanurates such as tenyl cyanurate and tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, or isocyanurate compounds. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive. .
Moreover, as a radiation curable adhesive, what has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain or a principal chain, or the principal chain terminal can also be used as a base polymer. As such a base polymer, an acrylic polymer having a basic skeleton is preferable. In this case, it is not necessary to add a radiation curable monomer component or oligomer component, and its use is optional.
[0024]
The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether; fragrances such as benzyl, benzoin, benzophenone, and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone. Aromatic ketones such as benzyldimethyl ketal; thioxanthones such as polyvinylbenzophenone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone. The compounding quantity of a photoinitiator is 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive, Preferably it is about 0.5-5 weight part.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 3 to 50 μm.
[0025]
【Example】
For each substrate (thickness 70 μm or 100 μm, A4 size) in Table 1, an adhesive was applied to the surface of the substrate so as to have a thickness of 10 μm after drying, and an adhesive tape was prepared. The pressure-sensitive adhesive used here was 100 parts by mass of an acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer composed of 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, 2-hydroxylethyl acrylate, weight average molecular weight 200,000, glass transition point = −35 ° C.). 3 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), 10 parts by mass of tetramethylolmethane tetraacrylate as a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, and α-hydroxycyclohexylphenyl as a photopolymerization initiator 1 part by weight of ketone was added and mixed to obtain.
[0026]
As the base material shown in Table 1, the following materials were used.
Example 1: PBT
Made by Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd., Novaduran 5510S (trade name) by extrusion molding. Thickness is 100 μm.
Example 2: Acrylic A
Kuraray, Parapet SA (trade name). Thickness is 100 μm.
Example 3: Ionomer A
Made by Mitsui DuPont and processed by Hi-Millan 1706 (trade name). Thickness is 100 μm.
Example 4: Soft PET (polyethylene terephthalate)
Made by Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd., Diafoil (trade name) soft C type. The thickness is 70 μm.
Comparative Example 1: Ionomer B
Made by Mitsui DuPont and processed by Hi-Millan AM7315 (trade name) by extrusion molding. Thickness is 100 μm.
Comparative Example 2: PP (polypropylene)
Pyrene film P1147 (trade name) manufactured by Toyobo. Thickness is 100 μm.
Comparative Example 3: PP and elastomer blend (elastomer 20 wt%)
PP: Nippon Polychem, X-1804 (trade name), Elastomer: JSR, DYNARON 4600P (trade name). Thickness is 100 μm.
Comparative Example 4: Multi-layer product PP (30 μm) / EVA (40 μm) / PP (30 μm) (polypropylene / ethylene vinyl acetate / polypropylene)
PP: Nippon Polychem, X-1804 (trade name), EVA: Tosoh, Ultrasen 543 (trade name). Thickness is 100 μm.
Comparative Example 5: Blend of HDPE and elastomer (elastomer 20 wt%)
HDPE: manufactured by Tosoh, Nipolon Hard 4010 (trade name), elastomer: manufactured by JSR, DYNARON 4600P (trade name). Thickness is 100 μm.
[0027]
In addition, the Young's modulus shown in Table 1 was measured using the base material before coating the pressure-sensitive adhesive layer under the tensile test conditions in the description of the Young's modulus.
In addition, the maximum modulus value is measured under the tensile test conditions in the description of the modulus value using the base material before the adhesive layer is applied.
[0028]
A 5-inch bare wafer (thickness: 100 μm) was bonded to the adhesive tapes of Examples and Comparative Examples, and dicing was performed under the following dicing conditions.
(Dicing conditions)
Dicing machine: DAD-340 (trade name) manufactured by DISCO
Rotating round blade: NBC-ZH2050-27HEDD (trade name) manufactured by DISCO
Rotating round blade Rotation speed: 40,000rpm
Cutting speed: 100 mm / s
Cutting water flow rate: 20 ml / s
Dicing size: Cutting depth of rotating round blade in 5 mm square adhesive tape: 30 μm
[0029]
About the adhesive tape of an Example and a comparative example, the result of the following evaluation (I-III) is combined with Table 1, and is shown.
(I) After chipping dicing, 50 chips are randomly picked up from one wafer, the maximum chipping value on each side of the chip back surface (adhesive surface) is measured with a microscope (× 100 to 200), and the average of all values Was calculated.
In the evaluation of chipping property in Table 1, ◯ indicates that the average value is less than 40 μm, and x indicates that the average value is 40 μm or more.
(II) A 6-inch wafer (thickness: 100 μm) was mounted on a pick-up adhesive tape, and dicing was performed under the above dicing conditions. After UV irradiation (500 mJ / m 2 ), pull down the fixing ring by 10 mm with a die bonder (CPS-100FM (trade name) manufactured by NEC Machinery), push it up with a needle, pick up the chip with a vacuum pyramid collet, and pick up mistake The presence or absence was confirmed.
The pick-up property in Table 1 indicates that no pick-up error occurred in picking up 100 chips, and x means that even one pick-up error occurred in picking up 100 chips.
(III) A 6-inch wafer (thickness: 100 μm) was mounted on an expandable adhesive tape, and dicing was performed under the above dicing conditions. After ultraviolet irradiation (500 mJ / m 2 ), the tape was pulled down by 10 mm with a die bonder (CPS-100FM (trade name) manufactured by NEC Machinery), and it was visually confirmed whether or not the expanded tape was sufficiently expanded.
The expandability in Table 1 indicates that ◯ is sufficiently expanded, and x indicates that necking occurred and was not fully expanded.
[0030]
[Table 1]
As can be seen from above Symbol Table 1, the adhesive tape Young's modulus of 164 ~ 773 MPa, the chipping resistance is good, it can be seen that excellent pickup property.
Further, the maximum modulus value is 12 to 19 MP a for definitive elongation 0-10%, in the adhesive tapes of Examples 1 to 4 the maximum modulus value definitive 10-20% elongation is in the range of 15 ~ 18.5 MPa The expandability is also excellent.
[0032]
【The invention's effect】
With the adhesive tape for fixing a semiconductor wafer of the present invention, chipping can be prevented and pickup can be performed satisfactorily when dicing a thin wafer. Moreover, the adhesive tape for semiconductor wafer fixation of this invention has a simple base-material structure, and can manufacture an adhesive tape single-piece | unit at low cost.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003016101A JP4413499B2 (en) | 2003-01-24 | 2003-01-24 | Adhesive tape for fixing semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003016101A JP4413499B2 (en) | 2003-01-24 | 2003-01-24 | Adhesive tape for fixing semiconductor wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228420A JP2004228420A (en) | 2004-08-12 |
| JP4413499B2 true JP4413499B2 (en) | 2010-02-10 |
Family
ID=32903665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003016101A Expired - Lifetime JP4413499B2 (en) | 2003-01-24 | 2003-01-24 | Adhesive tape for fixing semiconductor wafers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4413499B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015072997A (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for processing electronic component and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4549239B2 (en) * | 2005-06-22 | 2010-09-22 | 日東電工株式会社 | Dicing adhesive sheet |
| JP4748518B2 (en) * | 2005-07-20 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | Dicing die bond tape and dicing tape |
| JP2007109808A (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for semiconductor wafer dicing die bond |
| JP4927393B2 (en) * | 2005-11-30 | 2012-05-09 | 古河電気工業株式会社 | Dicing tape |
| JP2007277282A (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nitto Denko Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafer |
| JP5193440B2 (en) * | 2006-06-27 | 2013-05-08 | 電気化学工業株式会社 | Multilayer adhesive sheet and method of manufacturing electronic component using the same |
| JP5026832B2 (en) * | 2007-03-22 | 2012-09-19 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive tape for semiconductor device processing |
| JP2009164556A (en) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Tape for processing wafer |
| JP2010232611A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Wafer processing tape |
| JP5603757B2 (en) * | 2009-12-04 | 2014-10-08 | リンテック株式会社 | Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5803123B2 (en) * | 2011-02-08 | 2015-11-04 | 日立化成株式会社 | Adhesive sheet for semiconductor, semiconductor wafer using the same, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6018730B2 (en) * | 2011-03-14 | 2016-11-02 | リンテック株式会社 | Dicing sheet and semiconductor chip manufacturing method |
| KR101742647B1 (en) * | 2011-12-26 | 2017-06-01 | 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤 | Substrate for stealth dicing film, film for stealth dicing, and method for manufacturing electronic component |
| JP7041476B2 (en) * | 2017-07-04 | 2022-03-24 | 日東電工株式会社 | Dicing tape and dicing die bond film |
| JP7105120B2 (en) * | 2017-07-04 | 2022-07-22 | 日東電工株式会社 | Dicing tape, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method |
-
2003
- 2003-01-24 JP JP2003016101A patent/JP4413499B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015072997A (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for processing electronic component and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004228420A (en) | 2004-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101420903B1 (en) | Dicing die-bonding film | |
| JP4443962B2 (en) | Dicing die bond film | |
| JP4413499B2 (en) | Adhesive tape for fixing semiconductor wafers | |
| JP4837490B2 (en) | Adhesive sheet for processing | |
| JP4369584B2 (en) | Adhesive sheet for semiconductor wafer holding protection | |
| CN1884412B (en) | Adhesive sheet for use in cutting | |
| JP4993446B2 (en) | Wafer holding adhesive sheet | |
| KR101370687B1 (en) | Dicing die-bonding film | |
| KR101029235B1 (en) | Adhesive sheet for dicing and dicing method | |
| JP4417460B2 (en) | Semiconductor wafer protective adhesive sheet and semiconductor wafer grinding method | |
| JP4674836B2 (en) | Dicing adhesive sheet | |
| JP4518535B2 (en) | Dicing adhesive sheet, dicing adhesive sheet, semiconductor element manufacturing method, semiconductor element | |
| JP4947564B2 (en) | Adhesive sheet for semiconductor wafer processing | |
| JP2008045091A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for processing | |
| JP4531355B2 (en) | Dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor element | |
| JP4689075B2 (en) | Protective sheet for semiconductor wafer processing | |
| JP4623694B2 (en) | Dicing adhesive sheet | |
| JP2003142433A (en) | Dicing adhesive sheet and dicing method | |
| JP6001964B2 (en) | Semiconductor processing sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2003096412A (en) | Adhesive sheet for dicing of semiconductor part and method for producing semiconductor part | |
| JP2005116920A (en) | Adhesive sheet for semiconductor processing and method for processing semiconductor | |
| JP2004119780A (en) | Working method of semiconductor wafer | |
| JP2008028026A (en) | Dicing adhesive tape or sheet, workpiece dicing method, and workpiece cut piece pickup method | |
| JP2010225753A (en) | Dicing tape | |
| JP2006188607A (en) | Removable adhesive sheet |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050801 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080623 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091118 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4413499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131127 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |