JP4400593B2 - 電気光学装置、その駆動方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、データ信号をサンプリングしたときに生じる表示品位の低下を目立たなくす
る技術に関する。

一般に、アクティブマトリクス型の電気光学装置において、いわゆる点順次方式で画素
をスキャンする構成では、画面の左右において画素への充電期間や配線抵抗等が異なるな
ど理由により、表示ムラが発生しやすい。そこで、水平走査方向を順方向と逆方向とで一
定周期毎に切り替える技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２０００−２９４３３号公報

しかしながら、このような点順次方式では、水平走査方向を、例えば水平走査期間毎に
順方向と逆方向とで交互に切り替えると、左右の明るさが異なる行が１行毎に現れるので
、横縞として表示されやすいばかりでなく、この点順次方式では、表示画像の高精細化に
対応できない、という問題も顕在化している。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、画面に表
示ムラを抑えるとともに、高精細な表示が可能な電気光学装置、その駆動方法および電子
機器を提供することにある。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、複数行の走査線と、ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にブロック化された複数列のデータ線と、各々が、前記走査線に所定の選択電圧が印加されたときの、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる複数の画素と、１フレームを分けた第１および第２フィールドのそれぞれにおいて、前記複数行の走査線を所定の順番で選択するとともに、当該選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路によって１行の走査線が選択される期間にわたって、前記ブロックを右または左方向のいずれかに向かって順番で選択するブロック選択回路と、前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線に階調に応じたデータ信号をそれぞれサンプリングするサンプリング回路と、前記第１フィールドにおいて一の走査線が選択されるときに、前記ブロック選択回路によるブロックの選択方向を右または左方向のいずれか一方とし、前記第２フィールドにおいて同一の走査線が選択されるときに、前記ブロックの選択方向を右または左方向のいずれか他方とするように制御する制御回路と、を具備し、前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走査線に沿って第１および第２領域に分割され、前記走査線駆動回路は、前記第１および第２フィールドの各々において、前記第１および第２領域に属する走査線を交互に選択するとともに、前記第１および第２領域でそれぞれ上または下方向のいずれかに向かって走査線を選択し、前記データ信号は、前記第１フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線が選択されたときには、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧となり、前記第２領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧となる一方、前記第２フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧となり、前記第２領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧となり、前記ブロック選択回路は、前記複数行の走査線のうち第一の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を右方向とし、前記第一の走査線に続いて第二の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を左方向とし、前記第二の走査線に続いて第三の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を左方向とし、前記第三の走査線に続いて第四の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を右方向とする動作を繰り返すことを特徴とする。
なお、本発明において、ブロックの選択方向である左または右方向とは、走査線の一端側と他端側とを区別するための便宜的なものに過ぎない。

本発明において、走査線の選択方向である上または下方向とは、データ線の一端側と他端側とを区別するための便宜的なものに過ぎない。
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法としても、さらには、
当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る電気光学
装置の全体構成を示すブロック図である。この図に示されるように、電気光学装置１は、
表示パネル１０と制御回路２０と処理回路３０とに大別される。このうち、制御回路２０
と処理回路３０とは、表示パネル１０と別体の回路モジュールであり、表示パネル１０と
は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板によって接続される。
制御回路２０は、外部上位回路（図示省略）から供給される垂直同期信号Ｖs、水平同
期信号Ｈsおよびドットクロック信号Ｄclkにしたがって各部を制御するものである。

一方、処理回路３０は、さらに、記憶回路３１０、Ｓ／Ｐ変換回路３２０、Ｄ／Ａ変換
回路群３３０、正転・反転回路３４０、プリチャージ電圧生成回路３５０およびセレクタ
３６０に分けられる。
このうち、記憶回路３１０は、垂直同期信号Ｖs、水平同期信号Ｈsおよびドットクロッ
ク信号Ｄclkに同期して供給される表示データＶid-aを制御回路２０の指示にしたがって
一旦格納した後、同指示にしたがって読み出し、表示データＶid-bとして出力するもので
ある。ここで、表示データＶid-a（Ｖid-b）は、画素の階調（明るさ）を指定するディジ
タルデータである。
Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、記憶回路３１０から読み出された表示データＶid-bを、制御
回路２０による指示にしたがって、時間軸方向に対し６倍に伸長（相展開、シリアル−パ
ラレル変換ともいう）するとともに、同指示にしたがってチャネルｃｈ１〜ｃｈ６に分配
して表示データＶd1d〜Ｖd6dとして出力するものである。

Ｄ／Ａ変換回路群３３０は、チャネル毎に設けられたＤ／Ａ変換器の集合体であって、
表示データＶd1d〜Ｖd6dを、階調値に応じたアナログ電圧に変換するものである。なお、
本実施形態では、表示データＶid-bを相展開した後にアナログ変換する構成とするが、ア
ナログ変換した後に相展開しても良いのはもちろんである。

正転・反転回路３４０は、Ｄ／Ａ変換された６チャネルのアナログ信号を、制御回路２
０によって正極性が指示されていれば、当該アナログ信号の電圧を、電圧Ｖcを基準とし
て高位側電圧に変換（正転）する一方、負極性が指示されていれば、電圧Ｖcを基準とし
て低位側電圧に変換（反転）して、それぞれアナログ信号Ｖd1〜Ｖd6として出力するもの
である。
なお、正転・反転回路３４０によりデータ信号の極性を正転・反転する理由は、画素を
交流駆動するためである。また、電圧Ｖcは、データ信号の振幅中心電位であり、画素へ
の書込極性の基準であって、電源電圧（Ｖdd−Ｇnd）のほぼ中間電圧である（後述する図
９等参照）。換言すれば、本実施形態では、データ信号について限っていえば、電圧Ｖc
よりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。一方、電圧については、特に説
明のない限り、電源の接地電位Ｇndを基準とする。

一方、プリチャージ電圧生成回路３５０は、データ線をプリチャージするためのプリチ
ャージ信号Ｖpreを、書込極性に応じた電圧となるように生成するものである。セレクタ
３６０は、チャネルｃｈ１〜ｃｈ６毎に設けられた双投型スイッチの集合体であり、信号
ＮrgがＬレベルであるとき、Ｓ／Ｐ変換回路３２０によるアナログ信号を選択する一方、
信号ＮrgがＨレベルであるときプリチャージ電圧生成回路３５０によるプリチャージ信号
Ｖpreを選択して、選択した信号をデータ信号Ｖid1〜Ｖid6として表示パネル１０に供給
する。ここで、信号Ｎrgは、表示パネル１０に対する走査制御にしたがって制御回路２０
から供給され、その論理レベルがＨレベルであれば、データ線に対するプリチャージを指
定する。
なお、本実施形態では、１フレームを２フィールドに分割し、各フィールドにおいて表
示領域１００の各画素を駆動する。ここで、１フレームとは、１枚（フレーム）分の画像
を表示するのに要する期間であり、一般的には約１６．７ミリ秒（垂直同期信号Ｖsの周
波数６０Ｈｚである場合、その逆数）である。また、１フレームにおける２つのフィール
ドを区別するために、時間的に前方のものを「第１フィールド」とし、後方のものを「第
２フィールド」とする。

次に、表示パネル１０の構成について説明する。図２は、この表示パネル１０の構成を
示すブロック図である。
この図に示されるように、表示パネル１０の表示領域１００においては、８６４行の走
査線１１２が図においてＸ（水平）方向に延在する一方、１１５２列のデータ線１１４が
図においてＹ（垂直）方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１
１４との交差部に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本
実施形態において、画素１１０は、表示領域１００において縦８６４行×横１１５２列の
マトリクス状に配列することになる。
なお、本実施形態において表示領域１００は、１行目から４３２行目までの上領域（第
１領域）と、４３３行目から８６４行目までの下領域（第２領域）との２つに分けられて
いる。また、本実施形態において、１１５２列のデータ線１１４は、図において左から順
番に６列毎にブロック化されている。そこで説明の便宜上、１、２、３、…、１９２番目
のブロックを、それぞれＢ１、Ｂ２、Ｂ３、…、Ｂ１９２と表記している。

図３は、表示パネル１０における画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行および
これに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列およびこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応
する２×２の計４画素分の構成を示している。ここで、ｉ、（ｉ＋１）とは、画素１１０
が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上８６４以下の整数であり、ｊ、
（ｊ＋１）とは、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上１
１５２以下の整数である。なお、ｉについては、後述するように、上領域の１〜４３２に
限定する場合がある。

図３に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と液晶容量１２０とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代
表させて説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるＴＦＴ１１６のゲート（電極）
はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース（電極）はｊ列目のデータ線１１
４に接続され、そのドレイン（電極）は液晶容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続
されている。また、液晶容量１２０の他端は、コモン電極１０８である。このコモン電極
１０８は、全ての画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保
たれている。

表示パネル１０は、特に図示しないが、走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１
６、画素電極１１８などが形成された素子基板と、コモン電極１０８が形成された対向基
板とを一定の間隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるととも
に、この間隙に液晶が封止された構成となっている。このため、本実施形態において液晶
容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが液晶１０５を挟持することによっ
て構成される。
なお、本実施形態では説明の便宜上、液晶容量１２０において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、液晶容量を通過する光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電
圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表
示になるノーマリーホワイトモードに設定されている。

このような画素１１０において、走査線１１２に選択電圧を印加して、ＴＦＴ１１６を
オン（導通）させるとともに、画素電極１１８に、データ線１１４およびオン状態のＴＦ
Ｔ１１６を介して、階調（明るさ）に応じた電圧を印加することにより、当該液晶容量１
２０に、階調に応じた電圧を保持させることができる。
なお、走査線１１２が非選択電圧になると、ＴＦＴ１１６がオフ（非導通）状態となる
が、このときのオフ抵抗が理想的に無限大とはならないので、液晶容量１２０から電荷が
少なからずリークする。このオフリークの影響を少なくするために、蓄積容量１０９が画
素毎に形成されている。この蓄積容量１０９の一端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６の
ドレイン）に接続される一方、その他端は、全画素にわたって容量線１０７に共通接続さ
れている。この容量線１０７は、時間的に一定の電位、例えばコモン電極１０８の印加電
圧ＬＣcomに保たれている。

画素１１０が配列する表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１３０や、ブロック
選択回路１４０、サンプリング回路１５０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１３０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレー
ムにおいて８６４行の走査線を次のような順番で選択するとともに、当該選択に応じた走
査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４を、それぞれ１、２、３、…、８６４行目の走査
線１１２に供給するものである。すなわち、走査線駆動回路１３０は、第１フィールドで
は、下、上、下、上、…の領域を交互に、第２フィールドでは、上、下、上、下、…の領
域を交互に、いずれのフィールドにおいて、各領域を上から下方向に向かって順番に排他
的に１行ずつ選択する。このため、本実施形態において、各走査線１１２は、第１および
第２フィールドでそれぞれ１回ずつ、１フレームにおいて計２回選択されることになる。
図５は、このような走査線が順番で選択される場合に、走査線駆動回路１３０による走
査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４の波形を示す図であり、期間０．５Ｈで選択され
た走査線に対し、当該期間０．５Ｈよりも狭められた期間に選択電圧Ｖddに相当するＨレ
ベルとなり、それ以外の走査信号が非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとな
っている状態を示している。

なお、実際には、走査線駆動回路１３０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyに
したがって順次転送したシフト信号のパルス幅を、イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2のいずれ
かに狭めることによって、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、…、Ｇ８６４を出力するが
、詳細な構成については、例えば特開２００４−１７７９３０号公報などに記載されてい
るので、これ以上の説明は省略することにする。

次に、ブロック選択回路１４０は、スタートパルスＤxを転送方向指示信号Ｄirで指定
された方向に、クロック信号Ｃlxにしたがって転送することにより、いずれかの走査線に
選択電圧が印加される期間にわたって互いに排他的にＨレベルとなるシフト信号Ｓ１、Ｓ
２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ１９２を、ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、…、Ｂ１９１、Ｂ１
９２にそれぞれ対応して出力するものである。詳細には、ブロック選択回路１４０は、転
送方向指示信号ＤirがＨレベルとなって右方向転送が指定されている場合には、シフト信
号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ１９２の順番でＨレベルとし、転送方向指示信号
ＤirがＬレベルとなって左方向転送が指定されている場合には、シフト信号Ｓ１９２、Ｓ
１９１、…、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１の順番でＨレベルとする。ここで、各ブロックは、自身に
対応するシフト信号がＨレベルとなったときに選択状態となる。
ＯＲ回路１４２は、ブロック毎に設けられ、自身のブロックに対応して出力されたシフ
ト信号と、プリチャージを指定する信号Ｎrgとの論理和信号を求めて、次に説明するサン
プリング回路１５０のサンプリング信号として出力する。

サンプリング回路１５０は、データ線１１４の各々に対応して設けられ、サンプリング
スイッチとして機能するＴＦＴ１５１の集合体である。
ここで、ＴＦＴ１５１のドレインは、データ線１１４の一端に接続されている。また、
同一ブロックに属する６列のデータ線１１４に対応したＴＦＴ１５１のゲートには、当該
ブロックに対応するサンプリング信号が共通に供給される。例えば、ブロックＢ２に属す
る７〜１２列目のデータ線１１４に対応する６個のＴＦＴ１５１のゲートには、当該ブロ
ックＢ２に対応するサンプリング信号、すなわち当該ブロックＢ２に対応するＯＲ回路１
４２の論理和信号が共通に供給される。

一方、表示パネル１０では、処理回路３０によるデータ信号Ｖid1〜Ｖid6が６本の画像
信号線１７１に供給される。そして、これら６本の画像信号線１７１には、ＴＦＴ１５１
のソースが次に説明するように接続されている。
すなわち、図２において左から数えてｊ列目のデータ線１１４の一端にドレインが接続
されたＴＦＴ１５１のソースは、ｊを６で割った余りが「１」であるならば、データ信号
Ｖid1が供給される画像信号線１７１に接続され、同様に、ｊを６で割った余りが「２」
、「３」、「４」、「５」、「０」であるデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ
１５１のソースは、データ信号Ｖid2、Ｖid3、Ｖid4、Ｖid5、Ｖid6が供給される画像信
号線１７１にそれぞれ接続されている。
例えば、図２において１１列目のデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ１５１
のソースは、「１１」を６で割った余りが「５」であるから、データ信号Ｖid5が供給さ
れる画像信号線１７１に接続される。

次に、本実施形態に係る電気光学装置１の動作について説明する。
まず、表示データＶid-aが、外部上位回路から、図４に示されるように１フレームの期
間にわたって１行１列〜１行１１５２列、２行１列〜２行１１５２列、３行１列〜３行１
１５２列、…、８６４行１列〜８６４行１１５２列、という画素の順番で供給される。こ
のとき、１フレームの期間が垂直同期信号Ｖsで規定され、水平走査期間が水平同期信号
Ｈsで規定され、１画素分の表示データの供給期間がドットクロックＤclkの１周期で規定
される。
まず、表示データＶid-aが、外部上位回路から、図４に示されるように１フレームの期
間にわたって１行１列〜１行１１５２列、２行１列〜２行１１５２列、３行１列〜３行１
１５２列、…、８６４行１列〜８６４行１１５２列、という画素の順番で供給される。こ
のとき、１フレームの期間が垂直同期信号Ｖsで規定され、水平走査期間が水平同期信号
Ｈsで規定され、１画素分の表示データの供給期間がドットクロックＤclkの１周期で規定
される。
表示データＶid-aは、記憶回路３１０に一旦格納される。ここで、表示データＶid-aの
１行分が記憶回路３１０に格納されると、格納速度の２倍の速度で読み出されるとともに
、１／２フレームの期間経過後、再び２倍の速度で読み出される。１行分の表示データを
２倍の速度で読み出すと、水平走査期間（１Ｈ）の半分の期間（０．５Ｈ）で読み出しが
完了するので、その残りの期間（０．５Ｈ）が空くことになるが、本実施形態では、この
期間（０．５Ｈ）において、１／２フレーム経過した表示データを、２倍の速度で再び読
み出す構成となっている。

このため、本実施形態では、表示データＶid-bは、図４に示されるように、（４３３）
、１、（４３４）、２、（４３５）、３、…、（８６４）、４３２、（１）、４３３、（
２）、４３４、…、（４３２）、８６４行目という順番で読み出される。
本実施形態では、（４３３）、１、（４３４）、２、（４３５）、３、…、（８６４）
、４３２行目の表示データＶid-bが読み出される期間を前述した第１フィールドに設定し
（１）、４３３、（２）、４３４、…、（４３２）、８６４行目の表示データＶid-bが読
み出される期間を第２フィールドに設定している。
また、括弧の（ ）で付した行目が、２度目の読み出しである。詳細には、第１フィー
ルドにおいて読み出される行のうち、下領域に属する（４３３）、（４３４）、（４３５
）、…、（８６４）行目の表示データＶid-bは、前のフレームの第２フィールドにおいて
読み出されたものが、再度読み出されたものであり、第２フィールドにおいて読み出され
る行のうち、上領域に属する（１）、（２）、（３）、…、（４３２）行目の表示データ
Ｖid-bは、第１フィールドにおいて読み出されたものが、再度読み出されたものである。

一方、制御回路２０は、記憶回路３１０から読み出す表示データＶid-bの行と一致する
ように、走査線駆動回路１３０を制御する。例えば、制御回路２０は、表示データＶid-b
を、第１フィールドにおいて（４３３）行目の表示データＶid-bを読み出す期間において
、走査信号Ｇ４３３がＨレベルとなるように制御し、１行目の表示データＶid-bを読み出
す期間において、走査信号Ｇ１がＨレベルとなるように制御する。また、例えば、制御回
路２０は、表示データＶid-bを、第２フィールドにおいて（２）行目の表示データＶid-b
を読み出す期間において、走査信号Ｇ２がＨレベルとなるように制御し、４３４行目の表
示データＶid-bを読み出す期間において、走査信号Ｇ４３４がＨレベルとなるように制御
する。

なお、本実施形態において、読み出された表示データＶid-bで規定される（すなわち、
表示パネル１０を走査するときの）フレームの期間および水平走査期間は、外部上位回路
から供給される表示データＶid-aで規定されるフレームの期間および水平走査期間よりも
０．５Ｈだけ遅延した関係となるが、本実施形態においては、表示パネル１０の走査につ
いて説明するために、特に断りのない限り、読み出した表示データＶid-bで規定される期
間を基準にしている。

本実施形態では、第１および第２フィールドにおいて、表示データＶid-bが上述した行
の順番で記憶回路３１０から２倍速で読み出される。ただし、読み出される列の順番は、
本実施形態では、格納方向である１〜１１５２列の順番である場合もあれば、そうでない
場合もある。すなわち、転送方向（ブロックの選択方向）については、図６に示されるよ
うに第１および第２フィールドにおいて行毎に規定される。
詳細には、上領域に属する走査線１１２を一般的にｉ行目とした場合（したがって、こ
こではｉは、１≦ｉ≦４３２を満たす整数となる）、第１フィールドでは、上領域のｉ行
目の走査線が選択される前に、下領域の（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択されることに
なるが、ｉが奇数（１、３、５、…、４３１）である場合に、下領域の（ｉ＋４３２）行
目の走査線が選択されたときには右方向転送が指定され、上領域のｉ行目の走査線が選択
されたときには左方向転送が指定され、ｉが偶数（２、４、６、…、４３２）である場合
に、（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択されたときには左方向転送が指定され、ｉ行目の
走査線が選択されたときには右方向転送が指定される。
一方、第２フィールドでは、上領域のｉ行目の走査線が選択された後に、下領域の（ｉ
＋４３２）行目の走査線が選択されることになるが、ｉが奇数である場合に、上領域のｉ
行目の走査線が選択されたときには右方向転送が指定され、下領域の（ｉ＋４３２）行目
の走査線が選択されたときには左方向転送が指定され、ｉが偶数である場合に、上領域の
ｉ行目の走査線が選択されたときには左方向転送が指定され、（ｉ＋４３２）行目の走査
線が選択されたときには右方向転送が指定される。
このため、１フレームの期間でみたときに、各行のいずれにおいても、右方向転送と左
方向転送とが１回ずつ実行される。さらに、第１および第２フィールドにおいて上および
下領域で個別にみたときに、右方向転送と左方向転送とが交互に指定される。
なお、右方向転送が指定された場合には、格納方向である１〜１１５２列と同じ順番と
なるが、左方向転送が指定された場合には、ブロックＢ１９２、Ｂ１９１、…、Ｂ２、Ｂ
１という順番であって、各ブロックにおいては左から右に向かう方向の順番という変則的
な順番となる（その理由については後述する）。

また、第１および第２フィールドにおいて、制御回路２０は、各行の表示データＶid-b
を読み出したときに、当該表示データＶid-bを相展開処理したデータを、データ信号に変
換するにあたって、正転・反転回路３４０に対し、図６に示されるように書込極性を指定
する。
詳細には、第１フィールドにおいて、下領域の（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択され
たときには負極性書込が指定され、上領域のｉ行目の走査線が選択されたときには正極性
書込が指定される一方、第２フィールドにおいて、上領域のｉ行目の走査線が選択された
ときには負極性書込が指定され、下領域の（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択されたとき
には負性書込が指定される。このため、各行のいずれにおいても、正極性書込と負極性書
込とが実行されることになる。

結局、図６に示されるように、第１フィールドにおいては、ｉが奇数である場合に、下
領域の（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択されたときには右方向転送および負極性書込が
指定され、上領域のｉ行目の走査線が選択されたときには左方向転送および正極性書込が
指定されるパターンと、ｉが偶数である場合に、（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択され
たときには左方向転送および負極性書込が指定され、ｉ行目の走査線が選択されたときに
は右方向転送および正極性書込が指定されるパターンとが、交互に現れるので、前者をａ
パターンとし、後者をｂパターンとしている。
同様に、第２フィールドにおいては、ｉが奇数である場合に、上領域のｉ行目の走査線
が選択されたときには右方向転送および負極性書込が指定され、下領域の（ｉ＋４３２）
行目の走査線が選択されたときには左方向転送および正極性書込が指定されるパターンと
、ｉが偶数である場合に、ｉ行目の走査線が選択されたときには左方向転送および負極性
書込が指定され、（ｉ＋４３２）行目の走査線が選択されたときには右方向転送および正
極性書込が指定されるパターンとが、交互に現れるので、前者をｃパターンとし、後者を
ｄパターンとしている。

さて、表示パネル１０の走査を基準とした１フレームの第１フィールドでは、まず、４
３３行目の走査線１１２が選択され、次に１行目の走査線１１２が選択されるので、この
ような選択（すなわち、ａパターン）における動作について説明する。
まず、制御回路２０は、走査信号Ｇ４３３をＨレベルとする有効走査期間Ｈaの前に、
帰線期間Ｈbの一部期間において信号ＮrgをＨレベルとする（図９において、ｉ＝１とし
て走査信号Ｇ４３３とする）。一方、プリチャージ電圧生成回路３０は、プリチャージ信
号Ｖpreを、４３３行目に指定される負極性書込に対応した電圧Ｖb(-)とする。信号Ｎrg
がＨレベルであると、セレクタ３６０はプリチャージ信号Ｖpreを選択するので、６本の
画像信号線１７１には、プリチャージ信号Ｖpreの電圧Ｖb(-)が印加されることになる。
また、信号ＮrgがＨレベルになると、シフト信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ
１９２の論理レベルとは無関係に、ＯＲ回路１４２による論理和信号がすべてＨレベルと
なる。したがって、すべてのＴＦＴ１５１がオンするので、１〜１１５２列目のすべての
データ線１１４が画像信号線１７１に供給されたプリチャージ信号Ｖpr eの電圧であるＶ
b(-)にプリチャージされる。これにより、１〜１１５２列目のすべてのデータ線１１４は
、データ信号の電圧を書き込む前の初期状態が揃えられることになる。なお、ＴＦＴ１５
１がオフになっても、各データ線１１４は、その寄生容量によってプリチャージされた電
圧を保持し続ける。
この後、信号ＮrgがＬレベルになると、セレクタ３６０は正転・反転回路３４０による
データ信号Ｖd1〜Ｖd6を選択する一方、ＴＦＴ１５１のオン／オフは、シフト信号の論理
レベルだけで規定されることになる。

第１フィールドにおいて４３３行目が選択される場合、図６に示されるように右方向転
送および負極性書込が指定される。このため、まず、制御回路２０は転送方向指示信号Ｄ
irをＨレベルとする。このため、図９に示されるように、有効走査期間Ｈaの開始時にお
いて供給されたスタートパルスＤxは、右方向に転送されるので、当該有効走査期間Ｈaに
わたってシフト信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ１９２がこの順番で排他的にＨ
レベルとなる。
また、制御回路２０は、この有効走査期間Ｈaにわたって走査信号Ｇ４３３がＨレベル
となるように走査線駆動回路１３０を制御する。

一方、第１フィールドにおいて４３３行目を選択する場合、制御回路２０は、４３３行
目であって１、２、３、４、…、１１５２列目の画素１１０に対応する表示データＶid-b
をこの順番で、２倍速にて記憶回路３１０から読み出す。
制御回路２０は、読み出した１〜６列目の表示データＶid-bを、図７に示されるように
、シフト信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にあわせて、Ｓ／Ｐ変換回路３２０によって時間
軸方向に６倍に伸長させるとともに、１〜６列目に対応する表示データを、それぞれ表示
データＶd 1〜Ｖd6の順に分配させる。分配された表示データＶd1〜Ｖd6は、それぞれＤ
／Ａ変換回路群３３０によってアナログ信号に変換されるとともに、それぞれ正転・反転
回路３４０によって負極性の信号とされて、データ信号Ｖid1〜Ｖid6として出力される。
これによって、データ信号Ｖid1は、４３３行１列の画素１１０の階調に応じた負極性
電圧となる。同様に、データ信号Ｖid2〜Ｖid6は、それぞれ４３３行２列〜４３３行６列
の画素１１０の階調に応じた負極性電圧となる。

シフト信号Ｓ１がＨレベルであれば、ブロックＢ１に属する１〜６列目に対応するＴＦ
Ｔ１５１がオンするので、１列目のデータ線１１４には４３３行１列の画素１１０の階調
に応じた負極性電圧のデータ信号Ｖid1がサンプリングされ、同様に、２〜６列目のデー
タ線１１４には、４３３行２列〜４３３行６列の画素１１０の階調に応じた負極性電圧の
データ信号Ｖid2〜Ｖid6がサンプリングされる。
走査信号Ｇ４３３がＨレベルであるので、４３３行目の走査線１１２にゲートが接続さ
れたすべてのＴＦＴ１１６がオンである。このため、１列目のデータ線１１４にサンプリ
ングされたデータ信号Ｖid1の電圧は、４３３行目の走査線１１２と１列目のデータ線１
１４との交差に対応する４３３行１列の画素電極１１８に印加されることになる。同様に
２〜６列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖid2〜Ｖid6の電圧につい
ても、それぞれ同様にして４３３行２列〜４３３行６列の画素電極１１８に印加されるこ
とになる。

シフト信号Ｓ１の次にはシフト信号Ｓ２がＨレベルとなる。制御回路２０は、読み出し
た７〜１２列目の表示データＶid-bを、シフト信号Ｓ２がＨレベルとなる期間にあわせて
６倍に伸長させるとともに、７〜１２列目に対応する表示データを、それぞれ表示データ
Ｖd1〜Ｖd6の順に分配させ、負極性の信号に変換して、データ信号Ｖid1〜Ｖid6として出
力させる。
シフト信号Ｓ２がＨレベルであれば、ブロックＢ２に属する７〜１２列目に対応するＴ
ＦＴ１５１がオンするので、７列目のデータ線１１４には４３３行７列の画素１１０の階
調に応じた負極性電圧のデータ信号Ｖid1がサンプリングされ、同様に、８〜１２列目の
データ線１１４には、４３３行８列〜４３３行１２列の画素１１０の階調に応じた負極性
電圧のデータ信号Ｖid2〜Ｖid6がサンプリングされる。
走査信号Ｇ４３３は依然Ｈレベルであるので、７列目のデータ線１１４にサンプリング
されたデータ信号Ｖid1の電圧は、４３３行７列の画素電極１１８に印加されることにな
る。同様に７〜１２列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖid2〜Ｖid6
の電圧についても、それぞれ同様にして４３３行７列〜４３３行１２列の画素電極１１８
に印加されることになる。

第１フィールドにおいて４３３行目が選択される期間では、以下同様な動作が、シフト
信号Ｓ１９２がＨレベルとなるまで実行され、これにより４３３行１列〜４３３行１１５
２列の画素電極１１８には、それぞれ階調に応じた負極性電圧が印加されることになる。

第１フィールドにおいて４３３行目の次には、１行目の走査線が選択される。１行目の
走査線が選択される場合、図６に示されるように左方向転送および正極性書込が指定され
るので、制御回路２０は転送方向指示信号ＤirをＬレベルとする。このため、図９（ｉ＝
１として走査信号Ｇ１とする）に示されるように、有効走査期間Ｈaの開始時において供
給されたスタートパルスＤxは、左方向に転送されるので、当該有効走査期間Ｈaにわたっ
てシフト信号Ｓ１９２、Ｓ１９１、…、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１がこの順番で排他的にＨレベル
となる。また、制御回路２０は、この有効走査期間Ｈaにわたって走査信号Ｇ１がＨレベ
ルとなるように走査線駆動回路１３０を制御する。

第１フィールドにおいて１行目を選択する場合、制御回路２０は、１行目であってブロ
ックＢ１９２、Ｂ１９１、…、Ｂ３、Ｂ２、Ｂ２の各６列について、左から右方向に向か
う方向の順番で、すなわち、図８に示されるように、１１４７〜１１５２列、１１４１〜
１１４６列、…、１３〜１８列、７〜１２列、１〜６列の画素１１０に対応する表示デー
タＶid-bをこの順番で、２倍速にて記憶回路３１０から読み出す。
まず、制御回路２０は、読み出した１１４７〜１１５２列目の表示データＶid-bを、図
８に示されるように、シフト信号Ｓ１９２がＨレベルとなる期間にあわせて時間軸方向に
６倍に伸長させるとともに、１１４７〜１１５２列目に対応する表示データを、それぞれ
表示データＶd1〜Ｖd6の順に分配させる。分配された表示データＶd1〜Ｖd6は、それぞれ
アナログ信号に変換されるとともに、それぞれ正転・反転回路３４０によって正極性の信
号とされて、データ信号Ｖid1〜Ｖid6として出力される。
これによって、データ信号Ｖid1は、１行１１４７列の画素１１０の階調に応じた正極
性電圧となる。同様に、データ信号Ｖid2〜Ｖid6は、それぞれ１行１１４８列〜１行１１
５２列の画素１１０の階調に応じた正極性電圧となる。
第１フィールドにおいて１行目が選択される期間では、以下同様な動作がシフト信号Ｓ
１９１、…、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１がＨレベルとなるまで実行され、これにより１行１１５２
列〜１行１列の画素電極１１８には、階調に応じた正極性電圧が印加されることになる。

このように第１フィールドにおいて４３３、１行目が選択されると、今度は、４３４行
目が選択され、次に２行目が選択されるので、この選択（すなわち、ｂパターン）の動作
について説明する。
４３４行目の走査線が選択される場合、図６に示されるように左方向転送および負極性
書込が指定されるので、制御回路２０は転送方向指示信号ＤirをＬレベルに維持する。こ
のため、図１０（ｉ＝２として走査信号Ｇ４３４とする）に示されるように、有効走査期
間Ｈaにわたってシフト信号Ｓ１９２、Ｓ１９１、…、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１がこの順番で排
他的にＨレベルとなるので、先の１行目の書込動作とは書込極性が負極性となる以外共通
である。したがって、第１フィールドにおいて４３３行目が選択される期間では、シフト
信号Ｓ１９２、Ｓ１９１、…、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１がＨレベルとなることにより、４３４行
１１５２列〜４３４行１列の画素電極１１８には、階調に応じた負極性電圧が印加される
ことになる。

第１フィールドにおいて４３４行目の次には、２行目が選択される。この２行目の走査
線が選択される場合、図６に示されるように右方向転送および正極性書込が指定されるの
で、制御回路２０は転送方向指示信号ＤirをＨレベルに反転する。このため、図１０（ｉ
＝２として走査信号Ｇ２とする）に示されるように、有効走査期間Ｈaにわたってシフト
信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ１９２がこの順番で排他的にＨレベルとなるの
で、先の４３３行目の書込動作とは書込極性が正極性となる以外共通である。したがって
、１フィールドにおいて２行目が選択される期間では、シフト信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…
、Ｓ１９１、Ｓ１９２がＨレベルとなることにより、２行１列〜２行１１５２列の画素電
極１１８には、階調に応じた正極性電圧が印加されることになる。

第１フィールドではａパターン、ｂパターンの動作が８６４、４３２行目が選択される
まで繰り返される。これにより、上領域では階調に応じた正極性電圧が奇数行目では左方
向転送で、偶数行目では右方向転送で書き込まれる一方、下領域では階調に応じた負極性
電圧が奇数行目では右方向転送で、偶数行目では左方向転送で書き込まれることになる。

次に、第２フィールドについて説明する。第２フィールドでは、まず、１行目の走査線
１１２が選択され、次に１行目の走査線１１２が選択されるので、この選択（すなわち、
ｃパターン）における動作について説明する。
第２フィールドにおいて１行目が選択される場合、図６に示されるように右方向転送お
よび負極性書込が指定されるので、図１１（ｉ＝１として走査信号Ｇ１とする）に示され
るように、有効走査期間Ｈaにわたってシフト信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１９１、Ｓ
１９２がこの順番で排他的にＨレベルとなり、次に４３３行目が選択される場合、左方向
転送および正極性書込が指定されるので、同図（ｉ＝１として走査信号Ｇ４３３とする）
に示されるように、有効走査期間Ｈaにわたってシフト信号Ｓ１９２、Ｓ１９１、…、Ｓ
３、Ｓ２、Ｓ１がこの順番で排他的にＨレベルとなる。
このため、第１フールドにおける同一行の書込動作とは、転送方向および書込極性がと
もに反対となるので、第２フィールドでは、１行目が選択される期間においては１行１列
〜１行１１５２列の画素電極１１８に対して階調に応じた負極性電圧が印加され、４３３
行目が選択される期間においては４３３行１１５２列〜４３３行１列の画素電極１１８に
対して階調に応じた正極性電圧が印加される。

第２フィールドにおいて１、４３３行目が選択されると、今度は、２、４３４行目が選
択されるので、この選択（すなわち、ｄパターン）の動作について説明する。
第２フィールドにおいて２行目が選択される場合、図６に示されるように左方向転送お
よび負極性書込が指定されるので、図１２（ｉ＝２として走査信号Ｇ２とする）に示され
るように、有効走査期間Ｈaにわたってシフト信号Ｓ１９２、Ｓ１９１、…、Ｓ３、Ｓ２
、Ｓ１がこの順番で排他的にＨレベルとなり、次に４３４行目が選択される場合、右方向
転送および正極性書込が指定されるので、同図（ｉ＝２として走査信号Ｇ４３４とする）
に示されるように、有効走査期間Ｈaにわたってシフト信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１
９１、Ｓ１９２がこの順番で排他的にＨレベルとなる。
このため、第１フールドにおける同一行の書込動作とは、同様に、転送方向および書込
極性がともに反対となる。このため、第２フィールドでは、２行目が選択される期間にお
いては２行１１５２列〜２行１列の画素電極１１８に対して階調に応じた負極性電圧が印
加され、４３４行目が選択される期間においては４３４行１列〜４３４行１１５２列の画
素電極１１８に対して階調に応じた正極性電圧が印加される。

第２フィールドではｃパターン、ｄターンの動作が４３２、８６４行目が選択されるま
で繰り返される。これにより、上領域では階調に応じた負極性電圧が奇数行目では右方向
転送で、偶数行目では左方向転送で書き込まれる一方、下領域では階調に応じた正極性電
圧が奇数行目では左方向転送で、偶数行目では右方向転送で書き込まれることになる。
このような第１および第２フィールドにおける階調に応じた電圧の書き込みによって１
フレームの画像が形成されることになる。

なお、図９から図１２までにおいて、データ信号Ｖid1（〜Ｖid6）は、正極性書込であ
れば、黒色（最低階調）に相当する電圧Ｖb(+)から白色（最高階調）に相当する電圧Ｖw(
+)までの範囲で基準電圧Ｖcから画素の階調に応じた分だけ高位の電圧となり、負極性書
込であれば、黒色に相当する電圧Ｖb(-)から白色に相当する電圧Ｖw(-)までの範囲で電圧
Ｖcから画素の階調に応じた分だけ低位の電圧となることが示されている。
本実施形態では、書込極性の基準である電圧Ｖcを、コモン電極１０８に印加された電
圧ＬＣcomよりも若干高位に設定してある。その理由は、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイ
ン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１
８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれ
る）が発生するためである。液晶の劣化を防止するため、液晶容量１２０に対しては交流
駆動が原則であるが、コモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを書込極性の基準とし
て交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込による液晶容量１２０の電圧実
効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャ
ネルの場合）。このため、書込極性の基準電圧Ｖcを、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよ
り高位側に設定して、プッシュダウンの影響を相殺しているのである。
なお、図９から図１２までにおいて、データ信号Ｖid1（〜Ｖid6）における電圧を示す
縦スケールは、論理信号の電圧波形と比較して拡大してある。図１３におけるデータ線の
電圧を示す縦スケールについても、同様に論理信号の電圧波形と比較して拡大してある。

本実施形態によれば、各行の画素では、１フレームを分割した第１および第２フィール
ドのそれぞれにおいて階調に応じた電圧が書き込まれる。このとき、各行では、１フレー
ムにおいて右方向転送と左方向転送とがそれぞれ１回ずつ実行されるので、右方向転送に
よる表示品位のムラと、左方向転送による表示品位のムラとは、１フレームの期間を単位
としたときに、互いに相殺し合うので、表示ムラを視認しにくくすることが可能である。
例えば、画像信号線１７１にデータ信号Ｖid1〜Ｖid6を左側から供給する構成において
画面の左側では画像信号線１７１の配線抵抗や容量等の影響が小さいが、画面の右側では
画像信号線１７１の配線抵抗や容量等の影響が左側と比較して大きくなる。一方、ブロッ
ク選択回路１４０に対するスタートパルスＤxやクロック信号Ｃxの供給経路についても、
画面の左側と右側とでは異なる。さらに、第１実施形態では言及しなかったが、イネーブ
ル信号を用いてシフト信号のパルス幅を制限してサンプリング信号とする構成においても
、当該イネーブル信号の供給経路についても画面の左側と右側とでは異なる。このため、
右方向転送の場合と左方向転の場合とでは、たとえ同じ電圧のデータ信号を供給しても、
データ線にサンプリングされる電圧に差が生じるので、これが表示ムラの原因となる。こ
れに対し、本実施形態では、右方向転送による表示品位のムラと、左方向転送による表示
品位のムラとが１フレームの期間で平均化されるので、表示ムラを視認しにくくなるので
ある。

なお、各フィールドは、１フレームの半分期間であるので、そもそもフィールドを単位
とした表示ムラがフリッカーとして視認されにくい。仮に、フィールドを単位とした表示
ムラが発生したとしても、本実施形態では、各フィールドにおいて上および下領域のいず
れにおいても、隣接行では、右方向転送と左方向転送とが交互に現れるので、右方向転送
による表示品位のムラと、左方向転送による表示品位のムラとの差が視認しにくいのであ
る。

また、第１実施形態における書込極性の推移について図１７（ａ）を参照して説明する
。図１７（ａ）は、第１実施形態における各行の書込状態を、連続するフレームにわたっ
た時間経過とともに示す図である。なお、図１７（ａ）は、１〜８６４行のすべてについ
ての書き込みを示しているのではなく、行を減数して簡易的に示している。
図１７（ａ）に示されるように、第１実施形態では、第１フィールドにおいて４３３、
４３４、４３５、…、８６４行目の画素では負極性書き込みがなされ、１、２、３、…、
４３２行目の画素では正極性書き込みがなされて、次の書き込みまで保持される一方、第
２フィールドにおいて１、２、３、…、４３２行目の画素では負極性書き込みがなされ、
４３３、４３４、４３５、…、８６４行目の画素では正極性書き込みがなされて、同様に
次の書き込みまで保持される。このため、１フレームの期間で、画素に対する交流駆動が
完了するだけでなく、いずれのタイミングにおいても、いずれの列についてみても、正極
性電圧を保持する画素と負極性電圧を保持する画素との割合が５０％ずつとなる。このた
め、保持期間におけるデータ線１１４の極性は一方に偏ることがなくなり、これにより、
画素電極１１８に書き込まれた電荷がオフ状態のＴＦＴ１１６を介してリークする程度が
、各行にわたって均等になるので、表示の不均一性が防止される。
また、本実施形態では、ある行が選択されたタイミングでは、当該行に位置する画素と
、当該行と１つ上の行に位置する画素とで書込極性が相反するが、それ以外の画素同士は
、書込極性が同一となる。このため、ディスクリネーション（配向不良）による表示品位
の低下も防止することができる。

さらに、本実施形態では、６列のデータ線１１４に同時にデータ信号をサンプリングし
ているが、この同時サンプリングに起因する表示ムラも低減することが可能である。そこ
で、この点について詳述する。まず、例えばブロックＢ１、Ｂ２についてみると、右方向
転送である場合に、図１３に示されるように、シフト信号Ｓ１、Ｓ２の順でＨレベルとな
る。
シフト信号Ｓ１がＨレベルになったとき、１〜６列のデータ線１１４は、それぞれプリ
チャージ電圧（正極性書込であれば、電圧Ｖb(+)）から階調に応じたデータ信号の電圧に
変化する。
シフト信号Ｓ１がＬレベルになると、１〜６列のデータ線１１４は電気的にいずれにも
接続されないハイ・インピーダンス状態となる。一方、シフト信号Ｓ２がＨレベルになる
と、今度は７〜１２列のデータ線１１４が、それぞれプリチャージ電圧から階調に応じた
データ信号の電圧に変化する。ここで、各データ線１１４は、互いに隣接するデータ線１
１４と近接しているので、容量的に結合した状態にある。このため、７列目のデータ線１
１４の電圧が変化すると、その電圧変化が、ハイ・インピーダンス状態の６列目のデータ
線をサンプリングした階調に応じた電圧（目標電圧）から偏位させてしまう。
走査線は有効走査期間ＨaにわたってＨレベルであるので、６列目のデータ線は、目標
電圧から偏位した電圧がそのまま書き込まれてしまうことになる。これに対し、１〜５列
目のデータ線１１４では、階調に応じた電圧がサンプリングされてから、隣接するデータ
線が電圧変化しないので、目標電圧を維持することになる。なお、厳密にいえば、６列目
のデータ線が目標電圧から偏位したことにより５列目のデータ線も目標電圧から偏位する
が、６列目のデータ線における電圧偏位は、７列目の電圧変化と比較して小さいので、ほ
とんど影響を受けないと考えて良い。

したがって、右方向転送では、ブロックＢ１に属する１〜６列のデータ線１１４のうち
、６列目のデータ線だけが、目標電圧から偏位してしまうので、これが明るさの差となっ
て現れる。同様な目標電圧の偏位は、目標電圧をサンプリングした後に、隣接するデータ
線が電圧変化する１２、１８、２４、…、１１４６列目のデータ線１１４で発生する。な
お、本実施形態では、１１５３列が存在しないので、１１５２列では目標電圧がサンプリ
ングされた後に、隣接するデータ線が電圧変化の影響により目標電圧が偏位する、という
現象が発生しない。
このため、右方向転送の場合、各列の画素を同じ階調で表示させるとき、図１４（ａ）
で示されるように、チャネルｃｈ１〜ｃｈ５に相当する列は目標電圧を維持するので互い
に同じ階調となるのに対し、チャネルｃｈ６に相当する列は目標電圧から偏位してしまう
ので、チャネルｃｈ１〜ｃｈ５に相当する列と比較して明るさが異なってしまい、これが
列方向に連続することによって縦状の縞として視認される。
なお、チャネルｃｈ６に相当する列が、他の列と比較して明るくなるか、暗くなるかに
ついては、プリチャージ電圧や、モード（ノーマリーホワイトモードまたはノーマリーブ
ラックモード）によって決まる。本実施形態では、プリチャージ電圧を黒色に相当する電
圧Ｖb(+)またはＶb(-)としているので、隣接するデータ線の電圧変化は、液晶容量の保持
電圧を絶対値でみて小さくさせる方向に働く。したがって、ノーマリーホワイトモードで
あれば、図１４（ａ）に示されるように、チャネルｃｈ６に相当する列は、他の列と比較
して明るくなる方向にずれることになる。

一方、左方向転送の場合、階調に応じた電圧をサンプリングしてから、隣接するデータ
線において電圧変化が発生するデータ線は、１１４７、１１４１、…、１３、７列目であ
る（１列目は、上述した理由により電圧偏位が発生しない）。このため、左方向転送の場
合、各列の画素を同じ階調で表示させるとき、図１４（ｂ）で示されるように、チャネル
ｃｈ１に相当する列が他のチャネルｃｈ２〜ｃｈ６の列と明るさが異なってしまう。
本実施形態では、１フレームの期間では、右方向転送と左方向転送とが各行についてそ
れぞれ１回ずつ実行されるので、チャネルｃｈ１およびｃｈ６で発生する明るさの差は、
１フレームの期間でみたときに、それぞれ平均化により１／２に抑えられる。したがって
、本実施形態によれば、６列のデータ線１１４に同時にデータ信号をサンプリングするこ
とに起因する表示ムラを低減することが可能となるのである。

なお、上述した第１実施形態において、転送方向および書込極性を一方から他方に変更
しても良い。例えば、 第１フィールドにおいて上領域を負極性書込とし、下領域を正極
性書込とする一方、第２フィールドにおいて上領域を正極性書込とし、下領域を負極性書
込としても良い。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。上述した第１実施形態では、表示領域
１００を便宜的に上領域と下領域とに分け、第１フィールドでは、下、上、下、上、…の
領域を交互に、第２フィールドでは、上、下、上、下、…の領域を交互に、いずれのフィ
ールドにおいて、各領域を上から順番に排他的に１行ずつ選択したが、この第２実施形態
にあっては、図１５に示されるように、第１および第２フィールドのいずれにおいても、
走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４が、この順番で、期間０．５Ｈで選択された走
査線に対し、当該期間０．５Ｈよりも狭められた期間にＨレベルとしたものである。
なお、走査線の選択順序が変更されるので、表示データＶid-bの各行を読み出す順序も
、走査線の選択順序に合わせて変更される。それ以外の構成は、６列のデータ線にデータ
信号を同時にサンプリングする点も含めて第１実施形態と同様である。

図１６は、このような選択に対して、各行の転送方向および書込極性を第１および第２
フィールドの別で示したものである。
この図に示されるように、第２実施形態において、第１フィールドでは、各行の走査線
が選択される場合に、いずれも正極性書込が指定されるとともに、ｉ（ここではｉは、１
≦ｉ≦８６４を満たす整数である）行目が選択された場合に、ｉが奇数（１、３、５、…
、８６３、）であれば、右方向転送が指定され、ｉが偶数（２、４、６、…、８６４）で
あれば、左方向転送が指定される。一方、第２フィールドでは、各行の走査線が選択され
る場合に、いずれも負極性書込が指定されるとともに、ｉ行目が選択された場合に、ｉが
奇数であれば、左方向転送が指定され、ｉが偶数（２、４、６、…、８６４）であれば、
右方向転送が指定される。
このように各行の転送方向および書込極性が規定された場合の書込動作については、特
段の説明を要しないであろう。

第２実施形態における書込極性の推移については、図１７（ｂ）に示されるように、第
１実施形態の図１７（ａ）と比較すると、正極性電圧を保持する画素と負極性電圧を保持
する画素との割合が変化している。このため、保持期間におけるデータ線１１４の極性が
一方に偏ることになり、画素電極１１８に書き込まれた電荷がオフ状態のＴＦＴ１１６を
介してリークする程度が各行にわたって均等にならないので、表示の均一性が失われる可
能性はある。
ただし、第２実施形態においても、第１および第２フィールドのそれぞれにおいて階調
に応じた電圧が書き込まれるとともに、各行では、１フレームにおいて右方向転送と左方
向転送とがそれぞれ１回ずつ実行されるので、第１実施形態と同様に、右方向転送による
表示品位のムラと左方向転送による表示品位のムラとが互いに相殺し合うことによる表示
ムラと、６列のデータ線１１４に同時にデータ信号をサンプリングすることに起因する表
示ムラとのそれぞれについて低減することが可能となる。

上述した第１および第２実施形態では、同時に書き込むデータ線数である相展開数ｍを
「６」にするとともに、これに対応して画像信号線１７１の本数も「６」としたが、ｍは
「２」以上であれば良い。
さらに、上述した説明では、データ信号をサンプリングする直前期間にて、すべてのデ
ータ線１１４をプリチャージする構成としたが、そのプリチャージ電圧は、黒色に相当す
る電圧に限られず、灰色や白色に相当する電圧であっても良いし、そもそもプリチャージ
しない構成でも構わない。
また、処理回路３０は、ディジタルの表示データＶid-aを入力して処理するものとした
が、アナログの画像信号を入力して相展開する構成としても良い。

さらに画素容量の電圧実効値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモード
ではなく、黒色表示を行うノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良い。表示
領域１００は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半反射型であっても良
い。
くわえて、実施形態等については、液晶装置について説明したが、本発明では、表示デ
ータ（映像信号）を相展開して、複数本のデータ線にサンプリングさせる構成であれば、
液晶装置に限られず、例えばＥＬ（Electronic Luminescence）素子、電子放出素子、電
気泳動素子、ディジタルミラー素子などを用いた装置や、プラズマディスプレイなどにも
適用可能である。

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例について説明する
。図１８は、上述した電気光学装置１をライトバルブとして用いた３板式プロジェクタの
構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光
源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から
射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイッ
クミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色
に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、
Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入
射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレン
ズ系２１２１を介している。

ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態
における表示パネル１０と同様であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するデータ信号でそれぞ
れ駆動されるものである。このため、プロジェクタ２１００では、表示パネル１０を含む
電気光学装置１が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応して３組設けられた構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４
によってカラー画像が投射されることとなる。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックミ
ラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像は
そのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｇによる画像は、ライトバルブ１００Ｒ、
１００Ｂによる画像の左右反転画像とさせることが必要となる。

電子機器としては、図１８を参照して説明した投射型の他にも、テレビジョンや、ビュ
ーファインダ型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタル
スチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などの直視型にも適用可能であ
る。すなわち、これらの各種の電子機器に対して上述した電気光学装置が適用可能である
。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す図である。 同電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。 同表示パネルにおける画素の構成を示す図である。 同電気光学装置の表示データの格納・読出を説明するための図である。 同電気光学装置の垂直走査を説明するための図である。 同電気光学装置の各水平走査期間の転送方向、書込極性を示す図である。 同電気光学装置の右方向相展開の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の左方向相展開の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の水平走査の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の水平走査の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の水平走査の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の水平走査の動作を説明するための図である。 同電気光学装置におけるデータ線の電圧変化を説明するための図である。 同電気光学装置における表示ムラおよびその改善を示す図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の垂直走査を説明するための図である。 同電気光学装置の各水平走査期間の転送方向、書込極性を示す図である。 第１および第２実施形態に係る電気光学装置の書込状態を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いたプロジェクタの構成を示す図である。

符号の説明

１…電気光学装置、１０…表示パネル、２０…制御回路、３０…処理回路、１００…表示
領域、１０５…液晶、１０８…対向電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…デー
タ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１３０…走査線駆動回路
、１４０…ブロック選択回路、１５１…サンプリングスイッチ、１７１…画像信号線、２
１００…プロジェクタ

Claims (3)

1. 複数行の走査線と、
   ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にブロック化された複数列のデータ線と、
   各々が、前記走査線に所定の選択電圧が印加されたときの、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる複数の画素と、
   １フレームを分けた第１および第２フィールドのそれぞれにおいて、前記複数行の走査線を所定の順番で選択するとともに、当該選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
   前記走査線駆動回路によって１行の走査線が選択される期間にわたって、前記ブロックを右または左方向のいずれかに向かって順番で選択するブロック選択回路と、
   前記ブロック選択回路により選択されたブロックに属するｍ列のデータ線に階調に応じたデータ信号をそれぞれサンプリングするサンプリング回路と、
   前記第１フィールドにおいて一の走査線が選択されるときに、前記ブロック選択回路によるブロックの選択方向を右または左方向のいずれか一方とし、前記第２フィールドにおいて同一の走査線が選択されるときに、前記ブロックの選択方向を右または左方向のいずれか他方とするように制御する制御回路と、
   を具備し、
   前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走査線に沿って第１および第２領域に分割され、
   前記走査線駆動回路は、前記第１および第２フィールドの各々において、前記第１および第２領域に属する走査線を交互に選択するとともに、前記第１および第２領域でそれぞれ上または下方向のいずれかに向かって走査線を選択し、
   前記データ信号は、前記第１フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線が選択されたときには、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧となり、前記第２領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧となる一方、前記第２フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧となり、前記第２領域に属する走査線が選択されたときには、前記基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧となり、
   前記ブロック選択回路は、
   前記複数行の走査線のうち第一の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を右方向とし、
   前記第一の走査線に続いて第二の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を左方向とし、
   前記第二の走査線に続いて第三の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を左方向とし、
   前記第三の走査線に続いて第四の走査線が選択されたときには、前記ブロックの選択方向を右方向とする
   動作を繰り返す
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 複数行の走査線と、
   ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にブロック化された複数列のデータ線と、
   各々が、前記走査線に所定の選択電圧が印加されたときの、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる複数の画素と、
   を有する電気光学装置の駆動方法であって、
   １フレームを分けた第１および第２フィールドのそれぞれにおいて、前記複数行の走査線を所定の順番で選択するとともに、当該選択した走査線に選択電圧を印加し、
   １行の走査線が選択する期間にわたって、前記ブロックを右または左方向のいずれかに向かって順番で選択し、
   選択したブロックに属するｍ列のデータ線に、階調に応じたデータ信号をそれぞれサンプリングし、
   前記第１フィールドにおいて一の走査線が選択するときに、前記ブロックの選択方向を右または左方向のいずれか一方とし、前記第２フィールドにおいて同一の走査線が選択するときに、前記ブロックの選択方向を右または左方向のいずれか他方とするように制御し、
   前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走査線に沿って第１および第２領域に分割され、
   前記第１および第２フィールドの各々において、前記第１および第２領域に属する走査線を交互に選択するとともに、前記第１および第２領域でそれぞれ上または下方向のいずれかに向かって走査線を選択し、
   前記データ信号を、前記第１フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線を選択するときには、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧とし、前記第２領域に属する走査線を選択するときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧とする一方、前記第２フィールドにおいて、前記第１領域に属する走査線を選択するときには、前記基準電圧よりも高位または低位の他方側とした電圧とし、前記第２領域に属する走査線を選択するときには、前記基準電圧よりも高位または低位の一方側とした電圧とし、
   前記ブロックの選択方向を、
   前記複数行の走査線のうち第一の走査線が選択されたときには、右方向とし、
   前記第一の走査線に続いて第二の走査線が選択されたときには、左方向とし、
   前記第二の走査線に続いて第三の走査線が選択されたときには、左方向とし、
   前記第三の走査線に続いて第四の走査線が選択されたときには、右方向とする
   動作を繰り返す
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
3. 請求項１に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

Images