JP4387573B2 - プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロセス排気ガスモニタ装置および方法、モニタ装置を備えた半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法に係わり、特に、半導体製造プロセスにおいて排気される各種のガス成分を分析するプロセス排気ガスモニタ装置及び方法、及びそのようなモニタ装置を有する半導体装置、及びそのようなモニタ装置を有する半導体製造装置管理システム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路の製造プロセスでは各種のプロセスガスが使用される。プロセスガスを使用して半導体デバイスを製造する半導体製造装置では、処理条件をモニタすることにより、半導体ウェハを安定且つ確実に処理している。モニタする条件としては、プロセスガス流量、プロセスチャンバ内の圧力及び温度、ＲＦパワー、ＲＦ反射波、静電チャックの電圧、冷却ガス圧力等がある。
【０００３】
図１は従来のモニタ装置を有する半導体製造装置の全体構成を示す模式図である。図１に示す半導体製造装置は、ＲＦプラズマ処理装置２と、半導体製造装置の各動作を制御するコントローラ４と、電源機器６と、プロセスガス供給装置８と、ガス流量計１０とを有している。これらの装置は筐体１２内に配置され、互いに協働して半導体製造装置として機能している。
【０００４】
ＲＦプラズマ処理装置２は、被処理体（半導体ウェハ）に対してプラズマを使用して所定の処理を施す装置であり、処理チャンバ２ａ内で被処理体にプラズマ処理が施される。処理チャンバ２ａには、プラズマ源としてプロセスガスがプロセスガス供給装置８から供給される。処理チャンバ２ａには、プロセスガスの他に、処理チャンバ２ａ内の処理環境を調整するための各種のガスが供給される。処理チャンバ２ａに供給されるプロセスガス及び各種のガスの流量は、ガス流量計１０により測定されモニタされる。
【０００５】
被処理体を処理した結果、処理チャンバ２ａには排気ガスが発生する。処理チャンバ２ａの下部にはターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ）２ｂが設けられており、処理チャンバ２ａで生じた排気ガスを吸引して排気装置１４に送出する。排気ガスは、排気装置１４を通じてドライポンプ１６により、例えば除害装置（図示せず）へと排気される。
【０００６】
以上のような構成の半導体製造装置において、ＲＦプラズマ処理装置２には各種のセンサが設けられ処理条件がモニタされる。すなわち、ＲＦプラズマ処理装置２に供給されるＲＦパワー及びその反射波がモニタされる。また、ＲＦプラズマ処理装置２の処理チャンバ２ａ内の圧力及び温度がモニタされる。さらに、処理チャンバ２内には被処理体（半導体ウェハ）を固定するための静電チャックが設けられており、この静電チャックに供給される電圧がモニタされる。また、静電チャックの温度を制御するために静電チャックに供給される冷却ガスの温度がモニタされる。また、処理チャンバ内のガスを排気するターボモレキュラポンプ２ｂにおいては、排気ガスの圧力がモニタされる。
【０００７】
半導体製造装置は、これら条件をモニタしながら半導体製造プロセスを制御して、所望の処理が被処理体に施されるように各処理条件を調節している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来のモニタ装置では、各処理条件は個々に検出されて制御される。具体的には、各処理条件には基準値及び許容範囲が規定されており、モニタされた各処理条件をその基準値にあわせるか、又は許容範囲に収めるように制御が行われる。すなわち、各処理条件は別個に制御されるものであり、各処理条件のバランスは考慮されておらず、各処理条件のトータルバランスについてはモニタされていない。
【０００９】
ここで、被処理体に施される実際の処理は、上記各処理条件が互いに関連して決まるのものである。したがって、多数の被処理体を連続して処理するような場合、各処理条件が経時的に個々に許容範囲内で変化したとしても、各条件が相互に影響しあうことにより、実際の被処理体への処理が正常の範囲を超えてしまうことがある。このように、実際のトータルの処理条件が正常の範囲を超えて変動したとしても、各条件が個々の許容範囲内であれば、被処理体への処理は正常に行われていると判断されてしまう。
【００１０】
したがって、このような従来のモニタ装置によるモニタ方法を用いた半導体製造装置では、処理が施された後の被処理体を試験分析することによって、正常な製品であるか、すなわち、処理が正常に行われたか否かを判断している。換言すると、従来のモニタ装置を用いた半導体製造装置では、実際に処理を施した後でないと処理条件が正常であるか否かを判断することができなかった。
【００１１】
処理後の被処理体の試験にはある程度の時間が必要である。例えば、多数の被処理体を連続して処理するような場合には、被処理体の全てに対して連続して処理を施し、処理された被処理体を保管しておいて後から試験分析することが行われている。したがって、処理の途中においてトータルの処理条件が正常な範囲を超えてしまったとしても、個々の条件が許容範囲内であれば引き続き処理が行われてしまう。その結果、多数の被処理体が正常でない条件で処理されてしまう事態が発生することがある。
【００１２】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、最適な処理条件における処理チャンバからの排気ガス成分量と、実際の処理中の排気ガス成分量とを比較し、排気ガス成分量の変動を検知することにより処理条件のトータルバランスをモニタし、経時変動に対して有効なプロセスモニタを実現することのできるプロセス排気ガスモニタ装置及び方法、及びそのようなモニタ装置を備えた半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
また、本発明は、半導体製造装置からの排気ガス成分の分析データを蓄積することにより半導体製造装置を精度高く管理することができ、効率的に半導体製造装置を運転することのできる半導体製造装置管理システム及び方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項１記載の発明は、被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ装置であって、
複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位からプロセス排気ガスを採取するガス採取手段と、
採取したプロセス排気ガスの成分を分析するガス分析手段と、
前記ガス分析手段による分析結果と、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果とを比較する比較手段と、
前記比較手段での比較により、プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する検知手段と、
プロセス排気ガスを前記複数の処理装置又は前記一つの処理装置の複数の部位から順次採取するためにプロセス排気ガスの通路を切り替える切り替え手段と
を有することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取されたプロセス排気ガスの成分を即時に分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００１７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段は、フーリエ変換分光器であることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項２記載の発明によれば、分析速度が極めて速いフーリエ変換分光器を分析手段として用いることにより、リアルタイムに分析結果を得ることができ、分析結果を被処理体の処理に即座に反映することができる。したがって、例えば、１ロットの被処理体の処理の途中で処理条件に異常が発生した場合に、即座に処理を中止して処理条件を正常に戻すことができる。すなわち、異常な処理条件により被処理体を連続して処理してしまうことを防止できる。
【００１９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記検知手段から出力された信号に基づいて警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項４記載の発明は、請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記検知手段から出力された信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２１】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のううちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段による分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と前記基準分析結果とを比較することを特徴とするものである。
【００２２】
また、請求項６記載の発明は、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、複数の基準分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と対応する基準分析結果とを比較することを特徴とするものである。
【００２４】
また、請求項７記載の発明は、請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段及び前記切り替え手段の動作を制御する制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２５】
また、請求項８記載の発明は、請求項７記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記比較手段により比較した結果のデータを記憶する比較結果記憶手段を更に有し、前記制御手段に外部から信号を供給することにより前記比較手段は各処理毎に比較を行い、前記比較結果記憶手段は各処理毎に比較したデータを記憶することを特徴とするものである。
【００２６】
また、請求項９記載の発明は、請求項２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記フーリエ変換分光器のゼロ校正に使用する窒素ガスを前記フーリエ変換分光器のガス導入部へ供給する窒素ガス導入手段と、前記ゼロ校正を所定の時間間隔で行うように前記窒素ガス供給手段を制御するゼロ校正制御手段とを更に有することを特徴とするものである。
【００２７】
また、請求項１０記載の発明は、請求項１乃至９のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス採取手段と前記ガス分析手段との間に接続され、前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量を調整する流量調整手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２８】
また、請求項１１記載の発明は、請求項１０記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量が所定の範囲外の時に警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２９】
また、請求項１２記載の発明は、請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、プロセス排気ガスを生成する処理装置はプロセス排気ガスを排気するための真空ポンプを有し、該真空ポンプに一定流量の不活性ガスを供給する一定流量制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００３０】
請求項１３記載の発明は、半導体製造装置であって、
所定の処理条件にて被処理体を処理し、その際にプロセス排気ガスを発生する処理室と、
該処理室で発生したプロセス排気ガスを排気する排気手段と
該排気手段に接続され、前記排気手段から採取したプロセス排気ガスをモニタする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置と
を有することを特徴とするものである。
【００３１】
請求項１３記載の発明によれば、半導体製造装置から排気されるプロセス排気ガスの成分をプロセス排気ガスモニタ装置により分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて半導体製造装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００３２】
請求項１４記載の発明は、被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ方法であって、
プロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の部位からプロセス排気ガスを順次採取し、
採取したプロセス排気ガスの成分を即時に分析し、
ガス分析結果を、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果と比較し、
プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する
各工程を有することを特徴とするものである。
【００３３】
請求項１４記載の発明によれば、プロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の部位から順次採取したプロセス排気ガスの成分を即時に分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００３４】
また、請求項１５記載の発明は、請求項１４記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、前記プロセス排気ガスの成分の分析は、フーリエ変換分光器により行うことを特徴とするものである。
【００３５】
また、請求項１６記載の発明は、請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、プロセスの異常を表す信号に基づいて警報を発する工程を更に有することを特徴とするものである。
【００３６】
また、請求項１７記載の発明は、請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、プロセスの異常を表す信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御工程を更に有することを特徴とするものである。
【００３７】
請求項１８記載の発明は、半導体製造装置管理システムであって、
処理中に排気ガスを排気する半導体製造装置と、
該半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出するモニタ装置と、
該データ通信網から該分析データを受信し、受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して前記モニタ装置に送出すると共に、受信した分析データを蓄積してデータベースに登録するデータ蓄積管理手段と
を有することを特徴とするものである。
【００３８】
請求項１８記載の発明によれば、フーリエ変換分光器により複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分を分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【００３９】
また、請求項１９記載の発明は、請求項１８記載の半導体製造装置管理システムであって、前記データ蓄積管理手段は、前記異常を表す信号とともにその異常に関連する付帯情報を前記モニタ装置に送信し、前記モニタ装置は異常を表す信号に基づいて処理条件の異常と異常の原因を表示画面に表示すると共に、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を前記表示画面に表示することを特徴とするものである。
【００４０】
請求項１９記載の発明によれば、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【００４１】
請求項２０記載の発明は、半導体製造装置管理方法であって、
半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出し、該データ通信網から受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常の発生を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して半導体製造装置に送出し、該受信した分析データを蓄積してデータベースに登録することを特徴とするものである。
【００４２】
請求項２０記載の発明によれば、複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【００４３】
また、請求項２１記載の発明は、請求項２０記載の半導体製造装置管理方法であって、前記異常を表す信号にその異常に関連する付帯情報を付加して前記データ通信網に送出し、前記半導体製造装置において、異常を表す信号に基づいて処理条件の異常の発生と異常の原因とを運転管理者に通知するとともに、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を該運転管理者に通知することを特徴とするものである。
【００４４】
請求項２１記載の発明によれば、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【００４５】
請求項２２記載の発明は、半導体製造装置管理方法であって、稼動中の半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して分析データをリアルタイムで分析センタに送出し、該分析センタにおいて複数の半導体製造装置からの分析データを蓄積してデータベースを構築し、該データベースに基づいて個々の半導体製造装置を管理することを特徴とするものである。
【００４６】
請求項２２記載の発明によれば、例えば、半導体デバイスメーカの工場等で稼動中の半導体製造装置を分析センタにおいて管理することができる。分析センタでは、半導体デバイスメーカにて稼動中の半導体製造装置から、分析データを収集して蓄積することによりデータベースを構築する。このデータベースを活用することにより、精度の高い半導体製造装置の管理が可能となる。
【００４７】
図２は本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置の全体構成を示す模式図である。図２において、図１に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４８】
本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置２０は、ドライポンプ１６の出口配管部分に接続された排気ガス採取管２２（ガス採取手段）を通じてＲＦプラズマ処理装置２から排気された排気ガスを採取する。排気ガス採取管２２はバルブボックス２４（切り替え手段）を介してフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）２６（ガス分析手段）に接続されている。排気ガス採取管２２及びバルブボックス２４を通ってフーリエ変換分光器２６に導入された排気ガスは、スペクトル分析にかけられ、排気ガスに含まれるガス成分の種類及び各ガス成分の量が検出される。分析された排気ガスは、採取ガス排気管２８を通ってドライポンプ１６の出口部分に戻され、除害装置（図示せず）に送出される。
【００４９】
モニタ装置２０には、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０（制御手段）（以下単にコントローラ３０と称する）が設けられている。コントローラ３０は半導体製造装置のコントローラ４から処理信号ライン３２を介して供給される処理信号に基づき、フーリエ変換分光器２６の動作及びバルブボックス２４の動作を制御する。
【００５０】
上述の構成のモニタ装置２０において、フーリエ変換分光器２６により半導体製造装置からの排気ガスを分析し、検出結果データをコントローラ３０に出力する。コントローラ３０は、検出結果データを基準データと比較して、排気ガス中のガス成分量の少なくとも一つが基準値から大きく外れた場合、あるいは、基準範囲から外れた場合に、異常信号ライン３４を介して異常信号を半導体製造装置のコントローラ４に出力する。
【００５１】
異常信号を受信したコントローラ４は、半導体製造装置の警報装置（警報手段）により、処理条件に異常がある旨を半導体製造装置の操作者に通知する。警報手段としては、半導体製造装置に設けられたディスプレイへの表示や、ブザー等の音による警報器が用いられる。
【００５２】
したがって、モニタ装置２０によれば、半導体製造装置における処理条件が異常となった場合、これを半導体製造装置の排気ガスから検出して、警報を発することができる。排気ガス中のガス成分量は、被処理体に施された実際の処理に大きく依存しており、例えば排気ガス中のガス成分が大きく変動した場合は、処理も変動したと判断することができる。
【００５３】
本発明によるモニタ装置２０では、ガス分析装手段としてフーリエ変換分光器２６を用いている。フーリエ変換分光器２６は高速のガス成分分析が可能であり、被処理体の処理中に、リアルタイムで分析を行うことができる。したがって、半導体製造装置の作動中に処理条件が経時的に変化する場合などにおいて、半導体製造装置の処理条件が異常となったこと（すなわち、欠陥品が製造されたこと）を作動中にリアルタイムで判定することができ、これに基づいて警報を発することができる。警報が発せられた場合、半導体製造装置の操作者は半導体製造装置の運転を中止するなどして、それ以上の欠陥製品の製造を防止することができる。そして、半導体製造装置の処理条件を調整した後に、半導体製造装置の運転を再開する。
【００５４】
半導体製造装置の排気ガスを排気するために設けられたターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６には、図２の構成では示していないが、窒素ガスが常時供給されている。この窒素ガスは、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６を安定して作動するために供給されるものである。本発明を適用する場合、排気ガス中のガス成分量（濃度）を分析するため、これらの真空ポンプに供給される窒素ガスの量を一定とする必要がある。
【００５５】
そこで、本実施の形態では、バルブボックス２４に一定流量制御手段としてのマスフローコントローラを設けて一定量の窒素ガスを、常時、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に供給するようにしている。図３は窒素ガスの供給も含むモニタ装置２０の構成を示す模式図である。図３に示すように、窒素ガス源３６からの窒素ガスは、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８を介してターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に供給されている。本実施の形態では、マスフローコントローラ３８は、バルブボックス２４に設けられる。
【００５６】
次に、図４を参照しながらモニタ装置２０の構成をより詳細に説明する。
図４に示す本実施の形態によるモニタ装置２０は、４台の半導体製造装置からの排気ガスをモニタするように構成したものである。したがって、４本の排気ガス採取管２２−１〜２２−４が設けられ、その各々は切り替えバルブ４０−１〜４０−４（切り替え手段）を介してフーリエ変換分光器２６のガス導入部（ガスセル）２６ａに接続されている。切り替えバルブ４０−１〜４０−４は空気駆動型の開閉弁である。バルブ駆動用圧縮空気は、コントローラ３０からの開閉信号により制御される電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ５を介して対応する切り替えバルブ４０−１〜４０−４に供給される。
【００５７】
上述のような切り替えバルブ４０−１〜４０−４を有する構成において、例えば、ガス採取管２２−１からの排気ガスを分析するときは、切り替えバルブ４０−１のみ開き、それ以外の切り替えバルブ４０−２〜４０−４は閉じておく。すなわち、切り替えバルブ４０−１〜４０−４のいずれか一つを開いて、他のバルブを閉じることにより、所望の排気ガス採取管から、すなわち所望の処理チャンバからの排気ガスを分析することができる。
【００５８】
フーリエ変換分光器２６は、分析測定を開始する前にゼロ校正又はゼロ点調整を行う必要がある。ゼロ校正はガス導入部２６ａに窒素ガスを供給して行われる。バルブボックス２４は、ゼロ校正用窒素ガスをフーリエ変換分光器２６のガス導入部２６ａに供給するための開閉弁４２を備えている。すなわち、ゼロ校正用窒素ガスは窒素ガス源からレギュレータ４１及び開閉弁４２を介してフーリエ変換分光器２６に供給される。ゼロ校正を行うときにのみ開閉弁４２を開くことにより、窒素ガスがガス導入部２６ａに供給される。
【００５９】
ガス導入部２６ａに供給導された排気ガス、又はゼロ校正用窒素ガスは、バルブボックス２４に設けられた真空ポンプ４４により吸引されて排気される。
【００６０】
なお、上述の開閉弁４２も、切り替えバルブ４０−１〜４０−４と同様に、コントローラ３０からの開閉信号により制御される電磁弁ＳＶ５を介して供給される圧縮空気により駆動される。
【００６１】
また、上述のように、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に窒素を供給するために、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）４８−１〜４８−４がバルブボックス２４に設けられる。マスフローコントローラ４８−１〜４８−４は、流量を一定に制御することのできる流量計であり、コントローラ３０からの信号により流量の設定が行われる。本実施の形態の場合、処理チャンバを有する半導体製造装置が４台接続されているため、４つのマスフローコントローラ４８−１〜４８−４が設けられており、対応する半導体製造装置のターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に一定流量の窒素ガスを供給している。すなわち、窒素ガス源からレギュレータ５０及び開閉弁５２−１〜５２−４を介してマスフローコントローラに４８−１〜４８−４に窒素ガスが供給され、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４により流量制御された窒素ガスが対応する半導体製造装置（チャンバ▲１▼〜▲４▼のドライポンプ及びターボモレキュラポンプ）へと供給される。
【００６２】
次に、本実施の形態によるモニタ装置２０の動作の概要について図５を参照しながら説明する。
【００６３】
図５において、処理装置６０は、シリコンウェハ等の半導体基板に所定の処理を施す装置である。処理装置６０で行われる処理に関する各種情報及び信号がＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される。処理装置６０からＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される情報及び信号には、処理されるウェハのロット情報、各ウェハ毎の処理に関する情報、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４を制御するための流量情報、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４の動作をチェックするための信号等が含まれる。
【００６４】
ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、処理装置６０から供給される情報及び信号に基づいて、バルブボックス２４に動作信号及び流量設定信号を供給する。すなわち、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０からの信号に基づき、バルブボックス２４に設けられた開閉弁４０−１〜４０−４，４２，５２−１〜５２−４、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ５及びマスフローコントローラ４８−１〜４８−４の動作を制御する。これにより処理装置６０に窒素ガス（Ｎ２）が供給され、この窒素ガスにより一定の濃度に希釈されたプロセス排気ガスが採取されてバルブボックス２４を介してＦＴ−ＩＲ２６に供給される。
【００６５】
また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、処理装置６０から供給される情報及び信号に基づいて、ＦＴ−ＩＲ２６に動作信号を供給し、ＦＴ−ＩＲ２６を作動させる。これにより、処理装置６０のプロセス排気ガスから採取された排気サンプル中の所定の成分の濃度がＦＴ−ＩＲ２６により分析される。排気成分分析結果は、ＦＴ−ＩＲ２６からＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される。
【００６６】
排気成分分析結果が供給されると、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は排気成分分析結果に含まれるガス成分の濃度値と基準値との比較を行う。この比較の結果、排気成分分析結果に含まれるガス成分の濃度値が基準値より大幅に異なる場合、あるいは、基準値を含む所定の範囲から逸脱している場合は、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は排気成分異常信号を処理装置６０に出力する。また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、排気成分分析結果を外部装置に出力することもできる。
【００６７】
モニタ装置２０の作動中、バルブボックス２４は各流量計の接点信号をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、接点信号に基づいて流量計が正常に作動しているか否かを判定し、異常であると判定した場合はＭＦＣ流量異常信号を処理装置６０に送出する。
【００６８】
また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０の動作信号によりバルブボックス２４が制御されて、ＦＴ−ＩＲ２６に窒素（Ｎ２）が供給され、これによりＦＴ−ＩＲ２６のゼロ校正又はゼロ点調整が行われる。
【００６９】
ＦＴ−ＩＲ２６で分析が終了した排気サンプルはバルブボックス２４を介して処理装置６０に戻され、そこから排気される。
【００７０】
次に、本実施の形態のモニタ装置２０の動作について、図６乃至９を参照しながら説明する。図６乃至８はモニタ装置２０の動作を示すフローチャートの一部である。図９は、処理装置での処理とモニタ装置２０でのサンプリングのタイミングを示すタイミングチャートである。
【００７１】
まず、図６に示すように、初期状態ではＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０の電源はＯＮであり、バルブボックス２４の全てのバルブが閉められ、真空ポンプ４４は停止されている。このとき、ＦＴ−ＩＲコントローラ３０に設けられた表示画面、又は半導体製造装置に設けられた表示画面には初期画面が表示される。
【００７２】
この初期画面において、リモ−トモード、マニュアルモード、メンテナンスモード及びローカルモードの４つのモードが示され、いずれか一つを選択するように要求される。
【００７３】
リモートモードは自動シーケンス制御によりモニタ装置２０を作動させるモードである。すなわち、リモートモードにおいては、予め設定されたプログラムにより、モニタ装置２０の自動運転が行われる。
【００７４】
マニュアルモードは、モニタ装置２０を手動で運転するためのモードであり、初期調整の際にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点を調整したり、サンプリングを手動で行ったりする場合に選択される。また、定期点検、故障修理あるいは非常停止後にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点調整を行ったり、サンプリングを手動で行ったりする場合にもマニュアルモードが選択される。
【００７５】
マニュアルモードが選択されると（ステップＳ２００）、まず、真空ポンプ４４が作動され（ステップＳ２０２）、ＦＴ−ＩＲ２６をリモート制御するための設定が行われる（ステップＳ２０４）。次に、ゼロ点調整又はサンプリングのいずれかが選択される。ゼロ点調整が選択されると（ステップＳ２０６）、まずゼロ点調整用開閉弁４２が開かれて（ステップＳ２０８）、窒素ガスがＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給され、ゼロ点調整が行われる（ステップＳ２１０）。ゼロ点調整が終了するとゼロ点調整用開閉弁４２が閉じられ（ステップＳ２１２）、ゼロ点調整動作を終了する（ステップＳ２１４）。
【００７６】
サンプリングが選択された場合（Ｓ２２０）、所望の処理装置に対応する開閉弁５２−１〜５２−４，２２−１〜２２−４が開かれ（ステップＳ２２２）、排気ガスのサンプリングが行われる（ステップＳ２２４）。サンプリングが終了すると、開閉弁が閉じられ（ステップＳ２２６）、サンプリング動作が終了する（Ｓ２２８）。
【００７７】
メンテナンスモードが選択されると（ステップＳ３００）、次に、各種データ及び情報を設定するか、又はデータの履歴を操作するかについての選択が要求される。
【００７８】
データの設定操作が選択されると（ステップＳ３０２）、操作者により所望のデータあるいは情報の変更又は設定が行われ（ステップＳ３０４）、設定されたデータ又は情報が登録される（ステップＳ３０６）。変更又は設定されるデータ又は情報としては、各ガス成分の比較基準データ、警報に関するデータの設定、警報を発するガス成分範囲の設定、サンプリングデータの履歴保存の設定等がある。一方、データの履歴の操作が選択された場合は（ステップＳ３１０）、履歴が保存され（ステップＳ３１２）、不要な履歴は消去される（ステップＳ３１４）。
【００７９】
初期画面からローカルモードが選択された場合、（ステップＳ４００）、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０への信号の供給は停止され（ステップＳ４０２）、ＦＴ−ＩＲ２６は操作者からの入力のみにより動作するように設定される（ステップＳ４０４）。
【００８０】
一方、初期画面からリモートモードが選択されると（ステップＳ１０）、まず真空ポンプ４４が作動される（ステップＳ１２）。続いて、ＦＴ−ＩＲ２６がリモート制御可能となるように設定され（ステップＳ１４）、サンプリング及びガス成分分析の自動運転が開始される（ステップＳ１６）。
【００８１】
自動運転が開始されると、まずＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点調整が行われる。すなわち、ゼロ点調整用開閉弁４２が開かれ（ステップＳ１８）、窒素ガスがＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給される。開閉弁４２の開弁時間を設定したゼロ点調整タイマが設定され（ステップＳ２０）、ゼロ点調整が行われる。ゼロ点調整タイマにより所定の開弁時間が計時されると、ゼロ点調整用開閉弁４２が閉じられ（ステップＳ２２）、ゼロ点調整動作を終了する（ステップＳ２４）。
【００８２】
続いて、処理は図７に示すステップに進む。すなわち、ゼロ点調整が終了すると、モニタ装置２０は排気ガスサンプリングの待機状態となり（ステップＳ２６）、サンプリングを開始するための信号の待ち受け状態となる（ステップＳ２８）。このとき、ゼロ点調整をある時間間隔で定期的に行うために、タイマが設定される。本実施の形態の場合、ゼロ点調整を６時間毎に行うように６時間タイマが設定される（ステップＳ３０）。したがって、最初のゼロ点調整が終了してから６時間後に自動的にＦＴ−ＩＲのゼロ点調整が行われ、ゼロ点が狂わないように維持される。
【００８３】
信号待ち受け状態において信号を受信すると（ステップＳ３４）、まず受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ３６）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ３８）。一方、受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ４２）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ４４）。
【００８４】
また、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ４６）。受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ４８）。一方、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ５０）。受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ５２）。
【００８５】
一方、受信した信号がチャンバ▲４▼からの信号ではない場合は、受信した信号がゼロ校正信号か否かが判定される（ステップＳ５４）。そして、受信した号がゼロ校正信号ある場合は、その信号を受信する（ステップＳ５６）。
【００８６】
上記ステップＳ３８，Ｓ４４，Ｓ４８，Ｓ５２において受信した信号には優先順位が設定される。すなわち、ステップＳ３４においてほぼ同時に複数の処理開始信号及びゼロ校正信号を受信した場合、各信号に基づく処理を順番に行うために優先順位を設定する。本実施の形態では、優先順位は、チャンバ▲１▼、チャンバ▲２▼、チャンバ▲３▼、チャンバ▲４▼、ゼロ校正、という順としている。
【００８７】
図９に示すように、モニタ装置２０による自動サンプリング処理が開始されると、まずチャンバ▲１▼〜▲４▼の処理がほぼ同時に開始され、それによりチャンバ▲１▼〜▲４▼からの処理開始信号がほぼ同時にモニタ装置２０に送られてくることとなる。排気ガスのサンプリングには約２５秒間必要であるため、ＦＴ−ＩＲ２６は少なくとも２５秒以上の時間を一つのチャンバのために使用されることとなる。したがって、複数の処理開始信号をほぼ同時に受信した場合は優先順位を設定して、サンプリングをチャンバ毎に時間をずらして行う必要がある。一つのチャンバによる１回の処理は約２００秒であるため、２５秒程度の時間をずらしても４つのチャンバからの排気ガスを採取することができる。なお、２回目以降の処理開始タイミングは、４つのチャンバについて異なってくるので、同時に複数の処理開始信号を受信することは少なくなる。
【００８８】
上述のように、排気ガスサンプリングの優先順位が設定されると、優先順位の高い順から再び信号を受信する（ステップＳ４０）。
【００８９】
そして、まず受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ５８）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲１▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−１を開いてチャンバ▲１▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ６０）。
【００９０】
開閉弁４０−１が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ６２）、開閉弁４０−１を開いている時間が設定される。開閉弁４０−１を開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲１▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−１は閉じられ（ステップッスＳ６４）、受信信号がクリアされる（ステップＳ６８）。
【００９１】
一方、受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ７２）。受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲２▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−２を開いてチャンバ▲２▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ７４）。
【００９２】
開閉弁４０−２が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ７６）、開閉弁４０−２を開いている時間が設定される。開閉弁４０−２開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲２▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−２は閉じられ（ステップッスＳ７８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ８０）。
【００９３】
また、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ８２）。受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲３▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−３を開いてチャンバ▲３▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ８４）。
【００９４】
開閉弁４０−３が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ８６）、開閉弁４０−３を開いている時間が設定される。開閉弁４０−３開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲３▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−３は閉じられ（ステップッスＳ８８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ９０）。
【００９５】
また、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ９２）。受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲４▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−４を開いてチャンバ▲４▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ９４）。
【００９６】
開閉弁４０−４が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ９６）、開閉弁４０−４を開いている時間が設定される。開閉弁４０−４開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲４▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−４は閉じられ（ステップッスＳ９８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ１００）。
【００９７】
また、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がゼロ校正信号であるか否かが判定される（ステップＳ１０２）。受信した信号がゼロ校正信号である場合は、ＦＴ−ＩＲ１６のゼロ点調整を行う。すなわち、開閉弁４２を開いて窒素ガス源から窒素ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ１０４）。
【００９８】
開閉弁４２が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ１０６）、開閉弁４２を開いている時間が設定される。この時間の間にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ校正が行われる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４２は閉じられ（ステップッスＳ１０８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ１１０）。そして、測定体待機状態となる（ステップＳ１２０）。
【００９９】
ステップＳ６８，Ｓ８０，Ｓ９０，Ｓ１００において受信信号がクリアされると、サンプリングされた排気がガスの分析が行われて分析結果が得られる（ステップＳ７０）。分析結果は保存される（ステップＳ１１２）と共に、排気ガスの各成分と基準値との比較を行うか否かの判定が行われる（ステップＳ１１４）。基準値との比較が行われた場合は、分析結果が基準値に対して許容範囲内であるかを否か判定し（ステップＳ１１６）、許容範囲内であれば測定待状態となる（ステップＳ１２０）。
【０１００】
分析結果により許容範囲を超えていると判定されると、異常を表す警報信号が対応する半導体処理装置に送出され、処理条件に異常が発生したことを知らせる警報が発せられる（ステップＳ１１８）。
【０１０１】
排気ガスの成分比較が行われないと判定されると、排気ガスの流量をチェックするか否かが判定される（ステップＳ１２２）。流量チェックを行うと判定された場合、排気ガスの全体の流量を測定してその流量を基準値と比較し、許容範囲内であるか否かが判定される（ステップＳ１２４）。排気ガスの流量が許容範囲を超えていた場合は、処理条件の異常を表す信号を処理装置に送出して警報を発する（ステップＳ１２６）。排気ガスの流量が許容範囲内であった場合は、測定待機状態となる（ステップＳ１２０）。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態によれば、排気ガスの成分をフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）によりリアルタイムで分析し、排気ガス中の各成分が正常な値の範囲を超えた場合は、処理条件に異常が発生したと判断し、異常を表す信号を出力する。そして、異常を表す信号に基づいて警報を発する警報手段を備えているため、処理条件になんらかの異常が生じたことをリアルタイムで半導体製造装置の運転管理者に通知することができる。
【０１０３】
フーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）は非常に短時間で排気ガス成分の分析を行うことができるので、半導体製造装置において、１ロットのウェハを処理している間に排気ガス分析を行うことができる。これにより、１ロットのウェハの処理中に処理条件が変化して許容範囲を超えてしまった場合、すぐに警報が発せられ、半導体製造装置の運転を中止して処理条件を修正することができる。すなわち、従来のように１ロットのウェハの処理が終了した後に処理されたウェハを検査分析して、初めてウェハの処理が正常であったか否かを判定するのではなく、異常な条件で処理が行われていることを検出して、１ロットのウェハの処理の途中で処理条件を修正することができる。したがって、異常な処理条件でウェハを続けて処理してしまうことを防止することができ、欠陥を有するウェハを連続して製造してしまうことを未然に防止することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態では、処理条件の各々の項目を直接モニタするものではなく、処理の結果生成される排気ガスの成分変化により異常の有無を判断している。これにより、処理条件の変動をトータル的にモニタすることが可能となり、効率的な処理条件の制御が可能となる。例えば、処理条件のうち、あるガス成分の流量が許容範囲を超えていたとしても、他のガス成分によりこれを補償することができ処理全体としては正常な範囲で行われることもある。すなわち、処理ガスの流量、圧力、温度等の各処理条件は密接な関係を持っており、一つの処理条件の変動が他の処理条件に影響するように互いに関係しあっている。このような場合、各処理条件を個別にモニタしていたのでは、処理全体としては正常な処理が行われていても、すなわち、正常なウェハが製造されていても、一つの処理条件が許容範囲を超えたとういうだけで、処理条件が異常であると判断されしまう。しかし、本実施の形態では正常な処理が行われた際の排気ガス成分との比較を行うことにより、処理条件全体として正常な範囲を維持しているか否かを判断することができるため、実際の処理に即した正常、異常の判定を行うことができ、無駄な処理異常判定を行うことを防止することができる。
【０１０５】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【０１０６】
図１０は本発明の第２の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置８０を含む半導体製造システムの全体構成を示すブロック図である。図１０において、図２に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１０７】
本実施の形態によるモニタ装置８０は、ＡＰＣコントローラ９２を有すること以外は上述の第１の実施の形態によるモニタ装置２０と同様な構成である。ＡＰＣコントローラ８２は、処理装置からの処理情報を受け、その情報をＥＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給するととともに、排気ガス分析結果を表示、記録する機能を有する。本実施の形態では、排気ガス分析結果を基準分析結果と比較することにより、処理条件のどの項目を修正すべきかについての情報を表示することができる。
【０１０８】
図１０に示すように、ＡＰＣコントローラ８２は、プロセス装置コントローラ４とＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０との間に接続され、後述のようにプロセス装置コントローラ４からウェハ処理に関する種々の情報を受け取り格納するとともに、排気ガスのサンプリングに必要な情報を、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給する。また、ＡＰＣコントローラ８２は、排気ガス分析結果をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０から受けて、これを記録表示する。
【０１０９】
図１１はモニタ装置８０によるモニタ機能を説明するための図である。半導体製造装置のプロセス装置コントローラ４からは、ウェハ処理に関する種々の情報（装置情報）がモニタ装置８０に対して供給される。モニタ装置８０は、装置情報に基づいて様々な機能を実行する。モニタ装置８０が有する機能には、プロセスガスモニタ機能、ガス流量チェック機能、水分量チェック機能、予防保全サポート機能等がある。また、プロセス装置コントローラ４からモニタ装置８０に供給される装置情報は、チャンバ番号、ロット番号、ロット処理開始時刻、エッチング開始時刻、ロット処理終了時刻、ガス流量チェック開始、処理ガス名称、処理ガス設定流量、水分量チェック開始、クリーニング終了、放電時間等に関する情報を含んでいる。
【０１１０】
次に、上述のモニタ装置８０の機能について図１２乃至１４を参照しながら説明する。
【０１１１】
まず、プロセスモニタ機能について図１２を参照しながら説明する。図１２はプロセスモニタ機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１１２】
プロセス装置コントローラ４から処理開始がモニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２に通知されると、ＡＰＣコントローラ８２はプロセスのモニタを開始する。図１２の例では、自動モニタを行うように設定されており、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定される。続いて、プロセス装置コントローラ４からは、モニタすべき処理が行われているチャンバ番号、処理されているウェハのロット番号及びそのロットの処理が開始された時刻等の情報がモニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２に送られる。続いて、処理装置においてウェハ番号１番の処理が開始されると、ウェハ番号と共に処理開始信号がＡＰＣコントローラ８２に供給される。ここで、処理チャンバにて行われるウェハの処理はエッチング処理と仮定する。
【０１１３】
ＡＰＣコントローラ８２は、モニタすべきエッチング処理の行われているチャンバ番号をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に通知する。図１２に示す例では、チャンバＮｏ．Ｘにおいてウェハ番号１番のウェハが処理されている。したがって、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバＮｏ．Ｘに対応する開閉弁（図４の４０−１〜４０−４に相当）を開くようにバルブボックス２４に対して指令を送る。
【０１１４】
この指令に基づいて、開閉弁が開かれ、チャンバＮｏ．Ｘからのプロセス排気ガスがＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６はプロセス排気ガスの成分及び流量を分析し、分析データをＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送る。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、分析データを基準値とを比較し、分析データが基準値に基づく許容範囲内にあるかを求める。比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、表示・記録される。
【０１１５】
次に、ウェハ番号２番のエッチング処理が処理チャンバＮｏ．Ｘにおいて開始されると、上述のウェハ番号１番の処理と同様の処理が行われる。すなわち、チャンバＮｏ．Ｘに対応する開閉弁が開かれてチャンバＮｏ．Ｘからのプロセス排気ガスがサンプリングされ分析される。分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、基準値と比較されて、比較結果がＡＰＣコントローラ８２に送られて、表示・記録される。
【０１１６】
このように、１ロットのウェハが順次処理されるのと同時にプロセス排気ガスの成分がモニタされ、ＡＰＣコントローラに順次表示・記録される。そして、１ロット分のウェハの処理が終了すると、ＡＰＣコントローラ８２は各ウェハの分析結果データ及び比較結果を含むロットデータを所定の記憶装置に格納する。
【０１１７】
図１３はガス流量チェック機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１１８】
プロセス装置コントローラ４からガス流量チェックを行う旨の指示が送出されると、ＡＰＣコントローラ８２は処理を行っていない状態での処理チャンバから排気される排気ガス中の各種ガスの流量が正常範囲であるか否かをチェックする。すなわち、処理チャンバに供給されている各種処理ガスの流量が正常範囲内であるか否かをチェックする。この際、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定されているものとする。
【０１１９】
まず、プロセス装置コントローラ４から流量チェックすべきチャンバ番号及び、流量チェック開始信号がＡＰＣコントローラ８２に送出される。ここで、流量チェックすべき処理チャンバの番号はＸとする。また、プロセス装置コントローラからは、各種処理ガスの名称がＡＰＣコントローラ８２に通知される。
【０１２０】
ＡＰＣコントローラ８２は、流量チェックを開始する日時及び時刻を記録し、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に対してチャンバ番号Ｘとともに流量チェック開始信号を供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁（図４の開閉弁４０−１〜４０−４に相当）を開くようバルブボックス２４を制御する。チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁が開かれると、チャンバ番号Ｘに供給された処理ガスがそのままＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６は処理ガスの成分を分析してガスの種類毎に流量を求める。
【０１２１】
ＦＴ−ＩＲ２６による分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、各ガス成分毎に設定値と比較される。そして、比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、プロセス装置コントローラ４から通知されたガス名称と共に表示・記録される。
【０１２２】
図１４は水分量チェック機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１２３】
プロセス装置コントローラ４から水分量チェックを行う旨の指示が送出されると、ＡＰＣコントローラ８２は処理を行っていない状態での処理チャンバから排気される排気ガス中の水分量が正常範囲であるか否かをチェックする。すなわち、処理チャンバに水分が残留しているか否かをチェックする。この際、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定されているものとする。
【０１２４】
まず、プロセス装置コントローラ４から水分量チェックすべきチャンバ番号及び、水分量チェック開始信号がＡＰＣコントローラ８２に送出される。ここで、水分量チェックすべき処理チャンバの番号はＸとする。
【０１２５】
水分量チェック開始信号を受けると、ＡＰＣコントローラ８２は、水分量チェックを開始する日時及び時刻を記録し、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に対してチャンバ番号Ｘとともに水分量チェック開始信号を供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁（図４の開閉弁４０−１〜４０−４に相当）を開くようバルブボックス２４を制御する。チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁が開かれると、チャンバ番号Ｘに供給された処理ガスがそのままＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６は処理ガスを分析して処理ガス中の水分量を求める。
【０１２６】
ＦＴ−ＩＲ２６による分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、水分量の基準値と比較される。そして、比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、処理チャンバの水分量として表示・記録される。
【０１２７】
図１５は予防保全サポート機能を実行する際の、モニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２の処理を示す図である。
【０１２８】
処理チャンバは所定の時間毎に各部のメンテナンスを行う必要がある。例えば、処理チャンバのクリーニング、シールドリングの交換、電極の交換等を所定の時間毎に行う必要がある。そこで、ＡＰＣコントローラ８２は、各処理チャンバ毎に運転の履歴を管理し履歴データを保存している。そして、所定の運転時間が経過すると、表示装置等に表示して装置の運転者にメンテナンスを促す。
【０１２９】
図１５に示す例は、プラズマ処理装置の処理チャンバのメンテナンスを行う例である。プロセス装置コントローラ４からは、処理チャンバのメンテナンスに関する情報がＡＰＣコントローラ８２に送られる。図１５に示す例の場合、メンテナンス情報には、チャンバクリーニングを何時間毎に行うか、シールドリングを何時間ごとに交換するか、電極を何時間ごとに交換するか等の方法が含まれている。
【０１３０】
ＡＰＣコントローラ８２は、メンテナンス情報に基づいて、各処理チャンバの運転時間を累積して情報として保存する。図１５に示す例の場合、処理チャンバの運転時間は処理チャンバの電極での放電時間に一致するため、プロセス装置コントローラから送られてくる放電時間情報から各々の処理チャンバの放電時間を個別に求めて、それを累積する。
【０１３１】
例えば、ＡＰＣコントローラ８２は、処理チャンバ番号Ｘに関して、プロセス装置コントローラ４から送られてくるロット処理レシピ（一つのロットのウェハの処理内容情報）からその処理に必要な放電時間を認識する。そして、そのロットのウェハのエッチング処理が開始される毎に、放電時間を累積する。すなわち、処理チャンバ番号Ｘのチャンバクリーニング、シールドリング交換及び電極交換の項目毎に放電時間をカウントし、累積時間を記録しておく。
【０１３２】
各項目の累積時間が所定の時間に達するとＡＰＣコントローラ８２はこれを表示して装置の運転管理者にメンテナスの実行を促す。
【０１３３】
次に、上述のプロセスモニタ機能について図１６乃至２０を参照しながら更に詳しく説明する。プロセスモニタ機能では、プロセス排気ガスに含まれる各種ガス成分の流量変動に基づいて、処理条件の修正すべき項目を推定する。ここで、処理装置をＲＦプラズマ処理装置とし、分析する排気ガス成分をＣ２Ｈ６，Ｃ２Ｆ４，ＳｉＦ４，ＣＦ４の４種類とした場合について説明する。
【０１３４】
図１６は処理チャンバ内の圧力が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバ内の圧力が設定値から低下するとＣ２Ｆ６の流量は上昇する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４，ＳｉＦ４及びＣＦ４の流量にはほとんど変化がみられない。一方、処理チャンバ内の圧力が設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ４の流量は減少する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、Ｃ２Ｆ６及びＣＦ４の流量にはほとんど変化がみられない。
【０１３５】
図１７は処理チャンバに投入されるＲＦパワーが変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバ内のＲＦパワーが設定値から低下すると、Ｃ２Ｆ６の流量は上昇する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量はほぼ変化がなく、ＳｉＦ４の流量は大きく減少し、ＣＦ４の流量は大きく増大する。一方、処理チャンバに投入されるＲＦパワーが設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ４の流量は減少する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、ＣＦ４の流量は大幅に減少し、Ｃ２Ｆ６の流量にはほとんど変化がみられない。
【０１３６】
図１８は処理チャンバに供給される処理ガスのうちＣ５Ｆ８の流量が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバに供給されるＣ５Ｆ８の流量が設定値から低下すると、Ｃ２Ｆ６の流量は減少する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量は大幅に減少し、ＳｉＦ４の流量はほとんど変化がみられず、ＣＦ４の流量は大幅に減少する。一方、供給されるＣ５Ｆ８の流量が設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ６の流量は増大する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量は増大する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、ＣＦ４の流量も大幅に増大する。
【０１３７】
以上のように、処理条件のうち圧力、ＲＦパワー、処理ガス流量（Ｃ５Ｆ８）をパラメータとして、各種排気ガス成分の流量の増減を分析すると、パラメータ全体にわたって見た場合に、排気ガス成分の流量の増減に固有の傾向が見られることがわかる。
【０１３８】
図１９は、各排気ガス成分の流量変化をその許容範囲と比較しながら各パラメータに関して示したグラフである。
【０１３９】
図１９（ａ）はＣＦ４の流量変化を各パラメータに関して示したものであり、流量の基準値（Ｂａｓｅ）に基づいて図中斜線で示すように許容範囲が設定されている。チャンバの圧力に関して、圧力が低下しても（Ｌｏｗで示す）上昇しても（Ｈｉで示す）、ＣＨ４の流量にはほとんど変化がみられず、許容範囲内に収まっている。一方、ＲＦパワーに関して、ＲＦパワーが低下した場合（Ｌｏｗ）はＣＦ４の流量は許容範囲の上限を超えて増大し、ＲＦパワーが上昇した場合はするＣＦ４の流量は減少するが許容範囲に収まっている。また、ガス流量（Ｃ５Ｆ８）に関して、ガス流量が低下すると（Ｌｏｗ）ＣＦ４の流量は許容範囲を超えて大幅に減少し、ガス流量が上昇すると（Ｈｉ）ＣＦ４の流量は許容範囲を超えて大幅に増大する。なお、図中、黒塗りの正方形のマークはＣＦ４の流量が許容範囲であることを表し、白抜きの正方形のマークはＣＦ４の流量が許容範囲外であることを表している。
【０１４０】
図１９（ｂ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＳｉＦ４の流量の増減をプロットしたグラフである。ＳｉＦ４の流量はチャンバ圧力がＨｉの時に許容範囲を超えて増大する。また、ＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＨｉの場合も許容範囲を超えて増大する。一方、ＳｉＦ４の流量は、ＲＦパワーがＬｏｗの時に許容範囲を超えて減少する。
【０１４１】
図１９（ｃ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＣ２Ｆ４の流量の増減をプロットしたグラフである。Ｃ２Ｆ４の流量はチャンバ圧力がＨｉの時に許容範囲を超えて減少する。また、ＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＬｏｗの場合も許容範囲を超えて減少する。
【０１４２】
図１９（ｄ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＣ２Ｆ６の流量の増減をプロットしたグラフである。Ｃ２Ｆ６の流量はチャンバ圧力がＬｏｗの時に許容範囲を超えて増大する。また、ＲＦパワーがＬｏｗ及びガス流量がＨｉの場合も許容範囲を超えて増大する。一方、Ｃ２Ｆ６の流量はＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＬｏｗの場合に許容範囲を超えて減少する。
【０１４３】
図２０は、図１９に示すグラフから得られる分析結果を示す図である。図２０に示すように、チャンバ圧力がＬｏｗの場合、ＣＦ４，ＳｉＦ４，Ｃ２Ｆ４の各ガス成分の流量は許容範囲内であり、Ｃ２Ｆ６の流量のみが許容範囲を超えている。ここで、流量が許容範囲内の場合を“０”とし、許容範囲を超えた場合を“１”として認識信号を生成すると、チャンバ圧力がＬｏｗの場合の認識信号は“０００１”となる。
【０１４４】
チャンバ圧力がＨｉの場合、ＣＦ４及びＣ２Ｆ６のガス成分の流量は許容範囲内であり、ＳｉＦ４及びＣ２Ｆ４の流量が許容範囲を超えている。ここで、流量が許容範囲内の場合を“０”とし、許容範囲を超えた場合を“１”として認識信号を生成すると、チャンバ圧力がＨｉの場合の認識信号は“０１１０”となる。
【０１４５】
同様に、ＲＦパワーがＬｏｗの場合の認識信号は“１１０１”となり、Ｈｉの場合の認識信号は“０１１１”となる。また、ガス流量（Ｃ５Ｆ８）がＬｏｗの場合の認識信号は“１０１１”となり、Ｈｉの場合の認識信号は“１１１１”となる。
【０１４６】
以上のように生成された認識信号は、各パラメータのＬｏｗ及びＨｉについてそれぞれ異なった信号として生成される。すなわち、チャンバ圧力がＬｏｗの場合の認識信号“０００１”は、チャンバ圧力がＨｉの場合及び他のパラメータがＬｏｗ及びＨｉの場合に生成される認識信号のいずれとも異なっている。したがって、認識信号“０００１”が生成された場合は、チャンバ圧力が低下している可能性が大であり、チャンバ圧力が低下していないか否かをまずチェックすればよい。
【０１４７】
ただし、処理チャンバ内での処理条件は処理条件の各項目が複雑に関係しあっているため、チャンバ圧力がＬｏｗであること以外にも認識信号“０００１”が生成される可能性がある。したがって、上述の認識信号による調整個所の推定は、可能性の大きい調整個所を示すものであり、認識信号で示される項目が必ず調整必要な項目というわけではない。
【０１４８】
本実施の形態では、上述の認識信号からが推定される調整項目について、半導体製造装置又はモニタ装置８０の表示画面に表示し、半導体製造装置の運転管理者に通知するよう構成されている。すなわち、例えば、半導体製造装置の運転中にモニタ装置８０のプロセスモニタ機能により、例えば認識信号“０００１”が生成された場合、半導体製造装置（処理チャンバ）の処理条件に異常が発生し、そのまま処理を続けると欠陥を有するウェハが製造されると判断される。そこで、半導体製造装置又はモニタ装置８０の表示画面に処理条件に異常が発生したことを表示し、運転管理者の注意を促す。
【０１４９】
そして、異常の発生を運転管理者に通知するとともに、認識信号から得られる調整項目を表示する。すなわち、認識信号“０００１”が生成された場合は、チャンバ圧力が低下した可能性が大きいため、表示画面に例えば「チャンバ圧力の低下をチェックして下さい」というような表示を行う。したがって、半導体製造装置の運転管理者は、処理条件の異常が通知された際に、まず表示画面からの指示によりチャンバ圧力をチェックし、チャンバ圧力が低下している場合は調整して正常な圧力に戻すことができる。
【０１５０】
このように、処理条件の異常が通知されたら、まず表示装置を見ることにより、調整すべき可能性の大きい処理条件をすぐに知ることができ、各種の処理条件項目を一つずつチェックするよりはるかに効率的に短時間で処理条件の異常の原因を調べることができる。
【０１５１】
また、Ｃ５Ｆ８のガス流量が多すぎる場合、図２０に示すように認識信号“１１１１”が生成されるが、認識信号“１１１１”が生成された場合はＣ５Ｆ８の流量が多すぎること以外に他の原因である可能性は非常に低い。そこで、認識番号“１１１１”が生成された場合は、モニタ装置８０から半導体製造装置のコントローラ４へ信号を送ってＣ５Ｆ８の流量を減少するように指示する。
【０１５２】
すなわち、処理条件の異常の原因が一つの要素によるものであると確定できる場合は、自動的にその原因となる要素を制御して処理条件の異常を解消するように制御することもできる。このような自動制御は、分析データを蓄積して統計的に処理することにより処理条件異常の原因の特定が確度高くできるようになれば、全ての処理異常の場合においても（すなわち全ての認識信号に対して）適用することが可能となる。
【０１５３】
なお、上述のパラメータの種類（チャンバ圧力、ＲＦパワー、Ｃ５Ｆ８の流量）は一例にすぎず、他の様々な処理条件の項目をパラメータとして用いてもよい。また、排気ガス中の分析するガス成分の種類（ＣＨ４，ＳｉＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６）も一例であり、他の種類のガス成分を分析することとしてもよい。パラメータ及び分析するガスの種類を適宜選択することにより、処理条件の異常の原因を精度高く推定することが可能となる。
【０１５４】
また、様々な処理条件における排気ガス成分の分析結果を蓄積することにより、処理条件の異常の原因の推定をより精度高く行うことができるようになる。本実施の形態のように、ガス分析に高速分析可能なフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）を用いて、処理条件の変動をリアルタイムに分析することにより、分析結果の蓄積を容易に短時間で行うことができる。
【０１５５】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本発明の第３の実施の形態は上述の第２の実施の形態によるモニタ装置での分析結果を蓄積して活用することにより、様々な制御管理を可能とするものである。
【０１５６】
すなわち、例えばプラズマエッチング装置のように処理中に排気ガスを生成する半導体製造装置の各々に対してフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）を組み込むことにより、排気ガスの成分分析データを蓄積し、この蓄積されたデータを半導体製造工程の制御や、半導体製造装置の故障診断等に活用するものである。
【０１５７】
上述の第２の実施の形態では、個別の半導体製造装置又は幾つかの半導体製造装置に対してＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置を設け、排気ガス成分分析をリアルタイムに行うことにより、半導体製造工程の制御を容易にするものである。ここで、第２の実施の形態では、あらかじめ得られた分析データに基づいて作成された基準となるデータをモニタ装置に保管しておくことにより、新しく得られた分析データと比較して、処理条件の変動の原因を推定するものである。
【０１５８】
本発明の第３の実施の形態では、処理中に排気ガスを生成する半導体製造装置の各々に対してＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置を設け、モニタ装置から得られる分析データを一箇所でまとめて蓄積・管理する。そして、蓄積したデータを統計処理するなどして活用することにより、その結果を個々の半導体製造装置にフィードバックする。
【０１５９】
分析データを蓄積する場所は、例えば、半導体製造装置を製造して出荷する製造装置メーカが提供する。この場合、製造装置メーカからの出荷段階で各半導体製造装置に対してモニタ装置を組み込むこととしてもよい。また、分析データを蓄積する場所は、例えば、製造装置メーカが提供する分析センタであって、市場に出荷されて実際に稼動中の半導体製造装置からは、データ通信網を介して分析センタへ随時分析データを送ることとする。
【０１６０】
図２１は本実施の形態による半導体製造装置管理システムの全体構成を示す図である。
【０１６１】
図２１において、半導体デバイスメーカで稼動中のエッチング装置１１０はＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置１００に接続されており、ＦＴ−ＩＲにより得られる分析データはインターネットを介して分析センタに送られる。分析データはエッチング装置１１０の処理中にリアルタイムに送られてもよく、所定の時間毎に送られてもよい。ガス分析結果を即時に処理に反映するにはエッチング処理中にリアルタイムで分析データを分析センタに送ることが望ましい。また、図中、複数のエッチング装置１１０が一つのモニタ装置１００に接続されているが、１台のエッチング装置にモニタ装置１００を１台設けることとしてもよい。
【０１６２】
また、半導体デバイスメーカで稼動中のＣＶＤ装置１２０もＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置１００に接続されており、ＦＴ−ＩＲにより得られる分析データはインターネットを介して分析センタに送られる。分析データはＣＶＤ装置１２０の処理中にリアルタイムに送られてもよく、所定の時間毎に送られてもよい。ガス分析結果を即時に処理に反映するにはＣＶＤ処理中にリアルタイムで分析データを分析センタに送ることが望ましい。また、図中、複数のＣＶＤ装置１２０が一つのモニタ装置１００に接続されているが、１台のＣＶＤ装置１２０にモニタ装置１００を１台設けることとしてもよい。
【０１６３】
上述のエッチング装置１１０及びＣＶＤ装置１２０は、処理中に排気ガスが生成される半導体製造装置の例であり、ＦＴ−ＩＲによる排気ガスの分析を適用することのできる装置であれば、エッチング装置及びＣＶＤ装置に限定されるものではない。
【０１６４】
稼動中のエッチング装置１１０又はＣＶＤ装置１２０から分析データが送られてくると、分析センタ２００は送られてきた分析データの分析を行う。分析センタ２００には、多くのデバイスメーカで稼動中の半導体製造装置からの分析データが同じ種類あるいは型の半導体製造装置毎に蓄積・管理されている。分析センタ２００では、蓄積された分析データを例えば統計的手法により分析することにより、半導体製造装置の運転・管理に有用な様々な情報を生成する。そして、分析センタ２００は、送られてきた分析データを分析して様々な情報を分析データの送信側にインターネットを介して送信することができる。
【０１６５】
上述の第２の実施の形態においてモニタ装置８０で使用される分析データ比較用の基準値等を分析センタ２００に保管しておくことにより、処理条件の異常を分析センタ２００において判定し、判定結果をインターネットを介してそのモニタ装置８０に返送することとしてもよい。この際、後述するような付帯情報を一著に送信することにより、半導体製造装置の運転管理者に対して有用な情報を提供することができる。
【０１６６】
例えば、分析センタ２００は、多数の同じ型のエッチング装置１１０からの分析データを分析することにより、エッチング装置１１０の部品のうちで頻繁に故障する部分を認識し、その部分の故障の際に排気される排気ガス分析データの内容を記憶しておく。そして、エッチング装置１１０から分析データを受け取った際に、記憶してある分析データの内容と送られてきた分析データの内容が一致した場合、分析センタ２００は故障した部分を示す故障部分情報をその分析データの送り先に返送する。
【０１６７】
故障部分情報を受け取ったモニタ装置１００は、その表示画面に故障したと推定される部分を表示する。すなわち、分析センタ２００は同じ型の半導体装置について、各部分の平均故障率（ＭＴＢＦ）を計算しておき、故障した可能性の高い部分に関する情報を分析データの送信側に送り返すことができる。
【０１６８】
図２２は、上述の故障部分情報を受け取った場合に、モニタ装置１００の表示画面の表示例を示す図である。
【０１６９】
図２２に示す例は、上述の第２の実施の形態において説明した分析データによる識別信号が“０００１”となった場合である。すなわち、モニタ装置１００から分析センタ２００に送られた分析データの内容は、処理チャンバの圧力が低下した可能性が高いことを示している。このような分析データを受け取ると、分析センタ２００は、識別信号をモニタ装置１００に送信する。これと同時に分析センタ２００は、蓄積された情報から得られた情報として、処理チャンバの圧力低下を引き起こす部品の故障をその可能性の高い順に表示するような情報をモニタ装置１００に装置する。
【０１７０】
したがって、モニタ装置１００では、図２２に示すように、表示画面の左側に処理条件に異常が発生したことを表示し、さらにその異常の原因がチャンバ圧力の低下である可能性が高いためチャンバ圧力の低下をチェックすべきことを表示する。そして、同時に表示画面の右側に、チャンバ圧力低下を引き起こす部品の故障をその可能性が高い順に表示する。
【０１７１】
このように、処理条件の異常が通知された運転管理者は、モニタ装置１００の表示画面の左側を見ることによりチャンバ圧力の低下の可能性が大きいことを認識し、続いて表示画面の左側を見ることにより、実際にチャンバ圧力の低下があった場合にチェックすべき項目（部品）を即座に知ることができる。したがって半導体製造装置の運転管理者は、分析センタ２００からの情報により、効率的に短時間で故障の原因及び故障への対応を知ることができる。
【０１７２】
付帯情報として故障部位情報を返送することは、本実施の形態による分析センタ２００の機能のほんの一例にすぎない。すなわち、分析センタ２００において蓄積される分析データをもとにデータベースを構築し、様々な付帯情報を稼動中の半導体製造装置に送信することにより、半導体製造装置の運転管理者に有用な情報を提供することができる。
【０１７３】
図２１において、プロセスエンジニアが常駐する事務所３００や工場管理センタ４００に設置されたコンピュータ等の通信機能を有する装置も、インターネットを介して分析センタ２００に接続されている。したがって、処理条件の異常を通知する情報は、半導体製造装置に送信される際に、プロセスエンジニア及び工場管理センタにもインターネットを介して送信可能である。
【０１７４】
また、予め指定したアドレスを登録しておけば、分析センタからの情報や、モニタ装置１００による分析データをそのアドレスに自動的に送信することもできる。例えば、プロセスエンジニアのアドレスを登録しておけば、プロセスエンジニアが出張先でも半導体製造装置の運転状況を把握し、適切な対応を指示することもできる。
【０１７５】
また、本実施の形態による半導体製造装置管理システムを利用することにより、例えば、半導体製造装置のデモ機による試験的な処理での排気ガス分析データと、実際に納入された実機による処理での排気ガス分析データとを比較して、さらに蓄積された分析データによるデータベースからの情報を参照することにより、実機による処理をデモ機による処理に近づけるための指標を得ることができる。
【０１７６】
また、出荷時に半導体製造装置を標準状態で運転して排気ガス分析データを蓄積しておき、顧客に納入した後の立ち上げ時の分析データを比較することにより、顧客における環境条件と装置製造メーカでの環境条件との相違に起因する問題を解決するための情報を得ることも可能である。
【０１７７】
また、半導体製造装置には固体差があり（個々の機械のくせのようなもの）、同じ条件で運転してもその処理に相違が生じることがある。本実施の形態のように、多数の装置からの分析データを蓄積してデータベースにしておけば、このような固体差に起因する処理のばらつきを低減する方法も容易に得ることができる。
【０１７８】
また、例えば、処理ガスの反応生成物として、有毒ガスや爆発性のガスが生成される可能性もある。このような場合に関する情報も分析センタ２００のデータベースに蓄積しておけば、危険な反応生成物が発生した際の対処方法を装置の運転管理者に即座に通知することができる。
【０１７９】
例えば、半導体製造装置の運転中に反応生成物として有毒ガスが発生したような場合、それを分析データから検知して半導体製造装置の運転管理者に即座に通知するとともに、その有毒ガスを吸った場合の処置方法等の付帯情報を同時に送信することもできる。あるいは、そのような付帯情報を閲覧することのできるホームページに自動的にアクセスしたり、ホームページアドレスを表示したりしてもよい。また、有毒ガスの発生した装置を表示画面で示して、その装置の近傍にいる人の避難方向を表示画面により指示するというようなことも可能である。
【０１８０】
また、処理チャンバの後段の排気ダクト等で反応して爆発性のあるガスや有毒ガスとなるようなガスの組み合わせをデータベースに登録しておけば、そのようなガスの発生を事前に装置の運転管理者に通知することができ、事故を未然に防ぐことができる。
【０１８１】
なお、上述の実施の形態では、分析センタ２００と半導体製製造装置（モニタ装置１００）とをインターネットにより接続しているが、通信手段としてはインターネットによる通信に限られず、公衆電話回線網による通信、ｅメールによる通信、インターネットパケット通信等様々なデータ通信手段を用いることができる。
【０１８２】
次に、本発明の第４の実施の形態について、図２３を参照しながら説明する。
【０１８３】
図２３は本発明の第４の実施の形態による処理装置５００の構成図である。処理装置５００は、気密な処理室内に処理ガスを導入し、処壁内に配置された被処理体である半導体ウェハに所定の処理を施す装置である。図２３では、処理室５１０の内部構造の概略を示している。
【０１８４】
処理装置５００の処理室５１０は，図２３に示すように、処理室５１０内に流量制街装置ＭＦＣを介して処理ガスを供給するためのガス供給機構５１２と、ウェハＷが載置され、マッチングボックス５１４を介して高周波電源５１６が接続されたサセプタ５１８とを備えている。そして処理装置５００は、上記処理室５１０に処理ガスを供給するガス源５２０と、処理室５１０の排気側にバルブＶ１を介して設けられ，処理室５１０内の処理ガスを排気するためのターボポンプ５３０と、ターボポンプ５３０の下流側にバルブＶ２を介して設けられ、ターボポンプ５３０の下流側をさらに排気して減圧するドライボンプ５４０と、ドライポンプ５４０の下流側に設けられ、大気中に放出することのできないガスに対し吸収、分解等の所定の処理を行う除害装置５５０とを備えている。
【０１８５】
さらに処理装置５００は、ガス検知部６００を備えている。このガス検知部６００は、処理装置５００内の複数の検知点におけるガス濃度を検知するものである。以下にこの検知点及びガス検知部６００について詳細に説明する。
【０１８６】
処理装置５００には、ガスの漏洩を検知したり、メンテナンス等の目的のため、ガスの濃度を検知する必要がある箇所に対して検知点が複数設けられている。検知点は、図示の例では、ガス源５２０の下流側に検知点Ｘ１、流量制御装置ＭＦＣの下流側に検知点Ｘ２、処理室５１０に検知点Ｘ３、ターボポンプ５３０の下流側に検知点Ｘ４、ドライポンプ５４０の下流側に検知点Ｘ５、除害装置５５０の第１排気系５６０側に検知点Ｘ６、除害装置５５０の第２排気系５７０側に検知点Ｘ７、及び処理装置５００の作業を行う作業用空間５９０に検知点Ｘ８がそれぞれ設けられている。なお、検知点の配置は図示の例に限定されず、適宜変更可能である。
【０１８７】
ガス検知部６００は、フーリエ変換赤外分光器（ＦＴ−ＩＲ）６１０と、上記複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８を並列に接続し、所定のタイミングでＦＴ−ＩＲ６１０に接続される検知点を切り替えるバルブ切替ユニット６２０と、ＦＴ−ＩＲ６１０より検知点の情報が伝達されて所定の制御を行う制御手段６３０とを備えている。
【０１８８】
ＦＴ−ＩＲ６１０は、上述したように、１ｐｐｍ以下の分解能でガス濃度の検知が可能であり、ガス検知手段としては十分な能カを有している。また、排気ガス中の各ガスの濃度を調べることにより、それぞれのガスの絶対量を０．１ｃｍ３（０．１×１０−６ｍ３）以下の精度で検釦することが可能である。
【０１８９】
ＦＴ−ＩＲ６１０は、各検知点Ｘ１〜Ｘ８におけるガスの一部を吸引して採取しガス濃度の検知を行う。ＦＴ−ＩＲ６１０により採取されだガスは，大気中に放出することができるガスについては，第１排気系５６０を介して大気中に放出され、大気中に放出することができないガスについては、除害装置５５０を介して第２排気系５７０により排気される。
【０１９０】
制御装置６３０は、ガス検知部６００内のＦＴ−ＩＲ６１０及びバルブ切替ユニット６２０を制御するほか、ＦＴ−ＩＲ６１０より上記各検知点Ｘ１〜Ｘ８の情報が伝達されて所定の処理を行う。例えば、いずれかの検知点でガスの漏洩が検知された場合には、処理装置６３０は、ガス量の観測データの収集や、処理装置５００の各構成要素の制御、あるいは、作業者への警告等の処理を行う。
【０１９１】
上記構成からなる処理装置５００によれば、複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８における処理ガスの濃度を検知するガス検知部６００を備え，ガス検知部６００にＦＴ−ＩＲ６１０を設けたので、高精度のガス濃度の検知を行うことが可能である。このため、ガスの漏洩が起こった場合に即時対応が可能である。
【０１９２】
また、複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８を並列に接続し、検知点をバルブ切替ユニット６２０により切り替えているため、ひとつのＦＴ−ＩＲ６１０で複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８のガス濃度を検知することが可能である。このため，コストの上昇を抑えつつ高精度なガス濃度の検知を行うことが可能である。
【０１９３】
また、処理装置の作業用空間に検知点Ｘ８を設けるようにしたので，作業用空間内に人体に有毒なガスが混入した場合に即時対応が可能であり、作業者が有毒なガスを吸引する等の危険を回避することができる。
【０１９４】
上述のように、ガス検知部６００は、各検知点Ｘ１〜Ｘ８のガス流量を検知することにより、ガス漏洩検知手段として機能する。またその一方で、処理中やメンテナンス時、あるいは故障時における処理装置５００の構成要素の装置診断診手段としても機能する。以下に、ガス検知部６００による装置診断の一例として、流量制御装置ＭＦＣの診断動作について鋭明する。
【０１９５】
まず、ガス源５２０より、流量制御装置ＭＦＣに所定量の処理ガスを供給する。次いで、流量制御装置ＭＦＣにより、処理室５１０へ供給される処理ガスの流量を制御する。このとき、ＦＴ−ＩＲ６１０は、バルブ切替ユニット６２０のバルブの切替により、流量制御装置ＭＦＣの下流側の検知点Ｘ２のガス流量、すなわち、流量制御装置ＭＦＣの制御により処理室５１０へ供給される処理ガスの流量を検知する。
【０１９６】
制御装置６３０には，ＦＴ−ＩＲ６１０より上記検知点Ｘ２の情報が伝達される。そして、制御装置６３０は、流量制御装置ＭＦＣが正常に機能している易合に処理室５１０へ供給されるべき処理ガスの流量と、実際に処理室５１０へ供給されている処理ガスの流量とを比較し、その誤差を算出する。この誤差の算出は、ウェハＷの処理ごとに、あるいは所定枚数ごとに、あるいは所定期聞ごとに行うことができる。そして算出された誤差が予め設定された許容範囲を超えている場合には、流量制御装置ＭＦＣに異常が発生していると判断し、所定の処理を行う 流量制御装置ＭＦＣに異常が発生していると判断された場合には，制御装置６３０は、（１）流量制御装置ＭＦＣを制御して処理ガスの供給量を制御すること、（２）サイレンや警報等を発して流量制御装置ＭＦＣの異常をオペレータや管理者等に知らせること、（３）処理装置５００の動作を停止させること、等の処理を行う。
【０１９７】
以上説明したように、流量制御装置ＭＦＣの下流側に検知点Ｘ２を設けたので、流量制御装置ＭＦＣが行う処理ガスの流量制御の状態をリアルタイムに検知することができる。このため、処理中における流量制御装置の突発的な異常や故障等があっても即時対応が可能である。また、ガス検知部６００はメンテナンス時にもおいても使用することができるので、上述のビルドアップのように、圧カセンサ等を必要としない。
【０１９８】
なお、上述の処理装置の構成のうち、処理室内の構成や、バルブの位置等は上記構成に限定されず、適宜設計変更可能である。また、処理装置の構成の変更に伴って、検知点の位置も適宜設計変更可能である。
【０１９９】
また、上記実施の形態では、ガス検知部の動作の例として、流量制御装置の装置診断動作について説明したが、本発明はこれに限定されず、処理装置の他の構成要素の装置診断手段として機能させることも可能である。例えば、処理室内における圧カ雰囲気の変化の確認や、排気ガスの組成の確認等を、ＦＴ−ＩＲを備えたガス検知部を用いて高精度に行うことができる。このように，本発明は，ＦＴ−ＩＲを備えたガス検知部を、プロセス解析ツールとして広く活用することが可能である。
【０２００】
以上のように、本実施の形態によれば、気密な処理室内に処理ガスを導入し、前記処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施す処理装置において、複数の検知点におけるガス温度を検知するガス検知部を備え、前記ガス検知部は：フーリエ変換分光器と；前記複数の検知点を並列に接続し、所定のタイミングで前記フーリエ変換分光器に接続される前記検知点を切り替える切替手段と；前記フーリエ変換分光器より前記検知点の情報が伝達されて所定の制御を行う制御手段とを備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
【０２０１】
本実施の形態による処理装置によれば、コストの上昇を抑えつつ高精度のガス濃度の検知を行うことが可能である。このため、ガスの漏洩が起こった場合に即時対応が可能であり、多量のガス漏れを防止することができ、作業者の安全対策等に優れた効果を奏する。
【０２０２】
さらに，処理中における流量制御装置の突発的な異常や故障等があっても即時対応が可能である。また，メンテナンス時に圧力センサ等の他の装置を必要としない。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、プロセス排気ガスの成分を分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【０２０３】
また、分析速度が極めて速いフーリエ変換分光器を分析手段として用いることにより、リアルタイムに分析結果を得ることができ、分析結果を被処理体の処理に即座に反映することができる。したがって、例えば、１ロットの被処理体の処理の途中で処理条件に異常が発生した場合に、側材に処理を中止して処理条件を正常に戻すことができる。すなわち、異常な処理条件により被処理体を連続して処理してしまうことを防止できる。
【０２０４】
また、本発明によれば、フーリエ変換分光器により排気ガス成分を分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【０２０５】
また、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【０２０６】
また、本発明によれば、例えば、半導体デバイスメーカの工場等で稼動中の半導体製造装置を分析センタにおいて管理することができる。分析センタでは、半導体デバイスメーカにて稼動中の半導体製造装置から、分析データを収集して蓄積することによりデータベースを構築する。このデータベースを活用することにより、精度の高い半導体製造装置の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のモニタ装置を有する半導体製造装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置の全体構成を示す模式図である。
【図３】窒素ガスの供給手段を含むモニタ装置の構成を示す模式図である。
【図４】モニタ装置のガス通路の構成を示す図である
【図５】モニタ装置の信号の流れを示す図である。
【図６】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図７】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図８】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図９】処理装置での処理とモニタ装置でのサンプリングのタイミングを示すタイミングチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置を含む半導体製造システムの全体構成を示すブロック図である。
【図１１】モニタ装置によるモニタ機能を説明するための図である。
【図１２】プロセスモニタ機能を実行する際のモニタ装置各部の動作を示す図である。
【図１３】ガス流量チェック機能を実行する際のモニタ装置の各部の処理を示す図である。
【図１４】水分量チェック機能を実行する際のモニタ装置の各部の処理を示す図である。
【図１５】予防保全サポート機能を実行する際のモニタ装置のＡＰＣコントローラの処理を示す図である。
【図１６】処理チャンバ内の圧力が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１７】処理チャンバに投入されるＲＦパワーが変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１８】処理チャンバに供給される処理ガスのうちＣ５Ｆ８の流量が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１９】各排気ガス成分の流量変化をその許容範囲と比較しながら各パラメータに関して示したグラフである。
【図２０】図１９に示すグラフから得られる分析結果を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による半導体製造装置管理システムの全体構成を示す図である。
【図２２】モニタ装置の表示画面の一例を示す図である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態による処理装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
２ ＲＦプラズマ処理装置
２ａ 処理チャンバ
２ｂ ターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ）
４ コントローラ
６ 電源機器
８ プロセスガス供給装置
１０ ガス流量計
１２ 筐体
１４ 排気装置１４
１６ ドライポンプ
２０，８０ プロセス排気ガスモニタ装置
２２，２２−１〜２２−４ 排気ガス採取管
２４ バルブボックス
２６ フーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）
２６ａ ガス導入部（ガスセル）
２８ 採取ガス排気管
３０ ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０
３６ 窒素ガス源
３８ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
４０−１〜４０−４ 切り替えバルブ
ＳＶ１〜ＳＶ５ 電磁弁
４２ 開閉弁
４４ 真空ポンプ
４８−１〜４８−４ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
５０ レギュレータ５０
５２−１〜５２−４ 開閉弁
６０ 処理装置
８２ ＡＰＣコントローラ
１００ モニタ装置
１１０ エッチング装置
１２０ ＣＶＤ装置
２００ 分析センタ
３００ 工場管理センタ
４００ プロセスエンジニア
５００ 処理装置
５１０ 処理室
５１２ ガス供給機構
５１４ マッチングボックス
５１６ ＲＦ電源
５１８ サセプタ
５２０ ガス源
５３０ ターボポンプ
５４０ ドライポンプ
５５０ 除害装置
５６０ 第１排気系
５７０ 第２排気系
５８０ 作業用空間
６００ ガス検知部
６１０ ＦＴ−ＩＲ
６２０ バルブ切替ユニット
６３０ 制御手段
Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘ８ 検知点
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロセス排気ガスモニタ装置および方法、モニタ装置を備えた半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法に係わり、特に、半導体製造プロセスにおいて排気される各種のガス成分を分析するプロセス排気ガスモニタ装置及び方法、及びそのようなモニタ装置を有する半導体装置、及びそのようなモニタ装置を有する半導体製造装置管理システム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路の製造プロセスでは各種のプロセスガスが使用される。プロセスガスを使用して半導体デバイスを製造する半導体製造装置では、処理条件をモニタすることにより、半導体ウェハを安定且つ確実に処理している。モニタする条件としては、プロセスガス流量、プロセスチャンバ内の圧力及び温度、ＲＦパワー、ＲＦ反射波、静電チャックの電圧、冷却ガス圧力等がある。
【０００３】
図１は従来のモニタ装置を有する半導体製造装置の全体構成を示す模式図である。図１に示す半導体製造装置は、ＲＦプラズマ処理装置２と、半導体製造装置の各動作を制御するコントローラ４と、電源機器６と、プロセスガス供給装置８と、ガス流量計１０とを有している。これらの装置は筐体１２内に配置され、互いに協働して半導体製造装置として機能している。
【０００４】
ＲＦプラズマ処理装置２は、被処理体（半導体ウェハ）に対してプラズマを使用して所定の処理を施す装置であり、処理チャンバ２ａ内で被処理体にプラズマ処理が施される。処理チャンバ２ａには、プラズマ源としてプロセスガスがプロセスガス供給装置８から供給される。処理チャンバ２ａには、プロセスガスの他に、処理チャンバ２ａ内の処理環境を調整するための各種のガスが供給される。処理チャンバ２ａに供給されるプロセスガス及び各種のガスの流量は、ガス流量計１０により測定されモニタされる。
【０００５】
被処理体を処理した結果、処理チャンバ２ａには排気ガスが発生する。処理チャンバ２ａの下部にはターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ）２ｂが設けられており、処理チャンバ２ａで生じた排気ガスを吸引して排気装置１４に送出する。排気ガスは、排気装置１４を通じてドライポンプ１６により、例えば除害装置（図示せず）へと排気される。
【０００６】
以上のような構成の半導体製造装置において、ＲＦプラズマ処理装置２には各種のセンサが設けられ処理条件がモニタされる。すなわち、ＲＦプラズマ処理装置２に供給されるＲＦパワー及びその反射波がモニタされる。また、ＲＦプラズマ処理装置２の処理チャンバ２ａ内の圧力及び温度がモニタされる。さらに、処理チャンバ２内には被処理体（半導体ウェハ）を固定するための静電チャックが設けられており、この静電チャックに供給される電圧がモニタされる。また、静電チャックの温度を制御するために静電チャックに供給される冷却ガスの温度がモニタされる。また、処理チャンバ内のガスを排気するターボモレキュラポンプ２ｂにおいては、排気ガスの圧力がモニタされる。
【０００７】
半導体製造装置は、これら条件をモニタしながら半導体製造プロセスを制御して、所望の処理が被処理体に施されるように各処理条件を調節している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来のモニタ装置では、各処理条件は個々に検出されて制御される。具体的には、各処理条件には基準値及び許容範囲が規定されており、モニタされた各処理条件をその基準値にあわせるか、又は許容範囲に収めるように制御が行われる。すなわち、各処理条件は別個に制御されるものであり、各処理条件のバランスは考慮されておらず、各処理条件のトータルバランスについてはモニタされていない。
【０００９】
ここで、被処理体に施される実際の処理は、上記各処理条件が互いに関連して決まるのものである。したがって、多数の被処理体を連続して処理するような場合、各処理条件が経時的に個々に許容範囲内で変化したとしても、各条件が相互に影響しあうことにより、実際の被処理体への処理が正常の範囲を超えてしまうことがある。このように、実際のトータルの処理条件が正常の範囲を超えて変動したとしても、各条件が個々の許容範囲内であれば、被処理体への処理は正常に行われていると判断されてしまう。
【００１０】
したがって、このような従来のモニタ装置によるモニタ方法を用いた半導体製造装置では、処理が施された後の被処理体を試験分析することによって、正常な製品であるか、すなわち、処理が正常に行われたか否かを判断している。換言すると、従来のモニタ装置を用いた半導体製造装置では、実際に処理を施した後でないと処理条件が正常であるか否かを判断することができなかった。
【００１１】
処理後の被処理体の試験にはある程度の時間が必要である。例えば、多数の被処理体を連続して処理するような場合には、被処理体の全てに対して連続して処理を施し、処理された被処理体を保管しておいて後から試験分析することが行われている。したがって、処理の途中においてトータルの処理条件が正常な範囲を超えてしまったとしても、個々の条件が許容範囲内であれば引き続き処理が行われてしまう。その結果、多数の被処理体が正常でない条件で処理されてしまう事態が発生することがある。
【００１２】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、最適な処理条件における処理チャンバからの排気ガス成分量と、実際の処理中の排気ガス成分量とを比較し、排気ガス成分量の変動を検知することにより処理条件のトータルバランスをモニタし、経時変動に対して有効なプロセスモニタを実現することのできるプロセス排気ガスモニタ装置及び方法、及びそのようなモニタ装置を備えた半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
また、本発明は、半導体製造装置からの排気ガス成分の分析データを蓄積することにより半導体製造装置を精度高く管理することができ、効率的に半導体製造装置を運転することのできる半導体製造装置管理システム及び方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項１記載の発明は、被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ装置であって、
複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位からプロセス排気ガスを採取するガス採取手段と、
採取したプロセス排気ガスの成分を分析するガス分析手段と、
前記ガス分析手段による分析結果と、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果とを比較する比較手段と、
前記比較手段での比較により、プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する検知手段と、
プロセス排気ガスを前記複数の処理装置又は前記一つの処理装置の複数の部位から順次採取するためにプロセス排気ガスの通路を切り替える切り替え手段と
を有することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取されたプロセス排気ガスの成分を即時に分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００１７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段は、フーリエ変換分光器であることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項２記載の発明によれば、分析速度が極めて速いフーリエ変換分光器を分析手段として用いることにより、リアルタイムに分析結果を得ることができ、分析結果を被処理体の処理に即座に反映することができる。したがって、例えば、１ロットの被処理体の処理の途中で処理条件に異常が発生した場合に、即座に処理を中止して処理条件を正常に戻すことができる。すなわち、異常な処理条件により被処理体を連続して処理してしまうことを防止できる。
【００１９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記検知手段から出力された信号に基づいて警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項４記載の発明は、請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記検知手段から出力された信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２１】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のううちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段による分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と前記基準分析結果とを比較することを特徴とするものである。
【００２２】
また、請求項６記載の発明は、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、複数の基準分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と対応する基準分析結果とを比較することを特徴とするものである。
【００２４】
また、請求項７記載の発明は、請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス分析手段及び前記切り替え手段の動作を制御する制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２５】
また、請求項８記載の発明は、請求項７記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記比較手段により比較した結果のデータを記憶する比較結果記憶手段を更に有し、前記制御手段に外部から信号を供給することにより前記比較手段は各処理毎に比較を行い、前記比較結果記憶手段は各処理毎に比較したデータを記憶することを特徴とするものである。
【００２６】
また、請求項９記載の発明は、請求項２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記フーリエ変換分光器のゼロ校正に使用する窒素ガスを前記フーリエ変換分光器のガス導入部へ供給する窒素ガス導入手段と、前記ゼロ校正を所定の時間間隔で行うように前記窒素ガス供給手段を制御するゼロ校正制御手段とを更に有することを特徴とするものである。
【００２７】
また、請求項１０記載の発明は、請求項１乃至９のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス採取手段と前記ガス分析手段との間に接続され、前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量を調整する流量調整手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２８】
また、請求項１１記載の発明は、請求項１０記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量が所定の範囲外の時に警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするものである。
【００２９】
また、請求項１２記載の発明は、請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、プロセス排気ガスを生成する処理装置はプロセス排気ガスを排気するための真空ポンプを有し、該真空ポンプに一定流量の不活性ガスを供給する一定流量制御手段を更に有することを特徴とするものである。
【００３０】
請求項１３記載の発明は、半導体製造装置であって、
所定の処理条件にて被処理体を処理し、その際にプロセス排気ガスを発生する処理室と、
該処理室で発生したプロセス排気ガスを排気する排気手段と
該排気手段に接続され、前記排気手段から採取したプロセス排気ガスをモニタする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置と
を有することを特徴とするものである。
【００３１】
請求項１３記載の発明によれば、半導体製造装置から排気されるプロセス排気ガスの成分をプロセス排気ガスモニタ装置により分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて半導体製造装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００３２】
請求項１４記載の発明は、被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ方法であって、
プロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の部位からプロセス排気ガスを順次採取し、
採取したプロセス排気ガスの成分を即時に分析し、
ガス分析結果を、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果と比較し、
プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する
各工程を有することを特徴とするものである。
【００３３】
請求項１４記載の発明によれば、プロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の部位から順次採取したプロセス排気ガスの成分を即時に分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【００３４】
また、請求項１５記載の発明は、請求項１４記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、前記プロセス排気ガスの成分の分析は、フーリエ変換分光器により行うことを特徴とするものである。
【００３５】
また、請求項１６記載の発明は、請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、プロセスの異常を表す信号に基づいて警報を発する工程を更に有することを特徴とするものである。
【００３６】
また、請求項１７記載の発明は、請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、プロセスの異常を表す信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御工程を更に有することを特徴とするものである。
【００３７】
請求項１８記載の発明は、半導体製造装置管理システムであって、
処理中に排気ガスを排気する半導体製造装置と、
該半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出するモニタ装置と、
該データ通信網から該分析データを受信し、受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して前記モニタ装置に送出すると共に、受信した分析データを蓄積してデータベースに登録するデータ蓄積管理手段と
を有することを特徴とするものである。
【００３８】
請求項１８記載の発明によれば、フーリエ変換分光器により複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分を分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【００３９】
また、請求項１９記載の発明は、請求項１８記載の半導体製造装置管理システムであって、前記データ蓄積管理手段は、前記異常を表す信号とともにその異常に関連する付帯情報を前記モニタ装置に送信し、前記モニタ装置は異常を表す信号に基づいて処理条件の異常と異常の原因を表示画面に表示すると共に、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を前記表示画面に表示することを特徴とするものである。
【００４０】
請求項１９記載の発明によれば、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【００４１】
請求項２０記載の発明は、半導体製造装置管理方法であって、
半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出し、該データ通信網から受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常の発生を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して半導体製造装置に送出し、該受信した分析データを蓄積してデータベースに登録することを特徴とするものである。
【００４２】
請求項２０記載の発明によれば、複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【００４３】
また、請求項２１記載の発明は、請求項２０記載の半導体製造装置管理方法であって、前記異常を表す信号にその異常に関連する付帯情報を付加して前記データ通信網に送出し、前記半導体製造装置において、異常を表す信号に基づいて処理条件の異常の発生と異常の原因とを運転管理者に通知するとともに、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を該運転管理者に通知することを特徴とするものである。
【００４４】
請求項２１記載の発明によれば、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【００４５】
請求項２２記載の発明は、半導体製造装置管理方法であって、稼動中の半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して分析データをリアルタイムで分析センタに送出し、該分析センタにおいて複数の半導体製造装置からの分析データを蓄積してデータベースを構築し、該データベースに基づいて個々の半導体製造装置を管理することを特徴とするものである。
【００４６】
請求項２２記載の発明によれば、例えば、半導体デバイスメーカの工場等で稼動中の半導体製造装置を分析センタにおいて管理することができる。分析センタでは、半導体デバイスメーカにて稼動中の半導体製造装置から、分析データを収集して蓄積することによりデータベースを構築する。このデータベースを活用することにより、精度の高い半導体製造装置の管理が可能となる。
【００４７】
図２は本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置の全体構成を示す模式図である。図２において、図１に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４８】
本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置２０は、ドライポンプ１６の出口配管部分に接続された排気ガス採取管２２（ガス採取手段）を通じてＲＦプラズマ処理装置２から排気された排気ガスを採取する。排気ガス採取管２２はバルブボックス２４（切り替え手段）を介してフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）２６（ガス分析手段）に接続されている。排気ガス採取管２２及びバルブボックス２４を通ってフーリエ変換分光器２６に導入された排気ガスは、スペクトル分析にかけられ、排気ガスに含まれるガス成分の種類及び各ガス成分の量が検出される。分析された排気ガスは、採取ガス排気管２８を通ってドライポンプ１６の出口部分に戻され、除害装置（図示せず）に送出される。
【００４９】
モニタ装置２０には、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０（制御手段）（以下単にコントローラ３０と称する）が設けられている。コントローラ３０は半導体製造装置のコントローラ４から処理信号ライン３２を介して供給される処理信号に基づき、フーリエ変換分光器２６の動作及びバルブボックス２４の動作を制御する。
【００５０】
上述の構成のモニタ装置２０において、フーリエ変換分光器２６により半導体製造装置からの排気ガスを分析し、検出結果データをコントローラ３０に出力する。コントローラ３０は、検出結果データを基準データと比較して、排気ガス中のガス成分量の少なくとも一つが基準値から大きく外れた場合、あるいは、基準範囲から外れた場合に、異常信号ライン３４を介して異常信号を半導体製造装置のコントローラ４に出力する。
【００５１】
異常信号を受信したコントローラ４は、半導体製造装置の警報装置（警報手段）により、処理条件に異常がある旨を半導体製造装置の操作者に通知する。警報手段としては、半導体製造装置に設けられたディスプレイへの表示や、ブザー等の音による警報器が用いられる。
【００５２】
したがって、モニタ装置２０によれば、半導体製造装置における処理条件が異常となった場合、これを半導体製造装置の排気ガスから検出して、警報を発することができる。排気ガス中のガス成分量は、被処理体に施された実際の処理に大きく依存しており、例えば排気ガス中のガス成分が大きく変動した場合は、処理も変動したと判断することができる。
【００５３】
本発明によるモニタ装置２０では、ガス分析装手段としてフーリエ変換分光器２６を用いている。フーリエ変換分光器２６は高速のガス成分分析が可能であり、被処理体の処理中に、リアルタイムで分析を行うことができる。したがって、半導体製造装置の作動中に処理条件が経時的に変化する場合などにおいて、半導体製造装置の処理条件が異常となったこと（すなわち、欠陥品が製造されたこと）を作動中にリアルタイムで判定することができ、これに基づいて警報を発することができる。警報が発せられた場合、半導体製造装置の操作者は半導体製造装置の運転を中止するなどして、それ以上の欠陥製品の製造を防止することができる。そして、半導体製造装置の処理条件を調整した後に、半導体製造装置の運転を再開する。
【００５４】
半導体製造装置の排気ガスを排気するために設けられたターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６には、図２の構成では示していないが、窒素ガスが常時供給されている。この窒素ガスは、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６を安定して作動するために供給されるものである。本発明を適用する場合、排気ガス中のガス成分量（濃度）を分析するため、これらの真空ポンプに供給される窒素ガスの量を一定とする必要がある。
【００５５】
そこで、本実施の形態では、バルブボックス２４に一定流量制御手段としてのマスフローコントローラを設けて一定量の窒素ガスを、常時、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に供給するようにしている。図３は窒素ガスの供給も含むモニタ装置２０の構成を示す模式図である。図３に示すように、窒素ガス源３６からの窒素ガスは、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８を介してターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に供給されている。本実施の形態では、マスフローコントローラ３８は、バルブボックス２４に設けられる。
【００５６】
次に、図４を参照しながらモニタ装置２０の構成をより詳細に説明する。
図４に示す本実施の形態によるモニタ装置２０は、４台の半導体製造装置からの排気ガスをモニタするように構成したものである。したがって、４本の排気ガス採取管２２−１〜２２−４が設けられ、その各々は切り替えバルブ４０−１〜４０−４（切り替え手段）を介してフーリエ変換分光器２６のガス導入部（ガスセル）２６ａに接続されている。切り替えバルブ４０−１〜４０−４は空気駆動型の開閉弁である。バルブ駆動用圧縮空気は、コントローラ３０からの開閉信号により制御される電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ５を介して対応する切り替えバルブ４０−１〜４０−４に供給される。
【００５７】
上述のような切り替えバルブ４０−１〜４０−４を有する構成において、例えば、ガス採取管２２−１からの排気ガスを分析するときは、切り替えバルブ４０−１のみ開き、それ以外の切り替えバルブ４０−２〜４０−４は閉じておく。すなわち、切り替えバルブ４０−１〜４０−４のいずれか一つを開いて、他のバルブを閉じることにより、所望の排気ガス採取管から、すなわち所望の処理チャンバからの排気ガスを分析することができる。
【００５８】
フーリエ変換分光器２６は、分析測定を開始する前にゼロ校正又はゼロ点調整を行う必要がある。ゼロ校正はガス導入部２６ａに窒素ガスを供給して行われる。バルブボックス２４は、ゼロ校正用窒素ガスをフーリエ変換分光器２６のガス導入部２６ａに供給するための開閉弁４２を備えている。すなわち、ゼロ校正用窒素ガスは窒素ガス源からレギュレータ４１及び開閉弁４２を介してフーリエ変換分光器２６に供給される。ゼロ校正を行うときにのみ開閉弁４２を開くことにより、窒素ガスがガス導入部２６ａに供給される。
【００５９】
ガス導入部２６ａに供給導された排気ガス、又はゼロ校正用窒素ガスは、バルブボックス２４に設けられた真空ポンプ４４により吸引されて排気される。
【００６０】
なお、上述の開閉弁４２も、切り替えバルブ４０−１〜４０−４と同様に、コントローラ３０からの開閉信号により制御される電磁弁ＳＶ５を介して供給される圧縮空気により駆動される。
【００６１】
また、上述のように、ターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に窒素を供給するために、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）４８−１〜４８−４がバルブボックス２４に設けられる。マスフローコントローラ４８−１〜４８−４は、流量を一定に制御することのできる流量計であり、コントローラ３０からの信号により流量の設定が行われる。本実施の形態の場合、処理チャンバを有する半導体製造装置が４台接続されているため、４つのマスフローコントローラ４８−１〜４８−４が設けられており、対応する半導体製造装置のターボモレキュラポンプ２ｂ及びドライポンプ１６に一定流量の窒素ガスを供給している。すなわち、窒素ガス源からレギュレータ５０及び開閉弁５２−１〜５２−４を介してマスフローコントローラに４８−１〜４８−４に窒素ガスが供給され、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４により流量制御された窒素ガスが対応する半導体製造装置（チャンバ▲１▼〜▲４▼のドライポンプ及びターボモレキュラポンプ）へと供給される。
【００６２】
次に、本実施の形態によるモニタ装置２０の動作の概要について図５を参照しながら説明する。
【００６３】
図５において、処理装置６０は、シリコンウェハ等の半導体基板に所定の処理を施す装置である。処理装置６０で行われる処理に関する各種情報及び信号がＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される。処理装置６０からＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される情報及び信号には、処理されるウェハのロット情報、各ウェハ毎の処理に関する情報、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４を制御するための流量情報、マスフローコントローラ４８−１〜４８−４の動作をチェックするための信号等が含まれる。
【００６４】
ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、処理装置６０から供給される情報及び信号に基づいて、バルブボックス２４に動作信号及び流量設定信号を供給する。すなわち、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０からの信号に基づき、バルブボックス２４に設けられた開閉弁４０−１〜４０−４，４２，５２−１〜５２−４、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ５及びマスフローコントローラ４８−１〜４８−４の動作を制御する。これにより処理装置６０に窒素ガス（Ｎ２）が供給され、この窒素ガスにより一定の濃度に希釈されたプロセス排気ガスが採取されてバルブボックス２４を介してＦＴ−ＩＲ２６に供給される。
【００６５】
また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、処理装置６０から供給される情報及び信号に基づいて、ＦＴ−ＩＲ２６に動作信号を供給し、ＦＴ−ＩＲ２６を作動させる。これにより、処理装置６０のプロセス排気ガスから採取された排気サンプル中の所定の成分の濃度がＦＴ−ＩＲ２６により分析される。排気成分分析結果は、ＦＴ−ＩＲ２６からＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給される。
【００６６】
排気成分分析結果が供給されると、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は排気成分分析結果に含まれるガス成分の濃度値と基準値との比較を行う。この比較の結果、排気成分分析結果に含まれるガス成分の濃度値が基準値より大幅に異なる場合、あるいは、基準値を含む所定の範囲から逸脱している場合は、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は排気成分異常信号を処理装置６０に出力する。また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、排気成分分析結果を外部装置に出力することもできる。
【００６７】
モニタ装置２０の作動中、バルブボックス２４は各流量計の接点信号をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、接点信号に基づいて流量計が正常に作動しているか否かを判定し、異常であると判定した場合はＭＦＣ流量異常信号を処理装置６０に送出する。
【００６８】
また、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０の動作信号によりバルブボックス２４が制御されて、ＦＴ−ＩＲ２６に窒素（Ｎ２）が供給され、これによりＦＴ−ＩＲ２６のゼロ校正又はゼロ点調整が行われる。
【００６９】
ＦＴ−ＩＲ２６で分析が終了した排気サンプルはバルブボックス２４を介して処理装置６０に戻され、そこから排気される。
【００７０】
次に、本実施の形態のモニタ装置２０の動作について、図６乃至９を参照しながら説明する。図６乃至８はモニタ装置２０の動作を示すフローチャートの一部である。図９は、処理装置での処理とモニタ装置２０でのサンプリングのタイミングを示すタイミングチャートである。
【００７１】
まず、図６に示すように、初期状態ではＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０の電源はＯＮであり、バルブボックス２４の全てのバルブが閉められ、真空ポンプ４４は停止されている。このとき、ＦＴ−ＩＲコントローラ３０に設けられた表示画面、又は半導体製造装置に設けられた表示画面には初期画面が表示される。
【００７２】
この初期画面において、リモ−トモード、マニュアルモード、メンテナンスモード及びローカルモードの４つのモードが示され、いずれか一つを選択するように要求される。
【００７３】
リモートモードは自動シーケンス制御によりモニタ装置２０を作動させるモードである。すなわち、リモートモードにおいては、予め設定されたプログラムにより、モニタ装置２０の自動運転が行われる。
【００７４】
マニュアルモードは、モニタ装置２０を手動で運転するためのモードであり、初期調整の際にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点を調整したり、サンプリングを手動で行ったりする場合に選択される。また、定期点検、故障修理あるいは非常停止後にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点調整を行ったり、サンプリングを手動で行ったりする場合にもマニュアルモードが選択される。
【００７５】
マニュアルモードが選択されると（ステップＳ２００）、まず、真空ポンプ４４が作動され（ステップＳ２０２）、ＦＴ−ＩＲ２６をリモート制御するための設定が行われる（ステップＳ２０４）。次に、ゼロ点調整又はサンプリングのいずれかが選択される。ゼロ点調整が選択されると（ステップＳ２０６）、まずゼロ点調整用開閉弁４２が開かれて（ステップＳ２０８）、窒素ガスがＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給され、ゼロ点調整が行われる（ステップＳ２１０）。ゼロ点調整が終了するとゼロ点調整用開閉弁４２が閉じられ（ステップＳ２１２）、ゼロ点調整動作を終了する（ステップＳ２１４）。
【００７６】
サンプリングが選択された場合（Ｓ２２０）、所望の処理装置に対応する開閉弁５２−１〜５２−４，２２−１〜２２−４が開かれ（ステップＳ２２２）、排気ガスのサンプリングが行われる（ステップＳ２２４）。サンプリングが終了すると、開閉弁が閉じられ（ステップＳ２２６）、サンプリング動作が終了する（Ｓ２２８）。
【００７７】
メンテナンスモードが選択されると（ステップＳ３００）、次に、各種データ及び情報を設定するか、又はデータの履歴を操作するかについての選択が要求される。
【００７８】
データの設定操作が選択されると（ステップＳ３０２）、操作者により所望のデータあるいは情報の変更又は設定が行われ（ステップＳ３０４）、設定されたデータ又は情報が登録される（ステップＳ３０６）。変更又は設定されるデータ又は情報としては、各ガス成分の比較基準データ、警報に関するデータの設定、警報を発するガス成分範囲の設定、サンプリングデータの履歴保存の設定等がある。一方、データの履歴の操作が選択された場合は（ステップＳ３１０）、履歴が保存され（ステップＳ３１２）、不要な履歴は消去される（ステップＳ３１４）。
【００７９】
初期画面からローカルモードが選択された場合、（ステップＳ４００）、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０への信号の供給は停止され（ステップＳ４０２）、ＦＴ−ＩＲ２６は操作者からの入力のみにより動作するように設定される（ステップＳ４０４）。
【００８０】
一方、初期画面からリモートモードが選択されると（ステップＳ１０）、まず真空ポンプ４４が作動される（ステップＳ１２）。続いて、ＦＴ−ＩＲ２６がリモート制御可能となるように設定され（ステップＳ１４）、サンプリング及びガス成分分析の自動運転が開始される（ステップＳ１６）。
【００８１】
自動運転が開始されると、まずＦＴ−ＩＲ２６のゼロ点調整が行われる。すなわち、ゼロ点調整用開閉弁４２が開かれ（ステップＳ１８）、窒素ガスがＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給される。開閉弁４２の開弁時間を設定したゼロ点調整タイマが設定され（ステップＳ２０）、ゼロ点調整が行われる。ゼロ点調整タイマにより所定の開弁時間が計時されると、ゼロ点調整用開閉弁４２が閉じられ（ステップＳ２２）、ゼロ点調整動作を終了する（ステップＳ２４）。
【００８２】
続いて、処理は図７に示すステップに進む。すなわち、ゼロ点調整が終了すると、モニタ装置２０は排気ガスサンプリングの待機状態となり（ステップＳ２６）、サンプリングを開始するための信号の待ち受け状態となる（ステップＳ２８）。このとき、ゼロ点調整をある時間間隔で定期的に行うために、タイマが設定される。本実施の形態の場合、ゼロ点調整を６時間毎に行うように６時間タイマが設定される（ステップＳ３０）。したがって、最初のゼロ点調整が終了してから６時間後に自動的にＦＴ−ＩＲのゼロ点調整が行われ、ゼロ点が狂わないように維持される。
【００８３】
信号待ち受け状態において信号を受信すると（ステップＳ３４）、まず受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ３６）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ３８）。一方、受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ４２）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ４４）。
【００８４】
また、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ４６）。受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ４８）。一方、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号か否かが判定される（ステップＳ５０）。受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号である場合は、その信号を受信する（ステップＳ５２）。
【００８５】
一方、受信した信号がチャンバ▲４▼からの信号ではない場合は、受信した信号がゼロ校正信号か否かが判定される（ステップＳ５４）。そして、受信した号がゼロ校正信号ある場合は、その信号を受信する（ステップＳ５６）。
【００８６】
上記ステップＳ３８，Ｓ４４，Ｓ４８，Ｓ５２において受信した信号には優先順位が設定される。すなわち、ステップＳ３４においてほぼ同時に複数の処理開始信号及びゼロ校正信号を受信した場合、各信号に基づく処理を順番に行うために優先順位を設定する。本実施の形態では、優先順位は、チャンバ▲１▼、チャンバ▲２▼、チャンバ▲３▼、チャンバ▲４▼、ゼロ校正、という順としている。
【００８７】
図９に示すように、モニタ装置２０による自動サンプリング処理が開始されると、まずチャンバ▲１▼〜▲４▼の処理がほぼ同時に開始され、それによりチャンバ▲１▼〜▲４▼からの処理開始信号がほぼ同時にモニタ装置２０に送られてくることとなる。排気ガスのサンプリングには約２５秒間必要であるため、ＦＴ−ＩＲ２６は少なくとも２５秒以上の時間を一つのチャンバのために使用されることとなる。したがって、複数の処理開始信号をほぼ同時に受信した場合は優先順位を設定して、サンプリングをチャンバ毎に時間をずらして行う必要がある。一つのチャンバによる１回の処理は約２００秒であるため、２５秒程度の時間をずらしても４つのチャンバからの排気ガスを採取することができる。なお、２回目以降の処理開始タイミングは、４つのチャンバについて異なってくるので、同時に複数の処理開始信号を受信することは少なくなる。
【００８８】
上述のように、排気ガスサンプリングの優先順位が設定されると、優先順位の高い順から再び信号を受信する（ステップＳ４０）。
【００８９】
そして、まず受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ５８）。受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲１▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−１を開いてチャンバ▲１▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ６０）。
【００９０】
開閉弁４０−１が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ６２）、開閉弁４０−１を開いている時間が設定される。開閉弁４０−１を開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲１▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−１は閉じられ（ステップッスＳ６４）、受信信号がクリアされる（ステップＳ６８）。
【００９１】
一方、受信した信号がチャンバ▲１▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ７２）。受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲２▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−２を開いてチャンバ▲２▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ７４）。
【００９２】
開閉弁４０−２が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ７６）、開閉弁４０−２を開いている時間が設定される。開閉弁４０−２開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲２▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−２は閉じられ（ステップッスＳ７８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ８０）。
【００９３】
また、受信した信号がチャンバ▲２▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ８２）。受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲３▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−３を開いてチャンバ▲３▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ８４）。
【００９４】
開閉弁４０−３が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ８６）、開閉弁４０−３を開いている時間が設定される。開閉弁４０−３開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲３▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−３は閉じられ（ステップッスＳ８８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ９０）。
【００９５】
また、受信した信号がチャンバ▲３▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号であるか否かが判定される（ステップＳ９２）。受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号である場合は、チャンバ▲４▼からの排気ガスのサンプリングを行う。すなわち、開閉弁４０−４を開いてチャンバ▲４▼からの排気ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ９４）。
【００９６】
開閉弁４０−４が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ９６）、開閉弁４０−４を開いている時間が設定される。開閉弁４０−４開く時間は、図９に示すように約２５秒であり、この時間の間にチャンバ▲４▼からの排気ガスがサンプリングされる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４０−４は閉じられ（ステップッスＳ９８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ１００）。
【００９７】
また、受信した信号がチャンバ▲４▼からの処理開始信号ではない場合は、受信した信号がゼロ校正信号であるか否かが判定される（ステップＳ１０２）。受信した信号がゼロ校正信号である場合は、ＦＴ−ＩＲ１６のゼロ点調整を行う。すなわち、開閉弁４２を開いて窒素ガス源から窒素ガスをＦＴ−ＩＲ２６のガス導入部２６ａに供給する（ステップＳ１０４）。
【００９８】
開閉弁４２が開かれると、タイマが始動され（ステップＳ１０６）、開閉弁４２を開いている時間が設定される。この時間の間にＦＴ−ＩＲ２６のゼロ校正が行われる。タイマによる設定時間が経過すると、開閉弁４２は閉じられ（ステップッスＳ１０８）、受信信号がクリアされる（ステップＳ１１０）。そして、測定体待機状態となる（ステップＳ１２０）。
【００９９】
ステップＳ６８，Ｓ８０，Ｓ９０，Ｓ１００において受信信号がクリアされると、サンプリングされた排気がガスの分析が行われて分析結果が得られる（ステップＳ７０）。分析結果は保存される（ステップＳ１１２）と共に、排気ガスの各成分と基準値との比較を行うか否かの判定が行われる（ステップＳ１１４）。基準値との比較が行われた場合は、分析結果が基準値に対して許容範囲内であるかを否か判定し（ステップＳ１１６）、許容範囲内であれば測定待状態となる（ステップＳ１２０）。
【０１００】
分析結果により許容範囲を超えていると判定されると、異常を表す警報信号が対応する半導体処理装置に送出され、処理条件に異常が発生したことを知らせる警報が発せられる（ステップＳ１１８）。
【０１０１】
排気ガスの成分比較が行われないと判定されると、排気ガスの流量をチェックするか否かが判定される（ステップＳ１２２）。流量チェックを行うと判定された場合、排気ガスの全体の流量を測定してその流量を基準値と比較し、許容範囲内であるか否かが判定される（ステップＳ１２４）。排気ガスの流量が許容範囲を超えていた場合は、処理条件の異常を表す信号を処理装置に送出して警報を発する（ステップＳ１２６）。排気ガスの流量が許容範囲内であった場合は、測定待機状態となる（ステップＳ１２０）。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態によれば、排気ガスの成分をフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）によりリアルタイムで分析し、排気ガス中の各成分が正常な値の範囲を超えた場合は、処理条件に異常が発生したと判断し、異常を表す信号を出力する。そして、異常を表す信号に基づいて警報を発する警報手段を備えているため、処理条件になんらかの異常が生じたことをリアルタイムで半導体製造装置の運転管理者に通知することができる。
【０１０３】
フーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）は非常に短時間で排気ガス成分の分析を行うことができるので、半導体製造装置において、１ロットのウェハを処理している間に排気ガス分析を行うことができる。これにより、１ロットのウェハの処理中に処理条件が変化して許容範囲を超えてしまった場合、すぐに警報が発せられ、半導体製造装置の運転を中止して処理条件を修正することができる。すなわち、従来のように１ロットのウェハの処理が終了した後に処理されたウェハを検査分析して、初めてウェハの処理が正常であったか否かを判定するのではなく、異常な条件で処理が行われていることを検出して、１ロットのウェハの処理の途中で処理条件を修正することができる。したがって、異常な処理条件でウェハを続けて処理してしまうことを防止することができ、欠陥を有するウェハを連続して製造してしまうことを未然に防止することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態では、処理条件の各々の項目を直接モニタするものではなく、処理の結果生成される排気ガスの成分変化により異常の有無を判断している。これにより、処理条件の変動をトータル的にモニタすることが可能となり、効率的な処理条件の制御が可能となる。例えば、処理条件のうち、あるガス成分の流量が許容範囲を超えていたとしても、他のガス成分によりこれを補償することができ処理全体としては正常な範囲で行われることもある。すなわち、処理ガスの流量、圧力、温度等の各処理条件は密接な関係を持っており、一つの処理条件の変動が他の処理条件に影響するように互いに関係しあっている。このような場合、各処理条件を個別にモニタしていたのでは、処理全体としては正常な処理が行われていても、すなわち、正常なウェハが製造されていても、一つの処理条件が許容範囲を超えたとういうだけで、処理条件が異常であると判断されしまう。しかし、本実施の形態では正常な処理が行われた際の排気ガス成分との比較を行うことにより、処理条件全体として正常な範囲を維持しているか否かを判断することができるため、実際の処理に即した正常、異常の判定を行うことができ、無駄な処理異常判定を行うことを防止することができる。
【０１０５】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【０１０６】
図１０は本発明の第２の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置８０を含む半導体製造システムの全体構成を示すブロック図である。図１０において、図２に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１０７】
本実施の形態によるモニタ装置８０は、ＡＰＣコントローラ９２を有すること以外は上述の第１の実施の形態によるモニタ装置２０と同様な構成である。ＡＰＣコントローラ８２は、処理装置からの処理情報を受け、その情報をＥＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給するととともに、排気ガス分析結果を表示、記録する機能を有する。本実施の形態では、排気ガス分析結果を基準分析結果と比較することにより、処理条件のどの項目を修正すべきかについての情報を表示することができる。
【０１０８】
図１０に示すように、ＡＰＣコントローラ８２は、プロセス装置コントローラ４とＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０との間に接続され、後述のようにプロセス装置コントローラ４からウェハ処理に関する種々の情報を受け取り格納するとともに、排気ガスのサンプリングに必要な情報を、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に供給する。また、ＡＰＣコントローラ８２は、排気ガス分析結果をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０から受けて、これを記録表示する。
【０１０９】
図１１はモニタ装置８０によるモニタ機能を説明するための図である。半導体製造装置のプロセス装置コントローラ４からは、ウェハ処理に関する種々の情報（装置情報）がモニタ装置８０に対して供給される。モニタ装置８０は、装置情報に基づいて様々な機能を実行する。モニタ装置８０が有する機能には、プロセスガスモニタ機能、ガス流量チェック機能、水分量チェック機能、予防保全サポート機能等がある。また、プロセス装置コントローラ４からモニタ装置８０に供給される装置情報は、チャンバ番号、ロット番号、ロット処理開始時刻、エッチング開始時刻、ロット処理終了時刻、ガス流量チェック開始、処理ガス名称、処理ガス設定流量、水分量チェック開始、クリーニング終了、放電時間等に関する情報を含んでいる。
【０１１０】
次に、上述のモニタ装置８０の機能について図１２乃至１４を参照しながら説明する。
【０１１１】
まず、プロセスモニタ機能について図１２を参照しながら説明する。図１２はプロセスモニタ機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１１２】
プロセス装置コントローラ４から処理開始がモニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２に通知されると、ＡＰＣコントローラ８２はプロセスのモニタを開始する。図１２の例では、自動モニタを行うように設定されており、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定される。続いて、プロセス装置コントローラ４からは、モニタすべき処理が行われているチャンバ番号、処理されているウェハのロット番号及びそのロットの処理が開始された時刻等の情報がモニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２に送られる。続いて、処理装置においてウェハ番号１番の処理が開始されると、ウェハ番号と共に処理開始信号がＡＰＣコントローラ８２に供給される。ここで、処理チャンバにて行われるウェハの処理はエッチング処理と仮定する。
【０１１３】
ＡＰＣコントローラ８２は、モニタすべきエッチング処理の行われているチャンバ番号をＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に通知する。図１２に示す例では、チャンバＮｏ．Ｘにおいてウェハ番号１番のウェハが処理されている。したがって、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバＮｏ．Ｘに対応する開閉弁（図４の４０−１〜４０−４に相当）を開くようにバルブボックス２４に対して指令を送る。
【０１１４】
この指令に基づいて、開閉弁が開かれ、チャンバＮｏ．Ｘからのプロセス排気ガスがＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６はプロセス排気ガスの成分及び流量を分析し、分析データをＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送る。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、分析データを基準値とを比較し、分析データが基準値に基づく許容範囲内にあるかを求める。比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、表示・記録される。
【０１１５】
次に、ウェハ番号２番のエッチング処理が処理チャンバＮｏ．Ｘにおいて開始されると、上述のウェハ番号１番の処理と同様の処理が行われる。すなわち、チャンバＮｏ．Ｘに対応する開閉弁が開かれてチャンバＮｏ．Ｘからのプロセス排気ガスがサンプリングされ分析される。分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、基準値と比較されて、比較結果がＡＰＣコントローラ８２に送られて、表示・記録される。
【０１１６】
このように、１ロットのウェハが順次処理されるのと同時にプロセス排気ガスの成分がモニタされ、ＡＰＣコントローラに順次表示・記録される。そして、１ロット分のウェハの処理が終了すると、ＡＰＣコントローラ８２は各ウェハの分析結果データ及び比較結果を含むロットデータを所定の記憶装置に格納する。
【０１１７】
図１３はガス流量チェック機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１１８】
プロセス装置コントローラ４からガス流量チェックを行う旨の指示が送出されると、ＡＰＣコントローラ８２は処理を行っていない状態での処理チャンバから排気される排気ガス中の各種ガスの流量が正常範囲であるか否かをチェックする。すなわち、処理チャンバに供給されている各種処理ガスの流量が正常範囲内であるか否かをチェックする。この際、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定されているものとする。
【０１１９】
まず、プロセス装置コントローラ４から流量チェックすべきチャンバ番号及び、流量チェック開始信号がＡＰＣコントローラ８２に送出される。ここで、流量チェックすべき処理チャンバの番号はＸとする。また、プロセス装置コントローラからは、各種処理ガスの名称がＡＰＣコントローラ８２に通知される。
【０１２０】
ＡＰＣコントローラ８２は、流量チェックを開始する日時及び時刻を記録し、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に対してチャンバ番号Ｘとともに流量チェック開始信号を供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁（図４の開閉弁４０−１〜４０−４に相当）を開くようバルブボックス２４を制御する。チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁が開かれると、チャンバ番号Ｘに供給された処理ガスがそのままＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６は処理ガスの成分を分析してガスの種類毎に流量を求める。
【０１２１】
ＦＴ−ＩＲ２６による分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、各ガス成分毎に設定値と比較される。そして、比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、プロセス装置コントローラ４から通知されたガス名称と共に表示・記録される。
【０１２２】
図１４は水分量チェック機能を実行する際のモニタ装置８０の各部の処理を示す図である。
【０１２３】
プロセス装置コントローラ４から水分量チェックを行う旨の指示が送出されると、ＡＰＣコントローラ８２は処理を行っていない状態での処理チャンバから排気される排気ガス中の水分量が正常範囲であるか否かをチェックする。すなわち、処理チャンバに水分が残留しているか否かをチェックする。この際、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０はリモートモードに設定され、ＦＴ−ＩＲ２６はリモート制御可能に設定されているものとする。
【０１２４】
まず、プロセス装置コントローラ４から水分量チェックすべきチャンバ番号及び、水分量チェック開始信号がＡＰＣコントローラ８２に送出される。ここで、水分量チェックすべき処理チャンバの番号はＸとする。
【０１２５】
水分量チェック開始信号を受けると、ＡＰＣコントローラ８２は、水分量チェックを開始する日時及び時刻を記録し、ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に対してチャンバ番号Ｘとともに水分量チェック開始信号を供給する。ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０は、チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁（図４の開閉弁４０−１〜４０−４に相当）を開くようバルブボックス２４を制御する。チャンバ番号Ｘに対応する開閉弁が開かれると、チャンバ番号Ｘに供給された処理ガスがそのままＦＴ−ＩＲ２６に供給される。ＦＴ−ＩＲ２６は処理ガスを分析して処理ガス中の水分量を求める。
【０１２６】
ＦＴ−ＩＲ２６による分析データはＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０に送られ、水分量の基準値と比較される。そして、比較結果はＡＰＣコントローラ８２に送られ、処理チャンバの水分量として表示・記録される。
【０１２７】
図１５は予防保全サポート機能を実行する際の、モニタ装置８０のＡＰＣコントローラ８２の処理を示す図である。
【０１２８】
処理チャンバは所定の時間毎に各部のメンテナンスを行う必要がある。例えば、処理チャンバのクリーニング、シールドリングの交換、電極の交換等を所定の時間毎に行う必要がある。そこで、ＡＰＣコントローラ８２は、各処理チャンバ毎に運転の履歴を管理し履歴データを保存している。そして、所定の運転時間が経過すると、表示装置等に表示して装置の運転者にメンテナンスを促す。
【０１２９】
図１５に示す例は、プラズマ処理装置の処理チャンバのメンテナンスを行う例である。プロセス装置コントローラ４からは、処理チャンバのメンテナンスに関する情報がＡＰＣコントローラ８２に送られる。図１５に示す例の場合、メンテナンス情報には、チャンバクリーニングを何時間毎に行うか、シールドリングを何時間ごとに交換するか、電極を何時間ごとに交換するか等の方法が含まれている。
【０１３０】
ＡＰＣコントローラ８２は、メンテナンス情報に基づいて、各処理チャンバの運転時間を累積して情報として保存する。図１５に示す例の場合、処理チャンバの運転時間は処理チャンバの電極での放電時間に一致するため、プロセス装置コントローラから送られてくる放電時間情報から各々の処理チャンバの放電時間を個別に求めて、それを累積する。
【０１３１】
例えば、ＡＰＣコントローラ８２は、処理チャンバ番号Ｘに関して、プロセス装置コントローラ４から送られてくるロット処理レシピ（一つのロットのウェハの処理内容情報）からその処理に必要な放電時間を認識する。そして、そのロットのウェハのエッチング処理が開始される毎に、放電時間を累積する。すなわち、処理チャンバ番号Ｘのチャンバクリーニング、シールドリング交換及び電極交換の項目毎に放電時間をカウントし、累積時間を記録しておく。
【０１３２】
各項目の累積時間が所定の時間に達するとＡＰＣコントローラ８２はこれを表示して装置の運転管理者にメンテナスの実行を促す。
【０１３３】
次に、上述のプロセスモニタ機能について図１６乃至２０を参照しながら更に詳しく説明する。プロセスモニタ機能では、プロセス排気ガスに含まれる各種ガス成分の流量変動に基づいて、処理条件の修正すべき項目を推定する。ここで、処理装置をＲＦプラズマ処理装置とし、分析する排気ガス成分をＣ２Ｈ６，Ｃ２Ｆ４，ＳｉＦ４，ＣＦ４の４種類とした場合について説明する。
【０１３４】
図１６は処理チャンバ内の圧力が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバ内の圧力が設定値から低下するとＣ２Ｆ６の流量は上昇する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４，ＳｉＦ４及びＣＦ４の流量にはほとんど変化がみられない。一方、処理チャンバ内の圧力が設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ４の流量は減少する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、Ｃ２Ｆ６及びＣＦ４の流量にはほとんど変化がみられない。
【０１３５】
図１７は処理チャンバに投入されるＲＦパワーが変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバ内のＲＦパワーが設定値から低下すると、Ｃ２Ｆ６の流量は上昇する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量はほぼ変化がなく、ＳｉＦ４の流量は大きく減少し、ＣＦ４の流量は大きく増大する。一方、処理チャンバに投入されるＲＦパワーが設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ４の流量は減少する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、ＣＦ４の流量は大幅に減少し、Ｃ２Ｆ６の流量にはほとんど変化がみられない。
【０１３６】
図１８は処理チャンバに供給される処理ガスのうちＣ５Ｆ８の流量が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。処理チャンバに供給されるＣ５Ｆ８の流量が設定値から低下すると、Ｃ２Ｆ６の流量は減少する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量は大幅に減少し、ＳｉＦ４の流量はほとんど変化がみられず、ＣＦ４の流量は大幅に減少する。一方、供給されるＣ５Ｆ８の流量が設定値から上昇すると、Ｃ２Ｆ６の流量は増大する傾向にあり、Ｃ２Ｆ４の流量は増大する傾向にあり、ＳｉＦ４の流量は大幅に増大し、ＣＦ４の流量も大幅に増大する。
【０１３７】
以上のように、処理条件のうち圧力、ＲＦパワー、処理ガス流量（Ｃ５Ｆ８）をパラメータとして、各種排気ガス成分の流量の増減を分析すると、パラメータ全体にわたって見た場合に、排気ガス成分の流量の増減に固有の傾向が見られることがわかる。
【０１３８】
図１９は、各排気ガス成分の流量変化をその許容範囲と比較しながら各パラメータに関して示したグラフである。
【０１３９】
図１９（ａ）はＣＦ４の流量変化を各パラメータに関して示したものであり、流量の基準値（Ｂａｓｅ）に基づいて図中斜線で示すように許容範囲が設定されている。チャンバの圧力に関して、圧力が低下しても（Ｌｏｗで示す）上昇しても（Ｈｉで示す）、ＣＨ４の流量にはほとんど変化がみられず、許容範囲内に収まっている。一方、ＲＦパワーに関して、ＲＦパワーが低下した場合（Ｌｏｗ）はＣＦ４の流量は許容範囲の上限を超えて増大し、ＲＦパワーが上昇した場合はするＣＦ４の流量は減少するが許容範囲に収まっている。また、ガス流量（Ｃ５Ｆ８）に関して、ガス流量が低下すると（Ｌｏｗ）ＣＦ４の流量は許容範囲を超えて大幅に減少し、ガス流量が上昇すると（Ｈｉ）ＣＦ４の流量は許容範囲を超えて大幅に増大する。なお、図中、黒塗りの正方形のマークはＣＦ４の流量が許容範囲であることを表し、白抜きの正方形のマークはＣＦ４の流量が許容範囲外であることを表している。
【０１４０】
図１９（ｂ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＳｉＦ４の流量の増減をプロットしたグラフである。ＳｉＦ４の流量はチャンバ圧力がＨｉの時に許容範囲を超えて増大する。また、ＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＨｉの場合も許容範囲を超えて増大する。一方、ＳｉＦ４の流量は、ＲＦパワーがＬｏｗの時に許容範囲を超えて減少する。
【０１４１】
図１９（ｃ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＣ２Ｆ４の流量の増減をプロットしたグラフである。Ｃ２Ｆ４の流量はチャンバ圧力がＨｉの時に許容範囲を超えて減少する。また、ＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＬｏｗの場合も許容範囲を超えて減少する。
【０１４２】
図１９（ｄ）は図１９（ａ）と同様な方法で、各パラメータに関してＣ２Ｆ６の流量の増減をプロットしたグラフである。Ｃ２Ｆ６の流量はチャンバ圧力がＬｏｗの時に許容範囲を超えて増大する。また、ＲＦパワーがＬｏｗ及びガス流量がＨｉの場合も許容範囲を超えて増大する。一方、Ｃ２Ｆ６の流量はＲＦパワーがＨｉ及びガス流量がＬｏｗの場合に許容範囲を超えて減少する。
【０１４３】
図２０は、図１９に示すグラフから得られる分析結果を示す図である。図２０に示すように、チャンバ圧力がＬｏｗの場合、ＣＦ４，ＳｉＦ４，Ｃ２Ｆ４の各ガス成分の流量は許容範囲内であり、Ｃ２Ｆ６の流量のみが許容範囲を超えている。ここで、流量が許容範囲内の場合を“０”とし、許容範囲を超えた場合を“１”として認識信号を生成すると、チャンバ圧力がＬｏｗの場合の認識信号は“０００１”となる。
【０１４４】
チャンバ圧力がＨｉの場合、ＣＦ４及びＣ２Ｆ６のガス成分の流量は許容範囲内であり、ＳｉＦ４及びＣ２Ｆ４の流量が許容範囲を超えている。ここで、流量が許容範囲内の場合を“０”とし、許容範囲を超えた場合を“１”として認識信号を生成すると、チャンバ圧力がＨｉの場合の認識信号は“０１１０”となる。
【０１４５】
同様に、ＲＦパワーがＬｏｗの場合の認識信号は“１１０１”となり、Ｈｉの場合の認識信号は“０１１１”となる。また、ガス流量（Ｃ５Ｆ８）がＬｏｗの場合の認識信号は“１０１１”となり、Ｈｉの場合の認識信号は“１１１１”となる。
【０１４６】
以上のように生成された認識信号は、各パラメータのＬｏｗ及びＨｉについてそれぞれ異なった信号として生成される。すなわち、チャンバ圧力がＬｏｗの場合の認識信号“０００１”は、チャンバ圧力がＨｉの場合及び他のパラメータがＬｏｗ及びＨｉの場合に生成される認識信号のいずれとも異なっている。したがって、認識信号“０００１”が生成された場合は、チャンバ圧力が低下している可能性が大であり、チャンバ圧力が低下していないか否かをまずチェックすればよい。
【０１４７】
ただし、処理チャンバ内での処理条件は処理条件の各項目が複雑に関係しあっているため、チャンバ圧力がＬｏｗであること以外にも認識信号“０００１”が生成される可能性がある。したがって、上述の認識信号による調整個所の推定は、可能性の大きい調整個所を示すものであり、認識信号で示される項目が必ず調整必要な項目というわけではない。
【０１４８】
本実施の形態では、上述の認識信号からが推定される調整項目について、半導体製造装置又はモニタ装置８０の表示画面に表示し、半導体製造装置の運転管理者に通知するよう構成されている。すなわち、例えば、半導体製造装置の運転中にモニタ装置８０のプロセスモニタ機能により、例えば認識信号“０００１”が生成された場合、半導体製造装置（処理チャンバ）の処理条件に異常が発生し、そのまま処理を続けると欠陥を有するウェハが製造されると判断される。そこで、半導体製造装置又はモニタ装置８０の表示画面に処理条件に異常が発生したことを表示し、運転管理者の注意を促す。
【０１４９】
そして、異常の発生を運転管理者に通知するとともに、認識信号から得られる調整項目を表示する。すなわち、認識信号“０００１”が生成された場合は、チャンバ圧力が低下した可能性が大きいため、表示画面に例えば「チャンバ圧力の低下をチェックして下さい」というような表示を行う。したがって、半導体製造装置の運転管理者は、処理条件の異常が通知された際に、まず表示画面からの指示によりチャンバ圧力をチェックし、チャンバ圧力が低下している場合は調整して正常な圧力に戻すことができる。
【０１５０】
このように、処理条件の異常が通知されたら、まず表示装置を見ることにより、調整すべき可能性の大きい処理条件をすぐに知ることができ、各種の処理条件項目を一つずつチェックするよりはるかに効率的に短時間で処理条件の異常の原因を調べることができる。
【０１５１】
また、Ｃ５Ｆ８のガス流量が多すぎる場合、図２０に示すように認識信号“１１１１”が生成されるが、認識信号“１１１１”が生成された場合はＣ５Ｆ８の流量が多すぎること以外に他の原因である可能性は非常に低い。そこで、認識番号“１１１１”が生成された場合は、モニタ装置８０から半導体製造装置のコントローラ４へ信号を送ってＣ５Ｆ８の流量を減少するように指示する。
【０１５２】
すなわち、処理条件の異常の原因が一つの要素によるものであると確定できる場合は、自動的にその原因となる要素を制御して処理条件の異常を解消するように制御することもできる。このような自動制御は、分析データを蓄積して統計的に処理することにより処理条件異常の原因の特定が確度高くできるようになれば、全ての処理異常の場合においても（すなわち全ての認識信号に対して）適用することが可能となる。
【０１５３】
なお、上述のパラメータの種類（チャンバ圧力、ＲＦパワー、Ｃ５Ｆ８の流量）は一例にすぎず、他の様々な処理条件の項目をパラメータとして用いてもよい。また、排気ガス中の分析するガス成分の種類（ＣＨ４，ＳｉＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６）も一例であり、他の種類のガス成分を分析することとしてもよい。パラメータ及び分析するガスの種類を適宜選択することにより、処理条件の異常の原因を精度高く推定することが可能となる。
【０１５４】
また、様々な処理条件における排気ガス成分の分析結果を蓄積することにより、処理条件の異常の原因の推定をより精度高く行うことができるようになる。本実施の形態のように、ガス分析に高速分析可能なフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）を用いて、処理条件の変動をリアルタイムに分析することにより、分析結果の蓄積を容易に短時間で行うことができる。
【０１５５】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本発明の第３の実施の形態は上述の第２の実施の形態によるモニタ装置での分析結果を蓄積して活用することにより、様々な制御管理を可能とするものである。
【０１５６】
すなわち、例えばプラズマエッチング装置のように処理中に排気ガスを生成する半導体製造装置の各々に対してフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）を組み込むことにより、排気ガスの成分分析データを蓄積し、この蓄積されたデータを半導体製造工程の制御や、半導体製造装置の故障診断等に活用するものである。
【０１５７】
上述の第２の実施の形態では、個別の半導体製造装置又は幾つかの半導体製造装置に対してＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置を設け、排気ガス成分分析をリアルタイムに行うことにより、半導体製造工程の制御を容易にするものである。ここで、第２の実施の形態では、あらかじめ得られた分析データに基づいて作成された基準となるデータをモニタ装置に保管しておくことにより、新しく得られた分析データと比較して、処理条件の変動の原因を推定するものである。
【０１５８】
本発明の第３の実施の形態では、処理中に排気ガスを生成する半導体製造装置の各々に対してＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置を設け、モニタ装置から得られる分析データを一箇所でまとめて蓄積・管理する。そして、蓄積したデータを統計処理するなどして活用することにより、その結果を個々の半導体製造装置にフィードバックする。
【０１５９】
分析データを蓄積する場所は、例えば、半導体製造装置を製造して出荷する製造装置メーカが提供する。この場合、製造装置メーカからの出荷段階で各半導体製造装置に対してモニタ装置を組み込むこととしてもよい。また、分析データを蓄積する場所は、例えば、製造装置メーカが提供する分析センタであって、市場に出荷されて実際に稼動中の半導体製造装置からは、データ通信網を介して分析センタへ随時分析データを送ることとする。
【０１６０】
図２１は本実施の形態による半導体製造装置管理システムの全体構成を示す図である。
【０１６１】
図２１において、半導体デバイスメーカで稼動中のエッチング装置１１０はＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置１００に接続されており、ＦＴ−ＩＲにより得られる分析データはインターネットを介して分析センタに送られる。分析データはエッチング装置１１０の処理中にリアルタイムに送られてもよく、所定の時間毎に送られてもよい。ガス分析結果を即時に処理に反映するにはエッチング処理中にリアルタイムで分析データを分析センタに送ることが望ましい。また、図中、複数のエッチング装置１１０が一つのモニタ装置１００に接続されているが、１台のエッチング装置にモニタ装置１００を１台設けることとしてもよい。
【０１６２】
また、半導体デバイスメーカで稼動中のＣＶＤ装置１２０もＦＴ−ＩＲを有するモニタ装置１００に接続されており、ＦＴ−ＩＲにより得られる分析データはインターネットを介して分析センタに送られる。分析データはＣＶＤ装置１２０の処理中にリアルタイムに送られてもよく、所定の時間毎に送られてもよい。ガス分析結果を即時に処理に反映するにはＣＶＤ処理中にリアルタイムで分析データを分析センタに送ることが望ましい。また、図中、複数のＣＶＤ装置１２０が一つのモニタ装置１００に接続されているが、１台のＣＶＤ装置１２０にモニタ装置１００を１台設けることとしてもよい。
【０１６３】
上述のエッチング装置１１０及びＣＶＤ装置１２０は、処理中に排気ガスが生成される半導体製造装置の例であり、ＦＴ−ＩＲによる排気ガスの分析を適用することのできる装置であれば、エッチング装置及びＣＶＤ装置に限定されるものではない。
【０１６４】
稼動中のエッチング装置１１０又はＣＶＤ装置１２０から分析データが送られてくると、分析センタ２００は送られてきた分析データの分析を行う。分析センタ２００には、多くのデバイスメーカで稼動中の半導体製造装置からの分析データが同じ種類あるいは型の半導体製造装置毎に蓄積・管理されている。分析センタ２００では、蓄積された分析データを例えば統計的手法により分析することにより、半導体製造装置の運転・管理に有用な様々な情報を生成する。そして、分析センタ２００は、送られてきた分析データを分析して様々な情報を分析データの送信側にインターネットを介して送信することができる。
【０１６５】
上述の第２の実施の形態においてモニタ装置８０で使用される分析データ比較用の基準値等を分析センタ２００に保管しておくことにより、処理条件の異常を分析センタ２００において判定し、判定結果をインターネットを介してそのモニタ装置８０に返送することとしてもよい。この際、後述するような付帯情報を一著に送信することにより、半導体製造装置の運転管理者に対して有用な情報を提供することができる。
【０１６６】
例えば、分析センタ２００は、多数の同じ型のエッチング装置１１０からの分析データを分析することにより、エッチング装置１１０の部品のうちで頻繁に故障する部分を認識し、その部分の故障の際に排気される排気ガス分析データの内容を記憶しておく。そして、エッチング装置１１０から分析データを受け取った際に、記憶してある分析データの内容と送られてきた分析データの内容が一致した場合、分析センタ２００は故障した部分を示す故障部分情報をその分析データの送り先に返送する。
【０１６７】
故障部分情報を受け取ったモニタ装置１００は、その表示画面に故障したと推定される部分を表示する。すなわち、分析センタ２００は同じ型の半導体装置について、各部分の平均故障率（ＭＴＢＦ）を計算しておき、故障した可能性の高い部分に関する情報を分析データの送信側に送り返すことができる。
【０１６８】
図２２は、上述の故障部分情報を受け取った場合に、モニタ装置１００の表示画面の表示例を示す図である。
【０１６９】
図２２に示す例は、上述の第２の実施の形態において説明した分析データによる識別信号が“０００１”となった場合である。すなわち、モニタ装置１００から分析センタ２００に送られた分析データの内容は、処理チャンバの圧力が低下した可能性が高いことを示している。このような分析データを受け取ると、分析センタ２００は、識別信号をモニタ装置１００に送信する。これと同時に分析センタ２００は、蓄積された情報から得られた情報として、処理チャンバの圧力低下を引き起こす部品の故障をその可能性の高い順に表示するような情報をモニタ装置１００に装置する。
【０１７０】
したがって、モニタ装置１００では、図２２に示すように、表示画面の左側に処理条件に異常が発生したことを表示し、さらにその異常の原因がチャンバ圧力の低下である可能性が高いためチャンバ圧力の低下をチェックすべきことを表示する。そして、同時に表示画面の右側に、チャンバ圧力低下を引き起こす部品の故障をその可能性が高い順に表示する。
【０１７１】
このように、処理条件の異常が通知された運転管理者は、モニタ装置１００の表示画面の左側を見ることによりチャンバ圧力の低下の可能性が大きいことを認識し、続いて表示画面の左側を見ることにより、実際にチャンバ圧力の低下があった場合にチェックすべき項目（部品）を即座に知ることができる。したがって半導体製造装置の運転管理者は、分析センタ２００からの情報により、効率的に短時間で故障の原因及び故障への対応を知ることができる。
【０１７２】
付帯情報として故障部位情報を返送することは、本実施の形態による分析センタ２００の機能のほんの一例にすぎない。すなわち、分析センタ２００において蓄積される分析データをもとにデータベースを構築し、様々な付帯情報を稼動中の半導体製造装置に送信することにより、半導体製造装置の運転管理者に有用な情報を提供することができる。
【０１７３】
図２１において、プロセスエンジニアが常駐する事務所３００や工場管理センタ４００に設置されたコンピュータ等の通信機能を有する装置も、インターネットを介して分析センタ２００に接続されている。したがって、処理条件の異常を通知する情報は、半導体製造装置に送信される際に、プロセスエンジニア及び工場管理センタにもインターネットを介して送信可能である。
【０１７４】
また、予め指定したアドレスを登録しておけば、分析センタからの情報や、モニタ装置１００による分析データをそのアドレスに自動的に送信することもできる。例えば、プロセスエンジニアのアドレスを登録しておけば、プロセスエンジニアが出張先でも半導体製造装置の運転状況を把握し、適切な対応を指示することもできる。
【０１７５】
また、本実施の形態による半導体製造装置管理システムを利用することにより、例えば、半導体製造装置のデモ機による試験的な処理での排気ガス分析データと、実際に納入された実機による処理での排気ガス分析データとを比較して、さらに蓄積された分析データによるデータベースからの情報を参照することにより、実機による処理をデモ機による処理に近づけるための指標を得ることができる。
【０１７６】
また、出荷時に半導体製造装置を標準状態で運転して排気ガス分析データを蓄積しておき、顧客に納入した後の立ち上げ時の分析データを比較することにより、顧客における環境条件と装置製造メーカでの環境条件との相違に起因する問題を解決するための情報を得ることも可能である。
【０１７７】
また、半導体製造装置には固体差があり（個々の機械のくせのようなもの）、同じ条件で運転してもその処理に相違が生じることがある。本実施の形態のように、多数の装置からの分析データを蓄積してデータベースにしておけば、このような固体差に起因する処理のばらつきを低減する方法も容易に得ることができる。
【０１７８】
また、例えば、処理ガスの反応生成物として、有毒ガスや爆発性のガスが生成される可能性もある。このような場合に関する情報も分析センタ２００のデータベースに蓄積しておけば、危険な反応生成物が発生した際の対処方法を装置の運転管理者に即座に通知することができる。
【０１７９】
例えば、半導体製造装置の運転中に反応生成物として有毒ガスが発生したような場合、それを分析データから検知して半導体製造装置の運転管理者に即座に通知するとともに、その有毒ガスを吸った場合の処置方法等の付帯情報を同時に送信することもできる。あるいは、そのような付帯情報を閲覧することのできるホームページに自動的にアクセスしたり、ホームページアドレスを表示したりしてもよい。また、有毒ガスの発生した装置を表示画面で示して、その装置の近傍にいる人の避難方向を表示画面により指示するというようなことも可能である。
【０１８０】
また、処理チャンバの後段の排気ダクト等で反応して爆発性のあるガスや有毒ガスとなるようなガスの組み合わせをデータベースに登録しておけば、そのようなガスの発生を事前に装置の運転管理者に通知することができ、事故を未然に防ぐことができる。
【０１８１】
なお、上述の実施の形態では、分析センタ２００と半導体製製造装置（モニタ装置１００）とをインターネットにより接続しているが、通信手段としてはインターネットによる通信に限られず、公衆電話回線網による通信、ｅメールによる通信、インターネットパケット通信等様々なデータ通信手段を用いることができる。
【０１８２】
次に、本発明の第４の実施の形態について、図２３を参照しながら説明する。
【０１８３】
図２３は本発明の第４の実施の形態による処理装置５００の構成図である。処理装置５００は、気密な処理室内に処理ガスを導入し、処壁内に配置された被処理体である半導体ウェハに所定の処理を施す装置である。図２３では、処理室５１０の内部構造の概略を示している。
【０１８４】
処理装置５００の処理室５１０は，図２３に示すように、処理室５１０内に流量制街装置ＭＦＣを介して処理ガスを供給するためのガス供給機構５１２と、ウェハＷが載置され、マッチングボックス５１４を介して高周波電源５１６が接続されたサセプタ５１８とを備えている。そして処理装置５００は、上記処理室５１０に処理ガスを供給するガス源５２０と、処理室５１０の排気側にバルブＶ１を介して設けられ，処理室５１０内の処理ガスを排気するためのターボポンプ５３０と、ターボポンプ５３０の下流側にバルブＶ２を介して設けられ、ターボポンプ５３０の下流側をさらに排気して減圧するドライボンプ５４０と、ドライポンプ５４０の下流側に設けられ、大気中に放出することのできないガスに対し吸収、分解等の所定の処理を行う除害装置５５０とを備えている。
【０１８５】
さらに処理装置５００は、ガス検知部６００を備えている。このガス検知部６００は、処理装置５００内の複数の検知点におけるガス濃度を検知するものである。以下にこの検知点及びガス検知部６００について詳細に説明する。
【０１８６】
処理装置５００には、ガスの漏洩を検知したり、メンテナンス等の目的のため、ガスの濃度を検知する必要がある箇所に対して検知点が複数設けられている。検知点は、図示の例では、ガス源５２０の下流側に検知点Ｘ１、流量制御装置ＭＦＣの下流側に検知点Ｘ２、処理室５１０に検知点Ｘ３、ターボポンプ５３０の下流側に検知点Ｘ４、ドライポンプ５４０の下流側に検知点Ｘ５、除害装置５５０の第１排気系５６０側に検知点Ｘ６、除害装置５５０の第２排気系５７０側に検知点Ｘ７、及び処理装置５００の作業を行う作業用空間５９０に検知点Ｘ８がそれぞれ設けられている。なお、検知点の配置は図示の例に限定されず、適宜変更可能である。
【０１８７】
ガス検知部６００は、フーリエ変換赤外分光器（ＦＴ−ＩＲ）６１０と、上記複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８を並列に接続し、所定のタイミングでＦＴ−ＩＲ６１０に接続される検知点を切り替えるバルブ切替ユニット６２０と、ＦＴ−ＩＲ６１０より検知点の情報が伝達されて所定の制御を行う制御手段６３０とを備えている。
【０１８８】
ＦＴ−ＩＲ６１０は、上述したように、１ｐｐｍ以下の分解能でガス濃度の検知が可能であり、ガス検知手段としては十分な能カを有している。また、排気ガス中の各ガスの濃度を調べることにより、それぞれのガスの絶対量を０．１ｃｍ３（０．１×１０−６ｍ３）以下の精度で検釦することが可能である。
【０１８９】
ＦＴ−ＩＲ６１０は、各検知点Ｘ１〜Ｘ８におけるガスの一部を吸引して採取しガス濃度の検知を行う。ＦＴ−ＩＲ６１０により採取されだガスは，大気中に放出することができるガスについては，第１排気系５６０を介して大気中に放出され、大気中に放出することができないガスについては、除害装置５５０を介して第２排気系５７０により排気される。
【０１９０】
制御装置６３０は、ガス検知部６００内のＦＴ−ＩＲ６１０及びバルブ切替ユニット６２０を制御するほか、ＦＴ−ＩＲ６１０より上記各検知点Ｘ１〜Ｘ８の情報が伝達されて所定の処理を行う。例えば、いずれかの検知点でガスの漏洩が検知された場合には、処理装置６３０は、ガス量の観測データの収集や、処理装置５００の各構成要素の制御、あるいは、作業者への警告等の処理を行う。
【０１９１】
上記構成からなる処理装置５００によれば、複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８における処理ガスの濃度を検知するガス検知部６００を備え，ガス検知部６００にＦＴ−ＩＲ６１０を設けたので、高精度のガス濃度の検知を行うことが可能である。このため、ガスの漏洩が起こった場合に即時対応が可能である。
【０１９２】
また、複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８を並列に接続し、検知点をバルブ切替ユニット６２０により切り替えているため、ひとつのＦＴ−ＩＲ６１０で複数の検知点Ｘ１〜Ｘ８のガス濃度を検知することが可能である。このため，コストの上昇を抑えつつ高精度なガス濃度の検知を行うことが可能である。
【０１９３】
また、処理装置の作業用空間に検知点Ｘ８を設けるようにしたので，作業用空間内に人体に有毒なガスが混入した場合に即時対応が可能であり、作業者が有毒なガスを吸引する等の危険を回避することができる。
【０１９４】
上述のように、ガス検知部６００は、各検知点Ｘ１〜Ｘ８のガス流量を検知することにより、ガス漏洩検知手段として機能する。またその一方で、処理中やメンテナンス時、あるいは故障時における処理装置５００の構成要素の装置診断診手段としても機能する。以下に、ガス検知部６００による装置診断の一例として、流量制御装置ＭＦＣの診断動作について鋭明する。
【０１９５】
まず、ガス源５２０より、流量制御装置ＭＦＣに所定量の処理ガスを供給する。次いで、流量制御装置ＭＦＣにより、処理室５１０へ供給される処理ガスの流量を制御する。このとき、ＦＴ−ＩＲ６１０は、バルブ切替ユニット６２０のバルブの切替により、流量制御装置ＭＦＣの下流側の検知点Ｘ２のガス流量、すなわち、流量制御装置ＭＦＣの制御により処理室５１０へ供給される処理ガスの流量を検知する。
【０１９６】
制御装置６３０には，ＦＴ−ＩＲ６１０より上記検知点Ｘ２の情報が伝達される。そして、制御装置６３０は、流量制御装置ＭＦＣが正常に機能している易合に処理室５１０へ供給されるべき処理ガスの流量と、実際に処理室５１０へ供給されている処理ガスの流量とを比較し、その誤差を算出する。この誤差の算出は、ウェハＷの処理ごとに、あるいは所定枚数ごとに、あるいは所定期聞ごとに行うことができる。そして算出された誤差が予め設定された許容範囲を超えている場合には、流量制御装置ＭＦＣに異常が発生していると判断し、所定の処理を行う 流量制御装置ＭＦＣに異常が発生していると判断された場合には，制御装置６３０は、（１）流量制御装置ＭＦＣを制御して処理ガスの供給量を制御すること、（２）サイレンや警報等を発して流量制御装置ＭＦＣの異常をオペレータや管理者等に知らせること、（３）処理装置５００の動作を停止させること、等の処理を行う。
【０１９７】
以上説明したように、流量制御装置ＭＦＣの下流側に検知点Ｘ２を設けたので、流量制御装置ＭＦＣが行う処理ガスの流量制御の状態をリアルタイムに検知することができる。このため、処理中における流量制御装置の突発的な異常や故障等があっても即時対応が可能である。また、ガス検知部６００はメンテナンス時にもおいても使用することができるので、上述のビルドアップのように、圧カセンサ等を必要としない。
【０１９８】
なお、上述の処理装置の構成のうち、処理室内の構成や、バルブの位置等は上記構成に限定されず、適宜設計変更可能である。また、処理装置の構成の変更に伴って、検知点の位置も適宜設計変更可能である。
【０１９９】
また、上記実施の形態では、ガス検知部の動作の例として、流量制御装置の装置診断動作について説明したが、本発明はこれに限定されず、処理装置の他の構成要素の装置診断手段として機能させることも可能である。例えば、処理室内における圧カ雰囲気の変化の確認や、排気ガスの組成の確認等を、ＦＴ−ＩＲを備えたガス検知部を用いて高精度に行うことができる。このように，本発明は，ＦＴ−ＩＲを備えたガス検知部を、プロセス解析ツールとして広く活用することが可能である。
【０２００】
以上のように、本実施の形態によれば、気密な処理室内に処理ガスを導入し、前記処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施す処理装置において、複数の検知点におけるガス温度を検知するガス検知部を備え、前記ガス検知部は：フーリエ変換分光器と；前記複数の検知点を並列に接続し、所定のタイミングで前記フーリエ変換分光器に接続される前記検知点を切り替える切替手段と；前記フーリエ変換分光器より前記検知点の情報が伝達されて所定の制御を行う制御手段とを備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
【０２０１】
本実施の形態による処理装置によれば、コストの上昇を抑えつつ高精度のガス濃度の検知を行うことが可能である。このため、ガスの漏洩が起こった場合に即時対応が可能であり、多量のガス漏れを防止することができ、作業者の安全対策等に優れた効果を奏する。
【０２０２】
さらに，処理中における流量制御装置の突発的な異常や故障等があっても即時対応が可能である。また，メンテナンス時に圧力センサ等の他の装置を必要としない。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、プロセス排気ガスの成分を分析することにより、処理条件の異常を推定し、異常と判定された場合にプロセスの異常を表す信号を出力する。この信号に基づいて装置の運転管理者に異常発生の通知を行い、処理条件の制御を行うことができる。プロセス排気ガスは被処理体を実際に処理した後の生成物であるため、被処理体の実際の処理を反映している。したがって、被処理体を処理する前の処理条件の各項目を目標値に制御することにより被処理体で生じる反応を制御するより、被処理体での実際の反応を反映したプロセス排気ガスの成分に基づいて処理条件を制御するほうが、精度の高い処理条件の制御が可能となる。
【０２０３】
また、分析速度が極めて速いフーリエ変換分光器を分析手段として用いることにより、リアルタイムに分析結果を得ることができ、分析結果を被処理体の処理に即座に反映することができる。したがって、例えば、１ロットの被処理体の処理の途中で処理条件に異常が発生した場合に、側材に処理を中止して処理条件を正常に戻すことができる。すなわち、異常な処理条件により被処理体を連続して処理してしまうことを防止できる。
【０２０４】
また、本発明によれば、フーリエ変換分光器により排気ガス成分を分析して得られた分析データは、データ通信網を介してデータ蓄積管理手段のデータベースに登録される。すなわち、実際にデバイスメーカ等で稼動中の様々な半導体製造装置からの分析データが即座にデータベースに登録される。そして、データベースに基づいて分析データを分析することにより、処理条件の異常判定を精度高く行うことができる。判定結果はデータ通信網を介して即座に半導体製造装置へと送信され、半導体製造装置の運転管理者に異常の発生を通知することができる。
【０２０５】
また、付帯情報により異常発生に関する様々な情報を半導体装置の運転管理者に提供することができ、異常回避のための対応や、異常発生に伴う危険の回避等を迅速に行うことができる。
【０２０６】
また、本発明によれば、例えば、半導体デバイスメーカの工場等で稼動中の半導体製造装置を分析センタにおいて管理することができる。分析センタでは、半導体デバイスメーカにて稼動中の半導体製造装置から、分析データを収集して蓄積することによりデータベースを構築する。このデータベースを活用することにより、精度の高い半導体製造装置の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のモニタ装置を有する半導体製造装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置の全体構成を示す模式図である。
【図３】窒素ガスの供給手段を含むモニタ装置の構成を示す模式図である。
【図４】モニタ装置のガス通路の構成を示す図である
【図５】モニタ装置の信号の流れを示す図である。
【図６】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図７】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図８】モニタ装置の動作を示すフローチャートの一部である。
【図９】処理装置での処理とモニタ装置でのサンプリングのタイミングを示すタイミングチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態によるプロセス排気ガスモニタ装置を含む半導体製造システムの全体構成を示すブロック図である。
【図１１】モニタ装置によるモニタ機能を説明するための図である。
【図１２】プロセスモニタ機能を実行する際のモニタ装置各部の動作を示す図である。
【図１３】ガス流量チェック機能を実行する際のモニタ装置の各部の処理を示す図である。
【図１４】水分量チェック機能を実行する際のモニタ装置の各部の処理を示す図である。
【図１５】予防保全サポート機能を実行する際のモニタ装置のＡＰＣコントローラの処理を示す図である。
【図１６】処理チャンバ内の圧力が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１７】処理チャンバに投入されるＲＦパワーが変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１８】処理チャンバに供給される処理ガスのうちＣ５Ｆ８の流量が変動した場合の、各種排気ガス成分の流量の変化を示すグラフである。
【図１９】各排気ガス成分の流量変化をその許容範囲と比較しながら各パラメータに関して示したグラフである。
【図２０】図１９に示すグラフから得られる分析結果を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による半導体製造装置管理システムの全体構成を示す図である。
【図２２】モニタ装置の表示画面の一例を示す図である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態による処理装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
２ ＲＦプラズマ処理装置
２ａ 処理チャンバ
２ｂ ターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ）
４ コントローラ
６ 電源機器
８ プロセスガス供給装置
１０ ガス流量計
１２ 筐体
１４ 排気装置１４
１６ ドライポンプ
２０，８０ プロセス排気ガスモニタ装置
２２，２２−１〜２２−４ 排気ガス採取管
２４ バルブボックス
２６ フーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）
２６ａ ガス導入部（ガスセル）
２８ 採取ガス排気管
３０ ＦＴ−ＩＲ・バルブ・コントローラ３０
３６ 窒素ガス源
３８ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
４０−１〜４０−４ 切り替えバルブ
ＳＶ１〜ＳＶ５ 電磁弁
４２ 開閉弁
４４ 真空ポンプ
４８−１〜４８−４ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
５０ レギュレータ５０
５２−１〜５２−４ 開閉弁
６０ 処理装置
８２ ＡＰＣコントローラ
１００ モニタ装置
１１０ エッチング装置
１２０ ＣＶＤ装置
２００ 分析センタ
３００ 工場管理センタ
４００ プロセスエンジニア
５００ 処理装置
５１０ 処理室
５１２ ガス供給機構
５１４ マッチングボックス
５１６ ＲＦ電源
５１８ サセプタ
５２０ ガス源
５３０ ターボポンプ
５４０ ドライポンプ
５５０ 除害装置
５６０ 第１排気系
５７０ 第２排気系
５８０ 作業用空間
６００ ガス検知部
６１０ ＦＴ−ＩＲ
６２０ バルブ切替ユニット
６３０ 制御手段
Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘ８ 検知点
Claims (27)
- 被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ装置であって、
複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位からプロセス排気ガスを採取するガス採取手段と、
採取したプロセス排気ガスの成分を分析するガス分析手段と、
前記ガス分析手段による分析結果と、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果とを比較する比較手段と、
前記比較手段での比較により、プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する検知手段と、
プロセス排気ガスを前記複数の処理装置又は前記一つの処理装置の複数の部位から順次採取するためにプロセス排気ガスの通路を切り替える切り替え手段と
を有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記ガス分析手段は、フーリエ変換分光器であることを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記検知手段から出力された信号に基づいて警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１又は２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記検知手段から出力された信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１乃至４のううちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記ガス分析手段による分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と前記基準分析結果とを比較することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
複数の基準分析結果を記憶する記憶手段を更に有し、前記比較手段は複数の分析結果と対応する基準分析結果とを比較することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記ガス分析手段及び前記切り替え手段の動作を制御する制御手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項７記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記比較手段により比較した結果のデータを記憶する比較結果記憶手段を更に有し、前記制御手段に外部から信号を供給することにより前記比較手段は各処理毎に比較を行い、前記比較結果記憶手段は各処理毎に比較したデータを記憶することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項２記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記フーリエ変換分光器のゼロ校正に使用する窒素ガスを前記フーリエ変換分光器のガス導入部へ供給する窒素ガス導入手段と、
前記ゼロ校正を所定の時間間隔で行うように前記窒素ガス供給手段を制御するゼロ校正制御手段と
を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１乃至９のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記ガス採取手段と前記ガス分析手段との間に接続され、前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量を調整する流量調整手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１０記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記ガス採取手段から前記ガス分析手段に流れるガス流量が所定の範囲外の時に警報を発する警報手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
プロセス排気ガスを生成する処理装置はプロセス排気ガスを排気するための真空ポンプを有し、該真空ポンプに一定流量の不活性ガスを供給する一定流量制御手段を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 所定の処理条件にて被処理体を処理し、その際にプロセス排気ガスを発生する処理室と、
該処理室で発生したプロセス排気ガスを排気する排気手段と
該排気手段に接続され、前記排気手段から採取したプロセス排気ガスをモニタする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載のプロセス排気ガスモニタ装置と
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 被処理体を所定の処理条件で処理した結果発生する複数の種類のガス成分が含まれるプロセス排気ガスの成分量をモニタするプロセス排気ガスモニタ方法であって、
プロセス排気ガスの通路を切り替えながら 複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位からプロセス排気ガスを順次採取し、
採取したプロセス排気ガスの成分を即時に分析し、
ガス分析結果を、基準となる処理条件により処理が行われた際のプロセス排気ガスの基準分析結果と比較し、
プロセス排気ガス中の少なくとも一つのガス成分量が基準分析結果から得られた基準値から所定の範囲を超えて変化したと判定された場合に、プロセスの異常を表す信号を生成して出力する
各工程を有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ方法。 - 請求項１４記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、
前記プロセス排気ガスの成分の分析は、フーリエ変換分光器により行うことを特徴とするプロセス排気ガスモニタ方法。 - 請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、
プロセスの異常を表す信号に基づいて警報を発する工程を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ方法。 - 請求項１４又は１５記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、
プロセスの異常を表す信号に基づいて処理条件を自動的に調整する制御工程を更に有することを特徴とするプロセス排気ガスモニタ方法。 - 処理中に排気ガスを排気する半導体製造装置と、
該半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出するモニタ装置と、
該データ通信網から該分析データを受信し、受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して前記モニタ装置に送出すると共に、受信した分析データを蓄積してデータベースに登録するデータ蓄積管理手段と
を有することを特徴とする半導体製造装置管理システム。 - 請求項１８記載の半導体製造装置管理システムであって、
前記データ蓄積管理手段は、前記異常を表す信号とともにその異常に関連する付帯情報を前記モニタ装置に送信し、
前記モニタ装置は、異常を表す信号に基づいて処理条件の異常と異常の原因を表示画面に表示すると共に、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を前記表示画面に表示することを特徴とする半導体製造装置管理システム。 - 半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して得られた分析データをデータ通信網に送出し、該データ通信網から受信した分析データに基づいて前記半導体製造装置の処理条件の異常の発生を判定し、処理条件の異常の原因を推定して異常を表す信号を前記データ通信網を介して半導体製造装置に送出し、該受信した分析データを蓄積してデータベースに登録することを特徴とする半導体製造装置管理方法。
- 請求項２０記載の半導体製造装置管理方法であって、
前記異常を表す信号にその異常に関連する付帯情報を付加して前記データ通信網に送出し、前記半導体製造装置において、異常を表す信号に基づいて処理条件の異常の発生と異常の原因とを運転管理者に通知するとともに、前記付帯情報に基づいて前記異常に関連する情報を該運転管理者に通知することを特徴とする半導体製造装置管理方法。 - 稼動中の半導体製造装置においてプロセス排気ガスの通路を切り替えながら複数の処理装置又は一つの処理装置の複数の異なる部位から順次採取した排気ガス成分をフーリエ変換分光器により即時に分析して分析データをリアルタイムで分析センタに送出し、該分析センタにおいて複数の半導体製造装置からの分析データを蓄積してデータベースを構築し、該データベースに基づいて個々の半導体製造装置を管理することを特徴とする半導体製造装置管理方法。
- 請求項１記載のプロセス排気ガスモニタ装置であって、
前記複数の異なる部位は、ガス源の下流側の部位、流量制御装置の下流側の部位、処理室内の部位、ターボポンプの下流側の部位、ドライポンプの下流側の部位、除害装置の第１排気系側の部位、該除外装置の第２排気系側の部位、及び処理装置の作業を行なう作業用空間の部位のうち少なくとも２つの部位を含むことを特徴とするプロセス排気ガスモニタ装置。 - 請求項１４記載のプロセス排気ガスモニタ方法であって、
前記複数の異なる部位は、ガス源の下流側の部位、流量制御装置の下流側の部位、処理室内の部位、ターボポンプの下流側の部位、ドライポンプの下流側の部位、除害装置の第１排気系側の部位、該除外装置の第２排気系側の部位、及び処理装置の作業を行なう作業用空間の部位のうち少なくとも２つの部位を含むことを特徴とするプロセス排気ガスモニタ方法。 - 請求項１８記載の半導体製造装置管理システムであって、
前記複数の異なる部位は、ガス源の下流側の部位、流量制御装置の下流側の部位、処理室内の部位、ターボポンプの下流側の部位、ドライポンプの下流側の部位、除害装置の第１排気系側の部位、該除外装置の第２排気系側の部位、及び処理装置の作業を行なう作業用空間の部位のうち少なくとも２つの部位を含むことを特徴とする半導体製造装置管理システム。 - 請求項２０記載の半導体製造装置管理方法であって、
前記複数の異なる部位は、ガス源の下流側の部位、流量制御装置の下流側の部位、処理室内の部位、ターボポンプの下流側の部位、ドライポンプの下流側の部位、除害装置の第１排気系側の部位、該除外装置の第２排気系側の部位、及び処理装置の作業を行なう作業用空間の部位のうち少なくとも２つの部位を含むことを特徴とする半導体製造装置管理方法。 - 請求項２２記載の半導体製造装置管理方法であって、
前記複数の異なる部位は、ガス源の下流側の部位、流量制御装置の下流側の部位、処理室内の部位、ターボポンプの下流側の部位、ドライポンプの下流側の部位、除害装置の第１排気系側の部位、該除外装置の第２排気系側の部位、及び処理装置の作業を行なう作業用空間の部位のうち少なくとも２つの部位を含むことを特徴とする半導体製造装置管理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297203A JP4387573B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-09-28 | プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法 |
| PCT/JP2000/007457 WO2001031693A1 (fr) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | Procede et appareil destines a surveiller un gaz d'echappement resultant d'un processus, dispositif de fabrication de semi-conducteur, et procede et systeme de gestion d'un dispositif de fabrication de semi-conducteur |
| TW089122443A TW480556B (en) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | Method and apparatus for monitoring process exhaust gas, semiconductor-manufacturing device, and method and system for managing semiconductor manufacturing device |
| US10/111,481 US6716477B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | Method and apparatus for monitoring process exhaust gas, semiconductor-manufacturing device and method and system for managing semiconductor-manufacturing device |
| US10/760,581 US6942891B2 (en) | 1999-10-26 | 2004-01-21 | Device and method for monitoring process exhaust gas, semiconductor manufacturing device, and system and method for controlling semiconductor manufacturing device |
| US11/062,470 US7229843B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-02-22 | Device and method for monitoring process exhaust gas, semiconductor manufacturing device, and system and method for controlling semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-303534 | 1999-10-26 | ||
| JP30353499 | 1999-10-26 | ||
| JP2000297203A JP4387573B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-09-28 | プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196361A JP2001196361A (ja) | 2001-07-19 |
| JP4387573B2 true JP4387573B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=26563543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000297203A Expired - Fee Related JP4387573B2 (ja) | 1999-10-26 | 2000-09-28 | プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6716477B1 (ja) |
| JP (1) | JP4387573B2 (ja) |
| TW (1) | TW480556B (ja) |
| WO (1) | WO2001031693A1 (ja) |
Families Citing this family (257)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3660896B2 (ja) | 2001-07-26 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
| JP3891848B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| JP3504940B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2004-03-08 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4319445B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2009-08-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4892175B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2012-03-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置の校正方法 |
| DE102004042431B4 (de) * | 2004-08-31 | 2008-07-03 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabeschichtung von Werkstücken mit spektraler Auswertung der Prozessparameter und Verwendung der Vorrichtung |
| JP4300182B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2009-07-22 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
| TWI293165B (en) * | 2005-07-06 | 2008-02-01 | Ind Tech Res Inst | Methods and systems for detection of gas leakage sources |
| KR100706792B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 펌프 유닛을 가지는 반도체 소자 제조 장치 및 상기 펌프유닛을 세정하는 방법 |
| KR20080104372A (ko) * | 2006-03-16 | 2008-12-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전자 장치 제조 시스템의 압력 제어 방법 및 장치 |
| US8026113B2 (en) * | 2006-03-24 | 2011-09-27 | Tokyo Electron Limited | Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network |
| JP5016294B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び該装置の分析方法 |
| JP2008309581A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Iyasaka:Kk | エンジン自動診断装置および方法 |
| JP5220352B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-06-26 | 京セラ株式会社 | 入力端末装置およびその表示制御方法 |
| WO2009141804A1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Nxp B.V. | Deposition method |
| JP4836994B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2011-12-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体処理装置 |
| US8089046B2 (en) * | 2008-09-19 | 2012-01-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for calibrating mass flow controllers |
| WO2012017972A1 (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Ebara Corporation | Exhaust system |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| JP2012028816A (ja) * | 2011-10-27 | 2012-02-09 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置の校正方法 |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9190247B2 (en) * | 2013-02-21 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Measurement of plural RF sensor devices in a pulsed RF plasma reactor |
| US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
| JP5808454B1 (ja) | 2014-04-25 | 2015-11-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| KR101567562B1 (ko) | 2014-06-11 | 2015-11-10 | (주)클린팩터스 | 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 |
| KR101574121B1 (ko) | 2014-04-16 | 2015-12-03 | 주식회사 클린팩터스 | 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 |
| KR101616616B1 (ko) | 2014-05-20 | 2016-04-28 | 이재영 | 반도체 제조 설비용 초음파 스크러버 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| JP2016134585A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置、半導体製造装置の診断システムおよび半導体装置の製造方法 |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| WO2016182648A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a processing system |
| JP6391171B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2018-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造システムおよびその運転方法 |
| US9735069B2 (en) * | 2015-09-23 | 2017-08-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for determining process rate |
| JP6457104B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-01-23 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10784174B2 (en) | 2017-10-13 | 2020-09-22 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for determining etch process parameters |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| CN111868896B (zh) * | 2018-03-22 | 2023-10-24 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| KR102734964B1 (ko) * | 2018-06-15 | 2024-11-26 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 시스템의 배기부의 펌프로부터 증착물들을 제거하기 위한 세정 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| CN111197157A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置 |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| JP7151420B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びガス供給方法 |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR102154671B1 (ko) * | 2019-03-27 | 2020-09-10 | 주식회사 이엘 | 반도체 및 디스플레이 공정배출 온실가스 저감시설의 저감효율 자동측정분석시스템 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141002A (ko) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200141931A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| JP7270489B2 (ja) * | 2019-07-10 | 2023-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 性能算出方法および処理装置 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| WO2021053972A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体および排ガス処理システム |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
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| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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| CN113284789A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-20 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括钒或铟层的结构的方法 |
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| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
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| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
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| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
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| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| US20220084852A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-17 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Environmental monitoring system |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202218049A (zh) | 2020-09-25 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220050048A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| US11570020B2 (en) * | 2021-02-04 | 2023-01-31 | Archcyber Technology Co. Ltd. | Communication converters of dry pumps |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| WO2023181208A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社日立ハイテク | 診断装置、半導体製造装置システム、半導体装置製造システムおよび診断方法 |
| US20230407469A1 (en) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | Raytheon Technologies Corporation | Continuous atmospheric pressure cvd tow coater process with in-situ air leak monitoring |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4485125A (en) * | 1982-03-19 | 1984-11-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells |
| JPS6215162A (ja) | 1985-07-15 | 1987-01-23 | 東京索道株式会社 | 索道の脱索防止装置 |
| JPS62151562A (ja) | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| US5233861A (en) * | 1990-12-03 | 1993-08-10 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for in situ calibration of a metering device |
| JPH0547717A (ja) | 1991-01-22 | 1993-02-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ表面処理の終点検出方法及びプラズマ表面処理装置の状態監視方法 |
| US5766360A (en) | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP3105063B2 (ja) | 1992-03-27 | 2000-10-30 | 株式会社東芝 | 薄膜評価方法 |
| JPH05291188A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のパラメータ監視システム |
| JP3163347B2 (ja) | 1992-08-05 | 2001-05-08 | エア・ウォーター株式会社 | 真空装置およびそれを用いた薄膜形成方法 |
| JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
| US5867710A (en) * | 1995-09-05 | 1999-02-02 | Motorola, Inc. | Portable microkernel operating system verification and testing |
| JP3623025B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2005-02-23 | 日機装株式会社 | 混合気体成分分析装置 |
| JP2986146B2 (ja) | 1995-11-02 | 1999-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のレシピ運用システム |
| JPH09134912A (ja) | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | ガス流量制御方法およびそれを用いる半導体製造装置 |
| JPH10212197A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Kyocera Corp | 薄膜の形成方法 |
| US20050215063A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-29 | Bergman Eric J | System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone |
| US6303395B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing techniques |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000297203A patent/JP4387573B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-25 TW TW089122443A patent/TW480556B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-25 WO PCT/JP2000/007457 patent/WO2001031693A1/ja active Application Filing
- 2000-10-25 US US10/111,481 patent/US6716477B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-21 US US10/760,581 patent/US6942891B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-22 US US11/062,470 patent/US7229843B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050159899A1 (en) | 2005-07-21 |
| US6942891B2 (en) | 2005-09-13 |
| TW480556B (en) | 2002-03-21 |
| US7229843B2 (en) | 2007-06-12 |
| JP2001196361A (ja) | 2001-07-19 |
| WO2001031693A1 (fr) | 2001-05-03 |
| US20040157347A1 (en) | 2004-08-12 |
| US6716477B1 (en) | 2004-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091001 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151009 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |