JP4384685B2 - 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、被処理基板上に溶剤を含む処理液を塗布して膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に係り、特に塗布膜をベーキング工程に先立って程よく乾燥させるための乾燥装置に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、フォトリソグラフィー工程の中で被処理基板（ガラス基板）上にレジストを塗布した後にレジスト中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、加熱処理ユニット内で基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等からの熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が不均一になり、レジストの膜厚にムラが現れるという問題がある。そこで、プリベーキングに先立って、減圧雰囲気中で基板上のレジスト中の残存溶剤を一定段階まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層（一種の変質層）を形成する減圧乾燥処理が行われている。このようにレジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥法によれば、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減できるだけでなく、現像処理時のレジストの非溶解性または膜減り量を少なくし、レジスト解像度が高くなる効果も得られる。

典型的な減圧乾燥装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上にレジスト塗布処理の済んだ基板を水平に載置し、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）室内を排気して減圧状態にする。チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング／アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。そして、基板の搬入出ないしローディング／アンローディングは、減圧乾燥装置回りで基板の搬送を行う外部の搬送ロボットのハンドリングにより行っている。また、ステージの上面に多数の支持ピンが突出して設けられ、基板はそれらの支持ピンの上に載置されるようになっている。
特開２０００−１８１０７９

上記のような減圧乾燥装置は、ほぼ絶対真空まで減圧度を上げるためにチャンバ強度を大きくする必要があり、大掛かりでコストが非常に高くついている。しかも、基板をチャンバに搬入出する度毎に上部チャンバを上げ下げ（開閉）するため、基板の大型化に伴って様々な不都合が出てきている。

すなわち、基板のサイズがＬＣＤ用ガラス基板のように一辺が２ｍを越えるような大きさになると、チャンバも著しく大型化して上部チャンバだけでも２トン以上の重量になり、大掛かりな昇降機構を要し、大きな振動による発塵の問題や作業員に対する安全上の問題が顕在化してきている。また、搬送ロボットも、ますます大型化しているが、大きな基板を水平に保持して搬送するのが難しくなってきており、レジスト塗布直後の基板を大きなうちわのようにたわんだ状態で搬送することによって、減圧乾燥装置のチャンバにおける基板の搬入出ないしローディング／アンローディングの際に位置ズレや衝突ないし破損等のエラーが起きやすくなってきている。

さらに、チャンバの中で基板はステージ上面から突出するピンの上で減圧乾燥処理を受けるため、減圧乾燥の段階で基板上のレジスト膜にピンの跡が転写することもあり、この点も問題になっている。

加えて、チャンバが大きくなるほど、減圧雰囲気の均一性を保つのが難しくなり、基板上の全領域でレジスト塗布膜を斑無く均一に乾燥させるのが難しくなってきている。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、被処理基板上に塗布された処理液の膜に対して、減圧乾燥の手法を用いずに塗布膜のバルク部分を程よく液状ないし生乾き状態に保ったまま液膜の表面に適度な固化層を形成し、乾燥斑の発生の防止や塗布膜の膜質向上を効率よく実現できる常圧乾燥装置、基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の常圧乾燥装置は、溶剤を含む処理液を塗布された被処理基板を所定の搬送ラインに沿って平流しで搬送する平流し搬送部と、前記平流しの搬送中に、常温またはそれよりも高い温度の常圧雰囲気下で、前記基板上の処理液の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い温度に冷やしながら乾燥させる乾燥処理部とを有する。

本発明の基板処理装置は、前記常圧乾燥装置と、前記搬送ラインに沿って前記常圧乾燥装置の上流側隣に配置され、前記基板を平流しで搬送しながら前記基板上に前記処理液を塗布する塗布ユニットと、前記搬送ラインに沿って前記常圧乾燥装置の下流側隣に配置され、前記基板を平流しで搬送しながら加熱するベーキングユニットとを有する。

また、本発明の基板処理方法は、被処理基板上に溶剤を含む処理液を塗布する塗布工程と、前記基板を所定の搬送ラインに沿って平流しで搬送し、搬送中に常温またはそれよりも高い温度の常圧雰囲気下で、前記基板上の処理液の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い温度に冷やしながら乾燥させる乾燥工程と を有する。

本発明においては、塗布ユニットにおいて基板上に形成された処理液の塗布膜は常温・常圧下で自然乾燥を開始し、塗布膜内で液相拡散および気相拡散を一定の速度で進行させながら常圧乾燥装置に搬入される。常圧乾燥装置では、平流し搬送部が基板を平流しで搬送する間に、乾燥処理部により基板上の塗布膜の表面（上面）が常温またはそれよりも高い温度の常圧雰囲気下に曝される一方で、塗布膜の下面が基板を通じて常温よりも低い温度に冷やされる。これにより、塗布膜において表層部における溶剤の気相拡散の速度とバルク部における液相拡散の速度との間に前者が後者よりも大になる関係で差が生じ（あるいは差が拡大し）、バルク部の液状ないし生乾き状態が程よく保たれながら表層部のみが適度に乾燥固化する。その結果、常圧乾燥によっても、従来の減圧乾燥法を用いた場合と同質の塗布膜改質処理結果を得ることができる。しかも、平流し方式なので、装置構成の簡易化、小型化、低コスト化等もはかれる。

本発明の好適な一態様によれば、常圧乾燥装置における平流し搬送部は、基板を気体の圧力により浮かせる第１の浮上ステージと、この第１の浮上ステージ上で基板を搬送ラインに沿って移動させる浮上搬送移動部とを有する。また、乾燥処理部は、第１の浮上ステージを通じて基板を冷やす冷却機構を有する。この場合、冷却機構の好適な一態様として、第１の浮上ステージ内に設けられた冷媒通路と、この冷媒通路に温調された冷媒を供給する冷媒供給部とを有してよい。また、浮上ステージによる冷却機能の効果および精度を高めるために、基板の浮上高を基板が第１の浮上ステージと熱的に結合されるほど十分小さなギャップに設定し、冷却機構により第１の浮上ステージの上面を常温よりも低い設定温度に冷やす構成が好ましい。

あるいは、別の好適な一態様として、平流し搬送部が、基板を多数のコロを一定間隔で敷設してなるコロ搬送路と、このコロ搬送路上で基板を搬送ラインに沿って移動させるためにコロを駆動するコロ搬送駆動部とを有する。そして、乾燥処理部が、コロを通じて基板を冷やす冷却機構を有する。この場合、冷却機構は、好ましくは、コロ内に設けられた冷媒通路と、この冷媒通路に温調された冷媒を供給する冷媒供給部を有してよい。

また、好適な一態様においては、乾燥処理部が、搬送ラインの上方に配置されるガスノズルを備え、このガスノズルより乾燥用のガスを吐出させて基板上の塗布膜の表面に当てる。乾燥用のガスとしては、たとえば空気、窒素等を用いてよく、乾燥用のガスを加熱して温めてもよい。このように、乾燥用のガスを基板上の塗布膜の表面に当てることによって、塗布膜における溶剤の気相拡散を増大させることができる。

また、好適な一態様によれば、乾燥処理部が、基板上の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い第１の温度で冷却しながら乾燥させる第１の乾燥処理区間と、搬送ラインに沿って第１の乾燥処理区間よりも下流側に設定され、基板上の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低くかつ第１の温度から独立して設定される第２の温度で冷やしながら乾燥させる第２の乾燥処理区間とを有する。かかる構成によって、塗布膜に異なる冷却ないし乾燥作用を与える２段階の乾燥処理を施すことができる。

また、本発明の基板処理装置における好適な一態様として、塗布ユニットは、基板を気体の圧力により浮かせる第２の浮上ステージと、この第２の浮上ステージ上で基板を搬送ラインの方向に移動させる第２の浮上搬送移動部と、第２の浮上ステージの上方に配置された長尺形の処理液ノズルを有し、処理液ノズルより平流しで移動中の基板に向けて処理液を吐出させる処理液供給部とを有する。この場合、処理液ノズルよりも搬送ラインの下流側の区間で、第２の浮上ステージに第１の浮上ステージを兼用させることも可能であり、これによって処理液の塗布膜を形成してから第１の浮上ステージ上で常圧乾燥を開始するまでの常温・常圧乾燥時間を可及的に短くすることができる。

本発明の常圧乾燥装置、基板処理装置および基板処理方法によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板上に塗布された処理液の膜に対して、減圧乾燥の手法を用いずに塗布膜のバルク部分を程よく液状ないし生乾き状態に保ったまま液膜の表面に適度な固化層を形成することが可能であり、乾燥斑の発生の防止あるいは塗布膜の膜質向上を効率よく実現できる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の常圧乾燥装置、基板処理装置および基板処理方法を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できるカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。

より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。

より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の平流し搬送路３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ1）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。

第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ4）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で後述する常圧雰囲気下のレジスト乾燥処理を受ける（ステップＳ6）。

塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ7）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ8）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ9）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ9）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ11）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ12）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ13）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ14）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４から第２の熱的処理部３２のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８までの平流し式のレジスト処理部（４４，４６，４８）、特に常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明を適用することができる。以下、図３〜図８につき、本発明の好適な実施形態における平流し式レジスト処理部（４４，４６，４８）の構成および作用を詳細に説明する。

図３は、この実施形態における平流し式レジスト処理部（４４，４６，４８）の全体構成を示す平面図である。

図３において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する塗布用の浮上ステージ８０と、この塗布用浮上ステージ８０上で空中に浮いている基板Ｇを浮上ステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構８２と、浮上ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル８４と、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部８６とを有している。

浮上ステージ８０の上面には所定のガス（たとえばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。

基板搬送機構８２は、浮上ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール９０Ａ，９０Ｂと、これらのガイドレール９０Ａ，９０Ｂに沿って往復移動可能なスライダ９２と、浮上ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ９２に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、浮上ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、浮上ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、浮上ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部９８と、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構１０２とを備えている。

ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。 先ず、前段の第１の熱的処理部２８（図１）よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Ｇが浮上ステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。浮上ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射孔８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

そして、スライダ９２が基板を保持しながら常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面に向けて液状のレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の塗布膜ＲＭが一面に形成される。こうしてレジストＲを塗布された基板Ｇは、その後もスライダ９２により浮上ステージ８０上で浮上搬送され、浮上ステージ８０の後端を越えると、受け渡し用および浮上搬送駆動用のコロ１０４を介してそのまま平流しで後段の常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬入される。

なお、この実施形態では、溶剤としてＰＧＭＥＡ（ポリプレン・グリコール・モノメチル・エチレン・アセラート）を含むポジ型レジストを基板Ｇ上に塗布するものとする。

塗布処理の済んだ基板Ｇを上記のようにして常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側へ送り出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るために浮上ステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布用浮上ステージ８０の延長線上（下流側）には第１の受け渡しおよび浮上搬送駆動用のコロ１０４を挟んで常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の冷却用浮上ステージ１０６が配設され、さらにその延長線上（下流側）には第２の受け渡しおよび浮上搬送駆動用のコロ１０８を挟んでプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の加熱用浮上ステージ１１０が配設されている。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４およびプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８のいずれも、搬送方向（Ｘ方向）においては基板Ｇよりも相当小さな（１／２以下も可能な）サイズで構成されている。

図４に、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６およびプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内のより詳細な構成を略断面図で示す。

常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において、冷却用浮上ステージ１０６の上面には、大気圧または常圧下で基板Ｇを好ましくは１００μｍ以下（たとえば５０μｍ）の微小ギャップまたは浮上高で浮かせるために、高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴射孔１１０と、負圧で空気を吸い込む吸引孔１１２とを適当な配列パターンで混在させて設けている。そして、図５に示すように、浮上ステージ１０６の上で基板Ｇを搬送するときは、噴射孔１１０から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引孔１１２より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、基板Ｇの浮上高Ｈ_Sを浮上搬送および基板冷却に適した設定値（たとえば５０μｍ）付近に維持するようにしている。

なお、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布用浮上ステージ８０においても、基板浮上高を安定化させるために、噴出孔８８に混在させて吸引孔（図示せず）を設け、噴射孔８８より基板Ｇに与えられる垂直上向きの力（浮上力）と吸引孔より基板Ｇに与えられる垂直下向きの力（引力）とのバランスをとるようにしてもよい。

冷却用浮上ステージ１０６の内部には、各噴射孔１１０に接続された正圧マニホールド１１４と、各吸引孔１１２に接続された負圧マニホールド１１６と、冷媒通路１１８とが設けられている。

正圧マニホールド１１４は、浮上ステージ１０６の外の圧縮空気供給源１２０からガス供給管１２２を介して所定圧力の圧縮空気を導入して、浮上ステージ１０６上面の各噴射孔１１０に略均一な圧力で圧縮空気を分配供給する。圧縮空気供給源１２０は、たとえばコンプレッサあるいは工場用力を使用してよく、圧縮空気の圧力を安定化させるためのレギュレータ等も備えている。

負圧マニホールド１１６は、浮上ステージ１０６の外の真空源１２４にバキューム管１２６を介して接続されており、浮上ステージ１０６上面の各吸引孔１１２の吸引力を略均一にするような圧力緩衝作用を奏する。真空源１２４は、たとえば真空ポンプあるいは工場用力を使用してよい。

冷媒通路１１８は浮上ステージ１０６の上部、特にステージ上面と熱的に結合されており、浮上ステージ１０６の外に配置されているチラーユニット１２８から常温よりも低い温度の冷却水が配管１３０，１３２を介して冷媒通路１１８に循環供給される。ステージ１０６は熱伝導率および加工性の高い材質たとえばアルミニウムで構成されており、冷媒通路１１８を流れる冷却水によってステージ上面が常温（通常２５℃）よりも低い設定温度（たとえば５〜１０℃）に冷却または温調される。温度センサ（図示せず）を用いたフィードバック方式の温度制御も可能である。

冷却用浮上ステージ１０６の上方には、長尺形のガスノズル１３４および吸い込み口１３６が搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いてワンセットで配置されている。図示の例では、ガスノズル１３４は吸い込み口１３６よりも搬送方向（Ｘ方向）の上流側に配置されている。ガスノズル１３４の吐出口は、浮上ステージ１０６上の基板Ｇと所定距離（たとえば５〜１５ｍｍ）のギャップを介して搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。吸い込み口（排気口）１３６もガスノズル１３４の吐出口と平行にスリット状に延びている。

ガスノズル１３４および吸い込み口１３６は、通常は、基板Ｇが浮上ステージ１０６の上を通過する時だけ作動してよい。すなわち、ガスノズル１３４は、乾燥用ガス供給源１３８および送風機１４０よりガス供給管１４２を介して送られてくる乾燥用ガスたとえば清浄な乾燥用空気Ａを導入し、導入した乾燥用空気Ａをノズル内の多孔板１３４ａに通してスリット状吐出口より直下の基板Ｇに向けて所定の圧力（風圧）および均一な層流で噴き出すようになっている。ここで、ガスノズル１３４より吐出された乾燥用空気Ａの流れ（風）が基板Ｇの上面つまりレジスト塗布膜ＲＭの表面を撫でるように、ガスノズル１３４を斜めに寝かせて配置するのが好ましい。吸い込み口１３６は、排気ポンプまたは排気ファン内蔵の排気部１４４に排気管１４６を介して通じており、ガスノズル１３４から基板Ｇの上面に沿って流れてくる乾燥用空気Ａを周囲の空気や乾燥処理中に基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭより蒸発した溶剤と一緒に吸い込むようになっている。なお、乾燥用空気Ａの温度は常温以上が好ましい。

次に、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の構成を説明する。このユニットにおいても、大気圧または常圧下で基板Ｇを安定に微小ギャップまたは浮上高で浮かせるために、加熱用浮上ステージ１１０の上面には、高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴射孔１５０と、負圧で空気を吸い込む吸引孔１５２とを適当な配列パターンで混在配置している。そして、図５に示すように、噴射孔１５０から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引孔１５２より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、基板Ｇの浮上高Ｈ_Sを浮上搬送および基板加熱に適した設定値付近に維持するようにしている。

加熱用浮上ステージ１１０の内部には、各噴射孔１５０に接続された正圧マニホールド１５４と、各吸引孔１５２に接続された負圧マニホールド１５６と、たとえば抵抗発熱素子からなる発熱素子１５８とが設けられている。

正圧マニホールド１５４は、各噴射孔１１０における噴射圧力を均一化するためのものであり、浮上ステージ１１０の外の圧縮空気源１６０にガス供給管１６２を介して接続されている。負圧マニホールド１５６は、各吸引孔１５２における吸引力を均一化するためのものであり、ステージ１１０の外の真空源１６４にバキューム供給管１６６を介して接続されている。発熱素子１５８は、浮上ステージ１１０の上部と熱的に結合されており、ヒータ電源１６８より電力の供給を受けると通電してジュール熱を発生し、ステージ上面を設定温度（たとえば９０℃〜１３０℃）に加熱するようになっている。

加熱用浮上ステージ１１０の延長線上（下流側）には、搬送ラインに沿って多数のコロ１７０を一定間隔で敷設してなるコロ搬送路１７２が設けられている。このコロ搬送路１７２は、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０およびパスユニット（ＰＡＳＳ）５２（図１）まで延びている。

なお、この実施形態における全てのコロ、たとえば第１および第２の受け渡しおよび浮上搬送駆動用のコロ１０４，１０８およびコロ搬送路１７２のコロ１７０等は、図示省略するが、たとえばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

また、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４内の各部だけでなく、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６およびプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内の各部も、図示しないコントローラによって制御される。コントローラをマイクロコンピュータで構成した場合は、該コントローラに装置全体の動作（シーケンス）を統括制御させることもできる。

次に、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６およびプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における作用を説明する。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、塗布用浮上ステージ８０からコロ１０４を介して常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の冷却用浮上ステージ１０６に搬入され、コロ１０４の駆動力によってそれまでと同じ平流しで浮上ステージ１０６の上を同一方向（Ｘ方向）に搬送される。こうして、レジスト液を塗布された直後の基板Ｇは、常温かつ常圧下の状態で冷却用浮上ステージ１０６の上に搬入される。

基板Ｇは、冷却用浮上ステージ１０６上で熱伝導的には接触しているのと同じくらいの微小な浮上高で浮上するので、熱容量の大きなステージ１０６との熱交換によってそれまでの常温からステージ上面と略同じ温度（たとえば５〜１０℃）まで冷却される。この基板裏側からの冷却によって、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭは下面から冷やされ、図６に示すように、レジスト塗布膜ＲＭ内の下層ないし中間層のバルク部における溶剤の液相拡散、特に揮発する方向（上方）への液相拡散が抑制される。つまり、液相拡散の速度が、常温下でのそれまでよりも遅くなる。

一方、基板Ｇがガスノズル１３４の下を通過する際に、あるいは通過した直後に、ガスノズル１３４から乾燥用空気Ａが基板Ｇの上面つまりレジスト塗布膜ＲＭの表面に当てられる。これにより、図６に示すように、レジスト塗布膜ＲＭの表層部における溶剤の拡散、特に空中への気相拡散（揮発）が促進される。

このように、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭは、常圧下での浮上搬送中に、浮上ステージ１０６を通じて基板裏側から常温以下の温度に冷やされながら、上方のガスノズル１３４より膜表面に常温以上の温度で乾燥用空気Ａを当てられる。こうして、レジスト塗布膜ＲＭの表層部における気相拡散の速度Ｖ_Uと下層ないし中間層のバルク部における液相拡散の速度Ｖ_Lとに間にＶ_U＞Ｖ_Lの大小関係で差が生じ（または差が拡大し）、これによって、バルク部の液状ないし生乾き状態を保ちながら表層部のみを適度に乾燥固化させることができる。その結果、減圧乾燥法を用いた場合と同質のレジスト表面処理膜を得ることができる。

常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で上記のような常圧乾燥処理を終えた基板Ｇは、コロ１０８を介してプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８の加熱用浮上ステージ１１０に搬入され、コロ１０８の駆動力によってそれまでと同じ平流しで浮上ステージ１１０の上を同一方向（Ｘ方向）に搬送される。

加熱用浮上ステージ１１０上で、基板Ｇは、冷却用浮上ステージ１０６上で熱伝導的には接触しているのと同じくらいの微小な浮上高で浮上するので、熱容量の大きなステージ１１０との熱交換によってステージ上面と略同じ温度（たとえば９０℃〜１３０℃）まで加熱される。この基板裏側からの高温かつ急速加熱によって、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭでは、バルク部における上方への液相拡散および気相拡散（揮発）が促進され、基板Ｇに対するレジスト塗布膜ＲＭの密着性が強化される。なお、プリベーキングの加熱処理の際に、外部からの熱的な影響を受けてレジスト塗布膜ＲＭのバルク部の動きが不均一になろうとしても、表層の固化層によって不均一な動きが抑え込まれるので、レジスト塗布膜ＲＭに乾燥斑は発生し難い。

プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でプリベーク処理を終えた基板Ｇはコロ搬送路１７２に乗ってコロ搬送の平流しで下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）５０（図１）へ送られる。

上記のように、この実施形態の平流し式レジスト処理部（４４，４６，４８）は、レジスト塗布からレジストプリベークまでの一連の処理工程をすべて同一搬送ライン上の平流しによって行う。このことにより、装置構成の大幅な簡易化、小型化、低コスト化をはかれる。

常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６においては、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭに対して常圧下の乾燥処理により減圧乾燥と同等のレジスト表面処理を施すことができる。したがって、次工程のプリベーキングの際にはバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減できるだけでなく、現像処理の際にはレジストの非溶解性または膜減り量を少なくし、レジスト解像度を高くすることができる。また、搬送ロボットは不要であり、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング／アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。さらに、支持ピンを用いなくて済むので、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６内で基板Ｇ上のレジストに転写跡が発生するおそれもない。加えて、基板Ｇのサイズに関係なく基板各部に均一な乾燥処理を行えるので、品質面でも基板の大型化に容易に対応することができる。

なお、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で基板Ｇ上にレジスト液が塗布された直後から、レジスト塗布膜ＲＭ内では自然乾燥によって溶剤の液相拡散および気相拡散が始まり、常温・常圧下でもそれらの拡散は進行（持続）する。従来の減圧乾燥法では、減圧乾燥装置への基板の搬入に時間がかかるため、減圧乾燥処理を開始する前にレジスト塗布膜が乾燥し過ぎてしまい、減圧乾燥の効き目が弱くなるおそれもあった。これに対して、この実施形態では、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４から常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６への基板の搬送を平流しでスムースに短時間で行えるので、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６による乾燥処理の開始のタイミングを遅らせることはなく、塗布膜改質の効き目を安定確実に保証できる。この点でも、基板の大型化に有利に対応できる。

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。

たとえば、上記した実施形態では、常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において冷却用浮上ステージ１０６およびガスノズル１３４をそれぞれ一つずつ設けた。しかし、複数台の浮上ステージ１０６あるいは複数本のガスノズル１３４を設けることも可能である。

複数台の浮上ステージ１０６（１０６Ａ，１０６Ｂ）を設ける場合は、それぞれに個別のチラーユニット１２８Ａ，１２８Ｂを用いて、各浮上ステージ１０６Ａ，１０６Ｂの基板冷却温度を独立に設定してよい。ここで、各々の浮上ステージ１０６Ａ，１０６Ｂ上でガスノズル１３４による気相拡散の促進を行うことも可能である。しかし、たとえば図７に示すように、前段の浮上ステージ１０６Ａ上ではガスノズル１３４による気相拡散の促進を行わずに、浮上ステージ１０６Ａ側からの基板冷却によってレジスト塗布膜ＲＭ内の液相拡散ないし気相拡散の速度を適度に抑制または調整し、後段の浮上ステージ１０６Ｂ上でガスノズル１３４による気相拡散の促進と浮上ステージ１０６Ｂによる液相拡散の抑制とを同時に行うようにしてもよい。

また、図示省略するが、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のレジストノズル８４よりも搬送下流側の区間で塗布用浮上ステージ８０に図７の前段乾燥用の浮上ステージ１０６Ａまたは前段乾燥および後段乾燥用の浮上ステージ１０６Ａ，１０６Ｂを組み込む構成、あるいは図４の浮上ステージ１０６を組み込む構成等も可能である。この場合は、基板Ｇ上にレジスト液を塗布した後に直ちに本発明の常圧乾燥処理を開始することができる。

また、図７に示すように、乾燥空気供給ラインに加熱器１７４を設け、ガスノズル１３４より乾燥用空気Ａを常温よりも高温（たとえば５０℃以上）の温風で基板Ｇの上面に当てることも可能であり、これによってガスノズル１３４による気相拡散促進効果を増大させることができる。なお、乾燥用のガスは空気に限るものではなく、たとえば窒素ガス等でもよい。

常圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６において、浮上ステージ１０６以外の平流しの搬送路として、たとえばベルト搬送路も可能であり、あるいは図８に示すように、コロ搬送路１７６を用いることも可能である。この場合、コロ搬送路１７６を構成するコロ１７８の内部に冷却通路を設け、チラーユニット１８０より適当な配管を介してコロ内の冷却通路に冷却水を通してよい。これにより、コロ搬送路１７６上を移動する基板Ｇをコロ１７８を通じて冷却し、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭを下面から常温よりも低い所望の温度で冷やすことができる。なお、コロ１７８は、基板Ｇの裏面との接触面積を大きくとれるように、太さ（外径）が軸方向で一様なパイプ形のものを用いてよい。

また、ガスノズル１３４より乾燥用空気Ａを当てる方向は任意でよく、図８に示すように吸い込み口１３６を上流側にガスノズル１３４を下流側に配置して、基板の搬送と逆向きに乾燥用空気Ａを流すことも可能である。

さらには、ガスノズル１３４を一切使わずに、つまり基板Ｇの上面に乾燥用ガスの風を殊更当てることなく、基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭの表面を常温以上の温度の常圧雰囲気の中に置いて、平流しの搬送路（１０６，１７６）側からの冷却だけで本発明の常温乾燥処理を実施することも可能である。

冷却用ステージ１０６や加熱用ステージ１１０において、バキューム機構（吸引孔１１２，１５２、負圧マニホールド１１６，１５６、真空源１２４，１６４等）は基板浮上高の精度・安定性を高めるためのものであり、浮上搬送に必ずしも必要なものではない。したがって、ステージ構成の簡易化のために、この種のバキューム機構を省くことも可能である。

また、図８に示すように、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８においては、浮上ステージ１１０以外の平流し加熱手段として、コロ搬送路１８３を設けて、相隣接するコロ１８４，１８４の間に放熱板１８６を設置する構成も可能である。

本発明の常圧乾燥法は、一般的には上記実施形態におけるようなポジ型のレジストに適用して好適であるが、ネガ型レジストにも適用可能であり、カラーレジストや有機レジスト等にも適用可能である。

本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。処理液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態におけるレジスト処理部の全体構成を示す平面図である。 実施形態における常圧乾燥ユニットおよびプリベークユニットの構成を示す側面図である。 実施形態の冷却用浮上ステージおよび加熱用浮上ステージにおける基板浮上高の制御を説明するための略側面図である。 実施形態における常圧乾燥処理の作用を模式的に説明するための断面図である。 実施形態の一変形例による常圧乾燥ユニットの構成を模式的に示す側面図である。 実施形態の一変形例による常圧乾燥ユニットおよびプリベークユニットの構成を模式的に示す側面図である。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
４４ レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
４６ 常温乾燥ユニット（ＶＤ）
４８ プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）
８０ 塗布用浮上ステージ
８４ レジストノズル
１０６ 冷却用浮上ステージ
１１０ 加熱用浮上ステージ
１１８ 冷媒通路
１２８ チラーユニット
１３４ ガスノズル
１３６ 吸い込み（排気）口
１３８ 乾燥用ガス供給源
１４０ 送風機
１５８ 発熱素子

Claims (20)

1. 溶剤を含む処理液を塗布された被処理基板を所定の搬送ラインに沿って平流しで搬送する平流し搬送部と、
   前記平流しの搬送中に、常温またはそれよりも高い温度の常圧雰囲気下で、前記基板上の処理液の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い温度に冷やしながら乾燥させる乾燥処理部と
   を有する常圧乾燥装置。
2. 前記平流し搬送部が、前記基板を気体の圧力により浮かせる第１の浮上ステージと、前記第１の浮上ステージ上で前記基板を前記搬送ラインに沿って移動させる浮上搬送移動部とを有し、
   前記乾燥処理部が、前記第１の浮上ステージを通じて前記基板を冷やす冷却機構を有する請求項１に記載の常圧乾燥装置。
3. 前記冷却機構が、前記第１の浮上ステージ内に設けられた冷媒通路と、前記冷媒通路に温調された冷媒を供給する冷媒供給部とを有する請求項２に記載の常圧乾燥装置。
4. 前記基板の浮上高を前記基板が前記第１の浮上ステージと熱的に結合されるほど十分小さなギャップに設定し、前記冷却機構により前記第１の浮上ステージの上面を常温よりも低い設定温度に冷やす請求項２または請求項３に記載の常圧乾燥装置。
5. 前記平流し搬送部が、多数のコロを一定間隔で敷設してなるコロ搬送路と、前記コロ搬送路上で前記基板を前記搬送ラインに沿って移動させるために前記コロを駆動するコロ搬送駆動部とを有し、
   前記乾燥処理部が、前記コロを通じて前記基板を冷やす冷却機構を有する請求項１に記載の常圧乾燥装置。
6. 前記冷却機構が、前記コロ内に設けられた冷媒通路と、前記冷媒通路に温調された冷媒を供給する冷媒供給部を有する請求項５に記載の常圧乾燥装置。
7. 前記乾燥処理部が、前記搬送ラインの上方に配置されるガスノズルを備え、前記ガスノズルより乾燥用のガスを吐出させて前記基板上の塗布膜の表面に当てる請求項１〜６のいずれか一項に記載の常圧乾燥装置。
8. 前記乾燥処理部が、
   前記基板上の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い第１の温度で冷やしながら乾燥させる第１の乾燥処理区間と、
   前記搬送ラインに沿って前記第１の乾燥処理区間よりも下流側に設定され、前記基板上の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低くかつ前記第１の温度から独立して設定される第２の温度で冷やしながら乾燥させる第２の乾燥処理区間と
   を有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の常圧乾燥装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の常圧乾燥装置と、
   前記搬送ラインに沿って前記常圧乾燥装置の上流側隣に配置され、前記基板を平流しで搬送しながら前記基板上に前記処理液を塗布する塗布ユニットと、
   前記搬送ラインに沿って前記常圧乾燥装置の下流側隣に配置され、前記基板を平流しで搬送しながら加熱するベーキングユニットと
   を有する基板処理装置。
10. 前記塗布ユニットが、
    前記基板を気体の圧力により浮かせる第２の浮上ステージと、
    前記第２の浮上ステージ上で前記基板を前記搬送ラインの方向に移動させる第２の浮上搬送移動部と、
    前記第２の浮上ステージの上方に配置された長尺形の処理液ノズルを有し、前記処理液ノズルより平流しで移動中の前記基板に向けて前記処理液を吐出させる処理液供給部と
    を有する請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記処理液ノズルよりも前記搬送ラインの下流側の区間で、前記第２の浮上ステージに前記第１の浮上ステージを兼用させる請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 被処理基板上に溶剤を含む処理液を塗布する塗布工程と、
    前記基板を所定の搬送ラインに沿って平流しで搬送し、搬送中に常温またはそれよりも高い温度の常圧雰囲気下で、前記基板上の処理液の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも低い温度に冷やしながら乾燥させる乾燥工程と
    を有する基板処理方法。
13. 前記乾燥工程において、前記基板を平流し式搬送路上で搬送し、前記搬送路側から前記基板を冷やす請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記乾燥工程において、前記基板上の塗布膜の表面に乾燥用のガスを当てる請求項１２または請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記乾燥用ガスを温めて前記基板上の塗布膜の表面に当てる請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記乾燥工程において、前記搬送ラインに沿って第１および第２の搬送区間を設定し、上流側の第１の搬送区間と下流側の第２の搬送区間とで冷却温度を独立に設定する請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記第１の搬送区間では前記基板上の塗布膜の表面に前記乾燥用のガスを当てずに、前記第２の搬送区間で前記基板上の塗布膜の表面に前記乾燥用のガスを当てる請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記塗布工程において、前記基板を第２の浮上ステージ上で気体の圧力により浮かせて前記搬送ラインに沿って平流しで搬送しながら、前記第２の浮上ステージの上方に配置した長尺形の処理液吐出ノズルより前記基板に向けて前記処理液を吐出して、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 前記乾燥工程において、前記処理液吐出ノズルよりも前記搬送ラインの下流側の区間で、前記第２の浮上ステージに前記第１の浮上ステージを兼用させる請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記乾燥工程の後に、前記基板上の塗布膜に残留している溶剤を蒸発させ、かつ前記基板に対する塗布膜の密着性を強化するために、前記基板を前記搬送ラインに沿って平流しで搬送しながら加熱するベーキング工程を有する請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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