JP4365146B2 - 画像形成システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、2次元ピクセルアレイのピクセル回路を包含する画像形成システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、画像形成システムが幅広い種類の分野で用いられている。例えば、画像形成システムは、医療専門家が患者にとって最適な治療を決めることを助ける医療用途のために広範に用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
最近、医療用画像形成システムとして用いられる大面積画像形成システム及び方法において成功があった。これらの大面積画像形成システムは、フレーム時間がかなり長い多数のピクセルを用いるものとなり、該フレーム時間は1秒近くになることがある。1フレーム時間は、読み出されるべき画像形成システムにおけるピクセルのすべてについて要求される時間である。さらに、大面積画像形成システムは、複数の静止画像を組み合わせることができるため、確立されたフレーム時間より速く起きる1つの静止画像における変化が互いに平均化され、そのため、大面積画像形成システムがぼけた画像を表示することになる。この問題は、移動している被写体が画像形成システムにより画像化されているときに、該画像形成システム内で用いられるピクセル回路が動的応答時間を可能にする能力を備えていないことにより引き起こされるものである。
【0004】
したがって、画像が表示されたときに、ぼけた画像として表されないように、多数のピクセルに関連するフレーム時間を適切に管理することができる動的応答時間を可能にするピクセル回路をもつ画像形成システムが必要とされる。ストロボ光、X線源、又は画像形成のために適当な位置に移動している被写体のような外部的事象に画像形成装置の応答を同期させる能力が付加的に必要とされる。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、急速に変化する画像を走査するためにピクセル回路を用いる画像形成システムを提供する。
【0006】
本発明は、さらに、画像を、時間フレームよりかなり短い時間尺度をもつ動的信号で取ることができるように用いられるピクセル回路を含む画像形成システムを提供する。
【0007】
本発明は、別個に、より速い露出速度を与え、露出中に生じるどんな運動も画像をぼかすことがないピクセル回路を含む画像形成システムを提供する。
【0008】
本発明による画像形成システムの種々の例示的な実施形態は、画像形成システムは、少なくとも1つの二次元の、ピクセルのアレイと、その二次元ピクセルアレイに画像を表す電気信号を提供するセンサを有する入力デバイスと、制御装置とを包含し、前記電気信号が、制御装置によって、第1コンデンサに格納されるか、又は第2コンデンサに格納されるように、制御される。
【0009】
本発明による画像形成システムの種々の例示的かつ代替的な実施形態は、前記電気信号を、前記制御装置によって、制御信号の1つのものについての1位相の間に第1コンデンサに格納し、又は、該制御信号の別の1つのものの1位相の間には該第1コンデンサに格納しないように、制御することができる。
【0010】
本発明による画像形成システムの種々の例示的かつ代替的な実施形態は、少なくとも1つの二次元の、ピクセルのアレイと、その二次元ピクセルアレイに画像を表す電気信号を提供するセンサを有する入力デバイスと、第1制御信号及び第2制御信号を提供する制御装置とを含み、前記第1制御信号の位相が高く(ハイレベルにあり)且つ前記第2制御信号の位相が低い(ローレベルにある)とき、前記電気信号からの電荷が少なくとも1つのコンデンサに加算され、又は、前記第1制御信号の位相が低く且つ前記第2制御信号の位相が高いとき、前記電気信号が少なくとも1つのコンデンサから減算されるように、電気信号が制御装置によって制御される。
【0011】
本発明による画像形成システムの種々の例示的な代替的な実施形態において、2つの完全なピクセル回路を同じセンサに接続することができる。例えば、コンデンサと薄膜トランジスタとを含む2つのピクセルレイアウト(回路構成)の両方を同じセンサに接続することができる。決められた時間フレームの間、第1トランジスタT1又は第2トランジスタT2のいずれかをスイッチオンすることによって、センサの電流を2つのコンデンサのいずれかに向けることができる。その後、両方のコンデンサが、その特定のコンデンサのためのゲートラインをアクティブにすることにより読み出される。
【0012】
本発明による画像形成システムの種々の例示的な代替的な実施形態において、ピクセル回路内のスイッチング処理は、画像形成システムの性能を改良するために、2つの記憶コンデンサの間で起こる。例えば、一方のコンデンサを、他方のコンデンサに比較して短時間(10マイクロ秒以上)だけ独立にアクティブにして、急速に変化するソース(被写体)のスナップショット的な画像形成を可能にすることができる。
【0013】
さらに、ロックイン技術すなわち増幅方法を、画像背景が大きい条件及びデータを増強するために適用することができる。この方法において、固定周波数が、ピクセル回路の一部である多数のピクセルを同じ周波数でアクティブにするように、用いられる。その後、格納されたコンデンサ値の間の差を分析し、固定信号の拒絶を実行できるようにする。
【0014】
本発明による画像形成システム及び方法の種々の例示的かつ代替的な実施形態において、2色の画像形成プロセスが、本発明のピクセル回路を用いて、その画像形成システムを異なる色のストロボ光で照明することにより、実行され得る。この場合、画像が、被写体が移動している間に被写体を部分的な色で画像化できるように、2つの異なるコンデンサに格納される。
【0015】
本発明による画像形成システムの種々の例示的かつ代替的な実施形態においては、複数のコンデンサ、例えば3つ又は4つのコンデンサをピクセル回路と併せて用いることができ、フルカラーをその画像形成システムで得ることができる。更に、漏れ電流を格納するために、付加的なコンデンサを用いることができる。更に、共通のアース(アースへの短絡線)をピクセル回路における1つのコンデンサと関連して用いて、すなわち、直流成分の一部を交流成分と併せて他の回路に連結して、漏れを防ぐことができる。
【0016】
本発明による画像形成システム及び方法の種々の例示的かつ代替的な実施形態において、移動中の用紙を、100マイクロ秒未満の短期間において、3つのストロボによりフルカラーで画像化することができ、画像形成システムの読み出しを行いながら、用紙を移動させ続けることを可能にする。
【0017】
本発明による画像形成システムの種々の例示的かつ代替的な実施形態では、差分構成論理をピクセル回路として用いることができ、センサからの電荷を、制御信号Φ1の位相が高く(ハイレベルにあり)制御信号Φ2の位相が低い(ローレベルにある)間は制御信号Φ1及びΦ2を通って記憶コンデンサに加え(加算し)、又は、制御信号Φ1の位相が低く制御信号Φ2の位相が高い間はその記憶コンデンサから引く(減算する)ことを行うことができる。その後、記憶コンデンサを読み出すために、制御信号Φ1が高く制御信号Φ2が低い間に、トランジスタT5がスイッチオンされる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明のこれら及び他の特徴及び利点は、以下の本発明によるシステム及び方法の種々の例示的な実施形態の詳細な説明に述べられ、又は該説明から明らかであり、同じ符号が同じ要素を示す。典型的な画像形成システムにおいて、ピクセル回路は、画像形成システムが被写体の画像を表す電気信号を制御できるように多数の回路のアレイのレイアウトとして用いられる。例えば、ピクセル回路は、センサからの信号を蓄積してその信号を制御された方法で読み出し得るように用いられる。一般に、ピクセル回路は、画像形成システムがセンサからの電気信号を制御するために用いる物理的な接続部分に等しい。
【0019】
図1は、本発明による種々の例示的な実施形態を含む画像形成システム1000の種々の構成要素のブロック図を示す。画像形成システム1000は、入力装置100と、制御装置200と、メモリ300と、送信器400と、インターフェース装置500と、出力装置600とを含むことができる。構成要素を共通のバス900により相互接続することができる。
【0020】
入力装置100は、画像形成のために、被写体を画像形成システム1000に入力することを可能にするいずれの装置であってもよい。例えば、スキャナを用いて被写体を走査して、電子画像を生成することができ、この場合、その結果得られる走査された被写体の電子画像が画像形成システムの中に入力される。さらに、画像形成システム1000と併せて用いられる入力装置100は、人体を被写体として走査することを可能にする装置、すなわちX線画像形成システム、とすることができ、この場合、走査された人体の電子画像が、画像形成システム1000に入力される。
【0021】
制御装置200は、画像形成システム1000の各々の構成要素を制御し、被写体が画像化され、処理され、出力装置600を通して出力されるようにする。制御装置200は汎用コンピュータを用いて実現することができる。さらに、制御装置200は、単一の特殊用途向け集積回路すなわちASICを用いて実現することができ、それは、全体すなわちシステムレベルでの制御のためのメインすなわち中央処理装置部分、及び、該中央処理装置部分の制御の下で、種々の異なる特定の計算、機能及び他の処理の実行に専用の分離した部分を有する。制御装置200を、汎用コンピュータ、例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、その他のプロセッサ装置、CPU又はNPUを、いずれか単独で、又は1つ又は複数の周辺機器、例えば、集積回路、データ及び信号処理装置と併せて用いる場合には、適当にプログラムすることができる。
【0022】
メモリ300は、画像形成システム1000のためのデータ又は情報を格納することができるいずれの装置であってもよい。
【0023】
送信器400は、1つ又は複数の信号を、画像化されるべき被写体に向けて送り、発射し又は照射して、入力装置600が、該被写体の画像を形成することができるようにするいずれの装置であってもよい。例えば、送信器400を、人体のX線画像を取ることを可能にするX線源とすることができる。さらに、送信器400を、画像形成のために被写体の走査を可能にする光源であってもよい。インターフェース装置500は、画像形成システム1000の各々の構成要素が互いに通信することを可能にし、該画像形成システムを正常に機能するようにさせる。
【0024】
出力装置600は、被写体の電子画像を受信して該被写体の画像を生成して、それにより電子画像を見ることができるようにすることができるいずれの装置であってもよい。例えば、出力装置600を、走査された被写体の画像を印刷するプリンタとすることができる。さらに、出力装置600を、走査された被写体の電子画像を表示し、それによりオペレータが該電子画像を見ることができるようにするために用いられるディスプレイとすることができる。出力装置は、画像形成システム1000に入力されて走査された被写体の画像を提供する他の装置のいずれであってもよい。
【0025】
画像形成システム1000のこれらの種々の構成要素が例示的な目的のためだけに説明されたが、本発明によるシステム及び方法は、本発明の精神及び範囲から外れることなく、画像形成システムの構成要素のいずれかと併せて、かつ、より多い又はより少ない構成要素を用いて、用いることができることを理解されたい。例えば、画像形成システム1000を、米国特許出願第09/444,704号(本願の参照文献とする)に開示されるX線画像形成システムの構成とすることができる。そのX線画像形成システムは、被写体の画像形成のため、X線放射機(エミッタ)と、画像コントラストグリッド(散乱線除去グリッド)とを含む。X線エミッタは、画像化されるべき被写体、すなわち人体上に衝突するX線を射出する。送られたX線は、次に、被写体の画像を形成するために、画像コントラストグリッド内の検知器の表面に当たる。
【0026】
図2は、画像形成システム1000に用いることができる入力装置100のより詳細なブロック図を示す。入力装置100は、制御電子回路602と、受信電子制御回路604と、多数の、同じ構成(コピー)のピクセル回路650とを含む。制御電子回路602は、複数の電源と、全てのピクセル回路650へのグローバル制御信号と、個々のピクセル回路に対するシーケンス制御信号とを含む。受信(電子)制御回路604は、複数の増幅器と、アナログフィルタと、アナログ・デジタルフィルタと、デジタルフィルタと、アナログ情報又はデジタル情報のいずれかをメモリ300又は共通バス900に送るための高速データインターフェースとを含む。ピクセル回路650は、2次元のピクセル回路アレイとして配置される。
【0027】
入力装置100のピクセル回路650の各々は、a−Si(アモルファスシリコン)薄膜型フォトダイオードのようなセンサや、ヨウ化鉛又はヨウ化水銀光検知器のようなセンサや、結晶又は多結晶シリコン等のようなセンサ、又は画像形成システムにおいて用いられる照明に依存する電流を提供する物質から成るセンサを含む。前記の照明依存電流提供物質の例が、米国カリフォルニア州サンフランシスコ、1999年4月発行の雑誌「マテリアルズ・リサーチ・ソサイエティProc.557」、J.Rahn他の「光学像形成のための高解像度、高充填率のa−Si:Hセンサアレイ」、及びカリフォルニア州サンディエゴ、1999年2月のProc.SPIE3659、医療用画像形成の物理学、R.Aストリート著の「半導体検知器としてヨウ化鉛を用いるX線画像形成」に述べられており、それらの各々が本発明のセンサに用いられる。
【0028】
前述のように、ピクセル回路650は、画像情報を表す信号を発生する回路配置(レイアウト)であり、制御電子回路602の指示の下で、それらの信号を受信制御回路604に送る。典型的な画像形成システム(イメージャ)は、何百万ものピクセル回路を有する。各々のピクセル回路が単純な回路であり、そのピクセルの点における画像強度を検知する。ピクセル回路650は、画像形成システムにおける各々のピクセルに存在する、チャネルと導線と機器との物理的接続部として構成される。被写体の画像の電気信号が、ピクセル回路650により発生させられる。ピクセル回路は、配線部分と、抵抗器と、インダクタと、コンデンサと、半導体と、増幅器と、トランジスタと、インバータと、アースと、既知の又は今後開発される画像形成システムのためのピクセルに関連する回路要素のいずれかのような、あらゆる回路又は回路要素の構成とすることができることを理解されたい。
【0029】
図3は、図1の画像形成システム1000において従来用いられている例示的なピクセル回路650の概略図である。ピクセル回路650は、2つのトランジスタT1及びT2と、コンデンサ670と、ゲートラインG1と、制御信号Φ1とを含む。さらに、ピクセル回路650は、ダイオード651及びアース652を含む。
【0030】
信号Vbiasが制御電子回路602から受け取られると、信号Vbiasはダイオード651を通ってトランジスタT1のソースに入力される。制御信号Φ1は、コンデンサ670に格納される信号又は信号の電荷を制御する。制御信号Φ1がコンデンサ670に格納されるべき信号又は電荷を制御すると、該信号はトランジスタT1のドレインからコンデンサ670に送られ、そのコンデンサにおいて、該信号が荷電信号として格納される。次に、ゲートラインG1を制御して、コンデンサ670に格納された信号を、ラインD1を介して受信制御回路に送るため、該コンデンサからその格納した信号を読み出す。ゲートは、ソースとドレインとの間のチャネルの導電性を制御する。入力信号の電圧は、一般的にゲートに印加される。ゲートラインG1がアクティブ(作動)にされると、コンデンサ670に格納された荷電信号がゲートを介してトランジスタT2のソースに送られ、次に該トランジスタT2のドレインを通り、データラインD1を通ってダイオードに送られる。この回路と同じものすなわちコピーが、画像形成システム(イメージャ)上の各々のピクセル毎に存在する。2次元のピクセルアレイの場合、ラインD1が、同じ列におけるすべてのピクセルの中で共有され、ゲートラインG1が同じ行におけるすべてのピクセルの中で共有される。
【0031】
上述のように、図3に示されるピクセル回路650に関連する問題は、被写体が画像形成システム1000により走査されているときに移動している場合に、それらのピクセル回路650が、動的な応答時間を可能にすることができないことである。この問題は、単一のコンデンサ670が急速に変化する画像の累積強度(輝度)を蓄積することによって生じる。
【0032】
図4は、上述の問題を排除するために、本発明の実施形態によるシステム及び方法に用いることができる例示的なピクセル回路660の略図を示す。図4において、ピクセル回路660は、4つのトランジスタT1〜T4と、2つのコンデンサ670〜671と、2つのゲートラインG1及びG2と、2つの制御信号Φ1及びΦ2とを含む。さらに、ピクセル回路660は、アース651及び652と、フォトダイオード653とを含む。
【0033】
トランジスタTは、半導体、PN接合体、半導体ダイオード、トライオード、PNP及びNPNトランジスタ、電界効果トランジスタ(FET)、絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)、接合型電界効果トランジスタ(J-FET)、金属酸化膜半導体(MOSFET)、薄膜トランジスタ(TFT)又は、例えば、増幅器又はスイッチとして用いられる電子装置のいずれかのようなものであってよいことを理解されたい。さらに、集積回路(IC)を、トランジスタの代わりにピクセル回路650内で用いてもよい。
【0034】
コンデンサは、空気、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、石英、ポリアミド、雲母、紙、プラスチックフィルム、チップ、タンタル、ディスク、電解質、又は、セラミックの形式の、電荷を格納するように機能するコンデンサとすることができる。
【0035】
増幅器は、信号の振幅を増加させるどのような装置であってもよく、かついずれのクラス又は演算作動のものであってもよい。
【0036】
図4におけるピクセル回路660において、信号Vbiasが制御電子回路602から受け取られ、フォトダイオード653が光信号によってオンになると、信号Vbiasがダイオード653から受信される。次に、信号がトランジスタT1又はT2のいずれかを通って2つのコンデンサ670又は671の1つに送られる。いずれかの制御信号Φ1又はΦ2が各々のトランジスタT1又はT2を制御して信号を各々のコンデンサ670又は671に送るとき、該信号は制御信号Φ1又はΦ2により、コンデンサ670又は671の1つに格納されるように制御される。制御信号Φ1又はΦ2を、例えば、送信器400のレッド又はグリーンの照明に又は該送信器の他の特性のいずれかに同期させる。次に、ゲートラインG1又はG2がトランジスタT1又はT2を制御して各々のコンデンサ670、671のそれぞれに格納された電荷を読み出し、それらの荷電信号をダイオードラインD1又はD2のいずれかに送る。
【0037】
換言すると、二重のピクセル回路を同じセンサ653に接続するようにピクセル回路660を構成することにより、所定の時間フレームの間、第1トランジスタT1又は第2トランジスタT2のいずれかをスイッチング(導通)させることにより、信号を2つのコンデンサ670又は671のいずれかに向けることができる。二重のピクセル回路構成は、急速に変化する画像を格納することを十分に可能にすることにより、急速に移動している被写体を、図1に示される画像形成システム1000において画像化するときに生じる問題を解決する。
【0038】
本発明による種々の例示的な実施形態において、どちらのコンデンサ651及び652も、他のコンデンサに比較すると、短期間だけ独立してアクティブ(作動状態)にすることができ、急速に変化する被写体の「スナップショット」的な画像形成を可能にすることができる。例えば、コンデンサ670は、10マイクロ秒以上独立してアクティブにでき、コンデンサ652は、フレーム時間の残りの時間においてアクティブになることができる。
【0039】
この構成の別の適用例は、一定のフォトダイオードの振るまい(特性)に関係する。フォトダイオードの空乏層深さ、すなわち感度領域は、印加されたバイアス電圧に依存する。バイアス電圧を調整することにより色感度を制御する種々の2端子装置が提示されている。これらの装置の例は、本明細書の参照文献として組み入れる、「マテリアルズ・リサーチ・ソサイエティProc.467」(1997)931、Knipp,D.、Stiebig,H.、Stiebig,H.、Folsh,J.、Carius,R.、及びWagner,H.の「高い直線性をもつNipiin及びPiiin色感度2端末装置についての改良された概念」に開示される。データの読み出し後、コンデンサ670及び671を異なる電圧にリセットする受信制御回路604における増幅器は、フォトダイオードの色感度をフレーム時間より速い速度で制御できるのを可能にする。
【0040】
図5は、本発明の別の実施形態によるシステム及び方法に用いることができる第2の例示的なピクセル回路680の略図である。図5のピクセル回路680において、単一のコンデンサ670とアース651及び652とが、トランジスタT1〜T3と、フォトダイオード653と制御信号Φ1〜Φ2とに関連して用いられる。この構成は、Φ1又はΦ2の唯一の位相を記録するための代替的なピクセル回路として用いることができる。第3トランジスタ(T2として図示される)だけを加え、アース652だけを用いて、付加的なコンデンサを用いないことにより(4つのトランジスタ及び2つのコンデンサを用いるのではなく)、ピクセル回路680は、画像をアクティブ(活性)にする画像イネーブラとして作動して、ダイオードラインD1を通って生じる漏れを排除することができる。例えば、ピクセル回路680の構成は、受信器602におけるセンサが、Φ1及びΦ2の1つの位相の間、ブラインド(無効)となり、次にその位相を反転することによりアクティブにされるのを可能にする。前述のように、漏れは、通常のピクセル回路において起こることがある。漏れは、信号に電荷を加え(加算し)、画像が表示される前に修正を行うことを必要とする。さらに、漏れは、画像にノイズも加えることがある。画像イネーブラの1つの適用例は、画像がフレーム時間の少しの間だけしか存在しないと予想されるとき、信号の電荷と組み合わせることにより漏れ電流を防ぐことである。
【0041】
フォトダイオード653からの信号がピクセル回路680に入力されると、その信号は、制御信号Φ1により制御されてコンデンサ670に格納されるか、又は、制御信号Φ2により制御されて共通のアース655を用いてブラインド(無効)にされるか、のいずれかにされる。制御信号Φ1が、コンデンサ670に格納されるべき信号(すなわち電荷)を制御すると、該信号がトランジスタT1のドレインからコンデンサ670に送られ、該信号は荷電信号として格納される。しかしながら、制御信号Φ2が、ブラインドにされるべきフォトダイオード653からの信号を制御すると、その信号はコンデンサ670には送られず、代わりに、共通のアース655を介して接地されてしまう。したがって、受信器602のセンサは、1つの位相の間、ブラインド状態になる。このように、本実施形態によるピクセル回路680の構成は、共通のアース655を用いて所定の位相で受信器602をブラインド化することにより、コンデンサ670からダイオードラインD1を通って起こることがある漏れを大幅に削減することができる。
【0042】
次に、コンデンサ670に格納された信号は、ゲートラインG1をコンデンサ670から格納された信号を読み出すように制御するとき読出され、該信号を、例えばラインD1を介してダイオードに送る。図4における実施形態の場合、ゲートラインG1がアクティブにされると、コンデンサ670に格納された荷電信号が、ゲートを通してトランジスタT3のソースに送られ、次にトランジスタT3のドレインを通り、読み出しラインD1を通ってダイオードに送られ、そこで該信号を、画像化された被写体を表すように表示することができる。
【0043】
図6は、本発明の別の実施形態によるシステム及び方法に用いることができる第3の例示的なピクセル回路構成690の略図を示す。ある画像形成の間は、画像形成システム1000は、出力を提供するための画像の全部を要求しない場合がある。その代わり、画像形成システム1000は、適当な出力を提供するため画像における差分だけを要求する。図6におけるピクセル回路690において、該回路は、画像における差を得るために用いられ、1つのコンデンサ670と、フォトダイオード651と、5つのトランジスタT1〜T5と、アース652と、制御信号Φ1及びΦ2とを含む。
【0044】
信号がフォトダイオード653から受信されると、該信号は、次に、制御信号Φ1又はΦ2により制御され、センサ(フォトダイオード)653からの電荷が、制御信号Φ1が高く且つ制御信号Φ2が低いときに記憶コンデンサ670に加えられ(加算され)、又は、制御信号Φ1が低く且つ制御信号Φ2が高いときにコンデンサ670から引かれる(減算される)か、のいずれかとなる。記憶コンデンサ670を読み出すために、制御信号Φ1が高く且つ制御信号Φ2が低い間、トランジスタT5がゲート信号によってスイッチオンされてデータラインに出力され、次に、制御信号Φ1が低く且つ制御信号Φ2が高い間、トランジスタT5がスイッチオフされる。このピクセル回路690を、少なくとも1つの差が2つの画像の間に要求されるところに用いることができる。
【0045】
本発明は、その好ましい実施形態を参照して述べられたが、本発明は、それらの実施形態又は構成に制限されるものではないことを理解されたい。それどころかに、本発明は、種々の修正及び等価な配置を包含するように意図される。さらに、好ましい実施形態の種々の要素が、例示的な種々の組み合わせ及び構成において示されたが、その組み合わせ及び構成は、単一の要素より多いか又は少ない要素を含み、又はさらに本発明の精神及び範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図1】画像形成システムの例示的なブロック図である。
【図2】図1の画像形成システムにおいて用いられる入力装置の例示的な詳細なブロック図である。
【図3】図2の入力装置において用いられる従来のピクセル回路の例示的な詳細な略図である。
【図4】本発明の実施形態によるシステム及び方法と併せて用いることができる例示的なピクセル回路の詳細な略図である。
【図5】本発明の別の実施形態によるシステム及び方法と併せて用いることができる1つの位相だけを記録する、第2の例示的なピクセル回路の詳細な略図である。
【図6】本発明の別の実施形態によるシステム及び方法と併せて用いることができる、第3の例示的なピクセル回路の略図である。
【符号の説明】
1000 画像形成システム
100 入力装置
200 制御装置
300 メモリ
400 送信器
500 インターフェース装置
600 出力装置
602 制御電子回路
604 受信制御回路
650 ピクセル回路
660、680、690 ピクセル回路
653 フォトダイオード(センサ)
670、671 コンデンサ
Claims (3)
- 画像形成システムであって、
ピクセルの2次元のアレイと、該ピクセルの2次元アレイに画像を表す電気信号を提供するセンサを有する入力デバイスと、制御装置とを備え、
前記アレイのピクセルの各々が、
光の照明によって信号を生成するセンサと、
前記センサに接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのオン・オフによって選択的に前記センサに接続される第1コンデンサと、
前記センサに接続された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタのオン・オフによって選択的に前記センサに接続される第2コンデンサとを備え、
前記制御装置は、前記センサに照射された第1色の照明に対応する第1色信号を前記第1コンデンサに格納するように前記第1トランジスタをオンするとともに、前記センサに照射された前記第1色とは異なる第2色の照明に対応する第2色信号を前記第2コンデンサに格納するように前記第2トランジスタをオンするものである、
ことを特徴とする画像形成システム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、1フレーム時間においていずれか一方がオンにされるとき他方がオフにされる、ことを特徴とするシステム。
- 請求項2に記載のシステムにおいて、前記第1コンデンサ又は前記第2コンデンサの一方が、他方のコンデンサに比較して短い時間だけアクティブにされる、ことを特徴とするシステム。
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US20050157194A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Altice Peter P.Jr. | Imager device with dual storage nodes |
WO2006049196A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Sony Corporation | 光センサーおよび光センサーの画素選択方法 |
US7847847B2 (en) * | 2005-01-27 | 2010-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure for CMOS image sensor with a plurality of capacitors |
JP2009153167A (ja) * | 2005-02-04 | 2009-07-09 | Canon Inc | 撮像装置 |
CN101237819A (zh) * | 2005-08-09 | 2008-08-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于双能量动态x射线成像的系统和方法 |
JP2007104219A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Canon Inc | 放射線撮影装置及びその制御方法、放射線撮影システム |
US7283609B2 (en) * | 2005-11-10 | 2007-10-16 | General Electric Company | CT detector photodiode having multiple charge storage devices |
JP5395323B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-01-22 | ブレインビジョン株式会社 | 固体撮像素子 |
US8558929B2 (en) * | 2006-12-20 | 2013-10-15 | Carestream Health, Inc. | Imaging array for multiple frame capture |
EP2051501A3 (en) * | 2007-10-15 | 2012-01-11 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Photo sensor with a low-noise photo element, sub-linear response and global shutter |
US20090237540A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Micron Technology, Inc. | Imager method and apparatus having combined gate signals |
WO2010144616A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-16 | Mesa Imaging Ag | System for charge-domain electron subtraction in demodulation pixels and method therefor |
DE102009037596B4 (de) * | 2009-08-14 | 2014-07-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Pixelstruktur, System und Verfahren zur optischen Abstandsmessung sowie Steuerschaltung für die Pixelstruktur |
JP5763474B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
KR20140092438A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-24 | 삼성전자주식회사 | 엑스선 검출 패널, 엑스선 촬영 장치 및 엑스선 영상 생성 방법 |
EP3499872B1 (en) * | 2017-12-15 | 2020-08-19 | ams AG | Pixel structure, image sensor device and system with pixel structure, and method of operating the pixel structure |
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---|---|---|---|---|
US4684812A (en) * | 1983-08-31 | 1987-08-04 | Texas Instruments Incorporated | Switching circuit for a detector array |
JPH0654961B2 (ja) * | 1985-04-10 | 1994-07-20 | 松下電器産業株式会社 | サンプルホ−ルド回路 |
US4905265A (en) * | 1985-12-11 | 1990-02-27 | General Imaging Corporation | X-ray imaging system and solid state detector therefor |
US5841126A (en) * | 1994-01-28 | 1998-11-24 | California Institute Of Technology | CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip |
JP3358099B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2002-12-16 | オムロン株式会社 | 光学式センサ装置 |
US5629524A (en) * | 1995-02-21 | 1997-05-13 | Advanced Scientific Concepts, Inc. | High speed crystallography detector |
US5901257A (en) * | 1996-05-03 | 1999-05-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Single chip color MOS image sensor with two line reading structure and improved color filter pattern |
US5811808A (en) * | 1996-09-12 | 1998-09-22 | Amber Engineering, Inc. | Infrared imaging system employing on-focal plane nonuniformity correction |
US5742047A (en) * | 1996-10-01 | 1998-04-21 | Xerox Corporation | Highly uniform five volt CMOS image photodiode sensor array with improved contrast ratio and dynamic range |
ES2184140T3 (es) * | 1996-10-31 | 2003-04-01 | Bihm Markus Prof Dr Ing | Sensor de imagen de color para una exposicion a corto plazo. |
US5887049A (en) * | 1996-11-12 | 1999-03-23 | California Institute Of Technology | Self-triggered X-ray sensor |
US5872470A (en) * | 1996-11-29 | 1999-02-16 | Varian Associates, Inc. | Pipelined sample and hold circuit with correlated double sampling |
US5751005A (en) * | 1996-12-20 | 1998-05-12 | Raytheon Company | Low-crosstalk column differencing circuit architecture for integrated two-color focal plane arrays |
US6243134B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-06-05 | Intel Corporation | Method to reduce reset noise in photodiode based CMOS image sensors |
US7098952B2 (en) * | 1998-04-16 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Imager having multiple storage locations for each pixel sensor |
US6606120B1 (en) * | 1998-04-24 | 2003-08-12 | Foveon, Inc. | Multiple storage node full color active pixel sensors |
US6040568A (en) * | 1998-05-06 | 2000-03-21 | Raytheon Company | Multipurpose readout integrated circuit with in cell adaptive non-uniformity correction and enhanced dynamic range |
JP3571934B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-09-29 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | イメージセンサー |
US20030015645A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Brickell Christopher Gavin | Optical imager circuit with tolerance of differential ambient illumination |
US6885002B1 (en) * | 2001-08-31 | 2005-04-26 | Raytheon Company | IRFPA ROIC with dual TDM reset integrators and sub-frame averaging functions per unit cell |
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