JP4350334B2

JP4350334B2 - 表示素子の点灯制御方法および表示制御方法、ならびに表示装置

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Publication number: JP4350334B2
Application number: JP2002017578A
Authority: JP
Inventors: 成継岡本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-01-25
Filing date: 2002-01-25
Publication date: 2009-10-21
Anticipated expiration: 2022-01-25
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の電流駆動型の発光素子を用いた表示素子の点灯制御方法および表示制御方法、ならびに表示装置に関するものである。具体的には、本発明は、前記表示素子において、画面内の輝度のばらつきを低減する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等の電流駆動型の発光素子を画素とする表示素子では、各画素の輝度は、各発光素子を流れる電流の大きさに依存する。このため、前記表示素子では、均一な輝度を得るために、各発光素子に電流を供給する電源には、定電流駆動型の電源が使用されている。
【０００３】
ところで、画素を縦方向および横方向に多数配列した画像表示部を有するマトリックス型の表示素子の場合、定電流電源から電流供給線を介して各画素の発光素子に電流が供給され、各発光素子から電流排出線を介して定電流電源に電流が排出される。
【０００４】
このとき、電源から発光素子までの電流供給線または電流排出線の長さが長くなるに従い、発光素子に供給される電流値は、電流供給線または電流排出線における抵抗により小さくなる。
【０００５】
例えば、画像表示部の端部から電流供給線を介して発光素子に電流が供給される場合には、図２０に示すように、端部（ノード番号の大きい側）に比べて、中央部（ノード番号の小さい側）の方が、発光素子（ノード）に供給されるノード電流値が小さくなる。すなわち、画像表示部の端部が明るく、中央部が暗く表示されることになる。
【０００６】
この電流値の差を小さくするには、比抵抗値の小さい高導電性材料を用いて、電流供給線および電流排出線を形成すればよい。しかしながら、電流供給線および電流排出線の何れか一方には、発光素子からの光を外部へ透過させるために、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極を使用することが一般的であり、該透明電極は、銅、アルミニウム等の高導電性金属に比べて比抵抗値が大きいので、前記電流値の差を小さくするには限界がある。
【０００７】
また、各電流供給線に接続された複数の発光素子のうち、点灯している個数によって全体の駆動負荷が変化するので、発光素子に供給される電流値が変化しうる。
【０００８】
例えば、図２１に示すように、画像表示部の上側および下側から各発光素子に電流が供給される場合を考え、画像表示部の中央部が非点灯である場合を考える。この場合、Ａ列の発光素子は、全て点灯しており、Ｂ列の発光素子は、両端部点灯し、中央部が非点灯である。このとき、Ａ列およびＢ列の発光素子に供給されるノード電流値は、図２２に示すように、Ａ列で点灯している発光素子よりもＢ列で点灯している発光素子の方が大きくなる。従って、表示画面は、図２３に示すように、非点灯の表示領域の上側および下側の点灯表示領域は、非点灯の表示領域の右側および左側の点灯表示領域よりも輝度が増加することになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような輝度のばらつきを防止する手法として、以下のものが知られている。特開平11-282420 号公報、特開平11-327506 号公報および特開平11-344949 号公報には、画素ごとに印加される信号データを、発光素子の輝度のばらつき（すなわち、供給電流のばらつき）に基づいて補正する手法が開示されている。
【００１０】
しかしながら、この手法では、発光素子ごとの補正値を記憶する手段が必要であり、表示装置の回路規模が大型化する結果となる。
【００１１】
また、特開2000-221944 号公報には、走査電極ごとの発光画素数をカウントし、この発光画素数に基づいて、走査電極に印加される走査パルス電圧のパルス幅を設定する手法が開示されている。この手法では、隣り合う走査電極どうしで発光画素数が異なることによって生じる輝度のばらつきを低減することができる。
【００１２】
しかしながら、この手法では、前記発光画素数をカウントする手段と、走査パルス電圧のパルス幅を変更する手段が必要であり、表示装置の回路規模が大型化する結果となる。
【００１３】
本発明は、回路規模を大型化することなく、また、画像の表示内容に依存することなく、輝度のばらつきを軽減できる表示素子の点灯制御方法および表示制御方法、ならびに表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の表示素子の点灯制御方法は、供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を多数配列し、これらの発光素子に電流を供給する１または複数の電流供給用導体を該発光素子に接続した表示素子において、前記発光素子の点灯を制御する方法であって、前記電流供給用導体または各電流供給用導体に接続された前記発光素子に関して、その総数に対する点灯数の比率（以下、「点灯比率」と称する。）の上限が100 ％未満の所定値となるように、表示素子の点灯を制御することを特徴としている。
【００１５】
上記の方法によると、前記点灯比率が100 ％未満に制限されるので複数の前記発光素子の駆動負荷が軽減される。これにより、画像の表示内容に依存することなく、前記発光素子に供給される電流値のばらつきが抑えられ、輝度のばらつきを軽減することができる。
【００１６】
また、本発明の表示素子の表示制御方法は、供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子において、前記画素の表示を制御する方法であって、前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、一画面の画像を表示する表示走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、一画面の画像を消去する消去走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率（以下、「表示比率」と称する。）が100 ％未満の所定値となるように前記画素の表示を制御することを特徴としている。
【００１７】
上記の方法では、前記表示比率が100 ％未満の所定値となるように表示駆動される。前記表示走査を行なうことにより１画面の画像を表示する際に、前記電流供給用導体に接続された前記発光素子の全てを発光させる場合を考える。このとき、前記発光素子の全てを同時に発光させれば、前記発光比率が100 ％となる。前記発光比を100 ％未満にするには、前記発光素子の全てを同時には発光させないように、時間をずらして発光すればよい。
【００１８】
それには、１画面の画像が表示されるまで、すなわち、前記表示走査が終了するまでに、画素の表示を停止させる消去走査を行なえばよい。これにより、前記発光比を100 ％未満にするには、表示走査を行なう前記表示走査期間よりも、画素が表示される前記画素表示期間の方を短くすればよいことが理解できる。
【００１９】
さらに、前記発光比率を100 ％未満の所定値にするには、前記表示走査期間に対する、前記画素表示期間の比率である前記表示比率を前記所定値にすればよいことが理解できる。従って、上記の方法により、前記発光比率を制限することができるので、画像の表示内容に依存することなく、前記輝度のばらつきを軽減することができる。
【００２０】
また、消去走査を行なうには、例えば、表示走査により表示が行なわれている画素に対して、前記画素表示期間経過後に消灯を示す画像信号を出力することにより行なうことができる。従って、簡単な処理手段を追加することにより輝度のばらつきを軽減できるので、前記表示素子と、前記表示走査および前記消去走査を行なう制御手段とを備えた表示装置の回路規模を大型化することがない。
【００２１】
また、本発明の表示素子の表示制御方法は、上記の方法において、前記所定値は、前記行方向のラインの１または複数ごとに設定されることを特徴としている。
【００２２】
前記設定は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて行なわれることが望ましい。
【００２３】
また、前記電流供給用導体において、列方向の一端部または両端部の他に、前記表示素子の内部に設けられた１または複数の電流供給点に電流が供給されている場合には、前記設定は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて行なわれることが望ましい。
【００２４】
前記電流供給用導体において、電流が供給される位置から、前記行方向のライン上の各画素における発光素子が接続されるまでの距離がほぼ等しいので、該発光素子を流れる電流は、ほぼ等しくなる。また、前記行方向の異なるラインの画素は、前記電流供給用導体における前記距離が異なるので、前記発光素子を流れる電流が異なり、輝度がばらつくことになる。
【００２５】
従って、上記の方法によると、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定するので、電流が供給される位置からの距離に依存する輝度のばらつきを軽減することができる。
【００２６】
また、本発明の表示装置は、前記マトリックス型表示素子と、該表示素子における前記画素の表示を制御する表示制御手段とを備える表示装置であって、前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、前記表示制御手段は、前記表示走査を行なう表示走査手段と、前記消去走査を行なう消去走査手段と、前記表示比率が100 ％未満の所定値となるように、前記消去走査手段を制御する消去走査制御手段とを備えることを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によると、前記表示制御手段は、前記表示比率が100 ％未満の所定値となるように表示制御している。これにより、上述のように、前記発光比率の上限が前記所定値に制限されるので、画像の表示内容に依存することなく、前記輝度のばらつきを軽減することができる。
【００２８】
また、前記画素表示期間を制御することは、上述のように、簡単な処理を追加することで行なうことができるので、表示装置の回路規模を大型化することがない。
【００２９】
また、本発明の表示装置は、上記の構成において、前記消去走査制御手段は、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定する所定値設定手段を備えることを特徴としている。
【００３０】
前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて前記所定値を設定することが望ましい。
【００３１】
また、前記表示素子が、前記電流供給用導体に対して、列方向の一端部または両端部の他に、電流を供給する１または複数の電流供給点を備えている場合には、前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて前記設定値を設定することが望ましい。
【００３２】
上記の構成によると、前記所定値設定手段は、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定するので、上述のように、電流が供給される位置からの距離に依存する輝度のばらつきを軽減することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
以下、本発明の実施の一形態について図１〜図１４に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示している。前記有機ＥＬ表示装置には、画像表示部１（表示素子）、電流供給部２、画像信号出力部３、選択信号出力部４および駆動信号発生部５が配備される。
【００３４】
画像表示部１は、発光素子である有機ＥＬ素子を画素として画像を表示する。電流供給部２は、前記有機ＥＬ素子に電流を供給する。画像信号出力部３は、画像表示部１に画像信号を出力する。選択信号出力部４は、前記画像信号を画像表示部１の何れの画素に出力すべきかを選択する選択信号を出力する。駆動信号発生部５は、画像信号出力部３および選択信号出力部４をそれぞれ駆動するための信号である駆動信号を生成し、該駆動信号を、外部から入力された同期信号および画像信号とともに画像信号出力部３および選択信号出力部４に出力する。
【００３５】
本実施形態では、画像表示部１は、多数の画素を行方向および列方向に配置し、各画素の表示をオン・オフする能動素子を備えたアクティブマトリックス型の表示素子である。各画素には、図２に示すように、選択回路部６、メモリ回路部７、能動素子部８および発光素子部９が配備されている。
【００３６】
選択回路部６は、選択信号出力部４から選択信号が入力され、該選択信号に基づいて、画像信号を取得するか否かを選択する。メモリ回路部７は、選択回路部６にて画像信号を取得した場合に、該画像信号を記憶する。能動素子部８は、メモリ回路部７にて記憶された画像信号に基づいて、発光素子部９の発光を制御する。
【００３７】
図３は、前記画素の回路構成を示している。電流供給部２からの電流は、透明電極１０を介して送られ、アルミニウム（Ａｌ）電極１１を介して戻される。透明電極１０とアルミニウム電極１１との間には、発光素子部９である発光素子ＯＬＥＤと、能動素子部８であるＴＦＴ（Thin Film Transister）が配備される。
【００３８】
画像信号出力部３からの画像信号は、信号電極ｓを介して選択回路部６であるＴＦＴに入力される。選択信号出力部４からの選択信号は、走査電極ｊ・ｊ＋１を介してＴＦＴ６のゲートに入力される。従って、前記選択信号がＨ（高）レベルであれば、前記画像信号がＴＦＴ６を通過してメモリ回路部７であるコンデンサに入力される。
【００３９】
コンデンサ７では、入力された前記画像信号に応じて電荷が蓄積され、蓄積された電荷に応じた電圧が発生する。該電圧は、能動素子部８であるＴＦＴのゲートに印加される。従って、該電圧が閾値以上となると、透明電極１０から発光素子ＯＬＥＤおよびＴＦＴ８を介してアルミニウム電極１１に電流が流れて発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００４０】
本実施形態では、図３に示すように、同一の信号電極ｓに接続した画素の発光素子ＯＬＥＤは、同じ色を発光している。すなわち、本実施形態では、信号電極ｓの方向に同じ色の画素が並び、走査電極ｊの方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の画素が並んだＲＧＢストライプ構造となっている。しかしながら、画素の色の配置は、任意の配置が可能であり、また、表示色として白黒の単色表示でもよい。
【００４１】
透明電極１０は、ＩＴＯなど、光透過性を有する導電性材料から形成される。上述のように、輝度のばらつきを抑えるために、透明電極１０およびアルミニウム電極１１は、抵抗値が低いことが望ましい。すなわち、透明電極１０およびアルミニウム電極１１には、ともに導電性の高い材料を使用することが望ましい。また、本実施形態では、透明電極１０およびアルミニウム電極１１は、ともにストライプ状に形成されているが、抵抗値を低くするために、平面状に形成したべた構造とすることが望ましい。
【００４２】
図１６には、ＩＴＯおよびアルミニウムについて、面抵抗値と、ストライプ電極およびべた電極の場合の画素当たりの抵抗値が記載されている。同図を参照すると、ＩＴＯは、アルミニウムのような高導電性の金属よりも抵抗値が1000倍以上大きいことが理解される。従って、透明電極１０は、べた構造とすることが特に望ましい。
【００４３】
信号電極ｓに平行に配列された透明電極１０は、図４（ａ）に示すように、その両端１２・１２（以下、「電流供給端」と称する。）がアルミニウム等の高導電性の金属材料で接続されている。同様に、信号電極ｓに平行に配列されたアルミニウム電極１１は、同図（ｂ）に示すように、その両端１３・１３（以下、「電流排出端」と称する。）が高導電性の金属材料で接続されている。電流供給端１２および電流排出端１３は、高導電性の金属導線（図示せず）を介して電流供給部２に接続されている。
【００４４】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、輝度のばらつきを抑えるために、表示比率を調整するものである。以下、輝度のばらつきに関して詳細に検討する。
【００４５】
まず、電流供給部２から発光素子９に供給される電流の分布について検討する。電流供給部２と、電流供給端１２および電流排出端１３とを接続する金属導線は、透明電極１０やアルミニウム電極１１に比べて、断面積を著しく広くできるので、抵抗を著しく低くできる。従って、前記金属導線の抵抗を無視して、電流供給端の両方１２・１２と、電流排出端の両方１３・１３には、それぞれ電流供給部２が直に接続しているとみなすことができる。
【００４６】
また、図４（ａ）（ｂ）に示すように、透明電極１０および電流供給端１２・１２と、アルミニウム電極１１および電流排出端１３・１３とは、それぞれ上下対称に配置されている。従って、前記電流分布は、上下対称であると考えられるので、上端部および下端部の何れか一方から中央部までを考えればよい。
【００４７】
また、発光素子９を流れる電流分布を検討する際には、或る透明電極１０およびアルミニウム電極１１と、それらの電極１０・１１間に接続される複数の発光素子９およびＴＦＴ８とによって構成される回路は、図５に示すように、抵抗要素によって構成される多段の梯子回路であるとみなすことができる。
【００４８】
図５において、右側が画像表示部１の中央部であり、左側が画像表示部１の上端部または下端部である。抵抗要素Ｒ１は、隣り合う画素間の透明電極１０の抵抗値であり、抵抗要素Ｒ２は、隣り合う画素間のアルミニウム電極１１の抵抗値である。透明電極１０およびアルミニウム電極１１がべた構成である場合には、隣り合う画素間の距離に応じた抵抗値となる。
【００４９】
抵抗要素Ｒ_xは、各画素における発光素子９およびＴＦＴ８の抵抗値を合計したものとなる。従って、抵抗要素Ｒ_xは、発光素子９が点灯しているときのオン抵抗値Ｒ_{x on}と、消灯しているときのオフ抵抗値Ｒ_{x off}との２種類の値を有する。
【００５０】
実際には、抵抗要素Ｒ_xは、非線形な電圧−電流特性であるため、厳密に計算するには各ノードの電圧に応じた電流値から算出する必要がある。しかしながら、本願発明者が検討したところ、駆動電圧が実際に使用される範囲内である場合には、抵抗要素Ｒ_xが固定値であるとした場合と非線形な前記特性を考慮した場合とでは、電流の最大の変動率がほぼ同じであった。従って、以下の説明では、抵抗要素Ｒ_xが取り得る２種類の前記抵抗値Ｒ_{x on}・Ｒ_{x off}は固定値であるとみなすことにする。
【００５１】
なお、前記回路には、実際には、容量成分や能動成分などの過渡応答の成分が含まれる。しかしながら、ここでは、発光素子の点灯状態および消灯状態が走査選択により定常的に混在している場合の輝度分布を問題にしているため、前記回路は、過渡応答を無視して直流特性の成分のみで表現することができる。
【００５２】
なお、或る透明電極１０を含む前記回路と、他の透明電極１０を含む前記回路との電流依存性を検討する際には、電流供給端１２および電流排出端１３に抵抗要素が接続されていると考えればよく、近似的には、図５における電流源側ノード端（同図の左側）の電極抵抗値を電流源ノードからの距離に応じて設定すればよい。
【００５３】
図５において、各画素の電流分布を電流供給側（同図の左側）から計算すると非常に複雑になる。このため、中央のノード０に接続された抵抗要素Ｒ_xに電流値ｉ₀の電流が流れるとして、各ノードに接続された抵抗要素Ｒ_xにおける電圧および電流を、以下のような漸化式で表すことにより容易に計算することができる。
Ｖ₀＝Ｒ_x×Ｉ₀，Ｉ₀＝ｉ₀
Ｖ₁＝（Ｒ₁＋Ｒ₂）×Ｉ₀＋Ｖ₀，Ｉ₁＝Ｉ₀＋Ｖ₁／Ｒ_x
Ｖ₂＝（Ｒ₁＋Ｒ₂）×Ｉ₁＋Ｖ₁，Ｉ₂＝Ｉ₁＋Ｖ₂／Ｒ_x
Ｖ₃＝（Ｒ₁＋Ｒ₂）×Ｉ₂＋Ｖ₂，Ｉ₃＝Ｉ₂＋Ｖ₃／Ｒ_x
Ｖ_n＝（Ｒ₁＋Ｒ₂）×Ｉ_n-1＋Ｖ_n-1，Ｉ_n＝Ｉ_n-1＋Ｖ_n／Ｒ_x・・・（１）
ここで、電流供給側のノード番号をＮとし、入力電圧Ｖ_N＝Ｖ_inとなる中央のノード０の設定電流ｉ_Sを改めて算出すると、次式で示される値となる。
Ｉ₀＝ｉ_S＝（Ｖ_in／Ｖ₀）×ｉ₀ ・・・（２）
この電流値Ｉ₀＝ｉ_Sを用いて、式（１）の演算を行なうことにより、所定の入力電圧による電流分布および電圧分布が算出される。なお、各ノードの電流比あるいは電圧比に対して評価を行なうときには、抵抗要素Ｒ_xの値が電圧に依存しない場合には、式（２）を省略することができる。
【００５４】
次に、全てのノードにおける発光素子９が点灯している状態であるとき、すなわち、全ての抵抗要素Ｒ_xがＲ_{x on}であるときの各ノードの電流値を算出し、その最大値Ｉ_maxおよび最小値Ｉ_minを求め、次式で示されるように、該最大値Ｉ_maxおよび最小値Ｉ_minの平均値を基準電流値Ｉ_Bとする。
Ｉ_B＝（Ｉ_max＋Ｉ_min）／２・・・（３）
さらに、基準電流値Ｉ_Bからの電流変動率ΔＩを次式で示されるように算出する。

ＥＬ素子の場合は、電流値にほぼ比例した値として発光輝度を算出できるため、電流の変動率が輝度の変動率に対応することになる。
【００５５】
以上の式を用いて、全てのノードにおける発光素子９が点灯している状態であるとき、すなわち、全ての抵抗要素Ｒ_xがＲ_{x on}であるときの各ノードの電流値を算出して電流分布を求めたものを図２０に示す。同図において、左側が画素中央部であり、右側が画素端部である。従って、各画素の発光素子に流れる電流分布は、端部が高く中央部が低いすり鉢状になる。
【００５６】
上述のように、図２０は、輝度がばらつく一形態を示すものであるが、他の形態としては、図２１〜図２３に示すものがある。すなわち、透明電極１０に接続する発光素子９の発光数が、隣りの透明電極１０に接続する発光素子９の発光数と異なることにより、隣り合う透明電極１０に接続した隣り合う発光素子９を流れる電流の大きさが異なり、このため、輝度がばらつくことになる。
【００５７】
例えば、図２１に示すように、中央部が非点灯状態で、その周囲が点灯状態である場合、図２３に示すように中央部の上側および下側の輝度が増加することになる。このような輝度の偏りは、負荷の状態、すなわち、発光素子９の前記発光数に応じて変化するので、正しい階調表示の際には、解析的に表現する必要がある。
【００５８】
次に、上記の式を利用して、図２１に示すような、透明電極１０に接続する発光素子９を含む画素列Ａと、隣の透明電極１０に接続する発光素子９を含む画素列Ｂとの電流変動率の最大値Ｋを求める。
【００５９】
まず、画素列Ａについて、表示比率Ｄとし、１フィールド期間（１／６０秒）で全点灯表示した場合の電流変動率を±Ａとする。表示比率がＤであるので、任意の時点では、画素列Ａの全画素のうち、Ｄの画素が点灯していることになる。同様に、画素列Ｂについて、表示比率Ｘとし、１フィールド期間で点灯表示した場合の電流変動率を±Ｂとする。
【００６０】
図６は、画素列Ａに関して、時刻ｔ₁・ｔ₂・ｔ₃においてノード（発光素子９）を流れるノード電流値Ｉ_Dの分布をそれぞれ示している。該ノード電流値Ｉ_Dの最大値をＩ_{D max}、最小値をＩ_{D min}とする。ここでは、電流供給端１２および電流排出端１３の間に印加する電圧を一定としているため、任意の時刻でのノード電流値は、常に、前記最小値Ｉ_{D min}と最大値Ｉ_{D max}との間となる。
【００６１】
同様に、図７は、画素列Ｂに関して、時刻ｔ₁・ｔ₂におけるノード電流値Ｉ_Xの分布をそれぞれ示している。該ノード電流値Ｉ_Xの最大値をＩ_{X max}、最小値をＩ_{X min}とする。画素列Ａにおけるノード電流値Ｉ_Dの基準電流値ｉ_Dと、画素列Ｂにおけるノード電流値Ｉ_Xの基準電流値ｉ_Xとは、式（３）からそれぞれ次式のようになる。
ｉ_D＝（Ｉ_{D max}＋Ｉ_{D min}）／２
ｉ_X＝（Ｉ_{X max}＋Ｉ_{X min}）／２・・・（５）
式（４）および式（５）を用いて、画素列Ａの電流変動率Ａと画素列Ｂの電流変動率Ｂとは、それぞれ次式のようになる。
Ａ＝（Ｉ_{D max}−ｉ_D）／ｉ_D
Ｂ＝（Ｉ_{X max}−ｉ_X）／ｉ_X ・・・（６）
従って、隣り合う画素列Ａ・Ｂの電流変動率の最大値Ｋは、次式のようになる。

なお、式（７）を導出するために、Ｉ_{D max}＝Ｉ_{X max}としている。これは、電流供給端１２および電流排出端１３の間に印加する電圧を一定としているため、ノード電流値の電流分布がどの様に変化しても、前記電圧に相当する電圧が印加される画素、すなわち、電流供給端１２に最も近い画素の発光素子９に流れる電流が最大となるためである。
【００６２】
次に、式（１）、式（２）および式（３）を用いて、透明電極１０の画素間抵抗値Ｒ₁とアルミニウム電極１１の画素間抵抗値Ｒ₂との和Ｒ₁＋Ｒ₂（以下、この和を「電極抵抗値」と称する。）に対する、画素の抵抗要素Ｒ_xの比Ｒ_x／（Ｒ₁＋Ｒ₂）をパラメータとして式に代入して計算する。ここで、電極１０・１１の画素間抵抗値Ｒ₁・Ｒ₂の和を利用しているが、Ｒ₁＋Ｒ₂をＲ₁＝Ｒ₂として式を簡略化し、Ｒ₁に対するＲ_xの比Ｒ_x／Ｒ₁をパラメータとしてもよい。
【００６３】
また、本実施形態では、抵抗要素Ｒ_xにおいてオン抵抗値Ｒ_{x on}に対するオフ抵抗値Ｒ_{x off}の比Ｒ_{x off}／Ｒ_{x on}は、能動素子部８の電流電圧特性等より１０⁴としている。しかしながら、この値としては任意の値を設定することができる。なぜならば、比Ｒ_x／（Ｒ₁＋Ｒ₂）が固定であり、かつ、Ｒ_{x on}に対する電流変動率について考える限りにおいては、比Ｒ_{x off}／Ｒ_{x on}を変化させても、電流変動率は、ほとんど変化しないためである。
【００６４】
また、比Ｒ_{x off}／Ｒ_{x on}が大きいほど、明暗コントラストの比が高くなるが、このことは、全画面点灯表示時における輝度分布の改善には直接寄与しないので、本実施形態では無視して差し支えない。
【００６５】
以上の考察から、電極抵抗値Ｒ₁＋Ｒ₂に対する、抵抗要素Ｒ_xのオン抵抗値Ｒ_{x on}の比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）をパラメータとして、フィールド期間中に全画面を常に点灯表示したとき、すなわち、全画素の発光デューティー比を100 ％としたときの電流変動率ΔＩを計算したところ、図８に示すグラフが得られた。同図を参照すると、発光デューティー比が100 ％のときに電流変動率ΔＩを約±10％の範囲内にするためには、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）を１０⁶以上にする必要があることが理解される。
【００６６】
次に、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）が１０⁶以上であることが実際にどのような意味を有するのかを説明する。例えば、画面サイズが15インチ程度であるＨＤＴＶ（高品位テレビジョン）（1920×1080×3(RGB)画素）の場合、１画素は約60μｍ×170 μｍである。ここで、電流供給電極として、厚み１μｍ、幅１０μｍのアルミニウム電極を使用した場合には、画素間の電極抵抗値は約0.465 Ωとなる。
【００６７】
一方、画素の抵抗要素Ｒ_xのオン抵抗値Ｒ_{x on}は、電圧の条件や、能動素子部８のサイズにもよるが、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の画面製造で使用されるポリシリコン基板上で作成される能動素子部８のオン抵抗値Ｒ_{x on}は、約数100 ｋΩのオーダとなる。
【００６８】
従って、この場合の比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）は、１０⁵〜１０⁶となる。これにより、アルミニウム電極よりも比抵抗の大きい透明電極を使用するならば、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）は、１０⁶を大きく下回ることが理解される。従って、実際には、1080本の走査電極を有するＨＤＴＶの画面構成において、電流供給端１２を画面上下方向の両端部に設けた場合には、電極の構成のみで発光デューティー比100 ％における電流変動率を±10％以下にすることは困難であることが理解される。
【００６９】
次に、本実施形態における画像の表示方式について説明する。本実施形態では、表示走査により、ある走査電極に画像が表示されてから、表示走査期間の半分の期間が経過すると、該走査電極における画像を消去する駆動方式である。
【００７０】
図９は、前記駆動方式を利用した場合の、選択信号出力部４からの選択信号および消去信号を各走査電極に入力する選択タイミングおよび消去タイミングを示している。同図のグラフは、横軸が時間であり、縦軸がＮ本の走査電極のライン番号０〜（Ｎ−１）である。選択タイミングは実線で表しており、消去タイミングは破線で表している。
【００７１】
ここで、選択信号は、画像を表示する走査電極を選択する信号であり、消去信号は、画像を消去する走査電極を選択する信号である。また、本実施形態では、垂直走査期間が１フィールド期間（１／６０秒）であるので、選択信号が入力されることにより、走査電極に画像が表示されてから１／１２０秒後に、該走査電極に消去信号を入力することにより、該走査電極における画像を消去している。
【００７２】
同図を参照すると、１フィールドの開始時点から選択信号を入力し、ライン番号０の走査電極から順次画像を表示する。そして、１フィールドの開始時点から１／１２０秒後に消去信号を入力し、ライン番号０の走査電極から順次画像を消去する。
【００７３】
また、同図のグラフを参照すると、時間が１／６０秒の時点においては、ライン番号０〜（Ｎ−１）／２の走査電極に接続する画素には画像が表示されず、ライン番号Ｎ／２〜Ｎ−１の走査電極に接続する画素には画像が表示されている。すなわち、走査電極に垂直な電流供給電極１０・１１から見ると、電流供給電極１０・１１に接続する画素のうち、半分の画素が表示状態であり、残り半分の画素が非表示状態となっている。すなわち、表示比率が５０％となっている。これにより、電流供給電極１０・１１に接続する画素のうち、発光している画素を全体の半分以下に抑えられることになる。
【００７４】
上記の構成において、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）を５×１０⁵として、式（１）〜（４）を用いて、電流変動率ΔＩの最大値を表示比率ごとに求めたところ、図１０に示す表のようになった。また、式（５）を用いて隣り合う電流供給電極に接続する隣り合う画素列における電流変動率Ｋの最大値を表示比率ごとに求めたところ図１１に示す表のようになった。
【００７５】
図１０を参照すると、例えば、走査ライン本数Ｎが１０８０である表示装置においては、画面を白表示（全画素点灯状態）したときに、画面内で±5.83％の電流変動が生じることが理解される。また、図１１を参照すると、例えば、隣り合う画素列Ａ・Ｂの表示比率をそれぞれ５０％、５％とすると、隣り合う画素列Ａ・Ｂにおける隣り合う画素には、最大で11.6％の電流変動が生じることが理解される。
【００７６】
［比較例］
次に、上記実施形態に対する比較例を説明する。図１２は、比較例における前記選択タイミングを示している。図１２を図９と比較すれば明らかなように、比較例では、上記実施形態に比べて、消去信号を入力していない点が異なり、その他は同様である。この場合、全画素が常に表示状態になっており、すなわち、表示デューティー比が100 ％となっている。
【００７７】
上記の構成において、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）を５×１０⁵として、式（１）〜（４）を用いて、電流変動率ΔＩの最大値を表示比率ごとに求めたところ、図１３に示す表のようになった。また、式（５）を用いて隣り合う電流供給電極に接続する隣り合う画素列における電流変動率Ｋの最大値を表示比率ごとに求めたところ図１４に示す表のようになった。
【００７８】
図１３を参照すると、例えば、走査ライン本数Ｎが１０８０である表示装置においては、画面を白表示（全画素点灯状態）したときに、画面内で±13.2％の電流変動が生じることが理解される。また、図１４を参照すると、例えば、隣り合う画素列Ａ・Ｂの表示比率をそれぞれ100 ％、５％とすると、隣り合う画素列Ａ・Ｂにおける隣り合う画素には、最大で26.4％の電流変動が生じることが理解される。
【００７９】
従って、実施形態の場合の方が比較例の場合よりも、電流変動が小さいので、輝度のばらつきを抑えることができる。
【００８０】
〔実施の形態２〕
次に、本発明の他の実施の形態について、図１５〜図１７に基づいて説明する。本実施形態の表示装置は、上記の実施形態の表示装置に比べて、画像の駆動方式が異なり、その他の構成は同じである。
【００８１】
本実施形態における画像の駆動方式を説明する前に、抵抗要素Ｒ_xのオン抵抗値Ｒ_{x on}が500 ｋΩである場合に、画面内の電流変動率ΔＩを±５％以内に抑えるために、画素間の電極抵抗値Ｒ₁＋Ｒ₂、および表示比率Ｄをどのように設定すればよいかについて説明する。なお、ここで例示する表示装置は、上記実施形態にて示された1080本の走査電極を有する有機ＥＬ表示装置とする。
【００８２】
式（１）〜式（４）を用いて、オン抵抗値Ｒ_{x on}＝500 ｋΩとし、表示比率Ｄを変化させた場合の電流変動率を算出したところ、図１５に示すグラフが得られた。
【００８３】
同図において、それぞれの曲線は、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）を１０⁵、１０⁶、１０⁷および１０⁸としたときのものである。同図を参照すると、表示比率Ｄ＝100 ％のときに、電流変動率ΔＩを±５％以下とするには、電極抵抗値をＲ₁＋Ｒ₂≦5.00×１０^-2とする必要がある。
【００８４】
ここで、電流供給電極にＩＴＯ電極１０を用い、電流排出電極にアルミニウム電極１１を用いるとする。図１６には、ＩＴＯ電極１０およびアルミニウム電極１１の抵抗値が記載されている。
【００８５】
ＩＴＯ電極１０の面抵抗値を100 Ω／□（□：スクエア）、厚さ１μｍのアルミニウム電極１１を2.69×１０^-2Ω／□（300 Ｋにおいて2.69×１０^-2Ωμｍの抵抗率より換算）とし、アルミニウム電極１１の幅を画素幅の４分の１とすると、画素間の電極抵抗値Ｒ₁＋Ｒ₂は、図１６から算出すると、両方の電極１０・１１がストライプ形状のときには、約300 Ω、またＩＴＯ電極１０がべた形状のときには、約3.75×１０^-1Ωの値に評価される。
【００８６】
すなわち、電流変動率を±５％以下とするには、電極抵抗値Ｒ₁＋Ｒ₂は、5.00×１０^-2Ω以下である必要がある。さらに、発光素子のオン抵抗値がより高く、発光効率の良い材料を選定できるようになるまでは、実質的には、１桁以上も大きな抵抗値を使用する必要がある。このため、表示比率Ｄ＝100 ％である表示駆動方式においては、抵抗値の大きいＩＴＯ電極を１０倍程度厚くして、電極間抵抗値をより下げる必要があるが、ＩＴＯ電極を厚くすると透過率が低下する可能性がある。
【００８７】
一方、電流変動率を±５％以下とするには、抵抗値Ｒ₁＋Ｒ₂を既存の3.75×１０^-1Ωのままにしておき、表示比率Ｄを小さくする必要がある。この場合には、比Ｒ_{x on}／（Ｒ₁＋Ｒ₂）が1.33×１０⁶となるので、図１５を参照すると、表示比率Ｄを約３５％以下とすればよいことが理解される。
【００８８】
以上より、本実施形態では、表示比率Ｄが約３５％となる駆動方式である。表示比率Ｄを約３５％とするには、表示走査により走査電極に画像が表示されてから、表示走査期間の約３５％の期間で、該走査電極における画像を消去すればよい。
【００８９】
図１７は、前記駆動方式を利用した場合の、前記選択タイミングおよび前記消去タイミングを示している。同図のグラフは、横軸が時間であり、縦軸が1080本の走査電極のライン番号１〜1080である。選択タイミングは実線で表しており、消去タイミングは破線で表している。
【００９０】
同図を参照すると、１フィールドの開始時点から選択信号を入力し、ライン番号１の走査電極から順次画像を表示する。そして、１フィールドの開始時点から約5.83ミリ秒後に消去信号を入力し、ライン番号１の走査電極から順次画像を消去する。
【００９１】
従って、本実施形態の表示装置は、上記の実施形態に比べて電流変動率をさらに低くすることができ、輝度のばらつきを確実に抑えることができる。
【００９２】
なお、図１７では、走査電極ごとに画像を表示または消去する線順次走査を行なうものであるが、これを図１８に示すように、画素ごとに画像を表示または消去する点順次走査を行なうものに適用することもできる。
【００９３】
また、上記の実施形態では、表示比率を一定値としているために、何れの走査電極についても表示デューティー比が一定値となっているが、１本または複数本の走査電極ごとに表示デューティー比を変更してもよい。例えば、図２０に示すように、中央部の輝度が低い場合には、図１９に示すように、中央部を通過する走査電極（Ｎ−１）／３〜２・（Ｎ−１）／３に対する表示デューティー比を６０％とし、その他の走査電極に対する表示デューティー比を５０％としてもよい。これにより、輝度のばらつきをさらに改善することができる。
【００９４】
また、図９および図１７を参照すると、上記の実施形態では、表示走査により１画面の画像を作成する期間と、１画面の画像を表示するフィールド期間とが等しいので、各画素の表示比率と表示デューティー比は等しくなる。このため、上記の実施形態では、表示比率を50％や35％としているので、表示デューティー比を50％や35％とすることにもなる。
【００９５】
また、図１９においては、画面内に表示デューティー比が50％である領域と60％である領域とが存在するため、表示比率は、走査タイミングにより50％から60％の間となり、表示比率を多くとも60％とすることになる。
【００９６】
表示デューティー比を小さくすると網膜上の積算効果による動き画像のぼけを防止することができるので、上記の実施形態においても、動き画像のぼけを防止することができる。
【００９７】
また、上記実施形態では、透明電極１０の上端部および下端部から電流を供給しているが、画像表示部１の内部にコンタクトホール等を設けることにより、画像表示部の内部に１または複数の電流供給点をさらに設け、該電流供給点からも透明電極１０に電流を供給してもよい。
【００９８】
この場合、走査電極に接続された画素の発光素子９から、電流供給端１２までの、透明電極１０上の最短距離、および、前記発光素子９から前記電流供給点までの透明電極１０上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて表示比率を設定すればよい。
【００９９】
【発明の効果】
以上のように、本発明の表示素子の点灯制御方法は、供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を多数配列し、これらの発光素子に電流を供給する１または複数の電流供給用導体を該発光素子に接続した表示素子において、前記発光素子の点灯を制御する方法であって、前記電流供給用導体または各電流供給用導体に接続された前記発光素子に関して、その総数に対する点灯数の比率（点灯比率）の上限が100 ％未満の所定値となるように、表示素子の点灯を制御する方法である。
【０１００】
これにより、画像の表示内容に依存することなく、前記発光素子に供給される電流値のばらつきが抑えられ、輝度のばらつきを軽減できるという効果を奏する。
【０１０１】
また、本発明の表示素子の表示制御方法は、以上のように、供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子において、前記画素の表示を制御する方法であって、前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、一画面の画像を表示する表示走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、一画面の画像を消去する消去走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率（表示比率）が100 ％未満の所定値となるように前記画素の表示を制御する方法である。
【０１０２】
これにより、前記発光比率を制限することができるので、画像の表示内容に依存することなく、前記輝度のばらつきを軽減できるという効果を奏する。
【０１０３】
また、簡単な処理手段を追加することにより輝度のばらつきを軽減できるので、前記表示素子と、前記表示走査および前記消去走査を行なう制御手段とを備えた表示装置の回路規模を大型化しないという効果を奏する。
【０１０４】
また、本発明の表示素子の表示制御方法は、以上のように、上記の方法において、前記所定値は、前記行方向のラインの１または複数ごとに設定される。
【０１０５】
前記設定は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて行なわれることが望ましい。
【０１０６】
また、前記電流供給用導体において、列方向の一端部または両端部の他に、前記表示素子の内部に設けられた１または複数の電流供給点に電流が供給されている場合には、前記設定は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて行なわれることが望ましい。
【０１０７】
これにより、電流が供給される位置からの距離に依存する輝度のばらつきを軽減できるという効果を奏する。
【０１０８】
また、本発明の表示装置は、以上のように、前記マトリックス型表示素子と、該表示素子における前記画素の表示を制御する表示制御手段とを備える表示装置であって、前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、前記表示制御手段は、前記表示走査を行なう表示走査手段と、前記消去走査を行なう消去走査手段と、前記表示比率が100 ％未満の所定値となるように、前記消去走査手段を制御する消去走査制御手段とを備える構成である。
【０１０９】
これにより、前記発光比率の上限が前記所定値に制限されるので、画像の表示内容に依存することなく、前記輝度のばらつきを軽減できるという効果を奏する。
【０１１０】
また、前記画素表示期間を制御することは、簡単な処理を追加することで行なうことができるので、表示装置の回路規模を大型化しないという効果を奏する。
【０１１１】
また、本発明の表示装置は、以上のように、上記の構成において、前記消去走査制御手段は、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定する所定値設定手段を備える構成である。
【０１１２】
前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて前記所定値を設定することが望ましい。
【０１１３】
また、前記表示素子が、前記電流供給用導体に対して、列方向の一端部または両端部の他に、電流を供給する１または複数の電流供給点を備えている場合には、前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて前記設定値を設定することが望ましい。
【０１１４】
これにより、電流が供給される位置からの距離に依存する輝度のばらつきを軽減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す画像表示部における各画素の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図２をより具体的に示す回路図である。
【図４】同図（ａ）は、図３に示す透明電極の電極構成を示す模式図であり、同図（ｂ）は、図３に示すアルミニウム電極の電極構成を示す模式図である。
【図５】図３および図４に示す透明電極、アルミニウム電極、能動素子部および発光素子部を含む回路構成を示す回路図である。
【図６】ノード（発光素子）を流れるノード電流値の分布を示すグラフである。
【図７】ノード（発光素子）を流れるノード電流値の分布を示すグラフである。
【図８】透明電極およびアルミニウム電極の抵抗値の和に対する抵抗要素のオン抵抗値の比の変化に対する電流変動率の変化の様子を示すグラフである。
【図９】本実施形態において、各走査電極に入力する選択タイミングおよび消去タイミングを示すグラフである。
【図１０】表示比率に対する電流変動率の最大値を表示ライン数ごとに示す図表である。
【図１１】隣接ライン間で表示パターンにより変動する電流の最大の変動率を表示比率および表示ラインごとに示す図表である。
【図１２】本実施形態に対する比較例おいて、各走査電極に入力する選択タイミングを示すグラフである。
【図１３】比較例において、表示比率に対する電流変動率の最大値を表示ライン数ごとに示す図表である。
【図１４】比較例において、隣接ライン間で表示パターンにより変動する電流の最大の変動率を表示比率および表示ラインごとに示す図表である。
【図１５】表示比率の変化に対する電流変動率の変化の様子を示すグラフである。
【図１６】ＩＴＯを用いた透明電極と、アルミニウム電極との各種抵抗値を示す図表である。
【図１７】本発明の他の実施の形態において、各走査電極に入力する選択タイミングおよび消去タイミングを示すグラフである。
【図１８】図１７に示す選択タイミングおよび消去タイミングを点順次走査により行なうことを示す模式図である。
【図１９】本発明のさらに他の実施の形態において、各走査電極に入力する選択タイミングおよび消去タイミングを示すグラフである。
【図２０】従来のノード（発光素子）を流れるノード電流値の分布を示すグラフである。
【図２１】画面の中央部に非点灯表示領域を有する状態を示す模式図である。
【図２２】図２１に示す状態において、ノード（発光素子）を流れるノード電流値の分布を示すグラフである。
【図２３】図２１に示す状態の場合に画面上に輝度のばらつきが生じることを示す模式図である。
【符号の説明】
１画像表示部（表示素子）
４選択信号出力部（表示制御手段）
９発光素子部（発光素子）
１０透明電極（電流供給用導体）

Claims

供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子において、前記画素の表示を制御する表示素子の表示制御方法であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
一画面の画像を表示する表示走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
一画面の画像を消去する消去走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように前記画素の表示を制御しており、
前記所定値は、輝度のばらつきを改善するように、前記行方向のラインの１または複数ごとに設定されることを特徴とする表示素子の表示制御方法。
供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子において、前記画素の表示を制御する表示素子の表示制御方法であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
一画面の画像を表示する表示走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
一画面の画像を消去する消去走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように前記画素の表示を制御しており、
前記所定値は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて、前記行方向のラインの１または複数ごとに設定されることを特徴とする表示素子の表示制御方法。
供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子において、前記画素の表示を制御する表示素子の表示制御方法であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
一画面の画像を表示する表示走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
一画面の画像を消去する消去走査は、行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより行なわれ、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように前記画素の表示を制御しており、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部の他に、前記表示素子の内部に設けられた１または複数の電流供給点に電流が供給されており、
前記所定値は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて、前記行方向のラインの１または複数ごとに設定されることを特徴とする表示素子の表示制御方法。
供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子と、該表示素子における前記画素の表示を制御する表示制御手段とを備える表示装置であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
前記表示制御手段は、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を表示する表示走査を行なう表示走査手段と、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を消去する消去走査を行なう消去走査手段と、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように、前記消去走査手段を制御する消去走査制御手段とを備えており、
前記消去走査制御手段は、輝度のばらつきを改善するように、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定する所定値設定手段を備えることを特徴とする表示装置。
供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子と、該表示素子における前記画素の表示を制御する表示制御手段とを備える表示装置であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
前記表示制御手段は、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を表示する表示走査を行なう表示走査手段と、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を消去する消去走査を行なう消去走査手段と、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように、前記消去走査手段を制御する消去走査制御手段とを備えており、
前記消去走査制御手段は、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定する所定値設定手段を備えており、
前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離に応じて前記所定値を設定することを特徴とする表示装置。
供給される電流値に依存して輝度が変化する発光素子を行方向および列方向に多数配列し、１または複数の電流供給用導体により、これらの発光素子に電流を供給することにより、各発光素子に対応する画素が表示されて、一画面の画像が表示されるマトリックス型表示素子と、該表示素子における前記画素の表示を制御する表示制御手段とを備える表示装置であって、
前記電流供給用導体には、列方向の一端部または両端部から電流が供給されており、
前記表示制御手段は、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に行ない、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を表示する表示走査を行なう表示走査手段と、
行方向の１ラインに並ぶ前記画素の表示を一斉または順次に消去し、これを、行方向の他のラインに並ぶ前記画素について繰り返すことにより、一画面の画像を消去する消去走査を行なう消去走査手段と、
前記表示走査の開始から終了までの表示走査期間と、任意の画素について、前記表示走査により該画素の表示が開始されてから、消去走査により該画素の表示が消去されるまでの画素表示期間とに関して、前記表示走査期間に対する前記画素表示期間の比率が１００％未満の所定値となるように、前記消去走査手段を制御する消去走査制御手段とを備えており、
前記消去走査制御手段は、前記行方向のラインの１または複数ごとに前記所定値を設定する所定値設定手段を備えており、
前記表示素子は、前記電流供給用導体に対して、列方向の一端部または両端部の他に、電流を供給する１または複数の電流供給点を備えており、
前記所定値設定手段は、前記行方向の１ラインにおける発光素子から、電流が供給される前記一端部または両端部までの、前記電流供給用導体上の最短距離、および、前記行方向の１ラインにおける発光素子から前記電流供給点までの前記電流供給用導体上の最短距離のうちの何れか短い方に応じて前記所定値を設定することを特徴とする表示装置。