JP4340102B2 - 光アイソレータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光源から出射された光を各種光学素子や光ファイバに導入した際に生じる戻り光を除去するために用いられる光アイソレータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光通信用モジュール等において、レーザ光源等の光源から出射した光は、各種光学素子や光ファイバに入射されるが、入射光の一部は各種光学素子や光ファイバの端面や内部で反射されたり散乱されたりする。この反射や散乱した光の一部は、戻り光として光源に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイソレータが用いられる。
【0003】
従来、この種の光アイソレータは、2枚の偏光子の間に平板状のファラデー回転子を設置し、これら3つの部品を筒状の磁石内に各部品ホルダを介して収納することにより構成されていた。通常、ファラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長をもつ光の偏光面を45°回転する厚みに調整され、また2つの偏光子はそれぞれの透過偏光方向が45°回転方向にずれるように回転調整されて構成されている。
【0004】
このような構成の光アイソレータは、ファラデー回転子と2つの偏光子が別部品で各素子にホルダが必要であり、そのため部品点数が多くなり組立工数が多くなるばかりか、各部品間の光学上の調整作業が煩雑で、コスト高を招いていた。また、小型化が難しく、さらに、光源モジュールに組み込む際に、光アイソレータの偏波面の調整が必要となり実装が煩雑であった。
【0005】
このため、ファラデー回転子と偏光子の各光学素子と、直方体の磁石を、平板状の取り付け基板に設置した光アイソレータも提案されている。
【0006】
特許文献1には図4に示す従来の小型化された光アイソレータ15が示されており、以下にその構成について説明する。
【0007】
光アイソレータ15はファラデー回転子16、偏光子17、18の各光学素子と、直方体の磁石19が、平板状の取り付け基板20上に配置した構造を有している。ここで偏光子17、18は透過する光の一方向の偏波成分を吸収し、その偏波成分に直交する偏波成分を透過する機能を有し、また、ファラデー回転子16は飽和磁界強度において所定波長の光の偏波面を約45度回転する機能を有する。また2つの偏光子17、18は、それぞれの基板20に接する面を基準面とし、この基準面に対し透過偏波方向が0度および45度となるように切り出されている。
【0008】
特許文献2には図5に示す従来の小型化された光アイソレータ25が示されており、以下にその構造について説明する。
【0009】
ファラデー回転子16と偏光子17、18からなる光アイソレータ素子21と、一方が開放された形状の磁石22から構成され、光アイソレータ素子21は磁石22の開口部23に配置されている。光アイソレータ25は磁石22の形状をアーチ状に一体化することで、コストダウンを図ったものである。
【0010】
また、特許文献3には、磁石をアーチ状の一体品とし、取り付け基板に光アイソレータ素子を配置、位置決めする凹部を設けたことが、本出願人により示されている。本発明により光アイソレータ素子と磁石の位置決めが容易となり、また、正確に行うことができる。
【0011】
【特許文献1】
特開平10−227996号
【0012】
【特許文献2】
特表平12−510965号
【0013】
【特許文献3】
特表平13−125043号
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図4の特許文献1に示すように、ファラデー回転子16、偏光子17、18の各光学素子と、直方体の磁石19が、平板状の取り付け基板20上に配置した光アイソレータ15において、平板状の取り付け基板20に位置上の所望の位置に各光学素子と磁石19を配置、固定することは、これらの位置を決める構造がないため、それぞれの位置が安定せず、光学特性が安定せず、かつ、組み立てが困難で工数がかかるという問題がある。
【0015】
また、各光学素子を位置決めする構造を有する基板を用いた場合も、単一の取り付け基板20に光学素子21と磁石19を固定する構造のため、高温で溶融固着する接合剤を使用する場合は、接合するそれぞれの熱膨張係数差による応力が発生し、基板20のそりや、光学素子の脱落、クラック、特性劣化が発生するという問題がある。
【0016】
さらに、光アイソレータ15を光源モジュールに実装する際は、実装方法によって基板20の材料を最適に選定しなければならず、最適材料の基板ごとに、応力による影響を考慮しなければならない、あるいは、基板に選定できない材料があるという問題があり、設計の自由度が非常に小さい。
【0017】
また、図5の光アイソレータ25においては光アイソレータ素子21と磁石22との固定方法や、光アイソレータ25の光源モジュールへの実装方法についての記載はなく、熱膨張係数差による応力の検討がなされていないため、光アイソレータ組み立て時、実装時の特性劣化の問題がある。
【0018】
また、図5に示す特許文献2の光アイソレータ25を樹脂接着剤で実装した場合は、応力の影響は大きく受けないが、高温高湿化での接合強度の劣化が生じ、信頼性に問題がある。接着剤からのアウトガスはレーザチップやレンズなどの光学部品表面上に付着し、光学特性を劣化させる危険がある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、上面に溝部を形成した実装基板と、平板状のファラデー回転子及び偏光子を含む光学素子がコア基板上に接合されている光アイソレータコアとから成り、前記溝部底面に前記光アイソレータコアのコア基板が接合されていることを特徴とする。
【0020】
本発明の構成によれば、コア基板と光学素子を実装基板に対して低融点ガラスにより堅固に固定することができるので、光学素子の脱落を抑えることができる。また、コア基板の熱膨張係数と厚みを光学素子にあわせて選定できるので、コア基板にはクラックが生じることがなく、かつ、ファラデー回転子の特性劣化が生じない熱膨張係数の材料を選定できるので、光学特性劣化がなく均一で良好な特性の光アイソレータが実現する。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【0022】
図1は、本発明の光アイソレータの実施形態を示す斜視図であり、図2は光アイソレータコア1の構成を示す斜視図である。
【0023】
図に示すように、本発明の光アイソレータ10は、上面に溝部6aを形成した実装基板と、光学素子1aをコア基板9に接合した光アイソレータコア1とから成り、溝部6aの底面6bに光アイソレータコア1のコア基板9の底面9aが接合されているものである。また、実装基板6の上面には磁石7が光アイソレータコア1を囲むように形成されている。
【0024】
実装基板6に形成する溝部6aは、ほぼ中央部に上面を横断するように形成されており、その幅は光アイソレータコア1と同じか、やや大きい幅の溝が加工されている。即ち、光アイソレータコア1の幅は後述するコア基板の幅X(図2)を基準としており、幅が同じ場合には溝部6aをX+0.1mm、溝部6aの角部のRが0.05以下となるようにして精度良く形成している。また、幅がやや大きい場合には、コア基板9の幅Xが短くなり、溝部6aの一側面を精度良く加工して光アイソレータコア1の取付基準面としてもよい。これにより、光学素子1aのそれぞれを精度良く組み込む困難性がなくコア基板9の組み込みだけで組み立てができるので、組み立て性が向上し工数を少なくすることができる。
【0025】
ここで、一般的に半導体レーザモジュール内の基板の材料は熱伝導性のよい熱膨張係数が4〜6×10−6/℃程度の小さい材料(窒化アルミニウムや銅タングステン等)が用いられる。従って、実装基板6は半導体レーザモジュール内の基板上に実装されるので熱膨張係数が同等の材料を用いることも望ましい。
【0026】
また、実装基板6の材質として光アイソレータ10を半導体レーザモジュールに実装する実装方法によって選択され、例えば、YAG溶接で半導体レーザモジュールのサブマウントに固定される場合は、ステンレス、コバール、パーマロイ等の金属が選択され、また、ハンダによる実装の場合は、前記金属、あるいはセラミック、ガラス等の材料が用いられ実装面にたとえばCr下地でAuメッキを施こしているものが選択される。
【0027】
以上のことから実装基板6に用いる材料の選択は、半導体レーザモジュール内の基板と同じ材料の熱膨張係数も4〜6×10−6/℃程度のものであり、かつ、実装方法が用途に適した材料を用いると良い。
【0028】
コア基板9に接合される光学素子1aは、平板状の偏光子3、ファラデー回転子2、偏光子4からなり、これら光学素子1aの底面はコア基板9上に精度良く低融点ガラス剤5を介して接合されている。
【0029】
低融点ガラス剤5は、ガラス材であるSiO2に他の金属酸化物、例えば酸化鉛や酸化リンや酸化亜鉛を混ぜ合わせ、その融点を低くなるように調整したもので、溶剤とともにクリーム状にしたものを、コア基板9上にあらかじめ塗布し、仮焼成により溶剤をとばしておくか、あるいはコア基板9の上面とほぼ同じ大きさの平板状に形成したプリフォームがもちいられる。このようにコア基板9上に形成された低融点ガラスと光学素子1aは密着させたまま300〜420度の高温炉で数秒から数分間焼成することで接合することができる。
【0030】
低融点ガラス剤5を用いることによって、光学素子2、3、4のメッキ等の前処理は不要であり工数の削減が実現する。また、樹脂による接合に比較して非常に堅固な固定が実現し、高温高湿化での特性劣化がなくなり、信頼性の高い光アイソレータが実現する。
【0031】
ここで偏光子3の透過偏波方向は、コア基板9と対向する1辺(これを基準辺と呼ぶ)に対し平行な方向に設定されており、他方の偏光子4の透過偏波方向も、その基準辺に対して45度の方向に設定されている。ここで、コア基板9の上面と偏光子3と偏光子4の基準辺と略一致させ、固定することにより、偏光子3と偏光子4の透過偏波方向は回転調整することなく、互いに45度ずれた状態となり、ファラデー回転子2のファラデー回転角が略45度の場合、最良の挿入損失特性とアイソレーション特性を得ることができる。
【0032】
偏光子3、4は、入射する光の1方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子、あるいは入射する光の1方向の偏光成分を分離または合成する複屈折性偏光子で構成される。吸収型偏光子は例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。
【0033】
ファラデー回転子2は常温において入射した光の偏波方向が45度回転する厚みに調整されている。また、光アイソレータ10に高いアイソレーションが要求される場合は、ファラデー回転子2の偏波回転角度45+α度に対し、偏光子3と偏光子4の回転ズレを45−α度に精密に調整する必要があり、光を逆方向から(偏光子4側から)入射し、透過してくる光が最も小さくなるように偏光子2を回転調整する方法がある。そこであらかじめ偏光子3と偏光子4の透過偏波方向を45−α度ずらして切り出し、例えば偏光子4の透過偏波方向を基準辺に対して45−α度とすることも可能である。また、ファラデー回転子の偏波回転角の精度±αは光アイソレータの特性上、1度程度とすることが望ましく、またコア基板9の上面に精度良く設置する。
【0034】
ファラデー回転子2は、例えば、ビスマス置換ガーネット結晶等で、その厚みは所定の波長をもつ入射光線の偏光面が45度回転する様に設定する。一般に、偏波面を回転させるためには、入射光線の光軸L方向に十分な磁界を印可することが必要である。また、自己バイアス型のファラデー回転子を用いれば磁界なしで偏波の回転が実現するため磁石は不要となる。
【0035】
ファラデー回転子2の熱線膨張係数は約10×10−6/℃、偏光ガラスの熱膨張係数は約6.5×10−6/℃であり、これらの熱膨張係数の異なるファラデー回転子2、偏光子3、4がコア基板9上に低融点ガラスを介して整列されている。ここで、ファラデー回転子2は接合時の残留応力により、その消光比が低下するために、コア基板9の熱膨張係数はファラデー回転子2と同等か、あるいはファラデー回転子2への残留応力が圧縮方向へかかるようにコア基板の熱膨張係数を設定する必要がある。ここで、圧縮方向とは、コア基板9とファラデー回転子2の接合面の当接領域内部へ向う方向である。なお、ファラデー回転子2の消光比とは、入射した直線偏波の光のうち、どれだけの光が直線偏波を保持したまま回転するかをパワーの比で表したものである。即ち、本発明者らは鋭意検討の結果、コア基板9の熱膨張係数が9×10−6/℃以上とファラデー回転子2と近くかそれ以上で、ファラデー回転子2の消光比低下が発生しないこと見出した。そこで、コア基板9にはセラミックではジルコニアや、金属では50Fe−Niの合金、ステンレスのSUS430等を用いることが望ましい。
【0036】
この場合、コア基板9の厚みが0.1mm以上、好ましくは0.2〜0.5mmとする。その理由は、コア基板9の厚みが薄すぎると実装基板6の熱膨張係数の影響を受け、ファラデー回転子2の消光比が低下することがあり望ましくない。また、コア基板9の厚みが0.5mmより大きいと、実装基板6の高さを含めた光アイソレータ10が高背化し、設計の自由度が小さくなり望ましくない。
【0037】
磁石7の材料としては、例えばSmCoが適している。磁石7は光アイソレータコア1を囲むようにアーチ状に形成されており、実装基板6に形成した溝部6aの両側の2平面に両端面が接合されている。本発明でいうアーチ状とは半円筒状のものだけでなく、図1に示すように、一方が開口した開口部8を有するものであれば外周が角張ったものであっても良い。
【0038】
また、本実施の形態では磁石7が光アイソレータ素子1を覆うように説明したが、これに限定されず、磁石7は少なくともファラデー回転子2を囲む構成にすると良い。
【0039】
さらに、磁石7には、ファラデー回転子2を通過する光軸方向の磁力線が最大になるような向きに磁極が配置されており、言い換えるとファラデー回転子2が所定の波長をもつ入射光線の偏光面を45度回転する様に磁極が配置されており、磁石の外観形状から磁極7の位置が容易に判別できる。
【0040】
本発明の光アイソレータ10の製造方法としては、ファラデー回転子2、偏光子3、4をコア基板上に精度良く接合して光アイソレータコアを作製し、さらに半導体レーザモジュール内の基板上に実装する実装基板6上に光アイソレータコアを精度良く形成した溝部6に実装する。
【0041】
以上説明したように、本発明の構成によれば、コア基板9と光学素子1aを実装基板6に対して低融点ガラス5により堅固に固定することができる。また、光学素子1aの脱落を抑えることができるとともに、コア基板9の熱膨張係数と厚みを光学素子1aにあわせて選定できるので、コア基板9にはクラックが生じることがなく、かつ、ファラデー回転子2の特性劣化が生じない熱膨張係数の材料を選定できるので、光学特性劣化がなく均一で良好な特性の光アイソレータが実現する。
【0042】
図3は、本発明の光アイソレータの第2の実施形態を示す斜視図である。図に示すように、光アイソレータ11に用いる磁石19は実装基板6の光アイソレータコア1が実装される溝部6a両側の2平面に接合されていればよく、本実施例に示すように略立方体の2個の磁石を用いても良い。
【0043】
【実施例】
本発明の実施例として図1に示した本発明の光アイソレータAと、コア基板を用いず直接、実装基板に光アイソレータの光学素子を実装した光アイソレータBを試作し、その特性について比較した。各部品と構成について以下に説明する。
【0044】
偏光子は、コーニング社製のポーラコア(製品名)を用い、サイズは1mm角で厚み0.2mmのものを使用し、基板との実装辺を基準辺とし、入射側の偏光子3は基準辺に平行な偏波方向を透過し、出射側の偏光子4は基準辺に対して45度の偏波方向を透過するように設定した。
【0045】
ファラデー回転子はビスマス置換ガーネットを用い、サイズは1mm角で厚み0.4mm、飽和磁界強度中における偏波回転角は45度であった。いずれも波長1.55μmの光に対して動作する素子であり、偏光子、ファラデー回転子の両面には対空気(n=1)の反射防止膜が施されている。
【0046】
光アイソレータAはコア基板にジルコニア基板を用い、その上面に低融点ガラスを介して偏光子とファラデー回転子と偏光子の各光学素子の基準辺を接合した。接合は、低融点ガラスの溶融温度380度、1分で焼成した。
【0047】
コア基板のサイズは幅W=1.1mm、長さD=1.2mm、厚みt=0.05mm、t=0.1mm、t=0.2mm、t=0.3mmの4種類の基板を用いた。
【0048】
実装基板はコバールを用い、実装基板のサイズは幅W=2.8mm、厚みt=0.5mm、長さD=1.4mm、溝の幅は1.2mm、深さは0.2mmとした。磁石は2.8mm×1.5mm×1.4mmで、一方に1.2mm×1.1mm×1.4mmの溝が作製された横コの字型で、実装基板の溝部と対向させて接合した。光アイソレータコアは磁石と実装基板の溝部が対向されて作製された空間内に配置し、光アイソレータコアのコア基板と実装基板は低融点ガラスにて接合した。
【0049】
光アイソレータBは光学素子と実装基板と磁石は光アイソレータAと同様のサイズ、材料を用いたが、コア基板を介さずに、光学素子を直接実装基板に低融点ガラスにより接合した。
【0050】
表1は試作した光アイソレータのアイソレーション特性を示す。
【0051】
【表1】
【0052】
光アイソレータAについては、コア基板の厚みt=0.05〜0.3mmの4種類の光アイソレータのうち、t=0.05mmのものは実装基板の熱膨張の影響を受け、ファラデー回転子に引っ張りの残留応力がかかっているため、アイソレーションの低下が見られたが、コア基板厚みt=0.1mm以上の光アイソレータはアイソレーション35dB以上の良好なアイソレーション特性が確認できた。光アイソレータBについては、実装基板との接合時の残留応力の影響で20dBのアイソレーション特性しか得ることができなかった。
【0053】
以上の試作の結果からコア基板の厚みt=0.2mmとし、50個の光アイソレータを作製し、特性を測定した。その結果すべての光アイソレータは、挿入損失が0.3dB以下、アイソレーションが35dB以上の、良好で均一な特性を有することを確認した。
【0054】
次に作製した光アイソレータの信頼性評価を行った。試験は、Telcordia1221に示される振動試験、衝撃試験、温度サイクル試験、高温保持試験、低温保持試験、高温高湿試験を実施し、すべての試験において、挿入損失の変化量が±0.2dB以下、アイソレーションの変化量が±3dB以下と良好な結果を得ることができた。
【0055】
以上の試作により、光学特性が安定し、かつ、組み立てが容易で工数が少なく、光学素子の脱落、クラック、特性劣化がない信頼性に優れた光アイソレータを提供することができる。さらに、光アイソレータ15を光源モジュールに実装する際にも、特性劣化がなく、長期信頼性に優れたものとなるのは明らかである。
【0056】
【発明の効果】
本発明によれば、光学特性が安定し、かつ、組み立てが容易で工数が少なく、光学素子の脱落、クラック、特性劣化がなく、均一で良好な特性の光アイソレータが実現する。さらに、光アイソレータを光源モジュールに実装する際にも、特性劣化がなく、長期信頼性に優れた光アイソレータが実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光アイソレータの実施形態を示す斜視図である。
【図2】光アイソレータコアの構成を示す斜視図である。
【図3】本発明の光アイソレータの第2の実施形態を示す斜視図である。
【図4】従来の小型化された光アイソレータの構成を示す図である。
【図5】従来の小型化された光アイソレータの構成を示す図である。
【符号の説明】
1:光アイソレータコア
10、11、15,25:光アイソレータ
2、16:ファラデー回転子
3、4、17、18:偏光子
5:低融点ガラス
7、19、22:磁石
6、20:実装基板
9:コア基板
Claims (2)
- ファラデー回転子及び偏光子を含む光学素子が接合されたコア基板と、
上面に溝部が形成された実装基板とを備え、
前記実装基板に形成された溝部に、前記コア基板の底面が接合されており、
前記コア基板の熱膨張係数は、前記ファラデー回転子の熱膨張係数と略同じか、あるいは前記ファラデー回転子への残留応力が圧縮方向へかかるように設定されている、光アイソレータ。 - 前記コア基板の厚みが、0.1〜0.5mmである、請求項1に記載の光アイソレータ。
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