JP4280490B2

JP4280490B2 - Integrated thin film photoelectric conversion device and manufacturing method thereof

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Publication number: JP4280490B2
Application number: JP2002367301A
Authority: JP
Inventors: 克彦林; 憲治山本; 大介新井; 章藤沢
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2002-12-18
Filing date: 2002-12-18
Publication date: 2009-06-17
Anticipated expiration: 2022-12-18
Also published as: JP2004200418A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積型薄膜光電変換装置の変換効率の改善に関し、特に透明電極付きガラス基板の改良に基づく集積型薄膜光電変換装置の光電変換効率および信頼性の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆるスーパーストレート型の集積型薄膜光電変換装置では、複数の短冊形状の薄膜光電変換セルがガラス基板上で相互に直列接続されている。薄膜光電変換セルは、透明電極付きガラス基板上への薄膜光電変換ユニットおよび金属電極膜の成膜およびパターニングにより形成される。各層のパターニングは、通常、レーザー光の照射により行われる。
【０００３】
集積型薄膜光電変換装置では、薄膜光電変換ユニットにおいて光電変換に利用される光量を増やすために、光入射側の透明電極の表面に凹凸（表面テクスチャー）を付与し、この透明電極と裏面電極との間における光閉じ込め効果が利用される。透明電極付きガラス基板の光閉じこめ効果への寄与は、ヘイズ率を指標として評価できる。
【０００４】
特許文献１には、表面が平滑なアルカリ含有ガラス板上に、膜厚１５０Å（１５ｎｍ）以上の結晶性を有する金属酸化物層（例えばＳｎＯ₂膜）と、この金属酸化物層の表面の凹凸を反映する膜厚を有するアルカリバリア層（ＳｉＯ₂膜）とをこの順に積層し、この２層の下地膜上にさらに膜厚５０００Å（５００ｎｍ）以上の透明導電膜（例えばフッ素をドープしたＳｎＯ₂膜、以下、「ＳｎＯ₂：Ｆ膜」とも表記する）を形成した透明電極付きガラス基板が開示されている。この透明電極付きガラス基板は、透明電極として２層の下地膜と透明導電膜とを含み、下地膜の一部であるアルカリバリア層により、ガラス板からのアルカリ成分の拡散を抑制している。アルカリ成分の溶出は、透明導電膜や光電変換ユニットの変質や損傷を引き起こすからである。
【０００５】
この基板において、結晶性を有する金属酸化物層は、アルカリバリア層の表面に凹凸を付与するために形成されている。凹凸を有するアルカリバリア層上に堆積した透明導電膜は、結晶粒がランダムな方向に成長しようとするためにその成長の初期段階ではアモルファス状態となる。このアモルファス状態の層は、結晶粒の成長に伴う結晶粒同士のせめぎ合いによって生じる膜の内部応力を緩和する。こうして、低抵抗化のために５００ｎｍ以上にまで成長させても、透明導電膜におけるヘアクラックの発生や膜剥離が抑制される。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２６１０１３号公報（［０００９］〜［００１３］）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１が開示する２層構成の下地膜は、透明導電膜のヘアクラックを防止し、その付着力を改善する効果がある。しかし、特許文献１が開示する透明電極付きガラス基板を用いて集積型薄膜光電変換装置を作製しても、透明電極付きガラス基板の特性（例えばヘイズ率）から期待される程度の光電変換特性が得られない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
集積型薄膜光電変換装置の製造工程では、透明電極付きガラス基板上に薄膜光電変換ユニットなどを形成する前に、予め、透明電極を複数の短冊状に分割しておく必要がある。レーザー光の照射により透明電極を厚み方向にすべて分断すると、レーザー光のスキャンにより形成された分離溝を通じてガラス板からアルカリ成分が拡散する。透明導電膜のみを分断し、下地膜が連続膜として残るように分離溝を形成することは、例えば下地膜として単層のアルカリバリア層のみを有する透明電極（例えば、ガラス板側から、ＳｉＯ₂膜／ＳｎＯ₂：Ｆ膜）では、レーザー光の強度などの調整により十分に実現できる。
【０００９】
しかし、上記２層構成の下地膜を備えた透明電極（例えば、ガラス板側から、ＳｎＯ₂膜／ＳｉＯ₂膜／ＳｎＯ₂：Ｆ膜）について、予め調整した一定の強度でレーザー光を照射しスキャンしても、サンプルによっては下地膜が分断されることがあった。また、同一のサンプル内において、分離溝が下地膜を分断する部分と分断しない部分とが混在する場合もあった。下地膜を単層から２層構成へと変更すると、透明電極を分断する分離溝の深さの制御が容易ではなくなる。
【００１０】
この現象には、ガラス板から下地膜へのアルカリ成分の拡散による結晶性の金属酸化物層（例えばＳｎＯ₂膜）の変質が関与している。ガラス板と２層構成の下地膜との間にさらにアルカリバリア膜を形成して下地膜へのアルカリ成分の拡散を抑制すると、分離溝の深さの不安定性は緩和した。さらに検討を進めたところ、２層構成の下地膜を備えた透明電極では、下地膜を連続膜として残存させると、透明導電膜を完全に分割したとしても、隣接する透明電極間における電気的絶縁を十分に確保できないことが見出された。
【００１１】
そこで、本発明は、アルカリ成分含有ガラス板と、このガラス板上に上記ガラス板側から順次積層された下地膜、透明導電膜、薄膜光電変換ユニットおよび金属電極膜を含み、上記下地膜が、上記ガラス板側から順次積層された結晶性の金属酸化物層および酸化珪素含有層を含み、上記金属酸化物層の膜厚が４０ｎｍ以上であり、上記酸化珪素含有層の膜厚が上記金属酸化物層の膜厚の５０％以下であり、電気的に互いに直列に接続された複数のセルが形成されるように、上記下地膜、上記透明導電膜、上記薄膜光電変換ユニットおよび上記金属電極膜がそれぞれ複数に分割されており、さらに、上記ガラス板と複数に分割された上記下地膜との間に、連続した酸化珪素含有アルカリバリア膜が形成されている集積型薄膜光電変換装置を提供する。
【００１３】
本発明は、別の側面から、アルカリ成分含有ガラス板と、このガラス板上に上記ガラス板側から順次積層された下地膜および透明導電膜を含み、この下地膜が、上記ガラス板側から順次積層された結晶性の金属酸化物層および酸化珪素含有層を含み、上記金属酸化物層の膜厚が４０ｎｍ以上であり、上記酸化珪素含有層の膜厚が上記金属酸化物層の膜厚の５０％以下であり、上記ガラス板と上記下地膜との間に、酸化珪素含有アルカリバリア膜が形成された、透明電極付きガラス基板に、レーザー光を照射することにより、上記アルカリバリア膜を連続した膜として残しながら上記透明導電膜および上記下地膜を複数に分割する工程と、複数に分割された上記透明導電膜上に薄膜光電変換ユニットを形成する工程と、レーザー光を照射することにより上記薄膜光電変換ユニットを複数に分割する工程と、複数に分割された上記薄膜光電変換ユニット上に金属電極膜を形成する工程と、レーザー光を照射して上記金属電極膜および上記薄膜光電変換ユニットを複数に分割することにより、電気的に互いに直列に接続された複数のセルを形成する工程と、を含む、集積型薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の集積型薄膜光電変換装置の一形態では、互いに直列に接続された複数のセルが配置されるガラス板表面の全領域において、ガラス板と下地膜との間に、下地膜とは別にアルカリバリア膜が配置される。このアルカリバリア膜により、ガラス板から、透明導電膜、薄膜光電変換ユニットなどへのアルカリ成分の拡散が抑制される。アルカリ成分は、下地膜を構成する結晶性の金属酸化物層の光吸収を増加させるため、下地膜からも排除すべき成分である。こうして、集積型薄膜光電変換装置を構成する各膜の変質が抑制され、この装置の光電変換特性が向上する。また、ガラス板と下地膜との間にアルカリバリア膜を介在させると、下地膜の変質が抑制され、レーザー光のスキャンによる膜分割を安定して実施できる。さらに、透明導電膜と共に下地膜を分割することとしたため、隣接する透明電極間における電気的絶縁も確保しやすくなる。
【００１５】
図１は、本発明の集積型薄膜光電変換装置の一形態を示す断面図である。この集積型薄膜光電変換装置は、アルカリ成分含有ガラス板であるソーダライムガラス板１を基板としている。この基板上に、アルカリバリア膜２、透明電極（下地膜３および透明導電膜４）、薄膜光電変換ユニット５、金属電極膜６、封止樹脂膜７、有機保護膜８が順次積層されている。
【００１６】
この集積型薄膜光電変換装置では、薄膜光電変換ユニット５が分離溝２３により分割されている。各セル１０は、分離溝２３により境界を画された薄膜光電変換ユニット５とこれを挟持する金属電極膜（裏面電極）６および透明電極（前面電極）３，４とを含み、裏面電極６および前面電極３，４は、分離溝２２に充填された金属電極膜６により、隣接するセルの前面電極３，４および裏面電極６へとそれぞれ電気的に接続している。こうして、複数のセル１０は互いに電気的に直列に接続されている。
【００１７】
分離溝２１は、透明導電膜４を貫通し、さらに下地膜３を分断するが、その底部はアルカリバリア膜２に接し、ガラス板１の表面には達していない。分離溝２２，２３の底部は、ともに透明導電膜４に接している。分離溝２１，２２，２３は、互いに平行であって、かつそれぞれが隣接する同種の分離溝とも平行となるように、例えば分離溝２１は隣接する分離溝２１と平行となるように、形成するとよい。図２に示すように、集積型薄膜光電変換装置全体では、短冊状のセル１０が一対の電極バスバー１２，１２を結ぶ方向１３に沿って互いに直列に接続されている。この装置では、光電変換領域を確定するために絶縁溝１１が形成され、バスバー１２，１２から出力が取り出される。図１は、図２のＩ−Ｉ断面図に相当する。
【００１８】
ガラス板１としては、アルカリ成分を含むガラスであればよく、特に限定されないが、フロート法による大量に製造されるソーダライムガラス（フロートガラス）を用いれば足りる。このガラスは、ＳｉＯ₂、ＣａＯなどに加え、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏなどのアルカリ成分を含む。フロートガラスは、ｍ角級の大面積電力用光電変換装置に特に適している。
【００１９】
アルカリバリア膜２は、酸化珪素以外の成分を含んでいてもよいが、酸化珪素を主成分とする非晶質の被膜が適している。なお、本明細書において、「主成分」とは、慣用のとおり、過半を占める成分、具体的には５０重量％以上を占める成分をいう。アルカリバリア膜２の膜厚は、アルカリ成分の拡散を十分に抑制するためには、１５ｎｍ以上、さらに２０ｎｍ以上が好ましいが、過度に厚膜化する必要はなく、例えば１５ｎｍ〜５０ｎｍが好適である。
【００２０】
下地膜３は、図示した形態では結晶性の金属酸化物層３ａと酸化珪素含有層３ｂとからなる２層膜である。金属酸化物層３ａには、結晶粒の成長によりその表面には凹凸が現れる。酸化珪素含有層３ｂは、金属酸化物層３ａの表面の凹凸を反映した凹凸がその表面に形成されるように膜厚を選択することが好ましい。例えば、金属酸化物層３ａの膜厚を１５ｎｍ以上、酸化珪素含有層３ｂの膜厚を３５ｎｍ以下とすると、特許文献１で確認されているとおり、透明導電膜４の付着力向上の効果が顕著となる。
【００２１】
酸化珪素含有層３ｂが薄すぎると、この膜によるアルカリバリア機能は損なわれる。この機能を保持するための好ましい膜厚は、特許文献１に記載されているとおり、下地となる膜３ａの表面凹凸を考慮すると、２５ｎｍ以上である。しかし、ここでは下地膜３とは別にアルカリバリア膜２を形成しているため、酸化珪素含有層３ｂを２５ｎｍ未満、さらには２０ｎｍ以下にまで薄くしても、ガラス板１からのアルカリ成分の拡散を抑制できる。ただし、この層３ｂは、結晶性の金属酸化物層３ａと透明導電膜４との結晶粒の連続性を断ち切るためには、厚さが１０ｎｍ以上となるように形成することが好ましい。
【００２２】
酸化珪素含有層３ｂの薄膜化とともに結晶性の金属酸化物層３ａを厚膜化すると、下地膜３の表面の凹凸が顕著となる。この膜３の表面凹凸がある程度大きくなると、透明導電膜４の付着力の向上とともに、光閉じこめ効果も増大する。後述する実施例によると、下地膜３の表面凹凸がヘイズ率により評価して０．２％以上となると、集積型光電変換装置から得られる出力は向上した。なお、本明細書では、ヘイズ率は、一貫して、ガラス板側を光入射側として測定した値により表示する。
【００２３】
透明導電膜４を形成する前の状態でヘイズ率を０．２％以上とするためには、金属酸化物層３ａの膜厚を４０ｎｍ以上、さらには５０ｎｍ以上、例えば４０ｎｍ〜３００ｎｍとするとよい。そして、酸化珪素含有膜３ｂの膜厚を、金属酸化物層３ａの膜厚の５０％以下として、膜３ａの表面凹凸が緩和されすぎないようにするとよい。アルカリバリア膜２を介在させると下地膜３の設計自由度が増すため、酸化珪素含有層３ｂを薄膜化して、下地膜３全体をヘイズ増強膜として活用することが可能となる。
【００２４】
結晶性の金属酸化物層３ａは、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化チタンおよび酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種を含む被膜とすればよい。酸化珪素含有層３ｂは、酸化珪素以外の成分を含んでいてもよいが、酸化珪素を主成分とする非晶質の被膜が適している。なお、下地膜３は、２層構成に限らず、３以上の層を含んでいても構わない。
【００２５】
透明導電膜４としては、酸化亜鉛膜など導電性を示しうる各種酸化物を用いてもよいが、フッ素やアンチモンなどの不純物をドープして抵抗を下げた酸化錫膜が好ましい。透明導電膜４の膜厚は、電気抵抗を下げるために、５００ｍ以上、例えば５００ｎｍ〜１２００ｎｍ、さらには６００ｎｍ〜１０００ｎｍとするとよい。不純物の濃度は、特に制限されないが、フッ素であれば０．０３〜１．５モル％が適当である。下地膜３の表面凹凸を大きくすれば、透明導電膜４を形成した状態で測定したヘイズ率を１２％以上にまで高くすることもできる。アルカリバリア膜２および下地膜３を形成した状態で測定した透明電極付きガラス基板のヘイズ率を０．２％以上とすると、透明導電膜４の膜厚を極度に厚膜化することなく、例えば上記範囲程度の膜厚で、１２％以上、さらには１５％以上のヘイズ率を有する透明電極付きガラス基板を得ることができる。
【００２６】
薄膜光電変換ユニット５は、図示した形態では、非晶質光電変換ユニット５ａと結晶質光電変換ユニット５ｂとをこの順に積層したタンデム型となっている。非晶質光電変換ユニット５ａは、例えば透明導電膜４側から、ｐ型シリコン系半導体層、シリコン系非晶質光電変換層、ｎ型シリコン系半導体層をこの順に積層して形成すればよい。結晶質光電変換ユニット５ｂは、例えば非晶質光電変換ユニット５ａ側から、ｐ型シリコン系半導体層、シリコン系結晶質光電変換層、ｎ型シリコン系半導体層をこの順に積層して形成すればよい。ただし、薄膜光電変換ユニット５はタンデム型に限られるわけではない。なお、本明細書では、「結晶質」を、多結晶および微結晶を包含し、部分的に非晶質を含むことを許容する用語として使用する。
【００２７】
非晶質光電変換ユニット５ａと結晶質光電変換ユニット５ｂとは、互いに吸収波長域が異なっている。例えば、両光電変換ユニット５ａ，５ｂにおける光電変換層をそれぞれ非晶質シリコン層および結晶質シリコン層とすると、非晶質光電変換ユニット５ａは波長５５０ｎｍ程度の光を、結晶質光電変換ユニット５ｂは波長９００ｎｍ程度の光を最も効率的に吸収する。タンデム型の薄膜光電変換ユニットを用いると、異なる波長域の光を有効に利用できる。
【００２８】
非晶質光電変換ユニット５ａの厚さは０．１μｍ〜０．５μｍが、結晶質光電変換ユニット５ｂの厚さは１μｍ〜５μｍがそれぞれ好ましい。結晶質光電変換ユニット５ｂでは、非晶質光電変換ユニット５ａよりも、光電変換層の光吸収係数が小さいため、このユニット５ｂの厚さは、非晶質光電変換ユニット４ａの５倍〜１０倍程度とするとよい。
【００２９】
金属電極膜６は、裏面電極としての機能とともに、入射光を薄膜光電変換ユニット５へと反射する機能も有する。金属電極膜６は、銀、アルミニウムなどから形成するとよい。金属電極膜６の好ましい膜厚は、２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００３０】
金属電極膜６およびこれよりもガラス板１側にある各膜は、封止樹脂膜７および有機保護膜８により封止され、保護されている。封止樹脂膜７は、有機保護膜８を接着する役割も担う。封止樹脂膜７としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合体）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）、ＰＩＢ（ポリイソブチレン）、シリコーン樹脂などのフィルムを用いればよい。有機保護膜８は、例えば、ポリフッ化ビニルフィルム（例えば「テドラーフィルム」（登録商標））のようなフッ素樹脂系フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどを用いればよい。これらの膜７，８は、単層であっても複数層からなっていてもよい。有機保護膜８として、アルミニウムなどからなる金属箔を含む多層膜、例えば金属箔を上記に例示した有機フィルムで挟持した３層構成、としてもよい。アルミニウム箔などの金属箔を用いると、水分の侵入を効果的に防止できる。これらの膜７，８は、真空ラミネート法により同時に貼り付けると、効率よく形成できる。
【００３１】
本発明の透明電極付きガラス基板に含まれる各膜の形成方法は、特に制限されず、真空蒸着法、スパッタリング法、ゾル−ゲル法、液相析出法、焼き付け法、スプレー法、化学気相法（ＣＶＤ法）などを適宜用いればよいが、被膜形成原料の熱分解を伴う方法（熱分解法）、例えば溶液スプレー法などの各種スプレー法、特に熱ＣＶＤ法が適している。この透明電極付きガラス基板は、図３に示すように、アルカリ含有ガラス板１上に、アルカリバリア膜２、下地膜３ａ，３ｂ、透明導電膜４をこの順に形成して作製される。
【００３２】
アルカリバリア膜２として、熱分解法により酸化ケイ素膜を形成する場合には、モノシラン、ジシラン、ジクロロシラン、四塩化ケイ素などの無機ケイ素化合物；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジブトキシジアセトキシシランなどの有機ケイ素化合物をケイ素原料として用いればよい。ケイ素原料を酸化するための酸化原料としては、酸素、オゾン、アセトン、二酸化炭素などが適している。なお、モノシラン、ジシランなどのシランガスをケイ素原料とする場合には、エチレン、アセチレン、トルエン、エタンなどを添加すると、酸化ケイ素膜を安定して成膜できる。
【００３３】
結晶性の金属酸化物層３ａとして、熱分解法により酸化錫膜を形成する場合には、四塩化錫などの無機錫化合物、モノメチル錫トリクロライド、モノブチル錫トリクロライド（ＭＢＴＣ）、ジメチル錫ジクロライド（ＤＭＴ）、ジブチル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル錫、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテートなどの有機錫化合物を錫原料として用いればよい。錫原料を酸化するための酸化原料としては、乾燥空気、酸素、水蒸気、オゾンなどが適している。酸化珪素含有膜３ｂとして、熱分解法により酸化ケイ素膜を形成する場合には、上記に例示した原料を用いればよい。
【００３４】
表面凹凸が大きい結晶性の金属酸化物層３ａを得るためには、錫原料としてＤＭＴを用いるＣＶＤ法による場合には、基板温度を高く（例えば６００℃以上、特に６５０〜７５０℃）、水蒸気濃度を高く（被膜形成ガスにおける最大濃度の酸化原料とする；例えば５〜４０モル％）、酸素濃度を低く（１５モル％以下、特に１０モル％以下、例えば５〜１５モル％）、保持するとよい。
【００３５】
透明導電膜４として、不純物をドープした酸化錫膜を形成する場合には、上記に例示した酸化錫膜の原料に加え、ドーピング剤として、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、クロルジフルオロメタンなどのフッ素ドーピング剤；五塩化アンチモン、三塩化アンチモンなどのアンチモンドーピング剤を用いればよい。
【００３６】
図３に示した透明電極付きガラス基板を量産する好ましい方法は、フロートガラス製造工程におけるガラスリボン上へのＣＶＤ法、いわゆるオンラインＣＶＤ法である。この方法を用いれば、ガラスリボンが有する熱を利用して被膜形成原料（被膜形成ガス）の熱分解を行うことができる。この方法を用いれば、フロートガラスのトップ面（フロートバスにおける溶融錫接触面であるボトム面とは反対側の表面）に、上記各膜２，３ａ，３ｂ，４を極めて効率よく成膜できる。
【００３７】
オンラインＣＶＤ法は、図９に示した装置により実施できる。この装置では、溶融炉３１で溶解したガラス原料が錫フロート槽３２へと流れ出し、この槽３２内の錫浴３４上で所定厚みを有するガラスリボン３０へと成形される。槽３２内のガラスリボン３０上には、複数のコータ３５が配置されており、これらのコータ３５から被膜形成ガスが供給され、ガラスリボン上に、アルカリバリア膜、下地膜、透明導電膜が順次積層されていく。なお、ガラスリボン３０の温度は、コータ３５の直前で所定温度となるように、錫フロート槽３２内に設置されたヒーターおよびクーラー（図示省略）により制御される。ガラスリボン３０は、ロール３６によって錫フロート槽３２から引き上げられ、徐冷炉３３で徐冷され、さらに下流側で所定の大きさに切断される。なお、コータの数は、図示した形態に制限されず、複数のコータを用いて単一の膜を形成してもよい。
【００３８】
透明電極付きガラス基板における下地膜３ａ，３ｂ、透明導電膜４をそれぞれ最上層とする状態でのヘイズ率の好ましい範囲は、以下のとおりである。
結晶性の金属酸化物層３ａ０．２〜５％
酸化珪素含有層３ｂ０．２〜５％
透明導電膜４１２〜５０％
【００３９】
以下、図３に示した透明電極付きガラス基板を用いて集積型薄膜光電変換装置を作製する方法の一例を、図４〜図８を参照して説明する。まず、図４に示すように、透明電極付きガラス基板の透明導電膜４および下地膜３に、レーザー光を照射して分離溝２１を形成する。レーザー光は、酸化珪素含有アルカリバリア膜２を分断しないように強度などを調整してスキャンされる。なお、結晶性の金属酸化物膜３ａを確実に分断するために、この膜３ａにおける自由電子キャリアを高めてレーザー光の吸収率を向上させてもよい。具体的には、結晶性の金属酸化物膜３ａの抵抗率が１×１０^-1Ω・ｃｍ以下となる程度にフッ素などの不純物をドープするとよい。
【００４０】
次いで、図５に示すように、薄膜光電変換ユニット５を透明導電膜４上に形成する。分離溝２１には、このユニットを構成する材料が充填され、隣接する透明導電膜４を絶縁する。薄膜光電変換ユニット５を構成する各層は、従来から知られている方法に従い、プラズマＣＶＤ法により形成すればよい。
【００４１】
さらに、図６に示すように、レーザー光を照射して分離溝２２を形成する。引き続き、図７に示すように、金属電極膜６を形成する。分離溝２２は、その内部に充填された金属材料により、金属電極膜６と透明電極２，３とを導通させる接続溝となる。その後、図８に示すように、レーザー光の照射により形成される分離溝２３により、各セル１０が電気的に絶縁される。最後に、図１に示すように、封止樹脂膜７および有機保護膜８が形成されて集積型薄膜光電変換装置が得られる。
【００４２】
【実施例】
以下に示す手順で、図１および図２と同様の構成を有する集積型薄膜光電変換装置を作製した。ここでは、アルカリ含有ガラス板１としてソーダライムガラスを用い、アルカリバリア膜２として非晶質ＳｉＯ₂膜を、結晶性の金属酸化物膜３ａとしてＳｎＯ₂膜を、酸化珪素含有膜３ｂとして非晶質ＳｉＯ₂膜を、透明導電膜４としてフッ素をドープしたＳｎＯ₂（ＳｎＯ₂：Ｆ）膜をそれぞれ形成した。
【００４３】
各膜は、図９と同様の装置を用いたオンラインＣＶＤ法によりガラスリボン上に順次堆積させた。ガラスリボンの厚さは５ｍｍとした。最上流側のコータ直前のガラスリボンの温度は７００〜７５０℃とした。このコータからは、モノシラン、エチレン、酸素、窒素からなる混合ガスを供給して非晶質ＳｉＯ₂アルカリバリア膜を形成した。２番目のコータからは、ジメチル錫ジクロライド（ＤＭＴ）、水蒸気、酸素、ヘリウム、窒素からなる混合ガスを供給してＳｎＯ₂膜を形成した。なお、この混合ガスにおける水蒸気および酸素の濃度は、それぞれ２５モル％、７モル％とした。３番目のコータからは、モノシラン、エチレン、酸素、窒素からなる混合ガスを供給して非晶質ＳｉＯ₂膜を形成した。残りのコータからは、ＤＭＴ、酸素、水蒸気、窒素、ヘリウム、フッ化水素からなる混合ガスを供給してＳｎＯ₂：Ｆ膜を形成した。ガラスリボンは、下流側で切断して採板し、最終的には９１０ｍｍ×９１０ｍｍの大きさへと切断した。
【００４４】
各層の膜厚を（表１）に示す。膜厚は、混合ガスの供給速度および濃度を制御して調整した。ＳｎＯ₂：Ｆ膜（透明導電膜）の膜厚は、８００ｎｍで一定とした。（表１）における比較例では、最上流側のコータから窒素ガスのみを供給してＳｉＯ₂アルカリバリア膜の形成を省略した。
【００４５】
こうして得た各透明電極付きガラス基板について、ガラス板側を光入射側とするヘイズ率と、透明電極のシート抵抗値とを測定した。また、下地膜によるヘイズ率への寄与を調査するために、ＳｎＯ₂：Ｆ膜を形成しない以外は上記と同様にして、最上層をＳｉＯ₂膜とする薄膜付きガラス板を得た。さらに、ＳｎＯ₂：Ｆ膜およびＳｉＯ₂膜を形成しない以外は上記と同様にして、最上層をＳｎＯ₂膜とする薄膜付きガラス板を得た。これらの薄膜付きガラス板についても、ヘイズ率を測定した。なお、ヘイズ率の測定は、曇価測定法（ＪＩＳＫ７１０５−１９８１）に準拠した。膜厚は、サンプルの断面の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）像から平均値を計算することにより定めた。これらの結果を（表１）に併せて示す。
【００４６】
【表１】

【００４７】
亜鉛粉末を触媒とした塩酸を用いたエッチングにより、透明電極付きガラス基板からＳｎＯ₂：Ｆ膜のみを除去して最上層をＳｉＯ₂膜とする薄膜付きガラス板を得た。こうして得た薄膜付きガラス板のヘイズ率は、ＳｎＯ₂：Ｆ膜の形成を省略して得たサンプルのヘイズ率（（表１）のＳｉＯ₂下地膜の欄に示された値）とほぼ同様となった。
【００４８】
さらに、図４〜図８に示した手順により、上記各透明電極付きガラス基板から集積型薄膜光電変換装置を作製した。まず、ＹＡＧＩＲパルスレーザ（波長：１０６４ｎｍ）をＳｎＯ₂：Ｆ膜側から照射しスキャンすることにより、ＳｎＯ₂：Ｆ膜、ＳｉＯ₂膜、ＳｎＯ₂膜のスクライブを行い、ＳｉＯ₂アルカリバリア膜を連続膜として残しつつ、これら３層の膜を複数の帯状体へと分割した。分離溝の幅および間隔は、それぞれ４０μｍおよび８．９ｍｍとした。帯状体の数は１００個である。
【００４９】
透明電極を分割したガラス板を洗浄し、乾燥した後、プラズマＣＶＤ法により、ＳｎＯ₂：Ｆ膜上に、厚さ３５０ｎｍの非晶質光電変換ユニットを形成した。このユニットは、ｐ型層であるボロンドープ非晶質シリコンカーバイド層、光電変換層であるノンドープ非晶質シリコン層、ｎ型層であるリンドープ微結晶シリコン層がこの順に積層されている。引き続き、プラズマＣＶＤ法により、非晶質光電変換ユニット上に膜厚２．５μｍの結晶質光電変換ユニットを成膜した。このユニットには、ｐ型層であるボロンドープ微結晶シリコン層、光電変換層であるノンドープ多結晶シリコン層、ｎ型層であるリンドープ微結晶シリコン層がこの順に積層されている。
【００５０】
次いで、ＹＡＧＳＨＧパルスレーザー（波長：５３２ｎｍ）をガラス面側から照射しスキャンすることにより、非晶質光電変換ユニットおよび結晶質光電変換ユニットのスクライブを行い、これらユニットを複数の帯状体へと分割した。分離溝の幅は６０μｍとした。この分離溝と、ＳｎＯ₂：Ｆ膜などを分割する分離溝との中心間距離は１００μｍとした。
【００５１】
さらに、これらユニット上に、スパッタリング法により、ＺｎＯ膜およびＡｇ膜を順次成膜して金属裏面電極膜とした。引き続き、上記ＹＡＧＳＨＧパルスレーザーをガラス面側から照射しスキャンすることにより、２つの光電変換ユニットおよび金属裏面電極膜を複数の帯状体へと分割した。分離溝の幅は６０μｍとした。この分離溝と、ユニットを分割する分離溝との中心間距離は１００μｍとした。
【００５２】
発電領域を確定するために、上記ＹＡＧＩＲパルスレーザーをガラス板の周囲に沿ってスキャンすることにより、下地膜（ＳｎＯ₂膜、ＳｉＯ₂膜）、透明導電膜（ＳｎＯ₂：Ｆ膜）、薄膜光電変換ユニット、金属裏面電極膜に絶縁溝を形成し、さらに、上記ＹＡＧＳＨＧパルスレーザをガラス板の周囲に沿ってスキャンすることにより、薄膜光電変換ユニットおよび金属裏面電極膜に溝を形成した。その後、電極バスバーとして半田メッキ銅箔を取り付け、封止樹脂膜としてＥＶＡシートを、有機保護膜としてフッ素樹脂系シート（「テドラー」（登録商標））を乗せ、真空ラミネート法を用いてこれらシートにより各膜を封止した。こうして、それぞれ８．９ｍｍ×８９０ｍｍのサイズを有するハイブリッド型薄膜光電変換セルが、所定方向に１００段直列に接続された集積型薄膜光電変換装置を得た。
【００５３】
各集積型薄膜光電変換装置の光電変換特性を、光源としてキセノンランプおよびハロゲンランプを用いた放射照度１００ｍＷ／ｃｍ²、ＡＭ１．５のソーラーシュミレータを用いて２５℃で測定した。結果を（表２）に示す。各集積型薄膜光電変換装置は、ＡＭ１．５スペクトル下で、短絡電流が結晶質光電変換ユニットの光電変換層の膜厚により定まるいわゆるボトム律速の状態にあることが各サンプルから切り出した小面積サンプルの分光感度測定により確認された。
【００５４】
さらに、各集積型薄膜光電変換装置のバスバー間に１５０Ωの負荷抵抗を接続し、受光面に疑似太陽光を照射しながら、８５℃、８５％の恒温恒湿槽内に５０００時間設置し、受光面側から見た集積型薄膜光電変換装置の膜の変化を目視により確認した。目視による変化がない場合を「良好」、変色点が確認された場合を「不良」と判断した。結果を併せて（表２）に示す。
【００５５】
【表２】

【００５６】
比較例の光電変換特性は、透明電極付きガラス基板のヘイズ率（１７％）から予想されるよりも大きく劣っており、信頼性試験の結果も不良となった。比較例の透明電極付きガラス基板のＴＥＭ像では、図１０に示すように、下地膜３を分断しガラス板１の表面にまで達する分離溝２５と、透明導電膜４のみを分断する分離溝２６とが観察された。同じ強度のレーザ光でスキャンした比較例において２種類の分離溝２５，２６が混在していたのは、ガラス板１からＳｎＯ₂層３ａへのアルカリ成分の拡散量の相違による。比較例において光電変換特性が大きく見劣りし、かつ信頼性も十分でないのは、分離溝２６による透明電極の不十分な絶縁、ガラス板１から分離溝２５を通じて拡散したアルカリ成分による各膜の劣化、さらにはアルカリ成分によるＳｎＯ₂膜３ａの変質によると考えられる。
【００５７】
実施例６では、ＳｉＯ₂アルカリバリア膜が形成されているため、比較例よりも良好な光電変換特性が得られた。実施例６でも信頼性試験の結果は不良であるが、比較例よりも変色の程度は小さかった。しかし、このＳｉＯ₂アルカリバリア膜は厚さが１５ｎｍ未満であるため、アルカリ成分のバリア効果が十分ではなく、光電変換特性は十分に改善していない。
【００５８】
（表１）における参照例１，２および実施例１の対比により、透明電極付きガラス基板のヘイズ率に寄与しうるＳｎＯ₂膜の膜厚は４０ｎｍ以上であることが確認できた。実施例１以降では、ＳｉＯ₂膜の膜厚もＳｎＯ₂膜の表面凹凸による効果を阻害しない範囲に抑えられている。（表２）のとおり、透明電極付きガラス基板のヘイズ率の上昇に伴って集積型薄膜光電変換装置の短絡電流は増加した。短絡電流の増加は、ヘイズ率が８〜１５％の間において特に顕著となった。
【００５９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したとおり、本発明では、集積型薄膜光電変換装置に適した透明電極構造を採用しているため、この装置の光電変換特性を向上させ、その信頼性を改善し、さらには、透明電極の一部である下地膜のレーザー光による加工の安定性を増し、ひいては集積型薄膜光電変換装置の製造効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の集積型薄膜光電変換装置の一形態を示す断面図である。
【図２】図１の集積型薄膜光電変換装置の平面図である。
【図３】本発明の透明電極付きガラス基板の一形態を示す断面図である。
【図４】本発明の集積型薄膜光電変換装置の製造方法の一例における一工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に引き続いて行われる一工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に引き続いて行われる一工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に引き続いて行われる一工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に引き続いて行われる一工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の透明電極付きガラス基板の製造に適した装置の構成を示す図である。
【図１０】従来の集積型薄膜光電変換装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１アルカリ成分含有ガラス板
２酸化珪素含有アルカリバリア膜
３下地膜
３ａ結晶性の金属酸化物層
３ｂ酸化珪素含有層
４透明導電膜
５薄膜光電変換ユニット
５ａ非晶質光電変換ユニット
５ｂ結晶質光電変換ユニット
６金属電極膜
７封止樹脂膜
８有機保護膜
２１，２２，２３分離溝[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to improvement of conversion efficiency of an integrated thin film photoelectric conversion device, and more particularly to improvement of photoelectric conversion efficiency and reliability of an integrated thin film photoelectric conversion device based on improvement of a glass substrate with a transparent electrode.
[0002]
[Prior art]
In a so-called super straight type integrated thin film photoelectric conversion device, a plurality of strip-shaped thin film photoelectric conversion cells are connected in series to each other on a glass substrate. The thin film photoelectric conversion cell is formed by forming and patterning a thin film photoelectric conversion unit and a metal electrode film on a glass substrate with a transparent electrode. Patterning of each layer is usually performed by laser light irradiation.
[0003]
In the integrated thin film photoelectric conversion device, in order to increase the amount of light used for photoelectric conversion in the thin film photoelectric conversion unit, the surface of the transparent electrode on the light incident side is provided with irregularities (surface texture). The light confinement effect between the two is utilized. The contribution to the light confinement effect of the glass substrate with a transparent electrode can be evaluated using the haze ratio as an index.
[0004]
Patent Document 1 discloses a metal oxide layer (for example, SnO) having a crystallinity of 150 mm (15 nm) or more on an alkali-containing glass plate having a smooth surface. ₂ Film) and an alkali barrier layer (SiO2) having a film thickness reflecting the surface irregularities of the metal oxide layer ₂ And a transparent conductive film (for example, SnO doped with fluorine) having a thickness of 5000 mm (500 nm) or more on the two underlying films. ₂ Membrane, hereinafter “SnO ₂ : A glass substrate with a transparent electrode formed thereon is also disclosed. This glass substrate with a transparent electrode includes two layers of a base film and a transparent conductive film as a transparent electrode, and the alkali barrier layer that is a part of the base film suppresses the diffusion of alkali components from the glass plate. This is because the elution of the alkali component causes alteration and damage of the transparent conductive film and the photoelectric conversion unit.
[0005]
In this substrate, the metal oxide layer having crystallinity is formed to give unevenness to the surface of the alkali barrier layer. The transparent conductive film deposited on the uneven alkali barrier layer is in an amorphous state at the initial stage of growth because the crystal grains tend to grow in random directions. This layer in the amorphous state relieves internal stress of the film caused by the crushing of crystal grains accompanying the growth of crystal grains. Thus, even if the film is grown to 500 nm or more in order to reduce the resistance, generation of hair cracks and film peeling in the transparent conductive film are suppressed.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2000-261413 A ([0009] to [0013])
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The underlayer film having a two-layer structure disclosed in Patent Document 1 has an effect of preventing hair cracks of the transparent conductive film and improving its adhesion. However, even if an integrated-type thin film photoelectric conversion device is manufactured using the glass substrate with a transparent electrode disclosed in Patent Document 1, the photoelectric conversion characteristics as expected from the characteristics (for example, haze ratio) of the glass substrate with a transparent electrode are obtained. I can't get it.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the manufacturing process of the integrated thin film photoelectric conversion device, it is necessary to divide the transparent electrode into a plurality of strips in advance before forming a thin film photoelectric conversion unit or the like on a glass substrate with a transparent electrode. When the transparent electrode is all divided in the thickness direction by laser light irradiation, the alkali component diffuses from the glass plate through the separation groove formed by the laser light scanning. By separating only the transparent conductive film and forming the separation groove so that the base film remains as a continuous film, for example, a transparent electrode having only a single alkali barrier layer as the base film (for example, from the glass plate side, SiO 2 ₂ Film / SnO ₂ : F film) can be sufficiently realized by adjusting the intensity of the laser beam.
[0009]
However, a transparent electrode (for example, SnO from the glass plate side) provided with the base film having the above two-layer structure. ₂ Film / SiO ₂ Film / SnO ₂ : F film), even if the laser beam was irradiated and scanned at a constant intensity adjusted in advance, the base film was sometimes divided depending on the sample. Further, in the same sample, a part where the separation groove divides the base film and a part where the separation film does not divide may be mixed. If the base film is changed from a single layer to a two-layer structure, it becomes difficult to control the depth of the separation groove for dividing the transparent electrode.
[0010]
This phenomenon includes a crystalline metal oxide layer (for example, SnO 2) due to diffusion of alkali components from the glass plate to the base film. ₂ Alteration of the membrane) is involved. When an alkali barrier film was further formed between the glass plate and the two-layer base film to suppress the diffusion of the alkali component into the base film, the instability of the separation groove depth was alleviated. As a result of further investigation, in a transparent electrode having a two-layer base film, if the base film remains as a continuous film, even if the transparent conductive film is completely divided, electrical insulation between adjacent transparent electrodes It was found that it was not possible to secure sufficient.
[0011]
Therefore, the present invention includes an alkali component-containing glass plate, and a base film, a transparent conductive film, a thin film photoelectric conversion unit, and a metal electrode film sequentially laminated on the glass plate from the glass plate side, and the base film is Including a crystalline metal oxide layer and a silicon oxide-containing layer sequentially laminated from the glass plate side, The thickness of the metal oxide layer is 40 nm or more, the thickness of the silicon oxide-containing layer is 50% or less of the thickness of the metal oxide layer, In order to form a plurality of cells electrically connected in series with each other, The base film, The transparent conductive film, the thin film photoelectric conversion unit, and the metal electrode film are each divided into a plurality of pieces, and further, a continuous silicon oxide-containing alkali barrier is provided between the glass plate and the divided base film. Provided is an integrated thin film photoelectric conversion device in which a film is formed.
[0013]
The present invention Another From the side of A crystalline metal oxide comprising an alkali component-containing glass plate, a base film and a transparent conductive film sequentially laminated on the glass plate from the glass plate side, wherein the base film is sequentially laminated from the glass plate side The glass plate includes a layer and a silicon oxide-containing layer, wherein the metal oxide layer has a thickness of 40 nm or more, the silicon oxide-containing layer has a thickness of 50% or less of the thickness of the metal oxide layer, A silicon oxide-containing alkali barrier film was formed between the base film and the base film, For glass substrates with transparent electrodes , By irradiating with laser light While leaving the alkali barrier film as a continuous film A step of dividing the transparent conductive film and the base film into a plurality; a step of forming a thin film photoelectric conversion unit on the divided transparent conductive film; and the thin film photoelectric conversion unit by irradiating a laser beam. Dividing the metal electrode film and the thin film photoelectric conversion unit into a plurality of steps, forming a metal electrode film on the thin film photoelectric conversion unit divided into a plurality of steps, and irradiating a laser beam Forming a plurality of cells electrically connected in series with each other. Mu A method for manufacturing an integrated thin film photoelectric conversion device is provided.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In one form of the integrated thin film photoelectric conversion device of the present invention, in the entire region of the glass plate surface where a plurality of cells connected in series with each other are arranged, the glass plate and the base film are separated from the base film. An alkali barrier film is disposed. The alkali barrier film suppresses the diffusion of alkali components from the glass plate to the transparent conductive film, the thin film photoelectric conversion unit, and the like. The alkali component is a component that should be excluded from the base film in order to increase the light absorption of the crystalline metal oxide layer constituting the base film. Thus, alteration of each film constituting the integrated thin film photoelectric conversion device is suppressed, and the photoelectric conversion characteristics of this device are improved. Further, when an alkali barrier film is interposed between the glass plate and the base film, alteration of the base film is suppressed, and film division by scanning with laser light can be stably performed. Furthermore, since the base film is divided together with the transparent conductive film, it is easy to ensure electrical insulation between adjacent transparent electrodes.
[0015]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an integrated thin film photoelectric conversion device of the present invention. This integrated thin film photoelectric conversion device uses a soda lime glass plate 1 which is an alkali component-containing glass plate as a substrate. On this substrate, the alkali barrier film 2, the transparent electrode (the base film 3 and the transparent conductive film 4), the thin film photoelectric conversion unit 5, the metal electrode film 6, the sealing resin film 7, and the organic protective film 8 are sequentially laminated. .
[0016]
In this integrated thin film photoelectric conversion device, the thin film photoelectric conversion unit 5 is divided by a separation groove 23. Each cell 10 includes a thin film photoelectric conversion unit 5 delimited by a separation groove 23, a metal electrode film (back electrode) 6 and transparent electrodes (front electrodes) 3 and 4 sandwiching the thin film photoelectric conversion unit 5, and the back electrode 6 and The

front electrodes

3 and 4 are electrically connected to the

front electrodes

3 and 4 and the back electrode 6 of the adjacent cells by the metal electrode film 6 filled in the separation groove 22, respectively. Thus, the plurality of cells 10 are electrically connected to each other in series.
[0017]
The separation groove 21 penetrates the transparent conductive film 4 and further divides the base film 3, but its bottom is in contact with the alkali barrier film 2 and does not reach the surface of the glass plate 1. The bottoms of the

separation grooves

22 and 23 are both in contact with the transparent conductive film 4. When the

separation grooves

21, 22, and 23 are parallel to each other and are also parallel to adjacent separation grooves of the same type, for example, the separation grooves 21 are formed to be parallel to the adjacent separation grooves 21. Good. As shown in FIG. 2, in the entire integrated thin film photoelectric conversion device, strip-shaped cells 10 are connected in series along a direction 13 connecting a pair of electrode bus bars 12, 12. In this apparatus, an insulating groove 11 is formed in order to determine a photoelectric conversion region, and outputs are taken out from the bus bars 12 and 12. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
[0018]
The glass plate 1 may be glass containing an alkali component, and is not particularly limited, but it is sufficient to use soda lime glass (float glass) manufactured in large quantities by the float process. This glass is made of SiO ₂ In addition to CaO, etc., Na ₂ O, K ₂ Contains alkali components such as O. The float glass is particularly suitable for an m-square class photoelectric conversion device for large area power.
[0019]
The alkali barrier film 2 may contain components other than silicon oxide, but an amorphous film mainly composed of silicon oxide is suitable. In the present specification, the “main component” means a component occupying a majority, specifically, a component occupying 50% by weight or more as usual. The film thickness of the alkali barrier film 2 is preferably 15 nm or more, and more preferably 20 nm or more in order to sufficiently suppress the diffusion of the alkali component, but it is not necessary to increase the film thickness excessively, for example, 15 nm to 50 nm is preferable. .
[0020]
The base film 3 is a two-layer film composed of a crystalline metal oxide layer 3a and a silicon oxide-containing layer 3b in the illustrated form. The metal oxide layer 3a has irregularities on its surface due to the growth of crystal grains. The thickness of the silicon oxide-containing layer 3b is preferably selected so that irregularities reflecting the irregularities on the surface of the metal oxide layer 3a are formed on the surface. For example, when the film thickness of the metal oxide layer 3a is 15 nm or more and the film thickness of the silicon oxide-containing layer 3b is 35 nm or less, as confirmed in Patent Document 1, the effect of improving the adhesion of the transparent conductive film 4 is remarkable. It becomes.
[0021]
If the silicon oxide-containing layer 3b is too thin, the alkali barrier function of this film is impaired. As described in Patent Document 1, a preferable film thickness for maintaining this function is 25 nm or more in consideration of surface irregularities of the film 3a serving as a base. However, since the alkali barrier film 2 is formed separately from the base film 3 here, even if the silicon oxide-containing layer 3b is thinned to less than 25 nm or even 20 nm or less, the diffusion of alkali components from the glass plate 1 Can be suppressed. However, in order to cut off the continuity of the crystal grains of the crystalline metal oxide layer 3a and the transparent conductive film 4, the layer 3b is preferably formed to have a thickness of 10 nm or more.
[0022]
When the crystalline metal oxide layer 3a is thickened along with the thinning of the silicon oxide-containing layer 3b, the unevenness of the surface of the base film 3 becomes remarkable. When the surface unevenness of the film 3 becomes large to some extent, the adhesion of the transparent conductive film 4 is improved and the light confinement effect is also increased. According to an example described later, when the surface roughness of the base film 3 was evaluated by the haze ratio and became 0.2% or more, the output obtained from the integrated photoelectric conversion device was improved. In the present specification, the haze ratio is consistently displayed by a value measured with the glass plate side as the light incident side.
[0023]
In order to set the haze ratio to 0.2% or more before forming the transparent conductive film 4, the thickness of the metal oxide layer 3a is preferably 40 nm or more, more preferably 50 nm or more, for example, 40 nm to 300 nm. The film thickness of the silicon oxide-containing film 3b is preferably set to 50% or less of the film thickness of the metal oxide layer 3a so that the surface unevenness of the film 3a is not alleviated too much. When the alkali barrier film 2 is interposed, the degree of freedom in design of the base film 3 is increased. Therefore, the silicon oxide-containing layer 3b can be thinned and the entire base film 3 can be used as a haze enhancement film.
[0024]
The crystalline metal oxide layer 3a may be a film containing at least one selected from, for example, tin oxide, indium oxide, titanium oxide, and zinc oxide. The silicon oxide-containing layer 3b may contain components other than silicon oxide, but an amorphous film mainly composed of silicon oxide is suitable. The base film 3 is not limited to the two-layer structure, and may include three or more layers.
[0025]
As the transparent conductive film 4, various oxides such as a zinc oxide film that can exhibit conductivity may be used, but a tin oxide film doped with impurities such as fluorine and antimony to reduce the resistance is preferable. The film thickness of the transparent conductive film 4 is preferably 500 m or more, for example, 500 nm to 1200 nm, more preferably 600 nm to 1000 nm, in order to reduce the electric resistance. The concentration of impurities is not particularly limited, but 0.03 to 1.5 mol% is appropriate for fluorine. If the surface unevenness of the base film 3 is increased, the haze ratio measured with the transparent conductive film 4 formed can be increased to 12% or more. When the haze ratio of the glass substrate with a transparent electrode measured in a state where the alkali barrier film 2 and the base film 3 are formed is 0.2% or more, the film thickness of the transparent conductive film 4 is not extremely increased, for example, A glass substrate with a transparent electrode having a film thickness in the above range and a haze ratio of 12% or more, and further 15% or more can be obtained.
[0026]
In the illustrated form, the thin film photoelectric conversion unit 5 is a tandem type in which an amorphous photoelectric conversion unit 5a and a crystalline photoelectric conversion unit 5b are stacked in this order. The amorphous photoelectric conversion unit 5a may be formed by, for example, laminating a p-type silicon-based semiconductor layer, a silicon-based amorphous photoelectric conversion layer, and an n-type silicon-based semiconductor layer in this order from the transparent conductive film 4 side. The crystalline photoelectric conversion unit 5b may be formed by stacking, for example, a p-type silicon-based semiconductor layer, a silicon-based crystalline photoelectric conversion layer, and an n-type silicon-based semiconductor layer in this order from the amorphous photoelectric conversion unit 5a side. . However, the thin film photoelectric conversion unit 5 is not limited to the tandem type. In the present specification, “crystalline” is used as a term that includes polycrystals and microcrystals, and that partially includes amorphous materials.
[0027]
The amorphous photoelectric conversion unit 5a and the crystalline photoelectric conversion unit 5b have different absorption wavelength ranges. For example, if the photoelectric conversion layers in both

photoelectric conversion units

5a and 5b are an amorphous silicon layer and a crystalline silicon layer, respectively, the amorphous photoelectric conversion unit 5a emits light having a wavelength of about 550 nm, and the crystalline photoelectric conversion unit 5b It absorbs light with a wavelength of about 900 nm most efficiently. When a tandem-type thin film photoelectric conversion unit is used, light in different wavelength ranges can be used effectively.
[0028]
The thickness of the amorphous photoelectric conversion unit 5a is preferably 0.1 μm to 0.5 μm, and the thickness of the crystalline photoelectric conversion unit 5b is preferably 1 μm to 5 μm. In the crystalline photoelectric conversion unit 5b, since the light absorption coefficient of the photoelectric conversion layer is smaller than that of the amorphous photoelectric conversion unit 5a, the thickness of the unit 5b is 5 to 10 times that of the amorphous photoelectric conversion unit 4a. It is good to have a degree.
[0029]
The metal electrode film 6 has a function of reflecting incident light to the thin film photoelectric conversion unit 5 as well as a function as a back electrode. The metal electrode film 6 is preferably formed from silver, aluminum or the like. A preferable film thickness of the metal electrode film 6 is 200 nm to 400 nm.
[0030]
The metal electrode film 6 and each film closer to the glass plate 1 than the metal electrode film 6 are sealed and protected by a sealing resin film 7 and an organic protective film 8. The sealing resin film 7 also serves to bond the organic protective film 8. As the sealing resin film 7, for example, a film such as EVA (ethylene / vinyl acetate copolymer), PVB (polyvinyl butyral), PIB (polyisobutylene), or silicone resin may be used. As the organic protective film 8, for example, a fluororesin film such as a polyvinyl fluoride film (for example, “Tedlar Film” (registered trademark)), a PET (polyethylene terephthalate) film, or the like may be used. These

films

7 and 8 may be a single layer or a plurality of layers. The organic protective film 8 may be a multilayer film including a metal foil made of aluminum or the like, for example, a three-layer structure in which the metal foil is sandwiched between the organic films exemplified above. When metal foil such as aluminum foil is used, moisture can be effectively prevented from entering. These

films

7 and 8 can be efficiently formed by applying them simultaneously by a vacuum laminating method.
[0031]
The formation method of each film contained in the glass substrate with a transparent electrode of the present invention is not particularly limited, and is a vacuum deposition method, a sputtering method, a sol-gel method, a liquid phase precipitation method, a baking method, a spray method, a chemical vapor phase method. (CVD method) or the like may be used as appropriate, but a method (thermal decomposition method) involving thermal decomposition of the film forming raw material, for example, various spray methods such as a solution spray method, in particular, thermal CVD method is suitable. As shown in FIG. 3, the glass substrate with a transparent electrode is produced by forming an alkali barrier film 2,

base films

3a and 3b, and a transparent conductive film 4 in this order on an alkali-containing glass plate 1.
[0032]
When a silicon oxide film is formed as the alkali barrier film 2 by a thermal decomposition method, inorganic silicon compounds such as monosilane, disilane, dichlorosilane, and silicon tetrachloride; tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, dibutoxydiacetoxysilane, and the like These organosilicon compounds may be used as silicon raw materials. As the oxidizing raw material for oxidizing the silicon raw material, oxygen, ozone, acetone, carbon dioxide and the like are suitable. When a silane gas such as monosilane or disilane is used as a silicon raw material, a silicon oxide film can be stably formed by adding ethylene, acetylene, toluene, ethane, or the like.
[0033]
When a tin oxide film is formed as the crystalline metal oxide layer 3a by thermal decomposition, an inorganic tin compound such as tin tetrachloride, monomethyltin trichloride, monobutyltin trichloride (MBTC), dimethyltin dichloride ( Organic tin compounds such as DMT), dibutyltin dichloride, tetramethyltin, tetrabutyltin, dibutyltin diacetate, and dioctyltin diacetate may be used as the tin raw material. As the oxidizing raw material for oxidizing the tin raw material, dry air, oxygen, water vapor, ozone and the like are suitable. When a silicon oxide film is formed by a thermal decomposition method as the silicon oxide-containing film 3b, the raw materials exemplified above may be used.
[0034]
In order to obtain the crystalline metal oxide layer 3a having a large surface unevenness, the substrate temperature is increased (for example, 600 ° C. or more, particularly 650 to 750 ° C.) and the water vapor concentration when the CVD method using DMT as a tin raw material is used. (Highest concentration of the oxidation raw material in the film forming gas; for example, 5 to 40 mol%) and low oxygen concentration (15 mol% or less, particularly 10 mol% or less, for example, 5 to 15 mol%). .
[0035]
When forming a tin oxide film doped with impurities as the transparent conductive film 4, in addition to the raw materials of the tin oxide film exemplified above, hydrogen fluoride, trifluoroacetic acid, bromotrifluoromethane, chlorodifluoro are added as doping agents. Fluorine doping agents such as methane; antimony doping agents such as antimony pentachloride and antimony trichloride may be used.
[0036]
A preferable method for mass-producing the glass substrate with a transparent electrode shown in FIG. 3 is a CVD method on a glass ribbon in a float glass manufacturing process, so-called online CVD method. If this method is used, the heat | fever which a glass ribbon has can be utilized and the thermal decomposition of the film formation raw material (film formation gas) can be performed. By using this method, the

films

2, 3a, 3b, and 4 can be formed very efficiently on the top surface of the float glass (the surface opposite to the bottom surface that is the molten tin contact surface in the float bath).
[0037]
The online CVD method can be performed by the apparatus shown in FIG. In this apparatus, the glass raw material melted in the melting furnace 31 flows out into the tin float tank 32 and is formed into a glass ribbon 30 having a predetermined thickness on the tin bath 34 in the tank 32. A plurality of coaters 35 are arranged on the glass ribbon 30 in the tank 32, and a film forming gas is supplied from these coaters 35, and an alkali barrier film, a base film, and a transparent conductive film are sequentially formed on the glass ribbon. It will be stacked. Note that the temperature of the glass ribbon 30 is controlled by a heater and a cooler (not shown) installed in the tin float bath 32 so as to reach a predetermined temperature immediately before the coater 35. The glass ribbon 30 is pulled up from the tin float tank 32 by a roll 36, gradually cooled in a slow cooling furnace 33, and further cut into a predetermined size on the downstream side. The number of coaters is not limited to the illustrated form, and a single film may be formed using a plurality of coaters.
[0038]
Preferred ranges of the haze ratio in the state where the

base films

3a and 3b and the transparent conductive film 4 are the uppermost layers in the glass substrate with a transparent electrode are as follows.
Crystalline metal oxide layer 3a 0.2-5%
Silicon oxide-containing layer 3b 0.2 to 5%
Transparent conductive film 4 12-50%
[0039]
Hereinafter, an example of a method for manufacturing an integrated thin film photoelectric conversion device using the glass substrate with a transparent electrode shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 4, the separation groove 21 is formed by irradiating the transparent conductive film 4 and the base film 3 of the glass substrate with a transparent electrode with laser light. The laser beam is scanned with the intensity adjusted so as not to divide the silicon oxide-containing alkali barrier film 2. In order to reliably divide the crystalline metal oxide film 3a, free electron carriers in the film 3a may be increased to improve the absorption rate of laser light. Specifically, the resistivity of the crystalline metal oxide film 3a is 1 × 10. ^-1 It is preferable to dope impurities such as fluorine to the extent that it is Ω · cm or less.
[0040]
Next, as shown in FIG. 5, the thin film photoelectric conversion unit 5 is formed on the transparent conductive film 4. The separation groove 21 is filled with a material constituting this unit and insulates the adjacent transparent conductive film 4. Each layer constituting the thin film photoelectric conversion unit 5 may be formed by a plasma CVD method according to a conventionally known method.
[0041]
Further, as shown in FIG. 6, the separation groove 22 is formed by irradiating laser light. Subsequently, as shown in FIG. 7, a metal electrode film 6 is formed. The separation groove 22 serves as a connection groove for electrically connecting the metal electrode film 6 and the

transparent electrodes

2 and 3 with a metal material filled therein. Thereafter, as shown in FIG. 8, each cell 10 is electrically insulated by a separation groove 23 formed by laser light irradiation. Finally, as shown in FIG. 1, the sealing resin film 7 and the organic protective film 8 are formed to obtain an integrated thin film photoelectric conversion device.
[0042]
【Example】
An integrated thin film photoelectric conversion device having the same configuration as that shown in FIGS. 1 and 2 was manufactured by the following procedure. Here, soda lime glass is used as the alkali-containing glass plate 1, and amorphous SiO 2 is used as the alkali barrier film 2. ₂ The film is made of SnO as a crystalline metal oxide film 3a. ₂ The film is made of amorphous SiO as a silicon oxide-containing film 3b. ₂ The film is SnO doped with fluorine as the transparent conductive film 4 ₂ (SnO ₂ : F) Each film was formed.
[0043]
Each film was sequentially deposited on the glass ribbon by an on-line CVD method using the same apparatus as in FIG. The thickness of the glass ribbon was 5 mm. The temperature of the glass ribbon immediately before the coater on the most upstream side was set to 700 to 750 ° C. From this coater, a mixed gas consisting of monosilane, ethylene, oxygen and nitrogen is supplied to form amorphous SiO. ₂ An alkali barrier film was formed. From the second coater, a mixed gas consisting of dimethyltin dichloride (DMT), water vapor, oxygen, helium, and nitrogen is supplied to produce SnO. ₂ A film was formed. The water vapor and oxygen concentrations in the mixed gas were 25 mol% and 7 mol%, respectively. From the third coater, a mixed gas consisting of monosilane, ethylene, oxygen and nitrogen is supplied to form amorphous SiO. ₂ A film was formed. From the remaining coater, a mixed gas consisting of DMT, oxygen, water vapor, nitrogen, helium, and hydrogen fluoride is supplied and SnO is supplied. ₂ : F film was formed. The glass ribbon was cut and sampled on the downstream side, and finally cut into a size of 910 mm × 910 mm.
[0044]
The film thickness of each layer is shown in (Table 1). The film thickness was adjusted by controlling the supply speed and concentration of the mixed gas. SnO ₂ : The film thickness of the F film (transparent conductive film) was constant at 800 nm. In the comparative example in (Table 1), only nitrogen gas is supplied from the most upstream coater and SiO 2 is supplied. ₂ The formation of the alkali barrier film was omitted.
[0045]
About each glass substrate with a transparent electrode obtained in this way, the haze rate which makes a glass plate side the light-incidence side, and the sheet resistance value of a transparent electrode were measured. In order to investigate the contribution to the haze ratio by the base film, SnO ₂ : Same as above except that no F film is formed. ₂ A glass plate with a thin film as a film was obtained. In addition, SnO ₂ : F film and SiO ₂ The top layer is made of SnO in the same manner as above except that no film is formed. ₂ A glass plate with a thin film as a film was obtained. Also about these glass plates with a thin film, the haze rate was measured. In addition, the measurement of the haze rate was based on the haze measurement method (JIS K7105-1981). The film thickness was determined by calculating an average value from a transmission electron microscope (TEM) image of the cross section of the sample. These results are also shown in (Table 1).
[0046]
[Table 1]

[0047]
Etching with hydrochloric acid using zinc powder as a catalyst to remove SnO from a glass substrate with a transparent electrode ₂ : Remove only the F film and the top layer is SiO ₂ A glass plate with a thin film as a film was obtained. The haze ratio of the glass plate with a thin film thus obtained was SnO ₂ : Haze rate of sample obtained by omitting formation of F film (SiO in (Table 1)) ₂ The value was almost the same as the value shown in the column of the underlayer.
[0048]
Furthermore, an integrated thin film photoelectric conversion device was fabricated from each of the glass substrates with transparent electrodes by the procedure shown in FIGS. First, a YAG IR pulse laser (wavelength: 1064 nm) is SnO. ₂ : SnO by irradiating and scanning from the F film side ₂ : F film, SiO ₂ Membrane, SnO ₂ Scribing the film, SiO ₂ The three-layer film was divided into a plurality of strips while leaving the alkali barrier film as a continuous film. The width and interval of the separation grooves were 40 μm and 8.9 mm, respectively. The number of strips is 100.
[0049]
The glass plate into which the transparent electrode was divided was washed and dried, and then SnO by the plasma CVD method. ₂ : An amorphous photoelectric conversion unit having a thickness of 350 nm was formed on the F film. In this unit, a boron-doped amorphous silicon carbide layer that is a p-type layer, a non-doped amorphous silicon layer that is a photoelectric conversion layer, and a phosphorus-doped microcrystalline silicon layer that is an n-type layer are stacked in this order. Subsequently, a crystalline photoelectric conversion unit having a film thickness of 2.5 μm was formed on the amorphous photoelectric conversion unit by plasma CVD. In this unit, a boron-doped microcrystalline silicon layer that is a p-type layer, a non-doped polycrystalline silicon layer that is a photoelectric conversion layer, and a phosphorus-doped microcrystalline silicon layer that is an n-type layer are stacked in this order.
[0050]
Next, YAG SHG pulse laser (wavelength: 532 nm) is irradiated and scanned from the glass surface side to scribe the amorphous photoelectric conversion unit and the crystalline photoelectric conversion unit, and divide these units into a plurality of strips. did. The width of the separation groove was 60 μm. This separation groove and SnO ₂ : The distance between the centers of the separation grooves for dividing the F film and the like was 100 μm.
[0051]
Further, a ZnO film and an Ag film were sequentially formed on these units by sputtering to form a metal back electrode film. Subsequently, the YAG SHG pulse laser was irradiated from the glass surface side and scanned, thereby dividing the two photoelectric conversion units and the metal back electrode film into a plurality of strips. The width of the separation groove was 60 μm. The center-to-center distance between the separation groove and the separation groove that divides the unit was 100 μm.
[0052]
By scanning the YAG IR pulse laser along the periphery of the glass plate in order to determine the power generation region, ₂ Film, SiO ₂ Film), transparent conductive film (SnO) ₂ : F film), a thin film photoelectric conversion unit, a metal back electrode film, an insulating groove is formed, and the YAG SHG pulse laser is scanned along the periphery of the glass plate, whereby the thin film photoelectric conversion unit and the metal back electrode film Grooves were formed. Then, solder-plated copper foil is attached as an electrode bus bar, an EVA sheet is placed as a sealing resin film, and a fluororesin-based sheet (“Tedlar” (registered trademark)) is placed as an organic protective film. Each membrane was sealed. Thus, an integrated thin film photoelectric conversion device was obtained in which hybrid thin film photoelectric conversion cells each having a size of 8.9 mm × 890 mm were connected in series in 100 stages in a predetermined direction.
[0053]
The photoelectric conversion characteristics of each integrated thin-film photoelectric conversion device are as follows. Irradiance using a xenon lamp and a halogen lamp as a light source is 100 mW / cm. ² , And measured at 25 ° C. using an AM1.5 solar simulator. The results are shown in (Table 2). Each integrated thin-film photoelectric conversion device is a small area sample cut out from each sample to be in a so-called bottom-controlled state where the short-circuit current is determined by the film thickness of the photoelectric conversion layer of the crystalline photoelectric conversion unit under the AM1.5 spectrum. It was confirmed by measuring the spectral sensitivity.
[0054]
Furthermore, a load resistance of 150Ω is connected between the bus bars of each integrated thin film photoelectric conversion device, and the light receiving surface is irradiated with pseudo-sunlight and placed in an 85 ° C., 85% constant temperature and humidity chamber for 5000 hours to receive light. The change of the film | membrane of the integrated thin film photoelectric conversion apparatus seen from the surface side was confirmed visually. The case where there was no visual change was judged as “good”, and the case where a discoloration point was confirmed was judged as “bad”. The results are also shown in (Table 2).
[0055]
[Table 2]

[0056]
The photoelectric conversion characteristics of the comparative example were greatly inferior to those predicted from the haze ratio (17%) of the glass substrate with a transparent electrode, and the reliability test results were also poor. In the TEM image of the glass substrate with a transparent electrode of the comparative example, as shown in FIG. 10, the separation groove 25 that divides the base film 3 to reach the surface of the glass plate 1 and the separation groove 26 that divides only the transparent conductive film 4. Was observed. In the comparative example scanned with the laser beam having the same intensity, the two kinds of

separation grooves

25 and 26 were mixed from the glass plate 1 to SnO. ₂ This is due to the difference in the diffusion amount of the alkali component into the layer 3a. In the comparative example, the photoelectric conversion characteristics are greatly inferior and the reliability is not sufficient. Insufficient insulation of the transparent electrode by the separation groove 26, deterioration of each film due to alkali components diffused from the glass plate 1 through the separation groove 25, Furthermore, SnO due to alkali components ₂ This is considered to be due to the alteration of the film 3a.
[0057]
Example 6 Then, SiO ₂ Since the alkali barrier film was formed, a photoelectric conversion characteristic better than that of the comparative example was obtained. Example 6 However, although the reliability test result was poor, the degree of discoloration was smaller than that of the comparative example. However, this SiO ₂ Since the alkali barrier film has a thickness of less than 15 nm, the barrier effect of the alkali component is not sufficient, and the photoelectric conversion characteristics are not sufficiently improved.
[0058]
In (Table 1) Reference Examples 1 and 2 and Example 1 By contrast, SnO that can contribute to the haze ratio of the glass substrate with a transparent electrode ₂ It was confirmed that the film thickness was 40 nm or more. Example 1 In the following, SiO ₂ The film thickness is SnO ₂ It is suppressed to a range that does not impede the effect of the surface unevenness of the film. As shown in (Table 2), the short-circuit current of the integrated thin film photoelectric conversion device increased as the haze ratio of the glass substrate with a transparent electrode increased. The increase in the short-circuit current was particularly remarkable when the haze ratio was between 8 and 15%.
[0059]
【The invention's effect】
As described above in detail, in the present invention, since the transparent electrode structure suitable for the integrated thin film photoelectric conversion device is adopted, the photoelectric conversion characteristics of this device are improved, its reliability is improved, It is possible to increase the stability of processing of the base film, which is a part of the transparent electrode, with laser light, and to increase the manufacturing efficiency of the integrated thin film photoelectric conversion device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of an integrated thin film photoelectric conversion device of the present invention.
2 is a plan view of the integrated thin film photoelectric conversion device of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of a glass substrate with a transparent electrode according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining one step in an example of a method for producing an integrated thin film photoelectric conversion device of the present invention.
5 is a cross-sectional view for explaining a step performed subsequent to FIG. 4. FIG.
6 is a cross-sectional view for explaining a step performed subsequent to FIG. 5. FIG.
7 is a cross-sectional view for explaining a step performed subsequent to FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining one process performed subsequent to FIG. 7;
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of an apparatus suitable for manufacturing a glass substrate with a transparent electrode according to the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a conventional integrated thin film photoelectric conversion device.
[Explanation of symbols]
1 Alkali component-containing glass plate
2 Silicon oxide-containing alkali barrier film
3 Underlayer
3a Crystalline metal oxide layer
3b Layer containing silicon oxide
4 Transparent conductive film
5 Thin film photoelectric conversion unit
5a Amorphous photoelectric conversion unit
5b Crystalline photoelectric conversion unit
6 Metal electrode film
7 Sealing resin film
8 Organic protective film
21, 22, 23 Separation groove

Claims

Including an alkali component-containing glass plate, and a base film, a transparent conductive film, a thin film photoelectric conversion unit, and a metal electrode film sequentially laminated on the glass plate from the glass plate side,
The base film includes a crystalline metal oxide layer and a silicon oxide-containing layer that are sequentially laminated from the glass plate side, the film thickness of the metal oxide layer is 40 nm or more, and the film of the silicon oxide-containing layer The thickness is 50% or less of the thickness of the metal oxide layer,
The base film, the transparent conductive film, the thin film photoelectric conversion unit, and the metal electrode film are each divided into a plurality so that a plurality of cells electrically connected in series with each other are formed,
An integrated thin film photoelectric conversion device in which a continuous silicon oxide-containing alkali barrier film is formed between the glass plate and the base film divided into a plurality.

The integrated thin film photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the alkali barrier film has a thickness of 15 nm or more.

The thin film photoelectric conversion unit, an integrated-type thin film photoelectric conversion device according to claim 1 or 2 including the sequentially stacked amorphous photoelectric conversion unit and the crystalline photoelectric conversion unit from the glass plate side.

Including an alkali component-containing glass plate, and a base film and a transparent conductive film sequentially laminated on the glass plate from the glass plate side;
The base film includes a crystalline metal oxide layer and a silicon oxide-containing layer that are sequentially laminated from the glass plate side, the film thickness of the metal oxide layer is 40 nm or more, and the film of the silicon oxide-containing layer The thickness is 50% or less of the thickness of the metal oxide layer,
A silicon oxide-containing alkali barrier film is formed between the glass plate and the base film,
The haze ratio measured with the glass plate as the light incident side is 12% or more,
The integrated thin film photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the integrated thin film photoelectric conversion device is manufactured using a glass substrate with a transparent electrode.

5. The integrated thin film photoelectric conversion device according to claim 4, wherein a haze ratio of the glass substrate with a transparent electrode measured with the glass plate as a light incident side in a state where the transparent conductive film is removed is 0.2% or more.

Including an alkali component-containing glass plate, and a base film and a transparent conductive film sequentially laminated on the glass plate from the glass plate side;
The base film includes a crystalline metal oxide layer and a silicon oxide-containing layer that are sequentially laminated from the glass plate side, the film thickness of the metal oxide layer is 40 nm or more, and the film of the silicon oxide-containing layer The thickness is 50% or less of the thickness of the metal oxide layer,
By irradiating a laser beam to a glass substrate with a transparent electrode in which a silicon oxide-containing alkali barrier film is formed between the glass plate and the base film, the alkali barrier film remains as a continuous film. Dividing the transparent conductive film and the base film into a plurality of parts,
Forming a thin film photoelectric conversion unit on the transparent conductive film divided into a plurality of parts;
Dividing the thin film photoelectric conversion unit into a plurality of pieces by irradiating a laser beam; and
Forming a metal electrode film on the thin film photoelectric conversion unit divided into a plurality;
By dividing the metal electrode film and the thin film photoelectric conversion units into a plurality by irradiating a laser beam, including a step, the forming the electrically plurality of cells connected in series to each other, the integrated-type thin film photoelectric A method for manufacturing a conversion device.