JP4279766B2 - レギュレータ内蔵送受信機を有する半導体装置およびモジュール - Google Patents
レギュレータ内蔵送受信機を有する半導体装置およびモジュール Download PDFInfo
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Description
図1は本発明の一実施例形態に係るGSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900に対応した携帯端末の要部構成を示すブロック図である。
この図に示すように、本実施形態の携帯端末は、RF-IC101、BB102、PA103、SAW104a〜104e、ASW105、送信機106a、受信機107、RFPLL108、IFPLL109、アンテナ111、レギュレータ部114、容量C100〜102を有し、レギュレータ部114はレギュレータ113a〜113cを含む。
SAW104a〜104dはそれぞれGSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900用受信SAWであり、不要信号の抑圧を行う。
SAW104eはGSM850、GSM900用送信SAWであり、不要信号の抑圧を行う。
送信機106aは、入力IQ信号から所望の送信周波数をもった出力信号を生成するために、RFPLL108、IFPLL109出力信号を用いて直交変調、周波数変換を行い、また、適当な増幅、フィルタリング等を行う。該出力信号は、GSM850、GSM900時にはSAW104eへ、DCS1800、PCS1900時にはPA103へと出力される。なお、本実施例ではRFPLL108、IFPLL109出力信号を用いられるが、この例に限られるものではなく、送信機106aの構成によってはRFPLL108のみが用いられる場合もある。
RFPLL108は所定周波数をもった信号を出力する周波数シンセサイザである。
IFPLL109は所定周波数をもった信号を出力する周波数シンセサイザである。
レギュレータ113aはVbatを入力信号として所定の電圧をPA103へと出力する。PA103はレギュレータ113a出力電圧を用いて、例えば、増幅器のためのバイアス電圧を生成する。
レギュレータ113bはVbatを入力信号として所定の電圧を出力し、送信機106a、受信機107の電源電圧として用いられる。
レギュレータ113cはVbatを入力信号として所定の電圧を出力し、RFPLL108、IFPLL109の電源電圧として用いられる。
容量C100〜102はそれぞれレギュレータ113a、 113b、 113cの発振を防止し安定な動作を実現するために用いられる。容量C100〜102には、例えば1μFと大きな値が必要で、RF-IC101に内蔵した場合には大きな面積が必要となりRF-IC101の面積が増大しコストが高価なものとなる。そこで、容量C100〜102は図に示すようにRF-IC101の外部に接続し、例えば、チップ部品を用いる。
この図に示すように、本実施形態のレギュレータ部は、参照電圧発生回路(以下、BGRと記す)、レギュレータ113a〜113cを有し、レギュレータ113aは演算増幅器201、PMOSトランジスタM200、抵抗R200、201とを含む。レギュレータ113b、113cもまた同様の構成である。VbatはBGR200、レギュレータ113a〜113cの電源電圧として用いられる。
BGR200は、演算増幅器201への参照信号電圧を発生するための回路であり、例えば、バンドギャップリファレンス回路が用いられる。レギュレータ113a〜113cで共通のBGR200出力信号を用いることで、回路規模の低減を実現できる。
Vbatが十分高くBGR200、演算増幅器201、PMOSトランジスタM200の特性が劣化しない範囲において、出力電圧Voは以下の式で与えられる。
なお、本実施例では、M200としてPMOSトランジスタを用いた例を示したが、これに限られるものではなく、NMOS、NPN、PNPトランジスタが用いられる場合もある。
なお、本実施例においては、上記のようにPM回路ブロック300とAM回路ブロック301の電源電圧供給に異なるレギュレータを用いることが肝要であり、必ずしも図4の通りである必要はない。例えば、PM回路ブロック300にレギュレータ113d、AM回路ブロック301にレギュレータ113bが電源電圧を供給する場合もある。
MOD400は、IFPLL109出力信号を用いて入力されたIQ信号を直交変調する。
PD401は、二つの入力信号の位相差に比例した値をもつ電流を出力する。
フィルタ402は、PD401出力信号に含まれる不要信号を抑圧する。
TXVCO 403は、フィルタ402出力信号電圧によって決まる周波数をもった信号を出力する電圧制御発振器である。
VGA404aは第一の制御電圧によってその利得が決まる可変利得増幅器である。
ミキサ405は、RFPLL108出力信号を用いて入力信号の周波数をダウンコンバートする。
AMD406は、二つの入力信号の包絡線電圧の差に比例した値をもつ電流を出力する。
フィルタ407は、AMD406出力信号に含まれる不要信号を抑圧する。
VIC408は、入力電圧を電流信号に変換する。
フィルタ409は、VIC408出力信号に含まれる不要信号を抑圧する。
DRV410は、入力電圧に所定の利得を与え、その出力電圧がVGA404aの該第一の制御電圧となる。
VGA404bは第二の制御電圧によってその利得が決まる可変利得増幅器である。
PD401、フィルタ402、TXVCO403、VGA404a、MIX405は、MOD400出力信号位相を参照信号とする位相同期ループを構成し、その結果、MOD400出力信号位相がVGA404a出力にて再現される。また、VGA404a出力信号周波数がRFPLL108出力信号周波数とMOD400出力信号周波数の差周波数となる。
AMD406、フィルタ407、VIC408、フィルタ409、DRV410、VGA404a、MIX405は、MOD400出力信号の包絡線を参照信号とする包絡線同期ループを構成し、その結果、MOD400出力信号包絡線がVGA404a出力にて再現される。
上記位相同期ループと包絡線同期ループの作用によって、結局、MOD400出力信号の位相と包絡線がVGA404a出力信号で再現され、その周波数はIFPLL109とRFPLL108の出力周波数によって決まる周波数になる。つまり、本実施例に示す送信機は入力される変調情報を保存しながら周波数変換を行うことができる。
なお、上記の実施例の説明では、GSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900に対応した例を用いて説明を行ったが、これに限られるものでないことは言うまでもなく、例えば、GSM900のみ、GSM900とDCS1800といった組み合わせや、その他のアプリケーション、例えば、W-CDMAといった場合もある。また、SAW104eは使用されない場合もある。
101…送受信機、
102…ベースバンド、
103…電力増幅器、
104…SAWフィルタ、
105…アンテナスイッチ、
106…送信機、
107…受信機、
108…RFPLL、
109…IFPLL、
111…アンテナ、
113…レギュレータ、
114…レギュレータ部、
200…参照電圧発生回路、
201…演算増幅器、
300…PM回路ブロック、
301…AM回路ブロック、
400…直交変調器、
401…位相比較器、
402,407,409…フィルタ、
403…TXVCO、
404…可変利得増幅器、
405…ミキサ、
406…包絡線比較器、
408…電圧電流変換器、
410…駆動増幅器。
Claims (16)
- 送信機、受信機、周波数シンセサイザおよびレギュレータが共通に形成されたICと、
前記ICが搭載されたモジュールと、
前記モジュールを含む半導体回路装置を具備してなる携帯端末基板と
を有し、
前記送信機、前記受信機および前記周波数シンセサイザの各々の電源電圧は、前記IC内部に形成された前記レギュレータから前記IC外部の前記モジュール上または前記携帯端末基板上の少なくとも一方に設けられた配線を経由して前記IC内部の前記送信機、前記受信機および前記周波数シンセサイザの各々へ供給される
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記レギュレータの出力端子に接続された容量が、前記モジュール上に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記受信機の入力端子に接続されたフィルタが、前記モジュール上に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記レギュレータの出力端子に接続された容量および前記受信機の入力端子に接続されたフィルタが、前記モジュール上に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記レギュレータは、前記IC上に形成された配線を介して前記モジュール上または前記携帯端末基板上の少なくとも一方に設けられた配線に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記モジュール上または前記携帯端末基板上の少なくとも一方に設けられた配線のパターン幅は、前記IC上に形成された配線のパターン幅より大きい
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記レギュレータは、第1および第2のレギュレータから構成され、
前記第1のレギュレータは、前記送信機と前記受信機に電源電圧を供給し、
前記第2のレギュレータは、前記周波数シンセサイザに電源電圧を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記レギュレータは、第3、第4、および第5のレギュレータから構成され、
前記第3のレギュレータは、前記送信機と前記受信機に電源電圧を供給し、
前記第4のレギュレータは、前記周波数シンセサイザに電源電圧を供給し、
前記第5のレギュレータは、前記送信機の出力信号に所定の利得を与える電力増幅器に電源電圧を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記レギュレータは、第6、第7、第8および第9のレギュレータから構成され、
前記送信機は、AM回路ブロックおよびPM回路ブロックを含む回路からなる場合に、
前記第6および第7のレギュレータの一方は、前記AM回路ブロックと前記受信機に電源電圧を供給し、
前記第6および第7のレギュレータの他方は、前記PM回路ブロックに電源電圧を供給し、
前記第8のレギュレータは、前記周波数シンセサイザに電源電圧を供給し、
前記第9のレギュレータは、前記送信機の出力信号に所定の利得を与える電力増幅器に電源電圧を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記送信機は、参照信号位相に同期する位相同期ループと参照信号包絡線に同期する包絡線同期ループとを有し、前記参照信号に同期した位相情報と包絡線情報の合成により出力信号を形成する送信機であって、
前記レギュレータは、少なくとも前記参照信号位相の伝達に用いられる回路に電源電圧を供給するレギュレータと、
前記参照信号包絡線の伝達、もしくは前記参照信号包絡線と前記参照信号位相の両者の伝達に用いられる回路に電源電圧を供給するレギュレータとから構成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1および第2のレギュレータは、共通の参照入力電圧を用いる
ことを特徴とする請求項7記載の半導体装置。 - 前記第3乃至第5のレギュレータは、共通の参照入力電圧を用いる
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置。 - 前記第6乃至第9のレギュレータは、共通の参照入力電圧を用いる
ことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。 - 送信機、受信機、周波数シンセサイザおよびレギュレータが共通に形成されたICを搭載したモジュールであって、
前記ICは、前記送信機、前記受信機および前記周波数シンセサイザの各々の電源端子と、前記レギュレータの出力端子とを備え、
一端が前記各々の電源端子に接続され、かつ、他端が前記レギュレータの出力端子に接続された配線が、前記IC外部の前記モジュール上に設けられている
ことを特徴とするモジュール。 - 前記受信機の入力端子に接続されるフィルタが搭載されている
ことを特徴とする請求項14記載のモジュール。 - 前記受信機の入力端子に接続されたフィルタと、前記レギュレータに接続された容量とが前記モジュール上に設けられている
ことを特徴とする請求項14記載のモジュール。
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