JP4263795B2 - コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 58
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 33
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000006902 nitrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyoxyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009283 thermal hydrolysis Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は新規なコンデンサ、とりわけ単位重量あたりの容量が大きく、漏れ電流(以下LCと略記する。)特性の良好なコンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年ICやプリント基板などの小型化、高集積化により携帯電話、ノートブック型パソコン、電子手帳などの小型、軽量の電子機器が広く普及してきて、これらの電子機器に使用されているコンデンサも小型、大容量のものの開発が望まれている。
この分野に使用されているコンデンサの中でもタンタル電解コンデンサはサイズの割りには容量が大きく、しかも性能が良好なため広く使用されている。このタンタル電解コンデンサの誘電体としては酸化タンタルが使用されているが、コンデンサの容量を更に大きくするためには酸化タンタルよりは誘電率の高い酸化ニオブや酸化チタンを誘電体に用いたニオブコンデンサやチタンコンデンサの開発が求められる。
【0003】
しかし、これら酸化ニオブや酸化チタンを誘電体として用いたコンデンサはLC特性が不良で実用に耐えるものではなく、その改善が必要である。
本発明者らは、これらのコンデンサのうち、酸化ニオブを誘電体としたニオブコンデンサのLC不良の原因の一つが、酸化ニオブを構成するニオブに対する酸素の結合量の過剰または不足によることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、優れた誘電体特性を有する酸化ニオブを使用した、容量の大きいニオブコンデンサのLC特性を改善し、単位重量あたりの容量が大きく、LC特性の良好なニオブコンデンサを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
[1] 二つの電極と、電極間に介在する誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、誘電体が酸化ニオブNbOX (X=2.5)を主成分とする第1の層と、酸化ニオブNbOx (X=2.5)とNbOx (X=2.0)の混合物を主成分とする第2の層との二層構造からなる誘電体であるコンデンサ、
[2] 誘電体の第1の層に含まれる酸化ニオブNbOX (X=2.5)の含有量が少なくとも90重量%である上記[1]に記載のコンデンサ、
[3] 誘電体の第2の層に含まれる酸化ニオブNbOX (X=2.5)とNbOX (X=2.0)との混合物の含有量が少なくとも90重量%である上記[1]または[2]に記載のコンデンサ、
[4] 誘電体の第2の層に含まれる酸化ニオブのNbOX (X=2.5):NbOX (X=2.0)とのモル比が、1:4ないし4:1である上記[1]ないし[3]のいずれかに記載のコンデンサ、
[5] 第1の層と第2の層からなる誘電体層のうちの第1の層の割合が、0.01〜10vol%である上記[1]ないし[4]のいずれかに記載のコンデンサ、
【0006】
[6] 電極の一方がニオブまたはニオブの一部を窒化した窒化ニオブである上記[1]ないし[5]のいずれかに記載のコンデンサ、及び
[7] 窒化ニオブ電極が、ニオブを窒素雰囲気中、室温ないし2000℃で1〜50時間処理して一部を窒化した窒化ニオブで構成された電極である上記[5]に記載のコンデンサ、を開発することにより上記の目的を達成した。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサは、誘電体として酸化ニオブNbOX (X=2.5)を主成分として含有する第1の層と酸化ニオブNbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物を主成分とする第2の層との二層構造からなる誘電体層を用いたコンデンサである。
一般に酸化ニオブの構造をNbOX (Xはニオブに結合する酸素のモル比を示す)と表現すると、Xの値として、0.9、1.0、1.1、2.0及び2.5の割合で結合のものが知られている。これらの結合値を持つ酸化ニオブはX線光電子分光法による解析によってこの構造は公知である。
【0008】
本発明者は研究の結果、これら酸化ニオブのうち、NbOX (X=2.5)を主成分とする第1の層と、NbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物を主成分とする第2の層との二層構造とした酸化ニオブを誘電体とした時は別として、それ以外の酸化ニオブを主たる成分とする酸化ニオブを誘電体としてコンデンサを作成すると、これらのコンデンサのLC値が不良となることを見出した。
この原因はまだ完全に解明できてはいないが、LC値が不良となる理由として前記した二層構造以外の酸化ニオブを主成分として誘電体を形成した場合、誘電体中の酸素が誘電体側から電極側へ、または電極に付着している内存酸素が電極側から誘電体側に移動が行われることにより、誘電体自身の特性が不安定になることによるものと推定される。
【0009】
これに対し、前記した二層構造の酸化ニオブを誘電体として使用した場合、前述した酸素の移動が生じても誘電体内部でおき、見かけ上平衡状態になっていて結果として誘電体自身の特性が安定化されているものと考えられる。
本発明のコンデンサに使用する誘電体で、第1層の酸化ニオブNbOX (X=2.5)の量や第2層の酸化ニオブNbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物の組成比が一組成の方に片寄るとか、あるいは誘電体の第2の層に対する第1の層の割合が上昇すると、作製したコンデンサのLC値は大きくなる。LC値は1μA以下が好ましい。LC値を1μA以下に保つには、第1の層の酸化ニオブ中のNbOX (X=2.5)の含有量及び第2の層のNbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物の含有量は少なくとも90重量%以上、特に95重量%以上にすることが好ましい。
【0010】
本発明の誘電体層は、前述した原因より方向性は問わないので二つの電極間に誘電体層として存在すれば効果があり、また一定の厚みを有さなくてもよく、更に誘電体内に電極が入り組んだ形状を有する部所があってもよい。この場合、前記した誘電体の含有量に電極の量を加えないのは言うまでもない。更にLC値を良好にするには第2の層のNbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)とのモル比を少なくとも1:4から4:1に、好ましくは1:3から3:1の範囲に保ち、さらには誘電体の第2の層に対する第1の層の割合を少なくとも0.01〜10vol%、特に0.04〜3vol%に保った酸化ニオブをコンデンサの誘電体に用いることが望ましい。
【0011】
前述した二層構造の酸化ニオブを主成分とする誘電体層を形成する方法としては、例えば、ニオブを含有するアルコキシ錯体、アセチルアセトナート錯体などニオブ錯体を熱分解及び/または加水分解する方法、あるいは後記するような電極にニオブやニオブの一部を窒化した窒化ニオブとした場合には該電極を電解酸化するなどして作製することもできる。場合によってはこれらの方法を併用してもよい。
このような方法のうち、ニオブを含有する錯体を熱分解及び/または加水分解して作製する場合、錯体の種類、濃度、分解温度、分解時間、分解の雰囲気のガスの種類及びその濃度により、また電解酸化で作製する場合は使用する電極の種類、形状、電解液の種類、濃度、電解温度、時間などによりNbOX におけるXの値が変化するので、あらかじめ予備実験により作製した誘電体のX線光電子分光法の図をチェックしながら条件を決定しておくことが必要である。
一般に分解温度が高く、分解時間が長いほど、分解雰囲気ガス中の酸素ガス濃度が高いほど、また電解液濃度が高いほど、電解温度が高く時間が長いほど、得られた酸化ニオブNbOX のXの値が大きくなる傾向にある。
【0012】
本発明のコンデンサにおいて使用される一方の電極の材料として、アルミニウム、タンタル、チタン、ニオブ、ニオブの一部を窒化した窒化ニオブやこれら金属の合金などが挙げられる。
電極の形状は板状、箔状、棒状、燒結体などがある。コンデンサの大きさは要求されるコンデンサの容量を勘案して決定される。板状、箔状、棒状の場合は折り曲げたり、巻回したりして単位体積あたりの電極の表面積を増大させて使用する。燒結体電極として使用する場合には、これら金属の微粉末を加圧成形した後、100 〜10ー 6Torrの圧力下に500〜2,000℃、数分〜数時間焼成することにより作製することができる。
【0013】
上記の電極材料において、ニオブや、ニオブの一部を窒化した窒化ニオブを使用すると単位重量あたりの容量が大きいコンデンサが得られること及び該窒化ニオブを使用した時はそれに加えLC特性が更に良好になることにより、ニオブの一部を窒化した窒化ニオブを電極とするニオブコンデンサは高容量で低LCが要求される回路用のコンデンサ電極となるものである。
この窒化ニオブは、ニオブメタルの一部を窒素化したもので、例えばニオブを窒素雰囲気下で窒素化することにより得られる。この場合の窒素含有量は、ニオブメタルの形状により変わるが、粒径が10〜30ミクロン程度の粉末においては数10〜200,000ppm、好ましくは数100〜数10,000ppmである。
窒素化反応温度は、限定するわけではないが工業的には250℃〜2,000℃で、時間は1〜50時間程度で必要とされる窒素を含有する窒化ニオブが得られる。一般に高温程短時間で表面を窒素化することができる。室温程度の低温度においても窒素雰囲気下で数10時間以上ニオブメタルの微粉末を放置しておくと必要とされる数10ppmの窒素量の窒化ニオブが得られる。
【0014】
一方、本発明のコンデンサの他方の電極として、アルミニウム電解コンデンサ業界でも公知である電解液、有機半導体からの導電性有機化合物、無機半導体からの無機導電性化合物から選ばれた少なくとも一種のものを使用できる。
有機半導体の例として、例えばベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式(1)または(2)で表される高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体を挙げることができる。
【0015】
【化1】
(式中、R1 〜R4 は、水素、アルキル基またはアルコキシ基、Xは酸素、イオウまたは窒素原子、R5 はXが窒素原子との時のみ存在して水素またはアルキル基であり、R1 、R2 及びR3 、R4 は互いに結合して環状になっていてもよい。)
【0016】
【化2】
(式中、R1 、R2 は、水素、アルキル基またはアルコキシ基、Xは酸素、イオウまたは窒素原子、R3 はXが窒素原子との時のみ存在して水素またはアルキル基であり、R1 、R2 は互いに結合して環状になっていてもよい。)
【0017】
式(1)または式(2)で表される導電性高分子の例としては、例えばポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロールなどが挙げられる。
また無機半導体としては二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などが挙げられる。
このような半導体を二種以上併用してもよい。
本発明においては誘電体と電極との接続が不完全な部所、例えば一部誘電体と電極との接触が欠けたところがあってもよい。
【0018】
【実施例】
以下本発明の実施例を示して、より具体的に説明する。
(実施例1)
幅7mm、長さ120mm、厚さ100ミクロンのタンタル箔の中心に太さ0.3mmφ、長さ10mmのタンタル線の一部分(2mm分)を溶接した後、巻回してタンタルリード線を接合して電極を形成した。
一方別に用意したペンタプロピルニオベート(ニオブ錯体)の3%トルエン溶液に前記電極をタンタルリード線の上から7mmを残して浸漬して引き上げた後、空気雰囲気中200℃で3時間、続いて85℃水蒸気中で1時間、更に窒素雰囲気中500℃で1時間処理することを繰り返して電極上に酸化ニオブの誘電体層を形成した。この酸化ニオブはX線光電子分光分析によりNbOX (X=2.5)の第1層の下にNbOX (X=2.5)NbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物(モル比3:2)の第2層が存在(第1層の第2層に対する割合が0.4vol%)することを確認した。
引き続き、ピロール溶液と過硫酸アンモニウム及びトルエンスルホン酸の混合水溶液に順次電極を浸漬させることを繰り返し、誘電体上にポリピロール層を形成させた。更にカーボンペースト、銀ペーストに順次浸漬、乾燥することにより積層した後、陰極リードを取り付け、エポキシ樹脂で封口してコンデンサとし、その容量及びLC値を測定した。LC値は、電圧印加後1分経過した時の電流値である。結果を表3に示す。
【0019】
(実施例2)
粒径分布が10〜30ミクロンのニオブメタル粉末約0.1gを径が0.3mmφ、長さ15mmのタンタルリードと共に成形して大きさ3mm×3mm×0.2mmの成形体(タンタルリード線が成形体中に2mm入っていて、外部に12mm突き出ている。)を得た。次いで該成形体を真空中、1,500℃で燒結させ、ニオブ燒結体とした。次いで5%りん酸水溶液中で26V化成を室温で5時間続けることにより燒結体上に酸化ニオブの誘電体層を形成した。この誘電体層は第2表に示した組成からなることを分析により確認した。
更にこの電極を硝酸マンガン水溶液中に浸漬後、250℃で熱分解することを繰り返して、誘電体層上に酸化マンガンの無機半導体層を形成した。引き続き実施例1と同様にしてカーボンペースト、銀ペーストを積層し、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを得た。このコンデンサの特性を表3に示す。
【0020】
(実施例3)
実施例2で用いたと同じニオブメタル粉末を、あらかじめ500℃の窒素雰囲気中で窒素化を行い、窒素含有量約3,000重量ppmの窒化ニオブ粉とした後、実施例2と同様の条件で処理してコンデンサを得た。このコンデンサの特性を表3に示す。
(実施例4)
実施例2において、燒結体の化成条件を0.5%酢酸水溶液中で26V、10時間とした以外はすべて実施例3と同じようにしてコンデンサを得た。作製した誘電体の組成を表2に示す。
【0021】
(実施例5〜9)
実施例1における空気雰囲気中200℃で3時間、続いて85℃水蒸気中で1時間、更に窒素雰囲気中500℃で1時間の誘電体形成処理の代わりに、表1に記載した条件で誘電体形成処理を行った。それ以外は実施例1と同様にしてコンデンサを作製した。
誘電体の組成を表2に、このコンデンサの特性を表2に示す。
【表1】
【0022】
(参考例1)実施例2において、燒結体の化成条件をりん酸水溶液濃度0.03%,26V、室温30分とした以外はすべて同様にしてコンデンサを作製した。作製した誘電体の組成を表2に、コンデンサの特性を表3に示す。
【0023】
【表2】
【0024】
【表3】
【0025】
(実施例11〜13)
実施例3と同様にして作製した化成後の燒結体(誘電体層は実施例2と同様な組成であることを確認)の複数個を、さらに実施例3と同様な化成液中で逆電圧を印加することによって誘電体層を破壊した。その後この燒結体を140℃で表4に示した時間放置することによって誘電体層を修復した。
続いて実施例3と同様にしてコンデンサを作製した。誘電体層の組成及びコンデンサの性能を表4に列記する。
【0026】
【表4】
【0027】
【発明の効果】
二つの電極間に介在する誘電体を酸化ニオブNbOX (X=2.5)を主成分とする第1の層と酸化ニオブ:NbOX (X=2.5)及びNbOX (X=2.0)との混合物を主成分とする第2の層とのに層構造の誘電体とした本発明のコンデンサは、単位重量あたりの容量が大きくLC特性が良好である。
さらに、該コンデンサの一方の電極をニオブやニオブの一部を窒化した窒化ニオブとしたコンデンサは、より単位重量あたりの容量が大きくなる。特に電極を、ニオブの一部を窒化した窒化ニオブとしたコンデンサは、よりLC特性などの性能が改善され、搬用電子機器用の小型高容量のコンデンサとして使用できる。
Claims (3)
- 二つの電極と、電極間に介在する誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、誘電体が酸化ニオブNbOx (X=2.5)を82重量%以上含む第1の層と、酸化ニオブNbOx (X=2.5)とNbOx (X=2.0)の混合物を88重量%以上含む二層構造からなり、前記誘電体層のうち第1の層の割合が0.008〜12Vol%であり、第2の層に含まれる酸化ニオブのNbO x (X=2.5):NbO x (X=2.0)のモル比が、1:4ないし4:1であるコンデンサ。
- 電極の一方がニオブまたはニオブの一部を窒化した窒化ニオブである請求項1に記載のコンデンサ。
- 窒化ニオブ電極が、ニオブを窒素雰囲気中、室温ないし2000℃で1〜50時間処理して一部を窒化した窒化ニオブで構成された電極である請求項2に記載のコンデンサ。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36388398A JP4263795B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | コンデンサ |
CNB998161985A CN1201349C (zh) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | 铌电容器 |
AU16846/00A AU1684600A (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
DE69933792T DE69933792T3 (de) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
AT99959774T ATE343844T1 (de) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
EP99959774A EP1158552B2 (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
KR1020017007542A KR100636563B1 (ko) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | 니오브 콘덴서 및 그 제조방법 |
CA002360789A CA2360789C (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
PCT/JP1999/006971 WO2000036617A1 (fr) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Condensateur au niobium et procede de fabrication correspondant |
US09/868,226 US6529367B1 (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
TW88121903A TW477992B (en) | 1998-12-15 | 1999-12-14 | Niobium capacitor and process for producing same |
US10/314,333 US6661646B2 (en) | 1998-12-15 | 2002-12-09 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36388398A JP4263795B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000188243A JP2000188243A (ja) | 2000-07-04 |
JP4263795B2 true JP4263795B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=18480433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36388398A Expired - Fee Related JP4263795B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-22 | コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4263795B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
US6051044A (en) | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
AU7773401A (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-25 | Showa Denko Kk | Niobium powder, sinter thereof, and capacitor employing the same |
JP4521849B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2010-08-11 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ |
JP4544736B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-09-15 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
AU2002308967B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-12-06 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered product and capacitor using niobium monoxide sintered product |
US7737066B2 (en) | 2001-05-15 | 2010-06-15 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body |
BR0205345B1 (pt) * | 2001-05-15 | 2012-05-15 | pó de nióbio, corpos sinterizados, capacitor, métodos para produzir o pó de nióbio, um corpo sinterizado e um capacitor, circuito eletrÈnico e instrumento eletrÈnico. | |
JP3971266B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2007-09-05 | ローム株式会社 | Nbコンデンサおよびこれの製造方法 |
JP4804235B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-11-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
-
1998
- 1998-12-22 JP JP36388398A patent/JP4263795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000188243A (ja) | 2000-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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