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JP4262027B2 - Electrode / wiring forming method and image forming apparatus manufacturing method - Google Patents

Electrode / wiring forming method and image forming apparatus manufacturing method Download PDF

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JP4262027B2 JP2003285853A JP2003285853A JP4262027B2 JP 4262027 B2 JP4262027 B2 JP 4262027B2 JP 2003285853 A JP2003285853 A JP 2003285853A JP 2003285853 A JP2003285853 A JP 2003285853A JP 4262027 B2 JP4262027 B2 JP 4262027B2
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Description

本発明は、電極・配線形成方法及びこの電極・配線形成方法を用いた画像形成装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing an image forming apparatus using the electrodes and wiring forming method and the electrode and wiring forming method.

従来、基板上に電極や配線を形成する方法としては、(1)スクリーン印刷法を用いて導電性材料を含有するペーストを基板上に塗布し、乾燥・焼成して形成する方法(例えば、特許文献1参照)、(2)転写による方法(例えば、特許文献2参照)、(3)金属を含有する溶液を基板全面に塗布し、乾燥・焼成して金属膜を形成し、フォトレジストなどのマスクで所定の領域を覆い、マスクで覆われていない部分をエッチング除去して形成する方法、(4)金属含有ペーストに感光性材料を付与し、所望の箇所を露光した後現像して形成する方法(例えば、特許文献3、4参照)、(5)水溶性の感光性樹脂と水溶性の有機金属化合物と水系溶媒とを含む塗布材を用い、塗布、乾燥、露光、現像、焼成を経て形成する方法(例えば、特許文献5参照)などが知られている。   Conventionally, as a method of forming electrodes and wirings on a substrate, (1) a method of applying a paste containing a conductive material on a substrate using a screen printing method, and drying and baking (for example, a patent) (See Document 1), (2) Transfer method (for example, see Patent Document 2), (3) A metal-containing solution is applied to the entire surface of the substrate, dried and baked to form a metal film, a photoresist, etc. A method of forming a predetermined region by covering a predetermined region with a mask and etching and removing a portion not covered with the mask. (4) A photosensitive material is applied to a metal-containing paste, a desired portion is exposed, and then developed. Method (for example, see Patent Documents 3 and 4), (5) Using a coating material containing a water-soluble photosensitive resin, a water-soluble organometallic compound, and an aqueous solvent, and coating, drying, exposure, development, and baking. Forming method (eg patent text) 5 reference), and the like are known.

特開平8−185818号公報JP-A-8-185818 特開平8−236017号公報JP-A-8-236017 特開平5−114504号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-114504 特開平8−176177号公報JP-A-8-176177 特開2001−297639号公報JP 2001-297639 A

しかしながら、前記(1)の方法は微細な電極や配線パターンには適用が困難であり、前記(2)の方法も膜厚の均一性・再現性が不十分である。前記(3)の方法は、特に電極や配線パターンを白金等の貴金属で構成する場合、エッチング時に強酸を用いなければならず、レジストが侵されたり絶縁性基板が腐食されるなどの理由から、微細な回路を形成させることが困難である。また、前記(4)の方法は、有機溶媒を用いるため、塗布・乾燥・焼成工程時に防爆設備が必要となったり、使用薬剤の取り扱いに注意が要求されるほか、現像時にも多量の塩素系有機溶媒を使用するため、環境負荷が大きい問題がある。   However, the method (1) is difficult to apply to fine electrodes and wiring patterns, and the method (2) also has insufficient film thickness uniformity and reproducibility. In the method (3), particularly when the electrode or wiring pattern is composed of a noble metal such as platinum, a strong acid must be used during etching, and the resist is eroded or the insulating substrate is corroded. It is difficult to form a fine circuit. In addition, since the method (4) uses an organic solvent, an explosion-proof facility is required during the coating, drying, and baking processes, and care is required in handling the chemicals used. Since an organic solvent is used, there is a problem that the environmental load is large.

一方、前記(5)の方法は、取り扱い容易で環境負荷の小さな水系溶媒を用いた水系溶液により、微細な電極や配線パターンを容易に形成できる利点があるが、現像工程において、未露光部の水溶性有機金属化合物を廃棄することになり、コストが高くなる問題がある。   On the other hand, the method (5) has an advantage that a fine electrode and a wiring pattern can be easily formed by an aqueous solution using an aqueous solvent that is easy to handle and has a small environmental load. There is a problem that the water-soluble organometallic compound is discarded and the cost is increased.

そこで本出願人は、水溶性の感光性樹脂で形成した樹脂パターンに有機金属化合物の水系溶液を吸収させた後、この有機金属化合物の水系溶液を吸収した樹脂パターンを焼成することで電極や配線を形成する方法を先に特開2003−031922号として提供した。   Therefore, the present applicant has absorbed a water-based solution of an organometallic compound in a resin pattern formed of a water-soluble photosensitive resin, and then baked the resin pattern that has absorbed the water-based solution of the organometallic compound to thereby form electrodes and wiring. A method of forming the film was previously provided as JP-A-2003-031922.

ところで、上記方法によると、微細な電極や配線パターンを、大きな環境負荷をかけることなく、容易かつ低コストで形成することができるが、基板との密着性が不足する場合がある。このため、上記方法を画像形成装置の電極や配線の形成に利用した場合、製造過程で超音波洗浄を施した際に時として電極や配線パターンの剥離を生じ、製造プロセスが不安定になる場合がある。   By the way, according to the above method, fine electrodes and wiring patterns can be formed easily and at a low cost without imposing a large environmental load, but the adhesion to the substrate may be insufficient. For this reason, when the above method is used for forming electrodes and wiring of an image forming apparatus, when the ultrasonic cleaning is performed during the manufacturing process, the electrode or wiring pattern sometimes peels off and the manufacturing process becomes unstable. There is.

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、取り扱いが容易で環境負荷の小さな水系溶液を用い、密着性のよい微細な電極や配線パターンを容易に形成できるようにし、もって画像形成装置の製造プロセスに用いた場合の当該プロセスの安定性を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and it is possible to easily form fine electrodes and wiring patterns with good adhesion by using an aqueous solution that is easy to handle and has a small environmental load, and thus has an image. It is an object to improve the stability of the process when used in a manufacturing process of a forming apparatus.

上記目的のために、本発明は水溶性感光性樹脂成分と水溶性金属化合物とを含有する感光性樹脂を基板上に塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布された前記感光性樹脂を露光し現像して下地パターンを形成する露光及び現像工程と、前記下地パターンに有機金属化合物を吸収させる吸収工程と、前記有機金属化合物を吸収した下地パターンを焼成する焼成工程とを有することを特徴とする電極・配線形成方法を提供するものである。 To this end, the present onset Ming, a coating step of applying a photosensitive resin containing a water-soluble photosensitive resin component and a water-soluble metal compounds on a substrate, wherein the photosensitive resin applied on the substrate the by exposing developed to have the exposure and development processes to form a base pattern, and the absorption step of absorbing the organic metal compound to the underlying pattern, and a firing step of firing the underlying pattern that has absorbed the organometallic compound An electrode / wiring forming method is provided.

更に本発明は、複数の電子放出素子と、該電子放出素子から放出される電子線の照射により画像を形成する画像形成部材とを具備する画像形成装置の製造方法において、電極と配線のいずれか一方もしくは両者を上記本発明の方法で形成することを特徴とする画像形成装置の製造方法を提供するものである。 The present onset Ming, a plurality of electron-emitting devices, in the manufacturing method of an image forming apparatus comprising an image forming member for forming an image by irradiation of electron beams emitted from the electron-emitting device, one of the electrodes and wiring or one or both is to provide a method of manufacturing an image forming apparatus, and forming in a way of the present invention.

本発明は、次の効果を奏するものである。   The present invention has the following effects.

(1)電極パターンの膜質の向上、密着性の更なる向上が可能になり、膜剥がれなどの不良がなくなり、低コストで電極や配線を形成することができる。   (1) It is possible to improve the film quality and adhesion of the electrode pattern, eliminate defects such as film peeling, and form electrodes and wirings at low cost.

(2)目的としたパターン部分に選択的に有機金属化合物(好ましくは特定の配位子を有する金属錯体)を吸収できるため、材料の使用効率が格段に良くなる。   (2) Since the organometallic compound (preferably a metal complex having a specific ligand) can be selectively absorbed in the intended pattern portion, the use efficiency of the material is remarkably improved.

(3)利用効率が良くなることで、低コストで電極・配線を形成することができる。   (3) Since the utilization efficiency is improved, electrodes and wirings can be formed at low cost.

以下、本発明で用いる電極・配線材料吸収用下地パターン形成材料、本発明に係る電極・配線形成方法、本発明に係る画像形成装置の製造方法の順に更に説明する。 Hereinafter, further described in the order of the electrode-wiring material absorbing base pattern forming material, the electrode and wiring forming method according to the onset bright, method of manufacturing an image forming apparatus according to the present onset bright for use in the present invention.

(1)電極・配線材料吸収用下地パターン形成材料
本発明の第1に係る電極・配線材料吸収用下地パターン形成材料(以下「下地材料」という)は、水溶性の感光性樹脂成分と、ロジウム、ビスマス、ルテニウム、バナジウム、クロム、錫、鉛またはケイ素を含む水溶性の金属化合物とを含有する水系溶液である。
(1) Electrode / Wiring Material Absorbing Underlying Pattern Forming Material Electrode / Wiring Material Absorbing Underlying Pattern Forming Material (hereinafter referred to as “underlying material”) according to the first aspect of the present invention includes a water-soluble photosensitive resin component and rhodium. , An aqueous solution containing a water-soluble metal compound containing bismuth, ruthenium, vanadium, chromium, tin, lead or silicon.

感光性樹脂成分としては、水溶性のものを広く用いることができるが、添加される水溶性の金属化合物と反応して沈殿の生成やゲル化を起こしにくいものを選択することが好ましい。   As the photosensitive resin component, water-soluble ones can be widely used, but it is preferable to select one that hardly reacts with the added water-soluble metal compound to cause precipitation or gelation.

感光性樹脂成分としては、樹脂構造中に感光基を有するタイプのものであっても、例えば環化ゴム−ビスアジド系レジスト(cyclorubber−bisazide based photoresist)のように、樹脂に感光剤が混合されたタイプのものでもよい。いずれのタイプの感光性樹脂成分においても、光反応開始剤や光反応禁止剤を適宜混合しておくことができる。   Even if the photosensitive resin component is of a type having a photosensitive group in the resin structure, a photosensitive agent is mixed with the resin, for example, a cyclized rubber-bisazide based photoresist. It may be of a type. In any type of photosensitive resin component, a photoreaction initiator and a photoreaction inhibitor can be appropriately mixed.

本発明で使用する感光性樹脂成分としては、良好な水溶性が得やすい点から、例えばポリビニルアルコール系樹脂やポリビニルピロリドン系樹脂などが好ましい。また、後述する水系溶媒へ溶解させて塗布乾燥後、現像液に可溶な塗膜が光照射によって現像液に不溶化するタイプ(ネガタイプ)であっても、現像液に不溶な塗膜が光照射によって現像液に可溶化するタイプ(ポジタイプ)であってもよい。   The photosensitive resin component used in the present invention is preferably, for example, a polyvinyl alcohol resin or a polyvinyl pyrrolidone resin from the viewpoint of easily obtaining good water solubility. Moreover, even if the coating film that is soluble in the developing solution is insoluble in the developing solution by light irradiation (negative type) after being dissolved in the aqueous solvent described below and coated and dried, the coating film that is insoluble in the developing solution is irradiated with light. May be of a type solubilized in a developer (positive type).

上記水溶性の感光性樹脂成分と共に含有される水溶性の金属化合物は、金属成分として、ロジウム、ビスマス、ルテニウム、バナジウム、クロム、錫、鉛またはケイ素を含むもので、後述する焼成によって形成される電極・配線パターンと基板間の密着性を向上させる働きをなす。この金属化合物としては、ロジウム、ビスマス、ルテニウム、バナジウム、クロム、錫、鉛またはケイ素を含む水溶性の金属塩、有機金属化合物、錯体を用いることができる。   The water-soluble metal compound contained together with the water-soluble photosensitive resin component contains rhodium, bismuth, ruthenium, vanadium, chromium, tin, lead, or silicon as a metal component, and is formed by firing described later. It works to improve the adhesion between the electrode / wiring pattern and the substrate. As the metal compound, water-soluble metal salts, organometallic compounds, and complexes containing rhodium, bismuth, ruthenium, vanadium, chromium, tin, lead, or silicon can be used.

上記金属化合物の前記感光性樹脂成分に対する配合比率は、1.0重量%以上20重量%以下であることが好ましい。金属化合物の配合比率が大きすぎると、微細なパターンの電極・配線下地が得にくくなり、配合比率が小さすぎると得られる電極・配線パターンの十分な密着性の向上が得にくくなる。   The blending ratio of the metal compound to the photosensitive resin component is preferably 1.0% by weight or more and 20% by weight or less. If the compounding ratio of the metal compound is too large, it becomes difficult to obtain an electrode / wiring substrate with a fine pattern, and if the compounding ratio is too small, it is difficult to improve sufficient adhesion of the obtained electrode / wiring pattern.

本発明の第1に係る下地材料は、水系溶媒を用いた水系溶液である。ここで、水系溶媒とは、水を50重量%以上含有する溶媒をいう。水系溶媒は、50重量%未満の範囲で、例えば乾燥速度を速めるためにメチルアルコールやエチルアルコールなどの低級アルコールを加えたものとしたり、上述した感光性樹脂成分や金属化合物の溶解促進や安定性向上などを図るための成分を加えたものとすることができる。しかし、環境負荷を軽減する観点から、水の含有率が70重量%以上であることが好ましく、さらに好ましくは水の含有率が90重量%以上であり、総て水であることが最も好ましい。   The base material according to the first aspect of the present invention is an aqueous solution using an aqueous solvent. Here, the aqueous solvent refers to a solvent containing 50% by weight or more of water. The aqueous solvent is in the range of less than 50% by weight, for example, to which a lower alcohol such as methyl alcohol or ethyl alcohol is added in order to increase the drying speed, and the above-described photosensitive resin component and metal compound are dissolved and promoted and stabilized. Components for improving the system can be added. However, from the viewpoint of reducing environmental burden, the water content is preferably 70% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, and most preferably water.

本発明の第1に係る下地材料は、後述する下地パターン形成工程により形成される下地パターンが、後述する有機金属化合物の水系溶液を吸収できるものであって、特に有機金属化合物の水系溶液中の金属成分と反応し、イオン交換可能な下地パターンを形成できる感光性樹脂成分を含有するものが好ましい。このイオン交換性の下地パターンを形成することにより、後述する吸収工程をイオン交換性の吸収工程とすることができ、有機金属化合物成分中の金属成分の吸収を向上させ、材料の利用効率を高め、さらにはより形状の整った電極・配線パターンを形成することができる。イオン交換が可能な感光性樹脂成分としては、パターンの形状制御の点で特に好ましいことから、カルボン酸基を有するものが好ましい。   The base material according to the first aspect of the present invention is such that the base pattern formed by the base pattern forming step described later can absorb an organic metal compound aqueous solution described below, and particularly in an organic metal compound aqueous solution. What contains the photosensitive resin component which can react with a metal component and can form the base pattern which can be ion-exchanged is preferable. By forming this ion-exchangeable base pattern, the absorption process described later can be made an ion-exchangeable absorption process, improving the absorption of the metal component in the organometallic compound component, and improving the utilization efficiency of the material. Furthermore, an electrode / wiring pattern having a better shape can be formed. As the photosensitive resin component capable of ion exchange, those having a carboxylic acid group are preferable because they are particularly preferable in terms of pattern shape control.

(2)電極・配線形成方法
本発明の第2に係る電極・配線の形成方法は、以下の下地パターン形成工程(塗布工程、乾燥工程、露光工程、現像工程)、吸収工程、必要に応じて行われる洗浄工程、焼成工程を経て行うことができる。
(2) Electrode / Wiring Forming Method The electrode / wiring forming method according to the second aspect of the present invention includes the following base pattern forming process (application process, drying process, exposure process, development process), absorption process, and as necessary. It can be performed through a cleaning process and a baking process.

(2−1)塗布工程
塗布工程は、電極および/または配線を形成すべき絶縁性の基板上に前述の下地材料を塗布する工程である。
(2-1) Application process An application process is a process of apply | coating the above-mentioned base material on the insulating board | substrate which should form an electrode and / or wiring.

下地材料の塗布は、各種印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷など)、スピンナー法、ディッピング法、スプレー法、スタンプ法、ローリング法、スリットコーター法、インクジェット法などを用いて行うことができる。   The base material can be applied using various printing methods (screen printing, offset printing, flexographic printing, etc.), spinner method, dipping method, spray method, stamp method, rolling method, slit coater method, ink jet method, and the like. .

(2−2)乾燥工程
乾燥工程は、上記塗布工程において基板上に塗布した下地材料に含まれる水系溶媒を揮発させて塗膜を乾燥する工程である。この塗膜の乾燥は、室温下で行うこともできるが、乾燥時間を短縮するために加熱下で行うことが好ましい。加熱乾燥は、例えば無風オーブン、乾燥機、ホットプレートなどを用いて行うことが、一般的には50〜100℃の温度下に1〜30分間置くことで行うことができる。
(2-2) Drying process A drying process is a process of volatilizing the aqueous solvent contained in the base material apply | coated on the board | substrate in the said application | coating process, and drying a coating film. Although drying of this coating film can also be performed at room temperature, in order to shorten drying time, it is preferable to carry out under heating. Heat drying can be performed by using, for example, a windless oven, a dryer, a hot plate, or the like, and generally by placing at a temperature of 50 to 100 ° C. for 1 to 30 minutes.

(2−3)露光工程
露光工程は、上記乾燥工程において乾燥された基板上の塗膜を、所定の電極および/または配線のパターンに沿って露光する工程である。
(2-3) Exposure process An exposure process is a process of exposing the coating film on the board | substrate dried in the said drying process along the pattern of a predetermined electrode and / or wiring.

この露光工程で光照射して露光する範囲は、使用する感光性樹脂がネガタイプであるかポジタイプであるかによって相違する。光照射によって現像液に不溶化するネガタイプの場合、電極および/または配線(電極と配線のいずれか一方もしくは両者)とすべき領域に光を照射して露光するが、光照射によって現像液に可溶化するポジタイプの場合、ネガタイプとは逆に、電極および/または配線とすべき領域以外の領域に光を照射して露光する。光照射領域と非照射領域の選択は、通常のフォトレジストによるマスク形成における手法と同様にして行うことができる。   The range of exposure by light irradiation in this exposure step differs depending on whether the photosensitive resin used is a negative type or a positive type. In the case of a negative type that is insolubilized in the developer by light irradiation, the region that should be an electrode and / or wiring (either or both of the electrode and wiring) is exposed to light and exposed to light, but is solubilized in the developer by light irradiation. In the case of the positive type, exposure is performed by irradiating light to a region other than the region to be the electrode and / or wiring, contrary to the negative type. The selection of the light irradiation region and the non-irradiation region can be performed in the same manner as in a mask formation method using a normal photoresist.

(2−4)現像工程
現像工程は、上記露光工程で露光された塗膜について、所望の電極および/または配線とすべき領域以外の領域の塗膜を除去し、電極および/または配線パターンに沿った下地パターンを形成する工程である。
(2-4) Development process The development process removes the coating film of the area | region other than the area | region which should be used as a desired electrode and / or wiring about the coating film exposed at the said exposure process, and makes it an electrode and / or wiring pattern. This is a step of forming a base pattern along.

感光性樹脂がネガタイプの場合、光照射を受けていない塗膜は現像液に可溶で、光照射を受けた露光部の塗膜が現像液に不溶化するので、現像液に不溶化していない非光照射部の塗膜を現像液で溶解除去することで現像を行うことができる。また、感光性樹脂がポジタイプの場合、光照射を受けていない塗膜は現像液に対して不溶で、光照射を受けた露光部の塗膜が現像液に可溶化するので、現像液に可溶化した光照射部の塗膜を現像液で溶解除去することで現像を行うことができる。   When the photosensitive resin is a negative type, the coating film that has not been irradiated with light is soluble in the developer, and the coating film of the exposed portion that has been irradiated with light is insoluble in the developer. Development can be performed by dissolving and removing the coating film of the light irradiation portion with a developer. In addition, when the photosensitive resin is positive type, the coating film that has not been irradiated with light is insoluble in the developing solution, and the coating film in the exposed area that has been irradiated with light is solubilized in the developing solution. Development can be performed by dissolving and removing the solubilized coating film of the light-irradiated portion with a developer.

なお、現像液としては、前記水系溶媒と同様のものを用いることができる。   In addition, as a developing solution, the thing similar to the said aqueous solvent can be used.

(2−5)吸収工程
吸収工程は、上記各工程を経て形成された下地パターンに、有機金属化合物を吸収させる工程である。
(2-5) Absorption step The absorption step is a step of absorbing the organometallic compound in the base pattern formed through the above steps.

有機金属化合物の吸収は、有機金属化合物の水系溶液と上記下地パターンを接触させ、下地パターンに該水系溶液を吸収させることで行うことができる。この吸収は、ディッピング法、スピン塗布法など、下地パターンに有機金属化合物水溶液を接触吸収させることができれば、どの手法でも可能である。   The organic metal compound can be absorbed by bringing the aqueous solution of the organometallic compound into contact with the base pattern and allowing the base pattern to absorb the aqueous solution. This absorption can be performed by any method such as dipping method or spin coating method, as long as the organic metal compound aqueous solution can be contacted and absorbed by the base pattern.

有機金属化合物としては、前記と同様の水系溶媒に溶解可能な水溶性を有し、後述する焼成工程により金属膜を形成可能なものが用いられる。具体的には、例えば金、白金、銀、パラジウム、銅などの錯体を挙げることができる。これらの中でも、化学的に極めて安定な電極および/または配線が得やすいことから、特に白金の錯体が好適に用いられる。錯体としては、その配位子が、含窒素化合物であるものが好ましい。特に、例えばエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ブタノールアミンなどのアルコールアミン、セリノール、TRISなど、炭素数が8以下の含窒素化合物のいずれか単独もしくは複数種類で配位子が構成された錯体がより好ましい。   As the organometallic compound, those having water solubility that can be dissolved in the same aqueous solvent as described above and capable of forming a metal film by a baking process described later are used. Specifically, for example, a complex of gold, platinum, silver, palladium, copper, or the like can be given. Among these, a platinum complex is particularly preferably used because a chemically extremely stable electrode and / or wiring can be easily obtained. As a complex, the ligand is preferably a nitrogen-containing compound. In particular, for example, an alcohol amine such as ethanolamine, propanolamine, isopropanolamine, butanolamine, serinol, TRIS, or the like, a complex containing a ligand composed of any one or more of nitrogen-containing compounds having 8 or less carbon atoms. More preferred.

有機金属化合物の吸収の程度は、水系溶液との接触時間、水系溶液における有機金属化合物の濃度、下地パターンの吸収能力などに依存するが、適宜選択することが可能である。また、有機金属化合物の水系溶液との接触前に、下地パターンを水などに漬けて、有機金属化合物の水系溶液を吸収しやすくすることも可能である。   The degree of absorption of the organometallic compound depends on the contact time with the aqueous solution, the concentration of the organometallic compound in the aqueous solution, the ability to absorb the base pattern, etc., but can be selected as appropriate. In addition, the base pattern can be immersed in water or the like before contact with the aqueous solution of the organometallic compound so that the aqueous solution of the organometallic compound can be easily absorbed.

(2−6)洗浄工程
洗浄工程は、下地パターンに有機金属化合物の水系溶液を吸収させた後、下地パターンに付着した余剰の該水系溶液や、下地パターン以外の箇所に付着した余剰の該水系溶液を除去する工程である。
(2-6) Washing process The washing process comprises absorbing the aqueous solution of the organometallic compound in the ground pattern, and then surplus water based solution adhering to the ground pattern or surplus water based on the area other than the ground pattern. This is a step of removing the solution.

この洗浄工程は、有機金属化合物の水系溶液における水系溶媒と同様の洗浄液を用い、この洗浄液に前記下地パターンを形成した基体を浸漬する方法や、該洗浄液を前記下地パターンを形成した基体に吹き付けることなどによって行うことができる。また、洗浄工程は、例えばエアーの吹き付けや振動などで余剰の水系溶液を十分振り落とすことで行うこともできる。   In this cleaning step, a cleaning liquid similar to the aqueous solvent in the organic metal compound aqueous solution is used, and the substrate on which the base pattern is formed is immersed in the cleaning liquid, or the cleaning liquid is sprayed on the base pattern on which the base pattern is formed. Etc. In addition, the cleaning step can be performed by sufficiently shaking off the excess aqueous solution by, for example, air blowing or vibration.

(2−7)焼成工程
焼成工程は、前記吸収工程を経た下地パターン(ネガタイプでは光照射部の塗膜、ポジタイプでは非光照射部の塗膜)を焼成し、下地パターン中の有機成分を分解除去し、有機金属化合物成分として含まれる金属の膜を形成する工程である。
(2-7) Firing step In the firing step, the base pattern (the coating film of the light irradiation part in the negative type and the coating film of the non-light irradiation part in the positive type) that has undergone the absorption process is fired to decompose the organic components in the base pattern. This is a step of removing and forming a metal film contained as an organometallic compound component.

焼成は、形成する金属膜が貴金属の膜である場合には大気中で行うことができるが、銅やパラジウムなどの酸化しやすい金属膜の場合には真空もしくは脱酸素雰囲気下(例えば窒素などの不活性ガス雰囲気下など)で行うこともできる。   Firing can be performed in the air when the metal film to be formed is a noble metal film, but in a vacuum or deoxygenated atmosphere (for example, nitrogen or the like) in the case of a metal film that is easily oxidized such as copper or palladium It can also be performed under an inert gas atmosphere.

焼成は、下地パターンに含まれる有機成分の種類などによっても相違するが、通常400℃〜600℃の温度下に数分〜数十分置くことで行うことができる。焼成は、例えば熱風循環炉などで行うことができる。この焼成によって、基板上に、所定の電極および/または配線のパターンに沿った形状で金属膜を形成することができる。   Firing may vary depending on the type of organic component contained in the underlying pattern, but can usually be performed by placing it at a temperature of 400 ° C. to 600 ° C. for several minutes to several tens of minutes. Firing can be performed, for example, in a hot air circulating furnace. By this firing, a metal film can be formed on the substrate in a shape along a predetermined electrode and / or wiring pattern.

(4)画像形成装置の製造方法
上述した本発明の電極・配線形成方法は、複数の電子放出素子と、該電子放出素子から放出される電子線の照射により画像を形成する画像形成部材とを具備する画像形成装置の製造方法に好適に用いることができる。すなわち、画像形成装置における電極と配線のいずれか一方もしくは両者を本発明の電極・配線形成方法で形成することで、製造工程を大幅に簡略化することが可能となる。
(4) Manufacturing Method of Image Forming Apparatus The above-described electrode / wiring forming method of the present invention includes a plurality of electron-emitting devices and an image-forming member that forms an image by irradiation of electron beams emitted from the electron-emitting devices. It can be suitably used in a method for manufacturing an image forming apparatus. That is, it is possible to greatly simplify the manufacturing process by forming either one or both of the electrode and the wiring in the image forming apparatus by the electrode / wiring forming method of the present invention.

製造対象である画像形成装置に用いられる電子放出素子としては、例えば表面伝導型電子放出素子、電界放出型(FE型)電子放出素子、金属/絶縁層/金属型(MIM型)電子放出素子などの冷陰極素子が好ましく、これらの中でも本発明の電極・配線形成方法で素子電極を一度に形成しやすい表面伝導型電子放出素子が好ましい。また、本発明の電極・配線形成方法によれば、素子電極と同時に各電子放出素子を駆動するために必要な配線をも形成することができる。   Examples of the electron-emitting device used for the image forming apparatus to be manufactured include a surface conduction electron-emitting device, a field emission (FE) electron-emitting device, and a metal / insulating layer / metal (MIM) electron-emitting device. Among these, a surface conduction electron-emitting device that can easily form device electrodes at a time by the electrode / wiring forming method of the present invention is preferable. Further, according to the electrode / wiring forming method of the present invention, it is possible to form wiring necessary for driving each electron-emitting device simultaneously with the device electrode.

本発明における画像形成装置とは、例えばテレビ受像器やコンピューターディスプレーの他、例えばプリンターやコピーなどを含むものである。例えばテレビ受像器やコンピューターディスプレーなどの場合、画像形成部材としては電子線の照射により発光する蛍光体を用いることができ、例えばプリンターやコピーなど場合、画像形成部材としては電子線の照射により潜像を形成する潜像形成部材を用いることができる。   The image forming apparatus in the present invention includes, for example, a printer and a copy in addition to a television receiver and a computer display. For example, in the case of a television receiver or a computer display, a phosphor that emits light when irradiated with an electron beam can be used as an image forming member. For example, in the case of a printer or a copy, a latent image can be formed by irradiating an electron beam as an image forming member. A latent image forming member for forming can be used.

以下、実施例を用いて本発明をより詳しく説明するが、この実施例は本発明を限定するものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in more detail using an Example, this Example does not limit this invention.

実施例1
金属化合物(酢酸鉛)の水溶液(鉛含有量1重量%)と、感光性樹脂成分(感光剤として4,4’−ジアジドスチルベン−2,2’−ジスルホン酸ナトリウムを含有するポリビニルアルコール)の水溶液を以下の比率で混合し、下地材料1−Aを調製した。
Example 1
An aqueous solution of a metal compound (lead acetate) (lead content: 1% by weight) and a photosensitive resin component (polyvinyl alcohol containing sodium 4,4′-diazidostilbene-2,2′-disulfonate as a photosensitizer) The aqueous solution was mixed at the following ratio to prepare the base material 1-A.

金属化合物: 10重量部
感光性樹脂成分樹脂: 90重量部(感光剤10重量部を含む)
Metal compound: 10 parts by weight Photopolymer component resin: 90 parts by weight (including 10 parts by weight of photosensitive agent)

この下地材料1−Aをガラス製の基板(75mm×75mm×厚さ2.8mm)にスピンコーターで全面に塗布し、ホットプレートにより80℃で2分間乾燥した。乾燥後の塗膜の厚みは1.34μmであった。   This base material 1-A was applied to the entire surface of a glass substrate (75 mm × 75 mm × thickness 2.8 mm) with a spin coater, and dried at 80 ° C. for 2 minutes with a hot plate. The thickness of the coating film after drying was 1.34 μm.

次いで、ネガフォトマスクを用い、光源を超高圧水銀ランプ(照度=8.0mW/cm2)にて、30μmのギャップを保持して、上記塗膜を露光時間30秒で露光した。露光後、現像液として純水を用い、ディッピングで30秒間処理し、目的のパターンにパターニングされた下地パターンを得た。   Next, using a negative photomask, the coating film was exposed with an ultra high pressure mercury lamp (illuminance = 8.0 mW / cm 2) while maintaining a gap of 30 μm for an exposure time of 30 seconds. After the exposure, pure water was used as a developer, and the substrate was processed by dipping for 30 seconds to obtain a base pattern patterned into a target pattern.

この下地パターンを形成した基板を純水中に30秒浸漬した後、テトラ白金モノエタノールアミン錯体の水溶液(白金含有量1重量%)に60秒浸漬した。このとき、スターラにより、下地パターン上にて攪拌速度が0.1m/秒となるように水溶液を攪拌した。   The substrate on which the base pattern was formed was immersed in pure water for 30 seconds, and then immersed in an aqueous solution of a tetraplatinum monoethanolamine complex (platinum content 1 wt%) for 60 seconds. At this time, the aqueous solution was stirred with a stirrer so that the stirring speed was 0.1 m / second on the base pattern.

その後、基板を引き上げ、流水で5秒間洗浄し、エアーで水切りをし、80℃のホットプレートで3分間乾燥した。   Thereafter, the substrate was pulled up, washed with running water for 5 seconds, drained with air, and dried on a hot plate at 80 ° C. for 3 minutes.

その後、熱風循環炉にて、500℃で30分間焼成して電極間距離20μm、幅60μm、長さ120μm、厚み20nmの白金の電極を形成した。   Then, it baked at 500 degreeC for 30 minute (s) in the hot-air circulation furnace, and formed the electrode of platinum with the distance between electrodes of 20 micrometers, width 60 micrometers, length 120 micrometers, and thickness 20 nm.

この電極のシート抵抗値は、200Ω/□であった。   The sheet resistance value of this electrode was 200Ω / □.

さらに、密着性を測定するためにテープ剥離試験を行った結果、電極パターンの剥離は見られずに良好であった。   Furthermore, as a result of performing a tape peeling test in order to measure the adhesiveness, peeling of the electrode pattern was not observed and it was good.

その後、この電極パターン形成方法を用いて画像形成装置を作製したが、洗浄工程において超音波をかけても電極パターンの剥離は見られなかった。   Thereafter, an image forming apparatus was produced using this electrode pattern forming method, but peeling of the electrode pattern was not observed even when ultrasonic waves were applied in the cleaning process.

比較例1
感光性樹脂(三洋化成製「サンレジナー(Sanresiner)BMR−850」)に、アミン系シランカップリング剤(信越化学製「KBM−603」)を0.06重量%添加した溶液を、ガラス製の基板(75mm×75mm×厚さ2.8mm)にスピンコーターで全面に塗布し、ホットプレートにより45℃で2分間乾燥した。
Comparative Example 1
A glass substrate obtained by adding 0.06% by weight of an amine-based silane coupling agent (“KBM-603” manufactured by Shin-Etsu Chemical) to a photosensitive resin (“Sanresiner BMR-850” manufactured by Sanyo Kasei) (75 mm × 75 mm × thickness 2.8 mm) was applied to the entire surface with a spin coater, and dried on a hot plate at 45 ° C. for 2 minutes.

次いで、ネガフォトマスクを用い、光源を超高圧水銀ランプ(照度:8.0mW/cm2)にて、基板とマスクをコンタクトさせ、露光時間2秒で露光した後、現像液として純水を用い、ディッピングで30秒間処理し、目的の樹脂パターンを得た。樹脂パターンの膜厚は1.55μmであった。   Next, using a negative photomask, the substrate is brought into contact with the mask with an ultra-high pressure mercury lamp (illuminance: 8.0 mW / cm 2), exposed for an exposure time of 2 seconds, then pure water is used as a developer, It processed by dipping for 30 second and obtained the target resin pattern. The film thickness of the resin pattern was 1.55 μm.

この樹脂パターンを形成した基板を純水中に30秒浸漬した後、テトラ白金モノエタノールアミン錯体溶液(白金含有量1重量%)に60秒浸漬した。   The substrate on which this resin pattern was formed was immersed in pure water for 30 seconds, and then immersed in a tetraplatinum monoethanolamine complex solution (platinum content 1 wt%) for 60 seconds.

その後、基板を引き上げ、流水で5秒間洗浄し、エアーで水切りをし、80℃のホットプレートで3分乾燥した。   Thereafter, the substrate was pulled up, washed with running water for 5 seconds, drained with air, and dried on a hot plate at 80 ° C. for 3 minutes.

その後、熱風循環炉にて、500℃で30分間焼成して電極間距離20μm、幅60μm、長さ120μm、厚み20nmの白金の電極を形成した。   Then, it baked at 500 degreeC for 30 minute (s) in the hot-air circulation furnace, and formed the electrode of platinum with the distance between electrodes of 20 micrometers, width 60 micrometers, length 120 micrometers, and thickness 20 nm.

この電極のシート抵抗値は、45Ω/□であった。   The sheet resistance value of this electrode was 45Ω / □.

さらに、密着性を測定するためにテープ剥離試験を行った結果、電極パターンの密着性が不安定なため、基板内の一部で電極パターンの剥離がみられた。   Furthermore, as a result of performing a tape peeling test to measure the adhesion, the adhesion of the electrode pattern was unstable, and thus the electrode pattern was peeled off in a part of the substrate.

その後、この電極パターン形成方法を用いて画像形成装置を作製したが、洗浄工程において超音波をかけた所、一部の電極パターンに剥離が見られた。   Thereafter, an image forming apparatus was produced using this electrode pattern forming method. When ultrasonic waves were applied in the cleaning process, some electrode patterns were peeled off.

実施例2
本発明の電極・配線形成方法を用いて画像形成装置を製造した。以下、図1および図2に基づいて製造手順を説明する。
Example 2
An image forming apparatus was manufactured using the electrode / wiring forming method of the present invention. Hereinafter, a manufacturing procedure will be described with reference to FIGS.

工程1:300mm×300mm×厚さ2.8mmのガラス製の基板1上に多数の素子電極対を実施例1と同様な手法で作成した。   Step 1: A large number of device electrode pairs were formed on a glass substrate 1 having a size of 300 mm × 300 mm × thickness of 2.8 mm in the same manner as in Example 1.

本実施例における素子電極対は、幅60μm、長さ480μmの素子電極Aと、幅120μm、長さ200μmの素子電極Bとを電極間ギャップ20μmで対向させたものとした。また、素子電極対間のピッチは、横方向300μm、縦方向650μmとし、素子電極対数720×240としてマトリクス形状に配置した。素子電極対の形成と同時に形成した1cm×1cmの白金膜パターンのシート抵抗値は26Ω/□であった。   The element electrode pair in the present example was configured such that an element electrode A having a width of 60 μm and a length of 480 μm and an element electrode B having a width of 120 μm and a length of 200 μm were opposed to each other with an interelectrode gap of 20 μm. The pitch between the device electrode pairs was 300 μm in the horizontal direction and 650 μm in the vertical direction, and the number of device electrode pairs was 720 × 240 and arranged in a matrix. The sheet resistance value of the 1 cm × 1 cm platinum film pattern formed simultaneously with the formation of the device electrode pair was 26Ω / □.

工程2:各列の素子電極対の一方の素子電極Aを接続するX方向配線2をスクリーン印刷法で付設した。次に、厚さ20μmの層間絶縁層(図面上は省略されている)をスクリーン印刷法により付設した上に、さらに各行の素子電極対の一方の素子電極Bを接続するY方向配線3をX方向配線2と同様にして付設し、焼成を行なってX方向配線2とY方向配線3とした。   Process 2: The X direction wiring 2 which connects one element electrode A of the element electrode pair of each row | line | column was attached by the screen printing method. Next, an interlayer insulating layer (not shown in the drawing) having a thickness of 20 μm is provided by a screen printing method, and a Y-direction wiring 3 for connecting one element electrode B of the element electrode pair in each row is further connected to X Attached in the same manner as the directional wiring 2 and fired to obtain the X-directional wiring 2 and the Y-directional wiring 3.

工程3:工程2でX方向配線2とY方向配線3を形成した基板1を純水で洗浄した。   Step 3: The substrate 1 on which the X-direction wiring 2 and the Y-direction wiring 3 were formed in the step 2 was washed with pure water.

工程4:ポリビニルアルコールを0.05重量%濃度、2−プロパノールを15重量%濃度、エチレングリコールを1重量%濃度で溶解した水溶液に、酢酸パラジウム−モノエタノールアミン錯体をパラジウムが約0.15重量%濃度となるように溶解して淡黄色水溶液を得た。   Step 4: Palladium acetate-monoethanolamine complex is about 0.15% by weight in an aqueous solution in which polyvinyl alcohol is dissolved at a concentration of 0.05% by weight, 2-propanol at a concentration of 15% by weight and ethylene glycol at a concentration of 1% by weight. It dissolved so that it might become% concentration, and pale yellow aqueous solution was obtained.

上記水溶液の液滴を、インクジェット法によって、各素子電極対を成す素子電極A,B上から当該素子電極A,B間の電極ギャップ内に亘って付設されるよう、同じ箇所に4回付与した(ドット径=約100μm)。   The aqueous solution droplets were applied to the same location four times by the ink jet method so as to be applied from above the device electrodes A and B forming each device electrode pair to within the electrode gap between the device electrodes A and B. (Dot diameter = about 100 μm).

上記水溶液の液滴を付設した基板1を350℃の焼成炉にて30分間焼成し、各素子電極対間に、当該素子電極対を成す素子電極A,B間を連絡するパラジウム薄膜4を形成した後、当該基板1をリアプレート5に固定した。   The substrate 1 provided with droplets of the aqueous solution is baked for 30 minutes in a baking furnace at 350 ° C., and a palladium thin film 4 is formed between each element electrode pair to connect between the element electrodes A and B constituting the element electrode pair. After that, the substrate 1 was fixed to the rear plate 5.

工程5:ガラス製の基板7の内面に蛍光膜8とメタルバック9が形成されたフェースプレート10と、上記リアプレートを向き合わせ、支持枠6を介して封着して外囲器11を構成した。支持枠6には予め通排気に使用される給排気管を接着した。   Step 5: The face plate 10 having the fluorescent film 8 and the metal back 9 formed on the inner surface of the glass substrate 7 and the rear plate face each other and are sealed via the support frame 6 to form the envelope 11. did. A supply / exhaust pipe used for ventilation is bonded to the support frame 6 in advance.

工程6:給排気管を介して外囲器内を1.3×10−5Paまで排気後、各X方向配線2に連なるX方向端子Dx1〜Dxnと、各Y方向配線3に連なるY方向端子Dy1〜Dynを用い、各列の素子電極対間に電圧を加え、素子電極A,B間のパラジウム薄膜4に数十μmの亀裂部を発生させるフォーミングをライン毎に行い、表面伝導型電子放出素子を形成した。   Step 6: After exhausting the inside of the envelope to 1.3 × 10 −5 Pa through the air supply / exhaust pipe, X direction terminals Dx1 to Dxn connected to each X direction wiring 2 and Y direction terminals connected to each Y direction wiring 3 Using Dy1 to Dyn, a voltage is applied between the pair of element electrodes in each row, forming a crack of several tens of μm in the palladium thin film 4 between the element electrodes A and B for each line, and surface conduction electron emission An element was formed.

工程7:外囲器11内を1.3×10−5Paまで排気後、外囲器11内が1.3×10−2Paとなるまでベンゾニトリルを給排気管から導入し、上記フォーミングと同様にして、各素子電極対間にパルス電圧を供給し、上記パラジウム薄膜の亀裂部にカーボンを堆積させる活性化を行った。パルス電圧は各ラインに対して25分間印加した。   Step 7: After exhausting the inside of the envelope 11 to 1.3 × 10 −5 Pa, benzonitrile is introduced from the air supply / exhaust pipe until the inside of the envelope 11 becomes 1.3 × 10 −2 Pa, and the same as the above forming Then, a pulse voltage was supplied between each pair of element electrodes, and activation was performed by depositing carbon on the crack portion of the palladium thin film. A pulse voltage was applied to each line for 25 minutes.

工程8:給排気管より外囲器11内の排気を充分に行った後、250℃で3時間外囲器11全体を加熱しながらさらに排気し、最後にゲッタをフラッシュし、給排気管を封止した。   Step 8: After exhausting the inside of the envelope 11 sufficiently from the supply / exhaust pipe, the whole envelope 11 is further exhausted while being heated at 250 ° C. for 3 hours, and finally the getter is flushed, Sealed.

このようにして図2に示されるような表示パネルを製造し、不図示の走査回路・制御回路・変調回路・直流電圧源などからなる駆動回路を接続し、パネル状の画像形成装置を製造した。   In this way, a display panel as shown in FIG. 2 was manufactured, and a drive circuit comprising a scanning circuit, a control circuit, a modulation circuit, a DC voltage source, etc. (not shown) was connected to manufacture a panel-shaped image forming apparatus. .

X方向端子Dx1〜DxnとY方向端子Dy1〜Dynを通じて、各表面伝導型電子放出素子に時分割で所定電圧を印加し、高電圧端子12を通じてメタルバック9に高電圧を印加することによって、任意のマトリクス画像パターンを良好な画像品質で表示することができた。   By applying a predetermined voltage in a time-sharing manner to each surface conduction electron-emitting device through the X direction terminals Dx1 to Dxn and the Y direction terminals Dy1 to Dyn, and applying a high voltage to the metal back 9 through the high voltage terminal 12, any The matrix image pattern can be displayed with good image quality.

実施例2で形成した電極パターンの模式図であるIt is a schematic diagram of the electrode pattern formed in Example 2. 実施例2で製造した画像形成装置の表示パネル部分を示す模式図である。6 is a schematic diagram illustrating a display panel portion of an image forming apparatus manufactured in Example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

A 素子電極
B 素子電極
Dx1〜Dxn X方向端子
Dy1〜Dyn Y方向端子
1 基板
2 X方向配線
3 Y方向配線
4 パラジウム薄膜
5 リアプレート
6 支持枠
7 基板
8 蛍光膜
9 メタルバック
10 フェースプレート
11 外囲器
12 高電圧端子
A element electrode B element electrode Dx1 to Dxn X direction terminal Dy1 to Dyn Y direction terminal 1 Substrate 2 X direction wiring 3 Y direction wiring 4 Palladium thin film 5 Rear plate 6 Support frame 7 Substrate 8 Fluorescent film 9 Metal back 10 Face plate 11 Outside Envelope 12 High voltage terminal

Claims (8)

水溶性感光性樹脂成分と水溶性金属化合物とを含有する感光性樹脂を基板上に塗布する塗布工程と、
前記基板上に塗布された前記感光性樹脂を露光し現像して下地パターンを形成する露光及び現像工程と、
前記下地パターンに有機金属化合物を吸収させる吸収工程と、
前記有機金属化合物を吸収した下地パターンを焼成する焼成工程と
を有することを特徴とする電極・配線形成方法。
A coating step of coating a photosensitive resin containing a water-soluble photosensitive resin component and a water-soluble metal compound on a substrate;
An exposure and development process for exposing and developing the photosensitive resin applied on the substrate to form a base pattern; and
An absorption step of absorbing the organic metal compound to the base pattern,
A firing step of firing the underlying pattern which has absorbed the organic metal compound,
An electrode / wiring forming method characterized by comprising:
前記水溶性金属化合物の前記水溶性感光性樹脂成分に対する比率が、1.0重量%以上20重量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の電極・配線形成方法。 Electrodes and wiring forming how according to claim 1, wherein the ratio of water-soluble photosensitive resin component is 1.0 to 20% by weight of the water-soluble metal compound. 前記水溶性金属化合物がロジウム、ビスマス、ルテニウム、バナジウム、クロム、錫、鉛、ケイ素を含む水溶性金属化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電極・配線形成方法。 Electrodes and wiring forming how according to claim 1 or 2, wherein the water-soluble metal compound is a water-soluble metal compound containing rhodium, bismuth, ruthenium, vanadium, chromium, tin, lead, silicon. 前記有機金属化合物が錯体であって、その配位子が、含窒素化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電極・配線形成方法。 3. The electrode / wiring forming method according to claim 1, wherein the organometallic compound is a complex, and the ligand thereof is a nitrogen-containing compound. 前記含窒素化合物が、炭素数が8以下の含窒素化合物であることを特徴とする請求項4に記載の電極・配線形成方法。 The electrode / wiring forming method according to claim 4, wherein the nitrogen-containing compound is a nitrogen-containing compound having 8 or less carbon atoms. 前記有機金属化合物が白金錯体であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電極・配線形成方法。 Electrodes and wiring forming method according to any one of claims 1 to 5 wherein the organometallic compound is characterized in that it is a platinum complex. 前記水溶性感光樹脂成分が、ポリビニルアルコール系樹脂またはポロビニルピロリドン系樹脂である請求項1乃至6のいずれかに記載の電極・配線形成方法。 The water-soluble photosensitive resin component, electrodes and wiring forming how according to any one of claims 1 to 6 is a polyvinyl alcohol resin or polyvinylpyrrolidone resin. 複数の電子放出素子と、該電子放出素子から放出される電子線の照射により画像を形成する画像形成部材とを具備する画像形成装置の製造方法において、電極と配線のいずれか一方もしくは両者を請求項1乃至7のいずれかに記載の方法で形成することを特徴とする画像形成装置の製造方法。 In a manufacturing method of an image forming apparatus comprising a plurality of electron-emitting devices and an image-forming member that forms an image by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting devices, one or both of the electrodes and wirings are claimed. Item 8. A method for manufacturing an image forming apparatus, which is formed by the method according to any one of Items 1 to 7 .
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