JP4247717B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置の製造方法に関するものである。

ディスプレイや表示光源などとして用いられる電気光学装置は、その製造過程において、基体となる物体上に材料を配置する工程を含む。材料の配置技術は、品質や機能と密接に関係するため、上記各装置の性能の向上を図る上で重要である。

物体上に材料を配置する技術として、吐出ヘッドに設けられたノズルを介して液体材料を液滴として吐出する方法（液滴吐出法、インクジェット法）がある。この液滴吐出法は、スピンコート法などの他の一般的な塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、物体上に配置する液体材料の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。

電気光学装置の一つである液晶装置の製造過程において、配向膜の形成材料を含む液状体（配向膜インク）を、液滴吐出法を用いて基板上に配置する技術がある（例えば、特許文献１参照）。この技術では、ブチルセロソルブ等のアルコール系の溶剤を添加した配向膜インクを使用している。
特開２００１−４２３３０号公報

ブチルセロソルブ等のアルコール系の溶剤を添加した配向膜インクは、白濁や固形分の析出が生じやすい。こうした白濁や固形分の析出は、吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じる原因となる。

本発明は、液滴吐出法に適した配向膜インクの希釈方法を提供することを目的とする。

本発明は、配向膜インクを希釈する方法であって、溶解パラメータが配向膜インクと同程度の溶媒を希釈液として用いることを特徴とする。

溶解パラメータが配向膜インクと同程度の溶媒を希釈液として用いることにより、白濁や固形分の析出を防止できる。その結果、液滴吐出法における吐出ヘッドの目詰まりによる吐出不具合が防止される。また、固形分の析出が防止されることで、配向膜インクの固形分濃度の管理が容易となる。

上記の希釈方法において、配向膜インクの溶解パラメータをσｉ、溶媒の溶解パラメータをσｓとするとき、その比σｓ／σｉが、０．８以上１．２未満であるのが好ましい。

さらに、前記比σｓ／σｉが、０．９以上１．１未満であるのがより好ましい。

上記の希釈方法において、例えば、前記配向膜インクに含まれる複数の溶媒のうち、溶媒パラメータが前記配向膜インクに最も近い溶媒を希釈液として用いることができる。

また、例えば、溶解パラメータが前記配向膜インクと同程度でありかつ前記配向膜インクに含まれない溶媒を希釈液として用いることもできる。

本発明の液晶装置の製造方法は、液滴吐出法を用いて基板上に配向膜インクを配置する工程を有する液晶装置の製造方法であって、上記の希釈方法を用いて希釈された配向膜インクを用いることを特徴とする。
これによれば、高品質の液晶装置を製造することができる。

本発明の電子機器は、上記の製造方法で製造された液晶装置を備えることを特徴とする。
この電子機器によれば、品質の向上が図られる。

以下、本発明について説明する。

（配向膜インクの希釈方法）
本発明の配向膜インクの希釈方法では、溶解パラメータが配向膜インクと同程度の溶媒を希釈液として用いる。
ここで、ｅ：分子の凝集密度エネルギー、Ｅ：モル蒸発熱、Ｖ：分子容積（１molが占める体積）、Ｘ：モル分率、とするとき、溶解パラメータσは、以下の式（１）で表すことができる。また、混合溶媒の溶解パラメータσmixは、以下の式（３）で表すことができる。

溶解パラメータが配向膜インクに近い溶媒を希釈液として用いることにより、白濁や固形分の析出を防止できる。その希釈液は、その配向膜インクに含まれる溶剤でもよく、その配向膜インクに含まれない溶剤でもよい。

配向膜インクの溶解パラメータをσｉ、溶媒の溶解パラメータをσｓとするとき、その比σｓ／σｉは、０．８以上１．２未満であるのが好ましく、０．９以上１．１未満であるのがより好ましい。σｓ／σｉが０．８未満あるいは１．２以上であると、配向膜インクに溶媒を添加した際に白濁や固形分の析出が生じやすいので好ましくない。また、σｓ／σｉが０．９以上１．１未満であると、配向膜インクに溶媒を添加した際の白濁や固形分の析出がより確実に防止される。

配向膜インクの代表例として、主固形分としてのポリイミド（ＰＩ）と、溶媒としてのγ−ブチロラクトンとブチルセロソルブとを含むものがある。溶解パラメータは、配向膜インク：０・３９、γ−ブチロラクトン：０・４、ブチルセロソルブ：０・３、である。γ−ブチロラクトンは、固形分（ポリイミド）を溶解させる機能を有する。ブチルセロソルブは、インクの表面張力を制御する機能を有する。

この配向膜インクに、γ−ブチロラクトンを添加した場合の状態を以下の表１に示し、ブチルセロソルブを添加した場合の状態を以下の表２に示す（処理温度：２３℃、添加率は重量％）。
なお、元の配向膜インクの粘度：４６ｍＰａ.ｓ、元の配向膜インクの固形分濃度（重量％）：４ｗｔ％、元の配向膜インクのγ−ブチロラクトンの成分濃度（重量％）：８０ｗｔ％、元の配向膜インクのブチルセロソルブの成分濃度（重量％）：１０ｗｔ％、溶媒の残り１０ｗｔ％は別成分、である。

表１及び表２から明らかなように、上記配向膜インク（σ＝０．３９）にγ−ブチロラクトン（σ＝０・４）を添加した場合には、白濁や固形分の析出が発生しないのに対して、ブチルセロソルブ（σ＝０・３）を添加した場合には、添加率の増加に伴い白濁や固形分（ポリイミド：ＰＩ）の析出が生じた。

また、上記配向膜インク（σ＝０．３９）にＮ−Ｎジメチルアセトアミド（σ＝０．３７）を添加した場合には、白濁や固形分の析出が発生しないことが確認された。

（液滴吐出装置）
次に、液滴吐出法に用いられる液滴吐出装置（インクジェット装置）について説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
上記の希釈法を用いることにより、液滴吐出法を用いて配向膜インクを吐出する場合において、目詰まりによる吐出不具合を防止することが可能となる。また、固形分の析出が防止されることで、配向膜インクの固形分濃度の管理が容易となる。

図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
この液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッドのノズルから材料インク（液体材料）を液滴状に吐出するものであり、液滴吐出ヘッド３０１、Ｘ軸方向駆動軸３０４、Ｙ軸方向ガイド軸３０５、制御装置ＣＯＮＴ、ステージ３０７、クリーニング機構３０８、基台３０９、及びヒータ３１５等を含んで構成される。

ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪによって材料インク（液体材料）が配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。

液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とが一致している。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、材料インクが吐出される。

Ｘ軸方向駆動軸３０４には、Ｘ軸方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ軸方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ軸方向に移動する。

制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

液滴吐出装置ＩＪでは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とが相対的に走査移動しつつ液滴吐出ヘッド３０１から基板Ｐに対して液体材料を液滴状に吐出する。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている（Ｘ軸方向：走査方向、Ｙ軸方向：非走査方向）。なお、図１では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節できるようにしてもよい。

図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの概略構成図である。
図２において、液体材料（インク）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させて液体室３２１を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル３２５から液体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

（液晶装置）
次に、上述した液滴吐出装置を用いて製造される液晶パネル（デバイス）及び当該液晶パネルを備える液晶装置（電気光学装置）について説明する。
図３、図４及び図５に示す液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクスタイプの透過型液晶表示装置である。図３は透過型液晶表示装置のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図４はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す要部平面図である。図５は図４のＡ−Ａ’線断面図である。なお、図５においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。また、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

本実施の形態の液晶装置において、図３に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と、当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。

また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。

次に、図４に基づいて、本実施形態の液晶装置の要部の平面構造について説明する。
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide,以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。そして、各が素電極９を囲むデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された縦横の格子状に形成された領域が画像の表示を行わない非表示領域Ｕとされている。

データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。

容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図４中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。

次に、図５に基づいて、本実施の形態の液晶装置の断面構造について説明する。
図５は、上述したように図４のＡ−Ａ’線断面図であり、ＴＦＴ素子３０が形成された領域の構成について示す断面図である。本実施の形態の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜４０及び６０の間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成されたＴＦＴ素子３０、画素電極９、配向膜４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、配向膜６０、を主体として構成されている。そして、各基板１０，２０は、スペーサー１５を介して所定の基板間隔が保持されている。

ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。

さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。すなわち、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’および低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。

また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図４に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。

さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９および第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。したがって、このようなＴＦＴ素子３０を具備する領域においては、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち液晶層５０の挟持面には複数の凹凸ないし段差が形成された構成となっている。

他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、その略全面にわたって、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。

（液晶装置の製造方法）
次に、上記液晶装置の製造方法について、その例を図面を参照して説明する。
図６は、本実施形態の液晶装置の製造方法について、そのプロセスフローを示す説明図である。すなわち、本製造方法は、一対の基板に配向膜を形成し、この配向膜にラビング処理を施し、一方の基板に対して枠状シール材を形成した後、このシール材枠内に液晶を滴下し、他方の基板を貼り合せる。以下、各フローについて詳細を説明する。

まず、図６及び図５に示すように、ガラス等からなる下側の基板本体１０Ａ上にＴＦＴ素子３０等を構成するために、遮光膜１１ａ、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ、チャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、蓄積容量電極１ｆ、走査線３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜７、コンタクトホール８、画素電極９を形成する（ステップＳ１）。

次に、基板本体１０Ａ上に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて配向膜溶液を塗布して配向膜４０を形成する（ステップＳ２）。
その後、配向膜４０に所定の方向にラビング処理を施し、ＴＦＴアレイ基板１０を作成する（ステップＳ３）。また、上側の基板本体２０Ａ上にも遮光膜２３、対向電極２１、配向膜６０を形成し、さらに前記配向膜６０に所定の方向にラビング処理を施し対向基板２０を作成する。

次に、上記対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０上に枠状のシール材を形成する（ステップＳ４）。なお、シール材としては紫外線硬化樹脂等を用いることができ、これを印刷法等で枠状に形成するものとしており、液晶注入口を有しない閉口枠形状に形成する。この時、所定の基板間隔を保持する為に、シール材中にスペーサー１５を分散させて、所定の基板間隔を保持するようにしてもよい。

次に、シール材を形成したＴＦＴアレイ基板１０上に、当該液晶装置のセル厚に見合った所定量の液晶を滴下する（ステップＳ６）。その後、液晶を滴下したＴＦＴアレイ基板１０と他方の対向基板２０とを、液晶を挟持するように貼り合わせ、さらに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外面側に図示しない位相差板、偏光板等の光学フィルムを貼り合わせ、図５に示したセル構造を備える表示装置である液晶装置が製造される。

上記の液晶装置においては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて基板本体１０Ａ、２０Ａ上に配向膜インクを配置する。すなわち、上述した液滴吐出装置ＩＪ（図１参照）を用いて、配向膜形成材料を含む液状の配向膜インクを吐出・乾燥することにより、基板本体１０Ａ、２０Ａ上に配向膜４０、６０が形成される。

本例では、上記の希釈法を用いて配向膜インクの粘度等の調製を行う。そのため、液滴吐出法を用いて配向膜インクを吐出する場合において、目詰まりによる吐出不具合が防止される。液滴吐出が安定的に行われることで、高精度の材料配置により、品質の高い液晶装置が製造される。

また、本例では、液滴吐出法により配向膜等を形成するため、フレキソ法と比較して、材料使用量や排液量を大幅に削減でき、省エネルギ効果が高く、また基板の大型化にも容易に対応でき、さらに高品質の膜を製膜することが可能である。

（電子機器）
図７（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、本発明の電子機器の実施の形態例を示している。
本例の電子機器は、上記の液晶装置を表示手段として備えている。
図７（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図７（Ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた表示部を示している。
図７（Ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図７（Ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた表示部を示している。
図７（Ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図７（Ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた表示部を示している。
図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上記の液晶装置を表示手段として備えているので、表示ムラのない高品質の電子機器を得ることができる。

上記各実施の形態の液晶装置は、上記電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、映像モニタ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このような電子機器は、安価でありながら信頼性に優れたものとなる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。 ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図。 液晶装置の等価回路図。 図３の液晶装置について画素構造を示す平面図。 図３の液晶装置の要部を示す断面図。 図３の液晶装置の製造方法について一例を示す工程説明図。 本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図。

符号の説明

ＣＯＮＴ…制御装置（制御手段）、ＩＪ…液滴吐出装置（インクジェット装置）、Ｐ，１０，２０…基板、１０Ａ，２０Ａ…基板本体、４０，６０…配向膜、１０００…携帯電話本体（電子機器）、１１００…時計本体（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）。

Claims (4)

1. 液滴吐出法を用いた液晶装置の製造方法であって、
   配向膜インクを希釈液で希釈する希釈工程を含む、前記配向膜インクを液滴吐出ヘッドに適した粘度に調製する工程と、
   前記配向膜インクを、前記液滴吐出ヘッドを用いて基板上に配置する工程と、を有し、
   前記配向膜インクは、γ−ブチロラクトンとブチルセロソルブとを含む溶媒と、主固形分であるポリイミドとを含むとともに、前記ブチルセロソルブによって表面張力が制御されており、
   前記配向膜インクの溶解パラメータをσｉ、前記希釈液の溶解パラメータをσｓとするとき、その比σｓ／σｉが、０．８以上１．２未満であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 前記比σｓ／σｉが、０．９以上１．１未満であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
3. 液滴吐出法を用いた液晶装置の製造方法であって、
   配向膜インクを希釈液で希釈し、前記配向膜インクを液滴吐出ヘッドに適した粘度に調製する工程と、
   前記配向膜インクを、前記液滴吐出ヘッドを用いて基板上に配置する工程と、を有し、
   前記配向膜インクは、γ−ブチロラクトンとブチルセロソルブとを含む溶媒と、主固形分であるポリイミドとを含むとともに、前記ブチルセロソルブによって表面張力が制御されており、
   前記希釈液は、γ−ブチロラクトン又はＮ−Ｎジメチルアセトアミドであり、
   前記配向膜インクの溶解パラメータをσｉ、前記希釈液の溶解パラメータをσｓとするとき、その比σｓ／σｉが、０．８以上１．２未満であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
4. 前記溶媒は、８０重量％のγ−ブチロラクトンと１０重量％のブチルセロソルブとを含み、
   前記希釈工程は、前記γ−ブチロラクトン又は前記Ｎ−Ｎジメチルアセトアミドを前記配向膜インクに対して重量比で４％以上添加することを含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。

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