JP4229157B2 - Drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、駆動回路、電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to a drive circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
従来より、携帯電話機等の電子機器に用いられる液晶表示(Liquid Crystal Display:LCD)パネル(広義には、表示パネル。更に広義には電気光学装置)として、単純マトリクス方式のLCDパネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)等のスイッチ素子を用いたアクティブマトリクス方式のLCDパネルとが知られている。 Conventionally, as a liquid crystal display (LCD) panel (display panel in a broad sense, an electro-optical device in a broad sense) used for an electronic device such as a cellular phone, a simple matrix type LCD panel and a thin film transistor ( 2. Description of the Related Art An active matrix type LCD panel using a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) is known.
単純マトリクス方式は、アクティブマトリクス方式に比べて低消費電力化が容易である反面、多色化や動画表示が困難である。一方、アクティブマトリクス方式は、多色化や動画表示に適している反面、低消費電力化が困難である。 The simple matrix method is easier to reduce power consumption than the active matrix method, but it is difficult to increase the number of colors and display a moving image. On the other hand, the active matrix method is suitable for multicolor and moving image display, but it is difficult to reduce power consumption.
単純マトリクス方式のLCDパネルやアクティブマトリクス方式のLCDパネルでは、画素を構成する液晶(広義には電気光学物質)への印加電圧が交流となるように駆動される。このような交流駆動の手法として、ライン反転駆動やフィールド反転駆動(フレーム反転駆動)が知られている。ライン反転駆動では、1又は複数走査ライン毎に、液晶の印加電圧の極性が反転するように駆動される。フィールド反転駆動では、フィールド毎(フレーム毎)に液晶の印加電圧の極性が反転するように駆動される。 In a simple matrix type LCD panel and an active matrix type LCD panel, driving is performed so that an applied voltage to liquid crystal (electro-optical material in a broad sense) constituting a pixel is an alternating current. As such AC driving methods, line inversion driving and field inversion driving (frame inversion driving) are known. In line inversion driving, driving is performed so that the polarity of the voltage applied to the liquid crystal is inverted every one or more scanning lines. In the field inversion driving, driving is performed so that the polarity of the voltage applied to the liquid crystal is inverted for each field (for each frame).
その際、画素を構成する画素電極と対向する対向電極(コモン電極)に供給する対向電極電圧(コモン電圧)を、反転駆動タイミングに合わせて変化させることで、画素電極に印加する電圧レベルを低下させることができる。 At that time, the voltage level applied to the pixel electrode is lowered by changing the counter electrode voltage (common voltage) supplied to the counter electrode (common electrode) facing the pixel electrode constituting the pixel in accordance with the inversion drive timing. Can be made.
このような交流駆動を行う場合であっても、液晶の充放電に伴う消費電力の増大を招く。そこで例えば特許文献1には、反転駆動時に、液晶を挟持する2つの電極を短絡することにより液晶に蓄積される電荷を初期化し、電極の短絡前の電圧の中間電圧まで遷移させることで低消費電力化を図る技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1に開示されている技術では、消費電力の削減効果がソース線に与える電圧に依存してしまうという問題がある。そのため、極性が反転する対向電極を充放電する電荷量の削減効果が、それほど期待できない。また、特許文献1に開示された技術では、ソース線に与える電圧と対向電極電圧の極性との関係によっては、液晶を挟持する2つの電極を短絡することで、充放電すべき電荷量が却って増加してしまい、低消費電力化の効果が薄れてしまう場合があるという問題がある。
However, the technique disclosed in
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the technical problems as described above, and the object of the present invention is to further reduce power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible. It is an object to provide a drive circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can be realized.
上記課題を解決するために本発明は、
階調データに基づいて電気光学装置のソース線を駆動するための駆動回路であって、
階調データに対応した階調電圧を前記ソース線に供給するためのソース線駆動部と、
前記ソース線駆動部により前記ソース線が駆動されるのに先立って、前記ソース線を、キャパシタに接続される共用ラインと短絡するためのソース出力切替部と、
前記ソース出力切替部を制御する電荷再利用制御部とを含み、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部の判定結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡する駆動回路に関係する。
In order to solve the above problems, the present invention
A drive circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data,
A source line driver for supplying a gradation voltage corresponding to gradation data to the source line;
A source output switching unit for short-circuiting the source line with a common line connected to a capacitor before the source line is driven by the source line driving unit;
A charge reuse control unit that controls the source output switching unit,
The charge reuse controller
For each source output, according to the first gradation voltage supplied to the source line in the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period, the source line Whether or not to short-circuit the common line,
The source output switching unit is
The present invention relates to a drive circuit that short-circuits the source line with the shared line based on a determination result of the charge reuse control unit.
本発明においては、駆動回路がソース線を駆動するのに先立って、ソース線の電荷を再利用することができる。電荷の再利用は、一端にキャパシタが接続された共用ラインにソース線を短絡することで実現される。ソース線の電荷を再利用することで、駆動対象のソース線の電位を、外部から電荷を充放電することなく所与のレベルに設定できる。このような電荷の再利用を行う場合、電力が消費されない。そのため、駆動回路は、電荷の再利用により、所与のレベルから、階調データに対応した階調電圧のレベルになるようにソース線を駆動すればよいので、ソース線の駆動に伴う電力消費を削減できることが多い。しかしながら、当該水平走査期間の直前の水平走査期間においてソース線に設定された階調電圧のレベルによっては、上記のような電荷の再利用を行わない方が、余分な電荷の充放電を伴う場合がある。 In the present invention, the charge of the source line can be reused before the driving circuit drives the source line. The reuse of electric charge is realized by short-circuiting the source line to a shared line having a capacitor connected to one end. By reusing the charge on the source line, the potential of the source line to be driven can be set to a given level without external charge / discharge. When such charge is reused, no power is consumed. For this reason, the drive circuit only needs to drive the source line from the given level to the level of the grayscale voltage corresponding to the grayscale data by reusing the electric charge. Can often be reduced. However, depending on the level of the gradation voltage set for the source line in the horizontal scanning period immediately before the horizontal scanning period, it may be necessary to charge / discharge extra charges if the charge is not reused as described above. There is.
そこで、本発明によれば、ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を共用ラインと短絡するか否かを判定し、その判定結果に応じてソース線と共用ラインとを短絡するようにしたので、上記のような余分な電荷の充放電を伴う場合に電荷の再利用を行わないように制御できる。そのため、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。 Therefore, according to the present invention, for each source output, the first gradation voltage supplied to the source line during the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period. Therefore, it is determined whether or not the source line is short-circuited with the shared line, and according to the determination result, the source line and the shared line are short-circuited. It can be controlled not to recycle the charge when it is accompanied by discharge. Therefore, it is possible to provide a drive circuit that can realize further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.
また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調電圧が前記基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より高電位側で他方が前記基準電圧より低電位側と判定された時に短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage,
The source output switching unit is
When the charge recycle control unit determines that the first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage, the source line is short-circuited to the shared line. Instead, a short circuit can be made when it is determined that one of the first and second gradation voltages is higher than the reference voltage and the other is lower than the reference voltage .
本発明においては、第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかが判定される。第1及び第2の階調電圧が基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるソース線を駆動する場合、駆動回路によるソース線の駆動に先立って行われる電荷の再利用の際に、一旦、当該ソース線の電位が所与のレベルとなってしまい、却って余分な電荷を充放電する必要が生ずる。本発明によれば、ソース出力毎に、上述のように判定されたことを条件に、当該ソース線と共用ラインとを短絡するようにしたので、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。 In the present invention, it is determined whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage. When driving a source line whose first and second grayscale voltages are both higher potential side or lower potential side than the reference voltage , at the time of reusing charges prior to driving the source line by the drive circuit. Once the potential of the source line reaches a given level, it becomes necessary to charge / discharge excess charges. According to the present invention, the source line and the common line are short-circuited on the condition that the determination is made as described above for each source output, so that the charge can be reused without consuming unnecessary power. Thus, it is possible to provide a drive circuit that can realize further lower power consumption.
また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビットのデータと、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
The most significant bit data of the first gradation data for generating the first gradation voltage and the most significant bit data of the second gradation data for generating the second gradation voltage And based on the comparison result, it can be determined whether or not the source line is short-circuited with the shared line.
また本発明に係る駆動回路では、
前記基準電圧が、
中間階調値に対応した階調電圧であってもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
The reference voltage is
It may be a gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value.
上記のいずれかの発明によれば、中間階調値に対応した階調電圧を基準電圧としたので、簡素な構成で、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。また、この場合、階調データの最上位のビットのデータのみを用いて上記のように判定できるので、駆動回路の構成をより一層簡素化できる。 According to any one of the above-described inventions, since the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value is used as the reference voltage, the charge can be reused with a simple configuration without consuming unnecessary power. A drive circuit capable of realizing power consumption can be provided. In this case, since the determination can be made as described above using only the most significant bit data of the gradation data, the configuration of the drive circuit can be further simplified.
また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データと所与の基準データとを比較した第1の比較結果と、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと前記基準データとを比較した第2の比較結果とに基づいて、前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
A first comparison result of comparing the first gradation data for generating the first gradation voltage and given reference data, and a second comparison result for generating the second gradation voltage Whether or not the source line is short-circuited to the shared line can be determined based on the second comparison result obtained by comparing the gradation data and the reference data.
また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいと判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準データより高電位側で他方が前記基準データより低電位側と判定された時に短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data,
The source output switching unit is
When the charge reuse controller determines that the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data, the source line is not short-circuited with the shared line, and the first When one of the second gradation voltages is determined to be higher than the reference data and the other is determined to be lower than the reference data, a short circuit can be made.
上記のいずれかの発明によれば、2つの連続する水平走査期間における階調電圧が、最高電圧VHと最低電圧VLとの間の設定可能な電圧より高電位側か低電位側かを判断でき、電荷の再利用を行ったり、電荷の再利用を省略したりできるようになる。そのため、例えば横軸を階調データとし、縦軸を階調電圧として階調データと階調電圧との関係を示す電気光学装置の階調特性が線形関係を有しない場合であっても、電荷の再利用を行うか否かを判定する基準を変更できるため、種々の電気光学装置を駆動する駆動回路に適用できる。即ち、種々の電気光学装置を駆動する場合でも、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できるようになる。 According to any one of the above inventions, whether the gradation voltage in two consecutive horizontal scanning periods is higher or lower than the settable voltage between the highest voltage VH and the lowest voltage VL. This makes it possible to re-use charges and to omit re-use of charges. Therefore, for example, even when the gradation characteristics of the electro-optical device showing the relationship between the gradation data and the gradation voltage with the horizontal axis as the gradation data and the vertical axis as the gradation voltage have no linear relationship, the charge Since it is possible to change the reference for determining whether or not to recycle, it can be applied to driving circuits for driving various electro-optical devices. That is, even when various electro-optical devices are driven, it is possible to provide a drive circuit that can further reduce power consumption by reusing charges without consuming unnecessary power.
また本発明に係る駆動回路では、
前記電気光学装置の第1のソース線への出力電圧が供給される第1のソース出力ノードと前記共用ラインとの間に設けられる第1のソース短絡スイッチと、
第2の容量素子の一端が接続される第2の容量素子接続ノードと前記共用ラインとの間に設けられるソース電荷蓄積用スイッチとを含み、
前記第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記第1のソース短絡スイッチ又はソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを電気的に遮断した状態で、前記第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧を供給し、前記第1のソース線を駆動することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
A first source short-circuit switch provided between a first source output node to which an output voltage to the first source line of the electro-optical device is supplied and the shared line;
A source charge storage switch provided between a second capacitor element connection node to which one end of the second capacitor element is connected and the shared line;
After the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected once by the first source short circuit switch and the source charge storage switch, the first source short circuit switch or the source charge A voltage corresponding to grayscale data is supplied to the first source output node in a state where the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically cut off by a storage switch, The first source line can be driven.
本発明においては、第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチを介して、第1のソース出力ノードと第2の容量素子接続ノードとが一旦電気的に接続された後に、第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧が供給される。このとき、第2の容量素子の一端と第1のソース出力ノードとが同電位となり、第1のソース出力ノード若しくは該第1のソース出力ノードに接続されるソース線の寄生容量に蓄積された電荷が第2の容量素子の一端に電荷を補充したり、或いは第2の容量素子に蓄積された電荷が第1のソース出力ノード等の寄生容量に補充されたりする。そのため、外部電源からの電荷の補充を一切行うことなく、第1のソース出力ノード等の電位を変化させることができる。従って、その後は、上述のように変化した電位を基準に第1のソース出力ノードに電荷の補充等を行えばよいため、消費電力を削減することができる。 In the present invention, after the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected via the first source short-circuit switch and the source charge storage switch, the first source A voltage corresponding to the gradation data is supplied to the output node. At this time, one end of the second capacitor element and the first source output node are at the same potential, and accumulated in the parasitic capacitance of the first source output node or the source line connected to the first source output node. The charge is supplemented to one end of the second capacitor element, or the charge accumulated in the second capacitor element is supplemented to a parasitic capacitor such as the first source output node. Therefore, the potential of the first source output node or the like can be changed without replenishing charges from the external power supply at all. Therefore, after that, it is only necessary to charge the first source output node with reference to the potential changed as described above, so that power consumption can be reduced.
また本発明に係る駆動回路では、
第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードと電気光学物質を介して前記電気光学装置の画素電極に対向する対向電極の電圧が供給される対向電極電圧出力ノードとの間に設けられる対向電極電荷蓄積用スイッチと、
前記対向電極電荷蓄積用スイッチにより前記対向電極電圧出力ノードと前記第1の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記対向電極電圧出力ノードに前記対向電極電圧を供給して前記対向電極を駆動することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
A first capacitor element connection node to which one end of the first capacitor element is connected and a counter electrode voltage output node to which a voltage of a counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device is supplied via an electro-optical material. A counter electrode charge storage switch provided therebetween;
After the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are electrically connected once by the counter electrode charge storage switch, the counter electrode voltage is supplied to the counter electrode voltage output node and the counter The electrode can be driven.
本発明においては、対向電極電荷蓄積用スイッチを介して、対向電極電圧出力ノードと第1の容量素子接続ノードとが一旦電気的に接続された後に、対向電極電圧出力ノードに対向電極が供給される。このとき、第1の容量素子の一端と対向電極とが同電位となり、対向電極の寄生容量に蓄積された電荷が第1の容量素子の一端に電荷を補充したり、或いは第1の容量素子に蓄積された電荷が対向電極の寄生容量に補充されたりする。そのため、外部電源からの電荷の補充を一切行うことなく、対向電極の電位を変化させることができる。従って、その後は、上述のように変化した電位を基準に対向電極に電荷の補充等を行えばよいため、消費電力を削減することができる。また、対向電極は高電位側電圧又は低電位側電圧のいずれかに設定されるため、階調データに依存することなく、簡素な構成で確実に低消費電力化を図ることができ、電荷の再利用による低消費電力化の効果が著しい。 In the present invention, the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are once electrically connected via the counter electrode charge storage switch, and then the counter electrode is supplied to the counter electrode voltage output node. The At this time, one end of the first capacitor element and the counter electrode have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the counter electrode supplements one end of the first capacitor element, or the first capacitor element The charge accumulated in the capacitor is supplemented to the parasitic capacitance of the counter electrode. Therefore, it is possible to change the potential of the counter electrode without replenishing charges from the external power supply at all. Therefore, after that, it is only necessary to replenish charges to the counter electrode based on the potential changed as described above, so that power consumption can be reduced. In addition, since the counter electrode is set to either the high potential side voltage or the low potential side voltage, the power consumption can be reliably reduced with a simple configuration without depending on the gradation data. The effect of low power consumption through reuse is remarkable.
また本発明は、
複数のソース線と、
複数のゲート線と、
各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向する対向電極と、
前記複数のソース線を駆動するための上記のいずれか記載の駆動回路とを含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
Multiple source lines,
Multiple gate lines,
A plurality of pixel electrodes in which each pixel electrode is specified by each gate line and each source line;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the drive circuits described above for driving the plurality of source lines.
また本発明は、
上記のいずれか記載の駆動回路を含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the drive circuits described above.
上記のいずれかの発明によれば、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる電気光学装置を提供できる。 According to any one of the above-described inventions, it is possible to provide an electro-optical device capable of realizing further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.
また本発明は、
上記のいずれか記載の駆動回路を含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic device including any one of the drive circuits described above.
また本発明は、
上記記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic apparatus including the electro-optical device described above.
上記のいずれかの発明によれば、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる電子機器を提供できる。 According to any one of the above-described inventions, it is possible to provide an electronic device that can realize further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.
1. 液晶装置
図1に、本実施形態の液晶装置のブロック図の例を示す。
1. Liquid Crystal Device FIG. 1 shows an example of a block diagram of a liquid crystal device of this embodiment.
液晶装置10(液晶表示装置。広義には表示装置)は、表示パネル12(狭義にはLCD(Liquid Crystal Display)パネル)、ソース線駆動回路20(狭義にはソースドライバ)、ゲート線駆動回路30(狭義にはゲートドライバ)、表示コントローラ40、電源回路50を含む。なお、液晶装置10にこれらのすべての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。
The liquid crystal device 10 (liquid crystal display device; display device in a broad sense) includes a display panel 12 (LCD (Liquid Crystal Display) panel in a narrow sense), a source line drive circuit 20 (a source driver in a narrow sense), and a gate
ここで表示パネル12(広義には電気光学装置)は、複数のゲート線(走査線)と、複数のソース線(データ線)と、各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極を含む。この場合、ソース線に薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor、広義にはスイッチング素子)を接続し、このTFTに画素電極を接続することで、アクティブマトリクス型の液晶装置を構成できる。 Here, in the display panel 12 (electro-optical device in a broad sense), a plurality of gate lines (scanning lines), a plurality of source lines (data lines), and each pixel electrode are specified by each gate line and each source line. A plurality of pixel electrodes are included. In this case, an active matrix liquid crystal device can be configured by connecting a thin film transistor TFT (Thin Film Transistor, switching element in a broad sense) to a source line and connecting a pixel electrode to the TFT.
より具体的には、表示パネル12はアクティブマトリクス基板(例えばガラス基板)に形成される。このアクティブマトリクス基板には、図1のY方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びるゲート線G1〜GM(Mは2以上の自然数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるソース線S1〜SN(Nは2以上の自然数)とが配置されている。また、ゲート線GK(1≦K≦M、Kは自然数)とソース線SL(1≦L≦N、Lは自然数)との交差点に対応する位置に、薄膜トランジスタTFTKL(広義にはスイッチング素子)が設けられている。
More specifically, the
TFTKLのゲート電極はゲート線GKに接続され、TFTKLのソース電極はソース線SLに接続され、TFTKLのドレイン電極は画素電極PEKLに接続されている。この画素電極PEKLと、画素電極PEKLと液晶(広義には電気光学物質)を挟んで対向する対向電極CE(共通電極、コモン電極)との間には、液晶容量CLKL(液晶素子)及び補助容量CSKLが形成されている。そして、TFTKL、画素電極PEKL等が形成されるアクティブマトリクス基板と対向電極CEが形成される対向基板との間に液晶が封入されるように形成され、画素電極PEKLと対向電極CEとの間の印加電圧に応じて画素の透過率が変化するようになっている。 The gate electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with the gate line G K, a source electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with the source line S L, the drain electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with a pixel electrode PE KL. A liquid crystal capacitor CL KL (liquid crystal element) is disposed between the pixel electrode PE KL and the counter electrode CE (common electrode, common electrode) opposed to the pixel electrode PE KL with the liquid crystal (electro-optical material in a broad sense) interposed therebetween. In addition, an auxiliary capacitor CS KL is formed. Then, liquid crystal is formed between the active matrix substrate on which the TFT KL , the pixel electrode PE KL, and the like are formed and the counter substrate on which the counter electrode CE is formed, and the pixel electrode PE KL , the counter electrode CE, The transmittance of the pixel is changed in accordance with the applied voltage between.
なお、対向電極CEに与えられる対向電極電圧VCOMの電圧レベル(高電位側電圧VCOMH、低電位側電圧VCOML)は、電源回路50に含まれる対向電極電圧生成回路より生成される。また、対向電極CEを対向基板上に一面に形成せずに、各ゲート線に対応するように帯状に形成してもよい。
Note that the voltage level (high potential side voltage VCOMH, low potential side voltage VCOML) of the counter electrode voltage VCOM applied to the counter electrode CE is generated by a counter electrode voltage generation circuit included in the
ソース線駆動回路20は、階調データに基づいて表示パネル12のソース線S1〜SNを駆動する。一方、ゲート線駆動回路30は、表示パネル12のゲート線G1〜GMを走査(順次駆動)する。
The source
表示コントローラ40は、図示しない中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)等のホストにより設定された内容に従って、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を制御する。より具体的には、表示コントローラ40は、ソース線駆動回路20及びゲート線駆動回路30に対しては、例えば動作モードの設定や内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給を行い、電源回路50に対しては、対向電極CEに印加する対向電極電圧VCOMの電圧レベルの極性反転タイミングの制御を行う。
The
電源回路50は、外部から供給される電圧に基づいて、表示パネル12の駆動に必要な各種の電圧レベル(階調電圧)や、対向電極CEの対向電極電圧VCOMの電圧レベルを生成する。
The
このような構成の液晶装置10は、表示コントローラ40の制御の下、外部から供給される階調データに基づいて、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50が協調して表示パネル12を駆動する。
In the
また図1において、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を集積化して、半導体装置(集積回路、IC)として表示ドライバ(広義には駆動回路)60を構成することができる。なお、図1の表示ドライバ60は、ゲート線駆動回路30が省略された構成であってもよい。また、図1において、本実施形態における表示ドライバ60は、ソース線駆動回路20と電源回路50の対向電極電圧生成回路とを含む構成であればよい。
Further, in FIG. 1, a
このような表示ドライバ60は、更に、各ソース出力切替回路がソース線と該ソース線を駆動する出力バッファとの間に設けられた複数のソース出力切替回路(ソース出力切替部)SSW1〜SSWNを含む。各ソース出力切替回路の第1の端子には、各出力バッファの出力が接続される。各ソース出力切替回路の第2の端子には、各ソース線が接続される。各ソース出力切替回路の第3の端子には、共用ラインCOLの一端が接続される。複数のソース出力切替回路SSW1〜SSWNは、図示しない制御信号により個別にオンオフ制御される。即ち、各ソース出力切替回路は、ソース出力毎にオンオフ制御される。
The
表示ドライバ60は、ソース電荷蓄積用の第2の容量素子接続用端子TL2と、ソース電荷蓄積用スイッチCSWとを含む。ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、共用ラインCOLの他端と第2の容量素子接続用端子TL2との間に設けられる。ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態に設定されるとき、ソース出力切替回路SSW1〜SSWNの各ソース出力切替回路は、各ソース線と共用ラインCOLとを電気的に接続することができる。
The
共用ラインCOLは、第2の容量素子接続ノードを含むということができる。第2の容量素子接続用端子TL2には、第2の容量素子CCSの一端が電気的に接続される。第2の容量素子CCSの他端には、所定の電源電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給される。図1において、第2の容量素子CCSは、表示ドライバ60の外部に設けられているが、第2の容量素子CCSが表示ドライバ60に内蔵されていてもよい。
It can be said that the shared line COL includes a second capacitor element connection node. One end of the second capacitor element CCS is electrically connected to the second capacitor element connection terminal TL2. A predetermined power supply voltage (for example, the system ground power supply voltage VSS) is supplied to the other end of the second capacitor element CCS. In FIG. 1, the second capacitor element CCS is provided outside the
また、表示ドライバ60は、更に、第1の容量素子接続用端子TL1と、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWとを含むことができる。対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、電源回路50の対向電極電圧生成回路の出力(対向電極電圧VCOMが供給される対向電極電圧出力ノード)と、第1の容量素子接続用端子TL1との間に設けられる。第1の容量素子接続用端子TL1には、第1の容量素子CCVの一端が電気的に接続される。第1の容量素子CCVの他端には、所定の電源電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給される。図1において、第1の容量素子CCVは、表示ドライバ60の外部に設けられているが、第1の容量素子CCVが表示ドライバ60に内蔵されていてもよい。
The
対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが導通状態に設定されるとき、電源回路50の対向電極電圧生成回路の出力がハイインピーダンス状態に設定される。
When the common electrode charge storage switch VSW is set to the conductive state, the output of the common electrode voltage generation circuit of the
なお、図1では、液晶装置10が表示コントローラ40を含む構成になっているが、表示コントローラ40を液晶装置10の外部に設けてもよい。或いは、表示コントローラ40と共にホストを液晶装置10に含めるようにしてもよい。また、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30、表示コントローラ40、電源回路50の一部又は全部を表示パネル12上に形成してもよい。
In FIG. 1, the
図2に、本実施形態における液晶装置の他の構成例のブロック図を示す。 FIG. 2 is a block diagram showing another configuration example of the liquid crystal device according to this embodiment.
図2では、表示パネル12上(パネル基板上)に、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を含む表示ドライバ60が形成されている。このように表示パネル12は、複数のゲート線と、複数のソース線と、複数のゲート線の各ゲート線及び複数のソース線の各ソース線とにより特定される複数の画素(画素電極)と、複数のソース線を駆動するソース線駆動回路と、複数のゲート線を走査するゲート線駆動回路とを含むように構成することができる。表示パネル12の画素形成領域44に、複数の画素が形成されている。各画素は、ソースにソース線が接続されゲートにゲート線が接続されたTFTと、該TFTのドレインに接続された画素電極とを含むことができる。
In FIG. 2, a
なお図2では、表示パネル12上においてゲート線駆動回路30及び電源回路50のうち少なくとも1つが省略された構成であってもよい。
In FIG. 2, at least one of the gate
また図1又は図2において、表示ドライバ60が、表示コントローラ40を内蔵してもよい。或いは図1又は図2において、表示ドライバ60が、ソース線駆動回路20及びゲート線駆動回路30のいずれか一方と、電源回路50とを集積化した半導体装置であってもよい。
In FIG. 1 or FIG. 2, the
2. 表示ドライバ
次に、図1又は図2の駆動回路としての表示ドライバ60の構成要部について説明する。
2. Display Driver Next, a configuration main part of the
図3に、図1又は図2のソース線駆動回路20の構成例のブロック図を示す。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the source
ソース線駆動回路20は、シフトレジスタ22、ラインラッチ24、26、DAC28(Digital-to-Analog Converter)(広義にはデータ電圧生成回路)、出力バッファ(広義にはソース線駆動部)29を含む。
The source
シフトレジスタ22は、各ソース線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ22は、クロック信号CLKに同期してイネーブル入出力信号EIOを保持すると、順次クロック信号CLKに同期して隣接するフリップフロップにイネーブル入出力信号EIOをシフトする。
The
ラインラッチ24には、表示コントローラ40から例えば18ビット(6ビット(階調データ)×3(RGB各色))単位で階調データ(DIO)が入力される。ラインラッチ24は、この階調データ(DIO)を、シフトレジスタ22の各フリップフロップで順次シフトされたイネーブル入出力信号EIOに同期してラッチする。
Gradation data (DIO) is input to the
ラインラッチ26は、表示コントローラ40から供給される水平同期信号LPに同期して、ラインラッチ24でラッチされた1水平走査単位の階調データをラッチする。
The
階調電圧発生回路27は、64種類の階調電圧を生成する。階調電圧発生回路27によって生成された64種類の階調電圧は、DAC28に供給される。
The gradation
DAC(データ電圧生成回路)28は、各ソース線に供給すべきアナログのデータ電圧を生成する。具体的にはDAC28は、ラインラッチ26からのデジタルの階調データに基づいて、階調電圧発生回路27からの階調電圧のいずれかを選択し、デジタルの階調データに対応するアナログのデータ電圧を出力する。
A DAC (data voltage generation circuit) 28 generates an analog data voltage to be supplied to each source line. Specifically, the
出力バッファ29は、DAC28からのデータ電圧をバッファリングしてソース線に出力し、ソース線を駆動する。具体的には、出力バッファ29は、各ソース線毎に設けられたボルテージフォロワ接続の演算増幅回路を含む演算増幅回路ブロックOPC1〜OPCNを含み、これらの各演算増幅回路ブロックが、DAC28からのデータ電圧をインピーダンス変換して、各ソース線に出力する。
The
なお、図3では、デジタルの階調データをデジタル・アナログ変換して、出力バッファ29を介してソース線に出力する構成を採用しているが、アナログの映像信号をサンプル・ホールドして、出力バッファ29を介してソース線に出力する構成を採用することもできる。
In FIG. 3, the digital gradation data is converted from digital to analog and output to the source line via the
図4に、図3の階調電圧発生回路27、DAC28及び出力バッファ29の構成例を示す。図4において、階調データが6ビットのデータD0〜D5であり、各ビットのデータの反転データをXD0〜XD5と示している。また図4において、図3と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
FIG. 4 shows a configuration example of the gradation
階調電圧発生回路27は、電源回路50によって生成される両端の電圧VDDH、VSSHを抵抗分割して64種類の階調電圧を生成する。各階調電圧は、6ビットの階調データにより表される各階調値に対応している。各階調電圧は、ソース線S1〜SNの各ソース線に共通に供給される。
The gradation
DAC28は、ソース線毎に設けられたデコーダを含み、各デコーダは、階調データに対応した階調電圧を演算増幅回路ブロックOPC1〜OPCNに出力する。
The
図3及び図4では、階調データが1ラインずつ供給される場合の構成例を示したが、表示ドライバ60が、少なくとも1画面分の階調データを記憶する表示メモリを内蔵してもよい。
3 and 4 show an example of a configuration in which gradation data is supplied line by line, the
図5に、図1又は図2のゲート線駆動回路30の構成例を示す。
FIG. 5 shows a configuration example of the gate
ゲート線駆動回路30は、アドレス生成回路32、アドレスデコーダ34、レベルシフタ36、出力回路38を含む。
The gate
アドレス生成回路32は、ゲート線G1〜GMのうち選択すべきゲート線に対応したアドレスを生成する。アドレス生成回路32は、ゲート線G1〜GMを1本ずつ選択して走査するようにアドレスを生成することができる。
Address generating
アドレスデコーダ34は、アドレス生成回路32によって生成されたアドレスをデコードし、そのデコード結果に基づいてゲート線G1〜GMに対応したデコード信号線を選択する。
The
レベルシフタ36は、アドレスデコーダ34からのデコード信号線の信号の電圧レベルを、表示パネル12の液晶素子とTFTのトランジスタ能力とに応じた電圧レベルにシフトする。この電圧レベルとしては、高い電圧レベルが必要とされるため、他のロジック回路部とは異なる高耐圧プロセスが用いられる。
The
出力回路38は、レベルシフタ36によってシフトされた走査電圧をバッファリングしてゲート線に出力し、ゲート線を駆動する。
The
図6に、図1又は図2の電源回路50の構成例を示す。
FIG. 6 shows a configuration example of the
電源回路50は、正方向2倍昇圧回路52、走査電圧生成回路54、対向電極電圧生成回路56を含む。この電源回路50には、システム接地電源電圧VSS及びシステム電源電圧VDDが供給される。
The
正方向2倍昇圧回路52には、システム接地電源電圧VSS及びシステム電源電圧VDDが供給される。そして正方向2倍昇圧回路52は、システム接地電源電圧VSSを基準に、システム電源電圧VDDを正方向に2倍に昇圧した電源電圧VDDHSを生成する。即ち正方向2倍昇圧回路52は、システム接地電源電圧VSSとシステム電源電圧VDDとの間の電圧差を2倍に昇圧する。このような正方向2倍昇圧回路52は、公知のチャージポンプ回路により構成できる。電源電圧VDDHSは、ソース線駆動回路20、走査電圧生成回路54や対向電極電圧生成回路56に供給される。なお正方向2倍昇圧回路52は、2倍以上の昇圧倍率で昇圧後にレギュレータで電圧レベルを調整して、システム電源電圧VDDを正方向に2倍に昇圧した電源電圧VDDHSを出力することが望ましい。
The system ground power supply voltage VSS and the system power supply voltage VDD are supplied to the positive direction
走査電圧生成回路54には、システム接地電源電圧VSS及び電源電圧VDDHSが供給される。そして走査電圧生成回路54は、走査電圧を生成する。走査電圧は、ゲート線駆動回路30によって選択されるゲート線に印加される電圧である。この走査電圧の高電位側電圧はVDDHGであり、低電位側電圧はVEEである。
The scan
対向電極電圧生成回路56は、対向電極電圧VCOMを生成する。対向電極電圧生成回路56は、極性反転信号POLに基づいて、高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLを、対向電極電圧VCOMとして出力する。極性反転信号POLは、極性反転タイミングに合わせて表示コントローラ40によって生成される。
The counter electrode
図7に、図1又は図2の表示パネル12の駆動波形の一例を示す。
FIG. 7 shows an example of the drive waveform of the
ソース線には、階調データの階調値に応じた階調電圧DLVが印加される。図7では、システム接地電源電圧VSS(=0V)を基準に、5Vの振幅の階調電圧DLVが印加されている。 A gradation voltage DLV corresponding to the gradation value of the gradation data is applied to the source line. In FIG. 7, a gradation voltage DLV having an amplitude of 5 V is applied with respect to the system ground power supply voltage VSS (= 0 V).
ゲート線には、非選択時において低電位側電圧VEE(=−10V)、選択時において高電位側電圧VDDHG(=15V)の走査電圧GLVが印加される。 A scanning voltage GLV of a low potential side voltage VEE (= −10 V) when not selected and a high potential side voltage VDDHG (= 15 V) when selected is applied to the gate line.
対向電極CEには、高電位側電圧VCOMH(=3V)、低電位側電圧VCOML(=−2V)の対向電極電圧VCOMが印加される。そして所与の電圧を基準とした対向電極電圧VCOMの電圧レベルの極性が、極性反転タイミングに合わせて反転している。図7では、いわゆる走査ライン反転駆動時の対向電極電圧VCOMの波形を示している。この極性反転タイミングに合わせて、ソース線の階調電圧DLVもまた、所与の電圧を基準に、その極性が反転している。 The counter electrode CE is applied with the counter electrode voltage VCOM of the high potential side voltage VCOMH (= 3 V) and the low potential side voltage VCOML (= −2 V). The polarity of the voltage level of the counter electrode voltage VCOM with respect to a given voltage is inverted in accordance with the polarity inversion timing. FIG. 7 shows the waveform of the counter electrode voltage VCOM during so-called scanning line inversion driving. In accordance with the polarity inversion timing, the polarity of the grayscale voltage DLV of the source line is also inverted with reference to a given voltage.
ところで液晶素子は、直流電圧を長時間印加すると劣化するという性質がある。このため、液晶素子に印加する電圧の極性を所定期間毎に反転させる駆動方式が必要になる。このような駆動方式としては、フレーム反転駆動、走査(ゲート)ライン反転駆動、データ(ソース)ライン反転駆動、ドット反転駆動等がある。 By the way, the liquid crystal element has a property that it deteriorates when a DC voltage is applied for a long time. For this reason, a driving method is required in which the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element is inverted every predetermined period. Such driving methods include frame inversion driving, scanning (gate) line inversion driving, data (source) line inversion driving, dot inversion driving, and the like.
このうち、データライン反転駆動、ドット反転駆動は、画質は良いが、表示パネルの駆動に高い電圧が必要になるという不利点がある。一方、フレーム反転駆動は、画質がそれほど良くないという不利点があるが、消費電力を削減できる。例えば対向電極電圧の周波数に着目すると、フレーム反転駆動の方が対向電極電圧の周波数を大幅に低下させることができる。そのため、データライン反転駆動やドット反転駆動に比べると、フレーム反転駆動では、対向電極の駆動に伴う電力消費を大幅に削減できる。そこで、本実施形態では、フレーム反転駆動を採用している。 Among these, data line inversion driving and dot inversion driving have good image quality, but have the disadvantage that a high voltage is required for driving the display panel. On the other hand, the frame inversion drive has a disadvantage that the image quality is not so good, but can reduce power consumption. For example, focusing on the frequency of the counter electrode voltage, the frame inversion driving can significantly reduce the frequency of the counter electrode voltage. Therefore, compared with data line inversion driving and dot inversion driving, frame inversion driving can greatly reduce the power consumption associated with driving the counter electrode. Therefore, in this embodiment, frame inversion driving is adopted.
このように対向電極電圧VCOMを極性反転することで、表示パネルの駆動に必要な電圧を低くすることができる。これにより、駆動回路の耐圧を低くでき、駆動回路の製造プロセスの簡素化、低コスト化を図ることができる。 Thus, by reversing the polarity of the counter electrode voltage VCOM, the voltage necessary for driving the display panel can be lowered. As a result, the withstand voltage of the drive circuit can be lowered, and the manufacturing process of the drive circuit can be simplified and the cost can be reduced.
2.1 電荷の再利用
ところで、本実施形態では、ソース出力切替回路SSW1〜SSWN、ソース電荷蓄積用スイッチCSW、第2の容量素子CCSを用いることで、第2の容量素子CCSに蓄積された電荷を利用して、外部からソース線に対して電荷を充放電させることなく低消費電力でソース線を駆動できる。即ち、外部からの余分な電荷の充放電を削減し、より一層の低消費電力化を実現している。
2.1 Charge Reuse By the way, in this embodiment, the source output switching circuits SSW 1 to SSW N , the source charge storage switch CSW, and the second capacitor element CCS are used to store in the second capacitor element CCS. Using the generated charge, the source line can be driven with low power consumption without charging or discharging the source line from the outside. In other words, charging / discharging of extra charges from the outside is reduced, and further reduction in power consumption is realized.
更に、本実施形態では、対向電極電荷蓄積用スイッチVSW、第1の容量素子CCVを用いることで、第1の容量素子CCVに蓄積された電荷を利用して、外部から対向電極に対して電荷を充放電させることなく低消費電力で対向電極を駆動できる。即ち、外部からの余分な電荷の充放電を削減し、より一層の低消費電力化を実現している。 Furthermore, in this embodiment, by using the counter electrode charge storage switch VSW and the first capacitor element CCV, the charge stored in the first capacitor element CCV is used to charge the counter electrode from the outside. The counter electrode can be driven with low power consumption without charging and discharging. In other words, charging / discharging of extra charges from the outside is reduced, and further reduction in power consumption is realized.
図8に、本実施形態の液晶装置10の原理的構成図を示す。
FIG. 8 shows a principle configuration diagram of the
図8において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図8では、ゲート線GK及びソース線SLの交差位置に設けられる画素の電気的な等価回路と、ゲート線GK+1及びソース線SL+1の交差位置に設けられる画素の電気的な等価回路とを示しているが、他の画素の電気的な等価回路も同様である。また、図8では、ソース線駆動回路20のソース出力切替回路、ソース電荷蓄積用スイッチCSW及び対向電極電荷蓄積用スイッチVSWのみを示している。
In FIG. 8, the same parts as those in FIG. 1 or FIG. In Figure 8, the gate lines G K and the electrical equivalent circuit of a pixel provided at the intersection of the source line S L, the gate line G K + 1 and the source line S L + 1 of the electrical equivalent circuit of a pixel provided at the intersection The same applies to the electrical equivalent circuits of other pixels. Further, FIG. 8 shows only the source output switching circuit, the source charge storage switch CSW, and the counter electrode charge storage switch VSW of the source
図9に、図8の液晶装置10の動作例の波形図を示す。
FIG. 9 shows a waveform diagram of an operation example of the
図9では、ゲート線GK、GK+1、ソース線SLの電位の変化を示しているが、他のゲート線、ソース線も同様である。図9において、ゲート線GKに接続される画素の選択期間である1水平走査期間(1H)内に、ゲート線GKに走査電圧が印加され、ゲート線GK+1に接続される画素の選択期間である1水平走査期間内に、ゲート線GK+1に走査電圧が印加される。そして、各水平走査期間は、その前半部分に設けられる電荷再利用期間と、その後半部分に設けられる駆動期間とを含む。電荷再利用期間から駆動期間に遷移するときと、駆動期間から電荷再利用期間に遷移するときに、ソース出力切替回路SSWL、SSWL+1、及びソース電荷蓄積用スイッチCSWの切替制御が行われる。 In Figure 9, the gate line G K, G K + 1, but shows a change in potential of the source line S L, the other gate line, is the same source line. 9 is a select period of the pixels is connected with the gate line G K within one horizontal scanning period (1H), the scan voltage is applied to the gate line G K, the selection of pixels is connected with the gate line G K + 1 A scanning voltage is applied to the gate line GK + 1 within one horizontal scanning period. Each horizontal scanning period includes a charge recycling period provided in the first half part and a driving period provided in the second half part. When the transition from the charge recycle period to the drive period and the transition from the drive period to the charge recycle period, switching control of the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 and the source charge storage switch CSW is performed.
電荷の再利用を行う場合、電荷再利用期間(TT1)では、ソース出力切替回路SSWL、SSWL+1において、ソース線SL、SL+1が、第2の容量素子接続ノードを含む共用ラインCOLにそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態となり、共用ラインCOLは、第2の容量素子接続用端子TL2を介して第2の容量素子CCSの一端と電気的に接続される。そのため、電荷再利用期間では、第2の容量素子CCSの一端とソース線SL、SL+1とが同電位となり、電荷保存の法則に従って、ソース線の寄生容量に蓄積された電荷が第2の容量素子CCSの一端に電荷を補充したり、或いは第2の容量素子CCSに蓄積された電荷がソース線SL、SL+1の寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、ソース線の電位を変化させる。
When the charge is reused, in the charge reuse period (TT1), in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are connected to the shared line COL including the second capacitor element connection node. Each is electrically connected. Further, the source charge storage switch CSW becomes conductive, and the shared line COL is electrically connected to one end of the second capacitor element CCS via the second capacitor element connection terminal TL2. Therefore, in the charge recycle period, one end of the second capacitor element CCS and the source lines S L and S L + 1 have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the source line is in accordance with the law of charge conservation. The charge is replenished to one end of the capacitive element CCS, or the charge accumulated in the second capacitive element CCS is supplemented to the parasitic capacitances of the source lines S L and S L + 1 . That is, in the charge recycle period, the potential of the source line is changed without replenishing charges from the
次に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT2)では、ソース出力切替回路SSWL、SSWL+1において、ソース線SL、SL+1が、ソース線駆動回路20の出力バッファ(ソース線駆動部)の出力にそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、非導通状態に設定される。そのため、駆動期間では、ソース線SL、SL+1がソース線駆動回路20の出力バッファにより駆動される。このとき、電荷再利用期間TT1における変化後の電位を基準に、各ソース線が各階調データに対応した電位になるまで、ソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、ソース線駆動回路20の出力バッファが変化させるべきソース線の電圧が低くて済む場合が多い。即ち、直前の水平走査期間(ゲート線GK−1に接続される画素の選択期間)のソース線の電位を基準に、そのまま当該水平走査期間(ゲート線GKに接続される画素の選択期間)のソース線の電位を設定しようとすると、図9に示すようにΔVs1だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図9に示すようにΔVs2(ΔVs2<ΔVs1)だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電すればよい。
Next, in the drive period (TT2) after the charge recycle period, in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are output buffers (source line drive units) of the source
そして、次の水平走査期間でも、電荷再利用期間と駆動期間とが設けられ、それぞれの期間において同様に行われる。 In the next horizontal scanning period, a charge recycling period and a driving period are provided, and the same is performed in each period.
ソース線に与えられる電圧は、表示画像の種類に依存する。そのため、ソース線に与えられる電圧は、電荷の再利用対象のソース線の階調データに依存する。一般的に、第2の容量素子CCSに対する電荷の充放電を繰り返していくと、第2の容量素子CCSにより蓄積された電荷に対応した電圧は、中間階調値に対応した階調電圧に収束していく。例えば64階調である場合、中間階調値である階調値「32」に対応した階調電圧に収束していく。 The voltage applied to the source line depends on the type of display image. Therefore, the voltage applied to the source line depends on the gradation data of the source line to be reused. In general, when charging and discharging of the charge to and from the second capacitor element CCS are repeated, the voltage corresponding to the charge accumulated by the second capacitor element CCS converges to the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. I will do it. For example, in the case of 64 gradations, it converges to a gradation voltage corresponding to the gradation value “32” which is an intermediate gradation value.
図10に、図8の液晶装置10の他の動作例の波形図を示す。
FIG. 10 shows a waveform diagram of another operation example of the
図10では、対向電極CEの電位の変化を示している。図10において、1垂直走査期間(1V)は、その前半部分に設けられる電荷再利用期間と、その後半部分に設けられる駆動期間とを含む。電荷再利用期間から駆動期間に遷移するときと、駆動期間から電荷再利用期間に遷移するときに、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWの切替制御が行われる。 FIG. 10 shows a change in potential of the counter electrode CE. In FIG. 10, one vertical scanning period (1V) includes a charge recycle period provided in the first half portion and a drive period provided in the second half portion. When the transition from the charge recycle period to the drive period and the transition from the drive period to the charge recycle period, switching control of the common electrode charge storage switch VSW is performed.
電荷再利用期間(TT10)では、図示しない対向電極電圧生成回路の出力がハイインピーダンス状態に設定され、且つ対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが導通状態に設定される。そのため、対向電極CEが、第1の容量素子接続用端子TL1を介して第1の容量素子CCVの一端と電気的に接続される。従って、電荷再利用期間では、第1の容量素子CCVの一端と対向電極CEとが同電位となり、対向電極CEの寄生容量に蓄積された電荷が第1の容量素子CCVの一端に電荷を補充したり、或いは第1の容量素子CCVに蓄積された電荷が対向電極CEの寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、対向電極CEの電位を変化させる。
In the charge recycle period (TT10), the output of the common electrode voltage generation circuit (not shown) is set to a high impedance state, and the common electrode charge storage switch VSW is set to a conductive state. Therefore, the counter electrode CE is electrically connected to one end of the first capacitor element CCV via the first capacitor element connection terminal TL1. Therefore, in the charge recycling period, one end of the first capacitor element CCV and the counter electrode CE have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the counter electrode CE supplements one end of the first capacitor element CCV. Or charge accumulated in the first capacitor element CCV is supplemented to the parasitic capacitance of the counter electrode CE. That is, in the charge recycling period, the potential of the counter electrode CE is changed without replenishing charges from the
次に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT20)では、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが非導通状態に設定され、対向電極CEが、電源回路50の対向電極電圧生成回路56の出力と電気的に接続される。そのため、駆動期間では、対向電極CEに、対向電極電圧生成回路56に対向電極電圧VCOMが供給される。このとき、電荷再利用期間TT10における変化後の電位を基準に、高電位側電圧VCOMHになるまで、対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、対向電極電圧生成回路56が変化させるべき対向電極CEの電圧が低くて済む。即ち、直前の垂直走査期間の対向電極CEの電位を基準に、そのまま当該垂直走査期間の対向電極CEの電位を設定しようとすると、図10に示すようにΔVc1だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図10に示すようにΔVc2(ΔVc2<ΔVc1)だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電すればよい。
Next, in the drive period (TT20) after the charge recycle period, the common electrode charge storage switch VSW is set in a non-conductive state, and the common electrode CE is electrically connected to the output of the common electrode
そして、次の垂直走査期間でも、電荷再利用期間と駆動期間とが設けられ、それぞれの期間において同様に行われる。 In the next vertical scanning period, a charge recycling period and a driving period are provided, and the same is performed in each period.
2.2 電荷の再利用制御
ところで、対向電極CEは高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLのいずれかに設定されるため、階調データに依存することなく、簡素な構成で確実に低消費電力化を図ることができ、電荷の再利用による低消費電力化の効果が著しい。これに対して、図9に示すような電荷再利用期間におけるソース線の駆動に伴う電力消費は、駆動期間においてソース線駆動回路20が設定すべき電圧(即ち、階調データ)に依存するため、電荷の再利用による低消費電力化の効果が薄れてしまう。そこで、本実施形態では、連続する2つの水平走査期間における階調データに対応した階調電圧に基づいて、ソース線毎に、電荷の再利用を行うか否かを判定し、その判定結果に基づいて、ソース線毎に上述の電荷の再利用を行ったり、該再利用を省略したりする制御を行う。
2.2 Charge Reuse Control By the way, since the counter electrode CE is set to either the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML, it is reliably reduced with a simple configuration without depending on the gradation data. Power consumption can be reduced, and the effect of reducing power consumption by reusing charges is remarkable. On the other hand, the power consumption associated with the driving of the source line in the charge recycling period as shown in FIG. 9 depends on the voltage (that is, the gradation data) to be set by the source
図11に、図3のソース線駆動回路20の構成要部を示す。
FIG. 11 shows a main configuration part of the source
図11では、ソース線SLを駆動するためのソース線駆動回路20の1出力当たりの構成例を示しているが、他のソース出力も同様の構成を有している。図11では、ソース線駆動回路20が、共用ラインCOLを含むものとし、図3と同一部分には、同一符号にソース線SLに対応した添え字「L」を付し、適宜説明を省略する。
In Figure 11, there is shown an exemplary configuration of a per output of the source
図11において、ソース線駆動回路20は、シフトレジスタ22、ラインラッチ24、26、階調電圧発生回路27、DAC28、出力バッファ29の他に、ソース出力毎に設けられる電荷再利用制御部1001〜100Lを含む。図8のソース出力切替回路SSW1〜SSWNは、出力バッファ29に設けられている。
In FIG. 11, the source
図11において、ラインラッチ24のフリップフロップのうちソース線SLに対応して設けられたフリップフロップにより構成されるラインラッチ24L(図示せず)に取り込まれた階調データD[5:0]は、ラインラッチ26のフリップフロップのうちソース線SLに対応して設けられたフリップフロップにより構成されるラインラッチ26Lに、水平同期信号LPの変化タイミングで取り込まれる。ラインラッチ26Lに取り込まれた階調データD[5:0]は、DAC28Lに出力される。DAC28Lは、ラインラッチ26Lからの階調データD[5:0]に対応したアナログ電圧である階調電圧を出力する。演算増幅回路ブロックOPCLの演算増幅器は、DAC28Lからの階調電圧をインピーダンス変換してソース線SLを駆動することができる。演算増幅回路ブロックOPCLと表示パネル12のソース線SLとの間に、ソース出力切替回路SSWLが設けられている。
Figure in 11, grayscale data D taken into constituted by flip-flops provided corresponding to the source line S L line latch 24 L (not shown) of the flip-flop of the line latch 24 [5: 0 ] Is taken into the
また、図11では、ソース線SLに対応して電荷再利用制御部100Lが設けられている。電荷再利用制御部100Lは、ソース出力切替回路SSWLの切替制御を行う。
Further, in FIG. 11, the source line S L to the charge corresponding
従って、ソース線駆動回路20は、出力バッファ(ソース線駆動部)によりソース線SLが駆動されるのに先立って、ソース線SLと共用ラインCOLとを短絡するためのソース出力切替回路SSWLと、ソース出力切替回路SSWLを制御する電荷再利用制御部100Lとを含むことができる。共用ラインCOLは、第2の容量素子(広義にはキャパシタ)CCSの一端と電気的に接続されている。電荷再利用制御部100Lは、ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間にソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、ソース線を共用ラインCOLと短絡(電気的に接続)するか否かを判定する。そしてソース出力切替回路SSWLが、電荷再利用制御部100Lの判定結果に基づいてソース線SLを共用ラインCOLと短絡する。
Therefore, the source
より具体的には、電荷再利用制御部100Lは、ソース出力毎に、第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるか否かを判定する。そして、ソース出力切替回路SSWLは、電荷再利用制御部100Lにより、第1及び第2の階調電圧が基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、ソース線SLを共用ラインCOLと短絡せず、第1及び第2の階調電圧の一方が基準電圧より高電位側で他方が基準電圧より低電位側と判定された時に短絡する。更に具体的には、電荷再利用制御部100Lは、第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビット(MSB:Most Significant Bit)のデータと、第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいてソース線SLを共用ラインCOLと短絡するか否かを判定する。
More specifically, if the charge
このため、電荷再利用制御部100Lは、ラッチ110Lと、階調データ判定部120Lとを含むことができる。ラッチ110Lは、水平同期信号LPの変化タイミングで、ラインラッチ26Lからの階調データのMSBのデータであるD[5]をラッチする。階調データ判定部120Lは、ラッチ110LからのD[5]とラインラッチ26LからのD[5]とを比較する。ラッチ110LからのD[5]は、当該水平走査期間(現ライン)の直前の水平走査期間(直前のライン)における階調データのMSBのデータである。
Thus, the charge
階調データ判定部120Lの比較結果信号は、ソース出力切替回路SSWLに供給される。ソース出力切替回路SSWLは、階調データ判定部120Lからの比較結果信号に基づいてスイッチ制御される。
Comparison result signal of the gradation
図12に、図11の電荷再利用制御部100Lの制御例の説明図を示す。
Figure 12 is a diagram illustrative of a control example of the charge
階調データ判定部120Lにおいて、直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100Lは、ソース出力切替回路SSWLにおいて、電荷の再利用を行わないようにするために、ソース線SLと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。
In grayscale
階調データ判定部120Lにおいて、直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100Lは、ソース出力切替回路SSWLにおいて、電荷の再利用を行うようにするために、ソース線SLと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。
In grayscale
階調データ判定部120Lにおいて、直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100Lは、ソース出力切替回路SSWLにおいて、電荷の再利用を行うようにするために、ソース線SLと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。
In grayscale
階調データ判定部120Lにおいて、直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100Lは、ソース出力切替回路SSWLにおいて、電荷の再利用を行わないようにするために、ソース線SLと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。
In grayscale
階調電圧発生回路27は、階調データに対応した64種類の階調電圧を発生させる。このため、階調データのMSBが「0」か「1」かを判定することは、6ビットの階調データに対応した階調電圧が、階調電圧の最高電圧VH(例えば6ビットの階調データ「111111」に対応した電圧)と最低電圧VL(例えば6ビットの階調データ「000000」に対応した電圧)との間の中間電圧より高電位側にあるか低電位側にあるかを判定することを意味する。
The gradation
図13(A)、図13(B)に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図13(A)、図13(B)は、図12において直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。 FIG. 13A and FIG. 13B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment. 13A and 13B, it is determined in FIG. 12 that the MSB data of the gradation data of the immediately preceding line is “0” and the MSB data of the gradation data of the current line is “0”. The effect when it is done.
階調データのMSBのデータが「0」であるとき、該階調データに対応した階調電圧(ソース線駆動部が駆動する電圧)は、上述のように中間階調値に対応した階調電圧である基準電圧Vrefより低電位側にある。即ち、直前の水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧が基準電圧Vrefより低電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧もまた、基準電圧Vrefより低電位側にある。 When the MSB data of the gradation data is “0”, the gradation voltage corresponding to the gradation data (the voltage driven by the source line driver) is the gradation corresponding to the intermediate gradation value as described above. It is on the lower potential side than the reference voltage Vref which is a voltage. That is, there than the reference voltage Vref driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before the low-potential side drive voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is also a low-potential side of the reference voltage Vref .
そのため図13(A)に示すように、当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線S1〜SNの電圧が、一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。このため、ソース線SLは、電荷再利用期間において、一旦、ΔVL1に対応した電荷量だけ外部から充電(例えば正の電荷とする)された後、駆動期間において、再びΔVL2に対応した電荷量だけ放電されてしまう。これは、ΔVL1とΔVL2との差分に対応した電荷だけ余分に充放電されたことを意味する。
Therefore, as shown in FIG. 13A, when the charge reuse control is performed as described above in the charge reuse period in the first half of the horizontal scanning period, the voltages of the source lines S 1 to S N once become substantially the reference. The voltage becomes Vref. For this reason, the source line S L is once charged from the outside by a charge amount corresponding to ΔV L 1 (for example, positive charge) in the charge recycling period, and then again becomes
そこで、本実施形態では、図13(B)に示すように、図13(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線SLに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 13B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. 13A. Thereby, when switching from horizontal scanning period immediately before to the horizontal scanning period, is directly supplied to the drive voltage source line S L of the horizontal scanning period can be omitted charging and discharging of excess charge, low Electricity can be achieved.
図14(A)、図14(B)に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図14(A)、図14(B)は、図12において直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。 FIG. 14A and FIG. 14B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment. 14A and 14B, it is determined in FIG. 12 that the MSB data of the gradation data of the immediately preceding line is “1” and the MSB data of the gradation data of the current line is “1”. The effect when it is done.
階調データのMSBのデータが「1」であるとき、該階調データに対応した階調電圧(ソース線駆動部が駆動する電圧)は、上述のように中間階調値に対応した階調電圧である基準電圧Vrefより高電位側にある。即ち、直前の水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧が基準電圧Vrefより高電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧もまた、基準電圧Vrefより高電位側にある。 When the MSB data of the gradation data is “1”, the gradation voltage corresponding to the gradation data (voltage driven by the source line driver) is the gradation corresponding to the intermediate gradation value as described above. It is on the higher potential side than the reference voltage Vref which is a voltage. That is, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before there from the high potential side reference voltage Vref, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is also in the high-potential side of the reference voltage Vref .
そのため図14(A)に示すように、当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線S1〜SNの電圧が一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。このため、ソース線SLは、電荷再利用期間において、一旦、ΔVL10に対応した電荷量だけ外部に放電(例えば正の電荷とする)された後、駆動期間において、再びΔVL20に対応した電荷量が充電されてしまう。これは、ΔVL10とΔVL20との差分に対応した電荷だけ余分に充放電されたことを意味する。
Therefore, as shown in FIG. 14A, when the charge reuse control is performed as described above in the charge reuse period in the first half of the horizontal scanning period, the voltages of the source lines S 1 to S N once become substantially the reference voltage. Vref. For this reason, the source line S L is once discharged to the outside by a charge amount corresponding to ΔV L 10 (for example, positive charge) in the charge recycle period, and then again becomes ΔV L 20 in the drive period. The corresponding charge amount is charged. This means that an extra charge corresponding to the difference between
そこで、本実施形態では、図14(B)に示すように、図14(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線SLに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 14B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. Thereby, when switching from horizontal scanning period immediately before to the horizontal scanning period, is directly supplied to the drive voltage source line S L of the horizontal scanning period can be omitted charging and discharging of excess charge, low Electricity can be achieved.
図15に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図15は、図12において直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。 FIG. 15 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to the present embodiment. FIG. 15 shows the effect when it is determined in FIG. 12 that the MSB data of the gradation data of the previous line is “0” and the MSB data of the gradation data of the current line is “1”.
即ち、直前の水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧が基準電圧Vrefより低電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧は、基準電圧Vrefより高電位側にある。 That is, there driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before is the reference voltage Vref to the low potential side, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is on the higher potential side than the reference voltage Vref.
そのため図15に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線SLに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 15, charge recycle control is performed as described above. In this way, when switching from the immediately preceding horizontal scanning period to the horizontal scanning period, the charge is reused and once adjusted to the reference voltage Vref without charge being charged or discharged from the outside, and then the source line S L In addition, since it is only necessary to supply a driving voltage for the horizontal scanning period, power consumption can be reduced due to charge recycling.
図16に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図16は、図12において直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。 FIG. 16 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to the present embodiment. FIG. 16 shows the effect when it is determined in FIG. 12 that the MSB data of the gradation data of the previous line is “1” and the MSB data of the gradation data of the current line is “0”.
即ち、直前の水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧が基準電圧Vrefより高電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線SLの駆動電圧は、基準電圧Vrefより低電位側にある。 That is, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before there from the high potential side reference voltage Vref, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is than the reference voltage Vref to the low potential side.
そのため図16に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線SLに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 16, the charge recycle control is performed as described above. In this way, when switching from the immediately preceding horizontal scanning period to the horizontal scanning period, the charge is reused and once adjusted to the reference voltage Vref without charge being charged or discharged from the outside, and then the source line S L In addition, since it is only necessary to supply a driving voltage for the horizontal scanning period, power consumption can be reduced due to charge recycling.
2.3 具体的な構成例
次に、電荷の再利用を行うための具体的な構成例について説明する。
2.3 Specific Configuration Example Next, a specific configuration example for reusing charges will be described.
2.3.1 ソース線の電荷再利用
図17に、図8の演算増幅回路ブロック及び共用ラインCOLの構成例を示す。
2.3.1 Charge Reuse of Source Line FIG. 17 shows a configuration example of the operational amplifier circuit block and the common line COL of FIG.
演算増幅回路ブロックOPC1〜OPCNの各ブロックの構成は同じであり、以下では演算増幅回路ブロックOPC1について説明する。 The configuration of each of the operational amplifier circuit blocks OPC 1 to OPC N is the same, and the operational amplifier circuit block OPC 1 will be described below.
演算増幅回路ブロックOPC1は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器VOP1と、ソース出力切替回路SSW1とを含む。ソース出力切替回路SSW1は、第1のソース出力スイッチSS1と、第1のソース短絡スイッチC2SW1とを含む。第1のソース出力スイッチSS1は、制御信号c1、xc1によりオンオフ制御される。制御信号xc1は、制御信号c1の反転信号である。第1のソース短絡スイッチC2SW1は、制御信号cc、xccによりオンオフ制御される。制御信号xccは、制御信号ccの反転信号である。演算増幅器VOP1の出力は、第1のソース出力スイッチSS1を介して、第1のソース出力ノードSND1と接続される。第1のソース出力ノードSND1は、第1のソース短絡スイッチCS2SW1を介して所与のソース電圧出力ノードSVNDと接続される。ソース電圧出力ノードSVNDは、ソース電荷蓄積用スイッチCSWを介して第2の容量素子接続ノードC2NDと接続される。ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、制御信号cs、xcsによりオンオフ制御される。制御信号xcsは、制御信号csの反転信号である。 The operational amplifier circuit block OPC 1 includes a voltage follower-connected operational amplifier VOP 1 and a source output switching circuit SSW 1 . The source output switching circuit SSW 1 includes a first source output switch SS 1 and a first source short-circuit switch C 2 SW 1 . The first source output switch SS 1 is on-off controlled by a control signal c1, xc1. The control signal xc1 is an inverted signal of the control signal c1. The first source short circuit switch C2SW 1 is ON / OFF controlled by control signals cc and xcc. The control signal xcc is an inverted signal of the control signal cc. The output of the operational amplifier VOP 1 is connected to the first source output node SND 1 via the first source output switch SS 1 . The first source output node SND 1 is connected to a given source voltage output node SVND via a first source short circuit switch CS2SW 1 . The source voltage output node SVND is connected to the second capacitor element connection node C2ND via the source charge storage switch CSW. The source charge storage switch CSW is on / off controlled by control signals cs and xcs. The control signal xcs is an inverted signal of the control signal cs.
このように、第1のソース短絡スイッチCS2SW1は、ソース電圧出力ノードSVNDと第1のソース出力ノードSND1との間に設けられる。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、ソース電圧出力ノードSVNDと第2の容量素子CCSの一端が接続される第2の容量素子接続ノードC2NDとの間に設けられる。そして、第1のソース短絡スイッチC2SW1及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSND1と第2の容量素子接続ノードC2NDとが、一旦電気的に接続される。その後、第1のソース短絡スイッチC2SW1及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSND1と第2の容量素子接続ノードC2NDとを電気的に遮断した状態で、第1のソース出力ノードSND1に階調データに対応した電圧が供給される。
Thus, the first source short-circuit switch CS2SW 1 is provided between the source voltage output node SVND and the first source output node SND 1 . The source charge storage switch CSW is provided between the source voltage output node SVND and the second capacitor element connection node C2ND to which one end of the second capacitor element CCS is connected. Then, the first source output node SND 1 and the second capacitor element connection node C2ND are temporarily electrically connected by the first source short circuit switch C2SW 1 and the source charge storage switch CSW. Thereafter, the first source output node SND 1 and the second capacitor element
より具体的には、第1のソース出力スイッチSS1により演算増幅器VOP1(ソース線駆動回路)の出力をハイインピーダンス状態に設定した状態で、第1のソース短絡スイッチC2SW1及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSND1、ソース電圧出力ノードSVND及び第2の容量素子接続ノードC2NDが電気的に接続される。その後、第1のソース短絡スイッチC2SW1及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSND1と第2の容量素子接続ノードC2NDとを電気的に遮断した状態で、演算増幅器VOP1が、第1のソース出力スイッチSS1により、第1のソース出力ノードSND1(ソース線S1)に階調データに対応した電圧を供給する。
More specifically, the first source short-circuit switch C2SW 1 and the source charge storage are used in a state where the output of the operational amplifier VOP 1 (source line drive circuit) is set to the high impedance state by the first source output switch SS 1 . The first source output node SND 1 , the source voltage output node SVND, and the second capacitor element
ところで、ソース電圧出力ノードSVNDを含む共用ラインCOLは、同様にして各演算増幅回路ブロックのソース短絡スイッチと接続される。 By the way, the common line COL including the source voltage output node SVND is similarly connected to the source short circuit switch of each operational amplifier circuit block.
即ち、表示ドライバ60は、ソース電圧出力ノードSVNDと電気的に接続されると共に、その一端がソース電荷蓄積用スイッチCSWと電気的に接続される共用ラインCOLと、第2のソース線S2への出力電圧が供給される第2のソース出力ノードSND2と共用ラインCOLとの間に設けられる第2のソース短絡スイッチC2SW2とを含むことができる。そして、第1のソース短絡スイッチC2SW1が、第1のソース出力ノードSND1と共用ラインCOLとの間に設けられる。また、第2のソース短絡スイッチC2SW2が、第2のソース出力ノードSND2と共用ラインCOLとの間に設けられる。
That is, the
更に、表示ドライバ60は、放電用トランジスタDisTrを含むことができる。放電用トランジスタDisTrのゲートには、制御信号disが供給される。放電用トランジスタDisTrのソースには放電用電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給され、放電用トランジスタDisTrのドレインは共用ラインCOLと電気的に接続される。そして、この制御信号disにより、共用ラインCOLの電圧が放電用電圧に設定される。このような放電用トランジスタDisTrは、第1及び第2のソース線の放電に共用される。
Further, the
なお、表示パネル12の画素電極の選択期間において、第1及び第2のソース短絡スイッチC2SW1、C2SW2を導通状態に設定した状態で、放電用トランジスタDisTrをオンすることで、第1及び第2のソース線S1、S2を放電することができる。こうすることで、非常に簡素な構成で、いわゆるオフ書き込みを行うことができる。ここで、オフ書き込みは、表示オフ状態に移行するためにソース線に所与のオフ電圧を与えることを意味する。
Note that, during the pixel electrode selection period of the
また、演算増幅回路ブロックOPC1は、更に第1のバイパススイッチBSW1を含むことができる。第1のバイパススイッチBSW1は、制御信号c2、xc2によりオンオフ制御される。制御信号xc2は、制御信号c2の反転信号である。演算増幅回路ブロックOPC1では、画素の選択期間としての1水平走査期間の前半に上述のような電荷再利用が行われた後に、該水平走査期間の後半の駆動期間において、第1のソース出力スイッチSS1及び第1のバイパススイッチBSW1によりソース線S1の駆動制御が行われる。 In addition, the operational amplifier circuit block OPC 1 can further include a first bypass switch BSW 1 . The first bypass switch BSW 1 is on / off controlled by control signals c2 and xc2. The control signal xc2 is an inverted signal of the control signal c2. In the operational amplifier circuit block OPC 1 , after the charge recycling as described above is performed in the first half of one horizontal scanning period as a pixel selection period, the first source output is performed in the second driving period of the horizontal scanning period. The drive control of the source line S 1 is performed by the switch SS 1 and the first bypass switch BSW 1 .
即ち、駆動期間の前半部分では、第1のソース出力スイッチSS1を導通状態、第1のバイパススイッチBSW1を非導通状態に設定した状態で、演算増幅器VOP1により第1のソース出力ノードSND1を駆動する。その後、駆動期間の後半部分では、第1のソース出力スイッチSS1を非導通状態、第1のバイパススイッチBSW1を導通状態に設定した状態で、第1のソース出力ノードSND1に、演算増幅器VOP1の入力電圧を供給する。こうすることで、第1のソース出力ノードSND1に設定される電圧を、高速かつ高精度に設定することができる。 That is, in the first half of the driving period, the first source output switch SS 1 is set in the conductive state and the first bypass switch BSW 1 is set in the non-conductive state, and the operational amplifier VOP 1 sets the first source output node SND. 1 is driven. Thereafter, in the second half of the driving period, the operational amplifier is connected to the first source output node SND 1 with the first source output switch SS 1 set in a non-conductive state and the first bypass switch BSW 1 set in a conductive state. It provides an input voltage of VOP 1. Thus, the voltage set at the first source output node SND 1 can be set at high speed and with high accuracy.
図18に、図17の演算増幅回路ブロックOPC1の制御例のタイミング図を示す。 FIG. 18 shows a timing chart of a control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 of FIG.
図18では、図17の制御信号c1、c2、cc、cs、disがHレベルのときに、各スイッチをオン(導通状態)に設定するものとする。図18の例では、制御信号disは、常にLレベルであるものとする。なお、図18では、演算増幅回路ブロックOPC1の制御例のみを説明するが、演算増幅回路ブロックOPC2〜OPCNも、演算増幅回路ブロックOPC1と同じ制御信号により制御される。 In FIG. 18, when the control signals c1, c2, cc, cs, and dis in FIG. 17 are at the H level, each switch is set to ON (conductive state). In the example of FIG. 18, it is assumed that the control signal dis is always at the L level. In FIG. 18, only a control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 is described, but the operational amplifier circuit blocks OPC 2 to OPC N are also controlled by the same control signal as the operational amplifier circuit block OPC 1 .
1水平走査期間内の前半部分である電荷再利用期間では、制御信号cc、csがHレベル、制御信号c1、c2がLレベルに設定される。これにより、ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態に設定される。そして、第1のソース出力ノードSND1と第2の容量素子接続用端子TL2に接続される第2の容量素子CCSの一端とが同電位に設定される。これにより、第2の容量素子CCSの電荷が再利用され、第1のソース出力ノードSND1の電位が変動する。 In the charge recycling period, which is the first half of one horizontal scanning period, the control signals cc and cs are set to the H level, and the control signals c1 and c2 are set to the L level. As a result, the source charge storage switch CSW is set in a conductive state. Then, the first source output node SND 1 and one end of the second capacitor element CCS connected to the second capacitor element connection terminal TL2 are set to the same potential. As a result, the charge of the second capacitor element CCS is reused, and the potential of the first source output node SND 1 varies.
この後の駆動期間のプリバッファ駆動期間では、制御信号cc、csがLレベルとなり、制御信号c1がHレベルとなる。なお、駆動期間内では、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、オフ(非導通状態)に設定される。これにより、電荷再利用期間内で電位が変動した第1のソース出力ノードSND1は、演算増幅器VOP1により駆動される。この演算増幅器VOP1には、DAC28によって選択されたデータ電圧が供給される。演算増幅器VOP1は、動作電流を消費するが、高い駆動能力で第1のソース出力ノードSND1の電位を高速に変動させることができる。
In the pre-buffer driving period of the subsequent driving period, the control signals cc and cs are at the L level, and the control signal c1 is at the H level. Note that, within the driving period, the source charge storage switch CSW is set to OFF (non-conducting state). As a result, the first source output node SND 1 whose potential has changed within the charge recycling period is driven by the operational amplifier VOP 1 . The operational amplifier VOP 1 is supplied with the data voltage selected by the
次に、当該駆動期間のDAC駆動期間では、制御信号c1がLレベルとなり、制御信号c2がHレベルとなる。これにより、第1のソース出力ノードSND1は、演算増幅器VOP1の出力と電気的に遮断されると共に、DAC28からのデータ電圧が直接供給される。これにより、第1のソース出力ノードSND1の電圧を、DAC28からの高精度なデータ電圧に設定することができる。DAC駆動期間では、演算増幅器VOP1の動作を停止させることができるので、低消費電力化を図ることができる。
Next, in the DAC driving period of the driving period, the control signal c1 becomes L level and the control signal c2 becomes H level. Thus, the first source output node SND 1 is electrically disconnected from the output of the operational amplifier VOP 1 and the data voltage from the
制御信号cc、xcc、c1、xc1、c2、xc2を、演算増幅回路ブロックごとに個別に生成することで、上述のように、ソース出力毎に電荷の再利用の可否を個別に制御できるようになる。 By individually generating the control signals cc, xcc, c1, xc1, c2, and xc2 for each operational amplifier circuit block, as described above, it is possible to individually control whether or not charges can be reused for each source output. Become.
図19に、図17の演算増幅回路ブロックOPC1の他の制御例のタイミング図を示す。 FIG. 19 shows a timing chart of another control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 of FIG.
図19では、いわゆるオフ書き込みの制御例のタイミング図を示している。電荷再利用期間の制御、ソース電荷蓄積用スイッチCSWのスイッチ制御は、図18と同様である。 FIG. 19 shows a timing chart of a so-called off write control example. Control of the charge recycle period and switch control of the source charge storage switch CSW are the same as in FIG.
駆動期間のプリバッファ期間及びDAC駆動期間では、制御信号ccがHレベル、制御信号disがHレベルとなる。これにより、共用ラインCOLが放電用トランジスタDisTrにより、システム接地電源電圧VSSに設定される。そして、導通状態に設定された第1のソース短絡スイッチC2SW1を介して、電荷再利用期間内で電位が変動した第1のソース出力ノードSND1は、システム接地電源電圧VSSに設定される。この第1のソース出力ノードSND1の電圧が、第1のソース線S1に供給されて、いわゆるオフ書き込み制御が行われる。こうすることで、表示パネル12では、ソース線に供給された第1のソース出力ノードSND1の電圧を、通常の表示動作と同様に画素電極に書き込むだけでよい。
In the pre-buffer period and the DAC driving period of the driving period, the control signal cc is at the H level and the control signal dis is at the H level. As a result, the common line COL is set to the system ground power supply voltage VSS by the discharging transistor DisTr. Then, the first source output node SND 1 whose potential has fluctuated within the charge reuse period is set to the system ground power supply voltage VSS via the first source short-circuit switch C2SW 1 set to the conductive state. The first voltage source output node SND 1 is supplied to the first source line S 1, so-called off-writing control is performed. Thus, in the
以上のようなオフ書き込み制御は、演算増幅回路ブロックOPC2〜OPCNでも同様に行われる。こうすることで、所定のオフ電圧をDACから供給することなく、非常に簡素な構成で表示オフ制御を行うことができるようになる。 The off-write control as described above is similarly performed in the operational amplifier circuit blocks OPC 2 to OPC N. In this way, display off control can be performed with a very simple configuration without supplying a predetermined off voltage from the DAC.
2.3.2 対向電極の電荷再利用
図20に、図6の対向電極電圧生成回路56の構成例の図を示す。
2.3.2 Charge Reuse of Counter Electrode FIG. 20 shows a diagram of a configuration example of the counter electrode
対向電極電圧生成回路56は、表示パネル(電気光学装置)12の画素電極と液晶素子(電気光学物質)を挟んで対向する対向電極CEに印加される対向電極電圧VCOMを生成する。この対向電極電圧生成回路56は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器である第1及び第2の演算増幅器OP1、OP2と、切替回路SELとを含む。第1の演算増幅器OP1は、対向電極電圧VCOMの高電位側電圧VCOMHを出力する。第2の演算増幅器OP2は、対向電極電圧VCOMの低電位側電圧VCOMLを出力する。切替回路SELは、液晶素子(電気光学物質)に印加される電圧の極性を反転させる極性反転タイミングに応じて、高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの1つを対向電極電圧VCOMとして出力する。なお第1及び第2の演算増幅器OP1、OP2を、レギュレータとして動作させてもよい。
The counter electrode
切替回路SELは、P型(第1導電型)の金属酸化膜半導体(Metal Oxide Semiconductor:MOS)トランジスタ(以下、単にトランジスタ)PTrと、N型(第2導電型)のトランジスタNTrとを含むことができる。トランジスタPTrのソースは、第1の演算増幅器OP1の出力に接続される。トランジスタPTrのドレインは、対向電極CEに電気的に接続される。トランジスタPTrのゲートには、制御信号XPOLcが供給される。トランジスタNTrのソースは、第2の演算増幅器OP2の出力に接続される。トランジスタNTrのドレインは、対向電極CEに電気的に接続される。トランジスタNTrのゲートには、制御信号POLcが供給される。 The switching circuit SEL includes a P-type (first conductivity type) metal oxide semiconductor (MOS) transistor (hereinafter simply referred to as a transistor) PTr and an N-type (second conductivity type) transistor NTr. Can do. The source of the transistor PTr is connected to the output of the first operational amplifier OP1. The drain of the transistor PTr is electrically connected to the counter electrode CE. A control signal XPOLc is supplied to the gate of the transistor PTr. The source of the transistor NTr is connected to the output of the second operational amplifier OP2. The drain of the transistor NTr is electrically connected to the counter electrode CE. A control signal POLc is supplied to the gate of the transistor NTr.
制御信号XPOLc、POLcは、極性反転タイミングを規定する極性反転信号POLに基づいて生成される。切替回路SELは、制御信号XPOLc、POLcに基づいて、高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLを出力することができる。また切替回路SELは、制御信号XPOLc、POLcに基づいて、その出力をハイインピーダンス状態に設定することができる。 The control signals XPOLc and POLc are generated based on the polarity inversion signal POL that defines the polarity inversion timing. The switching circuit SEL can output the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML based on the control signals XPOLc and POLc. The switching circuit SEL can set its output to a high impedance state based on the control signals XPOLc and POLc.
このような対向電極電圧生成回路56は、VCOMH生成回路(対向電極高電位側電圧生成回路)62と、VCOML生成回路(対向電極低電位側電圧生成回路)64とを含むことができる。VCOMH生成回路62は、例えばシステム接地電源電圧VSSと電源電圧VDDHSとに基づいて、公知のチャージポンプ動作により電圧VCOMH0を生成することができるようになっている。電圧VCOMH0は、第1の演算増幅器OP1の入力に供給される。VCOML生成回路64は、例えばシステム接地電源電圧VSSと電源電圧VDDHSとに基づいて、公知のチャージポンプ動作により電圧VCOML0を生成することができるようになっている。電圧VCOML0は、第2の演算増幅器OP2の入力に供給される。
Such a counter electrode
そして、対向電極電圧生成回路56は、切替回路SELにより高電位側電圧VCOMHを対向電極電圧VCOMとして出力するときには、図示しない制御信号により第2の演算増幅器OP2の動作電流を停止又は制限する制御を行う。また対向電極電圧生成回路56は、切替回路SELにより低電位側電圧VCOMLを対向電極電圧VCOMとして出力するときには、図示しない制御信号により第1の演算増幅器OP1の動作電流を停止又は制限する制御を行う。
When the switching circuit SEL outputs the high potential side voltage VCOMH as the common electrode voltage VCOM, the common electrode
こうすることで、対向電極電圧VCOMの高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの一方を対向電極CEに印加するとき、高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの他方を出力する演算増幅器の動作電流を停止又は制限することができるので、対向電極電圧VCOMの生成に不要な消費電流を削減できるようになる。 Thus, when one of the high potential side voltage VCOMH and the low potential side voltage VCOML of the common electrode voltage VCOM is applied to the common electrode CE, an operational amplifier that outputs the other of the high potential side voltage VCOMH and the low potential side voltage VCOML. Therefore, it is possible to reduce current consumption unnecessary for generating the common electrode voltage VCOM.
切替回路SELの出力は、対向電極電圧出力ノードVNDと電気的に接続される。対向電極電圧出力ノードVNDは、第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードC1NDと電気的に接続される。第1の容量素子接続ノードC1NDは、対向電極電圧出力端子TL3を介して表示パネル12の対向電極CEと電気的に接続される。
The output of the switching circuit SEL is electrically connected to the common electrode voltage output node VND. The common electrode voltage output node VND is electrically connected to the first capacitor element connection node C1ND to which one end of the first capacitor element is connected. The first capacitor element connection node C1ND is electrically connected to the counter electrode CE of the
対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、第1の容量素子接続ノードC1NDと電気光学物質を介して対向電極電圧出力ノードVNDとの間に設けられる。対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、制御信号cv、xcvによりオンオフ制御される。制御信号xcvは、制御信号cvの反転信号である。 The common electrode charge storage switch VSW is provided between the first capacitor element connection node C1ND and the common electrode voltage output node VND via the electro-optic material. The common electrode charge storage switch VSW is on / off controlled by control signals cv and xcv. The control signal xcv is an inverted signal of the control signal cv.
そして、対向電極電圧VCOMを変化させる際に、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWにより対向電極電圧出力ノードVNDと第1の容量素子接続ノードC1NDとを一旦電気的に接続した後に、対向電極電圧出力ノードVNDに対向電極電圧VCOMを供給する。より具体的には、対向電極電圧生成回路56(切替回路SEL)の出力をハイインピーダンス状態に設定した状態で、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWにより対向電極電圧出力ノードVNDと第1の容量素子接続ノードC1NDとを電気的に接続した後、対向電極電圧生成回路56(切替回路SEL)が、対向電極CEに対向電極電圧VCOMを供給する。 When the common electrode voltage VCOM is changed, the common electrode voltage output node VND and the first capacitor element connection node C1ND are once electrically connected by the common electrode charge storage switch VSW and then the common electrode voltage output node. The counter electrode voltage VCOM is supplied to VND. More specifically, with the output of the common electrode voltage generation circuit 56 (switching circuit SEL) set to a high impedance state, the common electrode voltage output node VND is connected to the first capacitor element by the common electrode charge storage switch VSW. After electrically connecting the node C1ND, the common electrode voltage generation circuit 56 (switching circuit SEL) supplies the common electrode voltage VCOM to the common electrode CE.
本実施形態では、基準電圧Vrefとして、中間階調値に対応した階調電圧を採用したが、これに限定されるものではない。例えば理想的には基準電圧を、階調電圧の最高電圧VHと最低電圧VLとの間の中間電圧(=(VH+VL)/2)としてもよい。該中間電圧を基準電圧Vrefとすることで、回路構成を簡略化できる。 In the present embodiment, the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value is employed as the reference voltage Vref, but is not limited to this. For example, ideally, the reference voltage may be an intermediate voltage (= (V H + V L ) / 2) between the highest voltage V H and the lowest voltage V L of the gradation voltage. By using the intermediate voltage as the reference voltage Vref, the circuit configuration can be simplified.
2.4 変形例
本実施形態では、基準電圧Vrefを、中間階調値に対応した階調電圧とする固定電圧であるものとして説明したが、これに限定されるものではない。ラインラッチ26Lからの階調データを6ビットすべて取り込み、所与の基準データと比較して、該基準データより大きいか否かを判別することで、基準電圧Vrefのレベルを変更することができる。
2.4 Modification In the present embodiment, the reference voltage Vref has been described as a fixed voltage having a gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value, but the present invention is not limited to this. It is possible to change the level of the reference voltage Vref by fetching all 6 bits of gradation data from the
図21に、本実施形態の変形例におけるソース線駆動回路20の構成要部を示す。図21では、図11と同様に1出力当たりの構成を示し、図21において図11と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
FIG. 21 shows a main configuration part of the source
図21では、図11の電荷再利用制御部100Lに代えて電荷再利用制御部200Lが設けられている。電荷再利用制御部200Lは、閾値判定部210L、ラッチ220L、階調データ判定部230Lを含む。閾値判定部210Lには、閾値データとして基準データが入力される。閾値判定部210Lは、基準データとラインラッチ26Lからの階調データD[5:0]とを比較し、その比較結果を比較結果信号として出力する。ラッチ220Lは、水平同期信号LPの変化タイミングで、閾値判定部210Lからの比較結果信号をラッチする。階調データ判定部230Lは、閾値判定部210Lからの比較結果信号とラッチ220Lにラッチされた比較結果信号とを比較する。即ち、ラッチ220Lにラッチされる比較結果信号は、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と所与の基準データとを比較した第1の比較結果である。閾値判定部210Lからの比較結果信号は、当該水平走査期間にソース線に供給される第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと基準データとを比較した第2の比較結果である。
In Figure 21, it is provided charge recycle control section 200 L in place of the charge
階調データ判定部230Lからの出力に基づいて、ソース出力切替回路SSWLのスイッチ制御が行われる。 Based on the output from the grayscale data determination unit 230 L, the switch control of the source output switch circuit SSW L is performed.
このような構成により、閾値判定部210Lは、基準データと階調データD[5:0]とを比較し、例えば階調データD[5:0]が基準データより大きいか小さいかを判別することで、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が該基準データに対応した階調電圧より高電位側にあるか低電位側にあるかを判定することができる。その結果は、ラッチ220Lにより取り込まれ、階調データ判定部230Lにより、2つの連続する水平走査期間において、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が基準データに対応した階調電圧より共に大きいか又は共に小さいかを、ソース出力毎に判定される。このような電荷再利用制御部200Lにより、2つの連続する水平走査期間において、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が基準データに対応した階調電圧より共に大きいか又は共に小さいと判定されたときに、ソース出力切替回路SSWLは、ソース線SLを共用ラインCOLと短絡せず、その2つの階調電圧の一方が基準データに対応した階調電圧より高電位側で他方が基準データに対応した階調電圧より低電位側と判定された時に短絡する。 With this configuration, threshold decision unit 210 L is, the reference data and the gray scale data D: comparing the [5 0], for example, the grayscale data D [5: 0] is determined whether greater than the reference data smaller Thus, it can be determined whether the gradation voltage corresponding to the gradation data D [5: 0] is on the higher potential side or the lower potential side than the gradation voltage corresponding to the reference data. As a result, captured by the latch 220 L, by the gradation data determination unit 230 L, in two consecutive horizontal scanning periods, the gray-scale data D [5: 0] grayscale voltage corresponding is corresponding to the reference data in the It is determined for each source output whether both are larger or smaller than the gradation voltage. Such charge recycle control section 200 L, in two consecutive horizontal scanning periods, the gray-scale data D [5: 0] are large or than the gradation voltage gradation voltage corresponding is corresponding to the reference data in the when it is determined that both small, the source output switch circuit SSW L is not short-circuited with the common line COL source line S L, higher potential than the grayscale voltage one of the two gray scale voltages corresponding to the reference data When the other side is determined to be at a lower potential side than the gradation voltage corresponding to the reference data, a short circuit occurs .
こうすることで、2つの連続する水平走査期間における階調電圧が、最高電圧VHと最低電圧VLとの間の設定可能な電圧より高電位側か低電位側かを判断でき、電荷の再利用を行ったり、電荷の再利用を省略したりできるようになる。 In this way, it is possible to determine whether the gradation voltage in two consecutive horizontal scanning periods is higher or lower than the settable voltage between the highest voltage V H and the lowest voltage VL . It becomes possible to reuse or omit the reuse of electric charge.
また本実施形態では、図1又は図2に示す表示パネル12を駆動する表示ドライバ60について説明したが、これに限定されるものではない。
In the present embodiment, the
図22に、表示パネルの他の構成例の概要を示す。 FIG. 22 shows an outline of another configuration example of the display panel.
図22において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図22の表示パネル300は、表示ドライバによって駆動されるソース出力毎にデマルチプレクサを含む。即ち、ソース線SLに対応してデマルチプレクサDMUXL、ソース線SL+1に対応してデマルチプレクサDMUXL+1を含む。デマルチプレクサDMUXは、各ソース出力を3つの色成分用ソース線に分割する。表示パネル300では、各色成分用ソース線にTFTのソースが接続される。従って、各ソース出力に、3ドット分の階調データに対応したデータ電圧を時分割で出力することで、デマルチプレクサDMUXが時分割多重されたデータ電圧を分離して、各色成分用ソース線に出力させることができる。
In FIG. 22, the same parts as those in FIG. 1 or FIG. The
図23に、図22の表示パネルを駆動する表示ドライバの構成要部を示す。 FIG. 23 shows a main configuration part of a display driver for driving the display panel of FIG.
図23において、図17と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図23の表示ドライバでは、各演算増幅器ブロックに、予め3ドット分のデータ電圧が時分割多重されて入力される。そして、その時分割多重タイミング信号を、表示パネル300に供給することで、デマルチプレクサDMUX1〜DMUXNのそれぞれは、各ソース出力を分離することができる。
In FIG. 23, the same parts as those in FIG. In the display driver of FIG. 23, a data voltage of 3 dots is time-division multiplexed in advance and input to each operational amplifier block. Then, by supplying the time division multiplex timing signal to the
なお、図22のデマルチプレクサDMUX1〜DMUXNを、図24に示すように表示ドライバ側に設けてもよい。即ち、表示ドライバ302は、各ソース出力ノードの時分割された電圧を複数の出力電圧に分離するためのデマルチプレクサを含み、複数の出力電圧の各出力電圧を、表示パネルの各ソース線に供給する。この場合、データ電圧の時分割多重タイミング信号を表示パネルに供給する必要がなくなるので、実装面積をより小さくすることができるようになる。
Note that the demultiplexers DMUX 1 to DMUX N of FIG. 22 may be provided on the display driver side as shown in FIG. That is, the
3. 電子機器
図25に、本実施形態における電子機器の構成例のブロック図を示す。ここでは、電子機器として、携帯電話機の構成例のブロック図を示す。
3. Electronic Device FIG. 25 shows a block diagram of a configuration example of an electronic device in the present embodiment. Here, a block diagram of a configuration example of a mobile phone is shown as an electronic device.
携帯電話機900は、カメラモジュール910を含む。カメラモジュール910は、CCDカメラを含み、CCDカメラで撮像した画像のデータを、YUVフォーマットで表示コントローラ540に供給する。表示コントローラ540は、図1又は図2の表示コントローラ40の機能を有する。
The
携帯電話機900は、表示パネル512を含む。表示パネル512は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530によって駆動される。表示パネル512は、複数のゲート線、複数のソース線、複数の画素を含む。表示パネル512は、図1又は図2の表示パネル12の機能を有する。
The
表示コントローラ540は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530に接続され、ソースドライバ520に対してRGBフォーマットの階調データを供給する。
The
電源回路542は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530に接続され、各ドライバに対して、駆動用の電源電圧を供給する。電源回路542は、図1又は図2の電源回路50の機能を有する。表示ドライバ544としてソースドライバ520、ゲートドライバ530及び電源回路542を含み、該表示ドライバ544が表示パネル512を駆動できる。
The
ホスト940は、表示コントローラ540に接続される。ホスト940は、表示コントローラ540を制御する。またホスト940は、アンテナ960を介して受信された階調データを、変復調部950で復調した後、表示コントローラ540に供給できる。表示コントローラ540は、この階調データに基づき、ソースドライバ520及びゲートドライバ530により表示パネル512に表示させる。ソースドライバ520は、図1又は図2のソース線駆動回路20の機能を有する。ゲートドライバ530は、図1又は図2のゲート線駆動回路30の機能を有する。
The
ホスト940は、カメラモジュール910で生成された階調データを変復調部950で変調した後、アンテナ960を介して他の通信装置への送信を指示できる。
The
ホスト940は、操作入力部970からの操作情報に基づいて階調データの送受信処理、カメラモジュール910の撮像、表示パネル512の表示処理を行う。
The
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の液晶表示パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロクミネッセンス、プラズマディスプレイ装置の駆動に適用可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, the present invention is not limited to being applied to driving the above-described liquid crystal display panel, but can be applied to driving electroluminescence and plasma display devices.
また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。 In the invention according to the dependent claims of the present invention, a part of the constituent features of the dependent claims can be omitted. Moreover, the principal part of the invention according to one independent claim of the present invention can be made dependent on another independent claim.
10 液晶装置、 12 表示パネル、 20 ソース線駆動回路、
26L ラインラッチ、 28L DAC、 29L 出力バッファ、
30 ゲート線駆動回路、 40 表示コントローラ、 50 電源回路、
60 表示ドライバ、 100L 電荷再利用制御部、 110L ラッチ、
120L 階調データ判定部、 CCS 第2の容量素子、 CCV 第1の容量素子、
COL 共用ライン、 CSW ソース電荷蓄積用スイッチ、 G1〜GM ゲート線、
D 階調データ、 OPCL 演算増幅回路ブロック、 S1〜SN ソース線、
SSW1〜SSWN ソース出力切替回路、 TL1 第1の容量素子接続用端子、
TL2 第2の容量素子接続用端子、 VSW 対向電極電荷蓄積用スイッチ
10 liquid crystal device, 12 display panel, 20 source line drive circuit,
26 L line latch, 28 L DAC, 29 L output buffer,
30 gate line drive circuit, 40 display controller, 50 power supply circuit,
60 display driver, 100 L charge recycle control unit, 110 L latch,
120 L gradation data determination unit, CCS second capacitor element, CCV first capacitor element,
COL common line, CSW source charge storage switch, G 1 ~G M gate lines,
D grayscale data, OPC L operational amplifier circuit block, S 1 to S N source line,
SSW 1 to SSW N source output switching circuit,
TL2 Second capacitor element connection terminal, VSW Counter electrode charge storage switch
Claims (11)
階調データに対応した階調電圧を前記ソース線に供給するためのソース線駆動部と、
前記ソース線駆動部により前記ソース線が駆動されるのに先立って、前記ソース線を、キャパシタに接続される共用ラインと短絡するためのソース出力切替部と、
前記ソース出力切替部を制御する電荷再利用制御部とを含み、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部の判定結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡し、
第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードと電気光学物質を介して前記電気光学装置の画素電極に対向する対向電極の電圧が供給される対向電極電圧出力ノードとの間に設けられる対向電極電荷蓄積用スイッチをさらに含み、
前記対向電極電荷蓄積用スイッチにより前記対向電極電圧出力ノードと前記第1の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記対向電極電圧出力ノードに前記対向電極電圧を供給して前記対向電極を駆動することを特徴とする駆動回路。
ことを特徴とする駆動回路。 A drive circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data,
A source line driver for supplying a gradation voltage corresponding to gradation data to the source line;
A source output switching unit for short-circuiting the source line with a common line connected to a capacitor before the source line is driven by the source line driving unit;
A charge reuse control unit that controls the source output switching unit,
The charge reuse controller
For each source output, according to the first gradation voltage supplied to the source line in the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period, the source line Whether or not to short-circuit the common line,
The source output switching unit is
Based on the determination result of the charge recycling control unit, the source line is short-circuited with the shared line ,
A first capacitor element connection node to which one end of the first capacitor element is connected and a counter electrode voltage output node to which a voltage of a counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device is supplied via an electro-optical material. A counter electrode charge storage switch provided therebetween,
After the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are electrically connected once by the counter electrode charge storage switch, the counter electrode voltage is supplied to the counter electrode voltage output node and the counter A drive circuit for driving an electrode .
A drive circuit characterized by that.
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調電圧が前記基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より高電位側で他方が前記基準電圧より低電位側と判定された時に短絡することを特徴とする駆動回路。 In claim 1,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage,
The source output switching unit is
When the charge recycle control unit determines that the first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage, the source line is short-circuited to the shared line. And a short circuit when one of the first and second gradation voltages is determined to be higher than the reference voltage and the other is determined to be lower than the reference voltage .
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビットのデータと、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することを特徴とする駆動回路。 In claim 1 or 2,
The charge reuse controller
The most significant bit data of the first gradation data for generating the first gradation voltage and the most significant bit data of the second gradation data for generating the second gradation voltage And determining whether or not the source line is short-circuited with the shared line based on the comparison result.
前記基準電圧が、
中間階調値に対応した階調電圧であることを特徴とする駆動回路。 In claim 3,
The reference voltage is
A driving circuit having a gradation voltage corresponding to an intermediate gradation value.
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データと所与の基準データとを比較した第1の比較結果と、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと前記基準データとを比較した第2の比較結果とに基づいて、前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することを特徴とする駆動回路。 In claim 1 or 2,
The charge reuse controller
A first comparison result of comparing the first gradation data for generating the first gradation voltage and given reference data, and a second comparison result for generating the second gradation voltage A drive circuit that determines whether or not the source line is short-circuited to the shared line based on a second comparison result obtained by comparing gradation data and the reference data.
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいと判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調データの一方が前記基準データより大きく他方が前記基準データより小さいと判定された時に短絡することを特徴とする駆動回路。 In claim 5,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data,
The source output switching unit is
When the charge reuse controller determines that the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data, the source line is not short-circuited with the shared line, and the first And a driving circuit that is short-circuited when it is determined that one of the second gradation data is larger than the reference data and the other is smaller than the reference data .
前記電気光学装置の第1のソース線への出力電圧が供給される第1のソース出力ノードと前記共用ラインとの間に設けられる第1のソース短絡スイッチと、
第2の容量素子の一端が接続される第2の容量素子接続ノードと前記共用ラインとの間に設けられるソース電荷蓄積用スイッチとを含み、
前記第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記第1のソース短絡スイッチ又はソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを電気的に遮断した状態で、前記第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧を供給し、前記第1のソース線を駆動することを特徴とする駆動回路。 In any one of Claims 1 thru | or 6.
A first source short-circuit switch provided between a first source output node to which an output voltage to the first source line of the electro-optical device is supplied and the shared line;
A source charge storage switch provided between a second capacitor element connection node to which one end of the second capacitor element is connected and the shared line;
After the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected once by the first source short circuit switch and the source charge storage switch, the first source short circuit switch or the source charge A voltage corresponding to grayscale data is supplied to the first source output node in a state where the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically cut off by a storage switch, A driving circuit for driving a first source line.
複数のゲート線と、
各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向する対向電極と、
前記複数のソース線を駆動するための請求項1乃至7のいずれか記載の駆動回路とを含むことを特徴とする電気光学装置。 Multiple source lines,
Multiple gate lines,
A plurality of pixel electrodes in which each pixel electrode is specified by each gate line and each source line;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
Electro-optical device which comprises a driving circuit according to any one of claims 1 to 7 for driving the plurality of source lines.
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