JP4227137B2 - Substrate storage container - Google Patents
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Description
本発明は、ボックス内にウェーハを収納してプロセス装置間の搬送を行うSMIF(Standard Mechanical Interface)システムに係り、特に、SMIFシステムで用いられる半導体ウェーハ運搬用ポッドに関する。 The present invention relates to a SMIF (Standard Mechanical Interface) system that accommodates a wafer in a box and transports it between process devices, and more particularly to a semiconductor wafer carrying pod used in the SMIF system.
製品の歩留まり向上は半導体生産ラインにおいて非常に重要な事柄である。歩留まり低下の主な原因は、生産環境内に存在する、ゴミや有機物等のパーティクルである。従来、パーティクル対策は、LSI生産をクリーンルーム内で行うことで実現されてきた。しかし、LSIの微細化、高集積化に伴い、除去すべきパーティクルのサイズは小さくなる一方、クリーンルーム自体のこれ以上の高清浄化はコストの上昇等の問題から容易ではない。そこで、従来より半導体ウェーハ搬送に用いられてきたオープン・カセットに代えて密閉式の箱(ポッド)を用いるSMIFシステムが提案されている。このポッドを用いれば、ウェーハを密閉容器内に収納し、搬送や保管ができるので、ウェーハをダスト・フリーな状態に維持できる。また、装置周辺の環境が必ずしも高清浄でなくても装置間のウェーハ搬送を高清浄環境に保って行うことができる。 Improving product yield is a very important issue in semiconductor production lines. The main cause of the decrease in yield is particles such as dust and organic matter existing in the production environment. Conventionally, particle countermeasures have been realized by performing LSI production in a clean room. However, with the miniaturization and high integration of LSIs, the size of particles to be removed is reduced. On the other hand, higher cleanliness of the clean room itself is not easy due to problems such as an increase in cost. Therefore, a SMIF system using a sealed box (pod) instead of the open cassette conventionally used for transporting semiconductor wafers has been proposed. If this pod is used, the wafer can be stored in a sealed container and can be transported and stored, so that the wafer can be maintained in a dust-free state. Further, even if the environment around the apparatus is not necessarily highly clean, wafer transfer between the apparatuses can be performed in a highly clean environment.
図16は、従来の半導体ウェーハ運搬用ポッドをポッド載置台20に設置し、半導体ウェーハ10を搬入または搬出する場合の様子を示す図である。図16に示すように、従来の半導体ウェーハ運搬用ポッドにおいては、ウェーハ10を搬出し、プロセス装置(図示しない)にウェーハ10を移載する場合、ポッド本体12からポッド蓋14bの取り外しが行われる。ポッド蓋14bの取り外しはポッド蓋開閉器16bを備えた蓋開閉手段22によって行われる。逆に、ウェーハ10のプロセス処理が終了し、再びウェーハ10をポッド本体12内に搬入する場合、今度はポッド蓋14bをポッド本体12に固定し、ポッド本体12を密閉する。
FIG. 16 is a diagram showing a state in which a conventional semiconductor wafer carrying pod is installed on the pod mounting table 20 and the
近年、半導体ウェーハ運搬用ポッドの役割として、上記パーティクル対策だけでなく、半導体ウェーハ表面を自然酸化膜生成から保護することも要求されてきている。自然酸化膜は予期できないプロセスの不具合等を招く有害なものであり、できるだけ形成すべきものではない。特に、微細化の進んだLSIには、大きな悪影響を及ぼす。このため、自然酸化膜生成防止を目的として、ポッド内に窒素(N2)、アルゴン(Ar)等の不活性ガスを封入し、そのままポッドを搬送する案が提案されている。すなわち、図17に示すように、ポッド蓋14bを密着固定した後、アタッチメント18を介して窒素等の不活性ガスをポッド本体12内に封入する。そして、ポッド本体12内を不活性ガス雰囲気とし、そのままの状態でポッドの搬送を行うものである。プロセス装置間の搬送中は、半導体ウェーハ10の表面は窒素に晒されるだけであり、酸素には晒されることはない。したがって、ウェーハ10の表面を自然酸化膜生成から保護することが可能となる。半導体ウェーハ10を収納した状態で、一時的にストッカ等にポッドを保管する場合であっても、同様に自然酸化膜の生成が防止される。基板収納装置としては例えば特許文献1に開示されてたようなものがある。
ポッド本体12内に不活性ガスを封入する場合、たとえば300mmウェーハ25枚収納可能な半導体ウェーハ運搬用ポッドあれば、その封入におよそ10分程度要してしまう。
When an inert gas is sealed in the pod
このため、(1)半導体ウェーハ10の回収後、すぐに次のプロセス装置にそのポッドを搬送することができない。すなわち、ガス封入時間分だけそのポッドの搬送開始が遅れてしまう。現在、半導体の製造工程は200工程程度となっており、たとえば1工程当りガス封入に10分かかるとすれば、200工程全体ではおよそ33時間も要することになる。したがって、半導体製造期間はその分だけ確実に長くなり、生産効率の低下、延いては生産コストの上昇を招いてしまう問題点がある。
For this reason, (1) the pod cannot be transferred to the next process apparatus immediately after the
さらに、(2)先のポッドのガス封入中は次のポッドをポッド載置台20に設置することはできない。すなわち、先のポッドのガス封入時間分だけ次のポッドのプロセス処理開始が遅れてしまう。一方、プロセス装置はこの間アイドリング状態であり、装置利用が非効率的である。その積み重ねによる損失は非常に大きいものとなる。 Further, (2) the next pod cannot be installed on the pod mounting table 20 while the previous pod is filled with gas. That is, the start of the process processing of the next pod is delayed by the gas filling time of the previous pod. On the other hand, the process apparatus is idling during this period, and the use of the apparatus is inefficient. The loss due to the stacking is very large.
また、複数のポッド載置台20が設けられている場合であっても、すべての載置台20が使用されている場合がある。この場合、搬送されてきたポッドの処理は何れかのポッドのガス封入作業が終了するまで待機状態となる。したがって、上記(1)と同様、製造期間の長期化、生産効率の低下、並びに生産コストの上昇を招くおそれがある。
Moreover, even if it is a case where the some
本発明は、このような課題を解決し、製造工期の短縮化、生産効率の向上および生産コストの削減を実現できる基板収納容器を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a substrate storage container that can solve such problems and can realize shortening of the manufacturing period, improvement of production efficiency, and reduction of production cost.
上記課題を解決するため、本発明の特徴は、半導体ウェーハが収納される本体と、本体内を密閉する開位置と本体内を開放する開位置との間で移動自在な蓋体と、本体または前記蓋体に設けられた真空容器とを備え、蓋体が開位置に位置して本体から半導体ウェーハが取り出されてから本体に半導体ウェーハが収納されるまでの間に真空容器内が真空状態にされ、蓋体が閉位置に位置して本体内が密閉され半導体ウェーハが搬送される間に、本体内のガスが真空状態の真空容器内に取り込まれ、本体内が真空状態にされる基板収納容器であることである。 In order to solve the above problems, the present invention is characterized in that a main body in which a semiconductor wafer is stored, a lid body that is movable between an open position that seals the inside of the main body and an open position that opens the inside of the main body, A vacuum vessel provided on the lid, and the vacuum vessel is in a vacuum state between the time when the semiconductor wafer is taken out from the main body after the lid is located at the open position and the semiconductor wafer is stored in the main body. While the lid is in the closed position and the inside of the main body is sealed and the semiconductor wafer is transferred, the gas in the main body is taken into the vacuum container in the vacuum state, and the substrate is stored in the vacuum state. It is a container.
本発明の特徴によれば、本体もしくは蓋体に真空容器を設け、あらかじめ真空容器内部を大気圧より多少低い圧力(真空状態)とし、その真空容器を本体と接続することで本体内を真空状態とする。すなわち、本発明の特徴では、基板搬出後、再び基板搬入までの間に、まず真空容器内を真空状態にしておく。そして、搬送開始後に、今度は本体内を真空容器によって排気する。それにより、本体内の排気作業を見掛け上なくすことができる。したがって、本体内の排気作業に要する時間が不要となる。その結果、半導体製造期間全体の短縮化が図られると共に、生産効率の向上、生産コストの削減が実現される。さらに、本発明の特徴によれば、本体の密閉性をより長く維持することができ、それにより、収納された基板を高清浄環境に長期間保持することができる。
尚、後に説明する実施の形態において、「本体」を「ポット本体」、「蓋体」を「ポット蓋体」、「真空容器」を「ガス封入容器」ともいう。
According to a feature of the present invention, a vacuum container provided in the main body or the lid, previously vacuum vessel interior was somewhat lower than atmospheric pressure (vacuum), vacuum state within the body by connecting the vacuum container body And That is, according to the feature of the present invention, the vacuum chamber is first evacuated after the substrate is unloaded and before the substrate is loaded again. And after a conveyance start, this inside of a main body is exhausted with a vacuum vessel. Thereby, it is possible to apparently eliminate the exhaust work in the main body . Therefore, the time required for the exhaust work in the main body is not required. As a result, the entire semiconductor manufacturing period can be shortened, and the production efficiency can be improved and the production cost can be reduced. Furthermore, according to the feature of the present invention, the sealing property of the main body can be maintained for a longer time, and thereby the stored substrate can be held in a highly clean environment for a long period of time.
In the embodiments described later, “main body” is also referred to as “pot main body”, “lid” is also referred to as “pot lid”, and “vacuum container” is also referred to as “gas enclosure”.
本発明によれば、製造工期の短縮化、生産効率の向上および生産コストの削減を実現できる基板収納容器を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the board | substrate storage container which can implement | achieve shortening of a manufacturing period, improvement of production efficiency, and reduction of production cost can be provided.
以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の図面においては同一または類似の部分には同一または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals, and repeated description thereof is omitted.
(第1の実施の形態)図1に示すように、本発明に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドは、半導体ウェーハ10を半導体製造装置26に搬出または半導体製造装置26から搬入する場合、半導体製造装置26の前面に配置されたポッド載置台20に設置される。通常、1台の半導体製造装置26につき2台乃至4台のポッド載置台20が割り当てられる。先の工程の半導体製造装置26から搬送されてきた半導体ウェーハ運搬用ポッドは、まずポッド載置台20に設置される。ポッドの設置後、ポッド本体12からポッド蓋14の取り外しが行われる。ポッド蓋14の取り外しは蓋開閉手段22によって実行される。同様に、ポッド蓋14のポッド本体12への固定についても蓋開閉手段22が行う。場合によっては人手によることもある。蓋開閉手段22はポッド蓋開閉器16を有しており、ポッド蓋開閉器16とポッド蓋14が重なり合うことでその取り外し及び固定を行う。
(First Embodiment) As shown in FIG. 1, when a semiconductor wafer transport pod according to the present invention is transported to or from a
ポッド蓋14の取り外しが終了すると、半導体製造装置26に備え付けられたウェーハ移載手段24がポッド本体12内に収納されている半導体ウェーハ10を一枚ずつ半導体装置26内に移載する。半導体製造装置26は、イオン注入工程、拡散工程、フォトリソグラフィー工程、薄膜形成工程、エッチング工程等の半導体製造工程を行う装置である。半導体ウェーハ10の処理終了後、今度は逆にウェーハ移載手段24は半導体製造装置26内からポッド本体12内に半導体ウェーハ10を移載する。すべてのウェーハ10の処理が終了し、ポッド本体12内への移載が完了すれば、蓋開閉手段22によってポッド蓋14がポッド本体12に再び密着固定される。次の工程の半導体製造装置へのポッドの搬送はたとえば、オペレータによる搬送、AGV(Automated Guided Vehicle)やRGV(Rail Guided Vehicle)を用いた床上搬送、OHT(Overhead Transpotation)を用いた天井搬送等によって行われる。
When the removal of the
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをポッド載置台20に設置し、半導体ウェーハ10を搬入または搬出する場合の様子を示す図である。また、図3は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをプロセス装置間で搬送する場合の様子を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a state in which the semiconductor wafer carrying pod according to the first embodiment of the present invention is installed on the pod mounting table 20 and the
図2に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドは、半導体ウェーハ10を収納・保管し、プロセス装置間のウェーハ搬送を行うポッド本体12と、ポッド本体12に密着固定され、ポッド本体12内を密閉するポッド蓋14aと、で構成される。ポッド本体12は側面に半導体ウェーハ10を搬入搬出するための開口部を有する容器であり、その材質は発塵の少ない材料で構成されている。開口部ははめ込み型となっており、ポッド蓋14aは開口部に密着固定される。図示はしないが、ポッド本体12内部にはたとえば13枚、25枚等の複数枚のウェーハ10を一定間隔で水平に収納するための溝が設けられており、直接ウェーハ10を収納することができる。また、ポッド本体12の他の側面、上面、あるいは下面にはハンドリング部が設けられている。ポッド搬送の際、オペレータあるいは搬送ロボットはこのハンドリング部によってポッドを保持することができる。
As shown in FIG. 2, the semiconductor wafer carrying pod according to the first embodiment of the present invention includes a pod
ポッド蓋14aは本発明の重要部分であるガス封入容器28を内蔵している。ガス封入容器28はのちにポッド本体12内に封入される封止ガスを一旦保持するものである。ガス封入容器28に対する封止ガスの封入は蓋開閉手段22によって行われる。蓋開閉手段22は、ガス封入容器28を内蔵するポッド蓋14aをポッド本体22から取り外した後、ポッド蓋開閉器16aを介してアタッチメント18をポッド蓋14aに接続する。封止ガスはアタッチメント18を介してポッド蓋14aに供給され、ポッド蓋14a内部の配管を通してその封止ガスはガス封入容器28に封入される。ガス封入容器28はポッド本体12内を封止ガスで完全に置換できる量の封止ガスを一時的に保持する。通常、封止ガスは一定の圧力下で圧縮されて保持される。封止ガスとしては窒素、アルゴン等の不活性ガスが用いられる。
The
一方、図3に示すように、ガス封入容器28内の封止ガスは今度はポッド搬送中にポッド本体12に封入される。封止ガスはポッド蓋14a内部の配管30を通ってポッド本体12内に供給される一方、ポッド本体12内に存在するガスはポッド蓋14a内部の配管32を通ってポッド外部に排出される。それにより、ポッド本体12内は一定時間経過後完全に封止ガスに置換される。
On the other hand, as shown in FIG. 3, the sealing gas in the gas-sealed
次に、本発明の第1の実施の形態の動作について図2及び図3を参照して説明する。本発明の第1の実施の形態の動作は次の2つの動作に大別される。 Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The operation of the first embodiment of the present invention is roughly divided into the following two operations.
(1)ガス封入容器28に対する封止ガス封入作業
(2)ポッド本体12に対する封止ガス封入作業
まず、図2に示すように本発明の第1の実施の形態においては、半導体ウェーハ10の搬出、半導体ウェーハ10のプロセス処理、および半導体ウェーハ10の搬入の間に、ガス封入容器28に対する封止ガスの封入作業(1)が行われる。従来、このウェーハ搬出→プロセス処理→ウェーハ搬入の間は、ポッド蓋14aはポッド蓋開閉器16aに保持されたまま待機状態となっている。本実施の形態では、この期間を利用してガス封入容器28に封止ガスを封入する作業を並行処理する。封入作業はプロセス処理時間内で十分行うことができる。したがって、ガス封入容器28に対する封止ガスの封入作業時間は見掛け上なくなる。
(1) Sealing gas sealing work for the gas sealing container 28 (2) Sealing gas sealing work for the
次に、図3に示すように、ポッド搬送中にポッド本体12に対する封止ガス封入作業(2)が行われる。半導体ウェーハ10の搬入後、ポッドは搬送システム(図示しない)によって次工程の装置に搬送される。この搬送の際にガス封入容器28内の封止ガスは今度はポッド本体12内に供給される。封止ガスはガス封入容器28内に一定の圧力で圧縮されて保持されているので、所定の弁が開けば自然に配管30を通ってポッド本体12内に流れ込む。同時にポッド本体12内のガスは配管32を通ってポッド外に排出されるので、ポッド本体12内は封止ガス雰囲気となる。ポッド本体12内へのガス封入時間は300mmウェーハ25枚収納可能な半導体ウェーハ運搬用ポッドあればおよそ10分程度である。したがって、全体としてみればポッド搬送開始直後に封入作業が終了すると見なすことができる。従来、ポッド本体12内への封入作業はポッド搬送前に行われていた。そのため、その封入作業時間分だけポッド搬送の開始が遅れることとなり、その積み重ねにより半導体製造期間全体の長期化を招いていた。本実施の形態では、ポッド搬送中にガス封入容器28に一時的に保持した封止ガスをポッド本体12内に封入する。それにより、ポッド本体12に対する封入作業時間を見掛け上なくしている。
Next, as shown in FIG. 3, a sealing gas sealing operation (2) is performed on the pod
本発明の第1の実施の形態においては、ポッド本体12内への封止ガス封入作業を、(1)ポッド蓋14aに内蔵されたガス封入容器28に封止ガスを封入し、一時的に保持させる作業と、(2)ガス封入容器28に保持された封止ガスをポッド本体12に供給し、ポッド本体12内を置換する作業と、に分けて実行する。そして、さらに本実施の形態は、(1)のガス封入容器28に対するガス封入作業を半導体ウェーハ10の搬出作業、ウェーハ10のプロセス処理、およびウェーハ10の搬入作業が行われている間に行い、(2)のポッド本体12に対するガス封入作業をポッド搬送中に行うものである。したがって、(1)および(2)の作業に要する時間は見掛け上なくなり、半導体製造期間に加算されなくなる。それにより、半導体製造期間は短縮され、生産効率の向上および生産コストの削減を図ることができる。
In the first embodiment of the present invention, the sealing gas sealing operation into the pod
本発明の第1の実施の形態に係るポッド蓋14aはたとえば図4に示すような構成にすれば良い。図4は、本発明の第1の実施の形態に係るポッド蓋14aの構成を示す断面図である。図4に示すように、本実施の形態に係るポッド蓋14aはその内部に、ガス封入容器28と、ガス封入容器28内のガスをポッド本体12内に封入する配管30と、配管30に挿入された開閉バルブ34およびフィルタ36と、ガス封入容器28内にガスを供給する配管40と、配管40に挿入された開閉バルブ42と、ポッド蓋14aのポッド本体12側とその反対側を結ぶ配管32と、配管32に挿入された圧力弁38と、を有している。図4において、開閉バルブ42が開状態のとき、ガス封入容器28は配管40を通して封止ガスの供給を受ける。配管40はポッド蓋開閉器16aを介して蓋開閉手段22に備え付けられたアタッチメント18と接続し、アタッチメント18から供給される封止ガスをガス封入容器28に封入する。なお、言うまでもないが、これらの作業はポッド蓋14aがポッド本体12から離れ、ポッド蓋開閉器16aに固定されている状態で行われる。
The
一方、開閉バルブ34が開状態のとき、ガス封入容器28はその内部に保持した封止ガスを配管30を通してポッド本体12内に封入する。上述したように、封止ガスは圧縮された状態でガス封入容器28内に閉じ込められているので、開閉バルブ34が開けば封止ガスは配管30を通ってポッド本体12内に流れていく。また、フィルタ36を配管30に設けることで一旦ガス封入容器28内に保持された封止ガスをより清浄度を高くしてポッド本体12内に供給できる。それにより、ポッド本体12内の半導体ウェーハ10の清浄度をさらに向上できる。封入進行と共に、ポッド本体12内部は封止ガスの封入によって圧力が上昇するが、一定圧になると圧力弁38が開状態となる。圧力弁38が開くことで配管32を通ってガス封入容器28内のガスがポッド外部に排出される。その結果、所定の時間経過後、ポッド本体12内は封止ガスに完全に置換される。なお、これらの作業はポッド蓋14aがポッド本体12に密着固定されている状態で行われる。
On the other hand, when the opening / closing
上述した作業はポッド蓋14aの開閉作業に連動して行われるのが望ましい。すなわち、ポッド蓋14aがポッド本体12から外された時点で、開閉バルブ42を開、開閉バルブ34を閉とし、ガス封入容器28に対する封止ガス封入作業を開始し、ポッド蓋14aがポッド本体12に固定された時点で、開閉バルブ34を開、開閉バルブ42を閉とし、ポッド本体12に対する封止ガス封入作業を開始することが作業をする上で効率的である。そこで、本発明の第1の実施の形態では、さらにポッド蓋14aの開閉作業に連動して開閉バルブ34および42の開閉の制御を可能とする例を提案する。
The above-described operation is preferably performed in conjunction with the opening / closing operation of the
実際には、ポッド蓋14aの取り付けおよび取り外しを行うポッド蓋開閉器16aをたとえば図5に示すような構成にすれば良い。図5は、従来より用いられているポッド蓋開閉器16bの構成を示す正面図である。また、図6は、ポッド蓋の構成を示す正面図であり、(a)が従来技術に係るもの、(b)が本実施の形態に係るものである。図5に示すようにポッド蓋開閉器16bには、ロック開閉機構44と、アタッチメント18が接続されるガス供給接続口48と、ポッド本体12内のガスを排出するガス排出接続口50と、ガス供給接続口48およびガス排出接続口50の開閉をそれぞれ制御するガス供給弁開閉機構46と、が設けられている。なお、本発明の第1の実施の形態に係るポッド蓋開閉器16aにおいては、ガス排気接続口50は不要となる。
Actually, the
従来よりポッド蓋14aの開閉作業はポッド蓋開閉器16bのロック開閉機構44によって行われている。ポッド蓋開閉器16bはポッド蓋14bと重なり合うと、図6(a)において、ロック開閉機構44をポッド蓋14bのロック機構54に接続する。そして、ロック開閉機構44を回転させることで、ロック機構54を同一方向に連動して回転させる。リンク56はロック機構54の回転によってロックピン58を上下させる。ロックピン58がポッド蓋14aから飛び出すことでポッド蓋14bはポッド本体12に密着固定される。一方、ポッド蓋14bをポッド本体12から取り外す場合には、ロックピン58をポッド蓋14b内に収納する。
Conventionally, the opening / closing operation of the
本実施の形態ではさらに、ロック機構54を用いてポッド蓋14aの開閉バルブ34および42の開閉を行う。図6に示すように、本実施の形態に係るポッド蓋14aにおいては、ロック機構54の回転によってリンク62が開閉バルブ34および42の開閉作業を行う。具体的には、ロック機構54の回転によってリンク56がロックピン58をポッド蓋14aに収納するとき、同時にリンク62が開閉バルブ34を閉状態とし、開閉バルブ42を開状態とする。一方、ロック機構の回転によってリンク56がロックピン58をポッド蓋14aから出すとき、同時にリンク62が開閉バルブ34を開状態とし、開閉バルブ42を閉状態とする。したがって、ポッド蓋14aがポッド本体12から外された時点で、開閉バルブ42を開、開閉バルブ34を閉とし、ガス封入容器28に対する封止ガス封入作業を開始し、ポッド蓋14aがポッド本体12に固定された時点で、開閉バルブ34を開、開閉バルブ42を閉とし、ポッド本体12に対する封止ガス封入作業を開始することが実現される。
In the present embodiment, the
本発明の第1の実施の形態では、ポッド蓋14aにガス封入容器28を設け、半導体ウェーハ10の搬出後、再び搬入するまでの間にあらかじめガス封入容器28に封止ガスを封入しておき、搬送開始後今度はガス封入容器28に保持された封止ガスをポッド本体12内に封入する。それにより、ポッド本体12に対する封止ガス封入作業を見掛け上なくすことができる。したがって、封止ガス封入作業に要する時間が不要となり、ポッド搬送開始をその分だけ早めることができる。その結果、半導体製造期間全体の短縮化が図られると共に、生産効率の向上、生産コストの削減が実現される。
In the first embodiment of the present invention, a
次に、本発明の第1の実施の形態の変形例について説明する。本変形例は、第1の実施の形態におけるポッド本体12とポッド蓋14aの密着性を高めることで、ポッドの密閉性を向上させる例を示すものである。図7は、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをポッド載置台20に設置し、半導体ウェーハ10を搬入または搬出する場合の様子を示す図である。図7に示すように、本変形例は、第1の実施の形態のポッド蓋14aを、ポッド本体12との密着面に2つのゴムガスケットを設けたポッド蓋14cに置き換えた構成となっている。そして、本変形例は、2つのゴムガスケットと密着面で囲まれる空間を大気圧より多少低い圧力(技術的な意味での“真空状態”)とすることで、ポッド本体12とポッド蓋14cの密着性を高めるものである。なお、以下では、特に断らない限り、「真空状態」とは低圧力を意味するものとする。
Next, a modification of the first embodiment of the present invention will be described. This modification shows an example of improving the sealing performance of the pod by improving the adhesion between the
図8は、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをポッド載置台20に設置し、2つのゴムガスケットと密着面で囲まれる空間を排気する場合の様子を示す図である。図8に示すように、本変形例では、半導体ウェーハ10の搬入後ポッド搬送開始前に、2つのゴムガスケットと密着面で囲まれる空間の排気が行われる。この空間の排気は蓋開閉手段22に備え付けられた真空ポンプPによって行われる。真空ポンプPはアタッチメント18と接続され、アタッチメント18はポッド蓋開閉器16cを介してポッド蓋14c内の配管に接続される。なお、ガスケットとしては断面が円形であるOリングが最も一般的であるが、ときには甲丸リング、角リングであっても良い。
FIG. 8 shows a state in which the semiconductor wafer carrying pod according to the modification of the first embodiment of the present invention is installed on the pod mounting table 20 and the space surrounded by the two rubber gaskets and the contact surface is exhausted. FIG. As shown in FIG. 8, in this modification, after the
本変形例に係るポッド蓋開閉器16c、ポッド蓋14cはたとえば図9、図10に示すような構成にすれば良い。図9は、本変形例に係るポッド蓋開閉器16cの構成を示す正面図、図10は、本変形例に係るポッド蓋14cの構成を示す正面図である。図9に示すように、本変形例に係るポッド蓋開閉器16cは、第1の実施の形態と同様、ロック開閉機構44が設けられ、さらに吸気口66と、ベント口接続部68と、吸気口66およびベント口接続部68の開閉をそれぞれ制御する弁開閉機構70と、が設けられている。一方、図10に示すように、本変形例に係るポッド蓋14cには、第1の実施の形態と同様、ロック機構54と、リンク56と、ロックピン58と、が設けられ、さらに吸気口接続部72と、ベント口74と、が設けられている。また、ポッド本体12との密着面にはOリングで構成されるゴムガスケットが貼り付けられている。ポッド蓋14cとポッド蓋開閉器16cが重なり合うと、ポッド蓋14cの吸気口接続部72とポッド蓋開閉器16cの吸気口66が接続され、ポッド蓋14cのベント口74とポッド蓋開閉器16cのベント口接続部68が接続される。空間の排気は吸気口66からアタッチメント18を介して真空ポンプPによって行われる。一方、ポッド蓋14cの取り外しの際には、空間のベントが必要となるが、これは、ベント口接続部68を介してベント口74より空間に大気を入れることで行われる。
The
本発明の第1の実施の形態の変形例では、第1の実施の形態の効果に加えて、ポッド蓋14cとポッド本体12の密着性をより強くすることができる。したがって、ポッドの密閉性は向上し、ポッド内の清浄度を高めることができる。また、封入されている封止ガスの流出も防止できる。それにより収納されている半導体ウェーハ10をより高清浄環境に保持することができ、また、自然酸化膜生成からの保護もより強化される。
In the modification of the first embodiment of the present invention, in addition to the effects of the first embodiment, the adhesion between the
(第2の実施の形態)次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態におけるポッド内を真空状態とすることで、ポッドの密閉性を向上させると共に、耐リーク特性の向上も図ることができる例を示すものである。 (Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment of the present invention shows an example in which the inside of the pod in the first embodiment is in a vacuum state, thereby improving the sealing performance of the pod and improving the leak resistance. Is.
図11は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをポッド載置台20に設置し、半導体ウェーハ10を搬入または搬出する場合の様子を示す図である。また、図12は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドをプロセス装置間で搬送する場合の様子を示す図である。図11に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る半導体ウェーハ運搬用ポッドは、第1の実施の形態において、ポッド蓋14aを、構成の異なるポッド蓋14dに置き換えたものである。
FIG. 11 is a diagram showing a state in which the semiconductor wafer carrying pod according to the second embodiment of the present invention is installed on the pod mounting table 20 and the
本発明の第2の実施の形態に係るポッド蓋14dは真空容器76を内蔵している。真空容器76はその内部をあらかじめ真空状態とすることでポッド本体12を排気するものである。真空容器76の排気作業は蓋開閉手段22によって行われる。蓋開閉手段22は、真空容器76を内蔵するポッド蓋14dをポッド本体22から取り外した後、ポッド蓋開閉器16dを介してアタッチメント18をポッド蓋14d内部の配管に接続する。アタッチメント18は蓋開閉手段22が有する真空ポンプPと接続されており、真空ポンプPによって真空容器76の排気が行われる。この作業により真空容器76内は真空状態となる。一方、図12に示すように、今度はポッド搬送中に真空容器76によってポッド本体12内を排気する。それにより、ポッド本体12内は一定時間経過後真空状態となる。
The
次に、本発明の第2の実施の形態の動作について図11および図12を参照して説明する。本発明の第2の実施の形態の動作は次の2つの動作に大別される。 Next, the operation of the second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11 and FIG. The operation of the second exemplary embodiment of the present invention is roughly divided into the following two operations.
(1)真空容器76内の排気作業
(2)ポッド本体12内の排気作業
まず、図11に示すように本発明の第2の実施の形態においては、半導体ウェーハ10の搬出、半導体ウェーハ10のプロセス処理、および半導体ウェーハ10の搬入の間に、真空容器76の排気作業(1)が行われる。従来、このウェーハ搬出→プロセス処理→ウェーハ搬入の間は、ポッド蓋14dはポッド蓋開閉器16dに保持されたまま待機状態となっている。本実施の形態では、この期間を利用して真空容器76内の排気作業を並行処理する。排気作業はプロセス処理時間内で十分行うことができる。したがって、真空容器76内の排気作業時間は見掛け上なくなる。
(1) Exhaust operation in the vacuum vessel 76 (2) Exhaust operation in the pod
次に、図12に示すように、ポッド搬送中にポッド本体12内の排気作業(2)が行われる。半導体ウェーハ10の搬入後、ポッドは搬送システム(図示しない)によって次工程の装置に搬送される。この搬送の際に、内部が真空状態である真空容器76が今度はポッド本体12内を排気する。真空容器76内は真空状態となっているので、所定の弁が開けば自然に所定の配管からポッド本体12内のガスが真空容器76内に流れ込む。ポッド本体12内の排気作業時間は300mmウェーハ25枚収納可能な半導体ウェーハ運搬用ポッドあれば数秒乃至数分程度である。したがって、全体としてみればポッド搬送開始直後に排気作業が終了すると見なすことができる。
Next, as shown in FIG. 12, the evacuation operation (2) in the pod
第1の実施の形態の変形例においては、ポッド本体12内の排気作業はポッド搬送前に行われていた。そのため、その排気作業時間分だけポッド搬送の開始が遅れてしまう。本発明の第2の実施の形態では、ポッド搬送中にポッド本体12内の排気作業を行う。それにより、ポッド本体12内の排気作業時間を見掛け上なくしている。
In the modification of the first embodiment, the exhaust operation in the
さらに、本実施の形態では、ポッド本体12内を真空状態とすることから、耐リーク特性の向上も可能である。一般に、密閉容器の排気後の圧力P1(t)は、容器の体積V、リーク量Q、排気による容器の圧力変化P0(t)によって、
P1(t)=(Q/V)×t+P0
と表わすことができる。上記式より密閉容器の体積Vが大きいほど、大きなリーク量が発生した場合であっても、容器内の圧力P1(t)の上昇を小さくできることがわかる。すなわち、密閉容器の体積が大きいほど、耐リーク特性が良くなり、真空保持時間をのばすことができる。図13は、本発明の第1の実施の形態の変形例と本発明の第2の実施の形態の耐リーク特性を示す図である。第1の実施の形態の変形例では、真空状態となる空間は図8に示した2つのゴムガスケットと密着面で囲まれる小さな空間であったが、本発明の第2の実施の形態では、真空容器76およびポッド本体12内全体が真空状態となるので、より高い耐リーク特性を得ることができる。したがって、本実施の形態によれば、ポッドの密閉性をより長く維持することができ、それにより、搬送時間が長くなっても、収納された半導体ウェーハ10を高清浄環境に保持することができる。ストッカ等に一時的に保管する場合であっても、同様に半導体ウェーハを高清浄環境に保管可能となる。
Furthermore, in this embodiment, since the inside of the pod
P 1 (t) = (Q / V) × t + P 0
Can be expressed as From the above formula, it can be seen that the larger the volume V of the sealed container, the smaller the increase in the pressure P 1 (t) in the container, even when a large amount of leak occurs. That is, the larger the volume of the sealed container, the better the leak resistance, and the vacuum holding time can be extended. FIG. 13 is a diagram showing a leak resistance characteristic of the modification of the first embodiment of the present invention and the second embodiment of the present invention. In the modification of the first embodiment, the space in a vacuum state is a small space surrounded by the two rubber gaskets and the contact surface shown in FIG. 8, but in the second embodiment of the present invention, Since the inside of the
本発明の第2の実施の形態に係るポッド蓋14dはたとえば図14に示すような構成にすれば良い。図14は、本発明の第2の実施の形態に係るポッド蓋14dの構成を示す断面図である。図14に示すように、本実施の形態に係るポッド蓋14dはその内部に、真空容器76と、真空容器76内のガスを排気する配管78と、配管78に挿入された開閉バルブ80と、真空容器76内にガスを吸気する配管84と、配管84に挿入された開閉バルブ86と、ポッド蓋14dのポッド本体12側とその反対側を結ぶ配管90と、配管90に挿入された開閉バルブ92およびフィルタ96と、を有している。図14において、開閉バルブ80が開状態のとき、真空容器76内は配管78を通して真空ポンプPによって排気される。配管78と接続する真空容器内真空引き口82は、ポッド蓋開閉器16dを介して蓋開閉手段22に備え付けられたアタッチメント18と接続する。なお、言うまでもないが、これらの作業はポッド蓋14dがポッド本体12から離れ、ポッド蓋開閉器16dに固定されている状態で行われる。
The
一方、開閉バルブ86が開状態のとき、真空容器76は配管84を介してポッド本体12内を排気する。上述したように、真空容器76内は真空状態であるので、開閉バルブ86が開けばポッド本体12内のガスは配管84を通って真空容器76内に流れていく。
On the other hand, when the open /
なお、ポッド蓋14dの取り外しの際には、ポッド本体12および真空容器76内のベントが必要となるが、これは、配管90を用いて行われる。開閉バルブ96を開状態とすれば、配管90を通してベント口94から大気がポッド内に導入される。また、フィルタ96を配管90に設けることで清浄度の高い大気をポッド本体12内に供給できる。それにより、ポッド本体12内の半導体ウェーハ10を高清浄環境に保持できる。
When removing the
上述した作業はポッド蓋14dの開閉作業に連動して行われるのが望ましい。すなわち、ポッド蓋14dがポッド本体12から外された時点で、真空容器76内の排気作業を開始し、ポッド蓋14dがポッド本体12に再び固定された時点で、ポッド本体12内の排気作業を開始することが作業をする上で効率的である。そこで、本発明の第2の実施の形態では、さらにポッド蓋14dの開閉作業に連動して2つの作業を行う例を提案する。
The above-described operation is preferably performed in conjunction with the opening / closing operation of the
実際には、さらにポッド蓋14dをたとえば図15に示すような構成にすれば良い。図15は、本発明の第2の実施の形態に係るポッド蓋14dの構成を示す正面図である。図15に示すように、本実施の形態に係るポッド蓋14dにおいては、ロック機構54を用いてポッド蓋14dの開閉バルブ80、86および92の開閉を行う。ロック機構54の回転によってリンク98が開閉バルブ80、86および92の開閉作業を行う。具体的には、ロック機構54の回転によってリンク56がロックピン58をポッド蓋14dに収納するとき、同時にリンク98が開閉バルブ86を閉状態とし、リンク100が開閉バルブ80および92を開状態とする。一方、ロック機構の回転によってリンク56がロックピン58をポッド蓋14dから出すとき、同時にリンク98が開閉バルブ86を開状態とし、リンク100が開閉バルブ80および92を閉状態とする。したがって、ポッド蓋14dがポッド本体12から外された時点で、開閉バルブ80および92を開、開閉バルブ86を閉とし、ポッド本体12内のベントおよび真空容器76内の排気作業を開始し、ポッド蓋14dがポッド本体12に固定された時点で、開閉バルブ86を開、開閉バルブ80および92を閉とし、ポッド本体12内の排気作業を開始することが実現される。
Actually, the
本発明の第2の実施の形態では、ポッド蓋14dに真空容器76を設け、半導体ウェーハ10の搬出後、再び搬入するまでの間にあらかじめ真空容器76内を真空状態にしておき、搬送開始後今度はポッド本体12内を真空容器76によって排気する。それにより、ポッド本体12内の排気作業を見掛け上なくすことができる。したがって、ポッド本体12内の排気作業に要する時間が不要となる。その結果、半導体製造期間全体の短縮化が図られると共に、生産効率の向上、生産コストの削減が実現される。さらに、本発明の第2の実施の形態によれば、ポッドの密閉性をより長く維持することができ、それにより、収納された半導体ウェーハ10を高清浄環境に長期間保持することができる。
In the second embodiment of the present invention, a
(その他の実施の形態)上記のように、本発明は第1および第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を特定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。 Other Embodiments As described above, the present invention has been described with reference to the first and second embodiments, but it is understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure specify the present invention. should not do. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
たとえば、第1および第2の実施の形態においてはポッド蓋に内蔵されたガス封入容器、真空容器を用いた半導体ウェーハ運搬用ポッドについて説明したが、他の部分にガス封入容器、真空容器が内蔵された構造も採用できることももちろんである。ポッド本体に内蔵することももちろん可能である。さらに、内蔵構造に限らず、ガス封入容器、真空容器をポッドの所定の位置に自由に取付け・取り外しが可能な構造としても構わない。 For example, in the first and second embodiments, the gas sealed container built in the pod lid and the semiconductor wafer transport pod using the vacuum container have been described, but the gas sealed container and the vacuum container are built in other parts. Of course, it is also possible to adopt a special structure. Of course, it can be built into the pod. Furthermore, the structure is not limited to a built-in structure, and a gas-sealed container and a vacuum container may be freely attached to and detached from a predetermined position of the pod.
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の記載に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。 Thus, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described herein. Therefore, the present invention is limited only by the invention-specific matters according to the description of the scope of claims reasonable from this disclosure.
10 半導体ウェーハ
12 ポッド本体
14 ポッド蓋
16 ポッド蓋開閉器
18 アタッチメント
20 ポッド載置台
22 蓋開閉手段
24 ウェーハ移載手段
26 半導体製造装置
28 ガス封入容器
30,32,40,78,84,90 配管
34,42,80,86,92 開閉バルブ
36 フィルタ
38 圧力弁
44 ロック開閉機構
46 ガス供給弁開閉機構
48 ガス供給接続口
50 ガス排出接続口
52 ガス供給口
54 ロック機構
56,62,98,100 リンク
58 ロックピン
60 ガス排気口
64 ガス注入口
66 吸気口
68 ベント口接続部
70 弁開閉機構
72 吸気口接続部
74,94 ベント口
76 真空容器
82 真空容器内真空引き口
88 ポッド内真空引き口
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記本体内を密閉する開位置と前記本体内を開放する開位置との間で移動自在な蓋体と、
前記本体または前記蓋体に設けられた真空容器とを備え、
前記蓋体が開位置に位置して前記本体から前記半導体ウェーハが取り出されてから前記本体に前記半導体ウェーハが収納されるまでの間に前記真空容器内が真空状態にされ、
前記蓋体が閉位置に位置して前記本体内が密閉され前記半導体ウェーハが搬送される間に、前記本体内のガスが前記真空状態の前記真空容器内に取り込まれ、前記本体内が真空状態にされることを特徴とする基板収納容器。 A main body for storing a semiconductor wafer;
A lid movable between an open position for sealing the inside of the main body and an open position for opening the main body;
A vacuum vessel provided on the main body or the lid,
The vacuum chamber is evacuated between the time when the semiconductor wafer is stored in the main body after the semiconductor wafer is taken out from the main body with the lid positioned at the open position,
While the lid is located at the closed position and the inside of the main body is sealed and the semiconductor wafer is transported, the gas in the main body is taken into the vacuum container in the vacuum state, and the inside of the main body is in a vacuum state a substrate storage container characterized in that it is in.
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