JP4215347B2 - Phase shifter - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力クロックの位相に対して、所定の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する移相器に関する。特に本発明は、入力クロックに基づいて所定の時間と等しい周期の第1クロックを生成し、第1クロックの所定のタイミングでシフトクロックを生成する移相器に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来の移相器10のブロック図を示す。移相器10は、位相比較器12、D/A変換器14、加算器15、誤差増幅器16及び電圧制御発振器18を備える。
【0003】
D/A変換器14は、生成するシフトクロックの基準クロックの位相に対する位相差を設定する位相設定データに基づいて、位相設定電圧を加算器15に出力する。
【0004】
位相比較器12は、基準クロックの位相と電圧制御発振器18から供給されるシフトクロックの位相とを比較して電圧値を出力する。加算器15は、位相比較器12から供給される電圧値と、D/A変換器14から供給される位相設定電圧を加算する。
【0005】
誤差増幅器16は、加算器15から供給される加算電圧を増幅し電圧制御発振器18に出力する。電圧制御発振器18は、基準クロックの位相に対して位相のずれたシフトクロックを出力する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示される従来の移相器10は、周囲温度、電源電圧などの変化により、位相比較器12の比較ゲイン、D/A変換器14の変換ゲイン、D/A変換器14のオフセット誤差などを生じる。また、位相設定データに対するシフトクロックの位相の変化量の直線性は、位相比較器12の2つのクロックの位相差に対する出力電圧の直線性と、D/A変換器の位相設定データに対する出力電圧の直線性に依存する。
【0007】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる移相器を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の形態は、入力クロックの位相に対して、所定の時間の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する移相器であって、前記入力クロックに基づいて所定の周期の第1クロックを生成する第1クロック生成部と、前記第1クロックの所定のタイミングで前記シフトクロックを生成する第2クロック生成部とを備えることを特徴とする移相器を提供する。
【0009】
第1の形態の一つの態様においては、前記第1クロック生成部は、第1入力電圧に基づいて前記第1クロックを生成する第1電圧制御発振器と、前記第1クロックを分周する第1分周器と、前記入力クロックの位相と前記第1分周器が生成したクロックの位相とを比較して前記第1入力電圧を出力する第1位相比較器とを有してもよい。
【0010】
第1の形態の別の態様においては、前記第2クロック生成部は、前記第1クロックを前記第1分周器と異なるタイミングで分周する第2分周器と、第2入力電圧に基づいて前記シフトクロックを生成する第2電圧制御発振器と、前記第2分周器が生成したクロックの位相と前記シフトクロックの位相とを比較して前記第2入力電圧を出力する第2位相比較器とを有してもよい。
【0011】
第1の形態の更に別の態様においては、前記第1クロック生成部は、前記入力クロックを分周する第3分周器を更に有し、前記第1電圧制御発振器は、前記入力クロックの周期に前記所定の時間を加えた周期の前記第1クロックを生成してもよい。
【0012】
第1の形態の更に別の態様においては、前記第2クロック生成部は、前記シフトクロックを分周する第4分周器を更に有してもよい。
【0013】
第1の形態の更に別の態様においては、前記第1分周器及び前記第2分周器は、前記第1クロックを1/M(Mは自然数)に分周してもよい。
【0014】
第1の形態の更に別の態様においては、前記第3分周器は、前記入力クロックを1/N(Nは自然数)に分周し、前記第4分周器は、前記シフトクロックを1/N(Nは自然数)に分周してもよい。
【0015】
第1の形態の更に別の態様においては、前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なってもよい。
【0016】
本発明の第2の形態は、半導体デバイスを試験する半導体試験装置であって、入力クロックに基づいて第1クロックを生成する第1クロック生成部と、前記第1クロックの所定のサイクルのタイミングで前記入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2クロック生成部とを備え、前記シフトクロックに基づいて、前記半導体デバイスの試験に用いるタイミングを設定することを特徴とする半導体試験装置を提供する。
【0017】
第2の形態の一つの態様においては、前記シフトクロックに基づいて所定の遅延量を有する遅延クロックを生成するタイミング発生器と、半導体デバイスへ入力する試験パターンを発生するパターン発生器と、前記タイミング発生器が生成した前記遅延クロックと前記試験パターンに基づいて、被試験半導体デバイスに適用するように前記試験パターンを整形した整形試験パターンを出力する波形整形器と、前記被試験半導体デバイスを載置し、前記整形試験パターンを前記被試験半導体デバイスに入力するデバイス差込部と、前記整形試験パターンを入力した前記被試験半導体デバイスから出力される出力信号と、前記パターン発生器から出力される前記被試験半導体デバイスから出力されるべき期待値を比較して前記被試験半導体デバイスの良否を判定する比較器とを備えてもよい。
【0018】
第2の形態の別の態様においては、前記タイミング発生器は、異なる位相のシフトクロックに基づいて、異なる遅延量を有する複数の遅延クロックを生成してもよい。
【0019】
第2の形態の更に別の態様においては、前記タイミング発生器は、複数の遅延素子を有し複数の前記遅延素子の組み合わせで所定の遅延量を有する遅延クロックを生成する遅延回路と、前記遅延クロックと前記シフトクロックが一致しているか否かに基づいて前記遅延素子の組み合わせを変更する遅延量判定部とを更に有してもよい。
【0020】
第2の形態の更に別の態様においては、入力信号を遅延させる遅延回路の遅延時間が、所望の遅延時間と等しいか否かを判定する遅延時間判定装置において、入力クロックに基づいて第1クロックを生成する第1クロック生成部と、前記第1クロックの所定のサイクルのタイミングで入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2クロック生成部と、 前記シフトクロックの位相と、前記入力クロックを前記遅延回路により遅延させた遅延クロックの位相とを比較して得られる比較信号を出力する位相比較部と、前記比較信号に基づいて、前記遅延回路の前記遅延時間が、前記所望の遅延時間と等しいか否かを判定する遅延量判定部と
を備えてもよい。
【0021】
本発明の第3の形態は、入力信号を可視化するオシロスコープであって、入力クロックに基づいて第1クロックを生成する第1クロック生成部と、前記第1クロックの所定のサイクルのタイミングで入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2クロック生成部と、前記シフトクロックのタイミングで前記入力信号をアナログ・ディジタル変換するA/D変換部と、前記入力信号が入力されたタイミングと前記シフトクロックが出力されたタイミングの遅延時間を測定する時間補間器と、前記A/D変換部が生成したデータと前記遅延時間に基づいて前記入力信号を表示装置に表示するデータを生成する処理装置と、前記処理装置が生成したデータに基づいて前記入力信号を表示する前記表示装置とを備えることを特徴とするオシロスコープを提供する。
【0022】
本発明の第4の形態は、半導体デバイスを試験する半導体試験部を有する半導体デバイスであって、入力クロックに基づいて第1クロックを生成する第1クロック生成部と、前記第1クロックの所定のサイクルのタイミングで入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2クロック生成部と、前記シフトクロックに基づいて被試験デバイスの試験に用いるタイミングを設定する半導体試験部と、前記半導体試験部に試験されるべき被試験デバイスとを備えることを特徴とする半導体デバイスを提供する。
【0023】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0025】
図2は、半導体試験装置の1つの実施形態を示すブロック図である。半導体試験装置は、パターン発生器20、遅延信号生成装置22、デバイス差込部28及び比較器32を備える。遅延信号生成装置22は、波形整形器24及びタイミング発生器26を有する。
【0026】
被試験デバイス30が、デバイス差込部28に差し込まれる。パターン発生器20は、被試験デバイス30に入力する試験パターンであるパターンデータ及び、被試験デバイス30がパターンデータを入力して出力すべき期待値データを生成する。パターン発生器20は、パターンデータを波形整形器24に出力し、期待値データを比較器32に出力する。また、パターン発生器20は、被試験デバイス30の動作特性に応じた所定の遅延量を有する遅延クロックの生成を指定するタイミングセット信号をタイミング発生器28に出力する。
【0027】
タイミング発生器26は、タイミングセット信号で指定される遅延量を有する遅延クロックを生成して波形整形器24に出力する。タイミング発生器26は、遅延クロックを基準クロックの位相に対して所定の遅延量だけ位相のずれたシフトクロックに基づいて生成する。また、タイミング発生器26は、被試験デバイス30から供給される出力値とパターン発生器20から供給される期待値データを比較するタイミングを指定する比較タイミング信号を比較器32に出力する。
【0028】
波形整形器24は、タイミング発生器26から供給される遅延クロックに基づいて、パターンデータを整形し、被試験デバイス30の動作特性に応じた整形パターンデータをデバイス差込部28に出力する。被試験デバイス30は、整形パターンデータに対する出力値をデバイス差込部28を介して比較器32に出力する。比較器32は、出力値とパターン発生器20から供給される期待値データを、タイミング発生器26から供給される比較タイミング信号のタイミングで比較して被試験デバイス30の良否を判定する。
【0029】
図3は、半導体デバイスを試験する半導体試験部を有する半導体デバイスを示す。半導体デバイスは、半導体試験部56及び被試験部58を備える。
【0030】
半導体試験部56は、パターン発生器20、遅延信号生成装置22、比較器32を備える。遅延信号生成装置22は、波形整形器24及びタイミング発生器26を有する。
【0031】
パターン発生器20は、被試験部58に入力する試験パターンであるパターンデータ及び、被試験部58がパターンデータを入力して出力すべき期待値データを生成する。パターン発生器20は、パターンデータを波形整形器24に出力し、期待値データを比較器32に出力する。また、パターン発生器20は、被試験部58の動作特性に応じた所定の遅延量を有する遅延クロックの生成を指定するタイミングセット信号をタイミング発生器28に出力する。
【0032】
タイミング発生器26は、タイミングセット信号で指定される遅延量を有する遅延クロックを生成して波形整形器24に出力する。タイミング発生器26は、遅延クロックを基準クロックの位相に対して所定の遅延量だけ位相のずれたシフトクロックに基づいて生成する。また、タイミング発生器26は、被試験部58から供給される出力値とパターン発生器20から供給される期待値データを比較するタイミングを指定する比較タイミング信号を比較器32に出力する。
【0033】
波形整形器24は、タイミング発生器26から供給される遅延クロックに基づいて、パターンデータを整形し、被試験部58の動作特性に応じた整形パターンデータを被試験部58に出力する。被試験部58は、整形パターンデータに対する出力値を比較器32に出力する。比較器32は、出力値とパターン発生器20から供給される期待値データを、タイミング発生器26から供給される比較タイミング信号のタイミングで比較して被試験部58の良否を判定する。
【0034】
図4は、タイミング発生器26のブロック図を示す。タイミング発生器26は、基準クロック発生器40及び遅延クロック発生部(39a〜39n)を備える。遅延クロック発生部(39a〜39n)は、パターンデータを入力する被試験デバイス30の入力ピン数(nピン)だけ設けられることが好ましい。遅延クロック発生部39(39a〜39n)は、可変遅延回路35及び遅延時間判定装置38を有する。可変遅延回路35は、複数の遅延素子を有し、複数の遅延素子の組み合わせで所定の遅延量を有する遅延クロックを生成する。遅延時間判定装置38は、遅延量判定部36、位相比較部34及び移相器10を有する。
【0035】
遅延量判定部36は、パターン発生器20から供給されるタイミングセット信号に基づいて、基準クロックの位相に対して所定の遅延量だけ位相のずれたシフトクロックを生成することを指定するシフトクロック設定データを移相器10に出力する。また、遅延量判定部36は、遅延量を生成する遅延素子の組み合わせを設定する遅延経路データを可変遅延回路35に出力する。
【0036】
基準クロック発生器40は、基準クロックを可変遅延回路35及び移相器10に出力する。可変遅延回路35は、遅延量判定部36から供給される遅延経路データに基づいて基準クロックを遅延して遅延クロックを生成する。
【0037】
移相器10は、遅延量判定部36から供給されるシフトクロック設定データに基づいて、基準クロックの位相に対して所定の遅延量だけ位相のずれたシフトクロックを生成する。
【0038】
位相比較部34は、遅延クロックとシフトクロックの位相を比較して比較結果を遅延量判定部36に出力する。遅延量判定部36は、位相比較部34から供給される比較結果に基づいて、遅延クロックの位相とシフトクロックの位相が一致しているか否かの判定をする。遅延クロックの位相とシフトクロックの位相が一致していない場合、遅延量判定部36は、遅延素子の組み合わせを変更する遅延経路データを可変遅延回路35に出力する。遅延時間判定装置38は、遅延クロックの位相とシフトクロックの位相が一致するまで、遅延経路データを変更する。従って、可変遅延回路35は、所定の遅延量を有する遅延クロックを波形整形器24及び比較器32に出力する。
【0039】
図5は、タイミング発生器26のブロック図を示す。タイミング発生器26は、基準クロック発生器40及び遅延クロック発生部(39a〜39n)を備える。遅延クロック発生部(39a〜39n)は、パターンデータを入力する被試験デバイス30の入力ピン数(nピン)だけ設けられることが好ましい。遅延クロック発生部(39a〜39n)は、移相器(10a〜10n)及びセレクタ11を有する。
【0040】
基準クロック発生器40は、基準クロックを移相器(10a〜10n)に出力する。移相器10aは、基準クロック発生器40から供給される基準クロックの位相に対して、第1の遅延量だけ位相のずれた第1シフトクロックを生成する。移相器10bは、基準クロックの位相に対して、第2の遅延量だけ位相のずれた第2シフトクロックを生成する。移相器(10a〜10n)は、被試験デバイス30の試験に必要な遅延量の種類だけ設けられることが好ましく、移相器(10a〜10n)は、試験に必要な遅延量だけ位相のずれたシフトクロックをそれぞれ生成することが好ましい。例えば、被試験デバイス30の試験に、2.5ns、2.8ns、3.7nsの3種類の遅延量を有する遅延クロックが必要な場合、3つの移相器10a、10b及び10cを設けることが好ましく、2.5ns、2.8ns、3.7nsだけ位相のずれたシフトクロックを生成することが好ましい。
【0041】
セレクタ11は、パターン発生器20から供給されるタイミングセット信号に基づいて、基準クロックの位相に対して所定の遅延量だけ位相のずれたシフトクロックを選択して波形整形器24及び比較器32に出力する。
【0042】
図6は、オシロスコープのブロック図を示す。オシロスコープは、アナログフロントエンド42、A/D変換器44、記憶部46、処理部48、表示装置50、時間補間器52及び移相器10を備える。
【0043】
移相器10は、基準クロックの位相に対して所定量位相のずれたシフトクロックをA/D変換器44及び時間補間器52に出力する。アナログフロントエンド42は、アナログ信号を入力してトリガ信号を時間補間器52に出力し、入力信号をA/D変換器44に出力する。A/D変換器44は、入力したアナログ信号を移相器10から供給されるシフトクロックのタイミングでディジタル信号に変換して記憶部46に出力する。記憶部46は、A/D変換器44から供給されるディジタル信号を格納する。
【0044】
時間補間器52は、アナログフロントエンド42から供給されるトリガ信号及び移相器10から供給されるシフトクロックの位相差を測定して処理部48に出力する。
【0045】
処理部48は、記憶部46に格納されたデータ及び時間補間器52から供給される位相差データに基づいて、アナログ信号を表示装置50に表示するための処理をして表示データを表示装置50に出力する。表示装置50は、処理部48から供給される表示データに基づいてアナログ信号を表示する。
【0046】
図7は、移相器10のブロック図を示す。移相器10は、第1クロック生成部66a及び第2クロック生成部66bを備える。第1クロック生成部66aは、第1分周器60a、第3分周器60b、第1位相比較器62a及び第1電圧制御発振器64aを有する。第2クロック生成部66bは、第2分周器60c、第4分周器60d、第2位相比較器62b及び第2電圧制御発振器64bを有する。
【0047】
第1分周器60a、第3分周器60b、第2分周器60c及び第4分周器60dは、それぞれ入力したクロックのパルス数をカウントするカウンタを有することが好ましい。カウンタは、クロックのパルス数を所定の回数カウントするとカウント値を初期値に戻すカウンタであってよい。例えば、1/N(Nは自然数)に分周する分周器の場合、入力したクロックのパルスを初期値“0”からカウントして、カウント値が(N−1)になったときにカウント値を初期値“0”に戻すカウンタであってよい。
【0048】
また、第1分周器60a、第3分周器60b、第2分周器60c及び60dは、カウント値が所定のカウント値である設定値になったときに1パルス出力する。例えば、1/N(Nは自然数)に分周する分周器において、設定値が5の場合、分周器は、入力したクロックのパルス数を初期値“0”からカウントして、カウント値が5になったときに1パルス出力する。そして、N回パルスをカウントすると、カウント値を初期に“0”に戻す。1/N分周器は、この動作を繰り返し行う。また、初期値を設定値としてもよい。
【0049】
本実施形態において、第1分周器60aは、入力したクロックを1/K(Kは自然数)に分周し、設定値は“A”(0≦A≦K)に設定される。第3分周器60bは、入力したクロックを1/(K+1)に分周し、設定値は“A”に設定される。第2分周器60cは、入力したクロックを1/Kに分周し、設定値は“D”(A≦D≦K−1)に設定される。第4分周器60dは、入力したクロックを1/(K+1)に分周し、設定値は、“A”に設定される。
【0050】
移相器10は、基準クロックの位相に対して、所定量位相のずれたシフトクロックを生成する。第3分周器60bは、基準クロックを設定値“A”のタイミングで1/(K+1)に分周して入力クロックを生成し、第1位相比較器62aに出力する。第1電圧制御発振器64aは、第1位相比較器62aから供給される第1入力電圧に基づいて、基準クロックの周期に、基準クロックの位相に対するシフトクロックの位相の最小のずれ量である所定の時間を加えた周期の第1クロックを生成する。第1分周器60aは、第1クロックを設定値“A”のタイミングで1/Kに分周する。
【0051】
第1位相比較器62aは、第3分周器60bから供給される入力クロックの位相と、第1分周器60aから供給されるクロックの位相とを比較して第1入力電圧を第1電圧制御発振器64aに出力する。第1位相比較器62aは、第3分周器60bから出力される入力クロックの位相と第1分周器60aから出力されるクロックの位相が一致するように第1入力電圧を生成する。従って、第1電圧制御発振器64aは、第3分周器60bが出力する入力クロックのK倍の周波数の第1クロックを第1分周器60aに出力する。
【0052】
第2分周器60cは、第1電圧制御発振器64aから供給される第1クロックを、第1分周器60aが第1クロックを分周するタイミングと異なる設定値“D”のタイミングで1/Kに分周する。第2電圧制御発振器64bは、第2位相比較器62bから供給される第2入力電圧に基づいて基準クロックの位相に対して、所定の時間の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する。
【0053】
第4分周器60dは、シフトクロックを設定値“A”のタイミングで1/(K+1)に分周する。第2位相比較器62bは、第2分周器60cから供給されるクロックの位相と、第4分周器60dから供給されるクロックの位相とを比較して第2入力電圧を出力する。従って、第2分周器60cから出力されるクロックの位相と、第4分周器60dから出力されるクロックの位相が一致する。第4分周器60dは、第2電圧制御発振器64bから出力されるシフトクロックを1/(K+1)分周するので、第2電圧制御発振器64bは、基準クロックと同じ周期で、位相が所定の時間の整数倍ずれたシフトクロックを出力する。
【0054】
例えば、基準クロックの周期がTnsの場合、第3分周器60bは、周期T・(K+1)nsの入力クロックを第1位相比較器62aに出力する。第1分周器60aから出力されるクロックの周期と、入力クロックの周期は等しくなるので、第1分周器60aは、周期T・(K+1)nsのクロックを第1位相比較器62aに出力する。従って、第1電圧制御発振器64aは、(T+T/K)nsの周期の第1クロックを出力する。
【0055】
第2分周器60cは、第1クロックを1/Kに分周するので、T・(K+1)nsの周期のクロックを出力する。また、分周タイミングを設定する設定値が第1分周器60aと異なるので、第2分周器60cは、第1クロックの位相に対して、
【0056】
(T/K)×設定値の差(|A−D|)
だけ位相のずれたクロックを出力する。例えば、設定値の差が5の場合、第2分周器60cは、第1クロックの位相に対して、(T/K)・5nsだけ位相のずれたクロックを出力する。
【0057】
第4分周器60dから出力されるクロックの周期と、第2分周器60cから出力されるクロックの周期は等しくなるので、第4分周器60dは、T・(K+1)nsの周期のクロックを出力する。また、位相も第2分周器60cから出力されるクロックと等しくなるので、第4分周器60dは、第1クロックの位相に対して、
【0058】
(T/K)×設定値の差(|A−D|)
だけ位相のずれたクロックを出力する。従って、第2電圧制御発振器64bは、周期が基準クロックの周期に等しいTnsであり、位相が基準クロックの位相に対して
【0059】
(T/K)×設定値の差(|A−D|)
だけずれたシフトクロックを出力する。
【0060】
また、他の実施形態において第3分周器60b及び第4分周器60dは設けられなくてもよい。第1位相比較器62aに入力される入力クロックの周期がTであり、第1分周器60aが入力したクロックを設定値“A”のタイミングで1/K(Kは自然数)に分周し、第2分周器60cが入力したクロックを設定値“D”のタイミングで1/Kに分周する場合を例に説明する。
【0061】
例えば、入力クロックの周期がTnsの場合、第1分周器60aから出力されるクロックの周期と、入力クロックの周期は等しくなるので、第1分周器60aは周期Tのクロックを出力する。従って、第1電圧制御発振器64aは、T/Knsの周期の第1クロックを出力する。
【0062】
第2分周器60cは、第1クロックを1/Kに分周するので、Tnsの周期のクロックを出力する。また、分周タイミングを設定する設定値が第1分周器60aと異なるので、第2分周器60cは、第1クロックの位相に対して、
【0063】
(T/K)×設定値の差(|A−D|)
だけ位相のずれたクロックを出力する。例えば、設定値の差が5の場合、第2分周器60cは、第1クロックの位相に対して、(T/K)・5nsだけ位相のずれたクロックを出力する。
【0064】
第2位相比較器62bは、第2分周器60cから出力されるクロックと第2電圧制御発振器64bから出力されるシフトクロックが等しくなるように第2入力電圧を第2電圧制御発振器64bに出力する。従って、第2電圧制御発振器64bは、入力クロックの位相に対して、
【0065】
(T/K)×設定値の差(|A−D|)
だけ位相のずれたシフトクロックを出力する。
【0066】
図8は、図7を用いて説明した移相器10の一例として、入力したクロックの分周比を設定するKを“256”、分周タイミングを設定する設定値Aを“0”及び設定値Dを“1”に設定し、基準クロックの周期が4nsの場合のタイミングチャートを示す。
【0067】
第3分周器60bは、周期4nsの基準クロック(A点)を1/257分周して、1028nsの周期のクロックを出力する。第1分周器60aは、第3分周器60bが出力するクロックと周期及び位相が等しいクロックを出力する(C点)。第3分周器60bは、第1電圧制御発振器64aが出力した第1クロックを1/256分周するので、第1電圧制御発振器64aは、4.015625nsの周期の第1クロックを出力する(D点)。
【0068】
第2分周器60cは、第1クロックを設定値“1”のタイミングで1/256分周するので、第1クロックの位相に対して4.015625ns位相のずれた1028nsの周期のクロックを出力する(E点)。第4分周器60dは、第2分周器60cが出力するクロックと周期及び位相が等しいクロックを出力する(F点)。第4分周器60dは、第2電圧制御発振器64bが出力したクロックを1/257分周するので、第2電圧制御発振器64bは、基準クロックの位相に対して0.015625nsぶん位相のずれたシフトクロックを出力する(G点)。
【0069】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0070】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば基準クロックの位相に対して所定量位相のずれたシフトクロックを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の移相器10のブロック図を示す。
【図2】半導体試験装置のブロック図を示す。
【図3】半導体デバイスを試験する半導体試験部を有する半導体デバイスを示す。
【図4】タイミング発生器26のブロック図を示す。
【図5】タイミング発生器26のブロック図を示す。
【図6】オシロスコープのブロック図を示す。
【図7】移相器10のブロック図を示す。
【図8】図7に示される移相器10のタイミングチャートを示す。
【符号の説明】
10・・・移相器、12・・・位相比較器、14・・・D/A変換器、15・・・加算器、16・・・誤差増幅器、18・・・電圧制御発振器、20・・・パターン発生器、22・・・遅延信号生成装置、24・・・波形整形器、26・・・タイミング発生器、28・・・デバイス差込部、30・・・被試験デバイス、32・・・比較器、34・・・位相比較部、36・・・遅延量判定部、38・・・遅延時間判定装置、40・・・基準クロック発生器、42・・・アナログフロントエンド、44・・・A/D変換器、46・・・記憶部、48・・・処理部、50・・・表示装置、52・・・時間補間器、54・・・半導体デバイス、56・・・半導体試験部、58・・・被試験部、60・・・分周器、62・・・位相比較器、64・・・電圧制御発振器、66a・・・第1クロック生成部、66b・・・第2クロック生成部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a phase shifter that generates a shift clock that is shifted in phase by a predetermined time with respect to the phase of an input clock. In particular, the present invention relates to a phase shifter that generates a first clock having a period equal to a predetermined time based on an input clock and generates a shift clock at a predetermined timing of the first clock.
[0002]
[Prior art]
FIG. 1 shows a block diagram of a
[0003]
The D /
[0004]
The
[0005]
The
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The
[0007]
Then, an object of this invention is to provide the phase shifter which can solve said subject. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous specific examples of the present invention.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a first aspect of the present invention is a phase shifter that generates a shift clock whose phase is shifted by an integer multiple of a predetermined time with respect to the phase of an input clock. A first clock generation unit that generates a first clock having a predetermined period based on the input clock, and a second clock generation unit that generates the shift clock at a predetermined timing of the first clock. A phase shifter is provided.
[0009]
In one aspect of the first aspect, the first clock generation unit includes a first voltage controlled oscillator that generates the first clock based on a first input voltage, and a first that divides the first clock. You may have a frequency divider and the 1st phase comparator which compares the phase of the said input clock with the phase of the clock which the said 1st frequency divider produced | generated, and outputs the said 1st input voltage.
[0010]
In another aspect of the first aspect, the second clock generation unit is based on a second divider that divides the first clock at a timing different from that of the first divider, and a second input voltage. A second voltage controlled oscillator that generates the shift clock and a second phase comparator that compares the phase of the clock generated by the second frequency divider with the phase of the shift clock and outputs the second input voltage. You may have.
[0011]
In still another aspect of the first aspect, the first clock generation unit further includes a third frequency divider that divides the input clock, and the first voltage controlled oscillator has a period of the input clock. The first clock having a period obtained by adding the predetermined time may be generated.
[0012]
In still another aspect of the first aspect, the second clock generation unit may further include a fourth frequency divider that divides the shift clock.
[0013]
In still another aspect of the first aspect, the first frequency divider and the second frequency divider may divide the first clock by 1 / M (M is a natural number).
[0014]
In still another aspect of the first mode, the third frequency divider divides the input clock by 1 / N (N is a natural number), and the fourth frequency divider 1 shifts the shift clock by 1. The frequency may be divided into / N (N is a natural number).
[0015]
In still another aspect of the first mode, the setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the first frequency divider, the third frequency divider, It may be different from the set value set in the fourth frequency divider.
[0016]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus for testing a semiconductor device, which includes a first clock generation unit that generates a first clock based on an input clock, and a predetermined cycle timing of the first clock. A second clock generation unit that generates a shift clock whose phase is shifted by an integer multiple of the period of the first clock with respect to the phase of the input clock, and based on the shift clock, the semiconductor device There is provided a semiconductor test apparatus characterized in that the timing used for the test is set.
[0017]
In one aspect of the second embodiment, a timing generator that generates a delay clock having a predetermined delay amount based on the shift clock, a pattern generator that generates a test pattern to be input to a semiconductor device, and the timing A waveform shaper that outputs a shaped test pattern obtained by shaping the test pattern so as to be applied to the semiconductor device under test based on the delay clock and the test pattern generated by the generator, and the semiconductor device under test are mounted And a device insertion section for inputting the shaping test pattern to the semiconductor device under test, an output signal output from the semiconductor device under test having inputted the shaping test pattern, and the output from the pattern generator. The expected value to be output from the semiconductor device under test is compared, and the semiconductor device under test is compared. Quality may be provided and determining comparator of.
[0018]
In another aspect of the second mode, the timing generator may generate a plurality of delay clocks having different delay amounts based on shift clocks having different phases.
[0019]
In still another aspect of the second embodiment, the timing generator includes a delay circuit that has a plurality of delay elements and generates a delay clock having a predetermined delay amount by a combination of the plurality of delay elements, and the delay You may further have a delay amount determination part which changes the combination of the said delay element based on whether a clock and the said shift clock correspond.
[0020]
In still another aspect of the second mode, in the delay time determination device that determines whether or not the delay time of the delay circuit that delays the input signal is equal to a desired delay time, the first clock is based on the input clock. And a shift clock that is out of phase by an integer multiple of the period of the first clock with respect to the phase of the input clock at a predetermined cycle timing of the first clock. A phase comparison unit that outputs a comparison signal obtained by comparing a phase of the shift clock and a phase of a delay clock obtained by delaying the input clock by the delay circuit, and the comparison signal. A delay amount determination unit that determines whether the delay time of the delay circuit is equal to the desired delay time based on
May be provided.
[0021]
According to a third aspect of the present invention, there is provided an oscilloscope for visualizing an input signal, a first clock generation unit that generates a first clock based on an input clock, and an input clock at a predetermined cycle timing of the first clock. A second clock generation unit that generates a shift clock that is shifted in phase by an integer multiple of the period of the first clock, and analog-to-digital conversion of the input signal at the timing of the shift clock An A / D converter, a time interpolator that measures a delay time of the timing at which the input signal is input and the timing at which the shift clock is output, the data generated by the A / D converter, and the delay time Based on the data generated by the processing device and the processing device that generates data for displaying the input signal on the display device based on the input signal. Providing an oscilloscope, characterized in that it comprises a said display device for displaying the signal.
[0022]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor test unit for testing a semiconductor device, a first clock generation unit that generates a first clock based on an input clock, and a predetermined number of the first clock. A second clock generator for generating a shift clock whose phase is shifted by an integer multiple of the cycle of the first clock with respect to the phase of the input clock at the cycle timing; and a device under test based on the shift clock There is provided a semiconductor device comprising: a semiconductor test unit for setting a timing used for the test; and a device under test to be tested by the semiconductor test unit.
[0023]
The above summary of the invention does not enumerate all necessary features of the present invention, and sub-combinations of these feature groups can also be the invention.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. However, the following embodiments do not limit the claimed invention, and all combinations of features described in the embodiments are solutions of the invention. It is not always essential to the means.
[0025]
FIG. 2 is a block diagram illustrating one embodiment of a semiconductor test apparatus. The semiconductor test apparatus includes a
[0026]
The device under
[0027]
The
[0028]
The
[0029]
FIG. 3 shows a semiconductor device having a semiconductor test section for testing the semiconductor device. The semiconductor device includes a
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
FIG. 4 shows a block diagram of the
[0035]
Based on the timing set signal supplied from the
[0036]
The
[0037]
The
[0038]
The
[0039]
FIG. 5 shows a block diagram of the
[0040]
The
[0041]
The selector 11 selects a shift clock whose phase is shifted by a predetermined delay amount with respect to the phase of the reference clock based on the timing set signal supplied from the
[0042]
FIG. 6 shows a block diagram of the oscilloscope. The oscilloscope includes an analog
[0043]
The
[0044]
The
[0045]
The
[0046]
FIG. 7 shows a block diagram of the
[0047]
Each of the first divider 60a, the
[0048]
The first frequency divider 60a, the
[0049]
In the present embodiment, the first frequency divider 60a divides the input clock by 1 / K (K is a natural number), and the set value is set to “A” (0 ≦ A ≦ K). The
[0050]
The
[0051]
The
[0052]
The
[0053]
The
[0054]
For example, when the period of the reference clock is Tns, the
[0055]
Since the
[0056]
(T / K) x set value difference (| AD)
Outputs a clock with a phase shift of only that. For example, when the difference between the set values is 5, the
[0057]
Since the cycle of the clock output from the
[0058]
(T / K) x set value difference (| AD)
Outputs a clock with a phase shift of only that. Therefore, the second voltage controlled
[0059]
(T / K) x set value difference (| AD)
A shift clock that is shifted by a certain amount is output.
[0060]
In another embodiment, the
[0061]
For example, when the period of the input clock is Tns, the period of the clock output from the first frequency divider 60a is equal to the period of the input clock, so that the first frequency divider 60a outputs a clock having the period T. Accordingly, the first voltage controlled
[0062]
Since the
[0063]
(T / K) x set value difference (| AD)
Outputs a clock with a phase shift of only that. For example, when the difference between the set values is 5, the
[0064]
The
[0065]
(T / K) x set value difference (| AD)
A shift clock with a phase shift of only the output is output.
[0066]
FIG. 8 illustrates an example of the
[0067]
The
[0068]
Since the
[0069]
As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
[0070]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to generate a shift clock whose phase is shifted by a predetermined amount with respect to the phase of the reference clock.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a block diagram of a
FIG. 2 shows a block diagram of a semiconductor test apparatus.
FIG. 3 shows a semiconductor device having a semiconductor test section for testing the semiconductor device.
4 shows a block diagram of the
FIG. 5 shows a block diagram of the
FIG. 6 shows a block diagram of an oscilloscope.
7 shows a block diagram of the
8 shows a timing chart of the
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (21)
第1入力電圧に基づいて第1クロックを生成する第1電圧制御発振器と、
前記第1クロックを分周する第1分周器と、
前記入力クロックの位相と前記第1分周器が生成したクロックの位相とを比較して前記第1入力電圧を出力する第1位相比較器と、
前記第1クロックを前記第1分周器と異なるタイミングで分周する第2分周器と、
第2入力電圧に基づいて前記シフトクロックを生成する第2電圧制御発振器と、
前記第2分周器が生成したクロックの位相と前記シフトクロックの位相とを比較して前記第2入力電圧を出力する第2位相比較器とを備えることを特徴とする移相器。A phase shifter that generates a shift clock whose phase is shifted by an integer multiple of a predetermined time with respect to the phase of the input clock,
A first voltage controlled oscillator that generates a first clock based on a first input voltage;
A first divider for dividing the first clock;
A first phase comparator that compares the phase of the input clock with the phase of the clock generated by the first frequency divider and outputs the first input voltage;
A second frequency divider that divides the first clock at a timing different from that of the first frequency divider;
A second voltage controlled oscillator that generates the shift clock based on a second input voltage;
A phase shifter comprising: a second phase comparator that compares the phase of the clock generated by the second frequency divider with the phase of the shift clock and outputs the second input voltage .
前記シフトクロックを1/N(Nは自然数)に分周する第4分周器と、
前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の移相器。A third frequency divider that divides the input clock by 1 / N (N is a natural number);
A fourth frequency divider that divides the shift clock into 1 / N (N is a natural number);
The setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the setting set in the first frequency divider, the third frequency divider, and the fourth frequency divider. The phase shifter according to claim 1 or 2, wherein the phase shifter is different from the value .
請求項1に記載する移相器と、
前記移相器が生成するシフトクロックに基づいて、前記半導体デバイスの試験に用いるタイミングを設定することを特徴とする半導体試験装置。A semiconductor test apparatus for testing a semiconductor device,
A phase shifter according to claim 1;
A semiconductor test apparatus, wherein a timing used for testing the semiconductor device is set based on a shift clock generated by the phase shifter .
半導体試験装置。Semiconductor test equipment.
前記シフトクロックを1/The shift clock is set to 1 / NN (( NN は自然数)に分周する第4分周器と、Is a natural frequency), and a fourth frequency divider,
前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体試験装置。The setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the setting set in the first frequency divider, the third frequency divider, and the fourth frequency divider. 6. The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the semiconductor test apparatus is different from the value.
半導体デバイスへ入力する試験パターンを発生するパターン発生器と、
前記タイミング発生器が生成した前記遅延クロックと前記試験パターンに基づいて、被試験半導体デバイスに適用するように前記試験パターンを整形した整形試験パターンを出力する波形整形器と、
前記被試験半導体デバイスを載置し、前記整形試験パターンを前記被試験半導体デバイスに入力するデバイス差込部と、
前記整形試験パターンを入力した前記被試験半導体デバイスから出力される出力信号と、前記パターン発生器から出力される前記被試験半導体デバイスから出力されるべき期待値を比較して前記被試験半導体デバイスの良否を判定する比較器とを備えることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれかに記載の半導体試験装置。A timing generator for generating a delay clock having a predetermined delay amount based on the shift clock;
A pattern generator for generating a test pattern to be input to a semiconductor device;
Based on the delay clock generated by the timing generator and the test pattern, a waveform shaper that outputs a shaped test pattern obtained by shaping the test pattern to be applied to a semiconductor device under test;
A device insertion portion for placing the semiconductor device under test and inputting the shaping test pattern to the semiconductor device under test;
The output signal output from the semiconductor device under test to which the shaping test pattern is input is compared with the expected value to be output from the semiconductor device under test output from the pattern generator. 7. A semiconductor test apparatus according to claim 4 , further comprising a comparator for determining pass / fail.
前記遅延クロックと前記シフトクロックが一致しているか否かに基づいて前記遅延素子の組み合わせを変更する遅延量判定部とを更に有することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体試験装置。 The timing generator according to claim 7, comprising: a delay circuit that has a plurality of delay elements and generates a delay clock having a predetermined delay amount by a combination of the plurality of delay elements;
The semiconductor test according to claim 7, further comprising a delay amount determination unit that changes a combination of the delay elements based on whether or not the delay clock and the shift clock coincide with each other. apparatus.
生成された複数の前記シフトクロックから一のシフトクロックを選択するセレクタと、A selector for selecting one shift clock from the plurality of generated shift clocks;
選択された前記一のシフトクロックに基づいて、遅延クロックを生成することを特徴とする請求項7に記載の半導体試験装置。8. The semiconductor test apparatus according to claim 7, wherein a delay clock is generated based on the selected one shift clock.
請求項1に記載する移相器と、
前記シフトクロックの位相と、前記入力クロックを前記遅延回路により遅延させた遅延クロックの位相とを比較して得られる比較信号を出力する位相比較部と、
前記比較信号に基づいて、前記遅延回路の前記遅延時間が、前記所定の遅延時間と等しいか否かを判定する遅延量判定部とを備えることを特徴とする
遅延時間判定装置。In the delay time determination device that determines whether or not the delay time of the delay circuit that delays the input signal is equal to a predetermined delay time,
A phase shifter according to claim 1;
A phase comparator that outputs a comparison signal obtained by comparing the phase of the shift clock with the phase of the delayed clock obtained by delaying the input clock by the delay circuit;
A delay time determination apparatus comprising: a delay amount determination unit that determines whether the delay time of the delay circuit is equal to the predetermined delay time based on the comparison signal.
遅延時間判定装置。 The delay amount determination unit outputs shift clock setting data designating generation of a shift clock whose phase is shifted by a predetermined delay amount with respect to the phase of the input clock to the phase shifter, and the delay clock The delay time determination apparatus according to claim 11, wherein the delay path data is changed until the phase of the shift clock matches the phase of the shift clock .
遅延時間判定装置。Delay time determination device.
遅延時間判定装置。Delay time determination device.
前記シフトクロックを1/The shift clock is set to 1 / NN (( NN は自然数)に分周する第4分周器と、Is a natural frequency), and a fourth frequency divider,
前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なることを特徴とする請求項11ないし請求項14のいずれかに記載のThe setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the setting set in the first frequency divider, the third frequency divider, and the fourth frequency divider. The value according to claim 11, wherein the value is different from the value.
遅延時間判定装置。Delay time determination device.
第1入力電圧に基づいて第1クロックを生成する第1電圧制御発振器と、
前記第1クロックを分周する第1分周器と、
入力クロックの位相と前記第1分周器が生成したクロックの位相とを比較して前記第1入力電圧を出力する第1位相比較器と、
前記第1クロックを前記第1分周器と異なるタイミングで分周する第2分周器と、
第2入力電圧に基づいて、前記入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2電圧制御発振器と、
前記第2分周器が生成したクロックの位相と前記シフトクロックの位相とを比較して前記第2入力電圧を出力する第2位相比較器とを備え、
前記シフトクロックのタイミングで前記入力信号をアナログ・デジタル変換するA/D変換部と、
前記入力信号が入力されたタイミングの遅延時間を測定する時間補間器と、
前記A/D変換部が生成したデータと前記遅延時間に基づいて前記入力信号を表示装置に表示するデータを生成する処理装置と、
前記処理装置が生成したデータに基づいて前記入力信号を表示する前記表示装置とを備えることを特徴とするオシロスコープ。An oscilloscope for visualizing input signals,
A first voltage controlled oscillator that generates a first clock based on a first input voltage;
A first divider for dividing the first clock;
A first phase comparator that compares the phase of the input clock with the phase of the clock generated by the first divider and outputs the first input voltage;
A second frequency divider that divides the first clock at a timing different from that of the first frequency divider;
A second voltage controlled oscillator that generates a shift clock that is shifted in phase by a time that is an integral multiple of the period of the first clock with respect to the phase of the input clock based on a second input voltage;
A second phase comparator that compares the phase of the clock generated by the second frequency divider with the phase of the shift clock and outputs the second input voltage ;
An A / D converter for analog / digital conversion of the input signal at the timing of the shift clock;
A time interpolator that measures a delay time of the timing at which the input signal is input;
A processing device for generating data for displaying the input signal on a display device based on the data generated by the A / D converter and the delay time;
An oscilloscope comprising: the display device that displays the input signal based on data generated by the processing device.
前記シフトクロックを1/The shift clock is set to 1 / NN (( NN は自然数)に分周する第4分周器と、Is a natural frequency), and a fourth frequency divider,
前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なることを特徴とする請求項16または請求項17に記載のオシロスコープ。The setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the setting set in the first frequency divider, the third frequency divider, and the fourth frequency divider. The oscilloscope according to claim 16 or 17, wherein the oscilloscope is different from a value.
第1入力電圧に基づいて第1クロックを生成する第1電圧制御発振器と、
前記第1クロックを分周する第1分周器と、
入力クロックの位相と前記第1分周器が生成したクロックの位相とを比較して前記第1入力電圧を出力する第1位相比較器と、
前記第1クロックを前記第1分周器と異なるタイミングで分周する第2分周器と、
第2入力電圧に基づいて、前記入力クロックの位相に対して、前記第1クロックの周期の整数倍の時間、位相がずれているシフトクロックを生成する第2電圧制御発振器と、
前記第2分周器が生成したクロックの位相と前記シフトクロックの位相とを比較して前記第2入力電圧を出力する第2位相比較器を有するタイミング発生器と、
前記タイミング発生器から供給される遅延クロックに基づいて、パターンデータを整形する波形整形器と、
前記シフトクロックに基づいて被試験デバイスの試験に用いるタイミングを設定する半導体試験部と、
前記半導体試験部に試験されるべき被試験部とを備えることを特徴とする半導体デバイス。A semiconductor device having a semiconductor test section for testing a semiconductor device,
A first voltage controlled oscillator that generates a first clock based on a first input voltage;
A first divider for dividing the first clock;
A first phase comparator that compares the phase of the input clock with the phase of the clock generated by the first divider and outputs the first input voltage;
A second frequency divider that divides the first clock at a timing different from that of the first frequency divider;
A second voltage controlled oscillator that generates a shift clock that is shifted in phase by a time that is an integral multiple of the period of the first clock with respect to the phase of the input clock based on a second input voltage;
A timing generator having a second phase comparator for comparing the phase of the clock generated by the second frequency divider with the phase of the shift clock and outputting the second input voltage;
A waveform shaper that shapes pattern data based on a delay clock supplied from the timing generator;
A semiconductor test unit for setting a timing used for testing the device under test based on the shift clock;
A semiconductor device comprising: a device under test to be tested by the semiconductor test unit .
前記シフトクロックを1/The shift clock is set to 1 / NN (( NN は自然数)に分周する第4分周器と、Is a natural frequency), and a fourth frequency divider,
前記第2分周器に設定される入力したクロックの分周タイミングを設定する設定値は、前記第1分周器、前記第3分周器及び前記第4分周器に設定される前記設定値と異なることを特徴とする請求項19または請求項20に記載の半導体デバイス。The setting value for setting the frequency division timing of the input clock set in the second frequency divider is the setting set in the first frequency divider, the third frequency divider, and the fourth frequency divider. 21. The semiconductor device according to claim 19, wherein the semiconductor device is different from the value.
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