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JP4179070B2 - Semiconductor acceleration sensor and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP4179070B2
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、自動車、家電製品などに用いられる半導体加速度センサおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から知られているピエゾ抵抗式の半導体加速度センサの一例として、複数方向それぞれの加速度に感度を有する半導体多軸加速度センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この種の半導体多軸加速度センサでは、例えば、図１６に示すように、シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層を成長した所謂エピ基板を用いて形成したセンサ本体１’の裏面にガラス製のカバー２が接合されている。
【０００３】
センサ本体１’は、矩形枠状のフレーム部１１’を備え、フレーム部１１’の内側に配置された重り部１２’がフレーム部１１’よりも薄肉である４つの撓み部１３’を介してフレーム部１１’に連続一体に連結された構造を有しており、各撓み部１３’には、それぞれひずみ検出素子として２個ずつのピエゾ抵抗Ｒが形成されている。
【０００４】
ここにおいて、図１６の左側に示したように、センサ本体１’の厚み方向をｚ軸方向、ｚ軸方向に直交する平面においてフレーム部１１’の一辺に沿った方向をｘ軸方向、この一辺に直交する辺に沿った方向をｙ軸方向と規定すれば、重り部１２’は、ｘ軸方向に延長された２つ１組の撓み部１３’，１３’と、ｙ軸方向に延長された２つ１組の撓み部１３’，１３’とを介してフレーム部１１’に支持されていることになり、ｘ軸方向に延長された２つの撓み部１３’，１３’に形成された合計４つのピエゾ抵抗Ｒがブリッジ回路を構成するように金属配線１７によって電気的に接続され、ｙ軸方向に延長された２つの撓み部１３’，１３’に形成された合計４つのピエゾ抵抗Ｒが別のブリッジ回路を構成するように金属配線１７によって電気的に接続されている。なお、各ブリッジ回路それぞれの各端子となるパッド１６は各ブリッジ回路ごとに設けられフレーム部１１’に形成されている。
【０００５】
したがって、センサ本体１’にｘ軸方向ないしｙ軸方向の成分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り部１２’の慣性によってフレーム部１１’に対して重り部１２’が変位し、結果的に撓み部１３’が撓んで当該撓み部１３’に形成されているピエゾ抵抗Ｒの抵抗値が変化することになる。つまり、ピエゾ抵抗Ｒの抵抗値の変化を検出することによりセンサ本体１’に作用したｘ軸方向ないしｙ軸方向の加速度をそれぞれ検出することができる。
【０００６】
ところで、センサ本体１’では、ｘ軸方向およびｙ軸方向それぞれの加速度の検出感度の高感度化を図るために、各軸方向の加速度が作用した際に撓み部１３’において発生する応力が最大となる重り部１２’近傍の部分（応力集中部）にピエゾ抵抗Ｒを配置してある。つまり、ピエゾ抵抗Ｒの形成位置を最適化することでｘ軸方向およびｙ軸方向それぞれの加速度を高感度で検出できるようにしてある。なお、ｘ軸方向およびｙ軸方向以外にｚ軸方向の加速度を高感度に検出できるような構成とするには、ｚ軸方向の加速度が作用した際に各撓み部１３’において発生する応力が最大となるフレーム部１１’近傍の部分（応力集中部）にピエゾ抵抗を１つずつ配置すればよい。
【０００７】
また、センサ本体１’に関しては、重り部１２’の質量をｍ、撓み部１３’の長さ寸法をＬ、撓み部１３’の幅寸法をＨ、撓み部１３’の厚み寸法をｔ、印加された加速度をα、感度をＫとすれば、
Ｋ∝（ｍ×Ｌ×α）／（Ｈ×ｔ２）
という関係があり、撓み部１３’の厚み寸法ｔを小さくしたり、撓み部１３’の幅寸法Ｈを小さくしたり、撓み部１３’の長さ寸法Ｌを大きくしたりすることにより高感度化を図ることができる。なお、上述の撓み部１３’は、幅寸法Ｈおよび厚み寸法ｔが長手方向の全長に亘って均一となるように形成されており、長手方向に直交する断面形状および幅方向（短手方向）に直交する断面形状のいずれも細長の長方形状となっている。
【０００８】
また、上述のカバー２’は、外形が矩形状であって、センサ本体１’におけるフレーム部１１’の裏面に周部が陽極接合により接合されており、重り部１２’との対向面に重り部１２’の移動範囲を確保するための凹所２ａ’が形成されている。なお、センサ本体１’とカバー２’とで構成されるセンサチップは、パッケージ（図示せず）にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの接着剤により固着して使用されるのが一般的である。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１６０３４８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体加速度センサは使用温度範囲が例えばー４０℃〜８０℃と比較的広いものであるから、重要な特性項目として感度の他に出力値の温度特性がある。
【００１１】
しかしながら、上記従来構成の半導体多軸加速度センサでは、環境温度が変化する条件下で使用した場合、上記パッケージの熱収縮またはフレーム部１１’の材料であるシリコンとカバー２’の材料であるガラスとの熱膨張係数差に起因する応力ひずみが発生し、この応力ひずみがセンサ本体１’のフレーム部１１’へ伝達され、さらにフレーム部１１’から撓み部１３’へ伝達される。
【００１２】
従来から１軸方向のみの加速度を検出する半導体加速度センサとして、いわゆる片持ち梁式の半導体加速度センサが知られているが、片持ち梁式の半導体加速度センサでは重り部において撓み部（梁）に連結されていない側が開放端となっているので、フレーム部から撓み部へ伝達する応力は重り部の変位により開放されることとなる。しかしながら、両持ち梁式の半導体加速度センサ、特に上述の半導体多軸加速度センサのように４つの撓み部（梁）１３’が重り部１２’を中心として十字状に配置された両持ち梁式の半導体多軸加速度センサにおいては、重り部１２’が四方から拘束されているので、フレーム部１１’から撓み部１３’へ伝達した応力が撓み部１３’に内在し、この応力を開放するために重り部１２’がカバー２’に近づく向きへ変位することになる。つまり、上述の半導体多軸加速度センサは、加速度が印加されていない静止条件下でも周囲温度が変化すると、フレーム部１１’の収縮などによる応力変化に伴い重り部１２’がｚ軸方向（上下方向）に変位してしまうので、出力値の温度特性が悪化してしまうという不具合があった。また、上述の半導体多軸加速度センサでは、熱応力を主要因とした経時的な特性変動やヒステリシス特性が発生してしまうという不具合があった。
【００１３】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、温度特性の優れた半導体加速度センサおよびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、枠状のフレーム部の内側に配置した重り部が重り部を挟んで配置された少なくとも１組の撓み部を介してフレーム部に支持され、フレーム部に対する重り部の変位により撓み部に生じるひずみによって抵抗率の変化する抵抗体が撓み部に形成されたセンサ本体を備えた半導体加速度センサであって、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部が、重り部から離れてフレーム部に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成されてなることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部が、重り部から離れてフレーム部に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成されていることにより、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部では重り部から離れてフレーム部に近づくほど長手方向に直交する断面の断面積が大きくなっており、従来のように各撓み部それぞれについて厚み寸法および幅寸法が長手方向の全体にわたって均一に形成されている両持ち梁式の半導体加速度センサに比べて、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部の剛性を高めることができ（つまり、ばね係数を大きくすることができ）、フレーム部から各撓み部へ伝達する熱応力に起因した重り部の変位を少なくすることができるから、温度特性を向上させることができ、しかも、経時的な特性変動やヒステリシス特性の発生を抑制することができる。
【００１６】
また、請求項１の発明では、各撓み部は、重り部からフレーム部にかけて厚み寸法が徐々に大きくなる形状に形成されているので、フレーム部から各撓み部へ伝達する熱応力に起因した重り部の変位をさらに少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができる。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項１記載の半導体加速度センサの製造方法であって、シリコン基板の裏面側において前記フレーム部に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第１の保護マスク部と前記重り部に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第２の保護マスク部と前記各撓み部それぞれに対応する部位に重なり第２の保護マスク部から離れ第１の保護マスク部に近づくにつれて厚み寸法が徐々に大きくなるように設定された傾斜転写用マスク部とを有するマスク材層を形成するマスク材層形成工程と、マスク材層形成工程の後で第１の保護マスク部および第２の保護マスク部が残り傾斜転写用マスク部がなくなってシリコン基板の一部がエッチングされるようにエッチングを行う転写工程と、転写工程の後で前記重り部および前記フレーム部に対応する部分が残り前記各撓み部に対応する部分が所望の厚さになるようにシリコン基板を裏面側からドライエッチングする裏面側パターニング工程と、裏面側パターニング工程の後でシリコン基板において前記フレーム部および前記各撓み部および前記重り部に対応する部分が残るようにシリコン基板を表面側からエッチングする表面側パターニング工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、シリコン基板の裏面側にマスク材層を形成した後、マスク材層の傾斜転写用マスク部がなくなるまでエッチングを行うことにより、前記各撓み部に対応する部分が前記重り部から離れて前記フレーム部に近づくほど厚み寸法が大きくなるような形状に形成されるので、前記各撓み部における前記フレーム部側の端部の剛性を高めることができ、温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（参考例１）
本参考例では、半導体加速度センサとして、複数方向の加速度をそれぞれ検出する半導体多軸加速度センサを例示する。
【００２０】
本参考例の半導体多軸加速度センサは、図１に示すように、厚み方向の中間部にシリコン酸化膜からなる埋込酸化膜１０２を有するＳＯＩ基板１００（図４（ａ）参照）を用いて形成したセンサ本体１の裏面にガラス製のカバー２を陽極接合により固着した構造を有する。なお、ＳＯＩ基板１００は、シリコン基板からなる支持基板１０１とｎ形のシリコン層（シリコン活性層）１０３との間に絶縁層である埋込酸化膜１０２が形成された所謂ＳＯＩウェハの一部により構成される。
【００２１】
センサ本体１は、矩形枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置された重り部１２がフレーム部１１よりも薄肉である４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に連続一体に連結された構造を有している。ここにおいて、センサ本体１は、重り部１２における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さがフレーム部１１における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さに比べて薄くなっており、フレーム部１１の裏面が全周にわたって矩形状のカバー２の周部に接合されている。したがって、重り部１２の裏面とカバー２との間には重り部１２の厚さ方向への重り部１２の変位を可能とする隙間が形成されている。なお、本参考例では、カバー２における重り部１２との対向面に重り部１２の移動範囲を確保するための凹所２ａを形成してあるが、上述のように重り部１２における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さがフレーム部１１における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さに比べて薄くしてある場合には凹所２ａを必ずしも設ける必要はない。逆にカバー２における重り部１２との対向面に凹所２ａを形成するのであれば、重り部１２における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さをフレーム部１１における埋込酸化膜１０２よりも裏面側の部分の厚さと同じに設定してもよい。
【００２２】
重り部１２は、上述の４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状の主重り部１２ａと、センサ本体１の主表面側から見て主重り部１２ａの四隅それぞれに連続一体に連結された平面形状が菱形状の４つの付加重り部１２ｂとを有している。つまり、各付加重り部１２ｂは、フレーム部１１と主重り部１２ａと互いに直交する方向に延長された２つの撓み部１３，１３とで囲まれる空間に配置され、各付加重り部１２ｂそれぞれの周囲には主重り部１２ａとの連結部位を除いてスリット１４が形成されている。なお、各付加重り部１２ｂは、上述のＳＯＩ基板１００の支持基板１０１の一部により構成されており、付加重り部１２ｂの表面は主重り部１２ａの表面を含む平面からカバー２側へ離間して位置している。
【００２３】
ところで、図１（ａ）の左下に示したように、センサ本体１の厚み方向をｚ軸方向、ｚ軸方向に直交する平面において矩形枠状のフレーム部１１の一辺に沿った方向をｘ軸方向、この一辺に直交する辺に沿った方向をｙ軸方向と規定すれば、重り部１２は、ｘ軸方向に延長されて主重り部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３と、ｙ軸方向に延長されて主重り部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３とを介してフレーム部１１に支持されていることになる。なお、重り部１２は、主重り部１２ａだけでも重りとして機能するので、重り部１２を主重り部１２ａのみで構成してもよいが、付加重り部１２ｂを付加することにより加速度センサの感度を高めることができる。
【００２４】
ｘ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３のうち図１（ａ）の左側の撓み部１３は長手方向において主重り部１２ａ近傍（重り部１２側の端部１３ｂ）に２つのピエゾ抵抗Ｒ１ｘ，Ｒ３ｘが形成されるとともにフレーム部１１近傍（フレーム部１１側の端部１３ａ）に１つのピエゾ抵抗Ｒ４ｚが形成され、図１（ａ）の右側の撓み部１３は長手方向において主重り部１２ａ近傍に２つのピエゾ抵抗Ｒ２ｘ，Ｒ４ｘが形成されるとともにフレーム部１１近傍に１つのピエゾ抵抗Ｒ２ｚが形成されている。ここに、主重り部１２ａ近傍の４つのピエゾ抵抗Ｒ１ｘ，Ｒ２ｘ，Ｒ３ｘ，Ｒ４ｘは、ｘ軸方向の加速度を検出するために形成されたものであって、長手方向を撓み部１３の長手方向に一致させてあり、金属配線や拡散層配線などの配線（図示せず）を介して第１のブリッジ回路（図示せず）を構成するように接続されている。なお、ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘは、ｘ軸方向の加速度が作用したときに図１（ａ）の左右の撓み部１３において最大応力が発生する領域（応力集中部）に形成されている。
【００２５】
ｙ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３のうち図１（ａ）の上側の撓み部１３は長手方向において主重り部１２ａ近傍に２つのピエゾ抵抗Ｒ１ｙ，Ｒ３ｙが形成されるとともにフレーム部１１近傍に１つのピエゾ抵抗Ｒ１ｚが形成され、図１（ａ）の下側の撓み部１３は長手方向において主重り部１２ａ近傍に２つのピエゾ抵抗Ｒ２ｙ，Ｒ４ｙが形成されるとともにフレーム部１１近傍に１つのピエゾ抵抗Ｒ３ｚが形成されている。ここに、主重り部１２ａ近傍の４つのピエゾ抵抗Ｒ１ｙ，Ｒ２ｙ，Ｒ３ｙ，Ｒ４ｙは、ｙ軸方向の加速度を検出するために形成されたものであり、長手方向を撓み部１３の長手方向に一致させてあり、金属配線や拡散層配線などの配線（図示せず）を介して第２のブリッジ回路（図示せず）を構成するように接続されている。なお、ピエゾ抵抗Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙは、ｙ軸方向の加速度が作用したときに図１（ａ）の上下の撓み部１３において最大応力が発生する領域（応力集中部）に形成されている。
【００２６】
また、フレーム部１１近傍の４つのピエゾ抵抗Ｒ１ｚ，Ｒ２ｚ，Ｒ３ｚ，Ｒ４ｚは、ｚ軸方向の加速度を検出するために形成されたものであり、金属配線や拡散層配線などの配線（図示せず）を介して第３のブリッジ回路（図示せず）を構成するように接続されている。ただし、ピエゾ抵抗Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚは、ｚ軸方向の加速度が作用したときに各撓み部１３において最大応力が発生する領域に形成されている。また、２つ１組となる撓み部１３，１３のうち一方の組の撓み部１３，１３に形成したピエゾ抵抗Ｒ１ｚ，Ｒ４ｚは長手方向が撓み部１３，１３の長手方向と一致するように形成されているのに対して、他方の組の撓み部１３，１３に形成したピエゾ抵抗Ｒ２ｚ，Ｒ３ｚは長手方向が撓み部１３，１３の幅方向（短手方向）と一致するように形成されている。
【００２７】
なお、フレーム部１１には、８個のパッド（図示せず）を設けてあり、上述の各ブリッジ回路それぞれの出力端子となるパッドは各ブリッジ回路ごとに設けてあるが、各ブリッジ回路の入力端子となるパッドは３つのブリッジ回路で共通化されている（つまり、３つのブリッジ回路に対する入力端子としては２つのパッドのみ設けてある）。また、本参考例では、ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚそれぞれが、フレーム部１１に対する重り部１２の変位により撓み部１３に生じるひずみによって抵抗率の変化する抵抗体を構成している。
【００２８】
以下、加速度の検出原理について説明するが、検出原理は周知なので簡単に説明する。
【００２９】
いま、センサ本体１にｘ軸方向の成分を含む外力（すなわち、加速度）が作用したとすると、重り部１２の慣性によってフレーム部１１に対して重り部１２が変位し、結果的に図１（ａ）の左右の撓み部１３，１３が撓んで当該撓み部１３，１３に形成されているピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘの抵抗値が変化することになり、上記第１のブリッジ回路の出力電圧が変化するから、ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘの抵抗値の変化を検出することによりセンサ本体１に作用したｘ軸方向の加速度を検出することができるのである。なお、ｘ軸方向の加速度が作用したときには、上記第２のブリッジ回路および上記第３のブリッジ回路では抵抗値の増減が相殺されて出力電圧は略零となる。
【００３０】
同様に、センサ本体１にｙ軸方向の成分を含む外力（すなわち、加速度）が作用したとすると、重り部１２の慣性によってフレーム部１１に対して重り部１２が変位し、結果的に図１（ａ）の上下の撓み部１３，１３が撓んで当該撓み部１３，１３に形成されているピエゾ抵抗Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙの抵抗値が変化することになり、上記第２のブリッジ回路の出力電圧が変化するから、ピエゾ抵抗Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙの抵抗値の変化を検出することによりセンサ本体１に作用したｙ軸方向の加速度を検出することができるのである。
【００３１】
また、センサ本体１にｚ軸方向の成分を含む外力（すなわち、加速度）が作用したとすると、重り部１２の慣性によってフレーム部１１に対して重り部１２が変位し、結果的に各撓み部１３が撓んで当該各撓み部１３に形成されているピエゾ抵抗Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚの抵抗値が変化することになる。ここにおいて、ピエゾ抵抗Ｒ１ｚ〜Ｒｚ４は同じ応力を受けるが、ピエゾ抵抗Ｒ１ｚ，Ｒ３ｚでは撓み部１３の長手方向に沿った向きで電流が流れるのに対してピエゾ抵抗Ｒ２ｚ，Ｒ４ｚでは撓み部１３の幅方向に沿った向きで電流が流れることによりピエゾ抵抗Ｒ１ｚ，Ｒ３ｚとピエゾ抵抗Ｒ２ｚ，Ｒ４ｚとで抵抗値の増減が逆となり、上記第３のブリッジ回路の出力電圧が変化するから、ピエゾ抵抗Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚの抵抗値の変化を検出することによりセンサ本体１に作用したｚ軸方向の加速度を検出することができるのである。
【００３２】
なお、本参考例では、上述のシリコン層１０３の導電形がｎ形なので、各ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ、Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ、Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚの導電形をｐ形としてあるが、シリコン層１０３の導電形がｐ形の場合には各ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚの導電形をｎ形とすればよい。また、ＳＯＩ基板１００については、支持基板１０１の厚さが４００〜６００μｍ程度、埋込酸化膜１０２の厚さが０．３〜１．５μｍ程度、シリコン層１０３の厚さが４〜６μｍ程度に設定してあるが、これらの数値は特に限定するものではない。また、ＳＯＩ基板１００としては、表面（シリコン層１０３の表面）が（１００）面のものを用いている。
【００３３】
ところで、本参考例の半導体多軸加速度センサにおいては、図１（ａ）に示すように、撓み部１３の幅寸法が重り部１２の主重り部１２ａから離れてフレーム部１１に近づくにつれて徐々に大きくなっている。要するに、本参考例では、各撓み部１３それぞれの長手方向におけるフレーム部１１側の端部１３ａを、主重り部１２ａから離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなるような形状に形成してある。また、本参考例では、図１（ｂ）に示すように、各撓み部１３それぞれの長手方向におけるフレーム部１１側の端部１３ａを、主重り部１２ａから離れてフレーム部１１に近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなるような形状に形成するとともに、各撓み部１３それぞれの長手方向における主重り部１２ａ側の端部１３ｂを、フレーム部１１から離れて主重り部１２ａに近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなるような形状に形成してある。なお、本参考例における各撓み部１３は、長手方向に直交する断面の断面形状が図２に示すような細長（撓み部１３の幅方向に細長）の長方形状に形成されている。
【００３４】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａを、重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成していることにより、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａでは重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど長手方向に直交する断面の断面積が大きくなっており、図１６に示した従来構成のように各撓み部１３’それぞれについて厚み寸法および幅寸法が長手方向の全体にわたって均一に形成されているものに比べて、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａの剛性を高めることができる（つまり、ばね係数を大きくすることができる）。その結果、フレーム部１１から各撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位を少なくすることができるから、温度特性を向上させることができ、特に、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａ付近に抵抗体を配置してブリッジ回路を構成した上記第３のブリッジ回路の出力値の温度特性を向上させることができ、しかも、経時的な特性変動やヒステリシス特性の発生を抑制することができる。
【００３５】
なお、本参考例では、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａを、重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成してあるが、幅寸法と厚み寸法との少なくとも一方が大きくなるような形状に形成すればよい。ただし、本参考例のように各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａを、重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成することにより、重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法と厚み寸法とのいずれか一方のみが大きくなるような形状に形成されている場合に比べて、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａでの断面積を大きくすることができて、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａの剛性をより高めることができ、フレーム部１１から各撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位をより少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができる。また、本参考例では、各撓み部１３を、長手方向における略中央からフレーム部１１に近づくほど幅寸法が大きくなるような形状に形成してあるので、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａのみで重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法が大きくなるような形状に形成されている場合に比べて、フレーム部１１から撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位をより少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができる。
【００３６】
また、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、各撓み部１３それぞれにおける重り部１２側の端部１３ｂを、フレーム部１１から離れて重り部１２に近づくほど厚み寸法が大きくなるような形状に形成してあるので、各撓み部１３それぞれにおける重り部１２側の端部１３ｂの剛性を高めることができ、フレーム部１１から各撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位をさらに少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができる。特に、各撓み部１３それぞれにおける重り部１２側の端部１３ｂ付近に抵抗体を配置してブリッジ回路を構成した上記第１のブリッジ回路および上記第２のブリッジ回路の出力値の温度特性を向上させることができる。
【００３７】
なお、本参考例では、上述のＳＯＩ基板１００を用いてセンサ本体１を形成してあるが、シリコン基板を用いてセンサ本体１を形成してもよく、シリコン基板を用いてセンサ本体１を形成した場合、センサ本体１の撓み部１３は図３に示すような断面形状とすればよい。すなわち、図３に示す構成のセンサ本体１においても、各撓み部１３それぞれにおける長手方向の両端部１３ａ，１３ｂを、両端に近づくにつれて徐々に厚みが大きくなるような形状に形成してある。
【００３８】
以下、上述の図１に示したセンサチップの製造方法について図４および図５を参照しながら説明するが、図４は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応する部分の断面を示し、図５は図１（ａ）のＢ−Ｂ’断面に対応する部分の断面を示している。
【００３９】
まず、図４（ａ）および図５（ａ）に示すようなＳＯＩ基板１００の表面側および裏面側にパイロジェニック酸化法によってシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、その後、フォトリソグラフィ技術を利用して、ＳＯＩ基板１００の裏面側に凹所１００ａを形成するためにパターニングされた第１のレジスト層（図示せず）を形成し、第１のレジスト層をマスクとしてＳＯＩ基板１００の裏面側のシリコン酸化膜をエッチングすることで当該シリコン酸化膜をパターニングしてから、第１のレジスト層を除去する。続いて、ＳＯＩ基板１００の裏面側のパターニングされたシリコン酸化膜をマスクとしてＳＯＩ基板１００を裏面側から所定深さ（この所定深さは、重り部１２とカバー２との間に形成する隙間の寸法に応じて適宜設定すればよい）までエッチングすることで凹所１００ａを形成することによって、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示す構造を得る。なお、凹所１００ａを形成するエッチング工程では、ＫＯＨ（水酸化カリウム水溶液）やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）のようなアルカリ系溶液を用いた湿式のエッチングを行うようにしてもよいし、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッチングを行うようにしてもよい。
【００４０】
その後、フォトリソグラフィ技術を利用して、上記拡散層配線を形成するためにパターニングされた第２のレジスト層（図示せず）をＳＯＩ基板１００の表面側のシリコン酸化膜上に形成し、続いて、第２のレジスト層をマスクとしてＳＯＩ基板１００の表面側のシリコン酸化膜の一部をエッチングしてから、第２のレジスト層を除去し、ＳＯＩ基板１００の表面側のパターニングされたシリコン酸化膜をマスクとしてｐ形不純物（例えば、ボロン）を拡散炉にてシリコン層１０３の内部へ導入する。その後、ｐ形不純物の拡散による拡散層配線の形成と同時に、露出したシリコン層１０３表面にシリコン酸化膜を形成する。この拡散の際に形成されたシリコン酸化膜と最初にＳＯＩ基板１００の表面側に形成した上述のシリコン酸化膜とでシリコン酸化膜からなる絶縁膜を構成している。なお、この工程におけるプロセス条件としては、例えば、処理温度（拡散温度）を１１００℃、処理時間（拡散時間）を３０分に設定してあり、処理炉（拡散炉）内の雰囲気を水蒸気と酸素との混合気体としてある。また、シリコン層１０３の内部へのｐ形不純物の導入はイオン注入により行ってもよい。
【００４１】
次に、フォトリソグラフィ技術を利用して上記各ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒｚ１〜Ｒ４ｚを形成するためにパターニングされた第３のレジスト層（図示せず）を上記絶縁膜上に形成し、続いて、第３のレジスト層をマスクとしてＳＯＩ基板１００の表面側の絶縁膜の一部をエッチングしてから、第３のレジスト層を除去し、ＳＯＩ基板１００の表面側のパターニングされた絶縁膜をマスクとしてｐ形不純物（例えば、ボロン）を拡散炉にてシリコン層１０３の内部へ導入する。その後、ｐ形不純物の拡散による各ピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒｚ１〜Ｒ４ｚの形成と同時に、露出したシリコン層１０３表面に第３の所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。この拡散の際に形成されたシリコン酸化膜と上記絶縁膜とでシリコン酸化膜からなる保護膜を構成している。なお、この工程におけるプロセス条件としては、例えば、処理温度（拡散温度）を１１００℃、処理時間（拡散時間）を３０分に設定してあり、処理炉（拡散炉）内の雰囲気を水蒸気と酸素との混合気体としてある。また、シリコン層１０３の内部へのｐ形不純物の導入はイオン注入により行ってもよい。なお、本参考例では、保護膜をシリコン酸化膜により構成しているが、シリコン酸化膜と当該シリコン酸化膜上に積層したシリコン窒化膜とで保護膜を構成するようにしてもよい。
【００４２】
続いて、上記保護膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを通して上記拡散層配線に電気的に接続された上記金属配線および上記パッドを形成した後で、ＳＯＩ基板１００においてフレーム部１１および各撓み部１３および重り部１２に対応する部分が残るように埋込酸化膜１０２をエッチングストッパ層としてスリット１４および撓み部１３に対応する部位を裏面側から埋込酸化膜１０２に達する深さまで垂直にドライエッチングする裏面側パターニング工程を行うことによって、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示す構造を得る。なお、この裏面側パターニング工程におけるエッチングマスクとしては、例えばレジストを用いればよく、エッチング装置としては、例えば、誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置を用いればよい。
【００４３】
裏面側パターニング工程の後、埋込酸化膜をエッチングストッパ層として湿式の異方性エッチングにてＳＯＩ基板１００における支持基板１０１の一部をエッチングすることで各撓み部１３それぞれに対応する部分の両端部の裏面側に厚み寸法が両端に近づくほど大きくなるような傾斜面を形成するテーパーエッチング工程を行うことによって、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示す構造を得る。なお、このテーパーエッチング工程では、ＳＯＩ基板１００の裏面側の上記シリコン酸化膜および表面側の上記保護膜をマスクとしているが、ＳＯＩ基板１００の表面側に形成されている上記パッドおよび上記金属配線を侵食しないエッチング液を用いる必要があり、ここではエッチング液としてＴＭＡＨを使用している。ただし、テーパエッチング工程に用いるエッチング液はＴＭＡＨに限定するものではなく、エッチング速度の結晶方位依存性を利用して支持基板１０１の異方性エッチングが可能で埋込酸化膜１０２とのエッチング選択比が大きく且つ上記パッドおよび上記金属配線を侵食しない溶液であればＴＭＡＨ以外の溶液を用いてもよい。
【００４４】
テーパーエッチング工程の後、ＳＯＩ基板１００においてフレーム部１１および各撓み部１３および重り部１２に対応する部分が残るように埋込酸化膜１０２をエッチングストッパ層としてＳＯＩ基板１００を表面側から埋込酸化膜１０２に達する深さまでエッチングする表面側パターニング工程を行い、表面側パターニング工程の後で埋込酸化膜１０２の露出した部分をフッ酸などによりエッチングして除去して分離用のスリット１４を形成する分離エッチング工程を行うことで重り部１２をフレーム部１１から分離して４つの撓み部１３により支持された構造とすることによって、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、表面側パターニング工程におけるエッチングマスクとしては、例えばレジストを用いればよく、エッチング装置としては、例えば、誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置を用いればよい。
【００４５】
上述の分離エッチング工程の後、センサ本体１の裏面側に、あらかじめ上記凹所２ａを形成したガラス製のカバー２を陽極接合する接合工程を行うことによって、図４（ｆ）および図５（ｆ）に示す構造を得る。なお、接合工程では、センサ本体１とカバー２とを重ね、センサ本体１を所定温度（例えば、４００℃）に加熱した状態で、センサ本体１を正極側、カバー２を負極側として、所定の直流電圧（例えば、６００Ｖ）を印加することにより、センサ本体１とカバー２とを陽極接合している。また、本参考例では、カバー２としてはパイレックス（登録商標）を用いているが、カバー２の材料は陽極接合や共晶接合などによりセンサ本体１との接合が可能な材料であればよく、例えばカバー２をシリコン基板により構成してもよい。また、カバー２としてプラスチックなどを用いてもよい。
【００４６】
以上説明した製造方法によれば、各撓み部１３の幅寸法が重り部１２の主重り部１２ａから離れてフレーム部１１に近づくほど大きくなるように裏面側パターニング工程および表面側パターニング工程それぞれにおいて用いるマスクパターンを設計しておくことにより、各撓み部１３におけるフレーム部１１側の端部１３ａを、重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法が大きくなる形状に形成することができ、温度特性の優れた半導体多軸加速度センサを提供することができる。
【００４７】
また、上述の製造方法によれば、裏面側パターニング工程の後でテーパエッチング工程を行うことにより、各撓み部１３それぞれにおいてフレーム部１１側の端部１３ａではフレーム部１１に近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなり、重り部１２側の端部１３ｂでは重り部１２に近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなるので、各撓み部１３それぞれの長手方向の両端部１３ａ，１３ｂの剛性を高めることができ、上記各ブリッジ回路の出力値に関する温度特性の優れた半導体多軸加速度センサを提供することができる。
【００４８】
なお、上述の製造方法では、裏面側パターニング工程を行う際に埋込酸化膜１０２をエッチングストッパ層として利用することで、各撓み部１３の厚み寸法を高精度に管理することが可能となって、歩留まりの向上が図れ、結果的に低コスト化を図れる。また、重り部１２を形成するにあたって、ＳＯＩ基板１００においてスリット１４および撓み部１３に対応する部位を裏面側から誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置により埋込酸化膜１０２に達するまで垂直にエッチングしているので、従来のようにＫＯＨなどのアルカリ系溶液を用いたシリコンの異方性エッチングを利用して重り部１２を形成する場合に比べて、重り部１２の外周面とフレーム部１１の内周面との間の間隔を小さくすることができるから、センサ本体１の小型化を図れ、カバー２を含めたセンサチップの小型化を図ることができる。また、上述のテーパーエッチング工程を行わずに、表面側パターニング工程において湿式の異方性エッチングを採用してシリコン層１０３のエッチングと同時にシリコン基板からなる支持基板１０１の一部をエッチングすることで各撓み部１３それぞれに対応する部分の両端部１３ａ，１３ｂの裏面側に厚み寸法が両端に近づくほど大きくなるような傾斜面を形成するようにすれば、工程数を少なくすることができる。
【００４９】
ところで、上述の図１に示したセンサ本体１では各撓み部１３それぞれの長手方向における両端部１３ａ，１３ｂを、両端に近づくにつれて徐々に厚みが大きくなるような形状に形成してあるが、図６に示すように各撓み部１３を、厚み寸法が一定となる（撓み部１３の厚みが均一になる）ような形状に形成してもよく、このような構造のセンサ本体１を採用することにより、上述の製造方法におけるテーパーエッチング工程をなくすことができるので、工程数削減と歩留まり向上とで製造コストの低減を図ることができる。
【００５０】
また、上述の図１に示したセンサ本体１では、各撓み部１３は、長手方向に直交する断面の断面形状が図２に示すような細長の長方形状に形成されているが、断面形状を、例えば、図７に示すような台形状の形状としてもよし、図８に示すように長手方向に直交する断面形状における両側縁（図８の左右両側縁）が互いに近づく向きに凹んだ円弧状になるような形状としてもよい。各撓み部１３それぞれの長手方向に直交する断面形状を図７に示すような形状にした場合には、各撓み部１３における表面側の剛性を裏面側の剛性に比べて高めることができ、熱応力による各撓み部１３の撓みを抑制することができる。また、各撓み部１３それぞれの長手方向に直交する断面形状を図８に示すような形状にした場合には、各撓み部１３それぞれの両側面の面積を大きくすることができ、熱応力による各撓み部１３の撓みを抑制することができる。ここにおいて、撓み部１３の厚みが均一で撓み部１３における長手方向に直交する断面形状が図８に示すような形状である場合、撓み部１３の厚み寸法をｔ、上記円弧状の側縁の長さをｔ’とすれば、
ｔ’＝２π×（ｔ／２）×（１／２）＝（π／２）×ｔ
となるので、撓み部１３の両側面それぞれの面積は図２の断面形状を有する場合の略１．５倍となる。
【００５１】
なお、各撓み部１３それぞれの長手方向に直交する断面形状を図７に示すような形状に設定した場合には、上述の図４および図５を参照しながら説明した製造方法において、表面側パターニング工程で湿式の異方性エッチングにてシリコン層１０３をエッチングするようにすれば、表面側パターニング工程でＳＯＩ基板１００においてフレーム部１１および各撓み部１３および重り部１２に対応する部分が残るように埋込酸化膜１０２をエッチングストッパ層としてＳＯＩ基板１００のシリコン層１０３を表面側から埋込酸化膜１０２に達する深さまで湿式の異方性エッチングにてエッチングすることにより、シリコン層１０３のうち各撓み部１３に対応する部分それぞれの断面形状を台形状とすることができ、表面側パターニング工程の後で埋込酸化膜１０２の露出した部分をエッチングして除去することにより各撓み部１３それぞれの断面形状を台形状としたままフレーム部１１と重り部１２とを分離することができるから、温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することができる。ここにおける表面側パターニング工程では、ＳＯＩ基板１００の裏面側の上記シリコン酸化膜および表面側の上記保護膜をマスクとしているが、ＳＯＩ基板１００の表面側に形成されている上記パッドおよび上記金属配線を侵食しないエッチング液を用いる必要があり、エッチング液としてＴＭＡＨを使用している。ただし、この表面側パターニング工程に用いるエッチング液はＴＭＡＨに限定するものではなく、エッチング速度の結晶方位依存性を利用してシリコン層１０３の異方性エッチングが可能で埋込酸化膜１０２とのエッチング選択比が大きく且つ上記パッドおよび上記金属配線を侵食しない溶液であればＴＭＡＨ以外の溶液を用いてもよい。
【００５２】
また、各撓み部１３それぞれの長手方向に直交する断面形状を図８に示すような形状に設定した場合には、上述の図４および図５を参照しながら説明した製造方法において、表面側パターニング工程で湿式の等方性エッチングにてシリコン層１０３をエッチングするようにすれば、表面側パターニング工程でＳＯＩ基板１００においてフレーム部１１および各撓み部１３および重り部１２に対応する部分が残るように埋込酸化膜１０２をエッチングストッパ層としてＳＯＩ基板１００のシリコン層１０３を表面側から埋込酸化膜１０２に達する深さまで湿式の等方性エッチングにてエッチングすることにより、各撓み部１３の長手方向に直交する断面形状における両側縁を互いに近づく向きに凹んだ円弧状に形成することができ、表面側パターニング工程の後で埋込酸化膜１０２の露出した部分をエッチングして除去することにより、各撓み部１３それぞれの長手方向に直交する断面形状における両側縁が互いに近づく向きに凹んだ円弧状に形成することができるから、温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することができる。ここにおける表面側パターニング工程では、エッチング液としてフッ酸と硝酸と酢酸との混合液を用いているが、エッチング液は特にこの混合液に限定するものではない。また、表面側パターニング工程において湿式の等方性エッチングを行う代わりに、プラズマエッチングなどによる乾式の等方性エッチングを行うようにしてもよい。
【００５３】
（参考例２）
本参考例の半導体多軸加速度センサの基本構成は図１に示した参考例１と略同じであって、図９に示すように、各撓み部１３の形状が相違する。また、スリット１４の幅は略一定に設定してあるので、重り部１２における付加重り部１２ｂの平面形状が参考例１とは相違している。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５４】
ここにおいて、各撓み部１３については、それぞれの長手方向における略中央からフレーム部１１に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなり、略中央から重り部１２の主重り部１２ａにかけては幅寸法が均一となるような形状に形成されている点が図１にて説明した参考例１とは相違している。
【００５５】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、主重り部１２ａ近傍での各撓み部１３の幅寸法を参考例１に比べて小さくすることができるので、ｘ軸方向の加速度およびｙ軸方向の加速度それぞれの検出感度の高感度化を図ることができる。また、各撓み部１３それぞれにおけるフレーム部１１側の端部１３ａのみで重り部１２の主重り部１２ａから離れてフレーム部１１に近づくほど幅寸法と厚み寸法との少なくとも一方が大きくなるような形状に形成されている場合に比べて、フレーム部１１から各撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位をより少なくすることができて温度特性を向上させることができる。
【００５６】
なお、本参考例の半導体多軸加速度センサにおけるセンサチップの製造方法は参考例１にて説明した製造方法と同様なので説明を省略する。また、本参考例では、各撓み部１３に関して、長手方向における略中央からフレーム部１１に近づくほど幅寸法のみが大きくなる形状に形成してあるが、厚み寸法についても長手方向における略中央からフレーム部１１に近づくほど徐々に大きくなるような形状に形成してもよいし、幅寸法と厚み寸法とのいずれか一方のみが大きくなるような形状に形成してもよく、幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状とすることで各撓み部１３におけるフレーム部１１側の端部１３ａの剛性をより高めることができる。また、本参考例においても、参考例１にて説明した図６〜図８の構造を適宜適用してもよい。
【００５７】
（参考例３）
本参考例の半導体多軸加速度センサの基本構成は図１に示した参考例１と略同じであって、図１０に示すように、各撓み部１３の形状が相違する。また、スリット１４の幅は略一定に設定してあるので、重り部１２における付加重り部１２ｂの平面形状が参考例１とは相違している。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５８】
ここにおいて、各撓み部１３については、それぞれの長手方向におけるフレーム部１１側の端部１３ａが、フレーム部１１に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなり、端部１３ａを除いた部分では幅寸法が均一となるような形状に形成されている点が図１にて説明した参考例１とは相違している。
【００５９】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、主重り部１２ａ近傍での各撓み部１３の幅寸法を参考例１に比べて小さくすることができるので、ｘ軸方向の加速度およびｙ軸方向の加速度それぞれの検出感度の高感度化を図ることができる。また、各撓み部１３におけるフレーム部１１側の端部１３ａの両側面を曲面に形成してあるので、参考例１および参考例２に比べて、過大な加速度が印加されたときに各撓み部１３におけるフレーム部１１側の端部１３ａでの応力集中を緩和することができ、耐衝撃性が向上する。
【００６０】
なお、本参考例の半導体多軸加速度センサにおけるセンサチップの製造方法は参考例１にて説明した製造方法と同様なので説明を省略する。また、本参考例では、各撓み部１３に関して、フレーム部１１側の端部１３ａの両側面のみ曲面としてあるが、厚み方向の一面（裏面）についても曲面としてもよいし、幅方向の両側面と厚み方向の一面とのいずれか一方のみが曲面となるような形状に形成してもよく、幅方向の両側面と厚み方向の一面との両方が曲面となるような形状とすることで、耐衝撃性をより高めることができる。また、本参考例においても、参考例１にて説明した図６〜図８の構造を適宜適用してもよい。
【００６１】
（参考例４）
本参考例の半導体多軸加速度センサの基本構成は参考例１と略同じであって、図１１に示すように、各撓み部１３の形状が相違する。また、スリット１４の幅は略一定に設定してあるので、重り部１２における付加重り部１２ｂの平面形状が参考例１とは相違している。なお、参考例１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６２】
ここにおいて、各撓み部１３については、それぞれの長手方向における重り部１２側（主重り部１２ａ側）の端部１３ｂが、重り部１２（主重り部１２ａ）に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなるような形状に形成されている点が図１にて説明した参考例１とは相違している。
【００６３】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、主重り部１２ａ近傍での各撓み部１３の幅寸法を参考例１に比べて大きくすることができるので、ｘ軸方向の加速度を検出するための上記第１のブリッジ回路およびｙ軸方向の加速度を検出するための上記第２のブリッジ回路それぞれの出力値の温度特性を安定化することができる。
【００６４】
なお、本参考例の半導体多軸加速度センサにおけるセンサチップの製造方法は参考例１にて説明した製造方法と同様であり、裏面側パターニング工程および表面側パターニング工程それぞれで用いるマスクのパターンを若干変更するだけなので説明を省略する。また、本参考例においても、参考例１にて説明した図６〜図８の構造を適宜適用してもよい。
【００６５】
（参考例５）
本参考例の半導体多軸加速度センサの基本構成は参考例２と略同じであって、図１２に示すように、各撓み部１３の形状が相違する。また、スリット１４の幅は略一定に設定してあるので、重り部１２における付加重り部１２ｂの平面形状が参考例２とは相違している。なお、参考例２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６６】
ここにおいて、各撓み部１３については、それぞれの長手方向における重り部１２側（主重り部１２ａ側）の端部１３ｂが、重り部１２（主重り部１２ａ）に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなるような形状に形成されている点が図９にて説明した参考例２とは相違している。
【００６７】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、主重り部１２ａ近傍での各撓み部１３の幅寸法を参考例２に比べて大きくすることができるので、ｘ軸方向の加速度を検出するための上記第１のブリッジ回路およびｙ軸方向の加速度を検出するための上記第２のブリッジ回路それぞれの出力値の温度特性を安定化することができる。
【００６８】
なお、本参考例の半導体多軸加速度センサにおけるセンサチップの製造方法は参考例１にて説明した製造方法と同様であり、裏面側パターニング工程および表面側パターニング工程それぞれで用いるマスクのパターンを若干変更するだけなので説明を省略する。また、本参考例においても、参考例１にて説明した図６〜図８の構造を適宜適用してもよい。
【００６９】
（参考例６）
本参考例の半導体多軸加速度センサの基本構成は参考例３と略同じであって、図１３に示すように、各撓み部１３の形状が相違する。また、スリット１４の幅は略一定に設定してあるので、重り部１２における付加重り部１２ｂの平面形状が参考例３とは相違している。なお、参考例３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７０】
ここにおいて、各撓み部１３については、それぞれの長手方向における重り部１２側（主重り部１２ａ側）の端部１３ｂが、重り部１２（主重り部１２ａ）に近づくほど幅寸法が徐々に大きくなるような形状に形成されている点が図１０にて説明した参考例３とは相違している。
【００７１】
しかして、本参考例の半導体多軸加速度センサでは、主重り部１２ａ近傍での各撓み部１３の幅寸法を参考例３に比べて大きくすることができるので、ｘ軸方向の加速度を検出するための上記第１のブリッジ回路およびｙ軸方向の加速度を検出するための上記第２のブリッジ回路それぞれの出力値の温度特性を安定化することができる。また、各撓み部１３における重り部１２側の端部１３ｂの両側面を曲面に形成してあるので、参考例５に比べて、過大な加速度が印加されたときに各撓み部１３における重り部１２側の端部１３ｂでの応力集中を緩和することができ、耐衝撃性が向上する。
【００７２】
なお、本参考例の半導体多軸加速度センサの製造方法は参考例１にて説明した製造方法と同様であり、裏面側パターニング工程および表面側パターニング工程それぞれで用いるマスクのパターンを若干変更するだけなので説明を省略する。また、本参考例においても、参考例１にて説明した図６〜図８の構造を適宜適用してもよい。
【００７３】
（実施形態）
本実施形態の半導体多軸加速度センサの基本構成は参考例１と略同じであって、図１４に示すように、センサ本体１における各撓み部１３を、重り部１２（主重り部１２ａ）から離れてフレーム部１１に近づくほど厚み寸法が大きくなるような形状に形成している点が相違する。また、参考例１ではセンサ本体１をＳＯＩ基板を用いて形成していたが、本実施形態ではセンサ本体１をシリコン基板２００（図１５（ａ）参照）を用いて形成してある。他の構成は参考例１と同様なので図示および説明を省略する。なお、シリコン基板２００の表面は（１００）面としてある。
【００７４】
しかして、本実施形態の半導体多軸加速度センサでは、フレーム部１１から各撓み部１３へ伝達する熱応力に起因した重り部１２の変位をさらに少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができる。
【００７５】
本実施形態の半導体多軸加速度センサにおけるセンサチップの製造方法は参考例１にて説明した製造方法に準拠し、撓み部１３の形成方法が相違するので、以下、図１４に示す撓み部１３の形成方法について図１５を参照しながら説明する。
【００７６】
まず、図１５（ａ）に示すようなシリコン基板２００の裏面（図１５（ａ）の上面）側にポジ型のレジストを塗布してレジスト層３１を形成することにより、図１５（ｂ）に示す構造を得る。
【００７７】
その後、図１５（ｃ）に示すような露光用のフォトマスク３２を利用してレジスト層３１を露光する。一般的なフォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスクは光を遮断する光遮断領域と光を透過する光透過領域とからなるが、本実施形態で用いるフォトマスク３２は、シリコン基板２００においてフレーム部１１に対応する部分に光遮断領域３２ａ（以下、第１の光遮断領域３２ａと称す）、重り部１２に対応する部分に光遮断領域３２ｂ（以下、第２の光遮断領域３２ｂと称す）、撓み部１３に対応する部分に光透過率分布を有する光透過領域３２ｃをそれぞれ形成してあり、光透過領域３２ｃの光透過率を第１の光遮断領域３２ａ側から第２の光遮断領域３２ｂ側に近づくにつれて徐々に大きくなるように変化させてある点に特徴がある（要するに、本実施形態における光透過領域３２ｃはグレーテッド型の光透過領域となっている）。なお、図１５（ｃ）中の矢印は露光用の光源からの光を模式的に示したものであり、各矢印の先端が光の到達位置を示している。
【００７８】
フォトマスク３２を利用してレジスト層３１を露光した後、レジスト層３１を現像してパターニングされたレジスト層３１を形成することにより、図１５（ｄ）に示す構造を得る。本実施形態では、図１５（ｄ）に示すようにパターニングされたレジスト層３１が、マスク材層を構成しており、シリコン基板２００の裏面側においてフレーム部１１に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第１の保護マスク部３１ａと重り部１２に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第２の保護マスク部３１ｂと各撓み部１３それぞれに対応する部位に重なり第２の保護マスク部３１ｂから離れて第１の保護マスク部３１ａに近づくにつれて厚み寸法が徐々に大きくなるように設定された傾斜転写用マスク部３１ｃとを有している。
【００７９】
上述のパターニングされたレジスト層３１からなるマスク材層を形成するマスク材層形成工程を行った後、シリコン基板２００の裏面側から例えば誘導結合プラズマ型のエッチング装置を用いてレジスト層３１の傾斜転写用マスク部３１がなくなるまでドライエッチングを行ってから、レジスト層３１を除去することにより、図１５（ｅ）に示すような構造を得る。なお、本実施形態では、このドライエッチングを行う工程が、第１の保護マスク部３１ａおよび第２の保護マスク部３１ｂが残り傾斜転写用マスク部３１ｃがなくなってシリコン基板２００の一部がエッチングされるようにエッチングを行う転写工程となる。
【００８０】
次に、重り部１２およびフレーム部１１に対応する部分が残り各撓み部１３に対応する部分が所望の厚さになるようにシリコン基板２００をエッチングするためにパターニングされたレジスト層３３を形成することにより、図１５（ｆ）に示す構造を得てから、重り部１２およびフレーム部１１に対応する部分が残り各撓み部１３に対応する部分が所望の厚さになるようにシリコン基板２００を裏面側からドライエッチングする裏面側パターニング工程を行い、その後、レジスト層３３を除去することにより、図１５（ｇ）に示すような主重り部１２ａ側からフレーム部１１側にかけて厚み寸法が徐々に大きくなるような撓み部１３を形成することができる。
【００８１】
しかして、上述の製造方法によれば、シリコン基板２００の裏面側にマスク材層を形成した後、マスク材層の傾斜転写用マスク部３１ｃがなくなるまでエッチングを行うことにより、各撓み部１３に対応する部分が重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど厚み寸法が大きくなるような形状に形成されるので、各撓み部１３におけるフレーム部１１側の端部１３ａの剛性を高めることができ、温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することができる。また、各撓み部１３を重り部１２から離れてフレーム部１１に近づくほど厚み寸法が大きくなるような形状に形成してあれば、上記各参考例１〜６にて説明した撓み部１３の構造を適宜適用してもよい。
【００８２】
なお、上記各参考例および上記実施形態ではｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向の３軸の加速度を検出する半導体加速度センサについて例示したが、２軸の加速度を検出する半導体加速度センサや１軸の加速度を検出する半導体加速度センサに本発明の技術思想を適用できることは勿論である。
【００８３】
【発明の効果】
請求項１の発明では、従来のように各撓み部それぞれについて厚み寸法および幅寸法が長手方向の全体にわたって均一に形成されている両持ち梁式の半導体加速度センサに比べて、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部の剛性を高めることができ（つまり、ばね係数を大きくすることができ）、フレーム部から各撓み部へ伝達する熱応力に起因した重り部の変位を少なくすることができるから、温度特性を向上させることができるという効果があり、しかも、経時的な特性変動やヒステリシス特性の発生を抑制することができるという効果がある。
【００８４】
また、請求項１の発明では、フレーム部から各撓み部へ伝達する熱応力に起因した重り部の変位をさらに少なくすることができるから、温度特性をより向上させることができるという効果がある。
【００８５】
請求項２の発明では、温度特性の優れた半導体加速度センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 参考例１におけるセンサチップを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図２】 同上を示し、図１（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。
【図３】 同上におけるセンサ本体の他の構成例の概略断面図である。
【図４】 同上におけるセンサチップの製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図５】 同上におけるセンサチップの製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】 同上におけるセンサ本体の別の構成例の概略断面図である。
【図７】 同上におけるセンサ本体のさらに別の構成例の要部概略断面図である。
【図８】 同上におけるセンサ本体のさらに他の構成例の要部概略断面図である。
【図９】 参考例２におけるセンサチップを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０】 参考例３におけるセンサチップの概略平面図である。
【図１１】 参考例４におけるセンサチップの概略平面図である。
【図１２】 参考例５におけるセンサチップの概略平面図である。
【図１３】 参考例６におけるセンサチップの概略平面図である。
【図１４】 実施形態におけるセンサ本体の概略断面図である。
【図１５】 同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１６】 従来例を示す半導体多軸加速度センサの一部破断した概略斜視図である。
【符号の説明】
１ センサ本体
２ カバー
１１ フレーム部
１２ 重り部
１２ａ 主重り部
１２ｂ 付加重り部
１３ 撓み部
１４ スリット
Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ ピエゾ抵抗
Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ ピエゾ抵抗
Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚ ピエゾ抵抗[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor used in, for example, automobiles, home appliances, and the like, and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
  As an example of a conventionally known piezoresistive semiconductor acceleration sensor, a semiconductor multi-axis acceleration sensor having sensitivity to accelerations in a plurality of directions has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In this type of semiconductor multi-axis acceleration sensor, for example, as shown in FIG. 16, a glass cover 2 is provided on the back surface of a sensor body 1 ′ formed by using a so-called epi substrate obtained by growing a silicon epitaxial layer on a silicon substrate. It is joined.
[0003]
  The sensor body 1 ′ includes a frame portion 11 ′ having a rectangular frame shape, and a weight portion 12 ′ disposed on the inner side of the frame portion 11 ′ via four flexible portions 13 ′ that are thinner than the frame portion 11 ′. It has a structure that is continuously connected to the frame portion 11 ′, and two piezoresistors R are formed in each bent portion 13 ′ as strain detecting elements.
[0004]
  Here, as shown on the left side of FIG. 16, the thickness direction of the sensor body 1 ′ is the z-axis direction, and the direction along one side of the frame portion 11 ′ on the plane orthogonal to the z-axis direction is the x-axis direction. If the direction along the side orthogonal to the y-axis direction is defined as the y-axis direction, the weight portion 12 'is extended in the y-axis direction with a pair of bent portions 13' and 13 'extended in the x-axis direction. In addition, it is supported by the frame portion 11 ′ via a pair of bending portions 13 ′ and 13 ′, and is formed in two bending portions 13 ′ and 13 ′ extended in the x-axis direction. A total of four piezoresistors R are electrically connected by the metal wiring 17 so as to form a bridge circuit, and are formed in the two flexures 13 'and 13' extended in the y-axis direction. By the metal wiring 17 so as to form another bridge circuit It is gas-connected. A pad 16 serving as each terminal of each bridge circuit is provided for each bridge circuit and formed in the frame portion 11 '.
[0005]
  Therefore, when an external force (that is, acceleration) including components in the x-axis direction or the y-axis direction acts on the sensor body 1 ′, the weight portion 12 ′ is displaced with respect to the frame portion 11 ′ by the inertia of the weight portion 12 ′. As a result, the bending portion 13 ′ is bent and the resistance value of the piezoresistor R formed in the bending portion 13 ′ changes. That is, by detecting a change in the resistance value of the piezoresistor R, the acceleration in the x-axis direction or the y-axis direction that has acted on the sensor body 1 ′ can be detected.
[0006]
  By the way, in the sensor body 1 ′, in order to increase the detection sensitivity of the acceleration in each of the x-axis direction and the y-axis direction, the stress generated in the bending portion 13 ′ when the acceleration in each axis direction is applied is maximum. A piezoresistor R is arranged in a portion (stress concentration portion) near the weight portion 12 ′. That is, by optimizing the formation position of the piezoresistor R, the accelerations in the x-axis direction and the y-axis direction can be detected with high sensitivity. In order to make it possible to detect the acceleration in the z-axis direction with high sensitivity in addition to the x-axis direction and the y-axis direction, the stress generated in each bending portion 13 ′ when the acceleration in the z-axis direction is applied. One piezoresistor may be arranged in a portion (stress concentration portion) in the vicinity of the maximum frame portion 11 ′.
[0007]
  For the sensor body 1 ′, the mass of the weight 12 ′ is m, the length of the bent portion 13 ′ is L, the width of the bent portion 13 ′ is H, and the thickness of the bent portion 13 ′ is t. If the acceleration is α and the sensitivity is K,
K∝ (m × L × α) / (H × t2)
The sensitivity is increased by reducing the thickness dimension t of the bent portion 13 ', reducing the width dimension H of the bent portion 13', or increasing the length dimension L of the bent portion 13 '. Can be achieved. In addition, the above-mentioned bending part 13 'is formed so that the width dimension H and the thickness dimension t are uniform over the entire length in the longitudinal direction, and the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction and the width direction (short direction). Each of the cross-sectional shapes orthogonal to the shape is an elongated rectangular shape.
[0008]
  Further, the above-described cover 2 ′ has a rectangular outer shape, and a peripheral portion is joined to the back surface of the frame portion 11 ′ of the sensor body 1 ′ by anodic bonding, and the weight is opposed to the surface facing the weight portion 12 ′. A recess 2a ′ for securing the movement range of the portion 12 ′ is formed. In general, the sensor chip including the sensor body 1 ′ and the cover 2 ′ is used by being fixed to a package (not shown) with an adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin.
[0009]
[Patent Document 1]
  Japanese Patent Laid-Open No. 11-160348
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
  Incidentally, since the semiconductor acceleration sensor has a relatively wide operating temperature range of, for example, −40 ° C. to 80 ° C., an important characteristic item is a temperature characteristic of an output value in addition to sensitivity.
[0011]
  However, in the semiconductor multi-axis acceleration sensor having the above-described conventional configuration, when used under the condition where the environmental temperature changes, the heat shrinkage of the package or the silicon that is the material of the frame portion 11 ′ and the glass that is the material of the cover 2 ′ The stress strain resulting from the difference in thermal expansion coefficient is generated, this stress strain is transmitted to the frame portion 11 ′ of the sensor body 1 ′, and further transmitted from the frame portion 11 ′ to the bent portion 13 ′.
[0012]
  Conventionally, a so-called cantilever type semiconductor acceleration sensor is known as a semiconductor acceleration sensor that detects an acceleration in only one axis direction. However, in a cantilever type semiconductor acceleration sensor, a weight portion has a bent portion (beam). Since the unconnected side is an open end, the stress transmitted from the frame part to the bending part is released by the displacement of the weight part. However, as in the case of a double-supported beam type semiconductor acceleration sensor, in particular, the above-described semiconductor multi-axis acceleration sensor, four bent portions (beams) 13 ′ are arranged in a cross shape with the weight portion 12 ′ as the center, and In the semiconductor multi-axis acceleration sensor, since the weight portion 12 'is restrained from four directions, the stress transmitted from the frame portion 11' to the bending portion 13 'is inherent in the bending portion 13', and this stress is released. The weight portion 12 ′ is displaced in a direction approaching the cover 2 ′. That is, in the above-described semiconductor multi-axis acceleration sensor, when the ambient temperature changes even under a stationary condition in which no acceleration is applied, the weight portion 12 ′ moves in the z-axis direction (vertical direction) along with the stress change due to the contraction of the frame portion 11 ′. ), The temperature characteristic of the output value deteriorates. Further, the above-described semiconductor multi-axis acceleration sensor has a problem in that characteristic variation with time and hysteresis characteristics mainly due to thermal stress occur.
[0013]
  The present invention has been made in view of the above reasons, and an object thereof is to provide a semiconductor acceleration sensor having excellent temperature characteristics and a method for manufacturing the same.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
  According to the first aspect of the present invention, the weight portion disposed inside the frame-shaped frame portion is supported by the frame portion via at least one set of bending portions disposed with the weight portion interposed therebetween, and the displacement of the weight portion relative to the frame portion is achieved. A semiconductor acceleration sensor including a sensor body in which a resistor whose resistivity is changed by a strain generated in the bending portion is formed in the bending portion, and an end portion on each frame portion side of each bending portion is separated from the weight portion. The closer to the frame, the width and thicknessBothIt is formed in the shape which becomes large.
[0015]
  According to the present invention, the end on the side of the frame portion in each of the bent portions is separated from the weight portion and closer to the frame portion.BothAs a result, the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction increases as the distance from the weight portion approaches the frame portion. Compared with a doubly-supported beam type semiconductor acceleration sensor in which the thickness dimension and the width dimension are uniformly formed over the entire length in the longitudinal direction as in the prior art, the end on the frame part side in each flexion part Can improve the rigidity (that is, increase the spring coefficient) and reduce the displacement of the weight due to the thermal stress transmitted from the frame part to each bending part, improving the temperature characteristics In addition, it is possible to suppress changes in characteristics and hysteresis characteristics over time.
[0016]
  In the invention of claim 1, eachFlexureThe thickness from the weight part to the frame partDimensionsGradually increasedKikunaFormFormed in a shapeSoTeamEachDue to thermal stress transmitted to the flexureHeavySince the displacement of the flange portion can be further reduced, the temperature characteristics can be further improved..
[0017]
  ContractThe invention of claim 2 is claimed in claim1The method for manufacturing the semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the first protective mask portion and the portion corresponding to the weight portion have a uniform thickness dimension overlapping with the portion corresponding to the frame portion on the back surface side of the silicon substrate. The thickness dimension is gradually increased as the distance from the second protection mask portion overlaps with the portion corresponding to each of the second protection mask portion and the respective flexure portions, and the first protection mask portion approaches the first protection mask portion. A mask material layer forming step for forming a mask material layer having an inclined transfer mask portion set to be large, and a first protective mask portion and a second protective mask portion after the mask material layer forming step A transfer step of performing etching so that a portion of the silicon substrate is etched by removing the inclined transfer mask portion, and the weight portion and the frame portion are paired after the transfer step. A back side patterning step of dry etching the silicon substrate from the back side so that a portion corresponding to each of the bent portions remains at a desired thickness, and after the back side patterning step, the frame portion and And a surface-side patterning step of etching the silicon substrate from the surface side so that the portions corresponding to the respective bent portions and the weight portions remain.
[0018]
  According to the present invention, after the mask material layer is formed on the back surface side of the silicon substrate, etching is performed until there is no inclined transfer mask portion of the mask material layer, so that the portions corresponding to the respective bent portions are the weight portions. Since the thickness dimension increases as the distance from the frame increases and the distance from the frame portion increases, the rigidity of the end portion on the frame portion side in each of the bent portions can be increased, and the semiconductor acceleration with excellent temperature characteristics can be achieved. A sensor can be provided.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  (Reference Example 1)
  In this reference exampleExemplifies a semiconductor multi-axis acceleration sensor that detects accelerations in a plurality of directions, respectively, as the semiconductor acceleration sensor.
[0020]
  Of this reference exampleAs shown in FIG. 1, the semiconductor multi-axis acceleration sensor is a sensor main body formed using an SOI substrate 100 (see FIG. 4A) having a buried oxide film 102 made of a silicon oxide film in the middle in the thickness direction. 1 has a structure in which a glass cover 2 is fixed to the back surface of 1 by anodic bonding. The SOI substrate 100 is a part of a so-called SOI wafer in which a buried oxide film 102 as an insulating layer is formed between a support substrate 101 made of a silicon substrate and an n-type silicon layer (silicon active layer) 103. Composed.
[0021]
  The sensor body 1 includes a frame portion 11 having a rectangular frame shape, and a weight portion 12 disposed inside the frame portion 11 is continuously integrated with the frame portion 11 via four flexure portions 13 that are thinner than the frame portion 11. It has the structure connected to. Here, in the sensor body 1, the thickness of the back surface side of the weight portion 12 relative to the buried oxide film 102 is thinner than the thickness of the back surface side of the frame portion 11 relative to the buried oxide film 102. The back surface of the frame portion 11 is joined to the peripheral portion of the rectangular cover 2 over the entire periphery. Therefore, a gap is formed between the back surface of the weight portion 12 and the cover 2 so that the weight portion 12 can be displaced in the thickness direction of the weight portion 12. In addition,In this reference exampleHas a recess 2a for securing a moving range of the weight portion 12 on the surface of the cover 2 facing the weight portion 12, but the back surface of the weight portion 12 is more than the buried oxide film 102 as described above. If the thickness of the portion on the side is made thinner than the thickness of the portion on the back side of the buried oxide film 102 in the frame portion 11, the recess 2a is not necessarily provided. On the contrary, if the recess 2 a is formed on the surface of the cover 2 facing the weight portion 12, the thickness of the portion on the back surface side of the buried oxide film 102 in the weight portion 12 is set to the buried oxide film in the frame portion 11. You may set to the same thickness as the part of the back side rather than 102.
[0022]
  The weight part 12 is continuous to each of the four corners of the main weight part 12a when viewed from the main surface side of the sensor body 1 and the rectangular parallelepiped main weight part 12a supported by the frame part 11 via the four flexure parts 13 described above. The planar shape integrally connected has four additional weight portions 12b having a rhombus shape. That is, each additional weight portion 12b is disposed in a space surrounded by the frame portion 11 and the main weight portion 12a and the two bent portions 13 and 13 extended in a direction orthogonal to each other, and is surrounded by each additional weight portion 12b. Is formed with a slit 14 except for a connecting portion with the main weight 12a. Each additional weight portion 12b is configured by a part of the support substrate 101 of the SOI substrate 100 described above, and the surface of the additional weight portion 12b is separated from the plane including the surface of the main weight portion 12a toward the cover 2 side. Is located.
[0023]
  By the way, as shown in the lower left of FIG. 1A, the thickness direction of the sensor body 1 is the z-axis direction, and the direction along one side of the rectangular frame-shaped frame portion 11 in the plane orthogonal to the z-axis direction is the x-axis. If the direction along the direction orthogonal to the one side is defined as the y-axis direction, the weight portion 12 is extended in the x-axis direction and includes a pair of flexible portions 13 and 13 sandwiching the main weight portion 12a. The frame portion 11 is supported via a pair of bending portions 13 and 13 that extend in the y-axis direction and sandwich the main weight portion 12a. In addition, since the weight part 12 functions as a weight only with the main weight part 12a, the weight part 12 may be comprised only with the main weight part 12a, but the sensitivity of an acceleration sensor is improved by adding the additional weight part 12b. Can be increased.
[0024]
  Of the two flexures 13 and 13 whose longitudinal direction is the x-axis direction, the flexure 13 on the left side in FIG. 1 (a) has two in the longitudinal direction near the main weight 12a (the end 13b on the weight 12 side). Piezoresistors R1x and R3x are formed, and one piezoresistor R4z is formed in the vicinity of the frame portion 11 (the end portion 13a on the frame portion 11 side). The right-side bent portion 13 in FIG. Two piezoresistors R2x and R4x are formed in the vicinity of the weight portion 12a, and one piezoresistor R2z is formed in the vicinity of the frame portion 11. Here, the four piezoresistors R1x, R2x, R3x, and R4x in the vicinity of the main weight portion 12a are formed to detect acceleration in the x-axis direction, and the longitudinal direction is the longitudinal direction of the bending portion 13. The first bridge circuit (not shown) is connected via a wiring (not shown) such as a metal wiring or a diffusion layer wiring. Note that the piezoresistors R1x to R4x are formed in a region (stress concentration portion) where the maximum stress is generated in the left and right bent portions 13 in FIG. 1A when acceleration in the x-axis direction is applied.
[0025]
  Of the two bent portions 13 and 13 whose longitudinal direction is the y-axis direction, the upper bent portion 13 in FIG. 1A is formed with two piezoresistors R1y and R3y in the longitudinal direction in the vicinity of the main weight portion 12a. One piezoresistor R1z is formed in the vicinity of the frame portion 11, and the lower flexible portion 13 in FIG. 1A is formed with two piezoresistors R2y and R4y in the vicinity of the main weight portion 12a in the longitudinal direction and the frame portion. One piezoresistor R3z is formed near 11. Here, four piezoresistors R1y, R2y, R3y, and R4y in the vicinity of the main weight portion 12a are formed to detect acceleration in the y-axis direction, and the longitudinal direction coincides with the longitudinal direction of the bending portion 13. The second bridge circuit (not shown) is connected via a wiring (not shown) such as a metal wiring or a diffusion layer wiring. The piezoresistors R1y to R4y are formed in a region (stress concentration portion) where the maximum stress is generated in the upper and lower flexures 13 in FIG. 1A when acceleration in the y-axis direction is applied.
[0026]
  Further, the four piezoresistors R1z, R2z, R3z, and R4z in the vicinity of the frame portion 11 are formed to detect acceleration in the z-axis direction, and are wiring such as metal wiring and diffusion layer wiring (not shown). ) To form a third bridge circuit (not shown). However, the piezoresistors R1z to R4z are formed in a region where the maximum stress is generated in each bending portion 13 when acceleration in the z-axis direction is applied. Further, the piezoresistors R1z and R4z formed on one set of the bending portions 13 and 13 of the pair of bending portions 13 and 13 are formed so that the longitudinal direction thereof coincides with the longitudinal direction of the bending portions 13 and 13. On the other hand, the piezoresistors R2z and R3z formed in the other set of flexures 13 and 13 are formed such that the longitudinal direction coincides with the width direction (short direction) of the flexures 13 and 13. Yes.
[0027]
  The frame unit 11 is provided with eight pads (not shown), and the pad serving as the output terminal of each bridge circuit described above is provided for each bridge circuit. The pads serving as terminals are shared by the three bridge circuits (that is, only two pads are provided as input terminals for the three bridge circuits). Also,In this reference exampleEach of the piezoresistors R1x to R4x, R1y to R4y, and R1z to R4z constitutes a resistor whose resistivity changes due to strain generated in the bending portion 13 due to the displacement of the weight portion 12 with respect to the frame portion 11.
[0028]
  The acceleration detection principle will be described below. Since the detection principle is well known, it will be briefly described.
[0029]
  Assuming that an external force including a component in the x-axis direction (that is, acceleration) is applied to the sensor body 1, the weight portion 12 is displaced with respect to the frame portion 11 due to the inertia of the weight portion 12, resulting in FIG. The left and right bent portions 13 and 13 of a) are bent to change the resistance values of the piezoresistors R1x to R4x formed in the bent portions 13 and 13, and the output voltage of the first bridge circuit is changed. Therefore, the acceleration in the x-axis direction applied to the sensor body 1 can be detected by detecting changes in the resistance values of the piezo resistors R1x to R4x. When the acceleration in the x-axis direction is applied, the increase and decrease of the resistance value are canceled out in the second bridge circuit and the third bridge circuit, and the output voltage becomes substantially zero.
[0030]
  Similarly, if an external force (that is, acceleration) including a component in the y-axis direction is applied to the sensor body 1, the weight 12 is displaced with respect to the frame 11 due to the inertia of the weight 12, resulting in FIG. The upper and lower flexures 13 and 13 of (a) are flexed to change the resistance values of the piezoresistors R1y to R4y formed in the flexures 13 and 13, and the output voltage of the second bridge circuit is changed. Therefore, the acceleration in the y-axis direction acting on the sensor body 1 can be detected by detecting changes in the resistance values of the piezo resistors R1y to R4y.
[0031]
  If an external force including a component in the z-axis direction (that is, acceleration) is applied to the sensor body 1, the weight portion 12 is displaced with respect to the frame portion 11 due to the inertia of the weight portion 12, and as a result, each bent portion. 13 is bent, and the resistance values of the piezoresistors R1z to R4z formed in the respective bent portions 13 are changed. Here, although the piezoresistors R1z to Rz4 are subjected to the same stress, in the piezoresistors R1z and R3z, current flows in a direction along the longitudinal direction of the deflecting portion 13, whereas in the piezoresistors R2z and R4z, the width of the deflecting portion 13 is obtained. When the current flows in the direction along the direction, the increase and decrease of the resistance values are reversed between the piezoresistors R1z and R3z and the piezoresistors R2z and R4z, and the output voltage of the third bridge circuit changes. By detecting the change in the resistance value of R4z, it is possible to detect the acceleration in the z-axis direction acting on the sensor body 1.
[0032]
  In addition,In this reference exampleSince the conductivity type of the silicon layer 103 is n-type, the conductivity type of each of the piezoresistors R1x to R4x, R1y to R4y, and R1z to R4z is p-type, but the conductivity type of the silicon layer 103 is p-type In this case, the conductivity type of each of the piezoresistors R1x to R4x, R1y to R4y, and R1z to R4z may be n-type. Further, for the SOI substrate 100, the thickness of the support substrate 101 is about 400 to 600 μm, the thickness of the buried oxide film 102 is about 0.3 to 1.5 μm, and the thickness of the silicon layer 103 is about 4 to 6 μm. Although set, these numerical values are not particularly limited. Moreover, as the SOI substrate 100, a substrate whose surface (the surface of the silicon layer 103) has a (100) plane is used.
[0033]
  by the way,Of this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, as shown in FIG. 1A, the width dimension of the bending portion 13 gradually increases as the distance from the main weight portion 12 a of the weight portion 12 approaches the frame portion 11. in short,In this reference exampleIs formed such that the end portion 13a on the frame portion 11 side in the longitudinal direction of each bending portion 13 is gradually increased in width as the distance from the main weight portion 12a approaches the frame portion 11. Also,In this reference exampleAs shown in FIG. 1B, the thickness dimension of the end portion 13a on the side of the frame portion 11 in the longitudinal direction of each flexure portion 13 gradually increases as the distance from the main weight portion 12a approaches the frame portion 11. The end portion 13b on the main weight portion 12a side in the longitudinal direction of each flexure portion 13 is gradually separated from the frame portion 11 and closer to the main weight portion 12a so that the thickness dimension gradually increases. It is formed in a simple shape. In addition,In this reference exampleEach of the flexible portions 13 is formed in a rectangular shape having a cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction as shown in FIG. 2 (elongated in the width direction of the flexible portion 13).
[0034]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the end portion 13a on the frame portion 11 side in each of the bent portions 13 is shaped so that both the width dimension and the thickness dimension increase as the distance from the weight section 12 approaches the frame section 11. As a result, the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction increases as the distance from the weight portion 12 approaches the frame portion 11 at the end portion 13a on the frame portion 11 side in each bent portion 13. As compared with the structure in which the thickness dimension and the width dimension are uniformly formed over the entire length in the longitudinal direction as in the conventional configuration shown in FIG. 16, the end on the frame section 11 side in each deflection section 13 The rigidity of the portion 13a can be increased (that is, the spring coefficient can be increased). As a result, since the displacement of the weight portion 12 due to the thermal stress transmitted from the frame portion 11 to each bending portion 13 can be reduced, the temperature characteristics can be improved, and in particular, the frame in each bending portion 13. It is possible to improve the temperature characteristic of the output value of the third bridge circuit in which the resistor is arranged in the vicinity of the end part 13a on the side of the part 11 to constitute the bridge circuit, and the characteristic variation with time and the hysteresis characteristic Occurrence can be suppressed.
[0035]
  In addition,In this reference exampleIn each of the bent portions 13, the end portion 13 a on the frame portion 11 side is formed in a shape such that both the width dimension and the thickness dimension increase as the distance from the weight portion 12 approaches the frame portion 11. The shape may be such that at least one of the width dimension and the thickness dimension is increased. However,Of this reference exampleThus, by forming the end portion 13a on the side of the frame portion 11 in each of the bent portions 13 in such a shape that both the width dimension and the thickness dimension increase as the distance from the weight section 12 approaches the frame section 11, Compared to the case where only one of the width dimension and the thickness dimension increases as the distance from the weight part 12 approaches the frame part 11, the frame part 11 side of each flexure part 13 is compared with the case where it is formed. The cross-sectional area at the end portion 13a can be increased, the rigidity of the end portion 13a on the frame portion 11 side in each bent portion 13 can be further increased, and heat transmitted from the frame portion 11 to each bent portion 13 Since the displacement of the weight portion 12 due to the stress can be further reduced, the temperature characteristics can be further improved. Also,In this reference exampleSince each bending part 13 is formed in a shape in which the width dimension increases as it approaches the frame part 11 from the approximate center in the longitudinal direction, only the end part 13a on the frame part 11 side in each bending part 13 is formed. As compared with the case where the width dimension is increased as the distance from the weight part 12 increases and the distance from the frame part 11 increases, the weight part 12 is caused by thermal stress transmitted from the frame part 11 to the bending part 13. Since the displacement can be further reduced, the temperature characteristics can be further improved.
[0036]
  Also,Of this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the end portion 13b on the weight portion 12 side in each of the bending portions 13 is formed in a shape such that the thickness dimension increases as the distance from the frame portion 11 approaches the weight portion 12. The rigidity of the end portion 13b on the weight portion 12 side in each of the bent portions 13 can be increased, and the displacement of the weight portion 12 due to the thermal stress transmitted from the frame portion 11 to each of the bent portions 13 can be further reduced. Thus, the temperature characteristics can be further improved. In particular, the temperature characteristics of the output values of the first bridge circuit and the second bridge circuit in which a resistor is arranged in the vicinity of the end portion 13b on the side of the weight portion 12 in each of the bent portions 13 to form a bridge circuit are improved. Can be made.
[0037]
  In addition,In this reference exampleThe sensor body 1 is formed using the above-described SOI substrate 100. However, the sensor body 1 may be formed using a silicon substrate. When the sensor body 1 is formed using a silicon substrate, the sensor body 1 is formed. The one bent portion 13 may have a cross-sectional shape as shown in FIG. That is, also in the sensor main body 1 having the configuration shown in FIG. 3, both end portions 13 a and 13 b in the longitudinal direction of the respective bending portions 13 are formed in shapes that gradually increase in thickness as they approach both ends.
[0038]
  Hereinafter, the manufacturing method of the sensor chip shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 shows a cross section of a portion corresponding to the cross section AA ′ of FIG. FIG. 5 shows a cross section of a portion corresponding to the BB ′ cross section of FIG.
[0039]
  First, silicon oxide films (not shown) are formed by a pyrogenic oxidation method on the front surface side and the back surface side of the SOI substrate 100 as shown in FIGS. 4A and 5A, and then a photolithography technique is used. By using the first resist layer (not shown) patterned to form the recess 100a on the back surface side of the SOI substrate 100, the back surface side of the SOI substrate 100 is formed using the first resist layer as a mask. After the silicon oxide film is patterned by etching the silicon oxide film, the first resist layer is removed. Subsequently, using the patterned silicon oxide film on the back side of the SOI substrate 100 as a mask, the SOI substrate 100 is set to a predetermined depth from the back side (this predetermined depth is a gap formed between the weight portion 12 and the cover 2). The structure shown in FIG. 4B and FIG. 5B is obtained by forming the recess 100a by etching up to (appropriately set according to the dimensions). In the etching step for forming the recess 100a, wet etching using an alkaline solution such as KOH (potassium hydroxide aqueous solution) or TMAH (tetramethylammonium aqueous solution) may be performed, or RIE ( Dry etching such as reactive ion etching may be performed.
[0040]
  Thereafter, a second resist layer (not shown) patterned to form the diffusion layer wiring is formed on the silicon oxide film on the surface side of the SOI substrate 100 using photolithography technology, and subsequently Then, after etching a part of the silicon oxide film on the surface side of the SOI substrate 100 using the second resist layer as a mask, the second resist layer is removed, and a patterned silicon oxide film on the surface side of the SOI substrate 100 is removed. As a mask, p-type impurities (for example, boron) are introduced into the silicon layer 103 in a diffusion furnace. Thereafter, simultaneously with the formation of the diffusion layer wiring by the diffusion of the p-type impurity, a silicon oxide film is formed on the exposed silicon layer 103 surface. The silicon oxide film formed at the time of diffusion and the above-described silicon oxide film first formed on the surface side of the SOI substrate 100 constitute an insulating film made of a silicon oxide film. As process conditions in this step, for example, the processing temperature (diffusion temperature) is set to 1100 ° C., the processing time (diffusion time) is set to 30 minutes, and the atmosphere in the processing furnace (diffusion furnace) is changed to water vapor and oxygen. As a mixed gas. Further, the p-type impurity may be introduced into the silicon layer 103 by ion implantation.
[0041]
  Next, a third resist layer (not shown) patterned to form each of the piezoresistors R1x to R4x, R1y to R4y, and Rz1 to R4z is formed on the insulating film using photolithography technology. Subsequently, after etching a part of the insulating film on the surface side of the SOI substrate 100 using the third resist layer as a mask, the third resist layer is removed and the surface side of the SOI substrate 100 is patterned. A p-type impurity (for example, boron) is introduced into the silicon layer 103 by a diffusion furnace using the insulating film as a mask. Thereafter, simultaneously with the formation of the piezoresistors R1x to R4x, R1y to R4y, and Rz1 to R4z by the diffusion of the p-type impurity, a silicon oxide film having a third predetermined thickness is formed on the exposed silicon layer 103 surface. The silicon oxide film formed at the time of diffusion and the insulating film constitute a protective film made of a silicon oxide film. As process conditions in this step, for example, the processing temperature (diffusion temperature) is set to 1100 ° C., the processing time (diffusion time) is set to 30 minutes, and the atmosphere in the processing furnace (diffusion furnace) is changed to water vapor and oxygen. As a mixed gas. Further, the p-type impurity may be introduced into the silicon layer 103 by ion implantation. In addition,In this reference exampleAlthough the protective film is formed of a silicon oxide film, the protective film may be formed of a silicon oxide film and a silicon nitride film stacked on the silicon oxide film.
[0042]
  Subsequently, after forming a contact hole in the protective film and forming the metal wiring and the pad electrically connected to the diffusion layer wiring through the contact hole, the frame portion 11 and each bending portion in the SOI substrate 100 are formed. 13 and the portion corresponding to the slit 14 and the bent portion 13 are dry-etched vertically to the depth reaching the buried oxide film 102 from the back surface side, using the buried oxide film 102 as an etching stopper layer so that a portion corresponding to 13 and the weight portion 12 remains. By performing the back surface side patterning step, the structure shown in FIG. 4C and FIG. 5C is obtained. For example, a resist may be used as an etching mask in the back side patterning step, and an inductively coupled plasma type dry etching apparatus may be used as an etching apparatus, for example.
[0043]
  After the back side patterning step, both ends of portions corresponding to the respective flexures 13 are etched by etching a part of the support substrate 101 in the SOI substrate 100 by wet anisotropic etching using the buried oxide film as an etching stopper layer. By performing a taper etching process in which an inclined surface is formed on the back surface side of the portion so that the thickness dimension increases toward the both ends, the structure shown in FIGS. 4D and 5D is obtained. In this taper etching process, the silicon oxide film on the back surface side of the SOI substrate 100 and the protective film on the front surface side are used as masks. However, the pad and the metal wiring formed on the surface side of the SOI substrate 100 are used as masks. It is necessary to use an etchant that does not erode. Here, TMAH is used as the etchant. However, the etchant used for the taper etching process is not limited to TMAH, and the support substrate 101 can be anisotropically etched using the crystal orientation dependence of the etching rate, and the etching selectivity with respect to the buried oxide film 102 A solution other than TMAH may be used as long as the solution is large and does not erode the pad and the metal wiring.
[0044]
  After the taper etching process, the SOI substrate 100 is buried and oxidized from the surface side by using the buried oxide film 102 as an etching stopper layer so that portions corresponding to the frame portion 11, the flexible portions 13, and the weight portion 12 remain in the SOI substrate 100. A surface-side patterning process is performed to etch to a depth reaching the film 102, and after the surface-side patterning process, the exposed portion of the buried oxide film 102 is removed by etching with hydrofluoric acid or the like to form the separation slit 14. By performing the separation etching step, the weight portion 12 is separated from the frame portion 11 and is supported by the four bending portions 13, thereby obtaining the structures shown in FIGS. 4 (e) and 5 (e). Here, for example, a resist may be used as the etching mask in the surface side patterning step, and an inductively coupled plasma type dry etching apparatus may be used as the etching apparatus, for example.
[0045]
  4 (f) and FIG. 5 (f) by performing the joining process of anodically bonding the glass cover 2 in which the recess 2a is formed in advance on the back side of the sensor body 1 after the above-described separation etching process. ) Is obtained. In the joining step, the sensor body 1 and the cover 2 are overlapped, and the sensor body 1 is heated to a predetermined temperature (for example, 400 ° C.), the sensor body 1 is set to the positive electrode side, and the cover 2 is set to the negative electrode side. The sensor body 1 and the cover 2 are anodically bonded by applying a DC voltage (for example, 600 V). Also,In this reference exampleUses Pyrex (registered trademark) as the cover 2, but the cover 2 may be made of any material that can be bonded to the sensor body 1 by anodic bonding or eutectic bonding. You may comprise by a board | substrate. Further, plastic or the like may be used as the cover 2.
[0046]
  According to the manufacturing method described above, the width dimension of each bent portion 13 is used in each of the back surface side patterning step and the front surface side patterning step so that the width dimension increases as the distance from the main weight portion 12a of the weight portion 12 increases toward the frame portion 11. By designing the mask pattern, the end portion 13a on the frame portion 11 side of each bent portion 13 can be formed in a shape in which the width dimension increases as the distance from the weight portion 12 approaches the frame portion 11, A semiconductor multi-axis acceleration sensor with excellent temperature characteristics can be provided.
[0047]
  Further, according to the manufacturing method described above, by performing the taper etching process after the back surface side patterning process, the thickness dimension gradually increases toward the frame part 11 at the end part 13a on the frame part 11 side in each of the bent parts 13. Since the thickness dimension gradually increases at the end portion 13b on the weight portion 12 side as the weight portion 12 is approached, the rigidity of both end portions 13a and 13b in the longitudinal direction of each bent portion 13 can be increased. A semiconductor multi-axis acceleration sensor having excellent temperature characteristics related to the output value of each bridge circuit can be provided.
[0048]
  In the above-described manufacturing method, the buried oxide film 102 is used as an etching stopper layer when performing the back surface side patterning step, so that the thickness dimension of each bent portion 13 can be managed with high accuracy. Thus, the yield can be improved, and as a result, the cost can be reduced. Further, when forming the weight portion 12, the portion corresponding to the slit 14 and the bent portion 13 in the SOI substrate 100 is etched vertically from the back surface side until reaching the buried oxide film 102 by an inductively coupled plasma type dry etching apparatus. Therefore, compared to the conventional case where the weight portion 12 is formed using anisotropic etching of silicon using an alkaline solution such as KOH, the outer peripheral surface of the weight portion 12 and the inner periphery of the frame portion 11 are formed. Since the distance between the surface and the surface can be reduced, the sensor body 1 can be downsized, and the sensor chip including the cover 2 can be downsized. In addition, by performing wet anisotropic etching in the surface side patterning process without performing the above-described taper etching process, each part of the support substrate 101 made of a silicon substrate is etched simultaneously with the etching of the silicon layer 103. The number of steps can be reduced by forming an inclined surface whose thickness dimension increases as it approaches the both ends on the back surface side of both end portions 13a, 13b of the portions corresponding to the respective bending portions 13.
[0049]
  By the way, in the sensor main body 1 shown in FIG. 1 described above, both end portions 13a and 13b in the longitudinal direction of the respective bending portions 13 are formed in such a shape that the thickness gradually increases toward the both ends. As shown in FIG. 6, each bending portion 13 may be formed in a shape in which the thickness dimension is constant (the thickness of the bending portion 13 is uniform), and the sensor body 1 having such a structure is employed. Thus, the taper etching process in the above manufacturing method can be eliminated, and thus the manufacturing cost can be reduced by reducing the number of processes and improving the yield.
[0050]
  Further, in the sensor main body 1 shown in FIG. 1 described above, each bending portion 13 is formed in a long and narrow rectangular shape as shown in FIG. 2 in the cross section perpendicular to the longitudinal direction. For example, a trapezoidal shape as shown in FIG. 7 may be used, and as shown in FIG. 8, both side edges (left and right side edges in FIG. 8) in the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction are recessed in a direction approaching each other. It is good also as a shape which becomes. When the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of each bending portion 13 is formed as shown in FIG. 7, the rigidity on the front surface side of each bending portion 13 can be increased as compared with the rigidity on the back surface side. The bending of each bending portion 13 due to stress can be suppressed. Moreover, when the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of each bending part 13 is made into a shape as shown in FIG. 8, the area of each side surface of each bending part 13 can be enlarged, The bending of the bending part 13 can be suppressed. Here, when the thickness of the bending portion 13 is uniform and the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of the bending portion 13 is a shape as shown in FIG. 8, the thickness dimension of the bending portion 13 is t, If the length is t ′,
t ′ = 2π × (t / 2) × (1/2) = (π / 2) × t
Therefore, the area of each side surface of the flexure 13 is approximately 1.5 times that of the cross-sectional shape of FIG.
[0051]
  In addition, when the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of each bending part 13 is set to a shape as shown in FIG. 7, in the manufacturing method described with reference to FIG. 4 and FIG. If the silicon layer 103 is etched by wet anisotropic etching in the process, a portion corresponding to the frame portion 11, each flexure portion 13, and the weight portion 12 remains in the SOI substrate 100 in the surface side patterning step. The silicon layer 103 of the SOI substrate 100 is etched by wet anisotropic etching from the surface side to the depth reaching the buried oxide film 102 using the buried oxide film 102 as an etching stopper layer. The cross-sectional shape of each part corresponding to the part 13 can be trapezoidal, and after the surface side patterning step Since the exposed portion of the buried oxide film 102 is removed by etching, the frame portion 11 and the weight portion 12 can be separated while keeping the cross-sectional shape of each flexible portion 13 trapezoidal. An excellent semiconductor acceleration sensor can be provided. In the front surface side patterning step, the silicon oxide film on the back surface side of the SOI substrate 100 and the protective film on the front surface side are used as masks. However, the pad and the metal wiring formed on the front surface side of the SOI substrate 100 are used. It is necessary to use an etchant that does not erode, and TMAH is used as the etchant. However, the etching solution used in this surface side patterning step is not limited to TMAH, and the silicon layer 103 can be anisotropically etched by utilizing the crystal orientation dependency of the etching rate, and etching with the buried oxide film 102 is possible. A solution other than TMAH may be used as long as the selectivity is high and the solution does not erode the pad and the metal wiring.
[0052]
  Further, when the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of each flexure 13 is set to the shape as shown in FIG. 8, in the manufacturing method described with reference to FIG. 4 and FIG. If the silicon layer 103 is etched by wet isotropic etching in the process, a portion corresponding to the frame part 11, each bending part 13, and the weight part 12 remains in the SOI substrate 100 in the surface side patterning process. Using the buried oxide film 102 as an etching stopper layer, the silicon layer 103 of the SOI substrate 100 is etched by wet isotropic etching from the surface side to a depth reaching the buried oxide film 102, whereby the longitudinal direction of each flexure 13 is obtained. Can be formed in a circular arc shape in which both side edges in a cross-sectional shape orthogonal to The exposed portion of the buried oxide film 102 is removed by etching after the etching process, thereby forming an arc shape in which both side edges in the cross-sectional shape orthogonal to the longitudinal direction of each flexible portion 13 are recessed toward each other. Therefore, a semiconductor acceleration sensor having excellent temperature characteristics can be provided. In the surface-side patterning step here, a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid and acetic acid is used as an etching solution, but the etching solution is not particularly limited to this mixed solution. Further, instead of performing wet isotropic etching in the surface side patterning step, dry isotropic etching such as plasma etching may be performed.
[0053]
  (Reference Example 2)
  Of this reference exampleThe basic configuration of a semiconductor multi-axis acceleration sensor is shown in FIG.Reference Example 1As shown in FIG. 9, the shape of each bending portion 13 is different. Further, since the width of the slit 14 is set to be substantially constant, the planar shape of the additional weight portion 12b in the weight portion 12 is set.Reference example 1Is different. In additionReference example 1The same components as those in FIG.
[0054]
  Here, the width dimension of each bent portion 13 gradually increases from the approximate center in the longitudinal direction toward the frame portion 11, and the width dimension is uniform from the approximate center to the main weight portion 12 a of the weight portion 12. The points formed in such a shape are explained in FIG.Reference Example 1Is different.
[0055]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the width dimension of each bent portion 13 in the vicinity of the main weight portion 12a.Example 1Therefore, it is possible to increase the detection sensitivity of each of the acceleration in the x-axis direction and the acceleration in the y-axis direction. In addition, the shape in which at least one of the width dimension and the thickness dimension increases as the distance from the main weight portion 12a of the weight portion 12 toward the frame portion 11 is reached only by the end portion 13a on the frame portion 11 side in each of the bent portions 13. Compared to the case where the weight portion 12 is formed, the displacement of the weight portion 12 due to the thermal stress transmitted from the frame portion 11 to each bending portion 13 can be further reduced, and the temperature characteristics can be improved.
[0056]
  In addition,Of this reference exampleManufacturing method of sensor chip in semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1Since this is the same as the manufacturing method described in, description is omitted. Also,In this reference exampleIs formed in a shape in which only the width dimension increases as it approaches the frame part 11 from the approximate center in the longitudinal direction with respect to each bending part 13, but the thickness dimension also approaches the frame part 11 from the approximate center in the longitudinal direction. It may be formed in a shape that gradually increases, or it may be formed in a shape in which only one of the width dimension and the thickness dimension is increased, and both the width dimension and the thickness dimension are increased. By setting it as such a shape, the rigidity of the edge part 13a by the side of the frame part 11 in each bending part 13 can be improved more. Also,In this reference exampleAnywayReference example 1The structure shown in FIGS. 6 to 8 described in FIG.
[0057]
  (Reference Example 3)
  Of this reference exampleThe basic configuration of a semiconductor multi-axis acceleration sensor is shown in FIG.Reference Example 1As shown in FIG. 10, the shape of each bending portion 13 is different. Further, since the width of the slit 14 is set to be substantially constant, the planar shape of the additional weight portion 12b in the weight portion 12 is set.Reference example 1Is different. In additionReference example 1The same components as those in FIG.
[0058]
  Here, as for each bent portion 13, the width dimension gradually increases as the end portion 13a on the frame portion 11 side in the longitudinal direction approaches the frame portion 11, and the width dimension does not exist in the portion excluding the end portion 13a. The point that it is formed in a uniform shape is explained in FIG.Reference Example 1Is different.
[0059]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the width dimension of each bent portion 13 in the vicinity of the main weight portion 12a.Example 1Therefore, it is possible to increase the detection sensitivity of each of the acceleration in the x-axis direction and the acceleration in the y-axis direction. Further, since both side surfaces of the end portion 13a on the frame portion 11 side in each bending portion 13 are formed into curved surfaces.Reference example 1AndAnd Reference Example 2In contrast, when an excessive acceleration is applied, the stress concentration at the end portion 13a on the frame portion 11 side in each bent portion 13 can be relaxed, and the impact resistance is improved.
[0060]
  In addition,Of this reference exampleManufacturing method of sensor chip in semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1Since this is the same as the manufacturing method described in, description is omitted. Also,In this reference exampleIn each of the bent portions 13, only the both side surfaces of the end portion 13a on the frame portion 11 side are curved surfaces, but one surface (back surface) in the thickness direction may be curved, or both side surfaces in the width direction and one surface in the thickness direction. It may be formed in a shape that only one of the two becomes a curved surface, and by making a shape in which both the side surfaces in the width direction and one surface in the thickness direction are curved surfaces, the impact resistance is further improved. Can be increased. Also,In this reference exampleAnywayReference example 1The structure shown in FIGS. 6 to 8 described in FIG.
[0061]
  (Reference Example 4)
  Of this reference exampleBasic configuration of semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1As shown in FIG. 11, the shape of each bending portion 13 is different. Further, since the width of the slit 14 is set to be substantially constant, the planar shape of the additional weight portion 12b in the weight portion 12 is set.Reference example 1Is different. In additionReference example 1The same components as those in FIG.
[0062]
  Here, the width dimension of each bent portion 13 gradually increases as the end portion 13b on the weight portion 12 side (main weight portion 12a side) in the longitudinal direction approaches the weight portion 12 (main weight portion 12a). The points formed in such a shape are explained in FIG.Reference Example 1Is different.
[0063]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the width dimension of each bent portion 13 in the vicinity of the main weight portion 12a.Example 1Therefore, the temperature characteristics of the output values of the first bridge circuit for detecting the acceleration in the x-axis direction and the second bridge circuit for detecting the acceleration in the y-axis direction can be increased. Can be stabilized.
[0064]
  In addition,Of this reference exampleManufacturing method of sensor chip in semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1This is the same as the manufacturing method described above, and the mask pattern used in each of the back-side patterning step and the front-side patterning step is only slightly changed, so that the description thereof is omitted. Also,In this reference exampleAnywayReference example 1The structure shown in FIGS. 6 to 8 described in FIG.
[0065]
  (Reference Example 5)
  Of this reference exampleBasic configuration of semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 2As shown in FIG. 12, the shape of each bending portion 13 is different. Further, since the width of the slit 14 is set to be substantially constant, the planar shape of the additional weight portion 12b in the weight portion 12 is set.Reference example 2Is different. In additionReference example 2The same components as those in FIG.
[0066]
  Here, the width dimension of each bent portion 13 gradually increases as the end portion 13b on the weight portion 12 side (main weight portion 12a side) in the longitudinal direction approaches the weight portion 12 (main weight portion 12a). The points formed in such a shape are explained in FIG.Reference Example 2Is different.
[0067]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the width dimension of each bent portion 13 in the vicinity of the main weight portion 12a.Example 2Therefore, the temperature characteristics of the output values of the first bridge circuit for detecting the acceleration in the x-axis direction and the second bridge circuit for detecting the acceleration in the y-axis direction can be increased. Can be stabilized.
[0068]
  In addition,Of this reference exampleManufacturing method of sensor chip in semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1This is the same as the manufacturing method described above, and the mask pattern used in each of the back-side patterning step and the front-side patterning step is only slightly changed, so that the description thereof is omitted. Also,In this reference exampleAnywayReference example 1The structure shown in FIGS. 6 to 8 described in FIG.
[0069]
  (Reference Example 6)
  Of this reference exampleBasic configuration of semiconductor multi-axis acceleration sensorExample 3As shown in FIG. 13, the shape of each bending portion 13 is different. Further, since the width of the slit 14 is set to be substantially constant, the planar shape of the additional weight portion 12b in the weight portion 12 is set.Example 3Is different. In additionReference Example 3The same components as those in FIG.
[0070]
  Here, the width dimension of each bent portion 13 gradually increases as the end portion 13b on the weight portion 12 side (main weight portion 12a side) in the longitudinal direction approaches the weight portion 12 (main weight portion 12a). The points formed in such a shape are explained in FIG.Reference Example 3Is different.
[0071]
  ButOf this reference exampleIn the semiconductor multi-axis acceleration sensor, the width dimension of each bent portion 13 in the vicinity of the main weight portion 12a.Example 3Therefore, the temperature characteristics of the output values of the first bridge circuit for detecting the acceleration in the x-axis direction and the second bridge circuit for detecting the acceleration in the y-axis direction can be increased. Can be stabilized. In addition, since both side surfaces of the end portion 13b on the weight portion 12 side in each bending portion 13 are formed into curved surfaces.Reference Example 5In contrast, when an excessive acceleration is applied, the stress concentration at the end portion 13b on the weight portion 12 side in each bent portion 13 can be relaxed, and the impact resistance is improved.
[0072]
  In addition,Of this reference exampleManufacturing method of semiconductor multi-axis acceleration sensorIs Reference Example 1This is the same as the manufacturing method described above, and the mask pattern used in each of the back-side patterning step and the front-side patterning step is only slightly changed, so that the description thereof is omitted. Also,In this reference exampleAnywayReference example 1The structure shown in FIGS. 6 to 8 described in FIG.
[0073]
  (Execution formstate)
  Basic configuration of the semiconductor multi-axis acceleration sensor of this embodimentIs Reference Example 1As shown in FIG. 14, each bending portion 13 in the sensor body 1 has a shape in which the thickness dimension increases as the distance from the weight portion 12 (main weight portion 12 a) approaches the frame portion 11. The difference is that they are formed. AlsoReference example 1However, in this embodiment, the sensor body 1 is formed by using the silicon substrate 200 (see FIG. 15A). Other configurationsIs Reference Example 1Since it is the same as that of FIG. The surface of the silicon substrate 200 is a (100) plane.
[0074]
  Thus, in the semiconductor multi-axis acceleration sensor of the present embodiment, the displacement of the weight portion 12 due to the thermal stress transmitted from the frame portion 11 to each bending portion 13 can be further reduced, and thus the temperature characteristics are further improved. be able to.
[0075]
  Manufacturing method of sensor chip in semiconductor multi-axis acceleration sensor of this embodimentIs Reference Example 1Since the forming method of the bending portion 13 is different from the manufacturing method described in the above, the forming method of the bending portion 13 shown in FIG. 14 will be described below with reference to FIG.
[0076]
  First, a positive resist is applied to the back surface (upper surface of FIG. 15A) side of the silicon substrate 200 as shown in FIG. Get the structure shown.
[0077]
  Thereafter, the resist layer 31 is exposed using an exposure photomask 32 as shown in FIG. A photomask used in a general photolithography process includes a light blocking region that blocks light and a light transmitting region that transmits light. The photomask 32 used in this embodiment corresponds to the frame portion 11 in the silicon substrate 200. The light blocking region 32a (hereinafter referred to as the first light blocking region 32a) is provided in the portion to be lighted, the light blocking region 32b (hereinafter referred to as the second light blocking region 32b) is provided in the portion corresponding to the weight portion 12, and the bent portion 13. A light transmission region 32c having a light transmittance distribution is formed in a portion corresponding to the light transmission region 32c, and the light transmittance of the light transmission region 32c approaches the second light blocking region 32b side from the first light blocking region 32a side. It is characterized by the fact that it is gradually increased with time (in short, the light transmission region 32c in this embodiment is a graded light transmission region). The arrow in FIG. 15C schematically shows light from the light source for exposure, and the tip of each arrow indicates the arrival position of the light.
[0078]
  After the resist layer 31 is exposed using the photomask 32, the resist layer 31 is developed to form a patterned resist layer 31, thereby obtaining the structure shown in FIG. In this embodiment, the resist layer 31 patterned as shown in FIG. 15D constitutes a mask material layer, and the thickness dimension overlaps with the portion corresponding to the frame portion 11 on the back surface side of the silicon substrate 200. The first protective mask portion 31a and the portion corresponding to the weight portion 12 which are set uniformly are overlapped with the portions corresponding to the second protective mask portion 31b and the respective bent portions 13 where the thickness dimension is set uniformly. And an inclined transfer mask portion 31c set so that the thickness dimension gradually increases as the distance from the second protective mask portion 31b increases and the first protective mask portion 31a is approached.
[0079]
  After performing the mask material layer forming step of forming the mask material layer composed of the patterned resist layer 31 described above, the inclined transfer of the resist layer 31 is performed from the back surface side of the silicon substrate 200 using, for example, an inductively coupled plasma etching apparatus. The dry etching is performed until the mask portion 31 is used, and then the resist layer 31 is removed to obtain a structure as shown in FIG. In the present embodiment, the dry etching process is performed by etching the silicon substrate 200 with the first protective mask portion 31a and the second protective mask portion 31b remaining and the inclined transfer mask portion 31c removed. Thus, a transfer process for performing etching is performed.
[0080]
  Next, a resist layer 33 patterned to etch the silicon substrate 200 is formed so that the portions corresponding to the weight portion 12 and the frame portion 11 remain, and the portions corresponding to the respective bent portions 13 have a desired thickness. Thus, after obtaining the structure shown in FIG. 15 (f), the silicon substrate 200 is formed so that the portions corresponding to the weight portion 12 and the frame portion 11 remain and the portions corresponding to the respective bending portions 13 have a desired thickness. A back surface side patterning step of dry etching from the back surface side is performed, and then the resist layer 33 is removed, whereby the thickness dimension gradually increases from the main weight portion 12a side to the frame portion 11 side as shown in FIG. The bending part 13 which becomes can be formed.
[0081]
  Thus, according to the above-described manufacturing method, after the mask material layer is formed on the back surface side of the silicon substrate 200, etching is performed until the inclined transfer mask portion 31c of the mask material layer disappears, whereby each bent portion 13 is formed. Since the corresponding portion is formed in such a shape that the thickness dimension increases as it moves away from the weight portion 12 and approaches the frame portion 11, the rigidity of the end portion 13a on the frame portion 11 side in each bent portion 13 can be increased. A semiconductor acceleration sensor having excellent temperature characteristics can be provided. Moreover, if each bending part 13 is formed in the shape where thickness dimension becomes large so that it leaves | separates from the weight part 12 and the frame part 11 is approached, the above-mentionedReference Examples 1-6The structure of the bending portion 13 described in (1) may be applied as appropriate.
[0082]
  In addition,Each of the above reference examples and aboveIn the embodiment, the semiconductor acceleration sensor that detects three-axis acceleration in the x-axis direction, the y-axis direction, and the z-axis direction is exemplified. However, the semiconductor acceleration sensor that detects biaxial acceleration and the semiconductor acceleration that detects single-axis acceleration. Of course, the technical idea of the present invention can be applied to the sensor.
[0083]
【The invention's effect】
  In the invention of claim 1, as compared with a double-supported beam type semiconductor acceleration sensor in which the thickness dimension and the width dimension are uniformly formed over the entire longitudinal direction as in the prior art, The rigidity of the end on the frame part side can be increased (that is, the spring coefficient can be increased), and the displacement of the weight part due to the thermal stress transmitted from the frame part to each bending part can be reduced. Therefore, there is an effect that it is possible to improve the temperature characteristics, and it is also possible to suppress the occurrence of characteristic fluctuations and hysteresis characteristics over time..
[0084]
  In addition,Claim1In the invention ofTheLame clubEachDue to thermal stress transmitted to the flexureHeavySince the displacement of the groove portion can be further reduced, there is an effect that the temperature characteristics can be further improved..
[0085]
  ContractClaim2In this invention, a semiconductor acceleration sensor having excellent temperature characteristics can be provided.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]Reference example 12A is a schematic plan view, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 1A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another configuration example of the sensor body in the same as above.
FIG. 4 is a main process sectional view for explaining the manufacturing method of the sensor chip in the same as above.
FIG. 5 is a cross-sectional view of main processes for explaining the method of manufacturing the sensor chip in the same as above.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of another configuration example of the sensor main body.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a main part of still another configuration example of the sensor main body.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a main part of still another configuration example of the sensor main body.
FIG. 9Reference example 22A is a schematic plan view, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 1A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG.
FIG. 10Reference example 3It is a schematic plan view of the sensor chip in FIG.
FIG. 11Reference example 4It is a schematic plan view of the sensor chip in FIG.
FIG.Reference Example 5It is a schematic plan view of the sensor chip in FIG.
FIG. 13Reference Example 6It is a schematic plan view of the sensor chip in FIG.
FIG. 14 EmbodimentStateIt is a schematic sectional drawing of the sensor main body in it.
FIG. 15 is a sectional view of the main steps for explaining the manufacturing method described above.
FIG. 16 is a schematic perspective view, partly broken, of a semiconductor multi-axis acceleration sensor showing a conventional example.
[Explanation of symbols]
  1 Sensor body
  2 Cover
  11 Frame part
  12 Weight part
  12a Main weight part
  12b Additional weight section
  13 Deflection part
  14 Slit
  R1x to R4x piezoresistors
  R1y ~ R4y Piezoresistor
  R1z to R4z Piezoresistor

Claims (2)

枠状のフレーム部の内側に配置した重り部が重り部を挟んで配置された少なくとも１組の撓み部を介してフレーム部に支持され、フレーム部に対する重り部の変位により撓み部に生じるひずみによって抵抗率の変化する抵抗体が撓み部に形成されたセンサ本体を備えた半導体加速度センサであって、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部が、重り部から離れてフレーム部に近づくほど幅寸法と厚み寸法との両方が大きくなるような形状に形成されてなり、各撓み部は、重り部からフレーム部にかけて厚み寸法が徐々に大きくなる形状に形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。The weight portion arranged inside the frame-shaped frame portion is supported by the frame portion via at least one set of bending portions arranged with the weight portion interposed therebetween, and is caused by strain generated in the bending portion due to the displacement of the weight portion with respect to the frame portion. A semiconductor acceleration sensor including a sensor body in which a resistor whose resistivity changes is formed in a bent portion, and the width of the end on the frame portion side in each bent portion is closer to the frame portion away from the weight portion. A semiconductor acceleration characterized in that both the dimension and the thickness dimension are formed in a shape that increases, and each bending portion is formed in a shape in which the thickness dimension gradually increases from the weight portion to the frame portion. Sensor. 請求項１記載の半導体加速度センサの製造方法であって、シリコン基板の裏面側において前記フレーム部に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第１の保護マスク部と前記重り部に対応する部位に重なり厚み寸法が一様に設定された第２の保護マスク部と前記各撓み部それぞれに対応する部位に重なり第２の保護マスク部から離れ第１の保護マスク部に近づくにつれて厚み寸法が徐々に大きくなるように設定された傾斜転写用マスク部とを有するマスク材層を形成するマスク材層形成工程と、マスク材層形成工程の後で第１の保護マスク部および第２の保護マスク部が残り傾斜転写用マスク部がなくなってシリコン基板の一部がエッチングされるようにエッチングを行う転写工程と、転写工程の後で前記重り部および前記フレーム部に対応する部分が残り前記各撓み部に対応する部分が所望の厚さになるようにシリコン基板を裏面側からドライエッチングする裏面側パターニング工程と、裏面側パターニング工程の後でシリコン基板において前記フレーム部および前記各撓み部および前記重り部に対応する部分が残るようにシリコン基板を表面側からエッチングする表面側パターニング工程とを備えることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。  The method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the first protective mask portion and the weight portion each having a uniform thickness dimension overlapped with a portion corresponding to the frame portion on the back surface side of the silicon substrate. The thickness of the second protective mask portion that overlaps the corresponding portion and the portion that corresponds to each of the flexure portions and the second protective mask portion that is set to have a uniform thickness dimension, moves away from the second protective mask portion, and approaches the first protective mask portion. A mask material layer forming step for forming a mask material layer having an inclined transfer mask portion set so that the size is gradually increased; and a first protective mask portion and a second mask material layer forming step after the mask material layer forming step. A transfer step of performing etching so that the protective mask portion remains and the inclined transfer mask portion disappears and a part of the silicon substrate is etched; and after the transfer step, the weight portion and the frame portion are etched. A backside patterning step in which the silicon substrate is dry-etched from the backside so that a portion corresponding to each portion remains and a portion corresponding to each of the bent portions has a desired thickness, and the backside patterning step in the silicon substrate after the backside patterning step A method of manufacturing a semiconductor acceleration sensor, comprising: a surface side patterning step of etching a silicon substrate from the surface side so that a portion corresponding to the frame portion, each of the bent portions, and the weight portion remains.
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