JP4172150B2 - 不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 - Google Patents
不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4172150B2 JP4172150B2 JP2000399725A JP2000399725A JP4172150B2 JP 4172150 B2 JP4172150 B2 JP 4172150B2 JP 2000399725 A JP2000399725 A JP 2000399725A JP 2000399725 A JP2000399725 A JP 2000399725A JP 4172150 B2 JP4172150 B2 JP 4172150B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder balls
- inert gas
- manufacturing
- solder ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 18
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、従来と比べて少ない工程で製造することのできる不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、エリアアレイ型半導体パッケージの内でもＢＧＡ型と呼ばれる形式のパッケージが多く採用されており、このＢＧＡ型パッケージは外側にはハンダバンプが格子状に並んでいるのが特徴である。この格子状に並んでいるハンダバンプは、Ｓｎ：１〜６５質量％を含有し残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成のＰｂ−Ｓｎ系ハンダボールまたはＳｎおよびＩｎの合計量が１〜６５質量％含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成のＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダハンダボールを吸着して基板上に格子状に並べ、次いで接合させることにより形成される。
これらハンダボールは、ハンダ線を所定の長さに切断したのち、ハンダ溶融温度以上に加熱した油中に入れ、冷却後、ハンダボールとして回収する方法、または溶融ハンダを底に微小系の穴の明いた坩堝にから油中に落下させて固める液滴法により製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
これら従来のハンダボールの製造方法は、いずれも油中のハンダボールを油中から回収し、洗浄および乾燥するが、この洗浄及び乾燥の工程でハンダボール同士の接触によりハンダボールの表面に傷がつきやすく、また洗浄工程で使用する設備の他に洗浄液を廃棄するための処理設備をも必要とするなど設備費がかかり、したがって量産には適しているものの特殊な寸法を有するハンダボールを少量生産する場合にはコスト的に高価なものとなる。
また、ハンダボールの凝固にはシリコンオイルなどの油を使用するが、劣化した油の処理も多くの問題を含んでいる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、かかる課題を解決すべく研究を行った結果、
（ａ）溶融ハンダの液滴を不活性ガス流に逆らって不活性ガス流中を落下させ冷却させることによりハンダボールが得られ、この方法は油を使用する工程が無いところから洗浄および乾燥の工程を省略することができ、これら工程の省略により製造コストを削減することができ、さらにこれら工程の省略により得られるハンダボールの表面傷の発生を少なくすることができる、
（ｂ）引け巣を発生させることなくハンダボールを製造するには、溶融ハンダの液滴を、溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に保たれた不活性ガス流に逆らって不活性ガス流中を落下させることが必要である、という研究結果が得られたのである。
【０００５】
この発明は、かかる研究結果にもとづいてなされたものであって、
（１）溶融ハンダの液滴を、溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に保たれた不活性ガス流中を不活性ガス流に逆らって落下させる不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００６】
溶融ハンダの液滴を通過させる不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に限定したのは、不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から５０℃低い温度よりもさらに低い温度にすると、溶融ハンダの液滴が凝固する際に引け巣が発生するので好ましくなく、一方、不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から１０℃未満低い温度である溶融ハンダの凝固温度に近い温度にすると凝固速度が遅くなり、溶融ハンダの液滴の表面がなかなか固まらないために表面硬度が得られず、そのために変形しやすくなるという理由によるものである。
また、溶融ハンダの液滴を不活性ガス流に逆らって落下させるのは、不活性ガス中を自然落下させると、冷却塔の高さを高くしなければならず、コストがかかるためである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法およびその方法を実施するための装置を図１の断面図に基づいて詳述する。図１において、１は容器、２は坩堝、３は溶融ハンダ、４はハンダボール、５は冷却塔、６は液滴ハンダ、７は坩堝の底に設けられた穴、１３は受皿である。冷却塔５には不活性ガス１１を導入する供給口９および不活性ガス１１を排出する排出口８が設けられており、供給口９にはホース１２が接続されており、不活性ガス１１はホース１２により冷却塔５に供給できるようになっている。冷却塔５は高さ：５００〜６００ｍｍ、直径：１００ｍｍ、肉厚：２〜３ｍｍの寸法を有するガラス製の冷却塔が好ましい。容器１内部の不活性ガス雰囲気の圧力は安全弁１０により一定に保たれている。
【０００８】
この装置を用いて不良ハンダボール発生率が少なくなるようにハンダボールを製造するには、まず、容器１内に設置された冷却塔５にハンダの凝固温度より１０〜５０℃低い温度に加熱された不活性ガス１１をホース１２を介して供給し続け、冷却塔５内に上昇する不活性ガス流を形成し、さらに容器１内を不活性ガス雰囲気に保持する。不活性ガス１１はＡｒガスでも良いがコスト面から見て窒素ガスが最も好ましい。
【０００９】
かかる状態で坩堝２内に溶融ハンダ３を装入し、溶融ハンダ３の表面に圧力をかけて坩堝２の底に形成された穴７から溶融ハンダを液滴状に滴下させて液滴ハンダ６を形成させ、冷却塔５内を落下させる。液滴ハンダ６は冷却塔５内の不活性ガス流に逆らって落下し受皿１３に到達する前に凝固してハンダボール４となり、受皿１３の中に貯まる。このようにして製造したハンダボールは、ただちに所定のサイズに分級して製品とすることができる。液滴ハンダ６は不活性ガス流に逆らって落下する途中で急冷され、ハンダボールとなる。
【００１０】
この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法は、従来の液滴法に比べて洗浄および乾燥の工程を省略することができ、工程数が少ない分だけハンダボール表面の傷、凹み、および変形が少なくなる。
【００１１】
実施例１〜４
図１に示される容器内に高さ：５５０ｍｍ、直径：１００ｍｍ、肉厚：２ｍｍの寸法を有するガラス製の冷却塔を設置し、表１に示される組成のＰｂ−Ｓｎ系ハンダおよびＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダのそれぞれの凝固温度より３０℃低い表１に示される温度に加熱されたガス圧：５ＰＳＩの窒素ガスを冷却塔内に供給して冷却塔内を上昇する窒素ガス流を形成し、この状態で表１に示される組成の溶融ハンダを坩堝内に装入し、溶融ハンダの表面に圧力をかけて坩堝の底に形成された直径：１５０μｍの穴から溶融ハンダを液滴状に滴下させて冷却塔内を落下させた。液滴ハンダは冷却塔内の不活性ガス流に逆らって落下し受皿に到達する前に凝固してハンダボールとなり、受皿の中に貯まっていた。このようにして製造したハンダボールを分級して直径：３００μｍのハンダボールを製造した。このようにして得られたハンダボール１０００００個をサンプルとして取り出し、これを４０倍の光学顕微鏡にて観察し、表面に傷のあるボール、へこみのあるボールおよび変形したボールの数を測定し、不良ハンダボール発生率を求めてその結果を表１に示した。
【００１２】
従来例１〜４
実施例１〜４で用意したＰｂ−Ｓｎ系ハンダおよびＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダの溶湯を通常の液滴法によりシリコンオイルに落下させ、シリコンオイル中にて強制冷却させ、ハンダボールを作製し、脱脂のための洗浄および乾燥させた後、ただちに分級して製品とした。このようにして得られたハンダボール１０００００個をサンプルとして取り出し、これを４０倍の光学顕微鏡にて観察し、表面に傷のあるボール、へこみのあるボールおよび変形したボールの数を測定し、不良ハンダボール発生率を求めてその結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
表１に示される結果から、この発明の製造方法を実施した実施例１〜４で得られたハンダボールは、従来の製造方法を実施した従来例１〜４で得られたハンダボールに比べて不良ハンダボール発生率が格段に少ないことが分かる。
【００１５】
【発明の効果】
上述のように、この発明のハンダボールの製造方法は、従来のハンダボールの製造方法に比べて不良品発生率が減少してコストを低減することができ、産業上優れた効果をもたらすものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法を実施するための装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 容器
２ 坩堝
３ 溶融ハンダ
４ ハンダボール
５ 冷却塔
６ 液滴ハンダ
７ 穴
８ 排出口
９ 供給口
１３ 受皿
【産業上の利用分野】
この発明は、従来と比べて少ない工程で製造することのできる不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、エリアアレイ型半導体パッケージの内でもＢＧＡ型と呼ばれる形式のパッケージが多く採用されており、このＢＧＡ型パッケージは外側にはハンダバンプが格子状に並んでいるのが特徴である。この格子状に並んでいるハンダバンプは、Ｓｎ：１〜６５質量％を含有し残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成のＰｂ−Ｓｎ系ハンダボールまたはＳｎおよびＩｎの合計量が１〜６５質量％含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成のＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダハンダボールを吸着して基板上に格子状に並べ、次いで接合させることにより形成される。
これらハンダボールは、ハンダ線を所定の長さに切断したのち、ハンダ溶融温度以上に加熱した油中に入れ、冷却後、ハンダボールとして回収する方法、または溶融ハンダを底に微小系の穴の明いた坩堝にから油中に落下させて固める液滴法により製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
これら従来のハンダボールの製造方法は、いずれも油中のハンダボールを油中から回収し、洗浄および乾燥するが、この洗浄及び乾燥の工程でハンダボール同士の接触によりハンダボールの表面に傷がつきやすく、また洗浄工程で使用する設備の他に洗浄液を廃棄するための処理設備をも必要とするなど設備費がかかり、したがって量産には適しているものの特殊な寸法を有するハンダボールを少量生産する場合にはコスト的に高価なものとなる。
また、ハンダボールの凝固にはシリコンオイルなどの油を使用するが、劣化した油の処理も多くの問題を含んでいる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、かかる課題を解決すべく研究を行った結果、
（ａ）溶融ハンダの液滴を不活性ガス流に逆らって不活性ガス流中を落下させ冷却させることによりハンダボールが得られ、この方法は油を使用する工程が無いところから洗浄および乾燥の工程を省略することができ、これら工程の省略により製造コストを削減することができ、さらにこれら工程の省略により得られるハンダボールの表面傷の発生を少なくすることができる、
（ｂ）引け巣を発生させることなくハンダボールを製造するには、溶融ハンダの液滴を、溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に保たれた不活性ガス流に逆らって不活性ガス流中を落下させることが必要である、という研究結果が得られたのである。
【０００５】
この発明は、かかる研究結果にもとづいてなされたものであって、
（１）溶融ハンダの液滴を、溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に保たれた不活性ガス流中を不活性ガス流に逆らって落下させる不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００６】
溶融ハンダの液滴を通過させる不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に限定したのは、不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から５０℃低い温度よりもさらに低い温度にすると、溶融ハンダの液滴が凝固する際に引け巣が発生するので好ましくなく、一方、不活性ガス流の温度を溶融ハンダの凝固温度から１０℃未満低い温度である溶融ハンダの凝固温度に近い温度にすると凝固速度が遅くなり、溶融ハンダの液滴の表面がなかなか固まらないために表面硬度が得られず、そのために変形しやすくなるという理由によるものである。
また、溶融ハンダの液滴を不活性ガス流に逆らって落下させるのは、不活性ガス中を自然落下させると、冷却塔の高さを高くしなければならず、コストがかかるためである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法およびその方法を実施するための装置を図１の断面図に基づいて詳述する。図１において、１は容器、２は坩堝、３は溶融ハンダ、４はハンダボール、５は冷却塔、６は液滴ハンダ、７は坩堝の底に設けられた穴、１３は受皿である。冷却塔５には不活性ガス１１を導入する供給口９および不活性ガス１１を排出する排出口８が設けられており、供給口９にはホース１２が接続されており、不活性ガス１１はホース１２により冷却塔５に供給できるようになっている。冷却塔５は高さ：５００〜６００ｍｍ、直径：１００ｍｍ、肉厚：２〜３ｍｍの寸法を有するガラス製の冷却塔が好ましい。容器１内部の不活性ガス雰囲気の圧力は安全弁１０により一定に保たれている。
【０００８】
この装置を用いて不良ハンダボール発生率が少なくなるようにハンダボールを製造するには、まず、容器１内に設置された冷却塔５にハンダの凝固温度より１０〜５０℃低い温度に加熱された不活性ガス１１をホース１２を介して供給し続け、冷却塔５内に上昇する不活性ガス流を形成し、さらに容器１内を不活性ガス雰囲気に保持する。不活性ガス１１はＡｒガスでも良いがコスト面から見て窒素ガスが最も好ましい。
【０００９】
かかる状態で坩堝２内に溶融ハンダ３を装入し、溶融ハンダ３の表面に圧力をかけて坩堝２の底に形成された穴７から溶融ハンダを液滴状に滴下させて液滴ハンダ６を形成させ、冷却塔５内を落下させる。液滴ハンダ６は冷却塔５内の不活性ガス流に逆らって落下し受皿１３に到達する前に凝固してハンダボール４となり、受皿１３の中に貯まる。このようにして製造したハンダボールは、ただちに所定のサイズに分級して製品とすることができる。液滴ハンダ６は不活性ガス流に逆らって落下する途中で急冷され、ハンダボールとなる。
【００１０】
この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法は、従来の液滴法に比べて洗浄および乾燥の工程を省略することができ、工程数が少ない分だけハンダボール表面の傷、凹み、および変形が少なくなる。
【００１１】
実施例１〜４
図１に示される容器内に高さ：５５０ｍｍ、直径：１００ｍｍ、肉厚：２ｍｍの寸法を有するガラス製の冷却塔を設置し、表１に示される組成のＰｂ−Ｓｎ系ハンダおよびＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダのそれぞれの凝固温度より３０℃低い表１に示される温度に加熱されたガス圧：５ＰＳＩの窒素ガスを冷却塔内に供給して冷却塔内を上昇する窒素ガス流を形成し、この状態で表１に示される組成の溶融ハンダを坩堝内に装入し、溶融ハンダの表面に圧力をかけて坩堝の底に形成された直径：１５０μｍの穴から溶融ハンダを液滴状に滴下させて冷却塔内を落下させた。液滴ハンダは冷却塔内の不活性ガス流に逆らって落下し受皿に到達する前に凝固してハンダボールとなり、受皿の中に貯まっていた。このようにして製造したハンダボールを分級して直径：３００μｍのハンダボールを製造した。このようにして得られたハンダボール１０００００個をサンプルとして取り出し、これを４０倍の光学顕微鏡にて観察し、表面に傷のあるボール、へこみのあるボールおよび変形したボールの数を測定し、不良ハンダボール発生率を求めてその結果を表１に示した。
【００１２】
従来例１〜４
実施例１〜４で用意したＰｂ−Ｓｎ系ハンダおよびＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダの溶湯を通常の液滴法によりシリコンオイルに落下させ、シリコンオイル中にて強制冷却させ、ハンダボールを作製し、脱脂のための洗浄および乾燥させた後、ただちに分級して製品とした。このようにして得られたハンダボール１０００００個をサンプルとして取り出し、これを４０倍の光学顕微鏡にて観察し、表面に傷のあるボール、へこみのあるボールおよび変形したボールの数を測定し、不良ハンダボール発生率を求めてその結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
表１に示される結果から、この発明の製造方法を実施した実施例１〜４で得られたハンダボールは、従来の製造方法を実施した従来例１〜４で得られたハンダボールに比べて不良ハンダボール発生率が格段に少ないことが分かる。
【００１５】
【発明の効果】
上述のように、この発明のハンダボールの製造方法は、従来のハンダボールの製造方法に比べて不良品発生率が減少してコストを低減することができ、産業上優れた効果をもたらすものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法を実施するための装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 容器
２ 坩堝
３ 溶融ハンダ
４ ハンダボール
５ 冷却塔
６ 液滴ハンダ
７ 穴
８ 排出口
９ 供給口
１３ 受皿
Claims (3)
- 溶融ハンダの液滴を、溶融ハンダの凝固温度から１０〜５０℃低い温度に保たれた不活性ガス流中を不活性ガス流に逆らって落下させることを特徴とする不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法。
- 前記ハンダは、Ｓｎ：１〜６５質量％を含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成を有するＰｂ−Ｓｎ系ハンダであることを特徴とする請求項１記載の不良ハンダボール発生率の少ない高いハンダボールの製造方法。
- 前記ハンダは、ＳｎおよびＩｎの合計量が１〜６５質量％含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物からなる組成を有するＰｂ−Ｓｎ−Ｉｎ系ハンダであることを特徴とする請求項１記載の不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399725A JP4172150B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399725A JP4172150B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002192383A JP2002192383A (ja) | 2002-07-10 |
| JP4172150B2 true JP4172150B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=18864445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000399725A Expired - Fee Related JP4172150B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4172150B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1309529C (zh) * | 2004-12-08 | 2007-04-11 | 云南锡业集团有限责任公司研究设计院 | Ic封装用焊锡球“熔融机电整合”一次成型工艺及装置 |
| CN103600083A (zh) * | 2013-09-12 | 2014-02-26 | 苏州米莫金属科技有限公司 | 一种粉末冶金制粉装置 |
| US10138129B2 (en) * | 2016-05-24 | 2018-11-27 | Ford Global Technologies, Llc | Carbon spheres and methods of making the same |
| CN105983681A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-05 | 无锡刚正精密吸铸有限公司 | 无模钢球铸造装置 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000399725A patent/JP4172150B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002192383A (ja) | 2002-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8342387B2 (en) | Spherical solder reflow method | |
| US7955966B2 (en) | Injection molded solder ball method | |
| JP6998659B2 (ja) | 蒸着用金材料製造方法 | |
| US7425299B2 (en) | Lead-free solder balls and method for the production thereof | |
| JP4172150B2 (ja) | 不良ハンダボール発生率の少ないハンダボールの製造方法 | |
| CN101642858A (zh) | 一种电子封装用核壳结构无铅焊锡球及其制备方法 | |
| JP2004512952A (ja) | フラッシュエバポレーションによるロウの液滴の迅速な表面冷却 | |
| JP2005103645A (ja) | はんだボールおよびその製造方法 | |
| JP2002020807A (ja) | はんだボールおよびその製造方法 | |
| KR20030048132A (ko) | 구（球）와 다수의 구를 성형하는 방법 | |
| CN1431073A (zh) | 无氧化锡球颗粒的制备方法及所使用的成型机 | |
| JP2008163373A (ja) | 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール | |
| JP2002212611A (ja) | 金属球体粒子の製造方法とその装置並びにその製造方法及び装置で得られた金属球体粒子 | |
| US6708868B1 (en) | Method for producing weld points on a substrate and guide for implementing said method | |
| JP5097890B2 (ja) | 真空蒸着又はスパッタ用金又は金合金の製造方法、並びにハースインゴットの製造方法 | |
| KR100863772B1 (ko) | 솔더볼 및 공동이 형성된 몰드를 이용한 솔더볼의 제조방법 | |
| JP3779692B2 (ja) | 錫亜鉛ソルダーボールの製造方法 | |
| TWI568674B (zh) | Indium ball and its manufacturing method | |
| JPS6328851A (ja) | 回路基板の電極処理方法 | |
| US20070114266A1 (en) | Method and device to elongate a solder joint | |
| CN106504976B (zh) | 回流机台腔体的清洗方法 | |
| TWI807395B (zh) | 金之蒸鍍材料 | |
| JP2000332399A (ja) | はんだボールとその製造方法 | |
| JP5003551B2 (ja) | ペースト用Ｐｂ−Ｓｎはんだ合金粉末およびＰｂ−Ｓｎはんだ合金ボール | |
| KR100656223B1 (ko) | 균일한 크기의 구상 솔더볼 제조장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080602 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080626 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080722 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080804 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |