JP4170309B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、多階調表示が可能な液晶表示装置の映像信号線駆動手段(ドレインドライバ)に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a technique effective when applied to video signal line driving means (drain driver) of a liquid crystal display device capable of multi-gradation display.
画素毎に能動素子(例えば、薄膜トランジスタ)を有し、この能動素子をスイッチング駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソコン等の表示装置として広く使用されている。
このアクティブマトリクス型液晶表示装置は、能動素子を介して画素電極に映像信号電圧(表示データに対応する階調電圧;以下、階調電圧と称する。)を印加するため、各画素間のクロストークがなく、単純マトリクス形液晶表示装置のようにクロストークを防止するための特殊な駆動方法を用いる必要がなく、多階調表示が可能である。
このアクティブマトリクス型液晶表示装置の1つに、TFT(Thin Film Transistor)方式の液晶表示パネル(TFT−LCD)と、液晶表示パネルの上側に配置されるドレインドライバと、液晶表示パネルの側面に配置されるゲートドライバおよびインタフェース部とを備えるTFT方式の液晶表示モジュールが知られている。
2. Description of the Related Art An active matrix liquid crystal display device having an active element (for example, a thin film transistor) for each pixel and switching driving the active element is widely used as a display device such as a notebook personal computer.
This active matrix type liquid crystal display device applies a video signal voltage (a gray scale voltage corresponding to display data; hereinafter referred to as a gray scale voltage) to the pixel electrode through an active element. Therefore, it is not necessary to use a special driving method for preventing crosstalk as in a simple matrix liquid crystal display device, and multi-gradation display is possible.
One of the active matrix type liquid crystal display devices includes a TFT (Thin Film Transistor) type liquid crystal display panel (TFT-LCD), a drain driver disposed on the upper side of the liquid crystal display panel, and a side surface of the liquid crystal display panel. A TFT type liquid crystal display module including a gate driver and an interface unit is known.
図24は、従来のTFT液晶表示モジュールの一例の概略構成を示すブロック図である。
同図に示すように、液晶パネル(TFT−LCD)10の長辺側の一辺に複数のドレインドライバ130が、液晶表示パネル10の短辺側の一辺に複数のゲートドライバ140が配置される。
パソコン等のホストコンピュータ側から出力される赤(R)、緑(G)、育(B)の3色の表示データ(映像信号)、クロック信号、表示タイミング信号、同期信号(水平同期信号、垂直同期信号)からなる制御信号は、インタフェースコネクタを介して表示制御装置(TFTコントローラ)110に入力される。
表示制御装置110からの制御信号および表示データ等は、TFTコントローラ基板301、ドレインドライバ基板302を介して、各ドレインドライバ130に入力される。
また、表示制御装置110からの制御信号は、TFTコントローラ基板301、ゲートドライバ基板303を介して、各ゲートドライバ140に入力される。
なお、図24において、TFTコントローラ基板上の配線層の図示は省略している。
また、ドレインドライバ基板、およびゲートドライバ基板上には、図24に図示す配線層以外の配線層も設けられるが、図24では、ドレインドライバ基板302には4本、ゲートドライバ基板303には2本の配線層のみを図示している。
FIG. 24 is a block diagram showing a schematic configuration of an example of a conventional TFT liquid crystal display module.
As shown in the drawing, a plurality of
Red (R), green (G) and growth (B) display data (video signal), clock signal, display timing signal, and synchronization signal (horizontal synchronization signal, vertical) output from the host computer such as a personal computer A control signal including a synchronization signal is input to the display control device (TFT controller) 110 via the interface connector.
Control signals, display data, and the like from the
A control signal from the
In FIG. 24, the wiring layer on the TFT controller substrate is not shown.
Further, on the drain driver substrate and the gate driver substrate, wiring layers other than the wiring layers shown in FIG. 24 are also provided. In FIG. 24, four
ドレインドライバ130、およびゲートドライバ140は、半導体チップ(IC)によって構成され、これら半導体チップ(IC)は、いわゆるテープキャリア方式、またはチップオンフィルム方式によってフィルム基板に実装される。
図25に示すように、フィルム基板310には、周辺から配線層(COFA)が形成され、半導体チップ(IC)の周辺に設けられた端子(BUMP)が、この配線層(COFA)にボンディングされる。
ここで、ドレインドライバの端子(BUMP)は、その周辺部に設けられていることが一般的であり、図26に一例を示す。
図26に示すように、入力端子(BUMP2)は、ドレインドライバ基板302からの配線を接続できるように一辺に配置され、出力端子(BUMP1)は、その他の3辺か、あるいは、入力端子(BUMP2)の配置してある辺の左右のスペースを含めた4辺の周辺部に配置されている。
また、各出力端子(BUMP1)に対応するドレインドライバ内部の出力回路330は、出力端子位置にあわせて、一列に並べられ配置されているのが一般的である。
なお、このような液晶表示装置は、例えば、下記特許文献1に記載されている。
The
As shown in FIG. 25, a wiring layer (COFA) is formed on the
Here, the terminal (BUMP) of the drain driver is generally provided in the periphery thereof, and FIG. 26 shows an example.
As shown in FIG. 26, the input terminal (BUMP2) is arranged on one side so that the wiring from the
Also, the
Such a liquid crystal display device is described in, for example,
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
近年、TFT方式の液晶表示モジュール等の液晶表示装置においては、液晶表示パネルの大画面化の要求に伴って、液晶表示パネルの画素数の増大化、および高精細化の傾向にあり、それに伴い、ゲート信号線およびドレイン信号線も増大し、ドレインドライバの入出力端子数も多くせざるを得なくなってきている。
例えば、XGA仕様の液晶表示パネルでは、ドレイン信号線の本数は3072(=1024×3(RGB))本であり、出力端子数が384本のドレインドライバを使用するとして、XGA仕様の液晶表示パネルで必要なドレインドライバ数は、8(=3072/384)個となる。
これに対して、UXGA仕様に高精細化が進むと、ドレイン信号線の本数は4800(=1600×3(RGB))本であり、前述の場合と同様、出力端子数が384本のドレインドライバを使用すると、UXGA仕様の液晶表示パネルで必要なドレインドライバ数は、12.5(=4800/384)個となる。
このように、液晶表示パネルの高精細化が進むにつれて、液晶表示パネル当たりのドレイン線本数が増え、必要なドレインドライバの個数が増えることになる。
これにより、表示制御装置110の負荷容量が増加し、ドレインドライバ130を駆動できなくなってしまうという問題点があった。
In recent years, in liquid crystal display devices such as TFT liquid crystal display modules, the number of pixels of liquid crystal display panels has been increasing and high definition has been accompanied by demands for larger liquid crystal display panels. The number of gate signal lines and drain signal lines is also increasing, and the number of input / output terminals of the drain driver has to be increased.
For example, in an XGA specification liquid crystal display panel, the number of drain signal lines is 3072 (= 1024 × 3 (RGB)), and a drain driver having 384 output terminals is used. Therefore, the number of necessary drain drivers is 8 (= 3072/384).
On the other hand, as the definition of UXGA increases, the number of drain signal lines is 4800 (= 1600 × 3 (RGB)), and the drain driver having 384 output terminals is the same as described above. Is used, the number of drain drivers required for a UXGA type liquid crystal display panel is 12.5 (= 4800/384).
As described above, as the definition of the liquid crystal display panel increases, the number of drain lines per liquid crystal display panel increases and the number of necessary drain drivers increases.
As a result, the load capacity of the
液晶表示パネルが高精細化しても、ドレインドライバの数量が変化しないようにするためには、1ドレインドライバ当たりの出力端子数を増やす必要がある。
一般に、ドレインドライバを構成する半導体チップ(IC)は、その外形形状が横長の板状となっているが、1ドレインドライバ当たりの出力端子(BUMP)数を増やすと、半導体チップ(IC)は、より横方向の長さが長くする必要がある。
また、半導体チップ(IC)は、一枚の半導体ウェーハに複数形成した後、切り離して作成されるが、横方向の長さがより長い横長の半導体チップ(IC)になるにつれて、一枚のウェーハから取得できるチップ数が減少し、一個の半導体チップ(IC)の価格が高くなってしまう。
さらに、横方向の長さがより長い横長の半導体チップ(IC)になると、一枚の半導体ウェーハ面に、いわゆるステップアンドリピートの露光によって半導体チップ(IC)を形成する際に、該露光範囲を超えてしまうことが懸念される。
これを解決するためには、より高価な露光装置を使用する必要があり、一個の半導体チップ(IC)の価格が高くなってしまう。
一方、市場の成熟に伴い、液晶表示装置は、より低価格化が要求されているが、ドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)が高くなると、液晶表示装置の価格が高くなるという問題点がある。
In order to prevent the number of drain drivers from changing even if the liquid crystal display panel has a higher definition, it is necessary to increase the number of output terminals per drain driver.
In general, a semiconductor chip (IC) that constitutes a drain driver has a horizontally long outer shape, but if the number of output terminals (BUMP) per drain driver is increased, the semiconductor chip (IC) It is necessary to increase the lateral length.
In addition, a plurality of semiconductor chips (IC) are formed on a single semiconductor wafer and then separated, but as a horizontally long semiconductor chip (IC) having a longer lateral length, a single wafer is formed. As a result, the number of chips that can be obtained from the semiconductor device decreases, and the price of a single semiconductor chip (IC) increases.
Further, when a laterally long semiconductor chip (IC) having a longer lateral length is formed, when the semiconductor chip (IC) is formed on one semiconductor wafer surface by so-called step-and-repeat exposure, the exposure range is reduced. There is concern that it will be exceeded.
In order to solve this, it is necessary to use a more expensive exposure apparatus, and the price of one semiconductor chip (IC) becomes high.
On the other hand, as the market matures, liquid crystal display devices are required to be lower in price. However, when the semiconductor chip (IC) constituting the
また、ドレイン信号線の増加にともない、必然的にドレインドライバ130の出力端子(BUMP1)のピッチが小さくなる傾向にあり、半導体チップ(IC)の選別時におけるプロービングが困難になることが懸念されている。
さらに、ドレイン信号線の増加にともない、1個のドレインドライバ130の回路規模が大きくなる傾向にあり、半導体チップ(IC)内部における配線インピーダンスによる電圧降下が無視できなくなることが懸念されている。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、液晶表示素子の画素数が増大しても、それに充分対処し得、しかも低価格化を図ることが可能となる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、液晶表示装置において、映像線駆動手段の半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、簡単に検査を行うことが可能となる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、液晶表示装置において、映像線駆動手段の半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
Further, as the number of drain signal lines increases, the pitch of the output terminals (BUMP1) of the
Furthermore, as the number of drain signal lines increases, the circuit scale of one
The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and the object of the present invention is to sufficiently cope with an increase in the number of pixels of a liquid crystal display element in a liquid crystal display device. In addition, an object is to provide a technology that can reduce the price.
Another object of the present invention is to provide a technique capable of easily inspecting a liquid crystal display device even if the number of output terminals of the semiconductor integrated circuit device of the video line driving means is increased. is there.
Another object of the present invention is to prevent a voltage drop due to a wiring layer inside the semiconductor integrated circuit device even if the number of output terminals of the semiconductor integrated circuit device of the video line driving means increases in the liquid crystal display device. It is to provide a technology that becomes possible.
The above objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
即ち、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、半導体集積回路装置を有し、前記半導体集積回路装置は、例えば、前記半導体集積回路装置の短手方向の中央部に、前記半導体集積回路装置の長手方向に設けられる第1の出力端子部と、前記第1の出力端子部の前記半導体集積回路装置の短手方向の両側に設けられ、前記各映像信号線に供給する階調電圧を生成する一対の出力回路部とを有することを特徴とする。
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
That is, the present invention relates to a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and corresponding to the display data for each of the video signal lines. And a video signal line driving unit that supplies a gradation voltage to be supplied. The video line driving unit includes a semiconductor integrated circuit device, and the semiconductor integrated circuit device includes, for example, the semiconductor integrated circuit device. A first output terminal portion provided in a longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device at a central portion in a short direction of the circuit device; and both sides of the first output terminal portion in the short direction of the semiconductor integrated circuit device. And a pair of output circuit units for generating gradation voltages to be supplied to the video signal lines.
また、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、複数の半導体集積回路装置を有し、前記各半導体集積回路装置は、前記半導体集積回路装置の短手方向に設けられる入力回路部と、前記入力回路部の前記半導体集積回路装置の長手方向の両側に、前記半導体集積回路装置の長手方向に設けられる第1の出力端子部と、前記第1の出力端子部の前記半導体集積回路装置の短手方向の両側に設けられ、前記各映像信号線に供給する階調電圧を生成する一対の出力回路部とを有することを特徴とする。 According to another aspect of the invention, there is provided a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and the display data corresponding to the video signal lines. And a video signal line driving unit that supplies a gradation voltage to be supplied. The video line driving unit includes a plurality of semiconductor integrated circuit devices, and each of the semiconductor integrated circuit devices includes the semiconductor An input circuit portion provided in the short direction of the integrated circuit device; and a first output terminal portion provided in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device on both sides of the input circuit portion in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device; And a pair of output circuit portions that are provided on both sides of the first output terminal portion in the short direction of the semiconductor integrated circuit device and generate gradation voltages to be supplied to the video signal lines. To do.
また、本発明の好ましい実施例では、前記第1の出力端子部および前記出力回路部以外の領域で、少なくとも前記半導体集積回路装置の2つの短辺の周辺部に沿って設けられる第2の出力端子部を有することを特徴とする。
また、本発明の好ましい実施例では、前記一対の出力回路部は、正極性の階調電圧を生成する正極性出力回路部と、負極性の階調電圧を生成する負極性出力回路部とが交互に設けられることを特徴とする。
また、本発明の好ましい実施例では、前記一対の出力回路部の一方の出力回路部には、正極性の階調電圧を生成する正極性出力回路部が設けられ、前記一対の出力回路部の他方の出力回路部には、負極性の階調電圧を生成する負極性出力回路部が設けられることを特徴とする。
また、本発明の好ましい実施例では、前記出力回路部は、バッファ回路と、デコーダ回路と、データラッチ部と、シフトレジスタ回路とを有し、前記バッファ回路、デコーダ回路、データラッチ部、およびシフトレジスタ回路は、前記第1の出力端子部から前記半導体集積回路の短手方向に、前記バッファ回路、デコーダ回路、データラッチ部、シフトレジスタ回路の順番に配置されることを特徴とする。
In a preferred embodiment of the present invention, the second output provided at least along the peripheral portions of the two short sides of the semiconductor integrated circuit device in a region other than the first output terminal portion and the output circuit portion. It has a terminal part.
In a preferred embodiment of the present invention, the pair of output circuit units includes a positive output circuit unit that generates a positive gradation voltage and a negative output circuit unit that generates a negative gradation voltage. It is characterized by being provided alternately.
In a preferred embodiment of the present invention, one output circuit unit of the pair of output circuit units is provided with a positive output circuit unit that generates a positive gradation voltage, and the pair of output circuit units The other output circuit section is provided with a negative output circuit section for generating a negative gradation voltage.
In a preferred embodiment of the present invention, the output circuit section includes a buffer circuit, a decoder circuit, a data latch section, and a shift register circuit, and the buffer circuit, the decoder circuit, the data latch section, and the shift circuit The register circuit is arranged in the order of the buffer circuit, the decoder circuit, the data latch unit, and the shift register circuit in the short direction of the semiconductor integrated circuit from the first output terminal unit.
また、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、複数の半導体集積回路装置を有し、前記各半導体集積回路装置は、前記半導体集積回路装置の短手方向に設けられる入力回路部と、前記入力回路部の前記半導体集積回路装置の長手方向の両側に、前記半導体集積回路装置の長手方向に設けられる複数の出力端子部と、前記各出力端子部毎に、前記各出力端子部の前記半導体集積回路装置の短手方向の両側に設けられ、前記各映像信号線に供給する階調電圧を生成する一対の出力回路部とを有することを特徴とする。 According to another aspect of the invention, there is provided a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and the display data corresponding to the video signal lines. And a video signal line driving unit that supplies a gradation voltage to be supplied. The video line driving unit includes a plurality of semiconductor integrated circuit devices, and each of the semiconductor integrated circuit devices includes the semiconductor An input circuit portion provided in the short direction of the integrated circuit device; a plurality of output terminal portions provided in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device on both sides of the input circuit portion in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device; For each of the output terminal units, a pair of output circuit units that are provided on both sides of the output terminal unit in the short direction of the semiconductor integrated circuit device and generate gradation voltages to be supplied to the video signal lines, Features having To.
また、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、複数の配線層が形成されるフィルム基板と、前記フィルム基板上に搭載される半導体集積回路装置を有し、前記半導体集積回路装置は、前記半導体集積回路装置の周辺部以外の領域に、前記半導体集積回路装置の長手方向に設けられる複数のバンプ電極を有し、前記フィルム基板の配線層の一部は、一端が前記半導体集積回路装置の各バンプ電極と接続されるとともに、前記一端から前記フィルム基板の周辺部まで延長して設けられ、かつ、前記一端を含む部分が前記半導体集積回路装置により覆われていることを特徴とする。 According to another aspect of the invention, there is provided a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and the display data corresponding to the video signal lines. A liquid crystal display device including a video signal line driving means for supplying a gradation voltage to be provided, wherein the video line driving means is mounted on the film substrate on which a plurality of wiring layers are formed, and the film substrate. A semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device has a plurality of bump electrodes provided in a longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device in a region other than a peripheral portion of the semiconductor integrated circuit device; A part of the wiring layer is provided with one end connected to each bump electrode of the semiconductor integrated circuit device, extended from the one end to the periphery of the film substrate, and includes the one end Min and being covered by said semiconductor integrated circuit device.
また、本発明は、一対の基板と、前記一対の基板間の狭持される液晶と有する液晶表示素子で、複数の画素と、前記液晶層の複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、前記一対の基板の一方の基板に搭載される半導体集積回路装置を有し、前記半導体集積回路装置は、前記半導体集積回路装置の周辺部以外の領域に、前記半導体集積回路装置の長手方向に設けられる複数のバンプ電極を有し、前記一方の基板に形成される映像信号線の一部は、端子部が前記半導体集積回路装置の各バンプ電極と接続されるとともに、前記端子部を含む領域が前記半導体集積回路装置により覆われていることを特徴とする。
また、本発明の好ましい実施例では、前記複数のバンプ電極は、前記半導体集積回路装置の長手方向に複数列に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の好ましい実施例では、前記複数列の一部の列のバンプ電極は、前記半導体集積回路装置の長手方向の長さが、当該列よりも前記フィルム基板の配線層が延長される方向にある列のバンプ電極の前記半導体集積回路装置の長手方向の長さよりも長くされていることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display element having a pair of substrates and a liquid crystal sandwiched between the pair of substrates, a plurality of pixels, and a gradation voltage corresponding to display data in the plurality of pixels of the liquid crystal layer. A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal display element having a plurality of video signal lines for applying a voltage; and video signal line driving means for supplying a gradation voltage corresponding to display data to each video signal line, The video line driving means includes a semiconductor integrated circuit device mounted on one of the pair of substrates, and the semiconductor integrated circuit device is located in a region other than a peripheral portion of the semiconductor integrated circuit device. A plurality of bump electrodes provided in a longitudinal direction of the device, and a part of the video signal line formed on the one substrate has a terminal portion connected to each bump electrode of the semiconductor integrated circuit device; Area including terminal There characterized in that it is covered by the semiconductor integrated circuit device.
In a preferred embodiment of the present invention, the plurality of bump electrodes are formed in a plurality of rows in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device.
Also, in a preferred embodiment of the present invention, the bump electrodes in a part of the plurality of rows have a length in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device, and the wiring layer of the film substrate is extended from the row. The bump electrodes in a row in the direction are longer than the length in the longitudinal direction of the semiconductor integrated circuit device.
また、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、複数の配線層が形成されるフィルム基板と、前記フィルム基板上に搭載される半導体集積回路装置を有し、前記半導体集積回路装置は、複数のバンプ電極を有し、前記複数のバンプ電極の一部は、前記フィルム基板に設けられた配線層により、互いに電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明は、複数の画素と、前記複数の画素に表示データに対応する階調電圧を印加する複数の映像信号線とを有する液晶表示素子と、前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、前記映像線駆動手段は、複数の配線層が形成されるフィルム基板と、前記フィルム基板上に搭載される半導体集積回路装置を有し、前記半導体集積回路装置は、複数のバンプ電極を有し、前記複数のバンプ電極の一部は、前記フィルム基板に設けられる配線層により、互いに電気的に接続され、前記バンプ電極同士を接続する配線層には、外部からの入力信号が印加されることを特徴とする。
According to another aspect of the invention, there is provided a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and the display data corresponding to the video signal lines. A liquid crystal display device including a video signal line driving means for supplying a gradation voltage to be provided, wherein the video line driving means is mounted on the film substrate on which a plurality of wiring layers are formed, and the film substrate. A semiconductor integrated circuit device, the semiconductor integrated circuit device has a plurality of bump electrodes, and some of the plurality of bump electrodes are electrically connected to each other by a wiring layer provided on the film substrate; It is characterized by.
According to another aspect of the invention, there is provided a liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages corresponding to display data to the plurality of pixels, and the display data corresponding to the video signal lines. A liquid crystal display device including a video signal line driving means for supplying a gradation voltage to be provided, wherein the video line driving means is mounted on the film substrate on which a plurality of wiring layers are formed, and the film substrate. A semiconductor integrated circuit device, the semiconductor integrated circuit device has a plurality of bump electrodes, a part of the plurality of bump electrodes are electrically connected to each other by a wiring layer provided on the film substrate; An input signal from the outside is applied to the wiring layer connecting the bump electrodes.
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
(1)本発明によれば、液晶表示装置のコストを低減することが可能となる。
(2)本発明によれば、液晶表示装置の検査が簡単化することが可能となる。
(3)本発明によれば、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止することが可能となる。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
(1) According to the present invention, the cost of the liquid crystal display device can be reduced.
(2) According to the present invention, inspection of a liquid crystal display device can be simplified.
(3) According to the present invention, it is possible to prevent a voltage drop due to a wiring layer inside the semiconductor integrated circuit device.
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施例1]
〈本発明が適用される表示装置の基本構成〉
図1は、本発明が適用されるTFT方式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
図1に示す液晶表示モジュール(LCM)は、液晶表示パネル(TFT−LCD)10の長辺側の一辺にドレインドライバ130が配置され、また、液晶表示パネル10の短辺側の一辺に、ゲートドライバ140が配置される。
液晶表示パネル10は、例えば、1600×800×3の画素から構成される。
なお、ここで、1画素とは、赤(R)、緑(G)、青(B)の1ピクセル(Pix)を意味する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof is omitted.
[Example 1]
<Basic configuration of display device to which the present invention is applied>
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a TFT liquid crystal display module to which the present invention is applied.
The liquid crystal display module (LCM) shown in FIG. 1 has a
The liquid
Here, one pixel means one pixel (Pix) of red (R), green (G), and blue (B).
パソコン等のホストコンピュータ側から出力される赤(R)、緑(G)、育(B)の3色の表示データ(映像信号)、クロック信号、表示タイミング信号、同期信号(水平同期信号、垂直同期信号)からなる制御信号は、インタフェースコネクタを介して表示制御装置(TFTコントローラ)110に入力される。
本実施例において、インタフェース部100は、前述の図24に示すTFTコントローラ基板301に、ドレインドライバ130は、前述の図24に示すドレインドライバ基板302に、ゲートドライバ140は、前述の図24に示すゲートドライバ基板303に実装される。
ここで、ドレインドライバ130、およびゲートドライバ140を構成する半導体チップ(IC)は、いわゆるテープキャリア(Tape Carrier Package)方式、または、チップオンフィルム(Chip On Film)方式によってフィルム基板310に実装される。
なお、前述の半導体チップ(IC)は、チップオングラス(Chip On Glass)方式により直接液晶表示パネル10の一方の透明基板に実装してもよい。
Red (R), green (G) and growth (B) display data (video signal), clock signal, display timing signal, and synchronization signal (horizontal synchronization signal, vertical) output from the host computer such as a personal computer A control signal including a synchronization signal is input to the display control device (TFT controller) 110 via the interface connector.
In this embodiment, the
Here, the semiconductor chip (IC) constituting the
Note that the semiconductor chip (IC) described above may be directly mounted on one transparent substrate of the liquid
〈図1に示す液晶表示パネル10の構成〉
図2は、図1に示す液晶表示パネル10の一例の等価回路を示す図である。
この図2に示すように、液晶表示パネル10は、マトリクス状に形成される複数の画素を有する。
各画素は、隣接する2本の信号線(ドレイン信号線(D)またはゲート信号線(G))と、隣接する2本の信号線(ゲート信号線(G)またはドレイン信号線(D))との交差領域内に配置される。
各画素は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)を有し、各画素の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極は、画素電極(ITO1)に接続される。
また、画素電極(ITO1)とコモン電極(ITO2)との間に液晶層が設けられるので、画素電極(ITO1)とコモン電極(ITO2)との間には、液晶容量(CLC)が等価的に接続される。
さらに、薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極と前段のゲート信号線(G)との間には、付加容量(CADD)が接続される。
図3は、図1に示す液晶表示パネル10の他の例の等価回路を示す図である。
図2に示す例では、前段のゲート信号線(G)とソース電極との間に付加容量(CADD)が形成されているが、図3に示す例の等価回路では、共通信号線(CN)とソース電極との間に保持容量(CSTG)が形成されている点が異なっている。
<Configuration of Liquid
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of an example of the liquid
As shown in FIG. 2, the liquid
Each pixel includes two adjacent signal lines (drain signal line (D) or gate signal line (G)) and two adjacent signal lines (gate signal line (G) or drain signal line (D)). It is arranged in the intersection area.
Each pixel has a thin film transistor (TFT1, TFT2), and the source electrode of the thin film transistor (TFT1, TFT2) of each pixel is connected to the pixel electrode (ITO1).
In addition, since the liquid crystal layer is provided between the pixel electrode (ITO1) and the common electrode (ITO2), the liquid crystal capacitance (CLC) is equivalent between the pixel electrode (ITO1) and the common electrode (ITO2). Connected.
Further, an additional capacitor (CADD) is connected between the source electrode of the thin film transistor (TFT1, TFT2) and the previous gate signal line (G).
FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of another example of the liquid
In the example shown in FIG. 2, an additional capacitor (CADD) is formed between the previous gate signal line (G) and the source electrode, but in the equivalent circuit of the example shown in FIG. 3, the common signal line (CN) A storage capacitor (CSTG) is formed between the source electrode and the source electrode.
本発明は、どちらにも適用可能であるが、前者の方式では、前段のゲート信号線(G)パルスが付加容量(CADD)を介して画素電極(ITO1)に飛び込むのに対し、後者の方式では、飛び込みがないため、より良好な表示が可能となる。
なお、図2、図3は、縦電界方式の液晶表示パネルの等価回路を示しており、図2、図3において、ARは表示領域である。
また、図2、図3は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
図2、図3に示す液晶表示パネル10において、列方向に配置された各画素の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のドレイン電極は、それぞれドレイン信号線(D)に接続され、各ドレイン信号線(D)は、列方向の各画素の液晶に階調電圧を印加するドレインドライバ130に接続される。
また、行方向に配置された各画素における薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極は、それぞれゲート信号線(G)に接続され、各ゲート信号線(G)は、1水平走査時間、行方向の各画素の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極に走査駆動電圧(正のバイアス電圧あるいは負のバイアス電圧)を供給するゲートドライバ140に接続される。
The present invention can be applied to both. In the former method, the gate signal line (G) pulse in the former stage jumps into the pixel electrode (ITO1) via the additional capacitor (CADD), whereas the latter method. Then, since there is no dive, better display is possible.
2 and 3 show an equivalent circuit of a vertical electric field liquid crystal display panel. In FIGS. 2 and 3, AR is a display region.
2 and 3 are circuit diagrams, which are drawn corresponding to an actual geometric arrangement.
In the liquid
In addition, the gate electrodes of the thin film transistors (TFT1, TFT2) in each pixel arranged in the row direction are connected to the gate signal line (G), respectively, and each gate signal line (G) has one horizontal scanning time in the row direction. It is connected to a
〈図1に示すインタフェース部100の構成と動作概要〉
図1に示すインタフェース部100は、表示制御装置110と電源回路120とから構成される。
表示制御装置110は、1個の半導体集積回路(LSI)から構成され、コンピュータ本体側から送信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号および表示用デ−タ(R・G・B)を基に、ドレインドライバ130、および、ゲートドライバ140を制御・駆動する。
表示制御装置110は、ディスプレイタイミング信号が入力されると、これを表示開始位置と判断し、スタートパルス(表示データ取込開始信号)を信号線135を介して第1番目のドレインドライバ130に出力し、さらに、受け取った単純1列の表示データを、表示データのバスライン133を介してドレインドライバ130に出力する。
その際、表示制御装置110は、各ドレインドライバ130のデータラッチ回路に表示データをラッチするための表示制御信号である表示データラッチ用クロック(CL2)(以下、単に、クロック(CL2)と称する。)を信号線131を介して出力する。
なお、本実施例においても、前述の図24に示すように、表示制御装置110からの制御信号および表示データ等は、TFTコントローラ基板301、ドレインドライバ基板302を介して、各ドレインドライバ130に入力される。
<Configuration and Operation Overview of
The
The
When the display timing signal is input, the
At that time, the
Also in this embodiment, as shown in FIG. 24 described above, control signals and display data from the
本体コンピュータ側からの表示データは、例えば、6ビットで、1画素単位、即ち、赤(R)、緑(G)、青(B)の各データを1つの組にして単位時間毎に転送される。
また、第1番目のドレインドライバ130に入力されたスタートパルスにより第1番目のドレインドライバ130におけるデータラッチ回路のラッチ動作が制御される。
この第1番目のドレインドライバ130におけるデータラッチ回路のラッチ動作が終了すると、第1番目のドレインドライバ130からスタートパルスが、第2番目のドレインドライバ130に入力され、第2番目のドレインドライバ130におけるデータラッチ回路のラッチ動作が制御される。
以下、同様にして、各ドレインドライバ130におけるデータラッチ回路のラッチ動作が制御され、誤った表示データがデータラッチ回路に書き込まれるのを防止している。
The display data from the main computer is, for example, 6 bits and transferred in units of one pixel, that is, red (R), green (G), and blue (B) as one set. The
Further, the latch operation of the data latch circuit in the
When the latch operation of the data latch circuit in the
Similarly, the latch operation of the data latch circuit in each
表示制御装置110は、ディスプレイタイミング信号の入力が終了するか、または、ディスプレイタイミング信号が入力されてから所定の一定時間が過ぎると、1水平分の表示データが終了したものとして、各ドレインドライバ130におけるデータラッチ回路に蓄えていた表示データを液晶表示パネル10のドレイン信号線(D)に出力するための表示制御信号である出力タイミング制御用クロック(CL1)(以下、単にクロック(CL1)と称する。)を信号線132を介して各ドレインドライバ130に出力する。
また、表示制御装置110は、垂直同期信号入力後に、第1番目のディスプレイタイミング信号が入力されると、これを第1番目の表示ラインと判断して信号線142を介してゲートドライバ140にフレーム開始指示信号を出力する。
さらに、表示制御装置110は、水平同期信号に基づいて、1水平走査時間毎に、順次液晶表示パネル10の各ゲート信号線(G)に正のバイアス電圧を印加するように、信号線141を介してゲートドライバ140へ1水平走査時間周期のシフトクロックであるクロック(CL3)を出力する。
これにより、液晶表示パネル10の各ゲート信号線(G)に接続された複数の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)が、1水平走査時間の間導通する。
以上の動作により、液晶表示パネル10に画像が表示される。
The
When the first display timing signal is input after the vertical synchronization signal is input, the
Further, the
As a result, the plurality of thin film transistors (TFT1, TFT2) connected to the gate signal lines (G) of the liquid
With the above operation, an image is displayed on the liquid
〈図1に示す電源回路120の構成〉
図1に示す電源回路120は、正電圧生成回路121、負電圧生成回路122、コモン電極(対向電極)電圧生成回路123、ゲート電極電圧生成回路124から構成される。
正電圧生成回路121、負電圧生成回路122は、それぞれ直列抵抗分圧回路で構成され、正電圧生成回路121は正極性の5値の階調基準電圧(V"0〜V"4)を、負電圧生成回路122は負極性の5値の階調基準電圧(V"5〜V"9)を出力する。
この正極性の階調基準電圧(V"0〜V"4)、および負極性の階調基準電圧(V"5〜V"9)は、各ドレインドライバ130に供給される。
また、各ドレインドライバ130には、表示制御装置110からの極性反転信号(交流化信号;M)も、信号線134を介して供給される。
コモン電極電圧生成回路123はコモン電極(ITO2)に印加する駆動電圧を、ゲート電極電圧生成回路124は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極に印加する駆動電圧(正のバイアス電圧および負のバイアス電圧)を生成する。
<Configuration of
The
Each of the positive
The positive polarity reference voltage (V ″ 0 to V ″ 4) and the negative polarity reference voltage (V ″ 5 to V ″ 9) are supplied to each
Further, the polarity inversion signal (AC signal; M) from the
The common electrode
〈図1に示す液晶表示モジュールの交流化駆動方法〉
一般に、液晶層は、長時間同じ電圧(直流電圧)が印加されていると、液晶層の傾きが固定化され、結果として残像現象を引き起こし、液晶層の寿命を縮めることになる。
これを防止するために、液晶表示モジュールおいては、液晶層に印加する電圧をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極に印加する電圧を基準にして、画素電極に印加する電圧を、一定時間毎に正電圧側/負電圧側に変化させるようにしている。
この液晶層に交流電圧を印加する駆動方法として、コモン対称法とコモン反転法の2通りの方法が知られている。
コモン反転法とは、コモン電極に印加される電圧と画素電極に印加する電圧とを、交互に正、負に反転させる方法である。
また、コモン対称法とは、コモン電極に印加される電圧を一定とし、画素電極に印加する電圧を、コモン電極に印加される電圧を基準にして、交互に正、負に反転させる方法である。
コモン対称法は、画素電極(ITO1)に印加される電圧の振幅が、コモン反転法の場合に比べ2倍となり、しきい値電圧が低い液晶が開発されない限り低耐圧のドライバが使用できないと言う欠点があるが、低消費電力と表示品質の点で優れているドット反転法あるいはNライン反転法が使用可能である。
<AC drive method of liquid crystal display module shown in FIG. 1>
In general, when the same voltage (DC voltage) is applied to the liquid crystal layer for a long time, the inclination of the liquid crystal layer is fixed, resulting in an afterimage phenomenon and shortening the life of the liquid crystal layer.
In order to prevent this, in the liquid crystal display module, the voltage applied to the liquid crystal layer is changed to AC every certain time, that is, the voltage applied to the pixel electrode with reference to the voltage applied to the common electrode, It is made to change to the positive voltage side / negative voltage side for every fixed time.
As a driving method for applying an AC voltage to the liquid crystal layer, two methods, a common symmetry method and a common inversion method, are known.
The common inversion method is a method of alternately inverting the voltage applied to the common electrode and the voltage applied to the pixel electrode to positive and negative.
The common symmetry method is a method in which the voltage applied to the common electrode is constant and the voltage applied to the pixel electrode is alternately inverted to positive and negative with reference to the voltage applied to the common electrode. .
In the common symmetry method, the amplitude of the voltage applied to the pixel electrode (ITO1) is twice that of the common inversion method, and a low-voltage driver cannot be used unless a liquid crystal with a low threshold voltage is developed. Although there are drawbacks, the dot inversion method or the N-line inversion method, which is excellent in terms of low power consumption and display quality, can be used.
以下、ドット反転法について説明する。
図4は、液晶表示モジュールの駆動方法として、ドット反転法を使用した場合において、ドレインドライバ130からドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧(即ち、画素電極(ITO1)に印加される階調電圧)の極性を説明するための図である。
液晶表示モジュールの駆動方法として、ドット反転法を使用する場合に、図4に示すように、例えば、奇数フレームの奇数ラインでは、ドレインドライバ130から、奇数番目のドレイン信号線(D)に、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動電圧(VCOM)に対して負極性の液晶駆動電圧(図4では●で示す)が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動電圧(VCOM)に対して正極性の液晶駆動電圧(図4では○で示す)が印加される。
さらに、奇数フレームの偶数ラインでは、ドレインドライバ130から、奇数番目のドレイン信号線(D)に正極性の液晶駆動電圧が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に負極性の液晶駆動電圧が印加される。
Hereinafter, the dot inversion method will be described.
FIG. 4 shows a case where the liquid crystal display module is applied to the liquid crystal driving voltage (that is, the pixel electrode (ITO1)) output from the
When the dot inversion method is used as the driving method of the liquid crystal display module, as shown in FIG. 4, for example, in the odd line of the odd frame, the
Further, in the even-numbered line of the odd-numbered frame, the positive polarity liquid crystal driving voltage is supplied from the
また、各ライン毎の極性はフレーム毎に反転され、即ち、図4に示すように、偶数フレームの奇数ラインでは、ドレインドライバ130から、奇数番目のドレイン信号線(D)に正極性の液晶駆動電圧が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に負極性の液晶駆動電圧が印加される。
さらに、偶数フレームの偶数ラインでは、ドレインドライバ130から、奇数番目のドレイン信号線(D)に負極性の液晶駆動電圧が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に正極性の液晶駆動電圧が印加される。
このドット反転法を使用することにより、隣り合うドレイン信号線(D)に印加される電圧が逆極性となるため、コモン電極(ITO2)や薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極に流れる電流が隣同志で打ち消し合い、消費電力を低減することができる。
また、コモン電極(ITO2)に流れる電流が少なく電圧降下が大きくならないため、コモン電極(ITO2)の電圧レベルが安定し、表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
Further, the polarity of each line is inverted for each frame, that is, as shown in FIG. 4, in the odd lines of the even frames, the positive polarity liquid crystal drive is applied from the
Further, in the even-numbered line of the even-numbered frame, a negative liquid crystal driving voltage is applied to the odd-numbered drain signal line (D) from the
By using this dot inversion method, the voltage applied to the adjacent drain signal line (D) has a reverse polarity, so that the current flowing through the gate electrode of the common electrode (ITO2) or thin film transistor (TFT1, TFT2) is adjacent. Compete with each other and reduce power consumption.
Further, since the current flowing through the common electrode (ITO2) is small and the voltage drop does not increase, the voltage level of the common electrode (ITO2) is stabilized, and the deterioration of display quality can be minimized.
〈図1に示すドレインドライバ130の構成〉
図5は、図1に示すドレインドライバ130の一例の概略構成示すブロック図である。
なお、ドレインドライバ130は、1個の半導体集積回路(LSI)から構成される。
同図において、階調電圧生成回路151は、正電圧生成回路121から入力される正極性の5値の階調基準電圧(V"0〜V"4)に基づいて、正極性の64階調の階調電圧を、並びに、負電圧生成回路122から入力される負極性の5値の階調基準電圧(V"5〜V"9)に基づいて、負極性の64階調の階調電圧、を生成し、当該それぞれ正極性および負極性の64階調の階調電圧を、電圧バスラインを介してデコーダ回路157に出力する。
また、シフトレジスタ回路153は、クロック制御回路152から出力される、クロック(CL2)に同期したシフトクロックに基づき、データ取り込み用信号を生成し、ラッチ回路(1)155に出力する。
<Configuration of the
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of an example of the
The
In the figure, the gradation
The
表示制御装置110から入力される表示データは、入力ラッチ回路154で一旦ラッチされる。
この入力ラッチ回路154は、クロック制御回路152からのクロックに基づき、表示データをラッチする。
ラッチ回路(1)155は、シフトレジスタ回路153から出力されるデータ取り込み用信号に基づき、表示制御装置110から入力されるクロック(CL2)に同期して、入力ラッチ回路154から出力される各色毎6ビットの表示データを出力本数分だけラッチする。
ラッチ回路(2)156は、表示制御装置110から入力されるクロック(CL1)に応じて、ラッチ回路(1)155内の表示データをラッチする。
このラッチ回路(2)156に取り込まれた表示データは、内部のレベルシフト回路を介してデコーダ回路157に入力される。
デコーダ回路157は、正極性の64階調の階調電圧、あるいは負極性の64階調の階調電圧から、表示データに対応した1つの階調電圧(64階調の中の1つの階調電圧)を選択して、バッファ回路158に出力する。
バッファ回路158は、入力された階調電圧を増幅(電流増幅)して各ドレイン信号線(D)に出力する。
Display data input from the
The
The latch circuit (1) 155 is for each color output from the
The latch circuit (2) 156 latches the display data in the latch circuit (1) 155 in accordance with the clock (CL1) input from the
The display data fetched by the latch circuit (2) 156 is inputted to the
The
The
図6は、図5に示すドレインドライバ130の一例の構成をより具体的に説明するためのブロック図である。
同図において、153は、図5に示すシフトレジスタ回路、157は、図5に示すデコーダ回路であり、また、データラッチ部262は、図5に示すラッチ回路(1)155とラッチ回路(2)156のラッチを表し、レベルシフト回路263は、図5に示すラッチ回路(2)内部のレベルシフト回路を表わす。
さらに、アンプ回路264と、アンプ回路264の出力を切り替える出力選択回路265が、図5に示すバッファ回路157を構成する。
ここで、表示データ選択回路261、および出力選択回路265は、極性反転信号(M)に基づいて制御される。
また、Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6は、それぞれ第1番目、第2番目、第3番目、第4番目、第5番目、第6番目のドレイン信号線(D)を示している。
図6に示すドレインドライバ130においては、表示データ選択回路261により、データラッチ部262(より詳しくは、図5に示すラッチ回路(1)155)に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、連続する表示データを隣合うデータラッチ部262に入力する。
FIG. 6 is a block diagram for more specifically explaining the configuration of an example of the
5,
Further, the
Here, the display
Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, and Y6 indicate the first, second, third, fourth, fifth, and sixth drain signal lines (D), respectively. .
In the
デコーダ回路157は、階調電圧生成回路151から供給される正極性の64階調の階調電圧の中から、各データラッチ部262(より詳しくは、図5に示すラッチ回路(2)156)から出力される表示用データに対応する正極性の階調電圧を選択する高電圧用デコーダ回路251と、階調電圧生成回路151から供給される負極性の64階調の階調電圧の中から、各データラッチ部262から出力される表示用データに対応する負極性の階調電圧を選択する低電圧用デコーダ回路252とから構成される。
この高電圧用デコーダ回路251と低電圧用デコーダ回路252とは、隣接するデータラッチ部262毎に設けられる。
アンプ回路264は、高電圧用アンプ回路271と低電圧用アンプ回路272とにより構成される。
高電圧用アンプ回路271には高電圧用デコーダ回路251で生成された正極性の階調電圧が入力され、高電圧用アンプ回路271は正極性の階調電圧を出力する。
低電圧用アンプ回路272には低電圧用デコーダ回路252で生成された負極性の階調電圧が入力され、低電圧用アンプ回路272は負極性の階調電圧を出力する。
The
The high
The
The positive voltage gradation voltage generated by the high
The low
ドット反転法では、連続する表示データの階調電圧は互いに逆極性となり、また、アンプ回路264の並びは、高電圧用アンプ回路271→低電圧用アンプ回路272→高電圧用アンプ回路271→低電圧用アンプ回路272となるので、表示データ選択回路261により、データラッチ部262に入力される表示データを切り替えて、連続する表示データを交互に隣り合うデータラッチ部262に入力し、それに合わせて、高電圧用アンプ回路271、あるいは低電圧用アンプ回路272から出力される出力電圧を出力選択回路265により切り替え、連続する表示データの階調電圧が出力されるドレイン信号線(D)、例えば、第1番目のドレイン信号線(Y1)と第2番目のドレイン信号線(Y2)とに出力することにより、各ドレイン信号線(D)に正極性あるいは負極性の階調電圧を出力することが可能となる。
In the dot inversion method, the gradation voltages of continuous display data have opposite polarities, and the arrangement of the
図7は、図5に示すドレインドライバ130の他の例の構成をより具体的に説明するためのブロック図である。
この図7に示す例では、隣接する各色の表示データの階調電圧は互いに逆極性となることを利用し、表示データ選択回路261により、データラッチ部262に入力される表示データを切り替えて、各色毎の表示データを隣り合うデータラッチ部262に入力し、それに合わせて、高電圧用アンプ回路271、あるいは低電圧用アンプ回路272から出力される出力電圧を出力選択回路265により切り替え、各色毎の階調電圧が出力されるドレイン信号線(D)、例えば、第1番目のドレイン信号線(Y1)と第4番目のドレイン信号線(Y4)とに出力するようにしたものである。
図6、図7に示す例では、低電圧用回路と高電圧用回路をそれぞれ出力端子全数ではなく、1/2の端子数分だけにすることで、半導体チップ(IC)のチップサイズの縮小を図っている。
FIG. 7 is a block diagram for more specifically explaining the configuration of another example of the
In the example shown in FIG. 7, the display
In the example shown in FIG. 6 and FIG. 7, the chip size of the semiconductor chip (IC) is reduced by reducing the number of low voltage circuits and the high voltage circuits to the number of terminals, not the total number of output terminals. I am trying.
図8は、図6、図7に示す高電圧用デコーダ回路251および低電圧用デコーダ回路252の一例の概略構成を示す回路図である。
図8に示す例では、図6に示す高電圧用デコーダ回路251または低電圧用デコーダ回路252は、エンハンスメントMOSトランジスタおよびデプレッションMOSトランジスタが直列接続されたトランジスタ列(TRP2,TRP3)で構成される。
図6、図7に示す高電圧用アンプ回路271、および低電圧用アンプ回路272は、例えば、図9に示すように、オペアンプ(OP)の反転入力端子(BUMP)(−)と出力端子(BUMP)とが直結され、その非反転入力端子(BUMP)(+)が入力端子(BUMP)とされるボルテージホロワ回路で構成される。
ここで、低電圧用アンプ回路272に使用されるオペアンプ(OP)は、例えば、図10に示すような差動増幅回路で構成され、さらに、高電圧用アンプ回路271に使用されるオペアンプ(OP)は、例えば、図11に示すような差動増幅回路で構成される。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a schematic configuration of an example of the high
In the example shown in FIG. 8, the high-
The high
Here, the operational amplifier (OP) used in the low-
図12は、図7に示す出力選択回路265の一例の一選択回路の回路構成を示す回路図である。
同図に示すように、図7に示す出力選択回路265の一選択回路は、高電圧用アンプ回路271とn番目のドレイン信号(Yn)との間に接続されるPMOSトランジスタ(PM1)と、高電圧用アンプ回路271と(n+3)番目のドレイン信号(Yn+3)との間に接続されるPMOSトランジスタ(PM2)と、低電圧用アンプ回路272と(n+3)番目のドレイン信号(Yn+3)との間に接続されるNMOSトランジスタ(NM1)と、低電圧用アンプ回路272とn番目のドレイン信号(Yn)との間とに接続されるNMOSトランジスタ(NM2)とを有する。
PMOSトランジスタ(PM1)のゲート電極には、インバータ(INV)で反転されたノア回路(NOR1)の出力が、また、PMOSトランジスタ(PM2)のゲート電極には、インバータ(INV)で反転されたノア回路(NOR2)の出力が、それぞれレベルシフト回路(LS)でレベルシフトされて入力される。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a circuit configuration of an example of the
As shown in FIG. 7, one selection circuit of the
The output of the NOR circuit (NOR1) inverted by the inverter (INV) is applied to the gate electrode of the PMOS transistor (PM1), and the NOR circuit inverted by the inverter (INV) is applied to the gate electrode of the PMOS transistor (PM2). The output of the circuit (NOR2) is level-shifted by the level shift circuit (LS) and input.
同様に、NMOSトランジスタ(NM1)のゲート電極には、インバータ(INV)で反転されたナンド回路(NAND2)の出力が、また、NMOSトランジスタ(NM2)のゲート電極には、インバータ(INV)で反転されたナンド回路(NAND1)の出力が、それぞれレベルシフト回路(LS)でレベルシフトされて入力される。
ここで、ナンド回路(NAND1)とノア回路(NOR1)には、極性反転信号(M)が、ナンド回路(NAND2)およびノア回路(NOR2)には、インバータ(INV)で反転された極性反転信号(M)が入力される。
また、ナンド回路(NAND1,NAND2)には、出力イネーブル信号(ENB)が、ノア回路(NOR1,NOR2)には、インバータ(INV)で反転された出力イネーブル信号(ENB)が入力される。
表1に、ナンド回路(NAND1,NAND2)とノア回路(NOR1,NOR2)の真理値表と、その時の各MOSトランジスタ(PM1,PM2,NM1,NM2)のオン・オフ状態を示す。
Similarly, the output of the NAND circuit (NAND2) inverted by the inverter (INV) is applied to the gate electrode of the NMOS transistor (NM1), and the output of the NAND transistor (NM2) is inverted by the inverter (INV). The output of the NAND circuit (NAND1) is level-shifted by the level shift circuit (LS) and input.
Here, the polarity inversion signal (M) is supplied to the NAND circuit (NAND1) and the NOR circuit (NOR1), and the polarity inversion signal inverted by the inverter (INV) is supplied to the NAND circuit (NAND2) and the NOR circuit (NOR2). (M) is input.
The NAND circuit (NAND1, NAND2) receives the output enable signal (ENB), and the NOR circuit (NOR1, NOR2) receives the output enable signal (ENB) inverted by the inverter (INV).
Table 1 shows the truth table of the NAND circuit (NAND1, NAND2) and the NOR circuit (NOR1, NOR2), and the on / off states of the MOS transistors (PM1, PM2, NM1, NM2) at that time.
走査ラインの切り替わり時には、高電圧用アンプ回路271と低電圧用アンプ回路272とも不安定の状態にある。
この出力イネーブル信号(ENB)は、走査ラインの切り替わり期間内に、各アンプ回路(271,272)の出力が、各ドレイン信号線(D)に出力されるのを防止するために設けられている。
なお、本実施例では、この出力イネーブル信号(ENB)として、クロック(CL1)の反転信号を使用しているが、クロック(CL2)をカウントする等して内部で生成することも可能である。
At the time of scanning line switching, both the high
This output enable signal (ENB) is provided to prevent the output of each amplifier circuit (271, 272) from being output to each drain signal line (D) during the scanning line switching period. .
In this embodiment, an inverted signal of the clock (CL1) is used as the output enable signal (ENB), but it can also be generated internally by counting the clock (CL2).
また、表1から分かるように、出力イネーブル信号(ENB)がHレベルの時には、極性反転信号(M)のHレベルあるいはLレベルに応じて、各ナンド回路(NAND1,NAND2)がHレベルあるいはLレベル、各ノア回路(NOR1)がHレベルあるいはLレベルとなる。
これにより、PMOSトランジスタ(PM1)およびNMOSトランジスタ(NM1)がオフあるいはオン、PMOSトランジスタ(PM2)およびNMOSトランジスタ(NM2)がオンあるいはオフとなり、高電圧用アンプ回路271の出力はドレイン信号線(Yn+3)に、低電圧用アンプ回路272の出力はドレイン信号線(Yn)、あるいは、高電圧用アンプ回路271の出力はドレイン信号線(Yn)に、低電圧用アンプ回路272の出力はドレイン信号線(Yn+3)に出力される。
As can be seen from Table 1, when the output enable signal (ENB) is at the H level, each NAND circuit (NAND1, NAND2) is at the H level or the L level according to the H level or L level of the polarity inversion signal (M). The level and each NOR circuit (NOR1) becomes H level or L level.
As a result, the PMOS transistor (PM1) and the NMOS transistor (NM1) are turned off or on, the PMOS transistor (PM2) and the NMOS transistor (NM2) are turned on or off, and the output of the high
〈本実施例の液晶表示モジュールの特徴的構成〉
図13は、本実施例のドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の内部回路のレイアウトを示す図である。
同図に示すように、本実施例は、シフトレジスタ回路153、データラッチ部262、デコーダ回路157、およびバッファ回路158から成る出力回路ブロックを、出力端子数分、半導体チップ(IC)の短手方向に2段に重ねて配置することを特徴とする。
そして、図13に示すように、半導体チップ(IC)の短手方向の中央部に出力端子(バンプ電極)領域(a)20を設け、前記2段に重ねて配置された出力回路ブロックは、この出力端子領域(a)20から、バッファ回路158、デコーダ回路157、データラッチ部262、および、シフトレジスタ回路153の順に設けられる。
また、半導体チップ(IC)の長手方向の中央部には、入力回路・配線領域23が設けられ、表示データ、クロックなどを、2段に重ねて配置された出力回路ブロックに供給するようにしている。
このように、本実施例では、同一形状の出力端子部分を近接した領域(出力端子領域(a))に配置することで、無駄なスペースを削減でき、出力端子部分の面積を縮小することができる。なお、22は、入力端子領域である。
<Characteristic configuration of the liquid crystal display module of this embodiment>
FIG. 13 is a diagram showing a layout of an internal circuit of a semiconductor chip (IC) constituting the
As shown in the figure, in this embodiment, an output circuit block composed of a
As shown in FIG. 13, an output terminal (bump electrode) region (a) 20 is provided at the center in the short direction of the semiconductor chip (IC), and the output circuit block arranged in two stages is as follows. From the output terminal area (a) 20, the
In addition, an input circuit /
As described above, in this embodiment, by arranging the output terminal portions having the same shape in the adjacent region (output terminal region (a)), the useless space can be reduced and the area of the output terminal portion can be reduced. it can.
本実施例では、出力回路ブロックを2段に重ねて配置した関係上、シフトレジスタ回路153を各段毎に配置している。
このため、図6、図7に示すドレインドライバ130に比して、本実施例のドレインドライバ130では、シフトレジスタ回路形成領域が増加する。
しかしながら、シフトレジスタ回路153は、低い耐圧のプロセスで製造できる低電圧回路であること、かつ、回路規模が小さいことにより、2倍になっても面積の増加は無視できる程度である。
このように、本実施例では、ドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の大部分を占める階調電圧出力回路部分を2分割するようにしたので、半導体チップ(IC)のチップの長手方向(横方向)の長さを、図26に示す階調電圧出力回路を、チップの長手方向に一列に配置する構成に比して、およそ半分(1/2倍)にすることができる。
但し、本実施例では、半導体チップ(IC)のチップの短手方向の長さは、図26に示す階調電圧出力回路を、チップの長手方向に一列に配置する構成に比して、およそ2倍になる。
即ち、本実施例では、ドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)は、その外形形状が、細長い板状ではなく、より正方形に近いものとなる。
In this embodiment, the
Therefore, as compared with the
However, the
As described above, in this embodiment, the grayscale voltage output circuit portion occupying most of the semiconductor chip (IC) constituting the
However, in the present embodiment, the length of the semiconductor chip (IC) in the short direction is approximately equal to the configuration in which the grayscale voltage output circuits shown in FIG. 26 are arranged in a line in the longitudinal direction of the chip. Doubled.
In other words, in this embodiment, the external shape of the semiconductor chip (IC) constituting the
したがって、本実施例では、一枚のウェーハから取得できるチップ数を、従来の細長い板状のものに比べて増加させることができ、かつ、一枚の半導体ウェーハ面に、いわゆるステップアンドリピートの露光によって半導体チップ(IC)を形成する際に、安価な装置を使用できるので、半導体チップ(IC)のコストを低減することができる。
なお、本実施例において、出力端子(BUMP1)の配置は、半導体チップ(IC)サイズと、出力端子数と、出力端子間の距離により決定され、半導体チップ(IC)サイズが大きい場合、バッファ回路158に最も近い、図13中の出力端子領域(a)20に配置するのが、半導体チップ(IC)の面積がもっとも小さくなる。
半導体チップ(IC)サイズが小さい場合は、出力端子領域(b)21を使用するようにすればよい。
Therefore, in this embodiment, the number of chips that can be obtained from a single wafer can be increased as compared to a conventional elongated plate-like one, and so-called step-and-repeat exposure is performed on one semiconductor wafer surface. Therefore, when forming a semiconductor chip (IC), an inexpensive device can be used, so that the cost of the semiconductor chip (IC) can be reduced.
In this embodiment, the arrangement of the output terminals (BUMP1) is determined by the semiconductor chip (IC) size, the number of output terminals, and the distance between the output terminals. When the semiconductor chip (IC) size is large, the buffer circuit Arrangement in the output terminal region (a) 20 in FIG. 13 closest to 158 has the smallest area of the semiconductor chip (IC).
When the semiconductor chip (IC) size is small, the output terminal region (b) 21 may be used.
また、本実施例では、出力端子(BUMP1)が、半導体チップ(IC)の中央付近に配置されるので、チップオンフィルム方式で半導体チップ(IC)をフィルム基板上に実装した場合には、半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)と、液晶表示パネル10のドレイン線(D)とを接続するための、フィルム基板上の配線層(COFA)は、一部、半導体チップ(IC)とオーバラップする。
そのため、本実施例では、フィルム基板上の配線層(COFA)を、図14に示すようなレイアウトとすることで、図13に示すように、フィルム基板310の配線層(COFA)と半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)とが接触することなく、半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)と液晶表示パネル10のドレイン線(D)とを電気的に接続することができる。
なお、半導体チップの中央部に端子領域を設けることは、半導体メモリなどで知られているが、この半導体メモリで端子領域を中央部に設ける理由は、主にチップ内の配線遅延を減らす目的であり、本願発明のように、半導体チップのコストを低減するものではない。
In this embodiment, since the output terminal (BUMP1) is arranged near the center of the semiconductor chip (IC), when the semiconductor chip (IC) is mounted on the film substrate by the chip-on-film method, the semiconductor The wiring layer (COFA) on the film substrate for connecting the output terminal (BUMP1) of the chip (IC) and the drain line (D) of the liquid
Therefore, in this embodiment, the wiring layer (COFA) on the film substrate has a layout as shown in FIG. 14, so that the wiring layer (COFA) of the
The provision of a terminal region at the center of a semiconductor chip is known for semiconductor memories and the like. The reason for providing a terminal region at the center of this semiconductor memory is mainly to reduce wiring delay in the chip. Yes, unlike the present invention, it does not reduce the cost of the semiconductor chip.
[実施例2]
図15は、本発明の実施例2のドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の内部回路のレイアウトを示す図である。
本実施例では、前述の実施例1で説明した2段に重ねて配置した出力回路ブロックのそれぞれを、正極性の階調電圧を出力する出力回路ブロックと、負極性の階調電圧を生成する出力回路ブロックとに分離するようにしたものである。
即ち、デコーダ回路157が高電圧用デコーダ回路251で、アンプ回路264が高電圧用アンプ回路271からなる出力回路ブロック(図16では、上側の出力回路ブロックに相当し、図中、HVと表現している。)と、デコーダ回路157が低電圧用デコーダ回路252で、アンプ回路264が低電圧用アンプ回路272からなる出力回路ブロック(図16では、下側の出力回路ブロックに相当し、図中、LVと表現している。)とに分離したものである。
なお、シフトレジスタ153は、クロック制御回路内のシフトクロック生成回路254で生成されたシフトクロックにより動作し、図15中に、シフトレジスタ回路153のシフト方向を、点線の矢印で示している。
図15において、デコーダ回路部分に付記している数字は、出力端子(BUMP1)に対応しており、この図15の数字は、極性反転信号(M)のレベル(HレベルあるいはLレベル)に応じて、例えば、No.1がNo.2に、No.2がNo.1に入れ替わる。
このため、本実施例では、シフトレジスタ回路153は、3出力端子(BUMP1)毎に1回、データ取り込み用信号を出力する必要がある。
なお、前述の実施例では、シフトレジスタ回路153は、6出力端子(BUMP1)毎に1回、データ取り込み用信号を出力する。
[Example 2]
FIG. 15 is a diagram showing an internal circuit layout of a semiconductor chip (IC) constituting the
In the present embodiment, each of the output circuit blocks arranged in the two stages described in the first embodiment is generated with an output circuit block that outputs a positive gradation voltage and a negative gradation voltage. The output circuit block is separated.
That is, the
Note that the
In FIG. 15, the numbers appended to the decoder circuit portion correspond to the output terminal (BUMP1), and the numbers in FIG. 15 correspond to the level (H level or L level) of the polarity inversion signal (M). For example, No. 1 is no. 2, no. 2 is no. 1 is replaced.
For this reason, in this embodiment, the
In the above-described embodiment, the
本実施例では、64階調×2=128本の電圧バスラインを持つデコーダ回路157と、6ビット×6=36本の表示データバスを持つデータラッチ部262において、回路面積の縮小を図ることができる。
図16は、半導体チップ(IC)内の、従来のデコーダ回路157の構造を示す模式図である。
図16に示すように、従来、デコーダ回路157は、低電圧側の64階調の電圧バスラインと、高電圧側の64階調の電圧バスラインの、計128本のアルミニウム配線(以下、AL配線という。)150の下に、スイッチ素子が配置される。
ここで、例えば、高電圧側(図中、高と示す)に着目すると、128本の電圧バスラインのうち使用するのは、高電圧側64階調分の64本のみであるため、残りの低電圧側の64本分のスペースは、スイッチ素子の大きさが制約にならないとすると、無駄な領域である。低電圧側に着目しても同様であり、この時の面積を(a×b)とする。
In this embodiment, the circuit area is reduced in the
FIG. 16 is a schematic diagram showing the structure of a
As shown in FIG. 16, a
Here, for example, focusing on the high voltage side (shown as high in the figure), only 64 of the 128 voltage bus lines are used for 64 gradations on the high voltage side, so the remaining The space for 64 on the low voltage side is a useless area if the size of the switch element is not a constraint. The same applies to the low voltage side, and the area at this time is (a × b).
図17は、半導体チップ(IC)内の、本実施例のデコーダ回路157の構造を示す模式図である。
図17に示すように、高電圧側64階調の配線の下に、高電圧用デコーダ271のスイッチ素子が、低電圧側64階調の配線の下に低電圧用デコーダ272のスイッチ素子が配置される。
そのため、本実施例では、図16に示す従来のデコーダ回路157のように、無駄な領域は存在しない。
なお、現状の製造プロセスにおいては、AL配線150が面積に対しては支配的な場合が多く、スイッチ素子はAL配線150の下に配置することが十分可能である。
この時の面積は、(a×b)/2で、図16に示す従来のデコーダ回路157の半分(1/2)となる。
このように、本実施例では、機能は同一であるのもかかわらず、回路面積を半減することができる。
データラッチ部262においても、全く同様の理由により、回路面積を半減することができ、そのため、ドレインドライバ全体の面積を大幅に削減することができる。
FIG. 17 is a schematic diagram showing the structure of the
As shown in FIG. 17, the switch element of the
Therefore, in this embodiment, there is no useless area unlike the
In the current manufacturing process, the
The area at this time is (a × b) / 2, which is half (1/2) of the
Thus, in this embodiment, the circuit area can be halved even though the functions are the same.
In the data latch
[実施例3]
図18は、本発明の実施例3のドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の内部回路のレイアウトを示す図である。
本実施例では、前述の実施例1で説明した出力回路ブロックを、4段に重ねて配置したものである。
本実施例でも、同一形状の出力端子(BUMP1)を近接した領域に配置することで、無駄なスペースを削減でき、出力端子領域20の面積を縮小することができる。
但し、本実施例では、前述の実施例1の2段構成時に対して、デコーダ回路157、およびデータラッチ部262分だけ面積が増加するが、長手方向(横方向)の長さをより短縮することができる。
このため、出力端子数の増大に伴って、ウェーハに、ステップアンドリピートの露光によって半導体チップ(IC)を形成する際に、該露光範囲内に収めることを可能にする。
[Example 3]
FIG. 18 is a diagram showing a layout of an internal circuit of a semiconductor chip (IC) constituting the
In this embodiment, the output circuit blocks described in the first embodiment are arranged in four stages.
Also in the present embodiment, by arranging the output terminals (BUMP1) having the same shape in the adjacent areas, it is possible to reduce a useless space and to reduce the area of the
However, in this embodiment, the area is increased by the
For this reason, as the number of output terminals increases, when a semiconductor chip (IC) is formed on the wafer by step-and-repeat exposure, it is possible to fit within the exposure range.
また、本実施例では、出力端子(BUMP1)が、半導体チップ(IC)の中央付近に2段に配置されるので、チップオンフィルム方式で半導体チップ(IC)をフィルム基板上に実装した場合には、半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)と、液晶表示パネル10のドレイン線(D)とを接続するための、フィルム基板上の配線層(COFA)は、一部、半導体チップ(IC)とオーバラップする。
そのため、本実施例では、フィルム基板上の配線層(COFA)を、図19に示すようなレイアウトとすることで、図18に示すように、フィルム基板310の配線層(COFA)と半導体チップ(IC)の端子(BUMP1)とが接触することなく、半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)と液晶表示パネル10のドレイン線(D)とを電気的に接続することができる。
In this embodiment, since the output terminal (BUMP1) is arranged in two stages near the center of the semiconductor chip (IC), when the semiconductor chip (IC) is mounted on the film substrate by the chip-on-film method. The wiring layer (COFA) on the film substrate for connecting the output terminal (BUMP1) of the semiconductor chip (IC) and the drain line (D) of the liquid
Therefore, in this embodiment, the wiring layer (COFA) on the film substrate has a layout as shown in FIG. 19, so that the wiring layer (COFA) and the semiconductor chip (COFA) of the
[実施例4]
図20は、本発明の実施例4のドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の出力端子(BUMP1)の配置を説明するための図である。
同図に示すように、本実施例では、出力端子(BUMP1)は2列に形成され、これらの出力端子(BUMP1)は、フィルム基板310に形成された配線層(COFA)により、液晶表示パネル10のドレイン線(D)と電気的に接続される。
この場合に、出力端子(BUMP1)を複数列に形成すると、フィルム基板310に形成される配線層(COFA)の間隔が狭くなるので、フィルム基板310の配線層(COFA)と隣接する出力端子(BUMP1)との間隙が小さくなり、短絡不良の発生する確立が高くなる不具合が発生する。
そこで、本実施例では、フィルム基板310の配線層(COFA)の引き出し方向に近い列の端子(BUMP1)ほど(即ち、図20中の、第1列目の端子(BUMP1)に対して第2列目の端子(BUMP1)ほど)、出力端子(BUMP1)の列方向の長さを短くし、これにより、フィルム基板310の配線層(COFA)と隣接する出力端子(BUMP1)との間隙(図20のLa)を長くして、短絡不良の発生を回避するようにしている。
[Example 4]
FIG. 20 is a diagram for explaining the arrangement of the output terminals (BUMP1) of the semiconductor chip (IC) constituting the
As shown in the figure, in this embodiment, the output terminals (BUMP1) are formed in two rows, and these output terminals (BUMP1) are formed on a liquid crystal display panel by a wiring layer (COFA) formed on the
In this case, when the output terminals (BUMP1) are formed in a plurality of rows, the interval between the wiring layers (COFA) formed on the
Therefore, in the present embodiment, the second row terminal (BUMP1) in the row closer to the drawing direction of the wiring layer (COFA) of the film substrate 310 (that is, the second row terminal (BUMP1) in FIG. The terminal in the column (BUMP1)) and the length of the output terminal (BUMP1) in the column direction are shortened, so that the gap between the wiring layer (COFA) of the
また、出力端子(BUMP1)の間隔(ピッチ)が小さくなるにつれて、プローブ検査を行う場合、プローブと出力端子(BUMP1)のずれによる不具合が生じる。
そこで、本実施例では、n(n>1)段に配置された出力端子(BUMP1)に、nピンおきにプローブ実施する場合、フィルム基板310に形成された配線層(COFA)の引き出し方向から遠方に配置された出力端子(BUMP1)(図15の第1列目の出力端子(BUMP1))の列方向の長さを長くして、この列でプローブ検査を行うことにより、プローブと出力端子(BUMP1)のずれによるプローブ検査時の不具合を回避するようにしている。
このように、本実施例では、フィルム基板310に形成された配線層(COFA)の引き出す方向に近い列の出力端子(図20中の第1列目の出力端子(BUMP1))ほど列方向の長さを短くすることによって、出力端子(BUMP1)とフィルム基板310に形成された配線層(COFA)との短絡不良を回避でき、さらには、プローブ試験時のプローブと出力端子(BUMP1)のずれによる接続時不具合を回避することができる。
Further, as the interval (pitch) between the output terminals (BUMP1) becomes smaller, a defect due to the displacement between the probe and the output terminal (BUMP1) occurs when the probe inspection is performed.
Therefore, in this embodiment, when the probe is performed every n pins on the output terminals (BUMP1) arranged in n (n> 1) stages, the wiring layer (COFA) formed on the
As described above, in this embodiment, the output terminals in the column that are closer to the direction in which the wiring layer (COFA) formed on the
[実施例5]
図21は、本発明の実施例5のドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)の端子(BUMP)の一部と、フィルム基板310に形成された配線層(COFB)の一部を説明するための図である。
図21に示す配線層(COFB)は、フィルム基板310に実装される半導体チップ(IC)の端子(BUMP)同士を接続するものである。
液晶表示装置の高精細化、高性能化および画面サイズの拡大が進むにつれ、ドレインドライバ130の高性能化が要求されると、ドレインドライバ130を構成する半導体チップ(IC)内の電源配線層、クロック配線層等において、負荷インピーダンスの影響による出力遅延が問題となる。
そこで、本実施例のように、半導体チップ(IC)のメタル配線を、低インピーダンスであるフィルム基板310の配線層(COFB)で、補強または置きかえることにより、ドレインドライバ130の駆動能力を向上させることが可能となる。
[Example 5]
FIG. 21 illustrates a part of the terminal (BUMP) of the semiconductor chip (IC) constituting the
The wiring layer (COFB) shown in FIG. 21 connects the terminals (BUMP) of the semiconductor chip (IC) mounted on the
As the liquid crystal display device becomes higher in definition, higher in performance, and larger in screen size, when a higher performance of the
Therefore, as in the present embodiment, the drive capability of the
また、図22のように、複数の端子(BUMP)を同一配線で接続し、さらに、この配線層(COFB)をフィルム基板310の外周に形成される配線層の入力端子に接続することも可能である。
あるいは、図23に示すように、半導体チップ(IC)の外周に置ききれない端子(BUMP)を内側に設け、この内側に設けた端子(BUMP)に、フィルム基板310の配線層(COFB)を接続することにより、この内側に設けた端子(BUMP)に電圧を供給することができる。
なお、前記各実施例では、縦電界方式の液晶表示パネルに本発明を適用した実施例について説明したが、これに限定されず、本発明は、横電界方式の液晶表示パネルにも適用可能である。
また、前記各実施例では、駆動方法としてドット反転方式が適用される実施例について説明したが、これに限定されず、本発明は、1ライン毎、あるいは1フレーム毎に、画素電極(ITO1)およびコモン電極(ITO2)に印加する駆動電圧を反転するコモン反転法にも適用可能である。
さらに、本発明は、単純マトリクス形液晶表示装置にも適用することが可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
Further, as shown in FIG. 22, it is also possible to connect a plurality of terminals (BUMP) with the same wiring, and further connect this wiring layer (COFB) to the input terminal of the wiring layer formed on the outer periphery of the
Alternatively, as shown in FIG. 23, terminals (BUMP) that cannot be placed on the outer periphery of the semiconductor chip (IC) are provided on the inner side, and the wiring layer (COFB) of the
In each of the above embodiments, the embodiment in which the present invention is applied to the vertical electric field type liquid crystal display panel has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to a horizontal electric field type liquid crystal display panel. is there.
In each of the above embodiments, the dot inversion method is applied as a driving method. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. The pixel electrode (ITO1) is used for each line or each frame. The present invention can also be applied to a common inversion method for inverting the drive voltage applied to the common electrode (ITO2).
Furthermore, the present invention can also be applied to a simple matrix liquid crystal display device.
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.
10 液晶表示パネル(TFT−LCD)
20 出力端子領域(a)
21 出力端子領域(b)
22 入力端子領域
23 入力回路・配線領域
100 インタフェース部
110 表示制御装置
120 電源回路
121,122 電圧生成回路
123 コモン電極電圧生成回路
124 ゲート電極電圧生成回路
130 ドレインドライバ
131,132,134,135,141,142 信号線
133 表示データのバスライン
140 ゲートドライバ
150 アルミニウム配線
151 階調電圧生成回路
152 クロック制御回路
153 シフトレジスタ回路
154 入力ラッチ回路
155 ラッチ回路(1)
156 ラッチ回路(2)
157 デコーダ回路
158 バッファ回路
251 高電圧用デコーダ回路
252 低電圧用デコーダ回路
254 シフトクロック生成回路
261 表示データ選択回路
262 データラッチ部
263 レベルシフト回路
264 アンプ回路
265 出力選択回路
271 高電圧用アンプ回路
272 低電圧用アンプ回路
301 TFTコントローラ基板
302 ドレインドライバ基板
303 ゲートドライバ基板
310 フィルム基板
D,Y ドレイン信号線(映像信号線または垂直信号線)
G ゲート信号線(走査信号線または水平信号線)
ITO1 画素電極
ITO2 コモン電極
CN 共通信号線
TFT 薄膜トランジスタ
CLC 液晶容量
CSTG 保持容量
CADD 付加容量
PM PMOSトランジスタ
NM NMOSトランジスタ
LS レベルシフト回路
TRP トランジスタ列
NAND ナンド回路
AND アンド回路
NOR ノア回路
INV インバータ
OP オペアンプ
IC 半導体チップ
BUMP 端子
BUMP1 出力端子
BUMP2 入力端子
COFA,COFB 配線層
10 Liquid crystal display panel (TFT-LCD)
20 Output terminal area (a)
21 Output terminal area (b)
DESCRIPTION OF
156 Latch circuit (2)
157
G Gate signal line (scanning signal line or horizontal signal line)
ITO1 pixel electrode ITO2 common electrode CN common signal line TFT thin film transistor CLC liquid crystal capacitor CSTG holding capacitor CADD additional capacitor PM PMOS transistor NM NMOS transistor LS level shift circuit TRP transistor array NAND NAND circuit AND AND circuit NOR NOR circuit INV inverter OP operational amplifier IC semiconductor chip BUMP terminal BUMP1 output terminal BUMP2 input terminal COFA, COFB Wiring layer
Claims (4)
前記各映像信号線に表示データに対応する階調電圧を供給する映像信号線駆動手段とを有する液晶表示装置であって、
前記映像信号線駆動手段は、半導体集積回路装置と、
前記半導体集積回路装置がチップオンフィルム方式で実装されたフィルム基板とを有し、
前記フィルム基板上に形成された第1の配線層によって、前記半導体集積回路装置の複数の出力端子と、前記複数の映像信号線とが電気的に接続され、
前記フィルム基板上に形成された第2の配線層によって、前記半導体集積回路装置の複数の端子同士が電気的に接続されており、
前記第2の配線層を介して、前記半導体集積回路装置の電源、或いはクロックが伝達されることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display element having a plurality of pixels and a plurality of video signal lines for applying gradation voltages to the plurality of pixels;
A liquid crystal display device having video signal line driving means for supplying gradation voltages corresponding to display data to the video signal lines,
The video signal line driving means includes a semiconductor integrated circuit device,
The semiconductor integrated circuit device has a film substrate mounted in a chip-on-film method,
By the first wiring layer formed on the film substrate, the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit device and the plurality of video signal lines are electrically connected,
A plurality of terminals of the semiconductor integrated circuit device are electrically connected by the second wiring layer formed on the film substrate ,
A liquid crystal display device , wherein a power supply or a clock of the semiconductor integrated circuit device is transmitted through the second wiring layer .
前記第2の配線層は、前記長手方向に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。 The semiconductor integrated circuit device has a longitudinal direction and a lateral direction,
The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the second wiring layer is formed in the longitudinal direction.
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