JP4168674B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ノーマリオンタイプのスイッチング素子を用いた、高効率な電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
スイッチング電源等の電力変換装置には、通常、ノーマリオフタイプのMOSFET,BJT(バイポーラ接合トランジスタ)等のスイッチング素子が使用されている。このノーマリオフタイプのスイッチング素子は、電源がオフ時にオフ状態となるスイッチである。
【0003】
従来のこの種の電力変換装置において、交流電源がオンされると、交流電源からの交流電圧が整流回路で整流され、得られた電圧により制御回路が起動し、制御回路が制御信号(正電圧信号)をノーマリオフタイプのスイッチング素子のゲートに供給する。このため、スイッチング素子がオンし、整流回路の一方の出力端からトランスの1次巻線を介してスイッチング素子に電流が流れて、スイッチング動作が開始される。
【0004】
一方、SIT(static induction transistor、静電誘導トランジスタ)等のノーマリオンタイプのスイッチング素子は、電源がオフ時にオン状態となるスイッチである。このノーマリオンタイプのスイッチング素子は、スイッチングスピードが速く、オン抵抗も低くスイッチング電源等の電力変換装置に使用した場合、理想的な素子であり、スイッチング損失を減少させ高効率が期待できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ノーマリオンタイプのスイッチング素子にあっては、電源をオンすると、スイッチング素子がオン状態であるため、整流回路の一方の出力端からトランスの1次巻線を介してスイッチング素子に電流が流れて、スイッチング素子が短絡する。このため、ノーマリオンタイプのスイッチング素子を起動できず、特殊な用途以外には使用できない。
【0006】
本発明の目的は、ノーマリオンタイプのスイッチング素子を使用した高効率な電力変換装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために以下の構成とした。請求項1の発明は、交流電源に接続されて交流電圧を整流する整流回路と、この整流回路の一方の出力端にトランスの1次巻線を介して接続されたノーマリオンタイプの主スイッチと、この主スイッチをオンオフ制御する制御回路と、前記トランスの2次巻線に誘起する電圧を整流平滑して直流出力を取り出す整流平滑回路と、前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、入力平滑コンデンサと突入電流制限抵抗とが直列に接続された直列回路とを有し、前記制御回路は、前記交流電源がオンされたときに前記突入電流制限抵抗に発生した電圧により起動し、前記主スイッチの制御端子に逆バイアス電圧を出力して前記主スイッチをオフさせ、前記入力平滑コンデンサが充電された後、前記主スイッチをオンオフさせるスイッチング動作を開始させることを特徴とする。
【0008】
請求項1の発明によれば、制御回路が、交流電源がオンされたときに突入電流制限抵抗に発生した電圧により起動し、主スイッチの制御端子に逆バイアス電圧を出力して主スイッチをオフさせ、入力平滑コンデンサが充電された後、主スイッチをオンオフさせるスイッチング動作を開始させるので、電源オン時における問題もなくなる。従って、ノーマリオンタイプの半導体スイッチが使用可能となり、高効率な電力変換装置を提供することができる。
【0009】
請求項2の発明は、前記トランスの3次巻線に発生する電圧を前記制御回路に供給する通常動作電源部を有することを特徴とする。
【0010】
請求項2の発明によれば、通常動作電源部が、トランスの3次巻線に発生する電圧を制御回路に供給するので、制御回路が動作を継続することができるから、主スイッチのスイッチング動作を継続して行うことができる。
【0011】
請求項3の発明は、前記突入電流制限抵抗に並列に接続された半導体スイッチを有し、前記制御回路は、前記主スイッチのスイッチング動作を開始させた後、前記半導体スイッチをオンさせることを特徴とする。
【0012】
請求項3の発明によれば、制御回路は、主スイッチのスイッチング動作を開始させた後、半導体スイッチをオンさせるので、突入電流制限抵抗の両端が短絡される。このため、突入電流制限抵抗の損失を減ずることができる。
【0013】
請求項4の発明は、前記突入電流制限抵抗に並列に接続された半導体スイッチと、前記トランスの3次巻線に発生する電圧を前記半導体スイッチの制御端子に供給して前記半導体スイッチをオンさせる制御素子とを有することを特徴とする。
【0014】
請求項4の発明によれば、制御素子は、トランスの3次巻線に発生する電圧を半導体スイッチの制御端子に供給して半導体スイッチをオンさせるので、突入電流制限抵抗の両端が短絡される。このため、突入電流制限抵抗の損失を減ずることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電力変換装置の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0016】
以下に説明する第1及び第2の実施の形態に係る電力変換装置は、交流電源の交流電圧を整流し、得られた電圧を別の直流電圧に変換して出力するもので、ノーマリオンタイプのスイッチング素子を使用するために、電源オン時に、入力平滑コンデンサの突入電流を軽減する目的で挿入されている突入電流制限抵抗の電圧降下による電圧を、ノーマリオンタイプのスイッチング素子の逆バイアス電圧に使用し、電源オン時の問題をなくしたことを特徴とする。
【0017】
(第1の実施の形態)
図1は実施の形態に係る電力変換装置を示す回路構成図である。図1に示す電力変換装置は、交流電源Vac1から入力される交流電圧を全波整流回路B1で整流して、得られた電圧を別の直流電圧に変換して出力するもので、全波整流回路B1の一方の出力端P1と他方の出力端P2との間には、入力平滑コンデンサC1と突入電流制限抵抗R1とからなる直列回路が接続されている。
【0018】
全波整流回路B1の一方の出力端P1には、トランスTの1次巻線5a(巻数n1)を介してSIT等のノーマリオンタイプの主スイッチQ1が接続され、主スイッチQ1は、制御回路11のPWM制御によりオン・オフする。トランスTの2次巻線5b(巻数n2)にはダイオードD1及びコンデンサC4からなる整流平滑回路が接続されている。この整流平滑回路は、トランスTの2次巻線5bに誘起された電圧(オンオフ制御されたパルス電圧)を整流平滑して直流出力を負荷RLに出力する。
【0019】
また、突入電流制限抵抗R1の両端にはスイッチS1が接続されている。このスイッチS1は、例えばノーマリオフタイプのMOSFET,BJT(バイポーラ接合トランジスタ)等の半導体スイッチであり、制御回路11からの短絡信号によりオン制御される。
【0020】
突入電流制限抵抗R1の両端には、コンデンサC2と抵抗R2とダイオードD2とからなる起動電源部12が接続されている。この起動電源部12は、突入電流制限抵抗R1の両端に発生する電圧を取り出し、コンデンサC2の両端電圧を主スイッチQ1のゲートへの逆バイアス電圧として使用するために、制御回路11に出力する。また、入力平滑コンデンサC1に充電された充電電圧を制御回路11に供給する。
【0021】
制御回路11は、交流電源Vac1をオンしたときに、コンデンサC2から供給された電圧により起動し、制御信号として端子bから主スイッチQ1のゲートに逆バイアス電圧を出力し、主スイッチQ1をオフさせる。この制御信号は、例えば、−15Vと0Vとのパルス信号からなり、−15Vの電圧により主スイッチQ1がオフし、0Vの電圧により主スイッチQ1がオンする。
【0022】
制御回路11は、入力平滑コンデンサC1の充電が完了した後、端子bから制御信号として0Vと−15Vとのパルス信号を主スイッチQ1のゲートに出力し、主スイッチQ1をスイッチング動作させる。制御回路11は、主スイッチQ1をスイッチング動作させた後、所定時間経過後にスイッチS1のゲートに短絡信号を出力し、スイッチS1をオンさせる。
【0023】
また、トランスTに設けられた3次巻線5c(巻数n3)の一端は、主スイッチQ1の一端とコンデンサC3の一端と制御回路11とに接続され、3次巻線5cの他端は、ダイオードD3のカソードに接続され、ダイオードD3のアノードはコンデンサC3の他端及び制御回路11の端子cに接続されている。3次巻線5cとダイオードD3とコンデンサC3とは通常動作電源部13を構成し、この通常動作電源部13は、3次巻線5cで発生した電圧をダイオードD3及びコンデンサC3を介して制御回路11に供給する。
【0024】
次にこのように構成された第1の実施の形態に係る電力変換装置の動作を図1乃至図3を参照しながら説明する。
【0025】
なお、図3において、Vac1は、交流電源Vac1の交流電圧を示し、入力電流は、交流電源Vac1に流れる電流を示し、R1電圧は、突入電流制限抵抗R1に発生する電圧を示し、C1電圧は、入力平滑コンデンサC1の電圧を示し、C2電圧は、コンデンサC2の電圧を示し、出力電圧は、コンデンサC4の電圧を示し、制御信号は、制御回路11の端子bから主スイッチQ1のゲートへ出力される信号を示す。
【0026】
まず、時刻t0において、交流電源Vac1を印加(オン)すると、交流電源Vac1の交流電圧は全波整流回路B1で全波整流される。このとき、ノーマリオンタイプの主スイッチQ1は、オン状態であり、スイッチS1は、オフ状態である。このため、全波整流回路B1からの電圧は、入力平滑コンデンサC1を介して突入電流制限抵抗R1に全て印加される(図2中の▲1▼)。
【0027】
この突入電流制限抵抗R1に発生した電圧は、ダイオードD2、抵抗R2を介してコンデンサC2に蓄えられる(図2中の▲2▼)。ここで、コンデンサC2の端子f側が例えば零電位となり、コンデンサC2の端子g側が例えば負電位となる。このため、コンデンサC2の電圧は、図3に示すように、負電圧(逆バイアス電圧)となる。このコンデンサC2の負電圧が端子aを介して制御回路11に供給される。
【0028】
そして、コンデンサC2の電圧が、主スイッチQ1のスレッシホールド電圧THLになった時点(図3の時刻t1)で、制御回路11は、端子bから−15Vの制御信号を主スイッチQ1のゲートに出力する(図2中の▲3▼)。このため、主スイッチQ1は、オフ状態となる。
【0029】
すると、全波整流回路B1からの電圧により、入力平滑コンデンサC1は、充電されて(図2中の▲4▼)、入力平滑コンデンサC1の電圧が上昇していき、入力平滑コンデンサC1の充電が完了する。
【0030】
次に、時刻t2において、制御回路11は、スイッチング動作を開始させる。始めに、端子bから0Vの制御信号を主スイッチQ1のゲートに出力する(図2中の▲5▼)。このため、主スイッチQ1は、オン状態となるため、全波整流回路B1の一方の出力端P1からトランスTの1次巻線5aを介して主スイッチQ1に電流が流れて(図2中の▲6▼)、トランスTの1次巻線5aにエネルギーが蓄えられる。
【0031】
また、トランスTの1次巻線5aと電磁結合している3次巻線5cにも電圧が発生し、発生した電圧は、ダイオードD3及びコンデンサC3を介して制御回路11に供給される(図2中の▲7▼)。このため、制御回路11が動作を継続することができるので、主スイッチQ1のスイッチング動作を継続して行うことができる。
【0032】
次に、時刻t3において、端子bから−15Vの制御信号を主スイッチQ1のゲートに出力する。このため、時刻t3に主スイッチQ1がオフして、1次巻線5aに発生した逆起電力により、2次巻線5bからダイオードD1を介して負荷RL及びコンデンサC4に電流が流れて、負荷RLに出力電圧が発生する。また、時刻時刻t3に制御回路11から短絡信号をスイッチS1に出力すると、スイッチS1がオンして(図2中の▲8▼)、突入電流制限抵抗R1の両端が短絡される。このため、突入電流制限抵抗R1の損失を減ずることができる。
【0033】
なお、時刻t3は、交流電源Vac1をオンしたとき(時刻t0)からの経過時間として設定され、例えば入力平滑コンデンサC1と突入電流制限抵抗R1との時定数(τ=C1・R1)の約5倍以上の時間に設定される。以後、主スイッチQ1はオンオフによるスイッチング動作を繰り返す。
【0034】
このように第1の実施の形態に係る電力変換装置によれば、制御回路11は、交流電源Vac1がオンされたときに突入電流制限抵抗R1に発生した電圧により主スイッチQ1をオフさせ、入力平滑コンデンサC1が充電された後、主スイッチQ1をオンオフさせるスイッチング動作を開始させるので、電源オン時における問題もなくなる。従って、ノーマリオンタイプの半導体スイッチが使用可能となり、損失の少ない、即ち、高効率な電力変換装置を提供することができる。
【0035】
(第2の実施の形態)
次に本発明に係る電力変換装置の第2の実施の形態を説明する。図4は第2の実施の形態に係る電力変換装置を示す回路構成図である。図4に示す第2の実施の形態に係る電力変換装置は、図1に示す第1の実施の形態に係る電力変換装置に対して、スイッチS1としてトライアックTRを用い、このトライアックTRのゲートを抵抗R3(本発明の制御素子に対応)を介して通常動作電源部13のコンデンサC3の他端及びダイオードD3のアノードに接続した点が異なる。
【0036】
即ち、トライアックTRが突入電流制限抵抗R1に並列に接続され、抵抗R3は、トランスTの3次巻線5cに発生する電圧をトライアックTRのゲートに供給してトライアックTRをオンさせるようになっている。
【0037】
なお、図4に示す電力変換装置のその他の構成は、図1に示す電力変換装置の構成と同一であり、図1に示す部分と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0038】
このように構成された第2の実施の形態に係る電力変換装置によれば、主スイッチQ1のスイッチング動作が開始した後(電力変換装置が動作したことに相当)には、トランスTの3次巻線5cに電圧が発生する。そして、トランスTの3次巻線5cに発生した電圧が、抵抗R3を介してトライアックTRのゲートに供給されるため、トライアックTRがオンするので、突入電流制限抵抗R1の両端が短絡される。このため、突入電流制限抵抗R1の損失を減ずることができる。
【0039】
また、電力変換装置が何らかの理由(例えば過電圧状態)で停止し、瞬時にオフ状態となると、トランスTの3次巻線5cに電圧が発生しなくなるため、ノーマリオンタイプの主スイッチQ1のバイアス電圧が減少して、主スイッチQ1がオン状態となる。この場合には、トランスTの3次巻線5cから電圧が抵抗R3を介してトライアックTRに供給されず、トライアックTRがオフするため、突入電流制限抵抗R1に電圧が発生するから、バイアス電圧が復活して、主スイッチQ1を再起動させることができる。
【0040】
また、スイッチS1としてトライアックTRを用いているので、通常動作電源部13からトライアックTRのゲートに正電圧が印加されても、あるいは、負電圧が印加されても、トライアックTRをオンさせることができるという利点を有している。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ノーマリオンタイプの半導体スイッチが使用可能となり、高効率な電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係る電力変換装置を示す回路構成図である。
【図2】第1の実施の形態に係る電力変換装置の動作を説明するための図である。
【図3】第1の実施の形態に係る電力変換装置の各部における信号のタイミングチャートである。
【図4】第2の実施の形態に係る電力変換装置を示す回路構成図である。
【符号の説明】
Vac1 交流電源
B1 全波整流回路
Q1 主スイッチ(ノーマリオンタイプ)
S1 スイッチ(ノーマリオフタイプ)
R1 突入電流制限抵抗
R2,R3 抵抗
RL 負荷
C1 入力平滑コンデンサ
C2,C3,C4 コンデンサ
T トランス
5a 1次巻線
5b 2次巻線
5c 3次巻線
D1,D2,D3 ダイオード
TR トライアック
11 制御回路
12 起動電源部
13 通常動作電源部
Claims (4)
- 交流電源に接続されて交流電圧を整流する整流回路と、
この整流回路の一方の出力端にトランスの1次巻線を介して接続されたノーマリオンタイプの主スイッチと、
この主スイッチをオンオフ制御する制御回路と、
前記トランスの2次巻線に誘起する電圧を整流平滑して直流出力を取り出す整流平滑回路と、
前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、入力平滑コンデンサと突入電流制限抵抗とが直列に接続された直列回路とを有し、
前記制御回路は、前記交流電源がオンされたときに前記突入電流制限抵抗に発生した電圧により起動し、前記主スイッチの制御端子に逆バイアス電圧を出力して前記主スイッチをオフさせ、前記入力平滑コンデンサが充電された後、前記主スイッチをオンオフさせるスイッチング動作を開始させることを特徴とする電力変換装置。 - 前記トランスの3次巻線に発生する電圧を前記制御回路に供給する通常動作電源部を有することを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記突入電流制限抵抗に並列に接続された半導体スイッチを有し、
前記制御回路は、前記主スイッチのスイッチング動作を開始させた後、前記半導体スイッチをオンさせることを特徴とする請求項1又は2記載の電力変換装置。 - 前記突入電流制限抵抗に並列に接続された半導体スイッチと、
前記トランスの3次巻線に発生する電圧を前記半導体スイッチの制御端子に供給して前記半導体スイッチをオンさせる制御素子と、
を有することを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。
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