JP4111846B2 - Plating equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の基板の表面(被めっき面)に一連のめっき処理を行うめっき装置に係り、特にLSI用基板に金属等の膜付けや配線を形成するのに使用されるめっき装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体回路の配線やバンプ形成において、めっき技術を用いて半導体ウエハまたは他の基板上に金属膜や有機質膜を形成する方法が用いられるようになってきている。例えば、半導体回路やそれらを接続する微細配線が形成された半導体ウエハの表面の所定箇所に、金、銀、銅、はんだ、ニッケル、あるいはこれらを多層に積層した配線やバンプ(突起状接続電極)を形成し、このバンプを介してパッケージ基板の電極やTAB(Tape Automated Bonding)電極に接続させることが広く行われている。この配線やバンプの形成方法としては、電気めっき法、無電解めっき法、蒸着法、印刷法といった種々の方法があるが、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化に対応可能なめっき法が多く用いられるようになってきている。
【0003】
現在最も多用されている電気めっきによって得られる金属膜は、高純度で、膜形成速度が速く、膜厚制御方法が比較的簡単であるという特徴がある。半導体ウエハ等の基板上への膜形成においては、膜厚の均一性が激しく要求されており、このため、従来から多くの検討がなされてきた。電気めっきにあっては、めっき液の金属イオン供給速度分布や電位分布を均一にすることにより、優れた膜厚分布(膜厚均一性)を有する金属膜を得ることができる。今後技術の革新が期待される無電解めっきでは、電気めっきに必要な電気伝導層が不要であるばかりでなく、プロセスの簡素化が可能で、コスト低減に貢献できるものと期待されている。
【0004】
図7は、いわゆるフェィスダウン方式を採用した、めっき処理のみを行うめっき装置の一例を示す。このめっき装置は、内部にめっき液100を保持するめっき槽102と、このめっき槽102の上方に配置され、表面(被めっき面)を下向きにして半導体ウエハ等の基板Wを着脱自在に保持する基板ホルダ104とを有している。めっき槽102の底部には、めっき槽102の内部に保持されるめっき液100に浸漬されるアノード106が水平に配置されて固定されている。そして、めっき槽102の底部には、めっき液供給ノズル108が接続され、まためっき槽102の上端外周部には、オーバーフロー槽110が設けられている。
【0005】
このめっき装置によれば、基板ホルダ104で保持した基板Wをめっき槽102の上端開口部を覆う位置に配置した状態で、導電112を介して基板Wをめっき電源114の陰極に、導電116を介してアノード106をめっき電源114の陽極にそれぞれ接続し、同時にめっき槽102の内部にめっき液100を供給しオーバーフロー槽110にオーバーフローさせつつ基板Wの表面(下面)にめっき液100の噴流を接触させる。これにより、基板Wとアノード106との電位差によりめっき液100中の金属イオンが基板Wの表面より電子を受け取り、基板W上に金属が析出して金属膜が形成される。
【0006】
図8は、いわゆるディップ方式を採用した、めっき処理のみを行うめっき装置の他の例を示す。このめっき装置は、内部にめっき液を保持するめっき槽122と、表面を露出させて基板Wを着脱自在に保持する基板ホルダ124とを有している。めっき槽122の内部には、めっき槽122の内部に保持されるめっき液に浸漬されるアノード126がアノードホルダ128に保持されて鉛直状態に配置されている。そして、基板ホルダ124で保持した基板Wは、アノード126と互いに対面する位置に配置されるようになっており、この基板Wとアノード126の間に位置するように、内部に基板Wの大きさに見合った円形の穴130aを有する絶縁材料からなる調節板(レギュレーションプレート)130が配置されている。
【0007】
このめっき装置によれば、基板ホルダ124で保持した基板Wをめっき槽122内にアノード126に対面する位置に配置した状態で、導電132を介して基板Wをめっき電源134の陰極に、導電136を介してアノード126をめっき電源134の陽極にそれぞれ接続することで、基板W上に金属が析出して金属膜が形成される。そして、調節板130に設けた穴130aによりめっき槽122内の電位分布を調節して、基板W上に形成される金属膜の膜厚分布を調整することができる。
【0008】
以上は電気めっきを行うめっき装置について説明したが、無電解めっきでは、金属イオンの酸化・還元反応により金属の析出を行うものであり、無電解めっき装置にあっては、前述の図7及び図8に示すめっき装置におけるめっき電源を不要としている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、半導体装置の製造にあたっては、半導体ウエハ等の基板周りの清浄度や温度を常に厳しく維持管理する必要がある。このために、基板を処理する様々な半導体製造装置を正常に運転管理するために膨大な付帯設備が備えられている。そして、半導体装置が適正なコストで生産されるように、半導体製造装置は、スループットの向上、基板周り清浄度の向上、付帯設備負荷の軽減が強く要求される。このことは、前述のめっき処理を行うめっき装置を備え、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理のめっき全工程を連続して行うようにしためっき装置にあっても同様である。
【0010】
しかしながら、従来のめっき全工程を連続して行うようにしためっき装置にあっては、めっき処理及びめっき液が付着した基板の処理と、それ以外のめっき液に直接には関わらない処理が混在しており、例えば、基板の前処理を行う前処理装置とめっき処理を行うめっき装置は、互いに隣接した位置に配置され、同一の搬送ロボットを使用して、基板の受渡しを行うように構成されている。このため、めっき液が搬送ロボットに付着したり、めっき液を含んだミストが浮遊したりすること等によって、めっき装置内部における基板周りの清浄度を向上させることが一般に困難で、めっき装置のスループットを向上させたり、めっき装置の付帯設備を軽減させたりすることに一定の限界があるのが現状であった。
【0011】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、めっき全工程を連続して行うめっき装置のスループットを向上させ、基板周りの清浄度を向上させ、更にめっき装置の付帯設備負荷を軽減させることのできるようにしためっき装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、装置内部を、基板のめっき処理及びめっき液が付着した基板の処理を行うめっき空間と、それ以外の基板の処理を行う清浄空間に仕切板で区分し、この仕切板に該仕切板を貫通して前記めっき空間と前記清浄空間との間で基板の受渡を行う基板受渡し部を設け、前記めっき空間及び前記清浄空間内にそれぞれ搬送ロボットを個別に配置し、前記清浄空間内に基板の前処理を行う前処理装置を設置し、前記清浄空間内に配置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部、前記前処理装置及び該清浄空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行い、前記めっき空間内に設置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部及び該めっき空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行うことを特徴とするめっき装置である。
【0013】
これにより、めっき空間内に配置した搬送ロボットで、基板のめっき処理及びめっき液の除去処理を行う処理装置及び基板受渡し部間の基板の搬送及び受渡しを行い、清浄空間内に配置した搬送ロボットで、それ以外の基板の処理、すなわちめっき液に直接的には関わらない基板の処理を行う処理装置及び基板受渡し部間の基板の搬送と受渡しを行うことで、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理の全めっき工程を連続して行うめっき装置の内部における基板周りの清浄度を向上させるとともに、めっき装置としてのスループットを向上させ、更にめっき装置の付帯設備の負荷を軽減して、めっき装置としてのより小型化を図ることができる。
【0014】
請求項2に記載の発明は、装置内部を、基板のめっき処理及びめっき液もしくは活性化処理液が付着した基板の処理を行うめっき空間と、それ以外の基板の処理を行う清浄空間に仕切板で区分するとともに、この仕切板に該仕切板を貫通して前記めっき空間と前記清浄空間との間で基板の受渡を行う基板受渡し部を設け、前記めっき空間及び前記清浄空間内にそれぞれ搬送ロボットを個別に配置し、前記清浄空間内に基板の前処理を行う前処理装置を設置し、前記清浄空間内に配置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部、前記前処理装置及び該清浄空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行い、前記めっき空間内に設置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部及び該めっき空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行うことを特徴とするめっき装置である。
【0015】
これにより、めっき処理を行うめっき装置として、フットプリントの小さいめっき槽を有するものを使用することができるようにして、多数のめっき槽を有するめっき装置の更なる小型化を図るとともに、工場付帯設備負荷をより軽減することができる。
【0016】
請求項3に記載の発明は、前記前処理装置は、基板を水平に保持して回転させながら該基板の表面に前処理液を供給するように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のめっき装置である。
これにより、前処理液を基板全体に効果的に塗布し、基板の前処理を効率良く行って、めっきの信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。また、例えば基板の表面のレジストパターン内に残った残さ物等を除去することができ、これによっても、めっき欠陥のない信頼性の高い金属膜(めっき膜)の形成に役立てることができる。
【0017】
請求項4に記載の発明は、前記前処理装置は、基板を水平に保持して回転させながら該基板の表面に前処理液を供給し、前処理液の供給を停止し基板を回転させて液切り運転を行うように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のめっき装置である。
このように、前処理後の基板を回転させて液切り運転を行うことで、その後の処理で、基板の表面に塗布した処理液が液だれを起こしてしまうことを防止することができる。
【0018】
請求項5に記載の発明は、前記前処理装置は、基板を水平に保持して回転させながら該基板の表面に前処理液を供給し、前処理液の供給を停止し基板を回転させながら基板の端面および/又は裏面にドライガスを吹きかけて液切り運転を行うように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のめっき装置である。
このように、基板を回転させながら基板の端面および/又は裏面にドライガスを吹きかけて液切り運転を行うことで、その後の処理で、基板の表面に塗布した処理液が液だれを起こしてしまうことを防止することができる。
【0019】
請求項6に記載の発明は、前記前処理液は、純水であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、基板の前処理液として純水を使用し、基板の表面(被めっき面)に純水を供給し該表面を純水で濡らすことで、基板表面の濡れ性を改善して、めっきの信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。
【0020】
請求項7に記載の発明は、前記前処理装置は、異なる処理液を連続的または断続的に基板の表面に供給するように構成されていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板表面に、例えば薬液と純水とを連続的または断続的に供給して、基板の表面を効率良く薬液で洗浄し、かつ基板の表面の濡れ性を純水で改善して、信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。
【0021】
請求項8に記載の発明は、基板に気体を吹きかけて該基板に付着しためっき液を除去するブロー装置が前記めっき空間内に設置されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項9に記載の発明は、めっき前の基板表面に薬液を接触させて該表面を活性化させる活性化処理装置が前記めっき空間内に設置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のめっき装置である。
【0022】
請求項10に記載の発明は、前記めっき空間内に配置された搬送ロボットは、前記清浄空間内に配置された前記前処理装置で前処理を施した基板を基板ホルダに装着して該基板ホルダごと搬送するよう構成されていることを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
請求項11に記載の発明は、前記清浄空間内に配置された搬送ロボットは、基板を水平状態で保持して基板の受渡しを行う固定型のロボットであり、前記めっき空間内に配置された搬送ロボットは、基板または基板を装着した基板ホルダを垂直状態で保持して該基板または基板ホルダの受渡しを行う走行型のロボットであることを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明の実施の形態のめっき装置の全体配置図を示す。このめっき装置は、基板を常に水平な状態に維持したまま、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理のめっき全工程を連続して自動的に行うようにしたもので、外装パネルを取付けた装置フレーム10の内部は、仕切板12によって、基板のめっき処理及びめっき液が付着した基板の処理を行うめっき空間14と、それ以外の処理、すなわちめっき液に直接には関わらない処理を行う清浄空間16に区分されている。そして、仕切板12を貫通して、めっき空間14と清浄空間16との間での基板の受渡しを行う基板受渡し部としての仮置台18が備えられている。清浄空間16には、基板を収納した基板カセットを載置搭載するロード・アンロードポート20が接続され、更に、装置フレーム10には、操作パネル21が備えられている。
【0024】
清浄空間16の内部には、基板のオリフラやノッチなどの位置を所定方向に合わせるアライナ22と、めっき処理後の基板を洗浄し高速回転させてスピン乾燥させる2台の洗浄・乾燥装置24と、基板の前処理、この例では、基板の表面(被めっき面)に向けて純水を吹きかけることで、基板表面を純水で洗浄するとともに、純水で濡らして親水性を良くする水洗前処理を行う前処理装置26が、その四隅に位置して配置されている。更に、これらの各処理装置、つまりアライナ22、洗浄・乾燥装置24及び前処理装置26のほぼ中心に位置して、これらの各処理装置22,24,26、前記仮置台18及び前記ロード・アンロードポート20に搭載した基板カセットとの間で基板の搬送と受渡しを行う第1搬送ロボット28が配置されている。
【0025】
めっき空間14の内部には、この例では、めっき液を保持するめっき槽30を備え、このめっき槽30内に保持しオーバーフローさせためっき液に基板の表面を接触させてめっき処理を行う(図7参照)とともに、めっき後の基板を回転させながら基板に純水を吹きかけて、基板に付着しためっき液を除去するリンス(粗洗浄)処理を行うめっき装置32が、円周方向に沿った位置に、合計5台配置されている。更に、これらのめっき装置32で囲まれたほぼ中心に位置して、これらのめっき装置32及び前記仮置台18との間で、基板の搬送と受渡しを行う第2搬送ロボット34が配置されている。
【0026】
ここで、清浄空間16内に配置されたアライナ22、洗浄・乾燥装置24及び前処理装置26は、表面を上向きにした水平姿勢で基板を保持して処理するようになっており、第1搬送ロボット28は、表面を上向きにした水平姿勢で基板を保持して基板の搬送及び受渡しを行うようになっている。
【0027】
図2は、前処理装置26の概要を示す。図2に示すように、この前処理装置26には、表面を上向きにして基板Wを着脱自在に保持する基板保持部40と、この基板保持部40で保持した基板Wの表面に向けて、純水等の処理液を吹きかける噴射ヘッド42とが備えられ、基板保持部40の上方に噴射ヘッド42が配置されている。
【0028】
基板保持部40は、円板状の基板ステージ44と、この基板ステージ44の上面周縁部の円周方向に所定の位置に設けた複数の基板チャック46とを有し、この基板チャック46を介して基板Wを該基板Wの周縁部をシールした状態で着脱自在に保持するようになっており、鉛直方向に延び、モータ等を介して回転自在な主軸48の上端に連結されている。一方、噴射ヘッド42には、その裏面に位置して、複数の噴射ノズル50が設けられており、この噴射ノズル50から処理液が下方に向けて噴射されて供給されるようになっている。
【0029】
更に、略円筒状で、上昇して基板保持部40の周囲を囲繞し、下降して基板保持部40の周囲を開放するサイドウォール52が、シリンダ等により上下動するスライダ54を介して上下動自在に配置されている。
【0030】
これにより、サイドウォール52を下降させた状態で、第1搬送ロボット28から表面を上向きにして水平姿勢で搬送される基板Wを受け取って基板保持部40で保持し、しかる後、サイドウォール52を上昇させる。この状態で、基板保持部40を基板Wと一体に回転させながら、この基板Wの表面(上面)に、複数の噴射ノズル50から、この例では純水を吹きかけて供給し、これによって、基板Wの表面を純水で洗浄し、同時に基板Wの表面を純水で濡らして該表面の親水性を良くする基板の前処理を施す。この前処理終了後、純水の供給を停止し、基板保持部40を基板Wと一体に回転させて、基板の液切り運転を行う。
【0031】
なお、図2の点線で示すように、主軸48の内部を貫通し、基板ステージ44の上面で開口するガス供給ライン56を備え、前処理終了後、純水の供給を停止し、基板保持部40を基板Wと一体に回転させながら、基板Wの裏面側にガス供給ライン56から、N2ガス等の不活性ガスやドライエアー等を供給して、基板Wの液切り運転を行うようにしてもよい。
そして、所定の時間、この基板の液切り運転を行った後、基板保持部40の回転を停止し、サイドウォール52を下降させて、この液切り後の基板Wを第1搬送ロボット28に受け渡す。
【0032】
このように、基板を水平に保持して水平に回転させながら該基板の表面に純水等の前処理液を供給することで、前処理液を基板全体に効果的に塗布し、基板の前処理を効率良く行って、めっきの信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。また、例えば基板の表面のレジストパターン内に残った残さ物等を純水(処理液)で除去することができ、これによっても、めっき欠陥のない信頼性の高い金属膜(めっき膜)の形成に役立てることができる。
【0033】
また、前処理後の基板を回転させて液切り運転を行ったり、更にはドライガスを吹きかけて液切り運転を行ったりすることで、その後の処理で、基板の表面に塗布した処理液が液だれを起こしてしまうことを防止することができる。
更に、前処理液として純水を使用し、基板の表面(被めっき面)に純水を供給し該表面を純水で濡らすことで、基板表面の濡れ性を改善して、めっきの信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。
【0034】
このように構成しためっき装置による一連のバンプめっき処理を図3を更に参照して説明する。先ず、図3(a)に示すように、表面に給電層としてのシード層500を成膜し、このシード層500の表面に、例えば高さHが20〜120μmのレジスト502を全面に塗布した後、このレジスト502の所定の位置に、例えば直径Dが20〜200μm程度の開口部502aを設けた基板Wをその表面(被めっき面)を上にした状態で基板カセットに収容し、この基板カセットをロード・アンロードポート20に搭載する。
【0035】
このロード・アンロードポート20に搭載した基板カセットから、第1搬送ロボット28で基板Wを1枚取出し、アライナ22に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ22で方向を合わせた基板Wを第1搬送ロボット28で前処理装置26に搬送する。そして、この前処理装置26で、前述のように、前処理液に純水を使用した前処理(水洗前処理)を施し、この前処理後の基板Wを第1搬送ロボット28で仮置台18に搬送し載置する。
【0036】
この仮置台18に載置した基板Wを、第2搬送ロボット34で取出していずれかのめっき装置32に搬送する。このめっき装置32では、基板Wの表面にめっき処理を施し、しかる後、基板Wを回転させながら基板に純水を吹きかけて、基板Wをリンス(粗洗浄)する。第2搬送ロボット34は、このリンス後の基板Wをめっき装置32から受け取って、仮置台18に搬送し載置する。
【0037】
第1搬送ロボット28は、この仮置台18に載置されためっき処理後の基板Wを仮置台18から取出し、いずれかの洗浄・乾燥装置24に搬送する。そして、この洗浄・乾燥装置24で、表面を上向きにして水平に保持した基板を、純水等で洗浄し、高速回転させてスピン乾燥させた後、この基板を第1搬送ロボット28でロード・アンロードポート20に搭載した基板カセットに戻して、一連のめっき処理を完了する。これにより、図3(b)に示すように、レジスト502に設けた開口部502a内にめっき膜504を成長させた基板Wが得られる。
【0038】
そして、前述のようにしてスピン乾燥させた基板Wを、例えば温度が50〜60℃のアセトン等の溶剤に浸漬させて、図3(c)に示すように、基板W上のレジスト502を剥離除去し、更に図3(d)に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層500を除去する。次に、この基板Wに形成しためっき膜504をリフローさせることで、図3(e)に示すように、表面張力で丸くなったバンプ506を形成する。更に、この基板Wを、例えば、100℃以上の温度でアニールし、バンプ506内の残留応力を除去する。
【0039】
この例によれば、めっき空間14内に配置した第2搬送ロボット34で、基板のめっき処理及びめっき液の除去処理を行うめっき装置32と仮置台18間の基板の搬送及び受渡しを行い、清浄空間16内に配置した搬送ロボット28で、それ以外の基板の処理、すなわちめっき液に直接的には関わらない基板の処理を行う処理装置、すなわちアライナ22、洗浄・乾燥装置24及び前処理装置26と仮置台18間の基板の搬送と受渡しを行うことで、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理の全めっき工程を連続して行うめっき装置の内部における基板周りの清浄度を向上させるとともに、めっき装置としてのスループットを向上させ、更にめっき装置の付帯設備の負荷を軽減して、めっき装置としてのより小型化を図ることができる。
【0040】
つまり、従来のこの種の一般的なめっき装置にあっては、基板の前処理を行う前処理装置がめっき装置に隣接して(直前に)配置されており、この前処理装置で前処理を施した基板を搬送ロボットで前処理装置から受取ってめっき装置に搬送し、このめっき装置でめっき処理を施した基板を同じ搬送ロボットでめっき装置から受け取って次工程に搬送するように構成されていた。このため、搬送ロボットにめっき液が付着したり、めっき液を含んだミストが存在したりして、特に前処理終了後の基板周りの清浄度を向上させることが一般に困難で、めっき装置のスループットを向上させたり、めっき装置の付帯設備を軽減させたりすることに一定の限界があった。しかし、この例によれば、特に、前処理装置26をめっき装置32とは別の清浄空間16に分離して配置し、めっき装置32への基板の出し入れに使用される搬送ロボット28と前処理装置26への基板の出し入れに使用される搬送ロボット34とを別にすることで、このような弊害をなくすことができる。
【0041】
なお、上記の例にあっては、前処理装置として、1種類の噴射ノズルを備え、この噴射ノズルから純水を噴射するようにしたものを使用した例を示しているが、例えば2種類の噴射ノズルを備え、この各噴射ノズルから、例えば純水と薬液とを基板の表面に向けて連続的または断続的に供給するようにしたものを使用しても良い。これにより、基板の表面を薬液で効率良く洗浄し、かつ基板の表面の濡れ性を改善して、信頼性を向上させるとともに、スループットを向上させることができる。このことは、以下の例においても同様である。
【0042】
図4は、本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体配置図を示す。この例の前記図1に示す例と異なる点は、2台設置されている洗浄・乾燥装置24の一方を、図2に示すものと同様な構成の、前処理装置26に置き換えて、基板の前処理を並列に行うことができるようにした点にある。その他の構成は、図1に示す例と同様である。
【0043】
図5及び図6は、本発明の更に他の実施の形態のめっき装置を示す。この例にあっては、外装パネルを取付けた装置フレーム10の内部は、仕切板12によって、基板のめっき処理及びめっき液が付着した基板の処理を行うめっき空間14と、それ以外の処理、すなわちめっき液に直接には関わらない処理を行う清浄空間16に区分されており、前述の図1及び図2に示す例と異なる点は、以下の通りである。
【0044】
すなわち、めっき空間14と清浄空間16とを仕切る仕切板12で仕切られた仕切り部には、基板ホルダ60(図6参照)を2枚並列に配置して、この各基板ホルダ60との間で基板の脱着を行う、基板受渡し部としての基板脱着台62が備えられている。そして、めっき空間14内には、仕切板12側から順に、基板ホルダ60の保管及び一時仮置きを行うストッカ64、例えば基板の表面に形成したシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッチング除去する活性化処理装置66、基板の表面を純水で水洗する第1水洗装置68a、めっき処理を行うめっき装置70、第2水洗装置68b及びめっき処理後の基板の水切りを行うブロー装置72が順に配置されている。そして、これらの装置の側方に位置して、2台の第2搬送ロボット74a,74bがレール76に沿って走行自在に配置されている。この一方の第2搬送ロボット74aは、基板脱着台62とストッカ64との間で基板ホルダ60の搬送を行い、他方の第2搬送ロボット74bは、ストッカ64、活性化処理装置66、第1水洗装置68a、めっき装置70、第2水洗装置68b及びブロー装置72の間で基板ホルダ60の搬送を行う。
【0045】
この第2搬送ロボット74a,74bは、図6に示すように、鉛直方向に延びるボディ78と、このボディ78に沿って上下動自在でかつ軸心を中心に回転自在なアーム80を備えており、このアーム80に、基板ホルダ60を着脱自在に保持する基板ホルダ保持部82が2個並列に備えられている。ここで、基板ホルダ60は、表面を露出させ周縁部をシールした状態で基板Wを着脱自在に保持するように構成されている。
【0046】
ストッカ64、活性化処理装置66、水洗装置68a,68b及びめっき装置70は、基板ホルダ60の両端部に設けた外方に突出する突出部60aを引っ掛けて、基板ホルダ60を鉛直方向に吊り下げた状態で支持するようになっている。そして、活性化処理装置66には、内部に薬液を保持する2個の活性化処理槽83が備えられ、図6に示すように、基板Wを装着した基板ホルダ60を鉛直状態で保持した第2搬送ロボット74bのアーム80を下降させ、必要に応じて、基板ホルダ60を活性化処理槽83の上端部に引っ掛けて吊下げ支持することで、基板ホルダ60を基板Wごと活性化処理槽83内の薬液に浸漬させて活性化処理を行うように構成されている。
【0047】
同様に、水洗装置68a,68bには、内部に純水を保持した各2個の水洗槽84a,84bが、めっき装置70には、内部にめっき液を保持した複数のめっき槽86がそれぞれ備えられ、前述と同様に、基板ホルダ60を基板Wごとこれらの水洗槽84a,84b内の純水またはめっき槽86内のめっき液に浸漬させることで、水洗処理やめっき処理が行われるように構成されている。またブロー装置72は、基板Wを装着した基板ホルダ60を鉛直状態で保持した第2搬送ロボット74bのアーム80を下降させ、この基板ホルダ60に装着した基板Wにエアーや不活性ガスを吹きかけることで、基板のブロー処理を行うように構成されている。
【0048】
このめっき装置によれば、先ずストッカ64内に鉛直姿勢で保管されていた基板ホルダ60を第1搬送ロボット74aで取出し、これを90゜回転させた水平状態にして基板脱着台62に2個並列に載置する。そして、前述の図1及び図2に示す例と同様にして、前処理(水洗前処理)を施した基板をこの基板脱着台62に載置された基板ホルダ60に周縁部をシールして装着する。そして、この基板Wを装着した基板ホルダ60を第2搬送ロボット74aで2基同時に把持し、上昇させた後、ストッカ64まで搬送し、90゜回転させて基板ホルダ60を垂直な状態となし、しかる後、下降させ、これによって、2基の基板ホルダ60をストッカ64に吊下げ保持(仮置き)する。これを順次繰り返して、ストッカ64内に収容された基板ホルダ60に順次基板を装着し、ストッカ64の所定の位置に順次吊り下げ保持(仮置き)する。
【0049】
一方、第2搬送ロボット74bにあっては、基板を装着しストッカ64に仮置きした基板ホルダ60を2基同時に把持し、上昇させた後、活性化処理装置66に搬送し、活性化処理槽83に入れた硫酸や塩酸などの薬液に基板を浸漬させてシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板を装着した基板ホルダ60を、前記と同様にして、第1水洗装置68aに搬送し、この水洗槽84aに入れた純水で基板の表面を水洗する。
【0050】
水洗が終了した基板を装着した基板ホルダ60を、前記と同様にしてめっき装置70に搬送し、めっき槽86内のめっき液に浸漬させた状態でめっき槽86に吊り下げ支持することで、基板Wの表面にめっき処理を施す。そして、所定時間経過後、基板を装着した基板ホルダ60を第2搬送ロボット74bで再度保持してめっき槽86から引き上げてめっき処理を終了する。
【0051】
そして、前述と同様にして、基板ホルダ60を第2水洗装置68bまで搬送し、この水洗槽84bに入れた純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ60を、前記と同様にして、ブロー装置72に搬送し、ここで、不活性ガスやエアーを基板に向けて吹き付けて、基板ホルダ60に付着しためっき液や水滴を除去する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ60を、前記と同様にして、ストッカ64の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
第2搬送ロボット74bは、上記作業を順次繰り返し、めっきが終了した基板を装着した基板ホルダ60を順次ストッカ64の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
【0052】
一方、第2搬送ロボット74aにあっては、めっき処理後の基板を装着しストッカ64に戻した基板ホルダ60を2基同時に把持し、前記と同様にして、基板脱着台62上に載置する。
そして、清浄空間16内に配置された第1搬送ロボット28は、この基板脱着台62上に載置された基板ホルダ60から基板を取出し、これを前述の図1及び図2に示す例と同様に、洗浄・乾燥装置24に搬送する。その後の処理は、図1及び図2に示す例と同様である。
【0053】
この例のめっき装置にあっては、めっき処理を行うめっき装置70として、フットプリントの小さいめっき槽86を有するものを使用することで、多数のめっき槽を有するめっき装置の更なる小型化を図るとともに、工場付帯設備負荷をより軽減することができる。
なお、この例にあっても、前述の図4に示す例のように、図5において2台設置されている洗浄・乾燥装置24の一方を、前処理装置に置き換えてもよいことは勿論である。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、めっき空間内に配置した搬送ロボットで、基板のめっき処理及びめっき液の除去処理を行う処理装置間の基板の搬送及び受渡しを、清浄空間内に配置した搬送ロボットで、それ以外の基板の処理を行う処理装置間の基板の搬送と受渡しを、それぞれ独立に行うことで、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理の全めっき工程を連続して行うめっき装置の内部における基板周りの清浄度を向上させるとともに、めっき装置としてのスループットを向上させ、更にめっき装置の付帯設備の負荷を軽減して、めっき装置としてのより小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のめっき装置の全体配置図である。
【図2】図1のめっき装置に使用されている前処理装置の概要を示す図である。
【図3】基板上にバンプ(突起状接続電極)を形成する例を工程順に示す図である。
【図4】本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体配置図である。
【図5】本発明の更に他の実施の形態のめっき装置の全体配置図である。
【図6】図5のめっき装置に使用されている第2搬送ロボット及び該ロボットで基板を保持した状態を示す図である。
【図7】従来のめっき処理のみを行うめっき装置の概要図である。
【図8】従来のめっき処理のみを行う他のめっき装置の概要図である。
【符号の説明】
10 装置フレーム
12 仕切板
14 めっき空間
16 清浄空間
18 仮置台(基板受渡し部)
20 ロード・アンロードポート
22 アライナ
24 洗浄・乾燥装置
26 前処理装置
28,34,74a,74b 搬送ロボット
30,86 めっき槽
32,70 めっき装置
40 基板保持部
42 噴射ヘッド
44 基板ステージ
46 基板チャック
50 噴射ノズル
52 サイドウォール
56 ガス供給ライン
60 基板ホルダ
62 基板脱着台(基板受渡し部)
64 ストッカ
66 活性化処理装置
68a,68b 水洗装置
72 ブロー装置
80 アーム
82 基板ホルダ保持部
83 活性化処理槽
84a,84b 水洗槽[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plating apparatus that performs a series of plating processes on the surface (surface to be plated) of a substrate such as a semiconductor wafer, and more particularly, to a plating apparatus used for forming a film such as a metal or wiring on an LSI substrate. About.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a method of forming a metal film or an organic film on a semiconductor wafer or another substrate by using a plating technique has been used in wiring and bump formation of a semiconductor circuit. For example, wiring or bumps (projection-like connection electrodes) in which gold, silver, copper, solder, nickel, or a multilayer of these are laminated at predetermined locations on the surface of a semiconductor wafer on which semiconductor circuits and fine wirings connecting them are formed It is widely practiced to form an electrode and connect it to an electrode of a package substrate or a TAB (Tape Automated Bonding) electrode through this bump. There are various methods such as electroplating, electroless plating, vapor deposition, and printing as methods for forming the wiring and bumps. Many plating methods that can cope with the above have been used.
[0003]
The metal film obtained by electroplating, which is most frequently used at present, is characterized by high purity, high film formation speed, and relatively simple film thickness control method. In the formation of a film on a substrate such as a semiconductor wafer, the uniformity of the film thickness has been violently demanded. In electroplating, a metal film having an excellent film thickness distribution (film thickness uniformity) can be obtained by making the metal ion supply rate distribution and potential distribution of the plating solution uniform. In electroless plating, where technological innovation is expected in the future, it is expected that not only the electroconductive layer necessary for electroplating is unnecessary, but also the process can be simplified and the cost can be reduced.
[0004]
FIG. 7 shows an example of a plating apparatus that performs only a plating process using a so-called face down method. This plating apparatus is disposed above the
[0005]
According to this plating apparatus, in a state where the substrate W held by the
[0006]
FIG. 8 shows another example of a plating apparatus that performs only a plating process using a so-called dip method. This plating apparatus has a
[0007]
According to this plating apparatus, in a state where the substrate W held by the
[0008]
The plating apparatus for performing electroplating has been described above. In electroless plating, metal is deposited by oxidation / reduction reactions of metal ions. In the electroless plating apparatus, the above-described FIG. 7 and FIG. The plating power supply in the plating apparatus shown in FIG.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
For example, in manufacturing a semiconductor device, it is necessary to always strictly maintain and manage the cleanliness and temperature around a substrate such as a semiconductor wafer. For this reason, an enormous amount of incidental facilities are provided in order to properly manage various semiconductor manufacturing apparatuses that process substrates. And so that the semiconductor device is produced at an appropriate cost, the semiconductor manufacturing apparatus is strongly required to improve the throughput, improve the cleanliness around the substrate, and reduce the load on the incidental equipment. The same applies to a plating apparatus that includes the plating apparatus that performs the above-described plating process, and that continuously performs all the steps of pretreatment of the substrate, plating treatment, and post-treatment of plating.
[0010]
However, in the conventional plating apparatus in which all the plating processes are performed continuously, the plating process and the process of the substrate to which the plating solution adheres, and the other processes not directly related to the plating solution are mixed. For example, a pretreatment device that performs pretreatment of a substrate and a plating device that performs plating treatment are arranged at positions adjacent to each other, and are configured to deliver a substrate using the same transfer robot. Yes. For this reason, it is generally difficult to improve the cleanliness around the substrate in the plating apparatus due to the plating solution adhering to the transfer robot or the mist containing the plating solution floating, etc. The current situation is that there is a certain limit to the improvement of the process and the reduction of the incidental facilities of the plating apparatus.
[0011]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and improves the throughput of the plating apparatus that continuously performs the entire plating process, improves the cleanliness around the substrate, and further reduces the load of incidental equipment of the plating apparatus. It is an object of the present invention to provide a plating apparatus that can be used.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, the interior of the apparatus is divided into a plating space for performing the plating process of the substrate and the substrate to which the plating solution is attached, and a clean space for performing the processing of other substrates. With divider Division And this Between the plating space and the clean space through the partition plate through the partition plate A substrate delivery unit for delivering a substrate is provided, a transfer robot is individually arranged in each of the plating space and the clean space, a pretreatment device for pretreating the substrate is installed in the clean space, and the clean space The transfer robot placed inside ,in front The substrate is transferred and transferred between the substrate transfer section, the pre-processing apparatus and the processing apparatus installed in the clean space. The transfer robot installed in the plating space transfers and transfers the substrate between the substrate transfer unit and the processing apparatus installed in the plating space. It is the plating apparatus characterized by this.
[0013]
With this, the transfer robot disposed in the plating space is used to transfer and transfer the substrate between the processing apparatus and the substrate transfer unit for performing the plating process and the plating solution removal process on the substrate, and the transfer robot disposed in the clean space. Other substrate processing, that is, processing and processing of the substrate not directly related to the plating solution, and transporting and transferring the substrate between the substrate transfer unit, pre-treatment of the substrate, plating treatment and plating In addition to improving the cleanliness around the substrate inside the plating equipment that continuously performs all the post-treatment plating processes, it improves the throughput of the plating equipment, and further reduces the burden on the auxiliary equipment of the plating equipment. Further downsizing as an apparatus can be achieved.
[0014]
According to the second aspect of the present invention, the interior of the apparatus is divided into a plating space for performing the plating treatment of the substrate and the substrate to which the plating solution or the activation treatment solution is attached, and a clean space for treating the other substrates. With divider As well as this Between the plating space and the clean space through the partition plate through the partition plate A substrate delivery unit for delivering a substrate is provided, a transfer robot is individually arranged in each of the plating space and the clean space, a pretreatment device for pretreating the substrate is installed in the clean space, and the clean space The transfer robot placed inside ,in front The transfer robot installed in the plating space performs transfer and transfer of the substrate between the substrate transfer section, the pretreatment device and the processing device installed in the clean space. ,in front A plating apparatus characterized in that a substrate is transferred and delivered between the substrate delivery section and a processing apparatus installed in the plating space.
[0015]
As a result, it is possible to use a plating apparatus having a small footprint as a plating apparatus for performing a plating process, and further reduce the size of the plating apparatus having a large number of plating tanks. The load can be further reduced.
[0016]
According to a third aspect of the present invention, the pretreatment apparatus is configured to supply a pretreatment liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate while holding the substrate horizontally. Or it is the plating apparatus of 2 description.
Thereby, the pretreatment liquid can be effectively applied to the entire substrate, the substrate can be efficiently pretreated, and the plating reliability can be improved and the throughput can be improved. Further, for example, residues remaining in the resist pattern on the surface of the substrate can be removed, and this can also be used to form a highly reliable metal film (plating film) free from plating defects.
[0017]
According to a fourth aspect of the present invention, the pretreatment device supplies the pretreatment liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate while holding the substrate horizontally, stops the supply of the pretreatment liquid, and rotates the substrate. The plating apparatus according to claim 1, wherein the plating apparatus is configured to perform a liquid draining operation.
Thus, by performing the liquid draining operation by rotating the substrate after the pretreatment, it is possible to prevent the treatment liquid applied to the surface of the substrate from causing dripping in the subsequent treatment.
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, the pretreatment apparatus supplies the pretreatment liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate while holding the substrate horizontally, while stopping the supply of the pretreatment liquid and rotating the substrate. 3. The plating apparatus according to claim 1, wherein the plating apparatus is configured to perform a liquid draining operation by spraying a dry gas on an end surface and / or a back surface of the substrate.
In this way, by performing a liquid draining operation by blowing dry gas on the end surface and / or back surface of the substrate while rotating the substrate, the processing liquid applied to the surface of the substrate causes dripping in the subsequent processing. This can be prevented.
[0019]
The invention according to claim 6 is the plating apparatus according to any one of claims 3 to 5, wherein the pretreatment liquid is pure water.
Thus, using pure water as a substrate pretreatment liquid, supplying pure water to the surface of the substrate (surface to be plated) and wetting the surface with pure water improves the wettability of the substrate surface, The reliability of plating can be improved and the throughput can be improved.
[0020]
According to a seventh aspect of the invention, the pretreatment apparatus is configured to supply different treatment liquids to the surface of the substrate continuously or intermittently. It is a plating apparatus as described in.
Thereby, for example, a chemical solution and pure water are supplied to the substrate surface continuously or intermittently, the surface of the substrate is efficiently cleaned with the chemical solution, and the wettability of the substrate surface is improved with pure water, Reliability can be improved and throughput can be improved.
[0021]
The invention according to claim 8 is characterized in that a blowing device for removing a plating solution adhering to the substrate by blowing gas onto the substrate is installed in the plating space. It is a plating apparatus as described in.
The invention described in claim 9 is characterized in that an activation processing device for activating the surface by bringing a chemical solution into contact with the substrate surface before plating is installed in the plating space. The plating apparatus according to any one of the above.
[0022]
In a tenth aspect of the present invention, the transfer robot disposed in the plating space attaches a substrate pretreated by the pretreatment device disposed in the clean space to the substrate holder, and the substrate holder The plating apparatus according to claim 2, wherein the plating apparatus is configured to convey the whole.
The invention according to claim 11 is that the transfer robot arranged in the clean space is a fixed robot that holds the substrate in a horizontal state and delivers the substrate, and the transfer robot is arranged in the plating space. 3. The plating apparatus according to claim 2, wherein the robot is a traveling robot that holds a substrate or a substrate holder on which the substrate is mounted in a vertical state and delivers the substrate or the substrate holder.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG.1 and FIG.2 shows the whole layout drawing of the plating apparatus of embodiment of this invention. This plating device is designed to automatically perform all the plating processes of substrate pre-treatment, plating treatment and post-plating treatment while maintaining the substrate in a horizontal state. The inside of the
[0024]
Inside the
[0025]
In this example, a
[0026]
Here, the
[0027]
FIG. 2 shows an outline of the
[0028]
The
[0029]
Furthermore, a
[0030]
As a result, the substrate W, which is transported in a horizontal posture with the surface facing upward, is received from the
[0031]
2, a
Then, after performing the liquid draining operation of the substrate for a predetermined time, the rotation of the
[0032]
Thus, by supplying a pretreatment liquid such as pure water to the surface of the substrate while horizontally holding and rotating the substrate, the pretreatment liquid can be effectively applied to the entire substrate, The processing can be efficiently performed to improve the reliability of plating and improve the throughput. In addition, for example, residues remaining in the resist pattern on the surface of the substrate can be removed with pure water (treatment liquid), thereby forming a highly reliable metal film (plating film) free from plating defects. Can be useful.
[0033]
In addition, by rotating the substrate after the pretreatment to perform a liquid draining operation, or by performing a liquid draining operation by blowing dry gas, the processing liquid applied to the surface of the substrate in the subsequent processing is liquid. It can be prevented from causing anyone.
Furthermore, by using pure water as the pretreatment liquid, supplying pure water to the surface of the substrate (surface to be plated) and wetting the surface with pure water improves the wettability of the substrate surface and improves the reliability of plating. And the throughput can be improved.
[0034]
A series of bump plating processes by the plating apparatus configured as described above will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 3A, a
[0035]
One substrate W is taken out from the substrate cassette mounted on the load / unload
[0036]
The substrate W placed on the temporary table 18 is taken out by the
[0037]
The
[0038]
Then, the substrate W spin-dried as described above is immersed in a solvent such as acetone having a temperature of 50 to 60 ° C., for example, and the resist 502 on the substrate W is peeled off as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 3D, the
[0039]
According to this example, the
[0040]
In other words, in a conventional general plating apparatus of this type, a pretreatment apparatus for pretreating a substrate is disposed adjacent to (immediately before) the plating apparatus, and the pretreatment is performed by this pretreatment apparatus. It was configured to receive the processed substrate from the pretreatment device by the transfer robot and transfer it to the plating device, and to receive the substrate subjected to plating by this plating device from the plating device by the same transfer robot and transfer it to the next process . For this reason, it is generally difficult to improve the cleanliness around the substrate after completion of the pretreatment because the plating solution adheres to the transfer robot or there is mist containing the plating solution. There was a certain limit to improving the quality of the equipment and reducing the incidental facilities of the plating equipment. However, according to this example, in particular, the
[0041]
In the above example, an example in which one type of injection nozzle is provided as a pretreatment device and pure water is injected from the injection nozzle is shown. For example, it is possible to use a spray nozzle that is supplied with pure water and a chemical solution continuously or intermittently from the respective spray nozzles toward the surface of the substrate. Thereby, the surface of the substrate can be efficiently cleaned with a chemical solution, and the wettability of the surface of the substrate can be improved to improve the reliability and improve the throughput. The same applies to the following examples.
[0042]
FIG. 4 shows an overall layout of a plating apparatus according to another embodiment of the present invention. This example differs from the example shown in FIG. 1 in that one of the two cleaning /
[0043]
5 and 6 show a plating apparatus according to still another embodiment of the present invention. In this example, the interior of the
[0044]
That is, two substrate holders 60 (see FIG. 6) are arranged in parallel in the partition portion partitioned by the
[0045]
As shown in FIG. 6, the
[0046]
The
[0047]
Similarly, each of the
[0048]
According to this plating apparatus, first, the
[0049]
On the other hand, in the
[0050]
The
[0051]
Then, in the same manner as described above, the
The
[0052]
On the other hand, in the
Then, the
[0053]
In the plating apparatus of this example, the
In this example as well, as in the example shown in FIG. 4 described above, one of the two cleaning /
[0054]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the transfer and transfer of the substrate between the processing apparatuses that perform the plating process of the substrate and the removal process of the plating solution are arranged in the clean space by the transfer robot arranged in the plating space. With the transfer robot, the transfer and transfer of the substrate between the processing devices that process the other substrates are performed independently, so that the entire plating process of substrate pretreatment, plating treatment and post-plating treatment can be continued. In addition to improving the cleanliness around the substrate inside the plating apparatus to be performed, improving the throughput as the plating apparatus, and further reducing the burden on the incidental equipment of the plating apparatus, it is possible to further downsize the plating apparatus it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall layout view of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing an outline of a pretreatment apparatus used in the plating apparatus of FIG.
FIG. 3 is a diagram showing an example of forming bumps (protruding connection electrodes) on a substrate in the order of steps.
FIG. 4 is an overall layout view of a plating apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an overall layout view of a plating apparatus according to still another embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing a second transfer robot used in the plating apparatus of FIG. 5 and a state in which the substrate is held by the robot. FIG.
FIG. 7 is a schematic view of a plating apparatus that performs only a conventional plating process.
FIG. 8 is a schematic view of another plating apparatus that performs only conventional plating processing.
[Explanation of symbols]
10 Device frame
12 Partition plate
14 Plating space
16 Clean space
18 Temporary table (board transfer part)
20 Load / Unload port
22 Aligner
24 Cleaning and drying equipment
26 Pretreatment device
28, 34, 74a, 74b Transport robot
30,86 plating tank
32,70 Plating equipment
40 Substrate holder
42 Injection head
44 Substrate stage
46 Substrate chuck
50 injection nozzle
52 sidewall
56 Gas supply line
60 Substrate holder
62 Substrate detachment stand (substrate delivery section)
64 Stocker
66 Activation processing equipment
68a, 68b Flushing device
72 Blow device
80 arms
82 Substrate holder holder
83 Activation treatment tank
84a, 84b Flush tank
Claims (11)
前記めっき空間及び前記清浄空間内にそれぞれ搬送ロボットを個別に配置し、
前記清浄空間内に基板の前処理を行う前処理装置を設置し、
前記清浄空間内に配置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部、前記前処理装置及び該清浄空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行い、
前記めっき空間内に設置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部及び該めっき空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行うことを特徴とするめっき装置。Internal device divides the plating space for processing the substrate on which the plating treatment and the plating solution of the substrate is attached, by a partition plate into a clean space for processing the substrate otherwise, through the partition plate to the partition plate Providing a substrate delivery section for delivering the substrate between the plating space and the clean space ,
Each of the transfer robots is individually arranged in the plating space and the clean space,
A pretreatment device for pretreatment of the substrate is installed in the clean space,
The cleaned arranged transfer robot in space, have rows delivery and transport of the substrate between the front Stories substrate transfer unit, the pretreatment apparatus and the installed processor in the clean space,
The plating apparatus, wherein the transfer robot installed in the plating space transfers and transfers the substrate between the substrate transfer unit and the processing apparatus installed in the plating space .
前記めっき空間及び前記清浄空間内にそれぞれ搬送ロボットを個別に配置し、
前記清浄空間内に基板の前処理を行う前処理装置を設置し、
前記清浄空間内に配置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部、前記前処理装置及び該清浄空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行い、
前記めっき空間内に設置された搬送ロボットは、前記基板受渡し部及び該めっき空間内に設置された処理装置の間で基板の搬送と受渡しを行うことを特徴とするめっき装置。Internal equipment, and plating section for processing the substrate plating treatment and the plating solution or activation solution of the substrate is attached, as well as divided by the partition plate to a clean space for processing substrates other than it, to the partition plate Providing a substrate delivery section that passes through the partition plate and delivers the substrate between the plating space and the clean space ;
Each of the transfer robots is individually arranged in the plating space and the clean space,
A pretreatment device for pretreatment of the substrate is installed in the clean space,
The clean space arranged transfer robot in the prior SL substrate delivery unit performs the delivery and transport of the substrate between the pretreatment apparatus and the clean space the installed processor within,
Wherein the installed transport robot in the plating space is pre Symbol substrate transfer unit and the plating apparatus characterized by performing transfer and transport of the substrate between the installed processing device to the plating space.
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