JP4105613B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、ノズルから処理液を吐出しつつ基板を走査することにより、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置の技術に関する。より詳しくは、ノズルによる走査において、ノズルが異物(対象物)と干渉することを防止するために、干渉物を高精度に検出する技術に関する。 The present invention relates to a technique for a substrate processing apparatus that applies a processing liquid to a surface of a substrate by scanning the substrate while discharging the processing liquid from a nozzle. More specifically, the present invention relates to a technique for detecting an interference object with high accuracy in order to prevent the nozzle from interfering with a foreign object (object) in scanning with the nozzle.
液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板などの製造工程においては、各種基板の表面に処理液を塗布する塗布装置(基板処理装置)が用いられる。塗布装置としては、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてスリットコートを行うスリットコータや、一旦前述のスリットコートを施してから、スピンコートするスリット・スピンコータなどが知られている。 In the manufacturing process of glass square substrates for liquid crystals, semiconductor wafers, flexible substrates for film liquid crystals, photomask substrates, color filter substrates, etc., coating devices (substrate processing devices) that apply processing liquids to the surfaces of various substrates are used. It is done. As coating apparatuses, there are known a slit coater that performs slit coating using a slit nozzle having a slit-like discharge section, and a slit / spin coater that performs spin coating after the above-described slit coating is performed once.
このような塗布装置では、スリットノズルの先端と基板とを近接させた状態で、スリットノズルまたは基板を移動させて処理液を塗布するため、基板の表面に異物が付着していたり、基板とステージとの間に異物が挟まることによって基板が盛り上がった状態となることにより、
(1)スリットノズルが損傷する
(2)基板が割れる、あるいは基板に傷がつく
(3)異物を引きずりながら塗布することにより、塗布不良の原因となる
などの問題が発生する。
In such a coating apparatus, the slit nozzle or the substrate is moved in a state where the tip of the slit nozzle is close to the substrate to apply the treatment liquid, so that foreign matter is adhered to the surface of the substrate or the substrate and the stage When the substrate rises due to foreign matter sandwiched between
(1) The slit nozzle is damaged. (2) The substrate is cracked or the substrate is scratched. (3) The coating is performed while dragging foreign matter, thereby causing problems such as application failure.
そのため、従来より、スリットノズルを用いる塗布装置においては、異物検査を行うことにより、スリットノズルと接触する対象物が存在するか否かを判定して、スリットノズルと対象物との衝突を回避させる技術が提案されている。このような技術が、例えば特許文献1に記載されている。
Therefore, conventionally, in a coating apparatus using a slit nozzle, it is determined whether or not there is an object in contact with the slit nozzle by performing a foreign substance inspection, and collision between the slit nozzle and the object is avoided. Technology has been proposed. Such a technique is described in
特許文献1に記載されている塗布装置は、透過型のレーザーセンサーによって干渉物の検出を行い、当該レーザーセンサーが干渉物を検出した場合には、塗布処理を強制終了させることにより、スリットノズルと干渉物とが接触することを防止する。
The coating apparatus described in
図14ないし図17は、特許文献1に記載されている塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサー100が干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。透過型のレーザーセンサー100は、投光部101から射出されたレーザー光を、光軸上に投光部101と対向して配置された受光部102で受光し、その受光量によって干渉物の有無を検出するセンサーである。
14 to 17 are conceptual diagrams for explaining the principle that the
レーザーセンサー100では、図14に示すように、何らかの物体(対象物)が光路上に存在する場合には、その対象物によって光路上でレーザー光が遮蔽される。そのため、図15に示すように、受光部102におけるレーザー光の受光量が減少する。したがって、レーザーセンサー100は、受光部102における受光量が所定の閾値Qよりも少ない場合に、光路上に対象物が存在すると判定することができる。
In the
ところが、図14および図16に示すように、レーザー光は、ピントを合わせた位置(最も光束を絞った位置:ここで示す例においては投光部101の照射開始位置)から光軸方向にずれるにつれて、その径が広がってしまうという性質がある。そのため、図16に示すように、干渉物が投光部101から遠い位置(径が広がった位置)にある場合には、ほとんどのレーザー光が遮蔽されることなく受光部102に受光されることとなる。この場合には、受光部102におけるレーザー光の受光量は、図17に示すように、閾値Qよりも多くなるため、本来検出すべき大きさの対象物が存在しているにもかかわらず、その対象物を検出することができないという事態が発生する。一般的な透過型のレーザーセンサーを用いた場合、塗布処理に必要な精度を維持することができる範囲は、投光部101と受光部102との間隔が最大500mm程度までである。
However, as shown in FIGS. 14 and 16, the laser beam is shifted in the optical axis direction from the focused position (the position where the light beam is most focused: the irradiation start position of the light projecting unit 101 in the example shown here). As a result, there is a property that the diameter is expanded. Therefore, as shown in FIG. 16, when the interference object is at a position far from the light projecting unit 101 (a position where the diameter is widened), most of the laser light is received by the
すなわち、特許文献1に記載されている塗布装置では、例えば基板の大型化により、レーザーセンサー100において、投光部101と受光部102とを比較的離して配置する必要が生じた場合(検出用のレーザー光の光路が長くなる場合)に、受光部102側の領域に対する検出精度が低下するという問題があった。
That is, in the coating apparatus described in
また、塗布装置におけるスリットノズルの移動速度は、塗布される処理液の均一性などを考慮して100mm/sec程度に設定される。したがって、スリットノズルの移動に伴ってレーザーセンサー100を移動させる場合、数十μmの対象物を検出しようとすると、約1msec程度の間に検出することが要求される。レーザーセンサーによる物体の検出では、通常、チャタリング防止のために一定時間のディレイタイマが設定されるが、このように、非常に短い時間で検出を行わなければならない場合には、ディレイタイマを設定することができないという問題があった。すなわち、特許文献1に記載されている塗布装置では、チャタリングによって対象物の検出精度が低下するという問題があった。
In addition, the moving speed of the slit nozzle in the coating apparatus is set to about 100 mm / sec in consideration of the uniformity of the processing liquid to be applied. Therefore, when the
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象物の検出精度の低下を防止することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to prevent a decrease in detection accuracy of an object.
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液をスリット状の吐出部から吐出するスリットノズルと、前記保持手段に保持された前記基板に対して前記スリットノズルを移動させ、前記基板に対する前記スリットノズルによる走査を実行させる移動手段と、前記スリットノズルとの相対距離を保った状態で前記スリットノズルと一体的に移動しつつ、それぞれがレーザー光を照射することによって、前記基板に対する前記スリットノズルの走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の透過型のレーザーセンサーと、前記複数の透過型のレーザーセンサーによる検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記複数の透過型のレーザーセンサーの検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略平行方向、かつ、前記スリットノズルによる走査方向に対して略垂直方向であり、前記それぞれの有効検出範囲が、前記検出方向の互いに異なる位置に配列され、前記複数の透過型のレーザーセンサーから照射されるそれぞれのレーザー光は、少なくとも当該レーザー光に対応する有効検出範囲においてその光束が絞られているとともに当該レーザー光に対応する有効検出範囲以外の領域においてその光束が広がっており、前記スリットノズルによる走査中に前記スリットノズルと干渉する対象物を、前記それぞれの有効検出範囲によって分担して検出することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の透過型のレーザーセンサーが、前記移動手段に取り付けられていることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the plurality of transmission type laser sensors are attached to the moving means.
請求項1および2に記載の発明では、スリットノズルによる走査中にスリットノズルと干渉する対象物を、スリットノズルによる走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲によって分担して検出することにより、検出精度の低下を防止することができる。また、請求項1および2に記載の発明では、検出方向が、基板に対して略平行方向、かつ、走査方向に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲が、検出方向に配列されることにより、少数の検出手段による検出が可能である。また、請求項1および2に記載の発明では、複数の透過型のレーザーセンサーが、スリットノズルとの相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、スリットノズルの姿勢の影響を受けないため、検出精度の向上を図ることができる。
In the invention according to
請求項2に記載の発明では、複数の透過型のレーザーセンサーが、移動手段に取り付けられていることにより、スリットノズルを交換した場合であっても、透過型のレーザーセンサーの位置調整が不要である。 In the invention according to claim 2 , since the plurality of transmission type laser sensors are attached to the moving means, the position adjustment of the transmission type laser sensor is unnecessary even when the slit nozzle is replaced. is there.
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<1. 第1の実施の形態>
<1.1 構成の説明>
図1は、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置1の正面図である。図2は、基板処理装置1における検出センサー45の周辺部の拡大図である。なお、図1および図2において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
<1. First Embodiment>
<1.1 Description of configuration>
FIG. 1 is a front view of a
基板処理装置1は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41は基板90に対してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。
The
基板処理装置1は、被処理基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状の一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。
The
ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。 保持面30には多数の真空吸着口(図示せず)が分布して形成されており、基板処理装置1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。
The upper surface of the
ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44と、移動機構5とから主に構成される。
Above the
ノズル支持部40には、スリットノズル41とギャップセンサー42とが取り付けられている。
A
水平Y軸方向に伸びるスリットノズル41には、スリットノズル41へ薬液(レジスト液)を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構(図示せず)が接続されている。スリットノズル41は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板90の表面を走査することにより、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)にレジスト液を吐出する。
The
ギャップセンサー42は、架橋構造4のノズル支持部40に基板90の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向(−Z方向)の存在物(例えば、基板90やレジスト膜)との間の距離(ギャップ)を検出して、検出結果を制御部7に伝達する。
The
これにより、制御部7は、ギャップセンサー42の検出結果に基づいて、基板90の表面とスリットノズル41との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置1では2つのギャップセンサー42を備えているが、ギャップセンサー42の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサー42を備えていてもよい。
Thereby, the
昇降機構43,44はスリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44はスリットノズル41を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
The elevating
架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って別れて配置された移動機構5が固設される。移動機構5は、主に一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50と、一対のリニアエンコーダ51とから構成される。
At both ends of the bridging
リニアモータ50は、それぞれ固定子および移動子(図示せず)を備え、固定子と移動子との電磁的相互作用によって架橋構造4(スリットノズル41)をX軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ50による移動量および移動方向は、制御部7からの制御信号により制御可能となっている。
Each
リニアエンコーダ51は、それぞれスケール部および検出子(図示せず)を備え、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御部7に伝達する。各検出子は架橋構造4の両端部にそれぞれ固設され、スケール部はステージ3の両側にそれぞれ固設されている。これにより、リニアエンコーダ51は架橋構造4のX軸方向の位置検出を行う機能を有している。
The
架橋構造4の両側に固設された移動機構5には、さらに検出センサー45が取り付けられている。図3は、スリットノズル41の走査範囲E0と検出センサー45の有効検出範囲E1ないしE3とを示す図である。なお、走査範囲E0とは、基板上に対するスリットノズル41の走査範囲である。より詳しく説明すると、移動機構5がX軸方向に移動することにより、スリットノズル41の下端(−Z方向の端部)が描く軌跡領域(面状の領域となる)のうち、基板90とスリットノズル41の下端とが最も接近した状態(レジスト液を塗布する際のギャップ)で対向することとなる領域である。すなわち、走査範囲E0とは、スリットノズル41による走査中に、スリットノズル41が対象物と接触する可能性のある領域である。基板処理装置1では、移動機構5によってスリットノズル41がさまざまな位置に移動するが、昇降機構43,44がスリットノズル41を十分な高さ位置に維持して移動する場合や、スリットノズル41が基板90と対向しない位置を移動する場合には、スリットノズル41が対象物と干渉することはない。
A
本実施の形態における基板処理装置1では、3つの検出センサー45(450,451,452)を備えている。各検出センサー45の検出方向は、Y軸方向とされており、それぞれの検出センサー45はX軸方向に配列されている。また、各検出センサー45のZ軸方向の位置はオペレータによって調整可能とされている。
The
検出センサー450は、投光部450aと受光部450bとから構成され、投光部450aから照射されるレーザー光を受光部450bが受光し、その受光量を計測して、制御部7に出力する。すなわち、検出センサー450は、検出方向における対象物の検出を行う透過型のレーザーセンサーとしての機能を有している。なお、検出センサー451,452についても、構造および機能は同様であるため、説明を省略する。
The detection sensor 450 includes a
検出センサー450,452は、図3に示すように、投光部450a,452aが基板処理装置1の−Y側に配置され、受光部450b,452bが基板処理装置1の+Y側に配置される。一方、検出センサー451は、投光部451aが基板処理装置1の+Y側に配置され、受光部451bが基板処理装置1の−Y側に配置される。
As shown in FIG. 3, in the detection sensors 450 and 452, the
検出センサー450は、そのレーザー光がY軸方向のほぼ中央位置で絞られており、この位置において有効な検出精度(本実施の形態においては100μm程度の大きさの対象物を検出することができる精度)が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー450が移動機構5の移動に伴ってX軸方向に移動することにより、検出センサー450が所望の大きさの対象物を検出することができる範囲(高精度検出可能な範囲、以下、「有効検出範囲」と称する)は、有効検出範囲E2で示される領域となる。
In the detection sensor 450, the laser light is narrowed down at a substantially central position in the Y-axis direction, and an effective detection accuracy (in this embodiment, an object having a size of about 100 μm can be detected at this position. Accuracy). In this state, the detection sensor 450 moves in the X-axis direction as the
検出センサー451は、そのレーザー光がY軸方向の+Y側で絞られており、この位置において有効な検出精度が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー451が移動機構5の移動に伴ってX軸方向に移動することにより、検出センサー451の有効検出範囲は、有効検出範囲E1で示される領域となる。
The detection sensor 451 is set so that the laser light is focused on the + Y side in the Y-axis direction, and effective detection accuracy is obtained at this position. In this state, when the detection sensor 451 moves in the X-axis direction as the
検出センサー452は、そのレーザー光がY軸方向の−Y側で絞られており、この位置において有効な検出精度が得られるように設定されている。この状態で、検出センサー452が移動機構5の移動に伴ってX軸方向に移動することにより、検出センサー452の有効検出範囲は、有効検出範囲E3で示される領域となる。
The detection sensor 452 is set so that the laser beam is focused on the −Y side in the Y-axis direction, and effective detection accuracy is obtained at this position. In this state, when the detection sensor 452 moves in the X-axis direction as the
なお、各検出センサー45は、それぞれの有効検出範囲以外の領域についても、十分に大きい対象物であれば検出可能である。その意味では、各検出センサー45において、それぞれの有効検出範囲以外の領域も検出範囲ではある。しかし、図16および図17において説明したように、各検出センサー45は、それぞれの有効検出範囲以外の領域では、所望する大きさ以上であっても比較的小さい対象物を検出することができないなど、その精度は保証されていない。
Each
このように、各検出センサー450,451,452において、レーザー光の絞られている位置がY軸方向にそれぞれ異なるように設定されていることにより、基板処理装置1では、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3が検出方向(Y軸方向)に配列されることとなる。すなわち、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3のY軸方向の位置は、スリットノズル41の走査範囲E0に対して規定される。これにより、スリットノズル41の走査範囲E0が、各検出センサー45の有効検出範囲E1ないしE3に分担して検査され、所望の大きさ以上の対象物が存在した場合には、いずれかの検出センサー45によってその存在を検出することができる。
As described above, in each of the detection sensors 450, 451, and 452, the position where the laser beam is focused is set to be different in the Y-axis direction, so that the
詳細は後述するが、制御部7は検出センサー45によって対象物が検出された場合には、それが干渉物(スリットノズル41に接触する対象物)であると判断する。したがって、本実施の形態における基板処理装置1は、走査範囲E0内のいずれの位置についても高精度に干渉物を検出することができる。なお、各有効検出範囲E1ないしE3は、互いに一部の領域が重複するように設定されてもよい。
Although details will be described later, when the object is detected by the
また、各検出センサー45は、スリットノズル41に対して、走査方向(スリットノズル41が走査範囲E0を移動する際の移動方向であって、本実施の形態においては(−X)方向)の前方位置に配置されており(図6および図7参照)、スリットノズル41のX軸方向の移動に伴って、同じ方向に移動しつつ干渉物の検出を行う。なお、検出センサー45とスリットノズル41との相対距離は、移動機構5によってスリットノズル41が移動する速度と、制御部7の演算速度とに応じて設定される。すなわち、検出センサー45の検出結果に応じて制御部7が移動機構5を制御した場合に、対象物とスリットノズル41との接触を十分に回避できる距離とされる。
Further, each
図1に戻って、制御部7は、プログラムに従って各種データを処理する。制御部7は、図示しないケーブルにより基板処理装置1の各機構と接続されており、ギャップセンサー42、リニアエンコーダ51および検出センサー45などからの入力に応じて、ステージ3、昇降機構43,44および移動機構5などの各構成を制御する。
Returning to FIG. 1, the
特に、制御部7は、各検出センサー45からの入力に基づいて、各受光部450b,451b,452bにおけるレーザー光の受光量を演算して、予め設定された閾値Qと比較することにより、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3内に対象物が存在するか否かを判定する。本実施の形態における基板処理装置1では、制御部7が対象物が存在すると判定した場合には、当該対象物がスリットノズル41に接触する干渉物であるとみなして、その接触を回避するために移動機構5(リニアモータ50)を停止させる。なお、干渉物を検出した場合の制御部7の制御動作については後述する。
In particular, the
また、制御部7は、図示しない操作部(操作パネル、キーボードなど)および表示部(液晶ディスプレイや表示ボタンなど)と接続されており、操作部を介してオペレータからの指示を受け付けるとともに、表示部に必要なデータを表示することによってオペレータに基板処理装置1の状態などを通知する。
The
以上が本実施の形態における基板処理装置1の構成の説明である。
The above is the description of the configuration of the
<1.2 調整作業>
まず、基板処理装置1では、基板90に対してレジスト液を塗布する処理を行う前に、各検出センサー45のZ軸方向の位置調整作業が行われる。各検出センサー45の位置調整は、10μm以下の位置決め精度を持つマイクロゲージを用いて、それぞれのZ軸方向の位置がほぼ同じになるように調整される。
<1.2 Adjustment work>
First, in the
各検出センサー45は、ステージ3に正常な状態で保持されている基板90を干渉物として誤検出しないように、そのレーザー光の光路が基板90の表面より(+Z)方向の位置となるように位置調整される。すなわち、基板90の厚みを考慮しつつ、ステージ3の保持面30を基準に位置調整が行われる。このとき、基板90の厚みの均一性(通常、設計厚みの±1%以内)や、保持面30の平坦加工精度などを考慮して調整することが好ましい。これにより、有効検出範囲E1ないしE3が基板90の表面よりも(+Z)側となるように調整される。
Each
また、基板処理装置1において、スリットノズル41と対象物との接触を防止するためには、走査範囲E0よりも(−Z)側に存在する対象物を検出しなければならない。したがって、有効検出範囲E1ないしE3が走査範囲E0よりも(−Z)側の領域を含むように、各検出センサー45のZ軸方向の位置が調整される。
Further, in the
このように、基板処理装置1では、スリットノズル41の走査範囲E0に対して各検出センサー45のZ軸方向の位置調整が行われることにより、スリットノズル41と接触する可能性のある対象物が存在しない場合には、いずれの検出センサー45においても、そのレーザー光が途中で遮蔽されることなく受光される。一方、接触する可能性のある対象物が存在する場合には、当該対象物によって、いずれかの検出センサー45のレーザー光が遮蔽される。
As described above, in the
なお、処理する基板90の厚さが変更される場合や、所望するレジスト液の膜厚が変更される場合には、その塗布処理を実行する前に、ここで述べた位置調整作業を再度行うことが好ましい。
When the thickness of the
<1.3 動作の説明>
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図4および図5は、基板処理装置1の塗布処理における動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各部の動作制御は特に断らない限り制御部7により行われる。
<1.3 Explanation of operation>
Next, the operation of the
基板処理装置1では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板90が搬送されることによって、レジスト液の塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板90の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部を操作することにより入力されてもよい。
In the
まず、ステージ3が保持面30上の所定の位置に基板90を吸着して保持する。次に、スリットノズル41を移動させることによって、ギャップセンサー42を基板90とのギャップを測定するための測定開始位置に移動させる(ステップS11)。この動作は、昇降機構43,44がスリットノズル41の高さ位置を測定高度に調整するとともに、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に調整することにより、行われる。
First, the
ギャップセンサー42の測定開始位置への移動が完了すると、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させる。これにより、ギャップセンサー42が所定の測定高度を保ちながら、基板90表面の塗布領域における基板90表面とスリットノズル41とのギャップを測定する(ステップS12)。なお、塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。また、ギャップセンサー42による測定が行われている間に、スリットノズル41が基板90や異物といった干渉物と接触することのないように、基板処理装置1において、測定高度におけるスリットノズル41と保持面30との間のZ軸方向の距離は十分に確保されている。
When the movement of the
ギャップセンサー42の測定結果は制御部7に伝達される。そして、制御部7は、伝達されたギャップセンサー42の測定結果を、リニアエンコーダ51によって検出される水平位置(X軸方向の位置)と関連づけて記憶部に保存する。
The measurement result of the
ギャップセンサー42による走査(測定)が終了すると、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に移動させ、検出センサー45を基板90の端部位置に移動させる(ステップS13)。なお、端部位置とは、検出センサー45のうち最も(−X)側に存在する検出センサー45(本実施の形態においては検出センサー452)の光軸が、基板90の(+X)側の辺にほぼ沿う位置である。また、ギャップセンサー42による測定によって、基板90の厚さが指定範囲以内にないと判定された場合、基板処理装置1は、表示部などに警報を表示し、スリットノズル41を待機位置に移動させるとともに、異常が検出された基板90を排出する。
When scanning (measurement) by the
検出センサー45が端部位置に移動すると、制御部7は、リニアモータ50を停止させることにより、架橋構造4を停止させる。さらに、ギャップセンサー42からの測定結果に基づいて、スリットノズル41のYZ平面における姿勢が、適切な姿勢(スリットノズル41と塗布領域との間隔がレジストを塗布するために適切な間隔(本実施の形態においては50〜200μm)となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。)となるノズル支持部40の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構43,44を制御しスリットノズル41を適正姿勢に調整する。
When the
基板処理装置1の検出センサー45は、スリットノズル41よりも(−X)側に配置されているため、検出センサー45が端部位置にある状態では、スリットノズル41は基板90と対向しない位置に移動している。したがって、検出センサー45が端部位置にある状態でスリットノズル41を(−Z)方向に移動させて適正姿勢に調整したとしても、スリットノズル41が干渉物と接触する危険性はほとんどない。
Since the
スリットノズル41の姿勢調整が終了すると、制御部7は、検出センサー45による干渉物の検出を開始する(ステップS14)。さらに、リニアモータ50を駆動し、架橋構造4を(−X)方向に移動させつつ(ステップS21)、各検出センサー45からの出力に基づいて、干渉物を検出したか否かを判定する(ステップS22)。いずれかの検出センサー45によって干渉物を検出したと判定した場合には、ステップS27以降の処理を行い、スリットノズル41が干渉物に接触することを防止するが詳細は後述する。
When the posture adjustment of the
一方、干渉物を検出しない場合には、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出開始位置に移動するまでステップS21ないしS23の処理を繰り返す(ステップS23)。なお、吐出開始位置とは、塗布領域の(+X)側の辺にスリットノズル41がほぼ沿う位置である。
On the other hand, when the interference is not detected, the
このように制御部7が検出センサー45による干渉物の検出の検出開始位置を制御することにより、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3の(+X)側の位置が走査範囲E0に対して規定される。
In this way, the
スリットノズル41が吐出開始位置まで移動すると、レジスト用ポンプ(図示せず)によりスリットノズル41にレジスト液が送られ、スリットノズル41が塗布領域にレジスト液を吐出する。その吐出動作とともに、リニアモータ50がスリットノズル41を(−X)方向に移動させる(ステップS24)。これにより、基板90の塗布領域がスリットノズル41によって走査され、レジスト液が塗布される。ステップS24の移動動作と並行して、ステップS22と同様に制御部7により、干渉物が検出されたか否かの判定が行われる(ステップS25)。
When the
図6および図7は、検出センサー45が干渉物を検出する様子を示す図である。図6は、基板90が干渉物となる例を示している。ステージ3の保持面30上に所定の大きさ以上の異物NGが存在する場合、この異物NGによって基板90が盛り上がった状態になり、基板90のZ軸方向の位置がスリットノズル41と接触する位置となっている。
6 and 7 are diagrams illustrating how the
本実施の形態における基板処理装置1では、図3で示したように、スリットノズル41の走査範囲E0は、複数の検出センサー450,451,452によって、いわばそれぞれの有効検出範囲E1ないしE3に分割して検査される。したがって、異物NGのY軸方向の位置がどの位置であったとしても、3つの検出センサー450,451,452のうちのいずれかの検出センサー45の受光量が閾値Q以下となることによって、当該干渉物の存在が検出される。
In the
複数の検出センサー450,451,452は、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3における必要検出精度が確保されている。したがって、有効検出範囲E1に所定の大きさ以上の対象物が存在する場合に、例え、検出センサー450,452によっては検出されなかったとしても、検出センサー451によって検出される。 The plurality of detection sensors 450, 451, and 452 have required detection accuracy in the effective detection ranges E1 to E3. Therefore, when an object having a predetermined size or larger exists in the effective detection range E1, even if it is not detected by the detection sensors 450 and 452, it is detected by the detection sensor 451.
このように、基板処理装置1は、走査範囲E0のY軸方向の幅が、個々の検出センサー45の有効検出範囲よりも広い場合であっても、従来の装置のように検出精度が低下することがなく、高精度に干渉物の検出を行うことができる。すなわち、有効検出範囲の狭い検出センサー45を用いて、高精度に干渉物を検出することができる。
As described above, the
また、各検出センサー45は、図6に示すように、走査方向に対して、スリットノズル41の前方に配置されている。したがって、制御部7は、干渉物がスリットノズル41と接触する前に検出することができる。なお、図7に示すように、基板90の表面に異物NGが付着することにより、異物NGが干渉物を形成している場合であっても同様に当該干渉物を高精度に検出することができる。
Moreover, each
ステップS25において、制御部7が干渉物を検出したと判定した場合には(ステップS25においてYes。)、制御部7がリニアモータ50を停止させることによりスリットノズル41の(−X)方向への移動動作を停止するとともに、表示部などに警報を出力する(ステップS27)。
If it is determined in step S25 that the
このように、基板処理装置1では、スリットノズル41の移動中に、検出センサー45によって干渉物が検出された場合に、直ちにスリットノズル41の移動を停止することにより、スリットノズル41と干渉物との接触を防止することができる。したがって、スリットノズル41や基板90などが接触により破損することを有効に防止することができる。
As described above, in the
また、警報を出力することにより、オペレータに異常を知らせることができることから、復旧作業等を効率的に行うことができる。なお、警報はオペレータに異常事態の発生を知得させることができるものであればどのような手法であってもよく、スピーカなどから警報音を出力するようにしてもよい。 Moreover, since an abnormality can be notified to the operator by outputting an alarm, recovery work and the like can be performed efficiently. Note that any method may be used for the alarm as long as it allows the operator to know the occurrence of an abnormal situation, and an alarm sound may be output from a speaker or the like.
ステップS27の実行後は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。さらに、基板90を基板処理装置1から搬出する(ステップS29)。なお、ステップS22において干渉物が検出された場合には、レジスト液の吐出は未だ開始されていないため、レジスト液の吐出を停止させる処理は行われない。また、ステップS27が実行された結果搬出する基板90は、他の基板90と区別して、オペレータまたは搬送機構が再処理工程に搬送する。また、図6に示すように、異物NGはステージ3に付着している場合も考えられるため、ステップS27が実行された場合は、ステージ3のクリーニングを行うことが好ましい。
After execution of step S27, the resist pump is stopped to stop the discharge of the resist solution, and the
一方、ステップS25において干渉物が検出されない場合には(ステップS25においてNo。)、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出終了位置に移動するまでステップS24ないしS26の処理を繰り返す(ステップS26)。このように、干渉物が存在しない場合には、スリットノズル41による走査が塗布領域全域に対して行われ、当該塗布領域の全域における基板90の表面上にレジスト液の層が形成される。
On the other hand, when no interference is detected in step S25 (No in step S25), the
スリットノズル41が吐出終了位置に移動すると、制御部7は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。この動作と並行して、制御部7は各検出センサー45による干渉物の検出を停止する。このように制御部7が検出センサー45による干渉物の検出の検出終了位置を制御することにより、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3の(−X)側の位置が走査範囲E0に対して規定される。
When the
さらに、ステージ3は基板90の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板90を保持面30から取り上げ、基板90を次の処理工程に搬出する(ステップS29)。
Further, the
なお、塗布処理が終了した時点で、レジスト液の膜厚の検査処理を行ってもよい。すなわち、昇降機構43,44がノズル支持部40を(+Z)方向に移動させることにより、ギャップセンサー42を測定高度に移動させる。さらに、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させることでギャップセンサー42が塗布領域を走査し、基板90上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御部7に伝達する。制御部7は、レジスト液を塗布する前に測定したギャップの値(基板90の表面との距離)と、レジスト塗布後に測定したギャップの値(レジスト膜の表面との距離)とを比較することにより、基板90上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部などに表示する。
Note that when the coating process is completed, a resist film thickness inspection process may be performed. That is, the elevating
基板90の搬出処理(ステップS29)が終了すると、さらに連続して複数枚の基板90に対して処理を行う場合にはステップS11に戻って処理を繰り返し実行し、処理すべき基板90が存在しない場合には処理を終了する(ステップS30)。
When the
以上、説明したように、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41の走査中に、スリットノズル41と干渉する対象物を、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3によって分担して検出することにより、従来の装置のように、レーザー光の光束が広がってしまうことによる検出精度の低下を防止することができる。したがって、有効検出範囲の狭い検出センサー45によって、高精度に干渉物の検出を行うことができる。
As described above, in the
また、複数の検出センサー45の検出方向が、ステージ3に保持された基板90に対して略平行方向、かつ、スリットノズル41による走査方向に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲E1ないしE3が、検出センサー45の検出方向に配列されることにより、比較的少数の検出手段による干渉物の検出が可能である。
The detection directions of the plurality of
また、複数の検出センサー45が、移動機構5に取り付けられていることにより、スリットノズル41を交換した場合であっても、検出センサー45の位置調整を再度行う必要がなく、作業を効率化することができる。
In addition, since a plurality of
なお、本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41の走査範囲E0を3つの検出センサー45(450,451,452)によって検査するとして説明したが、検出センサー45の数はこれに限られるものではない。以下、第2の実施の形態においても同様である。
In the
また、検出センサー45の照射するレーザー光のビーム形状は、スポット型もしくはライン型のいずれであってもよい。以下の実施の形態においても同様である。
Further, the beam shape of the laser light irradiated by the
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、検出センサー45を移動機構5に取り付けるように構成したが、検出センサー45の取り付け位置はこれに限られるものではなく、干渉物を検出することができる位置であればどこに取り付けられていてもよい。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the
図8は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1aの検出センサー45の周辺部における拡大図である。基板処理装置1aは、図8に示すように、検出センサー45がノズル支持部40に取り付けられている。スリットノズル41は、上記実施の形態と同様にノズル支持部40に固設されており、スリットノズル41はノズル支持部40と一体的に移動する。ノズル支持部40にはスリットノズル41が固設されている。したがって、複数の検出センサー45は、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動する。
FIG. 8 is an enlarged view of the periphery of the
上記実施の形態において説明したように、透過型のレーザーセンサーである検出センサー45は、それぞれ投光部と受光部とを有しており、それらがY軸方向を光軸として対向するように配置されることにより1つのセンサーを構成する。したがって、図8では、検出センサー45のうち−Y側に配置される部分(各検出センサー45の投光部または受光部のいずれか)のみ示しているが、スリットノズル41の+Y側にも検出センサー45が取り付けられている。
As described in the above embodiment, the
なお、基板処理装置1aは、検出センサー45がノズル支持部40に取り付けられていることを除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成を有している。また、基板処理装置1aの動作についても、基板処理装置1とほぼ同様である。ただし、基板処理装置1では、ステージ3の保持面30の位置を基準に各検出センサー45のZ軸方向の位置調整作業が行われるが、基板処理装置1aでは、スリットノズル41の(−Z)側の端部を基準に検出センサー45のZ軸方向の位置調整作業が行われる。
The substrate processing apparatus 1a has substantially the same configuration as the
以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1aのように、ノズル支持部40に検出センサー45を取り付けた場合であっても、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の効果を得ることができる。
As described above, even when the
また、複数の検出センサー45が、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、一旦、検出センサー45とスリットノズル41との相対距離の調整が行われた後は、スリットノズル41の姿勢(主にZ軸方向の位置)に関わらず、その相対距離が一定となるため、検出精度を向上させることができる。また、基板処理装置1aにおいて、処理する基板90の厚みなどが変更された場合であっても再度位置調整作業を行う必要がなく、作業の効率化を図ることができる。
In addition, since the plurality of
なお、本実施の形態における基板処理装置1aでは、検出センサー45がノズル支持部40に取り付けられると説明したが、例えば、スリットノズル41に直接検出センサー45が取り付けられていてもよい。
In the substrate processing apparatus 1a according to the present embodiment, the
<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態では、検出センサー45として透過型のレーザーセンサーを用い、Y軸方向(基板90の表面に対して略平行方向)にレーザー光を照射して、そのレーザー光が遮断されるか否かによって干渉物を検出するように構成したが、スリットノズル41と接触する可能性のある対象物を検出する手法としてはこれに限られるものではない。
<3. Third Embodiment>
In the above-described embodiment, a transmission type laser sensor is used as the
図9は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における基板処理装置1bの構成を示す背面図である。 FIG. 9 is a rear view showing the configuration of the substrate processing apparatus 1b according to the third embodiment configured based on such a principle.
本実施の形態における基板処理装置1bは、図9に示すように、ノズル支持部40の(−X)側のY軸に沿った方向に複数の検出センサー45aが配置されている。ただし、図9においては、一部の検出センサー45aのみを図示している。このように、複数の検出センサー45aが配置されることにより、それぞれの有効検出範囲は、スリットノズル41による走査方向に対して略垂直方向に配列されることとなる。なお、基板処理装置1bは、検出センサー45の代わりに、検出センサー45aを用いることを除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成を有している。
In the substrate processing apparatus 1b in the present embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality of
検出センサー45aは、一般的な反射型のレーザーセンサーであって、その検出方向が(−Z)方向(基板90の表面に対して略垂直方向)とされている。検出センサー45aの投光部(図示せず)によって照射されるレーザー光は、(−Z)方向に存在する対象物によって反射されて検出センサー45aの受光部(図示せず)によって受光される。これにより、検出センサー45aは、レーザー光を反射した対象物までのギャップ(距離)を測定し、制御部7に伝達する。すなわち、各検出センサー45aは、(−Z)方向に存在する対象物との距離を測定する測距センサーとしての機能を有している。
The
各検出センサー45aの有効検査範囲のY軸方向幅は、第1・第2の実施の形態における有効検出範囲E1ないしE3に比べて狭いものとなる。しかし、検出センサー45aをY軸方向に密に配列することによって、走査範囲E0をY軸方向に配列された有効検査範囲によって分担して検査することができ、所望の大きさの干渉物を検出することができる。
The width of the effective inspection range of each
本実施の形態における基板処理装置1の動作は、図4および図5に示す第1の実施の形態における基板処理装置1の動作とほぼ同様であるため詳細な説明を省略するが、ステップS22およびステップS25における判定が以下のように異なっている。
Since the operation of the
ステップS22およびS25において、制御部7は、まず、各検出センサー45aの測定結果に基づいて、スリットノズル41と対象物との相対距離を演算する。このとき求めた相対距離が所定値L0以下のものが存在する場合には干渉物を検出したと判定し、第1の実施の形態と同様にステップS27以下の処理を実行する。一方、求めた相対距離が所定値L1以下ではあるが所定値L0より大きい場合には、オペレータに対する警告を表示しつつ処理を継続する。
In Steps S22 and S25, the
このように、基板処理装置1bは、検出センサー45aが測距センサーであることにより、スリットノズル41と対象物との相対距離に応じた制御を行うことができる。なお、所定値L1および所定値L0は、L1>L0の関係を満たす値として予め設定されているものとする。
In this way, the substrate processing apparatus 1b can perform control according to the relative distance between the
以上、説明したように、本発明の第3の実施の形態における基板処理装置1bにおいても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, also in the substrate processing apparatus 1b according to the third embodiment of the present invention, the same effect as in the above embodiment can be obtained.
また、複数の検出センサー45aの検出方向が、ステージ3に保持された基板90に対して略垂直方向であり、それぞれの有効検出範囲が、スリットノズル41による走査方向に対して略垂直方向に配列されることにより、複数の検出センサー45aを同一の検出センサー(それぞれの有効検出範囲が異なるように設定する必要がない)によって構成することができる。
The detection directions of the plurality of
なお、検出センサー45aは、(−Z)方向に存在する対象物との相対距離を測定することができるものであれば、どのような原理を用いるものであってもよい。例えば、超音波を出射することによって相対距離を測定する超音波センサーであってもよい。
Note that the
<4. 第4の実施の形態>
上記実施の形態では、複数の検出センサーの有効検出範囲を合わせた領域を基板処理装置の有効検出範囲とし、スリットノズルの走査範囲を複数の検出センサーの有効検出範囲によって分担して検査することにより、干渉物の検出精度の低下を防止する手法について説明した。しかし、このような検出センサーによって干渉物を検出する場合において、その検出精度の低下を防止する手法はこれに限られるものではない。例えば、検出センサーのチャタリングによる誤検出を防止することによっても、干渉物の検出精度の低下を防止することができる。
<4. Fourth Embodiment>
In the above embodiment, by combining the effective detection ranges of the plurality of detection sensors as the effective detection range of the substrate processing apparatus, and inspecting the scanning range of the slit nozzle by sharing the effective detection ranges of the plurality of detection sensors, A method for preventing a decrease in the accuracy of detecting an interference object has been described. However, in the case where an interference is detected by such a detection sensor, a technique for preventing a decrease in detection accuracy is not limited to this. For example, it is possible to prevent the detection accuracy of the interference object from being lowered by preventing erroneous detection due to chattering of the detection sensor.
図10は、このような原理に基づいて構成した第4の実施の形態における基板処理装置1cのスリットノズル41と検出センサー453,454とを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing the
検出センサー453,454は、互いに同様の構成を有する透過型のレーザーセンサーであって、第1の実施の形態における基板処理装置1(図1)と同様に、受光部と投光部とがY軸方向に対向するように移動機構5に固設されている。また、図10に示すように、検出センサー453と検出センサー454とは、X軸方向に間隔δで配列されている。なお、本実施の形態においては、間隔δは50mm程度とする。また、検出センサー453,454は、第2の実施の形態における基板処理装置1aと同様に、それぞれがノズル支持部40に取り付けられていてもよい。
The
図11は、本実施の形態における走査範囲EL0と、有効検出範囲EL1,EL2とのXY平面上の位置関係を示す図である。なお、ここでは、基板91は基板90に比べてY軸方向の幅が狭く、検出センサー453,454は、Y軸方向には十分な検出精度を有しているものとする。
FIG. 11 is a diagram showing a positional relationship on the XY plane between the scanning range EL0 and the effective detection ranges EL1 and EL2 in the present embodiment. Here, the
検出センサー453が移動機構5によって(−X)方向に移動することにより干渉物を検出する領域は、図11において太線矩形で示す有効検出範囲EL1の領域である。また、検出センサー454が干渉物を検出する領域は、図11において破線矩形で示す有効検出範囲EL2の領域である。
The region where the interference sensor is detected when the
前述のように、2つの検出センサー453,454は、X軸方向に間隔δで配置されている。したがって、図11に示すように有効検出範囲EL1と有効検出範囲EL2とは厳密にはX軸方向に間隔δだけずれた位置となる。しかし、間隔δは有効検出範囲EL1,EL2のX軸方向の長さに比べて十分に小さいため、有効検出範囲EL1と有効検出範囲EL2とは、その領域のほとんどが重複する領域となっており、ほぼ同じ領域とみなすことができる。
As described above, the two
詳細は後述するが、本実施の形態における制御部7は、検出センサー453,454の検出結果を比較して、いずれの検出センサー453,454においても検出された干渉物が存在する場合に、「干渉物を検出した」と判定する。したがって、検出センサー453,454のいずれかによってのみ検査される領域については、検出結果を比較することができないため、基板処理装置1cの有効検出範囲とはならない。すなわち、基板処理装置1cでは、有効検出範囲EL1と有効検出範囲EL2との重複する領域において対象物の検出を行うことによって、走査範囲EL0を検査することとなる。
Although the details will be described later, the
次に、本実施の形態における基板処理装置1cの動作について説明する。なお、基板処理装置1cの動作において、基板処理装置1の動作(図4および図5に示す動作)とほぼ同様である動作については詳細な説明を省略する。なた、検出センサー453,454のZ軸方向の位置調整も第1の実施の形態に準じて行われるため説明を省略する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1c in the present embodiment will be described. In the operation of the substrate processing apparatus 1c, detailed description of the operation that is substantially the same as the operation of the substrate processing apparatus 1 (the operation shown in FIGS. 4 and 5) is omitted. Since the position adjustment of the
基板処理装置1cでは、制御部7が図5に示すステップS22およびS25において、検出センサー453,454の検出結果に基づいて、干渉物を検出したと判定する動作が上記実施の形態と異なっている。
In the substrate processing apparatus 1c, the
図12は、検出センサー453の検出結果の例を示す図である。図13は、図12に示す例における検出センサー454の検出結果の例を示す図である。基板処理装置1cにおいて、ステップS14が実行されることにより、検出センサー453,454による干渉物の検出が開始され、ステップS21またはステップS24が実行されると、検出センサー453,454は(−X)方向に移動しつつ干渉物の検出を行う。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a detection result of the
制御部7は、検出センサー453の検出結果と検出センサー454の検出結果とを比較するために、検出センサー454の検出結果について時間差ΔTの修正を行う。基板処理装置1cでは、検出センサー453と検出センサー454とはX軸方向に間隔δで配置されている。したがって、検出センサー453によって検査された領域を、検査センサー454が検査するまでには時間差ΔTが生じる。
The
ここで、移動機構5による検出センサー453,454の移動速度V、検出センサー453と検出センサー454との間隔δ、およびプログラムスキャンの誤差分α(定数)を用いて、制御部7は、この時間差ΔTを数1により求める。
Here, using the moving speed V of the
ΔT=δ/V+α ・・・ 数1
ΔT = δ / V +
制御部7は、検出センサー453からの出力を、数1によりもとめた時間差ΔTだけ遅らせてから検出センサー454の出力と比較する。これにより、検出センサー453,454の同じ位置における検出結果が互いに比較されることとなる。
The
干渉物の基板91に対する相対位置は変化しないことから、実際に干渉物が存在している場合には、時間差ΔTが経過した後に検査を行う検出センサー454によっても、X軸方向の同じ位置に対象物が検出される。このようにして、制御部7は検出センサー453によって検出された干渉物が、同じく検出センサー454によっても検出されるか否かを確認する。そして、いずれの検出センサー453,454においても同じ位置において受光量が閾値Qより小さい場合に、干渉物が存在すると判定する(ステップS22またはステップS25においてYes)。
Since the relative position of the interfering object with respect to the
このように、検出センサー453において、例えばチャタリングが生ずることにより受光量が減少したかのような検出結果が出力された場合であっても、この検出結果が遅れて検出される検出センサー454の出力と比較確認されることによって干渉物の誤検出を防止することができる。同様に、検出センサー454においてチャタリングが生じた場合であっても、予め検出されていた検出センサー453の出力と比較確認されるため、干渉物の誤検出を防止することができる。したがって、基板処理装置1cは、検出センサー453,454におけるチャタリングによる検出精度の低下を防止することができる。
Thus, even if the detection result is output in the
基板処理装置1cにおいて、干渉物が検出された場合の動作、および干渉物が検出されない場合の動作は、それぞれ基板処理装置1と同様である。
In the substrate processing apparatus 1c, the operation when an interference is detected and the operation when no interference is detected are the same as those of the
以上のように、第4の実施の形態における基板処理装置1cにおいても、上記実施の形態における基板処理装置1,1a,1bと同様に、干渉物の検出精度の低下を防止することができる。
As described above, also in the substrate processing apparatus 1c according to the fourth embodiment, it is possible to prevent the detection accuracy of the interference object from being lowered, similarly to the
特に、複数の検出センサーのそれぞれの有効検出範囲によって、スリットノズルの走査範囲を検査し、その検出結果を比較することにより、チャタリングによる誤検出を防止することができ、検出精度の低下を防止することができる。 In particular, by detecting the scanning range of the slit nozzle by the effective detection ranges of each of the plurality of detection sensors and comparing the detection results, erroneous detection due to chattering can be prevented, and deterioration in detection accuracy can be prevented. be able to.
なお、第4の実施の形態における基板処理装置1cが大型の基板90を被処理基板とする場合は、検出センサー453を例えば第1の実施の形態に示す検出センサー45(複数の検出センサー)によって構成するとともに、検出センサー454も同様に検出センサー45によって構成することにより対応することができる。
When the substrate processing apparatus 1c in the fourth embodiment uses the
<5. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく多様な変形が可能である。
<5. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made.
例えば、第3の実施の形態に示した各検出センサー45aを、Y軸方向の位置が等しく、かつX軸方向に配列した2つの検出センサーから構成し、それらの検出結果を比較して、各検出センサー45aの検出結果とすることにより、検出センサーの検出方向が基板の表面に対して略垂直となる場合においてもチャタリングなどによる誤検出を防止することができ、検出精度の低下を抑制することができる。
For example, each
また、第4の実施の形態に示した検出センサー453,454のZ軸方向の位置調整作業において、検出センサー453の位置と、検出センサー454の位置とを異なるように設定し、Z軸方向の異なる位置における対象物を検出するように構成してもよい。例えば、検出センサー453を(+Z)側、検出センサー454を(−Z)側に位置調整する。この場合、検出センサー453によってのみ対象物が検出された場合はチャタリングなどによる「誤検出」と判定して処理を続行する。また、検出センサー454によってのみ対象物が検出された場合は、何らかの凹凸が生じているものと判定して警告のみ行う。さらに、両方の検出センサー453,454によって対象物が検出された場合は、スリットノズル41に接触する対象物が存在すると判定して処理を停止する。すなわち、検出センサー453,454の検出結果に基づいて、より状況に応じた適切な制御を行うことができる。
Further, in the position adjustment work in the Z-axis direction of the
1,1a,1b,1c 基板処理装置
3 ステージ
30 保持面
4 架橋構造
40 ノズル支持部
41 スリットノズル
42 ギャップセンサー
43,44 昇降機構
45,45a,450,451,452,453,454 検出センサー
5 移動機構
50 リニアモータ
51 リニアエンコーダ
7 制御部
90,91 基板
E0,EL0 走査範囲
E1,E2,E3,EL1,EL2 有効検出範囲
1, 1a, 1b, 1c
Claims (2)
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液をスリット状の吐出部から吐出するスリットノズルと、
前記保持手段に保持された前記基板に対して前記スリットノズルを移動させ、前記基板に対する前記スリットノズルによる走査を実行させる移動手段と、
前記スリットノズルとの相対距離を保った状態で前記スリットノズルと一体的に移動しつつ、それぞれがレーザー光を照射することによって、前記基板に対する前記スリットノズルの走査範囲に対して規定されたそれぞれの有効検出範囲に存在する対象物を検出する複数の透過型のレーザーセンサーと、
前記複数の透過型のレーザーセンサーによる検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記複数の透過型のレーザーセンサーの検出方向が、前記保持手段に保持された前記基板に対して略平行方向、かつ、前記スリットノズルによる走査方向に対して略垂直方向であり、
前記それぞれの有効検出範囲が、前記検出方向の互いに異なる位置に配列され、
前記複数の透過型のレーザーセンサーから照射されるそれぞれのレーザー光は、少なくとも当該レーザー光に対応する有効検出範囲においてその光束が絞られているとともに当該レーザー光に対応する有効検出範囲以外の領域においてその光束が広がっており、
前記スリットノズルによる走査中に前記スリットノズルと干渉する対象物を、前記それぞれの有効検出範囲によって分担して検出することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate,
Holding means for holding the substrate;
A slit nozzle for discharging a predetermined processing liquid from a slit-shaped discharge portion to the substrate held by the holding means;
Moving means for moving the slit nozzle relative to the substrate held by the holding means, and executing scanning by the slit nozzle for the substrate;
While moving integrally with the slit nozzle while maintaining a relative distance from the slit nozzle, each irradiates a laser beam, whereby each of the slit nozzles defined with respect to the scanning range with respect to the substrate is defined. A plurality of transmission type laser sensors for detecting an object existing in an effective detection range;
Control means for controlling the moving means based on detection results by the plurality of transmission type laser sensors;
With
The detection directions of the plurality of transmissive laser sensors are substantially parallel to the substrate held by the holding means, and substantially perpendicular to the scanning direction by the slit nozzle,
The respective effective detection ranges are arranged at different positions in the detection direction,
Each of the laser beams emitted from the plurality of transmission type laser sensors is focused at least in an effective detection range corresponding to the laser beam and in a region other than the effective detection range corresponding to the laser beam. The luminous flux is spreading,
A substrate processing apparatus, characterized in that the slit nozzle and interfere object during scanning by the slit nozzle is detected by sharing the effective detection range of the respective.
前記複数の透過型のレーザーセンサーが、前記移動手段に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus, wherein the plurality of transmission type laser sensors are attached to the moving means.
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