JP4082239B2

JP4082239B2 - Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP4082239B2
Application number: JP2003051130A
Authority: JP
Inventors: 秀年村井; 学花川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-02-27
Filing date: 2003-02-27
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2023-02-27
Also published as: JP2004258487A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定サイズに切り出された一対の基板が対向して貼り合わされた電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学パネルの状態で行う基板の割れ防止処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、電気泳動表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などといった電気光学装置は、電気光学物質を駆動する駆動用電極が双方に形成された一対のガラス基板がシール材で貼り合わされたパネル構造、あるいは、電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成されたガラス基板に対してガラス製の保護基板がシール材で貼り合わされたパネル構造を有している（例えば、特許文献１参照）。これらいずれのパネル構造の電気光学装置においても、基板は、単品サイズよりも大型の基板から所定サイズに切り出されて使用される。
【０００３】
例えば、液晶装置の場合、一般に、単品サイズの液晶パネルを各々多数枚取りできる大型基板に電極パターンなどの形成工程を行い、これらの大型基板を貼り合せた後、所定の大きさに切断して単品の液晶パネルが製造される。
【０００４】
ここで、液晶パネルでは、駆動用電極に液晶を駆動するための信号を供給する必要があるので、一対の基板のうち、一方の基板を他方の基板の縁から張り出させ、この張り出し領域に、可撓性基板が接続される基板実装端子、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子、およびＩＣからの出力信号を電極パターンに供給するための配線が形成されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平８−２６２４１９号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶パネルを構成する基板は、大型基板の表面にダイヤモンドカッターなどにより切断線を引いた後、治具によって裏面側から力を加えて押し割る方法、あるいは切断線を引いた後、切断線に沿ってレーザ光を照射して大型基板を切断する方法によって、所定サイズに切り出される。これらいずれの切断方法でも、切断の際の応力によって基板の切断面や基板縁や基板外側表面に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、液晶装置を携帯電話機などに用いた際、携帯電話機を落下したときの衝撃などにより液晶パネルが割れるという問題点がある。
【０００７】
ここに、本願発明者等は、切断した基板の基板縁および切断面にエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておくことを提案するものである。
【０００８】
しかしながら、ガラスをエッチングするには、通常、フッ酸などの強酸が使用される一方、ガラス基板にはＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる配線が形成されている。このため、ガラス基板の基板縁および切断面に形成された微小な傷やクラックをエッチングにより消去する際、配線もエッチング液で腐食し損傷するという問題点がある。
【０００９】
また、ＩＣチップもシリコンウエハーから切断されてなるため、このＩＣチップにも、切断の際の応力によってシリコン基板の切断面や基板縁に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、液晶装置を携帯電話機などに用いた際、携帯電話機を落下したときの衝撃などによりＩＣチップが割れるという問題点がある。
【００１０】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学パネルを構成する基板上の配線を損傷することなく、その基板縁、切断面および基板外側表面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去でき、さらにＩＣチップの基板縁、切断面および表面に存在する微小な傷やクラックも消去可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、少なくとも前記第２の基板にＩＣチップを実装した後、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁、切断面および外側表面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を行うとともに、当該エッチング工程を行う際には、前記第１の基板および前記第２の基板の基板縁、切断面および外側表面と、ＩＣチップの基板縁、側端面、および実装面と対向する面とを避けるように形成した保護層によって、前記第１の基板および前記第２の基板で露出している配線の表面を覆っておくことを特徴とする。
【００１２】
本発明では、保護層を形成した状態においても、電気光学パネルを構成する基板の外側表面の全体、基板縁および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。しかも、エッチング工程を行う際、配線は保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせた後、ＩＣチップを実装した電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。さらに、エッチングの際、ＩＣチップの基板縁、切断面（側端面）、および実装面と対向する面もエッチングされる結果、ＩＣチップの微小な傷およびクラックが消失する。それ故、ＩＣチップに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、ＩＣチップが割れることがない。
【００１３】
本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製である。
【００１４】
本発明において、前記エッチングとしては、ドライエッチングを行ってもよいが、ウエットエッチングを採用することが好ましい。ウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の電気光学パネルを一括して処理できるという利点がある。
【００１５】
本発明において、前記第２の基板は、例えば、前記第１の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備え、当該張り出し領域に前記ＩＣチップが実装されているとともに、前記保護層を形成する前、当該張り出し領域で前記配線が露出している。
【００１６】
本発明において、前記張り出し領域には、可撓性基板が接続される基板実装端子が形成されている場合があり、この場合には、前記基板実装端子に前記可撓性基板を接続する前に、当該基板実装端子の表面を前記保護層で覆った状態で前記エッチング工程を行うことが好ましい。
【００１７】
本発明において、前記張り出し領域には、前記基板実装端子に前記可撓性基板を実装する際のアライメントマークが形成され、前記エッチング工程を行う際には、前記アラメントマークの表面を前記保護層で覆っておくことが好ましい。
【００１８】
本発明において、前記エッチング工程の後、前記保護層については除去してもよいし、前記保護層の一部は除去し、他の部分は残しておいてもよい。ここで、張り出し領域に基板実装端子が形成されている場合、前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも前記基板実装端子の表面に形成された保護層については除去する。
【００１９】
本発明において、前記保護層は、例えば、基板に貼られたテープである。
【００２０】
本発明において、前記保護層としては、塗布した液状物を固化してなる塗膜を用いることもある。
【００２１】
本発明において、前記液状物の塗布は、刷毛塗りにより行うことができる。
【００２２】
本発明において、前記液状物の塗布は、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により行うことが好ましい。このような方法であれば、液状物の塗布工程を自動化することができる。また、上記の塗布方法のうち、インクジェット法であれば、電気光学パネルに非接触で液状物を塗布することができ、かつ、任意の領域に液状物を高い精度で選択的に塗布することができる。
【００２３】
本発明において、前記液状物は、例えば、レジストである。レジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて、任意の位置にレジスト層（保護層）を確実に選択的に形成することができる。
【００２４】
本発明において、前記液状物としては、塗料を用いてもよい。
【００２５】
本発明において、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成された有機絶縁膜、あるいは、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成された無機絶縁膜を利用することが好ましい。このように構成すると、保護層を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【００２６】
本発明においては、前記保護層として撥水化剤を用いてもよい。ウエットエッチングで用いるエッチング液は通常、水系であるため、撥水化剤による処理で配線の表面を撥水性とした場合でも、配線をエッチング液から保護することができる。また、撥水化剤による処理であれば、極めて薄い保護層が形成されるだけであるため、端子上に保護層があってもＩＣチップや可撓性基板の実装に支障がない。
【００２７】
本発明において、前記保護層としては、導電粒子が熱可塑性樹脂中に分散した異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉｌｍ）を用いることができ、このような異方性導電膜であれば、ＩＣチップの実装に利用できるとともに、前記エッチング工程の後、前記基板実装端子への前記可撓性基板の実装に用いることができる。
【００２８】
本発明は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質として液晶が保持された液晶装置、あるいは、前記第２の基板上に電気光学物質としてエレクトロルミネッセンス材料が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置などに適用することができる。
【００２９】
このような電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部などして用いられる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、本発明をパッシブマトリクス型液晶装置（電気光学装置）に適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通な液晶装置の構成、および製造方法を説明した後、各実施の形態を説明する。
【００３１】
［液晶装置の全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００３２】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー表示用の液晶パネル１′（電気光学パネル）を備えている。この液晶パネル１′は、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の基板１０、２０を有している。基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶３６が封入されている。ここでは、前記一対の基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の基板２０とする。
【００３３】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置９をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、液晶パネル１′の両面のうち、第２の基板２０の外側表面には偏光板２０９が貼られ、第１の基板１０の外側表面には偏光板１０９が貼られている。また、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。
【００３４】
なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウムや銀合金等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。また、第２の電極パターン５０をアルミニウムや銀合金等の反射膜で形成するとともに、それに光透過孔を形成しても、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏光板６２に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側から照明装置９を省略すればよい。
【００３５】
電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。
【００３６】
また、第２の基板２０として、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられている。このため、第２の基板２０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から張り出す張り出し領域２５を備えており、この張り出し領域２５に形成されているＩＣ実装端子２６、２７に対して駆動用ＩＣ１３（電子部品）が異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉｌｍ）を介してＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）実装されているとともに、基板実装端子２８に可撓性基板２９（電子部品）が異方性導電膜を介して実装されている。
【００３７】
このような実装構造を構成するにあたって、第２の基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０の配線部分５１が張り出し領域２５まで延びており、その端部によって、第２の端子形成領域２１には、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続されるＩＣ実装端子２７が形成されている。
【００３８】
また、第２の端子形成領域２１には、ＩＣ実装端子２７より基板辺２０１の側に位置する部分に、可撓性基板２９を実装するための基板実装端子端子２８が形成され、これらの基板実装端子２８を構成するＩＴＯ膜からなるパターンは、駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、そのバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２６を構成している。
【００３９】
さらに、第２の基板２０の張り出し領域２５において、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８が形成されている領域の両側には、そこに、可撓性基板２９を実装するときのアライメントマーク５５がＩＴＯ膜によって形成されている。
【００４０】
また、第２の端子形成領域２１において、駆動用ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０を構成するＩＴＯ膜からなるパターンも、配線部分７１として駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２７を構成している。
【００４１】
これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。
【００４２】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させた後、第２の基板２０に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装し、この状態で、可撓性基板２９から駆動用ＩＣ１３に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給される。
【００４３】
なお、図３に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、アクリル樹脂などからなる平坦化膜１９、ＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０、およびポリイミド膜からなる配向膜１２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側には、金属膜あるいは樹脂からなる遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０、アクリル樹脂やシリコン酸化膜などからなるオーバーコート膜２９、およびポリイミド膜からなる配向膜２２がこの順に形成されている。従って、可撓性基板２９を介して駆動用ＩＣ１３に信号を入力すると、駆動用ＩＣ１３から第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０の各々に所定の信号が供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する各画素毎で液晶３６を駆動することができ、所定のカラー画像を表示することができる。
【００４４】
［電気光学装置１の製造方法］
図４および図５（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、電気光学装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【００４５】
図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の電気光学装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、フォトリソグラフィ技術や各種印刷技術を利用して、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ２、平坦化膜１９の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程ＳＴ１５、シール材３０の塗布工程ＳＴ１６が行われる。
【００４６】
また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。
【００４７】
次に、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士をシール材３０によって貼り合せ、大型のパネル構造体３００を形成する。
【００４８】
次に、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。それには、まず、大型のパネル構造体３００の表面および裏面のうち、大型基板１００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、裏面側の大型基板２００の側から治具によって応力を加えて大型基板１００を割断する。また、大型基板２００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、表面側の大型基板１００の側から治具によって応力を加えて大型基板２００を割断する。
【００４９】
次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止する。
【００５０】
次に、２次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１および図５（Ｅ）に示すように、第２の基板２０の端部が張り出し領域２５として第１の基板１０から張り出した単品の液晶パネル１′に切断する。
【００５１】
次に、ＩＣ実装工程ＳＴ３５で、図１および図５（Ｆ）に示すように、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００５２】
また、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して可撓性基板２９を実装する。
【００５３】
［実施の形態１］
図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶パネル１′を構成する基板、駆動用ＩＣ１３（ＩＣチップ）に微小な傷およびクラックが入っている様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネル１′にエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【００５４】
電気光学装置１を製造する際、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０、および第２の基板２０の基板縁、切断面、および外側表面には、図６（Ａ）で示すような微小な傷５やクラック６が入っている。そこで、本形態では、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３（ＩＣチップ）を実装した後、可撓性基板２９を接続する前に、単品の液晶パネル１′の状態で第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面にウエットエッチングを施してその表層を削ることにより、図６（Ｂ）に示すように、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００５５】
ここで用いるエッチング液は、例えば、フッ酸系の薬液である。例えば、フッ酸液、フッ化硫酸液、ケイフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸などのエッチング液を用いることができる。また、それらを含む水溶液を使用することもできる。例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムの水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムと硝酸の水溶液などを用いることができる。また、エッチング速度が遅いが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ性の薬液を用いることができる。
【００５６】
ここで、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、可撓性基板２９を実装するときのアライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３（ＩＣチップ）が張り出し部２５で露出した状態にあり、このままエッチングを行うと、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３もエッチングされる。
【００５７】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ１３を実装した後、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面（基板縁、切断面（側端面）および実装面と対向する面）とを避けるように保護膜９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護膜９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００５８】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、保護層９０としての粘着テープを貼る。
【００５９】
このため、第１の基板１０および第２の基板２０では、粘着テープを保護層９０として貼った状態においても、基板外側表面の表面、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【００６０】
また、本形態では、駆動用ＩＣ１３の表面も露出した状態にあり、エッチングが施される。ここで、駆動用ＩＣ１３のシリコン基板も、図６（Ａ）に示すように、基板縁や切断面に微小な傷５やクラック６があるが、シリコン基板も表層が薄くエッチングされる結果、図６（Ｂ）に示すように、微小な傷５およびクラック６が消失する。
【００６１】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００６２】
なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こるが、基板実装端子２８のほとんどの部分は、保護層９０で覆われているため、可撓性基板２９の実装に支障はない。
【００６３】
また、駆動用ＩＣ１３は、導電粒子が樹脂中に分散した異方性導電膜を介してＩＣ実装端子２６、２７に実装されているため、バンプ電極を備える能動面やＩＣ実装端子２６、２７は、異方性導電膜で覆われ、エッチングによる影響はない。
【００６４】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。
【００６５】
また、保護層９０については、その一部を除去し、残りの部分を基板上に残してもよい。すなわち、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、配線部分５１、７１の耐候性などが向上するという利点がある。
【００６６】
以上説明したように、本形態では、単品パネル１′の状態でエッチングを行って、第１の基板１０の基板外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去し、第２の基板２０の基板外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）からも微小な傷およびクラックを消去する。それ故、後述するように、液晶装置１が携帯電話機に搭載された後、衝撃や応力が加わっても、微小な傷やクラックが成長するということがないので、液晶パネル１′が割れるということがない。
【００６７】
また、本形態では、ウエットエッチング（エッチング工程ＳＴ４０）を行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００６８】
さらに、一対の基板を貼り合わせた液晶パネル１′に駆動用ＩＣ１３を実装した状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程ＳＴ４０を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００６９】
しかも、エッチングの際、駆動用ＩＣ１３の基板縁、切断面（側端面）、および実装面と対向する面もエッチングされる結果、駆動用ＩＣ１３からも微小な傷およびクラックが消失する。それ故、駆動用ＩＣ１３に応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、駆動用ＩＣ１３が割れることがない。
【００７０】
なお、エッチング工程ＳＴ４０でのエッチング深さと、複数のサンプルについて強度試験結果との関係を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。この試験に用いた液晶パネルは、第１の基板１０、および第２の基板２０の厚さがいずれも０．５ｍｍである。
【００７１】
試験は、エッチング工程ＳＴ４０を行わなかった液晶パネル、エッチング深さを１０μｍとした液晶パネル、エッチング深さを５０μｍとした液晶パネル、およびエッチング深さを１００μｍとした液晶パネルの各々に所定値の荷重を加えて各サンプルが破壊された時点での加重値を求め、その結果を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示してある。なお、各グラフにおいて、破壊されたサンプルの個数が集中している荷重値が、各レベルのエッチング処理が行われた液晶パネルの平均強度を表している。
【００７２】
各図を比較するとわかるように、エッチングなしの場合と比較して、エッチング処理有りの方が、パネルの強度が向上している。従って、エッチング処理によって、ガラス基板上の傷やクラックが除去され、液晶パネルを構成しているガラス基板において、割れ強度が改善されていることがわかる。但し、エッチング深さ１０μｍの場合と、エッチング深さが５０μｍの場合とは平均強度が約１５ｋｇであり、差がほとんどない。
【００７３】
これに対して、エッチング深さが１００μｍの場合、逆に平均強度が１３ｋｇ程度にまで低下している。これは、エッチング深さが１０μｍあるいは５０μｍの場合と比較して、エッチングによりガラス基板の傷やクラックは除去されているものの、ガラス基板自体の強度の絶対値が低下した結果である。
【００７４】
このようにエッチング工程ＳＴ４０を行うことにより、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０および第２の基板２０から微小な傷やクラックを除去できるので、液晶パネル１′の割れ強度が改善されることがわかる。また、エッチング深さとしては、１０μｍ程度が必要であることがわかる。さらに、エッチング深さについてはある程度以上の深さまでエッチングしても強度が改善されず、エッチング深さが深すぎると、基板厚が薄くなって、液晶パネル１′の強度が低下する傾向にある。
【００７５】
［実施の形態２］
以下に説明する実施の形態２〜６は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、同じく図７〜図９を参照しながら、特徴的な部分のみを説明し、共通する部分の説明を省略する。
【００７６】
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面にウエットエッチングを施して、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００７７】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にある。
【００７８】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ１３を実装した後、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および基板外側表面と、駆動用ＩＣチップ１３の基板縁、側端面の少なくとも一部、および実装面と対向する面と、を避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護層９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。ここで、より好ましくは、保護層９０を、駆動用ＩＣチップ１３の側端面の全部を避けるように形成することが好ましい。
【００７９】
このような保護層９０として、本形態では、液状のフォトレジストを第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、露光、現像し、レジスト層からなる保護層９０を形成する。
【００８０】
その結果、第１の基板１０および第２の基板２０の基板外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去することができる。また、駆動用ＩＣ１３からも微小な傷およびクラックが消失することができる。特に、保護層９０を、駆動用ＩＣチップ１３の側端面の全部を避けるように形成した場合、側端面に付いた微小な傷およびクラックを消失させることができる。
【００８１】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００８２】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、レジストからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。
【００８３】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。
【００８４】
このような製造方法を行うにあたって、レジストについては、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的にレジストを塗布できるという利点がある。
【００８５】
また、本形態では、保護層９０としてフォトレジストを用いたので、例えば、張り出し領域２５の全面にレジストを塗布した後、所定の領域のみ露光すれば、現像後、任意の領域にレジスト層（保護層９０）を選択的に形成することができる。
【００８６】
［実施の形態３］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８７】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にある。
【００８８】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面とを避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護層９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８９】
このような保護層９０として、本形態では、塗料を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、硬化させ、塗膜からなる保護層９０を形成する。
【００９０】
その結果、第１の基板１０および第２の基板２０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去することができる。また、駆動用ＩＣ１３からも微小な傷およびクラックが消失することができる。
【００９１】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【００９２】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、レジストからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。
【００９３】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。
【００９４】
このような製造方法を行うにあたって、塗料については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的にレジストを塗布できるという利点がある。
【００９５】
［実施の形態４］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００９６】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態となる。
【００９７】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ１３の実装前に、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面を避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護膜９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。ここで、保護層９０は、駆動用ＩＣ１３の実装前に形成されるので、駆動用ＩＣ１３の表面には形成されていない。
【００９８】
このような保護層９０を形成するにあたって、テープ、レジスト、塗膜などを利用することもできるが、本形態では、配向膜形成・ラビング工程ＳＴ２３を利用する。すなわち、第２の基板２０の全面にスピンコート法や各種印刷法にてポリイミドを塗布、硬化させた後、酸素プラズマ処理でシール材３０で区画された領域内にポリイミドを配向膜２２として選択的に残す際、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対してもポリイミド膜を選択的に残して保護層９０とする。この際、ＩＣ実装領域には、ポリイミド（保護層９０）を形成しない。
【００９９】
このようにして保護膜９０を形成した場合も、第１の基板１０、および第２の基板２０では、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。また、保護膜９０を形成した以降、駆動用ＩＣ１３を実装するので、駆動用ＩＣ１３の基板縁、および切断面（側端面）も露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去することができる。また、駆動用ＩＣ１３からも微小な傷およびクラックが消失することができる。
【０１００】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、腐食、損傷してしまうことがない。
【０１０１】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、酸素プラズマ処理によってポリイミドからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。
【０１０２】
この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。
【０１０３】
また、本形態では、保護層９０は、シール材３０で区画される領域内に配向膜２２として形成されるポリイミド（有機絶縁膜）と同時形成されたポリイミドを利用している。このため、保護層９０を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【０１０４】
なお、第２の基板２０の側にオーバーコート層２９を有機絶縁膜で形成する際（オーバーコート膜形成工程ＳＴ２２）、このオーバーコート層２９を構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂについては、第２の基板２０の側に形成される場合があるので、このカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。
【０１０５】
なお、基板におけるシール材３０で区画される領域内に無機絶縁膜が選択的に形成される場合、例えば、オーバーコート層２９をシリコン酸化膜などの無機絶縁膜で形成する際には、この無機絶縁膜と同時形成されるシリコン酸化膜などの無機絶縁膜を保護層９０として用いてもよい。この場合には、無機絶縁膜を後でエッチング除去する際、この無機絶縁膜と配線部分５１、７１を構成する材料とのエッチング選択性が高いエッチング液を用いることが好ましい。
【０１０６】
［実施の形態５］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【０１０７】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態となる。
【０１０８】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ１３の実装前に、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面を避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護膜９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。ここで、保護層９０は、駆動用ＩＣ１３の実装前に形成されるので、駆動用ＩＣ１３の表面には形成されていない。
【０１０９】
このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、駆動用ＩＣ１３を実装する前に、撥水剤を溶剤に溶かした液状物を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、溶剤を蒸発、除去して、撥水剤からなる保護層９０を形成しておき、その後、駆動用ＩＣ１３を実装する。その際、撥水剤からなる保護層９０をＩＣ実装領域２６、２７から除去してもよいが、撥水剤は、極めて薄い層から形成されているので、このような保護層９０であれば、そのまま残しても、駆動用ＩＣ１３を実装するのに支障がない。
【０１１０】
ここで、撥水剤の塗布については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に行えばよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に塗料を塗布できる。
【０１１１】
このようにして、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面とを避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成してウエットエッチングを行うと、第１の基板１０、および第２の基板２０では、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、親水性のままであり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【０１１２】
また、駆動用ＩＣ１３の表面には保護層９０が形成されていないので、駆動用ＩＣ１３の基板縁および切断面も、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【０１１３】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【０１１４】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、撥水剤の全体、あるいはその一部を除去してもよいが、撥水剤は、極めて薄い層から形成されているので、このような保護層９０であれば、そのまま残しても、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装するのに支障がない。
【０１１５】
なお、撥水剤を利用して保護層９０を形成する場合には、駆動用ＩＣ１３を実装した後、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面とを避けるように塗布して保護層９０を形成してもよい。
【０１１６】
［実施の形態６］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁、切断面および外側表面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【０１１７】
但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態となる。
【０１１８】
そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ１３の実装前に、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁、切断面および外側表面を避けるように保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成し、この保護膜９０によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆った状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。ここで、保護層９０は、駆動用ＩＣ１３の実装前に形成されるので、駆動用ＩＣ１３の表面には形成されていない。
【０１１９】
このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、駆動用ＩＣ１３を実装する直前に、導電粒子が樹脂成分中に分散した樹脂状の異方性導電膜を、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布して保護層９０を形成しておき、その後、この異方性導電膜を介して駆動用ＩＣ１３を実装する。
【０１２０】
ここで、異方性導電膜の塗布については、ディスペンサからの吐出、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に行えばよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に塗料を塗布できる。
【０１２１】
このようにして、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面とを避けるように異方性導電膜からなる保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）を形成してウエットエッチングを行うと、第１の基板１０および第２の基板２０では、外側表面全体、基板縁、および切断面では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。また、駆動用ＩＣ１３の表面には保護層９０が形成されていないので、駆動用ＩＣ１３の基板縁および切断面も、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【０１２２】
これに対して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。
【０１２３】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、保護層９０として利用した異方性導電膜をそのまま利用して可撓性基板２９を実装する。
【０１２４】
なお、異方性導電膜を利用して保護層９０を形成する場合には、駆動用ＩＣ１３の実装前に、張り出し領域２５に対して、第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面と、駆動用ＩＣチップ１３の表面とを避けるように塗布して異方性導電膜を含む保護層９０を形成してもよい。
【０１２５】
［その他の実施の形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に示す例において、基板実装端子２８は、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こる。そこで、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁を避けて、やや内側に入った部分に形成してもよい。
【０１２６】
また上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０にウエットエッチングを採用したが、ドライエッチングを採用してもよい。
【０１２７】
［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に本発明を適用したが、図１２ないし図１４を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、電気光学物質を保持する剛性基板に可撓性基板を接続して信号の入力が行われるので、本発明を適用することができる。
【０１２８】
図１２は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１３は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１４は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【０１２９】
図１２に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【０１３０】
このように構成した電気光学装置１ａでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、少なくとも一方の基板に駆動用ＩＣをＣＯＧ実装した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１３１】
図１３に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【０１３２】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【０１３３】
このように構成した電気光学装置１ｂでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、一方のガラス基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には、本発明を適用することが好ましい。
【０１３４】
図１４に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【０１３５】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【０１３６】
また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。
【０１３７】
ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極２０ｐは、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。
【０１３８】
このように構成した電気光学装置１００ｐｐにおいては、発光素子を形成したガラス基板からなる素子基板にガラス製の保護基板がシール材を介して貼り合わされ、かつ、素子基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には本発明を適用することが好ましい。
【０１３９】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１４０】
［電子機器への適用］
図１５は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１７４を有する。また、電気光学装置１７４は、表示パネル１７５及び駆動回路１７６を有する。電気光学装置１７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【０１４１】
表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。
【０１４２】
表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。駆動回路１７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１４３】
図１６（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、液晶表示ユニット１８３とを有する。液晶表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１および液晶パネル１′などを含んで構成される。
【０１４４】
図１６（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１などを有している。
【０１４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、保護層を形成した状態においても、電気光学パネルを構成する基板の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。しかも、エッチング工程を行う際、配線は保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせた後、ＩＣチップを実装した電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。さらに、エッチングの際、ＩＣチップの基板縁、および切断面（側端面）もエッチングされる結果、ＩＣチップの微小な傷およびクラックが消失する。それ故、ＩＣチップに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、ＩＣチップが割れることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程での仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程の途中において液晶パネルを構成する基板に微小な傷およびクラックが入っているいる様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中における別の液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図１２】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１３】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１４】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図１５】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１電気光学装置、１′ 液晶パネル、１０第１の基板、１１第１の端子形成領域、１３駆動用ＩＣ（電子部品）、２０第２の基板、２１第２の端子形成領域、２５第２の基板の張り出し領域、２６、２７ＩＣ実装端子、２８基板実装端子、２９可撓性基板（電子部品）、３０シール材、３５液晶封入領域、４０第１の電極パターン、５０第２の電極パターン、５１、７１配線部分、５５アライメントマーク、６０、７０基板間導通用端子、９０保護層、１００、２００大型基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device including an electro-optical panel in which a pair of substrates cut into a predetermined size are bonded to each other, the electro-optical device manufactured by the method, and the electro-optical device. This is related to electronic equipment. More specifically, the present invention relates to a substrate cracking prevention process performed in the state of an electro-optical panel.
[0002]
[Prior art]
Electro-optics such as liquid crystal devices, LED (light emitting diode) display devices such as organic electroluminescence display devices, plasma display devices, FED (field emission display) devices, electrophoretic display devices, devices using digital micromirror devices (DMD), etc. The apparatus has a panel structure in which a pair of glass substrates on which driving electrodes for driving an electro-optical material are formed is bonded to each other with a sealing material, or a glass substrate on which driving electrodes for driving an electro-optical material are formed. On the other hand, it has a panel structure in which a protective substrate made of glass is bonded with a sealing material (see, for example, Patent Document 1). In any of these panel-structured electro-optical devices, the substrate is cut out to a predetermined size from a substrate larger than a single product size.
[0003]
For example, in the case of a liquid crystal device, in general, an electrode pattern or the like is formed on a large substrate on which a large number of single-size liquid crystal panels can be obtained, and these large substrates are bonded together and then cut into a predetermined size. A single LCD panel is manufactured.
[0004]
Here, in the liquid crystal panel, since it is necessary to supply a signal for driving the liquid crystal to the drive electrode, one of the pair of substrates is projected from the edge of the other substrate, and this projected region is A substrate mounting terminal to which the flexible substrate is connected, an IC mounting terminal to which the IC chip is mounted, and a wiring for supplying an output signal from the IC to the electrode pattern are formed.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-8-262419 (page 3, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The substrate that constitutes the liquid crystal panel is a method of drawing a cutting line on the surface of a large substrate with a diamond cutter, etc., and then applying a force from the back side with a jig, or by cutting, or after drawing a cutting line, along the cutting line Then, it is cut out to a predetermined size by a method of cutting a large substrate by irradiating a laser beam. In any of these cutting methods, the cut surface of the substrate, the edge of the substrate, or the outer surface of the substrate may have microscopic scratches or cracks due to the stress at the time of cutting, and such scratches and cracks are caused by the stress applied thereafter. grow up. For this reason, when the liquid crystal device is used for a mobile phone or the like, there is a problem that the liquid crystal panel breaks due to an impact or the like when the mobile phone is dropped.
[0007]
Here, the inventors of the present application propose that the substrate edge and the cut surface of the cut substrate are etched to remove minute scratches and cracks from the substrate edge and the cut surface.
[0008]
However, in order to etch glass, a strong acid such as hydrofluoric acid is usually used, while wiring made of an ITO film or a metal film is formed on the glass substrate. For this reason, there is a problem that when the fine scratches and cracks formed on the substrate edge and the cut surface of the glass substrate are erased by etching, the wiring is also corroded and damaged by the etching solution.
[0009]
Further, since the IC chip is also cut from the silicon wafer, this IC chip may also have micro scratches or cracks on the cut surface or the edge of the silicon substrate due to the stress during cutting. Cracks grow due to stress applied thereafter. For this reason, when the liquid crystal device is used for a mobile phone or the like, there is a problem that the IC chip is broken by an impact or the like when the mobile phone is dropped.
[0010]
In view of the above problems, the object of the present invention is to etch minute scratches and cracks existing on the substrate edge, cut surface and substrate outer surface without damaging the wiring on the substrate constituting the electro-optical panel. And a method of manufacturing an electro-optical device capable of erasing minute scratches and cracks existing on the substrate edge, cut surface and surface of the IC chip, and the electro-optical device manufactured by the method, and the electro-optical device. It is to provide an electronic device used.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, the present invention includes an electro-optic panel bonded with a sealant in a state where the first substrate and the second substrate face each other, and the first substrate and the second substrate In the method of manufacturing an electro-optical device in which a driving electrode for driving an electro-optical material is formed on at least one of them, an IC chip is mounted on at least the second substrate, and then the electro-optical panel is in the state of the electro-optical panel. Performing an etching process to remove at least a substrate edge, a cut surface and an outer surface of the first substrate and the second substrate to remove minute scratches or cracks from the first substrate and the second substrate; When performing the etching step, the substrate edge, cut surface and outer surface of the first substrate and the second substrate, the substrate edge of the IC chip, the side end surface, By forming the protective layer so as to avoid the preliminary mounting surface which faces, and wherein the keep covering the first substrate and the second surface of the exposed portion of the wiring board.
[0012]
In the present invention, even when the protective layer is formed, the entire outer surface of the substrate constituting the electro-optical panel, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are exposed, and etching is performed. Therefore, in the etched portion, the surface layer is etched thin, so that minute scratches and cracks disappear. Therefore, even when stress is applied to the electro-optical panel, the crack does not grow, so the electro-optical panel does not crack. Moreover, when performing the etching process, the wiring is covered with a protective layer and is not etched, so that problems such as corrosion do not occur. In addition, after the substrates are bonded together, the state of the electro-optic panel on which the IC chip is mounted, that is, the etching process is performed at the final stage of the manufacturing process, so that all the scratches and cracks that have occurred so far disappear at once. be able to. Furthermore, during etching, the substrate edge, the cut surface (side end surface), and the surface opposite to the mounting surface of the IC chip are also etched, so that minute scratches and cracks on the IC chip disappear. Therefore, even when stress is applied to the IC chip, the crack does not grow, so the IC chip does not break.
[0013]
In the present invention, at least one of the first substrate and the second substrate is made of glass.
[0014]
In the present invention, dry etching may be performed as the etching, but wet etching is preferably employed. In the wet etching, the etching proceeds isotropically, so that it is suitable for erasing scratches and cracks, and the wet etching has an advantage that a large number of electro-optical panels can be processed at once.
[0015]
In the present invention, the second substrate includes, for example, a projecting region projecting from a substrate edge of the first substrate, and the IC chip is mounted on the projecting region, and before the protective layer is formed. The wiring is exposed in the overhang area.
[0016]
In the present invention, a substrate mounting terminal to which a flexible substrate is connected may be formed in the overhang region, and in this case, before connecting the flexible substrate to the substrate mounting terminal. The etching step is preferably performed in a state where the surface of the board mounting terminal is covered with the protective layer.
[0017]
In the present invention, an alignment mark for mounting the flexible substrate on the substrate mounting terminal is formed in the overhanging region, and when performing the etching step, the surface of the alignment mark is covered with the protective layer. It is preferable to cover with.
[0018]
In the present invention, after the etching step, the protective layer may be removed, a part of the protective layer may be removed, and the other part may be left. Here, when the substrate mounting terminal is formed in the overhanging region, at least the protective layer formed on the surface of the substrate mounting terminal is removed from the protective layer after the etching step.
[0019]
In the present invention, the protective layer is, for example, a tape attached to a substrate.
[0020]
In the present invention, as the protective layer, a coating film formed by solidifying the applied liquid material may be used.
[0021]
In the present invention, the liquid material can be applied by brushing.
[0022]
In the present invention, the liquid material is preferably applied by screen printing, an inkjet method, or offset printing. With such a method, the liquid material application process can be automated. Of the above coating methods, the inkjet method can apply a liquid material to the electro-optical panel in a non-contact manner, and can selectively apply the liquid material to an arbitrary region with high accuracy. it can.
[0023]
In the present invention, the liquid material is, for example, a resist. If it is a resist, a resist layer (protective layer) can be reliably and selectively formed at an arbitrary position by using a photolithography technique.
[0024]
In the present invention, a paint may be used as the liquid material.
[0025]
In the present invention, the protective layer is an organic insulating film formed simultaneously with an organic insulating film formed in a region defined by the sealing material in the substrate, or a region defined by the sealing material in the substrate. It is preferable to use an inorganic insulating film formed simultaneously with the inorganic insulating film formed therein. With this configuration, it is not necessary to add a new process for forming the protective layer, so that an increase in the number of manufacturing processes can be minimized.
[0026]
In the present invention, a water repellent may be used as the protective layer. Since the etching solution used in the wet etching is usually aqueous, the wiring can be protected from the etching solution even when the surface of the wiring is made water-repellent by treatment with a water repellent. In addition, since treatment with a water repellent agent only forms a very thin protective layer, there is no problem in mounting an IC chip or a flexible substrate even if a protective layer is provided on the terminal.
[0027]
In the present invention, as the protective layer, an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in a thermoplastic resin can be used. If such an anisotropic conductive film is used, an IC chip can be used. It can be used for mounting the flexible substrate on the substrate mounting terminal after the etching step.
[0028]
In the present invention, a liquid crystal device in which liquid crystal is held as an electro-optical material between the first substrate and the second substrate, or an electroluminescent material is formed as an electro-optical material on the second substrate. The present invention can be applied to an electroluminescent display device.
[0029]
Such an electro-optical device is used as a display unit of an electronic device such as a mobile computer or a mobile phone.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
With reference to the drawings, as an embodiment of the present invention, an example in which the present invention is applied to a passive matrix liquid crystal device (electro-optical device) will be mainly described. In the following description, the configuration of the liquid crystal device and the manufacturing method common to each embodiment are described, and then each embodiment is described.
[0031]
[Overall configuration of liquid crystal device]
1 and 2 are a perspective view and an exploded perspective view, respectively, of an electro-optical device to which the present invention is applied. FIG. 3 is a cross-sectional view of the end portion on the I ′ side when the electro-optical device is cut along the line II ′ of FIG. 1 and 2 only schematically show electrode patterns, terminals, and the like. In an actual electro-optical device, a larger number of electrode patterns and terminals are formed.
[0032]
1 and 2, the electro-optical device 1 of the present embodiment includes a passive matrix color display liquid crystal panel 1 '(electro-optical panel). The liquid crystal panel 1 ′ has a pair of substrates 10 and 20 made of rectangular glass or the like bonded together with a sealing material 30 through a predetermined gap. A liquid crystal sealing region 35 is partitioned between the substrates 10 and 20 by a sealing material 30, and a liquid crystal 36 as an electro-optical material is sealed in the liquid crystal sealing region 35. Here, of the pair of substrates, the substrate on which the plurality of rows of the first electrode patterns 40 extending in the vertical direction in the liquid crystal sealing region 35 is formed as the first substrate 10, The substrate on which the plurality of rows of second electrode patterns 50 extending in the horizontal direction is formed as the second substrate 20.
[0033]
The electro-optical device 1 shown here is a transmission type, and performs a predetermined display using the illumination device 9 as a backlight. For this reason, a polarizing plate 209 is attached to the outer surface of the second substrate 20, and a polarizing plate 109 is attached to the outer surface of the first substrate 10, of both surfaces of the liquid crystal panel 1 ′. The first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are both formed of a transparent conductive film typified by an ITO film (Indium Tin Oxide).
[0034]
A semi-transmissive / semi-reflective electro-optical device can be configured by forming a thin film of aluminum, silver alloy, or the like patterned through an insulating film under the second electrode pattern 50. Further, even if the second electrode pattern 50 is formed of a reflective film such as aluminum or silver alloy and a light transmitting hole is formed in the second electrode pattern 50, a semi-transmissive / semi-reflective electro-optical device can be configured. Furthermore, the semi-transmissive / semi-reflective electro-optical device 1 can also be configured by laminating a semi-transmissive reflective plate on the polarizing plate 62. Furthermore, if a reflective film is disposed under the second electrode pattern 50, a reflective electro-optical device can be configured. In this case, the illumination device 9 is omitted from the back side of the second substrate 20. do it.
[0035]
In the electro-optical device 1, each of the substrate sides 101 located in the same direction of the first substrate 10 and the second substrate 20 is used for both input and output of signals with the outside and conduction between the substrates. , 201, the first terminal formation region 11 and the second terminal formation region 21 formed on the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively, are used.
[0036]
In addition, a substrate larger than the first substrate 10 is used as the second substrate 20. For this reason, the second substrate 20 includes an overhanging region 25 that protrudes from the substrate side 101 of the first substrate 10 when the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together. A driving IC 13 (electronic component) is mounted on the IC mounting terminals 26 and 27 formed in the region 25 via an anisotropic conductive film (COG) and a substrate. A flexible substrate 29 (electronic component) is mounted on the mounting terminal 28 via an anisotropic conductive film.
[0037]
In configuring such a mounting structure, in the second substrate 20, the wiring portion 51 of the second electrode pattern 50 made of an ITO film extends to the overhanging region 25, and the second terminal is formed by the end portion. In the region 21, an IC mounting terminal 27 to which the bump electrode of the driving IC 13 is electrically connected is formed.
[0038]
Further, in the second terminal formation region 21, board mounting terminal terminals 28 for mounting the flexible board 29 are formed at portions located on the board side 201 side from the IC mounting terminals 27. The pattern made of the ITO film constituting the mounting terminal 28 extends to the mounting area of the driving IC 13 and constitutes the IC mounting terminal 26 electrically connected to the bump electrode.
[0039]
Further, in the overhang region 25 of the second substrate 20, alignment when the flexible substrate 29 is mounted on both sides of the region where the IC mounting terminals 26 and 27 and the substrate mounting terminal 28 are formed. A mark 55 is formed of an ITO film.
[0040]
Further, in the second terminal formation region 21, the portion located closer to the liquid crystal sealing region 35 than the driving IC 13 is used for inter-substrate conduction with the first substrate 10 side. A plurality of inter-substrate conduction terminals 70 are formed in the overlapping portion. The pattern made of the ITO film constituting the inter-substrate conduction terminal 70 also extends to the mounting area of the driving IC 13 as the wiring portion 71, and the IC mounting terminal 27 electrically connected to the bump electrode of the driving IC 13 is provided. It is composed.
[0041]
On the other hand, in the first substrate 10, the first terminal formation region 11 is used for inter-substrate conduction with the second substrate 20 side, and therefore, in the overlapping portion with the second substrate 20, A plurality of inter-substrate conduction terminals 60 are formed. These inter-substrate conduction terminals 60 are each constituted by an end portion of the first electrode pattern 40 made of an ITO film.
[0042]
Accordingly, the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded together with the sealing material 30 containing the inter-substrate conductive agent, and the inter-substrate conduction terminals 60 and 70 are electrically connected between the substrates. If the driving IC 13 and the flexible substrate 29 are mounted on the substrate 20 and a predetermined signal is input from the flexible substrate 29 to the driving IC 13 in this state, the signal output from the driving IC 13 is The first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are supplied.
[0043]
As shown in FIG. 3, the first substrate 10 includes red (R), green (G), and blue (G) in regions corresponding to the intersections of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50. B) color filters 7R, 7G, and 7B are formed. On the surface side of these color filters 7R, 7G, and 7B, a planarizing film 19 made of an acrylic resin or the like, a first electrode pattern 40 made of an ITO film, and An alignment film 12 made of a polyimide film is formed in this order. A light shielding film 16 made of a metal film or resin is formed on the lower layer side of the color filters 7R, 7G, and 7B. In contrast, a second electrode pattern 50 made of an ITO film, an overcoat film 29 made of an acrylic resin or a silicon oxide film, and an alignment film 22 made of a polyimide film are formed in this order on the second substrate 20. Has been. Accordingly, when a signal is input to the driving IC 13 via the flexible substrate 29, a predetermined signal is supplied from the driving IC 13 to each of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50. The liquid crystal 36 can be driven for each pixel corresponding to the intersection of the electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50, and a predetermined color image can be displayed.
[0044]
[Method of Manufacturing Electro-Optical Device 1]
4 and 5A to 5F are a process diagram showing a method of manufacturing the electro-optical device 1 and an explanatory view showing an in-process product to each of these processes.
[0045]
4 and FIGS. 5A and 5B, in manufacturing the electro-optical device 1 of the present embodiment, the first substrate 10 and the second substrate 20 are both the substrates 10 and 20, respectively. In the state of the large substrates 100 and 200 that can be obtained in large numbers, the formation process of the electrode patterns 40 and 50 is performed using a semiconductor process. That is, in the state of the large substrate 100 on which a large number of first substrates 10 can be obtained, the light-shielding film 16 formation step ST11 and the color filters 7R, 7G, and 7B formation step ST2 using photolithography technology and various printing technologies. The flattening film 19 forming step ST13, the electrode pattern 40 forming step ST14, the alignment film 12 forming / rubbing step ST15, and the sealing material 30 applying step ST16 are performed.
[0046]
Further, in the state of a large substrate 200 on which a large number of second substrates 20 can be obtained, the electrode pattern 50 forming step ST21, the overcoat film 29 forming step ST22, the alignment film 22 forming / rubbing step ST23, and the gap material spraying. Step ST24 is performed.
[0047]
Next, in the bonding step ST31, as shown in FIG. 5C, the large substrates 100 and 200 are bonded to each other with the sealant 30 to form a large panel structure 300.
[0048]
Next, in the primary breaking step ST32, the large panel structure 300 is cut into a strip-shaped panel structure 400 shown in FIG. For this purpose, first of all, a planned cutting line made of a shallow groove is formed on the surface of the large substrate 100 by using a diamond cutter on the surface and the back surface of the large panel structure 300, and then from the large substrate 200 side on the back surface side. Stress is applied by a jig to cleave the large substrate 100. In addition, after a planned cutting line made of a shallow groove is formed on the surface of the large substrate 200 by a diamond cutter, the large substrate 200 is cleaved by applying stress from the large substrate 100 side on the surface side with a jig.
[0049]
Next, in the liquid crystal sealing / sealing step ST <b> 33, the liquid crystal 36 is injected into the strip-shaped panel structure 400, and then the injection port 31 is sealed with the sealing material 32.
[0050]
Next, in the secondary break process ST34, the strip-shaped panel structure 400 is formed in the first substrate 10 so that the end portion of the second substrate 20 has an overhang region 25 as shown in FIG. 1 and FIG. Cut into a single liquid crystal panel 1 'protruding from the top.
[0051]
Next, in the IC mounting step ST35, as shown in FIGS. 1 and 5F, the driving IC 13 is mounted on the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0052]
Further, after the IC mounting step ST35, the flexible substrate 29 is mounted on the projecting region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0053]
[Embodiment 1]
6 (A) and 6 (B) are explanatory diagrams schematically showing a state in which minute scratches and cracks are present in the substrate constituting the liquid crystal panel 1 ′ and the driving IC 13 (IC chip), and the etching process, respectively. It is explanatory drawing which shows the state from which the fine crack and crack disappeared. 7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, of the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device. FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view showing a state in which a protective layer is formed when etching is performed on the liquid crystal panel 1 ′ during the manufacturing process of the electro-optical device, respectively. FIGS. 9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing a state where a protective layer is partially left after etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device. FIGS. 10A to 10D are graphs for explaining the effect of etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device.
[0054]
When the electro-optical device 1 is manufactured, the substrate edge, the cut surface, and the outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 constituting the liquid crystal panel 1 ′ are as shown in FIG. There are minute scratches 5 and cracks 6. Therefore, in this embodiment, after the driving IC 13 (IC chip) is mounted on the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. 5F, before the flexible substrate 29 is connected. Further, in the state of the single liquid crystal panel 1 ′, the substrate edges, cut surfaces, and outer surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 are wet-etched to scrape the surface layer thereof, so that FIG. As shown, minute scratches and cracks are erased from the substrate edge, cut surface and outer surface (etching step ST40).
[0055]
The etching solution used here is, for example, a hydrofluoric acid chemical solution. For example, an etching solution such as a hydrofluoric acid solution, a sulfuric acid fluoride solution, a hydrofluoric acid, an ammonium fluoride, or a hydrofluoric acid can be used. Moreover, the aqueous solution containing them can also be used. For example, mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid, mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride and nitric acid, aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride An aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride, and nitric acid can be used. Although the etching rate is slow, a strong alkaline chemical such as sodium hydroxide or potassium hydroxide can be used.
[0056]
Here, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55 for mounting the flexible board 29, If the driving IC 13 (IC chip) is exposed at the overhanging portion 25 and etching is performed as it is, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminal 28, the alignment mark 55, and the driving IC 13 are also etched.
[0057]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, after mounting the driving IC 13, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhang region 25, Protective film 90 (area with hatched lines with a narrow pitch) so as to avoid the cut surface and outer surface and the surface of driving IC chip 13 (substrate edge, cut surface (side end surface) and surface facing the mounting surface) Then, wet etching is performed with the protective film 90 covering the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 (etching step ST40).
[0058]
As such a protective layer 90, in this embodiment, an adhesive tape as the protective layer 90 is attached to a slightly inner region from the substrate edge of the second substrate 20 in the overhang region 25 of the second substrate 20.
[0059]
For this reason, in the 1st board | substrate 10 and the 2nd board | substrate 20, in the state which stuck the adhesive tape as the protective layer 90, the surface of a board | substrate outer surface, a board | substrate edge, and a cut surface (side end surface) are the exposed state Etching is performed. Therefore, in the first substrate 10 and the second substrate 20, the surface layer of the etched portion is etched thin, so that minute scratches and cracks disappear.
[0060]
In this embodiment, the surface of the driving IC 13 is also exposed, and etching is performed. Here, the silicon substrate of the driving IC 13 also has minute scratches 5 and cracks 6 on the edge and cut surface of the substrate as shown in FIG. 6A. As shown in 6 (B), the minute scratches 5 and cracks 6 disappear.
[0061]
In contrast, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. And the alignment mark 55 is not corroded or damaged.
[0062]
As shown in FIGS. 8A and 8B, with respect to the substrate mounting terminal 28, the portion located on the edge of the substrate is slightly exposed from the protective layer 90, and corrosion and damage occur in this exposed portion. However, since most of the board mounting terminals 28 are covered with the protective layer 90, there is no problem in mounting the flexible board 29.
[0063]
In addition, since the driving IC 13 is mounted on the IC mounting terminals 26 and 27 via an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in the resin, the active surface including the bump electrodes and the IC mounting terminals 26 and 27 are It is covered with an anisotropic conductive film and is not affected by etching.
[0064]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 is completely removed to return to the state shown in FIGS. 7A and 7B. Later, the flexible substrate 29 is mounted on the projecting region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0065]
Further, a part of the protective layer 90 may be removed and the remaining part may be left on the substrate. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the substrate mounting terminal 28 and the alignment mark 55 and their peripheral regions, while the wiring portions 51 and 71 are removed. The covered portion may be left as it is, and in this state, the flexible substrate 29 may be mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′. If comprised in this way, since the wiring parts 51 and 71 remain in the state covered with the protective layer 90 after that, there exists an advantage that the weather resistance of the wiring parts 51 and 71, etc. improve.
[0066]
As described above, in this embodiment, etching is performed in the state of the single panel 1 ′, and minute scratches or cracks are formed from the entire substrate outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) of the first substrate 10. Are deleted, and fine scratches and cracks are also erased from the entire substrate outer surface of the second substrate 20, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). Therefore, as will be described later, after the liquid crystal device 1 is mounted on a mobile phone, even if an impact or stress is applied, minute scratches and cracks will not grow, and the liquid crystal panel 1 'will break. There is no.
[0067]
In the present embodiment, when wet etching (etching step ST40) is performed, the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are covered with the protective layer 90 and do not contact the etching solution. Therefore, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0068]
Furthermore, since the driving IC 13 is mounted on the liquid crystal panel 1 ′ with a pair of substrates bonded together, that is, the etching step ST40 is performed at the final stage of the manufacturing process, all the scratches and cracks that have occurred up to that point are collectively processed. Can disappear.
[0069]
In addition, as a result of etching, the substrate edge of the driving IC 13, the cut surface (side end surface), and the surface facing the mounting surface are also etched, so that minute scratches and cracks disappear from the driving IC 13. Therefore, even when stress is applied to the driving IC 13, cracks do not grow, so that the driving IC 13 does not break.
[0070]
In addition, the relationship between the etching depth in the etching process ST40 and the strength test results for a plurality of samples is shown in FIGS. 10 (A), (B), (C), and (D). In the liquid crystal panel used for this test, the thicknesses of the first substrate 10 and the second substrate 20 are both 0.5 mm.
[0071]
In the test, a load of a predetermined value was applied to each of the liquid crystal panel not subjected to the etching step ST40, the liquid crystal panel with an etching depth of 10 μm, the liquid crystal panel with an etching depth of 50 μm, and the liquid crystal panel with an etching depth of 100 μm. Is added to determine the weight when each sample is destroyed, and the results are shown in FIGS. 10 (A), (B), (C), and (D). In each graph, the load value at which the number of broken samples is concentrated represents the average strength of the liquid crystal panel subjected to each level of the etching process.
[0072]
As can be seen by comparing the figures, the strength of the panel is improved when the etching process is performed, compared to the case where the etching process is not performed. Therefore, it can be seen that scratches and cracks on the glass substrate are removed by the etching treatment, and the cracking strength is improved in the glass substrate constituting the liquid crystal panel. However, the average strength is about 15 kg between the etching depth of 10 μm and the etching depth of 50 μm, and there is almost no difference.
[0073]
On the other hand, when the etching depth is 100 μm, the average strength is reduced to about 13 kg. This is a result of a decrease in the absolute value of the strength of the glass substrate itself, although scratches and cracks on the glass substrate were removed by etching as compared with the etching depth of 10 μm or 50 μm.
[0074]
By performing the etching step ST40 in this way, minute scratches and cracks can be removed from the first substrate 10 and the second substrate 20 constituting the liquid crystal panel 1 ', so that the crack strength of the liquid crystal panel 1' is improved. I understand that It can also be seen that an etching depth of about 10 μm is necessary. Further, the etching depth is not improved even if the etching is deeper than a certain depth. If the etching depth is too deep, the substrate thickness is reduced and the strength of the liquid crystal panel 1 ′ tends to decrease.
[0075]
[Embodiment 2]
Since the basic configuration of the second to sixth embodiments described below is the same as that of the first embodiment, only the characteristic portions will be described with reference to FIGS. The description of is omitted.
[0076]
Also in this embodiment, the flexible substrate 29 is connected after mounting the driving IC 13 in the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before, wet etching is performed on the substrate edge, the cut surface, and the outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′, and minute scratches and cracks are formed from the substrate edge, the cut surface, and the outer surface. Is erased (etching step ST40).
[0077]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55, and the driving IC 13 are exposed. Is in a state.
[0078]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, after mounting the driving IC 13, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhang region 25, Protective layer 90 (area with narrow-pitch diagonal lines) so as to avoid the cut surface and the substrate outer surface, the substrate edge of driving IC chip 13, at least a part of the side end surface, and the surface facing the mounting surface And wet etching is performed with the protective layer 90 covering the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminals 28, and the alignment marks 55 (etching step ST40). Here, more preferably, the protective layer 90 is preferably formed so as to avoid the entire side end surface of the driving IC chip 13.
[0079]
As such a protective layer 90, in this embodiment, after a liquid photoresist is selectively applied to a slightly inner region from the substrate edge of the second substrate 20 in the overhang region 25 of the second substrate 20. Then, exposure and development are performed to form a protective layer 90 made of a resist layer.
[0080]
As a result, minute scratches and cracks can be erased from the entire substrate outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). In addition, minute scratches and cracks can be eliminated from the driving IC 13. In particular, when the protective layer 90 is formed so as to avoid the entire side end surface of the driving IC chip 13, minute scratches and cracks attached to the side end surface can be eliminated.
[0081]
In contrast, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. And the alignment mark 55 is not corroded or damaged.
[0082]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of resist is completely removed using a stripping solution, and FIGS. After returning to the state shown in B), a flexible substrate 29 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0083]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the substrate mounting terminal 28 and the alignment mark 55 and their peripheral regions, while the wiring portions 51 and 71 are removed. In this state, the flexible substrate 29 may be mounted on the projecting region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0084]
In performing such a manufacturing method, the resist may be selectively applied by brush coating, screen printing, ink jet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method has an advantage that a resist can be selectively applied to an arbitrary region in a non-contact and high accuracy.
[0085]
In this embodiment, since a photoresist is used as the protective layer 90, for example, if a predetermined region is exposed after applying the resist to the entire surface of the overhanging region 25, a resist layer (protective layer) is formed in an arbitrary region after development. Layer 90) can be selectively formed.
[0086]
[Embodiment 3]
Also in this embodiment, the flexible substrate 29 is connected after mounting the driving IC 13 in the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before, wet etching is performed on the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ to erase minute scratches and cracks from the substrate edge, the cut surface, and the outer surface. (Etching step ST40).
[0087]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55, and the driving IC 13 are exposed. Is in a state.
[0088]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate edge, the cut surface, and the outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 are driven with respect to the overhang region 25. A protective layer 90 (a region with a slanted line with a narrow pitch) is formed so as to avoid the surface of the IC chip 13 for use, and the wiring layers 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are formed by this protective layer 90 Wet etching is performed in the covered state (etching step ST40).
[0089]
As such a protective layer 90, in this embodiment, the coating material is selectively applied to the inner region of the second substrate 20 from the substrate edge of the second substrate 20 and then cured. A protective layer 90 made of a coating film is formed.
[0090]
As a result, minute scratches and cracks can be erased from the entire outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). In addition, minute scratches and cracks can be eliminated from the driving IC 13.
[0091]
In contrast, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution. And the alignment mark 55 is not corroded or damaged.
[0092]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of resist is completely removed using a stripping solution, and FIGS. After returning to the state shown in B), a flexible substrate 29 is mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0093]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the substrate mounting terminal 28 and the alignment mark 55 and their peripheral regions, while the wiring portions 51 and 71 are removed. In this state, the flexible substrate 29 may be mounted on the projecting region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0094]
In carrying out such a manufacturing method, the coating material may be selectively applied by brush coating, screen printing, ink jet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method has an advantage that a resist can be selectively applied to an arbitrary region in a non-contact and high accuracy.
[0095]
[Embodiment 4]
Also in this embodiment, as in the first embodiment, after mounting the driving IC 13 in the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. 5F, the flexible substrate 29 is connected. Before, wet etching is performed on the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ to erase minute scratches and cracks from the substrate edge, the cut surface, and the outer surface. (Etching step ST40).
[0096]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55, and the driving IC 13 are exposed. It becomes a state.
[0097]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhang region 25 before mounting the driving IC 13, A protective layer 90 (a region with a slanted line with a narrow pitch) is formed so as to avoid the cut surface and the outer surface, and the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminals 28, and the alignment mark 55 are covered with the protective film 90. In this state, wet etching is performed (etching step ST40). Here, since the protective layer 90 is formed before the driving IC 13 is mounted, it is not formed on the surface of the driving IC 13.
[0098]
In forming the protective layer 90, a tape, a resist, a coating film, or the like can be used. In this embodiment, the alignment film forming / rubbing step ST23 is used. That is, after polyimide is applied to the entire surface of the second substrate 20 by spin coating or various printing methods and cured, the polyimide is selectively used as the alignment film 22 in the region partitioned by the sealing material 30 by oxygen plasma treatment. In this case, the polyimide film is selectively left even from the substrate edge of the second substrate 20 in the overhanging region 25 of the second substrate 20 to form the protective layer 90. At this time, polyimide (protective layer 90) is not formed in the IC mounting region.
[0099]
Even when the protective film 90 is formed in this way, in the first substrate 10 and the second substrate 20, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are in an exposed state, Etching is performed. Further, since the driving IC 13 is mounted after the protective film 90 is formed, the substrate edge and the cut surface (side end surface) of the driving IC 13 are also exposed, and etching is performed. Therefore, minute scratches and cracks can be erased from the entire outer surface of the first substrate 10 and the second substrate 20, the substrate edge, and the cut surface (side end surface). In addition, minute scratches and cracks can be eliminated from the driving IC 13.
[0100]
On the other hand, since the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminal 28, and the alignment mark 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution, they are not corroded or damaged.
[0101]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the protective layer 90 made of polyimide is completely removed by oxygen plasma treatment, and FIGS. After that, the flexible substrate 29 is mounted on the projecting region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0102]
At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the protective layer 90 is removed from the surface of the substrate mounting terminal 28 and the alignment mark 55 and its peripheral region, while the wiring portions 51 and 71 are removed. The covered portion may be left as it is, and in this state, the flexible substrate 29 may be mounted on the overhang region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0103]
In this embodiment, the protective layer 90 uses polyimide formed simultaneously with polyimide (organic insulating film) formed as the alignment film 22 in the region partitioned by the sealant 30. For this reason, since it is not necessary to add a new process for forming the protective layer 90, the increase in the number of manufacturing processes can be minimized.
[0104]
When the overcoat layer 29 is formed with an organic insulating film on the second substrate 20 side (overcoat film forming step ST22), the resin constituting the overcoat layer 29 is formed as a protective layer 90 in the overhanging region 25. May be. Further, since the color filters 7R, 7G, and 7B may be formed on the second substrate 20 side, the resin constituting the color filters 7R, 7G, and 7B is formed as the protective layer 90 in the overhanging region 25. May be.
[0105]
In the case where an inorganic insulating film is selectively formed in a region defined by the sealing material 30 in the substrate, for example, when the overcoat layer 29 is formed of an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, this inorganic An inorganic insulating film such as a silicon oxide film formed simultaneously with the insulating film may be used as the protective layer 90. In this case, when the inorganic insulating film is etched away later, it is preferable to use an etching solution having high etching selectivity between the inorganic insulating film and the material constituting the wiring portions 51 and 71.
[0106]
[Embodiment 5]
Also in this embodiment, the flexible substrate 29 is connected after mounting the driving IC 13 in the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before, wet etching is performed on the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ to erase minute scratches and cracks from the substrate edge, the cut surface, and the outer surface. (Etching step ST40).
[0107]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55, and the driving IC 13 are exposed. It becomes a state.
[0108]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhang region 25 before mounting the driving IC 13, A protective layer 90 (a region with a slanted line with a narrow pitch) is formed so as to avoid the cut surface and the outer surface, and the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminals 28, and the alignment mark 55 are covered with the protective film 90. In this state, wet etching is performed (etching step ST40). Here, since the protective layer 90 is formed before the driving IC 13 is mounted, it is not formed on the surface of the driving IC 13.
[0109]
In forming this protective layer 90, in this embodiment, before mounting the driving IC 13, a liquid material in which a water repellent is dissolved in a solvent is used in the second region 20 of the second substrate 20. After selectively applying to the inner region slightly from the substrate edge of the substrate 20, the solvent is evaporated and removed to form a protective layer 90 made of a water repellent, and then the driving IC 13 is mounted. At this time, the protective layer 90 made of the water repellent may be removed from the IC mounting regions 26 and 27. However, since the water repellent is formed from an extremely thin layer, such a protective layer 90 can be used. Even if it is left as it is, there is no problem in mounting the driving IC 13.
[0110]
Here, the application of the water repellent may be selectively performed by brush coating, screen printing, an ink jet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method can selectively apply a paint to an arbitrary region in a non-contact and high accuracy.
[0111]
In this way, the protective layer 90 (with a narrow pitch) is provided so as to avoid the substrate edges and cut surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 and the surface of the driving IC chip 13 with respect to the overhang region 25. When the first substrate 10 and the second substrate 20 are wet etched by forming a hatched region), the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) are hydrophilic. As it is, it is etched. Accordingly, in the first substrate 10 and the second substrate 20, the surface layer is etched thinly in the etched portion, so that minute scratches and cracks disappear.
[0112]
In addition, since the protective layer 90 is not formed on the surface of the driving IC 13, minute scratches and cracks disappear as a result of the surface layer of the driving IC 13 being thinly etched.
[0113]
On the other hand, since the wiring parts 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution, the wiring parts 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the board The mounting terminal 28 and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0114]
After performing the etching process ST40 in this way, the liquid crystal panel 1 'may be washed with water and dried, and then the whole or a part of the water repellent may be removed. Therefore, even if such a protective layer 90 is left as it is, there is no problem in mounting the flexible substrate 29 on the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′.
[0115]
In the case where the protective layer 90 is formed using a water repellent, the substrate edges and the cutting of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhanging region 25 after mounting the driving IC 13. The protective layer 90 may be formed by coating so as to avoid the surface and the surface of the driving IC chip 13.
[0116]
[Embodiment 6]
Also in this embodiment, the flexible substrate 29 is connected after mounting the driving IC 13 in the overhanging region 25 of the single liquid crystal panel 1 ′ in the IC mounting step ST35 shown in FIG. Before, wet etching is performed on the substrate edge and the cut surface of the first substrate 10 and the second substrate 20 of the single liquid crystal panel 1 ′ to erase minute scratches and cracks from the substrate edge, the cut surface, and the outer surface. (Etching step ST40).
[0117]
However, also in this embodiment, in the single liquid crystal panel 1 ′, as shown in FIGS. 7A and 7B, the wiring portions 51 and 71, the board mounting terminals 28, the alignment marks 55, and the driving IC 13 are exposed. It becomes a state.
[0118]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhang region 25 before mounting the driving IC 13, A protective layer 90 (a region with a slanted line with a narrow pitch) is formed so as to avoid the cut surface and the outer surface, and the wiring portions 51 and 71, the substrate mounting terminals 28, and the alignment mark 55 are covered with the protective film 90. In this state, wet etching is performed (etching step ST40). Here, since the protective layer 90 is formed before the driving IC 13 is mounted, it is not formed on the surface of the driving IC 13.
[0119]
In forming such a protective layer 90, in this embodiment, a resinous anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in a resin component is applied to the second substrate 20 immediately before the driving IC 13 is mounted. In the region 25, the protective layer 90 is formed by selectively applying to the inner region slightly from the substrate edge of the second substrate 20, and then the driving IC 13 is connected via the anisotropic conductive film. Implement.
[0120]
Here, the application of the anisotropic conductive film may be selectively performed by discharging from a dispenser, brush coating, screen printing, an ink jet method, or offset printing. Among these application methods, the ink jet method can selectively apply a paint to an arbitrary region in a non-contact and high accuracy.
[0121]
In this way, the projecting region 25 is made of the anisotropic conductive film so as to avoid the substrate edges and cut surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20 and the surface of the driving IC chip 13. When the protective layer 90 (area with a narrow-pitch diagonal line) is formed and wet etching is performed, in the first substrate 10 and the second substrate 20, the entire outer surface, the substrate edge, and the cut surface have surface layers. As a result of being etched thinly, fine scratches and cracks disappear. In addition, since the protective layer 90 is not formed on the surface of the driving IC 13, minute scratches and cracks disappear as a result of the surface layer of the driving IC 13 being thinly etched.
[0122]
On the other hand, since the wiring parts 51 and 71, the board mounting terminals 28, and the alignment marks 55 are covered with the protective layer 90 and do not come into contact with the etching solution, the wiring parts 51 and 71, the IC mounting terminals 26 and 27, the board The mounting terminal 28 and the alignment mark 55 are not corroded or damaged.
[0123]
After performing the etching step ST40 in this manner, the liquid crystal panel 1 'is washed with water and dried, and then the flexible substrate 29 is mounted using the anisotropic conductive film used as the protective layer 90 as it is.
[0124]
When the protective layer 90 is formed using an anisotropic conductive film, the substrate edges of the first substrate 10 and the second substrate 20 with respect to the overhanging region 25 before the driving IC 13 is mounted. Further, the protective layer 90 including an anisotropic conductive film may be formed by coating so as to avoid the cut surface and the surface of the driving IC chip 13.
[0125]
[Other embodiments]
In the example shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate mounting terminal 28 is slightly exposed from the protective layer 90 at the edge of the substrate, and corrosion and damage occur in this exposed portion. Therefore, as shown in FIGS. 11A and 11B, the board mounting terminal 28 may be formed in a portion slightly inside, avoiding the board edge.
[0126]
Moreover, in the said form, although wet etching was employ | adopted for etching process ST40, you may employ | adopt dry etching.
[0127]
[Configuration of electro-optical device to which the present invention is applicable]
In any of the above embodiments, the present invention is applied to an electro-optical device including a passive matrix liquid crystal device. However, in any of the electro-optical devices described below with reference to FIGS. Since the flexible substrate is connected to the rigid substrate to be held and signals are input, the present invention can be applied.
[0128]
FIG. 12 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a nonlinear element as a pixel switching element. FIG. 13 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element. FIG. 14 is a block diagram of an active matrix electro-optical device including an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film as an electro-optical material.
[0129]
As shown in FIG. 12, in the electro-optical device 1a composed of an active matrix liquid crystal device using nonlinear elements as pixel switching elements, scanning lines 51a as a plurality of wirings are formed in the row direction, and a plurality of data lines 52a are formed. It is formed in the column direction. A pixel 53a is formed at a position corresponding to each intersection of the scanning line 51a and the data line 52a. In the pixel 53a, a liquid crystal layer 54a and a TFD element 56a (nonlinear element) for pixel switching are connected in series. ing. Each scanning line 51a is driven by a scanning line driving circuit 57a, and each data line 52a is driven by a data line driving circuit 58a.
[0130]
Even in the electro-optical device 1a configured as described above, a structure in which a pair of glass substrates and the like are bonded together with a sealing material and a driving IC is mounted on at least one substrate by COG is employed. Is preferably applied.
[0131]
As shown in FIG. 13, in the electro-optical device 1b composed of an active matrix liquid crystal device using TFTs as pixel switching elements, a pixel electrode 9a and a pixel electrode 9a are provided on each of a plurality of pixels formed in a matrix. A pixel switching TFT 30b for control is formed, and a data line 6b for supplying a pixel signal is electrically connected to the source of the TFT 30b. A pixel signal to be written to the data line 6b is supplied from the data line driving circuit 2b. The scanning line 31b is electrically connected to the gate of the TFT 30b, and a scanning signal is supplied to the scanning line 31b from the scanning line driving circuit 3b in a pulsed manner at a predetermined timing. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30b, and the pixel signal supplied from the data line 6b is given to each pixel at a predetermined timing by turning on the TFT 30b as a switching element for a certain period. Write in. The pixel signal of a predetermined level written in the liquid crystal through the pixel electrode 9a in this way is held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate.
[0132]
Here, in order to prevent the held pixel signal from leaking, a storage capacitor 70b (capacitor) may be added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. By the storage capacitor 70b, the voltage of the pixel electrode 9a is held for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. As a result, the charge retention characteristics are improved, and an electro-optical device capable of performing display with a high contrast ratio can be realized. As a method for forming the storage capacitor 70b, the storage capacitor 70b is formed either with the capacitor line 32b, which is a wiring for forming a capacitor, or with the previous scanning line 31b. Also good.
[0133]
Even in the electro-optical device 1b configured as described above, a pair of glass substrates and the like are bonded together with a sealant and a driving IC may be mounted on one glass substrate. It is preferable to apply the present invention.
[0134]
As shown in FIG. 14, an active matrix electro-optical device including an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film is an EL (electroluminescence) element that emits light when a driving current flows through an organic semiconductor film, or It is an active matrix type display device that drives and controls light emitting elements such as LED (light emitting diode) elements with TFTs, and since all of the light emitting elements used in this type of display device self-emit, no backlight is required. In addition, there are advantages such as less viewing angle dependency.
[0135]
In the electro-optical device 100p shown here, a plurality of scanning lines 3p, a plurality of data lines 6p extending in a direction intersecting the extending direction of the scanning lines 3p, and the data lines 6p are arranged in parallel. A plurality of common power supply lines 23p and pixels 15p corresponding to the intersections of the data lines 6p and the scanning lines 3p are configured. A data line driving circuit 101p including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured for the data line 6p. A scanning line driving circuit 104p including a shift register and a level shifter is configured for the scanning line 3p.
[0136]
Each pixel 15p holds a first TFT 31p to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 3p, and an image signal supplied from the data line 6p via the first TFT 31p. The storage capacitor 33p, the second TFT 32p to which the image signal held by the storage capacitor 33p is supplied to the gate electrode, and the common power supply line when electrically connected to the common power supply line 23p via the second TFT 32p The light emitting element 40p into which a drive current flows from 23p is comprised.
[0137]
Here, the light emitting element 40p has a configuration in which a counter electrode made of a metal film such as a hole injection layer, an organic semiconductor film as an organic electroluminescence material layer, lithium-containing aluminum, or calcium is laminated on the upper side of the pixel electrode. The counter electrode 20p is formed over the plurality of pixels 15p across the data line 6p and the like.
[0138]
In the electro-optical device 100pp configured as described above, a glass protective substrate is bonded to an element substrate made of a glass substrate on which a light emitting element is formed via a sealing material, and a driving IC is mounted on the element substrate. In some cases, it is preferable to apply the present invention.
[0139]
In addition to the above-described embodiments, plasma display devices, FED (field emission display) devices, LED (light emitting diode) display devices, electrophoretic display devices, thin cathode ray tubes, liquid crystal shutters, and the like are used as electro-optical devices. The present invention can be applied to various electro-optical devices such as a small television and a device using a digital micromirror device (DMD).
[0140]
[Application to electronic devices]
FIG. 15 shows an embodiment in which the electro-optical device according to the invention is used as a display device of various electronic apparatuses. The electronic apparatus shown here includes a display information output source 170, a display information processing circuit 171, a power supply circuit 172, a timing generator 173, and an electro-optical device 174. The electro-optical device 174 includes a display panel 175 and a drive circuit 176. As the electro-optical device 174, the above-described electro-optical device can be used.
[0141]
The display information output source 170 includes a memory such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and is generated by a timing generator 173. Display information such as an image signal in a predetermined format is supplied to the display information processing circuit 171 based on the various clock signals.
[0142]
The display information processing circuit 171 includes various well-known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, and the like, executes processing of input display information, and outputs the image. The signal is supplied to the drive circuit 176 together with the clock signal CLK. The drive circuit 176 is a generic term for a scanning line drive circuit, a data line drive circuit, an inspection circuit, and the like. The power supply circuit 172 supplies a predetermined voltage to each component.
[0143]
FIG. 16A illustrates a mobile personal computer which is an embodiment of an electronic device according to the invention. The personal computer shown here includes a main body 182 provided with a keyboard 181 and a liquid crystal display unit 183. The liquid crystal display unit 183 includes the electro-optical device 1 and the liquid crystal panel 1 ′ described above.
[0144]
FIG. 16B shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the invention. A cellular phone 190 shown here includes a plurality of operation buttons 191 and the electro-optical device 1 described above.
[0145]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, even when the protective layer is formed, the entire outer surface of the substrate, the substrate edge, and the cut surface (side end surface) constituting the electro-optical panel are in an exposed state, Etching is performed. Therefore, in the etched portion, the surface layer is etched thin, so that minute scratches and cracks disappear. Therefore, even when stress is applied to the electro-optical panel, the crack does not grow, so the electro-optical panel does not crack. Moreover, when performing the etching process, the wiring is covered with a protective layer and is not etched, so that problems such as corrosion do not occur. In addition, after the substrates are bonded together, the state of the electro-optic panel on which the IC chip is mounted, that is, the etching process is performed at the final stage of the manufacturing process, so that all the scratches and cracks that have occurred so far disappear at once. be able to. Further, during the etching, the substrate edge of the IC chip and the cut surface (side end surface) are also etched, so that minute scratches and cracks of the IC chip disappear. Therefore, even when stress is applied to the IC chip, the crack does not grow, so the IC chip does not break.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of an electro-optical device to which the invention is applied.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the electro-optical device shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of an end portion on the I ′ side when the electro-optical device is cut along the line II ′ in FIG. 1;
4 is a process diagram illustrating a manufacturing method of the electro-optical device shown in FIG. 1. FIG.
FIGS. 5A to 5F are explanatory views showing a state of an in-process product in the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG.
FIGS. 6A and 6B schematically show a state in which minute scratches and cracks are present in the substrate constituting the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. It is explanatory drawing and explanatory drawing which shows the state which the micro crack and crack disappeared by the etching process.
7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, of the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG.
8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view showing a state in which a protective layer is formed when etching is performed on the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. 1, respectively. is there.
FIGS. 9A and 9B are plan views each showing a state in which a protective layer is partially left after etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG. And FIG.
FIGS. 10A to 10D are graphs for explaining the effect of etching the liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device.
11A and 11B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, of another liquid crystal panel during the manufacturing process of the electro-optical device shown in FIG.
FIG. 12 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a nonlinear element as a pixel switching element.
FIG. 13 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element.
FIG. 14 is a block diagram of an active matrix display device including an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film as an electro-optical material.
FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration of various electronic apparatuses using the electro-optical device according to the invention.
FIGS. 16A and 16B are an explanatory view showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using an electro-optical device according to the invention, and an explanatory view of a mobile phone, respectively. .
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electro-optical device, 1 'Liquid crystal panel, 10 1st board | substrate, 11 1st terminal formation area, 13 Driving IC (electronic component), 20 2nd board | substrate, 21 2nd terminal formation area, 25 2nd Overhanging area of the substrate, 26, 27 IC mounting terminal, 28 board mounting terminal, 29 flexible substrate (electronic component), 30 sealing material, 35 liquid crystal enclosing area, 40 first electrode pattern, 50 second electrode pattern 51, 71 wiring part, 55 alignment mark, 60, 70 inter-substrate conduction terminal, 90 protective layer, 100, 200 large substrate

Claims

An electro-optical panel having a first substrate and a second substrate that are bonded to each other with a sealant facing each other, and an electro-optical material is driven on at least one of the first substrate and the second substrate In the manufacturing method of the electro-optical device in which the driving electrode is formed,
After mounting an IC chip on at least the second substrate, etching is performed on at least a substrate edge, a cut surface, and a substrate outer surface of the first substrate and the second substrate in the state of the electro-optical panel. Performing an etching process for removing minute scratches or cracks from the first substrate and the second substrate;
When performing the etching step, the substrate edge, the cut surface, and the substrate outer surface of the first substrate and the second substrate, the substrate edge of the IC chip, at least a part of the side end surface, and the mounting surface The surface of the wiring exposed on the first substrate and the second substrate is covered with a protective layer formed so as to avoid the surface facing the substrate. .

2. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is made of glass.

3. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein wet etching is performed as the etching.

In any one of Claim 1 thru | or 3, The said 2nd board | substrate is provided with the protrusion area | region which protruded from the board | substrate edge of the said 1st board | substrate,
The IC chip is mounted on the overhang area,
The method for manufacturing an electro-optical device, wherein the wiring is exposed in the overhanging region before the protective layer is formed.

In claim 4, a board mounting terminal to which a flexible board is connected is formed in the projecting region,
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the etching step is performed in a state where a surface of the substrate mounting terminal is covered with the protective layer before connecting the flexible substrate to the substrate mounting terminal.

In claim 5, in the overhang region, an alignment mark for mounting the flexible substrate on the substrate mounting terminal is formed,
A method for manufacturing an electro-optical device, wherein the surface of the arament mark is covered with the protective layer when the etching step is performed.

7. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the protective layer is removed after the etching step.

7. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein a part of the protective layer is removed and the other part is left after the etching step.

7. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein after the etching step, at least a protective layer formed on a surface of the substrate mounting terminal is removed from the protective layer.

The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the protective layer is a tape attached to a substrate.

10. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the protective layer is a coating film formed by solidifying the applied liquid material.

10. The electricity according to claim 1, wherein the protective layer includes an organic insulating film formed simultaneously with an organic insulating film formed in a region defined by the sealing material in the substrate. Manufacturing method of optical device.

10. The electricity according to claim 1, wherein the protective layer comprises an inorganic insulating film formed simultaneously with an inorganic insulating film formed in a region defined by the sealing material in the substrate. Manufacturing method of optical device.

The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the protective layer is a water repellent agent.

7. The protective layer according to claim 5, wherein the protective layer is an anisotropic conductive film, and the anisotropic conductive film is used for mounting the flexible substrate on the substrate mounting terminal after the etching step. A method of manufacturing an electro-optical device.

16. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical material is a liquid crystal held between the first substrate and the second substrate.

16. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical material is an electroluminescent material formed on the second substrate.

An electro-optical device manufactured by the manufacturing method defined in claim 1.

An electronic apparatus comprising the electro-optical device defined in claim 18.