JP4051278B2 - Projection exposure equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光源の発する光束を所定のパターンが形成されたマスクに透過させたうえで感光剤が塗布されたプリント配線基板に投射し、前記所定のパターンを前記プリント配線基板に転写する、投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線基板の配線パターンや液晶パネルの透明薄膜電極などを描画する方法として、従来より投影露光装置等が利用されている。投影露光装置は超高圧水銀灯などの高出力の光源から発せられる光束を所定のパターンがかかれたマスクに投射し、さらにこの光束を感光剤の塗布されたプリント配線基板や集積回路、液晶パネルなどの被露光体上で結像させてマスクのパターンを被露光体に転写するものである。
【0003】
一般にプリント配線基板は、スルーホールを穿孔した後、銅メッキし、次いで整面処理を行って銅表面の酸化膜除去し、最後に感光剤が塗布される。この整面処理、温度変化、積層工程によりプリント配線基板は最大0.2%程度伸縮する。プリント配線基板が伸縮することによってスルーホールの位置も変動するため、このような投影露光装置はプリント配線基板上に結像するマスクのパターンの像の伸縮率を変更可能とすることが望まれている。
【0004】
また、露光工程の簡素化および露光時間の短時間化のため、副走査方向に複数の光源が並んで配置され、各光源からの光束によってマスクが照射され、前記光束による像がそれぞれ別個の光学系によってプリント配線基板の副走査方向に並んで結像するよう構成された投影露光装置が利用されている。
【0005】
しかしながら、このような投影露光装置がプリント配線基板上に結像するマスクの像の伸縮率を変更可能な機構を備えた場合、マスクの像を拡大したときに各光源からの像同士が重なり合ってしまい、正確な像が露光されないため、露光工程の簡素化および露光時間の短時間化とマスクの像の伸縮率の変更とを両立させることはできなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題に鑑み、露光工程の簡素化および露光時間の短時間化とマスクの像の伸縮率の変更とを両立させることが可能な投影露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の投影露光装置は、光学系が、光源のそれぞれより発せられ、前記マスクを通過した光束を偏向させる第1の平面鏡と、第1の平面鏡によって偏向した光束が入射されるレンズユニットと、互いに90°の角度をなし、かつマスクに対して垂直に配置された2つの反射面を有し、レンズユニットから射出された光束を反射させてレンズユニットに再度入射させる、ダハミラーと、ダハミラーによって反射されたのち、レンズユニットから射出された光束を偏向させ、マスクと平行に配置されたプリント配線基板上で結像させる第2の平面鏡と、プリント配線基板上で結像したマスクの像のマスクに対する伸縮率を変更可能な像伸縮機構と、像を副走査方向に移動可能なシフト手段と、を有し、シフト手段は、ダハミラーを副走査方向に進退させる反射手段駆動機構と、マスクとプリント配線基板とが、レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、マスクと前記プリント配線基板が共にレンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する位置設定手段と、を有する。
【0008】
すなわち、光源からの光束が入射するダハミラーを副走査方向に移動させて投影露光装置のレンズユニット中心軸から所定距離だけ移動させることにより、ダハミラーからレンズユニットに向かう光束の焦点位置が副走査方向にずれるので副走査方向のテレセン性が斜めに崩れる。さらにマスクとプリント配線基板が互いに共役状態を保ちつつ共にレンズユニットの焦点位置からずれるようにすることにより、任意の光源からの光束によるマスクの像の基板上での結像位置を副走査方向にシフトさせることが可能となる。各光源からの像同士が重なり合うことなく隣接しあうように各像のシフト量を決定し、そのシフト量に応じてダハミラーの位置およびマスクとプリント配線基板のレンズユニットの焦点位置からのずれ量を設定することにより、複数個の光源が副走査方向に配置された投影露光装置であってもマスクの像を伸縮したときに正確な像が露光される。
【0009】
また、第1の平面鏡と第2の平面鏡それぞれをマスクに対して近接または離間させることによって、マスクとプリント配線基板とが、レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、マスクとプリント配線基板が共にレンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する構成としてもよい。
【0010】
好ましくは、像の副走査方向のシフト量をΔYとすると、ダハミラーの副走査方向の移動量ΔL2、第1および第2の平面鏡の前記マスクに向かう方向への移動量ΔD2は、式 ΔY = −ΔD2 × 2ΔL2 /f を満たすよう設定される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図1は、本実施形態による投影露光装置を模式的に示したものである。なお、以下の説明においては、主走査方向(マスクおよびプリント基板が駆動される方向)をX軸、副走査方向をY軸、光束がプリント基板に入射する方向をZ軸と定義している。また、X軸については図1中左下から右上に向かう方向、Y軸については図1中右下から左上に向かう方向、Z軸については図1中下から上に向かう方向をそれぞれ正としている。
【0012】
本実施形態の投影露光装置1は、複数の光源2、複数のコリメータレンズ3、マスク4、複数の折り返しミラー5、複数のレンズユニット6、複数のダハミラー7、基板ホルダ8を有する。なお、図1にはコリメータレンズ3、折り返しミラー5、レンズユニット6、およびダハミラー7で構成される光学系と光源2とが3組しか記載されていないが、実際の投影露光装置はY軸方向に複数個の光源および投影光学系が配置されており、マスクおよびプリント基板を往復させること無くプリント基板全面を露光することができる。
【0013】
図2は、図1に記載の投影露光装置1の一部を示したものである。図1においては、コリメータレンズ3、折り返しミラー5、レンズユニット6、およびダハミラー7で構成される光学系と光源2とが複数(3組)示されているが、図2では、図面を簡単なものとするために、それぞれのうち1組のみが示されている。投影露光装置1の各光学系の挙動は同一であるため、以下の説明は、図2のような、単一の光学系と光源のみが示された図面を参照して行なわれる。
【0014】
光源2は例えば超高圧水銀灯のような、プリント基板に塗布された感光剤を感光させるのに充分な波長と出力を有する光源である。光源2から放射されるZ軸負の方向向きの光束はコリメータレンズ3によってマスク4上で矩形状に照明され、次いで折り返しミラー5に入射する。
【0015】
折り返しミラー5は、直角二等辺三角形断面の三角柱形状の部材であり、その高さ方向はY軸に平行である。また、折り返しミラー5の二等辺部側面は反射面であり、その反射面の法線は共に、X軸と45度の角度をなしている。折り返しミラー5はマスク4を通過した光束を反射してX軸正の方向に向かうよう屈曲させてレンズユニット6に入射させるとともに、レンズユニット6からX軸負の方向に折り返しミラー5に投射される光束を反射してZ軸負の方向に向かうよう屈曲させて基板ホルダ8に固定されたプリント基板Bに入射させる。プリント基板Bに入射した光束はプリント基板B上で結像する。すなわち、マスク4の像がプリント基板B上で結像し、プリント基板B上に塗布された感光剤によってこの像はプリント基板B上に転写される。
【0016】
レンズユニット6は複数の光学部材をX軸方向に並べたユニットであり、全体としては凸レンズと同様の働きをする。
【0017】
ダハミラー7は、2つの反射面がXY面上において90度の角度で内側を向くように構成されたミラーである。ダハミラー7は、レンズユニット6の焦点位置付近に配置されている。この構成によりマスク4のパターンは基板B上でXY方向共反転することなく同じ向きに転写される。
【0018】
マスク4および基板ホルダ8はそれぞれマスク駆動機構14、基板ホルダ駆動機構18によって駆動され、X軸方向に移動可能である。同様に、折り返しミラー5は折り返しミラー駆動機構15によって駆動され、X軸方向およびZ軸方向に移動可能である。また、ダハミラー7はダハミラー駆動機構17によってX軸方向およびY軸方向に移動可能である。
【0019】
また、投影露光装置1の各投影光学系にはマスク位置検出手段24および基板位置検出手段28が備えられている。マスク位置検出手段24および基板位置検出手段28はそれぞれプリント基板Bに塗布された感光剤と反応しない波長域および強度のランプと、CCDカメラとを備えている。マスク位置検出手段24はランプによってマスク4を照射すると共に、CCDカメラによってマスク4の全体画像を取得する。同様に、基板位置検出手段28はランプによってプリント基板Bを照射すると共に、CCDカメラによってプリント基板Bの全体画像を取得する。マスク4、プリント基板Bのそれぞれ4隅には位置合わせ用のマークがあり、コントローラ10はマスク位置検出手段24と基板位置検出手段28のそれぞれのCCDカメラによって取得されたマスク4およびプリント基板Bの全体画像を画像処理することにより、マスク4およびプリント基板Bのそれぞれについて、位置合わせ用のマークのそれぞれと光源2から発せられた光束の入射位置との距離を算出することができる。また、コントローラ10はマスク4およびプリント基板Bのそれぞれについて位置合わせ用のマーク間の距離を算出可能であり、マスク4上のマーク間の距離とプリント基板B上のマーク間の距離とを比較することにより、マスク4の像をプリント基板B上に転写するときの倍率を決定する。
【0020】
また高精度な位置合わせと倍率補正が要求される場合はマスク4、プリント基板Bの4隅のマーク位置それぞれにCCDカメラ24,28を配置して倍率を上げて検出する方法がある。この場合、光束の入射位置に対する各々のCCDカメラ位置は認識でき、このCCDカメラ位置からCCDカメラ同士の間隔を算出する事が可能である。したがって、CCDカメラ同士の間隔と各CCDカメラの撮影画像におけるマークの座標とから、位置合わせ用のマークのそれぞれと光源2から発せられた光束の入射位置との距離をより厳密に計測することが可能である。
【0021】
また、投影露光装置1は基板高さ検出機構38を有する。コントローラ10は基板高さ検出機構38を制御して、プリント基板Bの露光面のZ軸方向の位置を検出することができる。基板高さ検出機構38の具体的な構成については後述する。
【0022】
以上のように構成された投影露光装置1によって、マスク4の像をプリント基板Bに露光させる方法を図面を用いて以下に説明する。
【0023】
最初に、プリント基板Bの露光面の位置(Z軸方向)、およびプリント基板B上に結像されるマスク4の像の伸縮比が求められる。
【0024】
図3は、マスク4をZ軸正の方向から見た概略図である。マスク4は4辺のそれぞれがX軸またはY軸と平行である長方形板状の部材である。マスク4の中央部には、プリント配線パターンがかかれているマスク部4aが形成されており、またマスク4の周縁部4bには配線パターンはかかれていない。
【0025】
マスク4の周縁部4bの4隅には位置検出用のマークM1a,M1b,M1c,M1dがパターニングされている。マークM1a,M1b,M1c,M1dは4辺のそれぞれがX軸またはY軸と略平行である略長方形様の四角形の4頂点にあり、この四角形の中にマスク部4aがすべて含まれるようになっている。コントローラ10はマスク位置検出手段24を制御して、マークM1aとM1bとの距離l11xと、マークM1cとM1dとの距離l12xと、マークM1bとM1cとの距離l11yと、マークM1aとM1dとの距離l12yとを算出する。次いで、l11xとl12xの平均値l1xと、l11yとl12yの平均値l1yとを求める。
【0026】
図4は、プリント基板BをZ軸正の方向から見た概略図である。マスク4と同様、プリント基板Bの中央部にはプリント配線パターンが転写されるパターン部B1がある。プリント基板Bの周縁部B2の4隅には位置検出用マークまたは穴があり、これをそれぞれM2a,M2b,M2c,M2dとする。M2a,M2b,M2c,M2dは、4辺のそれぞれがX軸またはY軸と略平行である略長方形様の四角形の4頂点にあり、この四角形の中にパターン部B1がすべて含まれるようになっている。コントローラ10は基板位置検出手段28を制御して、マークM2aとM2bとの距離l21xと、マークM2cとM2dとの距離l22xと、マークM2bとM2cとの距離l21yと、マークM2aとM2dとの距離l22yとを算出する。次いで、l21xとl22xの平均値l2xと、l21yとl22yの平均値l2yとを求める。
【0027】
以上のように、l1x,l2x,l1y,l2yを算出することにより、X軸方向およびY軸方向のそれぞれについて、プリント基板Bがマスク4に比べてどの程度伸縮しているのかを演算することができる。プリント基板Bは整面処理、温度変化、積層工程により伸縮するため伸縮率がX,Y方向で異なる。本実施形態の投影露光装置1は、マスク4の像がプリント基板B上に結像するときの倍率を設定可能となっているが、X軸方向の倍率とY軸方向の倍率とを別個に設定することはできないので、適切な倍率Mgnpを演算する。
【0028】
本実施形態においては、l1x,l2x,l1y,l2yを算出し、次いで、適切な倍率Mgnpを式Mgnp=(l2x+l2y)/(l1x+l1y)を用いて算出する。
【0029】
倍率Mgnpを前述の式によって演算する構成とすると、X軸方向とY軸方向とでは異なる伸縮率で引き伸ばされたプリント基板にマスク4の像が適切な倍率Mgnpで投影されたとき、マスク4の像の投影位置とプリント基板とのずれ量の最大値を最小に保つことが可能となる。
【0030】
なお、本実施形態においては適切な倍率Mgnpを上記の式によって演算しているが、本発明は上記の式に限定されるものではなく、他の方法を用いて倍率Mgnpを演算しても構わない。例えば、Mgnp=(l2x/l1x+l2y/l1y)/2とする、l2x/l1xとl2y/l1yのうちいずれかをMgnpとする、或いは適切な定数m,nを用いてMgnp=(ml2x/l1x+nl2y/l1y)/(m+n)としてもよい。
【0031】
または、図5のように、マスク4が複数の(図中では2つ)部分4a1、4a2に区切られており、またプリント基板Bが対応する複数の(図中では2つ)部分B1a、B1bに区切られている場合は、マスク4の各部分にマークM1a,M1b,M1c,M1dが、またプリント基板Bの4隅にマークM2a,M2b,M2c,M2dが形成される。また、マスク4の部分ごとにマスク位置検出手段24が、またプリント基板Bの部分ごとに基板位置検出手段28が配置されている。
【0032】
このような構成においては、検出手段毎にl1x,l2x,l1y,l2yを算出し、それぞれの平均値l1xm,l2xm,l1ym,l2ymを演算し、適切な倍率Mgnpを式Mgnp=(l2xm+l2ym)/(l1xm+l1ym)を用いて演算する。また、例えば、Mgnp=(l2xm/l1xm+l2ym/l1ym)/2とする、l2xm/l1xmとl2ym/l1ymのうちいずれかをMgnpとする、或いは適切な定数m,nを用いてMgnp=(ml2xm/l1xm+nl2ym/l1ym)/(m+n)としてもよい。このような構成とすることによって、より適切な倍率Mgnpを得ることができる。
【0033】
図6は、基板ホルダ8およびプリント基板BをY軸負の方向から見た概略図である。基板高さ検出機構38はプリント基板B上に塗布された感光剤と反応しない波長および強度のレーザ光LBをプリント基板Bに向けてXZ平面上斜め方向に入射させるレーザ光源38aと、38aより出射した光をプリント基板B上に集光させる凸レンズ38dと、プリント基板B上で反射したレーザ光LBを受光する受光部38bと、凸レンズ38cを有する。凸レンズ38cは受光部38bの受光面の手前に、その光軸が反射したレーザ光LBの光軸と平行になるよう配置されており、プリント基板B上で反射したレーザ光LBを屈折させて受光部38bの受光面内に収める。プリント基板B上の反射位置と受光部38bは凸レンズ38cの共役位置にあり、倍率μの関係になっている。尚、倍率μとはおよそ凸レンズ38cと受光部38b間の光軸方向の長さΛ2と、プリント基板B上反射面と凸レンズ38c間の光軸方向の長さΛ1の比Λ2/Λ1である。プリント基板B上で反射した時点でのレーザ光LBが凸レンズ38cの光軸よりもZ軸負の方向寄り(すなわち、プリント基板B寄り)のときは、レーザ光LBは凸レンズ38cの光軸よりもZ軸正の方向寄りの位置に入射する。
【0034】
受光部38bは受光部38bの受光面のどの位置にレーザ光LBが入射したのかを検出可能であり、この入射位置からプリント基板Bの高さを検出可能である。
【0035】
基板高さ検出機構38を用いたプリント基板Bの高さの検出方法を以下に詳説する。なお、受光部38bの受光面の中心(受光面と凸レンズ38cの光軸とが交差する点)にレーザ光LBが入射したときの基板高さBH0をあらかじめ実験によって算出する。
【0036】
ここで、レーザ光LBの入射位置が凸レンズ38cの光軸と受光部38bの受光面との交点からΔLDだけずれている場合、その時の基板高さBHは数1によって演算される。なお、レーザ光LBの入射位置がプリント基板Bから遠ざかる方向に移動している場合はΔLD>0、プリント基板Bに近づく方向に移動している場合はΔLD<0としている。また、θはレーザ光LBの入射角である。
【0037】
【数1】
【0038】
ここでBHをより精度良く検出する為にはあらかじめ実験等によりBHの変化に対するΔLDを計測しておく方法もある。
【0039】
以上の方法にて算出したプリント基板Bの高さBH、および折り返しミラー5の位置から、マスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DLを演算可能となっている。
【0040】
マスク4上に形成されたパターンがプリント基板B上にピントが合った状態で結像するようにするためにはレンズユニット6に対してマスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となるように配置されていなければならない。本実施形態においてはレンズユニット6は固定されており、またマスク4および基板ホルダ8はZ軸方向には移動しない。
【0041】
上記のような構成の露光装置1においては、折り返しミラー5をX軸方向に移動させることにより、マスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となるようにしてピント合わせが行われる。距離DLがレンズユニット6の焦点距離の2倍であるとき、マスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となる。以下、折り返しミラー5の移動によってマスク4上に形成されたパターンがプリント基板B上に結像するようにする手順を図7を用いて説明する。
【0042】
図7は、図1の投影露光装置1をY軸方向に投影した側面図である。図7においては、図面の簡略化のためレンズユニット6は一枚の凸レンズとして、またダハミラー7は1枚の平面鏡として記載されている。コントローラ10は距離DLとレンズユニット6の焦点距離fを比較し、プリント基板Bの露光面とマスクのレンズユニット6による結像面との距離の差ΔDL=DL−2fを求める。次いで、ΔDL>0ならばX軸正の方向に、またΔDL<0ならばX軸負の方向に折り返しミラー5を距離|ΔDL|/2だけ移動させる。ここで、図7においてはΔDL>0であり、レンズユニット6による結像面の位置はプリント基板Bの露光面よりもZ軸正の方向に|ΔDL|だけ移動した位置(図7中2点鎖線で図示された位置)となる。折り返しミラー5をX軸正の方向に距離|ΔDL|/2だけ移動させたときの折り返しミラー5を破線で、またその時の光路を一点鎖線で示す。このときのマスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DL’は折り返しミラー5を動かす前の距離DLよりも|ΔDL|だけ短くなっており、DL’=2fとなる。従ってマスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となり、マスク4上に形成されたパターンはプリント基板B上に結像するようになる。従って、上記のように前工程でプリント基板Bの高さを計測し、結像位置を調整することで、投影露光装置1は厚さの異なるプリント基板に対応可能となっている。
【0043】
次いで、マスク4の像がプリント基板B上に結像するときの倍率を上記の演算によって求めた倍率Mgnpに設定する。倍率の設定は、コントローラ10がダハミラー駆動機構17を制御してダハミラー7をX軸方向に駆動し、さらにコントローラ10が折り返しミラー駆動機構15を制御して折り返しミラー5をZ軸方向に駆動することによって行われる。
【0044】
図8および図9を用いて倍率の設定の原理について説明する。図8は、レンズユニット6およびダハミラー7をZ軸正の方向から見た概略図である。図示の簡略のため、レンズユニット6およびダハミラー7はそれぞれ一枚の面として描写されている。また、ダハミラー7に向かう光束を2点鎖線で、ダハミラー7で反射した光束を破線で示す。
【0045】
倍率を設定するためには、最初にダハミラー7をレンズユニット6の焦点位置7aからX軸正の方向にΔL1移動させる。ダハミラー7をこのように移動させると、レンズユニット6出射時の瞳位置をX軸正の方向に2ΔL1ずらす事になる。この結果、平行光束である入射光に対して反射光はテレセン性が扇状に崩れた光束となる。
【0046】
しかしながら、基板側焦点位置での像の大きさはテレセン性を崩しただけでは変化しない。そこで、レンズユニット6に対するマスク4およびプリント基板Bの露光面の相対位置を、マスク4とプリント基板Bの露光面とがレンズユニット6に対して共役状態を保つように光学的に移動させる。すなわち、プリント基板Bの露光面がレンズユニット6に対して近づけば、プリント基板Bの露光面状に結像されるマスクの像は拡大される。反対にプリント基板Bの露光面がレンズユニット6に対して遠ざかれば、プリント基板Bの露光面状に結像されるマスクの像は縮小される。
【0047】
レンズユニット6に対するマスク4およびプリント基板Bの露光面の相対位置を、マスク4とプリント基板Bの露光面とがレンズユニット6に対して共役状態を保つように光学的に移動させるために、折り返しミラー5をZ軸の方向にΔD1移動させる。なお、ダハミラー7をX軸正の方向に移動させた場合に、像を拡大するときは折り返しミラー5をZ軸負の方向に移動させ、像を縮小するときは折り返しミラー5をZ軸正の方向に移動させる。また、ダハミラー7をX軸負の方向に移動させた場合に、像を拡大するときは折り返しミラー5をZ軸正の方向に移動させ、像を縮小するときは折り返しミラー5をZ軸負の方向に移動させる。
【0048】
図9は、マスク4、折り返しミラー5、レンズユニット6、ダハミラー7、およびプリント基板BをY軸負の方向から見たものである。図9においては、倍率を設定する前の光束を2点鎖線で、またダハミラー7および折り返しミラー5を移動して倍率を設定した後の光束を破線で示している。なお、図9に示した例においては倍率Mgnp<1とし、折り返しミラー5はZ軸正の方向に移動する。
【0049】
図8、9に示すように、ダハミラー7を位置7aから7bへX軸正の方向にΔL1移動させ、さらに折り返しミラー5をZ軸正の方向にΔD1移動させることにより、マスク4を通過した光束が収縮してプリント基板B上で結像する。このとき、ΔL1およびΔD1は数2を満たす値に設定される。なお、この倍率補正においては、光軸の中心位置は変化しない。
【0050】
【数2】
【0051】
図10は、上記倍率の設定原理によって像の拡大処理が行われた後の光源2、マスク4およびプリント基板BをX軸正の方向から見たものである。なお、実際の投影露光装置においては、コリメータレンズ3、折り返しミラー5、レンズユニット6およびダハミラー7を介してマスク4のパターンがプリント基板B上に結像する構成であるが、図10においては結像状態を明確に示すため光源2、マスク4およびプリント基板Bのみ記載するものとする。図10に示すように、像の拡大処理が行われると、個々の光源2による像のそれぞれは拡大されるものの、それぞれの像のY軸方向の結像位置は変化しない。このため、各光源による像がプリント基板B上で重なり合って、正確にマスク4のパターンがプリント基板B上に転写されない。従って、各像のY軸方向の結像位置を、像同士が重ならないようにそれぞれY軸方向にシフトさせるYシフト処理が行われる。
【0052】
図11および図12は、マスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7をZ軸正の方向から見た概略図である。図示の簡略のため、レンズユニット6はそれぞれ一枚の面として描写され、さらに折り返しミラー5を省略して基板面およびマスク面の位置はXY平面上に投影されている。
【0053】
図11は、Yシフト処理を行う前のマスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7の状態を示したものである。この時、マスク4およびプリント基板Bは共にレンズユニット6の焦点距離fだけレンズユニット6から離れている。また、ダハミラー7はレンズユニット6の焦点位置OMに配置されている。なお、光束を2点鎖線で示す。
【0054】
この時の光束は、図11のようなマスク4とプリント基板BをXY平面上に投影した図においては、入射光と反射光との光路が等しくなる。
【0055】
Yシフト処理は、コントローラ10がダハミラー駆動機構17を制御してダハミラー7をY軸方向に駆動し、さらにコントローラ10が折り返しミラー駆動機構15を制御して折り返しミラー5をZ軸方向に駆動することによって行われる。
【0056】
図12は、Yシフト処理を行ってプリント基板B上の結像位置をY軸負の方向にΔY移動させたときのマスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7の状態を示したものである。なお、図12においては、ダハミラー7によって反射する前の光束を2点鎖線で、また反射後の光束を破線で示す。図11に示すように、ダハミラー7をOMの位置にあるときは、レンズユニット6からダハミラー7に向かう光束の瞳位置はOMである。一方、ダハミラー7をOMからY軸正の方向に距離ΔL2だけ移動させると、図12に示すように上記瞳位置はOMからY軸正の方向に距離2ΔL2だけ移動する。なお、ダハミラー7をOMからY軸負の方向に移動させると、上記瞳位置もOMからY軸負の方向にダハミラー7の移動距離の2倍だけ移動する。
【0057】
この結果、テレセン性が斜めに崩れるが、マスク4およびプリント基板Bは共にレンズユニット6の焦点距離fだけレンズユニット6から離れている状態では、プリント基板B上の結像位置はシフトしない。そこで、折り返しミラー5をZ軸負の方向にΔD2移動させてマスク4とプリント基板Bとが共役状態を保つように両者のレンズユニット6からの光路長を変化させる。折り返しミラー5をZ軸負の方向にΔD2移動させることにより、マスク4からレンズユニット6の光路長はΔD2増加し、レンズユニット6からプリント基板Bへの光路長はΔD2減少する。このとき、ΔL2およびΔD2は数3を満たす値に設定される。
【0058】
【数3】
【0059】
ここで、数2のΔD1、数3のΔD2は共に折り返しミラー5のZ軸方向の移動量を示し、「ΔD1=ΔD2」を満足する状態で数2および数3の他の軸の移動量を求める。
【0060】
なお、投影露光装置1に用いられている光源および投影光学系の数をnLとすると、ΔYの値は数4を用いて求められる。
【0061】
【数4】
【0062】
ここで、aは自然数であり、最もY軸負側の光源の場合はa=1であり、この隣の光源の場合はa=2、さらにその隣の光源の場合はa=3・・、というようにa=amである光源にY軸正側に隣接する光源のaの値はa=am+1となるように設定される。
【0063】
また、定数Wは倍率補正を行なわない時の1つの投影光学系の露光幅である。
【0064】
図13はYシフト処理が行われた後の光源2、マスク4およびプリント基板BをX軸正の方向から見たものである。図13に示すように、上記の手順によってYシフトが行われると、中央の光源2および投影光学系による像はシフトせず、その隣の光源2および投影光学系による像はそれぞれW(Mgnp−1)だけ外側にシフトし、さらにその外側に隣接する光源2による像はそれぞれ2W(Mgnp−1)だけ外側にシフトする。従って、各像のY軸方向の結像位置は、像同士が重ならないように配置され、マスク4のパターンが正確にプリント基板B上に転写される。
【0065】
次いで、基板ホルダ8の駆動速度が設定される。本実施形態においてはマスク4の駆動速度は所定値VMに固定されている。マスク4のパターンをX軸方向に倍率Mgnpだけ拡大された状態でプリント基板B上に転写するためには、基板ホルダ8の駆動速度VBを、VB=Mgnp×VMとなるように設定する。
【0066】
次いで、マスク4とプリント基板BとのX軸方向の位置合わせを行う。この位置合わせによって、露光時にマスク4のマスク部4aの中央を通過した光束がプリント基板Bのパターン部B1の中央に入射されるようになる。このように位置合わせを行なうことによって、マスク4のパターンがプリント基板Bに転写される時のずれのばらつきを最小限に抑えることができる。
【0067】
このようにマスク4とプリント基板Bとの位置合わせを行った後、光源2を点灯し、マスク4とプリント基板BとをX軸方向に移動し、マスク4にかかれたパターンをプリント基板Bに転写する。
【0068】
なお、マスク4とプリント基板Bとの移動が開始された後も、基板高さ検出機構38を用いてマスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DLは算出されている。DL=2fが常に成立するように折り返しミラー5をX方向に駆動することにより、厚さが部位によって異なるようなプリント基板であっても、マスク4上に形成されたパターンをプリント基板B上に結像させることができる。
【0069】
【発明の効果】
以上のように、本発明の投影露光装置によれば、長手方向と短手方向とで異なる伸縮率で伸縮したプリント基板であっても適切に露光可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による投影露光装置を模式的に示した概略図である。
【図2】図1に記載の投影露光装置の一部を示したものである。
【図3】本発明の実施の形態のマスクの概略図である。
【図4】本発明の実施の形態のプリント基板の概略図である。
【図5】本発明の実施の形態の別例の、マスク、プリント基板の概略図である。
【図6】本発明の実施の形態のプリント基板基板高さ検出機構の概略図である。
【図7】本発明の実施の形態の投影露光装置のピント合わせ機構を模式的に示した概略図である。
【図8】本発明の実施の形態の投影露光装置の、レンズユニットおよびダハミラーをZ軸正の方向から見た概略図である。
【図9】本発明の実施の形態の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をY軸負の方向から見たものである。
【図10】本発明の実施の形態において、Yシフト操作を行う前の結像状態を模式的に示したものである。
【図11】本発明の実施の形態の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をZ軸正の方向から見たものである。
【図12】本発明の実施の形態において、Yシフト操作を行った後の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をZ軸正の方向から見たものである。
【図13】本発明の実施の形態において、Yシフト操作を行った後の結像状態を模式的に示したものである。
【符号の説明】
1 投影露光装置
2 光源
3 コリメータレンズ
4 マスク
5 折り返しミラー
6 レンズユニット
7 ダハミラー
8 基板ホルダ
10 コントローラ
14 マスク駆動機構
15 折り返しミラー駆動機構
17 ダハミラー駆動機構
18 基板ホルダ駆動機構
24 マスク位置検出手段
28 基板位置検出手段
38 基板高さ検出機構
B プリント基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
According to the present invention, a light beam emitted from a light source is transmitted through a mask on which a predetermined pattern is formed, then projected onto a printed wiring board coated with a photosensitive agent, and the predetermined pattern is transferred to the printed wiring board. The present invention relates to an exposure apparatus.
[0002]
[Prior art]
As a method for drawing a wiring pattern of a printed wiring board, a transparent thin film electrode of a liquid crystal panel, and the like, a projection exposure apparatus has been conventionally used. Projection exposure equipment projects a light beam emitted from a high-output light source such as an ultra-high pressure mercury lamp onto a mask with a predetermined pattern, and this light beam is applied to a printed wiring board, integrated circuit, liquid crystal panel or the like coated with a photosensitive agent. An image is formed on the object to be exposed and the mask pattern is transferred to the object to be exposed.
[0003]
In general, a printed wiring board is formed by drilling through holes, copper plating, and then performing a surface treatment to remove an oxide film on the copper surface, and finally a photosensitive agent is applied. The printed wiring board expands and contracts by a maximum of about 0.2% by this surface treatment, temperature change, and lamination process. Since the position of the through-hole also fluctuates due to the expansion and contraction of the printed wiring board, it is desired that such a projection exposure apparatus can change the expansion / contraction rate of the image of the mask pattern formed on the printed wiring board. Yes.
[0004]
In addition, in order to simplify the exposure process and shorten the exposure time, a plurality of light sources are arranged in the sub-scanning direction, a mask is irradiated with the light beams from each light source, and the images of the light beams are optically separated from each other. A projection exposure apparatus configured to form an image side by side in the sub-scanning direction of a printed wiring board by a system is used.
[0005]
However, when such a projection exposure apparatus has a mechanism capable of changing the expansion / contraction ratio of the mask image formed on the printed circuit board, the images from the respective light sources overlap when the mask image is enlarged. Therefore, since an accurate image is not exposed, it has been impossible to achieve both simplification of the exposure process, shortening of the exposure time, and change of the expansion / contraction ratio of the mask image.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus capable of both simplifying an exposure process, shortening an exposure time, and changing the expansion / contraction ratio of a mask image.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, in the projection exposure apparatus of the present invention, the optical system emits light from each of the light sources and deflects the light beam that has passed through the mask, and the light beam deflected by the first plane mirror. A lens unit that is incident, A roof mirror having two reflecting surfaces arranged at an angle of 90 ° to each other and perpendicular to the mask to reflect the light beam emitted from the lens unit and re-enter the lens unit; , Dach Miller A second plane mirror that deflects the light beam emitted from the lens unit after being reflected and forms an image on the printed circuit board arranged in parallel with the mask, and an image of the mask imaged on the printed circuit board. An image expansion / contraction mechanism capable of changing the expansion / contraction ratio with respect to the mask, and a shift unit capable of moving the image in the sub-scanning direction. Dach Miller The mask and the printed circuit board are both moved from the focal position of the lens unit while maintaining the state in which the reflecting means driving mechanism for moving the lens back and forth in the sub-scanning direction and the mask and the printed circuit board are conjugated to each other. Position setting means for setting the state to be shifted.
[0008]
That is, the light flux from the light source is incident Dach Miller By moving the lens in the sub-scanning direction by a predetermined distance from the central axis of the lens unit of the projection exposure apparatus, Dach Miller Since the focal position of the light beam traveling from the lens to the lens unit is shifted in the sub-scanning direction, the telecentricity in the sub-scanning direction is broken obliquely. Further, by keeping the mask and the printed circuit board in a conjugate state with each other so that they are displaced from the focal position of the lens unit, the image formation position on the substrate of the mask image by the light beam from an arbitrary light source is set in the sub-scanning direction. It is possible to shift. Determine the shift amount of each image so that the images from each light source are adjacent to each other without overlapping, and according to the shift amount Dach Miller When the image of the mask is expanded or contracted even in a projection exposure apparatus in which a plurality of light sources are arranged in the sub-scanning direction by setting the position of the mask and the amount of deviation from the focal position of the mask and the printed circuit board lens unit An accurate image is exposed.
[0009]
Further, by moving the first plane mirror and the second plane mirror close to or away from the mask, the mask and the printed circuit board are held in a conjugate state with respect to the lens unit. A configuration may be adopted in which both the wiring boards are set in a state of being shifted from the focal position of the lens unit.
[0010]
Preferably, when the shift amount of the image in the sub-scanning direction is ΔY, Dach Miller Amount of movement ΔL in the sub-scanning direction 2 , Movement amount ΔD of the first and second plane mirrors toward the mask 2 Is the equation ΔY = −ΔD 2 × 2ΔL 2 / F is set to be satisfied.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows the projection exposure apparatus according to the present embodiment. In the following description, the main scanning direction (direction in which the mask and the printed circuit board are driven) is defined as the X axis, the sub scanning direction is defined as the Y axis, and the direction in which the light beam enters the printed circuit board is defined as the Z axis. Further, the direction from the lower left to the upper right in FIG. 1 is positive for the X axis, the direction from the lower right to the upper left in FIG. 1 is positive for the Y axis, and the direction from the lower to the upper side in FIG.
[0012]
The
[0013]
FIG. 2 shows a part of the
[0014]
The
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
The roof mirror 7 is a mirror configured such that the two reflecting surfaces face inward at an angle of 90 degrees on the XY plane. The roof mirror 7 is disposed near the focal position of the
[0018]
The
[0019]
Each projection optical system of the
[0020]
When high-precision alignment and magnification correction are required, there is a method of detecting by increasing the magnification by arranging
[0021]
Further, the
[0022]
A method for exposing the image of the
[0023]
First, the position (Z-axis direction) of the exposure surface of the printed circuit board B and the expansion / contraction ratio of the image of the
[0024]
FIG. 3 is a schematic view of the
[0025]
Position detection marks M1a, M1b, M1c, and M1d are patterned at the four corners of the
[0026]
FIG. 4 is a schematic view of the printed circuit board B viewed from the positive direction of the Z axis. Similar to the
[0027]
As described above, l 1x , L 2x , L 1y , L 2y By calculating the above, it is possible to calculate how much the printed circuit board B is expanded and contracted relative to the
[0028]
In this embodiment, l 1x , L 2x , L 1y , L 2y And then the appropriate magnification Mgn p The formula Mgn p = (L 2x + L 2y ) / (L 1x + L 1y ) To calculate.
[0029]
Magnification Mgn p Is calculated by the above-described equation, the image of the
[0030]
In this embodiment, an appropriate magnification Mgn p However, the present invention is not limited to the above formula, and the magnification Mgn can be obtained using other methods. p May be calculated. For example, Mgn p = (L 2x / L 1x + L 2y / L 1y ) / 2, l 2x / L 1x And l 2y / L 1y One of them p Or using appropriate constants m, n p = (Ml 2x / L 1x + Nl 2y / L 1y ) / (M + n).
[0031]
Alternatively, as shown in FIG. 5, the
[0032]
In such a configuration, l1x, l2x, l1y, and l2y are calculated for each detection unit, and average values l1xm, l2xm, l1ym, and l2ym are calculated, and an appropriate magnification Mgn is calculated. p The formula Mgn p = (L 2xm + L 2ym ) / (L 1xm + L 1ym ) To calculate. For example, Mgn p = (L 2xm / L 1xm + L 2ym / L 1ym ) / 2, l 2xm / L 1xm And l 2ym / L 1ym One of them p Or using appropriate constants m, n p = (Ml 2xm / L 1xm + Nl 2ym / L 1ym ) / (M + n). By adopting such a configuration, a more appropriate magnification Mgn p Can be obtained.
[0033]
FIG. 6 is a schematic view of the
[0034]
The
[0035]
A method for detecting the height of the printed circuit board B using the substrate
[0036]
Here, the incident position of the laser beam LB is ΔL from the intersection of the optical axis of the
[0037]
[Expression 1]
[0038]
Here, in order to detect BH with higher accuracy, ΔL with respect to a change in BH is determined in advance through experiments or the like. D There is also a method to measure.
[0039]
The height BH of the printed circuit board B calculated by the above method and the optical path length from the
[0040]
In order for the pattern formed on the
[0041]
In the
[0042]
FIG. 7 is a side view of the
[0043]
Next, the magnification Mgn obtained by the above calculation is the magnification when the image of the
[0044]
The principle of setting the magnification will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic view of the
[0045]
In order to set the magnification, first, the roof mirror 7 is moved ΔL from the
[0046]
However, the size of the image at the substrate-side focal position does not change only by breaking the telecentricity. Therefore, the relative positions of the exposure surface of the
[0047]
In order to optically move the relative positions of the exposure surface of the
[0048]
FIG. 9 shows the
[0049]
As shown in FIGS. 8 and 9, the roof mirror 7 is moved ΔL from the
[0050]
[Expression 2]
[0051]
FIG. 10 shows the
[0052]
11 and 12 are schematic views of the
[0053]
FIG. 11 shows the state of the
[0054]
At this time, the light paths of the incident light and the reflected light are equal to each other in the figure in which the
[0055]
In the Y shift process, the
[0056]
FIG. 12 shows the state of the
[0057]
As a result, the telecentricity is broken obliquely, but the image forming position on the printed circuit board B does not shift when both the
[0058]
[Equation 3]
[0059]
Here, ΔD in
[0060]
Note that the number of light sources and projection optical systems used in the
[0061]
[Expression 4]
[0062]
Here, a is a natural number, a = 1 in the case of the light source closest to the Y-axis, a = 2 in the case of the adjacent light source, and a = 3 in the case of the adjacent light source. In this way, the value of a of the light source adjacent to the light source with a = am on the Y axis positive side is set to be a = am + 1.
[0063]
The constant W is the exposure width of one projection optical system when magnification correction is not performed.
[0064]
FIG. 13 shows the
[0065]
Next, the driving speed of the
[0066]
Next, alignment of the
[0067]
After aligning the
[0068]
Even after the movement of the
[0069]
【The invention's effect】
As described above, according to the projection exposure apparatus of the present invention, even a printed circuit board that expands and contracts at different expansion ratios in the longitudinal direction and the lateral direction can be appropriately exposed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view schematically showing a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a part of the projection exposure apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic view of a mask according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic view of a mask and a printed circuit board according to another example of the embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view of a printed circuit board substrate height detection mechanism according to the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic view schematically showing a focusing mechanism of the projection exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic view of the projection exposure apparatus according to the embodiment of the present invention when a lens unit and a roof mirror are viewed from the positive direction of the Z axis.
FIG. 9 shows a mask, a folding mirror, a lens unit, a roof mirror, and a printed circuit board of the projection exposure apparatus according to the embodiment of the present invention as viewed from the negative Y-axis direction.
FIG. 10 schematically illustrates an imaging state before performing a Y shift operation in the embodiment of the present invention.
FIG. 11 shows a mask, a folding mirror, a lens unit, a roof mirror, and a printed circuit board of the projection exposure apparatus according to the embodiment of the present invention as viewed from the positive direction of the Z axis.
FIG. 12 shows the mask, the folding mirror, the lens unit, the roof mirror, and the printed circuit board of the projection exposure apparatus after performing the Y shift operation when viewed from the positive Z-axis direction in the embodiment of the present invention. .
FIG. 13 schematically illustrates an imaging state after performing a Y shift operation in the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Projection exposure equipment
2 Light source
3 Collimator lens
4 Mask
5 Folding mirror
6 Lens unit
7 Dach Miller
8 Substrate holder
10 Controller
14 Mask drive mechanism
15 Folding mirror drive mechanism
17 Dach mirror drive mechanism
18 Substrate holder drive mechanism
24 Mask position detection means
28 Substrate position detection means
38 Board height detection mechanism
B Printed circuit board
Claims (8)
前記各光学系が、
前記光源のそれぞれより発せられ、前記マスクを通過した光束を偏向させる第1の平面鏡と、
前記第1の平面鏡によって偏向した前記光束が入射されるレンズユニットと、
互いに90°の角度をなし、かつ前記マスクに対して垂直に配置された2つの反射面を有し、前記レンズユニットから射出された前記光束を反射させて前記レンズユニットに再度入射させる、ダハミラーと、
前記ダハミラーによって反射されたのち、前記レンズユニットから射出された前記光束を偏向させ、前記マスクと平行に配置された前記プリント配線基板上で結像させる第2の平面鏡と、
前記プリント配線基板上で結像した前記マスクの像の前記マスクに対する伸縮率を変更可能な像伸縮機構と、
前記像を副走査方向に移動可能なシフト手段と、を有し、
前記シフト手段は、
前記ダハミラーを前記副走査方向に進退させる反射手段駆動機構と、
前記マスクと前記プリント配線基板とが、前記レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、前記マスクと前記プリント配線基板が共に前記レンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する位置設定手段と、を有することを特徴とする投影露光装置。A plurality of light sources are arranged side by side in the sub-scanning direction, the mask is irradiated with light beams from each light source, and images formed by the light beams are formed in parallel in the sub-scanning direction of the printed wiring board by separate optical systems. A projection exposure apparatus,
Each optical system is
A first plane mirror that deflects the light beam emitted from each of the light sources and passed through the mask;
A lens unit on which the light beam deflected by the first plane mirror is incident;
A roof mirror having two reflection surfaces arranged at an angle of 90 ° to each other and perpendicular to the mask, and reflecting the light beam emitted from the lens unit and re-entering the lens unit; ,
A second plane mirror that deflects the light beam emitted from the lens unit after being reflected by the roof mirror and forms an image on the printed wiring board disposed in parallel with the mask;
An image expansion / contraction mechanism capable of changing an expansion / contraction ratio of the mask image formed on the printed wiring board with respect to the mask;
Shift means capable of moving the image in the sub-scanning direction,
The shifting means is
A reflection means driving mechanism for moving the roof mirror back and forth in the sub-scanning direction;
Position setting means for setting the mask and the printed wiring board to be out of the focal position of the lens unit while maintaining the state in which the mask and the printed wiring board are conjugated to each other with respect to the lens unit. And a projection exposure apparatus comprising:
ΔY
= −ΔD2 × 2ΔL2 /f
を満たすよう設定されることを特徴とする、請求項2に記載の投影露光装置。 Assuming that the shift amount of the image in the sub-scanning direction is ΔY, the movement amount ΔL 2 of the roof mirror in the sub-scanning direction and the movement amount ΔD 2 of the first and second plane mirrors in the direction toward the mask are: formula
ΔY
= −ΔD 2 × 2ΔL 2 / f
The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the projection exposure apparatus is set to satisfy the following condition.
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