JP4049446B2

JP4049446B2 - Liquid crystal display

Info

Publication number: JP4049446B2
Application number: JP14633098A
Authority: JP
Inventors: 清米田; 泰生瀬川; 徳夫小間
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1998-05-27
Filing date: 1998-05-27
Publication date: 2008-02-20
Anticipated expiration: 2018-05-27
Also published as: JPH11337945A

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent unevenness from occurring in brightness of a wide viewing angle liquid crystal display device by arranging an orientation control window formed as a nonexistence area of an electrode film layer, and arranging an auxiliary conductive line overlapping a common electrode only in an area where the orientation control windows are adjacent to each other. SOLUTION: An auxiliary conductive line 35 is arranged in a fine line area where tips of orientation control windows 34 in each picture element are adjacent to each other and a line width of ITO, common electrode 33, becomes narrow. In a pattern form of these orientation control windows, a cross-shaped auxiliary conductive line 35 is formed so as to overlap a cross-shaped ITO line formed by making tip parts of four orientation control windows 34 gather in the area where four picture elements are adjacent to each other. The auxiliary conductive line 35 is arranged to extend over the fine line area of ITO. Therefore, since the voltage is made uniform on the whole area of the common electrode 33, a voltage impressed on the liquid crystal 40 becomes uniform in all picture elements, and this prevents unevenness of brightness.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、広視野角の液晶表示装置（ＬＣＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＣＤ、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等、のフラットパネルディスプレイの開発が盛んに行われ、実用化が進められている。中でも、ＬＣＤは薄型、低消費電力などの点で優れており、既にＯＡ機器、ＡＶ機器の分野で主流となっている。特に、各画素に画素情報の書き換えタイミングを制御するスイッチング素子としてＴＦＴを配したアクティブマトリクス型ＬＣＤは、大画面、高精細の動画表示が可能となるため、各種テレビジョン、パーソナルコンピュータ、更には、携帯コンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ等のモニターに多く用いられている。
【０００３】
ＴＦＴは絶縁性基板上に金属層とともに半導体層を所定の形状に形成することにより得られる電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ：field effect transistor）である。アクティブマトリクス型ＬＣＤにおいては、ＴＦＴは、液晶を挟んだ一対の基板間に形成された、液晶を駆動するための各キャパシタンスに接続されている。
【０００４】
図３はＬＣＤの一部拡大平面図、図４はそのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。基板（５０）上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ等のゲート電極（５１）及びゲートライン（５２）が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜（５３）が形成されている。ゲート絶縁膜（５３）上には、ｐ−Ｓｉ膜（５４）が、ゲート電極（５１）の上方を通過するように、島状に形成されている。ｐ−Ｓｉ膜（５４）は、ゲート電極（５１）の直上領域がノンドープのチャンネル領域（ＣＨ）とされ、チャンネル領域（ＣＨ）の両側は、燐等のＮ型不純物が低濃度にドーピングされた低濃度領域（ＬＤ：lightly doped）（ＬＤ）、更にその外側は、同じ不純物が高濃度にドーピングされたソース領域（ＮＳ）及びドレイン領域（ＮＤ）となっており、ＬＤＤ構造とされている。
【０００５】
チャンネル領域（ＣＨ）の上には、低濃度領域（ＬＤ）を形成する際に、イオン注入時のマスクとして用いられた注入ストッパー（５５）が残されている。ｐ−Ｓｉ膜（５４）を覆って層間絶縁膜（５６）が形成され、層間絶縁膜（５６）上にはドレイン電極（５７）、ソース電極（５８）、及び、ドレインライン（５９）が形成されている。ドレイン電極（５７）とソース電極（５８）は、各々、層間絶縁膜（５６）に開口されたコンタクトホールを介して、ｐ−Ｓｉ膜（５４）のドレイン領域（ＮＤ）及びソース領域（ＮＳ）に接続されている。これらドレイン電極（５７）およびソース電極（５８）を覆って、ＳＯＧ、ＢＰＳＧ、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（６１）が形成され、この平坦化絶縁膜（６１）上にはＩＴＯ（indium tin oxide）、あるいは、Ａｌからなる画素電極（６０）が形成され、平坦化絶縁膜（６１）に開口されたコンタクトホールを介してソース電極（５８）に接続されている。この上には、ポリイミド等の垂直配向膜（８５）が形成されている。以上、ＴＦＴ基板が構成されている。
このＴＦＴ基板（５０）に対向する位置には基板（７０）が配置され、基板（７０）上には、フィルムレジストからなるＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（７１）が形成され、各々の画素電極（６０）に対応する位置に設けられている。カラーフィルター（７１）の間隙には、不透光性のブラックマトリクス（７２）が設けられている。これらカラーフィルター（７１）及びブラックマトリクス（７２）の層上には、ＩＴＯの共通電極（７３）が形成されている。共通電極（７３）中には、ＩＴＯの不在により形成された配向制御窓（７４）が設けられている。配向制御窓（７４）は、図３に示されているように、画素の中央部を縦断するとともに、両端から斜め方向に二股に分かれ、画素の角部へ向かった形状とされている。共通電極（７３）上には、基板（５０）側と同じ垂直配向膜（８６）が設けられている。以上、対向基板が構成されている。
【０００６】
これらＴＦＴ基板（５０）と対向基板（７０）の間には、負の誘電率異方性を有する液晶（８０）が装填されている。
【０００７】
このＬＣＤは、画素電極（６０）の下地に平坦化絶縁膜（６１）を設けるとともに、共通電極（７３）中に、ＩＴＯ膜の不在領域として形成された配向制御窓（７４）が設けた点に特徴がある。配向制御窓（７４）の近傍は、電圧印加時にも電圧無印加時と同様、無電界あるいは液晶が駆動する閾値以下の弱電界となっており、この領域において、液晶分子（８１）は、常時、初期の垂直配向状態に固定される。
【０００８】
一方、画素電極（６０）のエッジ部では、電圧印加時に、対向する共通電極（７３）へ向かって斜めに傾斜した電界（８２）が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶分子（８１）は、傾斜した電界（８２）に抗するように、斜め電界（８２）が傾斜した方角とは、反対の方角へ傾斜するように仕向けられ、所望の配向に制御される。このように、画素電極（６０）の４辺に関して、内側へ向かって傾いた液晶の配向の境界は、配向制御窓（７４）上で固定され、配向制御窓（７４）を境に配向が割れたいわゆる画素分割が行われ、広視野角化が実現される。また、平坦化絶縁膜（６１）は、画素電極（６０）を平坦化して、その上の垂直配向膜（８５）と液晶（８０）との接触界面を平坦化することにより、液晶の配向が乱れるのを防ぎ、斜め方向電界（８２）による配向の制御性を向上している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように図４及び図５に示すＬＣＤは、広視野角化を実現するものであるが、共通電極（７３）に配向制御窓（７４）を設けるため、共通電極（７３）がパターニングされている。共通電極（７３）を構成するＩＴＯは、Ｃｒ、Ａｌ等、他の不透光性メタルに比して、抵抗が高い。それでも、共通電極（７３）に配向制御窓（７４）を設けない場合は、ＩＴＯが基板（７０）に全面的に設けられるので、時定数が大幅に上昇することが無く表示に悪影響は出ない。これに対して、図４及び図５に示すように、共通電極（７３）に配向制御窓（７４）を設けた場合、その分、ＩＴＯの線幅が狭まるので配線抵抗が増大する。特に、図４から分かるように、配向制御窓（７４）の四支の各先端部が、隣接の画素における配向制御窓（７４）の先端部と近接する部分では、ＩＴＯの線幅が最も狭くなるので、配線抵抗が増大して時定数が上昇し、配向制御窓（７４）を挟んだ両側の領域間で電位差が生じる。このため、共通電極（７３）の入力端から遠い画素では、入力端に近い画素よりも共通電極（７３）に印加された信号電圧の遅延が大きく、この結果、液晶（８０）に印加される電圧が、異なってしまい、輝度がばらつくという問題を招く。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明はこの課題を解決するために成され、第１の基板上に設けられた複数の画素電極と、第２の基板上に設けられた共通電極と、前記第１の基板と第２の基板の間に設けられた液晶とを有する液晶表示装置において、前記画素電極に対向する前記共通電極中には、電極膜層の不在領域として形成された配向制御窓が設けられ、かつ、前記配向制御窓が互いに近接した領域にのみ、前記共通電極に重ねて、補助導電線が設けられている構成である。
【００１１】
これにより、共通電極の抵抗が配向制御窓によって大きくなることが抑えられるので、共通電極の配線抵抗が上昇することによって信号が遅延して、輝度がばらつきが防がれる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の形態にかかるＬＣＤの一部拡大平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線に沿った断面図、図３はＢ−Ｂ線に沿った断面図である。基板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ等のゲート電極（１１）、及び、同一行につきゲート電極（１１）を相互につなぐゲートライン（１２）が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜（１３）が形成されている。ゲート絶縁膜（１３）上には、ｐ−Ｓｉ膜（１４）が、ゲート電極（１１）の上方を通過するように、島状に形成されている。ｐ−Ｓｉ膜（１４）は、ゲート電極（１１）の直上領域がノンドープのチャンネル領域（ＣＨ）とされ、チャンネル領域（ＣＨ）の両側は、燐等のＮ型不純物が低濃度にドーピングされた低濃度領域（ＬＤ）、更にその外側は、同じ不純物が高濃度にドーピングされたソース領域（ＮＳ）及びドレイン領域（ＮＤ）となっており、ＬＤＤ構造とされている。
【００１３】
チャンネル領域（ＣＨ）の上には、低濃度領域（ＬＤ）を形成する際に、イオン注入時のマスクとして用いられた注入ストッパー（１５）が残されている。ｐ−Ｓｉ膜（１４）を覆って、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜からなる層間絶縁膜（１６）が形成され、層間絶縁膜（１６）上にはドレイン電極（１７）、ソース電極（１８）、及び、同一行につきドレイン電極（１７）を相互につなぐドレインライン（１９）が形成されている。ドレイン電極（１７）とソース電極（１８）は、各々層間絶縁膜（１６）に開口されたコンタクトホールを介して、ｐ−Ｓｉ膜（１４）のドレイン領域（ＮＤ）及びソース領域（ＮＳ）に接続されている。これらドレイン電極（１７）およびソース電極（１８）及びドレインライン（１９）を覆って、ＳＯＧ、ＢＰＳＧ、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（２１）が形成され、この平坦化絶縁膜（２１）上にはＩＴＯ（indium tin oxide）、あるいは、Ａｌからなる画素電極（２０）が形成されている。画素電極（２０）は、平坦化絶縁膜（２１）に開口されたコンタクトホールを介してソース電極（１８）に接続されている。
画素電極（２０）の上には、ポリイミド等の垂直配向膜（４５）が形成されている。
【００１４】
このＴＦＴ基板（１０）に対向する位置には、間に液晶層（４０）を挟んで対向基板となる基板（３０）が配置されている。基板（３０）上には、フィルムレジストからなるＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（３１）が形成され、各々の画素電極（２０）に対応する位置に設けられている。カラーフィルター（３１）の間には、遮光性のフィルムレジストからなるブラックマトリクス（３２）が設けられている。これらカラーフィルター（３１）及びブラックマトリクス（３２）の層上にはＩＴＯ等の共通電極（３３）が形成されている。共通電極（３３）中には、ＩＴＯの不在により形成された配向制御窓（３４）が設けられている。配向制御窓（３４）は、図１に示されているように、画素の中央部を縦断するとともに、そこより４５°程度の角度をもって二股に分かれ、画素の角部へ向かった形状とされている。共通電極（３３）上には、一部の領域に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の低抵抗膜からなる本発明の補助導電線（３５）が設けられている。これら共通電極（３３）及び補助導電線（３５）の上には、基板（１０）側と同じ垂直配向膜（４６）が設けられている。
【００１５】
本発明の補助導電線（３５）は、図１に示すように、各画素における配向制御窓（３４）の先端が互いに接近し、共通電極（３３）であるＩＴＯの線幅が狭くなった細線領域に設けられている。図１に示すような、配向制御窓（３４）のパターン形状では、４つの画素が接近する領域において、４つの配向制御窓（３４）の先端部が集まることにより形成された十字形状のＩＴＯ線上に重なるようにして十字形状の補助導電線（３５）が形成されている。補助導電線（３５）は、ＩＴＯの細線領域をわたるように設けられているので、配線抵抗の上昇が抑えられて時定数の上昇が防がれる。この結果、配向制御窓（３４）の両側の領域で電位差が生じることが無され、従って、共通電極（３３）の全域で電圧が均一にされるので、全画素において、液晶（４０）へ印加される電圧が等しくなり、輝度のばらつきが防がれる。
【００１６】
低抵抗の補助導電線（３５）は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の不透光性材料からなるが、共通電極（３３）の細線領域をわたるようにして最小限に設けることで、有効表示領域を縮小することが防がれる。また、補助導電線（３５）は、図３に示すように共通電極（３３）の上層にあってもよいが、下層に設けることもできる。
【００１７】
更に、補助導電線（３５）は、共通電極（３３）と同様にＩＴＯ膜、あるいは、共通電極（３３）のＩＴＯ膜の膜厚を厚くすることによって形成することもできる。
【００１８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな如く、本発明で、共通電極中に、電極膜層の不在により形成された配向制御窓を有する液晶表示装置において、配向制御窓が互いに近接して共通電極の線幅が狭くなった領域に、補助導電線を形成して抵抗を下げることにより、共通電極の配線抵抗の増大が防がれ、共通電極に印加される信号電圧の遅延が防がれ、全域にわたって電圧が一定にされるので、輝度が均一にされる。また、共通電極の配線抵抗を高めることができるので、共通電極の膜厚を可能な限り薄くすることにより、透過率を上昇し、明るい表示画面を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態かかる液晶表示装置の一部拡大平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の一部拡大平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１０，３０基板
１１ゲート電極
１２ゲートライン
１４ｐ−Ｓｉ膜
１７ドレイン電極
１８ソース電極
１９ドレインライン
２０画素電極
３３共通電極
３４配向制御電極
３５補助導電線[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wide viewing angle liquid crystal display (LCD).
[0002]
[Prior art]
In recent years, flat panel displays such as LCDs, organic electroluminescence (EL) displays, plasma displays, etc. have been actively developed and put into practical use. Above all, LCDs are excellent in terms of thinness and low power consumption, and have already become mainstream in the field of OA equipment and AV equipment. In particular, an active matrix LCD in which TFTs are arranged as switching elements for controlling the pixel information rewriting timing for each pixel enables large-screen, high-definition video display, so that various televisions, personal computers, It is often used for monitors of portable computers, digital still cameras, video cameras and the like.
[0003]
A TFT is a field effect transistor (FET) obtained by forming a semiconductor layer together with a metal layer in a predetermined shape on an insulating substrate. In the active matrix LCD, the TFT is connected to each capacitance for driving the liquid crystal formed between a pair of substrates sandwiching the liquid crystal.
[0004]
FIG. 3 is a partially enlarged plan view of the LCD, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line CC. A gate electrode (51) such as Cr, Ti, and Ta and a gate line (52) are formed on the substrate (50), and a gate insulating film (53) is formed covering the gate electrode (51). On the gate insulating film (53), a p-Si film (54) is formed in an island shape so as to pass over the gate electrode (51). In the p-Si film (54), a region immediately above the gate electrode (51) is a non-doped channel region (CH), and both sides of the channel region (CH) are doped with N-type impurities such as phosphorus at a low concentration. A lightly doped region (LD) (LD), and further outside, a source region (NS) and a drain region (ND) doped with the same impurity at a high concentration, have an LDD structure.
[0005]
On the channel region (CH), an implantation stopper (55) used as a mask for ion implantation when the low concentration region (LD) is formed is left. An interlayer insulating film (56) is formed to cover the p-Si film (54), and a drain electrode (57), a source electrode (58), and a drain line (59) are formed on the interlayer insulating film (56). Has been. The drain electrode (57) and the source electrode (58) are respectively connected to the drain region (ND) and the source region (NS) of the p-Si film (54) through contact holes opened in the interlayer insulating film (56). It is connected to the. A flattening insulating film (61) such as SOG, BPSG, or acrylic resin is formed so as to cover the drain electrode (57) and the source electrode (58), and ITO (indium tin) is formed on the flattening insulating film (61). A pixel electrode (60) made of oxide) or Al is formed and connected to the source electrode (58) through a contact hole opened in the planarization insulating film (61). A vertical alignment film (85) such as polyimide is formed thereon. As described above, the TFT substrate is configured.
A substrate (70) is disposed at a position facing the TFT substrate (50), and R, G, B color filters (71) made of a film resist are formed on the substrate (70). It is provided at a position corresponding to the electrode (60). An opaque black matrix (72) is provided in the gap of the color filter (71). An ITO common electrode (73) is formed on the color filter (71) and the black matrix (72). An orientation control window (74) formed by the absence of ITO is provided in the common electrode (73). As shown in FIG. 3, the orientation control window (74) has a shape that vertically cuts the central portion of the pixel and is bifurcated obliquely from both ends toward the corner of the pixel. On the common electrode (73), the same vertical alignment film (86) as that on the substrate (50) side is provided. The counter substrate is configured as described above.
[0006]
Liquid crystal (80) having negative dielectric anisotropy is loaded between the TFT substrate (50) and the counter substrate (70).
[0007]
In this LCD, a planarization insulating film (61) is provided on the base of the pixel electrode (60), and an alignment control window (74) formed as an ITO film absent region is provided in the common electrode (73). There is a feature. In the vicinity of the alignment control window (74), there is no electric field or a weak electric field below the threshold value for driving the liquid crystal when the voltage is applied, as in the case where no voltage is applied. In this region, the liquid crystal molecules (81) are always The initial vertical alignment state is fixed.
[0008]
On the other hand, at the edge portion of the pixel electrode (60), an electric field (82) inclined obliquely toward the opposing common electrode (73) is formed when a voltage is applied. The liquid crystal molecules (81) having a negative dielectric anisotropy are directed so as to be inclined in a direction opposite to the direction in which the oblique electric field (82) is inclined so as to resist the inclined electric field (82). , Controlled to a desired orientation. Thus, with respect to the four sides of the pixel electrode (60), the alignment boundaries of the liquid crystal inclined inward are fixed on the alignment control window (74), and the alignment is broken with the alignment control window (74) as a boundary. The so-called pixel division is performed, and a wide viewing angle is realized. Further, the planarization insulating film (61) planarizes the pixel electrode (60), and planarizes the contact interface between the vertical alignment film (85) and the liquid crystal (80) thereon, thereby aligning the liquid crystal. Disturbance is prevented, and the controllability of orientation by the oblique electric field (82) is improved.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the LCD shown in FIGS. 4 and 5 achieves a wide viewing angle. However, since the orientation control window (74) is provided in the common electrode (73), the common electrode (73) is patterned. Yes. ITO constituting the common electrode (73) has a higher resistance than other opaque metals such as Cr and Al. Still, when the alignment control window (74) is not provided in the common electrode (73), the ITO is provided on the entire surface of the substrate (70), so that the time constant does not increase significantly and the display is not adversely affected. . On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 5, when the orientation control window (74) is provided in the common electrode (73), the line width of ITO is reduced correspondingly, so that the wiring resistance is increased. In particular, as can be seen from FIG. 4, the line width of the ITO is the narrowest at the portion where the four tips of the orientation control window (74) are close to the tip of the orientation control window (74) in the adjacent pixel. Therefore, the wiring resistance increases, the time constant increases, and a potential difference occurs between the regions on both sides of the orientation control window (74). For this reason, in the pixel far from the input end of the common electrode (73), the delay of the signal voltage applied to the common electrode (73) is larger than in the pixel close to the input end, and as a result, applied to the liquid crystal (80). The voltage is different, which causes the problem that the luminance varies.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to solve this problem, and includes a plurality of pixel electrodes provided on a first substrate, a common electrode provided on a second substrate, the first substrate, and a second substrate. In the liquid crystal display device having the liquid crystal provided between the substrates, an alignment control window formed as an electrode film layer absent region is provided in the common electrode facing the pixel electrode, and the alignment An auxiliary conductive line is provided so as to overlap the common electrode only in a region where the control windows are close to each other.
[0011]
As a result, the resistance of the common electrode is prevented from increasing due to the orientation control window, so that the signal resistance is delayed due to the increase in the wiring resistance of the common electrode, thereby preventing variations in luminance.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 is a partially enlarged plan view of an LCD according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB. . On the substrate (10), a gate electrode (11) made of Cr, Ti, Ta or the like and a gate line (12) for connecting the gate electrodes (11) to each other in the same row are formed, covering this, a gate insulating film (13) is formed. On the gate insulating film (13), a p-Si film (14) is formed in an island shape so as to pass above the gate electrode (11). In the p-Si film (14), the region immediately above the gate electrode (11) is a non-doped channel region (CH), and both sides of the channel region (CH) are doped with N-type impurities such as phosphorus at a low concentration. The low concentration region (LD) and the outside thereof are a source region (NS) and a drain region (ND) doped with the same impurity at a high concentration, and have an LDD structure.
[0013]
On the channel region (CH), an implantation stopper (15) used as a mask at the time of ion implantation when the low concentration region (LD) is formed is left. An interlayer insulating film (16) made of a laminated film of a silicon oxide film and a silicon nitride film is formed to cover the p-Si film (14). A drain electrode (17) and a source electrode are formed on the interlayer insulating film (16). (18) and a drain line (19) for connecting the drain electrodes (17) to each other in the same row. The drain electrode (17) and the source electrode (18) are respectively connected to the drain region (ND) and the source region (NS) of the p-Si film (14) through contact holes opened in the interlayer insulating film (16). It is connected. A flattening insulating film (21) such as SOG, BPSG, or acrylic resin is formed so as to cover the drain electrode (17), the source electrode (18), and the drain line (19). A pixel electrode (20) made of ITO (indium tin oxide) or Al is formed on the substrate. The pixel electrode (20) is connected to the source electrode (18) through a contact hole opened in the planarization insulating film (21).
A vertical alignment film (45) such as polyimide is formed on the pixel electrode (20).
[0014]
At a position facing the TFT substrate (10), a substrate (30) serving as a counter substrate is disposed with a liquid crystal layer (40) interposed therebetween. On the substrate (30), R, G, and B color filters (31) made of a film resist are formed and provided at positions corresponding to the respective pixel electrodes (20). Between the color filters (31), a black matrix (32) made of a light-shielding film resist is provided. A common electrode (33) such as ITO is formed on the layers of the color filter (31) and the black matrix (32). An orientation control window (34) formed by the absence of ITO is provided in the common electrode (33). As shown in FIG. 1, the orientation control window (34) cuts the center part of the pixel vertically and is divided into two branches at an angle of about 45 ° from there, and is directed to the corner part of the pixel. Yes. On the common electrode (33), the auxiliary conductive wire (35) of the present invention made of a low-resistance film such as Al, Cr, Mo, Ta or the like is provided in a part of the region. On the common electrode (33) and the auxiliary conductive line (35), the same vertical alignment film (46) as that on the substrate (10) side is provided.
[0015]
As shown in FIG. 1, the auxiliary conductive line (35) of the present invention is a thin line in which the tips of the alignment control windows (34) in each pixel approach each other and the line width of the ITO serving as the common electrode (33) is reduced. It is provided in the area. As shown in FIG. 1, in the pattern shape of the alignment control window (34), on the cross-shaped ITO line formed by the tips of the four alignment control windows (34) gathering in the region where the four pixels approach. A cross-shaped auxiliary conductive line (35) is formed so as to overlap with. Since the auxiliary conductive line (35) is provided so as to cross the ITO thin wire region, an increase in wiring resistance is suppressed and an increase in time constant is prevented. As a result, there is no potential difference between the regions on both sides of the orientation control window (34), and therefore the voltage is made uniform across the common electrode (33), so that the voltage is applied to the liquid crystal (40) in all pixels. The equalized voltages are equalized, and variations in luminance are prevented.
[0016]
The low-resistance auxiliary conductive wire (35) is made of an opaque material such as Al, Cr, Mo, Ta, etc., but is effective by providing it to the minimum so as to cross the thin wire region of the common electrode (33). It is possible to prevent the display area from being reduced. The auxiliary conductive line (35) may be provided in the upper layer of the common electrode (33) as shown in FIG. 3, but may be provided in the lower layer.
[0017]
Further, the auxiliary conductive line (35) can be formed by increasing the thickness of the ITO film or the ITO film of the common electrode ( 33 ) in the same manner as the common electrode ( 33 ).
[0018]
【The invention's effect】
As apparent from the above description, in the present invention, in the liquid crystal display device having the alignment control window formed by the absence of the electrode film layer in the common electrode, the alignment control windows are close to each other and the line width of the common electrode is reduced. By forming the auxiliary conductive line in the narrowed area and reducing the resistance, the wiring resistance of the common electrode is prevented from increasing, the delay of the signal voltage applied to the common electrode is prevented, and the voltage is reduced over the entire area. Since it is made constant, the luminance is made uniform. Further, since the wiring resistance of the common electrode can be increased, the transmittance can be increased and a bright display screen can be obtained by reducing the thickness of the common electrode as much as possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially enlarged plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1. FIG.
FIG. 4 is a partially enlarged plan view of a conventional liquid crystal display device.
5 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
[Explanation of symbols]
10, 30 Substrate 11 Gate electrode 12 Gate line 14 p-Si film 17 Drain electrode 18 Source electrode 19 Drain line 20 Pixel electrode 33 Common electrode 34 Orientation control electrode 35 Auxiliary conductive line

Claims

A liquid crystal display having a plurality of pixel electrodes provided on a first substrate, a common electrode provided on a second substrate, and a liquid crystal provided between the first substrate and the second substrate. In the device
The initial alignment of the liquid crystal is a vertical alignment state,
An alignment control window formed as an absence region of the electrode film layer is provided in the common electrode facing the pixel electrode, and the alignment control windows are close to each other to reduce the line width of the common electrode. An auxiliary conductive line is provided on the common electrode only in the thin line region.

The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the auxiliary conductive line is made of a film having a resistance lower than that of the constituent film of the common electrode.

The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the auxiliary conductive line is made of the same film as a constituent film of the common electrode.

The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the auxiliary conductive line is formed in a region around an effective display region configured by the pixel electrode.

It said auxiliary conductive lines liquid crystal display device as claimed in any one of claims 1 2, characterized in that it consists of opaque material.