JP4037428B2 - センサー用基板 - Google Patents
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Description
好ましくは、基板表面と化学結合を形成する化合物は、チオール化合物、スルフィド化合物又はジスルフィド化合物である。
好ましくは、基板表面と化学結合を形成する化合物は、親水性官能基を有する化合物である。
好ましくは、本発明のセンサー用基板は、バイオセンサー用基板である。
好ましくは、本発明のセンサー用基板は、非電気化学的検出に使用され、さらに好ましくは表面プラズモン共鳴分析に使用される。
本発明のセンサー用基板は、金属から成る基板表面に高分子化合物被膜を有するセンサー用基板であって、基板表面に高分子化合物被膜を形成した後に、基板表面と化学結合を形成する化合物で基板表面を処理することにより得られることを特徴とする。この特徴により、本発明のセンサー用基板では、非特異吸着を抑制しつつ生理活性物質を固定化できるという効果が達成できる。
核酸としては、測定の対象とする核酸と相補的にハイブリダイズするものを使用することができる。核酸は、DNA(cDNAを含む)、RNAのいずれも使用できる。DNAの種類は特に限定されず、天然由来のDNA、遺伝子組換え技術により調製した組換えDNA、又は化学合成DNAの何れでもよい。
低分子有機化合物としては通常の有機化学合成の方法で合成することができる任意の化合物が挙げられる。
免疫グロブリン結合性蛋白質としては、例えばプロテインAあるいはプロテインG、リウマチ因子(RF)等を使用することができる。
糖結合性蛋白質としては、レクチン等が挙げられる。
脂肪酸あるいは脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸、ステアリン酸エチル、アラキジン酸エチル、ベヘン酸エチル等が挙げられる。
被験物質としては例えば、上記した生理活性物質と相互作用する物質を含む試料などを使用することができる。
以下の実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
ゼオネックス(日本ゼオン社製)のペレットを240℃で溶解し、この溶融物を射出成型器で縦8mm×横120mm×1.5mmの基板を成型した。この基板に平行平板型6インチ用スパッタ装置(SH−550、アルバック(株)社製)を用いて基板上に金の
厚さが50nmになるようにスパッタ製膜を行った。エタノール/水(80/20)中11-ヒドロキシ-1-ウンデカンチオールの5.0mM溶液を基板の金膜に接触するように添加し、25℃で18時間表面処理を行った。その後、エタノールで5回、エタノール/水混合溶媒で1回、水で5回洗浄を行った。11-ヒドロキシ-1-ウンデカンチオールで被覆した表面を10質量%のエピクロロヒドリン溶液(溶媒:0.4M水酸化ナトリウム及びジエチレングリコールジメチルエーテルの1:1混合溶液)に接触させ、25℃の振盪インキュベーター中で4時間反応を進行させた。表面をエタノールで2回、水で5回洗浄した。
実施例1のデキストラン固定化基板に後処理を行わないものを比較例1の基板とした。この基板の実施例1と同じ操作を行いCGP-74514A Hydrochlorideの非特異吸着量を測定した。測定結果を表1に示した。
ポリ(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-トリデカフルオロオクチルアクリレート)-ポリ(ベンジルメタクリレート)コポリマー(モノマー質量比4/6、質量平均分子量3万、以降ポリマーAと略記)0.2gをメチルイソブチルケトンに溶解し、液量が100mLになるようにメチルイソブチルケトンを添加した。このポリマーA溶液を0.45μmフィルターで濾過し塗布液Aを調製した。水晶発振子マイクロバランス発振子(ユーエスアイ・システム社製、以降、QCMと略記)を、スピンコート機(MODEL ASS-303、ABLE製)の回転盤の中心に発振子面が水平になるように設置し、1000rpmにて回転させながらポリマー溶液A20μLを発振子の金面上に滴下し、2分後に回転を止めた。次いで、発振子のもう一方の面を上向きに設置し、同じ操作でポリマーA溶液をスピンコート塗布した。
3−カルボキシプロピルジスルフィドの5.0mM溶液に浸漬しなかったこと以外、実施例2と同じ方法でQCM発振子を作成した。このQCM発振子を実施例2と同じ方法で共振振動数の差を測定した。共振振動数の差を表2に示した。
Claims (16)
- 金属から成る基板表面に高分子化合物被膜を有するセンサー用基板であって、金属から成る基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で被覆する工程と、高分子化合物被膜を形成する工程と、下記一般式(1)で表される化合物で基板表面を処理する工程とをこの順に含む工程により得られるセンサー用基板。
一般式(1):X 1 -R 1 -Y 1 (X 1 は非対称又は対称スルフィド、スルフィド、ジセレニド、セレニド、チオール、ニトリル、イソニトリル、ニトロ、セレノール、3価リン化合物、イソチオシアネート、キサンテート、チオカルバメート、ホスフィン、チオ酸またはジチオ酸を示し、R 1 は炭化水素鎖を示し、Y 1 はヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドラジド基、カルボニル基、エポキシ基、又はビニル基を示す。) - 金属から成る基板表面を、一般式(1)で表される化合物で被覆する工程によって、水和層が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサー用基板。
- 基板が、金、銀、銅、白金又はアルミニウムからなる群より選ばれる自由電子金属からなるものである、請求項1又は2に記載のセンサー用基板。
- 一般式(1)で表される化合物が、チオール化合物、スルフィド化合物又はジスルフィド化合物である、請求項1から3の何れかに記載のセンサー用基板。
- 一般式(1)で表される化合物が、親水性官能基を有する化合物である、請求項1から4の何れかに記載のセンサー用基板。
- 一般式(1)のR 1 の炭化水素鎖が直鎖の炭化水素鎖である、請求項1から5の何れかに記載のセンサー用基板。
- 基板表面に高分子化合物被膜を形成した後に基板表面を処理するために使用する一般式(1)で表される化合物と同一の化合物を用いて、高分子化合物被膜を形成する前に基板表面が処理されている、請求項1から6の何れかに記載のセンサー用基板。
- 高分子化合物被膜が、生理活性物質を固定化できる官能基を有している、請求項1から7の何れかに記載のセンサー用基板。
- 高分子化合物被膜が、親水性高分子化合物を含んでなる、請求項1に記載のセンサー用基板。
- 親水性高分子化合物がデキストラン誘導体である、請求項9に記載のセンサー用基板。
- 非電気化学的検出に使用される、請求項1から10の何れかに記載のセンサー用基板。
- 表面プラズモン共鳴分析に使用される、請求項1から11の何れかに記載のセンサー用基板。
- 生理活性物質が共有結合により表面に結合している、請求項1から12の何れかに記載のセンサー用基板。
- (a)金属から成る基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で被覆する工程、(b)高分子化合物被膜を形成する工程、及び(c)高分子化合物被膜が形成された基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で処理する工程をこの順に含む、請求項1から12の何れかに記載のセンサー用基板の製造方法。
一般式(1):X 1 -R 1 -Y 1 (X 1 は非対称又は対称スルフィド、スルフィド、ジセレニド、セレニド、チオール、ニトリル、イソニトリル、ニトロ、セレノール、3価リン化合物、イソチオシアネート、キサンテート、チオカルバメート、ホスフィン、チオ酸またはジチオ酸を示し、R 1 は炭化水素鎖を示し、Y 1 はヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドラジド基、カルボニル基、エポキシ基、又はビニル基を示す。) - (a)金属から成る基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で被覆する工程、(b)高分子化合物被膜を形成する工程、(c)高分子化合物被膜が形成された基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で処理する工程、及び(d)前記工程(c)の後に、高分子化合物被膜に生理活性物質を固定化する工程をこの順に含む、生理活性物質が共有結合により表面に結合している請求項1から12の何れかに記載のセンサー用基板の製造方法。
一般式(1):X 1 -R 1 -Y 1 (X 1 は非対称又は対称スルフィド、スルフィド、ジセレニド、セレニド、チオール、ニトリル、イソニトリル、ニトロ、セレノール、3価リン化合物、イソチオシアネート、キサンテート、チオカルバメート、ホスフィン、チオ酸またはジチオ酸を示し、R 1 は炭化水素鎖を示し、Y 1 はヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドラジド基、カルボニル基、エポキシ基、又はビニル基を示す。) - (a)金属から成る基板表面を、下記一般式(1)で表される化合物で被覆する工程、及び(b)高分子化合物被膜を形成する工程をこの順に含むセンサー用基板の非特異吸着抑制方法であって、(b)工程の後に、下記一般式(1)で表される化合物で処理を行うことを特徴とする、非特異吸着抑制方法。
一般式(1):X 1 -R 1 -Y 1 (X 1 は非対称又は対称スルフィド、スルフィド、ジセレニド、セレニド、チオール、ニトリル、イソニトリル、ニトロ、セレノール、3価リン化合物、イソチオシアネート、キサンテート、チオカルバメート、ホスフィン、チオ酸またはジチオ酸を示し、R 1 は炭化水素鎖を示し、Y 1 はヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドラジド基、カルボニル基、エポキシ基、又はビニル基を示す。)
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CN100541103C (zh) * | 2002-12-10 | 2009-09-16 | 昭和电工株式会社 | 用于热交换器的翅片管,热交换器,用于制造热交换器翅片管的装置以及用于制造热交换器翅片管的方法 |
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