JP4034268B2 - 補助コマンドバスのための方法および装置 - Google Patents
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Description
電子システムの多くが、情報を格納するためにメモリを使用する。メモリ素子は、システムの他の要素と送受信するためのインターフェースを含む。通常のインターフェースは、マルチビットを送ることができるように、種々のバス接続を含む入力および出力をいくつか提供している。特に典型的なメモリ素子は、コントローラからメモリ素子へコマンドおよびアドレス情報を送信するコマンドバスおよびアドレスバスを含んでいる。
本発明の種々の態様による電子システムは、ロケーション固有のコマンドインターフェースおよび一般コマンドインターフェースを有するメモリを含む。メモリは、アドレス固有のコマンドを送るように構成されているメインコマンドバス、および一般コマンドを送るように構成されている補助コマンドバスを介し、システム中の他のコンポーネントと通信する。メモリは各インターフェースで同時にコマンドを受信することができる。たとえば、メモリアクセスをロケーション固有のインターフェースで受信する一方、プリチャージコマンドを一般コマンドインターフェースで受信することができる。
本発明は、機能ブロックコンポーネントおよび種々の処理ステップの観点から記載することができる。このような機能ブロックは、指定された機能を実行するように構成されているハードウェアおよびソフトウエアの任意の数のコンポーネントによって実現することができる。たとえば、本発明は、1台以上のプロセッサまたは他の制御デバイスの管理の下で種々の機能を実行する種々のコンポーネント、たとえばメモリ素子、インターフェース要素、論理素子、バス、パッケージ接続および同種のものを使用することができる。さらに、本発明は、任意の数の記憶システム、およびデータ伝送媒体およびプロトコルと共に実行することができ、記載のシステムは本発明の適用の典型に過ぎない。さらに、本発明は、データ伝送、シグナリング、データ処理、バス制御、および同種のものに関する従来の技術を任意の数だけ使用することができる。
Claims (31)
- プロセッサ(102)と、
複数のメモリロケーションを有する少なくとも1つのメモリバンクを含むメモリ(104)と、
前記メモリに前記プロセッサを接続するバス(106)と
を備え、
前記バスは、
アドレス固有のコマンドを少なくとも送るように構成されているメインコマンドバス(226)であって、前記アドレス固有のコマンドは、前記複数のメモリロケーションのうちの特定の1つに関連付けられている、メモリコマンドバス(26)と、
ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドを少なくとも送るように構成されている補助コマンドバス(228)であって、前記一般コマンドは、前記複数のメモリロケーションのうちの1つより多いメモリロケーションに関連付けられているコマンドである、補助コマンドバス(22)と
を備えている、電子システム(100)。 - 前記バスは、データを伝送するためのデータバス(220)を備えている、請求項1に記載の電子システム。
- 前記バスは、前記アドレス固有のコマンドに対する第1のメモリロケーションを識別するためのアドレスバス(224)を備えている、請求項1または請求項2に記載の電子システム。
- 前記一般コマンドは、前記第1のメモリロケーションに関連していない、請求項3に記載の電子システム。
- 前記一般コマンドは、プリチャージコマンドである、請求項1に記載の電子システム。
- 前記補助コマンドバス(228)は、コマンド種別識別用の信号線(416)を備えており、前記信号線は、1ビット線である、請求項5に記載の電子システム。
- 前記メインコマンドバス(226)は、ロケーション固有のコマンドを少なくとも送り、前記補助コマンドバス(228)は、ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドのみを送る、請求項1に記載の電子システム。
- 前記一般コマンドは、第2のコマンドインジケータであり、前記補助コマンドバス(228)は、前記一般コマンドの後に第3のコマンドを送る、請求項1に記載の電子システム。
- 複数のメモリロケーションを有する少なくとも1つのメモリバンクと、
インターフェースと
を備え、
前記インターフェースは、ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドを少なくとも受信するように構成されている一般コマンドインターフェースを備え、
前記一般コマンドは、前記複数のメモリロケーションのうちの1つより多いメモリロケーションに関連付けられているコマンドである、メモリ。 - 前記インターフェースは、ロケーション固有のコマンドを少なくとも受信するように構成されているロケーション固有コマンドインターフェースをさらに備えている、請求項9に記載のメモリ。
- 前記一般コマンドインターフェースは、プリチャージコマンドを受信するように構成されている、請求項9または請求項10に記載のメモリ。
- 前記ロケーション固有コマンドインターフェースは、ロケーション固有のコマンドと、ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドとを受信するように構成されている、請求項10に記載のメモリ。
- 前記メモリは、複数のメモリバンクを含み、前記インターフェースは、前記一般コマンドに対するメモリバンクアドレス情報を受信するように構成されている一般バンク選択インターフェースをさらに備えている、請求項9に記載のメモリ。
- 前記一般コマンドインターフェースは、プリチャージコマンド受信専用の1ビットのプリチャージ入力をさらに備え、前記一般コマンドは、前記少なくとも1つのメモリバンクに関連付けられているコマンドである、請求項9に記載のメモリ。
- 前記メモリは、複数のメモリバンクと、前記プリチャージコマンドに対するメモリバンクアドレス情報を受信するように構成されている一般バンク選択インターフェースとを含む、請求項14に記載のメモリ。
- メモリコントローラ(212)と、
前記メモリコントローラと通信する請求項9に記載のメモリと
を備え、
前記一般コマンドインターフェースは、前記一般コマンドを少なくとも受信するための補助制御インターフェースであり、
前記メモリインターフェースは、ロケーション固有のコマンドを少なくとも受信するためのメイン制御インターフェースをさらに備えている、メモリシステム(104)。 - 前記一般コマンドは、プリチャージコマンドである、請求項16に記載のメモリシステム(104)。
- 前記一般コマンドは、第2のコマンドインジケータであり、前記補助制御インターフェースは、前記第2のコマンドインジケータの後に第2のコマンドを送るように構成されている、請求項16に記載のメモリシステム(104)。
- プロセッサ(102)と、
前記プロセッサに接続されているメモリシステム(104)と
を備え、
前記メモリシステムは、
前記プロセッサに接続されているメモリコントローラ(212)と、
前記メモリコントローラ(212)に接続されている請求項9に記載のメモリと
を備え、
前記メモリインターフェースは、
アドレス信号を受信するためのアドレスインターフェースと、
メイン制御インターフェースと
をさらに備え、
前記メイン制御インターフェースは、
前記アドレス信号によって指定されたメモリロケーションに関連する第1のコマンド信号を少なくとも受信するためのメインコマンドバスと、
前記第1のコマンド信号に対応する第1のメモリバンクを指定する第1のバンク選択信号を受信するためのメインバンク選択バスと
を備え、
前記一般コマンドインターフェースは、
前記一般コマンドに対応する第2のコマンド信号を少なくとも受信するための補助コマンドバスと、
前記第2のコマンド信号に対応する第2のバンクを指定する第2のバンク選択信号を受信するための補助バンク選択バスと
を備えている、電子システム(100)。 - 前記一般コマンドは、プリチャージコマンドであり、前記一般コマンドインターフェースは、プリチャージコマンドを受信するように構成されている、請求項19に記載の電子システム。
- 前記補助コマンドバスは、コマンド種別識別用の信号線(416)を備えており、前記信号線は、1ビット線である、請求項19に記載の電子システム。
- 前記メイン制御インターフェースは、ロケーション固有のコマンドと、ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドとを受信するように構成されている、請求項19に記載の電子システム。
- 前記補助コマンドバスは、1ビットプリチャージコマンド受信専用である、請求項19に記載の電子システム。
- メモリにアクセスする方法であって、
前記方法は、
第1のタイムスロットにおいて、第1のロウをアクティブにすることを要求することと、
第2のタイムスロットにおいて、前記第1のロウにおけるメモリロケーションにアクセスすることを要求することと、
第3のタイムスロットにおいて、第2のロウをアクティブにすることを要求し、前記第1のロウをクローズすることを要求することと、
メインコマンドバス(226)を提供することであって、前記第2のロウをアクティブにすることを要求することは、前記メインコマンドバス上で起こる、ことと、
補助コマンドバス(228)を提供することであって、前記第1のロウをクローズすることを要求することは、前記補助コマンドバス上で起こる、ことと
を包含する、方法。 - 電子システム(100)内のメモリにアクセスする方法であって、前記メモリは、複数のメモリロケーションを有する少なくとも1つのメモリバンクを含み、
前記方法は、
アドレス固有のコマンドを少なくとも送るように構成されているメインコマンドバス(226)を介して、前記複数のメモリロケーションのうちの1つにアクセスすることと、
補助コマンドバス(228)を介して、前記メモリ上でロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドを少なくとも実行することと
を包含し、
前記一般コマンドは、前記複数のメモリロケーションのうちの1つより多いメモリロケーションに関連づけられているコマンドであり、
前記アクセスすることおよび前記実行することは、プロセッサ(102)と前記メモリとの間の通信を促すように構成されているバス(106)上で起こり、
前記バスは、前記メインコマンドバス(226)と前記補助コマンドバス(228)とを備えている、方法。 - 前記アクセスすることは、データバス(220)上でデータを送ることをさらに包含する、請求項25記載の方法。
- 前記メモリの特定のアドレスは、前記メモリの他の場所のメモリのブロックに対して別の一般コマンドが実行されているサイクルと同じサイクル中に、アクセスされる、請求項26に記載の方法。
- 前記一般コマンドは、プリチャージコマンドである、請求項26に記載の方法。
- 前記補助コマンドバス(228)は、コマンド種別識別用の信号線(416)を備えており、前記信号線は、1ビット線である、請求項26に記載の方法。
- 前記メインコマンドバス(226)は、ロケーション固有のコマンドを少なくとも送り、前記補助コマンドバス(228)は、ロウ/カラムメモリアドレスに関連付けられていない一般コマンドのみを送る、請求項26に記載の方法。
- 前記アクセスすることは、第1のサイクル中に第1の特定のメモリロケーションをアクティブにすることをさらに包含し、
前記アクセスすることは、前記メモリの第2の特定のメモリロケーションであって、前記第1の特定のメモリロケーションとは異なるバンクに位置する第2の特定のメモリロケーションを第2のサイクル中にアクティブにすることをさらに包含し、
前記実行することは、前記第1の特定のメモリロケーションを含むメモリロケーションのバンクを前記第2のサイクル中にクローズすることを包含する、請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/073,740 US6728150B2 (en) | 2002-02-11 | 2002-02-11 | Method and apparatus for supplementary command bus |
PCT/US2003/002610 WO2003069484A2 (en) | 2002-02-11 | 2003-01-29 | Method and apparatus for supplementary command bus in a computer system |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007012054A Division JP2007102823A (ja) | 2002-02-11 | 2007-01-22 | 補助コマンドバスのための方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005518017A JP2005518017A (ja) | 2005-06-16 |
JP4034268B2 true JP4034268B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=27659749
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003568540A Expired - Lifetime JP4034268B2 (ja) | 2002-02-11 | 2003-01-29 | 補助コマンドバスのための方法および装置 |
JP2007012054A Pending JP2007102823A (ja) | 2002-02-11 | 2007-01-22 | 補助コマンドバスのための方法および装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007012054A Pending JP2007102823A (ja) | 2002-02-11 | 2007-01-22 | 補助コマンドバスのための方法および装置 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6728150B2 (ja) |
EP (1) | EP1474749B1 (ja) |
JP (2) | JP4034268B2 (ja) |
KR (1) | KR100647443B1 (ja) |
CN (1) | CN100363917C (ja) |
AT (1) | ATE371899T1 (ja) |
AU (1) | AU2003209422A1 (ja) |
DE (1) | DE60315952D1 (ja) |
DK (1) | DK1474749T3 (ja) |
TW (1) | TWI241519B (ja) |
WO (1) | WO2003069484A2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
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- 2003-01-29 AT AT03707583T patent/ATE371899T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-01-29 JP JP2003568540A patent/JP4034268B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-29 AU AU2003209422A patent/AU2003209422A1/en not_active Abandoned
- 2003-01-29 WO PCT/US2003/002610 patent/WO2003069484A2/en active IP Right Grant
- 2003-01-29 KR KR1020047012396A patent/KR100647443B1/ko active IP Right Grant
- 2003-01-29 DK DK03707583T patent/DK1474749T3/da active
- 2003-01-29 EP EP03707583A patent/EP1474749B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-29 DE DE60315952T patent/DE60315952D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-29 CN CNB038037181A patent/CN100363917C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-30 TW TW092102144A patent/TWI241519B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-03-23 US US10/708,751 patent/US6876589B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-11-30 US US10/904,811 patent/US7339838B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007012054A patent/JP2007102823A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003069484A2 (en) | 2003-08-21 |
KR100647443B1 (ko) | 2006-11-23 |
US7339838B2 (en) | 2008-03-04 |
DE60315952D1 (de) | 2007-10-11 |
US20050088902A1 (en) | 2005-04-28 |
EP1474749B1 (en) | 2007-08-29 |
TWI241519B (en) | 2005-10-11 |
CN1630858A (zh) | 2005-06-22 |
US6728150B2 (en) | 2004-04-27 |
JP2005518017A (ja) | 2005-06-16 |
EP1474749A2 (en) | 2004-11-10 |
CN100363917C (zh) | 2008-01-23 |
US20040170071A1 (en) | 2004-09-02 |
TW200304087A (en) | 2003-09-16 |
AU2003209422A1 (en) | 2003-09-04 |
DK1474749T3 (da) | 2007-12-03 |
US6876589B2 (en) | 2005-04-05 |
ATE371899T1 (de) | 2007-09-15 |
JP2007102823A (ja) | 2007-04-19 |
US20030151963A1 (en) | 2003-08-14 |
WO2003069484A3 (en) | 2003-12-18 |
AU2003209422A8 (en) | 2003-09-04 |
KR20040081197A (ko) | 2004-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071024 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4034268 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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