JP4019791B2

JP4019791B2 - Deposition equipment

Info

Publication number: JP4019791B2
Application number: JP2002156119A
Authority: JP
Inventors: 稔熊谷; 悟下田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2002-05-29
Filing date: 2002-05-29
Publication date: 2007-12-12
Anticipated expiration: 2022-05-29
Also published as: JP2003347048A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ素子のＥＬ層を成膜する成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子はアノード電極、有機材料からなる有機ＥＬ層、カソード電極の順に積層された積層構造を為しており、アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると有機ＥＬ層において発光する。このような有機ＥＬ素子を画素として基板上にマトリクス状に配列して、各有機ＥＬ素子を所定の階調輝度で発光することによって画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブマトリクス構造の有機ＥＬ表示パネルでは、アノード電極又はカソード電極のうちの一方の電極を全ての画素に共通する共通電極とすることができるが、少なくとも他方の電極及び有機ＥＬ層を画素ごとにパターニングする必要がある。アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングする手法は従来の半導体素子製造技術を適用できる。つまり、真空蒸着法、スパッタ法のようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜の形状加工工程を適宜行うことで、アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングすることができる。
【０００４】
有機ＥＬ層の成膜方法については、材料等の条件に応じてドライ蒸着法と湿式コーティング法に大別できる。ドライ蒸着法を用いる場合には、ドライ蒸着法により有機ＥＬ層を一面に成膜した後にシャドウマスクを行い、その後マスクの無い部分をエッチングで除去すると、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。一方、湿式コーティング法を用いる場合には、インクジェット技術を応用することで画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。つまり、有機ＥＬ層になる材料を溶媒で溶解してなるＥＬ溶液の液滴を画素ごとに噴出することで、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。インクジェット技術を応用した湿式コーティング法では成膜工程と、画素ごとのパターニング工程をほぼ同時に行えることから、インクジェット方式は主流の技術となりつつある。
【０００５】
ところで、高解像度の画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルを提供するためには、有機ＥＬ層を微細パターンで形成しなければならない。インクジェット方式では、ＥＬ溶液の液滴の粒径が非常に小さいため有機ＥＬ層を微細パターンで形成することは可能であるが、液滴が着弾した形状で固化してしまうため、所望の形状に成膜しにくく、また固化するまでの間に滲んで拡散してしまうため、わずかなインクジェットヘッドの位置ズレや着弾位置ずれにより隣りの画素の有機ＥＬ層のＥＬ溶液と混じってしまう恐れがあった。そこで、基板上に予め網目状の隔壁を微細パターニングしてから、隔壁によって囲繞された領域に液滴を噴出することで、隣り合う画素同士のＥＬ溶液が混ざることを防止する技術が提案されている。
【０００６】
図１１には、隔壁３０８を具備する従来の有機ＥＬ表示パネル３０１が示されている。この有機ＥＬ表示パネル３０１では、平面視して網目状の隔壁３０８が基板３１２に形成されており、隔壁３０８に囲繞された一つの領域に一つの有機ＥＬ素子３０２が設けられ、このような有機ＥＬ素子３０２が複数マトリクス状に配列されている。また、隔壁３０８の密着性を向上させるため、酸化シリコンからなる網目状の下地層３０９が隔壁３０８と基板３１２との間に形成されている。
【０００７】
この有機ＥＬ表示パネル３０１の製造方法としては、まず、基板３１２上に複数のアノード電極３１５をマトリクス状にパターニングした後、各アノード電極３１５の間において基板３１２上に下地層３０９を網目状にパターニングする。次に、下地層３０９上に隔壁３０８をパターニングする。
【０００８】
次に、酸素プラズマクリーニング装置にこの基板３１２をセットして、酸素プラズマクリーニング装置でアノード電極３１５上に付着した有機汚物をアッシングすることでアノード電極３１５をクリーニングする。アノード電極３１５をクリーニングするのは、有機ＥＬ層３１６をインクジェット方式で成膜するに際してＥＬ溶液の液滴がアノード電極３１５上で濡れやすくするためである。
【０００９】
次に、フッ化物プラズマ照射装置にこの基板３１２をセットして、フッ化物プラズマ照射装置で隔壁３０８にフッ化物プラズマ照射することで隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成する。隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成するのは、隔壁３０８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも隔壁３０８上にＥＬ溶液が滲むことを防止してアノード電極３１５上のみにＥＬ溶液が定着させるとともに、隔壁３０８上で隣り合う画素のＥＬ溶液が混じることを防止するためである。
【００１０】
次に、インクジェット式成膜装置にこの基板３１２をセットして、インクジェット式成膜装置で各アノード電極３１５上にＥＬ溶液を噴出後に乾燥させて、各アノード電極３１５上に有機ＥＬ層３１６をパターニングする。
次に、有機ＥＬ層３１２上にカソード電極３１７を成膜する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記製造方法では、下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０８をパターニングしているため、下地層３０９上に隔壁３０８が確実に成膜されるように、平面視して下地層３０９の幅を隔壁３０８の幅より広くする必要がある。このように下地層３０９の幅が隔壁３０８の幅より広く、下地層３０９がアノード電極３１５の周縁部上に形成されるため、発光部分が狭く、所謂開口率が低い。一方、下地層３０９の幅を狭くすることで開口率を高めたものとしても、隔壁３０８の形成において隔壁３０８がアノード電極３１５上にはみ出てしまうため隔壁３０８の密着性が低下する。従って、隔壁３０８はアノード電極３１５に重なった部分から剥がれてしまう恐れがある。
【００１２】
一方、酸素プラズマクリーニングを行わなければ、ＥＬ溶液がアノード電極３１５上で広がらず、アノード電極３１５上において有機ＥＬ層３１６の成膜されていない部分が生じてしまう恐れがある。また、フッ化物プラズマ照射を行わなければ、ＥＬ溶液が隔壁３０８上に滲んでしまい、隣り同士の画素同士のＥＬ溶液が隔壁３０８上で混じってしまう可能性がある。しかしながら、酸素プラズマクリーニングやフッ化物プラズマ照射を行うため、製造工程が煩雑になる。
【００１３】
以上のように従来の製造方法では、高品質の有機ＥＬ表示パネルの提供と、製造工程の簡便さとを両立するにも限度がある。そこで、本発明の課題は、高品質のＥＬ表示パネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、例えば図１、図２に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一方の面（例えば、表面６ａ）に形成された隔壁（例えば、隔壁８）によって囲繞され且つ前記基板の一方の面に形成された電極（例えば、アノード電極１５）にＥＬ層（例えば、有機ＥＬ層１６）を成膜する成膜装置（例えば、成膜装置５０）において、
前記基板の一方の面の上方において前記基板に対して相対的に移動する移動体（例えば、ヘッド部５４）と、
前記移動体に設けられ、前記電極に向けて酸素プラズマを照射する酸素プラズマ照射部（例えば、酸素プラズマ照射ヘッド５６）と、
前記移動体に設けられ、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部（例えば、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）と、
を備えることを特徴とする。
【００２３】
請求項１に記載の発明では、酸素プラズマ照射部で電極に酸素プラズマ照射することで電極がクリーニングされるが、酸素プラズマ照射部と液滴噴出部が移動体に設けられているため、電極がクリーニングされてからすぐに電極に液滴を噴出することができる。そのため、電極の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で液滴が電極に着弾するから、液滴が電極上で広がりやすく、液滴が固化してなるＥＬ層の膜厚が均等になる上、電極上においてＥＬ層の成膜されていない部分が無い。従って、ＥＬ層において全体的に均等な明るさで発光し、高品質なＥＬパネルを提供することができる。
【００２４】
また、基板の上方において基板に対して相対的に移動する移動体に酸素プラズマ照射部が設けられているから、部分的に酸素プラズマを電極に照射することができ、酸素プラズマを隔壁に噴射しなくても済む。従って、酸素プラズマによって隔壁がアッシングされることがない。
【００２５】
また、移動体に酸素プラズマ照射部及び液滴噴出部が設けられているから、基板を酸素プラズマクリーニング用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、電極のクリーニングとＥＬ層の成膜を同じ装置で行える。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【００２６】
請求項２記載の発明は、例えば図１、図２に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一方の面（例えば、表面６ａ）に形成された隔壁（例えば、隔壁８）によって囲繞され且つ前記基板の一方の面に形成された電極（例えば、アノード電極１５）にＥＬ層（例えば、有機ＥＬ層１６）を成膜する成膜装置（例えば、成膜装置５０）において、
前記基板の一方の面の上方において前記基板に対して相対的に移動する移動体（例えば、ヘッド部５４）と、
前記移動体に設けられ、フッ素を含む化合物ガスのプラズマを前記隔壁に向けて照射するフッ化物プラズマ照射部（例えば、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７）と、
前記移動体に設けられ、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴（例えば、液滴１１６）として前記電極に向けて噴出する液滴噴出部（例えば、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）と、
を備えることを特徴とする。
【００２７】
請求項２記載の発明では、フッ化物プラズマ照射部で隔壁にフッ化物プラズマ照射することで隔壁の表層に撥液性のフッ化物層が形成されるが、フッ化物プラズマ照射部と液滴噴出部が移動体に設けられているため、フッ化物層が形成されてからすぐに電極に液滴を噴出することができる。そのため、隔壁の表層の撥液性を安定して高い状態に維持した状態で液滴が電極に着弾するから、ＥＬ溶液が隔壁上に広がることもなく、隣り同士の画素のＥＬ溶液が混じることもない。よって、ＥＬパネルは高コントラストであり、高品質のＥＬパネルを提供することができる。
【００２８】
また、基板の上方において基板に対して相対的に移動する移動体にフッ化物プラズマ照射部が設けられているから、部分的にフッ化物プラズマを隔壁に照射することができ、フッ化物プラズマを電極に噴射しなくても済む。従って、電極に撥液性のフッ化物層が形成されない。
【００２９】
また、移動体にフッ化物プラズマ照射部及び液滴噴出部が設けられているから、基板をフッ化物プラズマ照射用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、フッ化物プラズマ照射とＥＬ層の成膜を同じ装置で行える。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。なお、以下の説明において、『平面視して』とは、『発光面に対して垂直な方向に見て』という意味である。
【００３１】
図１には、有機ＥＬ表示パネル１の断面図が示されている。
平面視して、有機ＥＬ表示パネル１では赤色、緑色及び青色の複数の画素がマトリクス状に配列されており、一つの画素は、一つの有機ＥＬ素子２（詳細については後述する。）によって発光する発光部３と、その発光部３の周囲において発光しない非発光部４とからなる。
【００３２】
有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマトリクス駆動方式によりカラー表示を行うものである。即ち、有機ＥＬ表示パネル１は、一つの画素につき、一つの有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２を駆動するための一つの画素スイッチング回路（薄膜トランジスタ５を含む）と、から構成されており、周辺ドライバ回路から出力された信号に従って画素スイッチング回路が有機ＥＬ素子２に流れる電流をオン・オフしたり、有機ＥＬ素子２の発光期間中に電流値を保持することで有機ＥＬ素子２の発光輝度を一定に制御したりする。なお、画素スイッチング回路は、一つにつき、少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと述べる。）から構成され、適宜コンデンサ等も付加されることもあるが、以下では画素スイッチング回路のＴＦＴのうち、他の電気素子を介しないで有機ＥＬ素子２に直接接続されるＴＦＴ５を例にして説明する。
【００３３】
有機ＥＬ表示パネル１は、画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を有するＴＦＴ駆動基板６と、ＴＦＴ駆動基板６に対向した平板状の対向基板７と、ＴＦＴ駆動基板６と対向基板７との間においてマトリクス状にパターニング形成された複数の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の周囲に設けられた平面視網目状の隔壁８と、隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に形成された平面視網目状の下地層９と、隔壁８及び下地層９の表層の撥液層１０と、有機ＥＬ素子２を封止する封止樹脂層１１等とを具備する。
【００３４】
ＴＦＴ駆動基板６は、光に対して透過性を有する絶縁性の透明基板１２を基本構成としている。透明基板１２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で平板状に形成されている。この透明基板１２の一方の面１２ａにＴＦＴ５、配線１９（例えば、走査線、信号線等）、その他の電気素子等が形成され、透明基板１２の全面にゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１４が成膜されて、ＴＦＴ駆動基板６が構成される。
【００３５】
ＴＦＴ５は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、半導体層、不純物半導体層等から構成されたＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、半導体層はアモルファスシリコンであっても、ポリシリコンであってもよく、逆スタガ構造であってもコプラナ構造であってもよい。更に、ＴＦＴ５は配線１９に接続されており、周辺ドライバ回路から各ＴＦＴ５に電流が流れたり、電圧が印加されたりする。ゲート絶縁膜１３は、ＴＦＴ５の半導体層、不純物半導体層、ソース電極並びにドレイン電極とゲート電極との間に介在するとともに、走査線等の配線１９を被覆する。ゲート絶縁膜１３は、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。層間絶縁膜１４は、全てのＴＦＴ５を被覆して、ＴＦＴ駆動基板６の表面６ａを構成する。また、層間絶縁膜１４は信号線等の配線も被覆する。層間絶縁膜１４は、可視光に対して透光性を有するとともに絶縁性を有する。
【００３６】
層間絶縁膜１４上に複数の有機ＥＬ素子２がマトリクス状に配列されている。各有機ＥＬ素子２は、アノード電極（第一電極）１５と、有機ＥＬ層１６と、カソード電極（第二電極）１７とを具備しており、層間絶縁膜１４側から順にアノード電極１５、有機ＥＬ層１６、カソード電極１７が積層した積層構造となっている。
ここでは、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通した電極となっており、一面に形成されている。一方、アノード電極１５及び有機ＥＬ層１６は、画素ごとに設けられており、平面視して複数マトリクス状に配列されている。
【００３７】
アノード電極１５は、導電性を有するとともに可視光に対して透光性を有している。更に、アノード電極１５は、比較的仕事関数が高く、有機ＥＬ層１２へ正孔を効率よく注入するものが好ましい。アノード電極１５としては、インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ:Indium-Tin-Oxide）が望ましいが、例えば、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としたものでも良い。なお、画素ごとに層間絶縁膜１４にコンタクトホール１８が設けられており、コンタクトホール１８を介してＴＦＴ５のドレイン電極又はカソード電極がアノード電極１５に電気的に接続されている。
【００３８】
有機ＥＬ層１６は、アノード電極１５上に形成されている。有機ＥＬ層１６は、例えば、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造であっても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良いし、その他の層構造であっても良い。
【００３９】
有機ＥＬ層１６は、正孔及び電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成して赤色、緑色又は青色の何れかに発光する機能を有する広義の発光層である。つまり、画素が赤である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は赤色に発光し、画素が緑である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は緑色に発光し、画素が青である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は青色に発光する。
【００４０】
また、有機ＥＬ層１６は、電子的に中立な有機化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が有機ＥＬ層１６でバランス良く注入及び輸送される。また、電子輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良い。なお、有機ＥＬ層１６に発光材料（蛍光材料）が含有されているが、発光材料は高分子系材料である。この有機ＥＬ層１６は、後述する成膜装置５０によって液滴噴出方式（所謂インクジェット方式）で形成されたものである。
【００４１】
カソード電極１７は、仕事関数の低い材料で形成されており、具体的なものとして、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウム又はこれらの少なくとも一種を含む合金若しくは混合物等で形成され、その上を例えばアルミニウム、クロム等高仕事関数で且つ低抵抗の材料で覆った積層構造になっている。また、カソード電極１７は可視光に対して遮光性を有するのが望ましく、かつ、有機ＥＬ層１６から発する可視光に対して高い反射性を有するのが望ましい。つまり、カソード電極１７は可視光を反射する鏡面として作用する。
【００４２】
マトリクス状に配列された複数のアノード電極１５及び有機ＥＬ層１６をそれぞれ仕切るように、下地層９及び隔壁８が平面視して網目状に設けられている。下地層９は、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）により形成されており、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。
【００４３】
隔壁８は、下地層９上に形成されており、平面視して下地層９の形状に合致している。従って、平面視して、隔壁８が下地層９からはみ出ておらず、下地層９が隔壁８からはみ出ていない。また、隔壁８は、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂で形成されている。隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に下地層９が介在することで、ＴＦＴ駆動基板６に対して隔壁８の密着性が高くなっている。隔壁８及び下地層９の表層に撥液層１０が形成されているが、撥液層１０はフッ素と炭素の化合物であり、有機ＥＬ層１６の材料（有機ＥＬ材料）を数％の濃度で溶媒に溶解したＥＬ溶液をはじく性質を有する。なお、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通の電極であるため、隔壁８の上面や隔壁８の側面上にも形成されている。
【００４４】
封止樹脂層１１は、以上のように構成された複数の有機ＥＬ素子２全体を被覆するように成膜されている。この封止樹脂層１１は、例えば、エポキシ樹脂等により形成されている。対向基板７は、この封止樹脂層１１によって有機ＥＬ素子２上に接着されており、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で形成されている。
【００４５】
次に、液滴噴出方式で有機ＥＬ層１６を成膜する成膜装置５０について説明する。
図２には、成膜装置５０が示された概略側面図である。
成膜装置５０は、有機溶媒（例えば、トルエン又はキシレン等）または水溶性の溶媒に有機ＥＬ層１６の材料（発光性物質、正孔輸送性物質、電子輸送性物質等の有機ＥＬ材料）が溶解してなるＥＬ溶液を液滴としてＴＦＴ駆動基板６に噴出することで有機ＥＬ層１６を成膜するものである。ここで、有機ＥＬ層１６を成膜する際には、下地層９、隔壁８及びアノード電極１５が表面６ａ上に形成されているＴＦＴ駆動基板６を用いる。
【００４６】
成膜装置５０は、平坦で且つ水平な上面を有するワークテーブル５１と、ワークテーブル５１を副走査方向Ｙ（ワークテーブル５１に平行である。）の順方向及び逆方向の両方に移動する移動装置５２と、副走査方向Ｙに対して略直角な主走査方向Ｘ（ワークテーブル５１に平行である。）に延在するガイド部５３と、ガイド部５３に案内されてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘの順方向及び逆方向に移動するヘッド部５４と、ＥＬ溶液を液滴として噴出する複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと、プラズマ照射を行う酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７と、内部空間６６ａを形成した箱体６６等とを具備する。
【００４７】
ワークテーブル５１にはＴＦＴ駆動基板６が載置される。
移動装置５２は、ヘッド部５４の動作に合わせてワークテーブル５１とともにＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに搬送するものであり、具体的には、間欠的にＴＦＴ駆動基板６を搬送するものである。
【００４８】
ヘッド部５４は、間欠的なＴＦＴ駆動基板６の搬送に合わせて、ワークテーブル５１上においてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘに往復移動するものであり、具体的にはＴＦＴ駆動基板６が停止している際に主走査方向Ｘに少なくとも一往復の移動をするものである。
【００４９】
ヘッド部５４に複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、主走査方向Ｘに一列となって等間隔に並んでいる。
【００５０】
各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの内部にはそれぞれ互いに発光色の異なる有機ＥＬ材料を含むＥＬ溶液が充填されており、各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂには噴出手段が設けられているとともに、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの下端部にはそれぞれ噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５Ｂａが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれの噴出手段の作動によりそれぞれの噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５ＢａからＥＬ溶液をＴＦＴ駆動基板６に向けて噴出する。噴出手段は、サーマルジェット式、ピエゾ式又は静電式等が挙げられる。
【００５１】
サーマルジェット式の噴出手段は、発熱体でノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内のＥＬ溶液に気泡を発生することでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００５２】
ピエゾ式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したピエゾ素子の体積を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００５３】
静電式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したコンデンサに電圧を印加してコンデンサの電極の引力又は斥力を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００５４】
なお、噴出口５５Ｒａからは、赤色に発光する有機ＥＬ層１６のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｇａからは緑発光のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｂａからは青発光のＥＬ溶液が噴出される。
【００５５】
更に、ヘッド部５４には、酸素プラズマ照射ヘッド５６と、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７とが設けられている。酸素プラズマ照射ヘッド５６は、ＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素のプラズマ照射を行うものである。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物のプラズマ照射を行うものである。
【００５６】
酸素プラズマ照射においては、酸素ガス供給源５８からガス混合器６０へ酸素ガスが供給され、不活性ガス供給源５９からガス混合器６０へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス、又は酸素ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６０から酸素プラズマ照射ヘッド５６へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６１で酸素プラズマ照射ヘッド５６の電極に高周波電圧が印加されると、酸素プラズマ照射ヘッド５６からＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素プラズマ（電離した酸素ガス（例えば、酸素ラジカル、酸素イオン等））が照射されるようになっている。酸素プラズマ照射ヘッド５６から照射されたプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。
【００５７】
フッ化物プラズマ照射においては、フッ化物ガス供給源６２からガス混合器６４へＦ₂ガス又はＣＦ₄ガス（以下、Ｆ₂ガス、ＣＦ₄ガスをまとめてフッ化物ガスと称する。）が供給され、不活性ガス供給源６３からガス混合器６４へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、フッ化物ガスとアルゴンガスの混合ガス、又はフッ化物ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６４からフッ化物プラズマ照射ヘッド５７へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６５でフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の電極に高周波電圧が印加されると、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物プラズマ（電離したフッ化物ガス（例えば、フッ化物ラジカル、フッ化物イオン等））が照射されるようになっている。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７から照射されるプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。なお、ガス混合器６４へＯ₂ガスが供給されても良い。
【００５８】
酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂとともに主走査方向Ｘに一列となって並んでいる。つまり、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは一直線状に配列されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂを結ぶ直線は主走査方向Ｘに平行となっている。
【００５９】
また、酸素プラズマ照射ヘッド５６は、主走査方向Ｘの順方向の最前に配置されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６の逆方向側にフッ化物プラズマ照射ヘッド５７が配置されており、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７の逆方向側にノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが配置されている。従って、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している場合、ＴＦＴ駆動基板６上のある点の直上を、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの順に通過する。なお、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの並び順は、どのような並び順であっても良い。
【００６０】
ワークテーブル５１、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、箱体６６内に配設されている。従って、ＴＦＴ駆動基板６が副走査方向Ｙに移動されること、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５ＢからＥＬ溶液の液滴が噴出されること、ＥＬ溶液の液滴がＴＦＴ駆動基板６に着弾すること、ＴＦＴ駆動基板６に酸素プラズマ照射すること、及びＴＦＴ駆動基板にフッ化物プラズマ照射することが、箱体６６の内部空間６６ａにおいて行われる。
【００６１】
なお、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、高周波電源６１及び高周波電源６５は制御装置（図示略）によって制御されて所定タイミングで動作したり、停止したりする。
【００６２】
有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴ駆動基板６を製造する。つまり、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、画素ごとに画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を透明基板１２の面１２ａにパターニング形成するとともに、面１２ａに配線１９をパターニング形成し、更に一面に層間絶縁膜１４を成膜する。
【００６３】
次に、層間絶縁膜１４にコンタクトホールを形成後、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、層間絶縁膜１４上に複数のアノード電極１５をマトリクス状にパターニング形成し、コンタクトホール１８を介してアノード電極１５をＴＦＴ５に接続する（図３）。なお、図３（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図３（ａ）は図３（ｂ）の破断線Ａ−Ａにおける断面図を示す。
【００６４】
次に、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、複数のアノード電極１５の形成された層間絶縁膜１４上の一面に酸化シリコン下地膜９’を成膜する（図４）。ここで、酸化シリコン下地膜９’で全てのアノード電極１５を被覆するように、酸化シリコン下地膜９’を成膜する。なお、図４（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図４（ａ）は図４（ｂ）の破断線Ｂ−Ｂにおける断面図を示す。
【００６５】
次に、スピンコート法又はディップ法等によって、酸化シリコン下地膜９’上の一面に感光性樹脂のレジスト膜８’を成膜する（図５）。酸化シリコン下地膜９’はレジスト膜８’に対して密着性が高いから、酸化シリコン下地膜９’を成膜せずにＴＦＴ駆動基板６の透明基板１２のガラス表面やアノード電極１５の表面に直接レジスト膜８’を成膜した場合よりもレジスト膜８’が剥がれにくい。なお、図５（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図５（ａ）は図５（ｂ）の破断線Ｃ−Ｃにおける断面図を示す。
【００６６】
次に、レジスト膜８’を形状加工するために、レジスト膜８’を選択的に露光する。ここで、レジスト膜８’がネガ型である場合には隔壁８となる部分を露光し、レジスト膜８’がポジ型である場合には隔壁８となる部分以外を露光する。次に、レジスト膜８’に現像液を散布して、隔壁８となる部分以外のレジスト膜８’を現像液で除去することで、レジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８となる（図６）。ここで、図６（ｂ）に示すように、平面視して、各アノード電極１５の外縁部に隔壁８の一部が重なるようにレジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’を形状加工することで隔壁８が形成されるが、隔壁８で囲繞される囲繞領域は複数形成され、この時点では平面視してそれぞれの囲繞領域に一つのアノード電極１５が配される。なお、図６（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図６（ａ）は図６（ｂ）の破断線Ｄ−Ｄにおける断面図を示す。
【００６７】
次に、隔壁８をマスクとして酸化シリコン下地膜９’をＣ₄Ｆ₈ガスによるドライエッチング（プラズマエッチング）を行う。これにより、酸化シリコン下地膜９’のうち隔壁８に平面視して重なっていない部分が除去され、隔壁８に重なった部分が残留して下地層９となる（図７）。隔壁８をマスクとしているため、図７（ｂ）に示すように、酸化シリコン下地膜９’の残留した部分（つまり、下地層９）の形状は平面視して隔壁８に合致しており、下地層９が隔壁８からはみ出ていることもなく、隔壁８が下地層９からはみ出ていることもない。隔壁８によって囲繞された囲繞領域で酸化シリコン下地膜９’が除去されることで、囲繞領域にアノード電極１５が露出する。
【００６８】
また、ドライエッチングにおいてＣ₄Ｆ₈がプラズマ化すると、ＣＦやＣＦ₂のラジカル種が発生するが、ラジカル種が酸化シリコンと反応するから酸化シリコン下地膜９’が除去される。一方、ラジカル種は感光性樹脂（ポリイミド樹脂）と反応しないため、隔壁８の表層ではラジカル種が重合することで、フッ素と炭素の化合物が形成されて、隔壁８の表層に撥液層１０が形成される。従って、隔壁８をマスクとしたＣ₄Ｆ₈ガスのドライエッチングによって、酸化シリコン下地膜９’を形状加工することと、隔壁８の表層に撥液層１０を成膜することを同時行うことができる上、更に、下地層９の形状を隔壁８と合致することができる。なお、エッチングガスとしてＣ₄Ｆ₈の代わりに、ＣＦ₄やこれらの少なくともいずれかを含む混合ガスを用いても良く、酸化シリコン下地膜９’をエッチングできるとともに隔壁８の表層にフッ素化合物の撥液層１０を成膜できるフッ素化合物ガスであれば何でも良い。なお、図７（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図７（ａ）は図７（ｂ）の破断線Ｅ−Ｅにおける断面図を示す。
【００６９】
次に、アノード電極１５、隔壁８、下地層９及び撥液層１０の形成されたＴＦＴ駆動基板６を成膜装置５０にセッティングする。つまり、箱体６６内のワークテーブル５１上にＴＦＴ駆動基板６を載置する。次に、成膜装置５０を用いて、アノード電極１５を酸素プラズマ照射することでアノード電極１５をクリーニングしつつ、且つ、隔壁８をフッ化物プラズマ照射することで隔壁８の表層に撥液層１０を成膜しつつ、隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機溶媒の液滴を噴出することで隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機ＥＬ層１６を成膜する。
【００７０】
詳細には成膜装置５０は、制御装置に制御されて以下のように動作する。
つまり、成膜装置５０が、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに間欠的に搬送する。ここで、ＴＦＴ駆動基板６が停止している際に、ヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくとも一往復する。
【００７１】
図８に示すように、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している最中では、まず、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過するとともに、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過する。酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過している最中には、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５に向けて酸素プラズマを噴出し、これによりアノード電極１５の表面に付着した有機不要物が灰化（アッシング）されて、アノード電極１５がクリーニングされる。
【００７２】
一方、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過している最中には、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８に向けてフッ化物プラズマを噴出し、これにより隔壁８の表層でフッ化物プラズマのラジカル種が重合して、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。先程のドライエッチングによって撥液層１０が十分に成膜されていない場合でも、フッ化物プラズマ照射によって隔壁８の表層に撥液層１０が確実に成膜される。
【００７３】
酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５上の通過後、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５の直上を通過する。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５上を通過している最中には、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂのうちの色に応じた一つのノズルがアノード電極１５に向けてＥＬ溶液を液滴１１６として一回又は複数回噴出する。
【００７４】
アノード電極１５に着弾した液滴１１６がアノード電極１５上で広がって膜になり、そして固化することによって、有機ＥＬ層１６が形成される。アノード電極１５がプラズマクリーニングされているので、アノード電極１５はＥＬ溶液に対して濡れ性が高いとともに撥液性が低いから、ＥＬ溶液はアノード電極１５上で広がりやすい。従って、隔壁８に囲繞された囲繞領域において、ＥＬ溶液がアノード電極１５一面に広がり、有機ＥＬ層１６がアノード電極１５の一面に均等な厚さで成膜される。
【００７５】
また、隔壁８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも、隔壁８の表層に撥液性の高い撥液層１０が成膜されているため、ＥＬ溶液が隔壁８上に滲むことがない。そのため、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。ここで、固体（撥液層１０）の臨界表面張力をγｃとし、液体（ＥＬ溶液）の表面張力をγＬとし、固体と液体との接触角をθとすると、式（１）のような関係式が成立する。
ＣＯＳθ＝１＋ｂ（γ_c−γ_L） …（１）（但し、ｂは定数）
撥液層１０の材料から望ましいＥＬ溶液の表面張力を考慮すると、撥液層１０がポリ四フッ化エチレンからできている場合、臨界界面張力γ_cは約１８×１０^-3となる。このため、表面張力γ_Lが、γ_L＜１８×１０^-3［Ｎ／ｍ］であるＥＬ溶液であれば、ポリ四フッ化エチレンの撥液層１０の撥液性が生じ効果が生じることになる。ＥＬ溶液の表面張力から望ましい撥液層１０の材料を考慮すると、ＥＬ溶液中の有機溶剤で主に用いられるトルエンやキシレンの表面張力は、γ_L≒２８×１０^-3［Ｎ／ｍ］であり、ＥＬ溶液もほぼ同様の値なので撥液層１０の臨界界面張力γ_cが表面張力より小さくなれば、良好な撥液性を示すから、撥液層１０の臨界界面張力γ_c≦２８×１０^-3［Ｎ／ｍ］が望ましい。
【００７６】
以上のようにヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくと一往復した後、成膜装置５０は、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに所定距離搬送する。そして、ＴＦＴ駆動基板６が再び停止したら、成膜装置５０はヘッド部５４の往復移動、ＥＬ溶液の噴出、及びプラズマ照射を再び行う。以降、成膜装置５０が上述の動作を繰り返すことにより、隔壁８に囲繞された囲繞領域全てに有機ＥＬ層１６が成膜される。
【００７７】
なお、酸素プラズマ照射ヘッド５６によるプラズマ照射、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７によるプラズマ照射及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂによる液滴噴出が行われている最中には、ヘッド部５４が停止しても良いし、ヘッド部５４が移動していても良い。また、隔壁８の寸法や間隔、隔壁８に囲繞された囲繞領域の寸法や間隔が予め制御装置に記憶されており、記憶されたデータに基づいて制御装置は、ヘッド部５４の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、移動装置５２の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの噴出タイミング、酸素プラズマ照射ヘッド５６の照射タイミング、及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の照射タイミングを演算し、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７を制御する。
【００７８】
成膜装置５０による有機ＥＬ層１６の成膜が終了したら、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、一面にカソード電極１７を成膜する。次に、流動性のある封止樹脂をディスペンサ装置又はスプレー装置等によって一面に塗布し、封止樹脂でカソード電極１７に対向基板７を接着する。封止樹脂が固化することで、それが封止樹脂層１１となり、有機ＥＬ表示パネル１が完成する。
【００７９】
以上の実施の形態では、隔壁８をマスクとしてドライエッチングすることによって下地層９を形状加工しているため、隔壁８に下地層９を合致することができる。故に、平面視して、下地層９の面積を最小限にすることができ、発光部３を最大限に広げることができる。従って、この有機ＥＬ表示パネル１では、画素の発光効率が高く、高コントラストの表示を行うことができる。
【００８０】
また、平面視して隔壁８が下地層９に合致しているため、隔壁８がアノード電極１５上にはみ出ていない。従って、隔壁８が剥がれにくい。
【００８１】
また、隔壁８をマスクに代用しているため、従来のように下地層３０９に形状加工した後に隔壁３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、本実施形態では工程が省略されて、有機ＥＬ発光パネルの製造方法が簡便化される。
【００８２】
また、以上の説明では、撥液層１０を確実に成膜するために成膜装置５０でフッ化物プラズマ照射を行っていたが、ドライエッチングによって撥液層１０を成膜することを同時行うことができるから、フッ化物プラズマ照射を省略することができる。
【００８３】
また、成膜装置５０には酸素プラズマ照射機能が付加されているから、プラズマクリーニング用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、アノード電極１５のクリーニングと有機ＥＬ層１６の成膜を行える。つまり、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと酸素プラズマ照射ヘッド５６とがヘッド部５４に設けられているから、アノード電極１５をプラズマクリーニングした直後にＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に噴出することができる。従い、アノード電極１５の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができ、有機ＥＬ層１６を均等な厚さで成膜することができる。そのうえ、所謂白抜けの発生を抑えることができる。ここで白抜けとは、隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極１５上において有機ＥＬ層１６の成膜されていない部分であり、隔壁８に囲繞された囲繞領域において発光しない部分である。
【００８４】
また、成膜装置５０にフッ化物プラズマ照射機能が付加されているから、フッ化物プラズマ照射用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、撥液層１０の成膜と有機ＥＬ層１６の成膜を行える。従って、撥液層１０が汚染されることなく、隔壁８の表層の撥液性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができる。故に、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。
【００８５】
また、成膜装置５０では、酸素プラズマ照射ヘッド５６がヘッド部５４に設けられ、酸素プラズマ照射ヘッド５６から酸素プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマをアノード電極１５に照射することができ、酸素プラズマを隔壁８に照射しなくても済む。従って、酸素プラズマによって隔壁８がアッシングされることがない。同様に、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７がヘッド部５４に設けられ、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からフッ化物プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマを隔壁８に照射することができ、酸素プラズマをアノード電極１５に照射しなくても済む。従って、アノード電極１５の表層にフッ素と炭素を含む化合物が形成されなく、アノード電極１５の濡れ性を高く維持できる。
【００８６】
また、この成膜装置５０を用いれば、アノード電極１５のクリーニングと、隔壁８に撥液性の付与と、有機ＥＬ層１６の成膜とをほぼ同時に行えるから、有機ＥＬ発光パネル１の製造方法が簡便化される。
【００８７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態ではカソード電極１７が共通電極でありアノード電極１５が画素ごとにパターニングされた電極であるが、逆にカソード電極が画素ごとにパターニングされた電極でアノード電極が共通電極であっても良い。この際、にも下地層９及び隔壁８がアノード電極上に網目状に形成されるが、隔壁８及び下地層９が網目状に形成された時点では隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極が露出する。
【００８８】
また、上記実施形態ではＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜したが、透明なガラス基板に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜しても良い。
【００８９】
また、上記実施形態では、下地層９及び下地膜９’が酸化シリコンであったが、下地層９’及び下地膜９’が窒化シリコンであっても良い。
【００９０】
また、上記実施形態ではヘッド部５４に設けられる各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれ一つずつであったが、各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが複数であっても良い。
【００９１】
また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している際に、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されているが、ヘッド部５４が逆方向に移動している際にもノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されても良い。この場合、ノズル５５Ｂの逆方向側においてフッ化物プラズマ照射ヘッド及び酸素プラズマ照射ヘッドをヘッド部５４に設けるのが望ましい。
【００９２】
また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘに移動可能であったが、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能、つまりワークテーブル５１に対して平行な面に沿って移動可能であっても良い。この場合、ワークテーブル５１が固定されていても良い。
同様に、ワークテーブル５１が移動装置５２によって主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能であっても良い。この場合、ヘッド部５４が固定されていても良い。
つまり、ワークテーブル５１に載置されたＴＦＴ駆動基板６に対してヘッド部５４が相対的に移動可能であれば良い。
【００９３】
また、図９に示すように、ヘッド部５４にフッ化物プラズマ照射ヘッドが設けられてない成膜装置１５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良く、図１０に示すように、ヘッド部５４に酸素プラズマヘッドが設けられていない成膜装置２５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良い。なお、成膜装置１５０及び成膜装置２５０については、成膜装置５０と同様の構成要素に同様の符号を付してその説明を省略する。
【００９６】
【発明の効果】
また、請求項１記載の発明によれば、電極がクリーニングされてからすぐに電極に液滴を噴出することができる。そのため、電極の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で液滴が電極に着弾するから、液滴が電極上で広がりやすく、液滴が固化してなるＥＬ層の膜厚が均等になる上、電極上においてＥＬ層の成膜されていない部分が無い。従って、高品質なＥＬパネルを提供することができる。
【００９７】
また、基板を酸素プラズマクリーニング用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、電極のクリーニングとＥＬ層の成膜を同じ装置で行える。故に、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【００９８】
また、請求項２記載の発明によれば、フッ化物層が形成されてからすぐに電極に液滴を噴出することができるため、隔壁の表層の撥液性を安定して高い状態に維持した状態で液滴が電極に着弾する。従って、ＥＬ溶液が隔壁上に広がることもなく、隣り同士の画素のＥＬ溶液が混じることもなく、高品質のＥＬパネルを提供することができる。
【００９９】
また、基板をフッ化物プラズマ照射用の装置からＥＬ層成膜用の装置に移し替えることなく、フッ化物プラズマ照射とＥＬ層の成膜を同じ装置で行える。従って、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、有機ＥＬ表示パネルの部分的な断面図である。
【図２】図２は、有機ＥＬ層を成膜する成膜装置を示す側面図である。
【図３】図３は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図４】図４は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図５】図５は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図６】図６は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図７】図７は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図８】図８は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図９】図９は、図２の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。
【図１０】図１０は、図２又は図９の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。
【図１１】図１１は、従来の有機ＥＬ表示パネルを示した平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬパネル）
２有機ＥＬ素子
５薄膜トランジスタ
６ＴＦＴ駆動基板（基板）
６ａ表面
７対向基板
８隔壁（残留したレジスト膜）
８’ レジスト膜
９下地層
９’ 酸化シリコン下地膜（下地膜）
１０撥液層
１２透明基板
１５アノード電極（第一電極、電極）
１６有機ＥＬ層
１７カソード電極
５０、１５０、２５０成膜装置
５４ヘッド部（移動体）
５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂノズル（液滴噴出部）
５６酸素プラズマ照射ヘッド（酸素プラズマ照射部）
５７フッ化物プラズマ照射ヘッド（フッ化物プラズマ照射部）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a film forming apparatus for forming an EL layer of an EL element.
[0002]
[Prior art]
The organic EL element has a laminated structure in which an anode electrode, an organic EL layer made of an organic material, and a cathode electrode are laminated in this order. When a forward bias voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode, Emits light. An organic EL display panel that displays images by arranging such organic EL elements as pixels in a matrix on a substrate and emitting each organic EL element with a predetermined gradation luminance is realized.
[0003]
In an organic EL display panel having an active matrix structure, one of the anode electrode and the cathode electrode can be a common electrode common to all pixels, but at least the other electrode and the organic EL layer are patterned for each pixel. There is a need to. A conventional semiconductor element manufacturing technique can be applied to the method of patterning the anode electrode and the cathode electrode for each pixel. In other words, the anode electrode and the cathode electrode can be appropriately formed by performing a film forming process such as a vacuum deposition method, a PVD method such as a sputtering method or a CVD method, a masking step such as a photolithography method, and a thin film shape processing step such as an etching method. Can be patterned for each pixel.
[0004]
The method for forming the organic EL layer can be broadly classified into a dry vapor deposition method and a wet coating method according to conditions such as materials. In the case of using the dry evaporation method, after forming the organic EL layer on the entire surface by the dry evaporation method, a shadow mask is performed, and then the portion without the mask is removed by etching, thereby patterning the organic EL layer for each pixel. it can. On the other hand, when the wet coating method is used, the organic EL layer can be patterned for each pixel by applying an inkjet technique. That is, the organic EL layer can be patterned for each pixel by ejecting a droplet of an EL solution obtained by dissolving a material that becomes the organic EL layer with a solvent for each pixel. In the wet coating method using the ink jet technology, the film forming process and the patterning process for each pixel can be performed almost simultaneously, so the ink jet method is becoming a mainstream technology.
[0005]
By the way, in order to provide an organic EL display panel that performs high-resolution image display, the organic EL layer must be formed in a fine pattern. In the inkjet method, since the particle size of the droplets of the EL solution is very small, it is possible to form the organic EL layer with a fine pattern, but since the droplets solidify in the landed shape, the desired shape is obtained. Since it is difficult to form a film and it spreads and diffuses until solidifying, there is a possibility that it may be mixed with the EL solution of the organic EL layer of the adjacent pixel due to a slight misalignment of the ink jet head or a landing position deviation. . Therefore, a technique for preventing the EL solution of adjacent pixels from being mixed is proposed by finely patterning a mesh-like partition wall on the substrate in advance and then ejecting a droplet to a region surrounded by the partition wall. Yes.
[0006]
FIG. 11 shows a conventional organic EL display panel 301 having a partition wall 308. In this organic EL display panel 301, a partition wall 308 having a mesh shape in plan view is formed on the substrate 312, and one organic EL element 302 is provided in one region surrounded by the partition wall 308. A plurality of EL elements 302 are arranged in a matrix. In order to improve the adhesion of the partition 308, a network-like base layer 309 made of silicon oxide is formed between the partition 308 and the substrate 312.
[0007]
As a manufacturing method of the organic EL display panel 301, first, a plurality of anode electrodes 315 are patterned on a substrate 312 in a matrix shape, and then a base layer 309 is patterned on the substrate 312 between the anode electrodes 315 in a mesh shape. To do. Next, the partition 308 is patterned on the base layer 309.
[0008]
Next, this substrate 312 is set in an oxygen plasma cleaning device, and the organic electrode attached on the anode electrode 315 is ashed by the oxygen plasma cleaning device, thereby cleaning the anode electrode 315. The reason for cleaning the anode electrode 315 is that when the organic EL layer 316 is formed by an ink jet method, the droplets of the EL solution are easily wetted on the anode electrode 315.
[0009]
Next, this substrate 312 is set in a fluoride plasma irradiation apparatus, and the fluoride plasma irradiation is performed on the partition wall 308 with the fluoride plasma irradiation apparatus, thereby forming a highly liquid-repellent fluoride layer on the surface layer of the partition wall 308. The reason why the fluoride layer having high liquid repellency is formed on the surface layer of the partition wall 308 is to prevent the EL solution from spreading on the partition wall 308 even when a large amount of EL solution that is higher than the top of the partition wall 308 is ejected. This is because the EL solution is fixed only on the anode electrode 315 and the EL solution of adjacent pixels on the partition wall 308 is prevented from being mixed.
[0010]
Next, the substrate 312 is set in an ink jet film forming apparatus, and an EL solution is ejected onto each anode electrode 315 by the ink jet film forming apparatus, followed by drying, and an organic EL layer 316 is patterned on each anode electrode 315. To do.
Next, a cathode electrode 317 is formed on the organic EL layer 312.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
In the above manufacturing method, since the partition 308 is patterned after the base layer 309 is patterned, the width of the base layer 309 is reduced in plan view so that the partition 308 is reliably formed on the base layer 309. It is necessary to make it wider than the width of the partition wall 308. Thus, since the width of the base layer 309 is wider than the width of the partition wall 308 and the base layer 309 is formed on the peripheral edge of the anode electrode 315, the light emitting portion is narrow and the so-called aperture ratio is low. On the other hand, even when the aperture ratio is increased by narrowing the width of the base layer 309, the partition wall 308 protrudes over the anode electrode 315 in the formation of the partition wall 308, so that the adhesion of the partition wall 308 is lowered. Therefore, the partition 308 may be peeled off from the portion overlapping the anode electrode 315.
[0012]
On the other hand, if oxygen plasma cleaning is not performed, the EL solution does not spread on the anode electrode 315, and there is a possibility that a portion where the organic EL layer 316 is not formed on the anode electrode 315 may be generated. In addition, if fluoride plasma irradiation is not performed, the EL solution may ooze on the partition 308, and the EL solution of adjacent pixels may be mixed on the partition 308. However, since the oxygen plasma cleaning and fluoride plasma irradiation are performed, the manufacturing process becomes complicated.
[0013]
As described above, the conventional manufacturing method has a limit in achieving both the provision of a high-quality organic EL display panel and the simplicity of the manufacturing process. Accordingly, an object of the present invention is to provide both a high-quality EL display panel and a simple manufacturing process.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
  In order to solve the above problems, the invention described in claim 1For example, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate is surrounded by a partition wall (for example, the partition wall 8) formed on one surface (for example, the surface 6 a) of the substrate (for example, the TFT drive substrate 6) and In a film formation apparatus (for example, film formation apparatus 50) for forming an EL layer (for example, organic EL layer 16) on an electrode (for example, anode electrode 15) formed on the surface,
  A moving body (for example, the head unit 54) that moves relative to the substrate above one surface of the substrate;
  An oxygen plasma irradiation unit (for example, an oxygen plasma irradiation head 56) that is provided on the moving body and irradiates oxygen plasma toward the electrode;
  A droplet ejecting portion (for example, nozzles 55R, 55G, 55B) that is provided on the moving body and ejects an EL solution in which an EL material is dissolved as droplets toward the electrode;
  It is characterized by providing.
[0023]
  Claim1In the invention described in (2), the electrode is cleaned by irradiating the electrode with oxygen plasma in the oxygen plasma irradiation section. However, since the oxygen plasma irradiation section and the droplet ejection section are provided on the moving body, the electrode is cleaned. The droplets can be ejected to the electrode immediately. For this reason, since the droplets land on the electrode while maintaining the electrode wettability stably at a high level, the droplets easily spread on the electrode, and the film thickness of the EL layer formed by solidifying the droplets is uniform. Moreover, there is no portion where no EL layer is formed on the electrode. Therefore, the EL layer emits light with uniform brightness as a whole, and a high-quality EL panel can be provided.
[0024]
In addition, since the oxygen plasma irradiation unit is provided on the moving body that moves relative to the substrate above the substrate, it is possible to partially irradiate the electrode with oxygen plasma and inject oxygen plasma onto the partition walls. You don't have to. Therefore, the partition walls are not ashed by oxygen plasma.
[0025]
Further, since the moving body is provided with the oxygen plasma irradiation unit and the droplet jetting unit, the electrode cleaning and the EL layer can be performed without transferring the substrate from the oxygen plasma cleaning device to the EL layer deposition device. Film formation can be performed with the same apparatus. Therefore, the EL panel manufacturing method is simplified.
[0026]
  Claim2The described invention is surrounded by a partition wall (for example, partition wall 8) formed on one surface (for example, surface 6a) of a substrate (for example, TFT driving substrate 6) as shown in FIGS. In a film forming apparatus (for example, film forming apparatus 50) for forming an EL layer (for example, organic EL layer 16) on an electrode (for example, anode electrode 15) formed on one surface of the substrate,
  A moving body (for example, the head unit 54) that moves relative to the substrate above one surface of the substrate;
  A fluoride plasma irradiation unit (for example, a fluoride plasma irradiation head 57) provided on the moving body and irradiating a plasma of a compound gas containing fluorine toward the partition;
  A liquid droplet ejecting section (for example, nozzles 55R, 55G, and 55B) that is provided on the moving body and ejects an EL solution in which an EL material is dissolved as a liquid droplet (for example, the liquid droplet 116) toward the electrode;
  It is characterized by providing.
[0027]
  Claim2In the described invention, the fluoride plasma irradiation part irradiates the partition wall with fluoride plasma to form a liquid-repellent fluoride layer on the surface of the partition wall. However, the fluoride plasma irradiation part and the droplet ejection part are movable bodies. Therefore, droplets can be ejected to the electrode immediately after the fluoride layer is formed. For this reason, since the liquid droplets land on the electrodes in a state where the liquid repellency of the surface layer of the partition wall is stably maintained at a high level, the EL solution does not spread on the partition wall and the EL solution of adjacent pixels is mixed. Nor. Therefore, the EL panel has a high contrast and can provide a high-quality EL panel.
[0028]
In addition, since the fluoride plasma irradiation unit is provided on the moving body that moves relative to the substrate above the substrate, the partition can be partially irradiated with fluoride plasma, and the fluoride plasma can be applied to the electrode. You don't have to spray it. Therefore, a liquid repellent fluoride layer is not formed on the electrode.
[0029]
In addition, since the moving body is provided with a fluoride plasma irradiation unit and a droplet jetting unit, the fluoride plasma irradiation can be performed without transferring the substrate from the fluoride plasma irradiation device to the EL layer deposition device. The EL layer can be formed using the same apparatus. Therefore, the EL panel manufacturing method is simplified.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples. In the following description, “when viewed in plan” means “when viewed in a direction perpendicular to the light emitting surface”.
[0031]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of the organic EL display panel 1.
In plan view, the organic EL display panel 1 has a plurality of red, green, and blue pixels arranged in a matrix, and one pixel emits light from one organic EL element 2 (details will be described later). And a non-light emitting portion 4 that does not emit light around the light emitting portion 3.
[0032]
The organic EL display panel 1 performs color display by an active matrix driving method. That is, the organic EL display panel 1 includes one organic EL element 2 and one pixel switching circuit (including the thin film transistor 5) for driving the organic EL element 2 for each pixel. The pixel switching circuit turns on / off the current flowing through the organic EL element 2 in accordance with the signal output from the peripheral driver circuit, or maintains the current value during the light emission period of the organic EL element 2, thereby emitting light from the organic EL element 2. Is controlled to be constant. Each pixel switching circuit is composed of at least one thin film transistor (hereinafter referred to as TFT), and a capacitor or the like may be added as appropriate. An example of the TFT 5 that is directly connected to the organic EL element 2 without passing through other electric elements will be described.
[0033]
The organic EL display panel 1 includes a TFT drive substrate 6 having a pixel switching circuit (including TFT 5), a flat counter substrate 7 facing the TFT drive substrate 6, and between the TFT drive substrate 6 and the counter substrate 7. A plurality of organic EL elements 2 patterned and formed in a matrix, a planar partition wall 8 provided around the organic EL element 2, and a plan view formed between the partition wall 8 and the TFT drive substrate 6. A network-like base layer 9, a partition wall 8, a liquid repellent layer 10 on the surface of the base layer 9, a sealing resin layer 11 for sealing the organic EL element 2, and the like are provided.
[0034]
The TFT drive substrate 6 is basically composed of an insulating transparent substrate 12 that is transparent to light. The transparent substrate 12 is formed in a flat plate shape using a material such as borosilicate glass, quartz glass, or other glass. The TFT 5, the wiring 19 (for example, scanning lines, signal lines, etc.), other electric elements, etc. are formed on one surface 12 a of the transparent substrate 12, and the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 14 are formed on the entire surface of the transparent substrate 12. The TFT drive substrate 6 is configured by forming a film.
[0035]
The TFT 5 is a MOS field effect transistor composed of a gate electrode, a drain electrode, a source electrode, a semiconductor layer, an impurity semiconductor layer, and the like. The semiconductor layer may be amorphous silicon or polysilicon, An inverted staggered structure or a coplanar structure may be used. Further, the TFT 5 is connected to the wiring 19, and a current flows from the peripheral driver circuit to each TFT 5 or a voltage is applied. The gate insulating film 13 is interposed between the semiconductor layer, the impurity semiconductor layer, the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode of the TFT 5 and covers the wiring 19 such as a scanning line. The gate insulating film 13 is transparent to visible light and has an insulating property. The interlayer insulating film 14 covers all the TFTs 5 and constitutes the surface 6 a of the TFT drive substrate 6. The interlayer insulating film 14 also covers wiring such as signal lines. The interlayer insulating film 14 has a light-transmitting property with respect to visible light and an insulating property.
[0036]
A plurality of organic EL elements 2 are arranged in a matrix on the interlayer insulating film 14. Each organic EL element 2 includes an anode electrode (first electrode) 15, an organic EL layer 16, and a cathode electrode (second electrode) 17, and the anode electrode 15 and organic layers are sequentially formed from the interlayer insulating film 14 side. It has a laminated structure in which the EL layer 16 and the cathode electrode 17 are laminated.
Here, the cathode electrode 17 is an electrode common to all the organic EL elements 2, and is formed on one surface. On the other hand, the anode electrode 15 and the organic EL layer 16 are provided for each pixel, and are arranged in a plurality of matrices in plan view.
[0037]
The anode electrode 15 has conductivity and translucency for visible light. Furthermore, it is preferable that the anode electrode 15 has a relatively high work function and efficiently injects holes into the organic EL layer 12. The anode electrode 15 is preferably indium-tin-oxide (ITO). For example, zinc-doped indium oxide (IZO), indium oxide (In₂O_Three), Tin oxide (SnO)₂) Or zinc oxide (ZnO) as a main component. Note that a contact hole 18 is provided in the interlayer insulating film 14 for each pixel, and the drain electrode or the cathode electrode of the TFT 5 is electrically connected to the anode electrode 15 through the contact hole 18.
[0038]
The organic EL layer 16 is formed on the anode electrode 15. The organic EL layer 16 may have, for example, a three-layer structure including a hole transport layer, a narrow light emitting layer, and an electron transport layer in order from the anode electrode 15, or a hole transport layer and a narrow sense in order from the anode electrode 15. The light emitting layer may have a two-layer structure or a single-layer structure composed of a narrowly defined light emitting layer, or a laminated structure in which an electron or hole injection layer is interposed between appropriate layers in these layer structures. Or other layer structures.
[0039]
The organic EL layer 16 has a function of injecting holes and electrons, a function of transporting holes and electrons, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons to emit red, green, or blue light. Is a light emitting layer in a broad sense. That is, when the pixel is red, the organic EL layer 16 of the pixel emits red light, and when the pixel is green, the organic EL layer 16 of the pixel emits green light and the pixel is blue. The organic EL layer 16 of the pixel emits blue light.
[0040]
The organic EL layer 16 is desirably an electronically neutral organic compound, whereby holes and electrons are injected and transported in the organic EL layer 16 in a balanced manner. In addition, an electron transporting substance may be appropriately mixed in the narrowly defined light emitting layer, a hole transporting substance may be appropriately mixed in the narrowly defined light emitting layer, or the electron transporting substance and the hole may be mixed. A transporting substance may be appropriately mixed in the light-emitting layer in the narrow sense. The organic EL layer 16 contains a light emitting material (fluorescent material), but the light emitting material is a polymer material. The organic EL layer 16 is formed by a droplet ejection method (so-called ink jet method) by a film forming apparatus 50 described later.
[0041]
The cathode electrode 17 is formed of a material having a low work function. Specifically, the cathode electrode 17 is formed of magnesium, calcium, lithium, barium, an alloy or a mixture containing at least one of them, and aluminum is formed thereon. The laminated structure is covered with a high work function and low resistance material such as chromium. The cathode electrode 17 desirably has a light shielding property with respect to visible light, and desirably has a high reflectivity with respect to visible light emitted from the organic EL layer 16. That is, the cathode electrode 17 acts as a mirror surface that reflects visible light.
[0042]
The base layer 9 and the partition wall 8 are provided in a mesh shape in plan view so as to partition the plurality of anode electrodes 15 and the organic EL layer 16 arranged in a matrix. The underlayer 9 is made of silicon oxide (SiO₂) And has transparency to visible light and insulation.
[0043]
The partition wall 8 is formed on the base layer 9 and matches the shape of the base layer 9 in plan view. Accordingly, the partition wall 8 does not protrude from the base layer 9 and the base layer 9 does not protrude from the partition wall 8 in plan view. The partition wall 8 is made of a photosensitive resin such as a polyimide resin. Since the base layer 9 is interposed between the partition wall 8 and the TFT drive substrate 6, the adhesion of the partition wall 8 to the TFT drive substrate 6 is enhanced. The liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8 and the base layer 9. The liquid repellent layer 10 is a compound of fluorine and carbon, and the material of the organic EL layer 16 (organic EL material) is at a concentration of several percent. It has the property of repelling an EL solution dissolved in a solvent. Since the cathode electrode 17 is an electrode common to all the organic EL elements 2, it is also formed on the upper surface of the partition wall 8 and the side surface of the partition wall 8.
[0044]
The sealing resin layer 11 is formed so as to cover the entire plurality of organic EL elements 2 configured as described above. This sealing resin layer 11 is formed of, for example, an epoxy resin. The counter substrate 7 is bonded onto the organic EL element 2 by the sealing resin layer 11 and is formed of a material such as borosilicate glass, quartz glass, or other glass.
[0045]
Next, the film forming apparatus 50 for forming the organic EL layer 16 by the droplet ejection method will be described.
FIG. 2 is a schematic side view showing the film forming apparatus 50.
In the film forming apparatus 50, the material of the organic EL layer 16 (organic EL material such as a light emitting substance, a hole transporting substance, and an electron transporting substance) is mixed with an organic solvent (for example, toluene or xylene) or a water-soluble solvent. The organic EL layer 16 is formed by ejecting the dissolved EL solution as droplets onto the TFT drive substrate 6. Here, when forming the organic EL layer 16, the TFT drive substrate 6 in which the base layer 9, the partition wall 8, and the anode electrode 15 are formed on the surface 6a is used.
[0046]
The film forming apparatus 50 includes a work table 51 having a flat and horizontal upper surface, and a moving apparatus that moves the work table 51 in both the forward and reverse directions in the sub-scanning direction Y (parallel to the work table 51). 52, a guide part 53 extending in a main scanning direction X (parallel to the work table 51) substantially perpendicular to the sub-scanning direction Y, and a guide part 53 guided by the guide part 53 along the guide part 53. A head portion 54 that moves in the forward and reverse directions of the scanning direction X, a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B that eject the EL solution as droplets, an oxygen plasma irradiation head 56 and a fluoride plasma irradiation head that perform plasma irradiation 57, a box 66 having an internal space 66a, and the like.
[0047]
The TFT drive substrate 6 is placed on the work table 51.
The moving device 52 conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y together with the work table 51 in accordance with the operation of the head unit 54, and specifically conveys the TFT drive substrate 6 intermittently. is there.
[0048]
The head portion 54 reciprocates in the main scanning direction X along the guide portion 53 on the work table 51 in accordance with intermittent conveyance of the TFT drive substrate 6. When it is stopped, it moves at least once in the main scanning direction X.
[0049]
The head portion 54 is provided with a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B. The nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged in a line in the main scanning direction X at equal intervals.
[0050]
Each nozzle 55R, 55G, 55B is filled with an EL solution containing organic EL materials having different emission colors, and each nozzle 55R, 55G, 55B is provided with ejection means, and the nozzle 55R. , 55G, 55B are provided with jet outlets 55Ra, 55Ga, 55Ba, respectively. The nozzles 55R, 55G, and 55B eject the EL solution toward the TFT drive substrate 6 from the respective ejection ports 55Ra, 55Ga, and 55Ba by the operation of the ejection means. Examples of the ejection means include a thermal jet type, a piezo type, and an electrostatic type.
[0051]
The thermal jet type ejecting means ejects droplets of the EL solution by changing the pressure in the nozzles 55R, 55G, and 55B by generating bubbles in the EL solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B with a heating element. To do.
[0052]
Piezo-type ejection means ejects droplets of an EL solution by changing the pressure in the nozzles 55R, 55G, and 55B by changing the volume of the piezo elements in contact with the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B. To do.
[0053]
The electrostatic ejection means applies a voltage to a capacitor in contact with the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B to change the attractive force or repulsive force of the electrodes of the capacitor, thereby changing the pressure of the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B. The liquid droplets of the EL solution are ejected by changing.
[0054]
The EL solution of the organic EL layer 16 that emits red light is ejected from the ejection port 55Ra, the EL solution that emits green light is ejected from the ejection port 55Ga, and the EL solution that emits blue light is ejected from the ejection port 55Ba. The
[0055]
Further, the head unit 54 is provided with an oxygen plasma irradiation head 56 and a fluoride plasma irradiation head 57. The oxygen plasma irradiation head 56 performs oxygen plasma irradiation toward the TFT drive substrate 6. The fluoride plasma irradiation head 57 performs plasma irradiation of fluoride toward the TFT drive substrate 6.
[0056]
In the oxygen plasma irradiation, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply source 58 to the gas mixer 60, argon gas or helium gas is supplied from the inert gas supply source 59 to the gas mixer 60, and oxygen gas and argon gas are mixed. A mixed gas or a mixed gas of oxygen gas and helium gas is supplied from the gas mixer 60 to the oxygen plasma irradiation head 56. Here, when a high frequency voltage is applied to the electrode of the oxygen plasma irradiation head 56 by the high frequency power supply 61, oxygen plasma (ionized oxygen gas (for example, oxygen radical, oxygen radical, oxygen gas) from the oxygen plasma irradiation head 56 toward the TFT drive substrate 6 is obtained. Ions))). The plasma irradiated from the oxygen plasma irradiation head 56 is a plasma at atmospheric pressure, but may be a reduced-pressure plasma whose atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.
[0057]
In fluoride plasma irradiation, F is transferred from the fluoride gas supply source 62 to the gas mixer 64.₂Gas or CF_FourGas (F₂Gas, CF_FourThe gases are collectively referred to as fluoride gas. ), An argon gas or helium gas is supplied from the inert gas supply source 63 to the gas mixer 64, and a mixed gas of fluoride gas and argon gas or a mixed gas of fluoride gas and helium gas is a gas mixer. 64 is supplied to the fluoride plasma irradiation head 57. Here, when a high frequency voltage is applied to the electrode of the fluoride plasma irradiation head 57 by the high frequency power source 65, fluoride plasma (ionized fluoride gas (for example, ionized fluoride gas (for example, for example)) is directed from the fluoride plasma irradiation head 57 toward the TFT drive substrate 6. Fluoride radicals, fluoride ions, etc.) are irradiated. The plasma irradiated from the fluoride plasma irradiation head 57 is an atmospheric pressure plasma, but may be a reduced pressure plasma having an atmospheric pressure lower than the atmospheric pressure. In addition, it is O to the gas mixer 64.₂Gas may be supplied.
[0058]
The oxygen plasma irradiation head 56 and the fluoride plasma irradiation head 57 are arranged in a line in the main scanning direction X together with the nozzles 55R, 55G, and 55B. That is, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, and the nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged in a straight line, and the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, and the nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged. The connecting straight line is parallel to the main scanning direction X.
[0059]
The oxygen plasma irradiation head 56 is disposed in front of the forward direction of the main scanning direction X, and a fluoride plasma irradiation head 57 is disposed on the opposite side of the oxygen plasma irradiation head 56, so that fluoride plasma irradiation is performed. Nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged on the opposite side of the head 57. Therefore, when the head unit 54 moves in the forward direction of the main scanning direction X, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, the nozzles 55R, 55G, Pass in the order of 55B. The arrangement order of the nozzles 55R, 55G, and 55B may be any arrangement order.
[0060]
The work table 51, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, and the fluoride plasma irradiation head 57 are disposed in a box 66. Accordingly, the TFT drive substrate 6 is moved in the sub-scanning direction Y, the EL solution droplets are ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B, and the EL solution droplets land on the TFT drive substrate 6. Irradiation of oxygen plasma to the TFT drive substrate 6 and irradiation of fluoride plasma to the TFT drive substrate are performed in the internal space 66 a of the box 66.
[0061]
Note that the moving device 52, the head portion 54, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, the high frequency power supply 61, and the high frequency power supply 65 are controlled by a control device (not shown) to have a predetermined timing. Operate with or stop.
[0062]
A method for manufacturing the organic EL display panel 1 will be described.
First, the TFT drive substrate 6 is manufactured. That is, a pixel switching circuit (including the TFT 5) is provided for each pixel by appropriately performing a film forming process such as a PVD method or a CVD method, a masking process such as a photolithography method, and a thin film shape processing process such as an etching method. Then, the wiring 19 is patterned on the surface 12a, and the interlayer insulating film 14 is formed on one surface.
[0063]
Next, after forming a contact hole in the interlayer insulating film 14, a film forming process by a PVD method or a CVD method, a mask process by a photolithography method or the like, and a thin film shape processing process by an etching method or the like are appropriately performed. A plurality of anode electrodes 15 are formed in a matrix on 14, and the anode electrodes 15 are connected to the TFTs 5 through the contact holes 18 (FIG. 3). FIG. 3B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the broken line AA in FIG.
[0064]
Next, a silicon oxide base film 9 ′ is formed on one surface of the interlayer insulating film 14 on which the plurality of anode electrodes 15 are formed by performing a film forming process such as a PVD method or a CVD method (FIG. 4). Here, the silicon oxide base film 9 ′ is formed so as to cover all the anode electrodes 15 with the silicon oxide base film 9 ′. 4B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this process, and FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the broken line BB in FIG. 4B.
[0065]
Next, a resist film 8 'of a photosensitive resin is formed on one surface of the silicon oxide base film 9' by a spin coat method or a dip method (FIG. 5). Since the silicon oxide base film 9 ′ has high adhesion to the resist film 8 ′, the silicon oxide base film 9 ′ is not formed on the glass surface of the transparent substrate 12 or the surface of the anode electrode 15 of the TFT drive substrate 6. The resist film 8 ′ is less likely to be peeled off than when the resist film 8 ′ is formed directly. 5B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the broken line CC in FIG. 5B.
[0066]
Next, in order to process the shape of the resist film 8 ', the resist film 8' is selectively exposed. Here, when the resist film 8 'is a negative type, a portion to be the partition wall 8 is exposed, and when the resist film 8' is a positive type, the portion other than the portion to be the partition wall 8 is exposed. Next, a developing solution is sprayed on the resist film 8 ′, and the resist film 8 ′ other than the portion that becomes the partition wall 8 is removed by the developing solution, thereby processing the resist film 8 ′. The remaining portion of the resist film 8 'becomes the partition wall 8 (FIG. 6). Here, as shown in FIG. 6B, the resist film 8 ′ is shaped so that a part of the partition wall 8 overlaps the outer edge portion of each anode electrode 15 in plan view. The resist film 8 ′ is shaped to form the partition wall 8. A plurality of surrounding regions surrounded by the partition wall 8 are formed. At this time, one anode electrode 15 is arranged in each surrounding region in plan view. Is done. 6B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the broken line DD in FIG. 6B.
[0067]
Next, the silicon oxide base film 9 ′ is formed on the barrier rib 8 as a mask,_FourF₈Dry etching (plasma etching) with gas is performed. As a result, a portion of the silicon oxide base film 9 'that does not overlap the partition wall 8 in plan view is removed, and a portion that overlaps the partition wall 8 remains to form the base layer 9 (FIG. 7). Since the partition wall 8 is used as a mask, as shown in FIG. 7B, the shape of the remaining portion of the silicon oxide base film 9 ′ (that is, the base layer 9) matches the partition wall 8 in plan view. The base layer 9 does not protrude from the partition wall 8, and the partition wall 8 does not protrude from the base layer 9. By removing the silicon oxide base film 9 ′ in the surrounding region surrounded by the partition wall 8, the anode electrode 15 is exposed in the surrounding region.
[0068]
In dry etching, C_FourF₈When CF becomes a plasma, CF and CF₂Although the radical species react with the silicon oxide, the silicon oxide base film 9 'is removed. On the other hand, since the radical species do not react with the photosensitive resin (polyimide resin), the radical species are polymerized on the surface layer of the partition wall 8 to form a compound of fluorine and carbon, and the liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8. It is formed. Therefore, C using the partition wall 8 as a mask._FourF₈It is possible to simultaneously form the silicon oxide base film 9 ′ by gas dry etching and to form the liquid repellent layer 10 on the surface of the partition wall 8. Further, the shape of the base layer 9 is changed to the partition wall. 8 can be matched. As an etching gas, C_FourF₈Instead of CF_FourOr a mixed gas containing at least one of these may be used, and any fluorine compound gas can be used as long as it can etch the silicon oxide base film 9 ′ and can form the liquid repellent layer 10 of the fluorine compound on the surface layer of the partition wall 8. . 7B shows a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 7A shows a cross-sectional view taken along the broken line EE in FIG. 7B.
[0069]
Next, the TFT drive substrate 6 on which the anode electrode 15, the partition wall 8, the base layer 9 and the liquid repellent layer 10 are formed is set in the film forming apparatus 50. That is, the TFT drive substrate 6 is placed on the work table 51 in the box 66. Next, using the film forming apparatus 50, the anode electrode 15 is irradiated with oxygen plasma to clean the anode electrode 15, and the partition wall 8 is irradiated with fluoride plasma so that the liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8. The organic EL layer 16 is formed in the surrounding region surrounded by the partition wall 8 by ejecting a droplet of the organic solvent to the surrounding region surrounded by the partition wall 8.
[0070]
Specifically, the film forming apparatus 50 operates as follows under the control of the control apparatus.
That is, the film forming apparatus 50 intermittently conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y by the moving device 52. Here, when the TFT drive substrate 6 is stopped, the head unit 54 reciprocates in the main scanning direction X at least once.
[0071]
As shown in FIG. 8, while the head portion 54 is moving in the forward direction of the main scanning direction X, first, the oxygen plasma irradiation head 56 passes immediately above the anode electrode 15 and the fluoride plasma irradiation head. 57 passes immediately above the partition wall 8. While the oxygen plasma irradiation head 56 is passing immediately above the anode electrode 15, the oxygen plasma irradiation head 56 ejects oxygen plasma toward the anode electrode 15, whereby the organic adhering to the surface of the anode electrode 15. Unnecessary substances are ashed (ashed), and the anode electrode 15 is cleaned.
[0072]
On the other hand, while the fluoride plasma irradiation head 57 is passing immediately above the partition wall 8, the fluoride plasma irradiation head 57 ejects fluoride plasma toward the partition wall 8, thereby The radical species of the fluoride plasma is polymerized to form the liquid repellent layer 10 on the surface layer of the partition wall 8. Even when the liquid repellent layer 10 is not sufficiently formed by the previous dry etching, the liquid repellent layer 10 is reliably formed on the surface layer of the partition wall 8 by the fluoride plasma irradiation.
[0073]
After the oxygen plasma irradiation head 56 passes over the anode electrode 15, the nozzles 55 </ b> R, 55 </ b> G, and 55 </ b> B pass immediately above the anode electrode 15. While the nozzles 55R, 55G, and 55B are passing over the anode electrode 15, one nozzle corresponding to the color of the nozzles 55R, 55G, and 55B is directed toward the anode electrode 15 to drop the EL solution 116. As one or more times.
[0074]
The droplets 116 landed on the anode electrode 15 spread on the anode electrode 15 to form a film and solidify, whereby the organic EL layer 16 is formed. Since the anode electrode 15 is plasma-cleaned, the anode electrode 15 has high wettability and low liquid repellency with respect to the EL solution, so that the EL solution easily spreads on the anode electrode 15. Therefore, in the surrounding area surrounded by the partition wall 8, the EL solution spreads over the entire surface of the anode electrode 15, and the organic EL layer 16 is formed with a uniform thickness on the entire surface of the anode electrode 15.
[0075]
Further, even when a large amount of EL solution that is higher than the top of the partition wall 8 is ejected, the liquid solution repellent layer 10 having high liquid repellency is formed on the surface layer of the partition wall 8. Does not bleed up. Therefore, the EL solutions of two adjacent pixels are not mixed on the partition wall 8. Here, when the critical surface tension of the solid (liquid repellent layer 10) is γc, the surface tension of the liquid (EL solution) is γL, and the contact angle between the solid and the liquid is θ, the relationship as shown in Expression (1) The formula holds.
COSθ = 1 + b (γ_c−γ_L(1) (where b is a constant)
Considering the desired surface tension of the EL solution from the material of the liquid repellent layer 10, when the liquid repellent layer 10 is made of polytetrafluoroethylene, the critical interfacial tension γ_cIs about 18 × 10^-3It becomes. For this reason, the surface tension γ_LBut γ_L<18 × 10^-3If the EL solution is [N / m], the liquid repellent property of the polytetrafluoroethylene liquid repellent layer 10 is generated, and the effect is obtained. Considering the desired material of the liquid repellent layer 10 from the surface tension of the EL solution, the surface tension of toluene or xylene mainly used in the organic solvent in the EL solution is γ_L≒ 28 × 10^-3[N / m] and the EL solution has almost the same value, so the critical interfacial tension γ of the liquid repellent layer 10 is_cIf the surface tension is smaller than the surface tension, good liquid repellency is exhibited._c≦ 28 × 10^-3[N / m] is desirable.
[0076]
As described above, after the head unit 54 reciprocates at least once in the main scanning direction X, the film forming apparatus 50 conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y by the moving device 52. When the TFT drive substrate 6 stops again, the film forming apparatus 50 performs the reciprocating movement of the head portion 54, the ejection of the EL solution, and the plasma irradiation again. Thereafter, when the film forming apparatus 50 repeats the above-described operation, the organic EL layer 16 is formed in all the surrounding regions surrounded by the partition walls 8.
[0077]
The head unit 54 may be stopped during the plasma irradiation by the oxygen plasma irradiation head 56, the plasma irradiation by the fluoride plasma irradiation head 57, and the droplet ejection by the nozzles 55R, 55G, and 55B. However, the head part 54 may be moving. In addition, the dimensions and intervals of the partition walls 8 and the dimensions and intervals of the surrounding area surrounded by the partition walls 8 are stored in advance in the control device. Based on the stored data, the control device moves the movement speed and movement of the head unit 54. The start timing and stop timing, the moving speed of the moving device 52, the movement start timing and stop timing, the ejection timing of the nozzles 55R, 55G, and 55B, the irradiation timing of the oxygen plasma irradiation head 56, and the irradiation timing of the fluoride plasma irradiation head 57 Calculation is performed to control the moving device 52, the head unit 54, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, and the fluoride plasma irradiation head 57.
[0078]
When the film formation of the organic EL layer 16 by the film formation apparatus 50 is completed, the cathode electrode 17 is formed on one surface by performing a film formation process by a PVD method or a CVD method. Next, a fluid sealing resin is applied on one surface by a dispenser device or a spray device, and the counter substrate 7 is bonded to the cathode electrode 17 with the sealing resin. When the sealing resin is solidified, it becomes the sealing resin layer 11 and the organic EL display panel 1 is completed.
[0079]
In the above embodiment, since the base layer 9 is processed by dry etching using the partition wall 8 as a mask, the base layer 9 can be matched with the partition wall 8. Therefore, in plan view, the area of the base layer 9 can be minimized, and the light emitting unit 3 can be expanded to the maximum. Therefore, in this organic EL display panel 1, the pixel has a high light emission efficiency, and a high contrast display can be performed.
[0080]
Further, since the partition wall 8 matches the base layer 9 in plan view, the partition wall 8 does not protrude on the anode electrode 15. Therefore, the partition wall 8 is difficult to peel off.
[0081]
In addition, since the partition wall 8 is used as a mask, the steps are omitted in this embodiment as compared with the case where the partition wall 308 is formed on the base layer 309 after the shape processing to the base layer 309 as in the past. Thus, the manufacturing method of the organic EL light emitting panel is simplified.
[0082]
In the above description, fluoride film irradiation is performed by the film forming apparatus 50 in order to reliably form the liquid repellent layer 10. However, the liquid repellent layer 10 is simultaneously formed by dry etching. Therefore, fluoride plasma irradiation can be omitted.
[0083]
Since the film forming apparatus 50 has an oxygen plasma irradiation function, the anode electrode 15 is cleaned without transferring the TFT drive substrate 6 from the apparatus for plasma cleaning to the apparatus for forming the organic EL layer. And the organic EL layer 16 can be formed. That is, since the nozzles 55R, 55G, and 55B and the oxygen plasma irradiation head 56 are provided in the head portion 54, a droplet of the EL solution can be ejected to the anode electrode 15 immediately after the anode electrode 15 is plasma cleaned. . Accordingly, in a state where the wettability of the anode electrode 15 is stably maintained at a high level, the droplet of the EL solution can be landed on the anode electrode 15, and the organic EL layer 16 is formed with a uniform thickness. Can do. In addition, the occurrence of so-called white spots can be suppressed. Here, the white space is a portion where the organic EL layer 16 is not formed on the anode electrode 15 in the surrounding region surrounded by the partition wall 8 and is a portion where light is not emitted in the surrounding region surrounded by the partition wall 8.
[0084]
In addition, since the fluoride plasma irradiation function is added to the film forming apparatus 50, the liquid repellent layer is transferred without transferring the TFT drive substrate 6 from the apparatus for film irradiation with the fluoride plasma to the apparatus for film formation of the organic EL layer. 10 and the organic EL layer 16 can be formed. Accordingly, the liquid droplets of the EL solution can be landed on the anode electrode 15 in a state where the liquid repellency of the surface layer of the partition wall 8 is stably maintained high without being contaminated. Therefore, the EL solutions of two adjacent pixels are not mixed on the partition wall 8.
[0085]
Further, in the film forming apparatus 50, the oxygen plasma irradiation head 56 is provided in the head portion 54, and the oxygen plasma irradiation head 56 is configured to irradiate oxygen plasma. It is not necessary to irradiate the partition wall 8 with oxygen plasma. Therefore, the partition wall 8 is not ashed by oxygen plasma. Similarly, since the fluoride plasma irradiation head 57 is provided in the head portion 54 and is configured to irradiate fluoride plasma from the fluoride plasma irradiation head 57, it is possible to partially irradiate the partition wall 8 with oxygen plasma. It is not necessary to irradiate the anode electrode 15 with oxygen plasma. Therefore, a compound containing fluorine and carbon is not formed on the surface layer of the anode electrode 15, and the wettability of the anode electrode 15 can be maintained high.
[0086]
In addition, when the film forming apparatus 50 is used, the cleaning of the anode electrode 15, the application of liquid repellency to the partition walls 8, and the film formation of the organic EL layer 16 can be performed almost simultaneously. Is simplified.
[0087]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the cathode electrode 17 is a common electrode and the anode electrode 15 is an electrode patterned for each pixel. Conversely, the cathode electrode is an electrode patterned for each pixel, and the anode electrode is a common electrode. Also good. At this time, the base layer 9 and the partition wall 8 are also formed in a mesh shape on the anode electrode, but when the partition wall 8 and the base layer 9 are formed in a mesh shape, the anode electrode is formed in the surrounding region surrounded by the partition wall 8. Is exposed.
[0088]
In the above embodiment, the plurality of anode electrodes 15 are patterned on the TFT driving substrate 6 and then the base film 9 ′ is formed. However, the plurality of anode electrodes 15 are patterned on the transparent glass substrate and then the base film 9 ′. May be formed.
[0089]
In the above embodiment, the base layer 9 and the base film 9 ′ are silicon oxide, but the base layer 9 ′ and the base film 9 ′ may be silicon nitride.
[0090]
In the above embodiment, each of the nozzles 55R, 55G, and 55B of each color provided in the head unit 54 is one, but a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B of each color may be provided.
[0091]
In the above embodiment, when the head unit 54 moves in the forward direction of the main scanning direction X, droplets are ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B, but the head unit 54 moves in the reverse direction. In this case, droplets may be ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B. In this case, it is desirable to provide the head 54 with a fluoride plasma irradiation head and an oxygen plasma irradiation head on the opposite side of the nozzle 55B.
[0092]
In the above embodiment, the head unit 54 can move in the main scanning direction X, but can move in the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y, that is, can move along a plane parallel to the work table 51. It may be. In this case, the work table 51 may be fixed.
Similarly, the work table 51 may be movable in the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y by the moving device 52. In this case, the head part 54 may be fixed.
That is, it is only necessary that the head unit 54 can be moved relative to the TFT drive substrate 6 placed on the work table 51.
[0093]
Further, as shown in FIG. 9, the organic EL layer 16 may be formed by a film forming apparatus 150 in which the head 54 is not provided with a fluoride plasma irradiation head. As shown in FIG. Alternatively, the organic EL layer 16 may be formed by a film forming apparatus 250 that is not provided with an oxygen plasma head. In addition, regarding the film forming apparatus 150 and the film forming apparatus 250, the same reference numerals are given to the same components as those of the film forming apparatus 50, and the description thereof is omitted.
[0096]
【The invention's effect】
  Claims1According to the described invention, droplets can be ejected to the electrode immediately after the electrode is cleaned. For this reason, since the droplets land on the electrode while maintaining the electrode wettability stably at a high level, the droplets easily spread on the electrode, and the film thickness of the EL layer formed by solidifying the droplets is uniform. Moreover, there is no portion where no EL layer is formed on the electrode. Therefore, a high quality EL panel can be provided.
[0097]
Further, the electrode cleaning and the EL layer deposition can be performed with the same apparatus without transferring the substrate from the oxygen plasma cleaning apparatus to the EL layer deposition apparatus. Therefore, the EL panel manufacturing method is simplified.
[0098]
  Claims2According to the described invention, since the liquid droplet can be ejected to the electrode immediately after the fluoride layer is formed, the liquid droplet is maintained in a state where the liquid repellency of the surface layer of the partition wall is stably maintained at a high level. Land on the electrode. Therefore, the EL solution does not spread on the partition wall, and the EL solution of adjacent pixels is not mixed, so that a high-quality EL panel can be provided.
[0099]
Further, fluoride plasma irradiation and EL layer deposition can be performed with the same apparatus without transferring the substrate from the fluoride plasma irradiation apparatus to the EL layer deposition apparatus. Therefore, the EL panel manufacturing method is simplified.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of an organic EL display panel.
FIG. 2 is a side view showing a film forming apparatus for forming an organic EL layer.
FIG. 3 is a drawing showing one step in a method for manufacturing the organic EL display panel of FIG. 1;
FIG. 4 is a drawing showing one step in a method of manufacturing the organic EL display panel of FIG.
FIG. 5 is a drawing showing one step in a method for manufacturing the organic EL display panel of FIG. 1;
6 is a drawing showing one step in a method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 1. FIG.
7 is a drawing showing one step in a method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 1. FIG.
8 is a drawing showing one step in a method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 1. FIG.
FIG. 9 is a side view showing a film forming apparatus different from the film forming apparatus of FIG. 2;
FIG. 10 is a side view showing a film forming apparatus different from the film forming apparatus of FIG. 2 or FIG. 9;
FIG. 11 is a plan view and a sectional view showing a conventional organic EL display panel.
[Explanation of symbols]
1 Organic EL display panel (organic EL panel)
2 Organic EL elements
5 Thin film transistor
6 TFT drive substrate (substrate)
6a Surface
7 Counter substrate
8 Partition (residual resist film)
8 'resist film
9 Underlayer
9 'silicon oxide underlayer (underlayer)
10 Liquid repellent layer
12 Transparent substrate
15 Anode electrode (first electrode, electrode)
16 Organic EL layer
17 Cathode electrode
50, 150, 250 Deposition equipment
54 Head (moving body)
55R, 55G, 55B nozzle (droplet ejection part)
56 Oxygen plasma irradiation head (oxygen plasma irradiation section)
57 Fluoride plasma irradiation head (fluoride plasma irradiation section)

Claims

In a film forming apparatus for forming an EL layer on an electrode surrounded by a partition formed on one surface of a substrate and formed on one surface of the substrate,
A moving body that moves relative to the substrate above one surface of the substrate;
An oxygen plasma irradiation unit provided on the moving body and irradiating oxygen plasma toward the electrode;
A liquid droplet ejecting portion that is provided on the moving body and ejects an EL solution in which an EL material is dissolved as liquid droplets toward the electrode;
A film forming apparatus comprising:

In a film forming apparatus for forming an EL layer on an electrode surrounded by a partition formed on one surface of a substrate and formed on one surface of the substrate,
A moving body that moves relative to the substrate above one surface of the substrate;
A fluoride plasma irradiation unit that is provided on the moving body and irradiates a plasma of a compound gas containing fluorine toward the partition;
A liquid droplet ejecting portion that is provided on the moving body and ejects an EL solution in which an EL material is dissolved as liquid droplets toward the electrode;
A film forming apparatus comprising: