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JP4014126B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

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JP4014126B2
JP4014126B2 JP2001009207A JP2001009207A JP4014126B2 JP 4014126 B2 JP4014126 B2 JP 4014126B2 JP 2001009207 A JP2001009207 A JP 2001009207A JP 2001009207 A JP2001009207 A JP 2001009207A JP 4014126 B2 JP4014126 B2 JP 4014126B2
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾンガス等を供給して処理を施す基板処理方法及び基板処理装置、特にその強制排気技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。
【０００３】
前記レジスト除去の手段として洗浄装置が用いられている。従来の洗浄装置では、一般に、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と称される薬液が充填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥離を行っている。一方、近年では、環境保全の観点から廃液処理が容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用いてレジスト除去を行うことが要望されている。この場合、オゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄により、溶液中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化反応させて二酸化炭素や水等に分解する。
【０００４】
ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているため、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があった。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応速度を得ることができなかった。
【０００５】
そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規に提案されている。この洗浄方法は、処理容器内に収容されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給して、ウエハ等のレジストを除去する方法である。
【０００６】
具体的には、次のような処理工程(1) 〜(5) が順次行われる。(1) 処理容器内にホットエアを供給してウエハを昇温する（ウエハ昇温工程）。(2) オゾンガス（又はさらに水蒸気）を供給して処理容器内を予備加圧する（プレ加圧工程）。(3) 処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、ウエハを処理する（Ｏ3／蒸気処理工程）。(4) オゾンガスの代わりに酸素を供給して、Ｏ3供給配管内をＯ2パージする（Ｏ3→Ｏ2置換工程）。(5) 処理容器内にクールエアを供給して、処理容器内から内部雰囲気を押し出し排気する（エアパージ工程）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板処理においては、エジェクタによる排気ラインが無く、エアパージによる押出し排気によるのみであったため、処理容器内に排気されにくい箇所があり、スループットの低下要因となっていた。
【０００８】
この問題の解決策としては、例えば、処理容器からミストトラップへの排液管路に、これを側路する形でエジェクタを設け、強制的に処理容器内のガスを吸引してミストトラップの上流へ戻す、という強制排気工程（エジェクタ排気工程）を付加することにより、排気効果をアップさせ、スループットの改善を図ることが考えられる。また、さらなる改善として、エジェクタ排気工程時において扱うガスは、排気経路の途中にミストセパレータが介設されているため、ミストトラップに通す必要がないことから、処理容器内のガスを吸引し、これを排気負荷となるミストトラップを迂回してミストトラップの下流に戻すようにエジェクタを設けることも考えられる。
【０００９】
しかし、本発明者等が鋭意研究努力した結果、エジェクタ排気工程、ウエハ昇温工程、エジェクタ排気終了直後の工程の各プロセス時において、ミストトラップの方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流する、という問題が生ずることが判った。
【００１０】
詳述するに、エジェクタ排気工程のプロセス時は、処理容器内のガスを吸引してミストトラップの下流に戻し、さらにミストトラップの下流に接続されているオゾンキラーを通して排気する。このオゾンキラーを通過するには圧損を伴う。このため、エジェクタが作動するとミストトラップの下流に接続されているオゾンキラーが抵抗となり、ミストトラップの方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流する。よって、パーティクル汚染の問題が発生する。
【００１１】
また、ウエハ昇温工程において、溶媒ガス生成手段である水蒸気発生器が待機中に処理容器内の圧力より高い所定の圧力に調整する必要があり、この圧力調整の段階で水蒸気発生器内の水蒸気の一部をミストトラップ側へ排出するため、ミストトラップの方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流する。
【００１２】
また、エジェクタ排気終了直後、つまりエジェクタ排気工程を終了してエアパージ工程を開始する２〜３秒間の期間においては、それまで強制吸引排気されていた処理容器内は減圧状態で、ミストトラップの方が処理容器より圧力が高くなり、この状態で、ミストトラップと処理容器との間の弁を開くと、ミストトラップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流する。
【００１３】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、強制排気工程（エジェクタ排気工程）を付加することにより排気速度を速めてスループットの低下を防止する一方、エジェクタ排気、ウエハ昇温、エジェクタ排気終了直後等の各プロセス時において、ミストトラップの方が処理容器より圧力が高くなり、ミストトラップから処理容器内へガスあるいはミストが逆流してパーティクル汚染が発生する不都合を防止し得る基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第１の基板処理方法は、被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧するプレ加圧工程と、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程と、を有する基板処理方法であって、 前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離手段により気液分離する気液分離工程と、前記パージ工程の間、処理容器内の雰囲気を吸引する強制排気工程と、を有し、 前記強制排気工程の間、前記気液分離を行う気液分離手段に接続される排気経路を閉鎖すると共に、強制排気経路を開放し、前記基板処理工程の間、前記強制排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離する排気経路を開放することを特徴とする（請求項１）。この場合、前記処理容器内を強制的に吸引する雰囲気の量よりも少量か同等量のパージガスを処理容器内に供給しながら強制排気工程を行う方が好ましい（請求項２）。
【００１５】
この発明の基板処理方法において、前記強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間だけ、気液分離を行う排気経路を閉鎖する方が好ましい（請求項３）。
【００１６】
また、この発明の第２の基板処理方法は、被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧するプレ加圧工程と、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程と、を有する基板処理方法であって、 前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離手段により気液分離する気液分離工程を有し、 前記基板昇温工程の間、前記処理容器内の雰囲気を前記気液分離手段の下流に排気する分岐排気経路を開放すると共に、前記気液分離手段に接続される気液分離を行う排気経路を閉鎖し、前記基板処理工程の間、前記処理容器内の雰囲気を前記気液分離手段の下流に排気する分岐排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離する排気経路を開放することを特徴とする（請求項４）。
【００１７】
また、この発明の第１の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、 前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、 前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開閉弁（Ｖ 10 ）と、 前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、 前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、 前記処理容器に接続され、強制排気手段（６３）により強制的に前記処理容器内の雰囲気を吸引して排気する強制排気管路（６２）と、 前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）と、 前記強制排気手段により強制排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を開くと共に、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防止し、かつ、前記処理容器内の雰囲気を気液分離手段へ排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を閉じて、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開いて気液分離手段へ処理容器内のガスを流すように制御する制御手段（１００）と、を具備することを特徴とする（請求項５）。この場合、ガス供給手段（５０）から処理容器内に加熱ガスを供給するガス供給管路（５３）と、前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ６）と、処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、を具備し、制御手段が、前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ６）と前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）を開くと共に、逆流防止のため、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じる機能を具備する方が好ましい（請求項６）。また、ガス供給手段（５０）から処理容器内にパージガスを供給するガス供給管路（５１Ａ）と、前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ７）と、を具備し、前記制御手段が、強制排気を終了した直後の若干の所定時間だけ、前記ガス供給管路（５１Ａ）に介設される開閉弁（Ｖ７）を開くと共に、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防止し、その後、前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開いて、パージガスにより処理容器内のガスを排気するパージ工程を行う機能を具備する方が好ましい（請求項７）。
【００１８】
この発明の第２の基板処理装置は、請求項１，２記載の基板処理方法を具現化するもので、被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、 前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、 前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開閉弁（Ｖ 10 ）と、 前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、 前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、 前記処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、 前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、 前記処理容器内に加熱ガスを供給する加熱ガス供給手段（５２）と、 前記加熱ガス供給手段から前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ14）を開くと共に、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じるように制御する制御手段（１００）と、を具備することを特徴とする（請求項８）。ここで、前記開閉弁（Ｖ14）と開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）は、排気管路を開閉する機能を有するものであれば任意の構造でよく、後述する実施形態の構造のものに特定されるものではない。
【００１９】
この発明の第３の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、 前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、 前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開閉弁（Ｖ 10 ）と、 前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、 前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、 前記処理容器に接続され、強制排気手段（６３）により強制的に前記処理容器内の雰囲気を吸引して排気する強制排気管路（６２）と、 前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）と、 前記処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、 前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、 前記強制排気手段により強制排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を開くと共に、前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じるように制御する制御手段（１００）と、を具備することを特徴とする（請求項９）。この場合、前記強制排気手段の下流を気液分離手段と処理ガス分解手段との間に接続し、強制排気された処理容器内の雰囲気を前記処理ガス分解手段を通して排気可能に形成する方が好ましい（請求項１０）。また、前記制御手段は、強制排気手段からの排気が終了した直後、一定時間、分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ14）、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）、及び強制排気管路に介設される（Ｖ13）を閉じ、処理容器内をパージするためのパージガスが処理容器内に供給された後、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開き、前記処理容器内の雰囲気を排気するよう制御可能に形成される方が好ましい（請求項１１）。
【００２０】
請求項４，８に記載の発明によれば、処理容器内に加熱ガスが供給されかつ処理容器がこれから出て処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路によりほぼ大気圧に減圧される基板昇温工程における間も、処理容器から気液分離手段への排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、基板昇温工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【００２１】
請求項１，２，５，６，９，１０に記載の発明によれば、強制排気手段により処理容器内の雰囲気を吸引し、これを気液分離手段の下流に戻す強制排気工程が設けられており、これにより排気効果をアップさせ、スループットの改善を図ることができる。しかも、その強制排気工程の間は、処理容器から気液分離手段への排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるため、強制排気手段が作動して、気液分離手段の下流に接続されている処理ガス分解手段が抵抗となって気液分離手段内の方が処理容器内より圧力が高くなった場合でも、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、強制排気工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【００２２】
また、請求項３，７，１１に記載の発明によれば、強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器から気液分離手段への排液管路中に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖される。したがって、強制排気の終了直後、つまり強制排気工程を終了してパージ工程を開始する２〜３秒間の期間において、それまで強制吸引排気されていた処理容器内がパージガス（例えば酸素ガス、クールエア）で充満されるまで気液分離手段の方が処理容器より圧力が高くなった場合でも、処理容器から気液分離手段への排液管路が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、強制排気終了直後の工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）からレジストを除去する場合について説明する。
【００２４】
図１は、この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示す断面図、図３は、この発明における溶媒蒸気生成手段を示す概略断面図、図４は、この発明における処理容器の概略側面図である。
【００２５】
前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ３）ガス２を供給する処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、処理容器１０内にエアを供給するエア供給手段５０と、処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段６０と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲雰囲気排出手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラー８０と、処理容器１０内の液滴を排液する排液手段９０とを具備している。
【００２６】
処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開放又は閉鎖する容器カバー１２とで主に構成されている。
【００２７】
容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されている。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されている。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるように構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場合、容器本体１１の上端に設けられたフランジ１１ａと容器カバー１２の下端に設けられたフランジ１２ａの間の隙間は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部材１６によって密封されるように構成されている。したがって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に気体が漏れない状態となっている。また、容器本体１１の上端部には、容器カバー１２の閉塞状態をロックするロック機構２００が設けられている。
【００２８】
このロック機構２００は、図５〜図７に示すように、容器本体１１の上部外周側を包囲するように配設される矩形状のフレーム２１０と、このフレーム２１０を水平方向に移動する移動手段であるエアーシリンダ２２０とを具備し、フレーム２１０の各辺部にそれぞれ容器本体１１のフランジ１１ａと容器カバー１２のフランジ１２ａに係脱可能に係合する第１〜第４の係脱部２３０〜２６０が設けられている。
【００２９】
このうち、第１の係脱部２３０は、フレーム２１０の先端側辺部２１１の両側２箇所に設けられている。この場合、フレーム２１０に突設された取付ブラケット２３１の先端に連結ピン２３２をもって略Ｈ字状の連結リンク２３３が取り付けられ、この連結リンク２３３の先端部にヒンジピン２３４をもって揺動リンク２３５の下端部が枢着されると共に、枢支ピン２３６をもって揺動リンク２３５の中間部が容器本体１１のフランジ１１ａに設けられた取付溝１１ｂの両側に枢着されて垂直方向に揺動可能に形成され、更に、揺動リンク２３５の上端部の側方に取付ピン２３７をもって係止ローラ２３８が回転可能に取り付けられている。なお、容器カバー１２のフランジ１２ａにおける揺動リンク２３５と対向する部位には、揺動リンク２３５が侵入可能な切欠き溝１２ｂが設けられている。このように構成することにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレーム２１０が先端側に移動することによって揺動リンク２３５が処理容器１０側に回転（傾倒）して、揺動リンク２３５が切欠き溝１２ｂ内に侵入すると同時に容器カバー１２のフランジ１２ａの上面を係止ローラ２３８が押圧することで、容器カバー１２のフランジ１２ａの先端側を容器本体１１のフランジ１１ａに密接することができる。
【００３０】
また、第２の係脱部２４０は、フレーム２１０の基端側辺部２１２の両側２箇所に設けられている。この場合、フレーム２１０に突設された二又状ブラケット２４１の上部突出部２４２及び下部突出部２４３の側方部にそれぞれ連結ピン２４４をもって係止ローラ２４５が回転可能に取り付けられている。このように構成することにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレーム２１０が先端側に移動することによって、両係止ローラ２４５が容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持することができる。
【００３１】
また、第３及び第４の係脱部２５０，２６０は、フレーム２１０の両側辺部２１３の３箇所の内側に、容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合可能に設けられている。この場合、第３及び第４の係脱部２５０，２６０は、側辺部２１３の先端部位２１４、中間部位２１５及び基端部位２１６の３箇所の上下位置にそれぞれ連結ピン２５１をもって回転可能に取り付けられる３組（６個）の係止ローラ２５２，２５３，２５４にて形成されている。なお、フレーム２１０が後退した位置における容器カバー１２のフランジ１２ａには、上部側の３個の係止ローラ２５２，２５３，２５４との係合を回避する切欠き溝１２ｃが設けられている。また、先端部位２１４と中間部位２１５に取り付けられる係止ローラ２５２，２５３の基端側近傍部位には、それぞれ切欠き溝１２ｃ内に位置して容器本体１１のフランジ１１ａの上面に係合するガイドローラ２５５が連結ピン２５６をもって回転可能に取り付けられている。このように構成することにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレーム２１０が先端側に移動することによって、フレーム２１０の移動前に切欠き溝１２ｃの上方に位置していた係止ローラ２５２，２５３，２５４が切欠き溝１２ｃからずれた容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持することができる。
【００３２】
次に、上記ロック機構２００の動作態様について、図４〜図７を参照して説明する。まず、容器カバー１２が上方に位置しているときは、図７（ａ）に示すように、エアーシリンダ２２０は収縮されてフレーム２１０は基端側に位置している。この状態で、容器カバー１２が下降されて、容器カバー１２のフランジ１２ａが容器本体１１のフランジ１１ａ上に当接し、容器本体１１の開口部を閉塞する（図７（ｂ）参照）。容器カバー１２が閉塞した後、エアーシリンダ２２０が伸長してフレーム２１０が先端側に移動すると、フレーム２１０の移動に伴って第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５が回転すると共に、揺動リンク２３５の上端部に取り付けられた係止ローラ２３８が容器カバー１２のフランジ１２a の先端部上面に係合する（図５、図７（ｃ）参照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止ローラ２４５が、容器カバー１２のフランジ１２ａの基部側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持する（図４、図５参照）。また、第３及び第４の係脱部２５０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５２，２５３，２５４が、容器カバー１２のフランジ１２ａの両側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの両側の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持する（図５、図７（ｃ）参照）。この状態において、容器カバー１２は容器本体１１の開口部に密閉状態にロックされる。
【００３３】
なお、ロック状態を解除する場合は、エアーシリンダ２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０を基端側に移動すればよい。すなわち、エアーシリンダ２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０を基端側に移動すると、第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５は、反対方向に回転して、係止ローラ２３８を容器カバー１２のフランジ１２ａの上面から後退する（図７（ｂ）参照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止ローラ２４５は、容器カバー１２のフランジ１２ａの基部側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の下面から後退する。また、第３及び第４の係脱部２５０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５２，２５３，２５４は、容器カバー１２のフランジ１２ａの両側に設けられた切欠き溝１２ｃの上方に移動する。これにより、容器カバー１２は開閉可能となり、上記昇降機構１５の作動によって上方に移動されて容器本体１１を開放する。
【００３４】
なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によって発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度センサＴＳ1 にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰＵ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１９によって処理容器１０内の結露防止が図られている。
【００３５】
前記ウエハガイド２０は、図４に示すように、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固着された互いに平行な３本の保持部材２２とで主に構成されている。この場合、各保持部材２２に、ウエハＷの周縁下部を保持する溝（図示せず）が等間隔に５０箇所形成されている。したがって、ウエハガイド２０は、５０枚（ウエハキャリア２個分）のウエハＷを等間隔で配列させた状態で保持することができる。また、ウエハガイド２０は、ガイド部２１に連なるシャフト２３が容器カバー１２の頂部に設けられた透孔（図示せず）内に摺動可能に貫通されており、透孔とシャフト２３との間には、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部材２４が介在されて、処理容器１０内の気水密が維持できるように構成されている。
【００３６】
前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２から供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる溶剤蒸気生成手段である水蒸気発生器３３と、水蒸気発生器３３内の水蒸気１を供給する水蒸気供給管路３４と、水蒸気供給管路３４から供給された水蒸気１を処理容器１０内に吐出する水蒸気ノズル３５とで主に構成されている。
【００３７】
この場合、純水供給管路３２の一端は純水供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２には、純水供給源３１側から順に開閉弁Ｖ０と流量コントローラＦＭ０が介設されている。これら開閉弁Ｖ０と流量コントローラＦＭ０は、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御されるようになっている。すなわち、開閉弁Ｖ０は、純水を流すか否かの開閉制御され、また、流量コントローラＦＭ０は、純水の流量を調整すべく開度が制御されるようになっている。
【００３８】
また、水蒸気発生器３３は、図３に示すように、純水を供給する容器である密閉式のタンク３６と、このタンク３６内の中央部にタンク３６の深さ方向すなわち垂直状に配設されるヒータ３７と、タンク３６内の水蒸気の圧力を検出する圧力検出手段である圧力センサＰＳ２と、タンク３６内の純水の液面を検出する補充開始センサ３８ａ、補充停止センサ３８ｂ及び上限センサ３８ｃを具備している。このように構成される水蒸気発生器３３において、タンク３６内に供給される純水は、その量に応じて加熱調節されて所定量の水蒸気１が生成されるようになっている。すなわち、タンク３６内に供給される純水とヒータ３７との接触面積に応じたヒータ３７の熱により純水が気化されて水蒸気１の生成（発生）量が調節されるようになっている。
【００３９】
この場合、前記各センサ３８ａ〜３８ｃはＣＰＵ１００に接続されており、タンク３６内の純水の液面が補充開始センサ３８ａによって検出されたとき、その検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ０が開放してタンク３６内に純水が補充される。また、補充停止センサ３８ｂによってタンク３６内の純水の液面が検出されたとき、その検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ０が閉止してタンク３６内への純水の補充が停止される。したがって、タンク３６内に常時所定量の純水が収容されるようになっている。なお、上限センサ３８ｃは、タンク３６内に純水が満杯になった際の異常事態を検出するものであり、この上限センサ３８ｃの検出信号に基づいてＣＰＵ１００からの制御信号が例えばアラーム（図示せず）に伝達されるようになっている。また、タンク３６内には、液体状態の溶媒である水の温度を検出する第１の温度センサＴＳａが配設されると共に、ヒータ３７の温度調整用の第２の温度センサＴＳｂと、ヒータ３７の過昇温を検知する過昇温防止用の第３の温度センサＴＳｃが配設されている。これら第１〜第３の温度センサＴＳａ〜ＴＳｃはＣＰＵ１００に接続されており、第２の温度センサＴＳｂは水蒸気の発生量を監視でき、また、第１、第３の温度センサＴＳａ，ＴＳｃは、後述するように、水蒸気の圧力を監視できるようになっている。
【００４０】
また、水蒸気発生器３３において、生成された水蒸気の圧力が圧力検出手段である圧力センサＰＳ２ にて検出され、その検出信号が前記ＣＰＵ１００に伝達されるようになっている。この圧力センサＰＳ２ によって検出される圧力によって純水の沸騰状態が検出される。圧力が高い程水蒸気１が増量するので、水蒸気発生器３３のヒータ３７の発熱容量を最大にしておく方が望ましい。所定量の水蒸気１の供給を円滑にすることができるからである。
【００４１】
また、水蒸気発生器３３と水蒸気ノズル３５とを接続する水蒸気供給管路３４の途中には第１の開閉手段である第１の開閉弁Ｖ１（以下に第１開閉弁Ｖ１という）が介設されている。この水蒸気供給管路３４における第１開閉弁Ｖ１の上流側（タンク３６側）には、後述するミストトラップ９５に接続される排出管路３９が分岐されており、この排出管路３９に第２の開閉手段である第２の開閉弁Ｖ２（以下に第２開閉弁Ｖ２という）が介設されている。なお、第２開閉弁Ｖ２の上流側と下流側にはバイパス管路３９Ａが接続され、このバイパス管路３９Ａに水蒸気発生部３３内の圧力が所定値より高くならないように圧力開放弁（安全弁）ＣＶ０が介設されている。例えば、この所定値とは、タンク３６の耐圧値又は開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３等の耐圧値の限界値より小さく設定される。また、第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２の上流側には、開閉弁Ｖ３及びフィルタＦ０を介して大気側に連通する大気連通管路３９ｂが接続されており、水蒸気発生器３３内の水を抜く時に空気の取入口となるように構成されている。なお、排出管路３９は、前述の圧力開放弁ＣＶ０を通ってきた水蒸気１や、後述するように第２の開閉弁Ｖ２を開閉させて水蒸気発生器３３内の熱気圧力を所定範囲に維持する際に開閉弁Ｖ２を通過した水蒸気１をミストトラップ９５に排気するように構成されている。
【００４２】
前記第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２は、それぞれＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて開閉動作が制御されるように構成されている。この場合、処理容器１０内に供給される水蒸気１の供給量の最低量（しきい値）に応じて第１，第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開閉制御される。また、ＣＰＵ１００は、処理容器１０内に配設された容器圧力検出手段である圧力センサＰＳ2 とも接続されており、圧力センサＰＳ2 よって検出される処理容器１０内の圧力と、水蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1 ，Ｖ2 が開閉制御される。このように構成することによって、処理容器１０内の圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を処理容器１０内に供給することができる。なお、予め、ＣＰＵ１００に処理時の処理容器１０内の圧力をデータとして記憶させておけば、このデータと、水蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1 ，Ｖ2 を開閉制御することができる。
【００４３】
前記水蒸気ノズル３５は、図８に示すように、パイプ状本体３５ａの一端部に、水蒸気供給管路３４を接続する雌ねじ部３５ｂと、取付フランジ３５ｃを設け、先端部に、Ｏリング３５ｄの嵌合溝３５ｅを周設してなり、パイプ状本体３５ａの一側面に適宜間隔をおいて多数の水蒸気噴射孔３５ｆを穿設した構造となっている。この水蒸気ノズル３５は、先端部にＯリング３５ｄを介してキャップ３５ｇを閉塞すると共に、図示しない取付ねじをもって取付フランジ３５ｃを処理容器１０の容器本体１１に固定することで、処理容器１０内に水平状に配設される。この際、水蒸気噴射孔３５ｆは処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば、鉛直上向きを中心点として約４５度の位置に設定されている。このように、水蒸気噴射孔３５ｆを処理容器１０の内壁面側に向けた理由は、水蒸気が直接ウエハＷに吹き付けられてウエハＷ上に液滴が発生することを防止するようにしたためである。また、ノズル孔３５ｆを内壁面側でかつ斜め上側に向けたことにより、水蒸気が内壁を上昇して行き、処理容器１０の上部において、後述するオゾンガスノズル４３から噴射されるオゾンガスと混合され、かつ混合されたガスが下向きの気流となってウエハＷに供給される。
【００４４】
一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾンガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０内に吐出するオゾンガスノズル４３とで主に構成されている。
【００４５】
この場合、オゾンガス生成手段４１は、図２に示すように、原料となる基ガスとしての酸素（Ｏ２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が印加される放電電極４５，４６間を通過させることで、オゾン（Ｏ３）を生成している。これら高周波電源４４と放電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、スイッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御されるようになっている。すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか否か制御されるようになっている。また、オゾンガス供給管路４２には、オゾンガス生成手段４１側に開閉手段たる開閉弁Ｖ４が介設されている。この開閉弁Ｖ４は、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御されるようになっている。すなわち、開閉弁Ｖ４は、オゾンガスを流すか否かによって開閉制御されるようになっている。
【００４６】
前記オゾンガスノズル４３は、図９及び図１０に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のオゾン噴射孔４３ａを穿設したアウターパイプ４３ｂと、一側面に適宜間隔をおいて複数例えば３個の連通孔４３ｃを穿設し、アウターパイプ４３ｂ内に隙間をおいて挿入されるインナーパイプ４３ｄとで主に構成されている。この場合、インナーパイプ４３ｄは、一端が開口し、他端が閉塞するオゾンガス通路４３ｅを有し、オゾンガス通路４３ｅに前記３個の連通路４３ｃが連通されている。また、インナーパイプ４３ｄの一端部は、アウターパイプ４３ｂの外方に突出しており、オゾンガス供給管路４２と接続する雌ねじ部４３ｇと、取付フランジ４３ｈが設けられ、また、他端部には、アウターパイプ４３ｂとの間の隙間を閉塞する塞ぎ板４３ｉが装着されている。
【００４７】
このように構成されるインナーパイプ４３ｄは、オゾン噴射孔４３ａに対して反対側に連通孔４３ｃが位置するようにアウターパイプ４３ｂ内に挿入されて固定された状態で、図示しない取付ねじをもって取付フランジ４３ｈを処理容器１０の容器本体１１に固定することで、オゾン噴射孔４３ａが処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設定された状態で処理容器１０内に水平状に配設される。
【００４８】
このように、オゾン噴射孔４３ａに対して反対側に連通孔４３ｃが位置するようにした理由は、オゾンガス生成手段４１から供給されるオゾンガスを、連通路４３ｆから連通孔４３ｃを介してアウターパイプ４３ｂとインナーパイプ４３ｄとの隙間４３ｊ内に流して隙間４３ｊ内を迂回させた後に、オゾン噴射孔４３ａから処理容器１０内に噴射することで、各オゾン噴射孔４３ａから均一にオゾンガスを噴射できるようにしたためである。
【００４９】
また、オゾン噴射孔４３ａを処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設定した理由は、オゾンガスが直接ウエハＷ表面に吹き付けられるのを防止するためである。
【００５０】
一方、処理容器１０内のパージや処理容器１０内のウエハＷの昇温用のガスを供給するガス供給手段として例えばエアを供給するエア供給手段５０は、加熱ガス供給手段を具備している。この加熱ガス供給手段は、エアを供給する第１のエア供給管路５１と、この第１のエア供給管路５１から供給されたエアを加熱してホットエア３を発生させるホットエアジェネレータ（ガス加熱手段）５２と、ホットエアジェネレータ５２内のホットエア３を供給する第２のエア供給管路５３と、第２のエア供給管路５３から供給されたホットエア３を吐出するエアノズル５４とを具備している。また、エア供給手段５０は、処理容器１０内にパージ用のエアを供給するパージガス供給手段を具備している。このパージガス供給手段は、前記第１のエア供給管路５１と第２のエア供給管路５３に接続されるパージ用のエア供給管路５１Ａと、エジェクタ６３を作動させてパージする際のエア供給管路５１Ｂとが平行に配設されている。
【００５１】
この場合、第１のエア供給管路５１の一端には、エア供給源５５が接続されいる。また、第１のエア供給管路５１には、エア供給源５５側から順に流量コントローラＦＭ１、フィルタＦ１及び開閉手段たる開閉弁Ｖ５とが介設されている。これら開閉弁Ｖ５と流量コントローラＦＭ１は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエアの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制御されるようになっている。また、ホットエアジェネレータ５２の内部には、エアを加熱するヒータ５６が配設されている。また、第２のエア供給管路５３には、開閉手段たる開閉弁Ｖ６が介設されている。この開閉弁Ｖ６は、制御手段であるＣＰＵ１００によって制御されるようになっている。
【００５２】
また、パージ用のエア供給管路５１Ａとエジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂには、それぞれエア供給源５５側から順に流量コントローラＦＭ２，ＦＭ３、フィルタＦ２，Ｆ３及び開閉手段たる開閉弁Ｖ７，Ｖ８とが介設されている。これら開閉弁Ｖ７，Ｖ８と流量コントローラＦＭ２，ＦＭ３は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエアの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制御されるようになっている。なお、エジェクタ６３を動作させて処理容器１０内をパージさせる場合は、通常エジェクタ６３の流量が決まっているので、それに合わせた流量をエジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂから送っている。なお、通常のパージ用のエア供給管路５１Ａを流れるクールエアの流量がエジェクタの流量と合う場合は、エア供給管路５１Ｂを設けなくてもよい。
【００５３】
前記エアノズル５４は、図１１及び図１２に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のエア噴射孔５４ａを穿設したアウターパイプ５４ｂと、このアウターパイプ５４ｂ内に隙間をおいて挿入されるインナーパイプ５４ｃとを具備している。この場合、インナーパイプ５４ｃには、アウターパイプ５４ｂに設けられたエア噴射孔５４ａと対向する一側面にスリット孔５４ｄが穿設されている。また、インナーパイプ５４ｃの一端部は、アウターパイプ５４ｂの外方に突出しており、この突出側の端部に第２のエア供給管路５３を接続する雌ねじ部５４ｅが設けられると共に、取付フランジ５４ｆが設けられている。また、インナーパイプ５４ｃの他端部は、処理容器１０の容器本体１１の側壁に固定される固定部材５４ｇに設けられた貫通孔５４ｈ内に挿入される連結ねじ５４ｉをもって連結されている。
【００５４】
このように構成されるエアノズル５４は、図示しない取付ねじをもって取付フランジ５４ｆを処理容器１０の容器本体１１に固定すると共に、連結ねじ５４ｉを調節することで、エア噴射孔５４ａが処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設定された状態で、処理容器１０内のウエハＷの下部両側に水平状に配設される。なお、エア噴射孔５４ａを処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設定した理由は、エアが直接ウエハＷ表面に吹き付けられるのを防止するためである。
【００５５】
排気手段９０は、処理容器１０の底部に接続される第１の排気管路９１と、この第１の排気管路９１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下流側に接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ９５と、液溜部９５ａの底部に接続された第２の排液管路９３とを具備している。また、排気管路９１には、開閉弁Ｖ９が介設されており、この開閉弁Ｖ９の上流側及び下流側に接続するバイパス管路９４に開閉弁Ｖ９と反対の開閉動作を行う補助開閉弁Ｖ10が介設されている。また、第２の排液管路９３には、開閉弁Ｖ11が介設されている。なお、液中にオゾンが残存する恐れがあるので、第２の排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系１２３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通されている。
【００５６】
なお、ミストトラップ９５には、下から順に、空防止センサ９６、排液開始センサ９７、排液停止センサ９８、液オーバーセンサ９９が配置されている。この場合、図示しないが、前記開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11及び各センサ９６，９７，９８，９９は、ＣＰＵ１００に接続されている。そして、センサ９６，９７，９８，９９からの検出信号に基づいて開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11が開閉制御されるようになっている。すなわち、処理時には、開閉弁Ｖ９が閉じる一方、開閉弁Ｖ10が開いて処理容器１０内から少量のオゾンガス、水蒸気を排気して処理容器１０内の圧力を調整する。また、処理後には、開閉弁Ｖ10が閉じる一方、開閉弁Ｖ９が開いて排気する。また、液滴がミストトラップ９５内にある程度溜められ、液面が排液開始センサ９７にて検出されると、排液開始センサ９７からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ11を開放して排液が開始され、液面が排液停止センサ９８にて検出されると、排液停止センサ９８からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉止して排液が停止される。また、液面の高さが液オーバーセンサ９９まで達すると、液オーバーセンサ９８からの警告信号がＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防止センサ９６より下回っている場合には、空防止センサ９６から禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉じるように構成されている。この空防止センサ９６によって液滴が全て流れてミストトラップ９５内が空になり、オゾンガス２が工場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止することができる。
【００５７】
また、ミストトラップ９５の上部には排気管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設されている。
【００５８】
前記ミストトラップ９５は、気体と液体とを分離して排出するように構成されている。すなわち、第１の排液管路９１を介して処理容器１０内から排出される水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介してミストトラップ９５に流れるようになっている。この場合、冷却部９２には、冷却水供給管路９２ａにより冷却水が供給されているので、処理容器１０内から排気された水蒸気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて凝縮される。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミストトラップ９５に滴下される。一方、オゾンガス２は、そのままミストトラップ９５内に導入される。このようにして、処理容器１０から排気された内部雰囲気を、オゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオゾンガス２は、排気管路１１０に排気され、液滴は、第２の排液管路９３に排液されるようになっている。また、水蒸気発生器３３から排出された水蒸気１及び純水は、開閉弁Ｖ12を介設して排出管路３９に接続する排出管路３９ｃと、逆止弁ＣＶ１介設した排出管路３９を介してミストトラップ９５に導入される。純水は、そのまま排出管路３９内を流れてミストトラップ９５に滴下される。水蒸気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて凝縮され、液滴になってミストトラップ９５に滴下される。なお、開閉弁Ｖ12は、ＣＰＵ１００に接続され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉制御されるように構成されている。
【００５９】
処理ガス分解手段であるオゾンキラー８０は、加熱によりオゾンを酸素に熱分解するように構成されている。このオゾンキラー８０の加熱温度は、例えば４００℃以上に設定されている。なお、オゾンキラー８０は、工場内の無停電電源装置（図示せず）に接続され、停電時でも、無停電電源装置から安定的に電力供給が行われるように構成する方が好ましい。停電時でも、オゾンキラー８０が作動し、オゾンを除去して安全を図ることができるからである。なお、オゾンキラー８０の内部では、気体が急激に膨張する上、内部の排気経路が螺旋状のため、オゾンキラー８０は排気抵抗となる。
【００６０】
また、オゾンキラー８０には、オゾンキラー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサは、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成されている。また、温度センサは、ＣＰＵ１００に接続されており、温度センサからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、温度センサからの検出信号に基づいて、オゾンを除去するのにオゾンキラー８０に十分な準備が整っているか判断するようになっている。オゾンキラー８０によって熱分解されたホットエアは、工場のホットエア専用の排気系１２０（ＨＯＴ ＡＩＲ ＥＸＡＵＳＴ）から排気される。また、オゾンキラー８０によって熱分解された液は、工場の専用の排液系１２１（ＣＯＯＬＩＮＧ ＷＡＴＥＲ ＯＵＴ）から排液される。
【００６１】
排気マニホールド８１は、装置全体の排気を集合して行うように構成されている。また、排気マニホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むための配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機能するようになっている。
【００６２】
また、排気マニホールド８１には、オゾン濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられている。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、ＣＰＵ１００に接続されており、濃度センサからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００にて、濃度センサにより検出されたオゾン濃度に基づいて、オゾンキラー８０のオゾン除去能力を把握し、例えばオゾンキラー８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を監視するようになっている。
【００６３】
上記のように、処理容器１０からの排液管路９１中に、開閉弁Ｖ９及びこれに並列に接続された補助開閉弁Ｖ10と、冷却部９２と、ミストトラップ９５とが介設され、このミストトラップ９５からの排気系を構成する排気管路１１０にオゾンキラー８０が接続されている。さらに、処理容器１０から前記ミストトラップ９５を迂回する形で内部排気手段６０が設けられ、その構成要素たる強制排気機構を構成するエジェクタ６３により強制的に処理容器１０内のガスを吸引してミストトラップ９５の排気系出口側に戻す強制排気管路６２が設けられている。
【００６４】
内部排気手段６０は、処理容器１０内に設けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６２に介設される開閉手段たる第１の排気開閉弁Ｖ13と、この第１の排気開閉弁Ｖ13の下流側に介設されるエジェクタ６３を具備する強制排気機構とで主に構成されている。また、処理容器１０の下部と強制排気管路６２の第１の排気開閉弁Ｖ13の下流側には万一処理容器１０の圧力が異常に高くなったときに処理容器１０内の雰囲気を解放させるための安全弁ＣＶ２を介設した補助排気管路６８が接続されている。また、強制排気管路６２の第１の排気開閉弁Ｖ13の上流側と前記排気管路１１０におけるオゾンキラー８０とマニホールド８１との間には分岐排気管路６４が接続されており、この分岐排気管路６４には、第２の排気開閉弁Ｖ14とダンパ６５が介設され、また、ケース７１内の排気を行うための排気管路６４ａも介設されている（図１参照）。
【００６５】
この場合、前記第１の排気開閉弁Ｖ13、第２の排気開閉弁Ｖ14及びダンパ６５は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて作動制御されるように構成されている。
【００６６】
また、強制排気機構のエジェクタ６３は、前記エア供給手段５０のエア供給源５５から供給されるエアを、開閉手段たる開閉弁Ｖ16を介して強制排気管路６２の一部（エジェクタ６３）に供給することによって生じる負圧を利用して、処理容器１０内の水蒸気及びオゾンガスを強制的に吸引排気し得るように構成されている。このように構成される強制排気機構、つまりエジェクタ６３の開閉弁Ｖ13を開閉弁Ｖ16は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて作動制御されるように構成されている。
【００６７】
排液手段７０は、処理容器１０の周囲を包囲するケース７１と、このケース７１の下部に一端が接続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２を具備している。
【００６８】
この場合、ケース７１では、上方から清浄なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共に、下方に押し流されて排気管路６４ａ及び排液管路７２に流入し易いようにしている。なお、ケース７１には、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出する周囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）が設けられている。この濃度センサは、ＣＰＵ１００に接続されており、濃度センサからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、濃度センサにより検出されたオゾン濃度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知するようになっている。
【００６９】
また、排液管路７２には、前記強制排気管路６２の強制排気機構６３の下流側に介設されたミストセパレータ６６によって分離された排液を流す排液管６７が接続されている。なお、この排液管６７には、開閉手段たる開閉弁Ｖ15が介設されている。また、周囲排出管路７２には、前記ミストトラップ９５に接続する第２の排液管路９３が接続されている。
【００７０】
次に、この発明に係る基板処理装置の作動態様について説明する。表１に制御装置のシーケンス制御の仕方を示す。
【００７１】
【表１】

Figure 0004014126
【００７２】
まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、処理容器１０の容器本体１１の上方に上昇するウエハガイド２０に受け渡し、次いで、ウエハガイド２０が下降した後、容器カバー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器１０内に密封状態に収容する。
【００７３】
(a) ウエハ昇温工程（基板昇温工程）
処理容器１０内にウエハＷを収容した状態において、最初に、処理容器１０内にホットエアを供給すべく、制御装置により、エア供給手段５０の開閉弁Ｖ５、Ｖ６が開放されると共に、第２の排気開閉弁Ｖ14が開放され、ホットエアジェネレータ５２が作動して、処理容器１０内に約２８０℃に加熱されたホットエア３が供給され、ウエハＷ及び処理容器１０の雰囲気温度を常温（２５℃）から所定の温度（例えば８０℃〜９０℃）に昇温する（表１の工程(1) ）。
【００７４】
このウエハ昇温工程において、制御装置は、表１の工程(1) に示すように、処理容器１０からの排液管路９１中に介設した開閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10を閉じ、ミストトラップ９５から処理容器内へのガスあるいはミストの逆流を防止する。すなわち、ウエハ昇温工程においては、処理容器１０内にホットエアが供給されかつ処理容器１０がこれから出てオゾンキラー８０の下流に合流する分岐排気管路６４により排気される。このウエハ昇温工程の間、水蒸気発生器３３が待機中に処理容器１０内の圧力より高い所定圧力に調整する必要があり、この圧力調整の段階で開閉弁Ｖ２を開放して水蒸気発生器３３内の水蒸気の一部を排出管路３９を介してミストトラップ９５へ排出するため、ミストトラップ９５の方が処理容器１０内より圧力が高くなるが、開閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10が閉じられているため、逆流は生じない。
【００７５】
(b) プレ加圧工程
次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガス生成手段４１が作動して供給される酸素（Ｏ２）に高周波電圧を印加してオゾン（Ｏ３）ガスを生成する。制御装置は、補助開閉弁Ｖ10を開状態（開閉弁Ｖ９は閉状態）にすると共に、開閉弁Ｖ４を開放して、オゾンガス２を処理容器１０内に供給することで、ウエハＷ及び処理容器１０内の雰囲気を予備加圧する（表１の工程(2) ）。このとき、オゾン濃度が約９％ｗｅｔ（体積百分率）のオゾンガス２を、約１０リットル／分供給することで、処理容器１０内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より０．０１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａ高い圧力とすることができる。これにより、処理容器１０内をオゾンガス２のみの雰囲気にすることができるので、ウエハＷの表面に安定した酸化膜が形成され、金属腐食を防止することができる。
【００７６】
(c) Ｏ3／蒸気処理工程
処理容器１０内の予備加圧を所定時間（例えば１〜２分）行った後、オゾンガス供給手段すなわちオゾンガス生成手段４１を作動させ開閉弁Ｖ４を通してオゾンガスを供給する一方、水蒸気供給手段３０を作動させ、第１開閉弁Ｖ１を開いて、処理容器１０内に水蒸気１を供給して、水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス（処理ガス）との反応により生じた反応物質によってウエハＷの処理すなわちレジストの除去のための処理を行う（表１の工程(3) ）。
【００７７】
この際、水蒸気供給手段３０を作動させてから処理容器１０内に水蒸気を供給するまでの間、例えば、処理容器１０内の圧力センサＰＳ１の値Ｐ１と、水蒸気発生器３３内の圧力センサＰＳ２の値Ｐ２とを比較して、処理容器１０内の圧力の方が水蒸気発生器３３内の圧力より高い場合（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気発生器３３内の圧力の方を高くして（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気を処理容器１０内に供給できるよう開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉を制御する。具体的には、水蒸気発生器３３内の圧力を圧力センサＰＳ２でモニタしながら、第１の圧力値Ｐｘまで開閉弁Ｖ１，Ｖ２共に閉じておく、これによって次第に水蒸気発生器３３内で水蒸気量が増加していき、第１の圧力値Ｐｘに到達する。ここで、開閉弁Ｖ１は閉じたまま、例えば開閉弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅｃ）開放し、水蒸気発生器３３内の圧力（水蒸気）を放出して水蒸気発生器３３内の圧力を第２の圧力値Ｐｙまで低下させる。なお、この場合、排出管路３９には オリフィス３９ａが介設されているので、水蒸気発生器３３内の圧力が急激に低下するのを抑制することができる。また、処理容器１０内に水蒸気を供給するときまで、開閉弁Ｖ１を閉じたままにして、上記作動（制御）を繰り返して、水蒸気発生器３３内の圧力値ＰｘからＰｙの間に維持する。ここで、第１の圧力値Ｐｘと第２の圧力値Ｐｙの値は、共に処理容器１０内に圧力Ｐ１よりも高く設定されており、Ｐ１＜Ｐｙ＜Ｐｘの関係が成り立つ。また、処理容器１０内への水蒸気の供給開始以降の制御は、まず、ＣＰＵ１００によって開閉弁Ｖ１を開くと共に開閉弁Ｖ２を閉じた状態にする。このとき、水蒸気発生器３３内の圧力値はＰｘからＰｙの間にあるので、容易に、かつ一瞬で処理容器１０内に水蒸気が流れ込む。しかも、水蒸気発生器３３内で水蒸気は大量に発生していたので、一気に処理容器１０内に大量の水蒸気が流れ込み、予め処理容器１０内に供給されていたオゾンガスと混合して、ウエハＷの処理が素早く開始される。また、水蒸気発生器３３内は圧力が高い状態であったことから、当然水蒸気も高い温度であったため、高い温度雰囲気の中で、オゾンを利用した処理を行うことができるので、処理能力の向上を図ることができる。また、水蒸気とオゾンガスが処理容器１０内に供給される間、開閉弁Ｖ１０が開いた状態に制御されると共に、開閉弁Ｖ１０の上流の流量調整部で圧損を作り、処理容器１０内の圧力の大気圧よりも高い状態に維持しながらウエハＷのレジスト除去処理が行われる。
【００７８】
前記実施形態では水蒸気供給の際にＰ１＜Ｐ２としたが、これに限るものではなく、Ｐ１＝Ｐ２でも、実質的には、水蒸気発生器３３内によって、水蒸気が発生している間は、処理容器１０側に送り込まれることはいうまでもない。
【００７９】
なお、予め、処理時における処理容器１０内の圧力のデータをＣＰＵ１００に記憶させることにより、このデータと、圧力センサＰＳ2 にて検出された検出圧力に基づいて、第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２を開閉制御することにより、処理容器１０内の圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を供給することができ、水分子の層に対するオゾン分子の混合量を増加させて水酸基ラジカルの発生量を増やすことができるので、レジスト除去能力を向上することができる。
【００８０】
(d) Ｏ3→Ｏ2置換工程
処理を所定時間（例えば３〜６分）、レジストの種類によっても異なるが、その際の処理容器１０内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より例えば約０．０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った後、第１開閉弁Ｖ１を閉じて、水蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給を停止すると共に、オゾンガス生成手段４１の作動を停止し、基ガスの酸素（Ｏ２）のみを処理容器１０内に供給して、基ガスで配管内をパージし、処理容器１０内の急激な減圧及び湿度の低下を防止する（表１の工程(4) ）。したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露して、その水滴がウエハＷに付着するのを防止することができる。
【００８１】
(e) 強制排気工程
酸素の供給を所定時間（例えば１分）行った後、酸素の供給を停止し、次いで、開閉弁Ｖ16を開いて強制排気機構のエジェクタ６３を作動させる一方、排気開閉弁Ｖ13及び開閉弁Ｖ６，Ｖ８を開いて、処理容器１０内に残留する水蒸気及びオゾンガスを強制的に吸引して排気する（表１の工程(5) ）。この場合、エア供給管路５１Ｂを流れるエアの流量よりも処理容器１０からエジェクタ６３に向かって流れる流量の方が若干多くなるようにエジェクタ６３を設定し、処理容器１０内を若干の減圧状態にすることで、処理容器１０内を吸引排気できるので、後述するエアパージ工程の押出し排気だけではパージされにくかった箇所の排気も急速に行うことができる。
【００８２】
この強制排気工程の間も、エジェクタ６３の下流が接続される排気管路１１０からミストトラップ９５内の圧力が高い。この強制排気行程において、制御手段は、表１の工程(5) に示すように、処理容器１０からの排液管路９１中に介設した開閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10を共に閉じて、ミストトラップ９５から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防止する。
【００８３】
(f) 強制排気終了直後の工程
制御手段により、強制排気工程を終了｛終了時に開閉弁Ｖ８は閉じ、開閉弁Ｖ６は開放状態｝した直後の若干の所定時間（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器１０からミストトラップ９５への排液管路９１中に介設された開閉弁Ｖ９及び補助開閉弁Ｖ10を閉鎖し、その状態下で、開閉弁Ｖ７を開き、処理容器１０内にエアパージのクールエアを供給する（表１の工程(6) ）。
【００８４】
その理由は、強制排気の終了直後、つまりエジェクタ排気工程を終了してエアパージ工程を開始する２〜３秒間の期間においては、オゾンキラー８０を通過しきれないガスが残っているので、オゾンキラー８０からミストトラップ９５内までの空間の圧力が高く、逆に処理容器１０内は若干の減圧状態となる。したがって、強制吸引排気されていた処理容器１０内がエアパージのクールエアで充満されるまでミストトラップ９５の方が処理容器１０より圧力が高くなるため、処理容器１０からミストトラップ９５への排気管路が開いたままでは、ミストトラップ９５から処理容器１０内へガスあるいはミストが逆流するからである。そこで、エジェクタ排気工程を終了した直後も、若干の所定時間だけ、処理容器１０からミストトラップ９５への排液管路９１を閉鎖して逆流を防止する。
【００８５】
(g) エアパージ工程
最後に、排液管路９１中の開閉弁Ｖ９を開くと共に、パージ用のエア供給管路５１Ａ中の開閉弁Ｖ６，Ｖ７を強制排気終了直後の工程から引き続き開き、処理容器１０内にクールエアを供給し、処理容器１０内を押し出し排気して、処理を終了する（表１の工程(7) ）。
【００８６】
その後、昇降機構１５を作動させて、容器カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハＷを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しないウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部において、レジストを洗い流す。
【００８７】
したがって、前記基板処理によれば、配線工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないその他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパーティクルの防止にも適用できるものである。
【００８８】
なお、上記実施形態では、被処理基板がウエハＷである場合について説明したが、ウエハＷ以外の例えばＬＣＤ基板等の被処理基板についても同様にレジストの除去を行うことができる。
【００８９】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００９０】
１）請求項４，８に記載の発明によれば、処理容器内に加熱ガスが供給されかつ処理容器がこれから出て処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路によりほぼ大気圧に減圧される基板昇温工程における間も、処理容器から気液分離手段への排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、基板昇温工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【００９１】
２）請求項１，２，５，６，９，１０に記載の発明によれば、強制排気手段により処理容器内の雰囲気を吸引し、これを気液分離手段の下流に戻す強制排気工程が設けられており、これにより排気効果をアップさせ、スループットの改善を図ることができる。しかも、その強制排気工程の間は、処理容器から気液分離手段への排気経路（管路）に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖されるため、強制排気手段が作動して、気液分離手段の下流に接続されている処理ガス分解手段が抵抗となって気液分離手段内の方が処理容器内より圧力が高くなった場合でも、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、強制排気工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【００９２】
３）請求項３，７，１１に記載の発明によれば、強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間（例えば２〜３秒間）だけ、処理容器から気液分離手段への排液管路中に介設された開閉弁（Ｖ９，Ｖ10）が閉鎖される。したがって、強制排気の終了直後、つまり強制排気工程を終了してパージ工程を開始する２〜３秒間の期間において、それまで強制吸引排気されていた処理容器内がパージガス（例えば酸素ガス、クールエア）で充満されるまで気液分離手段の方が処理容器より圧力が高くなった場合でも、処理容器から気液分離手段への排液管路が閉鎖されるため、気液分離手段から処理容器内へガスあるいは水分が逆流する現象が防止される。したがって、強制排気終了直後の工程におけるパーティクル汚染の発生が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】 第一実施形態の基板処理装置の要部を示すもので、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供給した状態を示す断面図である。
【図３】 この発明における溶媒蒸気生成手段の第一実施形態を示す概略断面図である。
【図４】 この発明における処理容器の概略側面図である。
【図５】 この発明における処理容器のロック機構を示す概略平面図である。
【図６】 前記ロック機構の一部を断面で示す側面図である。
【図７】 前記ロック機構の分解状態（ａ）、ロック前の状態（ｂ）及びロック状態（ｃ）を示す概略斜視図である。
【図８】 この発明における水蒸気ノズルを示す断面図である。
【図９】 この発明におけるオゾンガスノズルを示す断面図である。
【図１０】 図９のIV−IV線に沿う拡大断面図である。
【図１１】 この発明におけるエアノズルを示す断面図である。
【図１２】 前記エアノズルの一部を断面で示す平面図である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
１ 水蒸気（溶媒蒸気）
２ オゾンガス（処理ガス）
３ ホットエア
１０ 処理容器
３０ 水蒸気供給手段
３３ 水蒸気発生器（溶媒蒸気生成手段）
３５ 水蒸気ノズル
４０ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手段）
４１ オゾンガス生成手段
４３ オゾンガスノズル
５０ エア供給手段（ガス供給手段）
５２ ホットエアジェネレータ
５４ エアノズル
６０ 内部排気手段
６１ 排気部
６２ 強制排気管路
６３ エジェクタ
８０ オゾンキラー（処理ガス分解手段）
９０ 排液手段
９１ 第１の排液管路
９２ 冷却部
９５ ミストトラップ（気液分離手段）
１００ ＣＰＵ（制御手段）
１１０ 排気管路
Ｖ１ 第１開閉弁
Ｖ２ 第２開閉弁
Ｖ４ 開閉弁
Ｖ５ 開閉弁
Ｖ６ 開閉弁
Ｖ７ 開閉弁
Ｖ８ 開閉弁
Ｖ９ 開閉弁
Ｖ10 補助開閉弁
Ｖ13 第１の排気開閉弁
Ｖ14 第２の排気開閉弁
Ｖ16 開閉弁[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for storing a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD in a processing container in a sealed atmosphere and supplying a processing gas such as ozone gas to perform processing, in particular forcing It relates to exhaust technology.
[0002]
[Prior art]
  In general, in a semiconductor device manufacturing process, a photoresist is applied to a semiconductor wafer, an LCD substrate, or the like (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate to be processed, and a circuit pattern is reduced using a photolithography technique to form a photoresist. A series of processes for transferring and developing this, and then removing the photoresist from the wafer or the like are performed.
[0003]
  A cleaning device is used as a means for removing the resist. In a conventional cleaning apparatus, generally, a wafer or the like is immersed in a cleaning tank filled with a chemical solution called SPM (mixed solution of H2SO4 / H2O2) to remove the resist. On the other hand, in recent years, from the viewpoint of environmental protection, it has been demanded to perform resist removal using a solution in which ozone (O 3) that can be easily treated with waste liquid is dissolved. In this case, the resist is oxidized by oxygen atom radicals in the solution and decomposed into carbon dioxide, water, etc. by so-called dip cleaning, in which a wafer or the like is immersed in a cleaning tank filled with a solution in which ozone is dissolved. .
[0004]
  By the way, generally, the solution is generated by bubbling high-concentration ozone gas in pure water and then dissolved, and then the solution is filled in the cleaning tank, so that the ozone in the solution disappears in the meantime. In some cases, the ozone concentration decreased and the resist could not be removed sufficiently. Furthermore, in the state where the wafer or the like is immersed in the solution, ozone reacts with the resist and disappears one after another, while the amount of ozone supplied to the resist surface becomes insufficient and a high reaction rate cannot be obtained. .
[0005]
  Therefore, instead of a dip cleaning method that immerses a wafer or the like in a solution in which ozone is dissolved, a cleaning method for removing a resist from a wafer or the like using a processing gas such as ozone gas and a vapor of a solvent such as water vapor is proposed. Has been. This cleaning method is a method of removing a resist such as a wafer by supplying a processing gas such as ozone gas to a wafer or the like accommodated in a processing container.
[0006]
  Specifically, the following processing steps (1) to (5) are sequentially performed. (1) Supplying hot air into the processing container to raise the temperature of the wafer (wafer temperature raising step). (2) Supply ozone gas (or water vapor) and pre-pressurize the inside of the processing container (pre-pressurization step). (3) Supply ozone gas and water vapor into the processing vessel to process the wafer (O3 / vapor processing step). (4) Oxygen is supplied instead of ozone gas, and the O3 supply pipe is purged with O2 (O3 → O2 replacement step). (5) Supply cool air into the processing container to push out and exhaust the internal atmosphere from the processing container (air purge process).
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
  However, in the conventional substrate processing, since there is no exhaust line by the ejector and only by the exhaust exhaust by the air purge, there are places where it is difficult to exhaust in the processing container, which causes a reduction in throughput.
[0008]
  As a solution to this problem, for example, an ejector is provided in the drainage line from the processing container to the mist trap so as to bypass the mist trap, and the gas in the processing container is forcibly sucked to the upstream of the mist trap. By adding a forced exhaust process (ejector exhaust process) of returning to the above, it is possible to improve the exhaust effect and improve the throughput. As a further improvement, the gas handled in the ejector exhaust process is not required to pass through a mist trap because a mist separator is interposed in the exhaust path. It is also conceivable to provide an ejector so as to bypass the mist trap serving as an exhaust load and return it to the downstream of the mist trap.
[0009]
  However, as a result of diligent research efforts by the present inventors, the pressure of the mist trap is higher than that of the processing vessel in each process of the ejector exhaust process, the wafer heating process, and the process immediately after the ejector exhaust is completed. It has been found that there is a problem that gas or mist flows back into the processing vessel.
[0010]
  Specifically, during the process of the ejector exhaust process, the gas in the processing container is sucked back to the downstream of the mist trap, and further exhausted through an ozone killer connected downstream of the mist trap. Passing this ozone killer involves pressure loss. For this reason, when the ejector is operated, the ozone killer connected downstream of the mist trap becomes a resistance, the pressure of the mist trap becomes higher than that of the processing container, and the gas or the mist flows backward from the mist trap into the processing container. Therefore, the problem of particle contamination occurs.
[0011]
  Further, in the wafer heating process, the water vapor generator as the solvent gas generation means needs to be adjusted to a predetermined pressure higher than the pressure in the processing container during standby, and the water vapor in the water vapor generator is adjusted at the stage of this pressure adjustment. Since a part of the gas is discharged to the mist trap side, the pressure of the mist trap becomes higher than that of the processing container, and the gas or mist flows backward from the mist trap into the processing container.
[0012]
  In addition, immediately after the exhaust of the ejector is completed, that is, in the period of 2 to 3 seconds after the ejector exhaust process is completed and the air purge process is started, the inside of the processing container that has been forcibly exhausted until then is in a reduced pressure state, and the mist trap is more When the pressure becomes higher than that of the processing container and the valve between the mist trap and the processing container is opened in this state, the gas or mist flows backward from the mist trap into the processing container.
[0013]
  The present invention has been made in view of the above circumstances. By adding a forced exhaust process (ejector exhaust process), the exhaust speed is increased to prevent a decrease in throughput, while ejector exhaust, wafer temperature rise, immediately after the ejector exhaust is completed, and the like. A substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of preventing inconvenience that the mist trap has a higher pressure than the processing container and gas or mist flows backward from the mist trap into the processing container during the respective processes. Is intended to provide.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, a first substrate processing method of the present invention comprises:A substrate heating step for heating the substrate to be heated by supplying a heating gas into a processing vessel for accommodating the substrate to be processed, and a pre-pressurizing step for pre-pressurizing the inside of the processing vessel by supplying ozone gas into the processing vessel And a substrate processing method for processing a substrate to be processed by supplying ozone gas and water vapor into the processing container, and a purge process for purging the processing container by supplying a purge gas. And  A gas-liquid separation step of separating the atmosphere exhausted from the processing vessel during the substrate processing step by a gas-liquid separation unit;And a forced exhaust step of sucking the atmosphere in the processing container during the purge step,Closing the exhaust path connected to the gas-liquid separation means for performing the gas-liquid separation during the forced exhaust process, opening the forced exhaust path, and closing the forced exhaust path during the substrate processing process, The exhaust path for gas-liquid separation is opened (Claim 1). In this case, it is preferable to perform the forced evacuation step while supplying a small amount of purge gas into the processing vessel or an amount equivalent to the amount of the atmosphere forcibly sucking the inside of the processing vessel.
[0015]
  In the substrate processing method of the present invention, it is preferable to close the exhaust path for performing the gas-liquid separation only for a predetermined time immediately after the forced exhaust process is completed.3).
[0016]
  The second substrate processing method of the present invention is as follows.A substrate heating step for heating the substrate to be heated by supplying a heating gas into a processing vessel for accommodating the substrate to be processed, and a pre-pressurizing step for pre-pressurizing the inside of the processing vessel by supplying ozone gas into the processing vessel And a substrate processing method for processing a substrate to be processed by supplying ozone gas and water vapor into the processing container, and a purge process for purging the processing container by supplying a purge gas. And  Gas-liquid separation step of separating the atmosphere exhausted from the processing vessel during the substrate processing step by gas-liquid separation meansHave  During the substrate heating step, the atmosphere in the processing container is changed.Downstream of the gas-liquid separation meansExhaustBranch exhaust routeAnd the exhaust path for gas-liquid separation connected to the gas-liquid separation means is closed, and the atmosphere in the processing vessel is changed during the substrate processing step.Downstream of the gas-liquid separation meansExhaustBranch exhaust routeAnd the exhaust path for gas-liquid separation is opened (claim 4).
[0017]
  A first substrate processing apparatus of the present invention embodies the substrate processing method according to claim 1,A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. Is a substrate processing apparatus for purging the processing container by supplying a purge gas and then purging the processing container, and is connected to the processing container (10) and has an atmosphere in the processing container An exhaust pipe (91) for exhausting air, an on-off valve (V9) interposed in the exhaust pipe, and an on-off valve (V9) connected in parallel with the on-off valve (V9) Ten ) And the on-off valve (V9, V Ten ) Is connected to the processing vessel via a gas-liquid separation means (95) for gas-liquid separation of the atmosphere exhausted from the processing vessel, and is connected to an exhaust pipe line (110) from the gas-liquid separation means, A treatment gas decomposition means (80) for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen, and is connected to the treatment container;Forced exhaust means(63)Forced exhaust pipe that forcibly sucks and exhausts the atmosphere in the processing container(62)And an open / close valve interposed in the forced exhaust line(V 13 )And an on-off valve interposed in the forced exhaust line when forced exhausting by the forced exhaust means(V 13 )And an open / close valve interposed in the exhaust pipe(V9, V Ten )Is closed to prevent the backflow of gas or moisture from the gas-liquid separation means into the processing container, and when the atmosphere in the processing container is exhausted to the gas-liquid separation means, the forced exhaust pipe is interposed. Open / close valve(V 13 )And an on-off valve interposed in the exhaust pipe(V9, V Ten )Means for controlling the gas in the processing container to flow to the gas-liquid separation means by opening the valve(100)(Claim 5). In this case, gas supply means(50)Gas supply line for supplying heated gas from the inside into the processing vessel(53)When,An on-off valve (V6) interposed in the gas supply line;Branch exhaust pipe that exits the processing vessel and bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means and joins downstream of the processing gas decomposition means(64)The branch exhaust pipeOn-off valve (V 14 )When,And when the control means supplies the heated gas into the processing vessel, the gas supply lineOpen / close valve (V6)And the branch exhaust pipeOn-off valve (V 14 )And an on-off valve interposed in the exhaust pipe to prevent backflow(V9, V Ten )It is preferable to have a function of closing (Claim 6). Gas supply means(50)Gas supply line for supplying purge gas from the inside to the processing vessel(51A), an on-off valve (V7) interposed in the gas supply line,And the control means is configured to supply the gas supply line only for a predetermined time immediately after the forced exhaust is finished.On-off valve (V7) interposed in (51A)Open / close valve installed in the exhaust pipe(V9, V Ten )Is closed to prevent the backflow of gas or moisture from the gas-liquid separation means into the processing container, and then the on-off valve(V9, V Ten )It is preferable to have a function of performing a purging step of opening the gas and exhausting the gas in the processing container with the purge gas.
[0018]
  A second substrate processing apparatus of the present invention embodies the substrate processing method according to claims 1 and 2,A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. Is a substrate processing apparatus for purging the processing container by supplying a purge gas and then purging the processing container, and is connected to the processing container (10) and has an atmosphere in the processing container An exhaust pipe (91) for exhausting air, an on-off valve (V9) interposed in the exhaust pipe, and an on-off valve (V9) connected in parallel with the on-off valve (V9) Ten ) And the on-off valve (V9, V Ten ) Is connected to the processing vessel via a gas-liquid separation means (95) for gas-liquid separation of the atmosphere exhausted from the processing vessel, and is connected to an exhaust pipe line (110) from the gas-liquid separation means, A processing gas decomposition means (80) for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen, and exits from the processing container, bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means, and joins downstream of the processing gas decomposition means A branch exhaust pipe (64), and an on-off valve (V 14 )When,  Heated gas supply means for supplying heated gas into the processing vessel(52)And when supplying the heating gas from the heating gas supply means into the processing container,It is installed in the branch exhaust pipeOpen the on-off valve (V14)On-off valve (V9, V) installed in the exhaust pipe Ten )Means for controlling to close(100)(Claim 8). Here, the on-off valve (V14) and the on-off valves (V9, V10) may have any structure as long as they have a function of opening and closing the exhaust pipe, and are specified as those having the structures of the embodiments described later. It is not a thing.
[0019]
  A third substrate processing apparatus of the present invention embodies the substrate processing method according to claim 1,A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. Is a substrate processing apparatus for purging the processing container by supplying a purge gas and then purging the processing container, and is connected to the processing container (10) and has an atmosphere in the processing container An exhaust pipe (91) for exhausting air, an on-off valve (V9) interposed in the exhaust pipe, and an on-off valve (V9) connected in parallel with the on-off valve (V9) Ten ) And the on-off valve (V9, V Ten ) Is connected to the processing vessel via a gas-liquid separation means (95) for gas-liquid separation of the atmosphere exhausted from the processing vessel, and is connected to an exhaust pipe line (110) from the gas-liquid separation means, A processing gas decomposition means (80) for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen; and a forced exhaust means (63) forcibly sucking the atmosphere in the processing container connected to the processing container. A forced exhaust line (62) for exhausting, and an on-off valve (V) interposed in the forced exhaust line 13 ), A branch exhaust pipe (64) that exits from the processing vessel and bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means and joins downstream of the processing gas decomposition means, and an open / close provided in the branch exhaust pipe Valve (V 14 And an open / close valve (V) provided in the forced exhaust line when forced exhausted by the forced exhaust means 13 ) And an on-off valve (V) interposed in the branch exhaust pipe 14 ), On-off valves (V9, V Ten ) Control means (100) for controlling to close(Claim 9). In this case, it is preferable to connect the downstream of the forced exhaust means between the gas-liquid separation means and the process gas decomposition means so that the atmosphere in the forcedly exhausted process vessel can be exhausted through the process gas decomposition means. (Claim 10). Further, the control means, for a certain time immediately after the exhaust from the forced exhaust means is completed,It is installed in the branch exhaust pipeOn-off valve (V14),On-off valve (V9, V) installed in the exhaust pipe Ten ) And forced exhaust pipes(V13) is closed, and after the purge gas for purging the inside of the processing container is supplied into the processing container,On-off valve (V9, V) installed in the exhaust pipe Ten )Is preferably formed so as to be controllable so as to exhaust the atmosphere in the processing container.
[0020]
  Claim4,8According to the invention described in the above, in the substrate heating step in which the heating gas is supplied into the processing container and the processing container is depressurized to substantially the atmospheric pressure by the branch exhaust pipe that exits from the processing container and joins downstream of the processing gas decomposition means. In the meantime, the on-off valves (V9, V10) provided in the exhaust path (pipe) from the processing container to the gas-liquid separation means are closed, so that gas or moisture flows back from the gas-liquid separation means into the processing container. Phenomenon is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the substrate heating process is prevented.
[0021]
  Claim1, 2, 5, 6, 9, 10According to the invention described in the above, there is provided a forced exhaust process for sucking the atmosphere in the processing vessel by the forced exhaust means and returning it to the downstream of the gas-liquid separation means, thereby improving the exhaust effect and improving the throughput. Improvements can be made. In addition, during the forced exhaust process, the on / off valves (V9, V10) provided in the exhaust path (pipe) from the processing container to the gas-liquid separation means are closed, so that the forced exhaust means operates. Even when the pressure in the gas-liquid separation means becomes higher than the pressure in the processing container due to the resistance of the processing gas decomposition means connected downstream of the gas-liquid separation means, the gas-liquid separation means enters the processing container. The phenomenon of reverse flow of gas or moisture is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the forced exhaust process is prevented.
[0022]
  Claims3, 7, 11According to the invention described in the above, the on-off valve provided in the drainage conduit from the processing container to the gas-liquid separation means for a certain predetermined time (for example, 2 to 3 seconds) immediately after the forced exhaust process is finished. (V9, V10) is closed. Accordingly, immediately after the end of forced exhaust, that is, in the period of 2 to 3 seconds after the forced exhaust process is finished and the purge process is started, the inside of the processing container that has been forcibly exhausted until then is purge gas (for example, oxygen gas, cool air). Even when the pressure of the gas-liquid separation means becomes higher than that of the processing container until it is full, the drain line from the processing container to the gas-liquid separation means is closed, so that the gas-liquid separation means enters the processing container. The phenomenon of reverse flow of gas or moisture is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the process immediately after the end of forced exhaust is prevented.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where a resist is removed from a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) using ozone gas will be described.
[0024]
  1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an essential part of the substrate processing apparatus, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a solvent vapor generating means in the present invention. FIG. 4 is a schematic side view of the processing container in the present invention.
[0025]
  The substrate processing apparatus includes a processing container 10 for processing a wafer W, a wafer guide 20 as a holding means for holding the wafer W in the processing container 10, and water vapor 1 as a solvent vapor in the processing container 10. Water vapor supply means 30 as a solvent vapor supply means to supply, ozone gas supply means 40 as a process gas supply means for supplying, for example, ozone (O 3) gas 2 as a processing gas into the processing container 10, and air into the processing container 10. , An air supply means 50 for supplying air, an internal exhaust means 60 for exhausting the internal atmosphere of the processing container 10, an ambient atmosphere exhausting means 70 for exhausting the ambient atmosphere of the processing container 10, and an internal atmosphere exhausted from the inside of the processing container 10 An ozone killer 80 as a post-processing mechanism that removes ozone therein and a draining means 90 that drains droplets in the processing container 10 are provided.
[0026]
  The processing container 10 includes a container main body 11 having a size capable of accommodating a plurality of, for example, 50 wafers W, and a container cover 12 that opens or closes the loading / unloading port 14 formed at the upper end of the container main body 11. It is mainly composed.
[0027]
  The container cover 12 is formed, for example, in an inverted U-shaped cross section, and is formed so as to be movable up and down by the lifting mechanism 15. The elevating mechanism 15 is connected to control means such as a central processing unit 100 (hereinafter referred to as CPU 100). The raising / lowering mechanism 15 is operated by a control signal from the CPU 100 so that the container cover 12 is opened or closed. When the container cover 12 is raised, the loading / unloading port 14 is opened, and the wafer W can be loaded into the container body 11. After the wafer W is loaded into the container body 11 and accommodated, the container cover 12 is lowered to close the loading / unloading port 14. In this case, the gap between the flange 11a provided at the upper end of the container main body 11 and the flange 12a provided at the lower end of the container cover 12 is configured to be sealed by a telescopic seal member 16 that expands by air injection. Has been. Therefore, the inside of the processing container 10 is a sealed atmosphere, and gas is not leaked to the outside. A lock mechanism 200 that locks the closed state of the container cover 12 is provided at the upper end of the container body 11.
[0028]
  As shown in FIGS. 5 to 7, the lock mechanism 200 includes a rectangular frame 210 disposed so as to surround the upper outer peripheral side of the container main body 11, and moving means for moving the frame 210 in the horizontal direction. The first to fourth engaging / disengaging portions 230 to detachably engage with the flange 11a of the container main body 11 and the flange 12a of the container cover 12 on each side of the frame 210, respectively. 260 is provided.
[0029]
  Among these, the first engagement / disengagement portion 230 is provided at two locations on both sides of the distal end side portion 211 of the frame 210. In this case, a substantially H-shaped connection link 233 is attached to the tip of the mounting bracket 231 projecting from the frame 210 with a connection pin 232, and the lower end of the swing link 235 is attached to the front end of the connection link 233 with a hinge pin 234. Is pivotally attached, and the intermediate portion of the swing link 235 is pivotally attached to both sides of the mounting groove 11b provided in the flange 11a of the container body 11 with the pivot pin 236, and is formed to be swingable in the vertical direction. Further, a locking roller 238 is rotatably attached to the side of the upper end portion of the swing link 235 with an attachment pin 237. Note that a notch groove 12b into which the swing link 235 can enter is provided in a portion of the flange 12a of the container cover 12 that faces the swing link 235. With this configuration, when the air cylinder 220 is driven, the frame 210 moves to the tip side, so that the swing link 235 rotates (tilts) toward the processing container 10 and the swing link 235 is cut. When the locking roller 238 presses the upper surface of the flange 12a of the container cover 12 at the same time as entering the notch groove 12b, the front end side of the flange 12a of the container cover 12 can be brought into close contact with the flange 11a of the container body 11.
[0030]
  The second engagement / disengagement portions 240 are provided at two locations on both sides of the base end side portion 212 of the frame 210. In this case, the locking roller 245 is rotatably attached to the side portions of the upper projecting portion 242 and the lower projecting portion 243 of the bifurcated bracket 241 projecting from the frame 210 with the connecting pins 244. With this configuration, when the air cylinder 220 is driven, the frame 210 moves to the distal end side, so that both the locking rollers 245 are connected to the upper surface of the flange 12a of the container cover 12 and the flange 11a of the container body 11. By engaging with the lower surface, both flanges 11a and 12a can be held in close contact.
[0031]
  The third and fourth engaging / disengaging portions 250 and 260 are engaged with the upper surface of the flange 12a of the container cover 12 and the lower surface of the flange 11a of the container body 11 inside the three sides 213 of the frame 210. It is provided as possible. In this case, the third and fourth engagement / disengagement portions 250 and 260 are rotatably attached with connecting pins 251 at three vertical positions of the distal end portion 214, the intermediate portion 215, and the proximal end portion 216 of the side portion 213. 3 sets (six) of locking rollers 252, 253, and 254. The flange 12a of the container cover 12 at the position where the frame 210 is retracted is provided with a notch groove 12c that avoids engagement with the three upper locking rollers 252, 253, and 254. In addition, guides that are located in the notch grooves 12c and engage with the upper surface of the flange 11a of the container body 11 are located in the vicinity of the proximal end sides of the locking rollers 252 and 253 attached to the distal end portion 214 and the intermediate portion 215, respectively. A roller 255 is rotatably attached with a connecting pin 256. With this configuration, when the air cylinder 220 is driven, the frame 210 moves to the front end side, so that the locking roller 252 positioned above the notch groove 12c before the frame 210 moves. The flanges 253 and 254 are engaged with the upper surface of the flange 12a of the container cover 12 and the lower surface of the flange 11a of the container body 11 which are displaced from the notch groove 12c, so that both flanges 11a and 12a can be held in close contact with each other.
[0032]
  Next, the operation mode of the lock mechanism 200 will be described with reference to FIGS. First, when the container cover 12 is positioned upward, as shown in FIG. 7A, the air cylinder 220 is contracted and the frame 210 is positioned on the proximal end side. In this state, the container cover 12 is lowered, the flange 12a of the container cover 12 abuts on the flange 11a of the container body 11, and closes the opening of the container body 11 (see FIG. 7B). After the container cover 12 is closed, when the air cylinder 220 extends and the frame 210 moves to the tip side, the swing link 235 of the first engagement / disengagement unit 230 rotates and swings as the frame 210 moves. A locking roller 238 attached to the upper end portion of the link 235 engages with the upper surface of the distal end portion of the flange 12a of the container cover 12 (see FIGS. 5 and 7C). Further, the upper and lower locking rollers 245 of the second engaging / disengaging portion 240 are engaged with the upper surface of the base portion side of the flange 12a of the container cover 12 and the lower surface of the base portion side of the flange 11a of the container body 11, and both flanges 11a. 12a are held in close contact (see FIGS. 4 and 5). Further, three sets (six) of upper and lower locking rollers 252, 253, 254 of the third and fourth engaging / disengaging portions 250, 260 are provided on the upper surface on both sides of the flange 12 a of the container cover 12 and the flange of the container body 11. The two flanges 11a and 12a are held in close contact with each other by engaging with the lower surfaces on both sides of 11a (see FIGS. 5 and 7C). In this state, the container cover 12 is locked in a sealed state at the opening of the container body 11.
[0033]
  In order to release the locked state, the air cylinder 220 may be operated to the contraction side and the frame 210 may be moved to the base end side. That is, when the air cylinder 220 is operated to the contraction side and the frame 210 is moved to the base end side, the swing link 235 of the first engagement / disengagement unit 230 rotates in the opposite direction, and the locking roller 238 is moved to the container. The cover 12 retreats from the upper surface of the flange 12a (see FIG. 7B). Further, the upper and lower locking rollers 245 of the second engaging / disengaging portion 240 retreat from the upper surface on the base side of the flange 12 a of the container cover 12 and the lower surface on the base side of the flange 11 a of the container body 11. Three sets (six) of upper and lower locking rollers 252, 253, 254 of the third and fourth engaging / disengaging portions 250, 260 are notched grooves 12 c provided on both sides of the flange 12 a of the container cover 12. Move up. Accordingly, the container cover 12 can be opened and closed, and is moved upward by the operation of the lifting mechanism 15 to open the container body 11.
[0034]
  A rubber heater 17 is attached to the outer peripheral surface of the container main body 11, and rubber heaters 18 and 19 are attached to the outer peripheral surface of the container cover 12 and the bottom surface of the container main body 11. These rubber heaters 17, 18, 19 are connected to a power source (not shown), generate heat by power feeding from the power source, and can maintain the internal atmosphere of the processing container 10 at a predetermined temperature (for example, within a range of 80 ° C. to 120 ° C.). It is configured as follows. In this case, the temperature in the processing container 10 is detected by the temperature sensor TS1, and the rubber heaters 17, 18, and 19 generate heat by a control signal from the CPU 100 based on the detected temperature, so that the internal atmosphere of the processing container 10 is changed. It can heat to predetermined temperature (for example, in the range of 80 to 120 degreeC). Further, the rubber heaters 17, 18, 19 prevent condensation in the processing container 10.
[0035]
  As shown in FIG. 4, the wafer guide 20 is mainly composed of a guide portion 21 and three parallel holding members 22 fixed to the guide portion 21 in a horizontal state. In this case, 50 grooves (not shown) for holding the lower peripheral edge of the wafer W are formed in each holding member 22 at equal intervals. Therefore, the wafer guide 20 can hold 50 wafers W (for two wafer carriers) arranged in an equally spaced manner. Further, the wafer guide 20 has a shaft 23 connected to the guide portion 21 slidably passed through a through hole (not shown) provided at the top of the container cover 12. Is configured to maintain an air-water tightness in the processing vessel 10 by interposing an expandable seal member 24 that swells by air injection.
[0036]
  The water vapor supply unit 30 is a pure water supply line 32 connected to a pure water supply source 31 and a solvent vapor generation unit that vaporizes the pure water supplied from the pure water supply line 32 to generate water vapor 1. The steam generator 33, the steam supply pipe 34 that supplies the steam 1 in the steam generator 33, and the steam nozzle 35 that discharges the steam 1 supplied from the steam supply pipe 34 into the processing vessel 10 are mainly used. It is configured.
[0037]
  In this case, one end of the pure water supply pipe 32 is connected to the pure water supply source 31. The pure water supply pipe 32 is provided with an on-off valve V0 and a flow rate controller FM0 in order from the pure water supply source 31 side. The on-off valve V0 and the flow rate controller FM0 are controlled based on a control signal from the CPU 100. That is, the opening / closing valve V0 is controlled to open / close whether pure water is flowed, and the flow rate controller FM0 is configured to control the opening degree to adjust the flow rate of pure water.
[0038]
  Further, as shown in FIG. 3, the water vapor generator 33 is disposed in a sealed tank 36 that is a container for supplying pure water, and in the center of the tank 36 in the depth direction of the tank 36, that is, vertically. Heater 37, a pressure sensor PS2 which is a pressure detection means for detecting the pressure of water vapor in the tank 36, a replenishment start sensor 38a, a replenishment stop sensor 38b and an upper limit sensor for detecting the level of pure water in the tank 36. 38c. In the steam generator 33 configured as described above, the pure water supplied into the tank 36 is heated and adjusted in accordance with the amount thereof to generate a predetermined amount of water vapor 1. That is, pure water is vaporized by the heat of the heater 37 according to the contact area between the pure water supplied into the tank 36 and the heater 37, and the generation (generation) amount of the water vapor 1 is adjusted.
[0039]
  In this case, each of the sensors 38a to 38c is connected to the CPU 100. When the level of pure water in the tank 36 is detected by the replenishment start sensor 38a, the detection signal is transmitted to the CPU 100, and the control from the CPU 100 is performed. The on-off valve V0 is opened by the signal, and pure water is replenished in the tank 36. When the level of pure water in the tank 36 is detected by the replenishment stop sensor 38b, the detection signal is transmitted to the CPU 100, and the open / close valve V0 is closed by the control signal from the CPU 100, and the pure water into the tank 36 is detected. Water replenishment is stopped. Therefore, a predetermined amount of pure water is always stored in the tank 36. The upper limit sensor 38c detects an abnormal situation when the tank 36 is filled with pure water. Based on the detection signal of the upper limit sensor 38c, the control signal from the CPU 100 is an alarm (not shown). )). In addition, a first temperature sensor TSa for detecting the temperature of water, which is a solvent in a liquid state, is disposed in the tank 36, a second temperature sensor TSb for adjusting the temperature of the heater 37, and the heater 37. A third temperature sensor TSc for preventing the excessive temperature increase is disposed. These first to third temperature sensors TSa to TSc are connected to the CPU 100, the second temperature sensor TSb can monitor the amount of water vapor generated, and the first and third temperature sensors TSa and TSc are As will be described later, the pressure of water vapor can be monitored.
[0040]
  In the water vapor generator 33, the pressure of the generated water vapor is detected by a pressure sensor PS2 which is a pressure detection means, and the detection signal is transmitted to the CPU 100. The boiling state of pure water is detected by the pressure detected by the pressure sensor PS2. Since the steam 1 increases as the pressure increases, it is desirable to maximize the heat generation capacity of the heater 37 of the steam generator 33. This is because the supply of the predetermined amount of water vapor 1 can be made smooth.
[0041]
  A first on-off valve V1 (hereinafter referred to as a first on-off valve V1) serving as a first on-off means is interposed in the middle of the water-vapor supply line 34 connecting the water-vapor generator 33 and the water-vapor nozzle 35. ing. A discharge line 39 connected to a mist trap 95 described later is branched on the upstream side (tank 36 side) of the first on-off valve V1 in the water vapor supply line 34, and a second line is connected to the discharge line 39. A second on-off valve V2 (hereinafter referred to as a second on-off valve V2) is interposed. A bypass conduit 39A is connected to the upstream and downstream sides of the second on-off valve V2, and a pressure release valve (safety valve) is connected to the bypass conduit 39A so that the pressure in the water vapor generating unit 33 does not become higher than a predetermined value. CV0 is interposed. For example, the predetermined value is set smaller than the pressure resistance value of the tank 36 or the limit value of the pressure resistance values of the on-off valves V1, V2, V3, and the like. In addition, an atmosphere communication pipe 39b that communicates with the atmosphere via the on-off valve V3 and the filter F0 is connected to the upstream side of the first and second on-off valves V1, V2, and water in the steam generator 33 is connected to the upstream side. It is configured to serve as an air intake when the air is pulled out. The discharge pipe 39 maintains the hot air pressure in the steam generator 33 within a predetermined range by opening and closing the steam 1 that has passed through the pressure release valve CV0 or the second on-off valve V2 as described later. At this time, the water vapor 1 that has passed through the on-off valve V2 is exhausted to the mist trap 95.
[0042]
  The first and second on-off valves V1, V2 are connected to the CPU 100, respectively, and are configured such that the opening / closing operation is controlled based on a control signal from the CPU 100. In this case, the first and second on-off valves V1, V2 are controlled to open and close according to the minimum amount (threshold value) of the supply amount of the water vapor 1 supplied into the processing container 10. The CPU 100 is also connected to a pressure sensor PS2 which is a container pressure detecting means disposed in the processing container 10, and the pressure in the processing container 10 detected by the pressure sensor PS2 and the water vapor generator 33 are used. The first and second on-off valves V1 and V2 are controlled to open and close by comparing the pressure of the generated water vapor. By configuring in this way, the water vapor 1 having a pressure equal to or higher than the pressure in the processing container 10 can be supplied into the processing container 10. If the pressure in the processing container 10 at the time of processing is stored in advance as data in the CPU 100, the data and the pressure of the steam generated by the steam generator 33 are compared, and the first and first pressures are compared. 2 Open / close valves V1 and V2 can be controlled to open and close.
[0043]
  As shown in FIG. 8, the water vapor nozzle 35 is provided with an internal thread portion 35b for connecting a water vapor supply pipe 34 and an attachment flange 35c at one end of a pipe-shaped main body 35a, and an O-ring 35d is fitted at the tip. A plurality of water vapor injection holes 35f are formed at appropriate intervals on one side surface of the pipe-shaped main body 35a. The water vapor nozzle 35 closes the cap 35g via an O-ring 35d at the tip and fixes the mounting flange 35c to the container body 11 of the processing container 10 with a mounting screw (not shown) so that the water vapor nozzle 35 is horizontal in the processing container 10. Arranged in a shape. At this time, the water vapor injection hole 35f is set at a predetermined inclination angle toward the inner wall surface of the processing vessel 10, for example, at a position of about 45 degrees with the vertical upward as the center point. As described above, the reason why the water vapor injection holes 35f are directed toward the inner wall surface of the processing container 10 is to prevent the water vapor from being directly sprayed onto the wafer W to generate droplets on the wafer W. In addition, since the nozzle hole 35f is directed to the inner wall surface side and obliquely upward, the water vapor rises on the inner wall and is mixed with ozone gas injected from an ozone gas nozzle 43 described later at the upper portion of the processing vessel 10, and The mixed gas is supplied to the wafer W as a downward airflow.
[0044]
  On the other hand, the ozone gas supply unit 40 includes an ozone gas generation unit 41, an ozone gas supply line 42 that supplies the ozone gas 2 from the ozone gas generation unit 41, and an ozone gas that discharges the ozone gas 2 from the ozone gas supply line 42 into the processing container 10. The nozzle 43 is mainly configured.
[0045]
  In this case, as shown in FIG. 2, the ozone gas generating means 41 passes oxygen (O 2) as a base gas as a raw material between discharge electrodes 45 and 46 connected to a high frequency power supply 44 and applied with a high frequency voltage. As a result, ozone (O3) is generated. A switch 48 is interposed in an electric circuit 47 that connects the high-frequency power supply 44 and the discharge electrodes 45 and 46. The switch 48 is controlled based on a control signal from the CPU 100. That is, the switch 48 is controlled to generate ozone. The ozone gas supply line 42 is provided with an opening / closing valve V4 serving as an opening / closing means on the ozone gas generating means 41 side. The on-off valve V4 is controlled based on a control signal from the CPU 100. That is, the opening / closing valve V4 is controlled to open / close depending on whether ozone gas is allowed to flow.
[0046]
  As shown in FIGS. 9 and 10, the ozone gas nozzle 43 includes an outer pipe 43b having a plurality of ozone injection holes 43a provided at appropriate intervals on one side surface, and a plurality of, for example, 3 This is mainly composed of an inner pipe 43d which is provided with a plurality of communication holes 43c and is inserted into the outer pipe 43b with a gap. In this case, the inner pipe 43d has an ozone gas passage 43e having one end opened and the other end closed, and the three communication passages 43c communicate with the ozone gas passage 43e. One end portion of the inner pipe 43d protrudes outward from the outer pipe 43b, and is provided with a female screw portion 43g connected to the ozone gas supply pipe 42 and a mounting flange 43h. A closing plate 43i that closes the gap between the pipe 43b is mounted.
[0047]
  The inner pipe 43d configured in this manner is inserted into the outer pipe 43b and fixed so that the communication hole 43c is located on the opposite side to the ozone injection hole 43a, and a mounting flange with a mounting screw (not shown) is used. 43h is fixed to the container main body 11 of the processing container 10, so that the ozone injection hole 43a is set in the processing container 10 with a predetermined inclination angle, for example, about 45 degrees toward the inner wall surface of the processing container 10. Are arranged horizontally.
[0048]
  Thus, the reason why the communication hole 43c is positioned on the opposite side to the ozone injection hole 43a is that the ozone gas supplied from the ozone gas generating means 41 is sent from the communication path 43f through the communication hole 43c to the outer pipe 43b. After flowing through the gap 43j between the inner pipe 43d and the inner pipe 43d to bypass the gap 43j, the ozone gas is injected from the ozone injection holes 43a into the processing container 10 so that ozone gas can be uniformly injected from the ozone injection holes 43a. This is because.
[0049]
  The reason why the ozone injection hole 43a is set at a predetermined inclination angle, for example, about 45 degrees toward the inner wall surface of the processing vessel 10 is to prevent the ozone gas from being sprayed directly on the surface of the wafer W.
[0050]
  On the other hand, an air supply means 50 for supplying air, for example, as a gas supply means for supplying a gas for purging the processing container 10 or raising the temperature of the wafer W in the processing container 10 includes a heating gas supply means. The heating gas supply means includes a first air supply pipe 51 for supplying air, and a hot air generator (gas heating means) for heating the air supplied from the first air supply pipe 51 to generate hot air 3. ) 52, a second air supply line 53 that supplies hot air 3 in the hot air generator 52, and an air nozzle 54 that discharges the hot air 3 supplied from the second air supply line 53. The air supply means 50 includes a purge gas supply means for supplying purge air into the processing container 10. This purge gas supply means supplies air when purging by operating the purge air supply line 51A connected to the first air supply line 51 and the second air supply line 53 and the ejector 63. The pipe line 51B is arranged in parallel.
[0051]
  In this case, an air supply source 55 is connected to one end of the first air supply line 51. The first air supply pipe 51 is provided with a flow rate controller FM1, a filter F1, and an opening / closing valve V5 serving as an opening / closing means in this order from the air supply source 55 side. The on-off valve V5 and the flow rate controller FM1 are connected to the CPU 100, and whether air supply is correct or not is controlled based on a control signal from the CPU 100, and the air supply amount is controlled. In addition, a heater 56 for heating air is disposed inside the hot air generator 52. The second air supply pipe 53 is provided with an opening / closing valve V6 as an opening / closing means. The on-off valve V6 is controlled by the CPU 100 which is a control means.
[0052]
  The purge air supply line 51A and the ejector purge air supply line 51B are respectively provided with flow controllers FM2 and FM3, filters F2 and F3, and opening / closing valves V7 and V8 as opening / closing means in this order from the air supply source 55 side. And are installed. The on-off valves V7 and V8 and the flow rate controllers FM2 and FM3 are connected to the CPU 100, and whether air supply is correct or not is controlled based on a control signal from the CPU 100, and the air supply amount is controlled. ing. When the inside of the processing container 10 is purged by operating the ejector 63, the flow rate of the ejector 63 is normally determined, and the flow rate corresponding to the flow rate is sent from the ejector purge air supply line 51B. If the flow rate of cool air flowing through the normal purge air supply line 51A matches the flow rate of the ejector, the air supply line 51B may not be provided.
[0053]
  As shown in FIGS. 11 and 12, the air nozzle 54 is inserted into an outer pipe 54b having a plurality of air injection holes 54a at appropriate intervals on one side surface, and a gap in the outer pipe 54b. An inner pipe 54c. In this case, the inner pipe 54c is provided with a slit hole 54d on one side surface facing the air injection hole 54a provided in the outer pipe 54b. One end portion of the inner pipe 54c protrudes outward from the outer pipe 54b, and an internal thread portion 54e for connecting the second air supply pipe 53 is provided at the end portion on the protruding side, and the mounting flange 54f. Is provided. The other end of the inner pipe 54c is connected by a connecting screw 54i that is inserted into a through hole 54h provided in a fixing member 54g fixed to the side wall of the container body 11 of the processing container 10.
[0054]
  The air nozzle 54 configured in this manner fixes the mounting flange 54f to the container body 11 of the processing container 10 with a mounting screw (not shown), and adjusts the connecting screw 54i so that the air injection hole 54a is formed inside the processing container 10. With a predetermined inclination angle toward the wall surface, for example, at a position of about 45 degrees, the wafer W is horizontally disposed on both lower sides of the wafer W in the processing chamber 10. The reason why the air injection holes 54a are set at a predetermined inclination angle, for example, about 45 degrees toward the inner wall surface of the processing vessel 10 is to prevent air from being directly blown onto the surface of the wafer W.
[0055]
  The exhaust means 90 includes a first exhaust pipe 91 connected to the bottom of the processing container 10, a cooling unit 92 connected to the first exhaust pipe 91, and a liquid connected to the downstream side of the cooling unit 92. A mist trap 95 composed of a reservoir 95a and a second drainage pipe 93 connected to the bottom of the liquid reservoir 95a are provided. Further, an open / close valve V9 is provided in the exhaust pipe 91, and an auxiliary open / close valve that performs an open / close operation opposite to the open / close valve V9 on a bypass line 94 connected to the upstream and downstream sides of the open / close valve V9. V10 is interposed. The second drainage conduit 93 is provided with an on-off valve V11. Since ozone may remain in the liquid, the second drainage pipe 93 is communicated with an acid-only drainage system 123 (ACID DRAIN) in the factory.
[0056]
  In the mist trap 95, an empty prevention sensor 96, a drain start sensor 97, a drain stop sensor 98, and a liquid over sensor 99 are arranged in this order from the bottom. In this case, although not shown, the on-off valves V9, V10, V11 and the sensors 96, 97, 98, 99 are connected to the CPU 100. The on-off valves V9, V10, V11 are controlled to open and close based on detection signals from the sensors 96, 97, 98, 99. That is, at the time of processing, the on-off valve V9 is closed, while the on-off valve V10 is opened to exhaust a small amount of ozone gas and water vapor from the inside of the processing container 10 to adjust the pressure in the processing container 10. Further, after the processing, the on-off valve V10 is closed, while the on-off valve V9 is opened to exhaust. Further, when the liquid droplets are accumulated to some extent in the mist trap 95 and the liquid level is detected by the drainage start sensor 97, a detection signal from the drainage start sensor 97 is transmitted to the CPU 100, and the control signal from the CPU 100 When the drainage is started by opening the on-off valve V11 and the liquid level is detected by the drainage stop sensor 98, a detection signal from the drainage stop sensor 98 is transmitted to the CPU100 and is opened and closed by a control signal from the CPU100. The valve V11 is closed and the drainage is stopped. When the liquid level reaches the liquid over sensor 99, a warning signal from the liquid over sensor 98 is input to the CPU 100. On the other hand, when the liquid level is lower than the empty prevention sensor 96, a prohibition signal is input from the empty prevention sensor 96 to the CPU 100, and the on-off valve V11 is closed by a control signal from the CPU 100. This emptying sensor 96 can prevent a situation in which all droplets flow and the mist trap 95 is emptied, and the ozone gas 2 leaks to the acid-only drainage system in the factory.
[0057]
  An exhaust pipe 110 is connected to the upper portion of the mist trap 95, and an ozone killer 80 and an exhaust manifold 81 are sequentially provided in the exhaust pipe 110.
[0058]
  The mist trap 95 is configured to separate and discharge gas and liquid. That is, the water vapor 1 and the ozone gas 2 discharged from the inside of the processing vessel 10 through the first drainage pipe 91 flow into the mist trap 95 through the cooling unit 92. In this case, since the cooling water is supplied to the cooling unit 92 through the cooling water supply pipe 92a, the water vapor 1 exhausted from the processing vessel 10 is cooled and condensed while passing through the cooling unit 92. Is done. The liquid droplets condensed and liquefied by the water vapor 1 are dropped onto the mist trap 95. On the other hand, the ozone gas 2 is introduced into the mist trap 95 as it is. In this way, the internal atmosphere exhausted from the processing container 10 is separated into ozone gas 2 and droplets, and the separated ozone gas 2 is exhausted to the exhaust pipe 110, and the droplets are discharged into the second drain pipe. The liquid is drained to the passage 93. Further, the steam 1 and pure water discharged from the steam generator 33 are connected to a discharge pipe 39c connected to a discharge pipe 39 through an on-off valve V12 and a discharge pipe 39 provided through a check valve CV1. To the mist trap 95. The pure water flows through the discharge pipe 39 as it is and is dropped onto the mist trap 95. The water vapor 1 is cooled and condensed while passing through the cooling unit 92 and is dropped into the mist trap 95 as droplets. The on-off valve V12 is connected to the CPU 100 and is configured to be opened and closed by a control signal from the CPU 100.
[0059]
  The ozone killer 80 which is a processing gas decomposition means is configured to thermally decompose ozone into oxygen by heating. The heating temperature of the ozone killer 80 is set to 400 ° C. or higher, for example. Note that the ozone killer 80 is preferably connected to an uninterruptible power supply (not shown) in the factory so that power can be stably supplied from the uninterruptible power supply even during a power failure. This is because the ozone killer 80 operates even during a power failure, and safety can be achieved by removing ozone. Note that, inside the ozone killer 80, the gas rapidly expands, and the exhaust path inside is spiral, so that the ozone killer 80 becomes exhaust resistance.
[0060]
  Further, the ozone killer 80 is provided with a temperature sensor (not shown) as an operation detecting means for detecting the operation state of the ozone killer 80. This temperature sensor is configured to detect the heating temperature of the ozone killer 80. The temperature sensor is connected to the CPU 100, and a detection signal from the temperature sensor is transmitted to the CPU 100, and the ozone killer 80 is sufficiently prepared to remove ozone based on the detection signal from the temperature sensor. Judgment is made. The hot air thermally decomposed by the ozone killer 80 is exhausted from an exhaust system 120 (HOT AIR EXAUST) dedicated to hot air in the factory. Further, the liquid thermally decomposed by the ozone killer 80 is drained from a dedicated drain system 121 (COOLING WATER OUT) in the factory.
[0061]
  The exhaust manifold 81 is configured to collect and exhaust the entire apparatus. The exhaust manifold 81 is provided with a plurality of pipes (not shown) for taking in the atmosphere on the back surface of the processing apparatus to prevent the ozone gas 2 from diffusing around from the processing apparatus. Further, the exhaust manifold 81 is connected to an acid-only exhaust system 122 (ACID EXTHAUST) in the factory, and functions as a confluence of various exhaust gases before flowing into the acid-only exhaust system.
[0062]
  Further, the exhaust manifold 81 is provided with a concentration sensor (not shown) for detecting the ozone concentration. The concentration sensor provided in the exhaust manifold 81 is connected to the CPU 100, and a detection signal from the concentration sensor is transmitted to the CPU 100. Based on the ozone concentration detected by the concentration sensor at the CPU 100, the ozone killer 80 The ozone removal capability is grasped, and leakage of ozone gas 2 due to failure of the ozone killer 80, for example, is monitored.
[0063]
  As described above, in the drain line 91 from the processing vessel 10, the on-off valve V9, the auxiliary on-off valve V10 connected in parallel thereto, the cooling unit 92, and the mist trap 95 are interposed. An ozone killer 80 is connected to an exhaust pipe 110 constituting an exhaust system from the mist trap 95. Further, an internal exhaust means 60 is provided so as to bypass the mist trap 95 from the processing container 10, and the gas in the processing container 10 is forcibly sucked by an ejector 63 constituting a forced exhaust mechanism as a component thereof. A forced exhaust line 62 that returns to the exhaust system outlet side of the trap 95 is provided.
[0064]
  The internal exhaust means 60 includes an exhaust part 61 provided in the processing vessel 10, a forced exhaust pipe 62 connecting the exhaust part 61 and the exhaust pipe 110, and an open / close provided in the forced exhaust pipe 62. The first exhaust on-off valve V13 as a means and a forced exhaust mechanism having an ejector 63 interposed downstream of the first exhaust on-off valve V13 are mainly configured. In addition, the atmosphere in the processing container 10 is released when the pressure of the processing container 10 becomes abnormally high in the lower part of the processing container 10 and the downstream side of the first exhaust opening / closing valve V13 of the forced exhaust pipe 62. For this purpose, an auxiliary exhaust pipe 68 having a safety valve CV2 is connected. Further, a branch exhaust pipe 64 is connected between the upstream side of the first exhaust on-off valve V13 of the forced exhaust pipe 62 and between the ozone killer 80 and the manifold 81 in the exhaust pipe 110, and this branch exhaust. The pipe 64 is provided with a second exhaust on-off valve V14 and a damper 65, and an exhaust pipe 64a for exhausting the case 71 is also provided (see FIG. 1).
[0065]
  In this case, the first exhaust on-off valve V13, the second exhaust on-off valve V14, and the damper 65 are connected to the CPU 100 and are configured to be operated and controlled based on a control signal from the CPU 100.
[0066]
  Further, the ejector 63 of the forced exhaust mechanism supplies the air supplied from the air supply source 55 of the air supply means 50 to a part of the forced exhaust pipeline 62 (ejector 63) through the on-off valve V16 serving as the opening / closing means. The water vapor and the ozone gas in the processing container 10 can be forcibly sucked and exhausted by using the negative pressure generated by doing so. The forced exhaust mechanism configured as described above, that is, the on-off valve V13 of the ejector 63 and the on-off valve V16 are connected to the CPU 100 and are configured to be operated and controlled based on a control signal from the CPU 100.
[0067]
  The drainage means 70 has a case 71 surrounding the processing vessel 10, one end connected to the lower portion of the case 71, and the other end connected to a drainage system 123 (ACID DRAIN) dedicated to acid in the factory. A drain line 72 is provided.
[0068]
  In this case, a clean air downflow is supplied from above in the case 71, and this downflow prevents the internal atmosphere of the case 71, that is, the ambient atmosphere of the processing vessel 10 from leaking to the outside, and the downward direction. So that it easily flows into the exhaust pipe 64 a and the drainage pipe 72. The case 71 is provided with a concentration sensor (not shown) as ambient concentration detecting means for detecting the ozone concentration in the ambient atmosphere of the processing container 10. This concentration sensor is connected to the CPU 100, and a detection signal from the concentration sensor is transmitted to the CPU 100, and the leakage of the ozone gas 2 is detected based on the ozone concentration detected by the concentration sensor.
[0069]
  Further, the drainage pipe 72 is connected to a drainage pipe 67 through which the drainage separated by a mist separator 66 provided on the downstream side of the forced exhaust mechanism 63 of the forced exhaust pipe 62 is passed. The drain pipe 67 is provided with an opening / closing valve V15 as an opening / closing means. Further, a second drainage pipe 93 connected to the mist trap 95 is connected to the peripheral drainage pipe 72.
[0070]
  Next, an operation mode of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. Table 1 shows the sequence control method of the control device.
[0071]
[Table 1]
Figure 0004014126
[0072]
  First, a plurality of, for example, 50 wafers W transferred by a wafer transfer means (not shown) are transferred to the wafer guide 20 that is raised above the container main body 11 of the processing container 10, and then the wafer guide 20 is lowered, and then the container cover 12 closes and the wafer W is accommodated in the processing container 10 in a sealed state.
[0073]
  (a) Wafer heating process (substrate heating process)
  In a state where the wafer W is accommodated in the processing container 10, first, the control device opens the on-off valves V5 and V6 of the air supply means 50 to supply hot air into the processing container 10, and the second The exhaust opening / closing valve V14 is opened, the hot air generator 52 is operated, and the hot air 3 heated to about 280 ° C. is supplied into the processing container 10, and the ambient temperature of the wafer W and the processing container 10 is changed from room temperature (25 ° C.). The temperature is raised to a predetermined temperature (for example, 80 ° C. to 90 ° C.) (step (1) in Table 1).
[0074]
  In this wafer temperature raising step, the control device closes the on-off valve V9 and the auxiliary on-off valve V10 provided in the drainage conduit 91 from the processing vessel 10, as shown in step (1) of Table 1, The backflow of gas or mist from the trap 95 into the processing container is prevented. That is, in the wafer heating process, hot air is supplied into the processing container 10 and the processing container 10 is exhausted from the branch exhaust pipe 64 that exits from the processing container 10 and joins downstream of the ozone killer 80. During the wafer heating process, the water vapor generator 33 needs to be adjusted to a predetermined pressure higher than the pressure in the processing container 10 during standby, and the water vapor generator 33 is opened by opening the on-off valve V2 at this pressure adjustment stage. Since a part of the water vapor is discharged to the mist trap 95 via the discharge pipe 39, the pressure of the mist trap 95 is higher than that in the processing vessel 10, but the on-off valve V9 and the auxiliary on-off valve V10 are closed. Therefore, no backflow occurs.
[0075]
  (b) Pre-pressurization process
  Next, ozone gas generation means 41, which is an ozone gas supply means, operates to apply a high frequency voltage to oxygen (O2) supplied to generate ozone (O3) gas. The control device opens the auxiliary opening / closing valve V10 (the opening / closing valve V9 is closed), opens the opening / closing valve V4, and supplies the ozone gas 2 into the processing container 10, whereby the wafer W and the processing container 10 are opened. The inside atmosphere is pre-pressurized (step (2) in Table 1). At this time, the ozone gas 2 having an ozone concentration of about 9% wet (volume percentage) is supplied at a rate of about 10 liters / minute, so that the pressure in the processing vessel 10 is reduced to 0 from the zero-adjusted atmospheric pressure (0.1 MPa). The pressure can be as high as 0.01 MPa to 0.03 MPa. Thereby, since the inside of the processing container 10 can be made the atmosphere of only the ozone gas 2, a stable oxide film is formed on the surface of the wafer W, and metal corrosion can be prevented.
[0076]
  (c) O3 / steam treatment process
  After pre-pressurization in the processing container 10 for a predetermined time (for example, 1-2 minutes), the ozone gas supply means, that is, the ozone gas generation means 41 is operated to supply ozone gas through the on-off valve V4, while the water vapor supply means 30 is operated. Then, the first on-off valve V1 is opened, the water vapor 1 is supplied into the processing container 10, and the wafer W is processed by the reaction material generated by the reaction between the water vapor 1 (solvent vapor) and the ozone gas (processing gas), that is, the resist. Processing for removal is performed (step (3) in Table 1).
[0077]
  At this time, for example, the value P1 of the pressure sensor PS1 in the processing container 10 and the pressure sensor PS2 in the steam generator 33 between the time when the steam supply means 30 is activated and the time when steam is supplied into the processing container 10. When the pressure in the processing vessel 10 is higher than the pressure in the steam generator 33 (P1> P2) by comparing with the value P2, the pressure in the steam generator 33 is increased (P1> P2). ), The opening and closing of the on-off valves V1 and V2 is controlled so that water vapor can be supplied into the processing vessel 10. Specifically, while the pressure in the steam generator 33 is monitored by the pressure sensor PS2, both the on-off valves V1 and V2 are closed until the first pressure value Px, whereby the steam amount gradually increases in the steam generator 33. It increases and reaches the first pressure value Px. Here, with the on-off valve V1 closed, for example, the on-off valve V2 is opened for a certain time (for example, 1 sec), the pressure in the steam generator 33 (steam) is released, and the pressure in the steam generator 33 is reduced to the second pressure. Reduce to pressure value Py. In this case, since the orifice 39a is interposed in the discharge pipe 39, it is possible to suppress the pressure in the steam generator 33 from rapidly decreasing. Further, until the steam is supplied into the processing container 10, the above-mentioned operation (control) is repeated with the on-off valve V1 being closed, and the pressure is maintained between the pressure values Px to Py in the steam generator 33. Here, the values of the first pressure value Px and the second pressure value Py are both set higher than the pressure P1 in the processing container 10, and the relationship of P1 <Py <Px is established. Further, in the control after the start of the supply of water vapor into the processing container 10, the CPU 100 first opens the on-off valve V1 and closes the on-off valve V2. At this time, since the pressure value in the steam generator 33 is between Px and Py, the steam flows into the processing container 10 easily and instantaneously. In addition, since a large amount of water vapor is generated in the water vapor generator 33, a large amount of water vapor flows into the processing vessel 10 at a stretch and is mixed with the ozone gas previously supplied into the processing vessel 10 to process the wafer W. Starts quickly. In addition, since the pressure inside the water vapor generator 33 was high, the water vapor was naturally at a high temperature, so that treatment using ozone can be performed in a high temperature atmosphere, thus improving the processing capacity. Can be achieved. Further, while the steam and ozone gas are supplied into the processing container 10, the on-off valve V10 is controlled to be in an open state, and a pressure loss is created in the flow rate adjustment unit upstream of the on-off valve V10, so that the pressure in the processing container 10 is reduced. The resist removal process of the wafer W is performed while maintaining a state higher than the atmospheric pressure.
[0078]
  In the above-described embodiment, P1 <P2 is set at the time of water vapor supply. However, the present invention is not limited to this. Even when P1 = P2, the water vapor generator 33 is substantially treated while water vapor is generated. Needless to say, it is fed to the container 10 side.
[0079]
  Note that the pressure data in the processing container 10 at the time of processing is stored in the CPU 100 in advance, and based on this data and the detected pressure detected by the pressure sensor PS2, the first and second on-off valves V1, By controlling the opening and closing of V2, water vapor 1 having a pressure equal to or higher than the pressure in the processing vessel 10 can be supplied, and the amount of ozone molecules mixed with the water molecule layer is increased to increase the generation amount of hydroxyl radicals. Therefore, the resist removing ability can be improved.
[0080]
  (d) O3 → O2 replacement process
  The processing time varies depending on the type of resist for a predetermined time (for example, 3 to 6 minutes), but the pressure in the processing container 10 at that time is, for example, about 0.05 MPa higher than the zero-adjusted atmospheric pressure (0.1 MPa) Then, the first on-off valve V1 is closed to stop the supply of water vapor from the water vapor supply means 30, and the operation of the ozone gas generation means 41 is stopped to process only oxygen (O2) of the base gas. The gas is supplied into the container 10 and the inside of the pipe is purged with the base gas to prevent sudden pressure reduction and humidity reduction in the processing container 10 (step (4) in Table 1). Therefore, it is possible to prevent water vapor in the processing container 10 from being condensed and the water droplets from adhering to the wafer W.
[0081]
  (e) Forced exhaust process
  After supplying oxygen for a predetermined time (for example, 1 minute), the supply of oxygen is stopped, and then the on-off valve V16 is opened to operate the ejector 63 of the forced exhaust mechanism, while the exhaust on-off valve V13 and on-off valve V6 V8 is opened and water vapor and ozone gas remaining in the processing vessel 10 are forcibly sucked and exhausted (step (5) in Table 1). In this case, the ejector 63 is set so that the flow rate flowing from the processing vessel 10 toward the ejector 63 is slightly larger than the flow rate of the air flowing through the air supply pipe 51B, and the inside of the processing vessel 10 is brought into a slightly reduced pressure state. As a result, the inside of the processing container 10 can be sucked and exhausted, so that exhaust of the portion that is difficult to be purged only by extrusion exhaust in the air purge process described later can be performed rapidly.
[0082]
  During this forced exhaust process, the pressure in the mist trap 95 is high from the exhaust pipe 110 connected downstream of the ejector 63. In this forced exhaust stroke, the control means closes both the on-off valve V9 and the auxiliary on-off valve V10 provided in the drainage conduit 91 from the processing vessel 10, as shown in step (5) of Table 1. The backflow of gas or moisture from the mist trap 95 into the processing container is prevented.
[0083]
  (f) Process immediately after forced exhaust
  By the control means, the forced evacuation process is ended (when the on-off valve V8 is closed and the on-off valve V6 is opened), the process vessel 10 is transferred to the mist trap 95 only for a predetermined time (for example, 2 to 3 seconds). The on-off valve V9 and the auxiliary on-off valve V10 interposed in the drainage pipe 91 are closed, and in that state, the on-off valve V7 is opened to supply cool air for air purge into the processing container 10 (steps in Table 1). (6)).
[0084]
  The reason is that gas that cannot pass through the ozone killer 80 remains immediately after the forced exhaust ends, that is, in a period of 2 to 3 seconds after the ejector exhaust process is ended and the air purge process is started. The pressure in the space from the mist trap 95 to the inside of the mist trap 95 is high. Accordingly, since the pressure of the mist trap 95 becomes higher than that of the processing container 10 until the inside of the processing container 10 that has been forcibly sucked and exhausted is filled with cool air for air purge, an exhaust pipe line from the processing container 10 to the mist trap 95 is provided. This is because the gas or the mist flows backward from the mist trap 95 into the processing container 10 when it is left open. Therefore, immediately after the ejector exhaust process is completed, the drainage conduit 91 from the processing vessel 10 to the mist trap 95 is closed for a certain predetermined time to prevent backflow.
[0085]
  (g) Air purge process
  Finally, the on-off valve V9 in the drainage pipe 91 is opened, and the on-off valves V6, V7 in the purge air supply pipe 51A are continuously opened from the process immediately after the forced exhaust is finished, and cool air is supplied into the processing vessel 10. Then, the process vessel 10 is pushed out and exhausted to finish the process (step (7) in Table 1).
[0086]
  Thereafter, the elevating mechanism 15 is operated to raise the container cover 12, open the loading / unloading port 14 of the container body 11, raise the wafer guide 20, and unload the wafer W above the processing container 10. To do. Then, the wafer W is delivered to a wafer transfer means (not shown), and the wafer W is transferred to the next cleaning processing unit such as pure water, and the resist is washed away in the cleaning processing unit.
[0087]
  Therefore, according to the substrate processing, resist removal of the wafer W having a wiring process, prevention of metal corrosion and prevention of particles, as well as resist removal of other wafers W not having a wiring process, prevention of metal corrosion and prevention of particles. It can also be applied to prevention.
[0088]
  In the above embodiment, the case where the substrate to be processed is the wafer W has been described. However, the resist can be similarly removed from the substrate to be processed other than the wafer W such as an LCD substrate.
[0089]
【The invention's effect】
  As described above, according to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.
[0090]
  1) Claim4,8According to the invention described in the above, in the substrate heating step in which the heating gas is supplied into the processing container and the processing container is depressurized to substantially the atmospheric pressure by the branch exhaust pipe that exits from the processing container and joins downstream of the processing gas decomposition means. In the meantime, the on-off valves (V9, V10) provided in the exhaust path (pipe) from the processing container to the gas-liquid separation means are closed, so that gas or moisture flows back from the gas-liquid separation means into the processing container. Phenomenon is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the substrate heating process is prevented.
[0091]
  2) Claim1, 2, 5, 6, 9, 10According to the invention described in the above, there is provided a forced exhaust process for sucking the atmosphere in the processing vessel by the forced exhaust means and returning it to the downstream of the gas-liquid separation means, thereby improving the exhaust effect and improving the throughput. Improvements can be made. In addition, during the forced exhaust process, the on / off valves (V9, V10) provided in the exhaust path (pipe) from the processing container to the gas-liquid separation means are closed, so that the forced exhaust means operates. Even when the pressure in the gas-liquid separation means becomes higher than the pressure in the processing container due to the resistance of the processing gas decomposition means connected downstream of the gas-liquid separation means, the gas-liquid separation means enters the processing container. The phenomenon of reverse flow of gas or moisture is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the forced exhaust process is prevented.
[0092]
  3) Claim3, 7, 11According to the invention described in the above, the on-off valve provided in the drainage conduit from the processing container to the gas-liquid separation means for a certain predetermined time (for example, 2 to 3 seconds) immediately after the forced exhaust process is finished. (V9, V10) is closed. Accordingly, immediately after the end of forced exhaust, that is, in the period of 2 to 3 seconds after the forced exhaust process is finished and the purge process is started, the inside of the processing container that has been forcibly exhausted until then is purge gas (for example, oxygen gas, cool air). Even when the pressure of the gas-liquid separation means becomes higher than that of the processing container until it is full, the drain line from the processing container to the gas-liquid separation means is closed, so that the gas-liquid separation means enters the processing container. The phenomenon of reverse flow of gas or moisture is prevented. Therefore, the occurrence of particle contamination in the process immediately after the end of forced exhaust is prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment and showing a state in which water vapor and ozone gas are supplied to a wafer in a processing container.
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a first embodiment of the solvent vapor generating means in the present invention.
FIG. 4 is a schematic side view of a processing container in the present invention.
FIG. 5 is a schematic plan view showing a processing container locking mechanism according to the present invention.
FIG. 6 is a side view showing a part of the lock mechanism in cross section.
FIG. 7 is a schematic perspective view showing an exploded state (a), a state before locking (b), and a locked state (c) of the locking mechanism.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a water vapor nozzle in the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an ozone gas nozzle in the present invention.
10 is an enlarged sectional view taken along line IV-IV in FIG.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an air nozzle in the present invention.
FIG. 12 is a plan view showing a part of the air nozzle in cross section.
[Explanation of symbols]
  W Semiconductor wafer (substrate to be processed)
  1 Water vapor (solvent vapor)
  2 Ozone gas (processing gas)
  3 Hot air
  10 Processing container
  30 Water vapor supply means
  33 Water vapor generator (solvent vapor generation means)
  35 Water vapor nozzle
  40 Ozone gas supply means (process gas supply means)
  41 Ozone gas generation means
  43 Ozone gas nozzle
  50 Air supply means (gas supply means)
  52 Hot Air Generator
  54 Air nozzle
  60 Internal exhaust means
  61 Exhaust section
  62 Forced exhaust line
  63 Ejector
  80 Ozone killer (process gas decomposition means)
  90 Drainage means
  91 First drain line
  92 Cooling section
  95 Mist trap (gas-liquid separation means)
  100 CPU (control means)
  110 Exhaust pipe
  V1 1st on-off valve
  V2 Second on-off valve
  V4 open / close valve
  V5 open / close valve
  V6 on-off valve
  V7 open / close valve
  V8 on-off valve
  V9 open / close valve
  V10 Auxiliary on-off valve
  V13 First exhaust on-off valve
  V14 Second exhaust on / off valve
  V16 open / close valve

Claims (11)

被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧するプレ加圧工程と、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程と、を有する基板処理方法であって、
前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離手段により気液分離する気液分離工程と、前記パージ工程の間、処理容器内の雰囲気を吸引する強制排気工程と、を有し、
前記強制排気工程の間、前記気液分離を行う気液分離手段に接続される排気経路を閉鎖すると共に、強制排気経路を開放し、前記基板処理工程の間、前記強制排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離する排気経路を開放することを特徴とする基板処理方法。 A substrate heating step for heating the substrate to be heated by supplying a heating gas into a processing vessel for accommodating the substrate to be processed, and a pre-pressurizing step for pre-pressurizing the inside of the processing vessel by supplying ozone gas into the processing vessel And a substrate processing method for processing a substrate to be processed by supplying ozone gas and water vapor into the processing container, and a purge process for purging the processing container by supplying a purge gas. And
A gas-liquid separation step of separating the atmosphere exhausted from the processing vessel during the substrate processing step by gas-liquid separation means; a forced exhausting step of sucking the atmosphere in the processing vessel during the purge step; Have
During the forced exhaust process, the exhaust path connected to the gas-liquid separation means for performing the gas-liquid separation is closed, the forced exhaust path is opened, and the forced exhaust path is closed during the substrate processing process. A substrate processing method comprising: opening an exhaust path for gas-liquid separation. 請求項１記載の基板処理方法において、
前記処理容器内を強制的に吸引する雰囲気の量よりも少量か同等量のパージガスを処理容器内に供給しながら強制排気工程を行うことを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 1,
A substrate processing method comprising performing a forced evacuation step while supplying a purge gas in an amount equal to or smaller than an amount of atmosphere forcibly sucking the inside of the processing vessel. 請求項１又は２記載の基板処理方法において、
前記強制排気工程を終了した直後の若干の所定時間だけ、気液分離を行う排気経路を閉鎖することを特徴とする基板処理方法。In the substrate processing method of Claim 1 or 2,
A substrate processing method characterized in that an exhaust path for performing gas-liquid separation is closed only for a predetermined time immediately after the forced exhaust process is completed. 被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧するプレ加圧工程と、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程と、を有する基板処理方法であって、
前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離手段により気液分離する気液分離工程を有し、
前記基板昇温工程の間、前記処理容器内の雰囲気を前記気液分離手段の下流に排気する分岐排気経路を開放すると共に、前記気液分離手段に接続される気液分離を行う排気経路を閉鎖し、前記基板処理工程の間、前記処理容器内の雰囲気を前記気液分離手段の下流に排気する分岐排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離する排気経路を開放することを特徴とする基板処理方法。 A substrate heating step for heating the substrate to be heated by supplying a heating gas into a processing vessel for accommodating the substrate to be processed, and a pre-pressurizing step for pre-pressurizing the inside of the processing vessel by supplying ozone gas into the processing vessel And a substrate processing method for processing a substrate to be processed by supplying ozone gas and water vapor into the processing container, and a purge process for purging the processing container by supplying a purge gas. And
A gas-liquid separation step of separating the atmosphere exhausted from the processing vessel during the substrate processing step by a gas-liquid separation unit ;
A branch exhaust path for exhausting the atmosphere in the processing container downstream of the gas-liquid separation means during the substrate temperature raising step is opened, and an exhaust path for performing gas-liquid separation connected to the gas-liquid separation means is provided. The branch exhaust path for closing and exhausting the atmosphere in the processing container downstream of the gas-liquid separation means during the substrate processing step is closed and the exhaust path for gas-liquid separation is opened. Substrate processing method. 被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、
前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、
前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開閉弁（Ｖ 10 ）と、
前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、
前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、
前記処理容器に接続され、強制排気手段（６３）により強制的に前記処理容器内の雰囲気を吸引して排気する強制排気管路（６２）と、
前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）と、
前記強制排気手段により強制排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を開くと共に、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防止し、かつ、前記処理容器内の雰囲気を気液分離手段へ排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を閉じて、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開いて気液分離手段へ処理容器内のガスを流すように制御する制御手段（１００）と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed and then supplying a purge gas to purge the processing container,
An exhaust line (91) connected to the processing vessel (10) and exhausting the atmosphere in the processing vessel;
The open-close valve which is interposed in the exhaust pipe (V9) and the on-off valve (V9) and the on-off valve connected in parallel with the (V 10),
Which is connected to the processing vessel through off valve (V9, V 10), the gas-liquid separating means for gas-liquid separation atmosphere exhausted from the processing vessel and (95),
A process gas decomposition means (80) connected to the exhaust pipe (110) from the gas-liquid separation means, for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen;
A forced exhaust line (62) connected to the processing container and forcibly sucking and exhausting the atmosphere in the processing container by a forced exhaust means (63) ;
An on-off valve (V 13 ) interposed in the forced exhaust line;
When forced exhaust is performed by the forced exhaust means, the open / close valve (V 13 ) provided in the forced exhaust pipe is opened and the open / close valves (V 9, V 10 ) provided in the exhaust pipe are closed. Opening and closing provided in the forced exhaust line when the gas or moisture from the gas-liquid separation means is prevented from flowing back into the processing container and the atmosphere in the processing container is exhausted to the gas-liquid separation means. Control means (100) for closing the valve (V 13 ) and opening the on-off valves (V9, V 10 ) interposed in the exhaust pipe so that the gas in the processing container flows to the gas-liquid separation means When,
A substrate processing apparatus comprising: 請求項５記載の基板処理装置において、
ガス供給手段（５０）から処理容器内に加熱ガスを供給するガス供給管路（５３）と、
前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ６）と、
処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、
前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、
を具備し、
制御手段が、前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ６）と前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）を開くと共に、逆流防止のため、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じる機能を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5,
A gas supply line (53) for supplying a heated gas from the gas supply means (50) into the processing container;
An on-off valve (V6) interposed in the gas supply line;
A branch exhaust pipe (64) that exits the processing vessel and bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means and joins downstream of the processing gas decomposition means ;
An on-off valve (V 14 ) interposed in the branch exhaust pipe ,
Comprising
When the control means supplies the heating gas into the processing container, an on-off valve (V6) provided in the gas supply pipe and an on-off valve (V 14 ) provided in the branch exhaust pipe are provided. open time, in order to prevent backflow, a substrate processing apparatus, characterized by comprising the on-off valve which is interposed in the exhaust pipe and (V9, V 10) closing function. 請求項５又は６記載の基板処理装置において、
ガス供給手段（５０）から処理容器内にパージガスを供給するガス供給管路（５１Ａ）と、
前記ガス供給管路に介設される開閉弁（Ｖ７）と、
を具備し、
前記制御手段が、強制排気を終了した直後の若干の所定時間だけ、前記ガス供給管路（５１Ａ）に介設される開閉弁（Ｖ７）を開くと共に、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じて気液分離手段から処理容器内へのガスあるいは水分の逆流を防止し、その後、前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開いて、パージガスにより処理容器内のガスを排気するパージ工程を行う機能を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6,
A gas supply line (51A) for supplying purge gas from the gas supply means (50) into the processing container ;
An on-off valve (V7) interposed in the gas supply line;
Comprising
The control means opens the on-off valve (V7) interposed in the gas supply pipe (51A) and opens and closes in the exhaust pipe for a certain predetermined time immediately after the end of forced exhaust. (V9, V 10) to close to prevent backflow of gas or moisture into the gas-liquid separating means from the processing vessel, then opened the on-off valve (V9, V 10), gas in the processing container by the purge gas A substrate processing apparatus having a function of performing a purging process for exhausting air. 被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、
前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、
前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開閉弁（Ｖ 10 ）と、
前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、
前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、
前記処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、
前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、
前記処理容器内に加熱ガスを供給する加熱ガス供給手段（５２）と、
前記加熱ガス供給手段から前記処理容器内に加熱ガスを供給する際に、前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ14）を開くと共に、前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じるように制御する制御手段（１００）と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed and then supplying a purge gas to purge the processing container,
An exhaust line (91) connected to the processing vessel (10) and exhausting the atmosphere in the processing vessel;
The open-close valve which is interposed in the exhaust pipe (V9) and the on-off valve (V9) and the on-off valve connected in parallel with the (V 10),
Which is connected to the processing vessel through off valve (V9, V 10), the gas-liquid separating means for gas-liquid separation atmosphere exhausted from the processing vessel and (95),
A process gas decomposition means (80) connected to the exhaust pipe (110) from the gas-liquid separation means, for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen;
A branch exhaust pipe (64) that exits the processing vessel and bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means and joins downstream of the processing gas decomposition means;
An on-off valve (V 14 ) interposed in the branch exhaust pipe ,
Heating gas supply means (52) for supplying a heating gas into the processing vessel;
When supplying the heated gas from the heated gas supply means into the processing vessel, the open / close valve (V14) provided in the branch exhaust pipe is opened and the open / close valve provided in the exhaust pipe ( V9, V 10) closing control means for controlling so as (100),
A substrate processing apparatus comprising: 被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温し、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧し、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理し、その後、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行う基板処理装置であって、
前記処理容器（１０）に接続され、該処理容器内の雰囲気を排気する排気管路（９１）と、
前記排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９）及び該開閉弁（Ｖ９）と並列に接続される開 閉弁（Ｖ 10 ）と、
前記開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を介して前記処理容器に接続され、処理容器内から排気された雰囲気を気液分離する気液分離手段（９５）と、
前記気液分離手段からの排気管路（１１０）に接続され、水分が分離された雰囲気内のオゾンを酸素に分解する処理ガス分解手段（８０）と、
前記処理容器に接続され、強制排気手段（６３）により強制的に前記処理容器内の雰囲気を吸引して排気する強制排気管路（６２）と、
前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）と、
前記処理容器から出て気液分離手段及び処理ガス分解手段を迂回し処理ガス分解手段の下流に合流する分岐排気管路（６４）と、
前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）と、
前記強制排気手段により強制排気する際に、前記強制排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 13 ）を開くと共に、前記分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ 14 ）、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を閉じるように制御する制御手段（１００）と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A heating gas is supplied into a processing container that accommodates the substrate to be processed to raise the temperature of the processing substrate, ozone gas is supplied into the processing container to pre-pressurize the processing container, and ozone gas and water vapor are supplied into the processing container. A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed and then supplying a purge gas to purge the processing container,
An exhaust line (91) connected to the processing vessel (10) and exhausting the atmosphere in the processing vessel;
The on-off valve (V9) and open the valve closing is connected in parallel to the on-off valve (V9) that is interposed in the exhaust pipe (V 10),
Which is connected to the processing vessel through off valve (V9, V 10), the gas-liquid separating means for gas-liquid separation atmosphere exhausted from the processing vessel and (95),
A process gas decomposition means (80) connected to the exhaust pipe (110) from the gas-liquid separation means, for decomposing ozone in the atmosphere from which moisture has been separated into oxygen;
A forced exhaust line (62) connected to the processing container and forcibly sucking and exhausting the atmosphere in the processing container by a forced exhaust means (63);
An on-off valve (V 13 ) interposed in the forced exhaust line ;
A branch exhaust pipe (64) that exits the processing vessel and bypasses the gas-liquid separation means and the processing gas decomposition means and joins downstream of the processing gas decomposition means;
An on-off valve (V 14 ) interposed in the branch exhaust pipe ,
When forcibly exhausting by the forced exhaust means, the open / close valve (V 13 ) provided in the forced exhaust pipe is opened , the open / close valve (V 14 ) provided in the branch exhaust pipe , and the exhaust pipe off valve is interposed road and (V9, V 10) closing control means for controlling so (100),
A substrate processing apparatus comprising: 請求項９記載の基板処理装置において、
前記強制排気手段の下流を気液分離手段と処理ガス分解手段との間に接続し、強制排気された処理容器内の雰囲気を前記処理ガス分解手段を通して排気可能に形成することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein
A substrate characterized in that the downstream of the forced exhaust means is connected between a gas-liquid separation means and a process gas decomposition means, and the atmosphere in the process vessel that has been forcibly exhausted is formed to be exhaustable through the process gas decomposition means. Processing equipment. 請求項９記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、強制排気手段からの排気が終了した直後、一定時間、分岐排気管路に介設される開閉弁（Ｖ14）、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）、及び強制排気管路に介設される（Ｖ13）を閉じ、処理容器内をパージするためのパージガスが処理容器内に供給された後、排気管路に介設される開閉弁（Ｖ９，Ｖ 10 ）を開き、前記処理容器内の雰囲気を排気するよう制御可能に形成されることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein
Wherein, immediately after the exhaust gas from the forced draft means has ended, a predetermined time, the on-off valve which is interposed in the branch exhaust passage (V14), the opening and closing valve which is interposed in the exhaust pipe (V9, V 10) And the on-off valve (V9, V) installed in the exhaust line after the purge gas for purging the inside of the processing container is supplied into the processing container. 10 ) The substrate processing apparatus is formed so as to be controllable to open and exhaust the atmosphere in the processing container.
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