JP4008722B2 - 電子部品の電極浮き検出方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の電極浮き検出方法及び装置、さらに詳細には、電子部品実装装置により基板に実装される電子部品のリード電極あるいはボール電極などの電極浮きを検出する方法及び検出システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
リード電極またはボール電極を持つ電子部品を基板に実装する場合、電極に浮きがあると、正しい実装ができないことから、部品供給部から供給され吸着ノズルで吸着された電子部品を、電極浮き検出装置で電極浮きを検出し、電極に浮きのない良品の電子部品のみを基板上に実装することが行われている。
【0003】
従来のリード電極の浮きを検出する方法では、部品実装機の移載ヘッドの吸着ノズルに電子部品を吸着して基板に移送する途中において、電子部品をレーザ装置の上方に位置せしめ、このレーザ装置の投光部から電子部品のリード端子に向かってレーザ光を照射し、リード端子からの反射光を受光部で受光することにより、各々のリード端子の基準面からの高さを検出し、許容範囲にないものを浮きがあると判定して、部品搭載を行わないようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電極浮き検出方法では、電極の浮き検出位置(レーザーが投光される電極部位)や電極明るさのしきい値などの検出パラメータが一定の値(デフォルト値)となっているので、電極の形状や電極の明るさにより、検出率、検出精度の低下を発生させる問題があった。
【0005】
従って、本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、電極の浮き検出率並びに検出精度を高めることが可能な電子部品の電極浮き検出方法及び装置を提供することをその課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決する本発明は、電子部品の電極浮きを検出するための検出パラメータを取得して、該取得した検出パラメータで電子部品の電極浮きを検出する方法及び装置において、
電極浮きを検出するための電極先端からの検出オフセット位置を検出パラメータの少なくとも一つとし、該検出オフセット位置を電極先端から所定寸法ずつ電極の長手方向に変化させて電極浮きを検出する浮き検査を、基板の生産前に実施すること、
前記検査手段で最初に浮き検査にエラーがないときの検出オフセット位置を電極浮き検出位置として取得すること、
基板の生産に際して、前記取得した電極浮き検出位置で電極浮きを検出することを特徴とする。
【0007】
このような構成では、最適の検出オフセット位置を用いて電極の浮きを検出することができるので、電極の浮き検出率並びに検出精度を高めることが可能になる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
【0009】
図1は、部品実装装置(マウンタ)の概要図であり、図2はその制御構成を示すブロック図である。部品実装装置は、フィーダ8より供給される部品(電子部品)20を吸着する吸着ノズル3aを備えたヘッド部3を有しており、このヘッド部3はCPUで構成される制御部10により駆動されるX軸モータ11によってX軸1に沿って移動し、またX軸1は、Y軸モータ12によりY軸2、2’に沿って移動できるようになっており、それによりヘッド部3は、XY軸方向に移動可能に構成される。またヘッド部3は、Z軸モータ13によってZ軸方向に駆動されて昇降し、また吸着ノズル3aはθ軸モータ14によってノズル軸を中心に回転できるように構成されている。
【0010】
また、部品実装装置には、部品20を撮像するCCDカメラのような撮像装置5並びに電極浮きを検出する電極浮き検出装置9が配置される。ヘッド部3の吸着ノズル3aにより吸着された部品20は、電極浮き検出装置9で、電極の浮きが検査され、また撮像装置5により、その吸着姿勢が撮像される。部品の撮影画像は画像認識装置7で認識され、部品中心と吸着中心の位置ずれ、また吸着角度ずれが補正され、搬送されてくる基板6に部品20が搭載される。
【0011】
また、部品実装装置には、搭載する部品の諸元を入力するためのキーボード21、マウス22などの入力装置が設けられ、生成された部品データが記憶装置23に格納できるようになっている。またこれらの入力装置を用いて基板生産プログラムデータが作成できるように構成される。さらに、表示器24が設けられ、この画面を介して部品の諸元を入力したり、入力された諸元が表示される。また、この表示器24は撮像装置5で撮像した部品像、電極浮きを検出するための検出パラメータなども表示できるように構成される。
【0012】
図3(A)、(B)には、レーザー投光部9aとレーザー受光部9bを有する電極浮き検出装置9が図示されており、部品20を吸着した吸着ノズル3aが、電極浮き検出装置9の上を移動するときに、レーザー投光部9aからレーザー光を部品20のリード端子(電極)20aにあて、その反射光をレーザー受光部9bで受光してリード端子の基準面よりの高さを検出する。このとき、通常リード部品の場合、図4に示したように、リード端子の先端部分A(先端から約0.1mm根元部分へ引っ込んだ部分)の高さを検出するが、リード端子20aの先端部分の形状が、不安定な場合、Aの位置のリード端子高さを検出すると、バラツキが大きくなり、精度の高いリード浮き測定が実施できなくなる。そこで、本発明では、生産プログラムのリード浮き検出データ作成時に、設定回数分、リード浮き検査を実施し、リード端子高さのバラツキが所定値を超えていた場合には、リードの先端部分から根元部分へ検出オフセット位置(端子検出位置)をシフトし、バラツキが安定する位置(図4のB)を検出し、生産プログラムデータに反映させる。また、このリード先端からの位置は、あらかじめ図面等で安定位置が分かっていれば、その位置を入力可能とする。また、電極の酸化等で、レーザー光の反射が不安定になり、検出エラーが発生する場合がある。この場合も、電極を識別する明るさのしきい値を、加減させ、検出エラーが発生しないしきい値を検出し、生産プログラムに反映する。このような処理を、制御部10で実行される図5〜図7のフローチャートを用いて説明する。
【0013】
図5は、電極の高さ測定位置を定める流れを示すもので、まず、検査回数と電極明るさしきい値を入力する(ステップS1、S2)。検査回数は、浮き検出の検査回数で、電極明るさしきい値は、レーザー受光部9bで受光された光量(明るさ)を比較する基準値となるしきい値であり、レーザー受光部9bで受光された明るさが、このしきい値を超える場合に、電極を検出したことが識別される。通常はデフォルト設定値を使用するので、その場合、入力部21、22を介した新規入力は不要であり、図示した例では、検査回数は5回、電極明るさしきい値は100のデフォルト値が採用されている。
【0014】
次に、電子部品がリード部品か、ボール部品(BGA)かが判定され(ステップS3)、ボール部品の場合は、後述するボール部品データ取得ルーチンに入り、リード部品の場合は、リード先端からの検出オフセット位置を指定する。この場合も通常、デフォルト値(上述の0.1mm)を指定する(ステップS4)。
【0015】
これらの値を入力すると、設定回数分、電極浮き検査を実施する(ステップS5)。検査動作中、各電極の高さを記録し、動作を終了すると、各端子の高さデータのバラツキが求められる。一つの端子の高さデータのバラツキは、
【0016】
【数1】
で求められる。nは検査回数(5回)で、xは各回数での当該端子の高さデータである。
【0017】
このバラツキをすべての端子について求め、各端子の高さデータのバラツキが判定値(30μ)以下で、検査にエラーがない場合(ステップS6の肯定)は、この検出オフセット位置を電極浮き検出位置(検出パラメータ)として取得して、生産プログラムデータ作成時に取り入れる(ステップS7)。一方、ステップS6の判断が否定された場合は、高さ検出位置を、リード先端から0.1mm根元部分にシフト(Aの位置よりB方向に0.1mmシフト)させ(ステップS8)、シフトした位置がリード長さLを超えない場合(ステップS9の肯定)には、ステップS5に戻って再度同様な処理を繰り返す。一方、シフトした位置がリード長Lを超えた場合(ステップS9の否定)には、図6に示した電極明るさしきい値変更フェーズに入る。
【0018】
図6に示すフェーズでは、図5のステップS2で設定したしきい値(100)の変動幅であるしきい値変動幅(デフォルト10)と、変動回数(デフォルト4)を入力する(ステップS11、S12)。続いて、ステップS13で、明るさしきい値を変動幅だけを変更し、図5のステップS1で設定した回数(5回)、電極浮き検査を実施する(ステップS14)。ステップS6と同様に、各端子の高さデータのバラツキが判定値(30μ)以下で、検査エラーがない場合(ステップS15の肯定)、そのしきい値を明るさしきい値のパラメータとして用いる。またリード先端からの浮き検出位置をステップS4で設定した初期値に戻し(ステップS16)、図5に戻って再度電極浮きの検査を実施する。
【0019】
一方、一つ以上の端子に浮きが検出されて検査にエラーが発生した場合は(ステップS15の否定)、しきい値変動回数がデフォルト値に達していない場合は(ステップS17の否定)、ステップS13に戻ってしきい値を変化させ、上述の処理を繰り返す。このしきい値の変動は、例えば、変動幅10、変動回数4の場合は、しきい値の初期値が、100の時、しきい値がそれぞれ90、80、110、120となるように、4回しきい値を変動させる。しきい値の変動回数が設定値に達した場合は(ステップS17の肯定)、処理を終了する。
【0020】
図5のステップS3で、部品がボール部品であると判断された場合は、図7のボール部品データ取得フェーズに入る。ボール部品の場合には、浮き検出位置は、ボールの中心であるので、電極明るさしきい値のみが変動される。従って、ステップS21〜S25、S27は、図6に示したステップS11〜S15、S17と同様な処理となり、ステップS25で検査にエラーがないと判断された場合、そのときの明るさしきい値をデータに反映させ、生産プログラムデータ作成時に取り入れる(ステップS28)。
【0021】
このようにして検査エラーのなかったリード浮き検出位置(リード部品の場合)並びに電極明るさしきい値をそれぞれ電極浮き検出時の検出パラメータとして取得して、生産プログラムデータ作成時に取り込む。実際の基板の生産に際しては、生産プログラムが実行され、電極浮き検出時には、この取り込んだ最適の検出パラメータが読み出されて浮き検出が行われ、電極浮きの有無が検出され、電極に浮きのない部品のみが基板に搭載される。
【0022】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、最適の検出オフセット位置を用いて電極の浮きを検出することができるので、電極の浮き検出率並びに検出精度を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に使用される部品実装装置の構成を示した上面図である。
【図2】部品実装装置の制御系の構成を示したブロック図である。
【図3】(A)は電極浮き検出装置の平面図、(B)はその側面図である。
【図4】電極浮きを検出する位置を示した説明図である。
【図5】電極検出位置を取得する処理の流れを示したフローチャートである。
【図6】電極明るさしきい値を変動させて浮き検査をする処理の流れを示したフローチャートである。
【図7】ボール部品の場合のデータ取得フェーズでの処理の流れを示したフローチャートである。
【符号の説明】
3 ヘッド部
3a 吸着ノズル
5 撮像装置
9 電極浮き検出装置
20 電子部品
20a リード端子
Claims (2)
- 電子部品の電極浮きを検出するための検出パラメータを取得して、該取得した検出パラメータで電子部品の電極浮きを検出する方法において、
電極浮きを検出するための電極先端からの検出オフセット位置を検出パラメータの少なくとも一つとし、該検出オフセット位置を電極先端から所定寸法ずつ電極の長手方向に変化させて電極浮きを検出する浮き検査を、基板の生産前に実施する検査工程と、
前記検査工程で最初に浮き検査にエラーがないときの検出オフセット位置を電極浮き検出位置として取得する工程とを有し、
基板の生産に際して、前記取得した電極浮き検出位置で電極浮きを検出することを特徴とする電子部品の電極浮き検出方法。 - 電子部品の電極浮きを検出するための検出パラメータを取得して、該取得した検出パラメータで電子部品の電極浮きを検出する装置において、
電極浮きを検出するための電極先端からの検出オフセット位置を検出パラメータの少なくとも一つとし、該検出オフセット位置を電極先端から所定寸法ずつ電極の長手方向に変化させて電極浮きを検出する浮き検査を、基板の生産前に実施する検査手段と、
前記検査手段で最初に浮き検査にエラーがないときの検出オフセット位置を電極浮き検出位置として取得する手段とを有し、
基板の生産に際して、前記取得した電極浮き検出位置で電極浮きを検出することを特徴とする電子部品の電極浮き検出装置。
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