JP3985790B2 - 誘電体共振器装置、誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタおよび通信装置 - Google Patents

Description

この発明は、多重モードで動作する誘電体共振器装置、それを備えた誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタおよび通信装置に関するものである。

従来、キャビティ内に誘電体コアを配置し、複数の共振モードを利用するようにした多重モード誘電体共振器装置が特許文献１に開示されている。

特許文献１では、略直方体形状のキャビティ内の中央部に略直方体形状の誘電体コアを配置させるために、キャビティと一体的に形成した仮支持部材付きの誘電体コアに低誘電率の支持台をガラスグレーズで貼り付けて焼成後、仮支持部材を削り取るといった方法が示されている。また、誘電体コアをキャビティの中央部に支持体を介して支持するようにした構造も示されている。
特開平１１−１４５７０４号公報

ところが仮支持部材を設ける方法によってキャビティ内に誘電体コアを支持する前者の構造では、次のような問題があった。

（１）製造工程が多岐に亘り、煩雑である。
（２）誘電体コア、キャビティ、および後に付加する支持部材の何れもその寸法精度を高くする必要がある。
（３）誘電体コアおよびキャビティの成型用金型が複雑になる。
これらの要因によって誘電体共振器がコスト高になるという問題があった。

また、支持体を介して誘電体コアを所定高さに持ち上げるようにしてキャビティ内に配置する後者の構造では、支持体と誘電体コアの接着面を垂直に電界が貫く方向の実効誘電率が、誘電体である支持体が存在する分だけ高くなり、それに伴って支持体と誘電体コアの接着面を垂直に電界が貫く共振モード（ＴＭモード）の共振周波数が低下する。このＴＭモードが不要な共振モードである場合には、その他の利用する共振モードによる例えばフィルタの減衰特性に悪影響を与える。また上記ＴＭモードを利用する場合でも、支持体の存在による共振周波数の低下分を見越した設計を必要とするので、設計上の自由度が低下するという問題があった。

そこで、この発明の目的は、上述したコストアップ要因を排除し、且つＴＭモードの共振周波数の低下による問題を解消した誘電体共振器装置、それを備えた誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタおよび通信装置を提供することにある。

この発明は、誘電体コアをキャビティ内に配置してなる誘電体共振器装置において、誘電体コアは、中央部に貫通孔を有するとともに多重モードで共振する形状とし、穴を有し外形が前記誘電体コアの取り付け面より広い平板状の支持板に、前記誘電体コアの貫通孔と前記穴とが連続するように前記誘電体コアを取り付けるとともに、該支持板を当該支持板の前記誘電体コアの取り付け面が接しない周辺部分で支持柱を介して前記キャビティの内面に取り付け、前記貫通孔の内壁に接触しないように挿通した導体線を介して、前記キャビティの互いに対向する面同士を接続したことを特徴としている。

また、この発明は前記誘電体共振器装置と、それに外部結合する外部結合手段を備えて誘電体フィルタを構成したことを特徴としている。

また、この発明は、前記誘電体フィルタを２組以上備えるとともに、それぞれの誘電体フィルタの一方の外部結合手段を共用して複合誘電体フィルタを構成したことを特徴としている。

例えば、誘電体フィルタを２組備えるデュプレクサの場合には、一方のフィルタを送信フィルタ、他方のフィルタを受信フィルタ、共用した外部結合手段をアンテナポートとして用いることによって、送受共用器として作用させる。

また、この発明は、前記誘電体フィルタまたは複合誘電体フィルタを高周波回路部に備えて通信装置を構成したことを特徴としている。

（１）この発明によれば、誘電体コアを支持板を介して間接的にキャビティ内に支持するので、誘電体コアを予めキャビティと共に一体成型した後に加工する方法に比べて低コスト化が図れる。また、支持板を垂直に貫く電界に対する実効誘電率が低くなるので、その電界を生じさせるＴＭモードの共振周波数の低下を抑制できる。

（２）また、この発明によれば、支持板の外形を該支持板に接する前記誘電体コアの底面より広くするとともに、該支持板を当該支持板の周辺部分で支持柱を介してキャビティの内面に取り付けたことにより、キャビティの内面に対する支持板の取り付けが簡単となり、支持板とキャビティ内面との間に空気層を有する構造が容易に得られる。

（３）また、この発明によれば、支持板の誘電体コア底面に対向する位置に穴を設けたことにより、支持板をキャビティの内面に直接取り付けた場合でも、誘電体コアとキャビティ内面との間に空気層を容易に設けることができ、支持板を支持柱を介してキャビティの内面に取り付けた場合には、誘電体コアとキャビティ内面との間の空気層をより大きく設けることができる。

（４）また、この発明によれば、キャビティの互いに平行に対向する面同士を誘電体コアの略中央を貫通する導体線を介して接続したことにより、支持板と誘電体コアとの接着面を垂直に貫く電界ベクトルを生じさせるＴＭモードに対して、上記導体線が等価的なＬＣ並列共振回路の両端を短絡することになり、上記ＴＭモードの共振周波数を使用周波数帯域から大きく離すことができる。

（５）また、この発明によれば、上記の誘電体共振器装置と、それに外部結合する外部結合手段を備えて、遮断域の減衰量を大きく確保した帯域通過特性を有する誘電体フィルタおよび複合誘電体フィルタが得られる。

（６）また、この発明によれば、上記誘電体フィルタまたは複合誘電体フィルタを高周波回路部に備えて、低コストな通信装置を構成することができる。

第１の実施形態に係る誘電体共振器装置について図１〜図４を基に説明する。
図１は誘電体共振器装置の主要部の構成を示す分解斜視図および断面図である。この例では、誘電体コア１０をキャビティ１の内部に配置して誘電体共振器装置を構成している。誘電体コア１０の外形は略立方体形状を成している。この誘電体コア１０は支持板３に接合している。

図２はその誘電体コア１０と支持板３の構造を示す図である。（Ａ）は接合前の状態、（Ｂ）は接合後の状態を示している。

この支持板３としては低誘電率で且つ誘電体コア１０と線膨張係数が近似しているセラミック板を用いる。誘電体コア１０は支持板３に対して接着剤により接着するか、ガラスグレースの焼付けによって接合する。

キャビティ１は金属の成型体であり、その内外面に銀電極などの導体膜を形成している。キャビティ１の内底面には４つの支持柱２を配置し、この支持柱２を介して支持板３を支持するようにしている。

図１の（Ｂ）に示すように、支持板３の四隅および支持柱２にはそれぞれ貫通孔を形成している。また支持板３の貫通孔形成部の上部にはナットを接着固定している。組み立ての際、キャビティ１の底面からネジ５を挿入し、ナット６に螺合させ締め付けることによって、支持板３を支持柱２を介してキャビティ１内底面に取り付ける。このような構造により、支持板３とキャビティ１の内底面との間に空気層Ａを設ける。

なお、図１に示した例では、キャビティの底面からネジ５を挿入するようにしたが、支持柱２にネジ５が螺合するネジ穴を設けて、キャビティの上方（内部側）からネジ５を挿入するようにしてもよい。すなわち、一体成型等によりキャビティ１に支持柱２を一体に設け、且つその支持柱２にネジ５が螺合するネジ穴を設けておき、ネジ５を支持板３の上方から通して支持柱のネジ穴に螺合させ、締め付けることによって、支持板３を支持柱２を介してキャビティ１内底面に取り付けるようにしてもよい。

ここで、角度φ、半径ｒ、高さｚの円柱座標系の形式ＴＥφｒｚでＴＥモードの共振モードを表すと、図１・図２に示した誘電体コア１０には、互いに直交する３つのＴＥ０１δモードが生じる。すなわち、ｘ軸方向に垂直な面に電界が回るＴＥ０１δｘモード、ｙ軸方向に垂直な面に電界が回るＴＥ０１δｙモード、ｚ軸方向に垂直な面に電界が回るＴＥ０１δｚモードの３つの共振モードが生じる。これら３つのＴＥ０１δ共振モードのうち、２つの共振モード同士を、誘電体コア１０に穴や溝を形成することなどによって順に結合させて、等価的に３つの共振器が順に結合して成る誘電体フィルタを構成する。また、同時に、直角座標系の形式ＴＭｘｙｚでＴＭモードの共振モードを表すと、共振モードによる電界が支持板３を垂直に（ｚ方向に）貫くＴＭ１１δｚモード（以下単に「ＴＭｚモード」という。）も生じる。

図１の（Ｂ）において、図中の矢印はＴＭｚモードの電界ベクトルを表している。このようにＴＭｚモードの電界は空気層Ａの厚み方向を貫くように通る。従ってＴＭｚモードの電界ベクトルはその殆どが空気層Ａを通ることになるので、ＴＭｚモードの電界が及ぼす部分での実効誘電率が低下し、ＴＭｚモードの共振周波数が上昇する。

図１・図２に示した構造では、略立方体形状の誘電体コアを用いたが、これを図３に示すように直交する２つの矩形板が一体となった断面十字形の誘電体コア１０としてもよい。図３に示す例では、誘電体コア１０のうち、ｘ−ｙ平面に広がる部分でＴＥ０１δｚモードが生じ、ｙ−ｚ平面に広がる部分でＴＥ０１δｘモードが生じる。そして、２つの板状部分が交差した箇所に相当する部分に溝ｇを設けることによって、上記２つの共振モード同士を結合させ、ＴＥ０１δ二重モードの共振器として作用させる。

図４は上記空気層の有無によるＴＭｚモードの共振周波数変位効果を示す図である。ここでは、誘電体コアの形状として図３に示したものを用いて構成した誘電体フィルタの通過特性を示している。縦軸は減衰量をデシベルで表していて、１目盛が１０ｄＢであり、上端が０ｄＢである。また横軸は周波数をリニアスケールで表していて、左端が１８００［ＭＨｚ］、右端が２４００［ＭＨｚ］である。

（Ａ）は図１に示した支持柱２を設けずに、すなわち空気層を介在させずに支持板３をキャビティ１の内底面に直接取り付けた場合の特性である。（Ｂ）は上記空気層を３．０［ｍｍ］とした時の特性である。Ｐ０はＴＥ０１δ二重モードの共振ピーク、Ｐ１はＴＭｚモードの共振ピークである。空気層が存在しない場合、（Ａ）に示すようにＰ０が現れている使用周波数帯域１９００〜１９４０［ＭＨｚ］の近傍である２０８０［ＭＨｚ］付近にＴＭｚモードの共振ピークＰ１が現れる。しかし空気層を設けることにより、（Ｂ）に示すように、ＴＭｚモードの共振ピークＰ１は２２８０［ＭＨｚ］付近へシフトし、Ｐ０から高域側へ大きく離れる。このことにより、ＴＥ０１δ二重モードを利用する周波数帯域への悪影響を回避することができる。例えば、ＴＥ０１δ二重モードの共振ピークの高域側の減衰特性を改善することができる。

次に、第２の実施形態に係る誘電体共振器装置および誘電体フィルタについて図５〜図７を基に説明する。
第１の実施形態では、支持板３を支持柱２を介してキャビティ１の内底面に取り付けることによって、支持板３とキャビティ１の内底面との間に空気層Ａを設けたが、この第２の実施形態では、図５の（Ａ）に示すように、支持板３に穴Ｈを設ける。図５の（Ｂ）は支持板３に誘電体コア１０を接合した状態を示している。穴Ｈは支持板３に対して誘電体コア１０を接合する箇所に設けておく。この穴Ｈは貫通孔または座ぐりとする。この穴Ｈは図５では単一としたが、複数箇所に設けてもよい。

図５に示した誘電体コア１０を接合した支持板３をキャビティ内に取り付ける場合、支持板３をキャビティの内底面に直接載置した状態で取り付けるか、図１に示したように、支持柱２を介して取り付ける。

図６は図３に示したものと同様の誘電体コア１０を用いた場合について示している。この場合も、誘電体コア１０が接合される支持板３の部分に穴Ｈを設けておく。この穴Ｈは誘電体コア１０の支持板３に対する接合面から部分的にはみ出す程度に大きく形成してもよい。ＴＭｚモードの電界は誘電体コア１０の特にｙ−ｚ平面に広がる板状部分に集中するので、その底面部分に穴Ｈが存在することにより、ＴＭｚモードの電界ベクトルが通る部分の実効誘電率が大きく低下してＴＭｚモードの共振周波数が上昇する。

図７は支持板３に設けた穴Ｈの有無によるＴＭｚモードの共振周波数変位効果を示している。ここで（Ａ）は、支持板３に穴Ｈを設けずに支持板３をキャビティ１の内底面に直接取り付けた場合の特性、（Ｂ）は、穴Ｈを設けた支持板３をキャビティ１の内底面に取り付けた場合の特性である。さらに（Ｃ）は、支持板３を第１の実施形態で示した支持柱２を介してキャビティ１の内底面に取り付けた場合の特性について示している。ここでは、誘電体コアの形状として図６に示したものを用いて構成した誘電体フィルタの通過特性を示している。横軸および縦軸のスケールは図４に示したものと同様である。

このように支持板３に穴Ｈを設けることによって、ＴＭｚモードの共振ピークＰ１は２０８０［ＭＨｚ］付近から２２３０［ＭＨｚ］付近まで上昇し、更に支持板３を支持柱２で浮かせて空気層を設けることによってＴＭｚモードの共振ピークは２３４０［ＭＨｚ］付近にまで上昇する。このようにして、ＴＭｚモードの共振ピークは使用周波数帯域１９００〜１９４０［ＭＨｚ］付近から高域側へ大きく離れ、ＴＥ０１δ二重モードの共振ピークの高域側の減衰特性を改善することができる。

図８は第３の実施形態に係る誘電体共振器装置の主要部の構成を示している。誘電体コア１０は図３または図６に示したものと同様である。キャビティ１の内底面には、支持板３の四隅部分に相当する位置に支持柱部分１ｐを一体に形成している。支持板３の四隅にはネジ５を通す孔を形成していて、キャビティ１の内面側からネジ５によって支持板３をキャビティ１の支持柱部分１ｐにネジ止め固定している。キャビティ１の上部開口面にはこの後、カバーを取り付ける。

このような構造によっても支持板３とキャビティ１の内底面との間に空気層Ａを設けることができる。なお、キャビティ１の内底面に支持柱部分１ｐを突出させるのではなく、空気層Ａに相当する箇所に凹部を形成することによって、必要な空気層Ａを設けるようにしてもよい。

図９は第４の実施形態に係る誘電体共振器装置に用いる誘電体コアおよび支持板の構造を示している。
図９において（Ａ），（Ｂ）は、誘電体コア１０として図３または図６に示した断面十字形状の誘電体コアを用いた例であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図である。また図９の（Ｃ），（Ｄ）は、誘電体コア１０として図１，図２，図５で示したものと同様に、略立方体形状の誘電体コアを用いた例であり、（Ｃ）はその上面図、（Ｄ）は正面図である。

この例では、誘電体コア１０の上面から見た外形状は略正方形となるが、その正方形が支持板３に対して４５°回転させた関係となるように、支持板３に対して誘電体コア１０を接合させる。このことにより、上部から見たとき支持板の四隅部分が突出することになり、ネジ５を用いて支持板３をキャビティの内底面に取り付ける際、ネジ止めのためのドライバー等に誘電体コア１０が干渉しないので、キャビティの内面側から容易にネジ止めできるようになる。

次に、第５の実施形態に係る誘電体共振器装置および誘電体フィルタについて図１０〜図１２を基に説明する。
図１０は誘電体共振器装置の斜視図である。ここで、略立方体形状の誘電体コア１０を接合した支持板３をキャビティ１の内底面に取り付けている。但し、図１などに示したものと異なり、誘電体コア１０および支持板３の中央部にはｚ軸方向に貫通する縦孔ＶＨを形成している。そして、この縦孔ＶＨを貫通してキャビティ１の内底面と天面との間を導体線４で電気的に接続している。
この導体線４はＴＥ０１δｘモードの電界が回る面に沿って延び、また同様にＴＥ０１δｙモードの電界が回る面に沿って延びるが、何れも回転する電界ベクトルの中央を通るため、その作用は中性であり、ＴＥ０１δｘモードおよびＴＥ０１δｙモードへは影響を与えない。また、ＴＥ０１δｚモードの電界が回る面に対して垂直であるので、ＴＥ０１δｚモードに対しても影響を与えない。

なお、支持板３は図１に示したように支持柱２を介してキャビティ１の内底面から浮かせてもよい。

図１１はこの誘電体共振器装置のＴＭｚモードについての等価回路図である。導体線４が無い状態では（Ａ）のように表される。ここでＣは誘電体コア１０が介在するキャビティの内底面と天面との間のキャパシタンス成分、Ｌはキャビティ１の導体によるインダクタンス成分を集中定数回路的に表している。このような並列共振回路によってＴＭｚモードの共振周波数が定まる。ところが図１０に示したように、誘電体コア１０を貫通してキャビティ１の内底面と天面との間を導体線４で接続（短絡）すると、図１１の（Ｂ）に示すように、キャパシタンスＣ′に対して並列にインダクタンスＬＳが接続されることになる。ここでＬＳは導体線４によるインダクタンス成分である。このように、導体線４を設けると、（Ａ）に示したキャパシタンスＣが小さくなってキャパシタンスＣ′がわずかに残ることになる。そのためＴＭｚモードの共振周波数は大きく上昇することになる。

図１２は上記導体線４の有無による効果を示している。ここで（Ａ）は導体線が無い場合、（Ｂ）は導体線４を設けた場合について示している。横軸は周波数をリニアスケールで表していて、左端が１８００［ＭＨｚ］、右端が２８００［ＭＨｚ］である。縦軸は図４・図７の場合と同様に、減衰量をデシベルで表していて、１目盛が１０ｄＢであり、上端が０ｄＢである。

導体線４を設けなければ、（Ａ）に示すようにＰ０が現れている使用周波数帯域１９２０〜２０００［ＭＨｚ］の近傍である２２２０［ＭＨｚ］付近にＴＭｚモードの共振ピークＰ１が現れるが、導体線４を設ければ、（Ｂ）に示すように、ＴＭｚモードの共振ピークＰ１は２７１０［ＭＨｚ］付近にまで上昇し、ＴＥ０１δ二重モードの共振ピークＰ０から高域へ大きく離れる。その結果、ＴＥ０１δ二重モードの共振ピークの高域側の減衰特性を改善することができる。

次に、第６の実施形態に係る誘電体共振器装置について図１３を基に説明する。
図１３は誘電体共振器装置の斜視図である。ここで、略立方体形状の誘電体コア１０を接合した支持板３はキャビティ１の内底面に取り付けている。誘電体コア１０および支持板３の中央部にはｚ軸方向に貫通する孔ＺＨを形成している。そして、この孔ＺＨを貫通してキャビティ１の内底面と天面との間を導体線４ｚで電気的に接続している。図１０に示した誘電体共振器装置と異なり、誘電体コア１０の中央部にｙ軸方向に貫通する孔ＹＨを形成している。また、誘電体コア１０の中央部にｘ軸方向に貫通する孔ＸＨを形成している。そして、孔ＹＨを貫通してキャビティ１の図１３における左手前の面と右後方の面との間を導体線４ｙで電気的に接続している。さらに孔ＸＨを貫通してキャビティ１の図１３における右手前の面と左後方の面との間を導体線４ｘで電気的に接続している。

孔ＸＨ，ＹＨ，ＺＨを通る導体線４ｘ，４ｙ，４ｚは、誘電体コア１の内部（中央部）で互いに接触して導通状態であってもよいし、互いに離間して非導通状態であってもよい。

このように、ｙ方向とｘ方向についても、キャビティ１の互いに平行に対向する面同士を誘電体コア１０の略中央を貫通する導体線を介して接続したことにより、ＴＭｚモードだけでなく、ＴＭｙモードとＴＭｘモードについてもそれらの共振周波数が大きく上昇することになる。その結果、ＴＭｚモードの影響だけでなく、ＴＭｙモードとＴＭｘモードの影響をも受けることなく、ＴＥ０１δ二重モードの共振ピークの高域側の減衰特性をさらに改善することができる。

次に、第７の実施形態に係る誘電体フィルタに付いて図１４を基に説明する。
ここで、キャビティ１は共振器Ｒ１，Ｒ２３，Ｒ４５，Ｒ６の４つの共振器を設ける領域を備えている。なお、図中上部のカバーは取り除いた状態で示している。共振器Ｒ２３は図３に示したものと略同様の誘電体コアを用いてそれぞれ２段の共振器を構成している。但し、誘電体コアのｘ−ｙ面に平行な板状部分は、その四隅を切り落とした八角形板状としている。この構造により、誘電体コアが干渉することなく、キャビティ１の内面側からネジ５を取り付けられるようになる。共振器Ｒ４５についても共振器Ｒ２３と同様である。

Ｒ１，Ｒ６はそれぞれ半同軸共振器であり、キャビティ１の内底面から所定高さの中心導体１１を設けている。キャビティ１の外側面には同軸コネクタ１２を取り付けていて、それぞれの中心導体を共振器Ｒ１，Ｒ６の中心導体１１に接続している。

キャビティ１の各共振器の間には窓Ｗ，Ｗ′を設けている。共振器Ｒ１の半同軸共振モードはそれに隣接する共振器Ｒ２３のＴＥ０１δｙモードと結合し、共振器Ｒ２３とＲ４５はそれぞれのＴＥ０１δｚモード同士が結合し、共振器Ｒ４５のＴＥ０１δｙモードと共振器Ｒ６の半同軸共振モードとが結合する。Ｒ２３，Ｒ４５はそれぞれのＴＥ０１δｙモードとＴＥ０１δｚモードとが結合するので、結局２つの同軸コネクタ１２−１２の間に６段の共振器が順に結合することになり、帯域通過特性を備えたフィルタが得られる。

次に、第８の実施形態に係る複合誘電体フィルタおよび通信装置の構成を図１５に示す。
ここで、デュプレクサは送信フィルタと受信フィルタとから構成している。この送信フィルタと受信フィルタは、いずれも、前述した構成の誘電体フィルタである。送信フィルタの出力ポートと受信フィルタの入力ポートとの間は、送信信号が受信フィルタ側へ回り込まないように、また、受信信号が送信フィルタ側へ回り込まないように、位相調整を行っている。このデュプレクサの送信信号入力ポートには送信回路を、受信信号出力ポートには受信回路をそれぞれ接続している。また、アンテナポートにはアンテナを接続している。このようにして、この発明に係る誘電体共振器を備えた通信装置を構成する。

第１の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造を示す図 同誘電体共振器装置における誘電体コアと支持板との関係を示す図 他の構造を備えた誘電体コアと支持板との関係を示す図 空気層の有無による誘電体フィルタの通過特性を示す図 第２の実施形態に係る誘電体共振器装置における支持板の構造を示す図 他の構造を有する誘電体コアを用いた場合の例を示す図 支持板の開口有無および空気層有無による誘電体フィルタの通過特性の変化を示す図 第３の実施形態に係る誘電体共振器装置の主要部の構成を示す図 第４の実施形態に係る誘電体共振器装置で用いる支持板に対する誘電体コアの取り付け構造を示す図 第５の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造を示す図 同誘電体共振器装置のＴＭｚモードについての等価回路図 導体線有無による誘電体フィルタの通過特性の変化を示す図 第６の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造を示す図 第７の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を示す図 第８の実施形態に係る通信装置の構成を示す図

符号の説明

１−キャビティ
２−支持柱
３−支持板
４，４ｘ，４ｙ，４ｚ−導体線
５−ネジ
６−ナット
１０−誘電体コア
１１−中心導体
１２−同軸コネクタ
Ａ−空気層
Ｈ−穴（孔または座ぐり）
Ｗ，Ｗ′−窓
ＶＨ−縦孔
ＸＨ，ＹＨ，ＺＨ−孔
１ｐ−支持柱部分

Claims (4)

1. 誘電体コアをキャビティ内に配置してなる誘電体共振器装置において、
   前記誘電体コアは、中央部に貫通孔を有するとともに多重モードで共振する形状からなり、
   穴を有し外形が前記誘電体コアの取り付け面より広い平板状の支持板に、前記誘電体コアの貫通孔と前記穴とが連続するように前記誘電体コアを取り付けるとともに、該支持板を当該支持板の前記誘電体コアの取り付け面が接しない周辺部分で支持柱を介して前記キャビティの内面に取り付け、
   前記貫通孔の内壁に接触しないように挿通した導体線を介して、前記キャビティの互いに対向する面同士を接続したことを特徴とする誘電体共振器装置。
2. 請求項１に記載の誘電体共振器と、該誘電体共振器に外部結合する外部結合手段とを備えてなる誘電体フィルタ。
3. 請求項２に記載の誘電体フィルタを２組以上備えるとともに、それぞれの誘電体フィルタの一方の外部結合手段を共用した複合誘電体フィルタ。
4. 請求項２に記載の誘電体フィルタまたは請求項３に記載の複合誘電体フィルタを高周波回路部に備えた通信装置。

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