JP3976462B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物誘電体キャパシタの下部電極またはプラグとして化学的気相成長法で形成したルテニウムを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等の半導体装置は、セル面積の縮小により高集積化が実現される。これは、キャパシタ部の占有面積が必然的に減少することを意味する。それにもかかわらず、ソフトエラーを防止するためには、メモリの読み出しに必要な一定の蓄積電荷量を確保しなけれげならなない。すなわち、半導体装置の高集積化のためには、単位面積あたりの蓄積電荷量を増大させる手段が必要となる。その手段の一つとして、比誘電率が大きい酸化物誘電体をキャパシタ絶縁膜に適用することがあげられる。現在、キャパシタ絶縁膜として従来のメモリに用いられているＳｉＯ2膜（比誘電率：３．８）やＳｉ3Ｎ4膜（比誘電率：７〜８）に変わり、Ｔａ2Ｏ5膜（比誘電率：２０〜２５）が適用されている。しかしながら、ギガビットスケールのメモリにおいては、キャパシタ絶縁膜として比誘電率の大きいＴａ2Ｏ5膜を採用することに加えてキャパシタ部を立体化して実質的なキャパシタ面積を増大しても、読み出しに必要な蓄積電荷量は不足する。そこで、キャパシタ絶縁膜として、１００以上の比誘電率を有する酸化物誘電体、例えば、チタン酸ストロンチウム：ＳｒＴｉＯ3（ＳＴＯ）、チタン酸バリウムストロンチウム：(Ｂａ,Ｓｒ)ＴｉＯ3（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛：Ｐｂ(Ｚｒ,Ｔｉ)3（ＰＺＴ）、ビスマス系層状強誘電体などの採用が現在検討されている。この中で、ＰＺＴやビスマス系層状強誘電体は、その強誘電性を利用した強誘電体メモリにも適用できる。
【０００３】
これらの酸化物誘電体は、その電気的特性の向上のために、少なくとも４００℃から７００℃での高温かつ酸化性雰囲気での膜形成や後熱処理が必要である。その際、雰囲気中の酸素によって下部電極が酸化されると、キャパシタ絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁膜が形成され、キャパシタ容量の実質的な低下を招く。また、下部電極の下部に位置するバリア層やプラグが酸化されると、トランジスタとキャパシタとの電気的な導通が失われる。そこで、高温かつ酸化性の雰囲気に対して比較的安定な白金（Ｐｔ）や、酸化物が形成されても導電性を保つルテニウム（Ｒｕ）やイリジウム（Ｉｒ）が下部電極の有力な候補として検討されている。この中でも、特に微細加工性にすぐれるＲｕは酸化物誘電体の下部電極として最も好ましい材料である。
【０００４】
以上をまとめると、ギガビットスケールのメモリではキャパシタが占有できる面積が小さいため、比誘電率の高い酸化物誘電体を用いても読み出しに必要な蓄積電荷量が不足する可能性がある。そこで、実質的なキャパシタ面積の増大のために、キャパシタを立体化する必要性が生じる。すなわち、下部電極のＲｕを立体構造に加工して、その後キャパシタ絶縁膜である酸化物誘電体を形成する工程や、あらかじめ立体的に加工された構造上に上記の下部電極を被覆させ、その後酸化物誘電体を形成する工程が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記の立体構造下部電極の形成方法として、従来技術による ２通りの形成方法を以下に図を用いて説明し、さらにそれぞれの問題点や課題を指摘する。
【０００６】
第１に、下部電極を立体構造に加工する方法について、図１２を用いて説明する。図は全て断面を表す。まず、例えばＲｕからなるプラグ１及び例えばＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍの下部ルテニウム電極５を堆積する（図１２（ａ））。その後、周知のフォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、下部ルテニウム電極５をプラグ部層間絶縁膜２の表面まで円筒形，楕円筒形もしくは矩形に加工すれば、立体構造の下部電極が形成できる（図１２（ｂ））。しかし、最小加工寸法が０．１５μｍ以下となるようなギガビットスケールの半導体装置では、上記の下部ルテニウム電極の側面を垂直に加工するのは困難である。そのため、図１２（ｂ）に示すように、底部が上部に比べて広い加工形状となる。下部ルテニウム電極５を加工後、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を化学的気相成長法により堆積し、その後、例えばＲｕからなる上部電極７を化学的気相成長法により堆積してキャパシタ部が完成する（図１２（ｃ））。この場合、前述したように下部電極の底部が広い加工形状となるため、隣り合うキャパシタの間隔が近接して電気的な相互作用が生じるという問題が発生する。あるいは、低部電極間の間隔を十分に確保しようとすれば、逆に上面の面積を確保できなくなり、電極の断面形状が三角形となる結果、立体電極の表面積が低下するという、別の問題が発生する。
【０００７】
第２に、微細加工が容易なシリコン酸化膜中にその表面から深孔を加工して、その後、化学的気相成長法によりＲｕ下部電極を堆積して立体構造を形成する方法について、図１３を用いて説明する。図は全て断面を表す。まず、例えばＲｕからなるプラグ１及び例えばＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍの例えばＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３を堆積する。その後、周知のフォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、キャパシタ部層間絶縁膜３を開口部が円筒形，楕円筒形あるいは矩形となるようにプラグ部層間絶縁膜２の表面まで加工する。その後、膜厚３０ｎｍの下部ルテニウム電極５を化学的気相成長法によって堆積すれば、立体構造をもつ下部電極が形成できる（図１３（ａ））。ただし、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に堆積した下部電極を除去し、隣り合うキャパシタ間を電気的に分離する必要がある。自己整合的に除去することを目的として一般的に用いられる物理的なスパッタエッチングでは、層間絶縁膜の上面に堆積した電極が優先的に除去されるものの、下部電極として利用すべき部分も同時にエッチングの雰囲気にさらされてしまうため、円筒形の側壁部の上面付近や底部の中心付近の膜厚が減少し、具体的には図１３（ｂ）に示すような形状になる。その後、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を化学的気相成長法により堆積し、その後、例えばＲｕからなる上部電極７を化学的気相成長法により堆積してキャパシタ部が完成する（図１３（ｃ））。
【０００８】
この工程では、側壁部の高さが低下することによるキャパシタ面積の低減や、下部電極の膜厚の減少によるキャパシタ抵抗の増大という問題が生じる。そのため、下部電極の一部をスパッタエッチングによって除去する工程を含まずに、隣り合うキャパシタ間の電気的な分離を行う方法が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためには、層間絶縁膜中に開口部を形成して孔を加工した後に、下部電極を孔の内側面壁に化学的気相成長法で堆積する際に、孔の側面及び底面に選択的に下部電極を堆積させればよい。そうすれば、隣り合うキャパシタ間の下部電極が電気的に接続されることはないため、従来技術では必要であった層間絶縁膜の上面部に堆積した電極を物理的なスパッタエッチングによって除去する工程が省略でき、その工程で下部電極として必要である部分もエッチングされるという問題点を解決できる。加えて、たとえ層間絶縁膜の上面部にＲｕ膜が堆積したとしても、孔内面への選択性成長により、孔の内面壁に堆積する膜の厚さよりも層間絶縁膜上の膜厚を十分に薄くすることができれば、これを除去する工程を簡便に短時間化することができる。
【００１０】
上記の技術を実現することができるような、化学的気相成長法においてＲｕ膜の堆積が下地膜に対して選択的になる条件を見出した。そして、この特徴を用いるキャパシタの形成工程を考案した。これを以下に、（1）ＴｉＮなどで構成される非選択性層すなわち成膜防止膜の作成方法とその機能、（2）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる薄膜Ｒｕ電極、（3）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いるＲｕプラグ、（4）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極、（5）極薄Ｒｕ膜の選択性層、つまり種層としての機能、（6）極薄Ｒｕ膜を種層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極、（7）極薄Ｒｕ膜を種層として用いる薄膜Ｒｕ電極、（8）極薄Ｒｕ膜を種層として用いるＲｕプラグ、（9）化学的気層成長法を用いて種層を形成する方法、（9）化学的気層成長法を用いて形成した種層上に電極を形成する方法、（10）成膜防止膜と化学的気層成長法を用いて形成する種層の双方を用いる電極形成法、（11）Ｒｕ種層の効果を増大させるための望ましい電極形成条件、（12）誘電体膜上に種層を形成して上部Ｒｕ電極を形成する方法、そして、（13）化学的気相成長法の膜形成条件に関する制約、の順に説明する。
【００１１】
まず、ＴｉＮなどで構成される非選択性層すなわち成膜防止膜の作成方法とその機能について述べる。
【００１２】
図１１ を用いて具体的に説明する。図１１（ａ）は、化学的気相成長法によるＲｕ膜の堆積速度の下地依存を示す。ここで説明に用いる以外の具体的な膜形成条件については、発明の実施の形態で説明する。ＳｉＯ2膜上では、２２０℃から２４０℃の範囲内において堆積温度の増大とともにＲｕ膜の堆積速度が増大する。この領域ではＲｕ膜の堆積は反応律則である。一方ＴｉＮ膜上では、堆積温度が約２５５℃まではＲｕ膜が堆積されない。すなわち、本実験の堆積条件下では、堆積温度を少なくとも２２０℃から２５５℃の間に設定すれば、Ｒｕ膜の堆積は下地に対して選択的になり、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜が成膜されるが、ＴｉＮ膜上には成膜されない。これは、化学気相成長法で膜の形成初期過程において見られる、基板上に膜が形成されにくい、いわゆるインキュベーション時間を用いて説明することができる。 これを図１１（ｂ）により説明する。
【００１３】
横軸に膜形成の経過時間、縦軸に形成される膜の膜厚を示す。ＳｉＯ2膜上に比べて、ＴｉＮ膜上では、このインキュベーション時間が長い。つまり、このインキュベーション時間差を利用してやれば、たとえば図中の時間Ａでは、ＴｉＮ膜上にはＲｕ膜が形成されず、ＳｉＯ2膜上にのみＲｕ膜を選択的に形成することができる。
【００１４】
以下に、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる薄膜Ｒｕ電極の作成方法を説明する。
【００１５】
具体的な工程として、Ｒｕ電極を堆積させたくない領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極を堆積できる。前述したように、Ｒｕ電極を堆積させたくない領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後にＴｉＮ膜を全面に堆積し、ここに開口部を設けて孔を層間絶縁膜中に加工する際に、ＴｉＮ膜も同時に開口するような工程とすれば自己整合的に成膜防止膜を形成できる。その後、Ｒｕ膜を下地に対して選択的になる条件で２０ｎｍから５０ｎｍ程度の膜厚で堆積すればよい。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶緑膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積するため、従来技術では必要であった層間絶縁膜の上面の電極を物理的なスパッタエッナングによって除去する工程が省略でき、その工程で下部電極として必要である部分もエッチングされるという問題点が解決できる。
【００１６】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、Ｒｕ膜を堆積後に、たとえぱ、ＴｉＮ膜を酸化して絶縁化すれば良い。その工程でＲｕ膜が同時に酸化されても、ＲｕＯ2膜は導電性を持つため、成膜防止膜のみを絶縁化することが可能である。 しかし、Ｒｕ膜は酸化によって2倍以上に体積膨張するため、下部電極形状の破壊が懸念される。そのため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを絶縁化するのが望ましい。
【００１７】
ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、適切な酸化条件を選択すれば、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化することが可能である。
【００１８】
成膜防止膜としては、上記の理由から、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きい材料を用いればよく、具体的には、ＴｉＮ膜のみならず、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，ＷＮ膜等を用いても同様の効果が得られる。また、成膜防止膜としてあらかじめ絶縁性の材料を用いれば、成膜防止膜を酸化して絶縁化する工程が省略できる。具体的には、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ等の酸化物を用いればよい。また、下部電極を堆積後に成膜防止膜をドライエッチングやウエットエッチングによって除去しても、キャパシタ間の電気的な分離は実現できる。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の立体構造のキャパシタが形成できる。ここでは、成膜防止膜を除去した場合は、キャパシタ部層間絶縁膜の上面部に分離層が存在しないような、層間絶縁膜と誘電体が直接接する構造となる。
【００１９】
次に、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いるＲｕプラグの加工方法を説明する。
【００２０】
上記の化学的気相成長法によるＲｕ膜の選択成長を利用すれば、埋め込み法によりＲｕプラグを容易に形成することができる。具体的には、上で説明したように、まず、成膜防止膜を形成し、次にプラグ孔を開孔することにより、Ｒｕ膜を埋め込ませたくない層間絶縁膜の上面が被覆されたプラグ孔を形成する。この上に、化学的気相成長法によってＲｕ膜を選択的に堆積させれば、所望のプラグ孔の内側のみにＲｕ膜が埋め込まれるため、Ｒｕプラグを形成することができる。その後、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが望ましい。その際、成膜防止層は研磨のストッパーとして利用できる。また、プラグを形成後、成膜防止層は、下部電極の形成の場合と同様に、選択的に酸化して絶縁化するか、除去すればよい。
【００２１】
同様にして、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極の形成方法を説明する。
【００２２】
上記の化学的気相成長法によるＲｕ膜の選択成長を利用すれば、埋め込み法による凸型の下部Ｒｕ電極の形成についても容易に実現できる。具体的な工程として、上のプラグ形成の場合と同様に、Ｒｕ電極を埋め込ませたい領域以外の領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極が堆積するため、Ｒｕ膜を埋め込むことができる。Ｒｕ電極を埋め込ませたい領域以外の領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後に例えばＴｉＮ膜を全面に堆積し、開口部が円筒形，楕円筒形あるは矩形となるように層間絶縁膜を加工する際に、同時にＴｉＮ膜も開口するような工程とすれば、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。その後、下地に対して選択的になる条件、つまり図１１（ｂ）における形成時間ＡでＲｕ膜を堆積すればよい。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積するため、開口孔をＲｕ膜で埋め込むことができる。その後、層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極を実現できる。
【００２３】
あるいは、Ｒｕ電極を埋め込ませたくない領域にあらかじめ設けたＴｉＮ膜などからなる成膜防止膜上にもＲｕ膜が堆積してもかまわない。つまり、図１１（ｂ）でＡよりも長い時間、つまりＴｉＮ膜上のインキュべーション時間を経過するような時間ＢまでＲｕ膜を形成すれば、ＴｉＮ膜上にもＲｕ膜が形成される。しかし、成膜防止膜上のＲｕ膜の膜厚は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部に形成される膜厚と比べて十分小さいので、開口部が先に塞がれることなく、層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にＲｕ膜を堆積させることができる。加えて、成膜防止膜上のＲｕ膜の膜厚が小さいので、研磨などによってこれを除去する時にも、層間絶縁膜上のＲｕ膜を除去するよりも短時間でこれを除去することができる。続いて埋め込んだＲｕ電極回りの層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極を実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって埋め込まれたＲｕ電極を焼き締めておくと望ましい。
【００２４】
成膜防止膜としては、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きい材料を用いればよく、具体的には、ＴｉＮ膜のみならず、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，ＷＮ膜や、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ等の酸化物膜等を用いても同様の効果が得られる。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタが形成できる。
【００２５】
次に、極薄Ｒｕ膜の選択性層、つまり種層としての機能を説明する。
【００２６】
化学的気相成長法において、Ｒｕ膜上への選択成長を利用して電極を形成する方法を、図１１（ｂ）を用いて説明する。Ｒｕ膜上に化学的気相成長法を用いてＲｕ膜を形成する時には、インキュベーション時間を消滅させることができる。つまり、図１１（ｂ）中の時間Ｃで膜形成を止めれば、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜は堆積しないが、Ｒｕ膜上のみにＲｕ膜が堆積するような選択的条件を選ぶことができる。より具体的な条件で説明すると、図１１（ａ）より、堆積温度が約２２０℃までは、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜は堆積しないが、Ｒｕ膜上にはＲｕ膜は堆積する。すなわち、本実験の堆積条件下では、堆積温度を例えば２１０℃に設定すれば、Ｒｕ膜の堆積はＳｉＯ2膜つまり下地に対して選択的になる。この下地選択性を利用すれば、埋め込み法によるプラグや凸型の下部Ｒｕ電極を容易に実現できる。
【００２７】
まず、極薄Ｒｕ膜を種層として用いる埋め込み方法による凸型下部Ｒｕ電極の形成工程について説明する。
【００２８】
工程として、Ｒｕ電極を堆積させたい領域に、あらかじめ薄いＲｕ膜を形成しておけば、所望の領域にＲｕ電極を埋め込むことができる。Ｒｕ電極を堆積させたい領域とは、層間絶縁膜に形成した孔の側面と底面を指す。層間絶縁膜中に開口部形成して孔を加工しておき、例えばスパッタリング法でＲｕ膜を全面に堆積する。これを種層と呼ぶ。このようにスパッタリング法で孔の内面にＲｕ膜種層を形成することができるなら、化学的気相成長法など不要と思われるが、これは矛盾しない。なぜなら、種層には、化学的気相成長法で形成する電極に要求されるような平坦性，均一性および被覆率のいずれも要求されないからである。例えば、厚さ１ｎｍ程度の不連続膜でも十分に種層として機能する。これより薄くても良いがむしろ、これより薄い膜を形成すること自体が困難となる。不連続な極薄膜でも良いならば、スパッタリング法などの段差被覆性に劣る成膜法を用いても、十分に種層を形成することができる。種層を形成後、化学的機械的研磨法によって、層間絶縁膜の上面に堆積したＲｕ種層を除去する時も、種層は薄いので、短時間でこれを除去することができる。あるいは、孔内面の種層が完全になくならないならば、スパッタエッチングにより除去しても良い。その後、上記の下地に対して選択的になる条件下で、化学的気相成長法によりＲｕ膜を堆積する。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜の側面及び底部にのみ堆積するため、開口孔をＲｕ膜で埋め込むことができる。
【００２９】
あるいは、層間絶緑膜の上面にもＲｕ膜が堆積してもかまわない。つまり、図１１（ｂ）でＣよりも長い時間、つまり層間絶縁膜上のインキュベーション時間を経過するような時間ＤまでＲｕ膜を形成すれば、層間絶縁膜上にも Ｒｕ膜が形成される。 しかし、層間絶縁膜上のＲｕ膜の膜厚は層間絶縁膜に設けた孔内の種層の側面及び底部に形成される膜厚と比べて十分小さいので、開口部が先に塞がれることなく、層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にＲｕ膜を堆積させることができる。この層間絶縁膜上に形成されたＲｕ膜は、種層上のＲｕ膜と比較して十分薄いので、研磨などにより短時間で除去することができる。その後、埋め込んだＲｕ電極回りの層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極が実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって焼き締めておくことが望ましい。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタを形成できる。
【００３０】
もちろん、極薄Ｒｕ膜を種層として用いる方法は、埋め込み電極ばかりでなく薄膜Ｒｕ電極の形成方法にも適用できる。
【００３１】
つまり、種層上に２０ｎｍから５０ｎｍ程度の厚さの電極を形成するキャパシタ構造にも、この方法は適用できる。種層を用いることで、図１１（ｂ）に示すように、膜厚の増大は膜形成時間に対して原点を通り比例するので、膜厚をより精度良く制御することができる。種層を形成するまでの方法は、埋め込みによる凸型電極を形成する場合と同じである。種層上に化学的気相成長法を用いて、図１１（ｂ）の条件Ｃを選んで選択的に２０ｎｍから５０ｎｍ程度Ｒｕ膜を形成すれば、層間絶縁膜上にはＲｕ膜は形成されないので、キャパシタ間は電気的に絶縁される。こうしてできた下部電極上に、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えぱＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の薄膜Ｒｕ電極を有する立体構造キャパシタを形成できる。
【００３２】
次に、極薄Ｒｕ膜を種層として用いるＲｕプラグの形成方法について簡単に説明する。ここでは、Ｒｕ膜上へのＲｕ膜の選択成長を利用して、埋め込み法によりＲｕプラグを形成する。下部電極の形成方法と全く同様に、あらかじめ薄いＲｕ膜による種層をプラグ孔の内面に形成しておけば、所望の領域にＲｕ電極を埋め込むことができ、Ｒｕプラグが得られる。その後、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが望ましい。
【００３３】
さらに、化学的気相成長法を用いて種層を形成する方法について説明する。この方法の利点は、種層には電極ほどの均一性や連続性が要求されない点にある。
【００３４】
Ｒｕ膜を選択形成する種層となるＲｕ膜の形成方法は、上記のスパッタ法に限らず、化学的気相成長法を用いることもできる。具体的には、層間絶縁膜を開口部が円筒形，楕円筒形あるいは矩形となるように加工しておき、まず、化学的気相成長法でＲｕ膜の種層を全面に堆積する。次に、化学的機械的研磨法あるいは種層がなくならない限りスパッタエッチング法によって、層間絶縁膜の上面に堆積したＲｕ膜を除去する。ここで、一度Ｒｕ膜を熱処理によって焼き締めることにより、より金属的な種層として機能を良好にする。そして、化学的気相成長法により、Ｒｕ膜をこの種層上に対して選択的になる条件下で堆積すればよい。これ以降の詳細な手順は上で説明したスパッタリング法で種層を形成する場合と同じである。この一連の工程によれば、Ｒｕ膜が層間絶縁膜に形成した孔の側面及び底部にのみ堆積するため、開口部をＲｕ膜で埋め込む凸型の下部Ｒｕ電極や、厚さが２０ｎｍから５０ｎｍ程度の薄膜Ｒｕ電極を形成することができる。
【００３５】
次に、成膜防止膜と化学的気層成長法を用いて形成する種層の双方を用いる電極形成法について説明する。
【００３６】
種層として化学的気相成長法を用いる場合、前述した成膜防止層と組み合わせれば、層間絶縁膜上に堆積したＲｕ膜を除去する工程を省略できる。まず、種層となるＲｕ電極を堆積させたくない領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極を堆積できる。Ｒｕ電極を堆積させたくない領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後にＴｉＮ膜を全面に堆積し、電極孔もしくはプラグ孔を層間絶縁膜中に形成する。同時に、ＴｉＮ膜も開口する工程にすれば自己整合的に成膜防止膜を形成できる。種層のＲｕ膜は熱処理によって焼き締めでおくと望ましい。その理由は先に述べたように、より金属的な種層を形成するためである。その後、下地に対して選択的になる条件で化学的気相成長法によるＲｕ膜を堆積する。
【００３７】
この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積する。形成するＲｕ電極の形態としては、埋め込み方法による凸型電極でも良いし、厚さ２０ｎｍから５０ｎｍの薄膜電極のいずれでも良い。埋め込み方式による凸型電極あるいはプラグの場合には、この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜の側面及び底部にのみ堆積するため、開口部をＲｕ膜で埋め込むことができる。
【００３８】
もちろん、開口部のある層間絶縁膜面上にもＲｕ膜が堆積しても良い。その場合には、層間絶縁膜平面上に堆積したＲｕ膜をスパッタエッチングや化学的器械的研磨法で除去する工程が付与される。最後に、埋め込んだＲｕ周辺の層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極およびＲｕプラグを実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって焼き締めておくことが望ましい。これらの工程後、例えぱＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタを形成できる。
【００３９】
次に、Ｒｕ種層の効果を増大させるための、化学的気相成長法を用いてＲｕ電極を形成するときの望ましい電極形成条件について説明する。ここでは、種層上への化学的気相成長法によるＲｕ膜形成が、低温でより顕著となる現象を利用する。
【００４０】
図１１（ｃ）を用いてこれを説明する。横軸を化学的気相成長法による形成温度、縦軸をＲｕ膜上／ＳｉＯ2膜上で定義する膜形成速度の比とする。膜形成中の酸素濃度が１０から３０％の時には３００℃より低い温度で、著しい種層上での形成速度の増大が見られる。一方、酸素濃度が７０％の時には、種層上の形成速度の増大は見られない。したがって、Ｒｕ膜上への選択的成長により、Ｒｕ下部電極，Ｒｕ下部埋め込み電極およびＲｕプラグを形成するときには、酸素濃度は７０％を下回ることが望ましい。酸素濃度の下限は有機ルテニウム化合物原料の分解に必要な０．０１％を超えることが望ましい。
【００４１】
次に、誘電体膜上に種層を形成して上部Ｒｕ電極を形成する方法について説明する。
【００４２】
立体構造のキャパシタでは、上部電極も被覆性に優れる化学的気相成長法での形成が必須である。化学的気相成長法によってＲｕ膜を形成するためには、原料の分解温度以上に形成温度を設定する必要がある。しかし、形成温度が高温になると、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体膜においては酸素欠損が生じたり、還元されたりするなどの問題が発生する。これを解決する一つの方法は、上部Ｒｕ電極形成にも種層を用いる方法である。具体的には、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体膜を形成後に、例えばスパッタリング法でＲｕ膜の種層を形成する。次に、種層上に化学的気相成長法により選択的に形成される条件下でＲｕ膜を堆積する。この時、種層が存在することにより、ＢＳＴ膜の表面が化学的気相成長法の雰囲気に直接さらされなくなるので、上部電極／誘電体界面を化学的に安定化することができ、結果として、キャパシタ特性の劣化を抑制することができる。この時は、選択成長が可能な上限温度は図１１（ｃ）での最高温度４５０℃を超えないことが望ましい。これ以上の温度では、誘電体膜とＲｕ金属膜との間で相互反応が始まる。上記問題を解決するもうひとっの方法は、図１１（ｃ）で説明した、低温で種層の効果が増大する現象を利用する方法である。この時、誘電体膜上に直接形成する場合に比べてより低温でＲｕ膜を形成することができるので、上記の誘電体膜に酸素欠損が発生するなどの問題が解決できる。種層を用いたとしても、選択性Ｒｕ金属膜の形成温度は２００℃よりも高いことが望ましい。これ以下の温度では、有機ルテニウム化合物原料の分解が促進されない。
【００４３】
最後に、化学的気相成長法の膜形成条件に関する制約について述べる。図１１における選択成長する形成温度や酸素圧力の境界条件は、まず、装置構造によって変化する。膜形成温度は、試料の加熱方法、温度の測定方法などの違いによって、一義的に決定できないのは一般的である。圧力は、装置内のガスの流れ方、試料とガスの流れとの位置関係に大きく左右される。ただし、装置内の全圧力は１０Ｔｏｒｒを超えると気相反応が始まり、０．１Ｔｏｒｒ以下では膜形成速度が激減するので、この間にあることが望ましい。また、Ｒｕ原料の違いは基本的に境界条件に影響を与える。さらに、同じＲｕ原料を用いても、Ｒｕ原料を溶媒に希釈して搬送する手段を用いれば、原料をそのまま固体昇華やバブリング気化して搬送する方法と比較して、一般的に、境界条件はより高温，高酸素分圧側ヘシフトする。さらに、同じ溶媒希釈法でも、溶媒の違いはまた境界条件を移動させる。
【００４４】
しかし、いずれの場合でも、適当な形成条件を選択すれば、化学的気相成長法によって、Ｒｕ膜を、ＴｉＮなどの成膜防止層と、シリコン酸化膜と、Ｒｕ膜の間で選択成長させることができるという本質は変わらない。加えて、選択成長の全体的傾向は、図１１に示す傾向と一致する。つまり、本発明はすべてに対して適用され、同様にキャパシタ構造を実現することができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
実施例１を図１で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００４６】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。
【００４７】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図１（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部内側の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。その後、膜厚３０ｎｍのＲｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図１（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。
【００４８】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、下部電極のＲｕ膜を堆積後に、酸化熱処理を行った。ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化させることが可能である。具体的には、酸素気流中で４００℃、１０分間の熱処理を行えば、ＴｉＮ膜は、酸化されでＴｉO2膜となり絶縁化するが、Ｒｕ膜の表面は、酸化されるものの、バルクはＲｕ金属膜のまま残存する。または、意図的な酸化熱処理を行わなくても、誘電体のＢＳＴ膜の堆積時または結晶化熱処理時に酸化性の雰囲気にさらされるため、成膜防止膜のＴｉＮ膜は、酸化して絶縁化する。これらの工程により、キャパシタ部層間絶縁膜の上面部のみに分離層8が形成できる（図１（ｃ））。
【００４９】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図１（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、３０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００５０】
この実施例１を用いれば、下部電極のＲｕの堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【００５１】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００５２】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００５３】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料を工一テル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００５４】
＜参考例１＞
参考例１を図２で説明する。これは、実施例１と同様に、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程であるが、酸化物誘電体を形成する前に成膜防止膜を除去する点が異なる。
【００５５】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図２（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。その後、膜厚３０ｎｍのＲｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図２（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。
【００５６】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、下部電極のＲｕ膜を堆積後に、ＴｉＮ膜を除去した。ＴｉＮ膜はＣｌ2ガスによって蒸気圧の高い塩化チタンが形成されるためエッチングされるが、Ｒｕ膜はＣｌ2ガスに対する反応性が相対的に低いためエッチングされない。そのため、Ｒｕ膜を残してＴｉＮ膜のみを除去することが可能である（図２（ｃ））。その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図２（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は３５０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリンダ法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。本参考例を用いれば、下部電極のＲｕの堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【００５７】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００５８】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００５９】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００６０】
＜実施例２＞
実施例２を図３で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００６１】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３を、モノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。
【００６２】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図３（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。その後、Ｒｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図３（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラダ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止膜のＴｉＮが研磨のストッパーとなる。Ｒｕ膜を埋め込んだ後に、成膜防止膜４と層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる（図３（ｃ））。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、成膜防止膜４と層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行った。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【００６３】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図３（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、３０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００６４】
本実施例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【００６５】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい(絶対値が大きい)材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００６６】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００６７】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈しだ場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側へシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００６８】
＜実施例３＞
実施例３を図４で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程である。
【００６９】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを現像し、それをマスクとして成膜防止膜４をプラグ部層間絶縁膜２の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が円筒形になるようにした。
【００７０】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてプラグ部層間絶緑膜３をドライエッチング法によって加工した（図４ （ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。その後、Ｒｕからなるプラグ９を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図４（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、ルテニウムプラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止膜のＴｉＮが研磨のストッパーとなる。
【００７１】
ここで、ＴｉＮ膜は導電性であるため、プラグ間の電気的な分離ができていない。そこで、Ｒｕプラグを堆積後に、酸化熱処理を行った。ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化させることが可能である。具体的には、酸素気流中で４００℃、１０分間の熱処理を行えば、ＴｉＮ膜は、酸化されてＴｉO2膜となり絶縁化するが、Ｒｕ膜の表面は、酸化されるものの、バルクはＲｕ金属膜のまま残存する。これらの工程により、隣接するプラグ間が電気的に絶縁されたルテニウムプラグが形成できる（図４（ｃ））。
【００７２】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図４（ｄ））。
【００７３】
本実施例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００７４】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００７５】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００７６】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。だだし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈しだ場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００７７】
＜実施例４＞
実施例４を図５で説明する。これは、実施例３と同様に、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程であるが、成膜防止膜を除去する点が異なる。
【００７８】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４をプラグ部層間絶縁膜２の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてプラグ部層間絶縁膜３をドライエッチング法によって加工した（図５（ａ））。
【００７９】
この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。その後、Ｒｕからなるプラグ9を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図５（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。
【００８０】
ここで、ＴｉＮ膜は導電性であるため、プラグ間の電気的な分離ができていない。そこで、Ｒｕプラグを堆積後に、ＴｉＮ膜を除去した。ＴｉＮ膜はＣｌ2ガスによって蒸気圧の高い塩化チタンが形成されるためエッチングされるが、Ｒｕ膜はＣｌ2ガスに対する反応性が相対的に低いためエッチングされない。 そのため、Ｒｕ膜を残してＴｉＮ膜のみを除去することが可能である。この段階では、ルテニウムプラグの表面がプラグ部層間絶縁膜の表面より上部ヘ出ているため、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが好ましい。以上の工程により、ルテニウムの埋め込みプラグが完成する （図５（ｃ））。
【００８１】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図５（ｄ））。
【００８２】
本実施例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００８３】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００８４】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００８５】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料を工一テル化合物溶煤に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００８６】
＜参考例２＞
参考例２を図６で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００８７】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジスト除去後、膜厚２５ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差披覆性が劣るため、膜厚の分布を強調して描くと開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図６（ａ）に示す形状となる。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図６（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の開口部に下地となるＲｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。 化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極１２を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図６（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述しだＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【００８８】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図６（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、２０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００８９】
本参考例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【００９０】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００９１】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００９２】
下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００９３】
＜参考例３＞
参考例３を図７で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程である。
【００９４】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上を形成した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてプラグ部層間絶縁膜２をドライエッチング法によって加工した。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。レジスト除去後、膜厚５ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図７（ａ）に示す形状となる。もちろん、 スパッタ形成膜の厚さが５ｎｍと薄いので、図は強調図である。
【００９５】
次に、化学的機械的研磨法によって、プラグ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図７（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の開口部に下地となる Ｒｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、プラグ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時にプラグ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による。ルテニウムプラグ１４を堆積した。Ｒｕプラグの堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図７（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、ルテニウムプラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述したＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。
【００９６】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図７（ｄ））。
【００９７】
本参考例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００９８】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム， チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００９９】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１００】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１０１】
＜参考例４＞
参考例４を図８で説明する。これは、化学的気相成長法でルテニウム膜を２段階で堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１０２】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジストを除去後、化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極１５を全面に堆積した（図８（ａ））。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図８（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の開口部に下地となるＲｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。また、この段階で、熱処理によって第一の下部ルテニウム電極を焼き締めておくことが望ましい。熱処理条件は、例えば、アルゴン雰囲気中で、７００℃、１分間程度でよい。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極１６を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。
【０１０３】
原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図８（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述したＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１０４】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図８（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は３５０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１０５】
本参考例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【０１０６】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１０７】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１０８】
第二の下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１０９】
＜実施例５＞
実施例５を図９で説明する。これは、化学的気相成長法でルテニウム膜を２段階で堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程であるが、成膜防止層を利用する点が参考例４と異なる。
【０１１０】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図９（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。
【０１１１】
その後、膜厚５０ｎｍの化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極１５を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図９（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶緑膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。この段階で成膜防止層４を除去してもよいし、後述する第二の下部ルテニウム電極を形成後に除去してもよい。また、この段階で、熱処理によって第一の下部ルテニウム電極を焼き締めておくことが望ましい。熱処理条件は、例えば、アルゴン雰囲気中で、７００℃、１分間程度でよい。
【０１１２】
次に、化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極１６を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図９（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止層４を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１１３】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図９（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１１４】
本実施例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【０１１５】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム， チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１１６】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１１７】
第二の下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１１８】
＜参考例５＞
参考例５を図１０で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階で上部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１１９】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、下部ルテニウム電極５と、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を形成した。下部電極は、膜厚５０0ｎｍのルテニウム膜をスパッタリング法で形成し、ドライエッチング法で円筒形に加工した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。ただし、Ｒｕ膜を形成後に、後の熱処理で、下部電極が変形するのを防ぐために、アルゴン中、７００℃で１分間の熱処理を行った。凸型の下部電極の作製については、この方法に限らず、他の実施例で説明したような化学的気相成長法でＲｕ膜を開口部に埋め込む工程を用いてもよい。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。
【０１２０】
続いて、膜厚５ｎｍ相当のスパッタリング法による。上部ルテニウム電極１７を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は室温、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、誇張して描くと段差の底部は膜厚が薄くなり、図１０（ｂ）に示す形状となる。
【０１２１】
次に、化学的気相成長法による。上部ルテニウム電極１８を堆積した。堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。化学的気相成長法は被覆性に優れるため、段差の底部にも十分な厚さのＲｕ膜が形成できる（図１０（ｃ））。
【０１２２】
スパッタリング法による上部ルテニウム電極１７を形成せずに、酸化物誘電体６上に直接化学的気相成長法による。上部ルテニウム電極１８を形成すると、熱によって酸化物誘電体膜の表面に酸素欠損が生じてキャパシタのリーク電流が増大する。同時に、電極の形成雰囲気自体が誘電体界面を汚染し、キャパシタ特性を劣化させる。そのため、本実施例のように、スパッタリング法によって低温で上部電極を形成し、その後化学的気相成長法によって上部電極を完成する工程が望ましい。
【０１２３】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１２４】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１２５】
化学的気相成長法による上部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成される条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３５０℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４５０℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１２６】
＜参考例６＞
参考例６を図１４で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１２７】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジスト除去後、膜厚２０ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、膜厚の分布を強調して描くと開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図１４（ａ）に示す形状となる。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図１４（ｂ））。
【０１２８】
この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を選択的に堆積したい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の側面および底面部に下地となる Ｒｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極１２を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図１４（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しない。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１２９】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図１４（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、２０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１３０】
本参考例を用いれば、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程において、ルテニウム膜の堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【０１３１】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１３２】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１３３】
下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１３４】
＜参考例７＞
参考例７を図１５で説明する。これは、実施例１で説明した、成膜防止膜のＴｉＮ膜が形成されていない領域に、下部電極のＲｕ膜を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜のＴｉＮ膜を絶縁化することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製したものである。
【０１３５】
Ｓｉ基板１９に、熱酸化による素子分離２０とイオン打ち込みによる拡散層２１を形成し、その上にｐｏｌｙ−ＳｉとＷＳｉ2の積層からなるワード２２と２３を形成した。その後、Ｓｉ3Ｎ4からなるバリア層２５上にｐｏｌｙ−ＳｉとＷＳｉ2の積層からなるビット線２６と２７を形成した。また、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜３０間に、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなるプラグ２４と、ＴｉＮからなるプラグ２８とＲｕからなるプラグ２９を形成した。この積層プラグにより、トランジスタの拡散層２１とキャパシタの下部電極３３を電気的に接続する。その後、実施例１で説明した工程を用いて、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３1、ＴｉO2からなる分離層３２、Ｒｕからなる下部電極３３、ＢＳＴからなる容量絶縁膜３４、Ｒｕからなる上部電極３５を形成した。キャパシタの上部にＳｉＯ2からなる配線部層間絶縁膜３６と、Ｗからなる第二の配線層３７を形成した。この容量記憶素子のメモリ動作を確認したところ、所望の特性が得られることが確認された。
【０１３６】
ここでは、実施例１で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によって下部ルテニウム電極を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜を絶縁化することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製した。これに限らず、参考例１で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によって下部ルテニウム電極を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜を選択的に除去することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３７】
また、実施例２で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３８】
また、実施例３で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成し、その後成膜防止膜を絶縁化することによってプラグ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３９】
また、実施例４で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によってルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成し、その後成膜防止膜を選択的に除去することによってプラグ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４０】
また、参考例２で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４１】
また、参考例３で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４２】
また、参考例６で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて、凹型つまり薄膜の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４３】
また、参考例４で説明した化学的気相成長法による第ーのルテニウム膜が形成されている領域に、化学的気相成長法による第二のルテニウム膜を選択的に堆積させで開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４４】
また、実施例５で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法による第一のルテニウム膜を選択的に堆積させ、その後、第一のルテニウム膜が形成されている領域に、化学的気相成長法による第二のルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４５】
また、参考例５で説明した酸化物誘電体膜上にスパッタ法によるＲｕ膜を形成し、その後、Ｒｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を堆積させて上部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４６】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｒｕ下部電極として用いるキャパシタにおいて、自己整合的に、キャパシタ間の電気的な分離が可能となるため、スパッタエッチングによって下部電極を加工する工程が省略できる。また、埋め込み法による凸型の下部電極やプラグ、また上部電極の形成も容易になる。それにより、半導体容量素子の微細化による高集積化、エ程簡略化による歩留まりの向上、エ程数削減による低コスト化、等が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１を説明する工程の縦断面図。
【図２】 本発明の参考例１を説明する工程の縦断面図。
【図３】 本発明の実施例２を説明する工程の縦断面図。
【図４】 本発明の実施例３を説明する工程の縦断面図。
【図５】 本発明の実施例４を説明する工程の縦断面図。
【図６】 本発明の参考例２を説明する工程の縦断面図。
【図７】 本発明の参考例３を説明する工程の縦断面図。
【図８】 本発明の参考例４を説明する工程の縦断面図。
【図９】 本発明の実施例５を説明する工程の縦断面図。
【図１０】 本発明の参考例５を説明する工程の縦断面図。
【図１１】 Ｒｕ膜の堆積速度の下地依存を示す図。
【図１２】 従来方法の一例を説明する工程の縦断面図。
【図１３】 従来方法の一例を説明する工程の縦断面図。
【図１４】 本発明の参考例６を説明する工程の縦断面図。
【図１５】 本発明の参考例７を説明する工程の縦断面図。
【符号の説明】
１・・・プラグ、２・・・プラグ部層間絶縁膜、３・・・キャパシタ部層間絶縁膜、４・・・成膜防止膜、５・・・下部ルテニウム電極、６・・・酸化物誘電体、７・・・上部電極、８・・・分離層、９・・・ルテニウムプラグ、１０・・・下部電極、１１・・・スパッタリング法による下部ルテニウム電極、１２・・・化学的気相成長法による下部ルテニウム電極、１３・・・スパッタリング法によるルテニウムプラグ、１４・・・化学的気相成長法によるルテニウムプラグ、１５・・・化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極、１６・・・化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極、１７・・・スパッタリング法による上部ルテニウム電極、１８・・・化学的気相成長法による上部ルテニウム電極、１９・・・基板(Ｓｉ)、２０・・・素子分離(ＳｉＯ2)、２１・・・拡散層、２２・・・ワード線(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２３・・・ワード線(ＷＳｉ2)、２４・・・プラグ(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２５・・・バリア層(Ｓｉ3Ｎ4)、２６・・・…ビット線(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２７・・・ビット線(ＷＳｉ2)、２８・・・プラグ(ＴｉＮ)、２９・・・プラグ(Ｒｕ)、３０・・・プラグ部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３１・・・キャパシタ部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３２・・・分離層(ＴｉO2)、３３・・・下部電極(Ｒｕ)、３４・・・誘電体(ＢＳＴ)、３５・・・上部電極(Ｒｕ)、３６・・・配線部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３７・・・第二の配線層(Ｗ)。
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物誘電体キャパシタの下部電極またはプラグとして化学的気相成長法で形成したルテニウムを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等の半導体装置は、セル面積の縮小により高集積化が実現される。これは、キャパシタ部の占有面積が必然的に減少することを意味する。それにもかかわらず、ソフトエラーを防止するためには、メモリの読み出しに必要な一定の蓄積電荷量を確保しなけれげならなない。すなわち、半導体装置の高集積化のためには、単位面積あたりの蓄積電荷量を増大させる手段が必要となる。その手段の一つとして、比誘電率が大きい酸化物誘電体をキャパシタ絶縁膜に適用することがあげられる。現在、キャパシタ絶縁膜として従来のメモリに用いられているＳｉＯ2膜（比誘電率：３．８）やＳｉ3Ｎ4膜（比誘電率：７〜８）に変わり、Ｔａ2Ｏ5膜（比誘電率：２０〜２５）が適用されている。しかしながら、ギガビットスケールのメモリにおいては、キャパシタ絶縁膜として比誘電率の大きいＴａ2Ｏ5膜を採用することに加えてキャパシタ部を立体化して実質的なキャパシタ面積を増大しても、読み出しに必要な蓄積電荷量は不足する。そこで、キャパシタ絶縁膜として、１００以上の比誘電率を有する酸化物誘電体、例えば、チタン酸ストロンチウム：ＳｒＴｉＯ3（ＳＴＯ）、チタン酸バリウムストロンチウム：(Ｂａ,Ｓｒ)ＴｉＯ3（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛：Ｐｂ(Ｚｒ,Ｔｉ)3（ＰＺＴ）、ビスマス系層状強誘電体などの採用が現在検討されている。この中で、ＰＺＴやビスマス系層状強誘電体は、その強誘電性を利用した強誘電体メモリにも適用できる。
【０００３】
これらの酸化物誘電体は、その電気的特性の向上のために、少なくとも４００℃から７００℃での高温かつ酸化性雰囲気での膜形成や後熱処理が必要である。その際、雰囲気中の酸素によって下部電極が酸化されると、キャパシタ絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁膜が形成され、キャパシタ容量の実質的な低下を招く。また、下部電極の下部に位置するバリア層やプラグが酸化されると、トランジスタとキャパシタとの電気的な導通が失われる。そこで、高温かつ酸化性の雰囲気に対して比較的安定な白金（Ｐｔ）や、酸化物が形成されても導電性を保つルテニウム（Ｒｕ）やイリジウム（Ｉｒ）が下部電極の有力な候補として検討されている。この中でも、特に微細加工性にすぐれるＲｕは酸化物誘電体の下部電極として最も好ましい材料である。
【０００４】
以上をまとめると、ギガビットスケールのメモリではキャパシタが占有できる面積が小さいため、比誘電率の高い酸化物誘電体を用いても読み出しに必要な蓄積電荷量が不足する可能性がある。そこで、実質的なキャパシタ面積の増大のために、キャパシタを立体化する必要性が生じる。すなわち、下部電極のＲｕを立体構造に加工して、その後キャパシタ絶縁膜である酸化物誘電体を形成する工程や、あらかじめ立体的に加工された構造上に上記の下部電極を被覆させ、その後酸化物誘電体を形成する工程が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記の立体構造下部電極の形成方法として、従来技術による ２通りの形成方法を以下に図を用いて説明し、さらにそれぞれの問題点や課題を指摘する。
【０００６】
第１に、下部電極を立体構造に加工する方法について、図１２を用いて説明する。図は全て断面を表す。まず、例えばＲｕからなるプラグ１及び例えばＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍの下部ルテニウム電極５を堆積する（図１２（ａ））。その後、周知のフォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、下部ルテニウム電極５をプラグ部層間絶縁膜２の表面まで円筒形，楕円筒形もしくは矩形に加工すれば、立体構造の下部電極が形成できる（図１２（ｂ））。しかし、最小加工寸法が０．１５μｍ以下となるようなギガビットスケールの半導体装置では、上記の下部ルテニウム電極の側面を垂直に加工するのは困難である。そのため、図１２（ｂ）に示すように、底部が上部に比べて広い加工形状となる。下部ルテニウム電極５を加工後、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を化学的気相成長法により堆積し、その後、例えばＲｕからなる上部電極７を化学的気相成長法により堆積してキャパシタ部が完成する（図１２（ｃ））。この場合、前述したように下部電極の底部が広い加工形状となるため、隣り合うキャパシタの間隔が近接して電気的な相互作用が生じるという問題が発生する。あるいは、低部電極間の間隔を十分に確保しようとすれば、逆に上面の面積を確保できなくなり、電極の断面形状が三角形となる結果、立体電極の表面積が低下するという、別の問題が発生する。
【０００７】
第２に、微細加工が容易なシリコン酸化膜中にその表面から深孔を加工して、その後、化学的気相成長法によりＲｕ下部電極を堆積して立体構造を形成する方法について、図１３を用いて説明する。図は全て断面を表す。まず、例えばＲｕからなるプラグ１及び例えばＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍの例えばＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３を堆積する。その後、周知のフォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、キャパシタ部層間絶縁膜３を開口部が円筒形，楕円筒形あるいは矩形となるようにプラグ部層間絶縁膜２の表面まで加工する。その後、膜厚３０ｎｍの下部ルテニウム電極５を化学的気相成長法によって堆積すれば、立体構造をもつ下部電極が形成できる（図１３（ａ））。ただし、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に堆積した下部電極を除去し、隣り合うキャパシタ間を電気的に分離する必要がある。自己整合的に除去することを目的として一般的に用いられる物理的なスパッタエッチングでは、層間絶縁膜の上面に堆積した電極が優先的に除去されるものの、下部電極として利用すべき部分も同時にエッチングの雰囲気にさらされてしまうため、円筒形の側壁部の上面付近や底部の中心付近の膜厚が減少し、具体的には図１３（ｂ）に示すような形状になる。その後、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を化学的気相成長法により堆積し、その後、例えばＲｕからなる上部電極７を化学的気相成長法により堆積してキャパシタ部が完成する（図１３（ｃ））。
【０００８】
この工程では、側壁部の高さが低下することによるキャパシタ面積の低減や、下部電極の膜厚の減少によるキャパシタ抵抗の増大という問題が生じる。そのため、下部電極の一部をスパッタエッチングによって除去する工程を含まずに、隣り合うキャパシタ間の電気的な分離を行う方法が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためには、層間絶縁膜中に開口部を形成して孔を加工した後に、下部電極を孔の内側面壁に化学的気相成長法で堆積する際に、孔の側面及び底面に選択的に下部電極を堆積させればよい。そうすれば、隣り合うキャパシタ間の下部電極が電気的に接続されることはないため、従来技術では必要であった層間絶縁膜の上面部に堆積した電極を物理的なスパッタエッチングによって除去する工程が省略でき、その工程で下部電極として必要である部分もエッチングされるという問題点を解決できる。加えて、たとえ層間絶縁膜の上面部にＲｕ膜が堆積したとしても、孔内面への選択性成長により、孔の内面壁に堆積する膜の厚さよりも層間絶縁膜上の膜厚を十分に薄くすることができれば、これを除去する工程を簡便に短時間化することができる。
【００１０】
上記の技術を実現することができるような、化学的気相成長法においてＲｕ膜の堆積が下地膜に対して選択的になる条件を見出した。そして、この特徴を用いるキャパシタの形成工程を考案した。これを以下に、（1）ＴｉＮなどで構成される非選択性層すなわち成膜防止膜の作成方法とその機能、（2）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる薄膜Ｒｕ電極、（3）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いるＲｕプラグ、（4）成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極、（5）極薄Ｒｕ膜の選択性層、つまり種層としての機能、（6）極薄Ｒｕ膜を種層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極、（7）極薄Ｒｕ膜を種層として用いる薄膜Ｒｕ電極、（8）極薄Ｒｕ膜を種層として用いるＲｕプラグ、（9）化学的気層成長法を用いて種層を形成する方法、（9）化学的気層成長法を用いて形成した種層上に電極を形成する方法、（10）成膜防止膜と化学的気層成長法を用いて形成する種層の双方を用いる電極形成法、（11）Ｒｕ種層の効果を増大させるための望ましい電極形成条件、（12）誘電体膜上に種層を形成して上部Ｒｕ電極を形成する方法、そして、（13）化学的気相成長法の膜形成条件に関する制約、の順に説明する。
【００１１】
まず、ＴｉＮなどで構成される非選択性層すなわち成膜防止膜の作成方法とその機能について述べる。
【００１２】
図１１ を用いて具体的に説明する。図１１（ａ）は、化学的気相成長法によるＲｕ膜の堆積速度の下地依存を示す。ここで説明に用いる以外の具体的な膜形成条件については、発明の実施の形態で説明する。ＳｉＯ2膜上では、２２０℃から２４０℃の範囲内において堆積温度の増大とともにＲｕ膜の堆積速度が増大する。この領域ではＲｕ膜の堆積は反応律則である。一方ＴｉＮ膜上では、堆積温度が約２５５℃まではＲｕ膜が堆積されない。すなわち、本実験の堆積条件下では、堆積温度を少なくとも２２０℃から２５５℃の間に設定すれば、Ｒｕ膜の堆積は下地に対して選択的になり、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜が成膜されるが、ＴｉＮ膜上には成膜されない。これは、化学気相成長法で膜の形成初期過程において見られる、基板上に膜が形成されにくい、いわゆるインキュベーション時間を用いて説明することができる。 これを図１１（ｂ）により説明する。
【００１３】
横軸に膜形成の経過時間、縦軸に形成される膜の膜厚を示す。ＳｉＯ2膜上に比べて、ＴｉＮ膜上では、このインキュベーション時間が長い。つまり、このインキュベーション時間差を利用してやれば、たとえば図中の時間Ａでは、ＴｉＮ膜上にはＲｕ膜が形成されず、ＳｉＯ2膜上にのみＲｕ膜を選択的に形成することができる。
【００１４】
以下に、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる薄膜Ｒｕ電極の作成方法を説明する。
【００１５】
具体的な工程として、Ｒｕ電極を堆積させたくない領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極を堆積できる。前述したように、Ｒｕ電極を堆積させたくない領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後にＴｉＮ膜を全面に堆積し、ここに開口部を設けて孔を層間絶縁膜中に加工する際に、ＴｉＮ膜も同時に開口するような工程とすれば自己整合的に成膜防止膜を形成できる。その後、Ｒｕ膜を下地に対して選択的になる条件で２０ｎｍから５０ｎｍ程度の膜厚で堆積すればよい。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶緑膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積するため、従来技術では必要であった層間絶縁膜の上面の電極を物理的なスパッタエッナングによって除去する工程が省略でき、その工程で下部電極として必要である部分もエッチングされるという問題点が解決できる。
【００１６】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、Ｒｕ膜を堆積後に、たとえぱ、ＴｉＮ膜を酸化して絶縁化すれば良い。その工程でＲｕ膜が同時に酸化されても、ＲｕＯ2膜は導電性を持つため、成膜防止膜のみを絶縁化することが可能である。 しかし、Ｒｕ膜は酸化によって2倍以上に体積膨張するため、下部電極形状の破壊が懸念される。そのため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを絶縁化するのが望ましい。
【００１７】
ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、適切な酸化条件を選択すれば、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化することが可能である。
【００１８】
成膜防止膜としては、上記の理由から、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きい材料を用いればよく、具体的には、ＴｉＮ膜のみならず、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，ＷＮ膜等を用いても同様の効果が得られる。また、成膜防止膜としてあらかじめ絶縁性の材料を用いれば、成膜防止膜を酸化して絶縁化する工程が省略できる。具体的には、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ等の酸化物を用いればよい。また、下部電極を堆積後に成膜防止膜をドライエッチングやウエットエッチングによって除去しても、キャパシタ間の電気的な分離は実現できる。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の立体構造のキャパシタが形成できる。ここでは、成膜防止膜を除去した場合は、キャパシタ部層間絶縁膜の上面部に分離層が存在しないような、層間絶縁膜と誘電体が直接接する構造となる。
【００１９】
次に、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いるＲｕプラグの加工方法を説明する。
【００２０】
上記の化学的気相成長法によるＲｕ膜の選択成長を利用すれば、埋め込み法によりＲｕプラグを容易に形成することができる。具体的には、上で説明したように、まず、成膜防止膜を形成し、次にプラグ孔を開孔することにより、Ｒｕ膜を埋め込ませたくない層間絶縁膜の上面が被覆されたプラグ孔を形成する。この上に、化学的気相成長法によってＲｕ膜を選択的に堆積させれば、所望のプラグ孔の内側のみにＲｕ膜が埋め込まれるため、Ｒｕプラグを形成することができる。その後、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが望ましい。その際、成膜防止層は研磨のストッパーとして利用できる。また、プラグを形成後、成膜防止層は、下部電極の形成の場合と同様に、選択的に酸化して絶縁化するか、除去すればよい。
【００２１】
同様にして、成膜防止膜をキャパシタ間分離層として用いる埋め込み型Ｒｕ電極の形成方法を説明する。
【００２２】
上記の化学的気相成長法によるＲｕ膜の選択成長を利用すれば、埋め込み法による凸型の下部Ｒｕ電極の形成についても容易に実現できる。具体的な工程として、上のプラグ形成の場合と同様に、Ｒｕ電極を埋め込ませたい領域以外の領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極が堆積するため、Ｒｕ膜を埋め込むことができる。Ｒｕ電極を埋め込ませたい領域以外の領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後に例えばＴｉＮ膜を全面に堆積し、開口部が円筒形，楕円筒形あるは矩形となるように層間絶縁膜を加工する際に、同時にＴｉＮ膜も開口するような工程とすれば、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。その後、下地に対して選択的になる条件、つまり図１１（ｂ）における形成時間ＡでＲｕ膜を堆積すればよい。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積するため、開口孔をＲｕ膜で埋め込むことができる。その後、層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極を実現できる。
【００２３】
あるいは、Ｒｕ電極を埋め込ませたくない領域にあらかじめ設けたＴｉＮ膜などからなる成膜防止膜上にもＲｕ膜が堆積してもかまわない。つまり、図１１（ｂ）でＡよりも長い時間、つまりＴｉＮ膜上のインキュべーション時間を経過するような時間ＢまでＲｕ膜を形成すれば、ＴｉＮ膜上にもＲｕ膜が形成される。しかし、成膜防止膜上のＲｕ膜の膜厚は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部に形成される膜厚と比べて十分小さいので、開口部が先に塞がれることなく、層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にＲｕ膜を堆積させることができる。加えて、成膜防止膜上のＲｕ膜の膜厚が小さいので、研磨などによってこれを除去する時にも、層間絶縁膜上のＲｕ膜を除去するよりも短時間でこれを除去することができる。続いて埋め込んだＲｕ電極回りの層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極を実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって埋め込まれたＲｕ電極を焼き締めておくと望ましい。
【００２４】
成膜防止膜としては、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きい材料を用いればよく、具体的には、ＴｉＮ膜のみならず、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，ＷＮ膜や、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ等の酸化物膜等を用いても同様の効果が得られる。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタが形成できる。
【００２５】
次に、極薄Ｒｕ膜の選択性層、つまり種層としての機能を説明する。
【００２６】
化学的気相成長法において、Ｒｕ膜上への選択成長を利用して電極を形成する方法を、図１１（ｂ）を用いて説明する。Ｒｕ膜上に化学的気相成長法を用いてＲｕ膜を形成する時には、インキュベーション時間を消滅させることができる。つまり、図１１（ｂ）中の時間Ｃで膜形成を止めれば、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜は堆積しないが、Ｒｕ膜上のみにＲｕ膜が堆積するような選択的条件を選ぶことができる。より具体的な条件で説明すると、図１１（ａ）より、堆積温度が約２２０℃までは、ＳｉＯ2膜上にはＲｕ膜は堆積しないが、Ｒｕ膜上にはＲｕ膜は堆積する。すなわち、本実験の堆積条件下では、堆積温度を例えば２１０℃に設定すれば、Ｒｕ膜の堆積はＳｉＯ2膜つまり下地に対して選択的になる。この下地選択性を利用すれば、埋め込み法によるプラグや凸型の下部Ｒｕ電極を容易に実現できる。
【００２７】
まず、極薄Ｒｕ膜を種層として用いる埋め込み方法による凸型下部Ｒｕ電極の形成工程について説明する。
【００２８】
工程として、Ｒｕ電極を堆積させたい領域に、あらかじめ薄いＲｕ膜を形成しておけば、所望の領域にＲｕ電極を埋め込むことができる。Ｒｕ電極を堆積させたい領域とは、層間絶縁膜に形成した孔の側面と底面を指す。層間絶縁膜中に開口部形成して孔を加工しておき、例えばスパッタリング法でＲｕ膜を全面に堆積する。これを種層と呼ぶ。このようにスパッタリング法で孔の内面にＲｕ膜種層を形成することができるなら、化学的気相成長法など不要と思われるが、これは矛盾しない。なぜなら、種層には、化学的気相成長法で形成する電極に要求されるような平坦性，均一性および被覆率のいずれも要求されないからである。例えば、厚さ１ｎｍ程度の不連続膜でも十分に種層として機能する。これより薄くても良いがむしろ、これより薄い膜を形成すること自体が困難となる。不連続な極薄膜でも良いならば、スパッタリング法などの段差被覆性に劣る成膜法を用いても、十分に種層を形成することができる。種層を形成後、化学的機械的研磨法によって、層間絶縁膜の上面に堆積したＲｕ種層を除去する時も、種層は薄いので、短時間でこれを除去することができる。あるいは、孔内面の種層が完全になくならないならば、スパッタエッチングにより除去しても良い。その後、上記の下地に対して選択的になる条件下で、化学的気相成長法によりＲｕ膜を堆積する。この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜の側面及び底部にのみ堆積するため、開口孔をＲｕ膜で埋め込むことができる。
【００２９】
あるいは、層間絶緑膜の上面にもＲｕ膜が堆積してもかまわない。つまり、図１１（ｂ）でＣよりも長い時間、つまり層間絶縁膜上のインキュベーション時間を経過するような時間ＤまでＲｕ膜を形成すれば、層間絶縁膜上にも Ｒｕ膜が形成される。 しかし、層間絶縁膜上のＲｕ膜の膜厚は層間絶縁膜に設けた孔内の種層の側面及び底部に形成される膜厚と比べて十分小さいので、開口部が先に塞がれることなく、層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にＲｕ膜を堆積させることができる。この層間絶縁膜上に形成されたＲｕ膜は、種層上のＲｕ膜と比較して十分薄いので、研磨などにより短時間で除去することができる。その後、埋め込んだＲｕ電極回りの層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極が実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって焼き締めておくことが望ましい。これらの工程後、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタを形成できる。
【００３０】
もちろん、極薄Ｒｕ膜を種層として用いる方法は、埋め込み電極ばかりでなく薄膜Ｒｕ電極の形成方法にも適用できる。
【００３１】
つまり、種層上に２０ｎｍから５０ｎｍ程度の厚さの電極を形成するキャパシタ構造にも、この方法は適用できる。種層を用いることで、図１１（ｂ）に示すように、膜厚の増大は膜形成時間に対して原点を通り比例するので、膜厚をより精度良く制御することができる。種層を形成するまでの方法は、埋め込みによる凸型電極を形成する場合と同じである。種層上に化学的気相成長法を用いて、図１１（ｂ）の条件Ｃを選んで選択的に２０ｎｍから５０ｎｍ程度Ｒｕ膜を形成すれば、層間絶縁膜上にはＲｕ膜は形成されないので、キャパシタ間は電気的に絶縁される。こうしてできた下部電極上に、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えぱＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の薄膜Ｒｕ電極を有する立体構造キャパシタを形成できる。
【００３２】
次に、極薄Ｒｕ膜を種層として用いるＲｕプラグの形成方法について簡単に説明する。ここでは、Ｒｕ膜上へのＲｕ膜の選択成長を利用して、埋め込み法によりＲｕプラグを形成する。下部電極の形成方法と全く同様に、あらかじめ薄いＲｕ膜による種層をプラグ孔の内面に形成しておけば、所望の領域にＲｕ電極を埋め込むことができ、Ｒｕプラグが得られる。その後、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが望ましい。
【００３３】
さらに、化学的気相成長法を用いて種層を形成する方法について説明する。この方法の利点は、種層には電極ほどの均一性や連続性が要求されない点にある。
【００３４】
Ｒｕ膜を選択形成する種層となるＲｕ膜の形成方法は、上記のスパッタ法に限らず、化学的気相成長法を用いることもできる。具体的には、層間絶縁膜を開口部が円筒形，楕円筒形あるいは矩形となるように加工しておき、まず、化学的気相成長法でＲｕ膜の種層を全面に堆積する。次に、化学的機械的研磨法あるいは種層がなくならない限りスパッタエッチング法によって、層間絶縁膜の上面に堆積したＲｕ膜を除去する。ここで、一度Ｒｕ膜を熱処理によって焼き締めることにより、より金属的な種層として機能を良好にする。そして、化学的気相成長法により、Ｒｕ膜をこの種層上に対して選択的になる条件下で堆積すればよい。これ以降の詳細な手順は上で説明したスパッタリング法で種層を形成する場合と同じである。この一連の工程によれば、Ｒｕ膜が層間絶縁膜に形成した孔の側面及び底部にのみ堆積するため、開口部をＲｕ膜で埋め込む凸型の下部Ｒｕ電極や、厚さが２０ｎｍから５０ｎｍ程度の薄膜Ｒｕ電極を形成することができる。
【００３５】
次に、成膜防止膜と化学的気層成長法を用いて形成する種層の双方を用いる電極形成法について説明する。
【００３６】
種層として化学的気相成長法を用いる場合、前述した成膜防止層と組み合わせれば、層間絶縁膜上に堆積したＲｕ膜を除去する工程を省略できる。まず、種層となるＲｕ電極を堆積させたくない領域に、あらかじめ例えばＴｉＮ膜からなる成膜防止膜を形成しておけば、所望の領域のみにＲｕ電極を堆積できる。Ｒｕ電極を堆積させたくない領域とは、層間絶縁膜の上面の平坦部を指す。層間絶縁膜を堆積後にＴｉＮ膜を全面に堆積し、電極孔もしくはプラグ孔を層間絶縁膜中に形成する。同時に、ＴｉＮ膜も開口する工程にすれば自己整合的に成膜防止膜を形成できる。種層のＲｕ膜は熱処理によって焼き締めでおくと望ましい。その理由は先に述べたように、より金属的な種層を形成するためである。その後、下地に対して選択的になる条件で化学的気相成長法によるＲｕ膜を堆積する。
【００３７】
この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜に設けた孔の側面及び底部にのみ堆積する。形成するＲｕ電極の形態としては、埋め込み方法による凸型電極でも良いし、厚さ２０ｎｍから５０ｎｍの薄膜電極のいずれでも良い。埋め込み方式による凸型電極あるいはプラグの場合には、この工程によれば、Ｒｕ膜は層間絶縁膜の側面及び底部にのみ堆積するため、開口部をＲｕ膜で埋め込むことができる。
【００３８】
もちろん、開口部のある層間絶縁膜面上にもＲｕ膜が堆積しても良い。その場合には、層間絶縁膜平面上に堆積したＲｕ膜をスパッタエッチングや化学的器械的研磨法で除去する工程が付与される。最後に、埋め込んだＲｕ周辺の層間絶縁膜を除去すれば、凸型の下部Ｒｕ電極およびＲｕプラグを実現できる。ここで、Ｒｕ電極が後熱処理によって変形するのを防ぐために、層間絶縁膜を除去する前に熱処理によって焼き締めておくことが望ましい。これらの工程後、例えぱＢＳＴ膜からなる誘電体と、例えばＲｕ膜からなる上部電極を順に堆積すれば、所望の凸型の立体構造キャパシタを形成できる。
【００３９】
次に、Ｒｕ種層の効果を増大させるための、化学的気相成長法を用いてＲｕ電極を形成するときの望ましい電極形成条件について説明する。ここでは、種層上への化学的気相成長法によるＲｕ膜形成が、低温でより顕著となる現象を利用する。
【００４０】
図１１（ｃ）を用いてこれを説明する。横軸を化学的気相成長法による形成温度、縦軸をＲｕ膜上／ＳｉＯ2膜上で定義する膜形成速度の比とする。膜形成中の酸素濃度が１０から３０％の時には３００℃より低い温度で、著しい種層上での形成速度の増大が見られる。一方、酸素濃度が７０％の時には、種層上の形成速度の増大は見られない。したがって、Ｒｕ膜上への選択的成長により、Ｒｕ下部電極，Ｒｕ下部埋め込み電極およびＲｕプラグを形成するときには、酸素濃度は７０％を下回ることが望ましい。酸素濃度の下限は有機ルテニウム化合物原料の分解に必要な０．０１％を超えることが望ましい。
【００４１】
次に、誘電体膜上に種層を形成して上部Ｒｕ電極を形成する方法について説明する。
【００４２】
立体構造のキャパシタでは、上部電極も被覆性に優れる化学的気相成長法での形成が必須である。化学的気相成長法によってＲｕ膜を形成するためには、原料の分解温度以上に形成温度を設定する必要がある。しかし、形成温度が高温になると、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体膜においては酸素欠損が生じたり、還元されたりするなどの問題が発生する。これを解決する一つの方法は、上部Ｒｕ電極形成にも種層を用いる方法である。具体的には、例えばＢＳＴ膜からなる誘電体膜を形成後に、例えばスパッタリング法でＲｕ膜の種層を形成する。次に、種層上に化学的気相成長法により選択的に形成される条件下でＲｕ膜を堆積する。この時、種層が存在することにより、ＢＳＴ膜の表面が化学的気相成長法の雰囲気に直接さらされなくなるので、上部電極／誘電体界面を化学的に安定化することができ、結果として、キャパシタ特性の劣化を抑制することができる。この時は、選択成長が可能な上限温度は図１１（ｃ）での最高温度４５０℃を超えないことが望ましい。これ以上の温度では、誘電体膜とＲｕ金属膜との間で相互反応が始まる。上記問題を解決するもうひとっの方法は、図１１（ｃ）で説明した、低温で種層の効果が増大する現象を利用する方法である。この時、誘電体膜上に直接形成する場合に比べてより低温でＲｕ膜を形成することができるので、上記の誘電体膜に酸素欠損が発生するなどの問題が解決できる。種層を用いたとしても、選択性Ｒｕ金属膜の形成温度は２００℃よりも高いことが望ましい。これ以下の温度では、有機ルテニウム化合物原料の分解が促進されない。
【００４３】
最後に、化学的気相成長法の膜形成条件に関する制約について述べる。図１１における選択成長する形成温度や酸素圧力の境界条件は、まず、装置構造によって変化する。膜形成温度は、試料の加熱方法、温度の測定方法などの違いによって、一義的に決定できないのは一般的である。圧力は、装置内のガスの流れ方、試料とガスの流れとの位置関係に大きく左右される。ただし、装置内の全圧力は１０Ｔｏｒｒを超えると気相反応が始まり、０．１Ｔｏｒｒ以下では膜形成速度が激減するので、この間にあることが望ましい。また、Ｒｕ原料の違いは基本的に境界条件に影響を与える。さらに、同じＲｕ原料を用いても、Ｒｕ原料を溶媒に希釈して搬送する手段を用いれば、原料をそのまま固体昇華やバブリング気化して搬送する方法と比較して、一般的に、境界条件はより高温，高酸素分圧側ヘシフトする。さらに、同じ溶媒希釈法でも、溶媒の違いはまた境界条件を移動させる。
【００４４】
しかし、いずれの場合でも、適当な形成条件を選択すれば、化学的気相成長法によって、Ｒｕ膜を、ＴｉＮなどの成膜防止層と、シリコン酸化膜と、Ｒｕ膜の間で選択成長させることができるという本質は変わらない。加えて、選択成長の全体的傾向は、図１１に示す傾向と一致する。つまり、本発明はすべてに対して適用され、同様にキャパシタ構造を実現することができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
実施例１を図１で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００４６】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。
【００４７】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図１（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部内側の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。その後、膜厚３０ｎｍのＲｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図１（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。
【００４８】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、下部電極のＲｕ膜を堆積後に、酸化熱処理を行った。ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化させることが可能である。具体的には、酸素気流中で４００℃、１０分間の熱処理を行えば、ＴｉＮ膜は、酸化されでＴｉO2膜となり絶縁化するが、Ｒｕ膜の表面は、酸化されるものの、バルクはＲｕ金属膜のまま残存する。または、意図的な酸化熱処理を行わなくても、誘電体のＢＳＴ膜の堆積時または結晶化熱処理時に酸化性の雰囲気にさらされるため、成膜防止膜のＴｉＮ膜は、酸化して絶縁化する。これらの工程により、キャパシタ部層間絶縁膜の上面部のみに分離層8が形成できる（図１（ｃ））。
【００４９】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図１（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、３０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００５０】
この実施例１を用いれば、下部電極のＲｕの堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【００５１】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００５２】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００５３】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料を工一テル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００５４】
＜参考例１＞
参考例１を図２で説明する。これは、実施例１と同様に、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程であるが、酸化物誘電体を形成する前に成膜防止膜を除去する点が異なる。
【００５５】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図２（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。その後、膜厚３０ｎｍのＲｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図２（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。
【００５６】
ただし、ＴｉＮ膜は導電性であるため、本来の目的であるキャパシタ間の電気的な分離は実現できていない。そこで、下部電極のＲｕ膜を堆積後に、ＴｉＮ膜を除去した。ＴｉＮ膜はＣｌ2ガスによって蒸気圧の高い塩化チタンが形成されるためエッチングされるが、Ｒｕ膜はＣｌ2ガスに対する反応性が相対的に低いためエッチングされない。そのため、Ｒｕ膜を残してＴｉＮ膜のみを除去することが可能である（図２（ｃ））。その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図２（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ[(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3]3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は３５０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリンダ法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。本参考例を用いれば、下部電極のＲｕの堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【００５７】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００５８】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００５９】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００６０】
＜実施例２＞
実施例２を図３で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００６１】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３を、モノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。
【００６２】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図３（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。その後、Ｒｕからなる下部電極５を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図３（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラダ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止膜のＴｉＮが研磨のストッパーとなる。Ｒｕ膜を埋め込んだ後に、成膜防止膜４と層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる（図３（ｃ））。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、成膜防止膜４と層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行った。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【００６３】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図３（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、３０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００６４】
本実施例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【００６５】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい(絶対値が大きい)材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００６６】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００６７】
下部Ｒｕ電極の堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈しだ場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側へシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００６８】
＜実施例３＞
実施例３を図４で説明する。これは、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程である。
【００６９】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを現像し、それをマスクとして成膜防止膜４をプラグ部層間絶縁膜２の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が円筒形になるようにした。
【００７０】
次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてプラグ部層間絶緑膜３をドライエッチング法によって加工した（図４ （ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。その後、Ｒｕからなるプラグ９を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図４（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、ルテニウムプラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止膜のＴｉＮが研磨のストッパーとなる。
【００７１】
ここで、ＴｉＮ膜は導電性であるため、プラグ間の電気的な分離ができていない。そこで、Ｒｕプラグを堆積後に、酸化熱処理を行った。ＴｉＮはＲｕよりも酸化物生成自由エネルギーの絶対値が大きいため、Ｒｕ膜を酸化させずにＴｉＮ膜のみを酸化して絶縁化させることが可能である。具体的には、酸素気流中で４００℃、１０分間の熱処理を行えば、ＴｉＮ膜は、酸化されてＴｉO2膜となり絶縁化するが、Ｒｕ膜の表面は、酸化されるものの、バルクはＲｕ金属膜のまま残存する。これらの工程により、隣接するプラグ間が電気的に絶縁されたルテニウムプラグが形成できる（図４（ｃ））。
【００７２】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図４（ｄ））。
【００７３】
本実施例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００７４】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００７５】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００７６】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。だだし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈しだ場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００７７】
＜実施例４＞
実施例４を図５で説明する。これは、実施例３と同様に、成膜防止膜を用いてルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程であるが、成膜防止膜を除去する点が異なる。
【００７８】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４をプラグ部層間絶縁膜２の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてプラグ部層間絶縁膜３をドライエッチング法によって加工した（図５（ａ））。
【００７９】
この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。その後、Ｒｕからなるプラグ9を化学的気相成長法によって堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図５（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。
【００８０】
ここで、ＴｉＮ膜は導電性であるため、プラグ間の電気的な分離ができていない。そこで、Ｒｕプラグを堆積後に、ＴｉＮ膜を除去した。ＴｉＮ膜はＣｌ2ガスによって蒸気圧の高い塩化チタンが形成されるためエッチングされるが、Ｒｕ膜はＣｌ2ガスに対する反応性が相対的に低いためエッチングされない。 そのため、Ｒｕ膜を残してＴｉＮ膜のみを除去することが可能である。この段階では、ルテニウムプラグの表面がプラグ部層間絶縁膜の表面より上部ヘ出ているため、プラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化するのが好ましい。以上の工程により、ルテニウムの埋め込みプラグが完成する （図５（ｃ））。
【００８１】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図５（ｄ））。
【００８２】
本実施例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００８３】
成膜防止膜の材料は、上記のＴｉＮ膜に限らず、Ｒｕよりも酸化物生成自由エネルギーが小さい（絶対値が大きい）材料であればよく、例えば、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｂなどの金属やそれらの窒化物でも同様の効果が得られる。酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００８４】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００８５】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、ＳｉＯ2膜上には膜が形成されるが成膜防止膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、２００℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料を工一テル化合物溶煤に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２５０℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００８６】
＜参考例２＞
参考例２を図６で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【００８７】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジスト除去後、膜厚２５ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差披覆性が劣るため、膜厚の分布を強調して描くと開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図６（ａ）に示す形状となる。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図６（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の開口部に下地となるＲｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。 化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極１２を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図６（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述しだＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【００８８】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図６（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、２０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【００８９】
本参考例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【００９０】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００９１】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【００９２】
下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【００９３】
＜参考例３＞
参考例３を図７で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、ルテニウムプラグを形成する工程である。
【００９４】
まず、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上を形成した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてプラグ部層間絶縁膜２をドライエッチング法によって加工した。なお、プラグ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が円筒形になるようにし、開口部をプラグとして利用する。レジスト除去後、膜厚５ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図７（ａ）に示す形状となる。もちろん、 スパッタ形成膜の厚さが５ｎｍと薄いので、図は強調図である。
【００９５】
次に、化学的機械的研磨法によって、プラグ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図７（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちプラグ部層間絶縁膜２の開口部に下地となる Ｒｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、プラグ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時にプラグ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による。ルテニウムプラグ１４を堆積した。Ｒｕプラグの堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図７（ｂ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、プラグ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、ルテニウムプラグの表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述したＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。
【００９６】
その後、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３と、ルテニウムからなる下部電極１０と、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を形成した（図７（ｄ））。
【００９７】
本参考例を用いれば、埋め込みによってルテニウムプラグを容易に実現できる。
【００９８】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム， チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【００９９】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１００】
Ｒｕプラグの堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2膜上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１０１】
＜参考例４＞
参考例４を図８で説明する。これは、化学的気相成長法でルテニウム膜を２段階で堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１０２】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジストを除去後、化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極１５を全面に堆積した（図８（ａ））。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図８（ｂ））。この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を埋め込みたい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の開口部に下地となるＲｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。また、この段階で、熱処理によって第一の下部ルテニウム電極を焼き締めておくことが望ましい。熱処理条件は、例えば、アルゴン雰囲気中で、７００℃、１分間程度でよい。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極１６を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。
【０１０３】
原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図８（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、前述したＳｉ3Ｎ4膜を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１０４】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図８（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は３５０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１０５】
本参考例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【０１０６】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１０７】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１０８】
第二の下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１０９】
＜実施例５＞
実施例５を図９で説明する。これは、化学的気相成長法でルテニウム膜を２段階で堆積し、凸型の下部ルテニウム電極を形成する工程であるが、成膜防止層を利用する点が参考例４と異なる。
【０１１０】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。続いて、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４をＤＣ反応性スパッタリング法によって堆積した。ＴｉＮ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＴｉターゲットを用い、基板温度は５００℃、入射電力は１２ｋＷ、Ａｒ／Ｎ2流量比は１／７、圧力は１ｍＴｏｒｒである。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとして成膜防止膜４を、キャパシタ部層間絶縁膜３の表面までドライエッチング法によって加工した。なお、成膜防止膜４の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにした。次に、レジスト除去後、成膜防止膜４をマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した（図９（ａ））。この方法により、下部電極のＲｕ膜を堆積させたくない領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の上面に、自己整合的に成膜防止膜を形成できる。なお、キャパシタ部層間絶縁膜の加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部の底面及び側面を、キャパシタとして利用する。
【０１１１】
その後、膜厚５０ｎｍの化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極１５を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図９（ｂ））に示すように、開口部の底面（Ｒｕからなるプラグ１上とＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上）と側面（キャパシタ部層間絶縁膜３上）にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶緑膜の上面（ＴｉＮ膜からなる成膜防止膜４上）にはＲｕ膜は堆積しない。この段階で成膜防止層４を除去してもよいし、後述する第二の下部ルテニウム電極を形成後に除去してもよい。また、この段階で、熱処理によって第一の下部ルテニウム電極を焼き締めておくことが望ましい。熱処理条件は、例えば、アルゴン雰囲気中で、７００℃、１分間程度でよい。
【０１１２】
次に、化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極１６を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図９（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しないため、層間絶縁膜の開口部がＲｕで埋め込まれる。この段階で、下部ルテニウム電極の表面を化学的機械的研磨法によって平坦化してもよい。その場合、成膜防止層４を残しておけば研磨のストッパーとなる。ルテニウム膜を埋め込んだ後、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去すれば、凸型の下部ルテニウム電極が形成できる。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、キャパシタ部層間絶縁膜３を除去する前に、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１１３】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる。上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図９（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は、酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１１４】
本実施例を用いれば、凸型の下部ルテニウム電極を容易に実現できる。
【０１１５】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム， チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１１６】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１１７】
第二の下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１１８】
＜参考例５＞
参考例５を図１０で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階で上部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１１９】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、下部ルテニウム電極５と、例えばＢＳＴからなる酸化物誘電体６を形成した。下部電極は、膜厚５０0ｎｍのルテニウム膜をスパッタリング法で形成し、ドライエッチング法で円筒形に加工した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。ただし、Ｒｕ膜を形成後に、後の熱処理で、下部電極が変形するのを防ぐために、アルゴン中、７００℃で１分間の熱処理を行った。凸型の下部電極の作製については、この方法に限らず、他の実施例で説明したような化学的気相成長法でＲｕ膜を開口部に埋め込む工程を用いてもよい。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、１分間である。
【０１２０】
続いて、膜厚５ｎｍ相当のスパッタリング法による。上部ルテニウム電極１７を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は室温、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、誇張して描くと段差の底部は膜厚が薄くなり、図１０（ｂ）に示す形状となる。
【０１２１】
次に、化学的気相成長法による。上部ルテニウム電極１８を堆積した。堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。化学的気相成長法は被覆性に優れるため、段差の底部にも十分な厚さのＲｕ膜が形成できる（図１０（ｃ））。
【０１２２】
スパッタリング法による上部ルテニウム電極１７を形成せずに、酸化物誘電体６上に直接化学的気相成長法による。上部ルテニウム電極１８を形成すると、熱によって酸化物誘電体膜の表面に酸素欠損が生じてキャパシタのリーク電流が増大する。同時に、電極の形成雰囲気自体が誘電体界面を汚染し、キャパシタ特性を劣化させる。そのため、本実施例のように、スパッタリング法によって低温で上部電極を形成し、その後化学的気相成長法によって上部電極を完成する工程が望ましい。
【０１２３】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１２４】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１２５】
化学的気相成長法による上部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成される条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３５０℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４５０℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１２６】
＜参考例６＞
参考例６を図１４で説明する。これは、スパッタ法と化学的気相成長法の２段階でルテニウム膜を選択的に堆積し、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程である。
【０１２７】
まず、Ｒｕからなるプラグ１及びＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜２上に、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３をモノシランガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積した。その後、周知のフォトリソグラフィー法によってレジストを塗布，現像し、それをマスクとしてキャパシタ部層間絶縁膜３をプラグ１の表面までドライエッチング法によって加工した。加工形状は、開口部が楕円筒形になるようにし、開口部を下部電極として利用する。レジスト除去後、膜厚２０ｎｍ相当のスパッタリング法による下部Ｒｕ電極１１を堆積した。Ｒｕ膜のスパッタ条件は、純度９９．９９％のＲｕターゲットを用い、基板温度は３００℃、入射電力は１ｋＷ、圧力は１ｍＴｏｒｒである。スパッタ法は段差被覆性が劣るため、膜厚の分布を強調して描くと開口部の側面と断面は膜厚が薄くなり、図１４（ａ）に示す形状となる。次に、化学的機械的研磨法によって、キャパシタ部層間絶縁膜３の上面に形成されているＲｕ膜を除去した（図１４（ｂ））。
【０１２８】
この方法により、化学的気相成長法によってＲｕ膜を選択的に堆積したい領域、すなわちキャパシタ部層間絶縁膜３の側面および底面部に下地となる Ｒｕ膜を形成できる。ここで、化学的機械的研磨法によってＲｕ膜を除去する際に、キャパシタ部層間絶縁膜の表面部にＳｉ3Ｎ4などのストッパーを形成しておくことが望ましい。このストッパーは化学的機械的研磨後に除去してもよいし、そのまま残しておいても差し支えない。また、化学的機械的研磨時に、キャパシタ部層間絶縁膜の凹部にパーティクルが落ちるのを防ぐためにシリコン酸化膜を埋め込んでおくことが望ましい。このシリコン酸化膜は化学的機械的研磨後に除去する必要がある。化学的機械的研磨法によるＲｕ膜の除去後に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極１２を堆積した。Ｒｕ下部電極の堆積条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。原料の分解を促進するために、キャリアガスであるＡｒに対して１％の濃度のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、ＲｕＯ2膜は形成されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。この条件下ではルテニウム膜堆積の下地選択性が生じるため、（図１４（ｃ））に示すように、開口部の底面と側面にはＲｕ膜が堆積するが、キャパシタ部層間絶縁膜の上面にはＲｕ膜は堆積しない。ここで、後熱処理によって下部ルテニウム電極が変形するのを防ぐために、下部ルテニウム電極を熱処理によって焼き締めることが望ましい。具体的には、不活性雰囲気中、例えばアルゴン中で、７００℃、１分間の熱処理を行えばよい。熱処理温度は、誘電体酸化膜の結晶化熱処理温度よりも高温であることが望ましい。
【０１２９】
その後、ＢＳＴ膜からなる酸化物誘電体６とＲｕ膜からなる上部電極７を化学的気相成長法によって順次堆積した（図１４（ｄ））。ＢＳＴ膜の堆積条件は、Ｂａ原料としてＢａ(ＤＰＭ)2[Ｂａ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：バリウムジピバロイルメタン]、Ｓｒ原料としてＳｒ(ＤＰＭ)2[Ｓｒ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ストロンチウムジピバロイルメタン]、Ｔｉ原料としてＴｉ(ＯＣ3Ｈ7)4（トリイソプロポキシドチタニウム）を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は４１００℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ＢＳＴ膜堆積後に、ＢＳＴ膜の結晶化を促進させるために熱処理を行った。熱処理条件は、酸素気流中で６００℃、２０秒間である。ＢＳＴ膜の熱処理後に堆積した上部電極のＲｕの成長条件は、原料のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]を、キャリアガスとしてＡｒを用いる液体バブリング法によって供給し、堆積温度は２３０℃、圧力は０．５Ｔｏｒｒである。ただし、キャリアガスであるＡｒに対して１０％のＯ2ガスを成膜室の直前でＲｕ原料と混合させた。なお、膜は酸化されず、Ｒｕ金属膜が堆積する。
【０１３０】
本参考例を用いれば、凹型の下部ルテニウム電極を形成する工程において、ルテニウム膜の堆積後にスパッタエッチング法によってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程が省略できる。
【０１３１】
酸化物誘電体膜の材料は、上記のチタン酸バリウムストロンチウムに限らず、タンタル酸化物，チタン酸ストロンチウム，チタン酸ジルコン酸鉛，ビスマス系層状強誘電体を用いることができる。上部電極の材料は、上記のルテニウムに限らず、白金，イリジウムを用いることができる。
【０１３２】
また、化学的気相成長法の原料は、上記のＲｕ(ＥｔＣｐ)2[Ｒｕ(Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4)2：ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]に限らず、Ｒｕ(Ｃｐ)2[Ｒｕ(Ｃ5Ｈ5)2：ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＭｅＣｐ)2[Ｒｕ(ＣＨ3Ｃ5Ｈ4)2：ビス(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]やＲｕ(ＤＰＭ)3[Ｒｕ{(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3}3：ルテニウムジピバロイルメタン]などの、Ｒｕの有機化合物原料を用いれば、同様の効果が得られる。また、上記の原料をエーテル化合物溶媒に希釈しても同様の効果が得られる。
【０１３３】
下部ルテニウム電極の堆積条件は、上記のものに限らず、Ｒｕ膜上には膜が形成されるがＳｉＯ2上には形成されない下地選択性が生じる条件で堆積を行えば、上記の効果が得られる。具体的には、圧力は０．１Ｔｏｒｒを超えてかつ１０Ｔｏｒｒを超えないことが必要である。形成温度は、１５０℃を超えて３００℃を超えないことが必要である。ただし、Ｒｕ原料をエーテル化合物溶媒に希釈した場合には、Ｒｕの選択性が得られる条件が５０℃から１００℃高温側ヘシフトするため、形成温度は２００℃を超えて４００℃を超えないことが必要である。また、原料の分解を促進させるために混合する酸素は、０．０１％を超えてかつ７０％を超えないことが必要である。
【０１３４】
＜参考例７＞
参考例７を図１５で説明する。これは、実施例１で説明した、成膜防止膜のＴｉＮ膜が形成されていない領域に、下部電極のＲｕ膜を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜のＴｉＮ膜を絶縁化することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製したものである。
【０１３５】
Ｓｉ基板１９に、熱酸化による素子分離２０とイオン打ち込みによる拡散層２１を形成し、その上にｐｏｌｙ−ＳｉとＷＳｉ2の積層からなるワード２２と２３を形成した。その後、Ｓｉ3Ｎ4からなるバリア層２５上にｐｏｌｙ−ＳｉとＷＳｉ2の積層からなるビット線２６と２７を形成した。また、ＳｉＯ2からなるプラグ部層間絶縁膜３０間に、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなるプラグ２４と、ＴｉＮからなるプラグ２８とＲｕからなるプラグ２９を形成した。この積層プラグにより、トランジスタの拡散層２１とキャパシタの下部電極３３を電気的に接続する。その後、実施例１で説明した工程を用いて、ＳｉＯ2からなるキャパシタ部層間絶縁膜３1、ＴｉO2からなる分離層３２、Ｒｕからなる下部電極３３、ＢＳＴからなる容量絶縁膜３４、Ｒｕからなる上部電極３５を形成した。キャパシタの上部にＳｉＯ2からなる配線部層間絶縁膜３６と、Ｗからなる第二の配線層３７を形成した。この容量記憶素子のメモリ動作を確認したところ、所望の特性が得られることが確認された。
【０１３６】
ここでは、実施例１で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によって下部ルテニウム電極を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜を絶縁化することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製した。これに限らず、参考例１で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によって下部ルテニウム電極を選択的に堆積させ、その後成膜防止膜を選択的に除去することによってキャパシタ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３７】
また、実施例２で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法による下部ルテニウム電極を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３８】
また、実施例３で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成し、その後成膜防止膜を絶縁化することによってプラグ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１３９】
また、実施例４で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法によってルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成し、その後成膜防止膜を選択的に除去することによってプラグ間の電気的な分離を行う工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４０】
また、参考例２で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４１】
また、参考例３で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによってプラグを形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４２】
また、参考例６で説明したスパッタ法によるＲｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を選択的に堆積させて、凹型つまり薄膜の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４３】
また、参考例４で説明した化学的気相成長法による第ーのルテニウム膜が形成されている領域に、化学的気相成長法による第二のルテニウム膜を選択的に堆積させで開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４４】
また、実施例５で説明した成膜防止膜が形成されていない領域に、化学的気相成長法による第一のルテニウム膜を選択的に堆積させ、その後、第一のルテニウム膜が形成されている領域に、化学的気相成長法による第二のルテニウム膜を選択的に堆積させて開口部を埋め込むことによって凸型の下部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４５】
また、参考例５で説明した酸化物誘電体膜上にスパッタ法によるＲｕ膜を形成し、その後、Ｒｕ膜が形成されている領域に、化学的気相成長法によるルテニウム膜を堆積させて上部電極を形成する工程を用いて容量記憶素子を作製しても、所望のメモリ動作の特性が得られた。
【０１４６】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｒｕ下部電極として用いるキャパシタにおいて、自己整合的に、キャパシタ間の電気的な分離が可能となるため、スパッタエッチングによって下部電極を加工する工程が省略できる。また、埋め込み法による凸型の下部電極やプラグ、また上部電極の形成も容易になる。それにより、半導体容量素子の微細化による高集積化、エ程簡略化による歩留まりの向上、エ程数削減による低コスト化、等が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１を説明する工程の縦断面図。
【図２】 本発明の参考例１を説明する工程の縦断面図。
【図３】 本発明の実施例２を説明する工程の縦断面図。
【図４】 本発明の実施例３を説明する工程の縦断面図。
【図５】 本発明の実施例４を説明する工程の縦断面図。
【図６】 本発明の参考例２を説明する工程の縦断面図。
【図７】 本発明の参考例３を説明する工程の縦断面図。
【図８】 本発明の参考例４を説明する工程の縦断面図。
【図９】 本発明の実施例５を説明する工程の縦断面図。
【図１０】 本発明の参考例５を説明する工程の縦断面図。
【図１１】 Ｒｕ膜の堆積速度の下地依存を示す図。
【図１２】 従来方法の一例を説明する工程の縦断面図。
【図１３】 従来方法の一例を説明する工程の縦断面図。
【図１４】 本発明の参考例６を説明する工程の縦断面図。
【図１５】 本発明の参考例７を説明する工程の縦断面図。
【符号の説明】
１・・・プラグ、２・・・プラグ部層間絶縁膜、３・・・キャパシタ部層間絶縁膜、４・・・成膜防止膜、５・・・下部ルテニウム電極、６・・・酸化物誘電体、７・・・上部電極、８・・・分離層、９・・・ルテニウムプラグ、１０・・・下部電極、１１・・・スパッタリング法による下部ルテニウム電極、１２・・・化学的気相成長法による下部ルテニウム電極、１３・・・スパッタリング法によるルテニウムプラグ、１４・・・化学的気相成長法によるルテニウムプラグ、１５・・・化学的気相成長法による第一の下部ルテニウム電極、１６・・・化学的気相成長法による第二の下部ルテニウム電極、１７・・・スパッタリング法による上部ルテニウム電極、１８・・・化学的気相成長法による上部ルテニウム電極、１９・・・基板(Ｓｉ)、２０・・・素子分離(ＳｉＯ2)、２１・・・拡散層、２２・・・ワード線(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２３・・・ワード線(ＷＳｉ2)、２４・・・プラグ(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２５・・・バリア層(Ｓｉ3Ｎ4)、２６・・・…ビット線(ｐｏｌｙ−Ｓｉ)、２７・・・ビット線(ＷＳｉ2)、２８・・・プラグ(ＴｉＮ)、２９・・・プラグ(Ｒｕ)、３０・・・プラグ部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３１・・・キャパシタ部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３２・・・分離層(ＴｉO2)、３３・・・下部電極(Ｒｕ)、３４・・・誘電体(ＢＳＴ)、３５・・・上部電極(Ｒｕ)、３６・・・配線部層間絶縁膜(ＳｉＯ2)、３７・・・第二の配線層(Ｗ)。
Claims (6)
- 酸化物誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜上に、窒化チタン（ＴｉＮ）からなるルテニウムの成膜を防止する成膜防止膜を形成する第１の工程と、
前記成膜防止膜を貫通して上記層間絶縁膜内に凹型の孔を形成する第２の工程と、
有機ルテニウム化合物を原料として用いた化学的気相成長法により、前記成膜防止膜が形成されていない部分の前記凹型の孔の内側側面及び底面上に、選択的にルテニウムからなるキャパシタの下部電極を形成する第３の工程と、
前記下部電極上及び前記成膜防止膜上に渡って酸化物誘電体膜を形成すると同時に前記成膜防止膜を酸化して酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を形成する第４の工程と、
前記酸化物誘電体膜上に上部電極を形成する第５の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 酸化物誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜上に、窒化チタン（ＴｉＮ）からなるルテニウムの成膜を防止する成膜防止膜を形成する第１の工程と、
前記成膜防止膜を貫通して前記層間絶縁膜内に凹型の孔を形成する第２の工程と、
有機ルテニウム化合物を原料として用いた化学的気相成長法により、前記成膜防止膜が形成されていない部分の前記凹型の孔の内部に、選択的にルテニウムからなるキャパシタの下部電極を埋め込み形成する第３の工程と、
前記成膜防止膜及び前記層間絶縁膜を除去して凸型の前記下部電極の側面を露出する第４の工程と、
前記下部電極上に酸化物誘電体膜を形成する第５の工程と、
前記酸化物誘電体膜上に上部電極を形成する第６の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 酸化物誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜上に、窒化チタン（ＴｉＮ）からなるルテニウムの成膜を防止する成膜防止膜を形成する第１の工程と、
前記成膜防止膜を貫通して前記層間絶縁膜内に凹型の孔を形成する第２の工程と、
有機ルテニウム化合物を原料として用いた化学的気相成長法により、前記成膜防止膜が形成されていない部分の前記凹型の孔の内部に、選択的にルテニウムからなるプラグを埋め込み形成する第３の工程と、
前記成膜防止膜を除去する第４の工程と、
前記プラグの上面と接触したキャパシタの下部電極を形成する第５の工程と、
前記下部電極上に酸化物誘電体膜を形成する第６の工程と、
前記酸化物誘電体膜上に上部電極を形成する第７の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記酸化物誘電体膜が、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）膜、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に窒化チタン（ＴｉＮ）からなるルテニウムの成膜を防止する成膜防止膜を形成する第２の工程と、
所定の領域において、前記成膜防止膜と前記絶縁膜を除去し、前記絶縁膜内に凹型の孔を形成する第３の工程と、
前記成膜防止膜で覆われていない部分に選択的にルテニウム膜の成膜を行い、前記凹型の孔の内部を充填するように、ルテニウムからなるプラグを埋め込み形成する第４の工程と、
前記成膜防止膜を除去する第５の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に窒化チタン（ＴｉＮ）からなるルテニウムの成膜を防止する成膜防止膜を形成する第２の工程と、
所定の領域において、前記成膜防止膜と前記絶縁膜を除去し、前記絶縁膜内に凹型の孔を形成する第３の工程と、
前記成膜防止膜で覆われていない部分に選択的にルテニウム膜の成膜を行い、前記凹型の孔の内部を充填するように、ルテニウムからなるプラグを埋め込み形成する第４の工程と、
前記成膜防止膜を酸化し、酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を形成する第５の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| KR100476375B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2005-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 및 그를 구비하는 비휘발 소자의 제조 방법 |
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| US7101767B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
| TWI278035B (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-01 | Hynix Semiconductor Inc | Method for fabricating semiconductor device |
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| KR100641546B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 금속-절연체-금속 커패시터의 제조 방법 |
| KR100583964B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 도드라진 셀 랜딩패드를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 |
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| KR101368803B1 (ko) * | 2007-10-02 | 2014-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 장치 및 그 형성 방법 |
| US20090141426A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Cheol-Seong Hwang | Thin film multi-layered ceramic capacitor and method of fabricating the same |
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| US5200635A (en) * | 1988-12-21 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a low-resistivity planar wiring structure |
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| US5877087A (en) * | 1995-11-21 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Low temperature integrated metallization process and apparatus |
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| JP3749776B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2006-03-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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