JP3972065B2 - シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 85
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 65
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/959—Mechanical polishing of wafer
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はウェーハ研磨装置に関し、より詳しくは半導体の基板であるウェーハの裏面研磨時、研磨部で発生するシリコンダストの除去を容易にするウェーハ研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、ウェーハはシリコン単結晶棒（Silicon ingot ）から得られるが、それはシリコンインゴットをスライシング切断して、グラインディング研磨して、化学的エッチング研磨およびポリシング鏡面工程により製造される。
【０００３】
グラインディング研磨は、片面研磨方法と両面研摩方法に区分され、ウェーハの裏面研磨には片面研磨方法が使用される。この片面研磨方法により、ウェーハは金箔蒸着工程および組立加工に必要な最上の条件を有する。
【０００４】
ウェーハの裏面研磨工程を通して、ウェーハの裏面上の不要な薄膜が除去され、後続の工程における最適のウェーハの厚さが得られる。
【０００５】
研磨工程時、研磨材（abrasive）とラッピング溶液（Lapping Vehicle ）とを混合した混合物をラッピングプレート（Lapping Plate ）と加工されるウェーハとの間に注入し、両者に圧力を加えながら互いに交差させて研摩材で加工してウェーハの表面を滑らかにする。
【０００６】
特に、研磨工程中に問題となることは、加工中に発生するシリコンダストの量を最小にすることである。シリコン単結晶の切断または研磨などの加工時、研磨材、鉄および破損されたシリコンなどの不純物が多く含まれたシリコンダストが発生するが、これら不純物は金箔蒸着工程に悪影響を及ぼす。したがって、シリコンダストを除去してより滑らかな面にする、または結晶表面の汚染を除去してきれいな結晶面にする必要がある。
【０００７】
また、半導体素子製造工程において洗浄工程も非常に大切である。洗浄工程により研磨工程で使用された接着剤とウェーハの前面を保護するために塗布された感光膜、不純物などを完全に除去する必要がある。
【０００８】
以下に、従来技術のウェーハ裏面研磨装置について添付した図面を参照して説明する。
【０００９】
図５は従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨部の詳細図であり、図６は従来のウェーハ研磨時にシリコンダストがウェーハ前面に吸引される部分の状態図であり、図７は従来のウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【００１０】
ウェーハの研磨工程では、ウェーハ（３）の前面にテーピングをした後、ウェーハを裏返しにし、ウェーハの前面を真空チャックテーブル（２）に固定させる。
【００１１】
ウェーハ（３）の裏面を研磨ホイール（１）で所定の厚さに研磨し、ウェーハ（３）の厚さと表面状態が適当になると、ウェーハ（３）の前面のテーブルを除去する。
【００１２】
このような工程中、研磨されるウェーハ（３）からシリコンダスト（１０２）が発生する。
【００１３】
シリコンダスト（１０２）はウェーハ（３）の表面を滑らかにするのに障害要因となるので、シリコンダスト（１０２）はきれいに除去されるべきである。
【００１４】
図５に図示されたように、研磨工程中に発生するシリコンダスト（１０２）を除去するために、従来の研磨装置は研磨過程中に切削水（１０１）を流れるようにし、研磨終了後、シリコンダスト（１０２）洗浄作業に次いでウェーハをドライする。
【００１５】
研磨工程時、研磨部（１０）の研磨ホイール（１）側から脱イオン水の切削水（１０１）を流入させ、切削水（１０１）の流れによりシリコンダスト（１０２）がウェーハ（３）の中央部分から縁側（１０３）に押されるようにする。
【００１６】
図７に図示されたように、シリコンダスト（１０２）を洗浄するために、ウェーハ（３）の前面がスピンチャックテーブル（４）に対面するように固定させ、ウェーハ（３）の裏面に残っているシリコンダスト（１０２）を洗浄水で流出させ、最後に、ウェーハ（３）をドライさせる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の研磨装置においては、切削水（１０１）を流入させるため、研磨ホイール（１）側の１個のノズル（１１）のみを利用する。
【００１８】
切削水（１０１）の流れにより押されるシリコンダスト（１０２）は自然にウェーハ（３）の縁側全般に拡散されてチャックテーブル（２）の真空によりチャックテーブル（２）の前面に吸込まれる。
【００１９】
したがって、大量のシリコンダストの前面吸込みにより、チャックテーブル（２）の前面に残っているシリコンダストを除去するのは簡単ではない。
【００２０】
また、シリコンダスト（１０２）を洗浄するため、ウェーハ（３）の裏面のみに洗浄水（２０１）が流れる。
【００２１】
それゆえ、洗浄を終えて、ドライ処理まで完了した後にも、洗浄されていないウェーハ（３）の前面には依然としてシリコンダスト（１０２）が残っている。
【００２２】
このように、洗浄後にも残っているウェーハ（３）の前面のシリコンダストは、既存の６インチのウェーハ（３）の場合には問題になるほどの多い量ではなかった。
【００２３】
しかしながら、最近ウェーハのサイズが８インチと大口径化されるにつれて研磨時に発生するシリコンダスト（１０２）の量も自然と増加するようになった。一方、研磨前段階で接着したテープを除去するために、リムーバテープを接着する。
【００２４】
前面のシリコンダストのため、リムーバテープの接着がうまくゆかず、ウェーハ（３）が壊れ、コーティングテープの上にリムーバテープを接着するときにエラーが発生するという欠点がある。
【００２５】
本発明の目的は、前述したような従来技術の欠点を解消するもので、研磨部の中央部分から挿入される切削水の流れによりウェーハ全般に分散するシリコンダストを特定の領域に集中するように切削水の流れを調整し、洗浄部での洗浄時、研磨済のウェーハの裏面のみを洗浄することによりウェーハの前面に依然として残るシリコンダストを除去するためにリムーバテープの接着力を改善してシリコンダストの除去をより容易にするウェーハ研磨装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するため、本発明のウェーハ研磨装置は、ウェーハを装着するチャックテーブルと、ウェーハを研磨する研磨ホイールと、ウェーハおよび研磨ホイールの摩擦部に切削水を供給する第１および第２の切削水供給装置とを備え、ウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、研磨部と洗浄部とを制御する制御部から構成される。
【００２７】
また第２供給装置は、シリコンダストを１つの方向に送れるように設置されるものである。
【００２８】
また、第２の切削水供給装置は、１個以上である。
また、研磨部で研磨後、洗浄部のスピンチャックテーブル上に、ウェーハを移して装着する運搬部と、切削水を供給する切削水タンクとを有するものである。
【００２９】
また、ウェーハ研磨装置は、研磨されたウェーハを回転させるスピンチャックテーブルと、研磨されたウェーハの両側表面に洗浄水を供給する装置とを有し、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、ウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、研磨部と洗浄部とを制御する制御部から構成されるものである。
【００３０】
また、研磨後、洗浄部のスピンチャックテーブル上にウェーハを移して装着させる運搬部と、切削水を供給する切削水タンクを有するものである。
【００３１】
【実施例】
以上のような構成により、本発明が属する技術分野で通常の知識を有するものが本発明を容易に実施することができる好ましい実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
図１ないし図４に図示したように、本発明の実施例に基づくシリコンダスト除去用ウェーハ研磨装置において、ウェーハの表面を滑らかにし、所定の部分にシリコンダスト（１０５）を追出す研磨部（１０）はウェーハが装着される真空チャックテーブル（２）と、切削水供給タンク（４０）と連結されて複数の切削水（１１，１２）を供給する装置と、研磨工程を遂行する研磨ホイール（１）とを含む。
【００３３】
洗浄部（２０）は、ウェーハ（３）に残っているシリコンダスト（１０５）を除去するために裏面および前面に同時に洗浄水（２０１，２０２）を流入されるそれぞれの供給装置（２１，２２）を含む。
【００３４】
運搬部（５０）は、研磨部（１０）で研磨が終った後、真空チャックテーブル（２）に装着されているウェーハ（３）をスピンチャックテーブル（４）に移して装着させる。
【００３５】
制御部（３０）は、研磨部（１０）と運搬部（５０）と洗浄部（２０）とを制御する。
【００３６】
切削水タンク（４０）は、切削水をそれぞれの装置（１１，１２，２１，２２）を通じて研磨部（１０）と洗浄部（２０）に供給する。
【００３７】
以上のような構成により、本発明の実施例に基づくシリコンダストを除去するためのウェーハ研磨工程の作用は次のとおりである。
【００３８】
図５に図示したように、従来の研磨装置において研磨工程を遂行する場合、研磨部での研磨時に別のノズル（１２）装置によりノズルから流入される切削水の流れ（１０１）によりウェーハ（３）の前面にシリコンダスト（１０２）が拡散される。
【００３９】
しかしながら、図２に図示したように、本発明に基づく研磨装置において、研磨部（１０）への切削水の流れ（１０４）が追加される。
【００４０】
これにより、図５においてのシリコンダスト（１０２）の流れは図２においての切削水の流れ（１０４）により変化する（１０５）。
【００４１】
また、図３に図示したように、研磨済のウェーハ（３）のシリコンダスト（１０２）で汚染された領域（１０６）は狭くなり、よって研磨済のウェーハ（３）の前面のシリコンダストの量は大幅に減少する。
【００４２】
図４に図示したように、ウェーハ（３）がスピンチャックテーブル（４）に移動されてテープでコーティングされた前面をスピンチャックテーブル（４）と対面するように固定させる。
【００４３】
したがって、洗浄水（２０１，２０２）によりウェーハ（３）の前面および裏面が同時に洗浄されるが、洗浄水（２０１，２０２）は裏面用洗浄水供給装置（２１）と前面用洗浄水供給装置（２２）を通して流れる。
【００４４】
以上の作用により、ウェーハ（３）の前面および裏面のシリコンダストは除去される。
【００４５】
また、研磨部（１０）において、研磨前にウェーハ（３）の前面を保護するためウェーハ（３）の前面をテープでコーティングする。
【００４６】
そしてコーティングされていないウェーハ（３）の裏面を研磨した後、ウェーハ（３）の前面にコーティングされたテープを除去するためにリムーバテープを接着する。
【００４７】
このときウェーハ（３）の前面に残っているシリコンダストが完全に除去されるのでリムーバテープがうまく接着される。
【００４８】
したがって、リムーバテープによりウェーハ（３）の前面を保護するために接着したコーティングテープが容易に除去される。
【００４９】
以上のように本発明に基づいて、ウェーハ（３）の縁側に追加に切削水（１０４）を供給する供給装置（１２）を利用して、シリコンダストを除去する。
【００５０】
したがって、シリコンダストがウェーハ（３）の裏面の縁側からウェーハの前面に吸入されるのを防止し、洗浄水供給装置（２２）を通してウェーハ（３）の前面に洗浄水（２０２）を供給してウェーハ（３）の前面のシリコンダストを除去する。
【００５１】
【発明の効果】
本発明はシリコンダストがウェーハの裏面の縁側からウェーハの前面に吸入されるのを防止するため、ウェーハの前面のシリコンダストを確実に除去して半導体の基板として使用されるシリコンウェーハを製造する分野において非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウェーハ研磨装置の構成ブロック図である。
【図２】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置でのウェーハ研磨部の詳細図である。
【図３】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置のウェーハ研磨時、シリコンダストがウェーハの前面に吸込まれる部分の状態図である。
【図４】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【図５】従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨部の詳細図である。
【図６】従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨時、シリコンダストがウェーハの前面に吸込まれる部分の状態図である。
【図７】従来のウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【符号の説明】
１：研磨ホイール
２：真空チャックテーブル
３：ウェーハ
４：スピンチャックテーブル
１０：研磨部
１１：切削水供給装置
１２：切削水供給装置
２０：洗浄部
２１：裏面用洗浄水供給装置
２２：前面用洗浄水供給装置
３０：制御部
４０：切削水供給タンク
５０：運搬部
１０１：切削水
１０２：シリコンダスト
１０４：切削水の流れ
１０５：所定の部分
２０１：洗浄水
２０２：洗浄水
【産業上の利用分野】
本発明はウェーハ研磨装置に関し、より詳しくは半導体の基板であるウェーハの裏面研磨時、研磨部で発生するシリコンダストの除去を容易にするウェーハ研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、ウェーハはシリコン単結晶棒（Silicon ingot ）から得られるが、それはシリコンインゴットをスライシング切断して、グラインディング研磨して、化学的エッチング研磨およびポリシング鏡面工程により製造される。
【０００３】
グラインディング研磨は、片面研磨方法と両面研摩方法に区分され、ウェーハの裏面研磨には片面研磨方法が使用される。この片面研磨方法により、ウェーハは金箔蒸着工程および組立加工に必要な最上の条件を有する。
【０００４】
ウェーハの裏面研磨工程を通して、ウェーハの裏面上の不要な薄膜が除去され、後続の工程における最適のウェーハの厚さが得られる。
【０００５】
研磨工程時、研磨材（abrasive）とラッピング溶液（Lapping Vehicle ）とを混合した混合物をラッピングプレート（Lapping Plate ）と加工されるウェーハとの間に注入し、両者に圧力を加えながら互いに交差させて研摩材で加工してウェーハの表面を滑らかにする。
【０００６】
特に、研磨工程中に問題となることは、加工中に発生するシリコンダストの量を最小にすることである。シリコン単結晶の切断または研磨などの加工時、研磨材、鉄および破損されたシリコンなどの不純物が多く含まれたシリコンダストが発生するが、これら不純物は金箔蒸着工程に悪影響を及ぼす。したがって、シリコンダストを除去してより滑らかな面にする、または結晶表面の汚染を除去してきれいな結晶面にする必要がある。
【０００７】
また、半導体素子製造工程において洗浄工程も非常に大切である。洗浄工程により研磨工程で使用された接着剤とウェーハの前面を保護するために塗布された感光膜、不純物などを完全に除去する必要がある。
【０００８】
以下に、従来技術のウェーハ裏面研磨装置について添付した図面を参照して説明する。
【０００９】
図５は従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨部の詳細図であり、図６は従来のウェーハ研磨時にシリコンダストがウェーハ前面に吸引される部分の状態図であり、図７は従来のウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【００１０】
ウェーハの研磨工程では、ウェーハ（３）の前面にテーピングをした後、ウェーハを裏返しにし、ウェーハの前面を真空チャックテーブル（２）に固定させる。
【００１１】
ウェーハ（３）の裏面を研磨ホイール（１）で所定の厚さに研磨し、ウェーハ（３）の厚さと表面状態が適当になると、ウェーハ（３）の前面のテーブルを除去する。
【００１２】
このような工程中、研磨されるウェーハ（３）からシリコンダスト（１０２）が発生する。
【００１３】
シリコンダスト（１０２）はウェーハ（３）の表面を滑らかにするのに障害要因となるので、シリコンダスト（１０２）はきれいに除去されるべきである。
【００１４】
図５に図示されたように、研磨工程中に発生するシリコンダスト（１０２）を除去するために、従来の研磨装置は研磨過程中に切削水（１０１）を流れるようにし、研磨終了後、シリコンダスト（１０２）洗浄作業に次いでウェーハをドライする。
【００１５】
研磨工程時、研磨部（１０）の研磨ホイール（１）側から脱イオン水の切削水（１０１）を流入させ、切削水（１０１）の流れによりシリコンダスト（１０２）がウェーハ（３）の中央部分から縁側（１０３）に押されるようにする。
【００１６】
図７に図示されたように、シリコンダスト（１０２）を洗浄するために、ウェーハ（３）の前面がスピンチャックテーブル（４）に対面するように固定させ、ウェーハ（３）の裏面に残っているシリコンダスト（１０２）を洗浄水で流出させ、最後に、ウェーハ（３）をドライさせる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の研磨装置においては、切削水（１０１）を流入させるため、研磨ホイール（１）側の１個のノズル（１１）のみを利用する。
【００１８】
切削水（１０１）の流れにより押されるシリコンダスト（１０２）は自然にウェーハ（３）の縁側全般に拡散されてチャックテーブル（２）の真空によりチャックテーブル（２）の前面に吸込まれる。
【００１９】
したがって、大量のシリコンダストの前面吸込みにより、チャックテーブル（２）の前面に残っているシリコンダストを除去するのは簡単ではない。
【００２０】
また、シリコンダスト（１０２）を洗浄するため、ウェーハ（３）の裏面のみに洗浄水（２０１）が流れる。
【００２１】
それゆえ、洗浄を終えて、ドライ処理まで完了した後にも、洗浄されていないウェーハ（３）の前面には依然としてシリコンダスト（１０２）が残っている。
【００２２】
このように、洗浄後にも残っているウェーハ（３）の前面のシリコンダストは、既存の６インチのウェーハ（３）の場合には問題になるほどの多い量ではなかった。
【００２３】
しかしながら、最近ウェーハのサイズが８インチと大口径化されるにつれて研磨時に発生するシリコンダスト（１０２）の量も自然と増加するようになった。一方、研磨前段階で接着したテープを除去するために、リムーバテープを接着する。
【００２４】
前面のシリコンダストのため、リムーバテープの接着がうまくゆかず、ウェーハ（３）が壊れ、コーティングテープの上にリムーバテープを接着するときにエラーが発生するという欠点がある。
【００２５】
本発明の目的は、前述したような従来技術の欠点を解消するもので、研磨部の中央部分から挿入される切削水の流れによりウェーハ全般に分散するシリコンダストを特定の領域に集中するように切削水の流れを調整し、洗浄部での洗浄時、研磨済のウェーハの裏面のみを洗浄することによりウェーハの前面に依然として残るシリコンダストを除去するためにリムーバテープの接着力を改善してシリコンダストの除去をより容易にするウェーハ研磨装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するため、本発明のウェーハ研磨装置は、ウェーハを装着するチャックテーブルと、ウェーハを研磨する研磨ホイールと、ウェーハおよび研磨ホイールの摩擦部に切削水を供給する第１および第２の切削水供給装置とを備え、ウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、研磨部と洗浄部とを制御する制御部から構成される。
【００２７】
また第２供給装置は、シリコンダストを１つの方向に送れるように設置されるものである。
【００２８】
また、第２の切削水供給装置は、１個以上である。
また、研磨部で研磨後、洗浄部のスピンチャックテーブル上に、ウェーハを移して装着する運搬部と、切削水を供給する切削水タンクとを有するものである。
【００２９】
また、ウェーハ研磨装置は、研磨されたウェーハを回転させるスピンチャックテーブルと、研磨されたウェーハの両側表面に洗浄水を供給する装置とを有し、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、ウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、研磨部と洗浄部とを制御する制御部から構成されるものである。
【００３０】
また、研磨後、洗浄部のスピンチャックテーブル上にウェーハを移して装着させる運搬部と、切削水を供給する切削水タンクを有するものである。
【００３１】
【実施例】
以上のような構成により、本発明が属する技術分野で通常の知識を有するものが本発明を容易に実施することができる好ましい実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
図１ないし図４に図示したように、本発明の実施例に基づくシリコンダスト除去用ウェーハ研磨装置において、ウェーハの表面を滑らかにし、所定の部分にシリコンダスト（１０５）を追出す研磨部（１０）はウェーハが装着される真空チャックテーブル（２）と、切削水供給タンク（４０）と連結されて複数の切削水（１１，１２）を供給する装置と、研磨工程を遂行する研磨ホイール（１）とを含む。
【００３３】
洗浄部（２０）は、ウェーハ（３）に残っているシリコンダスト（１０５）を除去するために裏面および前面に同時に洗浄水（２０１，２０２）を流入されるそれぞれの供給装置（２１，２２）を含む。
【００３４】
運搬部（５０）は、研磨部（１０）で研磨が終った後、真空チャックテーブル（２）に装着されているウェーハ（３）をスピンチャックテーブル（４）に移して装着させる。
【００３５】
制御部（３０）は、研磨部（１０）と運搬部（５０）と洗浄部（２０）とを制御する。
【００３６】
切削水タンク（４０）は、切削水をそれぞれの装置（１１，１２，２１，２２）を通じて研磨部（１０）と洗浄部（２０）に供給する。
【００３７】
以上のような構成により、本発明の実施例に基づくシリコンダストを除去するためのウェーハ研磨工程の作用は次のとおりである。
【００３８】
図５に図示したように、従来の研磨装置において研磨工程を遂行する場合、研磨部での研磨時に別のノズル（１２）装置によりノズルから流入される切削水の流れ（１０１）によりウェーハ（３）の前面にシリコンダスト（１０２）が拡散される。
【００３９】
しかしながら、図２に図示したように、本発明に基づく研磨装置において、研磨部（１０）への切削水の流れ（１０４）が追加される。
【００４０】
これにより、図５においてのシリコンダスト（１０２）の流れは図２においての切削水の流れ（１０４）により変化する（１０５）。
【００４１】
また、図３に図示したように、研磨済のウェーハ（３）のシリコンダスト（１０２）で汚染された領域（１０６）は狭くなり、よって研磨済のウェーハ（３）の前面のシリコンダストの量は大幅に減少する。
【００４２】
図４に図示したように、ウェーハ（３）がスピンチャックテーブル（４）に移動されてテープでコーティングされた前面をスピンチャックテーブル（４）と対面するように固定させる。
【００４３】
したがって、洗浄水（２０１，２０２）によりウェーハ（３）の前面および裏面が同時に洗浄されるが、洗浄水（２０１，２０２）は裏面用洗浄水供給装置（２１）と前面用洗浄水供給装置（２２）を通して流れる。
【００４４】
以上の作用により、ウェーハ（３）の前面および裏面のシリコンダストは除去される。
【００４５】
また、研磨部（１０）において、研磨前にウェーハ（３）の前面を保護するためウェーハ（３）の前面をテープでコーティングする。
【００４６】
そしてコーティングされていないウェーハ（３）の裏面を研磨した後、ウェーハ（３）の前面にコーティングされたテープを除去するためにリムーバテープを接着する。
【００４７】
このときウェーハ（３）の前面に残っているシリコンダストが完全に除去されるのでリムーバテープがうまく接着される。
【００４８】
したがって、リムーバテープによりウェーハ（３）の前面を保護するために接着したコーティングテープが容易に除去される。
【００４９】
以上のように本発明に基づいて、ウェーハ（３）の縁側に追加に切削水（１０４）を供給する供給装置（１２）を利用して、シリコンダストを除去する。
【００５０】
したがって、シリコンダストがウェーハ（３）の裏面の縁側からウェーハの前面に吸入されるのを防止し、洗浄水供給装置（２２）を通してウェーハ（３）の前面に洗浄水（２０２）を供給してウェーハ（３）の前面のシリコンダストを除去する。
【００５１】
【発明の効果】
本発明はシリコンダストがウェーハの裏面の縁側からウェーハの前面に吸入されるのを防止するため、ウェーハの前面のシリコンダストを確実に除去して半導体の基板として使用されるシリコンウェーハを製造する分野において非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウェーハ研磨装置の構成ブロック図である。
【図２】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置でのウェーハ研磨部の詳細図である。
【図３】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置のウェーハ研磨時、シリコンダストがウェーハの前面に吸込まれる部分の状態図である。
【図４】本発明の実施例に基づくウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【図５】従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨部の詳細図である。
【図６】従来のウェーハ研磨装置のウェーハ研磨時、シリコンダストがウェーハの前面に吸込まれる部分の状態図である。
【図７】従来のウェーハ研磨装置の洗浄部の詳細図である。
【符号の説明】
１：研磨ホイール
２：真空チャックテーブル
３：ウェーハ
４：スピンチャックテーブル
１０：研磨部
１１：切削水供給装置
１２：切削水供給装置
２０：洗浄部
２１：裏面用洗浄水供給装置
２２：前面用洗浄水供給装置
３０：制御部
４０：切削水供給タンク
５０：運搬部
１０１：切削水
１０２：シリコンダスト
１０４：切削水の流れ
１０５：所定の部分
２０１：洗浄水
２０２：洗浄水
Claims (4)
- シリコンダストを除去するウェーハ研磨装置において、
ウェーハを装着するチャックテーブルと、ウェーハを研磨する研磨ホイールと、前記ウェーハおよび前記研磨ホイールの摩擦部に切削水を供給する第１および第２の切削水供給装置とを有してウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、
研磨されたウェーハを回転させるスピンチャックテーブルと前記研磨されたウェーハの両側表面に洗浄水を供給する装置とを有し、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、
前記研磨部と前記洗浄部とを制御する制御部と
を備え、
前記第２の切削水供給装置は、第１の切削水供給装置の切削水供給部分の中心軸と第２の切削水供給装置の切削水供給部分の中心軸が平行しないように配列されて前記第１の切削水供給装置から供給される切削水と前記第２の切削水供給装置から供給される切削水とがウェーハ上で交差し特定の領域に集められるように設置されることを特徴とする、ウェーハのグラインディング研磨装置。 - 前記第２の切削水供給装置は、１個以上であることを特徴とする、請求項１に記載のウェーハのグラインディング研磨装置。
- 前記研磨部での研磨後、前記洗浄部のスピンチャックテーブル上にウェーハを移して装着する運搬部と、切削水を供給する切削水タンクとを有することを特徴とする、請求項１に記載のウェーハのグラインディング研磨装置。
- 研磨後、前記洗浄部のスピンチャックテーブル上にウェーハを移して装着させる運搬部と、切削水を供給する切削水タンクを有することを特徴とする、請求項１に記載のウェーハのグラインディング研磨装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940010655A KR0132274B1 (ko) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 웨이퍼 연마 설비 |
| KR94P10655 | 1994-05-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0839407A JPH0839407A (ja) | 1996-02-13 |
| JP3972065B2 true JP3972065B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=19383151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11585295A Expired - Lifetime JP3972065B2 (ja) | 1994-05-16 | 1995-05-15 | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5545076A (ja) |
| JP (1) | JP3972065B2 (ja) |
| KR (1) | KR0132274B1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674115A (en) * | 1994-07-06 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Apparatus for grinding a master disc |
| JP2616735B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | ウェハの研磨方法およびその装置 |
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| JP2833552B2 (ja) * | 1995-10-19 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | ウェハ研磨方法および研磨装置 |
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| TWI837277B (zh) * | 2019-01-24 | 2024-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 加工裝置及加工方法 |
Family Cites Families (8)
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-
1994
- 1994-05-16 KR KR1019940010655A patent/KR0132274B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-05-15 JP JP11585295A patent/JP3972065B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-15 US US08/440,920 patent/US5545076A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0132274B1 (ko) | 1998-04-11 |
| KR950034447A (ko) | 1995-12-28 |
| JPH0839407A (ja) | 1996-02-13 |
| US5545076A (en) | 1996-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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|
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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